Retificação do Regulamento Delegado (UE) 2020/1749 da Comissão, de 7 de outubro de 2020, que altera o Regulamento (CE) n.o 428/2009 do Conselho que cria um regime comunitário de controlo das exportações, transferências, corretagem e trânsito de produtos de dupla utilização

( «Jornal Oficial da União Europeia» L 421 de 14 de dezembro de 2020 )

Na página 94 os pontos 2B206.c.1 e 2B206.c.2 passam a ter a seguinte redação:

«1.	Um “laser”; e

Capazes de manter, durante pelo menos 12 horas, a uma temperatura de ± 1 K (± 1 °C) relativamente a uma temperatura normalizada e a uma pressão normalizada, todas as características seguintes:

a.	Uma “resolução” igual a 0,1 μm ou melhor na totalidade da escala; e

b.	Uma “incerteza de medição”, igual ou melhor que (inferior a) (0,2 + L/2 000) μm (L é a distância medida em mm).»

Na página 142, os pontos 3B001.f.3 e 3B001.g passam a ter a seguinte redação:

«3.

Equipamentos especialmente concebidos para a realização de máscaras com todas as seguintes características:

a.	Feixes de eletrões, iões ou “laser” focados e refletidos; e

Com qualquer das seguintes características:

1.	Dimensão do ponto a partir da largura total a meia altura (FWHM) inferior a 65 nm e posicionamento da imagem inferior a 17 nm (média + 3 sigma); ou

2.	Não utilizado;

3.	Erro no recobrimento da segunda camada inferior a 23 nm (média + 3 sigma) na máscara;

Equipamentos concebidos para o tratamento de dispositivos por métodos de escrita direta, com todas as seguintes características:

a.	Feixe de eletrões focado e refletido; e

Com qualquer das seguintes características:

1.	Dimensão mínima do feixe igual ou inferior a 15 nm; ou

Erro no recobrimento inferior a 27 nm (média + 3 sigma);

g.	Máscaras e retículas concebidas para circuitos integrados especificados em 3A001;»

Na página 160, os pontos 5E001.d.1 a 5E001.d.8 passam a ter a seguinte redação:

«d.

“Tecnologia”, na aceção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o “desenvolvimento” ou a “produção” de amplificadores de “Circuitos Integrados Monolíticos de Microondas” (“MMIC”) especialmente concebidos para as telecomunicações e com qualquer das seguintes características:

Nota técnica:

Para afeito de 5E001.d., nas folhas de dados dos produtos pode também fazer-se referência ao parâmetro pico de potência saturada de saída como potência de saída, potência saturada de saída, potência máxima de saída, potência pico de saída ou potência pico da envolvente à saída.

Classificados para funcionamento a frequências superiores a 2,7 GHz até 6,8 GHz, inclusive, com huma “largura de banda friccionada” superior a 15 %, e coma qualquer das seguiste características:

a.	Um pico de potência saturada de saída superior a 75 W (48,75 dBm) a quaisquer frequências superiores a 2,7 GHz até 2,9 GHz, inclusive;

b.	Um pico de potência saturada de saída superior a 55 W (47,4 dBm) a quaisquer frequências superiores a 2,9 GHz até 3,2 GHz, inclusive;

c.	Um pico de potência saturada de saída superior a 40 W (46 dBm) a quaisquer frequências superiores a 3,2 GHz até 3,7 GHz, inclusive; ou

d.	Um pico de potência saturada de saída superior a 20 W (43 dBm) a quaisquer frequências superiores a 3,7 GHz até 6,8 GHz, inclusive;

Classificados para funcionamento a frequências superiores a 6,8 GHz até 16 GHz, inclusive, com uma “largura de banda fracionada” superior a 10 %, e com qualquer das seguintes características:

a.	Um pico de potência saturada de saída superior a 10 W (40 dBm) a quaisquer frequências superiores a 6,8 GHz até 8,5 GHz, inclusive; ou

b.	Um pico de potência saturada de saída superior a 5 W (37 dBm) a quaisquer frequências superiores a 8,5 GHz até 16 GHz, inclusive;

3.	Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída superior a 3 W (34,77 dBm) a quaisquer frequências superiores a 16 GHz até 31,8 GHz, inclusive, e com uma “largura de banda fracionada” superior a 10 %;

4.	Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída superior a 0,1 nW (– 70 dBm) a quaisquer frequências superiores a 31,8 GHz até 37 GHz, inclusive;

5.	Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída inclusive, e com uma “largura de banda fracionada” superior a 10 %;

6.	Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída inclusive, e com uma “largura de banda fracionada” superior a 10 %;

7.	Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída superior a 10 mW (10 dBm) a quaisquer frequências superiores a 75 GHz até 90 GHz, inclusive, e com uma “largura de banda fracionada” superior a 5 %; ou

8.	Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída superior a 0,1 nW (-70 dBm) a quaisquer frequências superiores a 90 GHz;

“Tecnologia”, na aceção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o “desenvolvimento” ou a “produção” de dispositivos e circuitos eletrónicos especialmente concebidos para as telecomunicações e contendo componentes fabricados a partir de materiais “supercondutores”, especialmente concebidos para funcionamento a temperaturas abaixo da “temperatura crítica” ou pelo menos um dos constituintes “supercondutores”, com qualquer das funções seguintes:

1.	Comutação de corrente para circuitos digitais que utilizam portas lógicas “supercondutoras” com um produto do tempo de propagação por porta lógica (em segundos) pela dissipação de potência por porta lógica (em watts) inferior a 10 –14 J; ou

2.	Seleção de frequência a todas as frequências utilizando circuitos ressonantes que tensan um fator Q superior a 10 000.»

