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Document 32019R2199R(01)

Retificação do Regulamento Delegado (UE) 2019/2199 da Comissão, de 17 de outubro de 2019, que altera o Regulamento (CE) n.o 428/2009 do Conselho que cria um regime comunitário de controlo das exportações, transferências, corretagem e trânsito de produtos de dupla utilização («Jornal Oficial da União Europeia» L 338 de 30 de dezembro de 2019)

OJ L 51, 25.2.2020, p. 17–17 (ET)
OJ L 51, 25.2.2020, p. 13–13 (BG, ES, CS, DA, EL, IT, LV, LT, MT, PL, PT, RO, SK, SL, FI, SV)
OJ L 51, 25.2.2020, p. 14–14 (DE, EN, FR, HR, HU, NL)

ELI: http://data.europa.eu/eli/reg_del/2019/2199/corrigendum/2020-02-25/oj

25.2.2020   

PT

Jornal Oficial da União Europeia

L 51/13


Retificação do Regulamento Delegado (UE) 2019/2199 da Comissão, de 17 de outubro de 2019, que altera o Regulamento (CE) n.o 428/2009 do Conselho que cria um regime comunitário de controlo das exportações, transferências, corretagem e trânsito de produtos de dupla utilização

( «Jornal Oficial da União Europeia» L 338 de 30 de dezembro de 2019 )

Na página 129, o ponto f passa a ter a seguinte redação:

«f.

Equipamentos litográficos, como se segue:

1.

Equipamentos com repetição de alinhamento e exposição (avanço em bolacha) ou avanço e varrimento (dispositivo de varrimento) para o processamento de bolachas através de métodos de raios-X ou foto-óticos e com qualquer das seguintes características:

a.

Comprimento de onda da fonte de luz inferior a 193 nm; ou

b.

Capazes de produzir um padrão com ‘dimensão do Traço Mínimo Resolúvel’ (TMR) igual ou inferior a 45 nm;

Nota técnica: A ‘dimensão do Traço Mínimo Resolúvel’ (TMR) é calculada pela seguinte fórmula: Image 1 em que o fator K = 0,35

2.

Equipamentos de impressão litográfica capazes de produzir traços iguais ou inferiores a 45 nm;

Nota:3B001.f.2. abrange:

Instrumentação de impressão por microcontacto

Instrumentação de embossagem a quente

Ferramentas de litografia por nanoimpressão

Ferramentas de impressão litográfica step and flash (S-FIL)

3.

Equipamentos especialmente concebidos para a realização de máscaras com todas as seguintes características:

a.

Feixes de eletrões, iões ou ‘laser’ focados e refletidos; e

b.

Com qualquer das seguintes características:

1.

Dimensão do ponto a partir da largura total a meia altura (FWHM) inferior a 65 nm e posicionamento da imagem inferior a 17 nm (média + 3 sigma); ou

2.

Não utilizado;

3.

Erro no recobrimento da segunda camada inferior a 23 nm (média + 3 sigma) na máscara;

4.

Equipamentos concebidos para o tratamento de dispositivos por métodos de escrita direta, com todas as seguintes características:

a.

Feixe de eletrões focado e refletido; e

b.

Com qualquer das seguintes características:

1.

Dimensão mínima do feixe igual ou inferior a 15 nm; ou

2.

Erro no recobrimento inferior a 27 nm (média + 3 sigma);»


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