Rectificatie van Gedelegeerde Verordening (EU) 2025/2003 van de Commissie van 8 september 2025 tot wijziging van Verordening (EU) 2021/821 van het Europees Parlement en de Raad wat betreft de lijst van producten voor tweeërlei gebruik

( Publicatieblad van de Europese Unie L, 2025/2003, 14 november 2025 )

Bladzijde 6, in de bijlage tot vervanging van bijlage I bij Verordening (EU) 2021/821, deel I, tabel “met acroniemen en afkortingen, rij “EB-PVD”, tweede kolom:

in plaats van:

“Elektronenstraalverdampen”,

lezen:

“Fysieke afzetting uit de dampfase met elektronenstraal”.

Bladzijde 6, in de bijlage tot vervanging van bijlage I bij Verordening (EU) 2021/821, deel I, tabel met acroniemen en afkortingen, rij “EDM”, tweede kolom:

in plaats van:

“Vonkerosie”,

lezen:

“Vonkverspaningsmachines”.

Bladzijde 82, in de bijlage tot vervanging van bijlage I bij Verordening (EU) 2021/821, deel IV, punt 2B001.d.:

in plaats van:

“d.	vonkverspaningmachines (EDM’s) van het draadloze type met twee of meer roterende assen die gelijktijdig kunnen samenwerken voor “contourbesturen”;”,

lezen:

“d.	vonkverspaningsmachines (EDM’s) van het draadloze type met twee of meer roterende assen die gelijktijdig kunnen samenwerken voor “contourbesturen”;”.

Bladzijde 84, in de bijlage tot vervanging van bijlage I bij Verordening (EU) 2021/821, deel IV, punt 2B005.c, aanhef:

in plaats van:

“productieapparatuur voor elektronenstraalopdampen (EB-PVD) welke een voedingssysteem gespecificeerd voor meer dan 80 kW omvat, met één van de volgende eigenschappen:”,

lezen:

“productieapparatuur voor fysieke afzetting uit de dampfase met elektronenstraal (EB-PVD) welke een voedingssysteem gespecificeerd voor meer dan 80 kW omvat, met één van de volgende eigenschappen:”.

Bladzijde 105, in de bijlage tot vervanging van bijlage I bij Verordening (EU) 2021/821, deel IV, tabel “Afzettingstechnieken”, rij B.1, eerste kolom:

in plaats van:

“B.1.

Fysieke afzetting uit de dampfase: Elektronenstraalverdampen (EB-PVD)”,

lezen:

“B.1.

Fysieke afzetting uit de dampfase: fysieke afzetting uit de dampfase met elektronenstraal (EB-PVD)”.

Bladzijde 111, in de bijlage tot vervanging van bijlage I bij Verordening (EU) 2021/821, deel IV, technische noot betreffende tabel “Afzettingstechnieken”, punt b, vierde alinea, punt 1:

in plaats van:

“1.	bij elektronenstraalverdampen (EB-PVD) wordt gebruikgemaakt van een elektronenstraal voor het verhitten en verdampen van het materiaal waaruit de deklaag wordt gevormd;”,

lezen:

“1.	bij fysieke afzetting uit de dampfase met elektronenstraal (EB-PVD) wordt gebruikgemaakt van een elektronenstraal voor het verhitten en verdampen van het materiaal waaruit de deklaag wordt gevormd;”.

Bladzijde 112, in de bijlage tot vervanging van bijlage I bij Verordening (EU) 2021/821, deel IV, technische noot betreffende tabel “Afzettingstechnieken”, punt g, tweede zin:

in plaats van:

“De definitie omvat mede procedés waarbij tegelijk met de ionenimplantatie elektronenstraalverdamping of afzetting door middel van sputtering plaatsvindt.”,

lezen:

“De definitie omvat mede procedés waarbij tegelijk met de ionenimplantatie fysieke afzetting uit de dampfase met elektronenstraal of afzetting door middel van sputtering plaatsvindt.”.

Bladzijde 139, in de bijlage tot vervanging van bijlage I bij Verordening (EU) 2021/821, deel V, punt 3B001.a., aanhef:

in plaats van:

“apparatuur voor epitaxiaal opbrengen, als hieronder:”,

lezen:

“apparatuur voor epitaxiale groei, als hieronder:”.

