02009R0428 — PL — 16.12.2017 — 007.002


Dokument ten służy wyłącznie do celów informacyjnych i nie ma mocy prawnej. Unijne instytucje nie ponoszą żadnej odpowiedzialności za jego treść. Autentyczne wersje odpowiednich aktów prawnych, włącznie z ich preambułami, zostały opublikowane w Dzienniku Urzędowym Unii Europejskiej i są dostępne na stronie EUR-Lex. Bezpośredni dostęp do tekstów urzędowych można uzyskać za pośrednictwem linków zawartych w dokumencie

►B

ROZPORZĄDZENIE RADY (WE) NR 428/2009

z dnia 5 maja 2009 r.

ustanawiające wspólnotowy system kontroli wywozu, transferu, pośrednictwa i tranzytu w odniesieniu do produktów podwójnego zastosowania

(wersja przekształcona)

(Dz.U. L 134 z 29.5.2009, s. 1)

zmienione przez:

 

 

Dziennik Urzędowy

  nr

strona

data

►M1

ROZPORZĄDZENIE PARLAMENTU EUROPEJSKIEGO I RADY (UE) NR 1232/2011 z dnia 16 listopada 2011 r.

  L 326

26

8.12.2011

 M2

ROZPORZĄDZENIE PARLAMENTU EUROPEJSKIEGO I RADY (UE) NR 388/2012 z dnia 19 kwietnia 2012 r.

  L 129

12

16.5.2012

►M3

ROZPORZĄDZENIE PARLAMENTU EUROPEJSKIEGO I RADY (UE) NR 599/2014 z dnia 16 kwietnia 2014 r.

  L 173

79

12.6.2014

 M4

ROZPORZĄDZENIE DELEGOWANE KOMISJI (UE) NR 1382/2014 z dnia 22 października 2014 r.

  L 371

1

30.12.2014

 M5

ROZPORZĄDZENIE DELEGOWANE KOMISJI (UE) 2015/2420 z dnia 12 października 2015 r.

  L 340

1

24.12.2015

 M6

ROZPORZĄDZENIE DELEGOWANE KOMISJI (UE) 2016/1969 z dnia 12 września 2016 r.

  L 307

1

15.11.2016

►M7

ROZPORZĄDZENIE DELEGOWANE KOMISJI (UE) 2017/2268 z dnia 26 września 2017 r.

  L 334

1

15.12.2017


sprostowane przez:

►C1

Sprostowanie, Dz.U. L 224, 27.8.2009, s.  21 (428/2009)

►C2

Sprostowanie, Dz.U. L 157, 24.6.2010, s.  18 (428/2009)

 C3

Sprostowanie, Dz.U. L 269, 10.9.2014, s.  4 (1232/2011)

 C4

Sprostowanie, Dz.U. L 346, 2.12.2014, s.  62 (388/2012)

 C5

Sprostowanie, Dz.U. L 027, 3.2.2015, s.  46 (428/2009)

 C6

Sprostowanie, Dz.U. L 037, 13.2.2015, s.  25 (1382/2014)

 C7

Sprostowanie, Dz.U. L 060, 5.3.2016, s.  93 (2015/2420)

 C8

Sprostowanie, Dz.U. L 025, 31.1.2017, s.  36 (2016/1969)

 C9

Sprostowanie, Dz.U. L 194, 26.7.2017, s.  70 (428/2009)

 C10

Sprostowanie, Dz.U. L 012, 17.1.2018, s.  62 (2017/2268)




▼B

ROZPORZĄDZENIE RADY (WE) NR 428/2009

z dnia 5 maja 2009 r.

ustanawiające wspólnotowy system kontroli wywozu, transferu, pośrednictwa i tranzytu w odniesieniu do produktów podwójnego zastosowania

(wersja przekształcona)



ROZDZIAŁ I

PRZEDMIOT I DEFINICJE

Artykuł 1

Niniejsze rozporządzenie ustanawia wspólnotowy system kontroli wywozu, transferu, pośrednictwa i tranzytu produktów podwójnego zastosowania.

Artykuł 2

Do celów niniejszego rozporządzenia:

1) „produkty podwójnego zastosowania” oznaczają produkty, włącznie z oprogramowaniem i technologią, które mogą być stosowane zarówno w celach cywilnych, jak i wojskowych, oraz obejmują wszystkie towary, które mogą być użyte zarówno w zastosowaniach niewybuchowych, jak i w jakikolwiek sposób do wspomagania wytwarzania broni jądrowej lub innych urządzeń do wybuchu jądrowego;

2) „wywóz” oznacza:

(i) procedurę wywozu w rozumieniu art. 161 rozporządzenia (EWG) nr 2913/92 (Wspólnotowego kodeksu celnego);

(ii) powrotny wywóz w rozumieniu art. 182 tego kodeksu, nie obejmując jednak produktów w tranzycie; oraz

(iii) przekazywanie oprogramowania lub technologii za pośrednictwem mediów elektronicznych, w tym za pośrednictwem faksu, telefonu, poczty elektronicznej lub wszelkich innych środków elektronicznych do miejsc przeznaczenia poza Wspólnotą Europejską; obejmuje to udostępnianie w formie elektronicznej wspomnianego oprogramowania i technologii osobom prawnym i fizycznym oraz spółkom cywilnym poza terytorium Wspólnoty. Wywóz obejmuje ustne przekazywanie technologii, w przypadku gdy technologia jest opisywana przez telefon;

3) „eksporter” oznacza każdą osobę fizyczną lub prawną lub spółkę cywilną:

(i) w imieniu której składana jest deklaracja eksportowa, to znaczy osobę, która, w czasie gdy deklaracja jest przyjmowana, pozostaje w stosunku umownym z odbiorcą w państwie trzecim i jest uprawniona do decydowania o wysłaniu produktu poza obszar celny Wspólnoty. Jeżeli nie została zawarta żadna umowa eksportowa lub strona umowy nie działa we własnym imieniu, „eksporter” oznacza osobę posiadającą uprawnienie do decydowania o wysłaniu produktu poza obszar celny Wspólnoty;

(ii) która podejmuje decyzję o przekazaniu lub udostępnieniu oprogramowania lub technologii za pośrednictwem faksu, telefonu lub poczty elektronicznej lub za pośrednictwem jakichkolwiek innych środków elektronicznych do miejsca przeznaczenia znajdującego się poza Wspólnotą;

W przypadku gdy przywilej prawa dysponowania produktem podwójnego zastosowania należy do osoby posiadającej siedzibę poza Wspólnotą, na podstawie umowy, na której opiera się wywóz, za eksportera uważa się umawiającą się stronę mającą siedzibę we Wspólnocie;

4) „deklaracja eksportowa” oznacza dokument, za pomocą którego osoba wskazuje, w określonej formie i w określony sposób wolę poddania produktów podwójnego zastosowania procedurze wywozu;

5) „usługi pośrednictwa” oznaczają:

 negocjowanie lub organizowanie transakcji zakupu, sprzedaży lub dostawy produktów podwójnego zastosowania z państwa trzeciego do jakiegokolwiek innego państwa trzeciego; lub

 ◄

 sprzedaż lub zakup produktów podwójnego zastosowania znajdujących się w państwach trzecich w celu dokonania ich transferu do innego państwa trzeciego;

Dla celów niniejszego rozporządzenia samo świadczenie usług pomocniczych jest wyłączone z niniejszej definicji. Usługami pomocniczymi są: transport, usługi finansowe, ubezpieczenie lub reasekuracja, lub ogólna reklama lub promocja;

6) „pośrednik” oznacza każdą osobę fizyczną lub prawną bądź spółkę cywilną mającą miejsce pobytu lub siedzibę w państwie członkowskim Wspólnoty świadczącą usługi określone w pkt 5 z terytorium Wspólnoty na terytorium państwa trzeciego;

7) „tranzyt” oznacza transport niewspólnotowych produktów podwójnego zastosowania wprowadzanych na terytorium celne Wspólnoty i przechodzących przez to terytorium do miejsca przeznaczenia znajdującego się poza Wspólnotą;

8) „indywidualne zezwolenie na wywóz” oznacza zezwolenie udzielone jednemu konkretnemu eksporterowi w odniesieniu do jednego użytkownika końcowego lub odbiorcy w państwie trzecim, obejmujące jeden lub więcej produktów podwójnego zastosowania;

▼M1

9) „generalne unijne zezwolenie na wywóz” oznacza zezwolenie na wywóz w odniesieniu do wywozu do niektórych krajów przeznaczenia, dostępne dla wszystkich eksporterów spełniających warunki i wymogi dotyczące jego stosowania, wymienione w załącznikach IIa–IIf;

▼B

10) „globalne zezwolenie na wywóz” oznacza zezwolenie udzielone jednemu określonemu eksporterowi w odniesieniu do typu lub kategorii produktu podwójnego zastosowania, które może być ważne na wywóz do jednego lub więcej określonych użytkowników końcowych i/lub w jednym lub więcej określonych państwach trzecich;

11) „krajowe generalne zezwolenie na wywóz” oznacza zezwolenie na wywóz udzielone zgodnie z art. 9 ust. 2 i określone w przepisach krajowych zgodnie z art. 9 i załącznikiem IIIc;

12) „terytorium celne Unii Europejskiej” oznacza terytorium w rozumieniu art. 3 Wspólnotowego Kodeksu Celnego;

13) „niewspólnotowe produkty podwójnego zastosowania” oznaczają produkty mające status towarów niewspólnotowych w rozumieniu art. 4 ust. 8 Wspólnotowego kodeksu celnego;



ROZDZIAŁ II

ZAKRES

Artykuł 3

1.  Wywóz produktów podwójnego zastosowania wymienionych w załączniku I wymaga zezwolenia.

2.  Zgodnie z art. 4 lub art. 8 Wymóg uzyskania zezwolenia może także odnosić się do wywozu do wszystkich lub niektórych miejsc przeznaczenia niektórych produktów podwójnego zastosowania niewymienionych w załączniku I.

Artykuł 4

1.  W przypadku wywozu produktów podwójnego zastosowania niewymienionych w załączniku I wymagane jest zezwolenie, jeżeli eksporter został poinformowany przez właściwe organy państwa członkowskiego, w którym ma on siedzibę, że wskazane produkty są lub mogą być przeznaczone, w całości lub w części, do stosowania do celów związanych z rozwojem, wytwarzaniem, obsługą, eksploatacją, konserwacją, przechowywaniem, wykrywaniem, identyfikacją lub rozprzestrzenianiem broni chemicznej, biologicznej lub jądrowej lub innych urządzeń do wybuchu jądrowego lub z rozwojem, wytwarzaniem, konserwacją lub przechowywaniem pocisków zdolnych do przenoszenia takich broni.

2.  Zezwolenie jest również wymagane w przypadku wywozu produktów podwójnego zastosowania niewymienionych w załączniku I, jeżeli kraj nabywający lub kraj przeznaczenia podlega embargu na broń ►M1  nałożonemu na mocy decyzji lub wspólnego stanowiska ◄ , przyjęte przez Radę lub decyzję Organizacji Bezpieczeństwa i Współpracy w Europie (OBWE), lub embargu na broń nałożonemu przez wiążącą rezolucję Rady Bezpieczeństwa Organizacji Narodów Zjednoczonych i jeżeli eksporter został poinformowany przez organy określone w ust. 1, że wspomniane produkty są lub mogą być przeznaczone, w całości lub w części, do końcowego zastosowania wojskowego. Do celów niniejszego ustępu „końcowe zastosowanie wojskowe” oznacza:

a) włączenie do produktów wojskowych wymienionych w wykazie uzbrojenia państw członkowskich;

b) użycie sprzętu produkcyjnego, badawczego lub analitycznego i ich podzespołów do rozwoju, wytwarzania lub konserwacji produktów wojskowych wymienionych we wspomnianym wyżej wykazie;

c) użycie niedokończonego produktu w zakładzie przemysłowym do wytwarzania produktów wojskowych wymienionych we wspomnianym wyżej wykazie.

3.  Zezwolenie jest także wymagane w przypadku wywozu produktów podwójnego zastosowania niewymienionych w załączniku I, jeżeli eksporter został poinformowany przez organy określone w ust. 1, że wspomniane produkty są lub mogą być przeznaczone, w całości lub w części, do wykorzystania jako części lub podzespoły w produktach wojskowych wymienionych w krajowym wykazie uzbrojenia, które zostały wywiezione z terytorium państwa członkowskiego bez zezwolenia lub z naruszeniem zezwolenia przewidzianego przez ustawodawstwo krajowe tego państwa członkowskiego.

4.  Jeżeli eksporter jest świadomy tego, że produkty podwójnego zastosowania niewymienione w załączniku I, które proponuje na wywóz, są przeznaczone w całości lub w części do jakichkolwiek zastosowań określonych w ust. 1, 2 i 3, musi on powiadomić organy określone w ust. 1, które podejmą decyzję, czy wskazane jest wymaganie zezwolenia dla danego wywozu.

5.  Państwa członkowskie mogą przyjąć lub utrzymać krajowe ustawodawstwo nakładające wymóg uzyskania zezwolenia na wywóz produktów podwójnego zastosowania niewymienionych w załączniku I, jeżeli eksporter ma podstawy do podejrzeń, że te produkty są lub mogą być przeznaczone, w całości lub w części, do jakichkolwiek zastosowań określonych w ust. 1.

6.  Państwo członkowskie, które stosując ust. 1–5, nakłada wymóg uzyskania zezwolenia na wywóz produktów podwójnego zastosowania niewymienionych w załączniku I, informuje o tym w stosownych przypadkach pozostałe państwa członkowskie i Komisję. Pozostałe państwa członkowskie należycie uwzględniają wszystkie tego rodzaju informacje i informują swoje administracje celne i inne właściwe organy krajowe.

7.  Przepisy art. 13 ust. 1 i 2 oraz ust. 5–7 mają zastosowanie do przypadków dotyczących produktów podwójnego zastosowania niewymienionych w załączniku I.

8.  Niniejsze rozporządzenie pozostaje bez uszczerbku dla prawa państw członkowskich do podejmowania krajowych środków na mocy art. 11 rozporządzenia (EWG) nr 2603/69.

Artykuł 5

1.  Na świadczenie usług pośrednictwa w odniesieniu do produktów podwójnego zastosowania wyszczególnionych w załączniku I wymagane jest zezwolenie, w przypadku gdy pośrednik został poinformowany przez właściwe organy państwa członkowskiego, w którym ma miejsce pobytu lub siedzibę, że odnośne produkty są lub mogą być, w całości lub w części, przeznaczone do zastosowań, o których mowa w art. 4 ust. 1. Jeżeli pośrednik jest świadomy tego, że produkty podwójnego zastosowania wyszczególnione w załączniku I, w odniesieniu do których proponuje usługi pośrednictwa, są lub mogą być, w całości lub w części, przeznaczone do zastosowań, o których mowa w art. 4 ust. 1, musi powiadomić właściwe organy; organy te podejmą decyzję, czy celowe jest wymaganie zezwolenia na takie usługi pośrednictwa.

2.  Państwo członkowskie może rozszerzyć stosowanie ust. 1 na produkty podwójnego zastosowania niewymienione w załączniku I przeznaczone do zastosowań, o których mowa w art. 4 ust. 1 i na produkty podwójnego zastosowania przeznaczone do końcowych zastosowań wojskowych, o których mowa w art. 4 ust. 2.

3.  Państwo członkowskie może przyjąć lub utrzymywać przepisy krajowe nakładające na pośrednictwo w odniesieniu do produktów podwójnego zastosowania wymóg uzyskania zezwolenia, jeżeli pośrednik ma powody, aby podejrzewać, że produkty te są lub mogą być przeznaczone do któregokolwiek z zastosowań, o których mowa w art. 4 ust. 1.

4.  Przepisy art. 8 ust. 2, 3 i 4 mają zastosowanie do środków krajowych, o których mowa w ust. 2 i 3 niniejszego artykułu.

Artykuł 6

1.  Właściwe organy państwa, w którym ma miejsce tranzyt, mogą zakazać tranzytu niewspólnotowych produktów podwójnego zastosowania wyszczególnionych w załączniku I, jeżeli produkty te są lub mogą być, w całości lub w części, przeznaczone do zastosowań, o których mowa w art. 4 ust. 1. Podejmując decyzję o takim zakazie, państwa członkowskie biorą pod uwagę swoje obowiązki i zobowiązania, które przyjęły na siebie jako strony traktatów międzynarodowych lub jako członkowie międzynarodowych systemów nieproliferacji.

2.  Przed podjęciem decyzji o ewentualnym zakazie tranzytu państwa członkowskie mogą postanowić, że ich właściwe organy mogą w indywidualnych przypadkach nałożyć wymóg uzyskania zezwolenia w odniesieniu do konkretnego tranzytu produktów podwójnego zastosowania wyszczególnionych w załączniku I, jeżeli produkty te są lub mogą być, w całości lub w części, przeznaczone do zastosowań, o których mowa w art. 4 ust. 1.

3.  Państwo członkowskie może rozszerzyć stosowanie ust. 1 na produkty podwójnego zastosowania niewymienione w załączniku I przeznaczone do zastosowań, o których mowa w art. 4 ust. 1. oraz na produkty podwójnego zastosowania przeznaczone do końcowych zastosowań wojskowych, o których mowa w art. 4 ust. 2.

4.  Przepisy art. 8 ust. 2, 3 i 4 mają zastosowanie do środków krajowych, o których mowa w ust. 2 i 3 niniejszego artykułu.

Artykuł 7

Niniejsze rozporządzenie nie stosuje się do przypadków świadczenia usług lub przekazywania technologii, jeżeli to świadczenie lub przekazywanie odbywa się poprzez transgraniczny przepływ osób.

Artykuł 8

1.  Państwo członkowskie może, ze względów bezpieczeństwa publicznego lub ze względu na prawa człowieka, zabronić wywozu produktów podwójnego zastosowania niewymienionych w załączniku I lub wymagać zezwolenia na ich wywóz.

2.  Państwa członkowskie powiadamiają Komisję o wszystkich środkach podjętych na podstawie ust. 1 niezwłocznie po ich podjęciu i podają dokładne powody podjęcia środków.

3.  Państwa członkowskie powiadamiają również niezwłocznie Komisję o wszelkich modyfikacjach środków podjętych na podstawie ust. 1.

4.  Komisja publikuje środki, o których została powiadomiona na podstawie ust. 2 i 3, w serii C Dziennika Urzędowego Unii Europejskiej.



ROZDZIAŁ III

ZEZWOLENIE NA WYWÓZ I ZEZWOLENIE NA USŁUGI POŚREDNICTWA

Artykuł 9

▼M1

1.  Niniejsze rozporządzenie ustanawia generalne unijne zezwolenia na wywóz w odniesieniu do niektórych rodzajów eksportu, określone w załącznikach IIa–IIf.

Właściwe organy państwa członkowskiego, w którym ma swoją siedzibę eksporter, mogą zakazać eksporterowi stosowania tych zezwoleń, jeżeli istnieją uzasadnione wątpliwości co do jego zdolności spełnienia warunków i wymogów takiego zezwolenia lub przestrzegania przepisów ustawodawstwa w zakresie kontroli wywozu.

Właściwe organy państwa członkowskiego wymieniają informacje na temat eksporterów pozbawionych prawa stosowania generalnego unijnego zezwolenia na wywóz, chyba że ustalą one, że eksporter nie będzie usiłował wywieźć produktów podwójnego zastosowania przez terytorium innego państwa członkowskiego. Do tego celu stosowany jest system, o którym mowa w art. 19 ust. 4.

▼M3

W celu zapewnienia, aby generalne unijne zezwolenia na wywóz opisane w załącznikach IIa–IIf obejmowały tylko transakcje niskiego ryzyka, Komisja jest uprawniona do przyjmowania aktów delegowanych zgodnie z art. 23a w celu usunięcia miejsc przeznaczenia z zakresu objętego tymi generalnymi unijnymi zezwoleniami na wywóz, jeżeli takie miejsca przeznaczenia stają się przedmiotem embarga na broń, jak określono w art. 4 ust. 2.

W przypadkach takiego embarga na broń, gdy szczególnie pilny charakter sprawy wymaga usunięcia określonych miejsc przeznaczenia z zakresu objętego generalnym unijnym zezwoleniem na wywóz, do aktów delegowanych przyjmowanych na podstawie niniejszego ustępu stosuje się procedurę przewidzianą w art. 23b.

▼B

2.  W odniesieniu do wszystkich innych rodzajów wywozu, dla których na mocy niniejszego rozporządzenia wymagane jest zezwolenie, zezwolenie takie udzielane jest przez właściwe organy państwa członkowskiego, w którym eksporter ma swoją siedzibę. Z zastrzeżeniem ograniczeń określonych w ust. 4 zezwolenia te mogą być indywidualne, globalne lub generalne.

Wszystkie zezwolenia są ważne na całym terenie Wspólnoty.

Eksporterzy dostarczają właściwym organom wszystkich odnośnych informacji wymaganych przy składaniu wniosków o wydanie indywidualnych i globalnych zezwoleń na wywóz, aby właściwe organy krajowe miały pełne informacje, w szczególności dotyczące użytkownika końcowego, kraju przeznaczenia i końcowych zastosowań wywożonego produktu. Zezwolenie może podlegać, w stosownych przypadkach, obowiązkowi dostarczenia oświadczenia końcowego użytkownika.

3.  Państwa członkowskie rozpatrują wnioski o indywidualne lub globalne zezwolenia na wywóz w terminie określonym zgodnie z przepisami lub praktykami krajowymi.

4.  Krajowe generalne zezwolenia na wywóz:

▼M1

a) nie obejmują swoim zakresem produktów wymienionych w załączniku IIg;

▼B

b) są określane zgodnie z przepisami lub praktykami krajowymi. Mogą być stosowane przez wszystkich eksporterów mających miejsce pobytu lub siedzibę w państwie członkowskim wydającym te zezwolenia, jeżeli spełniają wymogi określone w niniejszym rozporządzeniu i w uzupełniających przepisach krajowych. Są wydawane zgodnie ze wskazaniami określonymi w załączniku IIIc. Są wydawane zgodnie z przepisami lub praktykami krajowymi.

Państwa członkowskie niezwłocznie powiadamiają Komisję o wszelkich wydanych lub zmienionych krajowych generalnych zezwoleniach na wywóz. Komisja podaje te zmiany do wiadomości publicznej w Dzienniku Urzędowym Unii Europejskiej serii C;

c) nie mogą być wykorzystywane, jeżeli eksporter został poinformowany przez właściwe dla niego organy, że przedmiotowe produkty są lub mogą być przeznaczane w całości lub części do któregokolwiek z zastosowań określonych w art. 4 ust. 1 i 3, lub w art. 4 ust. 2 W kraju objętym embargiem na broń ►M1  nałożonym na mocy decyzji lub wspólnego stanowiska ◄ przyjętego przez Radę lub na mocy decyzji OBWE lub embargiem na broń nałożonym wiążącą rezolucją Rady Bezpieczeństwa ONZ lub jeżeli eksporter jest świadomy, że produkty te są przeznaczone do wyżej wspomnianych zastosowań.

5.  Państwa członkowskie utrzymują lub wprowadzają w swoim odnośnym krajowym ustawodawstwie możliwość udzielania zezwolenia globalnego na wywóz.

6.  Państwa członkowskie dostarczają Komisji wykaz organów właściwych do:

a) udzielania zezwoleń na wywóz produktów podwójnego zastosowania;

b) wydawania zakazu tranzytu niewspólnotowych produktów podwójnego zastosowania na mocy niniejszego rozporządzenia.

Komisja publikuje wykaz tych organów w serii C Dziennika Urzędowego Unii Europejskiej.

Artykuł 10

1.  Zezwolenia na usługi pośrednictwa w ramach niniejszego rozporządzenia są wydawane przez właściwe organy państwa członkowskiego, w którym pośrednik ma miejsce pobytu lub siedzibę. Zezwolenia te są wydawane na określoną ilość wyszczególnionych produktów przemieszczanych między dwoma lub więcej państwami trzecimi. Należy jednoznacznie określić umiejscowienie tych produktów w państwie trzecim, będącym państwem pochodzenia, użytkownika końcowego oraz jego dokładną lokalizację. Zezwolenia są ważne na terytorium całej Wspólnoty.

2.  Pośrednicy dostarczają właściwym organom wszystkich odpowiednich informacji wymaganych przy składaniu wniosków o wydanie przewidzianych w niniejszym rozporządzeniu zezwoleń na usługi pośrednictwa, w szczególności informacji dotyczących umiejscowienia tych produktów podwójnego zastosowania w państwie trzecim, będącym państwem pochodzenia, jednoznacznego opisu tych produktów i ich ilości, trzecich stron biorących udział w transakcji, państwa trzeciego, będącego państwem przeznaczenia, użytkownika końcowego w tym trzecim kraju oraz jego dokładnej lokalizacji.

3.  Państwa członkowskie rozpatrują wnioski o zezwolenie na usługi pośrednictwa w terminie określonym zgodnie z przepisami lub praktykami krajowymi.

4.  Państwa członkowskie przedstawiają Komisji wykaz organów upoważnionych do udzielania przewidzianych w niniejszym rozporządzeniu zezwoleń na usługi pośrednictwa. Komisja publikuje wykaz tych organów w serii C Dziennika Urzędowego Unii Europejskiej.

Artykuł 11

1.  Jeżeli produkty podwójnego zastosowania, w odniesieniu do których został złożony wniosek o wydanie indywidualnego zezwolenia na wywóz do miejsca przeznaczenia niewymienionego w ►M1  załączniku IIa ◄ lub do jakiegokolwiek miejsca przeznaczenia w przypadku produktów podwójnego zastosowania wymienionych w załączniku IV, są lub będą umieszczone w jednym lub kilku państwach członkowskich innych niż te, w których składany jest wniosek, fakt taki zostaje wykazany we wniosku. Właściwe organy państwa członkowskiego, do których został złożony wniosek o wydanie zezwolenia, niezwłocznie zasięgają opinii właściwych organów zainteresowanego państwa lub państw członkowskich i dostarczają stosownych informacji. Państwo lub państwa członkowskie, u których zasięgano opinii, w ciągu dziesięciu dni roboczych powiadamiają o wszelkich zastrzeżeniach, jakie mogą mieć wobec udzielenia zezwolenia, które wiążą państwo członkowskie, w którym złożono wniosek.

Jeżeli w ciągu dziesięciu dni roboczych nie zostaną przedstawione żadne zastrzeżenia, uznaje się, że państwo lub państwa członkowskie, u których zasięgano opinii, nie mają zastrzeżeń.

W wyjątkowych przypadkach każde państwo członkowskie, u którego zasięgano opinii, może złożyć wniosek o wydłużenie terminu 10-dniowego. Jednakże wydłużenie to nie może przekroczyć 30 dni roboczych.

2.  Jeżeli wywóz mógłby naruszać podstawowe interesy bezpieczeństwa, państwo członkowskie może prosić inne państwo członkowskie o nieudzielanie zezwolenia na wywóz lub, jeżeli takie zezwolenie zostało udzielone, prosić o jego unieważnienie, zawieszenie, modyfikację lub odwołanie. Państwo członkowskie, które otrzymało taką prośbę, niezwłocznie podejmuje konsultacje o charakterze niewiążącym z państwem członkowskim występującym z prośbą, które mają się zakończyć w ciągu 10 dni roboczych. Jeżeli państwo członkowskie, do którego kierowana jest prośba, postanowi udzielić zezwolenia, powinno poinformować o tym Komisję i pozostałe państwa członkowskie za pomocą systemu elektronicznego, o którym mowa w art. 13 ust. 6.

Artykuł 12

1.  Przy podejmowaniu decyzji o ewentualnym udzieleniu indywidualnego lub globalnego zezwolenia na wywóz lub udzieleniu zezwolenia na usługi pośrednictwa na mocy niniejszego rozporządzenia, państwa członkowskie biorą pod uwagę wszelkie istotne względy obejmujące:

a) własne zobowiązania i obowiązki, które przyjęły jako członkowie międzynarodowych systemów nieproliferacyjnych i porozumień w sprawie kontroli wywózu lub w drodze ratyfikacji stosownych traktatów międzynarodowych;

b) własne zobowiązania w ramach sankcji ►M1  nałożone na mocy decyzji lub wspólnego stanowiska ◄ , przyjęte przez Radę lub decyzję OBWE lub przez wiążącą rezolucję Rady Bezpieczeństwa Organizacji Narodów Zjednoczonych;

c) względy krajowej polityki zagranicznej i bezpieczeństwa, w tym dziedziny objęte wspólnym stanowiskiem Rady 2008/944/WPZiB z dnia 8 grudnia 2008 r. określającym wspólne zasady kontroli wywozu technologii wojskowych i sprzętu wojskowego ( 1 );

d) zamierzone końcowe zastosowanie i ryzyko jego zmiany.

2.  Oprócz kryteriów określonych w ust. 1, przy ocenie wniosku o wydanie zezwolenia globalnego na wywóz państwa członkowskie biorą pod uwagę stosowanie przez eksportera proporcjonalnych i odpowiednich środków i procedur w celu zapewnienia zgodności z przepisami i celami niniejszego rozporządzenia oraz z warunkami zezwolenia.

Artykuł 13

1.  Właściwe organy państw członkowskich, działając zgodnie z niniejszym rozporządzeniem, mogą odmówić udzielenia zezwolenia na wywóz, a także mogą unieważnić, zawiesić, zmodyfikować lub odwołać zezwolenie na wywóz, które już zostało udzielone. W przypadku odmowy, unieważnienia, zawieszenia, znacznego ograniczenia lub odwołania zezwolenia na wywóz lub w przypadku ustalenia przez właściwe organy, że nie należy wydawać zezwolenia na zamierzony wywóz, powiadamiają one właściwe organy pozostałych państw członkowskich i Komisję oraz przekazują im stosowne informacje. W przypadku gdy właściwe organy państwa członkowskiego zawieszą zezwolenie na wywóz, ostateczna ocena zostanie zakomunikowana państwom członkowskim i Komisji na koniec okresu zawieszenia.

2.  W ciągu trzech lat od powiadomienia właściwe organy państw członkowskich dokonują przeglądu odmów udzielenia zezwoleń, o których powiadamiano zgodnie z ust. 1, i w razie potrzeby odwołują, zmieniają lub odnawiają je. Właściwe organy państw członkowskich powiadamiają o wynikach tego przeglądu właściwe organy pozostałych państw członkowskich i Komisji w możliwie najkrótszym terminie. Odmowy, które nie zostały odwołane, pozostają w mocy.

3.  Właściwe organy państw członkowskich niezwłocznie powiadamiają pozostałe państwa członkowskie i Komisję o swoich decyzjach, podjętych na mocy art. 6, w sprawie zakazu tranzytu produktów podwójnego zastosowania wymienionych w załączniku I. Powiadomienia te zawierają wszelkie stosowne informacje, m.in. klasyfikację produktu, jego parametry techniczne, kraj przeznaczenia i użytkownika końcowego.

4.  Ustępy 1 i 2 mają zastosowanie również do zezwoleń na usługi pośrednictwa.

5.  Zanim właściwe organy danego państwa członkowskiego, działając na mocy niniejszego rozporządzenia, udzielą zezwolenia na wywóz lub zezwolenia na świadczenie usług pośrednictwa lub podejmą decyzję w sprawie tranzytu, analizują wszystkie ważne odmowy lub decyzje o zakazie tranzytu produktów podwójnego zastosowania, wymienionych w załączniku I, podjęte na mocy niniejszego rozporządzenia, aby ustalić, czy decyzja odmowna w sprawie zezwolenia lub tranzytu nie została podjęta przez właściwe organy w innym państwie członkowskim lub państwach członkowskich w odniesieniu do zasadniczo identycznej transakcji (co oznacza produkt o zasadniczo identycznych parametrach lub charakterystyce technicznej dla tego samego użytkownika końcowego lub odbiorcy). Zasięgają one najpierw opinii właściwych organów państwa lub państw członkowskich, które udzieliły takiej odmowy lub podjęły decyzje o zakazie tranzytu zgodnie z ust. 1 i 3. Jeżeli po przeprowadzeniu takich konsultacji właściwe organy państwa członkowskiego postanowią udzielić zezwolenia lub zezwolić na tranzyt, informują one pozostałe właściwe organy innych państw członkowskich i Komisję oraz dostarczają stosownych informacji o powodach tej decyzji.

▼M1

6.  Wszystkie powiadomienia wymagane na mocy niniejszego artykułu muszą być składane za pomocą bezpiecznych środków elektronicznych, w tym za pośrednictwem bezpiecznego systemu, o którym mowa w art. 19 ust. 4.

▼B

7.  Wszystkie informacje wymieniane zgodnie z przepisami niniejszego artykułu są zgodne z przepisami art. 19 ust. 3, 4 i 6 dotyczącymi poufności takich informacji.

Artykuł 14

1.  Wszelkie indywidualne i globalne zezwolenia na wywóz oraz zezwolenia na usługi pośrednictwa są wydawane pisemnie lub za pomocą środków elektronicznych na formularzach zawierających przynajmniej wszystkie elementy wzorów określonych w załącznikach IIIa i IIIb oraz w kolejności zgodnej z tymi wzorami.

2.  Na wniosek eksporterów globalne zezwolenia na wywóz, które zawierają limity ilościowe, są dzielone.



ROZDZIAŁ IV

AKTUALIZACJA WYKAZU PRODUKTÓW PODWÓJNEGO ZASTOSOWANIA

Artykuł 15

1.  Wykaz produktów podwójnego zastosowania określony w załączniku I jest aktualizowany zgodnie z odpowiednimi zobowiązaniami i obowiązkami oraz wszelkimi ich modyfikacjami, które państwa członkowskie przyjęły jako członkowie międzynarodowych systemów nieproliferacyjnych i porozumień w sprawie kontroli wywozu lub w drodze ratyfikacji stosownych traktatów międzynarodowych.

2.  Załącznik IV, stanowiący podzbiór załącznika I, jest aktualizowany w związku z art. 30 Traktatu ustanawiającego Wspólnotę Europejską, mianowicie w odniesieniu do względów porządku publicznego i bezpieczeństwa publicznego państw członkowskich.

▼M3

3.  Komisja jest uprawniona do przyjmowania aktów delegowanych zgodnie z art. 23a dotyczących aktualizacji wykazu produktów podwójnego zastosowania określonego w załączniku I. Aktualizacji załącznika I dokonuje się w zakresie określonym w ust. 1 niniejszego artykułu. Jeśli aktualizacja załącznika I dotyczy produktów podwójnego zastosowania, które są wymienione również w załącznikach IIa–IIg lub IV, załączniki te odpowiednio się zmienia.

▼B



ROZDZIAŁ V

PROCEDURY CELNE

Artykuł 16

1.  Przy dokonywaniu formalności w zakresie wywozu produktów podwójnego zastosowania w urzędzie celnym odpowiedzialnym za obsługę deklaracji eksportowej eksporter dostarcza dowód, że uzyskał konieczne zezwolenie na wywóz.

2.  Od eksportera może być wymagane tłumaczenie dostarczonych jako dowód dokumentów na język urzędowy państwa członkowskiego, w którym złożona jest deklaracja eksportowa.

3.  Bez uszczerbku dla uprawnień przyznanych na mocy lub w zastosowaniu Wspólnotowego kodeksu celnego państwo członkowskie może także na okres nieprzekraczający okresów określonych w ust. 4 zawiesić wywóz ze swojego terytorium produktów podwójnego zastosowania wymienionych w załączniku I, które zostały objęte ważnym zezwoleniem, lub, jeżeli to konieczne, w inny sposób zapobiec opuszczeniu przez te produkty terytorium Wspólnoty poprzez swoje terytorium, jeżeli są uzasadnione podejrzenia, że:

a) przy udzielaniu zezwolenia nie zostały wzięte pod uwagę stosowne informacje; lub

b) od czasu udzielenia zezwolenia okoliczności w znaczący sposób uległy zmianie.

4.  W przypadku określonym w ust. 3 należy niezwłocznie zasięgnąć opinii właściwych organów państwa członkowskiego, które udzieliło zezwolenia na wywóz w celu ewentualnego podjęcia przez nie działań na podstawie art. 13 ust. 1. Jeżeli takie właściwe organy podejmą decyzję o utrzymaniu zezwolenia, udzielają odpowiedzi w terminie 10 dni roboczych, który na ich wniosek może być przedłużony do 30 dni roboczych w wyjątkowych okolicznościach. W takim przypadku lub jeżeli nie udzielono odpowiedzi w ciągu 10 lub (w opisanym powyżej wyjątkowym przypadku) 30 dni roboczych, produkty podwójnego zastosowania zostają natychmiast zwolnione. Państwo członkowskie, które udzieliło zezwolenia, informuje pozostałe państwa członkowskie i Komisję.

Artykuł 17

1.  Państwo członkowskie może ustanowić, że formalności celne w zakresie wywozu produktów podwójnego zastosowania mogą być dokonywane tylko w uprawnionych do tego celu urzędach celnych.

2.  Państwo członkowskie, korzystające z możliwości określonej w ust. 1, informuje Komisję, które urzędy celne zostały należycie upoważnione. Komisja opublikuje informacje w serii C Dziennika Urzędowego Unii Europejskiej.

Artykuł 18

Przepisy art. 843 i 912a–912g rozporządzenia (EWG) nr 2454/93 mają zastosowanie do ograniczeń odnoszących się do wywozu, powrotnego wywozu i opuszczania obszaru celnego przez produkty podwójnego zastosowania, w przypadku wywozu których wymagane jest zezwolenie na mocy niniejszego rozporządzenia.



ROZDZIAŁ VI

WSPÓŁPRACA ADMINISTRACYJNA

Artykuł 19

1.  Państwa członkowskie we współpracy z Komisją podejmują odpowiednie środki w celu nawiązania bezpośredniej współpracy i wymiany informacji między właściwymi organami, w szczególności w celu wyeliminowania ryzyka, że ewentualne rozbieżności w stosowaniu kontroli wywozu produktów podwójnego zastosowania mogą prowadzić do zakłóceń w handlu, co może powodować trudności dla jednego lub kilku państw członkowskich.

2.  Państwa członkowskie podejmują wszystkie odpowiednie środki w celu nawiązania bezpośredniej współpracy i wymiany informacji między właściwymi organami, mając na względzie zwiększenie skuteczności wspólnotowego systemu kontroli wywozu. Takie informacje mogą obejmować:

a) szczegółowe informacje dotyczące eksporterów, których pozbawiono na mocy sankcji krajowych prawa do korzystania z krajowych generalnych zezwoleń na wywóz lub ►M1  generalnych unijnych zezwoleń na wywóz; ◄

b) dane dotyczące wrażliwych użytkowników końcowych i podmiotów uczestniczących w budzących podejrzenia transakcjach oraz odbytych tras, jeśli dostępne.

3.  Rozporządzenie Rady (WE) nr 515/97 z dnia 13 marca 1997 r. w sprawie wzajemnej pomocy między organami administracyjnymi państw członkowskich i współpracy między państwami członkowskimi a Komisją w celu zapewnienia prawidłowego stosowania przepisów prawa celnego i rolnego ( 2 ), w szczególności przepisy dotyczące poufności informacji, stosuje się z uwzględnieniem niezbędnych zmian, bez uszczerbku dla art. 23 niniejszego rozporządzenia.

▼M1

4.  Na potrzeby wymiany informacji między państwami członkowskimi, a także w stosownych przypadkach między państwami członkowskimi a Komisją, Komisja stworzy bezpieczny, szyfrowany system w porozumieniu z Grupą Koordynacyjną ds. Produktów Podwójnego Zastosowania, ustanowioną na mocy art. 23. Parlament Europejski otrzymuje informacje dotyczące budżetu tego systemu, jego rozwoju, tymczasowej i ostatecznej konfiguracji i funkcjonowania oraz kosztów sieci.

▼B

5.  Zapewnienie wytycznych dla eksporterów i pośredników będzie obowiązkiem państw członkowskich, w których mają oni miejsce pobytu lub siedzibę. Komisja i Rada mogą również udostępnić wytyczne lub opracowywać zalecenia w sprawie najlepszych praktyk w kwestiach, o których mowa w niniejszym rozporządzeniu.

6.  Przetwarzanie danych osobowych jest zgodne z przepisami dyrektywy 95/46/WE Parlamentu Europejskiego i Rady z dnia 24 października 1995 r. w sprawie ochrony osób fizycznych w zakresie przetwarzania danych osobowych i swobodnego przepływu tych danych ( 3 ) oraz rozporządzenia (WE) nr 45/2001 Parlamentu Europejskiego i Rady z dnia 18 grudnia 2000 r. o ochronie osób fizycznych w związku z przetwarzaniem danych osobowych przez instytucje i organy wspólnotowe i o swobodnym przepływie takich danych ( 4 ).



ROZDZIAŁ VII

ŚRODKI KONTROLI

Artykuł 20

1.  Eksporterzy produktów podwójnego zastosowania przechowują szczegółowe rejestry lub zapisy transakcji eksportowych zgodnie z przepisami krajowymi lub praktyką obowiązującą w poszczególnych państwach członkowskich. Takie rejestry lub zapisy obejmują w szczególności dokumenty handlowe, takie jak faktury, deklaracje oraz dokumenty transportowe i wysyłkowe zawierające wystarczające informacje umożliwiające identyfikację następujących danych:

a) opis produktów podwójnego zastosowania;

b) ilość produktów podwójnego zastosowania;

c) nazwa i adres eksportera i odbiorcy;

d) końcowe zastosowanie i końcowy użytkownik produktów podwójnego zastosowania, jeżeli dane te są znane.

2.  Z godnie z prawem krajowym lub praktyką obowiązującą w poszczególnych państwach członkowskich pośrednicy przechowują rejestry lub zapisy dotyczące usług pośrednictwa objętych zakresem stosowania art. 5, umożliwiające udowodnienie, na żądanie, opisu produktów podwójnego zastosowania, które były przedmiotem usług pośrednictwa, okresu, w którym produkty były przedmiotem takich usług, i ich przeznaczenia, oraz krajów, których dotyczą te usługi pośrednictwa.

3.  Zapisy lub rejestry oraz dokumenty, o których mowa w ust. 1 i 2 są przechowywane co najmniej przez trzy lata od końca roku kalendarzowego, w którym miał miejsce wywóz lub świadczono usługi pośrednictwa. Są one okazywane na żądanie właściwym organom państwa członkowskiego, w którym eksporter ma siedzibę lub pośrednik ma siedzibę lub miejsce pobytu.

Artykuł 21

W celu zapewnienia właściwego stosowania niniejszego rozporządzenia każde państwo członkowskie podejmie wszelkie niezbędne środki dla umożliwienia właściwym organom:

a) gromadzenia informacji o zamówieniach i transakcjach dotyczących produktów podwójnego zastosowania;

b) ustalenia, że środki kontroli wywozu są właściwie stosowane, co może obejmować w szczególności prawo do wejścia do pomieszczeń osób, które mają udział w transakcji eksportowej lub pośredników świadczących usługi pośrednictwa w warunkach określonych w art. 5.



ROZDZIAŁ VIII

POZOSTAŁE PRZEPISY

Artykuł 22

1.  W przypadku wewnątrzwspólnotowych transferów produktów podwójnego zastosowania wymienionych w załączniku IV wymagane jest zezwolenie. Produkty wymienione w załączniku IV część 2 nie są objęte generalnym zezwoleniem.

2.  Państwo członkowskie może nałożyć wymóg uzyskania zezwolenia w przypadku transferów innych produktów podwójnego zastosowania ze swojego terytorium do innego państwa członkowskiego, w przypadkach gdy w momencie transferu:

 operator wie, że miejsce końcowego przeznaczenia przedmiotowych produktów jest poza Wspólnotą,

 wywóz tych produktów do tego miejsca końcowego przeznaczenia podlega wymogowi uzyskania zezwolenia na mocy art. 3, 4 lub 8 W państwie członkowskim, z którego produkty te mają być wysłane, i taki wywóz bezpośrednio z jego terytorium nie jest dozwolony na mocy zezwolenia generalnego lub zezwolenia globalnego,

 w państwach członkowskich, do których produkty te mają być przesłane, nie będą one poddane przetworzeniu ani obróbce w rozumieniu art. 24 Wspólnotowego kodeksu celnego.

3.  O zezwolenie na transfer należy wystąpić w państwie członkowskim, z którego dane produkty podwójnego zastosowania mają być wysłane.

4.  W przypadkach gdy dalszy wywóz produktów podwójnego zastosowania został już zaakceptowany drogą procedur określonych w art. 11 przez państwo członkowskie, z którego produkty te mają być wysłane, zezwolenie na transfer jest wydawane bezpośrednio operatorowi, o ile okoliczności nie zmieniły się znacząco.

5.  Państwo członkowskie, które przyjmuje ustawodawstwo nakładające takie wymaganie, informuje Komisję i pozostałe państwa członkowskie o środkach, jakie podjęto. Komisja publikuje te informacje w serii C Dziennika Urzędowego Unii Europejskiej.

6.  Środki przyjęte na podstawie ust. 1 i 2 nie obejmują stosowania wewnętrznych kontroli granicznych we Wspólnocie, ale wyłącznie kontrole, które są przeprowadzane jako część normalnych procedur kontrolnych stosowanych w sposób niedyskryminujący na całym terytorium Wspólnoty.

7.  Stosowanie środków na podstawie art. 1 i 2 nie może w żadnym wypadku powodować nakładania na transfery z jednego państwa członkowskiego do innego bardziej restrykcyjnych warunków niż nałożone na wywóz tych samych produktów do państw trzecich.

8.  Dokumenty i rejestry transferów wewnątrzwspólnotowych produktów podwójnego zastosowania wymienionych w załączniku I należy przechowywać przez co najmniej trzy lata od końca roku kalendarzowego, w którym miał miejsce transfer, i należy je okazywać na żądanie właściwym organom państwa członkowskiego, z którego dokonano transferu.

9.  Państwo członkowskie może w drodze krajowego ustawodawstwa wymagać, aby — w przypadku transferów wewnątrzwspólnotowych z tego państwa członkowskiego produktów wymienionych w kategorii 5 części 2 załącznika I, które nie są wymienione w załączniku IV — właściwym organom tego państwa członkowskiego dostarczone zostały dodatkowe informacje dotyczące tych produktów.

10.  Stosowne dokumenty handlowe dotyczące transferów wewnątrzwspólnotowych produktów podwójnego zastosowania wymienionych w załączniku I zawierają wyraźną informację, iż produkty podlegają kontroli w przypadku wywozu ze Wspólnoty. Stosowne dokumenty handlowe obejmują w szczególności: umowy sprzedaży, potwierdzenia zamówień, faktury lub zawiadomienia o wysyłce.

Artykuł 23

1.  Zostaje powołana Grupa Koordynacyjna ds. Produktów Podwójnego Zastosowania pod przewodnictwem przedstawiciela Komisji. Każde państwo członkowskie wyznaczy przedstawiciela do tej grupy.

Grupa bada wszelkie kwestie dotyczące stosowania niniejszego rozporządzenia, które mogą być podnoszone przez przewodniczącego lub przedstawiciela państwa członkowskiego.

2.  Przewodniczący Grupy Koordynacyjnej ds. Produktów Podwójnego Zastosowania lub grupa koordynacyjna zasięga, jeżeli uzna to za konieczne, opinii eksporterów, pośredników oraz innych właściwych zainteresowanych stron, których dotyczy niniejsze rozporządzenie.

▼M1

3.  Komisja przedkłada Parlamentowi Europejskiemu roczne sprawozdanie z działalności, badań i konsultacji Grupy Koordynacyjnej ds. Produktów Podwójnego Zastosowania, do którego ma zastosowanie art. 4 rozporządzenia (WE) nr 1049/2001 Parlamentu Europejskiego i Rady z dnia 30 maja 2001 r. w sprawie publicznego dostępu do dokumentów Parlamentu Europejskiego, Rady i Komisji ( 5 ).

▼M3

Artykuł 23a

1.  Powierzenie Komisji uprawnień do przyjmowania aktów delegowanych podlega warunkom określonym w niniejszym artykule.

2.  Uprawnienia do przyjmowania aktów delegowanych, o których mowa w art. 9 ust. 1 i art. 15 ust. 3, powierza się Komisji na okres pięciu lat od dnia 2 lipca 2014 r. Komisja sporządza sprawozdanie dotyczące przekazania uprawnień nie później niż dziewięć miesięcy przed końcem okresu pięciu lat. Przekazanie uprawnień zostaje automatycznie przedłużane na okresy tej samej długości, chyba że Parlament Europejski lub Rada sprzeciwią się takiemu przedłużeniu nie później niż trzy miesiące przed końcem każdego okresu.

3.  Przekazanie uprawnień, o którym mowa w art. 9 ust. 1 i art. 15 ust. 3, może zostać odwołane w dowolnym momencie przez Parlament Europejski lub przez Radę. Decyzja o odwołaniu kończy przekazanie określonych w niej uprawnień. Decyzja o odwołaniu staje się skuteczna następnego dnia po jej opublikowaniu w Dzienniku Urzędowym Unii Europejskiej lub w określonym w tej decyzji późniejszym terminie. Nie wpływa ona na ważność już obowiązujących aktów delegowanych.

4.  Niezwłocznie po przyjęciu aktu delegowanego Komisja przekazuje go równocześnie Parlamentowi Europejskiemu i Radzie.

5.  Akt delegowany przyjęty na podstawie art. 9 ust. 1 i art. 15 ust. 3 Wchodzi w życie tylko wówczas, gdy ani Parlament Europejski, ani Rada nie wyraziły sprzeciwu w terminie dwóch miesięcy od przekazania tego aktu Parlamentowi Europejskiemu i Radzie lub gdy przed upływem tego terminu zarówno Parlament Europejski, jak i Rada poinformowały Komisję, że nie wniosą sprzeciwu. Termin ten przedłuża się o dwa miesiące z inicjatywy Parlamentu Europejskiego lub Rady.

Artykuł 23b

1.  Akty delegowane przyjęte na podstawie niniejszego artykułu wchodzą w życie niezwłocznie i mają zastosowanie, dopóki nie zostanie wyrażony sprzeciw zgodnie z ust. 2. Przy przekazywaniu aktu delegowanego Parlamentowi Europejskiemu i Radzie podaje się powody zastosowania trybu pilnego.

2.  Parlament Europejski lub Rada mogą wyrazić sprzeciw wobec aktu delegowanego zgodnie z procedurą, o której mowa w art. 23a ust. 5. W takim przypadku Komisja uchyla akt niezwłocznie po doręczeniu przez Parlament Europejski lub Radę decyzji o sprzeciwie.

▼B

Artykuł 24

Każde państwo członkowskie podejmuje odpowiednie środki, aby zapewnić właściwe egzekwowanie wszystkich przepisów niniejszego rozporządzenia. W szczególności ustanawia sankcje stosowne do naruszeń przepisów niniejszego rozporządzenia lub przepisów przyjętych w celu jego wykonania. Sankcje takie muszą być skuteczne, proporcjonalne i odstraszające.

▼M1

Artykuł 25

1.  Każde z państw członkowskich informuje Komisję o przepisach ustawowych, wykonawczych i administracyjnych przyjętych w celu wykonania niniejszego rozporządzenia, włącznie ze środkami, o których mowa w art. 24. Komisja przesyła informacje do pozostałych państw członkowskich.

2.  Co trzy lata Komisja dokonuje przeglądu wykonania niniejszego rozporządzenia i składa Parlamentowi Europejskiemu i Radzie wyczerpujące sprawozdanie z jego wykonania oraz oceny skutków, które może zawierać propozycje jego zmian. Państwa członkowskie dostarczają Komisji wszystkich stosownych informacji dla przygotowania tego sprawozdania.

3.  Szczególne części sprawozdania dotyczą:

a) Grupy Koordynacyjnej ds. Produktów Podwójnego Zastosowania i jej działalności. Informacje, jakie Komisja przedstawia w sprawie prowadzonych przez Grupę Koordynacyjną ds. Produktów Podwójnego Zastosowania badań i konsultacji, są poufne zgodnie z art. 4 rozporządzenia (WE) nr 1049/2001. Informacje są uważane za poufne w każdym przypadku, gdy ich ujawnienie może mieć znaczące niekorzystne skutki dla osoby dostarczającej informacje lub dla źródła tych informacji;

b) wykonania art. 19 ust. 4; muszą zawierać sprawozdanie na temat etapu tworzenia bezpiecznego, szyfrowanego systemu wymiany informacji między państwami członkowskimi i Komisją;

c) wykonania art. 15 ust. 1;

d) wykonania art. 15 ust. 2;

e) wyczerpujących informacji w sprawie środków podejmowanych przez państwa członkowskie na mocy art. 24, o których Komisja jest powiadamiana na podstawie ust. 1 niniejszego artykułu.

4.  Nie później niż w dniu 31 grudnia 2013 r. Komisja przedłoży Parlamentowi Europejskiemu i Radzie sprawozdanie oceniające wykonanie niniejszego rozporządzenia, w którym szczególna uwaga zostanie poświęcona wykonaniu załącznika IIb – generalnego unijnego zezwolenia na wywóz nr EU002 – w stosownych przypadkach wraz z wnioskiem ustawodawczym dotyczącym zmiany niniejszego rozporządzenia, w szczególności w odniesieniu do przesyłek o niskiej wartości.

▼M1

Artykuł 25a

Bez uszczerbku dla przepisów dotyczących porozumień lub protokołów w sprawie wzajemnej pomocy administracyjnej w kwestiach celnych, zawartych między Unią i krajami trzecimi, Rada może upoważnić Komisję do wynegocjowania z krajami trzecimi porozumień mających na celu wzajemne uznawanie kontroli wywozu produktów podwójnego zastosowania objętych niniejszym rozporządzeniem, w szczególności w celu zlikwidowania wymogów posiadania zezwolenia na ponowny wywóz na terytorium Unii. Negocjacje te prowadzone są zgodnie z procedurami ustanowionymi w art. 207 ust. 3 Traktatu o funkcjonowaniu Unii Europejskiej oraz, w stosownych przypadkach, Traktatu ustanawiającego Europejską Wspólnotę Energii Atomowej.

▼B

Artykuł 26

Niniejsze rozporządzenie nie wpływa na:

 stosowanie art. 296 Traktatu ustanawiającego Wspólnotę Europejską,

 stosowanie Traktatu ustanawiającego Europejską Wspólnotę Energii Atomowej.

Artykuł 27

Rozporządzenie (WE) nr 1334/2000 uchyla się ze skutkiem od dnia 27 sierpnia 2009 r.

Jednakże w przypadku wniosków o wydanie zezwoleń na wywóz złożonych przed 27 sierpnia 2009 r. mają nadal zastosowanie stosowne przepisy rozporządzenia (WE) nr 1334/2000.

Odesłania do uchylonego rozporządzenia rozumiane są jako odesłania do niniejszego rozporządzenia i odczytywane są zgodnie z tabelą korelacji znajdującą się w załączniku VI.

Artykuł 28

Niniejsze rozporządzenie wchodzi w życie 90 dni po jego opublikowaniu w Dzienniku Urzędowym Unii Europejskiej.

Niniejsze rozporządzenie wiąże w całości i jest bezpośrednio stosowane we wszystkich państwach członkowskich.

▼M7




ZAŁĄCZNIK I

Wykaz, o którym mowa w art. 3 niniejszego rozporządzenia

WYKAZ PRODUKTÓW PODWÓJNEGO-ZASTOSOWANIA

Niniejszy wykaz wprowadza kontrolę podwójnego zastosowania uzgodnioną na szczeblu międzynarodowym, w tym w ramach porozumienia z Wassenaar, Reżimu Kontrolnego Technologii Rakietowych, Grupy Dostawców Jądrowych, Grupy Australijskiej oraz Konwencji o zakazie prowadzenia badań, produkcji, składowania i użycia broni chemicznej oraz o zniszczeniu jej zapasów.

SPIS TREŚCI

Uwagi

Akronimy i skróty

Definicje

Kategoria 0

Materiały, instalacje i urządzenia jądrowe

Kategoria 1

Materiały specjalne i związane z nimi urządzenia

Kategoria 2

Przetwarzanie materiałów

Kategoria 3

Elektronika

Kategoria 4

Komputery

Kategoria 5

Telekomunikacja i „ochrona informacji”

Kategoria 6

Czujniki i lasery

Kategoria 7

Nawigacja i awionika

Kategoria 8

Urządzenia okrętowe

Kategoria 9

Kosmonautyka, aeronautyka, napęd

UWAGI OGÓLNE DO ZAŁĄCZNIKA I

1. W przypadku towarów, które są zaprojektowane lub zmodyfikowane do zastosowań wojskowych, należy sprawdzić także odpowiedni wykaz kontrolny uzbrojenia publikowany w danym państwie członkowskim. Odsyłacz, który mówi „ZOB. TAKŻE WYKAZ UZBROJENIA”, odnosi się do tych wykazów.

2. Cel kontroli przewidzianej w niniejszym załączniku nie może być omijany przez eksportowanie jakichkolwiek towarów niepodlegających kontroli (łącznie z instalacjami) zawierających jeden lub więcej składników podlegających kontroli, gdy kontrolowany składnik lub składniki są zasadniczymi elementami tych towarów i możliwe jest ich wydzielenie lub zastosowanie do innych celów

N.B.   Przy rozstrzyganiu, czy kontrolowany składnik lub składniki mają być uważane za elementy zasadnicze, konieczne jest rozważenie czynników: ilości, wartości, zawartości technologicznego know-how i innych szczególnych okoliczności, które mogą zdecydować, że kontrolowany składnik lub składniki są zasadniczymi elementami dostarczanych towarów.

3. Towary wymienione w niniejszym załączniku obejmują zarówno towary nowe, jak i używane

4. W niektórych przypadkach podana jest nazwa i numer CAS chemikaliów. Wykaz ma zastosowanie do chemikaliów o tym samym wzorze strukturalnym (w tym do hydratów), niezależnie od nazwy i numeru CAS. Numery CAS są podane, by ułatwiać identyfikację danych chemikaliów lub mieszanin, bez względu na nomenklaturę. Numery CAS nie mogą być stosowane jako jedyne źródło informacji służące do identyfikacji chemikaliów, gdyż niektóre postacie wymienionych chemikaliów mają różne numery CAS, a mieszaniny zawierające chemikalia wymienione w wykazie mogą także mieć różne numery CAS.

UWAGA DO TECHNOLOGII JĄDROWEJ (UdTJ)

(Czytać łącznie z grupą E kategorii 0)

„Technologia” bezpośrednio związana z którymikolwiek towarami wymienionymi w kategorii 0 objęta jest kontrolą zgodnie z postanowieniami kategorii 0.

„Technologia” służąca „rozwojowi”, „produkcji” lub „użytkowaniu” towarów objętych kontrolą pozostaje pod taką samą kontrolą nawet wtedy, gdy może być stosowana do towarów nieobjętych taką kontrolą.

Zgoda na wywóz określonych towarów upoważnia również do wywozu do tego samego użytkownika minimalnej „technologii” wymaganej dla zainstalowania, eksploatacji, utrzymania i naprawy tych towarów.

Kontrole transferu „technologii” nie mają zastosowania do informacji „będących własnością publiczną” lub związanych z „podstawowymi badaniami naukowymi”.

UWAGA OGÓLNA DO TECHNOLOGII (UOdT)

(Czytać łącznie z grupą E kategorii od 1 do 9)

Wywóz „technologii”, która jest „niezbędna” do „rozwoju”, „produkcji” lub „użytkowania” towarów wymienionych w kategoriach od 1 do 9, podlega kontroli na warunkach podanych w każdej z tych kategorii.

„Technologia”, która jest „niezbędna” do „rozwoju”, „produkcji” lub „użytkowania” towarów objętych kontrolą pozostaje pod taką samą kontrolą nawet wtedy, gdy może być stosowana do towarów nieobjętych taką kontrolą.

Kontrolą nie obejmuje się minimalnej „technologii” wymaganej do zainstalowania, eksploatacji, utrzymania lub naprawy towarów niekontrolowanych lub takich, które uzyskały odrębnie zgodę na wywóz.

N.B.   Powyższe nie zwalnia od kontroli „technologii” wymienionych w pozycjach 1E002.e, 1E002.f, 8E002.a i 8E002.b.

Kontrola transferu „technologii” nie ma zastosowania do informacji „będących własnością publiczną”, związanych z „podstawowymi badaniami naukowymi” lub minimum informacji koniecznych przy składaniu wniosków patentowych.

UWAGA OGÓLNA DO OPROGRAMOWANIA (UOdO)

(Niniejsza uwaga jest nadrzędna w stosunku do kontroli określonych w grupie D kategorii od 0 do 9)

Kategorie 0 do 9 niniejszego wykazu nie obejmują kontrolą „oprogramowania”, będącego którymkolwiek z poniższych:

a. oprogramowanie jest ogólnie dostępne poprzez:

1. sprzedaż gotowego oprogramowania w punktach sprzedaży detalicznej bez żadnych ograniczeń w wyniku:

a. bezpośrednich transakcji sprzedaży;

b. transakcji realizowanych na zamówienie pocztowe;

c. transakcji zawieranych drogą elektroniczną; lub

d. transakcji zawieranych telefonicznie; oraz

2. przygotowanie do samodzielnej instalacji przez użytkownika bez konieczności dalszej znacznej pomocy ze strony sprzedawcy;

N.B.   Punkt a uwagi ogólnej do oprogramowania nie zwalnia od kontroli „oprogramowania” wymienionego w kategorii 5 – część 2 („Ochrona informacji”).

b. oprogramowanie jest uznawane za „będące własnością publiczną”; lub

c. jest minimalnym „kodem obiektu” wymaganym do zainstalowania, eksploatacji, utrzymania lub naprawy towarów, które uzyskały odrębnie zgodę na wywóz.

N.B.   Punkt c uwagi ogólnej do oprogramowania nie zwalnia od kontroli „oprogramowania” wymienionego w kategorii 5 – część 2 („Ochrona informacji”).

UWAGA OGÓLNA DO „OCHRONY INFORMACJI” (UOdOI)

Elementy lub funkcje „ochrony informacji” należy rozpatrywać w kontekście postanowień kategorii 5 - część 2, nawet jeżeli stanowią one składniki, „oprogramowanie” lub funkcje innych obiektów.

PRAKTYKA REDAKCYJNA W DZIENNIKU URZĘDOWYM UNII EUROPEJSKIEJ

Zgodnie z zasadami określonymi w pkt 6.5 na str. 108 Międzyinstytucjonalnego przewodnika redakcyjnego (wydanie z 2015 r.) w tekstach w języku angielskim publikowanych w Dzienniku Urzędowym Unii Europejskiej:

 do oddzielenia liczby całkowitej od wartości dziesiętnych używa się przecinka,

 liczby całkowite przedstawione są w seriach po trzy cyfry, przy czym serie oddzielone są spacją. W tekście zamieszczonym w niniejszym załączniku stosowane są wyżej wymienione zasady.

AKRONIMY I SKRÓTY UŻYWANE W NINIEJSZYM ZAŁĄCZNIKU

Akronimy lub skróty użyte jako zdefiniowany termin znajdują się w „Definicjach terminów używanych w niniejszym załączniku”.



