Choose the experimental features you want to try

This document is an excerpt from the EUR-Lex website

Document 32023R2616

Komission delegoitu asetus (EU) 2023/2616, annettu 15 päivänä syyskuuta 2023, Euroopan parlamentin ja neuvoston asetuksen (EU) 2021/821 muuttamisesta kaksikäyttötuotteiden luettelon osalta

EUVL L, 2023/2616, 15.12.2023, ELI: http://data.europa.eu/eli/reg_del/2023/2616/oj (BG, ES, CS, DA, DE, ET, EL, EN, FR, GA, HR, IT, LV, LT, HU, MT, NL, PL, PT, RO, SK, SL, FI, SV)

Legal status of the document In force

ELI: http://data.europa.eu/eli/reg_del/2023/2616/oj

European flag

virallinen lehti
Euroopan unionin

FI

Sarjan L


2023/2616

15.12.2023

KOMISSION DELEGOITU ASETUS (EU) 2023/2616,

annettu 15 päivänä syyskuuta 2023,

Euroopan parlamentin ja neuvoston asetuksen (EU) 2021/821 muuttamisesta kaksikäyttötuotteiden luettelon osalta

EUROOPAN KOMISSIO, joka

ottaa huomioon Euroopan unionin toiminnasta tehdyn sopimuksen,

ottaa huomioon kaksikäyttötuotteiden vientiä, välitystä, teknistä apua, kauttakulkua ja siirtoa koskevan unionin valvontajärjestelmän perustamisesta 20 päivänä toukokuuta 2021 annetun Euroopan parlamentin ja neuvoston asetuksen (EU) 2021/821 (1) ja erityisesti sen 17 artiklan 1 kohdan a alakohdan,

sekä katsoo seuraavaa:

(1)

Asetuksen (EU) 2021/821 mukaan kaksikäyttötuotteita on valvottava tehokkaasti, kun niitä viedään unionista tai kuljetetaan unionin kautta tai kun niitä toimittaa kolmanteen maahan sellaisen välittäjän välityspalvelu, jolla on asuinpaikka unionissa tai joka on sijoittautunut unioniin.

(2)

Asetuksen (EU) 2021/821 liitteessä I vahvistetaan yhteinen luettelo kaksikäyttötuotteista, joihin sovelletaan valvontaa Euroopan unionissa. Valvonnan kohteena olevia tuotteita koskevat päätökset tehdään kansainvälisesti sovitun kaksikäyttötuotteiden valvonnan puitteissa.

(3)

Asetuksen (EU) 2021/821 liitteessä I oleva kaksikäyttötuotteiden luettelo on saatettava säännöllisesti ajan tasalle, jotta varmistetaan kansainvälisten turvallisuusvelvoitteiden täysimääräinen noudattaminen, taataan avoimuus ja säilytetään talouden toimijoiden kilpailukyky. Kansainvälisten asesulku- ja vientivalvontajärjestelyjen hyväksymiä valvontaluetteloita on muutettu vuonna 2022, minkä vuoksi asetuksen (EU) 2021/821 liitettä I olisi muutettava vastaavasti, kyseisen asetuksen 17 artiklan 1 kohdan a alakohdan mukaisesti. Jotta vientivalvontaviranomaisten ja toimijoiden olisi helpompi saada säännöksistä selvää, kyseisen asetuksen liite I olisi korvattava.

(4)

Jotta varmistetaan kansainvälisten turvallisuusvelvoitteiden täysimääräinen noudattaminen mahdollisimman pian, tämän asetuksen olisi tultava voimaan sen julkaisemista seuraavana päivänä.

(5)

Sen vuoksi asetusta (EU) 2021/821 olisi muutettava,

ON HYVÄKSYNYT TÄMÄN ASETUKSEN:

1 artikla

Korvataan asetuksen (EU) 2021/821 liite I tämän asetuksen liitteellä.

2 artikla

Tämä asetus tulee voimaan seuraavana päivänä sen jälkeen, kun se on julkaistu Euroopan unionin virallisessa lehdessä.

Tämä asetus on kaikilta osiltaan velvoittava, ja sitä sovelletaan sellaisenaan kaikissa jäsenvaltioissa.

Tehty Brysselissä 15 päivänä syyskuuta 2023.

