Sprostowanie do rozporządzenia delegowanego Komisji (UE) 2022/1 z dnia 20 października 2021 r. zmieniającego rozporządzenie Parlamentu Europejskiego i Rady (UE) 2021/821 w odniesieniu do wykazu produktów podwójnego zastosowania

( Dziennik Urzędowy Unii Europejskiej L 3 z dnia 6 stycznia 2022 r. )

Strona 142, załącznik, pkt 3B001.f otrzymuje brzmienie:

„f.

następujący sprzęt litograficzny:

sprzęt do wytwarzania płytek elektronicznych poprzez pozycjonowanie, naświetlanie oraz powielanie (bezpośredni krok na płytkę) lub skanowanie (skaner), z wykorzystaniem metody fotooptycznej lub promieni rentgenowskich, spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:

a.	źródło światła o długości fali krótszej niż 193 nm; lub

b.	zdolny do wytwarzania wzorów o ‘rozmiarze minimalnej rozdzielczości wymiarowej’ (MRF) 45 nm lub mniejszej; Uwaga techniczna: ‘Rozmiar minimalnej rozdzielczości wymiarowej’ (MRF) obliczany jest według poniższego wzoru: gdzie współczynnik K = 0,35

urządzenia do litografii nanodrukowej zdolne do drukowania elementów o wielkości 45 nm lub mniejszych;

Uwaga:

Pozycja 3B001.f.2. obejmuje:

—	narzędzia do mikrodruku kontaktowego,

—	narzędzia do wytłaczania na gorąco,

—	narzędzia do litografii nanodrukowej,

—	narzędzia do litografii „step-and-flash” (S-FIL).

sprzęt specjalnie zaprojektowany do wytwarzania masek, spełniający wszystkie poniższe kryteria:

a.	posiadający odchylaną, zogniskowaną wiązkę elektronów, jonów lub wiązkę „laserową”; oraz

spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:

1.	apertura plamki dla szerokości piku w połowie jego wysokości poniżej 65 nm i umiejscowienie obrazu poniżej 17 nm (średnia + 3 sigma); lub

2.	nieużywane;

3.	błąd nakładania drugiej warstwy mniejszy niż 23 nm (średnia + 3 sigma) na maskę;

sprzęt zaprojektowany do wytwarzania przyrządów wykorzystujący metody bezpośredniego nadruku i spełniający wszystkie poniższe kryteria:

a.	wykorzystujący odchylaną, zogniskowaną wiązkę elektronów; oraz

spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:

1.	minimalny rozmiar wiązki równy lub mniejszy niż 15 nm; lub

2.	błąd nakładania warstwy mniejszy niż 27 nm (średnia + 3 sigma);”.