Akronim lub skrót znaczenie

ABEC

Komitet Inżynierów Łożysk Pierścieniowych

ADC

przetwornik analogowo-cyfrowy

AGMA

Amerykańskie Stowarzyszenie Producentów Przekładni

AHRS

układy informujące o położeniu i kursie

AISI

Amerykański Instytut Żelaza i Stali

ALE

epitaksja warstw atomowych

ALU

jednostka arytmetyczno-logiczna

ANSI

Amerykański Narodowy Instytut Normalizacji

APP

skorygowana wydajność szczytowa

APU

pomocnicze źródło zasilania

ASTM

Amerykańskie Towarzystwo Materiałoznawcze

ATC

kontrola ruchu lotniczego

BJT

bipolarne tranzystory mocy

BPP

iloczyn parametrów wiązki

BSC

sterownik stacji bazowych

CAD

projektowanie wspomagane komputerowo

CAS

Serwis Dokumentacji Chemicznej

CCD

matryca CCD

CDU

jednostka sterowania i wyświetlania

CEP

krąg równego prawdopodobieństwa

CMM

urządzenie do pomiaru współrzędnych

CMOS

uzupełniająca struktura metal-tlenek-półprzewodnik

CNTD

rozkład termiczny z regulowanym zarodkowaniem

CPLD

złożone programowalne urządzenie logiczne

CPU

jednostka centralna (procesor)

CVD

osadzanie chemiczne z pary

CW

wojna chemiczna

CW

fala ciągła (w laserach)

DAC

przetwornik cyfrowo-analogowy

DANL

średni wyświetlany poziom szumu

DBRN

nawigacja oparta na informacjach z bazy danych

DDS

bezpośredni syntezer cyfrowy

DMA

dynamiczna analiza mechaniczna

DME

radiodalmierz

DMOSFET

dyfuzyjny tranzystor polowy o strukturze metal-tlenek-półprzewodnik

DS

ukierunkowane krzepnięcie

EB

eksplodujący zapłonnik mostkowy

EB-PVD

fizyczne osadzanie pary z wiązką elektronów

EBW

eksplodujące zapłonniki połączeń mostkowych

ECM

elektromechaniczne techniki obróbki

EDM

elektroiskrowe obrabiarki

EEPROMS

elektronicznie wymazywalna programowana pamięć tylko do odczytu

EFI

eksplodujące zapłonniki foliowe

EIRP

efektywna moc wypromieniowana izotropowo

ERF

elektroreologiczna obróbka wykańczająca

ERP

skuteczna moc promieniowania

ETO

tyrystor wyłączalny emiterem

ETT

tyrystor wyzwalany elektrycznie

FADEC

całkowicie autonomiczny system cyfrowego sterowania silnikami

FFT

szybka transformata Fouriera

FPGA

macierz bramek programowalna przez użytkownika

FPIC

połączenie wewnętrzne programowalne przez użytkownika

FPLA

matryca logiczna programowalna przez użytkownika

FPO

operacja zmiennoprzecinkowa

FWHM

szerokość pliku w połowie jego wysokości

GSM

globalny system łączności ruchomej

GLONASS

globalny system nawigacji satelitarnej

GPS

globalny system lokalizacji

GNSS

globalny system nawigacji satelitarnej

GTO

tyrystor wyłączalny prądem bramki

HBT

tranzystory heterobipolarne

HEMT

tranzystory o wysokiej ruchliwości elektronów

ICAO

Międzynarodowa Organizacja Lotnictwa Cywilnego

IEC

Międzynarodowa Komisja Elektrotechniczna

IED

improwizowane urządzenie wybuchowe

IEEE

Instytut Inżynierów Elektryki i Elektroniki

IFOV

chwilowe pole widzenia

IGBT

tranzystor bipolarny z izolowaną bramką

IGCT

tyrystor o komutowanej bramce

IHO

Międzynarodowa Organizacja Hydrograficzna

ILS

system lądowania na przyrządy

IMU

inercyjna jednostka pomiarowa

INS

inercyjny system nawigacyjny

IP

protokół internetowy

IRS

inercyjny system odniesienia

IRU

inercyjna jednostka odniesienia

ISA

międzynarodowa atmosfera wzorcowa

ISAR

radar z odwróconą syntezą apertury

ISO

Międzynarodowa Organizacja Normalizacyjna

ITU

Międzynarodowy Związek Telekomunikacyjny

JT

Joule-Thomson

LIDAR

radar optyczny

LIDT

próg uszkodzeń wywołanych laserem

LOA

długość całkowita

LRU

liniowy element wymienny

MLS

mikrofalowe systemy lądowania

MMIC

monolityczny mikrofalowy układ scalony

MOCVD

osadzanie z par lotnych związków metaloorganicznych

MOSFET

tranzystor polowy o strukturze metal-tlenek-półprzewodnik

MPM

mikrofalowy moduł mocy

MRAM

statyczna pamięć o dostępie swobodnym

MRF

magnetoreologiczna obróbka wykańczająca

MRF

rozmiar minimalnej rozdzielczości wymiarowej

MRI

tworzenie obrazów za pomocą rezonansu magnetycznego

MTBF

średni czas międzyawaryjny

MTTF

średni czas do awarii

NA

apertura liczbowa

NDT

badanie nieniszczące

NEQ

zawartość materiałów wybuchowych netto

OAM

eksploatacja, administrowanie lub utrzymywanie

OSI

połączenie systemów otwartych

PAI

poliamidoimidy

PAR

urządzenia radiolokacyjne dokładnego podejścia do lądowania

PCL

pasywna koherentna lokacja

PIN

osobisty numer identyfikacyjny

PMR

prywatne systemy radiowej łączności ruchomej

PVD

naparowywanie próżniowe

ppm

części na milion

QAM

modulacja kwadraturowa

RAP

plazmy atomów reaktywnych

RF

częstotliwość radiowa

RNC

sterownik sieci radiowej

S-FIL

narzędzia do litografii „step-and-flash”

SAR

radar z syntezą apertury

SAS

sonar z syntezą apertury

SC

monokryształ

SCR

prostownik tyrystorowy

SFDR

zakres dynamiki wolny od zafałszowań

SHPL

laser o superwysokiej mocy

SLAR

radar pokładowy obserwacji bocznej

SOI

krzem na izolatorze

SPLD

proste programowalne urządzenie logiczne

SQUID

nadprzewodzące urządzenie do interferencji kwantowej

SRA

warsztatowy zespół wymienny

SRAM

statyczna pamięć o dostępie swobodnym

SSB

pojedyncza wstęga boczna

SSR

radar wtórnego nadzorowania

SSS

boczny sonar skanujący

TIR

całkowity wskazany odczyt

TVR

odpowiedź na pobudzenie napięciowe

UPR

jednokierunkowa powtarzalność pozycjonowania

UV

nadfiolet

UTS

wytrzymałość na rozciąganie

VJFET

pionowy tranzystor polowy złączowy

VOR

radiolatarnia kierunkowa wysokiej częstotliwości

WLAN

lokalna sieć bezprzewodowa

DEFINICJE TERMINÓW UŻYWANYCH W NINIEJSZYM ZAŁĄCZNIKU

Definicje terminów w ‘cudzysłowie pojedynczym’ podano w uwadze technicznej do odpowiedniej pozycji.

Definicje terminów w „cudzysłowie podwójnym” są następujące:

N.B.   Odnośniki do kategorii podano w nawiasach po zdefiniowanym terminie.

„Dokładność” (2, 3, 6, 7, 8), zazwyczaj określana w kategoriach niedokładności, oznacza maksymalne odchylenie, dodatnie lub ujemne, danej wartości od uznanej wartości standardowej lub prawdziwej.

„Układy aktywnego sterowania lotem” (7) oznaczają układy zapobiegające niepożądanym ruchom lub obciążeniom konstrukcyjnym „statku powietrznego” lub pocisku rakietowego przez autonomiczne przetwarzanie sygnałów z wielu czujników i wydawanie niezbędnych poleceń do realizacji sterowania automatycznego.

„Piksel aktywny” (6) oznacza najmniejszy (pojedynczy) element sieci elementów półprzewodnikowych mający możliwość realizacji funkcji fotoelektrycznych w odpowiedzi na promieniowanie świetlne (elektromagnetyczne).

„Skorygowana wydajność szczytowa” (4) oznacza skorygowaną największą prędkość, z jaką „komputery cyfrowe” wykonują zmiennoprzecinkowe operacje dodawania i mnożenia na liczbach 64-bitowych lub dłuższych; wyraża się w teraflopsach ważonych (WT), jednostkach wynoszących 1012 skorygowanych operacji zmiennoprzecinkowych na sekundę.

N.B.   Zob. kategoria 4, uwaga techniczna.

„Statek powietrzny” (1, 6, 7, 9) oznacza stałopłat, statek z obrotowymi skrzydłami, wiropłat (helikopter), statek ze zmiennym wirnikiem lub zmiennopłat.

N.B.   Zob. również „cywilne statki powietrzne”.

„Pojazd powietrzny” (9) oznacza napędzany mechanicznie pojazd utrzymujący się w powietrzu dzięki korpusowi wypełnionemu gazem (zwykle helem, wcześniej wodorem), który jest lżejszy od powietrza.

„Wszystkie dostępne kompensacje” (2) - oznacza to, że uwzględniono wszystkie wykonalne środki, jakie może zastosować producent w celu zminimalizowania wszystkich systematycznych błędów pozycjonowania określonego modelu obrabiarki lub błędów pomiarowych określonego urządzenia do pomiaru współrzędnych.

„Przydzielone przez ITU” (3, 5) oznacza przydział pasm częstotliwości zgodnie z Przepisami Radiowymi ITU (International Telecommunication Union – Międzynarodowej Unii Telekomunikacyjnej) dla służb podstawowych, dopuszczonych i pomocniczych.

N.B.   Nie obejmuje to przydziałów dodatkowych i alternatywnych.

„Odchylenie położenia kątowego” (2) oznacza maksymalną różnicę pomiędzy położeniem kątowym a rzeczywistym, bardzo dokładnie zmierzonym położeniem kątowym po obróceniu stołu montażowego w stosunku do jego położenia początkowego.

„Kąt błądzenia losowego” (7) oznacza narastanie błędu kątowego w czasie, spowodowane białym szumem w prędkości kątowej. (IEEE STD 528-2001)

„APP” (4) – zob. „Skorygowana wydajność szczytowa”.

„Algorytm asymetryczny” (5) oznacza algorytm kryptograficzny, w którym stosuje się różne, powiązane matematycznie, klucze do szyfrowania i deszyfrowania.

N.B.   Powszechnym zastosowaniem „algorytmu asymetrycznego” jest zarządzanie kluczami.

„Uwierzytelnienie” (5) oznacza sprawdzenie tożsamości użytkownika, procesu lub urządzenia, często jako warunek konieczny dla umożliwienia dostępu do zasobów w systemie informatycznym. Obejmuje to weryfikację źródła lub treści wiadomości lub innych informacji oraz wszystkie aspekty kontroli dostępu, gdzie nie występuje szyfrowanie plików lub fragmentów tekstów, z wyjątkiem tych bezpośrednio związanych z ochroną haseł, osobistych numerów identyfikacyjnych (PIN) lub podobnych danych stosowanych do ochrony przed nieuprawnionym dostępem.

„Automatyczne śledzenie celu” (6) oznacza technikę przetwarzania umożliwiającą automatyczne określanie i podawanie na wyjściu w czasie rzeczywistym ekstrapolowanej wartości najbardziej prawdopodobnego położenia celu.

„Przeciętna moc wyjściowa” (6) oznacza całkowitą energię wyjściową „lasera” wyrażoną w dżulach podzieloną przez czas emitowania pojedynczego impulsu lub serii kolejnych impulsów wyrażony w sekundach. Dla serii jednolicie rozmieszczonych impulsów jest ona równa całkowitej energii wyjściowej „lasera” w jednym impulsie wyrażonej w dżulach pomnożonej przez częstotliwość impulsów „lasera” wyrażonej w hercach.

„Opóźnienie sygnału bramki podstawowej” (3) oznacza wartość opóźnienia sygnału odpowiadającą bramce podstawowej, używanej w ‘rodzinie’„monolitycznych układów scalonych”. Można ją wyznaczyć dla danej ‘rodziny’„monolitycznych układów scalonych” jako opóźnienie sygnału na bramkę typową w ramach danej ‘rodziny’ lub jako typowe opóźnienie na bramkę w ramach danej ‘rodziny’.

N.B.1.   Nie należy mylić „opóźnienia sygnału bramki podstawowej” z opóźnieniem wyjścia/wejścia złożonego „monolitycznego układu scalonego”.

N.B.2.   Do ‘rodziny’ zalicza się wszystkie układy scalone, których metody produkcji i specyfikacje techniczne, z wyjątkiem ich odpowiednich funkcji, spełniają wszystkie następujące kryteria:

a.   wspólna architektura sprzętowa i oprogramowania;

b.   wspólna technologia projektowania i przetwarzania; oraz

c.   wspólne charakterystyki podstawowe.

„Podstawowe badania naukowe” (UOdT, UdTJ) oznaczają prace doświadczalne lub teoretyczne prowadzone głównie w celu uzyskania nowej wiedzy o podstawach danego zjawiska lub obserwowalnych jego efektach, nienakierowane bezpośrednio na konkretne cele lub zadania praktyczne.

„Wychylenie wstępne akcelerometru” (7) oznacza średnią wartość wskazywaną przez akcelerometr przez określony czas, mierzoną w określonych warunkach eksploatacyjnych i niewykazującą współzależności z przyspieszeniem wejściowym ani z wejściową prędkością obrotową. „Wychylenie wstępne akcelerometru” wyrażone jest w gramach lub w metrach na sekundę do kwadratu (g lub m/s2) (norma IEEE 528-2001) (mikrogram równy jest 1 × 10–6 g).

„Wychylenie wstępne żyroskopu” (7) oznacza średnią wartość wskazywaną przez żyroskop przez określony czas, mierzoną w określonych warunkach eksploatacyjnych i niewykazującą współzależności z wejściową prędkością obrotową ani z przyspieszeniem wejściowym. „Wychylenie wstępne żyroskopu” wyrażone jest z reguły w stopniach na godzinę (o/h). (Norma IEEE Std 528-2001).

„Czynniki biologiczne” (1) oznaczają patogeny lub toksyny, wybrane lub zmodyfikowane (np. poprzez zmianę czystości, dopuszczalnego okresu magazynowania, agresywności, charakterystyki propagacji lub odporności na promieniowanie nadfioletowe), by wywołać straty w ludności lub zwierzętach, unieszkodliwić sprzęt lub spowodować straty w uprawach rolnych lub środowisku.

„Bicie osiowe” (2) oznacza przemieszczenie osiowe wrzeciona głównego podczas jednego obrotu, mierzone w płaszczyźnie prostopadłej do czoła wrzeciona, w punkcie sąsiadującym z obwodem czoła wrzeciona (zob. ISO 230 część 1-1986, pkt 5.63).

„Preformy włókien węglowych” (1) oznaczają uporządkowany układ powlekanych lub niepowlekanych włókien przeznaczony do tworzenia struktur składowych przed użyciem „matrycy” do tworzenia „materiału kompozytowego”.

„Laser chemiczny” (6) oznacza „laser”, w którym wzbudzanie czynnika następuje za pomocą energii pochodzącej z reakcji chemicznej.

„Mieszanina chemiczna” (1) oznacza produkt stały, płynny lub gazowy składający się z dwóch lub więcej składników, które nie reagują ze sobą w warunkach, w których mieszanina jest przechowywana.

„Krąg Równego Prawdopodobieństwa” („CEP”) (7) oznacza w kołowym rozkładzie normalnym promień okręgu zawierającego 50 % poszczególnych wyników pomiarów lub promień okręgu, w którym występuje 50 % prawdopodobieństwo, że obiekt zostanie zlokalizowany.

„Cyrkulacyjne układy równoważenia momentu lub cyrkulacyjne układy sterowania kierunkiem” (7) oznaczają układy, w których przepływ powietrza wokół powierzchni aerodynamicznych jest wykorzystywany do zwiększenia powstających na nich sił lub do kierowania nimi.

„Cywilne statki powietrzne” (1, 3, 4, 7) oznaczają „statki powietrzne” wymienione i określone przez organy lotnictwa cywilnego co najmniej jednego państwa członkowskiego UE lub państwa uczestniczącego w porozumieniu z Wassenaar w podawanych do wiadomości publicznej wykazach świadectw zdatności do lotu jako zdatne do użytkowania do komercyjnych celów cywilnych na liniach wewnętrznych i zewnętrznych lub do legalnych celów cywilnych, prywatnych lub związanych z prowadzeniem działalności gospodarczej.

N.B.   Zob. również „statek powietrzny”.

„Mieszanie” (1) oznacza mieszanie włókien materiałów termoplastycznych z włóknami materiałów wzmacniających w celu wytworzenia mieszanki włókien wzmacniających z „matrycą”, mającej w całości formę włóknistą.

„Rozdrabnianie” (1) oznacza proces wprowadzania materiału w postać drobnocząstkową przez zgniatanie lub mielenie.

„Sterownik toru telekomunikacyjnego” (4) oznacza interfejs fizyczny sterujący przepływem cyfrowych informacji synchronicznych lub asynchronicznych. Jest to zespół, który może być wbudowany w komputer lub urządzenie telekomunikacyjne z zadaniem zapewniania dostępu do łączy telekomunikacyjnych.

„Systemy kompensacji” (6) składają się z głównego czujnika skalarnego, co najmniej jednego czujnika odniesienia (np. magnetometru wektorowego) wraz z oprogramowaniem zezwalającym na zmniejszenie szumu ruchu obrotowego korpusu sztywnego platformy.

„Materiał kompozytowy” (1, 2, 6, 8, 9) oznacza „matrycę” oraz dodatkową fazę lub dodatkowe fazy, składające się z cząstek, włókienek, włókien lub dowolnej ich kombinacji, dodawanych w określonym celu lub celach.

„Stół obrotowo-przechylny” (2) oznacza stół umożliwiający obracanie i przechylanie obrabianego przedmiotu względem dwóch osi nierównoległych, które mogą być równocześnie koordynowane, co umożliwia „sterowanie kształtowe”.

„Związki III/V” (3, 6) oznaczają substancje polikrystaliczne, binarne lub złożone substancje monokrystaliczne składające się z pierwiastków grupy IIIA i VA układu okresowego pierwiastków (np. arsenek galu, arsenek galu i glinu, fosforek indu).

„Sterowanie kształtowe” (2) oznacza co najmniej dwa ruchy „sterowane numerycznie”, realizowane zgodnie z instrukcjami określającymi następne położenie oraz potrzebne do osiągnięcia tego położenia prędkości posuwów. Prędkości posuwów nie są jednakowe, wskutek czego powstaje wymagany kształt (zob. ISO/DIS 2806 - 1980).

„Temperatura krytyczna” (1, 3, 5) (nazywana czasami „temperaturą przemiany”) danego materiału „nadprzewodzącego” jest temperaturą, w której materiał całkowicie traci oporność dla przepływu elektrycznego prądu stałego.

„Aktywacja kryptograficzna” (5) oznacza dowolną technikę, która aktywuje lub umożliwia funkcje kryptograficzne danego artykułu za pomocą bezpiecznego mechanizmu zastosowanego przez producenta tego artykułu, jeżeli mechanizm ten jest w sposób niepowtarzalny związany z dowolnym z poniższych:

1. pojedynczą sztuką danego artykułu; lub

2. jednym klientem w przypadku wielu sztuk artykułu.

Uwagi techniczne

1.   Techniki i mechanizmy „aktywacji kryptograficznej” mogą być realizowane w postaci sprzętu, „oprogramowania” lub „technologii”.

2.   Mechanizmem „aktywacji kryptograficznej” mogą być, na przykład, klucz licencyjny powiązany z numerem seryjnym lub instrumenty uwierzytelniające, jak np. certyfikat z podpisem cyfrowym.

„Kryptografia” (5) to dziedzina wiedzy zajmująca się zasadami, narzędziami i metodami przekształcania danych w celu ukrycia zawartych w nich informacji, zapobiegania możliwości niepostrzeżonego ich modyfikowania lub uniemożliwienia dostępu do nich osobom niepowołanym. „Kryptografia” ogranicza się do przekształcania informacji za pomocą jednego lub większej liczby ‘tajnych parametrów’ (np. szyfrów) lub związanego z tym zarządzania kluczami.

Uwaga:   „Kryptografia” nie obejmuje ‘ustalonych’ technik kompresji ani kodowania danych.

Uwagi techniczne:

1.   ‘Tajny parametr’: wartość stała lub klucz trzymany w tajemnicy przed osobami postronnymi lub znany wyłącznie pewnej grupie osób.

2.   ‘Ustalony’ oznacza algorytm kodowania lub kompresji, który nie może akceptować parametrów dostarczonych z zewnątrz (np. zmiennych do szyfrowania lub kluczy) i nie może być modyfikowany przez użytkownika.

„Laser o fali ciągłej” (6) oznacza „laser” dający nominalnie stałą energię wyjściową w czasie dłuższym niż 0,25 s.

„Nawigacja na bazie danych z wielu źródeł” („DBRN”) (7) oznacza systemy oparte na danych z wielu źródeł uprzednio zmierzonych danych geograficznych zintegrowanych w celu uzyskania dokładnych informacji nawigacyjnych w warunkach dynamicznych. Do źródeł danych należą mapy batymetryczne, mapy nieba, mapy grawitacji, mapy magnetyczne lub trójwymiarowe cyfrowe mapy terenowe.

„Zwierciadła odkształcalne” (6) (określane również jako zwierciadła piezoelektryczne). Są to zwierciadła mające:

a. jedną ciągłą odbijającą powierzchnię optyczną, którą można dynamicznie odkształcać za pomocą pojedynczych momentów lub sił, kompensując w ten sposób zniekształcenia fal optycznych padających na zwierciadło; lub

b. wiele odbijających elementów optycznych, które można oddzielnie i dynamicznie przemieszczać w inne położenie za pomocą działających na nie momentów lub sił, kompensując w ten sposób zniekształcenia fal optycznych padających na zwierciadło.

„Uran zubożony” (0) oznacza uran, w którym zawartość izotopu 235 obniżono do ilości mniejszej niż w warunkach naturalnych.

„Rozwój” (wszystkie UOdT, UdTJ) odnosi się do wszystkich etapów poprzedzających produkcję seryjną, takich jak: projektowanie, badania projektowe, analiza projektowa, koncepcja projektowania, montaż i testowanie prototypów, plany produkcji pilotowej, dane projektowe, proces przetwarzania danych projektowych w produkt, projektowanie konfiguracji, projektowanie montażu całościowego, rozplanowanie.

„Zgrzewanie dyfuzyjne” (1, 2, 9) oznacza łączenie molekularne w stanie stałym co najmniej dwóch oddzielnych elementów metali w jeden element, przy czym wytrzymałość miejsca połączenia jest równa wytrzymałości najsłabszego z materiałów, a podstawowym mechanizmem jest interdyfuzja atomów na styku obu elementów.

„Komputer cyfrowy” (4, 5) oznacza urządzenie zdolne do wykonywania, w postaci jednej lub kilku zmiennych dyskretnych, wszystkich poniższych funkcji:

a. przyjmowanie danych;

b. zapamiętywanie danych lub instrukcji na trwałych lub nietrwałych (zapis usuwalny) urządzeniach pamięciowych;

c. przetwarzanie danych za pomocą zapamiętanej sekwencji instrukcji, którą można modyfikować; oraz

d. generowanie danych wyjściowych.

N.B.   Modyfikacje zapamiętanej sekwencji instrukcji dotyczą wymiany trwałych urządzeń pamięciowych, ale nie fizycznych zmian przewodów lub połączeń.

„Szybkość transmisji danych cyfrowych” (def) oznacza całkowitą szybkość informacji w bitach, przesyłanych bezpośrednio na dowolnym typie nośnika.

N.B.   Zob. także „całkowita szybkość transmisji danych cyfrowych”.

„Bezpośrednie wytłaczanie hydrauliczne” (2) oznacza technikę odkształcania, w której stosowana jest napełniona płynem odkształcalna poduszka, działająca bezpośrednio na powierzchnię obrabianego przedmiotu.

„Współczynnik dryftu (żyroskopu)” (7) oznacza składową wyjściową rotacji żyroskopu funkcjonalnie niezależną od rotacji wejściowej. Jest wyrażany jako prędkość kątowa. (Norma IEEE STD 528-2001).

„Gram efektywny” (0, 1) „specjalnego materiału rozszczepialnego” oznacza:

a. dla izotopów plutonu i uranu-233 – masę izotopu w gramach;

b. dla uranu wzbogaconego do poziomu 1 % lub więcej izotopu uranu-235 – masę pierwiastka w gramach pomnożoną przez kwadrat jego wzbogacenia wyrażonego w postaci ułamka dziesiętnego udziału wagowego;

c. dla uranu wzbogaconego w izotop uranu-235 do poziomu poniżej 1 procenta – masę pierwiastka w gramach pomnożoną przez 0,0001.

„Zespół elektroniczny” (2, 3, 4) oznacza pewną liczbę elementów elektronicznych (tj. ‘elementów obwodu’, ‘elementów dyskretnych’, układów scalonych itp.) połączonych ze sobą w celu realizacji określonej(- ych) funkcji, wymienialną w całości, która zazwyczaj może być demontowana.

N.B.1.   ‘Element obwodu’: pojedyncza czynna lub bierna funkcjonalna część układu elektronicznego, np. jedna dioda, jeden tranzystor, jeden rezystor, jeden kondensator itp.

N.B.2.   ‘Element dyskretny’: oddzielnie obudowany ‘element obwodu’ z własnymi końcówkami wyjściowymi.

„Sterowany elektronicznie układ antenowy fazowany” (5, 6) oznacza antenę kształtującą wiązkę za pomocą sprzężenia fazowego, tj. kierunek wiązki jest utrzymywany za pomocą elementów promieniujących o złożonych współczynnikach wzbudzenia, przy czym kierunek takiej wiązki (azymut lub podniesienie kątowe) można zmieniać za pomocą sygnału elektrycznego, zarówno dla nadawania, jak i odbioru.

„Materiały energetyczne” (1) oznaczają substancje lub mieszanki wchodzące w reakcje chemiczne, by uwolnić energię potrzebną do ich zamierzonego zastosowania. Podklasami materiałów energetycznych są „materiały wybuchowe”, „materiały pirotechniczne” i „paliwa”.

„Manipulatory” (2) obejmują uchwyty, ‘aktywne jednostki oprzyrządowania’ lub wszelkie inne oprzyrządowanie zamontowane na podstawowej (bazowej) płycie na końcu ramienia manipulacyjnego „robota”.

N.B.   ‘Aktywne jednostki oprzyrządowania’: urządzenia do przyłożenia mocy napędowej, energii procesowej lub czujnika do przedmiotu obrabianego.

„Gęstość zastępcza” (6) oznacza masę elementu optycznego na jednostkę pola powierzchni optycznej rzutowanej na powierzchnię optyczną.

„Materiały wybuchowe” (1) oznaczają stałe, ciekłe lub gazowe substancje lub mieszaniny substancji, które mają za zadanie detonować w charakterze ładunku inicjującego, detonatora pośredniego lub ładunku głównego w głowicach bojowych, w robotach rozbiórkowych lub w innych zastosowaniach.

„Systemy FADEC” (9) oznaczają całkowicie autonomiczne systemy cyfrowego sterowania silnikami, czyli cyfrowe elektroniczne systemy sterowania silnikami turbospalinowymi, które są w stanie autonomicznie sterować tymi silnikami w całym zakresie ich pracy, od uruchamiania do wyłączania ich na żądanie, zarówno w warunkach ich normalnej, jak i nieprawidłowej pracy.

„Materiały włókniste lub włókienkowe” (0, 1, 8, 9) obejmują następujące pojęcia:

a. „włókna elementarne” o strukturze ciągłej;

b. „przędza” i „rowing” o strukturze ciągłej;

c. „taśmy”, tkaniny, maty i oploty o strukturze bezładnej;

d. włókna cięte na drobne kawałki, włókna pocięte na dłuższe odcinki oraz spójne maty z włókien;

e. wiskery, monokrystaliczne lub polikrystaliczne, o dowolnej długości;

f. pulpa z poliamidu aromatycznego.

„Układ scalony warstwowy” (3) oznacza układ ‘elementów obwodu’ i metalowych łączników, wytworzony techniką osadzania grubej lub cienkiej warstwy na „podłożu” o właściwościach izolujących.

N.B.   ‘Element obwodu’: pojedyncza czynna lub bierna funkcjonalna część układu elektronicznego, np. jedna dioda, jeden tranzystor, jeden rezystor, jeden kondensator itp.

„Układ czujników optycznych sterowania lotem” (7) oznacza układ rozproszonych czujników optycznych, wykorzystujący promień „lasera” do dostarczania w czasie rzeczywistym danych dotyczących sterowania lotem w celu ich przetwarzania na pokładzie.

„Optymalizacja toru lotu” (7) oznacza procedurę minimalizującą odchylenia od czterowymiarowej (przestrzeń i czas) planowanej trajektorii lotu opartą na zasadzie maksymalizacji osiągów lub efektywności realizacji zadania.

„System Fly-by-light” (7) oznacza główny cyfrowy system kontroli lotu wykorzystujący informacje zwrotne do sterowania „statkiem powietrznym” w czasie lotu, w którym komendy do siłowników przekazywane są w formie sygnałów optycznych.

„System Fly-by-wire” (7) oznacza główny cyfrowy system kontroli lotu wykorzystujący informacje zwrotne do sterowania „statkiem powietrznym” w czasie lotu, w którym komendy do siłowników przekazywane są w formie sygnałów elektrycznych.

„Matryca detektorowa płaszczyzny ogniskowej” (6, 8) oznacza płaską warstwę o strukturze liniowej lub dwuwymiarowej lub połączenie takich płaskich warstw, złożonych z oddzielnych elementów detekcyjnych, z elektronicznym urządzeniem odczytującym lub bez, pracująca w płaszczyźnie ogniskowej.

N.B.   Definicja ta nie obejmuje stosu pojedynczych elementów detekcyjnych ani detektorów dwu-, trzy- lub czteroelementowych, pod warunkiem że w elemencie nie są realizowane opóźnienie ani integracja.

„Ułamkowa szerokość pasma” (3, 5) oznacza „szerokość chwilową pasma” podzieloną przez częstotliwość środkową, wyrażoną w procentach.

„Rozrzucanie częstotliwości” (frequency hopping) (5, 6) oznacza formę „rozproszenia widma” polegającą na krokowo-dyskretnej zmianie częstotliwości nośnej pojedynczego kanału telekomunikacyjnego, w sposób losowy lub pseudolosowy.

„Metoda wyzwalania maską częstotliwości” (3), w „analizatorach sygnału”, oznacza mechanizm, w którym funkcja wyzwalania jest zdolna do wybrania zakresu częstotliwości, który ma być wyzwalany, jako podzbioru odbieranej szerokości pasma, ignorując inne sygnały, które również mogą być obecne w tej samej odbieranej szerokości pasma. „Metoda wyzwalania maską częstotliwości” może obejmować więcej niż jeden niezależny zbiór wartości granicznych.

„Czas przełączania częstotliwości” (3) oznacza czas (tj. opóźnienie), jakiego potrzebuje sygnał przy przełączaniu się z początkowej zgodnej ze specyfikacjami częstotliwości wyjściowej, by osiągnąć dowolną z poniższych wartości:

a. ±100 Hz zgodnej ze specyfikacjami końcowej częstotliwości wyjściowej wynoszącej mniej niż 1 GHz; lub

b. ±0,1 części na milion zgodnej ze specyfikacjami końcowej częstotliwości wyjściowej równej lub większej niż 1 GHz.

„Syntetyzator częstotliwości” (3) oznacza dowolny rodzaj źródła częstotliwości, bez względu na stosowaną technikę, zapewniający uzyskanie wielu równoczesnych lub naprzemiennych częstotliwości wyjściowych z jednego lub kilku wyjść, uzyskanych z mniejszej liczby częstotliwości wzorcowych (lub głównych) lub sterowanych lub regulowanych za ich pomocą.

„Ogniwo paliwowe” (8) oznacza urządzenie elektrochemiczne, które zużywając paliwo ze źródła zewnętrznego, przetwarza energię chemiczną bezpośrednio w prąd stały.

„Topliwy” (1) oznacza taki, który może być dalej sieciowany lub polimeryzowany (utwardzany) przy użyciu ciepła, promieniowania, katalizatora itd. lub stopiony bez pirolizy (zwęglania).

„Atomizacja gazowa” (1) oznacza proces rozpylania strumienia stopionego metalu na kropelki o średnicy 500 μm lub mniejszej za pomocą strumienia gazu o wysokim ciśnieniu.

„Rozrzucone geograficznie” (6) odnosi się do przypadku, kiedy każdy element znajduje się w odległości większej niż 1 500 m od innego w dowolnym kierunku. Czujniki ruchome są zawsze traktowane jako „rozrzucone geograficznie”.

„Instalacje do naprowadzania” (7) oznaczają systemy scalające proces pomiaru i obliczania położenia pojazdu i jego prędkości (tj. nawigację) z obliczeniami i wysyłaniem poleceń do systemów sterowania lotem pojazdu w celu skorygowania jego toru lotu.

„Izostatyczne zagęszczanie na gorąco” (2) oznacza technikę ciśnieniowania odlewu w temperaturach powyżej 375 K (102 °C) w zamkniętej formie za pomocą różnych czynników (gaz, ciecz, cząstki stałe itp.), której celem jest wytworzenie jednakowej siły we wszystkich kierunkach w celu zmniejszenia lub wyeliminowania jam wewnętrznych w odlewie.

„Hybrydowy układ scalony” (3) oznacza dowolne połączenie układu(- ów) scalonego(- ych) lub układu scalonego z ‘elementami układu’ lub ‘składnikami dyskretnymi’ połączonymi ze sobą w celu realizacji określonej(- ych) funkcji, mające wszystkie wymienione poniżej cechy:

a. posiada co najmniej jedno urządzenie nieobudowane;

b. zastosowano w nim typowe metody łączenia stosowane podczas produkcji układów scalonych;

c. można je wymieniać tylko w całości; oraz

d. w normalnych warunkach nie można go rozmontować.

N.B.1.   ‘Element obwodu’: pojedyncza czynna lub bierna funkcjonalna część układu elektronicznego, np. jedna dioda, jeden tranzystor, jeden rezystor, jeden kondensator itp.

N.B. 2.   ‘Element dyskretny’: oddzielnie obudowany ‘element obwodu’ z własnymi końcówkami wyjściowymi.

„Wzmacnianie obrazu” (4) oznacza przetwarzanie obrazów zawierających informacje, uzyskanych ze źródeł zewnętrznych, za pomocą algorytmów, takich jak kompresja czasu, filtrowanie, ekstrahowanie, selekcja, korelacja, splatanie lub przemieszczanie pomiędzy domenami (np. za pomocą szybkiej transformacji Fouriera lub transformacji Walsha). Nie obejmuje kontrolą algorytmów, w których stosowane są wyłącznie przekształcenia liniowe lub obrotowe pojedynczego obrazu, takie jak przesunięcie, ekstrahowanie jakiejś cechy, rejestracja lub fałszywe barwienie.

„Immunotoksyna” (1) oznacza koniugat jednokomórkowego przeciwciała monoklonalnego i „toksyny” lub „podjednostki toksyny”, który wpływa selektywnie na komórki chorobowo zmienione.

„Będące własnością publiczną” (UOdT UdTJ UOdO), w odniesieniu do niniejszego dokumentu, oznacza „technologię” lub „oprogramowanie” dostępne bez żadnych ograniczeń co do ich dalszego rozpowszechniania (ograniczenia wynikające z praw autorskich nie wykluczają uznania „technologii” lub „oprogramowania” za „będące własnością publiczną”).

„Ochrona informacji” (UOdO UOdOI 5) oznacza wszystkie środki i funkcje zapewniające dostęp, poufność lub nienaruszalność informacji lub komunikacji, z wyłączeniem środków i funkcji mających zabezpieczać przed wadliwym działaniem. Obejmuje „kryptografię”, „aktywację kryptograficzną”, ‘kryptoanalizę’, ochronę przed przypadkowym przekazywaniem sygnałów odnoszących się do tajnych informacji oraz zabezpieczanie komputerów.

Uwaga techniczna:

‘Kryptoanaliza’: analiza systemów kryptograficznych lub ich wejść i wyjść w celu uzyskania tajnych informacji lub danych, włączając w to tajne teksty.

„Chwilowa szerokość pasma” (3, 5, 7) oznacza szerokość pasma, w którym moc wyjściowa pozostaje na stałym poziomie z dokładnością do 3 dB bez regulacji innych parametrów roboczych.

„Zasięg przyrządowy” (6) oznacza jednoznacznie określony zasięg radaru.

„Izolacja” (9) jest pojęciem stosowanym do podzespołów silnika rakietowego, tj. osłony, dyszy, wlotów, zamknięć osłon, obejmującym utrwalone lub półutrwalone maty kauczukowe zawierające materiał ogniotrwały lub izolacyjny. Można je również stosować na klatki lub klapy odprężające.

„Wykładzina wewnętrzna” (9) oznacza warstwę pośrednią pomiędzy paliwem stałym a obudową lub warstwą izolacyjną. Zazwyczaj jest to płynna polimerowa zawiesina materiału ogniotrwałego lub izolacyjnego, np. polibutadien z łańcuchami zakończonymi grupami hydroksylowymi (HTPB) wypełniony węglem lub inny polimer z dodatkiem środków utrwalających, rozpylonych lub rozsmarowanych na wewnętrznej powierzchni osłony.

„Miernik gradientu magnetycznego właściwego” (6) oznacza pojedynczy element do pomiaru gradientu pola magnetycznego oraz związane z nim urządzenia elektroniczne, służący do pomiaru gradientu pola magnetycznego.

N.B.   Zob. również „Miernik gradientu magnetycznego”.

„Złośliwe oprogramowanie” (4) oznacza „oprogramowanie” specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane w celu uniknięcia wykrycia przez ‘narzędzia monitorujące’ lub złamania ‘środków zabezpieczających’ komputera lub urządzenia zdolnego do pracy w sieci, wykonujące następujące działania:

a. pobieranie danych i informacji z komputera lub urządzenia zdolnego do pracy w sieci lub modyfikacja systemu lub danych użytkownika; lub

b. modyfikacja standardowych ścieżek wykonywania programu lub procesu w celu umożliwienia wykonania instrukcji pochodzących z zewnątrz.

Uwagi:

1.   „Złośliwe oprogramowanie” nie obejmuje żadnego z poniższych pojęć:

a.   hiperwizorów, programów do usuwania błędów oraz narzędzi inżynierii wstecznej oprogramowania (Software Reverse Engineering - SRE);

b.   „oprogramowania” dotyczącego zarządzania prawami cyfrowymi; lub

c.   „oprogramowania” przeznaczonego do zainstalowania przez producentów, administratorów lub użytkowników do celów śledzenia lub znajdowania towarów.

2.   Urządzenia zdolne do pracy w sieci obejmują urządzenia przenośne i inteligentne liczniki.

Uwagi techniczne:

1.   ‘Narzędzia monitorujące’: „oprogramowanie” lub sprzęt monitorujące zachowanie systemu lub procesów wykonywanych na urządzeniu. Obejmuje to programy antywirusowe, produkty zapewniające bezpieczeństwo punktów końcowych, produkty bezpieczeństwa osobistego (Personal Security Products - PSP), systemy wykrywania wtargnięcia (Intrusion Detection Systems - IDS), systemy ochrony przed wtargnięciem (Intrusion Detection Systems - IPS) oraz zapory sieciowe.

2.   ‘Środki zabezpieczające’: techniki opracowane w celu zapewnienia bezpiecznego wykonania kodu, takie jak Data Execution Prevention (DEP), Address Space Layout Randomisation (ASLR) lub sandboxing.

„Izolowane żywe kultury” (1) obejmują żywe kultury w postaci uśpionej i w postaci suchych preparatów.

„Prasy izostatyczne” (2) oznaczają urządzenia umożliwiające ciśnieniowanie zamkniętych komór za pomocą różnych czynników roboczych (gazu, cieczy, cząstek stałych itp.) w celu wytwarzania w komorze we wszystkich kierunkach równych ciśnień na obrabiany element lub materiał.

„Laser” (0, 1, 2, 3, 5, 6, 7, 8, 9) oznacza obiekt, który wytwarza wiązkę światła spójnego w przestrzeni i w czasie przez wzmocnienie za pomocą stymulowanej emisji promieniowania.

N.B.  

Zob. również

„Laser chemiczny”

„Laser o fali ciągłej”

„Laser impulsowy”

„Laser o super wysokiej mocy”

„Laser z przekazaniem energii”.

„Biblioteka” (1) (parametryczna techniczna baza danych) oznacza zbiór informacji technicznych, do których odniesienie może zwiększyć wydajność odpowiednich systemów, urządzeń i części składowych.

„Pojazdy lżejsze od powietrza” (9) oznaczają balony i „pojazdy powietrzne”, które są wypełniane gorącym powietrzem lub innymi gazami lżejszymi od powietrza, takimi jak hel lub wodór.

„Liniowość” (2) (zazwyczaj określana w kategoriach nieliniowości) stanowi maksymalne odchylenie parametru rzeczywistego (przeciętnej wartości górnego i dolnego odczytu na skali), w kierunku dodatnim lub ujemnym, od linii prostej poprowadzonej w taki sposób, żeby maksymalne odchylenia zostały wyrównane i zminimalizowane.

„Sieć lokalna” (4, 5) oznacza system przesyłania danych mający wszystkie następujące cechy:

a. umożliwiający bezpośrednie połączenie ze sobą dowolnej liczby niezależnych ‘urządzeń do przetwarzania danych’; oraz

b. ograniczony w sensie geograficznym do pewnego obszaru o umiarkowanym zasięgu (np. biurowiec, zakład, miasteczko studenckie, magazyn).

N.B.   ‘Urządzenie do przetwarzania danych’: urządzenie mające możliwość nadawania lub odbierania ciągów informacji cyfrowych.

„Mierniki gradientu magnetycznego” (6) oznaczają przyrządy do wykrywania zmian przestrzennych pól magnetycznych ze źródeł zewnętrznych w stosunku do przyrządu pomiarowego. Składają się z wielu „magnetometrów” i przynależnych układów elektronicznych, służących do pomiaru gradientu pola magnetycznego.

N.B.   Zob. również „Miernik gradientu magnetycznego właściwego”.

„Magnetometry” (6) oznaczają przyrządy do wykrywania pól magnetycznych źródeł zewnętrznych względem przyrządu pomiarowego. Składają się z pojedynczego czujnika pola magnetycznego i odpowiedniego układu elektronicznego, na którego wyjściu jest wartość mierzonego pola magnetycznego.

„Pamięć operacyjna” (4) oznacza podstawową pamięć na dane lub instrukcje szybko dostępną dla jednostki centralnej. Składa się z pamięci wewnętrznej „komputera cyfrowego” oraz jednej z dodatkowych pamięci o strukturze hierarchicznej, takich jak pamięć podręczna (cache) lub pamięć dodatkowa z dostępem niesekwencyjnym.

„Materiały odporne na korozyjne działanie UF6” (0) obejmują miedź, stopy miedzi, stal nierdzewną, glin, tlenek glinu, stopy glinu, nikiel lub stopy zawierające 60 % masy lub więcej niklu oraz fluorowane polimery węglowodorowe.

„Matryca” (1, 2, 8, 9) oznacza fazę o strukturze w zasadzie ciągłej wypełniającą przestrzeń pomiędzy cząstkami, wiskerami lub włóknami.

„Niepewność pomiarowa” (2) oznacza parametr charakterystyczny określający, na poziomie ufności 95 %, w jakiej odległości od wartości prawidłowej leży zmienna pomiarowa. W jego skład wchodzą niedające się skorygować odchylenia systematyczne, niedający się skorygować luz oraz odchylenia losowe (zob. ISO 10360-2).

„Stapianie mechaniczne” (1) oznacza technikę wykonywania stopów polegającą na mechanicznym łączeniu, kruszeniu i ponownym łączeniu sproszkowanych pierwiastków i głównego składnika stopowego. Przez dodawanie odpowiednich proszków można wprowadzać do stopu cząstki niemetaliczne.

„Formowanie ekstrakcyjne z fazy stopionej” (1) oznacza technikę ‘gwałtownego krzepnięcia’ i ekstrahowania wyrobu stopowego podobnego do wstęgi, polegającą na zanurzaniu krótkiego odcinka wirującego chłodzonego bloku w wannie stopionego stopu metalowego.

N.B.   ‘Gwałtowne krzepnięcie’: krzepnięcie roztopionego materiału podczas chłodzenia z szybkością powyżej 1 000 K/s.

„Formowanie rotacyjne z fazy stopionej” (1) oznacza technikę ‘gwałtownego krzepnięcia’ polegającą na uderzaniu strumienia stopionego metalu w wirujący chłodzony blok, wskutek czego powstaje wyrób w postaci płatków, wstęgi lub pręcików.

N.B.   ‘Gwałtowne krzepnięcie’: krzepnięcie roztopionego materiału podczas chłodzenia z szybkością powyżej 1 000 K/s.

„Układ mikrokomputerowy” (3) oznacza „monolityczny układ scalony” lub „wieloukład scalony”, w którego skład wchodzi jednostka arytmetyczno-logiczna (ALU) zdolna do realizacji instrukcji ogólnych, zawartych w pamięci wewnętrznej, na danych znajdujących się w pamięci wewnętrznej.

N.B.   Pamięć wewnętrzna może być wspomagana przez pamięć zewnętrzną.

„Układ mikroprocesorowy” (3) oznacza „monolityczny układ scalony” lub „wieloukład scalony”, w którego skład wchodzi jednostka arytmetyczno-logiczna (ALU) zdolna do realizacji szeregu instrukcji ogólnych zawartych w pamięci zewnętrznej.

N.B.1.   „Układ mikroprocesorowy” zazwyczaj nie jest wyposażony w integralną pamięć dostępną dla użytkownika, ale do realizacji jego funkcji logicznych może być wykorzystywana pamięć istniejąca w mikroukładzie.

N.B.2.   Definicja ta obejmuje zespoły układów przeznaczone do pracy razem, w celu realizacji funkcji „układu mikroprocesorowego”.

„Mikroorganizmy” (1, 2) oznaczają bakterie, wirusy, mikoplazmy, riketsje, chlamydie lub grzyby, naturalne, wzmocnione lub zmodyfikowane, w postaci „izolowanych żywych kultur” lub materiału zawierającego żywe organizmy, który rozmyślnie zaszczepiono lub zakażono takimi kulturami.

„Pociski rakietowe” (1, 3, 6, 7, 9) oznaczają kompletne systemy rakietowe i systemy bezzałogowych statków powietrznych, zdolne do przenoszenia ładunku użytecznego o masie co najmniej 500 kg na odległość co najmniej 300 km.

„Włókno elementarne” (lub – włókno) (1) oznacza najmniejszy inkrement włókna, zazwyczaj mający średnicę kilku mikrometrów.

„Monolityczny układ scalony” (3) oznacza połączenie ‘elementów obwodu’ czynnych lub biernych lub obu rodzajów, o następujących cechach charakterystycznych:

a. jest uformowane techniką dyfuzyjną, technikami implantacyjnymi lub technikami osadzania w pojedynczym półprzewodzącym kawałku materiału, tzw. chipie, lub na nim;

b. można je traktować jak element niepodzielny; oraz

c. realizuje funkcję(- e) obwodu.

N.B.   ‘Element obwodu’: pojedyncza czynna lub bierna funkcjonalna część układu elektronicznego, np. jedna dioda, jeden tranzystor, jeden rezystor, jeden kondensator itp.

„Monolityczny mikrofalowy układ scalony” („MMIC”) (3, 5) oznacza „monolityczny układ scalony” działający w częstotliwościach mikrofal i fal milimetrowych.

„Monospektralne czujniki obrazowe” (6) oznaczają czujniki pozwalające na zbieranie danych obrazowych z pojedynczego pasma widma dyskretnego.

„Wieloukład scalony” (3) oznacza dwa lub więcej „monolityczne układy scalone”, spojone ze wspólnym „podłożem”.

„Wielospektralne analizatory obrazowe” (6) umożliwiają równoczesne lub szeregowe odbieranie danych obrazowych z dwóch lub więcej dyskretnych pasm spektralnych. Analizatory o więcej niż dwudziestu dyskretnych pasmach spektralnych są czasami nazywane hiperspektralnymi analizatorami obrazowymi.

„Uran naturalny” (0) oznacza uran zawierający mieszaninę izotopów występujących w naturze.

„Sterownik dostępu do sieci” (4) oznacza interfejs fizyczny do sieci rozproszonej. Używa się w nim wspólnego nośnika działającego z taką samą „szybkością transmisji danych cyfrowych” w systemie transmisji z arbitrażem (np. w sensie znacznika lub nośnika). Niezależnie od innych wybiera on adresowane do niego pakiety z danymi lub grupami danych (np. IEEE 802). Jest to zespół, który może być wbudowany w komputer lub urządzenie telekomunikacyjne z zadaniem zapewniania dostępu do łączy telekomunikacyjnych.

„Komputer neuronowy” (4) oznacza urządzenie obliczeniowe zaprojektowane lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do naśladowania działalności neuronu lub zbioru neuronów, tj. urządzenie obliczeniowe wyróżniające się możliwością sprzętowego modulowania znaczenia i liczby połączeń pomiędzy wieloma elementami obliczeniowymi w oparciu o poprzednie dane.

„Reaktor jądrowy” (0) oznacza kompletny reaktor zdolny do pracy w taki sposób, żeby mogła w nim przebiegać kontrolowana, samopodtrzymująca się reakcja łańcuchowa rozszczepiania. „Reaktor jądrowy” obejmuje wszystkie obiekty znajdujące się wewnątrz zbiornika reaktora lub bezpośrednio przymocowane do niego, wyposażenie sterujące poziomem mocy w rdzeniu oraz elementy, które zazwyczaj zawierają chłodziwo pierwotne rdzenia reaktora lub wchodzą z nim w bezpośrednią styczność lub nim sterują.

„Sterowanie numeryczne” (2) oznacza automatyczne sterowanie procesem wykonywane przez urządzenie korzystające z danych numerycznych zazwyczaj wprowadzanych podczas realizacji operacji (zob. ISO 2382 ).

„Kod wynikowy” (UOdO) oznacza sprzętowo wykonywalną postać wygodnego wyrażenia jednego lub większej liczby procesów („kod źródłowy” (język źródłowy)), które zostały skompilowane przez system programowania.

„Eksploatacja, administrowanie lub utrzymywanie” („EAU”) (5) oznacza wykonywanie co najmniej jednego z następujących zadań:

a. utworzenie dowolnego z następujących elementów lub zarządzanie nim:

1. konta lub uprawnienia użytkowników lub administratorów;

2. ustawienia danego przedmiotu; lub

3. dane uwierzytelniające wykorzystywane w przypadku zadań opisanych w pkt a.1. lub a.2.;

b. monitorowanie warunków pracy lub wydajności przedmiotu bądź zarządzanie nimi; lub

c. zarządzanie danymi logowania lub audytu wykorzystywane w przypadku dowolnych zadań opisanych w pkt a. lub b.;

Uwaga:   „EAU” nie obejmuje żadnego z następujących zadań lub powiązanych z nimi kluczowych funkcji zarządzania:

a.   udostępniania lub ulepszania jakiejkolwiek funkcji kryptograficznej, która nie jest bezpośrednio powiązana z tworzeniem danych uwierzytelniających wykorzystywanych w przypadku zadań opisanych w pkt a.1. lub a.2. powyżej lub z zarządzaniem nimi; lub

b.   realizowania jakiejkolwiek funkcji kryptograficznej w ramach warstwy przesyłu danych produktu.

„Komputer optyczny” (4) oznacza komputer zaprojektowany lub zmodyfikowany z przeznaczeniem do używania światła jako nośnika danych oraz taki, którego elementy obliczeniowo-logiczne działają bezpośrednio na sprzężonych urządzeniach optycznych.

„Optyczny układ scalony” (3) oznacza „monolityczny układ scalony” lub „hybrydowy układ scalony”, zaopatrzony w co najmniej jedną część przeznaczoną do działania jako fotoczujnik lub fotoemiter lub do wykonywania funkcji optycznych lub elektrooptycznych.

„Komutacja optyczna” (5) oznacza przekazywanie lub komutację sygnałów w postaci optycznej bez przetwarzania na sygnały elektryczne.

„Całkowita gęstość prądu” (3) oznacza całkowitą liczbę amperozwojów w cewce (tj. sumę liczby zwojów pomnożoną przez maksymalne natężenie prądu przenoszone przez każdy zwój) podzieloną przez całkowity przekrój poprzeczny cewki (składającej się z włókienek nadprzewodzących, matrycy metalowej, w której osadzone są włókienka nadprzewodzące, materiału stanowiącego obudowę, kanałów chłodzących itp.).

„Państwo uczestniczące” (7, 9) oznacza każde z państw uczestniczących w porozumieniu z Wassenaar (zob. www.wassenaar.org).

„Moc szczytowa” (6) oznacza najwyższy poziom mocy osiągany w „czasie trwania impulsu”.

„Sieć osobista” (5) oznacza system przesyłania danych mający wszystkie następujące cechy:

a. umożliwiający bezpośrednie połączenie ze sobą dowolnej liczby niezależnych ‘urządzeń do przetwarzania danych’; oraz

b. ograniczony do łączności między urządzeniami w bezpośrednim sąsiedztwie osoby fizycznej lub kontrolera urządzeń (np. pojedyncze pomieszczenie, biuro lub samochód oraz ich bezpośrednie otoczenie).

Uwaga techniczna:

‘Urządzenie do przetwarzania danych’: urządzenie mające możliwość nadawania lub odbierania ciągów informacji cyfrowych.

„Atomizacja plazmowa” (1) oznacza proces rozpylania strumienia stopionego metalu na kropelki o średnicy 500 μm lub mniejszej przy zastosowaniu pochodni plazmowych w atmosferze gazów obojętnych.

„Sterowanie mocą” (7) oznacza zmianę mocy sygnału nadawanego przez wysokościomierz w taki sposób, żeby moc odbierana w „statku powietrznym” na danej wysokości była zawsze na minimalnym poziomie niezbędnym do określenia wysokości.

„Uprzednio separowany” (0, 1) oznacza oddzielony dowolną techniką, której celem jest zwiększenie zawartości kontrolowanego izotopu.

„Podstawowe sterowanie lotem” (7) oznacza sterowanie stabilnością i manewrowością „statku powietrznego” za pomocą generatorów siły lub momentu, tj. za pomocą aerodynamicznych powierzchni sterujących lub sterowania wektorem ciągu.

„Element o podstawowym znaczeniu” (4) w odniesieniu do kategorii 4 jest „elementem o podstawowym znaczeniu”, jeżeli wartość jego wymiany stanowi ponad 35 % całkowitej wartości systemu, w którego skład wchodzi. Wartość elementu jest ceną płaconą za element przez producenta systemu lub przez firmę montującą system. Wartość całkowita jest zwykłą ceną sprzedaży osobom postronnym w miejscu produkcji lub w miejscu przygotowywania wysyłek towarów.

„Produkcja” (Wszystkie UOdT, UdTJ) oznacza wszystkie etapy związane z produkcją, takie jak: prace konstrukcyjne, technologia produkcji, wytwarzanie, scalanie, montaż (składanie), kontrola, testowanie, zapewnienie jakości.

„Urządzenia produkcyjne” (1, 7, 9) oznaczają oprzyrządowanie, szablony, przyrządy obróbkowe, trzpienie, formy, matryce, uchwyty, mechanizmy synchronizujące, urządzenia testujące, inne maszyny i ich części składowe, z ograniczeniem do urządzeń specjalnie zaprojektowanych lub zmodyfikowanych z przeznaczeniem do „rozwoju” lub do jednej lub więcej faz „produkcji”.

„Instalacje produkcyjne” (7, 9) oznaczają „urządzenia produkcyjne” i specjalnie do nich opracowane oprogramowanie, wbudowane w instalacje w celu „rozwoju” lub do jednej lub więcej faz „produkcji”.

„Program” (2, 6) oznacza sekwencję instrukcji do realizacji procesu, mającą postać wykonywalną lub dającą się przekształcić na wykonywalną przez komputer elektroniczny.

„Kompresja impulsów” (6) oznacza kodowanie i przetwarzanie długiego impulsowego sygnału radarowego na krótki, przy zachowaniu korzyści wynikających z wysokiej energii impulsu.

„Czas trwania impulsu” (6) oznacza czas trwania impulsu „lasera” zdefiniowany jako czas upływający między momentami osiągnięcia połowy mocy przez zbocze narastające i zbocze opadające poszczególnego impulsu.

„Laser impulsowy” (6) oznacza „laser”, w którym „czas trwania impulsu” jest równy lub mniejszy niż 0,25 s.

„Kryptografia kwantowa” (5) oznacza grupę technik pozwalających uzyskiwać wspólny klucz do celów „kryptografii” poprzez pomiar własności kwantowych układu fizycznego (w tym własności fizycznych jawnie zależnych od praw optyki kwantowej, kwantowej teorii pola lub elektrodynamiki kwantowej).

„Ruchliwość częstotliwości w radarach” (6) oznacza dowolną technikę zmiany, wg sekwencji pseudolosowej, częstotliwości nośnej impulsowego nadajnika radarowego pomiędzy impulsami lub pomiędzy grupami impulsów, o wartość równą lub większą od szerokości pasma impulsu.

„Rozproszone widmo radarowe” (6) oznacza dowolną technikę modulacji służącą do rozpraszania energii sygnału o stosunkowo wąskim paśmie częstotliwości na dużo szersze pasmo częstotliwości, za pomocą kodowania losowego lub pseudolosowego.

„Czułość promieniowania” (6) oznacza czułość promieniowania (mA/W) = 0,807 x (długość fali w nm) x sprawność kwantowa (QE).

Uwaga techniczna:

Sprawność kwantową wyraża się zwykle w postaci procentowej; jednakże do celów niniejszego wzoru sprawność kwantowa wyrażona jest jako liczba dziesiętna mniejsza niż jeden, np. 78 % to 0,78.

„Szerokość pasma czasu rzeczywistego” (3), w „dynamicznych analizatorach sygnałów”, oznacza największy zakres częstotliwości, dla jakiego analizator może przekształcać w trybie ciągłym dane z domeny czasowej całkowicie w wyniki z domeny częstotliwości za pomocą transformacji Fouriera lub innej dyskretnej w czasie transformacji, która przetwarza każdy przychodzący punkt czasu bez powodowanego przez przerwy lub efekty okna (windowing) zmniejszania się mierzonej amplitudy o więcej niż 3 dB poniżej rzeczywistej amplitudy sygnału, i może jednocześnie wydać i wyświetlić przekształcone dane.

„Przetwarzanie w czasie rzeczywistym” (6) oznacza przetwarzanie danych przez system komputerowy, zapewniające żądany poziom realizacji zadań w funkcji dostępnych środków, w gwarantowanym czasie odpowiedzi, bez względu na obciążenie systemu, kiedy jest on stymulowany przez wydarzenia zewnętrzne.

„Powtarzalność” (7) oznacza stopień zgodności powtarzanych pomiarów tej samej zmiennej w tych samych warunkach operacyjnych w sytuacji, gdy pomiędzy pomiarami występują zmiany warunków lub przerwy w działaniu (zob. IEEE STD 528-2001 (odchylenie standardowe wielkości 1 sigma)).

„Niezbędne” (UOdT 5, 6, 7, 9) – w odniesieniu do „technologii” – dotyczy tylko tej części „technologii”, która jest szczególnie odpowiedzialna za osiągnięcie lub przekroczenie wartości parametrów, właściwości lub funkcji objętych kontrolą. Taka „niezbędna”„technologia” może być wspólna dla różnych produktów.

„Rozdzielczość” (2) oznacza najmniejszą działkę urządzenia pomiarowego; w przyrządach cyfrowych jest to najmniej znaczący bit (zob. ANSI B-89-1.12).

„Środek rozpraszania tłumu” (1) oznacza substancje, które w warunkach użycia dla rozproszenia tłumu szybko wywołują u ludzi podrażnienie receptorów zmysłów lub psychiczny efekt unieszkodliwienia, znikający po krótkim czasie od usunięcia przyczyny.

Uwaga techniczna:

Gazy łzawiące stanowią podzbiór „środków rozpraszania tłumu”.

„Robot” (2, 8) oznacza mechanizm manipulacyjny poruszający się po ścieżce ciągłej lub od punktu do punktu, mogący korzystać z „czujników” i mający wszystkie następujące cechy:

a. jest wielofunkcyjny;

b. ma możliwość ustawiania w odpowiednim położeniu lub orientowania przestrzennego materiałów, części, narzędzi lub urządzeń specjalnych poprzez wykonywanie zmiennych ruchów w przestrzeni trójwymiarowej;

c. jest wyposażony w trzy lub większą liczbę mechanizmów wspomagających, m.in. silników krokowych, pracujących w obwodzie zamkniętym lub otwartym; oraz

d. ma „możliwość programowania przez użytkownika” metodą uczenia/odtwarzania lub za pomocą komputera elektronicznego, który może być programowanym sterownikiem logicznym, tj. bez ingerencji mechanicznej.

N.B.   Niniejsza definicja nie obejmuje kontrolą następujących urządzeń:

1.   mechanizmów poruszanych wyłącznie ręcznie lub zdalnie przez operatora;

2.   mechanizmów manipulacyjnych o ustalonej sekwencji ruchów, będących urządzeniami zautomatyzowanymi, realizującymi zaprogramowane mechanicznie, z góry ustalone ruchy. Program jest ograniczony mechanicznie za pomocą ustalonych ograniczników, np. sworzni lub krzywek. Kolejność ruchów oraz wybór drogi lub kątów nie są zmienne ani zmienialne za pomocą środków mechanicznych, elektronicznych lub elektrycznych;

3.   mechanizmów manipulacyjnych o ustalonej sekwencji ruchów, będących urządzeniami zautomatyzowanymi, realizującymi zaprogramowane mechanicznie, z góry ustalone ruchy. Program jest ograniczony mechanicznie za pomocą ustalonych, choć nastawnych, ograniczników, np. sworzni lub krzywek. Kolejność ruchów oraz wybór drogi lub kątów są zmienne w ramach ustalonego schematu programowego. Zmian lub modyfikacji schematu programowego (np. zmiany kołków lub wymiany krzywek) w jednej lub kilku osiach współrzędnych dokonuje się wyłącznie na drodze działań mechanicznych;

4.   mechanizmów manipulacyjnych bez wspomagania, o zmiennej sekwencji ruchów, będących urządzeniami zautomatyzowanymi, realizującymi zaprogramowane mechanicznie ruchy. Program jest zmienny, ale sekwencja jest realizowana wyłącznie za pomocą sygnału binarnego z elektrycznych urządzeń binarnych o ustalonym mechanicznie położeniu lub nastawnych ograniczników;

5.   żurawi do stertowania, definiowanych jako systemy manipulatorów działające w kartezjańskim układzie współrzędnych, produkowanych jako integralne części pionowych zespołów do silosów, i służące do uzyskiwania dostępu do zawartości tych silosów w celu składowania lub wyjmowania.

„Atomizacja rotacyjna” (1) oznacza proces rozpylania strumienia lub jeziorka stopionego metalu na kropelki o średnicy 500 μm lub mniejszej za pomocą siły odśrodkowej.

„Rowing” (1) oznacza wiązkę (zazwyczaj 12-120 szt.) uporządkowanych w przybliżeniu równolegle ‘skrętek’.

N.B.   ‘Skrętka’ oznacza wiązkę „włókien elementarnych” (zazwyczaj ponad 200) uporządkowanych w przybliżeniu równolegle.