Komission puolesta

Puheenjohtaja

Ursula VON DER LEYEN


(1)   EUVL L 206, 11.6.2021, s. 1.


LIITE

"LIITE I

TÄMÄN ASETUKSEN 3 ARTIKLASSA TARKOITETTU KAKSIKÄYTTÖTUOTTEIDEN LUETELO

Tähän liitteeseen sisältyvällä kaksikäyttötuotteiden luettelolla pannaan täytäntöön kansainvälisesti sovittu kaksikäyttötuotteiden valvonta, mukaan lukien Australia-ryhmä (1), ohjusteknologian valvontajärjestely (MTCR) (2), ydinalan viejämaiden ryhmä (NSG) (3), Wassenaarin järjestely (4) ja kemiallisten aseiden kieltosopimus (5).

SISÄLTÖ

I osa

Yleiset huomautukset, akronyymit ja lyhenteet sekä määritelmät

II osa – Ryhmä 0

Ydinaineet, laitteistot ja laitteet

III osa – Ryhmä 1

Erityismateriaalit ja niihin liittyvät laitteet

IV osa – Ryhmä 2

Materiaalin käsittely

V osa – Ryhmä 3

Elektroniikka

VI osa – Ryhmä 4

Tietokoneet

VII osa – Ryhmä 5

Tietoliikenne ja "tiedonsuojaus"

VIII osa – Ryhmä 6

Anturit ja laserit

IX osa – Ryhmä 7

Navigointi ja ilmailu

X osa – Ryhmä 8

Meriteknologia

XI osa – Ryhmä 9

Ilma- ja avaruusalusten työntövoima

I OSA

Yleiset huomautukset, akronyymit ja lyhenteet sekä määritelmät

YLEISET HUOMAUTUKSET LIITTEESEEN I

1.

Sotilaskäyttöön suunniteltujen tai muunnettujen tuotteiden valvonta: ks. Euroopan unionin yhteinen puolustustarvikeluettelo (6) ja yksittäisten EU:n jäsenvaltioiden ylläpitämät asiaankuuluvat asetarvikkeiden valvontaluettelot. Tässä liitteessä viittauksissa, joissa todetaan "KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO", tarkoitetaan samoja luetteloja.

2.

Tässä liitteessä tarkoitettua valvontaa ei saa kiertää viemällä ei-valvonnanalaisia tavaroita (tuotantolaitos mukaan lukien), jotka sisältävät yhden tai useampia valvonnanalaisia komponentteja, kun valvonnanalainen komponentti on tavaran olennainen osa ja irrotettavissa tai käytettävissä toisiin tarkoituksiin.

Huom.

Arvioitaessa sitä, onko valvonnanalaista komponenttia tai komponentteja pidettävä olennaisina osina, on välttämätöntä tarkastella määrän, arvon ja teknologisen tietotaidon tekijöitä sekä muita erityisolosuhteita, jotka voisivat osoittaa valvonnanalaisen komponentin tai komponenttien olevan toimitettavien tuotteiden olennaisia osia.

3.

Tässä liitteessä määriteltyihin tuotteisiin kuuluvat sekä uudet että käytetyt tuotteet.

4.

Joissain tapauksissa kemikaalit on luetteloitu nimen ja CAS-numeron mukaan. Luetteloa sovelletaan kemikaaleihin, joilla on sama rakennekaava (mukaan lukien hydraatit, isotooppimerkityt muodot tai kaikki mahdolliset stereoisomeerit) riippumatta nimestä tai CAS-numerosta. CAS-numerot on esitetty, jotta tietty kemikaali tai seos olisi helpompi tunnistaa nimikkeistöstä riippumatta. CAS-numeroita ei voida käyttää yksilöllisinä tunnisteina, koska joillakin tietyn luetteloidun kemikaalin muodoilla on eri CAS-numerot ja tiettyä luetteloitua kemikaalia sisältävillä seoksilla voi myös olla eri CAS-numerot.

YDINTEKNOLOGIAHUOMAUTUS (Ydth)

(Sovelletaan 0 ryhmän E osan yhteydessä.)

0 ryhmän valvonnanalaisiin tuotteisiin suoraan liittyvä "teknologia" on valvonnanalainen 0 ryhmää koskevien säännösten mukaisesti.

