16.4.2019   

PL

Dziennik Urzędowy Unii Europejskiej

L 105/67


Sprostowanie do rozporządzenia delegowanego Komisji (UE) 2018/1922 z dnia 10 października 2018 r. zmieniającego rozporządzenie Rady (WE) nr 428/2009 ustanawiające wspólnotowy system kontroli wywozu, transferu, pośrednictwa i tranzytu w odniesieniu do produktów podwójnego zastosowania

( Dziennik Urzędowy Unii Europejskiej L 319 z dnia 14 grudnia 2018 r. )

Strona 129, pozycja 3B001.f., w pkt 3 i 4 zmienia się wyrównanie tekstu:

zamiast:

„3.

sprzęt specjalnie zaprojektowany do wytwarzania masek, spełniający wszystkie poniższe kryteria:

a.

posiadający odchylaną, zogniskowaną wiązkę elektronów, jonów lub wiązkę „laserową”; oraz

b.

spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:

1.

apertura plamki dla szerokości piku w połowie jego wysokości poniżej 65 nm i umiejscowienie obrazu poniżej 17 nm (średnia + 3 sigma); lub

2.

nieużywane;

3.

błąd nakładania drugiej warstwy mniejszy niż 23 nm (średnia + 3 sigma) na maskę;

4.

Sprzęt zaprojektowany do wytwarzania przyrządów wykorzystujący metody bezpośredniego nadruku i spełniający wszystkie poniższe kryteria:

a.

wykorzystujący odchylaną, zogniskowaną wiązkę elektronów; oraz

b.

spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:

1.

minimalny rozmiar wiązki równy lub mniejszy niż 15 nm; lub

2.

błąd nakładania warstwy mniejszy niż 27 nm (średnia + 3 sigma);”,

powinno być:

„3.

sprzęt specjalnie zaprojektowany do wytwarzania masek, spełniający wszystkie poniższe kryteria:

a.

posiadający odchylaną, zogniskowaną wiązkę elektronów, jonów lub wiązkę „laserową”; oraz

b.

spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:

1.

apertura plamki dla szerokości piku w połowie jego wysokości poniżej 65 nm i umiejscowienie obrazu poniżej 17 nm (średnia + 3 sigma); lub

2.

nieużywane;

3.

błąd nakładania drugiej warstwy mniejszy niż 23 nm (średnia + 3 sigma) na maskę;

4.

Sprzęt zaprojektowany do wytwarzania przyrządów wykorzystujący metody bezpośredniego nadruku i spełniający wszystkie poniższe kryteria:

a.

wykorzystujący odchylaną, zogniskowaną wiązkę elektronów; oraz

b.

spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:

1.

minimalny rozmiar wiązki równy lub mniejszy niż 15 nm; lub

2.

błąd nakładania warstwy mniejszy niż 27 nm (średnia + 3 sigma);”.