„Bicie promieniowe” (odchylenie od właściwego ruchu) (2) oznacza promieniowe przemieszczenie głównego wrzeciona w ciągu jednego obrotu, mierzone w płaszczyźnie prostopadłej do osi wrzeciona w punkcie znajdującym się na zewnętrznej lub wewnętrznej badanej powierzchni obrotowej (zob. ISO 230 część 1-1986, pkt 5.61).

„Współczynnik skalowania (żyroskopu lub akcelerometru)” (7) oznacza stosunek zmiany wartości wyjściowej do zmiany wartości wejściowej, która ma być mierzona. Współczynnik skalowania jest na ogół szacowany jako nachylenie linii prostej, którą można poprowadzić metodą najmniejszych kwadratów pomiędzy punktami określającymi parametry wejściowe/wyjściowe, uzyskanymi poprzez cykliczną zmianę parametrów wejściowych w przedziale ich wartości.

„Czas ustalania” (3) oznacza czas, jaki podczas przełączania przetwornika z jednego poziomu na drugi potrzebny jest do otrzymania na wyjściu wartości różniącej się o połowę bitu od wartości końcowej.

„Analizatory sygnałów” (3) oznaczają urządzenia do pomiaru i pokazywania podstawowych parametrów sygnałów o jednej częstotliwości, będących składowymi sygnałów wieloczęstotliwościowych.

„Przetwarzanie sygnałów” (3, 4, 5, 6) oznacza przetwarzanie sygnałów zawierających informacje, uzyskanych ze źródeł zewnętrznych, za pomocą algorytmów, takich jak kompresja czasu, filtrowanie, ekstrahowanie, selekcja, korelacja, splatanie lub przemieszczanie pomiędzy domenami (np. za pomocą szybkiej transformacji Fouriera lub transformacji Walsha).

„Oprogramowanie” (cała UOdO) oznacza zbiór jednego lub większej liczby „programów” lub ‘mikroprogramów’, utrwalony na dowolnym materialnym nośniku.

N.B.   ‘Mikroprogram’ oznacza sekwencję elementarnych instrukcji, przechowywanych w specjalnej pamięci, realizowanych po wprowadzeniu do rejestru instrukcji specjalnej dla niej instrukcji odwołania.

„Kod źródłowy” (lub język źródłowy) (6, 7, 9) oznacza wygodny sposób wyrażenia jednego lub kilku procesów, który może być przekształcony przez system programowania w postać dającą się wykonać na urządzeniu („kod wynikowy” (lub język wynikowy)).

„Statek kosmiczny” (9) oznacza czynne i bierne satelity i sondy kosmiczne.

„Moduł ładunkowy statku kosmicznego” (9) oznacza urządzenie, które stanowi strukturę nośną „statku kosmicznego” i zapewnia miejsce dla „ładunku użytecznego statku kosmicznego”.

„Ładunek użyteczny statku kosmicznego” (9) oznacza urządzenia przymocowane do „modułu ładunkowego statku kosmicznego”, zaprojektowane do przeprowadzania misji w kosmosie (np. wyposażenie komunikacyjne, obserwacyjne, naukowe).

„Klasy kosmicznej” (3, 6, 7) - odnosi się do produktów zaprojektowanych, wykonanych lub po pomyślnych testach zakwalifikowanych do użycia na wysokości powyżej 100 km nad powierzchnią Ziemi.

N.B.   Stwierdzenie na podstawie testu, że konkretny przedmiot jest „klasy kosmicznej”, nie oznacza, że inne przedmioty z tej samej partii produkcyjnej lub serii modelu są „klasy kosmicznej”, jeżeli nie przeszły one indywidualnych testów.

„Specjalny materiał rozszczepialny” (0) oznacza pluton-239, uran-233, „uran wzbogacony w izotopy 235 lub 233” oraz dowolne zawierające je materiały.

„Moduł właściwy” (0, 1, 9) oznacza moduł Younga w paskalach (1 paskal = 1 N/m2) podzielony przez ciężar właściwy w N/m3, mierzony w temperaturze (296 + 2) K ((23 + 2) °C) i przy wilgotności względnej (50 + 5) %.

„Wytrzymałość właściwa na rozciąganie” (0, 1, 9) oznacza wytrzymałość na rozciąganie w paskalach (1 paskal = 1 N/m2) podzieloną przez ciężar właściwy w N/m3, mierzoną w temperaturze (296 + 2) K ((23 + 2) °C) i przy wilgotności względnej (50 + 5) %.

„Żyroskopy wirujące” (7) to żyroskopy wykorzystujące stale obracającą się masę do wykrywania ruchu obrotowego.

„Chłodzenie ultraszybkie” (1) oznacza technikę ‘gwałtownego krzepnięcia’ polegającą na uderzaniu stopionego strumienia metalu w chłodzony blok, w wyniku czego powstaje produkt w postaci płatków.

N.B.   ‘Gwałtowne krzepnięcie’: krzepnięcie roztopionego materiału podczas chłodzenia z szybkością powyżej 1 000 K/s.

„Widmo rozproszone” (5) oznacza technikę służącą do rozpraszania energii sygnału o stosunkowo wąskim paśmie częstotliwości na dużo szersze widmo energii.

Radar o „widmie rozproszonym” (6) - zob. „Rozproszone widmo radarowe”.

„Stabilność” (7) oznacza odchylenie standardowe (1 sigma) zmienności danego parametru od jego wartości wzorcowej zmierzonej w ustalonych warunkach temperaturowych. Można ją wyrażać w funkcji czasu.

„Państwa (nie)będące stronami konwencji o zakazie broni chemicznej” (1) są to te państwa, w których Konwencja o zakazie rozwijania, produkcji, składowania i stosowania broni chemicznej (nie) weszła w życie. (zob. www.opcw.org)

„Podłoże” (3) oznacza płytkę materiału głównego z naniesionymi połączeniami lub bez nich, na której lub wewnątrz której można umieszczać ‘elementy dyskretne’ lub układy scalone.

N.B.1.   ‘Element dyskretny’: oddzielnie obudowany ‘element obwodu’ z własnymi końcówkami wyjściowymi.

N.B.2.   ‘Element obwodu’: pojedyncza czynna lub bierna funkcjonalna część układu elektronicznego, np. jedna dioda, jeden tranzystor, jeden rezystor, jeden kondensator itp.

„Półprodukt podłoży” (3, 6) oznacza materiał monolityczny o wymiarach umożliwiających wytworzenie z niego elementów optycznych, takich jak zwierciadła lub okienka optyczne.

„Podjednostka toksyny” (1) oznacza strukturalnie i funkcjonalnie oddzielny składnik „toksyny”.

„Nadstopy” (2, 9) oznaczają stopy na osnowie niklu, kobaltu lub żelaza o bardzo wysokiej wytrzymałości w porównaniu z innymi stopami serii AISI 300 w temperaturach powyżej 922 K (649 °C), w skrajnych warunkach środowiskowych i eksploatacyjnych.

„Nadprzewodniki” (1, 3, 5, 6, 8) oznaczają materiały, tj. metale, stopy lub związki, które mogą całkowicie stracić swoją oporność, tj. które mogą uzyskać nieskończoną przewodność elektryczną i przewodzić prąd elektryczny o bardzo wysokich natężeniach bez wytwarzania ciepła Joule’a.

N.B.   „Nadprzewodzący” stan materiału jest indywidualnie scharakteryzowany „temperaturą krytyczną”, krytycznym polem magnetycznym, będącym funkcją temperatury, oraz krytyczną gęstością prądu, która jest funkcją zarówno pola magnetycznego, jak i temperatury.

„Laser o super wysokiej mocy” („SHPL”) (6) oznacza „laser”, który może dostarczyć energię wyjściową (całkowitą lub częściową) powyżej 1 kJ w ciągu 50 ms, lub taki, którego moc przeciętna lub moc w przypadku fali ciągłej wynosi powyżej 20 kW.

„Formowanie w stanie nadplastycznym” (1, 2) oznacza technikę odkształcania termicznego metali, których wydłużenie całkowite do zerwania, mierzone w temperaturze pokojowej tradycyjnymi technikami badania wytrzymałości na rozciąganie, w normalnych warunkach, jest bardzo małe (poniżej 20 %); jej celem jest co najmniej dwukrotne powiększenie tych wartości podczas obróbki.

„Algorytm symetryczny” (5) oznacza algorytm kryptograficzny, w którym stosuje się identyczne klucze do szyfrowania i deszyfrowania.

N.B.   Powszechnym zastosowaniem „algorytmu symetrycznego” jest utajnianie danych.

„Komputer z dynamiczną modyfikacją tablic” (4) oznacza komputer, w którym przepływ i modyfikacja danych są dynamicznie sterowane przez użytkownika na poziomie bramek logicznych.

„Taśma” (1) oznacza materiał zbudowany z przeplatanych lub jednakowo ukierunkowanych „włókien elementarnych”, ‘skrętek’, „rowingów”, „kabli” lub „przędz” itp., zazwyczaj impregnowany żywicą.

N.B.   ‘Skrętka’ oznacza wiązkę „włókien elementarnych” (zazwyczaj ponad 200) uporządkowanych w przybliżeniu równolegle.

„Technologia” (wszystkie UOdT UdTJ) oznacza specyficzny rodzaj informacji, niezbędny do „rozwoju”, „produkcji” lub „użytkowania” danego wyrobu. Informacja ta ma postać ‘danych technologicznych’ lub ‘pomocy technicznej’.

N.B.1.   ‘Pomoc techniczna’ może przybierać takie formy, jak: przekazanie instrukcji, umiejętności, szkolenie, przekazanie wiedzy na temat eksploatacji oraz usługi konsultacyjne i może obejmować transfer ‘danych technologicznych’.

N.B.2.   ‘Dane technologiczne’ mogą mieć formę odbitek, planów, wykresów, modeli, wzorów, tabel, projektów technicznych i opisów, podręczników i instrukcji w formie pisemnej lub zarejestrowanej na innych nośnikach lub urządzeniach, takich jak dyski, taśmy, pamięci wyłącznie do odczytu.

„Trójwymiarowy układ scalony” (3) oznacza zbiór płytek półprzewodnikowych lub aktywnych warstw urządzenia zintegrowanych ze sobą i mających kontakty połączeniowe przechodzące całkowicie przez rozdzielacz, podłoże, płytkę lub warstwę w celu utworzenia połączenia między warstwami urządzenia. Rozdzielacz to interfejs, który umożliwia utworzenie połączenia elektrycznego.

„Wrzeciono wahadłowe” (2) oznacza wrzeciono (uchwyt) do narzędzi, zmieniające podczas procesu obróbki położenie kątowe swojej osi względem dowolnej innej osi.

„Stała czasowa” (6) oznacza czas, który upływa od pojawienia się bodźca świetlnego do momentu, kiedy prąd wzrośnie do wartości równej wielkości końcowej pomnożonej przez 1-1/e (tj. 63 % wartości końcowej).

„Bandaż” (9) oznacza element składowy pierścienia stacjonarnego (jednolity lub o budowie segmentowej) zamocowany na powierzchni wewnętrznej korpusu turbiny lub element znajdujący się na końcówce łopatki turbiny, który służy przede wszystkim jako uszczelnienie gazodynamiczne między elementami stacjonarnymi a wirującymi.

„Kompleksowe sterowanie lotem” (7) oznacza automatyczne sterowanie zmiennymi stanu „statku powietrznego” i toru lotu dla zrealizowania zadania bojowego odpowiednio do zmian w czasie rzeczywistym danych dotyczących celu, zagrożeń lub innych „statków powietrznych”.

„Całkowita szybkość transmisji danych cyfrowych” (5) oznacza liczbę bitów, łącznie z bitami kodowymi linii, bitami nieinformacyjnymi i podobnymi, przepływających w jednostce czasu pomiędzy odpowiednimi urządzeniami w cyfrowym systemie transmisji.

N.B.   Zob. także „szybkość transmisji danych cyfrowych”.

„Kabel” (1) oznacza wiązkę „włókien elementarnych”, zazwyczaj uporządkowanych w przybliżeniu równolegle.

„Toksyny” (1, 2) oznaczają toksyny w postaci celowo wyizolowanych preparatów lub mieszanek, bez względu na sposób produkcji, różne od toksyn istniejących jako zanieczyszczenia innych materiałów, takich jak próbki patogenne, plony, żywność lub posiewy „mikroorganizmów”.

„Laser z przekazaniem energii” (6) oznacza „laser”, w którym czynnik emitujący promieniowanie laserowe jest wzbudzany dzięki transferowi energii wskutek zderzeń atomów lub molekuł, niebiorących udziału w akcji laserowej, z atomami lub molekułami czynnika emitującego promieniowanie laserowe.

„Przestrajalność” (6) oznacza zdolność „lasera” do wytwarzania ciągłego sygnału wyjściowego we wszystkich długościach fal w przedziale kilku przejść „laserowych”. „Laser” z selekcją liniową wytwarza dyskretne długości fal w ramach jednego przejścia „laserowego” i nie jest uważany za „przestrajalny”.

„Jednokierunkowa powtarzalność pozycjonowania” (2) oznacza mniejszą z wartości R↑ i R↓ (do przodu i wstecz) pojedynczej osi obrabiarki, jak określono w pkt 3.21 normy ISO 230-2:2014 lub jej odpowiednika krajowego.

„Bezzałogowy statek powietrzny” („UAV”) (9) oznacza każdy statek powietrzny zdolny do wzniesienia się w powietrze i kontynuowania kontrolowanego lotu i nawigacji bez obecności ludzi na pokładzie.

„Uran wzbogacony w izotopy 235 lub 233” (0) oznacza uran zawierający izotopy 235 lub 233 w takich ilościach, że stosunek łącznej zawartości tych izotopów do izotopu 238 jest większy niż stosunek zawartości izotopu 235 do izotopu 238 występujący w naturze (stosunek izotopowy 0,71 procent).

„Użytkowanie” (wszystkie UOdT UdTJ) oznacza eksploatację, instalowanie (łącznie z instalowaniem na miejscu), konserwację (kontrolę), naprawę, remonty i modernizację.

„Możliwość programowania przez użytkownika” (6) oznacza możliwość wprowadzania, modyfikacji lub wymiany „programów” przez użytkownika na innej drodze niż poprzez:

a. fizyczną modyfikację okablowania lub połączeń; lub

b. ustawianie sterowania funkcjami, w tym wprowadzanie parametrów.

„Szczepionka” (1) oznacza produkt leczniczy w postaci wyrobu farmaceutycznego, w odniesieniu do którego władze kraju produkcji lub kraju stosowania wydały zezwolenie na wprowadzanie do obrotu lub na prowadzenie badań klinicznych, a który wprowadzony do ustroju ludzkiego lub zwierzęcego ma za zadanie wytworzenie w nim ochronnej odporności immunologicznej w celu zapobiegania chorobom.

„Atomizacja próżniowa” (1) oznacza proces rozpylania strumienia stopionego metalu na kropelki o średnicy 500 μm lub mniejszej poprzez szybkie uwolnienie rozpuszczonego gazu w warunkach podciśnienia.

„Profile o zmiennej geometrii” (7) oznaczają profile, w których zastosowano klapy lub inne płaszczyzny na krawędzi spływu lub sloty lub osadzone przegubowo noski na krawędzi natarcia, którymi można sterować w locie.

„Przędza” (1) oznacza wiązkę skręconych ‘skrętek’.

N.B.   ‘Skrętka’ oznacza wiązkę „włókien elementarnych” (zazwyczaj ponad 200) uporządkowanych w przybliżeniu równolegle.

KATEGORIA 0 - MATERIAŁY, INSTALACJE I URZĄDZENIA JĄDROWE

0ASystemy, urządzenia i części składowe

0A001Następujące „reaktory jądrowe” oraz specjalnie zaprojektowane lub przystosowane do użytkowania z nimi urządzenia i podzespoły:

a. „reaktory jądrowe”;

b. metalowe zbiorniki lub główne prefabrykowane części do nich, w tym górne pokrywy zbiornika ciśnieniowego reaktora, specjalnie zaprojektowane lub przystosowane do umieszczania w nich rdzenia „reaktora jądrowego”;

c. urządzenia manipulacyjne specjalnie zaprojektowane lub przystosowane do załadunku i wyładunku elementów paliwowych „reaktorów jądrowych”;

d. pręty regulacyjne specjalnie zaprojektowane lub przystosowane do sterowania procesem rozszczepienia w „reaktorze jądrowym”, odpowiednie elementy nośne lub zawieszenia, mechanizmy napędu oraz prowadnice rurowe do prętów regulacyjnych;

e. przewody ciśnieniowe reaktora specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem zarówno na elementy paliwowe, jak i chłodziwo w „reaktorze jądrowym”;

f. rury (lub zespoły rur) z cyrkonu metalicznego lub jego stopów specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do zastosowania jako okładzina paliwa w „reaktorach jądrowych”, w ilościach przekraczających 10 kg;

N.B.   W przypadku rur ciśnieniowych z cyrkonu zob. 0A001.e, zaś w przypadku rur calandrii zob. 0A001.h.

g. pompy pierwotnego obiegu lub pompy cyrkulacyjne specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do przetaczania chłodziwa w „reaktorach jądrowych”;

h. „zespoły wewnętrzne reaktora” specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do pracy w „reaktorze jądrowym”, w tym elementy nośne rdzenia, kanały paliwowe, rury calandrii, osłony termiczne, przegrody, siatki dystansujące rdzenia i płyty rozpraszające;

Uwaga techniczna:

W pozycji 0A001.h „zespoły wewnętrzne reaktora” oznaczają dowolną większą strukturę wewnątrz zbiornika reaktora wypełniającą jedną lub więcej funkcji, takich jak podtrzymywanie rdzenia, utrzymywanie osiowania elementów paliwowych, kierowanie przepływem chłodziwa w obiegu pierwotnym, zapewnienie osłon radiacyjnych zbiornika reaktora i oprzyrządowania wewnątrzrdzeniowego.

i. wymienniki ciepła, takie jak:

1. wytwornice pary specjalnie zaprojektowane lub przystosowane do obiegu pierwotnego lub pośredniego „reaktora jądrowego”;

2. inne wymienniki ciepła specjalnie zaprojektowane lub przystosowane do stosowania w obiegu pierwotnym „reaktora jądrowego”;

Uwaga:   Pozycja 0A001.i nie obejmuje kontroli wymienników ciepła w systemach wspierających reaktora, np. systemie chłodzenia awaryjnego lub systemie odprowadzania ciepła powyłączeniowego.

j. detektory neutronów specjalnie zaprojektowane lub przystosowane do określania poziomu strumienia neutronów wewnątrz rdzenia „reaktora jądrowego”;

k. ‘zewnętrzne tarcze termiczne’ specjalnie zaprojektowane lub przystosowane do użytku w „reaktorach jądrowych” w celu zmniejszenia strat ciepła oraz ochrony zbiornika.

Uwaga techniczna:

W pozycji 0A001.k „zewnętrzne tarcze termiczne” oznaczają dużego rozmiaru struktury umieszczone nad zbiornikiem reaktora, służące do ograniczania strat ciepła z reaktora i do zmniejszania temperatury wewnątrz zbiornika.

0BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne

0B001Następujące instalacje do separacji izotopów z „uranu naturalnego”, „uranu zubożonego” lub „specjalnych materiałów rozszczepialnych” oraz urządzenia specjalnie do nich zaprojektowane lub wykonane:

a. następujące instalacje specjalnie zaprojektowane do separacji izotopów „uranu naturalnego”, „uranu zubożonego” lub „specjalnych materiałów rozszczepialnych”:

1. instalacje do rozdzielania gazów metodą wirowania;

2. instalacje do dyfuzyjnego rozdzielania gazów;

3. instalacje do rozdzielania metodami aerodynamicznymi;

4. instalacje do rozdzielania metodami wymiany chemicznej;

5. instalacje do rozdzielania techniką wymiany jonów;

6. instalacje do rozdzielania izotopów w postaci par metalu za pomocą „laserów”;

7. instalacje do rozdzielania izotopów w postaci molekularnej za pomocą „laserów”;

8. instalacje do rozdzielania metodami plazmowymi;

9. instalacje do rozdzielania metodami elektromagnetycznymi;

b. następujące wirówki gazowe oraz zespoły i urządzenia, specjalnie zaprojektowane lub wykonane do stosowania w procesach wzbogacania metodą wirowania gazów:

Uwaga techniczna:

W pozycji 0B001.b ‘materiał o wysokim stosunku wytrzymałości mechanicznej do gęstości’ oznacza którekolwiek z poniższych:

1.   stal maraging o wytrzymałości na rozciąganie równej 1,95 GPa lub większej;

2.   stopy glinu o wytrzymałości na rozciąganie równej 0,46 GPa lub większej; lub

3.   „materiały włókniste lub włókienkowe” o „module właściwym” powyżej 3,18 × 106 m i „wytrzymałości właściwej na rozciąganie” powyżej 7,62 × 104 m;

1. wirówki gazowe;

2. kompletne zespoły wirników;

3. cylindryczne zespoły wirników o grubości 12 mm lub mniejszej, średnicy od 75 do 650 mm, wykonane z ‘materiałów o wysokim stosunku wytrzymałości mechanicznej do gęstości’;

4. pierścienie lub mieszki ze ściankami o grubości 3 mm lub mniejszej i średnicy od 75 mm do 650 mm przeznaczone do lokalnego osadzenia cylindra wirnika lub do połączenia ze sobą wielu cylindrów wirników, wykonane z ‘materiałów o wysokim stosunku wytrzymałości mechanicznej do gęstości’;

5. deflektory o średnicy od 75 mm do 650 mm przeznaczone do instalowania wewnątrz cylindra wirnika odśrodkowego, wykonane z ‘materiałów o wysokim stosunku wytrzymałości mechanicznej do gęstości’;

6. pokrywy górne lub dolne o średnicy od 75 mm do 650 mm pasujące do końców cylindra wirnika, wykonane z ‘materiałów o wysokim stosunku wytrzymałości mechanicznej do gęstości’;

7. następujące łożyska na poduszce magnetycznej:

a. zespoły łożysk składające się z pierścieniowego magnesu zawieszonego w obudowie wykonanej z „materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6” lub chronionej takimi materiałami, zawierającej wewnątrz czynnik tłumiący i posiadające magnes sprzężony z nabiegunnikiem lub drugim magnesem osadzonym w pokrywie górnej wirnika;

b. aktywne łożyska magnetyczne specjalnie zaprojektowane lub wykonane do stosowania w wirówkach gazowych;

8. specjalnie wykonane łożyska składające się z zespołu czop-panewka osadzonego na amortyzatorze;

9. pompy molekularne zawierające cylindry z wewnętrznymi, obrobionymi techniką skrawania lub wytłoczonymi, spiralnymi rowkami i wewnętrznymi wywierconymi otworami;

10. pierścieniowe stojany do wysokoobrotowych wielofazowych silników histerezowych (lub reluktancyjnych) do pracy synchronicznej w próżni z częstotliwością 600 Hz lub większą i mocą 40 woltoamperów lub większą;

11. obudowy (komory) wirówek, w których znajdują się zespoły wirników cylindrycznych wirówki gazowej, składające się ze sztywnego cylindra ze ściankami o grubości do 30 mm z precyzyjnie obrobionymi końcami, które są równoległe do siebie i prostopadłe do osi wzdłużnej cylindra w zakresie 0,05 stopnia lub mniej;

12. zbieraki składające się ze specjalnie zaprojektowanych lub przystosowanych rurek, przeznaczone do ekstrahowania gazowego UF6 z wirnika na zasadzie rurki Pitota, które mogą być zamocowane w centralnym układzie ekstrakcji gazu;

13. przemienniki częstotliwości (konwertery lub inwertery) specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do zasilania stojanów silników wirówek gazowych do wzbogacania, posiadające wszystkie następujące cechy charakterystyczne i specjalnie do nich zaprojektowane podzespoły:

a. wyjście wielofazowe o częstotliwości 600 Hz lub większej; oraz

b. wysoka stabilność (z regulacją częstotliwości z dokładnością lepszą niż 0,2 %);

14. następujące zawory odcinające i sterujące:

a. zawory odcinające specjalnie zaprojektowane lub przystosowane do pracy z surowcem, produktem lub frakcjami końcowymi ze strumieni zawierających UF6 poszczególnych wirówek gazowych;

b. zawory mieszkowe odcinające lub sterujące o średnicy wewnętrznej od 10 do 160 mm wykonane z „materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6” lub chronione takimi materiałami, specjalnie zaprojektowane lub przystosowane do użytku w głównych i pomocniczych układach zakładów wzbogacania stosujących wirówki gazowe;

c. następujące urządzenia i podzespoły, specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do separacji metodą dyfuzji gazowej:

1. przegrody do dyfuzji gazowej wykonane z porowatych metalowych, polimerowych lub ceramicznych „materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6”, posiadające pory o średnicach od 10 do 100 nm, grubość 5 mm lub mniejszą oraz, w przypadku elementów cylindrycznych, średnicę 25 mm lub mniejszą;

2. obudowy dyfuzorów gazowych wykonane lub chronione „materiałami odpornymi na korozyjne działanie UF6”;

3. sprężarki lub dmuchawy do gazów o objętościowej pojemności ssania UF6 wynoszącej 1 m3/min lub więcej, o ciśnieniu wylotowym do 500 kPa oraz stosunku ciśnienia 10:1 lub mniejszym, wykonane z „materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6” lub chronione takimi materiałami;

4. uszczelnienia wirujących wałów sprężarek lub dmuchaw wymienionych w pozycji 0B001.c.3., skonstruowane w taki sposób, żeby objętościowe natężenie przepływu gazu buforowego przez nieszczelności wynosiło poniżej 1 000 cm3/min;

5. wymienniki ciepła wykonane z „materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6” lub chronione takimi materiałami, zaprojektowane do pracy z natężeniem przepływu przez nieszczelności na poziomie mniejszym niż 10 Pa na godzinę przy różnicy ciśnień rzędu 100 kPa;

6. zawory mieszkowe odcinające lub sterujące, obsługiwane ręcznie lub automatycznie, wykonane z „materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6” lub chronione takimi materiałami;

d. następujące urządzenia i podzespoły specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do aerodynamicznego wzbogacania materiałów:

1. dysze separujące składające się ze szczelinowych zakrzywionych kanałów o promieniu krzywizny poniżej 1 mm, odporne na korozyjne działanie UF6, zawierające w środku ostre krawędzie rozdzielające gaz płynący w dyszach na dwa strumienie;

2. cylindryczne lub stożkowe rury (rurki wirowe) wykonane z „materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6” lub też zabezpieczone takimi materiałami, mające co najmniej jeden wlot styczny;

3. sprężarki lub dmuchawy do gazów wykonane z „materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6” lub zabezpieczone takimi materiałami oraz uszczelnienia wirujących wałów do nich;

4. wymienniki ciepła wykonane z „materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6” lub zabezpieczone takimi materiałami;

5. obudowy elementów rozdzielających, wykonane z „materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6” lub zabezpieczone takimi materiałami, przeznaczone na rurki wirowe lub dysze rozdzielające;

6. zawory mieszkowe odcinające lub sterujące, obsługiwane ręcznie lub automatycznie, wykonane z „materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6” lub chronione takimi materiałami, mające średnicę 40 mm lub większą;

7. instalacje przetwórcze do oddzielania UF6 od gazu nośnego (wodoru lub helu) do zawartości 1 ppm UF6 lub mniejszej, w tym:

a. kriogeniczne wymienniki ciepła i separatory zdolne do pracy w temperaturach 153 K (– 120 °C) lub niższych;

b. zamrażarki kriogeniczne zdolne do wytwarzania temperatur 153 K (– 120 °C) lub niższych;

c. urządzenia z dyszami rozdzielającymi lub rurkami wirowymi do oddzielania UF6 od gazu nośnego;

d. wymrażarki UF6 zdolne do wymrażania UF6;

e. następujące urządzenia i podzespoły do nich, specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do wzbogacania materiałów techniką wymiany chemicznej:

1. cieczowo-cieczowe kolumny impulsowe do szybkiej wymiany chemicznej z czasem przebywania czynnika w stopniu urządzenia wynoszącym 30 sekund lub krótszym oraz odporne na stężony kwas solny (np. wykonane z odpowiednich tworzyw sztucznych, takich jak polimery fluorowęglowodorowe lub szkło, lub pokryte takimi materiałami);

2. cieczowo-cieczowe kontaktory odśrodkowe do szybkiej wymiany chemicznej z czasem przebywania czynnika w stopniu urządzenia wynoszącym 30 sekund lub krótszym oraz odporne na stężony kwas solny (np. wykonane z odpowiednich tworzyw sztucznych, takich jak polimery fluorowęglowodorowe lub szkło, lub pokryte takimi materiałami);

3. elektrochemiczne ogniwa redukcyjne, odporne na działanie roztworów kwasu solnego, do obniżania wartościowości uranu;

4. urządzenia do zasilania elektrochemicznych ogniw redukcyjnych, pobierające U+4 ze strumieni substancji organicznych, wykonane w strefach kontaktu z przetwarzanym strumieniem z odpowiednich materiałów lub chronione takimi materiałami (na przykład szkło, polimery fluorowęglowe, polisiarczan fenylu, polisulfon eteru i grafit nasycany żywicą);

5. urządzenia do przygotowywania półproduktów do wytwarzania roztworu chlorku uranu o wysokiej czystości, składające się z zespołów do rozpuszczania, ekstrakcji rozpuszczalnikowej i/lub wymiany jonowej, przeznaczone do oczyszczania, oraz ogniwa elektrolityczne do redukowania uranu U+6 lub U+4 do U+3;

6. urządzenia do utleniania uranu ze stanu U+3 do U+4;

f. następujące urządzenia i podzespoły specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do wzbogacania materiałów techniką wymiany jonów:

1. szybko reagujące żywice jonowymienne, żywice błonkowate lub porowate makrosiatkowe, w których grupy chemiczne biorące aktywny udział w wymianie znajdują się wyłącznie w powłoce na powierzchni nieaktywnej porowatej struktury nośnej, oraz inne materiały kompozytowe w dowolnej stosownej formie, w tym w postaci cząstek lub włókien, ze średnicami wynoszącymi 0,2 mm lub mniej, odporne na stężony kwas solny i wykonane w taki sposób, że ich półczas wymiany wynosi poniżej 10 sekund, oraz zdolne do pracy w temperaturach w zakresie od 373 K (100 °C) do 473 K (200 °C);

2. kolumny jonitowe (cylindryczne) o średnicy powyżej 1 000 mm, wykonane z materiałów odpornych na stężony kwas solny lub chronione takimi materiałami (np. tytan lub tworzywa fluorowęglowe) i zdolne do pracy w temperaturach w zakresie od 373 K (100 °C) do 473 K (200 °C) i przy ciśnieniach powyżej 0,7 MPa;

3. jonitowe urządzenia zwrotne (urządzenia do chemicznego lub elektrochemicznego utleniania lub redukcji) przeznaczone do regeneracji substancji do chemicznej redukcji lub utleniania, stosowane w jonitowych kaskadach do wzbogacania materiałów;

g. następujące urządzenia i podzespoły, specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do zastosowania w procesach rozdzielania z wykorzystaniem lasera przy zastosowaniu rozdzielania izotopów w postaci par metalu za pomocą laserów:

1. urządzenia do przeprowadzania uranu w stan pary przeznaczone do uzyskiwania docelowej mocy wyjściowej 1 kW lub większej do zastosowania w technologii wzbogacania za pomocą laserów;

2. systemy operowania uranem metalicznym w stanie cieczy lub pary, specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do operowania stopionym uranem, stopami uranu stopionego lub uranem metalicznym w stanie pary do zastosowania w technologii wzbogacania za pomocą laserów, jak również specjalnie do nich zaprojektowane podzespoły;

N.B.   ZOB. TAKŻE POZYCJA 2A225.

3. zespoły do gromadzenia produktów lub frakcji końcowych uranu metalicznego w postaci ciekłej lub stałej, wykonane z materiałów odpornych na działanie cieplne i korozyjne uranu metalicznego w postaci pary lub cieczy, takich jak grafit powlekany tlenkiem itru lub tantal, lub chronione takimi materiałami;

4. obudowy modułów urządzeń rozdzielających (zbiorniki cylindryczne lub prostopadłościenne) przeznaczone na źródła par uranu metalicznego, działa elektronowe oraz urządzenia do gromadzenia produktu i frakcji końcowych;

5. „lasery” lub systemy „laserów” specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do rozdzielania izotopów uranu, wyposażone w stabilizatory częstotliwości przystosowane do pracy przez dłuższe okresy;

N.B.   ZOB. TAKŻE POZYCJE 6A005 I 6A205.

h. następujące urządzenia i podzespoły, specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do zastosowania w procesach rozdzielania z wykorzystaniem lasera przy zastosowaniu rozdzielania izotopów w postaci molekularnej za pomocą laserów:

1. naddźwiękowe dysze rozprężne do chłodzenia mieszanin UF6 z gazem nośnym do temperatur 150 K (– 123 °C) lub niższych, wykonane z „materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6”;

2. podzespoły lub urządzenia do gromadzenia produktów lub frakcji końcowych, specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do gromadzenia materiału uranowego i materiału frakcji końcowych uranu po naświetleniu światłem lasera, wykonane z „materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6”;

3. sprężarki wykonane z „materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6” lub zabezpieczone takimi materiałami oraz uszczelnienia wirujących wałów do nich;

4. urządzenia do fluorowania UF5 (stałego) do UF6 (gazowego);

5. urządzenia przetwórcze do oddzielania UF6 od gazu nośnego (np. azotu, argonu lub innego gazu), w tym:

a. kriogeniczne wymienniki ciepła i separatory zdolne do pracy w temperaturach 153 K (– 120 °C) lub niższych;

b. zamrażarki kriogeniczne zdolne do wytwarzania temperatur 153 K (– 120 °C) lub niższych;

c. wymrażarki UF6 zdolne do wymrażania UF6;

6. „lasery” lub systemy „laserów” specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do rozdzielania izotopów uranu, wyposażone w stabilizatory częstotliwości przystosowane do pracy przez dłuższe okresy;

N.B.   ZOB. TAKŻE POZYCJE 6A005 I 6A205.

i. następujące urządzenia i podzespoły specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do plazmowego rozdzielania materiałów:

1. źródła mikrofal i anteny do wytwarzania lub przyspieszania jonów, o częstotliwości wyjściowej powyżej 30 GHz i średniej mocy wyjściowej powyżej 50 kW;

2. wysokoczęstotliwościowe cewki do wzbudzania jonów pracujące w zakresie częstotliwości powyżej 100 kHz i zdolne do pracy w warunkach średniej mocy powyżej 40 kW;

3. urządzenia do wytwarzania plazmy uranowej;

4. nieużywane;

5. zespoły do gromadzenia produktów lub frakcji końcowych uranu metalicznego w postaci stałej, wykonane z materiałów odpornych na działanie cieplne i korozyjne uranu w postaci pary, takich jak grafit powlekany tlenkiem itru lub tantal, lub chronione takimi materiałami;

6. obudowy modułów separatorów (cylindryczne) na źródło plazmy uranowej, cewki na prądy wysokiej częstotliwości oraz kolektory do produktu i frakcji końcowych, wykonane z odpowiednich materiałów niemagnetycznych (np. ze stali nierdzewnej);

j. następujące urządzenia i podzespoły, specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do wzbogacania materiałów metodami elektromagnetycznymi:

1. źródła jonów, pojedyncze lub wielokrotne, składające się ze źródła pary, jonizatora oraz akceleratora wiązki wykonane z odpowiednich materiałów niemagnetycznych (np. grafitu, stali nierdzewnej lub miedzi) i zdolne do wytwarzania wiązki jonów o całkowitym natężeniu 50 mA lub większym;

2. płytkowe kolektory jonów do gromadzenia wzbogaconych lub zubożonych wiązek jonów uranu, składające się z dwóch lub więcej szczelin i kieszeni i wykonane z odpowiednich materiałów niemagnetycznych (np. grafitu lub stali nierdzewnej);

3. obudowy próżniowe do elektromagnetycznych separatorów uranu wykonane z materiałów niemagnetycznych (np. ze stali nierdzewnej) i skonstruowane z przeznaczeniem do pracy przy ciśnieniach 0,1 Pa lub niższych;

4. elementy biegunów magnesów o średnicy powyżej 2 m;

5. wysokonapięciowe zasilacze do źródeł jonów, posiadające wszystkie następujące cechy:

a. zdolność do pracy w trybie ciągłym;

b. napięcie wyjściowe 20 000 V lub większe;

c. natężenie prądu na wyjściu 1 A lub większe; oraz

d. regulacja napięcia z dokładnością lepszą niż 0,01 % w ciągu 8 godzin;

N.B.   ZOB. TAKŻE POZYCJA 3A227.

6. zasilacze magnesów (wysokiej mocy, prądu stałego), posiadające wszystkie następujące cechy:

a. zdolność do pracy w trybie ciągłym z prądem wyjściowym o natężeniu 500 A lub większym i napięciu 100 V lub większym; oraz

b. regulacja natężenia lub napięcia prądu z dokładnością lepszą niż 0,01 % w ciągu 8 godzin.

N.B.   ZOB. TAKŻE POZYCJA 3A226.

0B002Następujące specjalnie zaprojektowane lub wykonane pomocnicze instalacje, urządzenia i podzespoły do instalacji separacji izotopów wymienionych w pozycji 0B001, wykonane z „materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6” lub chronione takimi materiałami:

a. autoklawy, piece lub instalacje do doprowadzania UF6 do instalacji do wzbogacania;

b. desublimatory lub wymrażarki do odprowadzania UF6 z instalacji przetwórczych i dalszego jego transportu po ogrzaniu;

c. instalacje do produktu lub frakcji końcowych do transportu UF6 do zbiorników;

d. instalacje do skraplania lub zestalania stosowane do usuwania UF6 z procesu wzbogacania drogą sprężania, chłodzenia i przetwarzania UF6 w ciecz lub ciało stałe;

e. instalacje rurociągowe i zbiorniki specjalnie zaprojektowane lub wykonane do transportu i manipulowania UF6 w procesach rozdzielania izotopów metodą dyfuzji, ultrawirowania lub kaskady aerodynamicznej;

f. następujące układy próżniowe i pompy:

1. próżniowe instalacje rur rozgałęźnych lub zbiorników lub pompy próżniowe o wydajności ssania wynoszącej 5 m3 na minutę lub więcej;

2. pompy próżniowe specjalnie zaprojektowane do pracy w atmosferze zawierającej UF6, wykonane z „materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6” lub zabezpieczone takimi materiałami; lub

3. układy próżniowe składające się z próżniowych instalacji rur rozgałęźnych lub zbiorników i pomp próżniowych, zaprojektowane do pracy w atmosferze zawierającej UF6;

g. spektrometry masowe (źródła jonów) UF6 zdolne do bieżącego (on-line) pobierania próbek ze strumieni zawierających UF6, posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy:

1. zdolność do pomiaru mas jonów o wartości 320 mas atomowych lub większa i rozdzielczość lepsza niż 1 część na 320;

2. źródła jonów wykonane z niklu, stopu niklu i miedzi o zawartości niklu 60 % masy lub większej lub stopów niklu i chromu lub nimi zabezpieczone;

3. elektronowe źródła jonizacyjne; oraz

4. wyposażenie w kolektory umożliwiające analizę izotopową.

0B003Następujące instalacje do przetwarzania uranu i urządzenia specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do nich:

a. instalacje do przetwarzania koncentratów rudy uranowej na UO3;

b. instalacje do przetwarzania UO3 na UF6;

c. instalacje do przetwarzania UO3 na UO2;

d. instalacje do przetwarzania UO2 na UF4;

e. instalacje do przetwarzania UF4 na UF6;

f. instalacje do przetwarzania UF4 na uran metaliczny;

g. instalacje do przetwarzania UF6 na UO2;

h. instalacje do przetwarzania UF6 na UF4;

i. instalacje do przetwarzania UO2 na UCl4.

0B004Następujące instalacje do produkcji lub stężania ciężkiej wody, deuteru i związków deuteru oraz specjalnie do nich zaprojektowane i wykonane urządzenia i podzespoły:

a. następujące instalacje do produkcji ciężkiej wody, deuteru i związków deuteru:

1. instalacje do produkcji metodą wymiany woda-siarkowodór;

2. instalacje do produkcji metodą wymiany amoniak-wodór;

b. następujące urządzenia i podzespoły:

1. kolumnowe wymienniki typu woda-siarkowodór mające średnicę 1,5 m lub większą i zdolność do pracy przy ciśnieniach równych lub większych niż 2 MPa;

2. jednostopniowe, niskociśnieniowe (np. 0,2 MPa), odśrodkowe dmuchawy lub kompresory wymuszające cyrkulację gazowego siarkowodoru (tj. gazu zawierającego więcej niż 70 % H2S), o przepustowości równej lub większej niż 56 m3/s podczas pracy przy ciśnieniach zasysania równych lub większych niż 1,8 MPa, posiadające uszczelnienia umożliwiające pracę w środowisku wilgotnego H2S;

3. kolumnowe wymienniki typu amoniak-wodór o wysokości równej lub większej niż 35 m i średnicy od 1,5 m do 2,5 m, zdolne do pracy przy ciśnieniach większych niż 15 MPa;

4. konstrukcje wewnętrzne kolumn łącznie z kontaktorami stopniowymi i pompami stopniowymi, w tym zanurzeniowymi, do produkcji ciężkiej wody w procesie wymiany amoniak-wodór;

5. instalacje do krakowania amoniaku zdolne do pracy przy ciśnieniach równych lub większych niż 3 MPa przy produkcji ciężkiej wody w procesie wymiany amoniak-wodór;

6. podczerwone analizatory absorpcyjne zdolne do bieżącej (on-line) analizy stosunku wodoru do deuteru w warunkach, w których stężenia deuteru są równe lub większe niż 90 %;

7. palniki katalityczne do konwersji wzbogaconego deuteru w ciężką wodę przy użyciu procesu wymiany amoniak-wodór;

8. kompletne systemy wzbogacania ciężkiej wody lub przeznaczone dla nich kolumny, przeznaczone do zwiększania koncentracji deuteru w ciężkiej wodzie do poziomu reaktorowego;

9. konwertery do syntezy amoniaku lub urządzenia do syntezy amoniaku specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do produkcji ciężkiej wody w procesie wymiany amoniak-wodór.

0B005Instalacje specjalnie zaprojektowane do wytwarzania elementów paliwowych do „reaktorów jądrowych” oraz specjalnie dla nich zaprojektowane lub przystosowane urządzenia.

Uwaga techniczna:

Specjalnie zaprojektowane lub przystosowane urządzenia do wytwarzania elementów paliwowych do „reaktorów jądrowych” obejmują urządzenia, które:

1.   pozostają w bezpośrednim kontakcie z materiałami jądrowymi lub bezpośrednio je przetwarzają lub sterują procesem ich produkcji;

2.   uszczelniają materiały jądrowe wewnątrz ich koszulek;

3.   kontrolują szczelność koszulek;

4.   kontrolują końcową obróbkę paliwa stałego; lub

5.   są wykorzystywane do montażu elementów reaktora.

0B006Instalacje do przerobu napromieniowanych (wypalonych w różnym stopniu) elementów paliwowych „reaktorów jądrowych” oraz specjalnie dla nich zaprojektowane lub wykonane urządzenia i podzespoły.

Uwaga:   Pozycja 0B006 obejmuje:

a.   instalacje do przerobu napromieniowanych (wypalonych w różnym stopniu) elementów paliwowych „reaktorów jądrowych”, w tym urządzenia i podzespoły, które zazwyczaj wchodzą w bezpośredni kontakt z materiałami jądrowymi, służą do ich bezpośredniego przetwarzania lub sterowania ich przepływem;

b.   maszyny do rozdrabniania lub kruszenia elementów paliwowych, tj. zdalnie sterowane urządzenia do cięcia lub krojenia napromieniowanych (wypalonych w różnym stopniu) zespołów, wiązek lub prętów paliwowych „reaktorów jądrowych”;

c.   urządzenia do rozpuszczania, zbiorniki podkrytyczne (np. zbiorniki o małych średnicach, pierścieniowe lub płaskie), specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do rozpuszczania napromieniowanego (wypalonego w różnym stopniu) paliwa do „reaktorów jądrowych”, odporne na działanie gorących, silnie żrących płynów oraz przystosowane do zdalnego załadunku i obsługi;

d.   ekstraktory rozpuszczalnikowe, takie jak kolumny z wypełnieniem lub impulsowe, mieszalniki odstojniki lub kontaktory odśrodkowe odporne na żrące działanie kwasu azotowego, specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do wykorzystania w instalacjach do przerobu napromieniowanego (wypalonego w różnym stopniu) „uranu naturalnego”, „uranu zubożonego” lub „specjalnego materiału rozszczepialnego”;

e.   zbiorniki technologiczne lub magazynowe, specjalnie zaprojektowane w taki sposób, że są podkrytyczne i odporne na żrące działanie kwasu azotowego;

Uwaga techniczna:

Zbiorniki technologiczne lub magazynowe mogą mieć następujące właściwości:

1.   ścianki lub struktury wewnętrzne z co najmniej dwuprocentowym ekwiwalentem borowym (obliczonym dla wszystkich składowych pierwiastków w sposób zdefiniowany w uwadze do pozycji 0C004);

2.   maksymalną średnicę 175 mm w przypadku zbiorników cylindrycznych; lub

3.   maksymalną szerokość 75 mm w przypadku zbiorników płytowych lub pierścieniowych;

f.   neutronowe systemy pomiaru specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do zamontowania i zastosowania wraz automatycznymi systemami sterowania procesami w instalacjach do przerobu napromieniowanego (wypalonego w różnym stopniu) „uranu naturalnego”, „uranu zubożonego” lub „specjalnego materiału rozszczepialnego”.

0B007Instalacje do przetwarzania plutonu oraz specjalnie dla nich zaprojektowane lub wykonane urządzenia i podzespoły:

a. instalacje do przetwarzania azotanu plutonu na tlenek plutonu;

b. instalacje do wytwarzania plutonu metalicznego.

0CMateriały

0C001„Uran naturalny” lub „uran zubożony” lub tor w postaci metalu, stopu, związku chemicznego lub koncentratu i dowolny inny materiał zawierający jeden lub więcej z powyższych materiałów.

Uwaga:   Pozycja 0C001 nie obejmuje kontrolą:

a.   czterech gramów lub mniejszej ilości „uranu naturalnego” lub „uranu zubożonego”, jeżeli znajduje się on w czujnikach instrumentów pomiarowych;

b.   „uranu zubożonego” specjalnie wyprodukowanego z przeznaczeniem do wyrobu następujących produktów cywilnych spoza dziedziny jądrowej:

1.   osłon;

2.   wypełnień;

3.   balastów o masie nieprzekraczającej 100 kg;

4.   przeciwwag o masie nieprzekraczającej 100 kg;

c.   stopów zawierających mniej niż 5 % toru;

d.   produktów ceramicznych zawierających tor, ale wykonanych do zastosowań poza dziedziną jądrową.

0C002„Specjalne materiały rozszczepialne”

Uwaga:   Pozycja 0C002 nie obejmuje kontrolą czterech „gramów efektywnych” lub mniejszej ilości w przypadku ich stosowania w czujnikach instrumentów pomiarowych.

0C003Deuter, ciężka woda (tlenek deuteru) i inne związki deuteru oraz ich mieszaniny i roztwory, w których stosunek liczby atomów deuteru do atomów wodoru jest większy niż 1:5 000.

0C004Grafit o stopniu zanieczyszczenia poniżej 5 części na milion „ekwiwalentu boru” oraz gęstości większej niż 1,50 g/cm3 przeznaczony do zastosowania w „reaktorach jądrowych”, w ilościach przekraczających 1 kg.

N.B.   ZOB. TAKŻE POZYCJA 1C107.

Uwaga 1:   Dla celów kontroli wywozu właściwe organy państwa członkowskiego, w którym eksporter ma swoją siedzibę, stwierdzą, czy wywóz grafitu spełniającego powyższe specyfikacje ma na celu zastosowanie w „reaktorach jądrowych”.

Uwaga 2:   W pozycji 0C004 „ekwiwalent boru” (BE) zdefiniowany jest jako suma BEZ dla domieszek (z pominięciem BEcarbon dla węgla, ponieważ węgiel nie jest uważany za domieszkę) z uwzględnieniem boru, gdzie:

BEZ (ppm) = CF × stężenie pierwiastka Z określane w ppm (częściach na milion)

image

zaś σB i σZ są przekrojami czynnymi na wychwyt neutronów termicznych (w barnach) odpowiednio dla boru pochodzenia naturalnego i pierwiastka Z; a AB i AZ są masami atomowymi odpowiednio boru naturalnego i pierwiastka Z.

0C005Specjalnie wzbogacone związki lub proszki do wyrobu przegród do dyfuzji gazowej, odporne na korozyjne działanie UF6 (np. nikiel lub stop zawierający 60 % wagowych lub więcej niklu, tlenek glinu i całkowicie fluorowane polimery węglowodorowe) o procentowym stopniu czystości w proporcji wagowej 99,9 % lub więcej i średniej wielkości cząstek poniżej 10 μm, mierzonej według normy Amerykańskiego Towarzystwa Materiałoznawczego (ASTM) B330 i wysokim stopniu jednorodności wymiarowej cząstek.

0DOprogramowanie

0D001„Oprogramowanie” specjalnie opracowane lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do „rozwoju”, „produkcji” lub „użytkowania” towarów wymienionych w tej kategorii.

0ETechnologia

0E001„Technologie” zgodnie z uwagą do technologii jądrowej służące do „rozwoju”, „produkcji” lub „użytkowania” towarów wymienionych w tej kategorii.

KATEGORIA 1 – MATERIAŁY SPECJALNE I ZWIĄZANE Z NIMI URZĄDZENIA

1ASystemy, urządzenia i części składowe

1A001Następujące elementy wykonane ze związków fluorowych:

a. uszczelnienia, uszczelki, masy uszczelniające lub przepony w układach paliwowych, które są specjalnie zaprojektowane do „statków powietrznych” lub rakiet kosmicznych i w których ponad 50 % zawartości wagowej stanowi jeden z materiałów objętych kontrolą według pozycji 1.C009.b lub 1C009.c;

b. nieużywane;

c. nieużywane.

1A002Wyroby lub laminaty „kompozytowe” spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

N.B.   ZOB. TAKŻE POZYCJE 1A202, 9A010 i 9A110.

a. składające się z „matrycy” organicznej i z materiałów objętych kontrolą według pozycji 1C010.c, 1C010.d lub 1C010.e; lub

b. składające się z „matrycy” metalowej lub węglowej i z któregokolwiek spośród niżej wymienionych materiałów:

1. węglowych „materiałów włóknistych lub włókienkowych”, które spełniają wszystkie z poniższych kryteriów:

a. „moduł właściwy” większy niż 10,15 × 106 m; oraz

b. „wytrzymałość właściwa na rozciąganie” większa niż 17,7 × 104 m; lub

2. materiałów wymienionych w pozycji 1C010.c.

Uwaga 1:   Pozycja 1A002 nie dotyczy wyrobów „kompozytowych” ani laminatów wykonanych z żywic epoksydowych impregnowanych węglowymi „materiałami włóknistymi lub włókienkowymi”, przeznaczonych do naprawy elementów lub laminatów „cywilnych statków powietrznych” i spełniających wszystkie z poniższych kryteriów:

a.   mają powierzchnię nieprzekraczającą 1 m2;

b.   mają długość nieprzekraczającą 2,5 m; oraz

c.   mają szerokość przekraczającą 15 mm.

Uwaga 2:   Pozycja 1A002 nie obejmuje kontrolą produktów półgotowych, specjalnie zaprojektowanych do następujących, wyłącznie cywilnych, zastosowań:

a.   sprzęt sportowy;

b.   przemysł motoryzacyjny;

c.   przemysł obrabiarkowy;

d.   zastosowania medyczne.

Uwaga 3:   Pozycja 1A002.b.1 nie obejmuje kontrolą produktów półgotowych zawierających maksymalnie dwie warstwy plecionych włókien, specjalnie zaprojektowanych do następujących zastosowań:

a.   piec do obróbki cieplnej metali służący do odpuszczania metalu;

b.   urządzenia do produkcji monokryształu krzemu.

Uwaga 4:   Pozycja 1A002 nie obejmuje kontrolą produktów gotowych, specjalnie zaprojektowanych do konkretnych zastosowań.

1A003Wyroby z innych niż „topliwe” poliimidów aromatycznych, w postaci folii, arkuszy, taśm lub wstęg, które spełniają którekolwiek z poniższych kryteriów:

a. o grubości większej niż 0,254 μm; lub

b. są powlekane lub laminowane węglem, grafitem, metalami lub substancjami magnetycznymi.

Uwaga:   Pozycja 1A003 nie obejmuje kontrolą wyrobów powlekanych lub laminowanych miedzią, przeznaczonych do produkcji elektronicznych płytek drukowanych.

N.B.   „Topliwe” poliimidy aromatyczne w każdej postaci, zob. pozycja 1C008.a.3.

1A004Następujące urządzenia, wyposażenie i części ochronne i detekcyjne, inne niż specjalnie zaprojektowane do zastosowania wojskowego:

N.B.   ZOB. TAKŻE WYKAZ UZBROJENIA, POZYCJE 2B351 I 2B352.

a. maski przeciwgazowe, pochłaniacze i wyposażenie dekontaminacyjne do nich, zaprojektowane lub zmodyfikowane dla ochrony przed którymkolwiek z poniższych czynników, a także części specjalnie do nich zaprojektowane:

Uwaga:   Pozycja 1A004.a. obejmuje respiratory oczyszczające powietrze z własnym zasilaniem (PARP), zaprojektowane lub zmodyfikowane do celów ochrony przed środkami i materiałami wymienionymi w pozycji 1A004.a.

Uwaga techniczna:

Do celów pozycji 1A004.a.:

1.   Maski przeciwgazowe są również nazywane maskami gazowymi.

2.   Pochłaniacze obejmują również wkłady do filtrów.

1. „czynniki biologiczne”;

2. ‘materiały promieniotwórcze’;

3. chemiczne środki bojowe; lub

4. „środki rozpraszania tłumu”, w tym:

a. α-bromobenzenoacetonitryl (cyjanek bromobenzylu) (CA) (CAS 5798-79-8);

b. dinitryl [(2-chlorofenylo)metyleno]propanu, (o-chlorobenzylidenomalanonitryl) (CS) (CAS 2698-41-1);

c. 2-chloro-1-fenyloetanon, chlorek fenylacylu (ω-chloroacetofenon) (CN) (CAS 532-27-4);

d. dibenzo-(b,f)-1,4-oksazepina (CR) (CAS 257-07-8);

e. 10-chloro-5, 10-dihydrofenarsazyna, (chlorek fenarsazyny), (adamsyt), (DM) (CAS 578-94-9);

f. N-nonanoilomorfolina (MPA) (CAS 5299-64-9);

b. ubrania, rękawice i obuwie ochronne specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane dla ochrony przed którymkolwiek z poniższych:

1. „czynniki biologiczne”;

2. ‘materiały promieniotwórcze’; lub

3. chemiczne środki bojowe;

c. systemy detekcji, specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane dla wykrywania lub identyfikacji którychkolwiek z poniższych czynników, a także części specjalnie do nich zaprojektowane:

1. „czynniki biologiczne”;

2. ‘materiały promieniotwórcze’; lub

3. chemiczne środki bojowe.

d. urządzenia elektroniczne zaprojektowane do automatycznego wykrywania lub określania obecności pozostałości „materiałów wybuchowych” przy użyciu technik ‘wykrywania substancji śladowych’ (np. powierzchniowa fala akustyczna, spektrometria w oparciu o ruchliwość jonów, spektrometria w oparciu o rozkład ruchliwości, spektrometria masowa).

Uwaga techniczna:

‘Wykrywanie substancji śladowych’ oznacza zdolność do wykrywania poniżej 1 ppm gazu lub 1 mg substancji stałej lub cieczy.

Uwaga 1:   Pozycja 1A004.d nie obejmuje kontrolą urządzeń specjalnie zaprojektowanych do użytku laboratoryjnego.

Uwaga 2:   Pozycja 1A004.d nie obejmuje kontrolą stacjonarnych bezstykowych bramek bezpieczeństwa.

Uwaga:   Pozycja 1A004 nie obejmuje kontrolą:

a.   osobistych monitorujących dozymetrów promieniowania jądrowego;

b.   urządzeń BHP ograniczonych projektowo lub funkcjonalnie do spełniania ochrony przed zagrożeniami typowymi dla bezpieczeństwa mieszkańców i domostw lub przemysłu cywilnego, w tym w:

1.   górnictwie;

2.   eksploatacji kamieniołomów;

3.   rolnictwie;

4.   przemyśle farmaceutycznym;

5.   medycynie;

6.   weterynarii;

7.   ochronie środowiska;

8.   gospodarowaniu odpadami;

9.   przemyśle spożywczym.

Uwagi techniczne:

1.   Pozycja 1A004 obejmuje urządzenia i części, które uznano za skuteczne, przetestowano z wynikiem pozytywnym według norm krajowych lub w inny sposób dowiedziono ich skuteczności w zakresie wykrywania ‘materiałów promieniotwórczych’„czynników biologicznych”, chemicznych środków bojowych, ‘nietoksycznych substancji zastępczych’ lub „środków rozpraszania tłumu”, a także obrony przed wymienionymi materiałami, czynnikami i środkami, także wtedy, gdy takie wyposażenie lub części stosowane są w cywilnych gałęziach działalności, takich jak: górnictwo, przemysł wydobywczy, rolnictwo, przemysł farmaceutyczny, medycyna, weterynaria, ochrona środowiska, gospodarka odpadami lub przemysł spożywczy.

2.   ‘Nietoksyczna substancja zastępcza’ oznacza substancję lub materiał stosowany zamiast środków toksycznych (chemicznych lub biologicznych) w ramach szkoleń, badań naukowych, testów lub ocen.

3.   Do celów pozycji 1A004 ‘materiały promieniotwórcze’ oznaczają materiały wybrane lub zmodyfikowane w celu zwiększenia ich skuteczności w wywoływaniu strat w ludności lub zwierzętach, unieszkodliwianiu sprzętu lub powodowaniu strat w uprawach rolnych lub środowisku.

1A005Następujące kamizelki i okrycia kuloodporne oraz elementy do nich:

N.B.   ZOB. TAKŻE WYKAZ UZBROJENIA.

a. miękkie pancerze osobiste lub odzież ochronna, niewyprodukowane zgodnie z normami lub wymaganiami wojskowymi albo normami lub wymaganiami równoważnymi oraz specjalnie zaprojektowane do nich elementy składowe;

b. twarde płyty opancerzone do pancerzy osobistych dające ochronę balistyczną na poziomie IIIA lub niższym (NIJ 0101 .06, lipiec 2008) lub odpowiedniki krajowe.

N.B.   W odniesieniu do „materiałów włóknistych lub włókienkowych”, stosowanych do produkcji kamizelek kuloodpornych zob. 1C010.

Uwaga 1:   Pozycja 1A005 nie obejmuje kontrolą indywidualnych okryć kuloodpornych, gdy służą one ich użytkownikowi do osobistej ochrony.

Uwaga 2:   Pozycja 1A005 nie obejmuje kontrolą kamizelek kuloodpornych zaprojektowanych wyłącznie do ochrony czołowej zarówno przed odłamkami, jak i siłą podmuchu z niewojskowych urządzeń wybuchowych.

Uwaga 3:   Pozycja 1A005 nie obejmuje pancerzy osobistych zaprojektowanych wyłącznie do ochrony przed urazami na skutek pchnięcia nożem, szpikulcem, igłą lub tępym narzędziem.

1A006Wyposażenie specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do celów unieszkodliwiania następujących improwizowanych urządzeń wybuchowych oraz specjalnie zaprojektowanych części i akcesoriów do nich:

N.B.   ZOB. TAKŻE WYKAZ UZBROJENIA.

a. pojazdy zdalnie sterowane;

b. ‘neutralizatory’.

Uwaga techniczna:

‘Neutralizatory’ to urządzenia specjalnie zaprojektowane, by uniemożliwić działanie urządzenia wybuchowego przez wyrzucenie pocisku płynnego, stałego lub kruchego.

Uwaga:   Pozycja 1A006 nie obejmuje kontrolą wyposażenia obsługiwanego przez operatora.

1A007Następujące wyposażenie i urządzenia specjalnie zaprojektowane w celu inicjowania ładunków oraz urządzeń zawierających „materiały energetyczne” za pomocą środków elektrycznych:

N.B.   ZOB. TAKŻE WYKAZ UZBROJENIA, pozycje 3A229 I 3A232.

a. zestawy zapłonowe do detonatorów, zaprojektowane do detonatorów wymienionych w pozycji 1A007.b;

b. następujące zapłonniki elektryczne:

1. eksplodujące zapłonniki mostkowe (EB);

2. eksplodujące zapłonniki połączeń mostkowych (EBW);

3. zapłonniki udarowe;

4. eksplodujące zapłonniki foliowe (EFI).

Uwagi techniczne:

1.   Zamiast słowa detonator używa się czasami słowa inicjator lub zapłonnik.

2.   Do celów pozycji 1A007.b. wszystkie przedmiotowe detonatory wykorzystują małe przewodniki elektryczne (mostki, połączenia mostkowe lub folie) gwałtownie odparowujące po przepuszczeniu przez nie szybkich, wysokoprądowych impulsów elektrycznych. W przypadku zapłonników nieudarowych wybuchający przewodnik inicjuje eksplozję chemiczną w zetknięciu się z kruszącym materiałem wybuchowym, takim jak PETN (czteroazotan pentaerytrytu). W zapłonnikach udarowych wybuchowe odparowanie przewodnika elektrycznego zwalnia przeskok bijnika przez szczelinę, a jego uderzenie w materiał wybuchowy inicjuje eksplozję chemiczną. W niektórych przypadkach bijnik napędzany jest siłami magnetycznymi. Termin detonator w postaci folii eksplodującej może odnosić się zarówno do detonatorów typu EB, jak i udarowych.

1A008Następujące ładunki, urządzenia i części:

a. ‘ładunki kumulacyjne’ spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. zawartość materiałów wybuchowych netto (NEQ) większa niż 90 g; oraz

2. zewnętrzna średnica obudowy równa lub większa niż 75 mm;

b. ładunki tnące o kształcie liniowym spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów i specjalnie zaprojektowane do nich części:

1. zawartość materiałów wybuchowych większa niż 40 g/m; oraz

2. szerokość równa lub większa niż 10 mm;

c. lont detonujący o zawartości materiałów wybuchowych większej niż 64 g/m;

d. urządzenia tnące, inne niż wyszczególnione w 1A008.b, oraz narzędzia odcinające o zawartości materiałów wybuchowych netto (NEQ) większej niż 3,5 kg.

Uwaga techniczna:

‘Ładunki kumulacyjne’ to ładunki wybuchowe ukształtowane tak, by ukierunkować siłę wybuchu.

1A102Elementy z przesyconego pirolizowanego materiału typu węgiel-węgiel przeznaczone do kosmicznych pojazdów nośnych określonych w pozycji 9A004 lub do rakiet meteorologicznych określonych w pozycji 9A104.

