Choose the experimental features you want to try

This document is an excerpt from the EUR-Lex website

Document 32005R2116R(01)

Διορθωτικό στον κανονισμό (ΕΚ) αριθ. 2116/2005 του Συμβουλίου, της 20ής Δεκεμβρίου 2005, για την τροποποίηση του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 1480/2003 του Συμβουλίου για την επιβολή οριστικού αντισταθμιστικού δασμού και για την οριστική είσπραξη του προσωρινού δασμού που επιβλήθηκε στις εισαγωγές ορισμένων τύπων ηλεκτρονικών μικροκυκλωμάτων, γνωστών ως DRAM (δυναμικές μνήμες τυχαίας προσπέλασης), καταγωγής Δημοκρατίας της Κορέας ( ΕΕ L 340 της 23.12.2005)

ΕΕ L 314 της 15.11.2006, p. 50–51 (ES, DA, DE, ET, EL, EN, FR, IT, LV, LT, HU, NL, PL, PT, SK, SL, FI, SV)

ELI: http://data.europa.eu/eli/reg/2005/2116/corrigendum/2006-11-15/1/oj

15.11.2006   

EL

Επίσημη Εφημερίδα της Ευρωπαϊκής Ένωσης

L 314/50


Διορθωτικό στον κανονισμό (ΕΚ) αριθ. 2116/2005 του Συμβουλίου, της 20ής Δεκεμβρίου 2005, για την τροποποίηση του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 1480/2003 του Συμβουλίου για την επιβολή οριστικού αντισταθμιστικού δασμού και για την οριστική είσπραξη του προσωρινού δασμού που επιβλήθηκε στις εισαγωγές ορισμένων τύπων ηλεκτρονικών μικροκυκλωμάτων, γνωστών ως DRAM (δυναμικές μνήμες τυχαίας προσπέλασης), καταγωγής Δημοκρατίας της Κορέας

( Επίσημη Εφημερίδα της Ευρωπαϊκής Ένωσης L 340 της 23ης Δεκεμβρίου 2005 )

Στη σελίδα 9, αιτιολογική σκέψη 16:

αντί:

«… που είναι ενσωματωμένα σε πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM, …»

διάβαζε:

«… που είναι ενσωματωμένα σε (μη εξατομικευμένες) πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM, …».

Στη σελίδα 9, αιτιολογική σκέψη 19:

αντί:

«… έχουν ενσωματωθεί στις πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM …»

διάβαζε:

«… έχουν ενσωματωθεί στις (μη εξατομικευμένες) μορφές DRAM …».

Στη σελίδα 9, αιτιολογική σκέψη 20:

αντί:

«… μόλις τα τσιπ DRAM ή τα συναρμολογημένα DRAM ενσωματωθούν στις πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM, δεν μπορούν να θεωρούνται πλέον ως προϊόν που δυνητικά υπόκειται σε αντισταθμιστικό δασμό. Ως προς αυτό, θεωρείται ότι τα τσιπ DRAM ή τα συναρμολογημένα DRAM μόλις ενσωματωθούν σε πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM διατηρούν ακόμη τις ιδιότητες και τις λειτουργίες τους. Το γεγονός ότι έχουν ενσωματωθεί σε πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM δεν μεταβάλλει τα βασικά φυσικά και τεχνικά χαρακτηριστικά τους. Επιπλέον, η λειτουργία που επιτελούν οι πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM, η οποία συνίσταται στο να παρέχουν μνήμη, είναι ακριβώς αν και σε ευρύτερη κλίμακα η ίδια με τη λειτουργία των τσιπ DRAM ή των συναρμολογημένων DRAM όταν εξετάζονται ατομικά. Επομένως, συνάγεται το συμπέρασμα ότι η ενσωμάτωση των τσιπ DRAM ή των συναρμολογημένων DRAM σε πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM δεν μεταβάλλει τη φύση τους …»

διάβαζε:

