Access to European Union law
<a href="https://eur-lex.europa.eu/content/help/eurlex-content/experimental-features.html" target="_blank">More about the experimental features corner</a>
Choose the experimental features you want to try
EUR-Lex
Access to European Union law

This document is an excerpt from the EUR-Lex website

You are here
Use quotation marks to search for an "exact phrase". Append an asterisk (*) to a search term to find variations of it (transp*, 32019R*). Use a question mark (?) instead of a single character in your search term to find variations of it (ca?e finds case, cane, care).
Search tips
Need more search options? Use the Advanced search

Document 32022R0001R(01)

Rectificatie van Gedelegeerde Verordening (EU) 2022/1 van de Commissie van 20 oktober 2021 tot wijziging van Verordening (EU) 2021/821 van het Europees Parlement en de Raad wat betreft de lijst van producten voor tweeërlei gebruik (Publicatieblad van de Europese Unie L 3 van 6 januari 2022)

PB L 20 van 31.1.2022, p. 282–282 (BG, ES, CS, DA, DE, ET, EL, EN, FR, GA, HR, IT, LV, LT, HU, MT, NL, PL, PT, RO, SK, SL, FI, SV)

ELI: http://data.europa.eu/eli/reg_del/2022/1/corrigendum/2022-01-31/oj

31.1.2022   

NL

Publicatieblad van de Europese Unie

L 20/282

Rectificatie van Gedelegeerde Verordening (EU) 2022/1 van de Commissie van 20 oktober 2021 tot wijziging van Verordening (EU) 2021/821 van het Europees Parlement en de Raad wat betreft de lijst van producten voor tweeërlei gebruik

( Publicatieblad van de Europese Unie L 3 van 6 januari 2022 )

Op bladzijde 142, in de bijlage, wordt punt 3B001.f als volgt vervangen:

“f.

lithografische apparatuur, als hieronder:

1.

repeteerapparatuur (‹step and repeat› (‹direct step on wafer›) apparatuur of ‹step and scan› (scanner) apparatuur) voor uitrichten en belichten ten behoeve van het bewerken van wafers, waarbij gebruik wordt gemaakt van foto-optische of röntgenmethoden, met één of beide van de volgende eigenschappen:

a.

golflengte van de lichtbron korter dan 193 nm; of

b.

in staat om patronen te produceren met een ‹minimum resolvable feature size› (MRF) van 45 nm of minder;

Technische noot:

De ‹minimum resolvable feature size› (MRF) wordt berekend volgens de volgende formule:

Image 1

waarbij de K-factor = 0,35

2.

apparatuur voor imprintlithografie die structuren van 45 nm of minder kan produceren;

Noot:

3B001.f.2. omvat:

—

apparatuur voor microcontactdruk

—

apparatuur voor warm pregen (hot embossing)

—

apparatuur voor nano-imprintlithografie

—

apparatuur voor S-FIL (Step and flash imprint lithography)

3.

apparatuur die speciaal is ontworpen voor het vervaardigen van maskers, met alle volgende eigenschappen:

a.

een afgebogen en gefocusseerde elektronen-, ionen- of “laser”-bundels; en

b.

met één of meer van de volgende eigenschappen:

1.

een brandpuntsvlak met een halfwaardebreedte (FWHM) van minder dan 65 nm en een beeldpositionering van minder dan 17 nm (gemiddeld + 3 sigma); of

2.

niet gebruikt;

3.

een tweede overlay-fout van minder dan 23 nm (gemiddeld + 3 sigma) op het masker;

4.

apparatuur die is ontworpen voor toestelverwerking met gebruikmaking van directe schrijfmethoden, met alle volgende eigenschappen:

a.

een afgebogen en gefocusseerde elektronenbundel; en

b.

met één of meer van de volgende eigenschappen:

1.

een minimale bundelafmeting van 15 nm of minder; of

2.

een overlay-fout van minder dan 27 nm (gemiddeld + 3 sigma);”.
Top