Choose the experimental features you want to try

This document is an excerpt from the EUR-Lex website

Document 32022R0001R(01)

    Berigtigelse til Kommissionens delegerede forordning (EU) 2022/1 af 20. oktober 2021 om ændring af Europa-Parlamentets og Rådets forordning (EU) 2021/821 for så vidt angår listen over produkter med dobbelt anvendelse (Den Europæiske Unions Tidende L 3 af 6. januar 2022)

    EUT L 20 af 31.1.2022, p. 282–282 (BG, ES, CS, DA, DE, ET, EL, EN, FR, GA, HR, IT, LV, LT, HU, MT, NL, PL, PT, RO, SK, SL, FI, SV)

    ELI: http://data.europa.eu/eli/reg_del/2022/1/corrigendum/2022-01-31/oj

    31.1.2022   

    DA

    Den Europæiske Unions Tidende

    L 20/282


    Berigtigelse til Kommissionens delegerede forordning (EU) 2022/1 af 20. oktober 2021 om ændring af Europa-Parlamentets og Rådets forordning (EU) 2021/821 for så vidt angår listen over produkter med dobbelt anvendelse

    ( Den Europæiske Unions Tidende L 3 af 6. januar 2022 )

    Side 142, Bilaget, punkt 3B001.f affattes således:

    »f.

    Følgende litografiske udstyr:

    1.

    Step and repeatudstyr (direkte waferstepper) eller step and scanudstyr (scanner) til positionering og eksponering i forbindelse med waferprocesser ved brug af foto-optiske eller røntgenmetoder og med en eller flere af følgende egenskaber:

    a.

    Lyskildebølgelængde kortere end 193 nm eller

    b.

    I stand til at frembringe et mønster med en ‘mindste detaljeopløsning’ (MRF) på 45 nm eller derunder.

    Teknisk note:

    »Mindste detaljeopløsning« (MRF) beregnes efter følgende formel:

    Image 1

    hvor K-faktor = 0,35.

    2.

    Litografiske udstyr til prægning, der kan frembringe detaljer på 45 nm eller mindre;

    Note:

    3B001.f.2 omfatter:

    Mikrokontakttrykkeredskaber

    Varmeprægningsredskaber

    Litografiske redskaber til nanoprægning

    Litografiske (S-FIL) redskaber til step-and-flash-prægning.

    3.

    Udstyr, der er specielt konstrueret til maskefremstilling med alle følgende egenskaber:

    a.

    En afbøjet fokuseret elektronstråle, ionstråle eller » laser« stråle og

    b.

    Med en eller flere af følgende egenskaber:

    1.

    En fuld halvværdibredde (FWHM) pletstørrelse, der er mindre end 65 nm, og en billedplacering på mindre end 17 nm (gennemsnit + 3 sigma) eller

    2.

    Ikke anvendt

    3.

    En fuld halvværdibredde (FWHM) pletstørrelse, der er mindre end 65 nm, og en billedplacering på mindre end 17 nm (gennemsnit + 3 sigma).

    4.

    Udstyr, der er konstrueret til behandling af indretninger, og som bruger direkte skrivemetoder, med alle følgende egenskaber:

    a.

    En afbøjet fokuseret elektronstråle og

    b.

    Med en eller flere af følgende egenskaber:

    1.

    Stråle med en minimumstørrelse på højst 15 nm eller

    2.

    Overlay error på mindre end 27 nm (gennemsnit + 3 sigma).«


    Top