EUR-Lex Access to European Union law

Back to EUR-Lex homepage

This document is an excerpt from the EUR-Lex website

Document 32019R2199R(01)

Rättelse till kommissionens delegerade förordning (EU) 2019/2199 av den 17 oktober 2019 om ändring av rådets förordning (EG) nr 428/2009 om upprättande av en gemenskapsordning för kontroll av export, överföring, förmedling och transitering av produkter med dubbla användningsområden (Europeiska unionens officiella tidning L 338 av den 30 december 2019)

EUT L 51, 25.2.2020, p. 17–17 (ET)
EUT L 51, 25.2.2020, p. 13–13 (BG, ES, CS, DA, EL, IT, LV, LT, MT, PL, PT, RO, SK, SL, FI, SV)
EUT L 51, 25.2.2020, p. 14–14 (DE, EN, FR, HR, HU, NL)

ELI: http://data.europa.eu/eli/reg_del/2019/2199/corrigendum/2020-02-25/oj

25.2.2020   

SV

Europeiska unionens officiella tidning

L 51/13


Rättelse till kommissionens delegerade förordning (EU) 2019/2199 av den 17 oktober 2019 om ändring av rådets förordning (EG) nr 428/2009 om upprättande av en gemenskapsordning för kontroll av export, överföring, förmedling och transitering av produkter med dubbla användningsområden

( Europeiska unionens officiella tidning L 338 av den 30 december 2019 )

På sidan 129 ska led f ersättas med följande:

”f)

Litografisk utrustning enligt följande:

1.

Utrustning för uppriktning samt exponering med repetermöjlighet (step and repeat, direkt step on wafer) eller scanner (step and scan) som använder röntgen eller foto-optiska metoder och som har något av följande:

a)

Ljuskällans våglängd är kortare än 193 nm, eller

b)

kan producera ett mönster med en ’minsta upplösning för systemdimensionen’ (MRF) på 45 nm eller mindre.

Teknisk anmärkning: Den ’minsta upplösningen för systemdimensionen’ (MRF) beräknas med följande formel: Image 1 där K är en skalfaktor = 0,35

2.

Litografisk präglingsutrustning som kan framställa detaljer på 45 nm eller mindre.

Anmärkning:Avsnitt 3B001.f.2 omfattar följande:

Verktyg för mikrokontakttryck.

Verktyg för värmeprägling.

Verktyg för nanopräglingslitografi.

S-FIL-verktyg (step and flash imprint lithography).

3.

Utrustning som är speciellt konstruerad för att tillverka masker och som har allt av följande:

a)

Den använder avlänkade fokuserade elektron-, jon- eller ”laser”strålar, och

b)

har något av följande:

1.

En halvvärdesbredd på under 65 nm och bildplacering på mindre 17 nm (medelvärde + 3 sigma). eller

2.

används inte.

3.

Misspass på andra lagret på mindre än 23 nm (medelvärde + 3 sigma) på masken.

4.

Utrustning som är konstruerad för bearbetning med hjälp av direkta skrivmetoder och som har allt av följande:

a)

Den använder avlänkade fokuserade elektronstrålar, och

b)

har något av följande:

1.

En minsta strålstorlek på högst 15 nm.

2.

Misspass på mindre än 27 nm (medelvärde + 3 sigma).”


Top