1A202Elementy kompozytowe, inne niż wymienione w pozycji 1A002, w postaci rur i mające obie z następujących cech:

N.B.   ZOB. TAKŻE POZYCJE 9A010 I 9A110.

a. średnicę wewnętrzną od 75 mm do 400 mm; oraz

b. są wykonane z jednego z „materiałów włóknistych lub włókienkowych” wymienionych w pozycji 1C010.a, 1C010.b lub 1C210.a lub z materiałów węglowych wyspecyfikowanych w pozycji 1C210.c.

1A225Katalizatory platynowe specjalnie opracowane lub przygotowane do wspomagania reakcji wymiany izotopów wodoru pomiędzy wodorem a wodą w celu separacji trytu z ciężkiej wody lub w celu produkcji ciężkiej wody.

1A226Wyspecjalizowane wkłady do oddzielania ciężkiej wody od wody zwykłej, mające obydwie z następujących cech:

a. są wykonane z siatek z brązu fosforowego obrabianych chemicznie dla zwiększenia nasiąkliwości; oraz

b. są przeznaczone do stosowania w próżniowych wieżach destylacyjnych.

1A227Przeciwradiacyjne okna ochronne o wysokiej gęstości (ze szkła ołowiowego lub podobnych materiałów), mające wszystkie z następujących cech, oraz specjalnie do nich zaprojektowane ramy:

a. powierzchnię w obszarze nieradioaktywnym powyżej 0,09 m2;

b. gęstość powyżej 3 g/cm3; oraz

c. grubość 100 mm lub większą.

Uwaga techniczna:

Na użytek pozycji 1A227 termin ‘obszar nieradioaktywny’ oznacza pole widzenia okna wystawionego na promieniowanie o poziomie najniższym w danym zastosowaniu.

1BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne

1B001Następujące urządzenia do produkcji lub kontroli wyrobów lub laminatów „kompozytowych” wyszczególnionych w pozycji 1A002 lub „materiałów włóknistych lub włókienkowych” wyszczególnionych w pozycji 1C010 oraz specjalnie do nich skonstruowane elementy i akcesoria:

N.B.   ZOB. TAKŻE POZYCJE 1B101 I 1B201.

a. maszyny nawojowe do włókien, z koordynowanymi i programowanymi w trzech lub więcej ‘głównych osiach serwosterowania’ ruchami związanymi z ustawianiem, owijaniem i nawijaniem włókien, specjalnie zaprojektowane z przeznaczeniem do produkcji wyrobów „kompozytowych” lub laminatów, z „materiałów włóknistych lub włókienkowych”;

b. ‘maszyny do układania taśm’, z koordynowanymi i programowanymi w co najmniej pięciu ‘głównych osiach serwosterowania’ ruchami związanymi z ustawianiem w odpowiednim położeniu i układaniem taśm, specjalnie zaprojektowane do produkcji „kompozytowych” elementów konstrukcyjnych płatowca lub ‘pocisku rakietowego’;

Uwaga:   W pozycji 1B001.b ‘pocisk rakietowy’ oznacza kompletne systemy rakietowe i systemy bezzałogowych statków powietrznych.

Uwaga techniczna:

Na użytek pozycji 1B001.b ‘maszyny do układania taśm’ są zdolne do układania jednego lub więcej ‘pasm włókien’ ograniczonych do szerokości większej niż 25,4 mm, lecz mniejszej lub równej 304,8 mm oraz do cięcia i ponownego rozpoczynania pojedynczych ‘pasm włókien’ podczas procesu układania.

c. wielokierunkowe, wielowymiarowe maszyny tkackie lub maszyny do przeplatania, łącznie z zestawami adaptacyjnymi i modyfikacyjnymi, zaprojektowane lub zmodyfikowane specjalnie do tkania, przeplatania lub splatania włókien na potrzeby elementów „kompozytowych”;

Uwaga techniczna:

Na użytek pozycji 1B001.c technika przeplatania obejmuje również dzianie.

d. następujące urządzenia specjalnie zaprojektowane lub przystosowane do produkcji włókien wzmocnionych:

1. urządzenia do przetwarzania włókien polimerowych (takich jak poliakrylonitryl, włókno z celulozy regenerowanej, paku lub polikarbosilanu) we włókna węglowe lub włókna węglika krzemu, łącznie ze specjalnymi urządzeniami do naprężania włókien podczas ogrzewania;

2. urządzenia do chemicznego osadzania par pierwiastków lub związków chemicznych na ogrzanych podłożach włóknistych w celu wyprodukowania włókien z węglika krzemu;

3. urządzenia do mokrego przędzenia ogniotrwałych materiałów ceramicznych (takich jak tlenek glinu);

4. urządzenia do przetwarzania za pomocą obróbki cieplnej włókien macierzystych zawierających aluminium we włókna tlenku glinu;

e. urządzenia do produkcji prepregów, wyszczególnionych w pozycji 1C010.e, metodą topienia termicznego (hot melt);

f. następujące urządzenia do badań nieniszczących specjalnie zaprojektowane do materiałów „kompozytowych”:

1. systemy tomografii rentgenowskiej do kontroli wad w trzech wymiarach;

2. sterowane numerycznie ultradźwiękowe urządzenia badawcze, w których ruchy nadajników lub odbiorników do pozycjonowania są równocześnie sterowane i programowane w co najmniej czterech osiach w celu śledzenia trójwymiarowych kształtów badanych elementów;

g. ‘maszyny do układania kabli’ z włókien, z koordynowanymi i programowanymi w co najmniej dwóch ‘głównych osiach serwosterowania’ ruchami związanymi z ustawianiem w odpowiednim położeniu i układaniem kabli, specjalnie zaprojektowane do produkcji „kompozytowych” elementów konstrukcyjnych płatowca lub ‘pocisku rakietowego’;

Uwaga techniczna:

Do celów pozycji 1B001.g ‘maszyny do układania kabli’ są zdolne do układania jednego lub więcej ‘pasm włókien’ o szerokości mniejszej lub równej 25,4 mm oraz do cięcia i ponownego rozpoczynania pojedynczych ‘pasm włókien’ podczas procesu układania.

Uwagi techniczne:

1.   Do celów pozycji 1B001 ‘główne osie serwosterowania’ sterują pod kontrolą programu komputerowego pozycją manipulatora (tj. głowicą) w przestrzeni w odniesieniu do obrabianego elementu, nadając mu właściwe położenie i kierunek, by osiągnąć pożądany wynik.

2.   Do celów pozycji 1B001 ‘pasmo włókna’ oznacza pojedynczą ciągłą szerokość taśmy, kabla lub włókna częściowo impregnowanych żywicą. ‘Pasma włókna’ całkowicie lub częściowo impregnowane żywicą obejmują pasma pokryte suchym proszkiem, który przywiera po podgrzaniu.

1B002Urządzenia do produkcji stopów metali, proszków ze stopów metali lub materiałów stopowych specjalnie zaprojektowane w celu zabezpieczenia przed zanieczyszczeniem i specjalnie zaprojektowane do wykorzystania w jednym z procesów wyszczególnionych w pozycji 1C002.c.2.

N.B.   ZOB. TAKŻE POZYCJA 1B102.

1B003Narzędzia, matryce, formy lub osprzęt o specjalnej konstrukcji do przetwarzania tytanu, glinu lub ich stopów w „stanie nadplastycznym” lub metodą „zgrzewania dyfuzyjnego” z przeznaczeniem do produkcji którychkolwiek z poniższych:

a. konstrukcji lotniczych lub kosmicznych;

b. silników do „statków powietrznych” i rakiet kosmicznych; lub

c. specjalnie zaprojektowanych zespołów do konstrukcji wyszczególnionych w pozycji 1B003.a lub silników wyszczególnionych w pozycji 1B003.b.

1B101Następujące urządzenia, inne niż wyszczególnione w pozycji 1B001, do „produkcji” kompozytów konstrukcyjnych oraz specjalnie do nich skonstruowane elementy i akcesoria:

N.B.   ZOB. TAKŻE POZYCJA 1B201.

Uwaga:   Do wyszczególnionych w pozycji 1B101 elementów i akcesoriów należą formy, trzpienie, matryce, uchwyty i oprzyrządowanie do wstępnego prasowania, utrwalania, odlewania, spiekania lub spajania elementów kompozytowych, laminatów i wytworzonych z nich wyrobów.

a. maszyny nawojowe do włókien lub maszyny do zbrojenia włóknami, z koordynowanymi i programowanymi w trzech lub więcej osiach ruchami związanymi z ustawianiem, owijaniem i nawijaniem włókien, specjalnie zaprojektowane z przeznaczeniem do produkcji wyrobów kompozytowych lub laminatów z materiałów włóknistych lub włókienkowych;

b. maszyny do układania taśm z koordynowanymi i programowanymi w co najmniej dwóch osiach ruchami związanymi z ustawianiem w odpowiednim położeniu i układaniem taśm i arkuszy, specjalnie zaprojektowane z przeznaczeniem do kompozytowych elementów konstrukcyjnych płatowca lub „pocisku rakietowego”;

c. następujące urządzenia zaprojektowane lub przystosowane do „produkcji”„materiałów włóknistych lub włókienkowych”:

1. urządzenia do przetwarzania włókien polimerowych (takich jak poliakrylonitryl, włókno z celulozy regenerowanej lub polikarbosilan) łącznie ze specjalnymi urządzeniami do naprężania włókien podczas ogrzewania;

2. urządzenia do chemicznego osadzania par pierwiastków lub związków chemicznych na ogrzanych podłożach włóknistych;

3. urządzenia do mokrego przędzenia ogniotrwałych materiałów ceramicznych (takich jak tlenek glinu);

d. urządzenia skonstruowane lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do specjalnej obróbki powierzchniowej włókien lub do wytwarzania prepregów i preform wyszczególnionych w pozycji 9C110.

Uwaga:   Do urządzeń ujętych w pozycji 1B101.d zalicza się rolki, naprężacze, zespoły powlekające, urządzenia do cięcia i formy zatrzaskowe.

1B102„Urządzenia produkcyjne” do wytwarzania proszków metali, inne niż wyszczególnione w poz. 1B002, oraz następujące elementy:

N.B.   ZOB. TAKŻE POZYCJA 1B115.b.

a. „urządzenia produkcyjne” do wytwarzania proszków metali umożliwiające „produkcję”, w kontrolowanej atmosferze, sferycznych, sferoidalnych lub pylistych materiałów wyszczególnionych w pozycjach 1C011.a, 1C011.b, 1C111.a.1, 1C111.a.2 lub w wykazie uzbrojenia;

b. specjalnie zaprojektowane elementy do „urządzeń produkcyjnych” wyszczególnionych w poz. 1B002 lub 1B102.a.

Uwaga:   Pozycja 1B102 obejmuje:

a.   generatory plazmowe (na zasadzie łuku elektrycznego wysokiej częstotliwości) nadające się do otrzymywania pylistych lub sferycznych proszków metali, z organizacją procesu w środowisku argon-woda;

b.   urządzenia elektroimpulsowe umożliwiające otrzymywanie pylistych lub sferycznych proszków metali, z organizacją procesu w środowisku argon-woda;

c.   urządzenia umożliwiające „produkcję” sferycznych proszków aluminiowych przez rozpylanie roztopionego metalu w atmosferze obojętnej (np. azocie).

1B115Urządzenia, inne niż wyszczególnione w pozycjach 1B002 lub 1B102, do produkcji paliw i składników paliw oraz specjalnie do nich skonstruowane podzespoły:

a. „urządzenia produkcyjne” do „produkcji”, manipulowania i testowania odbiorczego paliw płynnych i składników paliw wyszczególnionych w pozycjach 1C011.a, 1C011.b i 1C111 lub w wykazie uzbrojenia;

b. „urządzenia produkcyjne” do „produkcji”, manipulowania, mieszania, utrwalania, odlewania, prasowania, obrabiania, wytłaczania lub testowania odbiorczego paliw stałych i składników paliw wyszczególnionych w pozycjach 1C011.a, 1C011.b i 1C111 lub w wykazie uzbrojenia.

Uwaga:   Pozycja 1B115.b nie obejmuje kontrolą mieszarek okresowych, mieszarek ciągłych lub młynów wykorzystujących energię płynów. W sprawie kontroli mieszarek okresowych, mieszarek ciągłych lub młynów wykorzystujących energię płynów zob. pozycje 1B117, 1B118 i 1B119.

Uwaga 1:   Urządzenia specjalnie zaprojektowane do produkcji wyrobów militarnych wymagają każdorazowo sprawdzenia wykazu uzbrojenia.

Uwaga 2:   Pozycja 1B115 nie obejmuje kontrolą urządzeń do „produkcji”, manipulowania i testowania odbiorczego węgliku boru.

1B116Dysze o specjalnej konstrukcji, przeznaczone do wytwarzania materiałów pochodzenia pirolitycznego, formowanych w matrycy, na trzpieniu lub innym podłożu, z gazów macierzystych rozkładających się w zakresie temperatur od 1 573 K (1 300 °C) do 3 173 K (2 900 °C) przy ciśnieniach w zakresie od 130 Pa do 20 kPa.

1B117Mieszarki okresowe umożliwiające mieszanie próżniowe w zakresie od zera do 13,326 kPa, w których można regulować temperaturę w komorze mieszania, spełniające wszystkie poniższe kryteria i specjalnie zaprojektowane do nich elementy:

a. całkowita wydajność objętościowa 110 litrów lub większa; oraz

b. co najmniej jeden ‘wał mieszający/ugniatający’ osadzony mimośrodowo.

Uwaga:   W pozycji 1B117.b ‘wał mieszający/ugniatający’ nie obejmuje rozdrabniaczy i głowic nożowych.

1B118Mieszarki ciągłe umożliwiające mieszanie próżniowe w zakresie od zera do 13,326 kPa, w których można regulować temperaturę w komorze mieszania i które spełniają którekolwiek z poniższych kryteriów, oraz specjalnie zaprojektowane do nich elementy:

a. dwa lub więcej wałów mieszających/ugniatających; lub

b. jeden oscylujący wał obrotowy z zębami/kołkami ugniatającymi na nim, jak również wewnątrz obudowy komory mieszalniczej.

1B119Młyny wykorzystujące energię płynów, nadające się do rozdrabniania i mielenia substancji wyszczególnionych w pozycjach 1C011.a, 1C011.b i 1C111 lub w wykazie uzbrojenia, i specjalnie zaprojektowane do nich elementy.

1B201Następujące maszyny do nawijania włókien i związane z nimi wyposażenie, inne niż wyszczególnione w pozycji 1B001 lub 1B101:

a. maszyny do nawijania włókien, mające wszystkie z następujących cech:

1. koordynację i programowanie ruchów związanych z ustawianiem, owijaniem i nawijaniem włókien, w dwóch lub więcej osiach;

2. są specjalnie zaprojektowane z przeznaczeniem do produkcji wyrobów kompozytowych lub laminatów z „materiałów włóknistych lub włókienkowych”; oraz

3. są zdolne do nawijania cylindrycznych rurek o średnicy od 75 mm do 650 mm i długości 300 mm lub większej;

b. sterowniki koordynujące i programujące do maszyn do nawijania włókien wyszczególnionych w 1B201.a;

c. trzpienie precyzyjne do maszyn do nawijania włókien wyszczególnionych w 1B201.a.

1B225Ogniwa elektrolityczne do produkcji fluoru o wydajności większej niż 250 gramów fluoru na godzinę.

1B226Elektromagnetyczne separatory izotopów, skonstruowane z przeznaczeniem do współpracy z jednym lub wieloma źródłami jonów zdolnymi do uzyskania wiązki jonów o całkowitym natężeniu rzędu 50 mA lub więcej.

Uwaga:   Pozycja 1B226 obejmuje następujące separatory:

a.   zdolne do wzbogacania izotopów trwałych;

b.   ze źródłami i kolektorami jonów zarówno w polu magnetycznym, jak i w takich instalacjach, w których zespoły te znajdują się na zewnątrz pola.

1B228Kolumny do kriogenicznej destylacji wodoru posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy:

a. zaprojektowane z przeznaczeniem do pracy przy temperaturach wewnętrznych 35 K (– 238 °C) lub niższych;

b. zaprojektowane z przeznaczeniem do pracy przy ciśnieniach wewnętrznych od 0,5 do 5 MPa;

c. skonstruowane:

1. z drobnoziarnistych stali nierdzewnych klasy 300 o niskiej zawartości siarki i o wielkości ziarna austenitu 5 lub większym według norm ASTM (lub równoważnych); lub

2. z materiałów równoważnych nadających się zarówno do działań w warunkach kriogenicznych, jak i w atmosferze H2; oraz

d. o średnicach wewnętrznych 30 cm lub większych i ‘długościach efektywnych’ 4 m lub większych.

Uwaga techniczna:

W pozycji 1B228 ‘długość efektywna’ oznacza aktywną wysokość materiału wypełniającego w kolumnach z wypełnieniem lub aktywną wysokość płyt kontaktora wewnętrznego w kolumnach płytowych.

1B229Następujące kolumny półkowe do wymiany typu woda-siarkowodór oraz ‘kontaktory wewnętrzne’ do nich:

N.B.   W przypadku kolumn specjalnie zaprojektowanych lub przygotowanych do produkcji ciężkiej wody zob. 0B004.

a. kolumny półkowe do wymiany typu woda-siarkowodór, mające wszystkie z następujących cech:

1. są przeznaczone do pracy przy ciśnieniu znamionowym 2 MPa lub wyższym;

2. są wykonane z drobnoziarnistej stali węglowej o wielkości ziarna 5 lub większym według norm ASTM (lub równoważnych); oraz

3. mają średnicę 1,8 m lub większą;

b. ‘kontaktory wewnętrzne’ dla kolumn półkowych do wymiany typu woda-siarkowodór zdefiniowanych w poz. 1B229.a.

Uwaga techniczna:

‘Kontaktory wewnętrzne’ w kolumnach są segmentowymi półkami o zespołowej średnicy roboczej 1,8 m lub większej, skonstruowanymi w sposób ułatwiający kontakt czynników w przepływie przeciwprądowym, wykonanymi ze stali nierdzewnej o zawartości węgla 0,03 % lub mniejszej. Mogą one mieć postać półek sitowych, półek zaworowych, półek dzwonowych lub rusztowych.

1B230Pompy do przetłaczania roztworów katalizatora z amidku potasu rozcieńczonego lub stężonego w ciekłym amoniaku (KNH2/NH3), posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy:

a. szczelność dla powietrza (tj. hermetycznie zamknięte);

b. wydajność powyżej 8,5 m3/godz.; oraz

c. nadające się do:

1. stężonych roztworów amidku potasu (1 % lub powyżej) – ciśnienie robocze 1,5–60 MPa; lub

2. rozcieńczonych roztworów amidku potasu (poniżej 1 %) – ciśnienie robocze 20–60 MPa.

1B231Następujące urządzenia i instalacje do obróbki trytu lub ich podzespoły:

a. urządzenia lub instalacje do produkcji, odzyskiwania, ekstrakcji, stężania trytu lub manipulowania trytem;

b. następujące urządzenia dla instalacji lub fabryk trytu:

1. urządzenia do chłodzenia wodoru lub helu zdolne do chłodzenia do temperatury 23 K (– 250 °C) lub poniżej, o wydajności odprowadzania ciepła powyżej 150 watów;

2. instalacje do magazynowania i oczyszczania izotopów wodoru za pomocą wodorków metali jako środków do magazynowania lub oczyszczania.

1B232Turborozprężarki lub zestawy turborozprężarka-sprężarka mające obie z wymienionych niżej cech:

a. zaprojektowane do działania przy temperaturze wylotowej poniżej 35 K (– 238 °C) lub niższej; oraz

b. posiadające przepustowość wodoru większą lub równą 1 000 kg/h.

1B233Następujące urządzenia i instalacje do separacji izotopów litu oraz ich układy i podzespoły do nich:

a. urządzenia i instalacje do separacji izotopów litu;

b. następujące podzespoły do separacji izotopów litu w oparciu o proces amalgamacji litu i rtęci:

1. kolumny z wypełnieniem do wymiany cieczowo-cieczowej specjalnie zaprojektowane do amalgamatów litu;

2. pompy do pompowania rtęci lub amalgamatu litu;

3. ogniwa do elektrolizy amalgamatu litu;

4. aparaty wyparne do zagęszczonych roztworów wodorotlenku litu;

c. układy wymiany jonowej specjalnie zaprojektowane do separacji izotopów litu oraz specjalnie do nich zaprojektowane elementy;

d. układy wymiany chemicznej (wykorzystujące etery kronowe, kryptandy lub etery lariatowe) specjalnie zaprojektowane do separacji izotopów litu oraz specjalnie do nich zaprojektowane elementy.

1B234Pojemniki do materiałów wybuchowych, komory, kontenery i inne podobne urządzenia zaprojektowane do testowania materiałów wybuchowych lub urządzeń wybuchowych, mające obie poniższe cechy:

N.B.   ZOB. TAKŻE WYKAZ UZBROJENIA.

a. są zaprojektowane do całkowitego przyjęcia wybuchu równoważnego 2 kg TNT lub więcej: oraz

b. mają elementy konstrukcyjne lub cechy, które umożliwiają przekazywanie danych diagnostycznych lub pomiarowych w czasie rzeczywistym lub z opóźnieniem.

1CMateriały

Uwaga techniczna:

Metale i stopy:

Jeżeli nie zastrzeżono inaczej, terminy ‘metale’ i ‘stopy’ używane w pozycjach od 1C001 do 1C012 dotyczą następujących wyrobów surowych i półfabrykatów:

Wyroby surowe:

Anody, kule, pręty (łącznie z prętami karbowanymi i ciągnionymi), kęsy, bloki, bochny, brykiety, placki, katody, kryształy, kostki, struktury, ziarna, sztaby, bryły, pastylki, surówki, proszki, podkładki, śruty, płyty, owale osadnicze, gąbki i drążki.

Półfabrykaty (zarówno powlekane, pokrywane galwanicznie, wiercone i wykrawane, jak i niepoddane żadnej z tych obróbek):

a.   przerobione plastycznie lub obrobione materiały wyprodukowane poprzez walcowanie, wyciąganie, wytłaczanie, kucie, prasowanie, granulowanie, rozpylanie, mielenie, tj.: kątowniki, ceowniki, koła, tarcze, pyły, płatki, folie, odkuwki, płyty, proszki, wytłoczki, wypraski, wstęgi, pierścienie, pręty (w tym pręty spawalnicze, walcówki i druty walcowane), kształtowniki, arkusze, taśmy, rury, rurki (w tym rury bezszwowe, rury o przekroju kwadratowym i tuleje rurowe), druty ciągnione i tłoczone;

b.   materiały odlewnicze produkowane przez odlewanie w piasku, kokilach, formach metalowych, gipsowych i innych, w tym przez odlewanie pod ciśnieniem, formy spiekane i formy wykonywane w metalurgii proszkowej.

Cel kontroli nie powinien być omijany przez eksportowanie form niewymienionych w wykazie jako produktów rzekomo finalnych, ale będących w rzeczywistości formami surowymi lub półfabrykatami.

1C001Następujące materiały specjalnie opracowane z przeznaczeniem na pochłaniacze fal elektromagnetycznych lub polimery przewodzące samoistnie:

N.B.   ZOB. TAKŻE POZYCJA 1C101.

a. materiały pochłaniające fale o częstotliwościach powyżej 2 × 108 Hz, ale poniżej 3 × 1012 Hz;

Uwaga 1:   Pozycja 1C001.a nie obejmuje kontrolą:

a.   pochłaniaczy typu włosowego, wykonanych z włókien naturalnych lub syntetycznych, w których pochłanianie osiąga się innym sposobem niż magnetyczny;

b.   pochłaniaczy niewykazujących strat magnetycznych oraz takich, których powierzchnia, na którą pada promieniowanie, nie jest planarna, w tym ostrosłupów, stożków, klinów i powierzchni zwichrowanych;

c.   pochłaniaczy planarnych spełniających wszystkie poniższe kryteria:

1.   wykonane z któregokolwiek z poniższych:

a.   ze spienionych tworzyw sztucznych (elastycznych lub nieelastycznych) wzmacnianych węglem lub z materiałów organicznych, łącznie z materiałami wiążącymi, dających więcej niż 5 % echa w porównaniu z metalami, w paśmie o szerokości wyższej o ± 15 % od częstotliwości centralnej padającej fali, i nieodpornych na temperatury przekraczające 450 K (177 °C); lub

b.   z materiałów ceramicznych dających o ponad 20 % echa więcej w porównaniu z metalami, w paśmie o szerokości wyższej o ± 15 % od częstotliwości centralnej padającej fali, i nieodpornych na temperatury przekraczające 800 K (527 °C);

Uwaga techniczna:

Próbki do badania stopnia pochłaniania materiałów wyszczególnionych w uwadze 1.c.1 do pozycji 1C001.a. Uwaga: powinny być kwadratami o boku równym co najmniej 5 długościom fali o częstotliwości centralnej i umieszczone w polu dalekim elementu promieniującego fale elektromagnetyczne.

2.   wytrzymałość na rozciąganie poniżej 7 × 106 N/m2; oraz

3.   wytrzymałość na ściskanie poniżej 14 × 106 N/m2;

d.   pochłaniaczy planarnych wykonanych ze spieku ferrytowego, spełniających wszystkie poniższe kryteria:

1.   gęstość względna powyżej 4,4; oraz

2.   maksymalna temperatura robocza na poziomie 548 K (275 °C).

Uwaga 2:   Żadne sformułowanie w uwadze 1 do pozycji 1C001.a nie zwalnia z kontroli materiałów magnetycznych użytych jako pochłaniacze fal w farbach.

b. materiały pochłaniające fale o częstotliwościach powyżej 1,5 × 1014 Hz, ale poniżej 3,7 × 1014 Hz i nieprzezroczyste dla promieniowania widzialnego;

Uwaga:   Pozycja 1C001.b nie obejmuje kontrolą materiałów specjalnie zaprojektowanych lub opracowanych do któregokolwiek z poniższych zastosowań:

a.   „laserowe” znakowanie polimerów; lub

b.   „laserowe” spawanie polimerów;

c. materiały polimerowe przewodzące samoistnie, o ‘objętościowej przewodności elektrycznej’ powyżej 10 000 S/m (simensów na metr) lub ‘oporności powierzchniowej’ poniżej 100 omów/m2, których podstawową częścią składową jest którykolwiek z następujących polimerów:

1. polianilina;

2. polipirol;

3. politiofen;

4. polifenylenowinylen; lub

5. polietylenowinylen.

Uwaga:   Pozycja 1C001.c nie obejmuje kontrolą materiałów w postaci ciekłej.

Uwaga techniczna:

‘Objętościową przewodność elektryczną’ oraz ‘oporność powierzchniową’ należy określać zgodnie z normą ASTM D-257 lub jej odpowiednikami.

1C002Następujące stopy metali, proszki stopów metali lub materiały stopowe:

N.B.   ZOB. TAKŻE POZYCJA 1C202.

Uwaga:   Pozycja 1C002 nie obejmuje kontrolą stopów metali, proszków stopów metali ani materiałów stopowych, specjalnie przeznaczonych do celów powlekania.

Uwagi techniczne:

1.   Do stopów metalu według pozycji 1C002 zalicza się takie, które zawierają wyższy procent wagowy danego metalu niż dowolnego innego pierwiastka.

2.   ‘Trwałość w próbie pełzania do zerwania’ należy określać według normy ASTM E-139 lub jej krajowych odpowiedników.

3.   ‘Trwałość w niskocyklowych badaniach zmęczeniowych’ należy określać według normy ASTM E-606 ‘Zalecana metoda niskocyklowego badania zmęczeniowego przy stałej amplitudzie’ lub jej krajowych odpowiedników. Badania należy prowadzić przy obciążeniu skierowanym osiowo, przy średniej wartości współczynnika asymetrii cyklu 1 oraz wartości współczynnika spiętrzenia naprężeń (Kt) równej 1. Naprężenie średnie definiuje się jako różnicę naprężenia maksymalnego i minimalnego podzieloną przez naprężenie maksymalne.

a. następujące glinki:

1. glinki niklu zawierające wagowo co najmniej 15 %, a co najwyżej 38 % glinu i przynajmniej jeden dodatek stopowy;

2. glinki tytanu zawierające wagowo 10 % lub więcej glinu i przynajmniej jeden dodatek stopowy;

b. następujące stopy metali wykonane z materiałów w postaci proszków lub pyłów wyszczególnionych w pozycji 1C002.c:

1. stopy niklu spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

a. ich ‘trwałość w próbie pełzania do zerwania’ wynosi 10 000 lub więcej godzin w temperaturze 923 K (650 °C) przy naprężeniu 676 MPa; lub

b. ich ‘trwałość w niskocyklowych badaniach zmęczeniowych’ wynosi 10 000 lub więcej cykli w temperaturze 823 K (550 °C) przy maksymalnym naprężeniu 1 095 MPa;

2. stopy niobu spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

a. ich ‘trwałość w próbie pełzania do zerwania’ wynosi 10 000 lub więcej godzin w temperaturze 1 073 K (800 °C) przy naprężeniu 400 MPa; lub

b. ich ‘trwałość w niskocyklowych badaniach zmęczeniowych’ wynosi 10 000 lub więcej cykli w temperaturze 973 K (700 °C) przy maksymalnym naprężeniu 700 MPa;

3. stopy tytanu spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

a. ich ‘trwałość w próbie pełzania do zerwania’ wynosi 10 000 lub więcej godzin w temperaturze 723 K (450 °C) przy naprężeniu 200 MPa; lub

b. ich ‘trwałość w niskocyklowych badaniach zmęczeniowych’ wynosi 10 l000 lub więcej cykli w temperaturze 723 K (450 °C) przy maksymalnym naprężeniu 400 MPa;

4. stopy glinu spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

a. ich wytrzymałość na rozciąganie wynosi 240 MPa lub więcej w temperaturze 473 K (200 °C); lub

b. ich wytrzymałość na rozciąganie wynosi 415 MPa lub więcej w temperaturze 298 K (25 °C);

5. stopy magnezu spełniające wszystkie poniższe kryteria:

a. ich wytrzymałość na rozciąganie wynosi 345 MPa lub więcej; oraz

b. szybkość korozji w 3 % wodnym roztworze chlorku sodowego, mierzona według normy ASTM G-31 lub jej krajowych odpowiedników, wynosi poniżej 1 mm/rok;

c. proszki lub pyły stopów metali spełniające wszystkie poniższe kryteria:

1. wykonane z dowolnego materiału o podanych poniżej składach:

Uwaga techniczna:

W podanych poniżej związkach X oznacza jeden lub większą liczbę składników stopu.

a. stopów niklu (Ni-Al-X, Ni-X-Al) przeznaczonych do wyrobu części lub zespołów silników turbinowych, tj. zawierających mniej niż 3 cząsteczki niemetaliczne (wprowadzone podczas procesu produkcji) o wielkości przekraczającej 100 μm na 109 cząsteczek stopu;

b. stopów niobu (Nb-Al-X lub Nb-X-Al, Nb-Si-X lub Nb-X-Si, Nb-Ti-X lub Nb-X-Ti);

c. stopów tytanu (Ti-Al-X lub Ti-X-Al);

d. stopów glinu (Al-Mg-X lub Al-X-Mg, Al-Zn-X lub Al-X-Zn, Al-Fe-X lub Al-X-Fe); lub

e. stopów magnezu (Mg-Al-X lub Mg-X-Al);

2. wyprodukowane w atmosferze o regulowanych parametrach jedną z następujących metod:

a. „rozpylania próżniowego”;

b. „rozpylania gazowego”;

c. „rozpylania rotacyjnego”;

d. „chłodzenia ultraszybkiego”;

e. „formowania rotacyjnego z fazy stopionej” i „rozdrabniania”;

f. „formowania ekstrakcyjnego z fazy stopionej” i „rozdrabniania”;

g. „stapiania mechanicznego”; lub

h. „atomizacji plazmowej”; oraz

3. nadające się do formowania materiałów wyszczególnionych w pozycji 1C002.a lub 1C002.b;

d. materiały stopowe spełniające wszystkie poniższe kryteria:

1. wykonane z dowolnego materiału o składzie wyszczególnionym w pozycji 1C002.c.1;

2. w postaci niesproszkowanych płatków, wstążek lub cienkich pręcików; oraz

3. wyprodukowane w atmosferze o regulowanych parametrach jedną z następujących metod:

a. „chłodzenia ultraszybkiego”;

b. „formowania rotacyjnego z fazy stopionej”; lub

c. „formowania ekstrakcyjnego z fazy stopionej”.

1C003Metale magnetyczne, bez względu na typ i postać, spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

a. ich początkowa względna przenikalność magnetyczna wynosi 120 000 lub więcej, a grubość 0,05 mm lub mniej;

Uwaga techniczna:

Początkową względną przenikalność magnetyczną należy mierzyć na materiałach całkowicie wyżarzonych.

b. stopy magnetostrykcyjne spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. magnetostrykcja nasycenia powyżej 5 × 10–4; lub

2. współczynnik sprzężenia żyromagnetycznego (k) powyżej 0,8; lub

c. taśmy ze stopów amorficznych lub ‘nanokrystalicznych’ spełniające wszystkie poniższe kryteria:

1. skład zawierający co najmniej 75 % wagowych żelaza, kobaltu lub niklu;

2. indukcja magnetyczna nasycenia (Bs) wynosząca 1,6 T lub więcej; oraz

3. spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

a. grubość taśmy 0,02 mm lub mniejsza; lub

b. oporność właściwa 2 × 10–4 omów cm lub większa.

Uwaga techniczna:

Pod pojęciem materiały ‘nanokrystaliczne’ w pozycji 1C003.c rozumie się materiały o rozmiarze ziarna krystalicznego wynoszącym 50 nm lub mniej, zmierzonym metodą dyfrakcji promieniowania rentgenowskiego.

1C004Stopy uranowo-tytanowe lub stopy wolframu na „matrycy” z żelaza, niklu lub miedzi spełniające wszystkie poniższe kryteria:

a. gęstość powyżej 17,5 g/cm3;

b. granica sprężystości powyżej 880 MPa;

c. wytrzymałość na rozciąganie powyżej 1 270 MPa; oraz

d. wydłużenie powyżej 8 %.

1C005Następujące „nadprzewodzące” przewodniki „kompozytowe” o długości powyżej 100 m lub masie powyżej 100 g:

a. „nadprzewodzące” przewodniki „kompozytowe”, w których skład wchodzi co najmniej jedno ‘włókno’ niobowo-tytanowe, spełniające oba poniższe kryteria:

1. osadzone w „matrycy” różnej od miedzianej lub „matrycy” mieszanej na osnowie miedzi; oraz

2. mające pole przekroju poprzecznego poniżej 0,28 × 10–4 mm2 (o średnicy 6 μm w przypadku „włókien” o przekroju kołowym);

b. „nadprzewodzące” przewodniki „kompozytowe”, w których skład wchodzi co najmniej jedno ‘włókno’„nadprzewodzące” inne niż niobowo-tytanowe, spełniające wszystkie poniższe kryteria:

1. „temperatura krytyczna” przy zerowej indukcji magnetycznej powyżej 9,85 K (– 263,31 °C); oraz

2. pozostawanie w stanie „nadprzewodzącym” w temperaturze 4,2 K (– 268,96 °C) pod działaniem pola magnetycznego działającego w jakimkolwiek kierunku prostopadłym do osi podłużnej przewodnika oraz równoważnego indukcji magnetycznej 12 T o krytycznej gęstości prądu większej niż 1 750 A/mm2 w całkowitym polu przekroju poprzecznego przewodnika;

c. „nadprzewodzące” przewodniki „kompozytowe”, w których skład wchodzi co najmniej jedno ‘włókno’„nadprzewodzące”, które nadal są „nadprzewodzące” w temperaturze powyżej 115 K (– 158,16 °C).

Uwaga techniczna:

Do celów pozycji 1C005 ‘włókna’ mogą być w postaci drutu, cylindra, folii, taśmy lub wstęgi.

1C006Następujące płyny i materiały smarne:

a. nieużywane;

b. materiały smarne zawierające jako części składowe podstawowe którekolwiek z poniższych:

1. etery lub tioetery fenylenowe lub alkilofenylenowe lub ich mieszaniny, zawierające powyżej dwóch grup funkcyjnych eteru lub tioeteru lub ich mieszaninę; lub

2. fluorowe oleje silikonowe o lepkości kinematycznej poniżej 5 000 mm2/s (5 000 centystokesów) mierzonej w temperaturze 298 K (25 °C);

c. płyny zwilżające lub flotacyjne spełniające wszystkie poniższe kryteria:

1. czystość powyżej 99,8 %;

2. zawierające mniej niż 25 cząstek o średnicy 200 μm lub większej w 100 ml; oraz

3. wykonane co najmniej w 85 % z któregokolwiek z poniższych:

a. dibromotetrafluoroetanu (CAS 25497-30-7, 124-73-2, 27336-23-8);

b. polichlorotrifluoroetylenu (tylko modyfikowanego olejem lub woskiem); lub

c. polibromotrifluoroetylenu;

d. fluorowęglowe elektroniczne płyny chłodzące spełniające wszystkie poniższe kryteria:

1. zawartość wagowa 85 % lub więcej następujących związków lub ich mieszanin:

a. monomeryczne postacie perfluoropolialkiloeterotriazyn lub perfluoropolialkiloeterów;

b. perfluoroalkiloaminy;

c. perfluorocykloalkany; lub

d. perfluoroalkany;

2. gęstość przy 298 K (25 °C) wynosząca 1,5 g/ml lub więcej;

3. stan ciekły w temperaturze 273 K (0 °C); oraz

4. zawartość wagowa fluoru 60 % lub więcej.

Uwaga:   Pozycja 1C006.d nie obejmuje kontrolą materiałów określonych i pakowanych jako produkty medyczne.

1C007Następujące proszki ceramiczne, „materiały kompozytowe” na „matrycy” ceramicznej oraz ‘materiały macierzyste’:

N.B.:   ZOB. TAKŻE POZYCJA 1C107.

a. proszki ceramiczne z diborku tytanu (TiB2) (CAS 12045-63-5), w których łączna ilość zanieczyszczeń metalicznych, z wyłączeniem dodatków zamierzonych, wynosi poniżej 5 000 ppm (części na milion), w których przeciętne wymiary cząstek są równe lub mniejsze niż 5 μm oraz które zawierają nie więcej niż 10 % cząstek o wielkości powyżej 10 μm;

b. nieużywane;

c. następujące „materiały kompozytowe” na „matrycy” ceramicznej;

1. „materiały kompozytowe” ceramiczno-ceramiczne na „matrycy” szklanej lub tlenkowej, wzmacniane którymkolwiek z następujących materiałów:

a. włókna ciągłe wykonane z jednego z następujących materiałów:

1. Al2O3 (CAS 1344-28-1); lub

2. Si-C-N; lub

Uwaga:   Pozycja 1C007.c.1.a nie ma zastosowania do „materiałów kompozytowych” zawierających włókna posiadające wytrzymałość na rozciąganie mniejszą niż 700 MPa przy temperaturze 1 273 K (1 000 °C) lub odporność na pełzanie większą niż 1 % odkształcenia przy obciążeniu 100 MPa i temperaturze 1 273 K (1 000 °C) w czasie 100 godzin.

b. włókna posiadające wszystkie poniższe cechy:

1. wykonane z któregokolwiek z następujących materiałów:

a. Si-N;

b. Si-C;

c. Si-Al-O-N; lub

d. Si-O-N; oraz

2. mające „wytrzymałość właściwą na rozciąganie” większą niż 12,7 × 103 m;

2. „materiały kompozytowe” na „matrycy” ceramicznej, w których „matrycę” stanowią węgliki lub azotki krzemu, cyrkonu lub boru;

d. nieużywane

e. następujące ‘materiały macierzyste’, specjalnie zaprojektowane do „produkcji” materiałów ujętych w pozycji 1C007.c:

1. polidiorganosilany;

2. polisilazany;

3. polikarbosilazany;

Uwaga techniczna:

Do celów pozycji 1C007 ‘materiały macierzyste’ oznaczają materiały polimerowe lub metaloorganiczne o specjalnym zastosowaniu używane do „produkcji” węglika krzemu, azotku krzemu lub materiałów ceramicznych zawierających krzem, węgiel i azot;

f. nieużywane.

1C008Następujące materiały polimerowe niezawierające fluoru:

a. następujące imidy:

1. bismaleimidy;

2. poliamidoimidy aromatyczne (PAI) o ‘temperaturze zeszklenia (Tg)’ powyżej 563 K (290 °C);

3. poliimidy aromatyczne o ‘temperaturze zeszklenia (Tg)’ powyżej 505 K (232 °C);

4. polieteroimidy aromatyczne o ‘temperaturze zeszklenia (Tg)’ powyżej 563 K (290 °C);

Uwaga:   Pozycja 1C008.a obejmuje kontrolą substancje ciekłe lub stałe w formie „topliwej”, w tym w postaci żywicy, proszku, granulek, folii, arkuszy, taśmy lub wstęgi.

N.B.   Wyroby z poliimidów aromatycznych innych niż „topliwe”, w postaci folii, arkuszy, taśm lub wstęg, zob. 1A003.

b. nieużywane;

c. nieużywane;

d. poliketony arylenowe;

e. polisiarczki arylenowe, w których grupą arylenową jest bifenylen, trifenylen lub ich kombinacja;

f. polisulfon bifenylenoeterowy o ‘temperaturze zeszklenia (Tg)’ powyżej 563 K (290 °C).

Uwagi techniczne:

1.   ‘Temperatura zeszklenia (Tg)’ dla materiałów termoplastycznych z pozycji 1C008.a.2, materiałów z pozycji 1C008.a.4. oraz materiałów z pozycji 1C008.f określana jest przy użyciu metody opisanej w normie ISO 11357-2 (1999) lub jej odpowiednikach krajowych.

2.   ‘Temperatura zeszklenia (Tg)’ dla materiałów termoutwardzalnych z pozycji 1C008.a.2 oraz materiałów z pozycji 1C008.a.3 określana jest przy użyciu metody trzypunktowego zginania opisanej w normie ASTM D 7028-07 lub jej odpowiednikach krajowych. Test ten przeprowadza się na suchej próbce, która osiągnęła poziom utwardzenia co najmniej 90 %, jak określono w normie ASTM E 2160-04 lub jej odpowiednikach krajowych, i była utwardzana przy zastosowaniu połączenia procesu utwardzania standardowego i utwardzania dodatkowego, który daje najwyższą wartość Tg.

1C009Następujące nieprzetworzone związki fluorowe:

a. nieużywane;

b. poliimidy fluorowane zawierające 10 % wagowych lub więcej związanego fluoru;

c. fluorowane elastomery fosfazenowe zawierające 30 % wagowych lub więcej związanego fluoru.

1C010Następujące „materiały włókniste lub włókienkowe”:

N.B.  ZOB. TAKŻE POZYCJE 1C210 ORAZ 9C110.

Uwagi techniczne:

1.   Do celów obliczenia „wytrzymałości właściwej na rozciąganie”, „modułu właściwego” lub ciężaru właściwego „materiałów włóknistych i włókienkowych” z pozycji 1C010.a., 1C010.b., 1C010.c. lub 1C010.e.1.b. wytrzymałość na rozciąganie i moduł należy określać za pomocą metody A opisanej w normie ISO 10618 (2004) lub jej odpowiednikach krajowych

2.   Ocenę „wytrzymałości właściwej na rozciąganie”, „modułu właściwego” lub ciężaru właściwego niejednokierunkowych „materiałów włóknistych i włókienkowych” (np. tkanin, mat lub oplotów) z pozycji 1C010 należy oprzeć na mechanicznych właściwościach składowych włókien jednakowo ukierunkowanych (np. włókien elementarnych, przędz, rowingów lub kabli) przed ich przetworzeniem w niejednokierunkowe „materiały włókniste i włókienkowe”.

a. organiczne „materiały włókniste lub włókienkowe”, spełniające oba poniższe kryteria:

1. „moduł właściwy” powyżej 12,7 × 106 m; oraz

2. „wytrzymałość właściwa na rozciąganie” powyżej 23,5 × 104 m;

Uwaga:   Pozycja 1C010.a nie obejmuje kontrolą polietylenu.

b. węglowe „materiały włókniste lub włókienkowe”, spełniające oba poniższe kryteria:

1. „moduł właściwy” powyżej 14,65 × 106 m; oraz

2. „wytrzymałość właściwa na rozciąganie” powyżej 26,82 × 104 m;

Uwaga:   Pozycja 1C010.b nie obejmuje kontrolą:

a.   „materiałów włóknistych lub włókienkowych” przeznaczonych do naprawy konstrukcji lub laminatów „cywilnych statków powietrznych”, które spełniają wszystkie z poniższych kryteriów:

1.   mają powierzchnię nieprzekraczającą 1 m2;

2.   mają długość nieprzekraczającą 2,5 m; oraz

3.   mają szerokość przekraczającą 15 mm.

b.   mechanicznie siekanych lub ciętych „materiałów włóknistych lub włókienkowych” o długości nieprzekraczającej 25,0 mm.

c. nieorganiczne „materiały włókniste i włókienkowe”, spełniające oba poniższe kryteria:

1. „moduł właściwy” powyżej 2,54 × 106 m; oraz

2. temperatura topnienia, mięknienia, rozkładu lub sublimacji powyżej 1 922 K (1 649 °C) w środowisku obojętnym;

Uwaga:   Pozycja 1C010.c nie obejmuje kontrolą:

a.   nieciągłych, wielofazowych, polikrystalicznych włókien z tlenku glinu w postaci włókien ciętych lub mat o strukturze bezładnej, zawierających wagowo 3 % lub więcej tlenku krzemu i mających „moduł właściwy” poniżej 10 × 106 m;

b.   włókien molibdenowych i ze stopów molibdenowych;

c.   włókien borowych;

d.   nieciągłych włókien ceramicznych o temperaturze topnienia, mięknienia, rozkładu lub sublimacji poniżej 2 043 K (1 770 °C) w środowisku obojętnym.

d. „materiały włókniste lub włókienkowe” spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. zawierające którekolwiek z poniższych:

a. polieteroimidy określone w pozycji 1C008.a; lub

b. materiały ujęte w pozycjach od 1C008.d do 1C008.f; lub

2. złożone z materiałów ujętych w pozycji 1C010.d.1.a lub 1C010.d.1.b i „zmieszane” z innymi materiałami włóknistymi ujętymi w pozycjach 1C010.a, 1C010.b lub 1C010.c;

e. „materiały włókniste lub włókienkowe” w pełni lub częściowo impregnowane żywicą lub pakiem (prepregi), „materiały włókniste lub włókienkowe” powlekane metalem lub węglem (preformy) lub „preformy włókien węglowych” spełniające wszystkie z poniższych kryteriów:

1. spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

a. zawierające nieorganiczne „materiały włókniste lub włókienkowe” określone w pozycji 1C010.c; lub

b. zawierające organiczne lub węglowe „materiały włókniste lub włókienkowe” spełniające wszystkie z poniższych kryteriów:

1. „moduł właściwy” powyżej 10,15 × 106 m; oraz

2. „wytrzymałość właściwa na rozciąganie” powyżej 17,7 × 104 m; oraz

2. spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

a. zawierające żywicę lub pak określone w poz. 1C008 lub 1C009.b;

b. mające ‘temperaturę zeszklenia wyznaczoną metodą dynamicznej analizy mechanicznej (DMA Tg)’ równą lub przekraczającą 453 K (180 °C) i zawierające żywice fenolowe; lub

c. mające ‘temperaturę zeszklenia wyznaczoną metodą dynamicznej analizy mechanicznej (DMA Tg)’ równą lub przekraczającą 505 K (232 °C) i zawierające żywicę lub pak, które nie są wymienione w poz. 1C008 ani 1C009.b i nie są żywicami fenolowymi;

Uwaga 1:   „Materiały włókniste lub włókienkowe” powlekane metalem lub węglem (preformy) lub „preformy włókien węglowych” nieimpregnowane żywicą ani pakiem są wyszczególnione jako „materiały włókniste lub włókienkowe” w pozycji 1C010.a, 1C010.b i 1C010.c.

Uwaga 2:   Pozycja 1C010.e nie obejmuje kontrolą:

a.   impregnowanych „matrycą” z żywicy epoksydowej węglowych „materiałów włóknistych lub włókienkowych” (prepregów) przeznaczonych do naprawy konstrukcji lub laminatów „cywilnych statków powietrznych”, które spełniają wszystkie z poniższych kryteriów:

1.   mają powierzchnię nieprzekraczającą 1 m2;

2.   mają długość nieprzekraczającą 2,5 m; oraz

3.   mają szerokość przekraczającą 15 mm.

b.   w pełni lub częściowo impregnowanych żywicą lub pakiem mechanicznie siekanych, mielonych lub ciętych węglowych „materiałów włóknistych lub włókienkowych” o długości nieprzekraczającej 25,0 mm, w przypadku gdy zastosowano żywicę lub pak inne niż określone w pozycji 1C008 lub 1C009.b.

Uwaga techniczna:

‘Temperatura zeszklenia wyznaczona metodą dynamicznej analizy mechanicznej (DMA Tg)’ dla materiałów wyszczególnionych w pozycji 1C010.e jest określana za pomocą metody opisanej w normie ASTM D 7028-07 lub równoważnej normie krajowej przy użyciu suchej próbki. W przypadku materiałów termoutwardzalnych stopień utwardzenia suchej próbki musi wynosić co najmniej 90 % zgodnie z normą ASTM E 2160-04 lub równoważną normą krajową.

1C011Następujące metale i związki:

N.B.   ZOB. TAKŻE WYKAZ UZBROJENIA I POZYCJĘ 1C111.

a. metale o rozmiarach ziarna mniejszych niż 60 μm, zarówno w postaci sferycznej, rozpylanej, sferoidalnej, płatków, jak i zmielonej, wykonane z materiałów zawierających 99 % lub więcej cyrkonu, magnezu lub ich stopów;

Uwaga techniczna:

Naturalna zawartość hafnu w cyrkonie (zwykle od 2 % do 7 %) jest liczona razem z cyrkonem.

Uwaga:   Metale lub stopy wyszczególnione w pozycji 1C011.a są objęte kontrolą bez względu na to, czy są zamknięte w kapsułkach z glinu, magnezu lub berylu.

b. bor lub stopy boru o rozmiarach ziarna 60 μm lub mniejszych, jak następuje:

1. bor o czystości 85 % wagowo lub większej;

2. stopy boru o zawartości boru 85 % wagowo lub większej;

Uwaga:   Metale lub stopy wyszczególnione w pozycji 1C011.b są objęte kontrolą bez względu na to, czy są zamknięte w kapsułkach z glinu, magnezu lub berylu.

c. azotan guanidyny (CAS 506-93-4);

d. nitroguanidyna (NQ) (CAS 556-88-7).

N.B.   Zob. także wykaz uzbrojenia – proszki metali zmieszane z innymi substancjami dające w wyniku mieszaninę przeznaczoną do celów wojskowych.

1C012Następujące materiały:

Uwaga techniczna:

Materiały te są typowo wykorzystywane do jądrowych źródeł ciepła.

a.  pluton w dowolnej postaci zawierający izotop pluton-238 w ilości powyżej 50 % wagowych;

Uwaga:   Pozycja 1C012.a nie obejmuje kontrolą:

a.   dostaw zawierających pluton w ilości 1 grama lub mniejszej;

b.   dostaw zawierających 3 „gramy efektywne” lub mniej, w przypadku gdy pluton jest zawarty w czujnikach instrumentów pomiarowych;

b. „uprzednio separowany” neptun-237 w dowolnej formie.

Uwaga:   Pozycja 1C012.b nie obejmuje kontrolą dostaw zawierających neptun-237 w ilości 1 grama lub mniejszej.

1C101Materiały i urządzenia do obiektów o zmniejszonej wykrywalności za pomocą odbitych fal radarowych, śladów w zakresie promieniowania nadfioletowego lub podczerwonego i śladów akustycznych, inne niż określone w pozycji 1C001, możliwe do zastosowania w ‘pociskach rakietowych’, podsystemach „pocisków rakietowych” lub bezzałogowych statkach powietrznych wyszczególnionych w pozycji 9A012 lub 9A112.a.

Uwaga 1:   Pozycja 1C101 obejmuje:

a.   materiały strukturalne i powłoki specjalnie opracowane pod kątem zmniejszenia ich echa radarowego;

b.   powłoki, w tym farby, specjalnie opracowane pod kątem zmniejszenia ilości odbijanego lub emitowanego promieniowania z zakresu mikrofalowego, podczerwonego lub nadfioletowego promieniowania elektromagnetycznego.

Uwaga 2:   Pozycja 1C101 nie dotyczy powłok, które są specjalnie używane do regulacji temperatur w satelitach.

Uwaga techniczna:

W pozycji 1C101 ‘pocisk rakietowy’ oznacza kompletne systemy rakietowe i systemy bezzałogowych statków powietrznych o zasięgu przekraczającym 300 km.

1C102Przesycane pirolizowane materiały węglowo-węglowe przeznaczone do pojazdów kosmicznych wyszczególnionych w pozycji 9A004 lub do rakiet meteorologicznych (sondujących) wyszczególnionych w pozycji 9A104.

1C107Następujące materiały grafitowe i ceramiczne, inne niż wyszczególnione w pozycji 1C007:

a. drobnoziarniste materiały grafitowe o gęstości nasypowej co najmniej 1,72 g/cm3 lub większej, mierzonej w temperaturze 288 K (15 °C) i o wymiarach ziarna 100 μm lub mniejszych, możliwe do zastosowania w dyszach do rakiet i stożkach czołowych rakiet, umożliwiające uzyskanie w drodze obróbki następujących produktów:

1. cylindry o średnicy 120 mm lub większej i długości 50 mm lub większej;

2. rury o średnicy wewnętrznej 65 mm lub większej i grubości ścianki 25 mm lub większej i długości 50 mm lub większej; lub

3. bloki o wymiarach 120 mm × 120 mm × 50 mm lub większe;

N.B.   Zob. także pozycja 0C004.

b. pirolityczne lub wzmacniane włóknami materiały grafitowe nadające się do zastosowania w dyszach rakiet i stożkach czołowych używanych w „pociskach rakietowych”, kosmicznych pojazdach nośnych wyszczególnionych w pozycji 9A004 lub w rakietach meteorologicznych wyszczególnionych w pozycji 9A104;

N.B.   Zob. także pozycja 0C004.

c. ceramiczne materiały kompozytowe (o stałej dielektrycznej poniżej 6 przy każdej częstotliwości od 100 MHz do 100 GHz), do użytku w osłonach anten radiolokatora używanych w „pociskach rakietowych”, kosmicznych pojazdach nośnych wyszczególnionych w pozycji 9A004 lub w rakietach meteorologicznych wyszczególnionych w pozycji 9A104;

d. skrawalne, niewypalane materiały ceramiczne wzmacniane włóknami krzemo-węglowymi, do użytku w stożkach czołowych używanych w „pociskach rakietowych”, kosmicznych pojazdach nośnych wyszczególnionych w pozycji 9A004 lub w rakietach meteorologicznych wyszczególnionych w pozycji 9A104;

e. wzmocnione krzemo-węglowe ceramiczne materiały kompozytowe do użytku w stożkach czołowych, rakietach ponownie wchodzących w atmosferę i klapach dysz używanych w „pociskach rakietowych”, kosmicznych pojazdach nośnych wyszczególnionych w pozycji 9A004 lub w rakietach meteorologicznych wyszczególnionych w pozycji 9A104;

f. skrawalne ceramiczne materiały kompozytowe składające się z matrycy z ‘materiału ceramicznego ultrawysokiej temperatury (UHTC)’ o temperaturze topnienia równej lub wyższej niż 3 000 °C i wzmacniane włóknami lub włókienkami, do użytku w podzespołach pocisków rakietowych (takich jak stożki czołowe, rakiety ponownie wchodzące w atmosferę, krawędzie czołowe, łopatki kierownicze strumienia gazów wylotowych, powierzchnie sterujące lub wkłady do wlotów silników rakietowych) używanych w „pociskach rakietowych”, kosmicznych pojazdach nośnych wyszczególnionych w pozycji 9A004 lub w rakietach meteorologicznych wyszczególnionych w pozycji 9A104 lub ‘pociskach rakietowych’.

Uwaga:   Pozycja 1C107.f. nie obejmuje kontrolą 'materiałów ceramicznych ultrawysokiej temperatury (UHTC)' w postaci niekompozytowej.

Uwaga techniczna 1:

Termin ‘pocisk rakietowy’ w pozycji 1C107.f oznacza kompletne systemy rakietowe i systemy bezzałogowych statków powietrznych o zasięgu przekraczającym 300 km.

Uwaga techniczna 2:

‘Materiały ceramiczne ultrawysokiej temperatury (UHTC)’ obejmują:

1.   diborek tytanu (TiB2);

2.   diborek cyrkonu (ZrB2);

3.   diborek niobu (NbB2);

4.   diborek hafnu (HfB2);

5.   diborek tantalu (TaB2);

6.   węglik tytanu (TiC);

7.   węglik cyrkonu (ZrC);

8.   węglik niobu (NbC);

9.   węglik hafnu (HfC);

10.   węglik tantalu (TaC).

1C111Następujące substancje napędowe i związki chemiczne do nich, inne niż wyszczególnione w pozycji 1C011:

a. substancje napędowe:

1. sferyczny lub sferoidalny proszek aluminiowy, inny niż wyszczególniony w wykazie uzbrojenia, złożony z cząstek o wielkości poniżej 200 μm, o zawartości glinu wynoszącej 97 % wagowych lub większej, jeżeli co najmniej 10 % ciężaru ogólnego stanowią cząstki o wielkości mniejszej niż 63 μm, zgodnie z ISO 2591-1:1988 lub równoważnymi normami krajowymi;

Uwaga techniczna:

Wielkość cząstek 63 μm (ISO R-565) odpowiada siatce 250 (Tyler) lub siatce 230 (norma ASTM E-11).

2. następujące proszki metali, inne niż wyszczególnione w wykazie uzbrojenia:

a. proszki cyrkonu, berylu lub magnezu lub stopów tych metali, jeżeli co najmniej 90 % wagi lub objętości wszystkich cząstek stanowią cząstki o wielkości mniejszej niż 60 μm (zmierzone przy pomocy technik pomiaru, takich jak przesiewanie, dyfrakcja laserowa lub skanowanie optyczne), w postaci sferycznej, zatomizowanej, sferoidalnej, płatków lub silnie rozdrobnionego proszku, zawierające 97 % wagowych lub więcej któregokolwiek z poniższych:

1. cyrkonu;

2. berylu; lub

3. magnezu;

Uwaga techniczna:

Naturalna zawartość hafnu w cyrkonie (zwykle od 2 % do 7 %) jest liczona razem z cyrkonem.

b. proszki boru lub stopów boru o zawartości boru 85 % wagi lub większej, jeżeli co najmniej 90 % wagi lub objętości wszystkich cząstek stanowią cząstki o wielkości mniejszej niż 60 μm (zmierzone przy pomocy technik pomiaru, takich jak przesiewanie, dyfrakcja laserowa lub skanowanie optyczne), w postaci sferycznej, zatomizowanej, sferoidalnej, płatków lub silnie rozdrobnionego proszku;

Uwaga:   Pozycje 1C111a.2.a oraz 1C111a.2.b obejmują kontrolą mieszaniny proszków o multimodalnej dystrybucji cząstek (np. mieszaniny różnej wielkości ziaren), jeżeli kontrolą objęta jest co najmniej jedna z form.

3. następujące utleniacze używane w silnikach rakietowych na paliwo ciekłe:

a. tritlenek diazotu (CAS 10544-73-7);

b. ditlenek azotu (CAS 10102-44-0)/tetratlenek diazotu (CAS 10544-72-6);

c. pentatlenek diazotu (CAS 10102-03-1);

d. mieszaniny tlenków azotu (MON);

Uwaga techniczna:

Mieszaniny tlenków azotu stanowią roztwory tlenku azotu (NO) w tetratlenku diazotu/ditlenku azotu (N2O4/NO2), które mogą być wykorzystane w systemach rakietowych. Istnieje cała skala mieszanin, które mogą być oznaczone jako MONi lub MONij, gdzie i oraz j są liczbami całkowitymi przedstawiającymi procentową zawartość tlenku azotu w danej mieszaninie (np. MON3 zawiera 3 % tlenku azotu, MON25 – 25 % tlenku azotu. Górną granicę stanowi MON40 – 40 % zawartości wagowej).

e. ZOB. WYKAZ UZBROJENIA dla inhibitowanego dymiącego na czerwono kwasu azotowego (IRFNA);

f. ZOB. WYKAZ UZBROJENIA ORAZ POZYCJĘ 1C238 dla związków chemicznych składających się z fluoru oraz jednego lub więcej innych fluorowców, tlenu lub azotu;

4. następujące pochodne hydrazyny:

N.B.:   ZOB. TAKŻE WYKAZ UZBROJENIA.

a. trimetylohydrazyna (CAS 1741-01-1);

b. tetrametylohydrazyna (CAS 6415-12-9);

c. N,N-diallilohydrazyna (CAS 5164-11-4);

d. allilohydrazyna (CAS 7422-78-8);

e. etylenodihydrazyna (CAS 6068-98-0);

f. diazotan monometylohydrazyny;

g. niesymetryczny diazotan monometylohydrazyny;

h. azydek hydrazyny (CAS 14546-44-2);

i. azydek 1,1-dimetylohydrazyny (CAS 227955-52-4) / azydek 1,2-dimetylohydrazyny (CAS 299177-50-7);

j. diazotan hydrazyny (CAS 13464-98-7);

k. diimido szczawian dihydrazyny (CAS 3457-37-2);

l. azotan 2-hydroksyetylohydrazyny (HEHN);

m. zob. wykaz uzbrojenia dla nadchloranu hydrazyny;

n. dinadchloran hydrazyny (CAS 13812-39-0);

o. azotan metylohydrazyny (MHN) (CAS 29674-96-2);

p. azotan 1,1-dietylohydrazyny (DEHN) / azotan 1,2-dietylohydrazyny (DEHN) (CAS 363453-17-2);

q. azotan 3,6-dihydrazyUwagatrazyny (azotan 1,4-dihydrazyny) (DHTN);

5. materiały o wysokiej gęstości energetycznej inne niż wymienione w wykazie uzbrojenia, które mogą być wykorzystywane w ‘pociskach rakietowych’ lub bezzałogowych statkach powietrznych wyszczególnionych w poz. 9A012 lub 9A112.a.;

a. paliwa mieszane składające się z paliw stałych i ciekłych, takie jak paliwo borowodorowe, o gęstości energetycznej na jednostkę masy na poziomie 40 × 106 J/kg lub większej;

b. inne mające wysoką gęstość energetyczną paliwa i dodatki do paliw (np. kuban, roztwory jonowe, JP-10) o gęstości energetycznej na jednostkę objętości na poziomie 37,5 × 109 J/m3 lub większej zmierzonej w temperaturze 20 °C i przy ciśnieniu jednej atmosfery (101,325 kPa);

Uwaga:   Pozycja 1C111.a.5.b nie obejmuje kontrolą rafinowanych paliw kopalnych ani biopaliw wytworzonych z warzyw, w tym paliw silnikowych dopuszczonych do stosowania w lotnictwie cywilnym, chyba że są przeznaczone specjalnie do ‘pocisków rakietowych’ lub bezzałogowych statków powietrznych wyszczególnionych w poz. 9A012 lub 9A112.a.

