26.6.2009   

SL

Uradni list Evropske unije

L 165/95

1.

Besedilo v „Tabela – Tehnike nanašanja – Tehnicne opombe“ na straneh 118 in 119 se nadomesti z naslednjim:

(a)

Kemijski postopek nanašanja (Chemical Vapour Deposition, CVD) je postopek nanašanja dodatnih nanosov ali modifikacije osnovnega materiala, kjer so osnova nanosov kovine, zlitine, ‚kompozita‘, dielektričnega ali keramičnega materiala na razgreto podlago. Plinski reaktanti se razgradijo ali se med seboj kombinirajo v neposredni bližini podlage, kar ima za posledico odlaganje želenega elementarnega, zlitinskega ali sestavljenega materiala na podlago. Energijo za ta postopek razgradnje ali kemične reakcije lahko zagotavlja toplota podlage, sevanje plazme ali pa ‚laserska‘ sevanja.

Opomba 1: CVD vključuje naslednje postopke: nanašanje prek direktnega plinskega curka, nanašanje (elementarno nadzirane) s pomočjo termične energije, s plazmo vzbujeni ali s plazmo gnani postopki nanašanja.

Opomba 2: Zasipanje pomeni potopitev podlage v mešanico prahov.

Opomba 3: Reaktanti v plinskem stanju, ki se uporabljajo v postopku brez zasipanja, nastajajo ob uporabi istih osnovnih reakcij in parametrov kakor postopek cementacije z zasipanjem, le da podlaga, ki se prekriva, ni v stiku z mešanico prahov.

(b)

Fizično plinsko nanašanje prek termičnega izgorevanja (Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition, TE-PVD) je postopek nanašanja prevleke na površino, ki poteka v vakuumu pod tlakom manj kot 0,1 Pa in pri katerem vir toplotne energije služi za izhlapevanje nanosnega materiala. Postopek ima za posledico izhlapevanje ali nanašanje hlapljivih snovi na pravilno nameščene podlage.

Dodajanje plinov v vakuumsko komoro med postopkom nanašanja za sintetiziranje sestavljenega nanosa je običajna modifikacija tega postopka.

Tudi uporaba ionskega ali elektronskega žarka ali plazme za aktiviranje ali prispevek k postopku nanašanja je običajna modifikacija tega postopka. Prav tako lahko postopek vključuje tudi monitorje za izvajanje meritev med potekom postopka. Posamezni postopki TE-PVD so:

Posamezni postopki TE-PVD so:

(c)

Utrjevanje je površinska modifikacija ali površinska plast, kjer je substrat potopljen v mešanico prahov, ki sestoji iz:

Substrat in mešanica prahov sta v retorti, ogreti na temperaturo med 1 030 K (757 °C) in 1 375 K (1 102 °C), za čas, ki zadošča za nanos prevleke.

(d)

Pršenje s plazmo je postopek nanašanja prevleke na površino, pri katerem razpršilka oblikuje in krmili plazmo, praškaste ali nitkaste nanosne materiale, jih tali in vrtinči proti podlagi, na kateri se oblikuje integralno povezan nanos. Pršenje s plazmo je možno prek plazme z nizkim ali visokim tlakom pršenja.

Opomba 1: Nizkotlačna plazma pomeni plazmo tlaka, nižjega od atmosferskega.

Opomba 2: Plazma velike hitrosti se nanaša na hitrosti plina iz dulca prek 750 m/s, računano pri 293 K (20 °C) in pri 0,1 MPa.

(e)

Redko nanašanje je postopek nanašanja prevleke zaradi spreminjanja površine ali postopek nanašanja prevleke na površino, pri katerem se kovinski ali keramični prah z organskim vezivom suspendira v tekočino in se nato nanese na podlago bodisi z razprševanjem, kopeljo ali barvanjem, čemur sledi sušenje v pečici in toplotna obdelava, potrebna za to, da se želeni nanos obdrži.

(f)

Nanašanje z brizganjem je nanašanje prevleke na površino, ki temelji na principu visokega podtlaka in prehoda delcev, kjer so pozitivni ioni pospešeni z elektronskim poljem v smeri sustrata. Kinetična energija ionov, ki se zaletijo v substrat, je tako velika, da se atomi na površini nanosnega materiala sprostijo in nanesejo na primerno nameščeno podlago.

Opomba 1: Tabela se nanaša samo na triodno, magnetronsko ali reakcijsko nanašanje z brizganjem, ki se uporablja za zvišanje sprejemljivosti nanosa in nivoja, in na povečano nanašanje z brizganjem z uporabo radijskih frekvenc (RF), ki se uporablja za omogočanje uparjevanja nekovinskih nanosnih materialov.

Opomba 2: Za sprožitev nanašanja se lahko uporabljajo nizkoenergijski ionski žarki (manj kot 5 keV).

(g)

Ionska implantacija je postopek nanašanja prevleke zaradi spreminjanja površine, pri katerem se element, predviden za zlitino, ionizira, pospešuje skozi potencialni padec in vsadi v površino podlage. Ta postopek vključuje postopek, pri katerem potekata istočasno ionska implantacija in fizično plinska metoda nanašanja s pomočjo elektronskega žarka ali visokega podtlaka.“

2.

Besedilo opombe 1 na strani 159, Del 1, Telekomunikacije, se pravilno glasi: