Διορθωτικό στον κατ’ εξουσιοδότηση κανονισμό (ΕΕ) 2022/1 της Επιτροπής, της 20ής Οκτωβρίου 2021, για την τροποποίηση του κανονισμού (ΕΕ) 2021/821 του Ευρωπαϊκού Κοινοβουλίου και του Συμβουλίου όσον αφορά τον κατάλογο ειδών διπλής χρήσης

( Επίσημη Εφημερίδα της Ευρωπαϊκής Ένωσης L 3 της 6ης Ιανουαρίου 2022 )

Στη σελίδα 142, στο παράρτημα, στο σημείο 3B001.στ, το κείμενο τροποποιείται ως εξής:

«στ.

Εξοπλισμός λιθογραφίας, ως εξής:

Εξοπλισμός ευθυγράμμισης και έκθεσης step and repeat (με άμεσο βήμα πάνω στο πλακίδιο) ή step and scan (με σάρωση) για την επεξεργασία πλακιδίων με τη χρήση φωτοοπτικών μεθόδων ή μεθόδων ακτίνων Χ και ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

α.	Μήκος κύματος φωτεινής πηγής βραχύτερο από 193 nm· ή

β.	Ικανότητα να συνθέτει σχήματα με “ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος” (MRF) 45 nm ή μικρότερο· Τεχνική σημείωση: Το “ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος” (MRF) υπολογίζεται με τον εξής τύπο: όπου ο συντελεστής K = 0,35

Εξοπλισμός εντυπωτικής λιθογραφίας ικανός να παράγει λεπτομέρειες διαστάσεων 45 nm και κάτω·

Σημείωση:

Στο σημείο 3Β001.στ.2. περιλαμβάνονται:

—	Τα εργαλεία τυπογραφίας μικροεπαφής

—	Τα εργαλεία θερμοεντύπωσης

—	Τα εργαλεία νανοεντυπωτικής λιθογραφίας

—	Τα εργαλεία εντυπωτικής λιθογραφίας με βήμα και λάμψη (step-and-flash)

Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιαστεί για την παραγωγή μασκών με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

α.	Εκτρεπόμενη εστιασμένη δέσμη ηλεκτρονίων, δέσμη ιόντων ή δέσμη «λέιζερ», και

β.

Με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.	Μέγεθος κηλίδας μισό του μεγίστου και με πλήρες πλάτος (FWHM) μικρότερο των 65 nm και θέση εικόνας μικρότερη των 17 nm (μέσο σφάλμα + 3 σίγμα)· ή

2.	Δεν χρησιμοποιείται·

3.	Σφάλμα επίστρωσης δευτέρου επιπέδου μικρότερο από 23 nm (μέσο σφάλμα + 3 σίγμα) επί της μάσκας·

Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιαστεί για επεξεργασία συσκευών με τη χρήση μεθόδων άμεσης εγγραφής και έχει όλα τα ακόλουθα:

α.	Εκτρεπόμενη και εστιασμένη δέσμη ηλεκτρονίων·και

β.

Με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1.	Ελάχιστο μέγεθος δέσμης ίσο ή μικρότερο από 15 nm· ή

2.	Σφάλμα επικάλυψης μικρότερο από 27 nm (μέσος όρος + 3 σίγμα)·».