«… μόλις τα τσιπ DRAM ή τα συναρμολογημένα DRAM ενσωματωθούν στις (μη εξατομικευμένες) πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM, δεν μπορούν να θεωρούνται πλέον ως προϊόν που δυνητικά υπόκειται σε αντισταθμιστικό δασμό. Ως προς αυτό, θεωρείται ότι τα τσιπ DRAM ή τα συναρμολογημένα DRAM μόλις ενσωματωθούν σε (μη εξατομικευμένες) πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM διατηρούν ακόμη τις ιδιότητες και τις λειτουργίες τους. Το γεγονός ότι έχουν ενσωματωθεί σε (μη εξατομικευμένες) πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM δεν μεταβάλλει τα βασικά φυσικά και τεχνικά χαρακτηριστικά τους. Επιπλέον, η λειτουργία που επιτελούν οι (μη εξατομικευμένες) πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM, η οποία συνίσταται στο να παρέχουν μνήμη, είναι ακριβώς αν και σε ευρύτερη κλίμακα η ίδια με τη λειτουργία των τσιπ DRAM ή των συναρμολογημένων DRAM όταν εξετάζονται ατομικά. Επομένως, συνάγεται το συμπέρασμα ότι η ενσωμάτωση των τσιπ DRAM ή των συναρμολογημένων DRAM σε (μη εξατομικευμένες) πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM δεν μεταβάλλει τη φύση τους …».

Στη σελίδα 10, αιτιολογική σκέψη 28, στοιχείο γ):

αντί:

«… κατά την εισαγωγή πολυσυνδυαστικών μορφών DRAM …»

διάβαζε:

«… κατά την εισαγωγή (μη εξατομικευμένων) πολυσυνδυαστικών μορφών DRAM …».

Στη σελίδα 11, αιτιολογική σκέψη 30:

α)

αντί

:

«… στην περιγραφή της πολυσυνδυαστικής μορφής DRAM …»

διάβαζε

:

«… στην περιγραφή της (μη εξατομικευμένης) πολυσυνδυαστικής μορφής DRAM»·

β)

αντί

:

«… της συνολικής αξίας της πολυσυνδυαστικής μορφής DRAM.»

διάβαζε

:

«της συνολικής αξίας της (μη εξατομικευμένης) πολυσυνδυαστικής μορφής DRAM.».

Στη σελίδα 11, αριθμοί 1, 2, 3, 4, 5, 6 και 7 στον πίνακα της αιτιολογικής σκέψης 30 και στις σελίδες 13 και 14, αριθμοί 1, 2, 3, 4, 5, 6 και 7 στον πίνακα της παραγράφου 3 του άρθρου 1 του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 1480/2003:

αντί:

«Πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM»

διάβαζε:

«(Μη εξατομικευμένες) πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM».

Στη σελίδα 11, αριθμοί 2, 3, 4, 5, 6 και 7 στον πίνακα της αιτιολογικής σκέψης 30 και στις σελίδες 13 και 14, αριθμοί 2, 3, 4, 5, 6 και 7 στον πίνακα της παραγράφου 3 του άρθρου 1 του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 1480/2003:

αντί:

«… των πολυσυνδυαστικών μορφών DRAM …»

διάβαζε:

«… των (μη εξατομικευμένων) πολυσυνδυαστικών μορφών DRAM …».

Στη σελίδα 13, άρθρο 1 παράγραφος 1 του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 1480/2003, δεύτερο εδάφιο πέμπτη περίπτωση:

αντί:

«—

τσιπ και/ή συναρμολογημένα DRAM ενσωματωμένα σε πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM υπό τον όρο ότι η πολυσυνδυαστική μορφή DRAM …»

διάβαζε:

«—

τσιπ ή/και συναρμολογημένα DRAM ενσωματωμένα σε (μη εξατομικευμένες) πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM υπό τον όρο ότι η (μη εξατομικευμένη) πολυσυνδυαστική μορφή DRAM …».

Στη σελίδα 16, στο παράρτημα, σημείο 4, άνω χώρος, δεξιά:

αντί:

«Τιμή των τσιπ και/ή των συναρμολογημένων DRAM που κατασκευάζονται από όλες τις εταιρείες εκτός της Samsung και είναι ενσωματωμένα σε πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM»

διάβαζε:

«Τιμή των τσιπ ή/και των συναρμολογημένων DRAM, καταγωγής Δημοκρατίας της Κορέας, που κατασκευάζονται από όλες τις εταιρείες εκτός της Samsung και είναι ενσωματωμένα σε πολυσυνδυαστικές μορφές DRAM».


Top