"Teknologia" valvonnanalaisten tuotteiden "kehittämistä", "tuotantoa" ja "käyttöä" varten on valvonnanalaista myös silloin, kun se on sovellettavissa ei-valvonnanalaisiin tuotteisiin.

Tuotteiden hyväksyminen vientiin oikeuttaa myös tuotteiden käyttöönottoa, toimintaa, ylläpitoa ja korjausta varten tarvittavan vähimmäis"teknologian" viennin samalle loppukäyttäjälle.

"Teknologian" siirron valvonta ei koske "julkista" tietoa tai "tieteellistä perustutkimusta".

YLEINEN TEKNOLOGIAHUOMAUTUS (YTH)

(Sovelletaan 1–9 ryhmien E osan yhteydessä.)

1–9 ryhmissä valvonnanalaisten tuotteiden "kehitystä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten "tarvittavan" "teknologian" vienti on valvonnanalaista 1–9 ryhmien säännösten mukaisesti.

Valvonnanalaisten tuotteiden "kehittämistä", "tuotantoa" ja "käyttöä" varten "tarvittava" "teknologia" on valvonnanalaista myös silloin, kun se on sovellettavissa ei-valvonnanalaisiin tuotteisiin.

Valvonta ei koske sitä vähimmäis"teknologiaa", joka on välttämätön käyttöönottoa, toimintaa, ylläpitoa (tarkastusta) tai korjausta varten tuotteille, jotka eivät ole valvonnanalaisia tai joiden vienti on saatettu luvalliseksi.

Huomautus:

Tällä ei vapauteta 1E002.e, 1E002.f, 8E002.a ja 8E002.b kohdassa määriteltyä vastaavaa "teknologiaa".

"Teknologian" siirtojen valvonta ei koske "julkista" tietoa, "tieteellistä perustutkimusta" tai välttämätöntä vähimmäistietoa patenttihakemuksiin.

YDINVOIMAOHJELMISTOHUOMAUTUS

(Tämä huomautus kumoaa kaiken 0 ryhmän D osan asettaman valvonnanalaisuuden)

Tämän luettelon 0 ryhmän D osalla ei aseteta valvonnanalaiseksi "ohjelmistoa", joka on vähimmäis"kohdekoodi" (Object code), joka on välttämätön käyttöönottoa, toimintaa, ylläpitoa (tarkastusta) tai korjausta varten tuotteille, joiden vienti on saatettu luvalliseksi.

Tuotteiden hyväksyminen vientiin oikeuttaa myös tuotteiden käyttöönottoa, toimintaa, ylläpitoa (tarkastusta) ja korjausta varten tarvittavan vähimmäis"kohdekoodin" viennin samalle loppukäyttäjälle.

Huomautus:

Ydinvoimaohjelmistohuomautus ei vapauta 5 ryhmän 2 osassa ("Tiedonsuojaus") määriteltyä "ohjelmistoa".

YLEINEN OHJELMISTOHUOMAUTUS (Yloh)

(Tämä huomautus kumoaa kaiken 1–9 ryhmien D osassa asetetun valvonnanalaisuuden.)

Tämän luettelon 1–9 ryhmissä ei aseteta valvonnanalaiseksi "ohjelmistoja", jotka:

a.

Ovat yleisesti yleisön saatavissa:

1.

Myydään vähittäismyyntipisteissä varastosta ja rajoituksetta:

a.

Käsikaupassa;

b.

Postimyynnissä;

c.

Elektronisesti tapahtuvassa myynnissä; tai

d.

Puhelinmyynnissä; ja

2.

On suunniteltu käyttäjän käyttöönotettaviksi ilman merkittävää toimittajan tukea;

Huomautus:

Yleisen ohjelmistohuomautuksen a kohdalla ei vapauteta 5 ryhmän 2 osassa ("Tiedonsuojaus") määriteltyä "ohjelmistoa".

b.

Ovat "julkisia" (In the public domain); tai

c.

Vähimmäis "kohdekoodi" (Object code), joka on välttämätön käyttöönottoa, toimintaa, ylläpitoa (tarkastusta) tai korjausta varten tuotteille, joiden vienti on saatettu luvalliseksi.