Uwaga techniczna:

W pozycji 1C111.a.5. ‘pocisk rakietowy’ oznacza kompletne systemy rakietowe i systemy bezzałogowych statków powietrznych o zasięgu przekraczającym 300 km.

6. następujące paliwa zastępujące hydrazynę:

a. azydek 2-dimetyloaminoetylu (DMAZ) (CAS 86147-04-8);

b. substancje polimerowe:

1. polibutadien o łańcuchach zakończonych grupą karboksylową (CTPB);

2. polibutadien o łańcuchach zakończonych grupą hydroksylową (HTPB) (CAS 69102-90-5), inny niż wyszczególniony w wykazie uzbrojenia;

3. kopolimer butadienu z kwasem akrylowym (PBAA);

4. kopolimer butadienu z kwasem akrylowym i akrylonitrylem (PBAN) (CAS 25265-19-4 / CAS 68891-50-9);

5. glikol polietylenowo-politetrahydrofuranowy (TPEG);

Uwaga techniczna:

Glikol polietylenowo-politetrahydrofuranowy (TPEG) jest kopolimerem blokowym polibutano-1,4-diolu (CAS 110-63-4) i glikolu polietylenowego (PEG) (CAS 25322-68-3).

6. azotan poliglicydylu (PGN lub poly-GLYN) (CAS 27814-48-8);

c. inne dodatki i środki do materiałów miotających:

1. ZOB. WYKAZ UZBROJENIA DLA węgloborowodorów, dekaborowodorów, pentaborowodorów oraz i ich pochodnych;

2. diazotan glikolu trietylenowego (TEGDN) (CAS 111-22-8);

3. 2-nitrodifenyloamina (CAS 119-75-5);

4. triazotan trimetyloetanu (TMETN) (CAS 3032-55-1);

5. diazotan glikolu dietylenowego (DEGDN) (CAS 693-21-0);

6. pochodne ferrocenu, takie jak:

a. zob. wykaz uzbrojenia dla katocenu;

b. zob. wykaz uzbrojenia dla ferrocenu etylu;

c. zob. wykaz uzbrojenia dla ferrocenu propylu;

d. zob. wykaz uzbrojenia dla ferrocenu n-butylu;

e. zob. wykaz uzbrojenia dla ferrocenu pentylu;

f. zob. wykaz uzbrojenia dla ferrocenu dicyklopentylu;

g. zob. wykaz uzbrojenia dla ferrocenu dicykloheksylu;

h. zob. wykaz uzbrojenia dla ferrocenu dietylu;

i. zob. wykaz uzbrojenia dla ferrocenu dipropylu;

j. zob. wykaz uzbrojenia dla ferrocenu dibutylu;

k. zob. wykaz uzbrojenia dla ferrocenu diheksylu;

l. zob. wykaz uzbrojenia dla ferrocenu acetylu / 1,1’-ferrocenu diacetylu;

m. zob. wykaz uzbrojenia dla kwasów karboksylowych ferrocenu;

n. zob. wykaz uzbrojenia dla butacenu;

o. inne pochodne ferrocenu wykorzystywane jako modyfikatory szybkości spalania paliwa rakietowego, różne od wyszczególnionych w wykazie uzbrojenia;

Uwaga:   Pozycja 1C111.c.6.o nie obejmuje kontrolą pochodnych ferrocenu, które zawierają sześciowęglową aromatyczną grupę funkcyjną połączoną z cząsteczką ferrocenu.

7. 4,5 diazydometylo-2-metylo-1,2,3-triazol (izo-DAMTR), inny niż wyszczególniony w wykazie uzbrojenia.

d. ‘żelowe paliwa napędowe’, inne niż te wyszczególnione w wykazie uzbrojenia, opracowane konkretnie do użytku w 'pociskach rakietowych'.

Uwagi techniczne:

1.   ‘Żelowe paliwo napędowe’ w pozycji 1C111.d oznacza paliwo lub preparat utleniający wykorzystujące środek żelujący, taki jak krzemiany, kaolin (glinka), węgiel lub dowolny polimeryczy środek żelujący.

2.   Termin ‘pocisk rakietowy’ w pozycji 1C111.d oznacza kompletne systemy rakietowe i systemy bezzałogowych statków powietrznych o zasięgu przekraczającym 300 km.

Uwaga:   Dla substancji miotających oraz chemikaliów składowych materiałów miotających, niewyszczególnionych w pozycji 1C111 zob. wykaz uzbrojenia.

1C116Stale maraging, stosowane w ‘pociskach rakietowych’, spełniające wszystkie z poniższych kryteriów:

N.B.   ZOB. TAKŻE POZYCJA 1C216.

a. mające wytrzymałość na rozciąganie, mierzoną w temperaturze 293 K (20 °C), równą lub większą niż:

1. 0,9 GPa w fazie wyżarzenia roztworu; lub

2. 1,5 GPa w fazie utwardzenia wydzieleniowego; oraz

b. posiadające którąkolwiek z następujących postaci:

1. blachy, płyty lub rury o grubości ścianek lub płyt mniejszej lub równej 5,0 mm;

2. formy cylindryczne o grubości ścianek mniejszej lub równej 50 mm i średnicy wewnętrznej większej lub równej 270 mm.

Uwaga techniczna 1:

Stale maraging są stopami żelaza:

1.   charakteryzującymi się ogólnie wysoką zawartością niklu, bardzo niską zawartością węgla i wykorzystaniem składników substytucyjnych lub przyspieszających, które umożliwiają wzmocnienie i utwardzenie wydzieleniowe tego stopu; oraz

2.   poddawanymi cyklom obróbki cieplnej w celu ułatwienia procesu transformacji martenzytycznej (faza wyżarzenia roztworu), a następnie utwardzanymi (faza utwardzenia wydzieleniowego).

Uwaga techniczna 2:

W pozycji 1C116 ‘pocisk rakietowy’ oznacza kompletne systemy rakietowe i systemy bezzałogowych statków powietrznych o zasięgu przekraczającym 300 km.

1C117Następujące materiały służące do wytwarzania elementów ‘pocisków rakietowych’:

a. wolfram i jego stopy w postaci pyłu zawierające wagowo co najmniej 97 % wolframu o wielkości cząstek nie większej niż 50 × 10–6 m (50 μm);

b. molibden i jego stopy w postaci pyłu zawierające wagowo co najmniej 97 % molibdenu o wielkości cząstek nie większej niż 50 × 10–6 m (50 μm);

c. materiały zawierające wolfram w postaci stałej, spełniające wszystkie z poniższych kryteriów:

1. wszelkie materiały o następującym składzie:

a. wolfram i jego stopy zawierające wagowo co najmniej 97 % wolframu;

b. wolfram nasycony miedzią zawierający wagowo co najmniej 80 % wolframu; lub

c. wolfram nasycony srebrem zawierający wagowo co najmniej 80 % wolframu; oraz

2. umożliwiające uzyskanie w drodze obróbki skrawaniem następujących produktów:

a. cylindry o średnicy 120 mm lub większej i długości 50 mm lub większej;

b. rury o średnicy wewnętrznej 65 mm lub większej i grubości ścianki 25 mm lub większej i długości 50 mm lub większej; lub

c. bloki o wymiarach 120 mm × 120 mm × 50 mm lub większe;

Uwaga techniczna:

W pozycji 1C117 ‘pocisk rakietowy’ oznacza kompletne systemy rakietowe i systemy bezzałogowych statków powietrznych o zasięgu przekraczającym 300 km.

1C118Stabilizowana tytanem stal nierdzewna dupleksowa (Ti-DSS) spełniająca wszystkie poniższe kryteria:

a. spełniająca wszystkie poniższe kryteria:

1. zawartość wagowa chromu 17,0 – 23,0 % oraz zawartość wagowa niklu 4,5 – 7,0 %;

2. zawartość wagowa tytanu większa niż 0,10 %; oraz

3. obecność mikrostruktury ferrytowo-austenitowej (nazywanej także mikrostrukturą dwufazową), w której co najmniej 10 % objętości stanowi austenit (zgodnie z normą ASTM E-1181-87 lub jej odpowiednikiem krajowym); oraz

b. posiadająca którąkolwiek z następujących postaci:

1. sztaby lub pręty o wielkości większej lub równej 100 mm w każdym z wymiarów;

2. arkusze o szerokości większej lub równej 600 mm i grubości mniejszej lub równej 3 mm; lub

3. rury o średnicy zewnętrznej większej lub równej 600 mm i grubości ścianek mniejszej lub równej 3 mm.

1C202Stopy, inne niż wyszczególnione w pozycji 1C002.b.3 lub b.4, takie jak:

a. stopy glinu posiadające obydwie wyszczególnione niżej cechy:

1. ‘zdolne do’ osiągnięcia wytrzymałości na rozciąganie większej lub równej 460 MPa w temperaturze 293 K (20 °C); oraz

2. posiadające postać rur lub litych elementów cylindrycznych (w tym odkuwek) o średnicy zewnętrznej powyżej 75 mm;

b. stopy tytanu posiadające obydwie wyszczególnione niżej cechy:

1. ‘zdolne do’ osiągnięcia wytrzymałości na rozciąganie większej lub równej 900 MPa w temperaturze 293 K (20 °C); oraz

2. posiadające postać rur lub litych elementów cylindrycznych (w tym odkuwek) o średnicy zewnętrznej powyżej 75 mm;

Uwaga techniczna:

Określenie stopy ‘zdolne do’ obejmuje stopy przed obróbką cieplną lub po obróbce cieplnej.

1C210‘Materiały włókniste lub włókienkowe’ lub prepregi, inne niż wyszczególnione w pozycji 1C010.a, b lub e, takie jak:

a. węglowe lub aramidowe ‘materiały włókniste lub włókienkowe’ posiadające którąkolwiek z niżej wyszczególnionych cech:

1. „moduł właściwy” większy lub równy 12,7 × 106 m; lub

2. „wytrzymałość właściwa na rozciąganie” większa lub równy 23,5 × 104 m;

Uwaga:   Pozycja 1C210.a nie obejmuje kontrolą aramidowych ‘materiałów włóknistych lub włókienkowych’, zawierających wagowo 0,25 % lub więcej dowolnego modyfikatora powierzchni włókien opartego na estrach.

b. szklane ‘materiały włókniste lub włókienkowe’ posiadające obydwie z niżej wyszczególnionych cech:

1. „moduł właściwy” większy lub równy 3,18 × 106 m; oraz

2. „wytrzymałość właściwa na rozciąganie” większa lub równa 7,62 × 104 m;

c. termoutwardzalne, impregnowane żywicą, ciągłe „przędze”, „rowingi”, „kable” lub „taśmy” o szerokości nieprzekraczającej 15 mm (prepregi), wykonane z węglowych lub szklanych ‘materiałów włóknistych lub włókienkowych’ wyszczególnionych w pozycji 1C210.a lub b.

Uwaga techniczna:

Żywice tworzą matryce kompozytów.

Uwaga:   W pozycji 1C210 pojęcie ‘materiały włókniste lub włókienkowe’ ogranicza się do ciągłych „włókien elementarnych”, „przędz”, „rowingów”, „kabli” lub „taśm”.

1C216Stal maraging, inna niż wyszczególniona w pozycji 1C116, ‘zdolna do’ osiągania wytrzymałości na rozciąganie większej lub równej 1 950 MPa, w temperaturze 293 K (20 °C).

Uwaga:   Pozycja 1C216 nie obejmuje kontrolą form, w których wszystkie wymiary liniowe są mniejsze niż lub równe 75 mm.

Uwaga techniczna:

Określenie stal maraging ‘zdolna do’ obejmuje stal maraging przed obróbką cieplną lub po obróbce cieplnej.

1C225Bor wzbogacony izotopem boru-10 (10B) w stopniu większym niż jego naturalna liczebność izotopowa, taki jak: bor pierwiastkowy, związki i mieszaniny zawierające bor, wyroby oraz złom i odpady powstałe z wyżej wymienionych.

Uwaga:   W pozycji 1C225 mieszaniny zawierające bor obejmują materiały obciążone borem.

Uwaga techniczna:

Naturalna liczebność izotopowa boru-10 wynosi wagowo ok. 18,5 % (atomowo 20 %).

1C226Wolfram, węglik wolframu oraz stopy zawierające wagowo powyżej 90 % wolframu, inne niż wymienione w pozycji 1C117, posiadające obydwie z niżej wyszczególnionych cech:

a. w postaci form wydrążonych o symetrii cylindrycznej (łącznie z segmentami cylindrycznymi) o średnicy wewnętrznej od 100 do 300 mm; oraz

b. masa większa niż 20 kg.

Uwaga:   Pozycja 1C226 nie obejmuje kontrolą wyrobów specjalnie zaprojektowanych jako odważniki lub kolimatory promieniowania gamma.

1C227Wapń posiadający obydwie z niżej wyszczególnionych cech:

a. zawartość wagowa zanieczyszczeń metalami różnymi od magnezu poniżej 1 000 części na milion; oraz

b. zawartość wagowa boru poniżej 10 części na milion.

1C228Magnez posiadający obydwie z niżej wyszczególnionych cech:

a. zawartość wagowa zanieczyszczeń metalami różnymi od wapnia poniżej 200 części na milion; oraz

b. zawartość wagowa boru poniżej 10 części na milion.

1C229Bizmut posiadający obydwie z niżej wyszczególnionych cech:

a. czystość wagowa większa niż lub równa 99,99 %; oraz

b. zawartość wagowa srebra poniżej 10 części na milion.

1C230Beryl metaliczny, stopy zawierające wagowo więcej niż 50 % berylu, związki berylu, wyroby oraz złom i odpady powstałe z wyżej wymienionych, inne niż wyszczególnione w wykazie uzbrojenia.

N.B.   ZOB. TAKŻE WYKAZ UZBROJENIA.

Uwaga:   Pozycja 1C230 nie obejmuje kontrolą:

a.   metalowych okien do aparatury rentgenowskiej lub do urządzeń wiertniczych;

b.   profili tlenkowych w postaci przetworzonej lub półprzetworzonej, zaprojektowanych specjalnie do elementów zespołów elektronicznych lub jako podłoża do obwodów elektronicznych;

c.   berylu (krzemianu berylu i glinu) w postaci szmaragdów lub akwamarynów.

1C231Hafn metaliczny, stopy oraz związki hafnu zawierające wagowo więcej niż 60 % hafnu, wyroby oraz złom i odpady powstałe z wyżej wymienionych.

1C232Hel-3 (3He), mieszaniny zawierające hel-3 oraz wyroby lub urządzenia zawierające dowolne z wyżej wymienionych substancji.

Uwaga:   Pozycja 1C232 nie obejmuje kontrolą wyrobów lub urządzeń zawierających mniej niż 1 g helu-3.

1C233Lit wzbogacony izotopem litu-6 (6Li) w stopniu większym niż naturalna liczebność izotopowa oraz produkty lub urządzenia zawierające wzbogacony lit, takie jak: lit pierwiastkowy, stopy, związki, mieszaniny zawierające lit, wyroby oraz złom i odpady powstałe z wyżej wymienionych.

Uwaga:   Pozycja 1C233 nie obejmuje kontrolą dozymetrów termoluminescencyjnych.

Uwaga techniczna:

Naturalna liczebność izotopowa litu-6 wynosi wagowo ok. 6,5 % (atomowo 7,5 %).

1C234Cyrkon z zawartością wagową hafnu mniejszą niż 1 część hafnu do 500 części cyrkonu, taki jak: metal, stopy zawierające wagowo ponad 50 % cyrkonu, związki, wyroby oraz złom i odpady powstałe z wyżej wymienionych, inne niż wyszczególnione w pozycji 0A001.f.

Uwaga:   Pozycja 1C234 nie obejmuje kontrolą cyrkonu w postaci folii o grubości mniejszej lub równej 0,10 mm.

1C235Tryt, związki trytu i mieszanki zawierające tryt, w których stosunek atomów trytu do wodoru przewyższa 1 część na 1 000 , oraz wyroby lub urządzenia zawierające te materiały.

Uwaga:   Pozycja 1C235 nie obejmuje kontrolą wyrobów lub urządzeń zawierających mniej niż 1,48 × 103 GBq (40 Ci) trytu.

1C236Radionuklidy do tworzenia źródeł neutronów w oparciu o reakcję cząstek alfa-neutron, inne niż wyszczególnione w pozycjach 0C001 and 1C012.a, w następujących postaciach:

a. pierwiastki;

b. związki o całkowitej aktywności alfa większej lub równej 37 GBq/kg (1 Ci/kg);

c. mieszaniny o całkowitej aktywności alfa większej lub równej 37 GBq/kg (1 Ci/kg);

d. wyroby lub urządzenia zawierające wyżej wymienione substancje.

Uwaga:   Pozycja 1C236 nie obejmuje kontrolą wyrobów lub urządzeń o aktywności alfa poniżej 3,7 GBq (100 mCi).

Uwaga techniczna:

W pozycji 1C236 ‘radionuklidy’ oznaczają którekolwiek z poniższych:

  aktyn-225 (Ac-225)

  aktyn-227 (Ac-227)

  kaliforn-253 (Cf-253)

  kiur-240 (Cm-240)

  kiur-241 (Cm-241)

  kiur-242 (Cm-242)

  kiur-243 (Cm-243)

  kiur-244 (Cm-244)

  einstein-253 (Es-253)

  einstein-254 (Es-254)

  gadolin-148 (Gd-148)

  pluton-236 (Pu-236)

  pluton-238 (Pu-238)

  polon-208 (Po-208)

  polon-209 (Po-209)

  polon-210 (Po-210)

  rad-223 (Ra-223)

  tor-227 (Th-227)

  tor-228 (Th-228)

  uran-230 (U-230)

  uran-232 (U-232)

1C237Rad-226 (226Ra), stopy oraz związki radu-226, mieszaniny zawierające rad-226, powstałe z nich wyroby, oraz produkty i urządzenia powstałe z wyżej wymienionych.

Uwaga:   Pozycja 1C237 nie obejmuje kontrolą:

a.   aplikatorów medycznych;

b.   wyrobów lub urządzeń zawierających mniej niż 0,37 GBq (10 mCi) radu-226.

1C238Trifluorek chloru (ClF3).

1C239Kruszące materiały wybuchowe, inne niż wymienione w wykazie uzbrojenia, substancje lub mieszaniny zawierające wagowo więcej niż 2 % tych materiałów, o gęstości krystalicznej większej niż 1,8 g/cm3 i prędkości detonacji powyżej 8 000 m/s.

1C240Proszek niklu i porowaty nikiel metaliczny, inny niż wyszczególniony w pozycji 0C005, taki jak:

a. proszek niklu posiadający obydwie z niżej wymienionych cech:

1. czystość niklowego składnika wagowego większa niż lub równa 99,0 %; oraz

2. średnia wielkość cząstek mniejsza niż 10 μm, mierzona według normy B330 Amerykańskiego Towarzystwa Materiałoznawczego (ASTM);

b. porowaty nikiel metaliczny wytwarzany z materiałów wyszczególnionych w pozycji 1C240.a.

Uwaga:   Pozycja 1C240 nie obejmuje kontrolą:

a.   włókienkowych proszków niklu;

b.   pojedynczych porowatych blach niklowych o polu powierzchni arkusza mniejszym lub równym 1 000 cm2.

Uwaga techniczna:

Pozycja 1C240.b odnosi się do porowatego metalu wyrabianego metodą zagęszczania lub spiekania materiałów wyszczególnionych w pozycji 1C240.a, celem otrzymania metalu z drobnymi porami, wzajemnie łączącymi się w całości struktury.

1C241Ren i jego stopy zawierające wagowo co najmniej 90 % renu; oraz stopy renu i wolframu zawierające wagowo powyżej 90 % jakiejkolwiek kombinacji renu i wolframu, inne niż wymienione w pozycji 1C226, posiadające obydwie z niżej wyszczególnionych cech:

a. w postaci form wydrążonych o symetrii cylindrycznej (łącznie z segmentami cylindrycznymi) o średnicy wewnętrznej od 100 do 300 mm; oraz

b. masa większa niż 20 kg.

1C350Następujące substancje chemiczne, które mogą być wykorzystane jako prekursory dla toksycznych środków chemicznych, oraz „mieszaniny chemiczne” zawierające jedną lub więcej z niżej wymienionych substancji:

N.B.   ZOB. TAKŻE WYKAZ UZBROJENIA ORAZ POZYCJĘ 1C450.

1. tiodiglikol (111-48-8);

2. tlenochlorek fosforu (10025-87-3);

3. metylofosfonian dimetylu (756-79-6);

4. ZOB. WYKAZ UZBROJENIA dla: difluorek metylofosfonowy (676-99-3);

5. dichlorek metylofosfonowy (676-97-1);

6. fosforyn dimetylu (DMP)(868-85-9);

7. trichlorek fosforu (7719-12-2);

8. fosforyn trimetylu (TMP)(121-45-9);

9. chlorek tionylu (7719-09-7);

10. 3-hydroksy-1-metylopiperydyna (3554-74-3);

11. chlorek N,N-diizopropylo-(beta)-aminoetylu (96-79-7);

12. N,N-diizopropylo-(beta)-tioloetanoamina (5842-07-9);

13. 3-chinuklidynol (1619-34-7);

14. fluorek potasu (7789-23-3);

15. 2-chloroetanol (107-07-3);

16. dimetyloamina (124-40-3);

17. etylofosfonian dietylu (78-38-6);

18. N,N-dimetylofosforoamidan dietylu (2404-03-7);

19. fosfonian dietylu (762-04-9);

20. chlorowodorek dimetyloaminy (506-59-2);

21. dichloro(etylo)fosfina (1498-40-4);

22. dichlorek etylofosfonowy (1066-50-8);

23. ZOB. WYKAZ UZBROJENIA dla: difluorek etylofosfonowy (753-98-0);

24. fluorowodór (7664-39-3);

25. benzilan metylu (76-89-1);

26. dichloro(metylo)fosfina (676-83-5);

27. N,N-diizopropylo-(beta)-amino etanol (96-80-0);

28. alkohol pinakolinowy (464-07-3);

29. ZOB. WYKAZ UZBROJENIA dla: O-etylo O-2-diizopropyloaminoetylo metylofosfinin (QL) (57856-11-8);

30. fosforyn trietylu (122-52-1);

31. trichlorek arsenu (7784-34-1);

32. kwas benzilowy (76-93-7);

33. metylofosfonin dietylu (15715-41-0);

34. etylofosfonian dimetylu (6163-75-3);

35. etylodifluorofosfina (430-78-4);

36. metylodifluorofosfina (753-59-3);

37. 3-chinuklidynon (3731-38-2);

38. pentachlorek fosforu (10026-13-8);

39. pinakolon (75-97-8);

40. cyjanek potasu (151-50-8);

41. wodorofluorek potasu (7789-29-9);

42. wodorofluorek amonu lub bifluorek amonu (1341-49-7);

43. fluorek sodu (7681-49-4);

44. wodorofluorek sodu (1333-83-1);

45. cyjanek sodu (143-33-9);

46. trietanoloamina (102-71-6);

47. pentasiarczek fosforawy (1314-80-3);

48. di-izopropyloamina (108-18-9);

49. dietyloaminoetanol (100-37-8);

50. siarczek sodu (1313-82-2);

51. monochlorek siarki (10025-67-9);

52. dichlorek siarki (10545-99-0);

53. chlorowodorek trietanoloaminy (637-39-8);

54. chlorowodorek chlorku N,N-diizopropylo-(beta)-aminoetylu (4261-68-1);

55. kwas metylofosfonowy (993-13-5);

56. metylofosfonian dietylu (683-08-9);

57. dichlorek N,N-dimetylofosforoamidowy (677-43-0);

58. fosforyn triizopropylu (116-17-6);

59. etylodietanoloamina (139-87-7);

60. O,O-dietylo fosforotionian (2465-65-8);

61. O,O-dietylo fosforoditionian (298-06-6);

62. heksafluorokrzemian sodu (16893-85-9);

63. dichlorek metylotiofosfonowy (676-98-2);

64. dietyloamina (109-89-7).

Uwaga 1:   Dla wywozu do „państw niebędących stronami konwencji o zakazie broni chemicznej” pozycja 1C350 nie obejmuje kontrolą „mieszanin chemicznych” zawierających jedną lub więcej substancji chemicznych wyszczególnionych w podpunktach 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57 i .63, w których żadna z indywidualnie wyszczególnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo więcej niż 10 % mieszaniny.

Uwaga 2:   Dla wywozu do „państw będących stronami konwencji o zakazie broni chemicznej” pozycja 1C350 nie obejmuje kontrolą „mieszanin chemicznych” zawierających jedną lub więcej substancji chemicznych wyszczególnionych w podpunktach 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57 i .63, w których żadna z indywidualnie wyszczególnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo więcej niż 30 % mieszaniny.

Uwaga 3:   Pozycja 1C350 nie obejmuje kontrolą „mieszanin chemicznych” zawierających jedną lub więcej substancji chemicznych wyszczególnionych w podpunktach 1C350 .2, .6, .7, .8, .9, .10, .14, .15, .16, .19, .20, .24, .25, .30, .37, .38, .39, .40, .41, .42, .43, .44, .45, .46, .47, .48, .49, .50, .51, .52, .53, .58, .59, .60, .61, .62 i .64, w których żadna z indywidualnie wyszczególnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo więcej niż 30 % mieszaniny.

Uwaga 4:   Pozycja 1C350 nie obejmuje kontrolą wyrobów określanych jako towary konsumpcyjne pakowane do sprzedaży detalicznej do osobistego użytku lub pakowane do indywidualnego użytku.

1C351Ludzkie i zwierzęce czynniki chorobotwórcze oraz „toksyny”, takie jak:

a. następujące wirusy pochodzenia naturalnego, wzmocnione lub zmodyfikowane, w postaci „izolowanych żywych kultur” lub jako materiał łącznie z materiałem żywym, który został celowo zaszczepiony lub zakażony takimi kulturami:

1. wirus afrykańskiej choroby koni;

2. wirus afrykańskiego pomoru świń;

3. wirus Andes;

4. wirusy grypy ptaków, które są:

a. niescharakteryzowane; lub

b. określone w załączniku I pkt 2 do unijnej dyrektywy 2005/94/WE (Dz.U. L 10 z 14.1.2006, s. 16) jako posiadające wysokie właściwości chorobotwórcze, w tym:

1. wirusy typu A o wartości IVPI (wskaźnik dożylnej chorobotwórczości) dla sześciotygodniowych kurcząt powyżej 1,2; lub

2. wirusy typu A podtypów H5 i H7, z sekwencjami genomu kodującymi liczne aminokwasy zasadowe w miejscu cięcia cząsteczki hemaglutyniny podobnymi do sekwencji obserwowanych w innych wirusach HPAI, wskazujących na możliwość rozszczepienia cząsteczki hemaglutyniny przez większość proteaz gospodarza;

5. wirus choroby niebieskiego języka;

6. wirus Chapare;

7. wirus gorączki Chikungunya;

8. wirus Choclo;

9. wirus kongijsko-krymskiej gorączki krwotocznej;

10. nieużywane;

11. wirus Dobrava-Belgrade;

12. wirus wschodnioamerykańskiego końskiego zapalenia mózgu;

13. wirus Ebola: wszystkie wirusy należące do rodzaju Ebolavirus;

14. wirus pryszczycy;

15. wirus ospy koziej;

16. wirus Guanarito;

17. wirus Hantaan;

18. wirus Hendra;

19. wirus SHV-1 (Herpesvirus suis typ 1) (wirus wścieklizny rzekomej; choroba Aujeszkyego);

20. wirus klasycznego pomoru świń;

21. wirus japońskiego zapalenia mózgu;

22. wirus Junin;

23. wirus Lasu Kyasanur;

24. wirus Laguna Negra;

25. wirus Lassa;

26. wirus choroby skokowej owiec;

27. wirus Lujo;

28. wirus choroby zgrudowacenia skóry;

29. wirus limfocytowego zapalenia opon mózgowych;

30. wirus Machupo;

31. wirus marburski: wszystkie wirusy należące do rodzaju Marburgvirus;

32. wirus małpiej ospy;

33. wirus zapalenia mózgu z Murray Valley;

34. wirus rzekomego pomoru drobiu (wirus z Newcastle);

35. wirus Nipah;

36. wirus omskiej gorączki krwotocznej;

37. wirus Oropouche;

38. wirus pomoru przeżuwaczy;

39. wirus choroby pęcherzykowej u świń;

40. wirus Powassan;

41. wirus wścieklizny i wszystkie inne wirusy należące do rodzaju Lyssa;

42. wirus gorączki z Rift Valley;

43. wirus zarazy bydlęcej;

44. wirus Rocio;

45. wirus Sabia;

46. wirus Seoul;

47. wirus ospy owczej;

48. wirus Sin Nombre;

49. wirus zapalenia mózgu z St Louis;

50. enterowirusowe zapalenie mózgu i rdzenia świń;

51. wirus kleszczowego zapalenia mózgu (podtyp dalekowschodni);

52. wirus ospy naturalnej;

53. wirus wenezuelskiego końskiego zapalenia mózgu;

54. wirus pęcherzykowego zapalenia jamy gębowej;

55. wirus zachodnioamerykańskiego końskiego zapalenia mózgu;

56. wirus żółtej gorączki;

57. koronawirus ciężkiej ostrej niewydolności oddechowej (koronawirus SARS);

58. zrekonstruowany wirus grypy z 1918 r.;

b. nieużywane;

c. następujące bakterie pochodzenia naturalnego, wzmocnione lub zmodyfikowane, w postaci „izolowanych żywych kultur” lub jako materiał łącznie z materiałem żywym, który został celowo zaszczepiony lub zakażony takimi kulturami:

1. laseczka wąglika (Bacillus anthracis);

2. pałeczka ronienia bydła (Brucella abortus bovis);

3. pałeczka maltańska (Brucella melitensis);

4. pałeczka ronienia świń (Brucella abortus suis);

5. pałeczka nosacizny Burkholderia mallei (Pseudomonas mallei);

6. pałeczka melioidozy Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei);

7. zarazek papuzicy Chlamydia psittaci (Chlamydophila psittaci);

8. laseczka jadu kiełbasianego gatunku Clostridium argentinense (znana wcześniej jako Clostridium botulinum typ G), szczepy wytwarzające neurotoksynę botulinową;

9.  Clostridium baratii, szczep wytwarzający neurotoksynę botulinową;

10. laseczka jadu kiełbasianego (Clostridium botulinum);

11.  Clostridium butyricum, szczep wytwarzający neurotoksynę botulinową;

12 laseczka zgorzeli gazowej wytwarzająca odmiany egzotoksyn (Clostridium perfringens);

13. riketsja gorączki Q (Coxiella burnetii);

14. pałeczka tularemii (Francisella tularensis);

15.  Mycoplasma capricolum podgatunek capripneumoniae (szczep F38);

16.  Mycoplasma mycoides ssp. mycoides SC („mała kolonia”);

17. riketsja duru plamistego (Riketsja prowazekii);

18. pałeczka duru Salmonella enterica subspecies enterica serotyp Typhi (Salmonella typhi);

19. pałeczka okrężnicy (Escherichia coli) wytwarzająca toksynę Shiga (STEC) z grup serologicznych O26, O45, O103, O104, O111, O121, O145, O157 oraz innych grup serologicznych wytwarzających toksynę Shiga;

Uwaga :  Pałeczka Escherichia coli wytwarzająca toksynę Shiga (STEC) obejmuje między innymi szczep enterokrwotoczny E. coli (EHEC), szczep E. coli wytwarzający werotoksynę (VTEC) i szczep E. coli wytwarzający werocytotoksynę (VTEC).

20. pałeczka czerwonki (Shigella dysenteriae);

21. przecinkowiec cholery (Vibrio cholerae);

22. pałeczka dżumy (Yersinia pestis);

d. następujące „toksyny” i ich „podjednostki toksyn”:

1. toksyny botulinowe;

2. toksyny alfa, beta 1, beta 2, epsilon i jota laseczki zgorzeli gazowej;

3. konotoksyny;

4. rycyna;

5. saksytoksyna;

6. toksyny Shiga (toksyny Shiga-podobne, werotoksyny, werocytotoksyny);

7. enterotoksyny gronkowca złocistego, hemolizyna alfa oraz toksyna wywołująca zespół wstrząsu toksycznego (wcześniej znana jako enterotoksyna F gronkowca);

8. tetrodotoksyna;

9. nieużywane;

10. mikrocystyny (Cyanginosin);

11. aflatoksyny;

12. abryna;

13. toksyna cholery;

14. toksyna diacetoksyscyrpenolowa;

15. toksyna T-2;

16. toksyna HT-2;

17. toksyna modekcyny;

18. toksyna wolkenzyny;

19. lektyna 1 jemioły pospolitej (wiskotoksyna);

Uwaga:   Pozycja 1C351.d nie obejmuje kontrolą toksyn botulinowych ani konotoksyn w postaci wyrobów spełniających wszystkie poniższe kryteria:

1.   są wyrobami farmaceutycznymi przeznaczonymi do podawania ludziom w leczeniu schorzeń;

2.   są opakowane do rozprowadzania jako wyroby lecznicze;

3.   są dopuszczone przez władze państwowe do obrotu jako wyroby lecznicze.

e. następujące grzyby, naturalne, wzmocnione lub zmodyfikowane, w postaci „izolowanych żywych kultur” lub materiału zawierającego żywe organizmy, który został celowo zaszczepiony lub zakażony takimi kulturami:

1.  Coccidioides immitis;

2.  Coccidioides posadasii.

Uwaga:   Pozycja 1C351 nie obejmuje kontrolą „szczepionek” ani „immunotoksyn”.

1C352Nieużywane.

1C353Elementy genetyczne oraz zmodyfikowane genetycznie organizmy:

a. zmodyfikowane genetycznie organizmy lub elementy genetyczne zawierające sekwencje kwasów nukleinowych połączone z czynnikami chorobotwórczymi organizmów wyszczególnionych w pozycjach 1C351.a, 1C351.c, 1C351.e lub 1C354;

b. zmodyfikowane genetycznie organizmy lub elementy genetyczne zawierające sekwencje kwasów nukleinowych przypisanych do jakiejkolwiek z „toksyn” wyszczególnionych w pozycji 1C351.d lub należących do nich „podjednostek toksyn”.

Uwagi techniczne:

1.   Zmodyfikowane genetycznie organizmy obejmują organizmy, w których materiał genetyczny (sekwencje kwasów nukleinowych) został zmieniony w sposób niezachodzący w warunkach naturalnych wskutek krzyżowania lub naturalnej rekombinacji, oraz organizmy wytworzone w całości lub w części sztucznie.

2.   Elementy genetyczne zawierają między innymi chromosomy, genomy, plazmidy, transpozony oraz wektory, bez względu na to, czy są modyfikowane genetycznie lub czy są w całości lub częściowo syntetyzowane chemicznie.

3.   Sekwencje kwasów nukleinowych połączone z czynnikami chorobotwórczymi „mikroorganizmów” wyszczególnionych w pozycjach 1C351.a, 1C351.c, 1C351.e lub 1C354 oznaczają wszelkie sekwencje właściwe dla określonych „mikroorganizmów”, które:

a.   same lub przez swoje produkty transkrybowane lub transponowane stanowią istotne zagrożenie dla zdrowia ludzi, zwierząt lub roślin; lub

b.   wiadomo, że zwiększają zdolność określonych „mikroorganizmów” lub jakichkolwiek innych organizmów, do których mogą zostać wprowadzone lub z którymi mogą zostać w inny sposób zintegrowane, do spowodowania istotnych szkód dla zdrowia ludzi, zwierząt lub roślin.

Uwaga:   Pozycja 1C353 nie obejmuje kontrolą sekwencji kwasów nukleinowych połączonych z czynnikami chorobotwórczymi pałeczki okrężnicy o odmianie serologicznej O157 oraz innych szczepów wytwarzających werotoksyny, innych niż te przypisane do werotoksyn lub ich podjednostek.

1C354Roślinne czynniki chorobotwórcze, takie jak:

a. następujące wirusy pochodzenia naturalnego, wzmocnione lub zmodyfikowane, w postaci „izolowanych żywych kultur” lub jako materiał łącznie z materiałem żywym, który został celowo zaszczepiony lub zakażony takimi kulturami:

1. andyjski utajony wirus ziemniaka;

2. wiroid wrzecionowatości bulw ziemniaka;

b. następujące bakterie pochodzenia naturalnego, wzmocnione lub zmodyfikowane, w postaci „izolowanych żywych kultur” lub jako materiał łącznie z materiałem żywym, który został celowo zaszczepiony lub zakażony takimi kulturami:

1.  Xantomonas albilineans;

2.  Xanthomonas axonopodis pv. citri (Xanthomonas campestris pv. citri A) [Xanthomonas campestris pv. citri];

3.  Xanthomonas oryzae pv. oryzae (Pseudomonas campestris pv. oryzae);

4.  Clavibacter michiganensis subsp. sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. sepedonicum lub Corynebacterium sepedonicum);

5.  Ralstonia solanacearum, rasa 3, biowar 2;

c. następujące grzyby pochodzenia naturalnego, wzmocnione lub zmodyfikowane, w postaci „izolowanych żywych kultur” lub jako materiał łącznie z materiałem żywym, który został celowo zaszczepiony lub zakażony takimi kulturami:

1.  Colletotrichum kahawae (Colletotrichum coffeanum var. virulans);

2.  Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae);

3.  Microcyclus ulei (syn. Dothidella ulei);

4.  Puccinia graminis ssp. graminis var. graminis/Puccinia graminis ssp. graminis var. stakmanii (Puccinia graminis [syn. Puccinia graminis f. sp. tritici]);

5.  Puccinia striiformis (syn. Puccinia glumarum);

6.  Magnaporthe oryzae (Pyricularia oryzae);

7.  Peronosclerospora philippinensis (Peronosclerospora sacchari);

8.  Sclerophthora rayssiae var. zeae;

9.  Synchytrium endobioticium;

10.  Tilletia indica;

11.  Thecaphora solani.

1C450Toksyczne związki chemiczne, prekursory toksycznych związków chemicznych oraz „mieszaniny chemiczne” zawierające jedną lub więcej z tych substancji, takie jak:

N.B.   ZOB. TAKŻE POZYCJE 1C350, 1C351.d ORAZ WYKAZ UZBROJENIA.

a. toksyczne związki chemiczne, takie jak:

1. amiton: O,O-dietylo-S-[2-(dietyloamino)etylo] fosforotiolan (78-53-5) oraz odpowiednie alkilowane lub protonowane sole;

2. PFIB: 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-(trifluorometylo)-1-propen (382-21-8);

3. ZOB. WYKAZ UZBROJENIA dla BZ: 3-chinuklidylo benzylan (6581-06-2);

4. fosgen: dichlorek karbonylu (75-44-5);

5. chlorocyjan (506-77-4);

6. cyjanowodór (74-90-8);

7. chloropikryna: trichloronitrometan (76-06-2);

Uwaga 1:   Dla wywozu do „państw niebędących stronami konwencji o zakazie broni chemicznej” pozycja 1C450 nie obejmuje kontrolą „mieszanin chemicznych” zawierających jedną lub więcej substancji chemicznych wyszczególnionych w podpunktach 1C450.a.1 oraz .a.2, w których żadna z indywidualnie wyszczególnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo więcej niż 1 % mieszaniny.

Uwaga 2:   Dla wywozu do „państw będących stronami konwencji o zakazie broni chemicznej” pozycja 1C450 nie obejmuje kontrolą „mieszanin chemicznych” zawierających jedną lub więcej substancji chemicznych wyszczególnionych w podpunktach 1C450.a.1 oraz .a.2, w których żadna z indywidualnie wyszczególnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo więcej niż 30 % mieszaniny.

Uwaga 3:   Pozycja 1C450 nie obejmuje kontrolą „mieszanin chemicznych” zawierających jedną lub więcej substancji chemicznych wyszczególnionych w podpunktach 1C450.a.4, .a.5, .a.6 oraz .a.7, w których żadna z indywidualnie wyszczególnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo więcej niż 30 % mieszaniny.

Uwaga 4:   Pozycja 1C450 nie obejmuje kontrolą wyrobów określanych jako towary konsumpcyjne pakowane do sprzedaży detalicznej do osobistego użytku lub pakowane do indywidualnego użytku.

b. prekursory toksycznych związków chemicznych, takie jak:

1. związki chemiczne, inne niż wymienione w wykazie uzbrojenia lub w pozycji 1C350, posiadające atom fosforu, z którym związana jest jedna grupa metylowa, etylowa, propylowa lub izopropylowa, lecz nie więcej atomów węgla;

Uwaga:   Pozycja 1C450.b.1 nie obejmuje kontrolą fonofosu: O-etylo S-fenylo-etylofosfonotiolotionianu (944-22-9).

2. dihalogenki N,N-dialkilo (metylo, etylo, propylo lub izopropylo) fosforoamidowe, inne niż dichlorek N,N-dimetylofosforoamidowy;

N.B.:   Zob. pozycja 1C350.57 dla dichlorku N,N-dimetylofosforoamidowego.

3. N,N-dialkilo (metylo, etylo, propylo lub izopropylo)-fosforoamidany dialkilu (metylu, etylu, propylu lub izopropylu), inne niż N,N-dimetylofosforoamidan dietylu wyszczególniony w pozycji 1C350;

4. chlorki 2-N,N-dialkilo (metylo, etylo, propylo lub izopropylo) aminoetylu i odpowiednie protonowane sole, inne niż chlorek N,N-diizopropylo-(beta)-aminoetylu lub chlorowodorek chlorku N,N-diizopropylo-(beta)-aminoetylu wyszczególnione w pozycji 1C350;

5. N,N-dialkilo (metylo, etylo, propylo lub izopropylo) aminoetan-2-ole i odpowiednie protonowane sole, inne niż N,N-diizopropylo-(beta)-aminoetanol (96-80-0) i N,N-dietyloaminoetanol (100-37-8) wyszczególnione w pozycji 1C350;

Uwaga:   Pozycja 1C450.b.5 nie obejmuje kontrolą:

a.   N,N-dimetyloaminoetanolu (108-01-0) i odpowiednich protonowanych soli;

b.   protonowanych soli N,N-dietyloaminoetanolu (100-37-8).

6. N,N-dialkilo (metylo, etylo, propylo lub izopropylo) aminoetano-2-tiole i odpowiednie protonowane sole, inne niż N,N-diizopropylo-(beta)-aminoetanotiol wyszczególniony w pozycji 1C350;

7. etylodietanoloamina (139-87-7) – zob. 1C350;

8. metylodietanoloamina (105-59-9).

Uwaga 1:   Dla wywozu do „państw niebędących stronami konwencji o zakazie broni chemicznej” pozycja 1C450 nie obejmuje kontrolą „mieszanin chemicznych” zawierających jedną lub więcej substancji chemicznych wyszczególnionych w podpunktach 1C450.b.1, .b.2, .b.3, .b.4, .b.5 oraz .b.6, w których żadna z indywidualnie wyszczególnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo więcej niż 10 % mieszaniny.

Uwaga 2:   Dla wywozu do „państw będących stronami konwencji o zakazie broni chemicznej” pozycja 1C450 nie obejmuje kontrolą „mieszanin chemicznych” zawierających jedną lub więcej substancji chemicznych wyszczególnionych w podpunktach 1C450.b.1, .b.2, .b.3, .b.4, .b.5 oraz .b.6, w których żadna z indywidualnie wyszczególnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo więcej niż 30 % mieszaniny.

Uwaga 3:   Pozycja 1C450 nie obejmuje kontrolą „mieszanin chemicznych” zawierających jedną lub więcej substancji chemicznych wyszczególnionych w podpunkcie 1C450.b.8, w których żadna z indywidualnie wyszczególnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo więcej niż 30 % mieszaniny.

Uwaga 4:   Pozycja 1C450 nie obejmuje kontrolą wyrobów określanych jako towary konsumpcyjne pakowane do sprzedaży detalicznej do osobistego użytku lub pakowane do indywidualnego użytku.

1DOprogramowanie

1D001„Oprogramowanie” specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do „rozwoju”, „produkcji” lub „użytkowania” urządzeń wyszczególnionych w pozycjach od 1B001 do 1B003.

1D002„Oprogramowanie” do „rozwoju”„matryc” organicznych, „matryc” metalowych, „matryc” węglowych do laminatów oraz „kompozytów”.

1D003„Oprogramowanie” specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane, aby umożliwić urządzeniom wypełnianie funkcji urządzeń wyszczególnionych w pozycjach 1A004.c lub 1A004.d.

1D101„Oprogramowanie” specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do celów obsługi lub konserwacji wyrobów wyszczególnionych w pozycjach 1B101, 1B102, 1B115, 1B117, 1B118 lub 1B119.

1D103„Oprogramowanie” specjalnie zaprojektowane do badania obiektów o zmniejszonej wykrywalności za pomocą odbitych fal radarowych, śladów w zakresie promieniowania nadfioletowego/podczerwonego i śladów akustycznych.

1D201„Oprogramowanie” specjalnie zaprojektowane do „użytkowania” wyrobów wyszczególnionych w pozycji 1B201.

1ETechnologia

1E001„Technologia”, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, służąca do „rozwoju” lub „produkcji” sprzętu lub materiałów wyszczególnionych w pozycjach 1A002 do 1A005, 1A006.b, 1A007, 1B lub 1C.

1E002Inne „technologie”, takie jak:

a. „technologia” do „rozwoju” lub „produkcji” polibenzotiazoli lub polibenzoksazoli;

b. „technologia” do „rozwoju” lub „produkcji” związków elastomerów fluorowych, zawierających co najmniej jeden monomer eteru winylowego;

c. „technologia” do projektowania lub „produkcji” proszków ceramicznych lub innych niż „kompozytowe” materiałów ceramicznych, takich jak:

1. proszki ceramiczne spełniające wszystkie poniższe kryteria:

a. zawierające którykolwiek z następujących związków:

1. pojedyncze lub kompleksowe tlenki cyrkonu oraz kompleksowe tlenki krzemu lub glinu;

2. pojedyncze azotki boru (w postaci regularnych kryształów);

3. pojedyncze lub kompleksowe węgliki krzemu lub boru; lub

4. pojedyncze lub kompleksowe azotki krzemu;

b. posiadające całkowitą zawartość zanieczyszczeń metalicznych (z wyłączeniem celowych domieszek) w którejkolwiek z poniższych wysokości:

1. poniżej 1 000 ppm dla pojedynczych tlenków lub węglików; lub

2. poniżej 5 000 ppm dla związków kompleksowych lub pojedynczych azotków; oraz

c. będące którymkolwiek z poniższych:

1. tlenkiem cyrkonu (CAS 1314-23-4) o przeciętnych wymiarach cząsteczek mniejszych lub równych 1 μm, niezawierającym więcej niż 10 % cząsteczek większych niż 5 μm; lub

2. innymi proszkami ceramicznymi o przeciętnych wymiarach cząsteczek mniejszych lub równych 5 μm, niezawierającymi więcej niż 10 % cząsteczek większych niż 10 μm;

2. nie-„kompozytowe” materiały ceramiczne składające się z materiałów wyszczególnionych w pozycji 1E002.c.1;

Uwaga:   Pozycja 1E002.c.2 nie obejmuje kontrolą „technologii” materiałów ściernych.

d. nieużywane;

e. „technologia” do instalacji, obsługiwania lub naprawy materiałów wyszczególnionych w pozycji 1C001;

f. „technologia” do naprawy struktur „kompozytowych”, laminatów lub materiałów wyszczególnionych w pozycji 1A002 lub 1C007.c;

Uwaga:   Pozycja 1E002.f nie obejmuje kontrolą „technologii” do naprawy struktur „cywilnych statków powietrznych” za pomocą węglowych „materiałów włóknistych lub włókienkowych” oraz żywic epoksydowych, zawartych w instrukcjach producenta „statku powietrznego”.

g. „biblioteki” specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane, aby umożliwić urządzeniom wypełnianie funkcji urządzeń wyszczególnionych w pozycjach 1A004.c lub 1A004.d.

1E101„Technologia”, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, służąca do „użytkowania” wyrobów wyszczególnionych w pozycjach 1A102, 1B001, 1B101, 1B102, 1B115 do 1B119, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111 do 1C118, 1D101 lub 1D103.

1E102„Technologia”, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, służąca do „rozwoju”„oprogramowania” wyszczególnionego w pozycjach 1D001, 1D101 lub 1D103.

1E103„Technologia” do regulacji temperatur, ciśnień lub atmosfery w autoklawach lub hydroklawach w przypadku wykorzystania do „produkcji”„kompozytów” lub „kompozytów” częściowo przetworzonych.

1E104„Technologia” związana z „produkcją” pirolitycznie wytwarzanych materiałów, formowanych w matrycy, na trzpieniu lub innym podłożu z gazów prekursorowych, ulegających rozkładowi w temperaturach od 1 573 K (1 300 °C) do 3 173 K (2 900 °C) przy ciśnieniach od 130 Pa do 20 kPa.

Uwaga:   Pozycja 1E104 obejmuje „technologię” do łączenia gazów prekursorowych, wartości natężeń przepływu, harmonogramy oraz parametry sterowania procesem.

1E201„Technologia”, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, służąca do „użytkowania” wyrobów wyszczególnionych w pozycjach 1A002, 1A007, 1A202, 1A225 to 1A227, 1B201, 1B225 do 1B234, 1C002.b.3. lub.b.4., 1C010.b., 1C202, 1C210, 1C216, 1C225 do 1C241 lub 1D201.

1E202„Technologia”, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, służąca do „rozwoju” lub „produkcji” wyrobów wyszczególnionych w pozycjach 1A007, 1A202 lub 1A225 do 1A227.

1E203„Technologia”, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, służąca do „rozwoju”„oprogramowania” wyszczególnionego w pozycji 1D201.

KATEGORIA 2 – PRZETWARZANIE MATERIAŁÓW

2ASystemy, urządzenia i części składowe

N.B.   Dla łożysk bezgłośnych zob. wykaz uzbrojenia.

2A001Łożyska, zespoły łożysk oraz ich części składowe:

N.B.   ZOB. TAKŻE POZYCJA 2A101.

Uwaga:   Pozycja 2A001 nie obejmuje kontrolą kulek o tolerancji określanej przez producenta zgodnie z normą ISO 3290 , klasy 5 lub gorszej.

a. łożyska kulkowe lub pełne wałeczkowe o tolerancjach, określonych przez producenta zgodnie z normą ISO 492 (lub według innych odpowiedników krajowych), 4 klasy tolerancji lub lepszej, posiadające ‘pierścienie’ oraz ‘elementy toczne’ wykonane z monelu lub berylu;

Uwaga:   Pozycja 2A001.a nie obejmuje kontrolą łożysk z wałeczkami stożkowymi.

Uwagi techniczne:

1.   ‘Pierścień’ - część promieniowego łożyska tocznego w kształcie obrączki zawierająca jedną lub więcej bieżni (ISO 5593:1997).

2.   ‘Element toczny’ - kulka lub wałek obracające się między bieżniami (ISO 5593:1997).

b. nieużywane;

c. aktywne zespoły łożysk magnetycznych, wykorzystujące którekolwiek z poniższych:

1. materiały o gęstości strumienia 2,0 T lub większej, przenoszące obciążenia większe niż 414 MPa;

2. całkowicie elektromagnetyczne, trójwymiarowe jednobiegunowe konstrukcje dla siłowników; lub

3. wysokotemperaturowe (450 K (177 °C) i więcej) czujniki położenia.

2A101Łożyska kulkowe promieniowe, inne niż wyszczególnione w pozycji 2A001, o tolerancjach określonych zgodnie z normą ISO 492, 2. klasy tolerancji (lub zgodnie z normą ANSI/ABMA Std 20 – klasa tolerancji ABEC 9 lub według innych odpowiedników krajowych) lub lepszej, mające wszystkie wymienione poniżej cechy:

a. średnica wewnętrzna 12–50 mm;

b. średnica zewnętrzna 25–100 mm; oraz

c. szerokość 10–20 mm.

2A225Tygle, wykonane z materiałów odpornych na płynne aktynowce, takie jak:

a. tygle spełniające oba poniższe kryteria:

1. mające pojemność od 150 cm3 do 8 000 cm3; oraz

2. wykonane z jednego z następujących materiałów lub ich kombinacji lub nimi powlekane, o ogólnym poziomie wagowym domieszek 2 % lub mniejszym:

a. fluorek wapnia (CaF2);

b. cyrkonian wapnia (metacyrkonian) (CaZrO3);

c. siarczek ceru (Ce2S3);

d. tlenek erbowy (erbia) (Er2O3);

e. tlenek hafnowy (hafnia) (HfO2);

f. tlenek magnezowy (MgO);

g. azotowany stop niobu z tytanem i wolframem (około 50 % Nb, 30 % Ti, 20 % W);

h. tlenek itrowy (itria) (Y2O3); lub

i. tlenek cyrkonowy (cyrkonia) (ZrO2);

b. tygle spełniające oba poniższe kryteria:

1. mające pojemność od 50 cm3 do 2 000 cm3; oraz

2. wykonane z tantalu lub nim pokryte, o czystości wagowej tantalu 99,9 % lub większej;

c. tygle spełniające wszystkie poniższe kryteria:

1. mające pojemność od 50 cm3 do 2 000 cm3;

2. wykonane z tantalu lub nim pokryte, o czystości wagowej tantalu 98 % lub większej; oraz

3. powlekane węglikiem, azotkiem lub borkiem tantalu lub jakąkolwiek ich kombinacją.

2A226Zawory posiadające wszystkie z następujących cech:

a. „wymiar nominalny” 5 mm lub większy;

b. wyposażone w uszczelnienia mieszkowe; oraz

c. w całości wykonane z glinu, stopu glinu, niklu lub stopu niklu zawierającego wagowo ponad 60 % niklu lub pokryte nimi.

Uwaga techniczna:

Dla zaworów o różnych średnicach otworu wlotowego i wylotowego pojęcie „wymiar nominalny” w pozycji 2A226 odnosi się do najmniejszej średnicy.

2BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne

Uwagi techniczne:

1.   Pomocnicze, równoległe osie konturowe (np. oś „w” w wiertarkach poziomych lub pomocnicza oś obrotowa, której linia centralna biegnie równolegle do głównej osi obrotu) nie są zaliczane do całkowitej liczby osi kształtowych. Osie obrotowe nie muszą obracać się o 360 o. Oś obrotowa może być napędzana za pomocą urządzenia liniowego (np. śruby lub mechanizmu zębatkowego).

2.   Dla celów pozycji 2B za liczbę osi, które mogą być koordynowane jednocześnie w celu „sterowania kształtowego”, uznaje się liczbę osi, wzdłuż których lub dookoła których w trakcie obrabiania przedmiotu wykonywane są ruchy jednoczesne i wzajemnie powiązane pomiędzy obrabianym przedmiotem a narzędziem. Nie obejmuje to żadnych dodatkowych osi, wzdłuż lub dookoła których wykonywane są inne ruchy względne maszyny, takich jak:

a.   systemów obciągania ściernic w szlifierkach;

b.   równoległych osi obrotowych, przeznaczonych do mocowania oddzielnych przedmiotów obrabianych;

c.   współliniowych osi obrotowych przeznaczonych do manipulowania tym samym przedmiotem poprzez zamocowanie go w uchwytach z oddzielnych końców.

3.   Nazewnictwo osi powinno być zgodne z Międzynarodową Normą ISO 841:2001, Systemy automatyki przemysłowej i ich integracja - Numeryczne sterowanie maszynami – Nazewnictwo osi układu współrzędnych i ruchów.

4.   Na potrzeby pozycji od 2B001 do 2B009 „wrzeciono wahliwe” jest zaliczane do osi obrotowych.

5.   Gwarantowaną „jednokierunkową powtarzalność pozycjonowania” można stosować jako rozwiązanie alternatywne w stosunku do indywidualnych testów dla każdego modelu obrabiarki. Jest ona ustalana w następujący sposób:

a.   wybrać pięć egzemplarzy modelu maszyny, który ma być oceniany;

b.   zmierzyć powtarzalność osi liniowej (R↑,R↓) zgodnie z normą ISO 230-2:2014 i ocenić „jednokierunkową powtarzalność pozycjonowania” dla każdej osi każdej z pięciu obrabiarek;

c.   ustalić średnią arytmetyczną wartość „jednokierunkowej powtarzalności pozycjonowania” - wartości dla każdej osi wszystkich pięciu obrabiarek łącznie. Te średnie arytmetyczne wartości „jednokierunkowej powtarzalności pozycjonowania” (
image ) stają się wartością gwarantowaną każdej osi modelu (
image ,
image , …);

d.   ponieważ wykaz kategorii 2 odnosi się do każdej osi liniowej, wartości gwarantowanych „jednokierunkowej powtarzalności pozycjonowania” będzie tyle, ile jest osi liniowych;

e.   jeżeli któraś z osi modelu maszyny nieobjętego kontrolą przez podpunkty od 2B001.a do 2B001.c posiada gwarantowaną „jednokierunkową powtarzalność pozycjonowania” równą lub mniejszą niż określona „jednokierunkowa powtarzalność pozycjonowania” każdego z modeli obrabiarek plus 0,7 μm, od wytwórcy powinno się wymagać potwierdzania poziomu dokładności raz na osiemnaście miesięcy.

6.   Dla celów pozycji 2B001.a do 2B001.c nie uwzględnia się niepewności pomiarowej w odniesieniu do „jednokierunkowej powtarzalności pozycjonowania” obrabiarek, jak zdefiniowano w Międzynarodowej Normie ISO 230-2:2014 lub jej równoważnikach krajowych.

7.   Dla celów pozycji 2B001.a. do 2B001.c.. pomiar osi wykonuje się zgodnie z procedurami badawczymi określonymi w pkt 5.3.2. normy ISO 230-2:2014. Badania dotyczące osi dłuższych niż 2 m przeprowadza się na odcinkach o długości 2 m. Osie dłuższe niż 4 m wymagają wielokrotnych badań (np. dwa badania dla osi dłuższych niż 4 m i nie dłuższych niż 8 m, trzy badania dla osi dłuższych niż 8 m i nie dłuższych niż 12 m), każde na odcinkach o długości 2 m i rozłożonych w równych odstępach na całej długości osi. Badane odcinki są równo rozłożone wzdłuż całej długości osi, natomiast jakikolwiek dodatkowy odcinek zostaje równo podzielony na początku, w środku i na końcu badanych odcinków. Należy zgłosić najmniejszą wartość „jednokierunkowej powtarzalności pozycjonowania” odnotowaną w badanych odcinkach.

2B001Obrabiarki oraz ich różne kombinacje, do skrawania (lub cięcia) metali, materiałów ceramicznych lub „kompozytów”, które, według danych technicznych producenta, mogą być wyposażone w urządzenia elektroniczne do „sterowania numerycznego”, w tym:

N.B.   ZOB. TAKŻE POZYCJA 2B201.

Uwaga 1:   Pozycja 2B001 nie obejmuje kontrolą obrabiarek do specjalnych zastosowań ograniczonych do wytwarzania kół zębatych. Dla takich maszyn zob. pozycja 2B003.

Uwaga 2:   Pozycja 2B001 nie obejmuje kontrolą obrabiarek do specjalnych zastosowań ograniczonych do wytwarzania którychkolwiek z poniższych:

a.   wałów korbowych lub rozrządowych;

b.   narzędzi lub noży do obrabiarek;

c.   ślimaków do wytłaczarek;

d.   grawerowanych lub szlifowanych części biżuterii; lub

e.   protez dentystycznych.

Uwaga 3:   Obrabiarki posiadające co najmniej dwie z trzech następujących zdolności: toczenia, frezowania lub szlifowania (np. tokarka ze zdolnością do frezowania), muszą być oszacowane stosownie odpowiednio do każdej pozycji 2B001.a, .b lub .c.

N.B.   W odniesieniu do maszyn wykorzystujących optyczną obróbkę wykańczającą – zob. pozycja 2B002.

a. tokarki posiadające dwie lub więcej osi, które można jednocześnie koordynować w celu „sterowania kształtowego”, spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. „jednokierunkowa powtarzalność pozycjonowania” równa lub mniejsza (lepsza) niż 0,9 μm mierzona wzdłuż jednej lub więcej osi liniowych przy długości ruchu mniejszej niż 1,0 m; lub

2. „jednokierunkowa powtarzalność pozycjonowania” równa lub mniejsza (lepsza) niż 1,1 μm mierzona wzdłuż jednej lub więcej osi liniowych przy długości ruchu równej lub większej niż 1,0 m;

Uwaga 1:   Pozycja 2B001.a nie obejmuje kontrolą tokarek specjalnie zaprojektowanych do wytwarzania soczewek kontaktowych i spełniających wszystkie poniższe kryteria:

a.   sterownik obrabiarki jest ograniczony do wykorzystywania oprogramowania służącego do programowania obróbki detali opartego na oprogramowaniu okulistycznym; oraz

b.   brak uchwytów próżniowych.

