Berichtigung der Delegierten Verordnung (EU) 2018/1922 der Kommission vom 10. Oktober 2018 zur Änderung der Verordnung (EG) Nr. 428/2009 des Rates über eine Gemeinschaftsregelung für die Kontrolle der Ausfuhr, der Verbringung, der Vermittlung und der Durchfuhr von Gütern mit doppeltem Verwendungszweck
(
Amtsblatt der Europäischen Union L 319 vom 14. Dezember 2018
)
Auf Seite 129, Punkt 3B001 Buchstabe f Nummer 3 und 4:
Anstatt:
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„3.
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Anlagen, besonders konstruiert für die Maskenherstellung mit allen folgenden Eigenschaften:
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a)
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abgelenkten, fokussierten Elektronenstrahlen, Ionenstrahlen oder ‚Laser‘-Strahlen und
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b)
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mit einer der folgenden Eigenschaften:
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1.
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Fokusgröße (spot size) mit einer Halbwertsbreite (full-width half-maximum (FWHM)) kleiner als 65 nm und einer Justiergenauigkeit (image placement) kleiner als 17 nm (Mittelwert + 3 Sigma) oder
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3.
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Überdeckungsfehler (overlay error) der zweiten Schicht auf der Maske kleiner als 23 nm (Mittelwert + 3 Sigma),
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4.
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Anlagen für die Halbleiterherstellung, die Direktschreibverfahren verwenden, mit allen folgenden Eigenschaften:
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a)
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abgelenkten, fokussierten Elektronenstrahlen und
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b)
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mit einer der folgenden Eigenschaften:
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1.
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Mindeststrahlgröße (Minimum beam size) kleiner/gleich 15 nm oder
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2.
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Überdeckungsfehler (overlay error) kleiner als 27 nm (Mittelwert + 3 Sigma),“
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muss es heißen:
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„3.
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Anlagen, besonders konstruiert für die Maskenherstellung mit allen folgenden Eigenschaften:
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a)
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abgelenkten, fokussierten Elektronenstrahlen, Ionenstrahlen oder ‚Laser‘-Strahlen und
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b)
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mit einer der folgenden Eigenschaften:
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1.
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Fokusgröße (spot size) mit einer Halbwertsbreite (full-width half-maximum (FWHM)) kleiner als 65 nm und einer Justiergenauigkeit (image placement) kleiner als 17 nm (Mittelwert + 3 Sigma) oder
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3.
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Überdeckungsfehler (overlay error) der zweiten Schicht auf der Maske kleiner als 23 nm (Mittelwert + 3 Sigma),
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4.
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Anlagen für die Halbleiterherstellung, die Direktschreibverfahren verwenden, mit allen folgenden Eigenschaften:
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a)
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abgelenkten, fokussierten Elektronenstrahlen und
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b)
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mit einer der folgenden Eigenschaften:
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1.
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Mindeststrahlgröße (Minimum beam size) kleiner/gleich 15 nm oder
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2.
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Überdeckungsfehler (overlay error) kleiner als 27 nm (Mittelwert + 3 Sigma),“
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