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Document 32018R1922R(04)

    Berichtigung der Delegierten Verordnung (EU) 2018/1922 der Kommission vom 10. Oktober 2018 zur Änderung der Verordnung (EG) Nr. 428/2009 des Rates über eine Gemeinschaftsregelung für die Kontrolle der Ausfuhr, der Verbringung, der Vermittlung und der Durchfuhr von Gütern mit doppeltem Verwendungszweck (ABl. L 319 vom 14.12.2018)

    ABl. L 105 vom 16.4.2019, p. 67–67 (BG, ES, CS, DA, DE, ET, EL, EN, FR, HR, IT, LV, LT, HU, MT, NL, PL, PT, RO, SK, SL, FI, SV)

    ELI: http://data.europa.eu/eli/reg_del/2018/1922/corrigendum/2019-04-16/oj

    16.4.2019   

    DE

    Amtsblatt der Europäischen Union

    L 105/67

    Berichtigung der Delegierten Verordnung (EU) 2018/1922 der Kommission vom 10. Oktober 2018 zur Änderung der Verordnung (EG) Nr. 428/2009 des Rates über eine Gemeinschaftsregelung für die Kontrolle der Ausfuhr, der Verbringung, der Vermittlung und der Durchfuhr von Gütern mit doppeltem Verwendungszweck

    ( Amtsblatt der Europäischen Union L 319 vom 14. Dezember 2018 )

    Auf Seite 129, Punkt 3B001 Buchstabe f Nummer 3 und 4:

    Anstatt:

    „3.

    Anlagen, besonders konstruiert für die Maskenherstellung mit allen folgenden Eigenschaften:

    a)

    abgelenkten, fokussierten Elektronenstrahlen, Ionenstrahlen oder ‚Laser‘-Strahlen und

    b)

    mit einer der folgenden Eigenschaften:

    1.

    Fokusgröße (spot size) mit einer Halbwertsbreite (full-width half-maximum (FWHM)) kleiner als 65 nm und einer Justiergenauigkeit (image placement) kleiner als 17 nm (Mittelwert + 3 Sigma) oder

    2.

    nicht belegt;

    3.

    Überdeckungsfehler (overlay error) der zweiten Schicht auf der Maske kleiner als 23 nm (Mittelwert + 3 Sigma),

    4.

    Anlagen für die Halbleiterherstellung, die Direktschreibverfahren verwenden, mit allen folgenden Eigenschaften:

    a)

    abgelenkten, fokussierten Elektronenstrahlen und

    b)

    mit einer der folgenden Eigenschaften:

    1.

    Mindeststrahlgröße (Minimum beam size) kleiner/gleich 15 nm oder

    2.

    Überdeckungsfehler (overlay error) kleiner als 27 nm (Mittelwert + 3 Sigma),“

    muss es heißen:

    „3.

    Anlagen, besonders konstruiert für die Maskenherstellung mit allen folgenden Eigenschaften:

    a)

    abgelenkten, fokussierten Elektronenstrahlen, Ionenstrahlen oder ‚Laser‘-Strahlen und

    b)

    mit einer der folgenden Eigenschaften:

    1.

    Fokusgröße (spot size) mit einer Halbwertsbreite (full-width half-maximum (FWHM)) kleiner als 65 nm und einer Justiergenauigkeit (image placement) kleiner als 17 nm (Mittelwert + 3 Sigma) oder

    2.

    nicht belegt;

    3.

    Überdeckungsfehler (overlay error) der zweiten Schicht auf der Maske kleiner als 23 nm (Mittelwert + 3 Sigma),

    4.

    Anlagen für die Halbleiterherstellung, die Direktschreibverfahren verwenden, mit allen folgenden Eigenschaften:

    a)

    abgelenkten, fokussierten Elektronenstrahlen und

    b)

    mit einer der folgenden Eigenschaften:

    1.

    Mindeststrahlgröße (Minimum beam size) kleiner/gleich 15 nm oder

    2.

    Überdeckungsfehler (overlay error) kleiner als 27 nm (Mittelwert + 3 Sigma),“
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