Uwaga 2:   Pozycja 2B001.a. nie obejmuje kontrolą tokarek (Swissturn), ograniczonych do obrabiania tylko prętów podawanych, jeśli maksymalna średnica pręta jest równa lub mniejsza niż 42 mm i nie ma możliwości mocowania uchwytami. Maszyny mogą mieć możliwość wiercenia lub frezowania części o średnicy mniejszej niż 42 mm.

b. frezarki spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. trzy osie liniowe oraz dodatkowo jedna oś obrotowa, które można jednocześnie koordynować w celu „sterowania kształtowego”, spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

a. „jednokierunkowa powtarzalność pozycjonowania” równa lub mniejsza (lepsza) niż 0,9 μm mierzona wzdłuż jednej lub więcej osi liniowych przy długości ruchu mniejszej niż 1,0 m; lub

b. „jednokierunkowa powtarzalność pozycjonowania” równa lub mniejsza (lepsza) niż 1,1 μm mierzona wzdłuż jednej lub więcej osi liniowych przy długości ruchu równej lub większej niż 1,0 m;

2. pięć lub więcej osi, które można jednocześnie koordynować w celu „sterowania kształtowego”, spełniające jedno z poniższych kryteriów:

a. „jednokierunkowa powtarzalność pozycjonowania” równa lub mniejsza (lepsza) niż 0,9 μm mierzona wzdłuż jednej lub więcej osi liniowych przy długości ruchu mniejszej niż 1,0 m;

b. „jednokierunkowa powtarzalność pozycjonowania” równa lub mniejsza (lepsza) niż 1,4 μm mierzona wzdłuż jednej lub więcej osi liniowych przy długości ruchu równej lub większej niż 1 m i mniejszej niż 4 m; lub

c. „jednokierunkowa powtarzalność pozycjonowania” równa lub mniejsza (lepsza) niż 6,0 μm mierzona wzdłuż jednej lub więcej osi liniowych przy długości ruchu równej lub większej niż 4 m;

d. nieużywane;

3. „jednokierunkowa powtarzalność pozycjonowania” dla wiertarek współrzędnościowych równa lub mniejsza (lepsza) niż 1,1 μm mierzona wzdłuż jednej lub więcej osi liniowych; lub

4. maszyny do obróbki frezem jednoostrzowym spełniające wszystkie poniższe kryteria:

a. wartość „bicia promieniowego” i „bicia osiowego” wrzeciona mniejsza (lepsza) niż 0,0004 mm; oraz

b. wartość odchylenia kątowego posuwu (odchyłu, skoku i obrotu) mniejsza (lepsza) niż 2 sekundy kątowe, na 300 mm odcinku ruchu;

c. szlifierki spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. spełniające wszystkie z poniższych kryteriów:

a. „jednokierunkowa powtarzalność pozycjonowania” równa lub mniejsza (lepsza) niż 1,1 μm mierzona wzdłuż jednej lub więcej osi liniowych; oraz

b. trzy lub więcej osi, które można jednocześnie koordynować w celu „sterowania kształtowego”; lub

2. pięć lub więcej osi, które można jednocześnie koordynować w celu „sterowania kształtowego”, spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

a. „jednokierunkowa powtarzalność pozycjonowania” równa lub mniejsza (lepsza) niż 1,1 μm mierzona wzdłuż jednej lub więcej osi liniowych przy długości ruchu mniejszej niż 1 m;

b. „jednokierunkowa powtarzalność pozycjonowania” równa lub mniejsza (lepsza) niż 1,4 μm mierzona wzdłuż jednej lub więcej osi liniowych przy długości ruchu równej lub większej niż 1 m i mniejszej niż 4 m; lub

c. „jednokierunkowa powtarzalność pozycjonowania” równa lub mniejsza (lepsza) niż 6,0 μm mierzona wzdłuż jednej lub więcej osi liniowych przy długości ruchu równej lub większej niż 4 m;

Uwaga:   Pozycja 2B001.c nie obejmuje kontrolą następujących szlifierek:

a.   szlifierek do zewnętrznego, wewnętrznego i zewnętrzno-wewnętrznego szlifowania na okrągło, spełniających wszystkie poniższe kryteria:

1.   ograniczenie do szlifowania na okrągło; oraz

2.   ograniczenie do maksymalnych wymiarów przedmiotu obrabianego do 150 mm średnicy zewnętrznej lub długości;

b.   obrabiarek skonstruowanych specjalnie jako szlifierki współrzędnościowe, nieposiadających osi z ani osi w, o „jednokierunkowej powtarzalności pozycjonowania” mniejszej (lepszej) niż 1,1 μm;

c.   szlifierek powierzchniowych.

d. obrabiarki elektroiskrowe (EDM), niedrutowe, posiadające dwie lub więcej osi obrotowych, które można jednocześnie koordynować w celu „sterowania kształtowego”;

e. obrabiarki do obróbki skrawaniem metali, materiałów ceramicznych lub „kompozytowych” spełniające wszystkie poniższe kryteria:

1. usuwające materiał za pomocą któregokolwiek z niżej wymienionych sposobów:

a. wysokociśnieniowym strumieniem wody lub innej cieczy roboczej, w tym zawierającej substancje ścierne;

b. wiązką elektronów; lub

c. wiązką „laserową”; oraz

2. posiadające co najmniej dwie osie obrotowe i spełniające wszystkie poniższe kryteria:

a. można je jednocześnie koordynować w celu „sterowania kształtowego”; oraz

b. posiadają dokładność pozycjonowania mniejszą (lepszą) niż 0,003o;

f. wiertarki do głębokich otworów i tokarki zmodyfikowane do wiercenia głębokich otworów posiadające maksymalną zdolność do wiercenia otworów o głębokości przekraczającej 5 m.

2B002Obrabiarki sterowane numerycznie wykorzystujące optyczną obróbkę wykańczającą przystosowane do selektywnego usuwania materiału w celu uzyskania optycznych powierzchni asferycznych spełniające wszystkie poniższe kryteria:

a. obróbka wykańczająca z tolerancją mniejszą (lepszą) niż 1,0 μm;

b. obróbka wykańczająca pozwalająca na uzyskanie chropowatości mniejszej (lepszej) niż 100 nm (wartość średnia kwadratowa);

c. cztery lub więcej osi, które można jednocześnie koordynować w celu „sterowania kształtowego”; oraz

d. wykorzystujące którykolwiek z następujących procesów:

1. magnetoreologiczna obróbka wykańczająca (‘MRF’);

2. elektroreologiczna obróbka wykańczająca (‘ERF’);

3. ‘obróbka wykończeniowa wiązką cząstek wysokoenergetycznych’;

4. ‘obróbka narzędziami z membranami ciśnieniowymi’; lub

5. ‘obróbka strumieniem płynu’.

Uwagi techniczne:

Do celów pozycji 2B002:

1.   ‘MRF’ oznacza proces usuwania materiału wykorzystujący ścierny płyn magnetyczny, którego lepkość sterowana jest polem magnetycznym.

2.   ‘ERF’ oznacza proces usuwania materiału wykorzystujący ścierny płyn, którego lepkość sterowana jest polem elektrycznym.

3.   ‘Obróbka wykończeniowa wiązką cząstek wysokoenergetycznych’ wykorzystuje plazmy atomów reaktywnych (RAP) lub wiązki jonowe do selektywnego usuwania materiału.

4.   ‘Obróbka narzędziami z membranami ciśnieniowymi’ oznacza proces wykorzystujący membranę pod ciśnieniem, która ulega deformacji, w celu zetknięcia z obrabianym przedmiotem na małej powierzchni.

5.   Podczas ‘obróbki strumieniem płynu’ do usuwania materiału wykorzystuje się strugę płynu.

2B003Obrabiarki „sterowane numerycznie” lub ręcznie oraz specjalnie do nich zaprojektowane podzespoły, urządzenia sterujące i oprzyrządowanie, specjalnie opracowane do skrawania, obróbki, wykańczania, szlifowania lub gładzenia hartowanych (Rc = 40 lub więcej) kół zębatych o zębach prostych, kół zębatych śrubowych i daszkowych o średnicy toczonej powyżej 1 250 mm i szerokości wieńca wynoszącej 15 % średnicy toczonej lub większej, wykończone do jakości AGMA 14 lub wyższej (równoważnej Klasie 3 normy ISO 1328 ).

2B004Pracujące na gorąco „prasy izostatyczne” spełniające wszystkie poniższe kryteria oraz specjalnie zaprojektowane do nich podzespoły i oprzyrządowanie, takie jak:

N.B.   ZOB. TAKŻE POZYCJE 2B104 I 2B204.

a. posiadające możliwość regulacji warunków termicznych w zamkniętej formie oraz wyposażone w komorę formy o średnicy wewnętrznej 406 mm lub większej; oraz

b. spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. maksymalne ciśnienie robocze powyżej 207 MPa;

2. regulacja warunków termicznych powyżej 1 773 K (1 500 °C); lub

3. łatwość nasycania węglowodorami i usuwania powstających gazowych produktów rozkładu.

Uwaga techniczna:

Wewnętrzny wymiar komory oznacza wymiar komory, w którym osiąga się zarówno temperaturę roboczą, jak i ciśnienie robocze; termin ten nie obejmuje kontrolą osprzętu. Wymiar ten będzie mniejszą ze średnic wewnętrznych komory ciśnieniowej lub izolowanej komory paleniskowej, w zależności od tego, która z tych komór jest umieszczona wewnątrz drugiej.

N.B.:   W przypadku specjalnie zaprojektowanych matryc, form i oprzyrządowania zob. pozycje 1B003, 9B009 oraz wykaz uzbrojenia.

2B005Sprzęt specjalnie zaprojektowany do osadzania, przetwarzania i automatycznej kontroli w czasie obróbki pokryć i powłok nieorganicznych oraz modyfikacji warstw powierzchniowych, przeznaczony do wytwarzania podłoży wyszczególnionych w kolumnie 2 technikami wymienionymi w kolumnie 1 tabeli zamieszczonej po pozycji 2E003.f oraz specjalnie do nich opracowane zautomatyzowane podzespoły do obsługiwania, ustalania położenia, manipulowania i sterowania, w tym:

a. sprzęt produkcyjny do chemicznego osadzania warstw z faz gazowych (CVD) spełniający oba poniższe kryteria:

N.B.:   ZOB. TAKŻE POZYCJA 2B105.

1. modyfikacja procesu do wymienionego poniżej:

a. CVD pulsujące;

b. rozkład termiczny z regulowaną nukleacją (CNTD); lub

c. CVD intensyfikowane lub wspomagane plazmowo; oraz

2. spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

a. zawierający wysokopróżniowe (równe lub mniejsze od 0,01 Pa) uszczelnienia wirujące; lub

b. zawierający wbudowane urządzenia do regulowania grubości powłoki;

b. sprzęt produkcyjny do implantacji jonów o natężeniu wiązki 5 mA lub większym;

c. sprzęt produkcyjny do elektronowego naparowywania próżniowego (EB-PVD) zaopatrzony w układy zasilania o mocy powyżej 80 kW i posiadający którekolwiek z poniższych:

1. „laserowy” system regulacji poziomu cieczy, umożliwiający precyzyjne sterowanie podawaniem materiału wsadowego; lub

2. system kontroli wydajności, sterowany komputerowo, działający na zasadzie fotoluminescencji zjonizowanych atomów w strumieniu odparowanego czynnika, umożliwiający sterowanie wydajnością napylania pokrycia, składającego się z dwóch lub więcej pierwiastków;

d. sprzęt produkcyjny do napylania plazmowego spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. możliwość pracy w atmosferze o regulowanym niskim ciśnieniu (równym lub mniejszym od 10 kPa, mierzonym powyżej i w zakresie 300 mm od wylotu dyszy natryskowej) w komorze próżniowej, w której przed rozpoczęciem napylania można obniżyć ciśnienie do 0,01 Pa; lub

2. zawierający wbudowane urządzenia do regulowania grubości powłoki;

e. sprzęt produkcyjny do rozpylania jonowego zdolny do osiągania prądu o gęstości 0,1 mA/mm2 lub większej przy wydajności napylania 15 μm/h lub wyższej;

f. sprzęt produkcyjny do napylania łukowo-katodowego zawierający siatki elektromagnesów do sterowania łukiem na katodzie;

g. sprzęt produkcyjny do powlekania jonowego zdolny do przeprowadzenia na miejscu pomiaru jednego z niżej wymienionych parametrów:

1. grubości powłoki na podłożu i wydajności procesu; lub

2. właściwości optycznych.

Uwaga:   Pozycja 2B005 nie obejmuje kontrolą urządzeń do chemicznego osadzania warstw z faz gazowych, napylania katodowego, napylania jonowego, jonowego powlekania lub implantacji jonów, specjalnie zaprojektowanych do narzędzi tnących i skrawających.

2B006Systemy, sprzęt oraz „zespoły elektroniczne” do kontroli wymiarowej lub pomiarów, takie jak:

a. sterowane komputerowo lub „sterowane numerycznie” urządzenia do pomiaru współrzędnych (CMM), posiadające maksymalny dopuszczalny błąd pomiaru długości (E0,MPE), wzdłuż trzech osi (objętościowy), w dowolnym punkcie zakresu roboczego maszyny (tj. w długości osi) równy lub mniejszy (lepszy) niż (1,7 + L/1 000) μm (gdzie L jest długością, mierzoną w mm), zgodnie z ISO 10360-2:2009;

Uwaga techniczna:

Maksymalny dopuszczalny błąd pomiaru długości (E0,MPE) najdokładniejszej konfiguracji urządzenia do pomiaru współrzędnych określonej przez producenta (np. najlepsze: czujnik, długość ramienia, parametry ruchu, warunki środowiskowe) przy „wszystkich dostępnych kompensacjach” porównuje się do progu 1,7 + L/1 000 μm.

N.B.   ZOB. TAKŻE POZYCJA 2B206.

b. następujące przyrządy do pomiaru odchylenia liniowego i kątowego:

1. przyrządy do pomiaru „odchylenia liniowego”, posiadające którąkolwiek z niżej wymienionych cech:

Uwaga:   Interferometry i enkodery optyczne do pomiaru odchylenia wyposażone w „laser” są objęte kontrolą tylko w pozycjach 2B006.b.1.c. i 2B206.c.

Uwaga techniczna:

Do celów pozycji 2B006.b.1. „odchylenie liniowe” oznacza zmianę odległości pomiędzy czujnikiem a obiektem mierzonym.

a. bezstykowe systemy pomiarowe o „rozdzielczości” równej lub mniejszej (lepszej) niż 0,2 μm w zakresie pomiarowym do 0,2 mm;

b. systemy transformatorowych różnicowych czujników położenia liniowego (LVDT) spełniające wszystkie poniższe kryteria:

1. spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

a. mające „liniowość” równą lub mniejszą (lepszą) niż 0,1 %, mierzoną od 0 do ‘pełnego zakresu roboczego’ dla LVDT o ‘pełnym zakresie roboczym’ do ± 5 mm włącznie; lub

b. mające „liniowość” równą lub mniejszą (lepszą) niż 0,1 %, mierzoną od 0 do 5 mm dla LVDT o ‘pełnym zakresie roboczym’ większym niż ± 5 mm; oraz

2. dryf równy lub mniejszy (lepszy) niż 0,1 % na dzień w standardowej temperaturze pomieszczenia pomiarowego ± 1 K;

Uwaga techniczna:

Dla celów pozycji 2B006.b.1.b. ‘pełny zakres roboczy’ jest równy połowie całego odchylenia liniowego, jakie może zmierzyć LVDT. Przykładowo LVDT o ‘pełnym zakresie roboczym’ do ± 5 mm włącznie może zmierzyć całkowite możliwe odchylenie liniowe wynoszące 10 mm.

c.  systemy pomiarowe spełniające wszystkie poniższe kryteria:

1. zawierające „laser”;

2. „rozdzielczość” w pełnym zakresie wynoszącą 0,200 nm lub mniej (lepszą); oraz

3. zdolne do osiągnięcia „niepewności pomiaru” równej lub mniejszej (lepszej) niż (1,6 + L/2 000) nm (gdzie L jest długością mierzoną w mm) w każdym miejscu w ramach zakresu pomiaru, przy uwzględnieniu kompensacji ze względu na współczynnik refrakcji powietrza i pomiarze trwającym 30 sekund w temperaturze 20±0,01 °C; lub

d. „zespoły elektroniczne” specjalnie zaprojektowane do realizacji funkcji sprzężenia zwrotnego w systemach wyszczególnionych w pozycji 2B006.b.1.c;

Uwaga:   Pozycja 2B006.b.1 nie obejmuje kontrolą interferometrycznych systemów pomiarowych z automatycznym systemem sterowania niewykorzystującym technik sprzężenia zwrotnego, zawierających „laser” do pomiaru błędów ruchu posuwistego obrabiarek, urządzeń kontroli wymiarów lub podobnego wyposażenia.

2. przyrządy do pomiaru przesunięć kątowych o „dokładności” położenia kątowego równej lub mniejszej (lepszej) niż 0,00025o;

Uwaga:   Pozycja 2B006.b.2 nie obejmuje kontrolą przyrządów optycznych, takich jak autokolimatory, wykorzystujących światło kolimowane (np. światło „lasera”), w celu wykrycia odchylenia kątowego zwierciadła.

c. sprzęt do pomiaru szorstkości powierzchni (w tym wad powierzchni) poprzez pomiar rozproszenia światła, o czułości 0,5 nm lub mniejszej (lepszej);

Uwaga:   Pozycja 2B006 obejmuje obrabiarki, inne niż wyszczególnione w pozycji 2B001, które można wykorzystać do celów pomiarowych, jeżeli spełniają lub przewyższają kryteria określone dla funkcji maszyny pomiarowej.

2B007„Roboty” posiadające którąkolwiek z niżej wymienionych cech charakterystycznych oraz specjalnie zaprojektowane do nich urządzenia sterujące i „manipulatory”, w tym;

N.B.   ZOB. TAKŻE POZYCJA 2B207.

a. posiadające możliwość pełnego trójwymiarowego przetwarzania obrazów lub pełnej trójwymiarowej ‘analizy obrazów’ w czasie rzeczywistym, w celu tworzenia lub modyfikacji „programów” lub tworzenia lub modyfikacji numerycznych danych programowych;

Uwaga techniczna:

Ograniczenie dotyczące 'analizy obrazów' nie obejmuje kontrolą aproksymacji trzeciego wymiaru przez rzutowanie pod zadanym kątem ani stosowanego w ograniczonym zakresie cieniowania według skali szarości, wykorzystywanego do postrzegania głębi lub tekstury dla określonych zadań (2 1/2 D).

b. specjalnie zaprojektowane w celu spełniania wymagań krajowych norm bezpieczeństwa, stosowanych w środowiskach środków potencjalnie wybuchowych;

Uwaga:   Pozycja 2B007.b nie obejmuje kontrolą „robotów” specjalnie zaprojektowanych do komór lakierniczych.

c. specjalnie zaprojektowane lub odpowiednio wzmocnione przed promieniowaniem w celu przeciwstawienia się dawce promieniowania wynoszącej 5 × 103 Gy (Si) bez pogorszenia parametrów działania; lub

Uwaga techniczna:

Termin Gy (Si) odnosi się do energii w dżulach na kilogram pochłoniętej przez nieekranowaną próbkę krzemu poddaną promieniowaniu jonizującemu.

d. specjalnie zaprojektowane do działania na wysokościach przekraczających 30 000 m.

2B008Zespoły lub podzespoły specjalnie zaprojektowane do obrabiarek, systemów i sprzętu do kontroli wymiarów oraz systemów pomiarowych i sprzętu pomiarowego, takie jak:

a. podzespoły położenia liniowego ze sprzężeniem zwrotnym, posiadające całkowitą „dokładność” mniejszą (lepszą) niż (800 + (600 × L/1 000)) nm (gdzie L równa się efektywnej długości w mm);

N.B.   Dla systemów „laserowych” zob. także pozycje 2B006.b.1.c., 2B006.b.1.d. oraz 2B206.c.

b. podzespoły położenia obrotowego ze sprzężeniem zwrotnym, posiadające „dokładność” mniejszą (lepszą) niż 0,00025o;

N.B.   Dla systemów „laserowych” zob. także uwaga do pozycji 2B006.b.2.

Uwaga:   Pozycje 2B008.a. i 2B008.b. obejmują kontrolą podzespoły, które są zaprojektowane do określania informacji dotyczącej położenia do celów kontroli sprzężenia zwrotnego, takie jak urządzenia typu indukcyjnego, z podziałką stopniową i systemy na podczerwień lub „laserowe”.

c. „stoły obrotowo-przechylne” oraz „wrzeciona wychylne” umożliwiające, według danych technicznych producenta, polepszenie parametrów obrabiarek do poziomów określonych w pozycji 2B lub ponad te poziomy.

2B009Maszyny do wyoblania i tłoczenia kształtowego, które według danych technicznych producenta mogą być wyposażone w zespoły „sterowania numerycznego” lub komputerowego oraz spełniające oba poniższe kryteria:

N.B.   ZOB. TAKŻE POZYCJE 2B109 I 2B209.

a. trzy lub więcej osi, które można jednocześnie koordynować w celu „sterowania kształtowego”; oraz

b. nacisk wałka większy niż 60 kN.

Uwaga techniczna:

Do celów pozycji 2B009 maszyny łączące funkcje wyoblania i tłoczenia kształtowego są traktowane jako urządzenia do tłoczenia kształtowego.

2B104„Prasy izostatyczne”, inne niż wyszczególnione w pozycji 2B004, spełniające wszystkie poniższe kryteria:

N.B.   ZOB. TAKŻE POZYCJA 2B204.

a. maksymalne ciśnienie robocze 69 MPa lub większe;

b. skonstruowane dla osiągnięcia i utrzymania środowiska o regulowanych parametrach termicznych rzędu 873 K (600 °C) lub większych; oraz

c. posiadające komorę o średnicy wewnętrznej 254 mm lub większej.

2B105Piece do CVD (chemical vapour deposition – chemicznego osadzania warstw z faz gazowych), inne niż wyszczególnione w pozycji 2B005.a, zaprojektowane lub zmodyfikowane dla zagęszczania kompozytów węglowo-węglowych.

2B109Maszyny do tłoczenia kształtowego, inne niż wyszczególnione w pozycji 2B009, oraz specjalnie zaprojektowane komponenty, takie jak:

N.B.   ZOB. TAKŻE POZYCJA 2B209.

a. maszyny do tłoczenia kształtowego spełniające wszystkie poniższe kryteria:

1. mogące być wyposażone, według specyfikacji technicznej producenta, w zespoły „sterowania numerycznego” lub komputerowego, nawet wtedy, kiedy nie są wyposażone w takie zespoły; oraz

2. posiadające więcej niż dwie osie, które można jednocześnie koordynować w celu „sterowania kształtowego”;

b. specjalnie zaprojektowane części składowe do maszyn tłoczenia kształtowego, wyszczególnionych w pozycjach 2B009 i 2B109.a.

Uwaga:   Pozycja 2B109 nie obejmuje kontrolą maszyn nienadających się do produkcji części składowych systemów napędowych i sprzętu napędowego (np. osłon silników i elementów międzystopniowych) do systemów wyszczególnionych w pozycjach 9A005, 9A007.a lub 9A105.a.

Uwaga techniczna:

Maszyny łączące funkcje wyoblania i tłoczenia kształtowego są na potrzeby pozycji 2B109 traktowane jako urządzenia do tłoczenia kształtowego.

2B116Następujące systemy do badań wibracyjnych, sprzęt i części składowe z nimi związane:

a. systemy do badań wibracyjnych, wykorzystujące techniki sprzężenia zwrotnego lub pętli zamkniętej, zawierające sterowniki cyfrowe, przystosowane do przyspieszenia o wartości równej lub większej niż 10 g rms między 20 Hz a 2 kHz i przekazujące jednocześnie siły równe lub większe niż 50 kN, mierzone na ‘nagim stole’;

b. sterowniki cyfrowe współpracujące ze specjalnie opracowanym oprogramowaniem do badań wibracyjnych, cechujące się ‘pasmem sterowania w czasie rzeczywistym’ powyżej 5 kHz, zaprojektowane do użytku w systemach do badań wibracyjnych, wyszczególnionych w pozycji 2B116.a;

Uwaga techniczna:

W pozycji 2B116.b ‘pasmo sterowania w czasie rzeczywistym’ oznacza maksymalną szybkość, z jaką sterownik może wykonać całkowite cykle próbkowania, przetwarzania danych i przesyłania sygnałów sterowniczych.

c. mechanizmy do wymuszania wibracji (wstrząsarki) wyposażone lub niewyposażone w odpowiednie wzmacniacze, zdolne do przekazywania sił 50 kN lub większych, mierzonych na ‘nagim stole’, używane w systemach do badań wibracyjnych wyszczególnionych w pozycji 2B116.a;

d. konstrukcje podtrzymujące próbki do badań oraz urządzenia elektroniczne, zaprojektowane do łączenia wielu wstrząsarek w system umożliwiający uzyskanie łącznej siły skutecznej 50 kN lub większej, mierzonej na ‘nagim stole’, używane w systemach do badań wibracyjnych wyszczególnionych w pozycji 2B116.a.

Uwaga techniczna:

W pozycji 2B116 pojęcie ‘nagi stół’ oznacza płaski stół lub powierzchnię, bez osprzętu i wyposażenia.

2B117Środki do sterowania sprzętem i przebiegiem procesów, inne niż wyszczególnione w pozycjach 2B004, 2B005.a, 2B104 lub 2B105, zaprojektowane lub zmodyfikowane dla zagęszczania i pirolizy kompozytów strukturalnych do dysz rakietowych oraz głowic powracających do atmosfery.

2B119Następujące maszyny do wyważania i powiązany z nimi sprzęt:

N.B.   ZOB. TAKŻE POZYCJA 2B219.

a. maszyny do wyważania, posiadające wszystkie wymienione niżej cechy:

1. nienadające się do wyważania wirników/zespołów o masie większej niż 3 kg;

2. nadające się do wyważania wirników/zespołów przy prędkościach obrotowych większych niż 12 500 obr./min;

3. nadające się do korekcji niewyważenia w dwu lub więcej płaszczyznach; oraz

4. nadające się do wyważania resztkowego niewyważenia właściwego wynoszącego 0,2 g mm/kg masy wirnika;

Uwaga:   Pozycja 2B119.a nie obejmuje kontrolą wyważarek zaprojektowanych lub zmodyfikowanych dla urządzeń dentystycznych i innego sprzętu medycznego.

b. głowice wskaźników zaprojektowane lub zmodyfikowane do wykorzystania w maszynach wyszczególnionych w pozycji 2B119.a.

Uwaga techniczna:

Głowice wskaźników określane są czasami jako oprzyrządowanie wyważające.

2B120Symulatory ruchu lub stoły obrotowe spełniające wszystkie poniższe kryteria:

a. mające dwie lub więcej osi;

b. zaprojektowane lub zmodyfikowane tak, by zawierać pierścienie ślizgowe lub zintegrowane urządzenia bezstykowe zdolne do przekazywania zasilania elektrycznego lub sygnałów sterowniczych; oraz

c. spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. spełniające wszystkie poniższe kryteria dla jakiejkolwiek pojedynczej osi:

a. zdolność do osiągania prędkości obrotowej równej 400 o/s lub większej lub 30 o/s lub mniejszej; oraz

b. rozdzielczość tempa obracania równa 6 o/s lub mniejsza z dokładnością równą 0,6 o/s lub mniejszą;

2. posiadające stabilność dla najgorszego przypadku równą ± 0,05 % lub lepszą, uśrednioną w zakresie 10 o lub większym; lub

3. mające „dokładność” pozycjonowania równą 5 sekund kątowych lub mniej (lepszą).

Uwaga 1:   Pozycja 2B120 nie obejmuje kontrolą stołów obrotowych zaprojektowanych lub zmodyfikowanych dla obrabiarek lub sprzętu medycznego. Dla uregulowań dotyczących obrabiarkowych stołów obrotowych zob. pozycja 2B008.

Uwaga 2:   Symulatory ruchu lub stoły obrotowe wyszczególnione w pozycji 2B120 są objęte kontrolą niezależnie od tego, czy w momencie wywozu miały już zamontowane pierścienie ślizgowe lub zintegrowane urządzenia bezstykowe.

2B121Stoły pozycjonujące (sprzęt zdolny do precyzyjnego ustawiania położenia kątowego w dowolnej osi), inne niż wyszczególnione w pozycji 2B120, posiadające wszystkie następujące cechy:

a. mające dwie lub więcej osi; oraz

b. mające „dokładność” pozycjonowania równą 5 sekund kątowych lub mniej (lepszą).

Uwaga:   Pozycja 2B121 nie obejmuje kontrolą stołów obrotowych zaprojektowanych lub zmodyfikowanych dla obrabiarek lub sprzętu medycznego. Dla uregulowań dotyczących obrabiarkowych stołów obrotowych zob. pozycja 2B008.

2B122Wirówki umożliwiające nadanie przyśpieszenia ponad 100 g i posiadające pierścienie ślizgowe lub zintegrowane urządzenia bezstykowe zaprojektowane lub zmodyfikowane tak, aby były zdolne do przekazywania zasilania elektrycznego lub sygnałów sterowniczych.

Uwaga:   Wirówki wyszczególnione w pozycji 2B122 są objęte kontrolą niezależnie od tego, czy w momencie wywozu miały już zamontowane pierścienie ślizgowe lub zintegrowane urządzenia bezstykowe.

2B201Obrabiarki i wszelkie ich zestawy poza wyszczególnionymi poniżej w pozycji 2B001, do skrawania lub cięcia metali, materiałów ceramicznych lub „kompozytowych”, które stosownie do specyfikacji technicznej producenta mogą być wyposażone w urządzenia elektroniczne do jednoczesnego „sterowania kształtowego” w dwóch lub więcej osiach:

Uwaga techniczna:

Zamiast indywidualnych testów dla każdego modelu obrabiarki można stosować poziomy gwarantowanej dokładności pozycjonowania, ustalone zgodnie z poniższymi procedurami przy pomiarach wykonanych stosownie do normy ISO 230-2:1988 ( 6 )lub jej odpowiednika krajowego pod warunkiem dostarczenia ich organom krajowym i zaakceptowania ich przez nie. Określanie poziomu gwarantowanej dokładności pozycjonowania:

a.   wybrać pięć egzemplarzy modelu maszyny, który ma być oceniany;

b.   zmierzyć liniowe dokładności osi zgodnie z ISO 230-2:1988 (6) ;

c.   określić wartości dokładności (A) dla każdej osi każdej maszyny. Metodę obliczania wartości dokładności opisano w normie ISO 230-2:1988 (6) ;

d.   określić średnią wartość dokładności dla każdej osi. Średnia wartość staje się gwarantowaną dokładnością pozycjonowania dla każdej osi modelu (Âx, Ây,…);

e.   ponieważ pozycja 2B201 odnosi się do każdej osi liniowej, wartości gwarantowanej dokładności pozycjonowania będzie tyle, ile jest osi liniowych;

f.   jeśli dowolna oś obrabiarki nieobjętej kontrolą przez pozycje 2B201.a., 2B201.b. lub 2B201.c. ma gwarantowaną dokładność pozycjonowania wynoszącą 6 μm lub lepiej (mniej) w przypadku szlifierek oraz 8 μm lub lepiej (mniej) w przypadku frezarek i tokarek, zawsze zgodnie z normą ISO 230-2:1988 (6) , od wytwórcy należy wymagać ponownego potwierdzania poziomu dokładności co osiemnaście miesięcy.

a. frezarki posiadające którąkolwiek z wymienionych poniżej cech:

1. dokładność pozycjonowania, z uwzględnieniem „wszystkich dostępnych kompensacji”, równa 6 μm lub mniej (lepsza), zgodnie z ISO 230–2:1988 (6)  lub równoważną normą krajową, wzdłuż dowolnej osi liniowej;

2. dwie lub więcej konturowych osi obrotu; lub

3. pięć lub więcej osi, które można jednocześnie koordynować w celu „sterowania kształtowego”;

Uwaga:   Pozycja 2B201.a nie obejmuje kontrolą frezarek posiadających następujące cechy:

a.   robocza długość osi x większa niż 2 m; oraz

b.   ogólna dokładność pozycjonowania wzdłuż osi x większa (gorsza) niż 30 μm;

b. szlifierki posiadające którąkolwiek z wymienionych poniżej cech:

1. dokładność pozycjonowania, z uwzględnieniem „wszystkich dostępnych kompensacji”, równa 4 μm lub mniej (lepsza), zgodnie z ISO 230–2:1988 (6)  lub równoważną normą krajową, wzdłuż dowolnej osi liniowej;

2. dwie lub więcej konturowych osi obrotu; lub

3. pięć lub więcej osi, które można jednocześnie koordynować w celu „sterowania kształtowego”;

Uwaga:   Pozycja 2B201.b nie obejmuje kontrolą następujących szlifierek:

a.   szlifierek do zewnętrznego, wewnętrznego i zewnętrzno-wewnętrznego szlifowania na okrągło, posiadających wszystkie niżej wymienione cechy:

1.   ograniczenie do maksymalnych wymiarów przedmiotu obrabianego do 150 mm średnicy zewnętrznej lub długości; oraz

2.   osie ograniczone do x, z i c;

b.   szlifierek współrzędnościowych nieposiadających osi z lub osi w przy ogólnej dokładności pozycjonowania mniejszej (lepszej) niż 4 μm zgodnie z ISO 230-2:1988 (6)  lub równoważną normą krajową.

c. tokarek, które mają dokładności pozycjonowania z uwzględnieniem „wszystkich dostępnych kompensacji” lepsze (mniejsze) niż 6 μm, zgodnie z normą ISO 230-2:1988 (6) , wzdłuż dowolnej osi liniowej (ogólna dokładność pozycjonowania), dla maszyn zdolnych do obrabiania średnic powyżej 35 mm;

Uwaga:   Pozycja 2B201.c. nie obejmuje kontrolą tokarek (Swissturn), ograniczonych do obrabiania tylko prętów podawanych, jeśli maksymalna średnica pręta jest równa lub mniejsza niż 42 mm i w których nie istnieje możliwość mocowania uchwytami. Maszyny mogą mieć możliwość wiercenia lub frezowania części o średnicy mniejszej niż 42 mm.

Uwaga 1:   Pozycja 2B201 nie obejmuje kontrolą obrabiarek do specjalnych zastosowań ograniczonych do wytwarzania dowolnych z następujących części:

a.   kół zębatych;

b.   wałów korbowych lub rozrządowych;

c.   narzędzi lub noży do obrabiarek;

d.   ślimaków do wytłaczarek;

Uwaga 2:   Obrabiarki mogące wykonywać co najmniej dwie z trzech funkcji obejmujących: toczenie, frezowanie lub szlifowanie (np. tokarka z możliwością frezowania), podlegają ocenie na podstawie kryteriów dotyczących każdej stosownej pozycji 2B201.a., b. lub c.

Uwaga 3:   Pozycje 2B201a.3. i 2B201b.3. obejmują obrabiarki oparte o kinematykę równoległo-liniową (np. typu hexapod) posiadające 5 lub więcej osi, z których żadna nie jest osią obrotu.

2B204„Prasy izostatyczne”, inne niż wyszczególnione w pozycjach 2B004 lub 2B104 i sprzęt z nimi związany, w tym:

a. „prasy izostatyczne” posiadające obydwie niżej wymienione cechy:

1. zdolność do osiągnięcia maksymalnego ciśnienia roboczego równego 69 MPa lub większego; oraz

2. wnękę komorową o średnicy wewnętrznej przekraczającej 152 mm;

b. matryce, formy i zespoły sterujące specjalnie zaprojektowane do „pras izostatycznych” wyszczególnionych w pozycji 2B204.a.

Uwaga techniczna:

W pozycji 2B204 wewnętrzny wymiar komory oznacza wymiar, w którym osiąga się zarówno temperaturę roboczą, jak i ciśnienie robocze, a termin ten nie obejmuje osprzętu. Wymiar ten będzie mniejszą ze średnic wewnętrznych komory ciśnieniowej lub izolowanej komory paleniskowej, w zależności od tego, która z tych komór jest umieszczona wewnątrz drugiej.

2B206Następujące maszyny, przyrządy oraz systemy do kontroli wymiarów, inne niż wyszczególnione w pozycji 2B006:

a. sterowane komputerowo lub „sterowane numerycznie” urządzenia do pomiaru współrzędnych spełniające jedno z poniższych kryteriów:

1. mające tylko dwie osie i dające maksymalny dopuszczalny błąd pomiaru długości wzdłuż jakiejkolwiek osi (w układzie jednowymiarowym), oznaczony jako kombinacja E0x,MPE, E0y,MPE, lub E0z,MPE, równy lub mniejszy (lepszy) niż (1,25 + L/1 000) μm (gdzie L jest długością mierzoną w mm) w dowolnym punkcie zakresu roboczego maszyny (tj. na całej długości osi), zgodnie z ISO 10360-2(2009); lub

2. mające trzy lub więcej osi i dające maksymalny dopuszczalny błąd pomiaru długości (E0,MPE) wzdłuż trzech osi (tj. objętościowy) równy lub mniejszy (lepszy) niż (1,7 + L/800) μm (gdzie L jest długością mierzoną w mm) w dowolnym punkcie zakresu roboczego maszyny (tj. na całej długości osi), zgodnie z ISO 10360-2(2009);

Uwaga techniczna:

Maksymalny dopuszczalny błąd pomiaru długości (E0,MPE) najdokładniejszej konfiguracji urządzenia do pomiaru współrzędnych zgodnie z ISO 10360-2(2009) określonej przez producenta (np. najlepsze: czujnik, długość ramienia, parametry ruchu, warunki środowiskowe) przy „wszystkich dostępnych kompensacjach” porównuje się do progu 1,7 + L/800 μm.

b.  systemy do jednoczesnej liniowo-kątowej kontroli półpowłok, posiadające obie z niżej wymienionych cech:

1. „niepewność pomiarową”, wzdłuż dowolnej osi liniowej, równą lub mniejszą (lepszą) niż 3,5 μm na 5 mm; oraz

2. „odchylenie położenia kątowego” równe lub mniejsze niż 0,02°;

c. systemy pomiarowe ‘odchylenia liniowego’, posiadające wszystkie niżej wymienione cechy:

Uwaga techniczna:

Do celów pozycji 2B206.c. ‘odchylenie liniowe’ oznacza zmianę odległości pomiędzy czujnikiem a obiektem mierzonym.

1.   zawierające „laser”; oraz

2.   utrzymujące, przez co najmniej 12 godzin przy temperaturze ± 1 K w warunkach znormalizowanej temperatury i znormalizowanego ciśnienia, wszystkie z poniższych parametrów:

a.   „rozdzielczość” w pełnym zakresie wynoszącą 0,1 μm lub lepszą; oraz

b.   posiadające „niepewność pomiaru” równą lub lepszą (mniejszą) niż (0,2 + L/2 000) μm (L oznacza zmierzoną długość w milimetrach).

Uwaga:   Pozycja 2B206.c. nie obejmuje kontrolą interferometrycznych systemów pomiarowych nieposiadających zamkniętej lub otwartej pętli sprzężenia zwrotnego, zawierających „laser” do pomiaru błędów ruchu posuwistego obrabiarek, urządzeń kontroli wymiarów lub podobnego wyposażenia.

Uwaga 1:   Obrabiarki, które można wykorzystać do celów pomiarowych, są objęte kontrolą, jeżeli spełniają lub przekraczają kryteria określone dla funkcji obrabiarki lub maszyny pomiarowej.

Uwaga 2:   Maszyna wyszczególniona w pozycji 2B206 jest objęta kontrolą, jeżeli jej zakres pracy przekracza w jakikolwiek sposób próg objęcia kontrolą.

Uwagi techniczne:

Wszystkie parametry wartości pomiarowych w pozycji 2B206 reprezentują wartości plus/minus, tj. pasmo niepełne.

2B207„Roboty”, „manipulatory” i jednostki sterujące, inne niż wyszczególnione w pozycji 2B007, takie jak:

a. „roboty” lub „manipulatory” specjalnie zaprojektowane tak, aby spełniały krajowe normy bezpieczeństwa stosowane przy obchodzeniu się z kruszącymi materiałami wybuchowymi (np. spełniające warunki ujęte w przepisach elektrycznych, stosowanych wobec kruszących materiałów wybuchowych);

b. jednostki sterujące, specjalnie zaprojektowane do „robotów” i „manipulatorów” wyszczególnionych w pozycji 2B207.a.

2B209Następujące maszyny do tłoczenia kształtowego, maszyny do wyoblania kształtowego posiadające możliwość realizacji funkcji tłoczenia kształtowego, inne niż wyszczególnione w pozycjach 2B009 lub 2B109, oraz trzpienie:

a. maszyny spełniające oba poniższe kryteria:

1. mające trzy lub więcej wałki (aktywne lub prowadzące); oraz

2. mogące być wyposażone, według specyfikacji technicznej producenta, w zespoły „sterowania numerycznego” lub komputerowego;

b. trzpienie do formowania wirników zaprojektowane do formowania wirników cylindrycznych o średnicy wewnętrznej pomiędzy 75 mm a 400 mm.

Uwaga:   Pozycja 2B209.a obejmuje maszyny posiadające tylko pojedynczy wałek przeznaczony do odkształcania metalu oraz dwa pomocnicze wałki podtrzymujące trzpień, ale nieuczestniczące bezpośrednio w procesie odkształcania.

2B219Następujące odśrodkowe maszyny do wielopłaszczyznowego wyważania, stałe lub przenośne, poziome lub pionowe:

a. wyważarki odśrodkowe zaprojektowane do wyważania elastycznych wirników o długości 600 mm lub większej, posiadające wszystkie niżej wymienione cechy:

1. wychylenie lub średnica czopa powyżej 75 mm;

2. zdolność do wyważania zespołów o masie od 0,9 do 23 kg; oraz

3. zdolność do osiągania prędkości obrotowych w czasie wyważania powyżej 5 000 obr./min;

b. wyważarki odśrodkowe zaprojektowane do wyważania cylindrycznych zespołów wirnika, posiadające wszystkie niżej wymienione cechy:

1. średnica czopa powyżej 75 mm;

2. zdolność do wyważania zespołów o masie od 0,9 do 23 kg;

3. zdolność do osiągania minimalnego resztkowego niewyważenia właściwego rzędu 10 g mm/kg dla jednej płaszczyzny lub mniejszym; oraz

4. napęd pasowy.

2B225Zdalnie sterowane manipulatory, które mogą być stosowane do zdalnego wykonywania prac podczas rozdzielania radiochemicznego oraz w komorach gorących, posiadające wszystkie niżej wymienione cechy:

a. możliwość pokonania ściany komory gorącej o grubości 0,6 m lub większej (dla operacji wykonywanych poprzez ścianę); lub

b. możliwość zmostkowania ponad szczytem ściany komory gorącej o grubości 0,6 m lub większej (dla operacji wykonywanych ponad ścianą).

Uwaga techniczna:

Zdalnie sterowane manipulatory przekształcają działanie człowieka operatora na ramię robocze i uchwyt końcowy. Mogą być typu ‘master/slave’ lub być sterowane joystickiem lub z klawiatury.

2B226Piece indukcyjne z regulowaną atmosferą (próżniowe lub z gazem obojętnym), inne niż te wymienione w pozycjach 9B001 i 3B001, i instalacje do ich zasilania, takie jak:

N.B.   ZOB. TAKŻE POZYCJE 3B001 i 9B001.

a. piece posiadające wszystkie niżej wymienione cechy:

1. zdolność do pracy w temperaturach powyżej 1 123 K (850 °C);

2. wyposażone w cewki indukcyjne o średnicy 600 mm lub mniejszej; oraz

3. zaprojektowane do poboru mocy wynoszącego 5 kW lub więcej;

b. instalacje zasilające, o wydajności znamionowej 5 kW lub większej, specjalnie zaprojektowane do pieców wyszczególnionych w pozycji 2B226.a.

Uwaga:   Pozycja 2B226.a nie obejmuje kontrolą pieców przeznaczonych do przetwarzania płytek półprzewodnikowych.

2B227Próżniowe oraz posiadające inną regulowaną atmosferę, roztapiające i odlewnicze piece metalurgiczne oraz sprzęt z nimi związany, w tym:

a. piece łukowe do przetapiania i odlewania, posiadające obydwie niżej wymienione cechy:

1. wydajność elektrody topliwej pomiędzy 1 000 cm3 a 20 000 cm3; oraz

2. zdolne do pracy w temperaturach topienia powyżej 1 973 K (1 700 °C);

b. piece do topienia wiązką elektronów oraz plazmowe piece do atomizacji i topienia, posiadające obydwie niżej wymienione cechy:

1. moc 50 kW lub większa; oraz

2. zdolne do pracy w temperaturach topienia powyżej 1 473 K (1 200 °C);

c. komputerowe systemy do sterowania i śledzenia przebiegu procesów, specjalnie skonfigurowane do jakichkolwiek pieców wyszczególnionych w pozycji 2B227.a lub 2B227.b;

d. pochodnie plazmowe, specjalnie zaprojektowane do pieców wymienionych w pozycji 2B227.b, posiadające obydwie niżej wymienione cechy:

1. praca przy zasilaniu mocą większą niż 50 kW; oraz

2. zdolne do pracy w temperaturze powyżej 1 473 K (1 200 °C);

e. działa elektronowe, specjalnie zaprojektowane do pieców wymienionych w pozycji 2B227.b, pracujące przy zasilaniu mocą większą niż 50 kW.

2B228Sprzęt do wytwarzania, montażu oraz prostowania wirników, trzpienie i matryce do formowania mieszków, w tym:

a. sprzęt do montażu wirników, przeznaczony do montażu sekcji rurowych wirników odśrodkowych wirówek gazowych, przegród oraz pokryw;

Uwaga:   Pozycja 2B228.a obejmuje precyzyjne trzpienie, zaciski i maszyny do pasowania skurczowego.

b. sprzęt do prostowania wirników, przeznaczony do osiowania sekcji rurowych wirników odśrodkowych wirówek gazowych na wspólnej osi;

Uwaga techniczna:

W pozycji 2B228.b taki sprzęt składa się zazwyczaj z dokładnych czujników pomiarowych, podłączonych do komputera, sterującego następnie pracą np. pneumatycznego bijaka wykorzystywanego do ustawiania sekcji rurowych wirnika.

c. trzpienie i matryce do formowania mieszków, służące do wytwarzania mieszków jednozwojowych.

Uwaga techniczna:

Mieszki, o których mowa w pozycji 2B228.c, posiadają wszystkie niżej wymienione cechy:

1.   średnica wewnętrzna pomiędzy 75 mm a 400 mm;

2.   długość równa lub większa niż 12,7 mm;

3.   głębokość pojedynczego zwoju większa niż 2 mm; oraz

4.   wykonane z wysokowytrzymałych stopów glinu, stali maraging lub wysokowytrzymałych „materiałów włóknistych lub włókienkowych”.

2B230Wszystkie rodzaje ‘przetworników ciśnienia’ zdolne do pomiaru ciśnienia bezwzględnego, posiadające wszystkie niżej wymienione cechy

a. wyposażone w czujniki ciśnień wykonane z glinu, stopów glinu, tlenku glinu (aluminy lub szafiru), niklu, stopów niklu o zawartości wagowej niklu ponad 60 % lub polimerów fluorowęglowodorowych lub też zabezpieczone tymi materiałami;

b. wyposażone ewentualnie w uszczelnienia, istotne dla uszczelniania czujników ciśnień i stykające się bezpośrednio z przetwarzanym medium, wykonane z glinu, stopów glinu, tlenku glinu (aluminy lub szafiru), niklu, stopów niklu o zawartości wagowej niklu ponad 60 % lub polimerów fluorowęglowodorowych lub też zabezpieczone tymi materiałami; oraz

c. spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. pełny zakres pomiarowy poniżej 13 kPa oraz „dokładność” lepsza niż 1 % (w całym zakresie); lub

2. pełny zakres pomiarowy wynoszący 13 kPa lub więcej oraz „dokładność” lepsza niż 130 Pa przy pomiarze na poziomie 13 kPa.

Uwagi techniczne:

1.   W pozycji 2B230 ‘przetwornik ciśnienia’ oznacza urządzenie, które przekształca pomiar ciśnienia na sygnał.

2.   Na potrzeby pozycji 2B230 pojęcie „dokładność” obejmuje nieliniowość, histerezę i powtarzalność w temperaturze otoczenia.

2B231Pompy próżniowe posiadające wszystkie niżej wymienione cechy:

a. gardziel wlotową o średnicy równej lub większej niż 380 mm;

b. wydajność pompowania równą lub większą niż 15 m3/s; oraz

c. są zdolne do wytwarzania próżni końcowej o ciśnieniu lepszym niż 13 mPa.

Uwagi techniczne:

1.   Wydajność pompowania jest określona w pomiarze z użyciem azotu lub powietrza.

2.   Próżnia końcowa jest określana na wlocie do pompy po jego zatkaniu.

2B232Wysokoprędkościowe systemy miotające (napędowe, gazowe, cewkowe, elektromagnetyczne, elektrotermiczne lub inne rozwinięte systemy) zdolne do przyspieszania pocisków do prędkości 1,5 km/s lub większej.

N.B.   ZOB. TAKŻE WYKAZ UZBROJENIA.

2B233Sprężarki śrubowe o uszczelnieniu mieszkowym oraz śrubowe pompy próżniowe o uszczelnieniu mieszkowym, spełniające wszystkie poniższe kryteria:

N.B.   ZOB. TAKŻE POZYCJA 2B350.i.

a. objętościowy współczynnik przepływu na wlocie wynoszący 50 m3/h lub więcej;

b. stopień sprężania 2:1 lub wyższy; oraz

c. wszystkie ich powierzchnie mające bezpośredni kontakt z medium gazowym są wykonane z jednego z następujących materiałów:

1. glin lub stop glinu;

2. tlenek glinu;

3. stal nierdzewna;

4. nikiel lub stop niklu;

5. brąz fosforowy; lub

6. polimery fluorowe.

2B350Następujące obiekty, sprzęt i części składowe do produkcji substancji chemicznych:

a. zbiorniki reakcyjne lub reaktory, wyposażone lub niewyposażone w mieszadła, o całkowitej pojemności wewnętrznej (geometrycznej) powyżej 0,1 m3 (100 litrów) i poniżej 20 m3 (20 000 litrów), w których wszystkie powierzchnie mające bezpośredni kontakt z przetwarzaną lub znajdującą się w nich substancją chemiczną (substancjami chemicznymi) są wykonane z jednego z następujących materiałów:

1. ‘stopów’ o zawartości wagowej powyżej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. polimerów fluorowych (materiałów polimerowych lub elastomerowych o zawartości wagowej fluoru powyżej 35 %);

3. szkła (w tym materiałów powlekanych szkliwami lub emaliowanych lub wykładanych szkłem);

4. niklu lub ‘stopów’ o zawartości wagowej niklu powyżej 40 %;

5. tantalu lub ‘stopów’ tantalu;

6. tytanu lub ‘stopów’ tytanu;

7. cyrkonu lub ‘stopów’ cyrkonu; lub

8. niobu lub ‘stopów’ niobu;

b. mieszadła do zbiorników reakcyjnych lub reaktorów, wyszczególnionych w pozycji 2B350.a oraz wirniki napędzane, łopatki lub wały do takich mieszadeł, w których wszystkie powierzchnie mające bezpośredni kontakt z przetwarzaną lub znajdującą się w nich substancją chemiczną (substancjami chemicznymi) są wykonane z jednego z następujących materiałów:

1. ‘stopów’ o zawartości wagowej powyżej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. polimerów fluorowych (materiałów polimerowych lub elastomerowych o zawartości wagowej fluoru powyżej 35 %);

3. szkła (w tym materiałów powlekanych szkliwami lub emaliowanych lub wykładanych szkłem);

4. niklu lub ‘stopów’ o zawartości wagowej niklu powyżej 40 %;

5. tantalu lub ‘stopów’ tantalu;

6. tytanu lub ‘stopów’ tytanu;

7. cyrkonu lub ‘stopów’ cyrkonu; lub

8. niobu lub ‘stopów’ niobu;

c. zbiorniki magazynowe, zasobniki lub odbiorniki o całkowitej pojemności wewnętrznej (geometrycznej) powyżej 0,1 m3 (100 litrów), w których wszystkie powierzchnie mające bezpośredni kontakt z przetwarzaną lub znajdującą się w nich substancją chemiczną (substancjami chemicznymi) są wykonane z jednego z następujących materiałów:

1. ‘stopów’ o zawartości wagowej powyżej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. polimerów fluorowych (materiałów polimerowych lub elastomerowych o zawartości wagowej fluoru powyżej 35 %);

3. szkła (w tym materiałów powlekanych szkliwami lub emaliowanych lub wykładanych szkłem);

4. niklu lub ‘stopów’ o zawartości wagowej niklu powyżej 40 %;

5. tantalu lub ‘stopów’ tantalu;

6. tytanu lub ‘stopów’ tytanu;

7. cyrkonu lub ‘stopów’ cyrkonu; lub

8. niobu lub ‘stopów’ niobu;

d. wymienniki ciepła lub skraplacze o polu powierzchni wymiany ciepła powyżej 0,15 m2 oraz poniżej 20 m2 oraz rury, płytki, zwoje lub bloki (rdzenie) skonstruowane do takich wymienników ciepła lub skraplaczy, w których wszystkie powierzchnie mające bezpośredni kontakt z przetwarzaną lub znajdującą się w nich substancją chemiczną (substancjami chemicznymi), są wykonane z jednego z następujących materiałów:

1. ‘stopów’ o zawartości wagowej powyżej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. polimerów fluorowych (materiałów polimerowych lub elastomerowych o zawartości wagowej fluoru powyżej 35 %);

3. szkła (w tym materiałów powlekanych szkliwami lub emaliowanych lub wykładanych szkłem);

4. grafitu lub ‘grafitu węglowego’;

5. niklu lub ‘stopów’ o zawartości wagowej niklu powyżej 40 %;

6. tantalu lub ‘stopów’ tantalu;

7. tytanu lub ‘stopów’ tytanu;

8. cyrkonu lub ‘stopów’ cyrkonu;

9. węglika krzemu;

10. węglika tytanu; lub

11. niobu lub ‘stopów’ niobu;

e. kolumny destylacyjne lub absorpcyjne o średnicy wewnętrznej powyżej 0,1 m oraz rozdzielacze cieczy i par, kolektory cieczy, zaprojektowane do takich kolumn destylacyjnych lub absorpcyjnych, w których wszystkie powierzchnie mające bezpośredni kontakt z przetwarzaną lub znajdującą się w nich substancją chemiczną (substancjami chemicznymi) są wykonane z jednego z następujących materiałów:

1. ‘stopów’ o zawartości wagowej powyżej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. polimerów fluorowych (materiałów polimerowych lub elastomerowych o zawartości wagowej fluoru powyżej 35 %);

3. szkła (w tym materiałów powlekanych szkliwami lub emaliowanych lub wykładanych szkłem);

4. grafitu lub ‘grafitu węglowego’;

5. niklu lub ‘stopów’ o zawartości wagowej niklu powyżej 40 %;

6. tantalu lub ‘stopów’ tantalu;

7. tytanu lub ‘stopów’ tytanu;

8. cyrkonu lub ‘stopów’ cyrkonu; lub

9. niobu lub ‘stopów’ niobu;

f. zdalnie sterowany sprzęt napełniający, w którym wszystkie powierzchnie mające bezpośredni kontakt z przetwarzaną lub znajdującą się w nich substancją chemiczną (substancjami chemicznymi) są wykonane z jednego z następujących materiałów:

1. ‘stopów’ o zawartości wagowej powyżej 25 % niklu i 20 % chromu; lub

2. niklu lub ‘stopów’ o zawartości wagowej niklu powyżej 40 %;

g. zawory i ich części, takie jak:

1. zawory spełniające oba poniższe kryteria:

a. o ‘rozmiarze znamionowym’ większym niż 10 mm (3/8″); oraz

b. których wszystkie powierzchnie mające bezpośredni kontakt z wytwarzaną, przetwarzaną lub znajdującą się w nich substancją chemiczną (substancjami chemicznymi) są wykonane z ‘materiałów odpornych na korozję’;

2. zawory, inne niż wyszczególnione w pozycji 2B350.g.1, spełniające wszystkie poniższe kryteria:

a. o ‘rozmiarze znamionowym’ równym lub większym niż 25,4 mm (1″) oraz równym lub mniejszym niż 101,6 mm (4″);

b. mające obudowę (korpus zaworu) lub preformowane wkładki doosłonowe;

c. mające część zamykającą, która może być wymieniana; oraz

d. których wszystkie powierzchnie obudowy (korpusu zaworu) lub preformowanych wkładek doosłonowych mające bezpośredni kontakt z wytwarzaną, przetwarzaną lub znajdującą się w nich substancją chemiczną (substancjami chemicznymi) są wykonane z ‘materiałów odpornych na korozję’;

3. następujące części do zaworów wyszczególnionych w pozycjach 2B350.g.1 lub 2B350.g.2, których wszystkie powierzchnie mające bezpośredni kontakt z wytwarzaną, przetwarzaną lub znajdującą się w nich substancją chemiczną (substancjami chemicznymi) są wykonane z ‘materiałów odpornych na korozję:

a. obudowy (korpusy zaworów);

b. preformowane wkładki doosłonowe;

Uwagi techniczne:

1.   Dla celów pozycji 2B350.g ‘materiały odporne na korozję’ oznaczają jeden z poniższych materiałów:

a.   nikiel lub stopy o zawartości wagowej niklu powyżej 40 %;

b.   stopy o zawartości wagowej powyżej 25 % niklu i 20 % chromu;

c.   polimerów fluorowych (materiałów polimerowych lub elastomerowych o zawartości wagowej fluoru powyżej 35 %);

d.   szkło lub okładziny szklane (w tym materiały powlekane szkliwami lub emaliowane);

e.   tantal lub stopy tantalu;

f.   tytan lub stopy tytanu;

g.   cyrkon lub ‘stopy cyrkonu;

h.   niob lub ‘stopy niobu; lub

i.   następujące materiały ceramiczne:

1.   węglik krzemu o czystości wagowej co najmniej 80 %;

2.   tlenek glinu o czystości wagowej co najmniej 99,9 %;

3.   tlenek cyrkonu (cyrkonia).

2.   ‘Rozmiar znamionowy’ oznacza mniejszą ze średnic: wlotu lub wylotu.

h. rury wielościenne, zawierające okna do wykrywania nieszczelności, w których wszystkie powierzchnie mające bezpośredni kontakt z przetwarzaną lub znajdującą się w nich substancją chemiczną (substancjami chemicznymi) są wykonane z jednego z następujących materiałów:

1. ‘stopów’ o zawartości wagowej powyżej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. polimerów fluorowych (materiałów polimerowych lub elastomerowych o zawartości wagowej fluoru powyżej 35 %);

3. szkła (w tym materiałów powlekanych szkliwami lub emaliowanych lub wykładanych szkłem);

4. grafitu lub ‘grafitu węglowego’;

5. niklu lub ‘stopów’ o zawartości wagowej niklu powyżej 40 %;

6. tantalu lub ‘stopów’ tantalu;

7. tytanu lub ‘stopów’ tytanu;

8. cyrkonu lub ‘stopów’ cyrkonu; lub

9. niobu lub ‘stopów’ niobu;

i. pompy wielokrotnie uszczelnione i nieuszczelnione, o maksymalnym natężeniu przepływu, według specyfikacji producenta, powyżej 0,6 m3/h lub pompy próżniowe o maksymalnym natężeniu przepływu, według specyfikacji producenta, powyżej 5 m3/h (w warunkach znormalizowanej temperatury (273 K (0 °C)) oraz ciśnienia (101,3 kPa)), inne niż wyszczególnione w pozycji 2B233, oraz obudowy (korpusy pomp), preformowane wkładki pomp, wirniki, tłoki lub dysze do pomp strumieniowych skonstruowane do takich pomp, w których wszystkie powierzchnie mające bezpośredni kontakt z przetwarzaną lub znajdującą się w nich substancją chemiczną (substancjami chemicznymi), są wykonane z jednego z następujących materiałów:

1. ‘stopów’ o zawartości wagowej powyżej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. materiałów ceramicznych;

3. żelazokrzemu (stopów żelaza o wysokiej zawartości krzemu);

4. polimerów fluorowych (materiałów polimerowych lub elastomerowych o zawartości wagowej fluoru powyżej 35 %);

5. szkła (w tym materiałów powlekanych szkliwami lub emaliowanych lub wykładanych szkłem);

6. grafitu lub ‘grafitu węglowego’;

7. niklu lub ‘stopów’ o zawartości wagowej niklu powyżej 40 %;

8. tantalu lub ‘stopów’ tantalu;

9. tytanu lub ‘stopów’ tytanu;

10. cyrkonu lub ‘stopów’ cyrkonu; lub

11. niobu lub ‘stopów’ niobu;

Uwaga techniczna:

W pozycji 2B350.i. termin uszczelnienie odnosi się tylko do uszczelnień, które mają bezpośredni kontakt z przetwarzaną substancją chemiczną (substancjami chemicznymi) (lub są do tego zaprojektowane) oraz pełnią funkcję uszczelniacza podczas przesuwu wału napędowego obrotowego lub posuwisto-zwrotnego przez korpus pompy.

j. piece do unieszkodliwiania termicznego, zaprojektowane do niszczenia chemikaliów wyszczególnionych w pozycji 1C350, posiadające specjalnie zaprojektowane systemy doprowadzania odpadów, specjalne urządzenia obsługujące oraz przeciętną temperaturę w komorze spalania powyżej 1 273 K (1 000 °C), w których wszystkie powierzchnie w systemie doprowadzania odpadów mające bezpośredni kontakt z odpadami są wykonane z jednego z następujących materiałów lub nim pokryte:

1. ‘stopów’ o zawartości wagowej powyżej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. materiałów ceramicznych; lub

3. niklu lub ‘stopów’ o zawartości wagowej niklu powyżej 40 %;

Uwaga:   Dla celów pozycji 2B350 materiały używane na uszczelki, wypełnienia, uszczelnienia, śruby, podkładki i inne materiały pełniące funkcję uszczelniającą nie decydują o statusie kontroli, pod warunkiem że części te są wymienialne.

Uwagi techniczne:

1.   ‘Grafit węglowy’ jest substancją składającą się z węgla amorficznego i grafitu, w której zawartość wagowa grafitu wynosi 8 % lub więcej.

2.   W przypadku materiałów wymienionych w powyższych pozycjach termin ‘stop’, jeżeli nie towarzyszy mu szczegółowe określenie stężenia pierwiastków, należy rozumieć jako oznaczający taki stop, w którym wagowa zawartość określonego metalu jest procentowo wyższa niż jakiegokolwiek innego pierwiastka.

2B351Systemy monitorowania gazów toksycznych i przeznaczone do nich części detekcyjne, inne niż wyszczególnione w pozycji 1A004, oraz detektory, czujniki oraz wymienne moduły czujnikowe do nich:

a. zaprojektowane do ciągłej pracy i wykorzystywane do wykrywania bojowych środków chemicznych lub środków chemicznych wyszczególnionych w pozycji 1C350, w stężeniach poniżej 0,3 mg/m3; lub

b. zaprojektowane do wykrywania aktywności wstrzymującej cholinoesterazę.

2B352Następujący sprzęt, który może być wykorzystany przy postępowaniu z materiałami biologicznymi:

a. następujące obudowy zabezpieczające i sprzęt z nimi związany;

1. kompletne obudowy zabezpieczające spełniające kryteria poziomów zabezpieczenia P3 lub P4 (BL3, BL4, L3, L4) wyszczególnione w instrukcji WHO dotyczącej bezpieczeństwa biologicznego laboratoriów (wydanie trzecie, Genewa 2004 r.);

2. następujący sprzęt zaprojektowany do instalacji na stałe w obudowach zabezpieczających objętych kontrolą w pozycji 2B352.a:

a. dwudrzwiowe autoklawy przelotowe do dekontaminacji;

b. prysznice do dekontaminacji kombinezonów ochronnych;

c. śluzy przelotowe z uszczelnieniem mechanicznym lub pneumatycznym;

b. kadzie fermentacyjne i ich części, takie jak:

1. kadzie fermentacyjne, pozwalające na namnażanie „mikroorganizmów” lub żywych komórek wykorzystywanych do wytwarzania wirusów lub toksyn, bez rozprzestrzeniania aerozoli, posiadające pojemność całkowitą równą 20 litrów lub większą;

2. części przeznaczone do kadzi fermentacyjnych określonych w pozycji 2B352.b.1., takie jak:

a. komory do hodowli przeznaczone do sterylizacji i odkażania na miejscu;

b. urządzenia do chwytania w komorach do hodowli;

c. jednostki sterowania procesami umożliwiające jednoczesne monitorowanie i kontrolowanie dwóch lub większej liczby parametrów układu fermentacji (np. temperatury, pH, składników odżywczych, stopnia wzbudzenia, rozpuszczonego tlenu, natężenia przepływu powietrza, kontrola piany);

Uwaga techniczna:

Dla celów pozycji 2B352.b. do kadzi fermentacyjnych zalicza się bioreaktory, bioreaktory jednorazowego użytku, chemostaty oraz instalacje o przepływie ciągłym.

c. separatory odśrodkowe, zdolne do ciągłego oddzielania bez rozprzestrzeniania aerozoli, posiadające wszystkie niżej wymienione cechy:

1. natężenie przepływu powyżej 100 l/h;

2. wykonanie elementów z polerowanej stali nierdzewnej lub tytanu;

3. jedno lub więcej złączy uszczelnianych w obszarze występowania pary wodnej; oraz

4. przystosowane do wysterylizowania w stanie zamkniętym na miejscu;

Uwaga techniczna:

Do separatorów odśrodkowych zalicza się również dekantery.

d. sprzęt filtrujący o poprzecznym (stycznym) przepływie i jego podzespoły:

1. sprzęt filtrujący o poprzecznym (stycznym) przepływie, zdolny do ciągłego rozdzielania „mikroorganizmów”, wirusów, toksyn i kultur komórkowych, posiadający wszystkie poniższe cechy:

a. całkowite pole powierzchni filtrującej równe lub większe niż 1 m2; oraz

b. spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. może być wysterylizowany lub odkażony na miejscu; lub

2. działający przy wykorzystaniu elementów filtrujących jednorazowego użytku;

Uwaga techniczna:

W pozycji 2B352.d.1.b sterylizacja oznacza likwidację wszystkich żyjących mikroorganizmów ze sprzętu poprzez użycie czynnika fizycznego (np. para wodna) lub chemicznego. Odkażenie oznacza zniszczenie potencjalnego zagrożenia mikrobiologicznego sprzętu poprzez użycie czynników chemicznych o właściwościach bakteriobójczych. Odkażenie i sterylizacja różnią się od oczyszczania, które odnosi się do procedur oczyszczenia, zaprojektowanych w celu obniżenia składnika mikrobiologicznego w sprzęcie bez konieczności dokonania likwidacji wszystkich zagrożeń mikrobiologicznych lub utrzymujących się przy życiu mikroorganizmów.