Huomautus:

Yleisen ohjelmistohuomautuksen c kohdalla ei vapauteta 5 ryhmän 2 osassa ("Tiedonsuojaus") määriteltyä "ohjelmistoa".

YLEINEN "TIEDONSUOJAUS"HUOMAUTUS (YTSH)

"Tiedonsuojaus"tuotteita tai -toimintoja olisi tarkasteltava ottaen huomioon 2 osan ryhmässä 5 olevat määräykset, vaikka kyseessä olisivat muiden tuotteiden komponentit, "ohjelmistot" tai toiminnot.

ULKOASUA KOSKEVAT KÄYTÄNTEET EUROOPAN UNIONIN VIRALLISTA LEHTEÄ VARTEN

Toimielinten yhteisen julkaisukäsikirjassa esitettyjen sääntöjen mukaisesti Euroopan unionin virallisessa lehdessä julkaistavissa teksteissä

käytetään pilkkua erottamaan kokonaisluvut desimaaleista,

ryhmitellään luvun kokonaisosa kolmen numeron ryhmiin, joiden välissä on ohuke.

Tässä liitteessä esitetyssä tekstissä noudatetaan edellä kuvattua käytäntöä.

TÄSSÄ LIITTEESSÄ KÄYTETYT AKRONYYMIT JA LYHENTEET

Määriteltyinä termeinä käytetyt akronyymit tai lyhenteet löytyvät kohdasta "Tässä liitteessä käytettyjen termien määritelmät".

AKRONYYMIT JA LYHENTEET

ABEC

Annular Bearing Engineers Committee

ABMA

American Bearing Manufacturers Association

ADC

Analogue-to-Digital Converter (analogi-digitaalimuunnin)

AGMA

American Gear Manufacturers’ Association

AHRS

Attitude and Heading Reference Systems (asennon ja suunnan referenssijärjestelmät)

AISI

American Iron and Steel Institute

ALE

Atomic Layer Epitaxy (atomikerroskasvatus)

ALU

Arithmetic Logic Unit (aritmetiikkayksikkö)

ANSI

American National Standards Institute

APP

Adjusted Peak Performance (mukautettu huipputehokkuus)

APU

Auxiliary Power Unit (apuvoimanlähde)

ASTM

American Society for Testing and Materials

ATC

Air Traffic Control (lennonohjaus)

BJT

Bipolar Junction Transistors (bipolaariset liitostransistorit)

BPP

Beam Parameter Product (sädeparametritulo)

BSC

Base Station Controller (tukiasemaohjain)

CAD

Computer-Aided-Design (tietokoneavusteinen suunnittelu)

CAS

Chemical Abstracts Service

CCD

Charge Coupled Device (varauskytketty)

CDU

Control and Display Unit (ohjaus- ja näyttöyksikkö)

CEP

Circular Error Probable (todennäköinen paikannuksen etäisyysvirhe)

CMM

Coordinate Measuring Machine (koordinaattimittauskone)

CMOS

Complementary Metal Oxide Semiconductor (komplementaariset metallioksidipuolijohdelaitteet)

CNTD

Controlled Nucleation Thermal Deposition (säädeltävä ydintymislämpöhajoaminen)

CPLD

Complex Programmable Logic Device (kompleksinen ohjelmoitava logiikkapiiri)

CPU

Central Processing Unit (keskusyksikkö)

CVD

Chemical Vapour Deposition (kemiallinen kaasufaasipinnoitus)

CW

Chemical Warfare (kemiallinen sodankäynti)

CW (for lasers)

Continuous Wave (jatkuva aalto (laserit))

DAC

Digital-to-Analogue Converter (digitaali-analogimuunnin)

DANL

Displayed Average Noise Level (keskimääräinen kohinataso)

DBRN

Data-Base Referenced Navigation

DDS

Direct Digital Synthesizer (suora digitaalinen syntetisaattori)

DMA

Dynamic Mechanical Analysis (dynaamis-mekaaninen analyysi)

DME

Distance Measuring Equipment (etäisyydenmittauslaite)

DMOSFET

Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (kaksoisdiffusoitu metallioksidipuolijohdekanavatransistori)

DS

Directionally Solidified (suunnatusti kiinteytetty)

EB

Exploding Bridge (räjähtävä siltajohdin)