Bladzijde 139, in de bijlage tot vervanging van bijlage I bij Verordening (EU) 2021/821, deel V, punt 3B001.a.2.:

in plaats van:

“2.	reactoren voor het chemisch neerslaan van organometaaldamp (MOCVD), ontworpen voor het epitaxiaal opbrengen van samengestelde halfgeleiders van materiaal dat twee of meer van de volgende elementen bevat: aluminium, gallium, indium, arseen, fosfor, antimoon, zuurstof of stikstof;”,

lezen:

“2.	reactoren voor het chemisch neerslaan van organometaaldamp (MOCVD), ontworpen voor epitaxiale groei van samengestelde halfgeleiders van materiaal dat twee of meer van de volgende elementen bevat: aluminium, gallium, indium, arseen, fosfor, antimoon, zuurstof of stikstof;”.

Bladzijde 139, in de bijlage tot vervanging van bijlage I bij Verordening (EU) 2021/821, deel V, punt 3B001.a.3.:

in plaats van:

“3.	apparatuur voor het opbrengen van epitaxiale lagen door middel van moleculaire bundels met gebruik van gasvormige of vaste bronnen;”,

lezen:

“3.	apparatuur voor epitaxiale groei door middel van moleculaire bundels met gebruik van gasvormige of vaste bronnen;”.

Bladzijde 139, in de bijlage tot vervanging van bijlage I bij Verordening (EU) 2021/821, deel V, punt 3B001.a., NB:

in plaats van:

“NB:	Zie 3B501.a.4. voor apparatuur ontworpen voor het epitaxiaal opbrengen van silicium (Si) of siliciumgermanium (SiGe).”,

lezen:

“ NB:

Zie 3B501.a.4. voor apparatuur ontworpen voor epitaxiale groei van silicium (Si) of siliciumgermanium (SiGe).”.

Bladzijde 141, in de bijlage tot vervanging van bijlage I bij Verordening (EU) 2021/821, deel V, punt 3B501.a., aanhef:

in plaats van:

“apparatuur voor epitaxiaal opbrengen, als hieronder:”,

lezen:

“apparatuur voor epitaxiale groei, als hieronder:”.

Bladzijde 141, in de bijlage tot vervanging van bijlage I bij Verordening (EU) 2021/821, deel V, punt 3B501.a.4., aanhef:

in plaats van:

“apparatuur ontworpen voor het epitaxiaal opbrengen van silicium (Si) of siliciumgermanium (SiGe), met alle volgende kenmerken:”,

lezen:

“apparatuur ontworpen voor epitaxiale groei van silicium (Si) of siliciumgermanium (SiGe), met alle volgende kenmerken:”.

Bladzijde 143, in de bijlage tot vervanging van bijlage I bij Verordening (EU) 2021/821, deel V, punt 3B501.n.1.b., technische noot:

in plaats van:

“Voor de toepassing van 3B501.n.1.b. wordt onder ‘gebiedsselectieve afzetting’ verstaan de afzetting van materiaal op de zijwand, maar niet de bodem van een kenmerk.”,

lezen:

“Voor de toepassing van 3B501.n.1.b. wordt onder ‘gebiedsselectieve afzetting’ verstaan de afzetting van materiaal op de zijwand, maar niet de bodem van een structuur.”.

bladzijde 143, in de bijlage tot vervanging van bijlage I bij Verordening (EU) 2021/821, deel V, punt 3B501.n.5.:

in plaats van:

“5.	apparatuur ontworpen voor afzetting met behulp van luchtbelvrij plasma van een laag met een diëlektrische constante lager dan 3,3, in ‘openingen’ met een ‘diepte-breedteverhouding’ gelijk aan of groter dan 1:1 en een breedte kleiner dan 25 nm;”,

lezen:

“5.	apparatuur ontworpen voor afzetting met behulp van holtevrij plasma van een laag met een diëlektrische constante lager dan 3,3, in ‘openingen’ met een ‘diepte-breedteverhouding’ gelijk aan of groter dan 1:1 en een breedte kleiner dan 25 nm;”.

Bladzijde 248, in de bijlage tot vervanging van bijlage I bij Verordening (EU) 2021/821, deel XI, punt 9E003, onder “Technische noten”, punt 4:

in plaats van:

“4.	voor de vervaardiging van de gaten kunnen methoden als “laser” straalbewerking, waterstraalstraalbewerking, Electro-Chemical Machining (ECM) of Electrical Discharge Machining (EDM) worden gebruikt.”,

lezen:

“4.	voor de vervaardiging van de gaten kunnen methoden als “laser”straalbewerking, waterstraalstraalbewerking, Electro-Chemical Machining (ECM) of vonkverspanen (EDM) worden gebruikt.”.