Choose the experimental features you want to try

This document is an excerpt from the EUR-Lex website

Document 32018R1922R(04)

Helyesbítés a kettős felhasználású termékek kivitelére, transzferjére, brókertevékenységére és tranzitjára vonatkozó közösségi ellenőrzési rendszer kialakításáról szóló 428/2009/EK tanácsi rendelet módosításáról szóló, 2018. október 10-i (EU) 2018/1922 felhatalmazáson alapuló bizottsági rendelethez (HL L 319., 2018.12.14.)

HL L 105., 2019.4.16, p. 67–67 (BG, ES, CS, DA, DE, ET, EL, EN, FR, HR, IT, LV, LT, HU, MT, NL, PL, PT, RO, SK, SL, FI, SV)

ELI: http://data.europa.eu/eli/reg_del/2018/1922/corrigendum/2019-04-16/oj

16.4.2019   

HU

Az Európai Unió Hivatalos Lapja

L 105/67


Helyesbítés a kettős felhasználású termékek kivitelére, transzferjére, brókertevékenységére és tranzitjára vonatkozó közösségi ellenőrzési rendszer kialakításáról szóló 428/2009/EK tanácsi rendelet módosításáról szóló, 2018. október 10-i (EU) 2018/1922 felhatalmazáson alapuló bizottsági rendelethez

( Az Európai Unió Hivatalos Lapja L 319., 2018. december 14. )

A 129. oldalon, a 3B001.f.3. és a 3B001.f.4. pontban

a bekezdések formátuma:

„3.

kifejezetten maszkkészítésre tervezett berendezés, amely rendelkezik az alábbiak mindegyikével:

a.

eltérített fókuszált elektronsugár, ionsugár, vagy „lézersugár”; és

b.

Rendelkeznek az alábbiak bármelyikével:

1.

a félértékszélességű sugárpont mérete kisebb mint 65 nm és a képelhelyezés kisebb mint 17 nm (számtani közép + 3 szigma); vagy

2.

nem használt;

3.

a maszkon a második rétegi átfedési hibája kisebb mint 23 nm (számtani közép + 3 szigma);

4.

eszköz gyártására tervezett berendezés, amely közvetlen írásos módszert alkalmaz, és amely rendelkezik az alábbi jellemzők mindegyikével:

a.

eltérített fókuszált elektronsugár; és

b.

rendelkeznek az alábbiak bármelyikével:

1.

a sugár minimális mérete 15 nm vagy annál kisebb; vagy

2.

az átfedési hiba kisebb mint 27 nm (számtani közép + 3 szigma);”,

helyesen:

„3.

kifejezetten maszkkészítésre tervezett berendezés, amely rendelkezik az alábbiak mindegyikével:

a.

eltérített fókuszált elektronsugár, ionsugár, vagy „lézersugár”; és

b.

Rendelkeznek az alábbiak bármelyikével:

1.

a félértékszélességű sugárpont mérete kisebb mint 65 nm és a képelhelyezés kisebb mint 17 nm (számtani közép + 3 szigma); vagy

2.

nem használt;

3.

a maszkon a második rétegi átfedési hibája kisebb mint 23 nm (számtani közép + 3 szigma);

4.

eszköz gyártására tervezett berendezés, amely közvetlen írásos módszert alkalmaz, és amely rendelkezik az alábbi jellemzők mindegyikével:

a.

eltérített fókuszált elektronsugár; és

b.

rendelkeznek az alábbiak bármelyikével:

1.

a sugár minimális mérete 15 nm vagy annál kisebb; vagy

2.

az átfedési hiba kisebb mint 27 nm (számtani közép + 3 szigma);”.


Top