Na página 175, os pontos 6A002.a.1.a a 6A002.a.1.d passam a ter a seguinte redação:

«a.

Detetores óticos, como se segue:

Detetores semicondutores “qualificados para uso espacial”, como se segue:

Nota: Para efeitos de 6A002.a.1., os detetores semicondutores incluem as “matrizes de plano focal”.

Detetores semicondutores “qualificados para uso espacial” com todas as seguintes características:

1.	Pico de resposta na gama de comprimentos de onda superiores a 10 nm, mas não superiores a 300 nm; e

2.	Resposta inferior a 0,1 %, relativamente ao pico de resposta, nos comprimentos de onda superiores a 400 nm;

Detetores semicondutores “qualificados para uso espacial” com todas as seguintes características:

1.	Pico de resposta na gama de comprimentos de onda superiores a 900 nm, mas não superiores a 1 200 nm; e

2.	“Constante de tempo” de resposta igual ou inferior a 95 ns;

c.	Detetores semicondutores “qualificados para uso espacial” com um pico de resposta na gama de comprimentos de onda superiores a 1 200 nm, mas não superiores a 30 000 nm;

d.	“Matrizes de plano focal”“qualificadas para uso espacial” que possuam mais de 2 048 elementos por matriz e um pico de resposta na gama de comprimentos de onda superiores a 300 nm mas não superiores a 900 nm;»

Na página 179, os pontos 6A002.b a 6A002.f passam a ter a seguinte redação:

«b.

“Sensores de imagem monoespetrais” e “sensores de imagem multiespetrais” concebidos para aplicações de deteção à distância que possuam qualquer das seguintes características:

1.	Campo de visão instantâneo (IFOV) inferior a 200 μrad (microrradianos); ou

Previstos para funcionar na gama de comprimentos de onda superiores a 400 nm, mas não superiores a 30 000 nm, e com todas as seguintes características:

a.	Saída de dados de imagem em formato digital; e

Com qualquer das seguintes características:

1.	“Qualificados para uso espacial”; ou

2.	Concebidos para funcionar a bordo de aeronaves, utilizando detetores que não sejam de silício e com um IFOV inferior a 2,5 mrad (milirradianos);

Nota : 6A002.b.1. não abrange “sensores de imagem monoespetrais” com pico de resposta na gama de comprimentos de onda superiores a 300 nm mas não superiores a 900 nm e que incorporem qualquer dos seguintes detetores não “qualificados para uso espacial” ou das “matrizes de plano focal” não “qualificadas para uso espacial”:

1.	Dispositivos de acoplamento por carga (CCD) não concebidos ou modificados para obter ‘multiplicação de carga’; ou

2.	Dispositivos semicondutores de óxido metálico complementar (CMOS) não concebidos ou modificados para obter ‘multiplicação de carga’.

Equipamentos de imagem de ‘visão direta’ com qualquer das seguintes características:

1.	Tubos intensificadores de imagem especificados em 6A002.a.2.a. ou 6A002.a.2.b.;

2.	“Matrizes de plano focal” especificadas em 6A002.a.3.; ou

3.	Detetores semicondutores especificados em 6A002.a.1;

Nota técnica:

A expressão ‘visão direta’ refere-se a equipamentos de imagem que apresentem a um observador televisivo, e que não possam gravar ou armazenar a imagem por meios fotográficos, eletrónicos ou quaisquer outros.

Nota: 6A002.c. não abrange os seguintes equipamentos dotados de fotocátodos que não sejam de GaAs nem de GaInAs:

a.	Sistemas de alarme contra intrusão em locais industriais ou civis ou sistemas de contagem ou de controlo dos movimentos em zonas industriais ou de tráfego;

b.	Equipamento médico;

c.	Equipamentos industriais utilizados na inspeção, classificação ou análise das propriedades dos materiais;

d.	Detetores de chama para fornos industriais;

e.	Equipamento especialmente concebido para uso laboratorial.

Componentes auxiliares especiais para sensores óticos, como se segue:

1.	Sistemas de refrigeração criogénicos “qualificados para uso espacial”;

Sistemas de refrigeração criogénicos não “qualificados para uso espacial” com a temperatura da fonte frigorífica inferior a 218 K (-55 °C), como se segue:

a.	De ciclo fechado, com um tempo médio sem falhas (MTTF) especificado, ou um tempo médio entre falhas (MTBF) superior a 2 500 horas;

b.	Miniarrefecedores de Joule-Thomson (JT) com autorregulação, com diâmetros (exteriores) de orifício inferiores a 8 mm;

Fibras óticas sensoras especialmente fabricadas, em termos de composição ou de estrutura, ou modificadas por revestimento, de modo a terem sensibilidade acústica, térmica, inercial, eletromagnética ou às radiações nucleares;

Nota: 6A002.d.3. não abrange as fibras óticas sensoras encapsuladas especialmente concebidas para aplicações de deteção em furos.

e.	Não utilizado.

‘Circuitos integrados de leitura’ (‘ROIC’) especialmente concebidos para as “matrizes de plano focal” especificadas em 6A002.a.3.

Nota: 6A002.f. não abrange os ‘circuitos integrados de leitura’ especialmente concebidos para aplicações automóveis civis.

Nota técnica:

Um ‘circuito integrado de leitura’ (‘ROIC’) é um circuito integrado concebido para subjazer ou estar ligado a uma “matriz de plano focal” e utilizado para ler (ou seja, extrair e registar) sinais produzidos pelos elementos detetores. No mínimo, o ‘ROIC’ lê a carga dos elementos detetores extraindo-a e aplicando uma função de multiplexagem de forma a conservar a informação relativa de posicionamento e de orientação dos elementos detetores para processamento dentro ou fora do ‘ROIC’.»