Uwaga:   Pozycja 2B352.d nie obejmuje kontrolą sprzętu do odwrotnej osmozy i hemodializy określonego jako taki przez producenta.

2. elementy do filtracji o poprzecznym (stycznym) przepływie (np. moduły, elementy, kasety, pojemniki, zespoły lub płyty) o powierzchni filtrującej równej lub większej niż 0,2 m2 dla każdego komponentu i zaprojektowane do użycia w sprzęcie do filtracji o poprzecznym (stycznym) przepływie wyszczególnionym w pozycji 2B352.d;

e. sterylizowany parą wodną lub gazem sprzęt do liofilizacji o wydajności kondensora wynoszącej co najmniej 10 kg lodu na dobę i mniejszej niż 1 000 kg lodu na dobę;

f. następujący sprzęt służący do zabezpieczania i fizycznego ograniczania:

1. pełne lub częściowe obudowy ochronne lub kołpaki uzależnione od dowiązanego zewnętrznego źródła powietrzna, pracujące pod nadciśnieniem;

Uwaga:   Pozycja 2B352.f.1 nie obejmuje kontrolą kombinezonów zaprojektowanych do noszenia z niezależnym aparatem do oddychania.

2. komory biohermetyczne, izolatory lub komory bezpieczeństwa biologicznego posiadające wszystkie niżej wymienione cechy, do normalnej pracy:

a. posiadające całkowicie zamkniętą przestrzeń roboczą, w której operator jest oddzielony od obszaru roboczego fizyczną przegrodą;

b. zdolne do pracy pod ciśnieniem ujemnym;

c. posiadające możliwość bezpiecznego manipulowania obiektami w przestrzeni roboczej;

d. w których powietrze dostarczane do przestrzeni roboczej i usuwane z niej jest filtrowane filtrem HEPA;

Uwaga 1:   Pozycja 2B352.f.2. obejmuje komory klasy III bezpieczeństwa biologicznego opisane w ostatnim wydaniu instrukcji WHO dotyczącej bezpieczeństwa biologicznego laboratoriów lub zbudowane zgodnie z krajowymi normami, regulacjami lub wytycznymi.

Uwaga 2:   Pozycja 2B352.f.2. nie obejmuje izolatorów specjalnie zaprojektowanych do trzymania pacjentów w izolatce lub transportu zakażonych pacjentów.

g. następujący sprzęt do wdychania aerozoli zaprojektowany do testowania tożsamości aerozoli zawierających „mikroorganizmy”, wirusy lub „toksyny”:

1. komory inhalacyjne narażające cały organizm, o pojemności 1 m3 lub większej;

2. aparatura umożliwiająca narażenie wyłącznie przez nos, z wykorzystaniem bezpośredniego strumienia aerozolu i umożliwiająca poddanie działaniu:

a. 12 lub większej liczby gryzoni; lub

b. dwóch lub większej liczby zwierząt, innych niż gryzonie;

3. Rury unieruchamiające zwierzęta do stosowania z aparaturą umożliwiającą narażenie wyłącznie przez nos wykorzystującą bezpośredni strumień aerozolu;

h. urządzenia do suszenia rozpryskowego umożliwiające odwadnianie toksyn lub „mikroorganizmów” chorobotwórczych, posiadające wszystkie z następujących cech:

1. zdolność do odparowywania wody wynoszącą ≥ 0,4 kg/h i ≤ 400 kg/h;

2. zdolność do wytwarzania typowych cząstek produktu o średniej wielkości ≤ 10 μm przy pomocy aktualnego wyposażenia lub po niewielkiej modyfikacji suszarki rozpryskowej przy pomocy dysz atomizujących, które umożliwiają wytwarzanie pożądanej wielkości cząstek; oraz

3. mogą być wysterylizowane lub odkażone na miejscu;

2CMateriały

Żadne.

2DOprogramowanie

2D001„Oprogramowanie”, inne niż wyszczególnione w pozycji 2D002, takie jak:

a. „oprogramowanie” specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do „rozwoju” lub „produkcji” urządzeń wyszczególnionych w pozycjach 2A001 lub 2B001.

b. „oprogramowanie” specjalnie opracowane lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do „użytkowania” urządzeń wyszczególnionych w pozycjach 2A001.c, 2B001 lub 2B003 do 2B009.

Uwaga:   Pozycja 2D001 nie obejmuje kontrolą „oprogramowania” do programowania części służącego do generowania kodów „sterowania numerycznego” do obróbki różnych części.

2D002„Oprogramowanie” urządzeń elektronicznych, nawet rezydujące w elementach elektronicznych urządzenia lub systemu, pozwalające działać tym urządzeniom lub systemom jako jednostki „sterowania numerycznego”, umożliwiające jednoczesną koordynację więcej niż czterech osi w celu „sterowania kształtowego”.

Uwaga 1:   Pozycja 2D002 nie obejmuje kontrolą „oprogramowania” specjalnie zaprojektowanego lub zmodyfikowanego do użytkowania obiektów niewyszczególnionych w kategorii 2.

Uwaga 2:   Pozycja 2D002 nie obejmuje kontrolą „oprogramowania” do obiektów wyszczególnionych w pozycji 2B002. W odniesieniu do „oprogramowania” do obiektów wyszczególnionych w pozycji 2B002 zob. pozycja 2D001 oraz 2D003.

Uwaga 3:   Pozycja 2D002 nie obejmuje kontrolą „oprogramowania”, które jest wywożone wraz z obiektami niewyszczególnionymi w kategorii 2 i jest niezbędnym minimum dla ich funkcjonowania.

2D003„Oprogramowanie” zaprojektowane lub zmodyfikowane do użytkowania urządzeń wyszczególnionych w pozycji 2B002, które przekształca układ optyczny, wymiary obrabianego przedmiotu i funkcje usuwania materiału w polecenia „sterowania numerycznego” służące uzyskiwaniu pożądanej formy obrabianego przedmiotu.

2D101„Oprogramowanie” specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do „użytkowania” sprzętu wyszczególnionego w pozycjach 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 lub 2B119 do 2B122.

N.B.   ZOB. TAKŻE POZYCJA 9D004.

2D201„Oprogramowanie” specjalnie zaprojektowane do „użytkowania” sprzętu wyszczególnionego w pozycjach 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 lub 2B227.

2D202„Oprogramowanie” specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do „rozwoju”, „produkcji” lub „użytkowania” sprzętu wyszczególnionego w pozycji 2B201.

Uwaga:   Pozycja 2D202 nie obejmuje kontrolą „oprogramowania” do programowania części służącego do generowania kodów „sterowania numerycznego”, ale nieumożliwiającego bezpośredniego wykorzystania urządzeń do obróbki różnych części.

2D351„Oprogramowanie”, inne niż wyszczególnione w pozycji 1D003, specjalnie zaprojektowane do „użytkowania” sprzętu wyszczególnionego w pozycji 2B351.

2ETechnologia

2E001„Technologia”, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, służąca do „rozwoju” sprzętu lub „oprogramowania” wyszczególnionego w pozycjach 2 A, 2B lub 2D.

Uwaga:   Pozycja 2E001 obejmuje „technologię” przeznaczoną do montowania systemów czujników w urządzenia do pomiaru współrzędnych wyszczególnione w pozycji 2B006.a.

2E002„Technologia”, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, służąca do „produkcji” sprzętu wyszczególnionego w pozycjach 2 A lub 2B.

2E003Inne „technologie”, takie jak:

a. „technologia” do „rozwoju” grafiki interakcyjnej jako integralnej części jednostek „sterowanych numerycznie”, przeznaczonych do przygotowania lub modyfikacji programów obróbki części;

b. „technologia” do procesów wytwórczych wykorzystujących obróbkę metali:

1. „technologia” projektowania narzędzi, form lub uchwytów specjalnie zaprojektowanych do jednego z następujących procesów:

a. „formowania w stanie nadplastycznym”;

b. „zgrzewania dyfuzyjnego”; lub

c. „bezpośredniego wytłaczania hydraulicznego”;

2. dane techniczne, zawierające wymienione poniżej metody lub parametry procesu, wykorzystywane do sterowania następującymi procesami:

a. „formowanie w stanie nadplastycznym” stopów glinu, stopów tytanu lub „nadstopów”:

1. przygotowanie powierzchni;

2. właściwości plastyczne;

3. temperatura;

4. ciśnienie;

b. „zgrzewanie dyfuzyjne”„nadstopów” lub stopów tytanu:

1. przygotowanie powierzchni;

2. temperatura;

3. ciśnienie;

c. „bezpośrednie wytłaczanie hydrauliczne” stopów glinu lub tytanu:

1. ciśnienie;

2. czas cyklu;

d. „izostatyczne zagęszczanie na gorąco” stopów tytanu, glinu lub „nadstopów”:

1. temperatura;

2. ciśnienie;

3. czas cyklu;

c. „technologia” do „rozwoju” lub „produkcji” obciągarek hydraulicznych i form do nich, wykorzystywanych do wytwarzania struktur płatowca;

d. „technologia” do „rozwoju” generatorów instrukcji dla obrabiarek (np. programów do obróbki części) na podstawie danych konstrukcyjnych rezydujących w urządzeniach „sterowanych numerycznie”;

e. „technologia” do „rozwoju” zintegrowanego „oprogramowania” do wprowadzania systemów eksperckich do wspomagania procesu decyzyjnego pracy warsztatowej, przeznaczonego do urządzeń „sterowanych numerycznie”;

f. „technologia” do nakładania powłok nieorganicznych lub powłok nieorganicznych modyfikowanych powierzchniowo (wyszczególnionych w kolumnie 3 poniższej tabeli) na podłoża nieelektroniczne (wyszczególnione w kolumnie 2 poniższej tabeli) za pomocą procesów wyszczególnionych w kolumnie 1 poniższej tabeli i zdefiniowanych w uwadze technicznej;

Uwaga:   Tabela i uwaga techniczna znajdują się za pozycją 2E301.

N.B.   Z tabeli należy korzystać w celu określenia konkretnej „technologii” powlekania tylko w przypadku, gdy powłoka wynikowa w kolumnie 3 znajduje się w polu bezpośrednio obok odnośnego podłoża w kolumnie 2. Na przykład dane techniczne procesu powlekania za pomocą osadzania z pary lotnej są podane w przypadku powlekania krzemkami podłoży z „materiałów kompozytowych” na „matrycy” węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej, lecz nie są podane w przypadku powlekania krzemkami podłoży będących ‘spiekanymi węglikami wolframu’ (16) lub ‘węglikami krzemu’ (18). W drugim przypadku powłoka wynikowa nie jest wymieniona w kolumnie 3 w polu bezpośrednio przylegającym do pola, w którym w kolumnie 2 znajdują się ‘spiekane węgliki wolframu’ (16) i ‘węglik krzemu’ (18).

2E101„Technologia”, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, przeznaczona do „użytkowania” sprzętu lub „oprogramowania” wyszczególnionego w pozycjach 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 do 2B122 lub 2D101.

2E201„Technologia”, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, przeznaczona do „użytkowania” sprzętu lub „oprogramowania” wyszczególnionego w pozycjach 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b, 2B007.c, 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 do 2B233, 2D201 lub 2D202.

2E301„Technologia”, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, przeznaczona do „użytkowania” towarów wyszczególnionych w pozycjach 2B350 do 2B352.



Tabela

Techniki osadzania

1.  Technika powlekania (1) (1)

2.  Podłoże

3.  Powłoka wynikowa

A.  Osadzanie z pary lotnej (CVD)

„Nadstopy”

Glinki na kanały wewnętrzne

 

Podłoża ceramiczne (19) i szkło o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej (14)

Krzemki

Węgliki

Warstwy dielektryczne (15)

Diament

Węgiel diamentopodobny (17)

 

„Materiały kompozytowe” na „matrycy” węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej

Krzemki

Węgliki

Metale ognioodporne

Mieszaniny powyższych (4)

Warstwy dielektryczne (15)

Glinki

Glinki stopowe (2)

Azotek boru

 

Spiekany węglik wolframu (16), węglik krzemu (18)

Węgliki

Wolfram

Mieszaniny powyższych (4)

Warstwy dielektryczne (15)

 

Molibden i stopy molibdenu

Warstwy dielektryczne (15)

 

Beryl i stopy berylu

Warstwy dielektryczne (15)

Diament

Węgiel diamentopodobny (17)

 

Materiały na okienka wziernikowe (9)

Warstwy dielektryczne (15)

Diament

Węgiel diamentopodobny (17)

Termiczne naparowywanie próżniowe (TE-PVD)

 

 

B.1.  Naparowywanie próżniowe (PVD): wiązką elektronów (EB–PVD)

„Nadstopy”

Krzemki stopowe.

Glinki stopowe (2)

MCrAlX (5)

Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy (12)

Krzemki

Glinki

Mieszaniny powyższych (4)

 

Podłoża ceramiczne (19) i szkło o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej (14)

Warstwy dielektryczne (15)

 

Stale odporne na korozję (7)

MCrAlX (5)

Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy (12)

Mieszaniny powyższych (4)

 

„Materiały kompozytowe” na „matrycy” węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej

Krzemki

Węgliki

Metale ognioodporne

Mieszaniny powyższych (4)

Warstwy dielektryczne (15)

Azotek boru

 

Spiekany węglik wolframu (16), węglik krzemu (18)

Węgliki

Wolfram

Mieszaniny powyższych (4)

Warstwy dielektryczne (15)

 

Molibden i stopy molibdenu

Warstwy dielektryczne (15)

 

Beryl i stopy berylu

Warstwy dielektryczne (15)

Borki

Beryl

 

Materiały na okienka wziernikowe (9)

Warstwy dielektryczne (15)

 

Stopy tytanu (13)

Borki

Azotki

B.2.  Napylanie techniką ogrzewania oporowego wspomaganego (PVD) (Pokrywanie jonowe)

Podłoża ceramiczne (19) i szkło o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej

Warstwy dielektryczne (15)

Węgiel diamentopodobny (17)

 

„Materiały kompozytowe” na „matrycy” węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej

Warstwy dielektryczne (15)

 

Spiekany węglik wolframu (16), węglik krzemu

Warstwy dielektryczne (15)

 

Molibden i stopy molibdenu

Warstwy dielektryczne (15)

 

Beryl i stopy berylu

Warstwy dielektryczne (15)

 

Materiały na okienka wziernikowe (9)

Warstwy dielektryczne (15)

Węgiel diamentopodobny (17)

B.3.  Naparowywanie próżniowe (PVD): odparowywanie „laserowe”

Podłoża ceramiczne (19) i szkło o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej (14)

Krzemki

Warstwy dielektryczne (15)

Węgiel diamentopodobny (17)

 

„Materiały kompozytowe” na „matrycy” węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej

Warstwy dielektryczne (15)

 

Spiekany węglik wolframu (16), węglik krzemu

Warstwy dielektryczne (15)

 

Molibden i stopy molibdenu

Warstwy dielektryczne (15)

 

Beryl i stopy berylu

Warstwy dielektryczne (15)

 

Materiały na okienka wziernikowe (9)

Warstwy dielektryczne (15)

Węgiel diamentopodobny

B.4.  Naparowywanie próżniowe (PVD): za pomocą łuku katodowego

„Nadstopy”

Krzemki stopowe.

Glinki stopowe (2)

MCrAlX (5)

 

„Polimery” (11) oraz „materiały kompozytowe” na „matrycy” organicznej

Borki

Węgliki

Azotki

Węgiel diamentopodobny (17)

C.  Osadzanie fluidyzacyjne (zob. A powyżej dla innych technik) (10)

„Materiały kompozytowe” na „matrycy” węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej

Krzemki

Węgliki

Mieszaniny powyższych (4)

 

Stopy tytanu (13)

Krzemki

Glinki

Glinki stopowe (2)

 

Metale i stopy ognioodporne (8)

Krzemki

Tlenki

D.  Napylanie plazmowe

„Nadstopy”

MCrAlX (5)

Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy (12)

Mieszaniny powyższych (4)

Materiał ścierny nikiel-grafit

Materiał ścierny Ni-Cr-Al

Materiał ścierny Al-Si-poliester

Glinki stopowe (2)

 

Stopy glinu (6)

MCrAlX (5)

Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy (12)

Krzemki

Mieszaniny powyższych (4)

 

Metale i stopy ognioodporne (8)

Glinki

Krzemki

Węgliki

 

Stale odporne na korozję (7)

MCrAlX (5)

Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy (12)

Mieszaniny powyższych (4)

 

Stopy tytanu (13)

Węgliki

Glinki

Krzemki

Glinki stopowe (2)

Materiał ścierny nikiel-grafit

Materiał ścierny Ni-Cr-Al

Materiał ścierny Al-Si-poliester

E.  Powlekanie zawiesinowe

Metale i stopy ognioodporne (8)

Krzemki stopione

Glinki stopione z wyjątkiem elementów do nagrzewania oporowego

 

„Materiały kompozytowe” na „matrycy” węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej

Krzemki

Węgliki

Mieszaniny powyższych (4)

F.  Rozpylanie jonowe

„Nadstopy”

Krzemki stopowe.

Glinki stopowe (2)

Glinki zmodyfikowane metalem szlachetnym (3)

MCrAlX (5)

Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy (12)

Platyna

Mieszaniny powyższych (4)

 

Podłoża ceramiczne i szkło o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej (14)

Krzemki

Platyna

Mieszaniny powyższych (4)

Warstwy dielektryczne (15)

Węgiel diamentopodobny (17)

 

Stopy tytanu (13)

Borki

Azotki

Tlenki

Krzemki

Glinki

Glinki stopowe (2)

Węgliki

 

„Materiały kompozytowe” na „matrycy” węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej

Krzemki

Węgliki

Metale ognioodporne

Mieszaniny powyższych (4)

Warstwy dielektryczne (15)

Azotek boru

 

Spiekany węglik wolframu (16), węglik krzemu (18)

Węgliki

Wolfram

Mieszaniny powyższych (4)

Warstwy dielektryczne (15)

Azotek boru

 

Molibden i stopy molibdenu

Warstwy dielektryczne (15)

 

Beryl i stopy berylu

Borki

Warstwy dielektryczne (15)

Beryl

 

Materiały na okienka wziernikowe (9)

Warstwy dielektryczne (15)

Węgiel diamentopodobny (17)

 

Metale i stopy ognioodporne (8)

Glinki

Krzemki

Tlenki

Węgliki

G.  Implantacja jonów

Żarowytrzymałe stale łożyskowe

Dodatki chromu, tantalu lub niobu

 

Stopy tytanu (13)

Borki

Azotki

 

Beryl i stopy berylu

Borki

 

Spiekany węglik wolframu (16)

Węgliki

Azotki

(*1)   Indeksy w nawiasach odnoszą się do uwag zamieszczonych pod tabelą.

TABELA – TECHNIKI OSADZANIA - UWAGI

1. Termin ‘technika powlekania’ obejmuje zarówno naprawę i odnawianie powłok, jak i powłoki pierwotne.

2. Termin ‘powłoka z glinku stopowego’ obejmuje powłoki uzyskane w procesie jedno- lub wieloetapowym, w którym każdy pierwiastek lub pierwiastki są nakładane przed lub podczas nakładania powłoki glinkowej, nawet jeżeli pierwiastki te są nakładane podczas innego procesu powlekania. Nie obejmuje to jednak przypadku wieloetapowego stosowania jednostopniowych procesów osadzania fluidyzacyjnego, mającego na celu uzyskanie glinków stopowych.

3. Termin powłoka z ‘glinku modyfikowanego metalem szlachetnym’ obejmuje powłoki wytwarzane w procesie wieloetapowym, podczas którego przed położeniem powłoki z glinku na podłoże nakładany jest, w innym procesie powlekania, jeden lub kilka metali szlachetnych.

4. Termin ‘mieszaniny powyższych’ obejmuje przesycony materiał powłoki podłoża, części składowe pośrednie, materiał współosadzony oraz wielowarstwowy materiał osadzony uzyskane jedną lub kilkoma technikami powlekania wyszczególnionymi w tabeli.

5. Przez termin ‘MCrAlX’ należy rozumieć powłokę stopową, w której M oznacza kobalt, żelazo, nikiel lub ich kombinację, a X oznacza hafn, itr, krzem, tantal w dowolnych ilościach lub inne zamierzone dodatki w ilościach powyżej 0,01 % wagowo, w różnych proporcjach i kombinacjach, z wyjątkiem:

a. powłok CoCrAlY, w których znajduje się poniżej 22 % wagowo chromu, poniżej 7 % wagowo glinu i poniżej 2 % wagowo itru;

b. powłok CoCrAlY, w których znajduje się 22 do 24 % wagowo chromu, 10 do 12 % wagowo glinu i 0,5 do 0,7 % wagowo itru; lub

c. powłok NiCrAlY, w których znajduje się 21 do 23 % wagowo chromu, 10 do 12 % wagowo glinu i 0,9 do 1,1 % wagowo itru;

6. Termin ‘stopy glinu’ dotyczy stopów, których wytrzymałość na rozciąganie, mierzona w temperaturze 293 K (20 °C), wynosi 190 MPa lub więcej.

7. Termin ‘stale odporne na korozję’ odnosi się do stali serii 300 według AISI (American Iron and Steel Institute) lub równoważnych norm krajowych.

8. Termin ‘metale i stopy ognioodporne’ obejmuje następujące metale i ich stopy: niob, molibden, wolfram i tantal.

9. ‘Materiały na okienka wziernikowe’, takie jak: tlenek glinu, krzem, german, siarczek cynku, selenek cynku, arsenek galu, diament, fosforek galu, szafir oraz następujące halogenki metali: materiały na okienka wziernikowe o średnicy powyżej 40 mm z fluorku cyrkonu i fluorku hafnu.

10. Kategoria 2 nie obejmuje kontrolą „technologii” jednostopniowych procesów osadzania fluidyzacyjnego w przypadku litych profili aerodynamicznych.

11. ‘Polimery’, takie jak: poliimidy, poliestry, polisiarczki, poliwęglany i poliuretany.

12. Termin ‘zmodyfikowany tlenek cyrkonowy’ odnosi się do tlenku cyrkonowego z dodatkami innych tlenków metali (np. tlenku wapnia, tlenku magnezu, tlenku itru, tlenku hafnu, tlenków metali ziem rzadkich) dodanymi w celu stabilizacji pewnych faz krystalicznych i składników faz. Powłoki przeciwtermiczne wykonane z tlenku cyrkonowego modyfikowanego poprzez mieszanie lub stapianie z tlenkiem wapnia lub magnezu nie są objęte kontrolą.

13. Termin ‘stopy tytanu’ odnosi się jedynie do stopów stosowanych w technice kosmicznej i lotniczej, których wytrzymałość na rozciąganie, mierzona w temperaturze 293 K (20 °C), wynosi 900 MPa lub więcej.

14. Termin ‘szkło o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej’ odnosi się do szkieł, dla których wartość współczynnika rozszerzalności cieplnej, mierzona w temperaturze 293 K (20 °C), wynosi 1 × 10–7 K-1 lub mniej.

15. Termin ‘warstwy dielektryczne’ odnosi się do powłok wielowarstwowych z materiałów izolacyjnych, w których interferencyjne właściwości konstrukcji złożonej z materiałów o różnych współczynnikach załamania są wykorzystywane do odbijania, przepuszczania lub pochłaniania fal o różnych długościach. Warstwy dielektryczne odnoszą się do materiałów składających się z więcej niż czterech warstw dielektrycznych lub warstw „kompozytów” dielektryk/metal.

16. ‘Spiekany węglik wolframu’ nie obejmuje kontrolą materiałów na narzędzia skrawające i formujące wykonane z węglika wolframu/(kobaltu, niklu), węglika tytanu/(kobaltu, niklu), węglika chromu/niklu-chromu i węglika chromu/niklu.

17. Nie jest objęta kontrolą „technologia” nakładania węgla diamentopodobnego na którykolwiek z niżej wymienionych produktów:

dyski i głowice magnetyczne, urządzenia do wytwarzania produktów jednorazowych, zawory do kranów, membrany do głośników, części silników samochodowych, narzędzia tnące, matryce do tłoczenia-wykrawania, sprzęt do automatyzacji prac biurowych, mikrofony lub urządzenia lub formy medyczne służące do odlewu lub formowania tworzyw sztucznych, wykonane ze stopów zawierających mniej niż 5 % berylu.

18. ‘Węglik krzemu’ nie obejmuje kontrolą materiałów na narzędzia do cięcia i formowania.

19. Podłoża ceramiczne, w rozumieniu tej pozycji, nie obejmują materiałów ceramicznych zawierających wagowo 5 % lub więcej gliny lub cementu, zarówno w postaci oddzielnych składników, jak i ich kombinacji.

TABELA – TECHNIKI OSADZANIA - UWAGA TECHNICZNA

Definicje procesów wyszczególnionych w kolumnie 1 tabeli:

a. Osadzanie z pary lotnej (CVD) jest procesem nakładania powłoki lub modyfikacji powierzchni podłoża, polegającym na osadzaniu na rozgrzanym podłożu metalu, stopu, „kompozytu”, dielektryka lub materiału ceramicznego. W sąsiedztwie podłoża następuje rozkład lub łączenie gazowych substratów reakcji, wskutek czego osadza się na nim pożądany pierwiastek, stop lub związek. Potrzebna do rozkładu związków lub do reakcji chemicznych energia może być dostarczana przez rozgrzane podłoże, plazmę z wyładowań jarzeniowych lub za pomocą promieniowania „lasera”.

N.B.1   CVD obejmuje następujące procesy: osadzanie w ukierunkowanym przepływie gazów bez zanurzania w proszku, CVD pulsujące, rozkład termiczny z regulowanym zarodkowaniem (CNTD), CVD intensyfikowane lub wspomagane za pomocą plazmy.

N.B.2   Zanurzanie w proszku polega na zanurzaniu podłoża w mieszaninie sproszkowanych substancji.

N.B.3   Gazowe substraty reakcji, wykorzystywane w technice, w której nie stosuje się zanurzania w proszku, są wytwarzane podczas takich samych reakcji podstawowych i przy takich samych parametrach, jak w przypadku osadzania fluidyzacyjnego: z tym wyjątkiem, że powlekane podłoże nie styka się z mieszaniną proszku.

b. Termiczne naparowywanie próżniowe (TE-PVD) jest procesem powlekania w próżni przy ciśnieniach poniżej 0,1 Pa, w którym do odparowania materiału powlekającego używa się energii termicznej. Rezultatem tego procesu jest kondensacja lub osadzenie odparowanych składników na odpowiednio usytuowanych powierzchniach.

Zwykle proces ten jest modyfikowany poprzez wpuszczanie dodatkowych gazów do komory próżniowej podczas powlekania, co umożliwia wytwarzanie powłok o złożonym składzie.

Innym powszechnie stosowanym sposobem jego modyfikacji jest używanie wiązki jonów lub elektronów lub plazmy do intensyfikacji lub wspomagania osadzania powłoki. W technice tej można stosować monitory do bieżącego pomiaru parametrów optycznych i grubości powłoki.

Wyróżnia się poszczególne procesy TE-PVD, takie jak:

1. PVD z zastosowaniem wiązki elektronów – do rozgrzania i odparowania materiału, który ma stanowić powłokę, używa się wiązki elektronów;

2. PVD z ogrzewaniem oporowym – do wytwarzania odpowiedniego i równomiernego strumienia odparowanych składników powłokowych wykorzystywane są źródła elektrycznego ogrzewania oporowego w kombinacji z uderzającą wiązką jonów;

3. odparowanie „laserowe” wykorzystujące ciągłą lub impulsową wiązkę „laserową” do ogrzania materiału przeznaczonego na powłokę;

4. metoda osadzania za pomocą łuku katodowego wykorzystująca zużywającą się katodę wykonaną z materiału mającego stanowić powłokę; łuk wywoływany jest na powierzchni tego materiału poprzez chwilowy kontakt inicjujący. Kontrolowany ruch łuku powoduje erozję powierzchni katody, wytwarzając wysoko zjonizowaną plazmę. Anodę może stanowić stożek osadzony w izolatorze na obwodzie katody lub sama komora. Osadzanie w miejscach nieleżących na linii biegu wiązki uzyskuje się dzięki odpowiedniej polaryzacji podłoża.

N.B.   Definicja ta nie obejmuje bezładnego osadzania wspomaganego łukiem katodowym w przypadku powierzchni niepolaryzowanych.

5. Powlekanie jonowe stanowi specjalną modyfikację procesu TE-PVD, w której do jonizacji osadzanych składników jest wykorzystywane źródło plazmy lub jonów, natomiast podłoże jest polaryzowane ujemnie, co ułatwia wychwytywanie z plazmy tych składników, które mają być osadzone. Do często spotykanych odmian tej techniki należą: wprowadzanie składników aktywnych, odparowywanie substancji stałych wewnątrz komory roboczej oraz bieżący pomiar parametrów optycznych i grubości powłok za pomocą monitorów.

c. Osadzanie fluidyzacyjne jest procesem powlekania lub modyfikacji powierzchni podłoża, w której podłoże jest zanurzane w mieszaninie proszków, składającej się z:

1. proszków metalicznych, które mają być osadzone (zazwyczaj glin, chrom, krzem lub ich kombinacje);

2. aktywatora (zazwyczaj sól halogenkowa); oraz

3. proszku obojętnego, najczęściej tlenku glinu.

Podłoże wraz z mieszaniną proszków znajduje się w retorcie, która jest podgrzewana do temperatury od 1 030 K (757 °C) do 1 375 K (1 102 °C) przez okres wystarczający do osadzenia powłoki.

d. Napylanie plazmowe jest procesem powlekania, w którym do pistoletu (palnika natryskowego) służącego do wytwarzania strumienia plazmy i sterowania nim jest doprowadzany materiał do powlekania w postaci proszku lub pręta. Pistolet topi materiał i wyrzuca go na podłoże, na którym powstaje silnie z nim związana powłoka. Odmianami tego procesu jest napylanie plazmowe niskociśnieniowe oraz napylanie plazmowe z wysoką prędkością.

N.B.1   Niskociśnieniowe oznacza pod ciśnieniem niższym od ciśnienia atmosferycznego otoczenia.

N.B.2   Wysoka prędkość odnosi się do prędkości gazów na wylocie z dyszy przekraczającej wartość 750 m/s w temperaturze 293 K (20 °C) i ciśnieniu 0,1 MPa.

e. Osadzanie zawiesinowe jest procesem powlekania lub modyfikacji powierzchni, w której stosowana jest zawiesina proszku metalicznego lub ceramicznego ze spoiwem organicznym w cieczy, nakładana na podłoże techniką natryskiwania, zanurzania lub malowania. Następnym etapem jest suszenie w powietrzu lub w piecu i obróbka cieplna, w wyniku czego powstaje powłoka o odpowiedniej charakterystyce.

f. Rozpylanie jonowe jest procesem powlekania, opartym na zjawisku przenoszenia pędu, w której naładowane dodatnio jony są przyspieszane przez pole elektryczne w kierunku powierzchni docelowej (materiał powłokowy). Energia kinetyczna padających jonów jest wystarczająca do wyrwania atomów z powierzchni materiału powłokowego i osadzenia ich na odpowiednio usytuowanej powierzchni podłoża.

N.B.1   Tabela dotyczy tylko rozpylania jonowego za pomocą triody, magnetronowego i reakcyjnego, które jest wykorzystywane do zwiększania przyczepności powłoki i wydajności osadzania oraz do rozpylania jonowego wspomaganego prądami wysokiej częstotliwości, wykorzystywanego do intensyfikacji odparowania niemetalicznych materiałów powłokowych.

N.B.2   Do aktywacji osadzania można zastosować wiązki jonów o niskiej energii (poniżej 5 keV).

g. Implantacja jonowa jest procesem modyfikacji powierzchni polegającym na jonizacji pierwiastka, który ma być stopiony, przyspieszaniu go za pomocą różnicy potencjałów i wstrzeliwaniu w odpowiedni obszar powierzchni podłoża. Technika ta może być stosowana równocześnie z napylaniem jonowym wspomaganym za pomocą wiązki elektronów lub rozpylaniem jonowym.

KATEGORIA 3 – ELEKTRONIKA

3ASystemy, urządzenia i części składowe

Uwaga 1:   Poziom kontroli sprzętu i części składowych opisanych w pozycjach 3A001 lub 3A002, innych niż opisane w pozycji 3A001.a.3 do 3A001.a.10, 3A001.a.12 lub 3A001.a.14, specjalnie do nich zaprojektowanych lub posiadających te same cechy funkcjonalne co inny sprzęt, jest taki sam jak poziom kontroli innego sprzętu.

Uwaga 2:   Poziom kontroli układów scalonych opisanych w pozycjach 3A001.a.3 do 3A001.a.9, 3A001.a.12 lub 3A001.a.14, zaprogramowanych na stałe bez możliwości wprowadzenia zmian lub zaprojektowanych do specjalnych funkcji dla innego sprzętu jest taki sam jak poziom kontroli innego sprzętu.

N.B.   W razie gdy producent lub wnioskodawca nie jest w stanie określić poziomu kontroli innego sprzętu, poziom kontroli danych układów scalonych jest określony w pozycjach 3A001.a.3 do 3A001.a.9, 3A001.a.12 i 3A001.a.14.

3A001Następujące produkty elektroniczne:

a. następujące układy scalone ogólnego przeznaczenia:

Uwaga 1:   Poziom kontroli płytek (gotowych lub niegotowych) posiadających wyznaczoną funkcję należy określać na podstawie parametrów podanych w pozycji 3A001.a.

Uwaga 2:   Wśród układów scalonych rozróżnia się następujące typy:

  „monolityczne układy scalone”;

  „hybrydowe układy scalone”;

  „wieloukłady scalone”;

  „układy scalone warstwowe”, łącznie z układami scalonymi typu krzem na szafirze;

  „optyczne układy scalone”;

  „trójwymiarowe układy scalone”;

  „monolityczne mikrofalowe układy scalone” („MMIC”)

1. układy scalone zaprojektowane lub oznaczone znamionowo jako zabezpieczone przed promieniowaniem jonizującym, wytrzymujące którekolwiek z poniższych:

a. dawkę całkowitą 5 × 103 Gy (Si) lub wyższą;

b. wzrost dawki o 5 × 106 Gy (Si)/s lub większy; lub

c. fluencję (zintegrowany strumień) neutronów (ekwiwalent 1 MeV) o wartości 5 × 1013 n/cm2 lub większej na krzemie, lub jej ekwiwalent na innym materiale;

Uwaga:   Pozycja 3A001.a.1.c nie obejmuje kontrolą struktur metal- izolator- półprzewodnik (MIS).

2. „układy mikroprocesorowe”, „układy mikrokomputerowe” i układy do mikrosterowników, układy scalone pamięci wykonane z półprzewodników złożonych, przetworniki analogowo-cyfrowe, układy scalone zawierające przetworniki analogowo-cyfrowe i zapisujące lub przetwarzające dane przetworzone cyfrowo, przetworniki cyfrowo-analogowe, układy elektrooptyczne lub „optyczne układy scalone” do „przetwarzania sygnałów”, sieci bramek programowalne przez użytkownika, robione na zamówienie układy scalone o nieznanej ich producentowi funkcji lub poziomie kontroli urządzenia, w którym miałyby być zainstalowane, procesory do Szybkiej Transformacji Fouriera (FFT), wymazywalne elektrycznie programowalne pamięci stałe (EEPROM), pamięci błyskowe, statyczne pamięci o dostępie swobodnym (SRAM) lub magnetorezystywne pamięci o dostępie swobodnym (MRAM), spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

a. przystosowane do pracy w temperaturze otoczenia powyżej 398 K (125 °C),

b. przystosowane do pracy w temperaturze otoczenia poniżej 218 K (– 55 °C), lub

c. przystosowane do pracy w całym przedziale wartości temperatur od 218 K (– 55 °C) do 398 K (125 °C).

Uwaga:   Pozycja 3A001.a.2 nie obejmuje kontrolą układów scalonych do silników pojazdów cywilnych ani kolejowych.

3. „układy mikroprocesorowe”, „układy mikrokomputerowe” i układy do mikrosterowników wykonane z półprzewodników złożonych, pracujące z częstotliwością zegara przekraczającą 40 MHz;

Uwaga:   Pozycja 3A001.a.3 obejmuje cyfrowe procesory sygnałowe, cyfrowe procesory tablicowe i koprocesory cyfrowe.

4. nieużywane;

5. następujące przetworniki analogowo-cyfrowe (ADC) i przetworniki cyfrowo-analogowe (DAC) na układach scalonych:

a. przetworniki analogowo-cyfrowe spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

N.B.   ZOB. TAKŻE POZYCJA 3A101.

1. rozdzielczość 8 bitów lub więcej, lecz poniżej 10 bitów i wielkość wyjściowa większa niż 1,3 giga próbek/sek. (GSPS);

2. rozdzielczość 10 bitów lub więcej, lecz poniżej 12 bitów i wielkość wyjściowa większa niż 600 mega próbek/sek. (MSPS);

3. rozdzielczość 12 bitów lub więcej, lecz poniżej 14 bitów i wielkość wyjściowa większa niż 400 mega próbek /sek. (MSPS);

4. rozdzielczość 14 bitów lub więcej, lecz poniżej 16 bitów i wielkość wyjściowa większa niż 250 mega próbek /sek. (MSPS); lub

5. rozdzielczość 16 bitów lub więcej i wielkość wyjściowa większa niż 65 mega próbek/sek. (MSPS);

N.B.   Odnośnie do układów scalonych, które zawierają przetworniki analogowo-cyfrowe i zapisują lub przetwarzają dane przetworzone cyfrowo, zob. pozycja 3A001.a.14.

Uwagi techniczne

1.   Rozdzielczość n bitów odpowiada kwantowaniu na 2n poziomach.

2.   Liczba bitów w słowie wyjściowym jest równa rozdzielczości przetwornika analogowo-cyfrowego.

3.   Wielkość wyjściowa jest to maksymalna wielkość wyjściowa przetwornika, bez względu na architekturę czy oversampling.

4.   W przypadku ‘wielokanałowych przetworników AC’ wielkości wyjściowe nie są agregowane i wielkość wyjściowa jest maksymalną wielkością wyjściową pojedynczego kanału.

5.   W przypadku ‘przetworników AC’ z przeplotem lub w przypadku ‘wielokanałowych przetworników AC’, których specyfikacje przewidują tryb pracy z przeplotem, wielkości wyjściowe są agregowane i wielkość wyjściowa jest maksymalną łączną całkowitą wielkością wyjściową wszystkich kanałów.

6.   Sprzedawcy mogą także określać wielkość wyjściową jako wielkość próbkową, wielkość przetwarzania lub przepustowość. Jest ona określana często w megahercach (MHz), megasłowach na sekundę lub megapróbkach na sekundę (MSPS).

7.   Dla celów pomiarów wielkości wyjściowej jedna próbka na sekundę odpowiada jednemu hercowi lub jednemu słowu wyjściowemu na sekundę.

8.   ‘Wielokanałowe przetworniki analogowo-cyfrowe’ definiuje się jako urządzenia zawierające więcej niż jeden przetwornik AC, zaprojektowane tak, by każdy AC miał odrębne wejście analogowe.

9.   ‘Przetworniki AC z przeplotem’ definiuje się jako urządzenia mające wiele jednostek AC próbkujących ten sam wejściowy sygnał analogowy w różnych momentach, tak że po zagregowaniu sygnałów wyjściowych analogowy sygnał wejściowy jest skutecznie próbkowany i przekształcany z większą częstotliwością próbkowania.

b. przetworniki cyfrowo-analogowe (przetworniki CA) spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. rozdzielczość 10 bitów lub większa przy ‘skorygowanej prędkości aktualizacji’ większej niż 3 500 MSPS; lub

2. rozdzielczość 12 bitów lub większa przy ‘skorygowanej prędkości aktualizacji’ większej niż 1 250 MSPS i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

a. czas ustalania krótszy niż 9 ns do 0,024 % pełnej skali od pełnego stopnia skali; lub

b. ‘zakres dynamiki wolny od zafałszowań’ (SFDR) większy niż 68 dBc (nośna) przy syntetyzowaniu pełnoskalowego sygnału analogowego o częstotliwości 100 MHz lub najwyższej częstotliwości pełnoskalowego sygnału analogowego wyspecyfikowanej poniżej 100 MHz;

Uwagi techniczne

1.   ‘Zakres dynamiki wolny od zafałszowań’ (SFDR) jest definiowany jako stosunek średniej kwadratowej częstotliwości nośnej (maksymalny element składowy sygnału) na wejściu przetwornika CA do średniej kwadratowej najbliższego dużego składnika szumu lub zniekształcenia harmonicznego na jego wyjściu.

2.   SFDR określa się bezpośrednio z tabel specyfikacji lub z wykresów przedstawiających charakterystyki SFDR w funkcji częstotliwości.

3.   Sygnał definiuje się jako pełnoskalowy, gdy jego amplituda jest większa niż -3 dBfs (pełna skala).

4.   ‘Skorygowana prędkość aktualizacji’ dla przetwornika CA:

a.   w przypadku konwencjonalnych (nieinterpolujących) przetworników CA ‘skorygowana prędkość aktualizacji’ jest to prędkość, z jaką sygnał cyfrowy jest przekształcany na sygnał analogowy i analogowe wartości wyjściowe są zmieniane przez przetwornik CA. Przetworniki cyfrowo-analogowe, w których można obejść tryb interpolacji (współczynnik interpolacji wynoszący jeden), należy uznać za konwencjonalne przetworniki CA (nieinterpolujące);

b.   w przypadku przetworników CA interpolujących (przetworniki CA z oversamplingiem) ‘skorygowana prędkość aktualizacji’ jest definiowana jako prędkość aktualizacji przetwornika CA podzielona przez najmniejszy współczynnik interpolacji. W przypadku interpolujących przetworników CA ‘skorygowana prędkość aktualizacji’ bywa stosowana zamiennie z innymi terminami, w tym:

  prędkość przesyłania danych na wejściu,

  prędkość transmisji słów na wejściu,

  częstotliwość próbkowania na wejściu,

  maksymalna całkowita prędkość magistrali na wejściu,

  maksymalna częstotliwość cyklu zegara DAC dla danych wejściowych zegara DAC.

6. elektrooptyczne układy scalone lub „optyczne układy scalone” zaprojektowane do „przetwarzania sygnałów” i spełniające wszystkie poniższe kryteria:

a. jedna lub więcej wewnętrzna dioda „laserowa”;

b. jeden lub więcej wewnętrzny element wykrywający światło; oraz

c. prowadnica światłowodowa;

7. programowalne przez użytkownika urządzenia logiczne spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

a. maksymalna liczba asynchronicznych cyfrowych wejść/wyjść wynosząca ponad 700; lub

b. ‘łączna jednokierunkowa szczytowa prędkość przesyłu danych nadajnika-odbiornika szeregowego’ wynosząca 500 Gb/s lub więcej;

Uwaga:   Pozycja 3A001.a.7 zawiera:

  proste programowalne urządzenia logiczne (SPLD),

  złożone programowalne urządzenia logiczne (CPLD),

  tablice bramek programowalne przez użytkownika (FPGA),

  tablice logiczne programowalne przez użytkownika (FPLA),

  połączenia wewnętrzne programowalne przez użytkownika (FPIC).

N.B.   Odnośnie do układów scalonych posiadających programowalne przez użytkownika urządzenia logiczne, połączone z przetwornikiem analogowo-cyfrowym, zob. pozycja 3A001.a.14.

Uwagi techniczne

1.   Maksymalna liczba cyfrowych wejść/wyjść w pozycji 3A001.a.7.a jest również nazywana maksymalną liczbą wejść/wyjść użytkowników lub maksymalną liczbą dostępnych wejść/wyjść niezależnie od tego, czy obwód scalony jest obudowany czy surowy.

2.   ‘łączna jednokierunkowa szczytowa prędkość przesyłu danych nadajnika-odbiornika szeregowego’ oznacza iloczyn jednokierunkowej szczytowej prędkości przesyłu danych nadajnika-odbiornika i liczby nadajników-odbiorników na tablicach bramek programowalnych przez użytkownika (FPGA).

8. nieużywane;

9. obwody scalone do sieci neuronowych;

10. wykonywane na zamówienie układy scalone o nieznanej ich producentowi funkcji lub poziomie kontroli sprzętu, w którym będzie zastosowany dany układ scalony, spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

a. posiadający ponad 1 500 końcówek;

b. typowe „podstawowe opóźnienie przechodzenia sygnału przez bramkę” mniejsze niż 0,02 ns; lub

c. częstotliwość robocza powyżej 3 GHz;

11. cyfrowe układy scalone, różne od przedstawionych w pozycji 3A001.a.3 do 3A001.a.10 lub 3A001.a.12, oparte na dowolnym układzie półprzewodników złożonych oraz spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

a. zastępcza liczba bramek powyżej 3 000 (bramki dwuwejściowe); lub

b. częstotliwość przełączania powyżej 1,2 GHz;

12. procesory do szybkiej transformacji Fouriera (FFT) posiadające nominalny czas realizacji dla N-punktowej zespolonej transformaty FFT poniżej (N log2 N)/20 480 ms, gdzie N jest liczbą punktów;

Uwaga techniczna:

Gdy N jest równe 1 024 punktom, wynik formuły w pozycji 3A001.a.12, określającej czas realizacji, wynosi 500 μs.

13. obwody scalone bezpośredniego syntezera cyfrowego (DDS) spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

a. częstotliwość zegara przetwornika cyfrowo-analogowego (przetwornika DAC) wynosząca co najmniej 3,5 GHz i rozdzielczość przetwornika DAC wynosząca co najmniej 10 bitów, ale mniej niż 12 bitów; lub

b. częstotliwość zegara przetwornika DAC wynosząca co najmniej 1,25 GHz i rozdzielczość przetwornika DAC wynosząca co najmniej 12 bitów;

Uwaga techniczna:

Częstotliwość zegara przetwornika DAC można określić jako częstotliwość zegara głównego lub częstotliwość zegara wejścia.

14. układy scalone wykonujące wszystkie następujące funkcje:

a. przetwarzanie analogowo-cyfrowe spełniające dowolne z następujących kryteriów:

1. rozdzielczość 8 bitów lub więcej, lecz poniżej 10 bitów i częstotliwość próbkowania na wejściu większa niż 1,3 giga próbek/sek (GSPS);

2. rozdzielczość 10 bitów lub więcej, lecz poniżej 12 bitów i częstotliwość próbkowania na wejściu większa niż 1,0 giga próbek/sek (GSPS);

3. rozdzielczość 12 bitów lub więcej, lecz poniżej 14 bitów i częstotliwość próbkowania na wejściu większa niż 1,0 giga próbek/sek (GSPS);

4. rozdzielczość 14 bitów lub więcej, lecz poniżej 16 bitów i częstotliwość próbkowania na wejściu większa niż 400 mega próbek/sek (MSPS); lub

5. rozdzielczość 16 bitów lub więcej i częstotliwość próbkowania na wejściu większa niż 180 mega próbek/sek (MSPS); oraz

b. dowolne z następujących funkcji:

1. przechowywanie danych przetworzonych cyfrowo; lub

2. przetwarzanie danych przetworzonych cyfrowo.

N.B.1.   Odnośnie do przetwornika analogowo-cyfrowego, zob. pozycja 3A001.a.5.a.

N.B.2.   Odnośnie do programowalnych przez użytkownika urządzeń logicznych zob. pozycja 3A001.a.7.

b. następujące produkty mikrofalowe lub pracujące na falach milimetrowych:

Uwagi techniczne:

1.   Do celów pozycji 3A001.b. parametr mocy wyjściowej na granicy nasycenia może być również określany w arkuszu danych produktu jako moc wyjściowa, nasycona moc wyjściowa, maksymalna moc wyjściowa, szczytowa moc wyjściowa lub szczytowa wartość obwiedni mocy.

2.   Do celów pozycji 3A001.b.1 ‘elektroniczne urządzenia próżniowe’ oznaczają urządzenia elektroniczne oparte na interakcji wiązki elektronów z falą elektromagnetyczną rozchodzącą się w obwodzie próżniowym lub współdziałające z próżniowymi rezonatorami wnękowymi o częstotliwości radiowej. 'Elektroniczne urządzenia próżniowe' obejmują klistrony, lampy o fali bieżącej i ich pochodne.

1. następujące ‘elektroniczne urządzenia próżniowe’ i katodowe:

Uwaga 1:   Pozycja 3A001.b.1 nie obejmuje kontrolą ‘elektronicznych urządzeń próżniowych’ zaprojektowanych lub przystosowanych do działania w jakimkolwiek paśmie częstotliwości i spełniających wszystkie poniższe kryteria:

a.   szerokość pasma nie przekracza 31,8 GHz; oraz

b.   jest „rozdzielone przez ITU” dla służb radiokomunikacyjnych, ale nie w celu namierzania radiowego.

Uwaga 2:   Pozycja 3A001.b.1 nie obejmuje kontrolą ‘elektronicznych urządzeń próżniowych’ innych niż „klasy kosmicznej”, spełniających wszystkie poniższe kryteria:

a.   średnia moc wyjściowa równa lub mniejsza niż 50 W; oraz

b.   zaprojektowane lub przystosowane do działania w jakimkolwiek paśmie częstotliwości i spełniające wszystkie poniższe kryteria:

1.   szerokość pasma przekracza 31,8 Ghz, lecz nie przekracza 43,5 GHz; oraz

2.   jest „rozdzielone przez ITU” dla służb radiokomunikacyjnych, ale nie w celu namierzania radiowego.

a. następujące ‘elektroniczne urządzenia próżniowe’ o fali bieżącej, fali impulsowej lub ciągłej:

1. urządzenia pracujące na częstotliwościach powyżej 31,8 GHz;

2. urządzenia posiadające podgrzewacz katody, z czasem uzyskania mocy znamionowej w zakresie fal radiowych wynoszącym poniżej 3 sekund;

3. sprzężone urządzenia wnękowe lub ich pochodne o „ułamkowej szerokości pasma” powyżej 7 % lub mocy szczytowej powyżej 2,5 kW;

4. urządzenia oparte na obwodach z prowadnicami spiralnymi, składanymi lub w kształcie serpentyny lub ich pochodne, spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

a. „chwilowa szerokość pasma” powyżej jednej oktawy oraz iloczyn mocy przeciętnej (wyrażonej w kW) i częstotliwości (wyrażonej w GHz) powyżej 0,5;

b. „chwilowa szerokość pasma” poniżej jednej oktawy oraz iloczyn mocy przeciętnej (wyrażonej w kW) i częstotliwości (wyrażonej w GHz) powyżej 1;

c. są „klasy kosmicznej”; lub

d. posiadają wyrzutnię elektronów z elektrodą siatkową;

5. urządzenia o „chwilowej szerokości pasma” równej lub większej niż 10%, spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

a. pierścieniowa wiązka elektronów;

b. niesymetryczna osiowo wiązka elektronów; lub

c. wielokrotne wiązki elektronów;

b. ‘elektroniczne urządzenia próżniowe’ wzmacniaczy o skrzyżowanych polach o wzmocnieniu powyżej 17 dB;

c. katody termoelektronowe zaprojektowane do ‘elektronicznych urządzeń próżniowych’, wytwarzające prąd emisyjny w znamionowych warunkach pracy o gęstości powyżej 5 A/cm2 lub prąd pulsacyjny (nieciągły) w znamionowych warunkach pracy o gęstości powyżej 10 A/cm2;

d. ‘elektroniczne urządzenia próżniowe’ zdolne do pracy ‘w dwóch trybach’.

Uwaga techniczna:

'W dwóch trybach' oznacza, że w przypadku prądu wiązki ‘elektronicznego urządzenia próżniowego’ można poprzez użycie siatki przełączać między pracą w trybie fali ciągłej i pracą w trybie pulsacyjnym, przy czym szczytowa moc wyjściowa pulsacyjna jest wyższa od mocy wyjściowej w trybie fali ciągłej.

2. „monolityczne mikrofalowe układy scalone” (MMIC) wzmacniaczy spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

N.B.   Odnośnie do wzmacniaczy „MMIC” posiadających wbudowany przesuwnik fazowy zob. pozycja 3A001.b.12.

a. przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 2,7 GHz, do 6,8 GHz włącznie, o „ułamkowej szerokości pasma” powyżej 15 % i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 75 W (48,75 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 2,7 GHz do 2,9 GHz włącznie;

2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 55 W (47,4 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 2,9 GHz do 3,2 GHz włącznie;

3. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 40 W (46 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 3,2 GHz do 3,7 GHz włącznie; lub

4. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 20 W (43 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 3,7 GHz do 6,8 GHz włącznie;

b. przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 6,8 GHz, do 16 GHz włącznie, o „ułamkowej szerokości pasma” powyżej 10 % i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 10 W (40 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 6,8 GHz do 8,5 GHz włącznie; lub

2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 5 W (37 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 8,5 GHz do 16 GHz włącznie;

c. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 3 W (34,77 dBm) na częstotliwościach przewyższających 16 GHz, do 31,8 GHz włącznie, i przy „ułamkowej szerokości pasma” wynoszącej powyżej 10 %;

d. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 0,1 nW (– 70 dBm) na częstotliwościach przewyższających 31,8 GHz, do 37 GHz włącznie;

e. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 1 W (30 dBm) na częstotliwościach przewyższających 37 GHz, do 43,5 GHz włącznie, i przy „ułamkowej szerokości pasma” wynoszącej powyżej 10 %;

f. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 31,62 mW (15 dBm) na częstotliwościach przewyższających 43,5 GHz, do 75 GHz włącznie, i przy „ułamkowej szerokości pasma” wynoszącej powyżej 10 %;

g. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 10 mW (10 dBm) na częstotliwościach przewyższających 75 GHz, do 90 GHz włącznie, i przy „ułamkowej szerokości pasma” wynoszącej powyżej 5 %; lub

h. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 0,1 nW (– 70 dBm) na częstotliwościach przewyższających 90 GHz;

Uwaga 1:   nieużywane.

Uwaga 2:   Poziom kontroli MMIC, których znamionowa częstotliwość robocza obejmuje częstotliwości zawarte w więcej niż jednym paśmie, zgodnie z definicjami w pozycjach 3A001.b.2.a do 3A001.b.2.h, jest określony przez najniższy próg mocy wyjściowej na granicy nasycenia.

Uwaga 3:   Uwagi 1 i 2 w kategorii 3 A oznaczają, że pozycja 3A001.b.2 nie obejmuje kontrolą MMIC, jeśli są one specjalnie zaprojektowane do innych zastosowań, np. telekomunikacyjnych, radiolokacyjnych, motoryzacyjnych.

3. dyskretne tranzystory mikrofalowe spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

a. przystosowane do działania w zakresie częstotliwości powyżej 2,7 GHz i do 6,8 GHz włącznie i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 400 W (56 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 2,7 GHz do 2,9 GHz włącznie;

2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 205 W (53,12 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 2,9 GHz do 3,2 GHz włącznie;

3. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 115 W (50,61 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 3,2 GHz do 3,7 GHz włącznie; lub

4. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 60 W (47,78 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 3,7 GHz do 6,8 GHz włącznie;

b. przystosowane do działania w zakresie częstotliwości powyżej 6,8 GHz i do 31,8 GHz włącznie i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 50 W (47 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 6,8 GHz do 8,5 GHz włącznie;

2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 15 W (41,76 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 8,5 GHz do 12 GHz włącznie;

3. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 40 W (46 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 12 GHz do 16 GHz włącznie; lub

4. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 7 W (38,45 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 16 GHz do 31,8 GHz włącznie;

c. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 0,5 W (27 dBm) na częstotliwościach przewyższających 31,8 GHz, do 37 GHz włącznie;

d. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 1 W (30 dBm) na częstotliwościach przewyższających 37 GHz, do 43,5 GHz włącznie;

e. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 0,1 nW (– 70 dBm) na częstotliwościach przewyższających 43,5 GHz;

Uwaga 1:   Poziom kontroli tranzystora, którego znamionowa częstotliwość robocza obejmuje częstotliwości zawarte w więcej niż jednym paśmie, zgodnie z definicjami w pozycjach 3A001.b.3.a do 3A001.b.3.e, jest określony przez najniższy próg mocy wyjściowej na granicy nasycenia.

Uwaga 2:   Pozycja 3A001.b.3. obejmuje surowe płytki półprzewodnikowe, płytki zamontowane na nośnikach oraz płytki zamontowane w zestawach. Niektóre dyskretne tranzystory mogą być również określane jako wzmacniacze mocy, jednak status tych dyskretnych tranzystorów jest podany w pozycji 3A001.b.3.

4. mikrofalowe wzmacniacze półprzewodnikowe oraz mikrofalowe zespoły/moduły zawierające mikrofalowe wzmacniacze półprzewodnikowe spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

a. przystosowane do działania w zakresie częstotliwości powyżej 2,7 GHz i do 6,8 GHz włącznie, o „ułamkowej szerokości pasma” powyżej 15 % i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 500 W (57 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 2,7 GHz do 2,9 GHz włącznie;

2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 270 W (54,3 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 2,9 GHz do 3,2 GHz włącznie;

3. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 200 W (53 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 3,2 GHz do 3,7 GHz włącznie; lub

4. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 90 W (49,54 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 3,7 GHz do 6,8 GHz włącznie;

b. przystosowane do działania w zakresie częstotliwości powyżej 6,8 GHz i do 31,8 GHz włącznie, o „ułamkowej szerokości pasma” powyżej 10 % i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 70 W (48,54 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 6,8 GHz do 8,5 GHz włącznie;

2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 50 W (47 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 8,5 GHz do 12 GHz włącznie;

3. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 30 W (44,77 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 12 GHz do 16 GHz włącznie; lub

4. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 20 W (43 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 16 GHz do 31,8 GHz włącznie;

c. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 0,5 W (27 dBm) na częstotliwościach przewyższających 31,8 GHz, do 37 GHz włącznie;

d. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 2 W (33 dBm) na częstotliwościach przewyższających 37 GHz, do 43,5 GHz włącznie, i przy „ułamkowej szerokości pasma” wynoszącej powyżej 10 %;

e. przystosowane do pracy na częstotliwościach powyżej 43,5 GHz oraz spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 0,2 W (23 dBm) na częstotliwościach przewyższających 43,5 GHz, do 75 GHz włącznie, i przy „ułamkowej szerokości pasma” wynoszącej powyżej 10 %;

2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 20 mW (13 dBm) na częstotliwościach przewyższających 75 GHz, do 90 GHz włącznie, i przy „ułamkowej szerokości pasma” wynoszącej powyżej 5 %; lub

3. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 0,1 nW (– 70 dBm) na częstotliwościach przewyższających 90 GHz; lub

f. nieużywane;

N.B.1.   Wzmacniacze MMIC – zob. pozycja 3A001.b.2.

N.B.2.   Odnośnie do ‘modułów nadawczych/odbiorczych’ i ‘modułów nadawczych’ zob. pozycja 3A001.b.12.

Uwaga 1:   nieużywane.

Uwaga 2:   Poziom kontroli elementu, którego znamionowa częstotliwość robocza obejmuje częstotliwości zawarte w więcej niż jednym paśmie, zgodnie z definicjami w pozycjach 3A001.b.4.a do 3A001.b.4.e, jest określony przez najniższy próg mocy wyjściowej na granicy nasycenia.

5. filtry środkowo-przepustowe i środkowo-zaporowe, przestrajalne elektronicznie lub magnetycznie, posiadające więcej niż 5 przestrajalnych rezonatorów umożliwiających strojenie w zakresie pasma częstotliwości 1,5:1 (fmax/fmin) w czasie poniżej 10 μs i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

a. szerokość pasma środkowo-przepustowego powyżej 0,5 % częstotliwości nośnej; lub

b. szerokość pasma środkowo-zaporowego poniżej 0,5 % częstotliwości nośnej;

6. nieużywane;

7. konwertery i mieszacze harmoniczne spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

a. zaprojektowane do rozszerzania przedziału częstotliwości „analizatorów sygnału” powyżej 90 GHz;

b. zaprojektowane do rozszerzania zakresu roboczego generatorów sygnału w następujący sposób:

1. powyżej 90 GHz;

2. do mocy wyjściowej większej niż 100 mW (20 dBm) w dowolnym punkcie zakresu częstotliwości przekraczającego 43,5 GHz, lecz nieprzekraczającego 90 GHz;

c. zaprojektowane do rozszerzania przedziału częstotliwości roboczej analizatorów sieci w następujący sposób:

1. powyżej 110 GHz;

2. do mocy wyjściowej większej niż 31,62 mW (15 dBm) w dowolnym punkcie zakresu częstotliwości przekraczającego 43,5 GHz, lecz nieprzekraczającego 90 GHz;

3. do mocy wyjściowej większej niż 1 mW (0 dBm) w dowolnym punkcie zakresu częstotliwości przekraczającego 90 GHz, lecz nieprzekraczającego 110 GHz; lub

d. zaprojektowane do rozszerzania przedziału częstotliwości kontrolnych odbiorników mikrofalowych powyżej 110 GHz;

8. mikrofalowe wzmacniacze mocy zawierające ‘elektroniczne urządzenia próżniowe’ wyszczególnione w pozycji 3A001.b.1 i spełniające wszystkie poniższe kryteria:

a. częstotliwości robocze powyżej 3 GHz;

b. średni stosunek mocy wyjściowej do masy większy niż 80 W/kg; oraz

c. objętość mniejsza niż 400 cm3.

Uwaga:   Pozycja 3A001.b.8 nie obejmuje kontrolą sprzętu zaprojektowanego lub przystosowanego do działania w jakimkolwiek paśmie częstotliwości, które jest „przydzielane przez ITU” dla służb radiokomunikacyjnych, ale nie w celu namierzania radiowego.

9. mikrofalowe moduły mocy (MPM) składające się co najmniej z ‘elektronicznego urządzenia próżniowego’ o fali bieżącej, „monolitycznego mikrofalowego układu scalonego” („MMIC”) i zintegrowanego elektronicznego kondycjonera mocy i spełniające wszystkie poniższe kryteria:

a. ‘czas włączania’ od stanu wyłączenia do stanu całkowitej gotowości krótszy niż 10 sekund;

b. objętość mniejsza niż iloczyn maksymalnej mocy znamionowej w watach i 10 cm3/W; oraz

c. „chwilowa szerokość pasma” większa niż 1 oktawa (fmax > 2fmin) oraz spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. dla częstotliwości równych lub mniejszych niż 18 GHz – moc wyjściowa w zakresie fal radiowych większa niż 100 W; lub

2. częstotliwość większa niż 18 GHz;

Uwagi techniczne

1.   Do obliczenia objętości w pozycji 3A001.b.9.b podaje się następujący przykład: dla maksymalnej mocy znamionowej wynoszącej 20 W objętość wyniosłaby: 20 W x 10 cm3/W = 200 cm3.

2.   ‘Czas włączania’, o którym mowa w pozycji 3A001.b.9.a, odnosi się do czasu upływającego od stanu całkowitego wyłączenia do osiągnięcia całkowitej gotowości do pracy, a zatem obejmuje on również czas rozgrzewania MPM.

10. Oscylatory lub zespoły oscylatorów przewidziane do działania przy zakłóceniu fazowym pojedynczej wstęgi bocznej (SSB) w dBc/Hz mniejszym (lepszym) niż -(126 + 20log10F - 20log10f) w dowolnym punkcie w zakresie 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz;

Uwaga techniczna:

W pozycji 3A001.b.10 F oznacza przesunięcie w stosunku do częstotliwości roboczej w Hz, a f oznacza częstotliwość roboczą w MHz.

11. „zespoły elektroniczne” będące „syntezatorami częstotliwości”, których „czas przełączania częstotliwości” określony jest przez którykolwiek z poniższych parametrów:

a. krótszy niż 143 ps;

b. krótszy niż 100 μs dla każdej zmiany częstotliwości przewyższającej 2,2 GHz w zakresie syntetyzowanych częstotliwości przekraczającym 4,8 GHz, ale nieprzekraczającym 31,8 GHz;

c. nieużywane;

d. krótszy niż 500 μs dla każdej zmiany częstotliwości przewyższającej 550 MHz w zakresie syntetyzowanych częstotliwości przekraczającym 31,8 GHz, ale nieprzekraczającym 37 GHz;

e. krótszy niż 100 μs dla każdej zmiany częstotliwości przewyższającej 2,2 GHz w zakresie syntetyzowanych częstotliwości przekraczającym 37 GHz, ale nieprzekraczającym 90 GHz;

f. nieużywane;

g. krótszy niż 1 ms w zakresie syntetyzowanych częstotliwości przekraczającym 90 GHz;

N.B.:   Do zastosowań ogólnych „analizatory sygnału” – zob. poz. 3A002.c, generatory sygnałowe – 3A002.d, analizatory sieci – 3A002.e, kontrolne odbiorniki mikrofalowe – 3A002.f.

12. ‘moduły nadawcze/odbiorcze’, ‘nadawcze/odbiorcze MMIC’, ‘moduły nadawcze’ oraz ‘nadawcze MMIC’, przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 2,7 GHz i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

a. moc wyjściowa na granicy nasycenia (w watach), Psat, powyżej 505,62 dzielone przez maksymalną częstotliwość roboczą (w GHz) do kwadratu [Psat>505,62 W*GHz2/fGHz 2] na każdy kanał;

b. „ułamkowa szerokość pasma” wynosząca 5 % lub więcej na każdy kanał;

c. każda z płaskich stron o długości d (w cm) równej lub większej niż 15 podzielonej przez najniższą częstotliwość roboczą w GHz [d ≤ 15cm*GHz*N/fGHz], gdzie N jest liczbą kanałów nadawczych lub kanałów nadawczych/odbiorczych; oraz

d. jeden regulowany elektronicznie przesuwnik fazowy na kanał.

Uwagi techniczne:

1.   ‘Moduł nadawczy/odbiorczy’ to multifunkcjonalny „zespół elektroniczny” umożliwiający dwukierunkową regulację amplitudy i fazy dla nadawania i odbioru sygnałów.

2.   ‘Moduł nadawczy’ to „zespół elektroniczny” umożliwiający regulację amplitudy i fazy dla nadawania sygnałów.

3.   ‘Nadawczy/odbiorczy MMIC’ to multifunkcjonalny „MMIC” umożliwiający dwukierunkową regulację amplitudy i fazy dla nadawania i odbioru sygnałów.

4.   ‘Nadawczy MMIC’ to „MMIC” umożliwiający regulację amplitudy i fazy dla nadawania sygnałów.

5.   W przypadku modułów nadawczych/odbiorczych lub modułów nadawczych, których nominalny zakres częstotliwości roboczej wynosi poniżej 2.7 GHz, należy we wzorze określonym w pozycji 3A001.b.12.c jako dolną wartość graniczną częstotliwości roboczej (fGHz) zastosować 2,7 GHz [d≤15cm*GHz*N/2.7 GHz].

6.   Pozycja 3A001.b.12 ma zastosowanie do ‘modułów nadawczych/odbiorczych’ lub ‘modułów nadawczych’, które mogą być wyposażone lub nie w radiator chłodzący. Wartość d w pozycji 3A001.b.12.c nie obejmuje żadnej części 'modułu nadawczego/odbiorczego' lub 'modułu nadawczego', która funkcjonuje jako radiator chłodzący.

7.   ‘Moduły nadawcze/odbiorcze’ lub ‘moduły nadawcze’ lub ‘nadawcze/odbiorcze MMIC’ lub ‘nadawcze MMIC’ mogą mieć N wbudowanych emitujących elementów anteny, gdzie N jest liczbą kanałów nadawczych lub kanałów nadawczych/odbiorczych.

c. następujące urządzenia wykorzystujące fale akustyczne oraz specjalnie zaprojektowane do nich komponenty:

1. urządzenia wykorzystujące powierzchniowe fale akustyczne oraz szumiące powierzchniowo (płytkie) fale akustyczne, spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

a. mające częstotliwość nośną powyżej 6 GHz;

b. mające częstotliwość nośną większą niż 1 GHz, ale nieprzekraczającą 6 GHz oraz spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. ‘tłumienie pasma bocznego częstotliwości’ powyżej 65 dB;

2. iloczyn maksymalnego czasu zwłoki i szerokości pasma (czas w μs, a szerokość pasma w MHz) powyżej 100;

3. szerokość pasma większa niż 250 MHz; lub

4. opóźnienie dyspersyjne powyżej 10 μs; lub

c. mające częstotliwość nośną wynoszącą 1 GHz lub mniejszą oraz spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. iloczyn maksymalnego czasu zwłoki i szerokości pasma (czas w μs, a szerokość pasma w MHz) powyżej 100;

2. opóźnienie dyspersyjne powyżej 10 μs; lub

3. ‘tłumienie pasma bocznego częstotliwości’ powyżej 65 dB i szerokość pasma większa niż 100 MHz;

Uwaga techniczna:

‘Tłumienie pasma bocznego częstotliwości’ oznacza maksymalną wartość tłumienia wyszczególnioną na arkuszu danych.

2. urządzenia wykorzystujące przestrzenne fale akustyczne, umożliwiające bezpośrednie przetwarzanie sygnałów z częstotliwościami powyżej 6 GHz;

3. urządzenia do „przetwarzania sygnałów” optyczno-akustycznych wykorzystujące oddziaływania pomiędzy falami akustycznymi (przestrzennymi lub powierzchniowymi) a falami świetlnymi do bezpośredniego przetwarzania sygnałów lub obrazów, łącznie z analizą widmową, korelacją lub splataniem;

Uwaga:   Pozycja 3A001.c nie obejmuje kontrolą urządzeń wykorzystujących fale akustyczne ograniczone do pojedynczego filtra środkowoprzepustowego, filtra dolnoprzepustowego, filtra górnoprzepustowego, filtra antysprzężeniowego lub funkcji rezonacyjnej.

d. urządzenia i układy elektroniczne, zawierające części składowe wykonane z materiałów „nadprzewodzących”, specjalnie zaprojektowane do pracy w temperaturach poniżej „temperatury krytycznej” co najmniej jednego z elementów „nadprzewodzących” i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. przełączanie prądowe dla obwodów cyfrowych za pomocą bramek „nadprzewodzących”, dla którego iloczyn czasu zwłoki na bramkę (w sekundach) i rozproszenia mocy na bramkę (w watach) wynosi poniżej 10–14 J; lub

2. selekcja częstotliwości dla wszystkich częstotliwości za pomocą obwodów rezonansowych o wartościach Q przekraczających 10 000 ;

e. następujące urządzenia wysokoenergetyczne:

1. ‘ogniwa’, takie jak:

a. ‘ogniwa pierwotne’ o ‘gęstości energii’ powyżej 550 Wh/kg w temperaturze 20 °C;

b. ‘ogniwa wtórne’ o ‘gęstości energii’ powyżej 350 Wh/kg w temperaturze 20 °C;

Uwagi techniczne

1.   Do celów pozycji 3A001.e.1 ‘gęstość energii’ (Wh/kg) otrzymuje się, mnożąc napięcie znamionowe przez pojemność znamionową w amperogodzinach (Ah) i dzieląc powyższe przez masę w kilogramach. Jeżeli pojemność znamionowa nie jest podana, gęstość energii otrzymuje się przez podniesienie napięcia znamionowego do kwadratu, a następnie pomnożenie przez czas rozładowania wyrażony w godzinach oraz podzielenie przez obciążenie rozładowania wyrażone w omach i całkowitą masę ogniwa wyrażoną w kilogramach.

2.   Do celów pozycji 3A001.e.1 ‘ogniwo’ definiuje się jako urządzenie elektrochemiczne zawierające elektrody dodatnie i ujemne, elektrolit i będące źródłem energii elektrycznej. Jest to podstawowy element składowy baterii.

3.   Do celów pozycji 3A001.e.1.a ‘ogniwo pierwotne’ jest ‘ogniwem’, które nie jest przeznaczone do ładowania z jakiegokolwiek innego źródła.

4.   Do celów pozycji 3A001.e.1.b ‘ogniwo wtórne’ jest ‘ogniwem’, które jest przeznaczone do ładowania z zewnętrznego źródła energii elektrycznej.

Uwaga:   Pozycja 3A001.e.1 nie obejmuje kontrolą baterii, w tym również baterii pojedynczych.

2. wysokoenergetyczne kondensatory magazynujące, takie jak:

N.B.   ZOB. TAKŻE 3A201.a. i Wykaz uzbrojenia.

a. kondensatory o częstotliwości powtarzania poniżej 10 Hz (kondensatory jednokrotne) i spełniające wszystkie poniższe kryteria:

1. napięcie znamionowe równe lub wyższe niż 5 kV;

2. gęstość energii równa lub wyższa niż 250 J/kg; oraz

3. energia całkowita równa lub wyższa niż 25 kJ;

b. kondensatory o częstotliwości powtarzania 10 Hz lub wyższej (kondensatory powtarzalne) i spełniające wszystkie poniższe kryteria:

1. napięcie znamionowe równe lub wyższe niż 5 kV;

2. gęstość energii równa lub wyższa niż 50 J/kg;

3. energia całkowita równa lub wyższa niż 100 J; oraz

4. żywotność mierzona liczbą cykli ładowanie/rozładowanie wynosząca więcej niż 10 000 ;

3. „nadprzewodzące” elektromagnesy lub cewki, specjalnie zaprojektowane w sposób umożliwiający ich pełne ładowanie i rozładowanie w czasie mniejszym niż 1 s i spełniające wszystkie poniższe kryteria:

N.B.   ZOB. TAKŻE POZYCJA 3A201.b.

Uwaga:   Pozycja 3A001.e.3 nie obejmuje kontrolą elektromagnesów ani cewek „nadprzewodzących” specjalnie zaprojektowanych do aparatury obrazowania rezonansem magnetycznym (MRI), wykorzystywanej w medycynie.

a. energia dostarczona podczas wyładowania jest większa od 10 kJ w pierwszej sekundzie;

b. średnica wewnętrzna uzwojenia prądowego cewki wynosi powyżej 250 mm; oraz

c. zostały dostosowane do indukcji magnetycznej powyżej 8 T lub posiadają „całkowitą gęstość prądu” w uzwojeniu powyżej 300 A/mm2;

4. ogniwa słoneczne, zespoły ogniwo-łącznik-szkło osłonowe (CIC), panele słoneczne i baterie słoneczne klasy kosmicznej, mające minimalną średnią sprawność wyższą niż 20 % w temperaturze roboczej 301 K (28 °C) w symulowanym oświetleniu ‘AM0’ o irradiancji 1 367 watów na metr kwadratowy (W/m2);

Uwaga techniczna:

‘AM0’ lub ‘masa powietrza zero’ odpowiada irradiancji widmowej światła słonecznego w zewnętrznej atmosferze Ziemi przy odległości Ziemi od Słońca wynoszącej 1 jednostkę astronomiczną (AU).

f. urządzenia kodujące bezwzględne położenie o „dokładności” równej 1,0 sekundzie kątowej lub mniejszej (lepszej) oraz specjalnie do nich zaprojektowane kodujące pierścienie, tarcze lub skale;

g. półprzewodnikowe impulsowe tyrystorowe wyłączniki zasilania i ‘moduły tyrystorowe’ oparte na metodach wyłączania sterowanych elektrycznie, optycznie lub promieniowaniem elektronowym spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. maksymalna szybkość narastania prądu włączenia (di/dt) większa niż 30 000 A/μs i napięcie w stanie wyłączenia większe niż 1 100 V; lub

2. maksymalna szybkość narastania prądu włączenia (di/dt) większa niż 2 000 A/μs i spełniające wszystkie poniższe kryteria:

a. napięcie szczytowe w stanie wyłączonym równe lub większe niż 3 000 V; oraz

b. prąd szczytowy (udarowy) równy lub większy niż 3 000 A.

Uwaga 1:   Pozycja 3A001.g obejmuje:

  krzemowe prostowniki sterowane (SCR),

  tyrystory wyzwalane elektrycznie (ETT),

  tyrystory wyzwalane optycznie (LTT),

  tyrystory o komutowanej bramce (IGCT),

  tyrystory sterowane MOS (MCT),

  tyrystory wyłączalne prądem bramki (GTO),

  urządzenia typu Solidtron

Uwaga 2:   Pozycja 3A001.g nie obejmuje kontrolą urządzeń tyrystorowych i ‘modułów tyrystorowych’ wbudowanych w urządzenia przeznaczone do zastosowań w kolejnictwie cywilnym lub „cywilnych statkach powietrznych”.

Uwaga techniczna:

Do celów pozycji 3A001.g ‘moduł tyrystorowy’ zawiera co najmniej jedno urządzenie tyrystorowe.

h. półprzewodnikowe przełączniki mocy, diody mocy lub ‘moduły’ mocy spełniające wszystkie poniższe kryteria:

1. nominalna maksymalna temperatura robocza złącza wyższa niż 488 K (215 °C);

2. szczytowe powtarzalne napięcie w stanie wyłączonym (napięcie blokujące) przekraczające 300 V; oraz

3. prąd ciągły większy niż 1 A.

Uwaga 1:   Szczytowe powtarzalne napięcie w stanie wyłączonym w pozycji 3A001.h obejmuje napięcie dren-źródło, napięcie kolektor-emiter, szczytowe powtarzalne napięcie wsteczne i szczytowe powtarzalne napięcie blokujące w stanie wyłączonym.

Uwaga 2:   Pozycja 3A001.h obejmuje:

  tranzystory polowe złączowe (JFET),

  pionowe tranzystory polowe złączowe (VJFET),

  tranzystory polowe o strukturze metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET),

  podwójny dyfuzyjny tranzystor polowy o strukturze metal-tlenek-półprzewodnik (DMOSFET),

  tranzystor bipolarny z izolowaną bramką (IGBT),

  tranzystory z wysoką ruchliwością elektronów (HEMT),

  tranzystory bipolarne złączowe (BJT),

  tyrystory i krzemowe prostowniki sterowane (SCR),

  tyrystory wyłączalne prądem bramki (GTO),

  tyrystory wyłączalne emiterem (ETO),

  diody PiN

  diody Schottky'ego

Uwaga 3:   Pozycja 3A001.h nie obejmuje kontrolą przełączników, diod ani ‘modułów’ znajdujących się w urządzeniach przeznaczonych do zastosowania w cywilnych pojazdach drogowych, cywilnych pojazdach kolejowych lub „cywilnych statkach powietrznych”.

Uwaga techniczna:

Do celów pozycji 3A001.h ‘moduły’ zawierają jeden lub więcej półprzewodnikowych przełączników lub diod.

3A002Następujące produkty elektroniczne: 3A002 Następujące „zespoły elektroniczne”, moduły i sprzęt ogólnego przeznaczenia:

a. następujący sprzęt do rejestracji i oscyloskopy:

1. nieużywane;

2. nieużywane;

3. nieużywane;

4. nieużywane;

5. nieużywane;

6. cyfrowe rejestratory danych spełniające wszystkie poniższe kryteria:

a. posiadające trwałą ‘przepustowość ciągłą’ wyższą niż 6,4 Gbit/s do dysku lub napędu półprzewodnikowego; oraz

b. posiadające procesor, który przeprowadza analizę danych sygnału częstotliwości radiowych podczas ich rejestracji;

Uwagi techniczne

1.   W przypadku rejestratorów o równoległej architekturze szyn ‘przepustowość ciągłą’ określa się jako iloczyn największej prędkości transmisji słów i liczby bitów w słowie.

2.   ‘Przepustowość ciągła’ oznacza największą prędkość rejestracji danych przez urządzenie na dysku lub w napędzie półprzewodnikowym, bez utraty informacji, z utrzymaniem prędkości cyfrowych danych wejściowych lub prędkości przetwarzania digitalizatora;

7. oscyloskopy pracujące w trybie próbkowania w czasie rzeczywistym, w których napięcie szumów ma pionową wartość średniokwadratową (rms) mniejszą niż 2 % pełnej skali na skali pionowej, na której najmniejsza wartość szumów dla każdej wejściowej szerokości pasma 3 dB wynosi 60 GHz lub więcej na kanał;

Uwaga:   Pozycja 3A002.a.7. nie obejmuje kontrolą oscyloskopów pracujących w trybie próbkowania ekwiwalentnego (ETS).

b. nieużywane;

c. „analizatory sygnałów”, takie jak:

1. „analizatory sygnałów”, w których szerokość pasma o rozdzielczości 3 dB przekracza 10 MHz w dowolnym punkcie zakresu częstotliwości przekraczającego 31,8 GHz, lecz nieprzekraczającego 37 GHz;

2. „analizatory sygnałów”, w których średni wyświetlany poziom szumu (DANL) jest mniejszy (lepszy) niż -150 dBm/Hz w dowolnym punkcie zakresu częstotliwości przekraczającego 43,5 GHz, lecz nieprzekraczającego 90 GHz;

3. „analizatory sygnałów” o częstotliwości powyżej 90 GHz;

4. „analizatory sygnałów” spełniające wszystkie poniższe kryteria:

a. szerokość pasma przekraczająca 170 MHz; oraz

b. spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. 100 % prawdopodobieństwa odkrycia przy mniejszej niż 3 dB redukcji w stosunku do pełnej amplitudy w związku z przerwami lub okienkowaniem sygnałów o długości trwania wynoszącej 15 μs lub mniej; lub

2. posiadające funkcję „wyzwalania maską częstotliwości” ze 100 % prawdopodobieństwem wyzwolenia (przechwycenia) dla sygnałów o długości trwania wynoszącej 15 μs lub mniej;

Uwagi techniczne

1.   Prawdopodobieństwo odkrycia, o którym mowa w pozycji 3A002.c.4.b.1., określane jest również jako prawdopodobieństwo przechwycenia.

2.   Do celów pozycji 3A002.c.4.b.1. czas trwania dla 100 % prawdopodobieństwa odkrycia równy jest minimalnej długości trwania sygnału niezbędnej dla określonej niepewności pomiaru poziomu.

Uwaga:   Pozycja 3A002.c.4 nie obejmuje kontrolą „analizatorów sygnałów”, w których zastosowano jedynie filtry o stałoprocentowej szerokości pasma (znanych również jako filtry oktawowe lub ułamkowo-oktawowe).

5. nieużywane;

d. generatory sygnałów spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. przewidziane według specyfikacji do generowania sygnałów modulowanych impulsowo spełniających wszystkie następujące kryteria, w dowolnym punkcie zakresu częstotliwości przekraczającego 31,8 GHz, lecz nieprzekraczającego 37 GHz:

a. ‘czas trwania impulsu’ krótszy niż 25 ns; oraz

b. stosunek on/off równy lub większy niż 65 dB;

2. moc wyjściowa przekraczająca 100 mW (20 dBm) w dowolnym punkcie zakresu częstotliwości przekraczającego 43,5 GHz, lecz nieprzekraczającego 90 GHz;

3. „czas przełączania częstotliwości” określony przez jeden z poniższych przypadków:

a. nieużywane;

b. krótszy niż 100 μs dla każdej zmiany częstotliwości przewyższającej 2,2 GHz w zakresie częstotliwości przekraczającym 4,8 GHz, ale nieprzekraczającym 31,8 GHz;

c. nieużywane;

d. krótszy niż 500 μs dla każdej zmiany częstotliwości przewyższającej 550 MHz w zakresie częstotliwości przekraczającym 31,8 GHz, ale nieprzekraczającym 37 GHz; lub

e. krótszy niż 100 μs dla każdej zmiany częstotliwości przewyższającej 2,2 GHz w zakresie częstotliwości przekraczającym 37 GHz, ale nieprzekraczającym 90 GHz;

f. nieużywane;

4. zakłócenie fazowe pojedynczej wstęgi bocznej (SSB) w dBc/Hz, spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

a. mniejsze (lepsze) niż -(126 + 20log10F - 20log 10 f) w dowolnym punkcie w zakresie 10 Hz < F < 10 kHz w dowolnym punkcie zakresu częstotliwości przekraczającego 3,2 GHz, lecz nieprzekraczającego 90 GHz; lub

b. mniejsze (lepsze) niż -(206- 20log10f) w dowolnym punkcie w zakresie 10 kHz < F < 100 kHz w dowolnym punkcie zakresu częstotliwości przekraczającego 3,2 GHz lecz nieprzekraczającego 90 GHz; lub

Uwaga techniczna:

W pozycji 3A002.d.4 F oznacza przesunięcie w stosunku do częstotliwości roboczej w Hz, a f oznacza częstotliwość roboczą w MHz.

5. maksymalna częstotliwość przewyższająca 90 GHz;

Uwaga 1:   Do celów pozycji 3A002.d generatory sygnałowe obejmują także generatory funkcji i przebiegów arbitralnych.

Uwaga 2:   Pozycja 3A002.d nie obejmuje kontrolą sprzętu, w którym częstotliwość wyjściowa jest wytwarzana poprzez dodawanie lub odejmowanie dwóch lub więcej częstotliwości oscylatorów kwarcowych, lub poprzez dodawanie lub odejmowanie, a następnie mnożenie uzyskanego wyniku.

Uwagi techniczne

1.   Maksymalna częstotliwość generatora funkcji i przebiegów arbitralnych obliczana jest przez podzielenie częstotliwości próbkowania, w liczbie próbek na sekundę, przez współczynnik 2,5.

2.   Do celów pozycji 3A002.d.1 ‘czas trwania impulsu’ definiuje się jako czas upływający między momentem osiągnięcia przez zbocze narastające impulsu wartości 50 % amplitudy impulsu a momentem osiągnięcia przez zbocze opadające wartości 50 % amplitudy impulsu.

e. analizatory sieci spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. moc wyjściowa przekraczająca 31,62 mW (15 dBm) w dowolnym punkcie zakresu częstotliwości roboczej przekraczającego 43,5 GHz, lecz nieprzekraczającego 90 GHz;

2. moc wyjściowa przekraczająca 1 mW (0 dBm) w dowolnym punkcie zakresu częstotliwości roboczej przekraczającego 90 GHz, lecz nieprzekraczającego 110 GHz;

3. ‘funkcja pomiaru wektora nieliniowego’ przy częstotliwościach przekraczających 50 GHz, ale nieprzekraczających 110 GHz; lub

Uwaga techniczna

‘Funkcja pomiaru wektora nieliniowego’ to zdolność instrumentu do analizowania wyników testów urządzeń stosowanych w modelach wielkosygnałowych lub w zakresie zakłóceń nieliniowych.

4. maksymalna częstotliwość robocza przewyższająca 110 GHz;

f. kontrolne odbiorniki mikrofalowe spełniające wszystkie poniższe kryteria:

1. maksymalna częstotliwość robocza przewyższająca 110 GHz; oraz

2. posiadające możliwość jednoczesnego pomiaru amplitudy i fazy;

g. atomowe wzorce częstotliwości, które spełniają którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. są „klasy kosmicznej”;

2. są nierubidowe, a ich stabilność długookresowa jest mniejsza (lepsza) niż 1 × 10–11/miesiąc; lub

3. nie są „klasy kosmicznej” i spełniają wszystkie poniższe kryteria:

a. są rubidowymi wzorcami częstotliwości;

b. ich stabilność długookresowa jest mniejsza (lepsza) niż 1 × 10–11/miesiąc; oraz

c. ich całkowite zużycie energii jest niższe niż 1 W;

h. „Zespoły elektroniczne”, moduły i sprzęt, przewidziane do wykonywania wszystkich następujących funkcji:

1. przetwarzania analogowo-cyfrowego spełniającego dowolne z następujących kryteriów:

a. rozdzielczość 8 bitów lub więcej, lecz poniżej 10 bitów i częstotliwość próbkowania na wejściu większa niż 1 300 mln próbek/sek;

b. rozdzielczość 10 bitów lub więcej, lecz poniżej 12 bitów i częstotliwość próbkowania na wejściu większa niż 1 000 mln próbek/sek;

c. rozdzielczość 12 bitów lub więcej, lecz poniżej 14 bitów i częstotliwość próbkowania na wejściu większa niż 1 000 mln próbek/sek;

d. rozdzielczość 14 bitów lub więcej, lecz poniżej 16 bitów i częstotliwość próbkowania na wejściu większa niż 400 mln próbek/sek; lub

e. rozdzielczość 16 bitów lub więcej i częstotliwość próbkowania na wejściu większa niż 180 mln próbek/sek; oraz

2. dowolnych z następujących funkcji:

a. wyjście danych przetworzonych cyfrowo;

b. przechowywanie danych przetworzonych cyfrowo; lub

c. przetwarzanie danych przetworzonych cyfrowo;

N.B.   Cyfrowe rejestratory danych, oscyloskopy, „analizatory sygnału”, generatory sygnału, analizatory sieci oraz kontrolne odbiorniki mikrofalowe są wyszczególnione odpowiednio w pozycjach 3A002.a.6., 3A002.a.7., 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. oraz 3A002.f.

Uwaga techniczna:

W przypadku wielokanałowych „zespołów elektronicznych” lub modułów status kontrolny jest określany najwyższą wydajnością podaną dla pojedynczego kanału.

Uwaga:   Pozycja 3A002.h.obejmuje karty ADC, przetworniki falowe, karty zbierania danych, tablice przyjmowania sygnału oraz rejestratory stanów przejściowych.

3A003Systemy sterowania temperaturą z chłodzeniem natryskowym, wykorzystujące umieszczone w uszczelnionych obudowach urządzenia z zamkniętym obiegiem do transportu i regenerowania płynu, w których płyn dielektryczny jest przy użyciu specjalnie zaprojektowanych dysz rozpylany na elementy elektroniczne w celu utrzymania ich w dopuszczalnym przedziale temperatur pracy, a także specjalnie zaprojektowane do nich części składowe.

3A101Sprzęt, przyrządy i elementy elektroniczne, inne niż wyszczególnione w pozycji 3A001, takie jak:

a. przetworniki analogowo-cyfrowe, wykorzystywane w „pociskach rakietowych”, spełniające wymagania wojskowe dla urządzeń odpornych na wstrząsy;

b. akceleratory zdolne do generowania promieniowania elektromagnetycznego, wytwarzanego w wyniku hamowania elektronów o energii 2 MeV lub większej oraz systemy zawierające takie akceleratory.

Uwaga:   Pozycja 3A101.b nie określa sprzętu specjalnie zaprojektowanego do zastosowań medycznych.

3A102‘Baterie termiczne’ zaprojektowane lub zmodyfikowane dla ‘pocisków rakietowych’

Uwagi techniczne

1.   W pozycji 3A102 ‘baterie termiczne’ oznaczają baterie jednorazowego użycia zawierające jako elektrolit nieprzewodzący sól nieorganiczną w stanie stałym. Baterie te zawierają materiał pirolityczny, który po zapaleniu topi elektrolit i uruchamia baterię.

2.   W pozycji 3A102 ‘pociski rakietowe’ oznaczają kompletne systemy rakietowe i systemy bezzałogowych statków powietrznych, o zasięgu przekraczającym 300 km.

3A201Podzespoły elektroniczne, inne niż wyszczególnione w pozycji 3A001, takie jak:

a. kondensatory posiadające jeden z następujących zestawów cech:

1.

 

a. napięcie znamionowe większe niż 1,4 kV;

b. zgromadzona energia większa niż 10 J;

c. reaktancja pojemnościowa większa niż 0,5 μF; oraz

d. indukcyjność szeregowa mniejsza niż 50 nH; lub

2.

 

a. napięcie znamionowe większe niż 750 V;

b. reaktancja pojemnościowa większa niż 0,25 μF; oraz

c. indukcyjność szeregowa mniejsza niż 10 nH;

b. nadprzewodnikowe elektromagnesy solenoidalne posiadające wszystkie niżej wymienione cechy:

1. zdolne do wytwarzania pól magnetycznych o natężeniu większym niż 2 T;

2. o stosunku długości do średnicy wewnętrznej większym niż 2;

3. o średnicy wewnętrznej większej niż 300 mm; oraz

4. wytwarzające pole magnetyczne o równomierności rozkładu lepszej niż 1 % w zakresie środkowych 50 % objętości wewnętrznej.

Uwaga:   Pozycja 3A201.b nie obejmuje kontrolą magnesów specjalnie zaprojektowanych i eksportowanych ‘jako części’ medycznych systemów do obrazowania metodą jądrowego rezonansu magnetycznego (NMR). Sformułowanie ‘jako części’ niekoniecznie oznacza fizyczną część wchodzącą w skład tej samej partii wysyłanego wyrobu; dopuszcza się możliwość oddzielnych wysyłek z różnych źródeł, pod warunkiem że w towarzyszącej im dokumentacji eksportowej wyraźnie określa się, że wysyłane wyroby są dostarczane ‘jako część’ systemu obrazowania.

c. generatory błyskowe promieniowania rentgenowskiego lub impulsowe akceleratory elektronów posiadające jeden z następujących zestawów cech:

1.

 

a. energia szczytowa akceleratora elektronów równa 500 keV lub większa, ale mniejsza niż 25 MeV; oraz

b. ‘współczynnik dobroci’ (K) równy 0,25 lub większy; lub

2.

 

a. energia szczytowa akceleratora elektronów równa 25 MeV lub większa; oraz

b. ‘moc szczytowa’ powyżej 50 MW.

Uwaga:   Pozycja 3A201.c nie obejmuje kontrolą akceleratorów stanowiących elementy składowe urządzeń zaprojektowanych do innych celów niż wytwarzanie wiązek elektronów lub promieniowania rentgenowskiego (np. mikroskopy elektronowe) ani urządzeń zaprojektowanych do zastosowań medycznych.

Uwagi techniczne

1.   ‘Współczynnik dobroci’ K jest zdefiniowany jako:

K = 1,7 x 103V2,65Q

gdzie V jest szczytową energią elektronów w milionach elektronowoltów.

Jeżeli czas trwania impulsu wiązki akceleratora jest równy 1 μs lub krótszy, to Q jest całkowitym ładunkiem przyspieszanym, wyrażonym w kulombach. Jeżeli czas trwania impulsu wiązki akceleratora jest większy niż 1 μs, to Q jest maksymalnym ładunkiem przyspieszanym w 1 μs.

Q równa się całce z i po t, w przedziale o długości równym mniejszej z dwóch wartości: 1 μs lub czasu trwania impulsu wiązki (Q = ò idt), gdzie i jest prądem wiązki w amperach, a t jest czasem w sekundach;

2.   ‘Moc szczytowa’ = (napięcie szczytowe w woltach) × (szczytowy prąd wiązki w amperach).

3.   W maszynach bazujących na mikrofalowych akceleratorach rezonatorowych czas trwania impulsu wiązki jest mniejszą z następujących dwóch wartości: 1 μs lub czas emisji pakietu wiązek wynikających z jednego impulsu modulatora mikrofalowego.

4.   W maszynach bazujących na mikrofalowych akceleratorach rezonatorowych szczytowa wartość prądu wiązki jest wartością średnią prądu podczas emisji pakietu wiązek.

3A225Przemienniki częstotliwości lub generatory, inne niż wyszczególnione w pozycji 0B001.b.13, które mogą być używane jako napęd silnikowy zmiennej lub stałej częstotliwości, posiadające wszystkie niżej wymienione cechy:

N.B. 1   „Oprogramowanie” specjalnie zaprojektowane w celu poprawy lub wykorzystania wydajności przemiennika częstotliwości lub generatora, tak by odpowiadały cechom pozycji 3A225 jest wymienione w pozycji 3D225.

N.B. 2   „Technologia” w postaci kodów lub kluczy, służąca do poprawy lub wykorzystania wydajności przemiennika częstotliwości lub generatora, tak by odpowiadały cechom pozycji 3A225 jest wymieniona w pozycji 3E225.

a. wyjście wielofazowe zapewniające moc równą 40 W lub większą;

b. pracujące w zakresie częstotliwości równym lub większym niż 600 Hz; oraz

c. dokładność regulacji częstotliwości lepsza (mniejsza) niż 0,2 %.

Uwaga:   Pozycja 3A225 nie obejmuje kontrolą przemienników częstotliwości lub generatorów, jeśli posiadają osprzęt, „oprogramowanie” lub „technologię”, których pewne cechy ograniczają skuteczność bądź wydajność do poziomu niższego niż określony powyżej, pod warunkiem że spełniają którekolwiek z poniższych kryteriów:

1.   w celu dokonania w nich ulepszeń lub zmniejszenia ograniczeń muszą zostać odesłane do pierwotnego producenta;

2.   w celu poprawy lub wykorzystania wydajności, pozwalających na spełnienie wymogów wymienionych w pozycji 3A225 wymagają „oprogramowania” określonego w pozycji 3D225; lub

3.   w celu poprawy lub wykorzystania wydajności, pozwalających na spełnienie wymogów wymienionych w pozycji 3A225 wymagają „technologii” w postaci kluczy lub kodów określonej w pozycji 3E225;

Uwagi techniczne

1.   Przemienniki częstotliwości w pozycji 3A225 nazywane są również konwerterami lub inwerterami.

2.   Przemienniki częstotliwości w pozycji 3A225 mogą być wprowadzane na rynek jako generatory, elektroniczne urządzenia testowe, zasilacze prądu zmiennego, napędy silnikowe zmiennej prędkości, napędy zmiennej prędkości (VSD), falowniki, napędy z regulowaną częstotliwością (AFD) lub napędy z regulowaną prędkością (ASD).

3A226Wysokoenergetyczne zasilacze prądu stałego, inne niż wyszczególnione w pozycji 0B001.j.6, posiadające obydwie niżej wymienione cechy:

a. zdolność do ciągłego wytwarzania, przez okres 8 godzin, napięcia 100 V lub większego z wyjściem prądowym 500 A lub większym; oraz

b. stabilność prądu lub napięcia, przez okres 8 godzin, lepsza niż 0,1 %.

3A227Wysokoenergetyczne zasilacze prądu stałego, inne niż wyszczególnione w pozycji 0B001.j.5, posiadające obydwie niżej wymienione cechy:

a. zdolność do ciągłego wytwarzania, przez okres 8 godzin, napięcia 20 kV lub większego z wyjściem prądowym 1 A lub większym; oraz

b. stabilność prądu lub napięcia, przez okres 8 godzin, lepsza niż 0,1 %.

3A228Następujące urządzenia przełączające:

a. lampy elektronowe o zimnej katodzie, bez względu na to, czy są napełnione gazem, czy też nie, pracujące podobnie do iskiernika i posiadające wszystkie niżej wymienione cechy:

1. składające się z trzech lub więcej elektrod;

2. szczytowa wartość napięcia anody 2,5 kV lub więcej;

3. szczytowa wartość natężenia prądu anodowego równa 100 A lub więcej; oraz

4. czas zwłoki dla anody równy 10 μs lub mniej;

Uwaga:   Pozycja 3A228 obejmuje gazowe lampy kriotronowe i próżniowe lampy sprytronowe.

b. iskierniki wyzwalane, posiadające obydwie niżej wymienione cechy:

1. czas zwłoki dla anody równy 15 μs lub mniej; oraz

2. przystosowane do znamionowych prądów szczytowych równych 500 A lub większych;

c. moduły lub zespoły do szybkiego przełączania funkcji, inne niż wyszczególnione w pozycji 3A001.g lub 3A001.h, posiadające wszystkie niżej wymienione cechy:

1. szczytowa wartość napięcia anody równa 2 kV lub więcej;

2. szczytowa wartość natężenia prądu anodowego równa 500 A lub więcej; oraz

3. czas włączania równy 1 μs lub mniej.

3A229Generatory impulsów wysokoprądowych, takie jak:

N.B.   ZOB. TAKŻE WYKAZ UZBROJENIA.

a. Zestawy zapłonowe do detonatorów (zapalniki, zapłonniki), w tym zestawy zapłonowe uruchamiane elektronicznie, eksplozją i optycznie, inne niż te wymienione w pozycji 1A007.a., zaprojektowane do uruchamiania kontrolowanych detonatorów wielokrotnych wymienionych w pozycji 1A007.b.;

b. modułowe generatory impulsów elektrycznych (impulsatory) posiadające wszystkie niżej wymienione cechy:

1. zaprojektowane do urządzeń przenośnych, przewoźnych lub innych narażonych na wstrząsy;

2. zdolne do dostarczenia swojej energii w czasie krótszym niż 15 μs przy obciążeniu poniżej 40 Ω;

3. posiadające wyjście prądowe powyżej 100 A;

4. żaden z wymiarów nie przekracza 30 cm;

5. masa mniejsza niż 30 kg; oraz

6. zaprojektowane do pracy w rozszerzonym zakresie temperatur 223 K (– 50 °C) do 373 K (100 °C) lub nadające się do stosowania w przestrzeni powietrznej.

Uwaga:   Pozycja 3A229.b obejmuje wzbudnice ksenonowych lamp błyskowych.

c. jednostki mikrowyładowcze posiadające wszystkie z następujących cech:

1. żaden z wymiarów nie przekracza 35 mm;

2. napięcie znamionowe równe lub większe niż 1 kV; oraz

3. reaktancja pojemnościowa równa lub większa niż 100 nF.

3A230Szybkie generatory impulsowe oraz ich ‘głowice impulsowe’, posiadające obydwie niżej wymienione cechy:

a. napięcie wyjściowe większe niż 6 V, przy obciążeniu rezystancyjnym mniejszym niż 55 Ω; oraz

b. ‘czas narastania impulsów’ mniejszy niż 500 ps.

Uwagi techniczne

1.   W pozycji 3A230 ‘czas narastania impulsów’ definiuje się jako przedział czasowy pomiędzy 10 % a 90 % amplitudy napięcia.

2.   ‘Głowice impulsowe’ oznaczają sieci formowania impulsów zaprojektowane do przyjmowania funkcji skokowej napięcia i kształtowania różnych przebiegów, np. prostokątnych, trójkątowych, skokowych, impulsowych lub wykładniczych. ‘Głowice impulsowe’ mogą stanowić integralną część generatora impulsów, moduł podłączany do urządzenia lub też zewnętrznie podłączane urządzenie.

3A231Generatory neutronów, w tym lampy, mające obie następujące właściwości:

a. zaprojektowane do pracy bez zewnętrznych instalacji próżniowych; oraz

b. wykorzystujące którekolwiek z poniższych:

1. przyspieszanie elektrostatyczne do wzbudzania reakcji jądrowej trytu z deuterem, lub

2. przyspieszanie elektrostatyczne do wzbudzania reakcji jądrowej deuteru z deuterem i pozwalające uzyskać wynik 3 × 109 neutronów/s lub większy.

3A232Następujące wielopunktowe instalacje inicjujące, inne niż wymienione w pozycji 1A007:

N.B.   ZOB. TAKŻE WYKAZ UZBROJENIA.

N.B.   Zob. pozycja 1A007.b w odniesieniu do detonatorów.

a. nieużywane;

b. instalacje z detonatorami pojedynczymi lub wielokrotnymi, przeznaczone do prawie równoczesnego inicjowania wybuchów na obszarze większym niż 5 000 mm2 za pomocą pojedynczego sygnału zapłonowego przy opóźnieniu synchronizacji na całej powierzchni mniejszym niż 2,5 μs.

Uwaga:   Pozycja 3A232 nie obejmuje kontrolą zapłonników wykorzystujących wyłącznie inicjujące materiały wybuchowe, takie jak azydek ołowiawy.

3A233Następujące spektrometry masowe, inne niż wyszczególnione w pozycji 0B002.g, zdolne do pomiaru mas jonów o wartości 230 mas atomowych lub większej oraz posiadające rozdzielczość lepszą niż 2 części na 230, oraz źródła jonów do tych urządzeń:

a. plazmowe spektrometry masowe ze sprzężeniem indukcyjnym (ICP/MS);

b. jarzeniowe spektrometry masowe (GDMS);

c. termojonizacyjne spektrometry masowe (TIMS);

d. spektrometry masowe z zespołami do bombardowania elektronami posiadające obydwie poniższe cechy:

1. układ wlotowy wiązki molekularnej, który wprowadza skolimowaną wiązkę molekuł do celów analitycznych w rejon źródła jonów, gdzie molekuły są jonizowane przez wiązkę elektronów; oraz

2. co najmniej jedną ‘wymrażarkę’, którą można schłodzić do temperatury 193 K (– 80 °C);

e. nieużywane;

f. spektrometry masowe ze źródłem jonów do mikrofluoryzacji zaprojektowane do pracy w obecności aktynowców lub fluorków aktynowców.

Uwagi techniczne

1.   Spektrometry masowe z zespołami do bombardowania elektronami wymienione w pozycji 3A233.d. znane są również jako spektrometry masowe z jonizacją strumieniem elektronów lub spektrometry masowe z jonizacją elektronową.

2.   W pozycji 3A233.d.2. ‘wymrażarka’ jest urządzeniem, które przechwytuje molekuły gazu, kondensując je lub zamrażając na zimnych powierzchniach. Do celów pozycji 3A233.d.2. kriogeniczna pompa próżniowa z zamkniętym obwodem helu w stanie gazowym nie jest ‘wymrażarką’.

3A234Linie paskowe zapewniające ścieżkę o małej indukcyjności do detonatorów, posiadające następujące cechy:

a. napięcie znamionowe większe niż 2 kV; oraz

b. indukcyjność mniejsza niż 20 nH.

3BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne

3B001Sprzęt do wytwarzania urządzeń lub materiałów półprzewodnikowych oraz specjalnie zaprojektowane do niego części składowe i akcesoria, w tym:

N.B.   ZOB. TAKŻE POZYCJA 2B226.

a. następujący sprzęt zaprojektowany do osadzania warstwy epitaksjalnej:

1. sprzęt zaprojektowany lub zmodyfikowany do wytwarzania powłok o równomiernej grubości z materiałów różnych od krzemu, wykonanych z dokładnością poniżej ± 2,5 % na odcinku o długości 75 mm lub większym;

Uwaga:   Pozycja 3B001.a.1 obejmuje urządzenia do epitaksji warstw atomowych.

2. reaktory do osadzania z par lotnych związków metaloorganicznych (MOCVD), specjalnie zaprojektowane do wytwarzania warstw epitaksjalnych półprzewodników z materiałów posiadających co najmniej dwa następujące pierwiastki: glin, gal, ind, arsen, fosfor, antymon lub azot;

3. sprzęt wykorzystujący wiązkę molekularną do wytwarzania warstw epitaksjalnych z surowca gazowego lub stałego;

b. sprzęt zaprojektowany do implantacji jonów i spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. nieużywane;

2. zaprojektowany i optymalizowany do działania z energią wiązki wynoszącą 20 keV lub więcej i prądem wiązki o wartości 10 mA lub więcej w celu implantacji wodoru, deuteru lub helu;

3. zdolność bezpośredniego zapisu;

4. posiadający energię wiązki wynoszącą 65 keV lub większą oraz natężenie wiązki równe 45 mA lub większe, w celu wysokoenergetycznej implantacji tlenu w podgrzany półprzewodnikowy materiał „podłoża”; lub

5. zaprojektowany i optymalizowany do działania z energią wiązki wynoszącą 20 keV lub więcej i prądem wiązki o wartości 10 mA lub więcej w celu implantacji krzemu w półprzewodnikowy materiał „podłoża” podgrzany do temperatury 600 °C lub wyższej;

c. nieużywane;

d. nieużywane;

e. automatycznie ładujące się, wielokomorowe, centryczne systemy do wytwarzania płytek elektronicznych spełniające wszystkie poniższe kryteria:

1. interfejsy wejściowe i wyjściowe do płytek, zaprojektowane z myślą o podłączeniu więcej niż dwóch pełniących różne funkcje ‘urządzeń do produkcji półprzewodników’ wymienionych w poz. 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 lub 3B001.b.; oraz

2. zaprojektowane do tworzenia zintegrowanego systemu, działającego w warunkach próżni, do ‘sekwencyjnego wytwarzania płytek metodą powielania’;

Uwaga:   Pozycja 3B001.e nie obejmuje kontrolą automatycznych zrobotyzowanych systemów wytwarzania płytek elektronicznych, specjalnie zaprojektowanych do równoległego wytwarzania płytek.

Uwagi techniczne

1.   Do celów poz. 3B001.e ‘urządzenia do produkcji półprzewodników’ to urządzenia modularne umożliwiające zachodzenie procesów fizycznych wymaganych do wytwarzania półprzewodników; pełnią one różne funkcje, takie jak: osadzanie, implantacja lub obróbka cieplna.

2.   Do celów poz. 3B001.e ‘sekwencyjne wytwarzanie płytek metodą powielania’ oznacza zdolność do obrabiania każdej płytki w innym ‘urządzeniu wytwarzającym półprzewodniki’, np. przez przeniesienie każdej płytki z jednego urządzenia do drugiego i do kolejnego przy pomocy automatycznego wielokomorowego centralnego systemu podawania płytek.

f. następujący sprzęt litograficzny:

1. sprzęt do wytwarzania płytek elektronicznych poprzez pozycjonowanie, naświetlanie oraz powielanie (bezpośredni krok na płytkę) lub skanowanie (skaner), z wykorzystaniem metody fotooptycznej lub promieni rentgenowskich, spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:

a. źródło światła o długości fali krótszej niż 193 nm; lub

b. zdolny do wytwarzania wzorów o ‘rozmiarze minimalnej rozdzielczości wymiarowej’ (MRF) 45 nm lub mniejszej;

Uwaga techniczna:

‘Rozmiar minimalnej rozdzielczości wymiarowej’ (MRF) obliczany jest według poniższego wzoru:

image

gdzie współczynnik K = 0,35

2. urządzenia do litografii nanodrukowej zdolne do drukowania elementów o wielkości 45 nm lub mniejszych;

Uwaga:   Pozycja 3B001.f.2 obejmuje:

  narzędzia do mikrodruku kontaktowego,

  narzędzia do wytłaczania na gorąco,

  narzędzia do litografii nanodrukowej,

 narzędzia do litografii „step-and-flash” (S-FIL).

3. sprzęt specjalnie zaprojektowany do wytwarzania masek, spełniający wszystkie poniższe kryteria:

a. posiadający odchylaną, zogniskowaną wiązkę elektronów, jonów lub wiązkę „laserową”; oraz

b. spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. apertura plamki dla szerokości piku w połowie jego wysokości poniżej 65 nm i umiejscowienie obrazu poniżej 17 nm (średnia + 3 sigma); lub

2. nieużywane;

3. błąd nakładania drugiej warstwy mniejszy niż 23 nm (średnia + 3 sigma) na maskę;

4. Sprzęt zaprojektowany do wytwarzania przyrządów wykorzystujący metody bezpośredniego nadruku i spełniający wszystkie poniższe kryteria:

a. wykorzystujący odchylaną, zogniskowaną wiązkę elektronów; oraz

b. spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. minimalny rozmiar wiązki równy lub mniejszy niż 15 nm; lub

2. błąd nakładania warstwy mniejszy niż 27 nm (średnia + 3 sigma);

g. maski i siatki optyczne zaprojektowane do układów scalonych wyszczególnionych w pozycji 3A001;

h. maski wielowarstwowe z warstwą z przesunięciem fazowym niewyszczególnione w pozycji 3B001.g. i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. wykonany na masce „półprodukt podłoży” ze szkła, którego dwójłomność zgodnie ze specyfikacją wynosi poniżej 7 nm/cm; lub

2. zaprojektowane do stosowania w urządzeniach litograficznych, w których długość fali źródła światła jest mniejsza niż 245 nm;

Uwaga:   Pozycja 3B001.h nie obejmuje kontrolą wielowarstwowych masek z warstwą z przesunięciem fazowym, zaprojektowanych do wytwarzania urządzeń pamięciowych, nieobjętych kontrolą przez pozycję 3A001.

i. szablony do litografii nanodrukowej układów scalonych wyszczególnionych w pozycji 3A001.

3B002Następujący sprzęt testujący specjalnie zaprojektowany do testowania gotowych i niegotowych elementów półprzewodnikowych oraz specjalnie zaprojektowane do niego części składowe i akcesoria:

a. do testowania S-parametrów urządzeń tranzystorowych przy częstotliwościach powyżej 31,8 GHz;

b. nieużywane;

c. do testowania mikrofalowych układów scalonych wyszczególnionych w pozycji 3A001.b.2.

3CMateriały

3C001Materiały heteroepitaksjalne składające się z „podłoża” i wielu nałożonych epitaksjalnie warstw z któregokolwiek z poniższych:

a. krzemu (Si);

b. germanu (Ge);

c. węglika krzemu (SiC); lub

d. „związków III/V” galu lub indu.

Uwaga:   Pozycja 3C001.d. nie obejmuje kontrolą „podłoża” posiadającego co najmniej jedną warstwę epitaksjalną typu P z GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP lub InGaAlP, bez względu na kolejność pierwiastków, z wyjątkiem sytuacji, gdy warstwa epitaksjalna typu P znajduje się między warstwami typu N.

3C002Następujące materiały fotorezystywne i „podłoża” powlekane następującymi materiałami ochronnymi:

a. następujące materiały fotorezystywne zaprojektowane do litografii półprzewodnikowej:

1. materiały fotorezystywne pozytywowe wyregulowane (zoptymalizowane) do stosowania w zakresie długości fali poniżej 245 nm, ale nie mniejszej niż 15 nm;

2. materiały fotorezystywne wyregulowane (zoptymalizowane) do stosowania w zakresie długości fali poniżej 15 nm, ale większej niż 1 nm;

b. wszystkie materiały fotorezystywne zaprojektowane do użytku z wiązkami elektronowymi lub jonowymi, o czułości 0,01 μC/mm2 lub lepszej;

c. nieużywane;

d. wszystkie materiały fotorezystywne zoptymalizowane do technologii tworzenia obrazów powierzchniowych;

e. wszystkie materiały fotorezystywne zaprojektowane lub zoptymalizowane do użytku z urządzeniami do litografii nanodrukowej wyszczególnionymi w pozycji 3B001.f.2 wykorzystującymi proces termiczny lub proces fotoutwardzania.

3C003Związki organiczno-nieorganiczne, takie jak:

a. związki metaloorganiczne glinu, galu lub indu o czystości (na bazie metalu) powyżej 99,999 %;

b. związki arsenoorganiczne, antymonoorganiczne i fosforoorganiczne o czystości (na bazie składnika nieorganicznego) powyżej 99,999 %.

Uwaga:   Pozycja 3C003 obejmuje kontrolą wyłącznie związki, w których składnik metalowy, częściowo metalowy lub składnik niemetalowy jest bezpośrednio związany z węglem w organicznym składniku molekuły.

3C004Wodorki fosforu, arsenu lub antymonu o czystości powyżej 99,999 %, nawet rozpuszczone w gazach obojętnych lub w wodorze.

Uwaga:   Pozycja 3C004 nie obejmuje kontrolą wodorków zawierających molowo 20 %, lub więcej, gazów obojętnych lub wodoru.

3C005„Podłoża” półprzewodnikowe z węglika krzemu (SiC), azotku galu (GaN), azotku glinu (AlN) lub z azotku galu i glinu (AlGaN), lub wlewki, monokryształy lub inne preformy tych materiałów o rezystywności powyżej 10 000 Ω/cm w temperaturze 20 °C.

3C006„Podłoża” wyszczególnione w pozycji 3C005 z co najmniej jedną warstwą epitaksjalną z węglika krzemu, azotku galu, azotku glinu lub azotku galu i glinu.

3DOprogramowanie

3D001„Oprogramowanie” specjalnie zaprojektowane do „rozwoju” lub „produkcji” sprzętu objętego kontrolą, wymienionego w pozycji 3A001.b do 3A002.h, lub 3B.

3D002„Oprogramowanie” specjalnie zaprojektowane do „użytkowania” sprzętu wymienionego w pozycjach 3B001.a do 3B001.f, w pozycji 3B002 lub w pozycji 3A225.

3D003„Oprogramowanie” symulacyjne, ‘bazujące na fizyce’, specjalnie zaprojektowane do „rozwoju” procesów litografii, wytrawiania lub osadzania w celu przekształcenia maskujących kształtów w konkretną topografię obszarów przewodzących, dielektrycznych lub półprzewodnikowych.

Uwaga techniczna:

‘Bazujące na fizyce’ w pozycji 3D003 oznacza wykorzystanie obliczeń do określenia sekwencji przyczyn fizycznych oraz skutków zdarzeń, opierających się na właściwościach fizycznych (np. temperatura, ciśnienie, stałe dyfuzji oraz właściwości materiałów półprzewodnikowych).

Uwaga:   Biblioteki, związane z nimi atrybuty i inne dane służące do projektowania urządzeń półprzewodnikowych lub układów scalonych są postrzegane jako „technologia”.

3D004„Oprogramowanie” specjalnie zaprojektowane do „rozwoju” sprzętu wymienionego w pozycji 3A003.

3D101„Oprogramowanie” specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do „użytkowania” sprzętu wymienionego w pozycji 3A101.b.

3D225„Oprogramowanie” specjalnie zaprojektowane w celu poprawy lub wykorzystania wydajności przemienników częstotliwości lub generatorów, tak by odpowiadały cechom wymienionym w pozycji 3A225.

3ETechnologia

3E001„Technologia”, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, służąca do „rozwoju” lub „produkcji” sprzętu lub materiałów wyszczególnionych w pozycji 3A, 3B lub 3C.

Uwaga 1:   Pozycja 3E001 nie obejmuje kontrolą „technologii” dotyczącej sprzętu lub części składowych wyszczególnionych w pozycji 3A003.

Uwaga 2:   Pozycja 3E001 nie obejmuje kontrolą „technologii” dotyczącej układów scalonych wyszczególnionych w pozycji 3A001.a.3 do 3A001.a.12 spełniających wszystkie poniższe kryteria:

a.   wykorzystujące „technologię” na poziomie 0,130 μm lub powyżej; oraz

b.   posiadające strukturę wielowarstwową z nie więcej niż trzema warstwami metalu.

3E002„Technologia”, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, inna niż wyszczególnione w pozycji 3E001, do „rozwoju” lub „produkcji”„układu mikroprocesorowego”, „układu mikrokomputerowego” lub rdzenia układu mikrosterowników posiadającego jednostkę arytmetyczno-logiczną z szyną dostępu na 32 bity lub więcej i którąkolwiek z poniższych właściwości:

a. ‘procesor wektorowy’ zaprojektowany do jednoczesnego wykonywania więcej niż dwu operacji na wektorach zmiennoprzecinkowych (jednowymiarowych tablicach złożonych z liczb 32-bitowych lub dłuższych);

Uwaga techniczna:

‘Procesor wektorowy’ jest zdefiniowany jako procesor wyposażony w wewnętrzne instrukcje pozwalające równocześnie wykonywać wielokrotne operacje na wektorach zmiennoprzecinkowych (jednowymiarowych tablicach złożonych z liczb 32-bitowych lub dłuższych), posiadający co najmniej jedną jednostkę wektorową arytmetyczno-logiczną i rejestry wektorów, z których każdy posiada co najmniej 32 elementy.

b. zaprojektowany do wykonywania w jednym cyklu więcej niż czterech wyników operacji zmiennoprzecinkowych na liczbach 64-bitowych lub dłuższych; lub

c. zaprojektowany do wykonywania w jednym cyklu więcej niż ośmiu wyników operacji stałoprzecinkowych typu multiply-accumulate na liczbach 16-bitowych (np. obróbka cyfrowa informacji analogowych, które uprzednio zostały przekształcone na postać cyfrową, znana również jako cyfrowe „przetwarzanie sygnału”).

Uwaga 1:   Pozycja 3E002 nie obejmuje kontrolą „technologii” do rozszerzeń multimedialnych.

Uwaga 2:   Pozycja 3E002 nie obejmuje kontrolą „technologii” dotyczącej rdzeni mikroprocesorów spełniających wszystkie poniższe kryteria:

a.   zastosowanie „technologii” na poziomie 0,130 μm lub powyżej; oraz

b.   wykorzystywanie struktur wielowarstwowych o co najwyżej pięciu warstwach metalu.

Uwaga 3:   Pozycja 3E002 obejmuje „technologię” do „rozwoju” lub „produkcji” procesorów sygnałowych i procesorów macierzowych.

3E003Inna „technologia” do „rozwoju” lub „produkcji” następujących produktów:

a. próżniowych urządzeń mikroelektronicznych;

b. heterostrukturalnych elektronicznych urządzeń półprzewodnikowych, takich jak tranzystory o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT), tranzystory heterobipolarne (HBT), urządzenia nadstrukturalne oraz ze studnią kwantową;

Uwaga:   Pozycja 3E003.b nie obejmuje kontrolą „technologii” dla tranzystorów o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT), pracujących na częstotliwościach niższych od 31,8 GHz oraz tranzystorów heterobipolarnych (HBT), pracujących na częstotliwościach niższych od 31,8 GHz.

c. urządzeń elektronicznych opartych na „Nadprzewodnikach”;

d. podłoży folii diamentowych do podzespołów elektronicznych;

e. podłoży typu „krzem na izolatorze” (SOI) do układów scalonych, gdzie izolatorem jest dwutlenek krzemu;

f. podłoży z węglika krzemu do części elektronicznych;

g. ‘elektronicznych urządzeń próżniowych’, pracujących na częstotliwościach równych 31,8 GHz lub wyższych.

3E101„Technologia”, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, służąca do „użytkowania” sprzętu lub „oprogramowania” wymienionego w pozycji 3A001.a.1 lub 3A001.a.2, 3A101, 3A102 lub 3D101.

3E102„Technologia”, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, służąca do „rozwoju”„oprogramowania” wymienionego w pozycji 3D101.

3E201„Technologia”, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, służąca do „użytkowania” sprzętu wymienionego w pozycji 3A001.e.2, 3A001.e.3, 3A001.g, 3A201, 3A225 do 3A234.

3E225„Technologia” w postaci kodów lub kluczy, służąca do poprawy lub wykorzystania wydajności przemienników częstotliwości lub generatorów, tak by odpowiadały cechom wymienionym w pozycji 3A225

KATEGORIA 4 – KOMPUTERY

Uwaga 1:   Komputery, towarzyszące im sprzęt i „oprogramowanie” wypełniające funkcje telekomunikacyjne lub działające w ramach „lokalnej sieci komputerowej” muszą również być analizowane pod kątem spełniania charakterystyk przynależnych do kategorii 5 część 1 – Telekomunikacja.

Uwaga 2:   Jednostki sterujące podłączone bezpośrednio do szyn lub łączy jednostek centralnych, „pamięci operacyjnych” lub sterowników dysków nie są uważane za urządzenia telekomunikacyjne ujęte w kategorii 5 część 1 – Telekomunikacja.

N.B.   Dla ustalenia poziomu kontroli „oprogramowania” specjalnie zaprojektowanego do komutacji pakietów, zob. pozycja 5D001.

4ASystemy, urządzenia i części składowe

4A001Komputery elektroniczne i towarzyszący im sprzęt spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów i „zespoły elektroniczne” oraz specjalnie do nich zaprojektowane części składowe:

N.B.   ZOB. TAKŻE POZYCJA 4A101.

a. specjalnie zaprojektowane, aby spełniać którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. możliwość działania w temperaturze otoczenia poniżej 228 K (– 45 °C) lub powyżej 358 K (85 °C); lub

Uwaga:   Pozycja 4A001.a.1 nie obejmuje kontrolą komputerów specjalnie zaprojektowanych do zastosowania w samochodach cywilnych, kolejnictwie lub „cywilnych statkach powietrznych”.

2. zabezpieczone przed promieniowaniem jonizującym, o następujących parametrach minimalnych:



a.

dawka całkowita

5 x 103 Gy (Si);

b.

narastanie natężenia dawki

5 x 106 Gy (Si)/s; lub

c.

pojedyncze przypadkowe zakłócenie

1 × 10–8 błędów/bit/dzień;

Uwaga:   Pozycja 4A001.a.2 nie obejmuje kontrolą komputerów specjalnie zaprojektowanych do zastosowania w „cywilnych statkach powietrznych”.

b. nieużywane.

4A003Następujące „komputery cyfrowe”, „zespoły elektroniczne” i sprzęt im towarzyszący oraz specjalnie zaprojektowane dla nich części składowe:

Uwaga 1:   Pozycja 4A003 obejmuje:

  ‘procesory wektorowe’,

  procesory tablicowe,

  cyfrowe procesory sygnałowe,

  procesory logiczne,

 sprzęt zaprojektowany do „wzmacniania obrazów”.

Uwaga 2:   Poziom kontroli „komputerów cyfrowych” i towarzyszącego im sprzętu opisany w pozycji 4A003 wynika z poziomu kontroli innego sprzętu lub systemów, pod warunkiem że:

a.   „komputery cyfrowe” lub towarzyszący im sprzęt mają zasadnicze znaczenie dla działania innego sprzętu lub systemów;

b.   „komputery cyfrowe” lub towarzyszący im sprzęt nie są „elementem o podstawowym znaczeniu” innego sprzętu lub systemów; oraz

N.B. 1:   Poziom kontroli sprzętu do „przetwarzania sygnałów” lub „wzmacniania obrazów”, specjalnie zaprojektowanego do innego sprzętu i ograniczonego funkcjonalnie do wymogów pracy tego sprzętu wynika z poziomu kontroli innego sprzętu, nawet, gdy wykracza to poza kryterium „elementu o podstawowym znaczeniu”.

N.B. 2:   W przypadku poziomu kontroli „komputerów cyfrowych” lub towarzyszącego im sprzętu do sprzętu telekomunikacyjnego zob. kategoria 5 część 1 – Telekomunikacja.

c.   „technologia” do „komputerów cyfrowych” i towarzyszącego im sprzętu jest określona przez pozycję 4E.

a. nieużywane,

b. „komputery cyfrowe” posiadające „skorygowaną wydajność szczytową” („APP”) powyżej 16 teraflopsów ważonych (WT);

c. „zespoły elektroniczne”, specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane w celu polepszenia mocy obliczeniowej poprzez agregację procesorów, w taki sposób, że „APP” agregatu przekracza wartość graniczną określoną w pozycji 4A003.b;

Uwaga 1: </