EB-PVD

Electron Beam Physical Vapour Deposition (elektronisuihkun avulla tapahtuva fysikaalinen kaasufaasipinnoitus)

EBW

Exploding Bridge Wire (räjähtävä siltajohdinlanka)

ECAD

Electronic Computer-Aided-Design (sähköinen tietokoneavusteinen suunnittelu)

ECM

Electro-Chemical Machining (sähkökemiallinen työstö)

EDM

Electrical Discharge Machines (kipinätyöstökoneet)

EFI

Exploding Foil Initiators (räjähtävät kalvosytyttimet)

EIRP

Effective Isotropic Radiated Power (ekvivalenttinen isotrooppinen säteilyteho)

EMP

Electromagnetic Pulse (sähkömagneettinen pulssi)

ENOB

Effective Number of Bits (bittien tosiasiallinen määrä)

ERF

Electrorheological Finishing (elektroreologinen viimeistely)

ERP

Effective Isotropic Radiated Power (ekvivalenttinen säteilyteho)

ESD

Electrostatic Discharge (staattisen sähkön purkaus)

ETO

Emitter Turn-Off Thyristor (emitterillä sammutettava tyristori, ETO-tyristori)

ETT

Electrical Triggering Thyristor (ETT-tyristori)

EU

European Union (Euroopan unioni)

EUV

Extreme UltraViolet (äärimmäinen ultraviolettialue)

FADEC

Full Authority Digital Engine Control (digitaaliset moottorin ohjausjärjestelmät)

FFT

Fast Fourier Transform (nopea Fourier-muunnos)

FPGA

Field Programmable Gate Array (ohjelmoitava porttimatriisi)

FPIC

Field Programmable Interconnect (ohjelmoitava yhdyskomponentti)

FPLA

Field Programmable Gate Array (ohjelmoitava logiikkamatriisi)

FPO

Floating Point Operation (liukulukulaskutoimitus)

FWHM

Full-Width Half-Maximum (puoliarvoleveys)

GAAFET

Gate-All-Around Field-Effect Transistor (Gate-all-around-kanavatransistori)

GLONASS

Global Orbiting Navigation Satellite System (venäläinen navigointisatelliittijärjestelmä)

GNSS

Global Navigation Satellite System (globaali navigointisatelliittijärjestelmä)

GPS

Global Positioning System (globaali paikannusjärjestelmä)

GSM

Global System for Mobile Communications (digitaalinen matkaviestintästandardi, GSM-järjestelmä)

GTO

GateTurn-Off Thyristor (hiltalta sammutettava tyristori, GTO-tyristori)

HBT

Hetero-Bipolar Transistors (heterobipolaaritransistori)

HDMI

High-Definition Multimedia Interface (HDMI-liitäntästandardi)

HEMT

High Electron Mobility Transistor (korkean elektroniliikkuvuuden transistori)

ICAO

International Civil Aviation Organization (Kansainvälinen siviili-ilmailujärjestö)

IEC

International Electro-technical Commission (Kansainvälinen sähkötekniikan toimikunta)

IED

Improvised Explosive Device (omatekoinen räjähde)

IEEE

Institute of Electrical and Electronic Engineers

IFOV

Instantaneous-Field-Of-View (hetkellinen näkökenttä)

IGBT

Insulated Gate Bipolar Transistor (eristettyhilainen bipolaaritransistori)

IGCT

Integrated Gate Commutated Thyristor (integroitu hilalta kommutoiva tyristori, IGCT-tyristori)

IHO

International Hydrographic Organization (Kansainvälisen hydrografinen järjestö)

ILS

Instrument Landing System (mittarilaskeutumisjärjestelmä)

IMU

Inertial Measurement Unit (inertiamittausyksikkö)

INS

Inertial Navigation System (inertiasuunnistusjärjestelmä)

IP

Internet Protocol (internetprotokolla)

IRS

Inertial Reference System (inertiajärjestelmä)

IRU

Inertial Reference Unit (inertiayksikkö)

ISA

International Standard Atmosphere (kansainvälinen standardi-ilmakehä)

ISAR

Inverse Synthetic Aperture Radar (käänteisen synteettisen apertuurin tutka)

ISO

International Organization for Standardization (Kansainvälinen standardisoimisjärjestö)

ITU

International Telecommunication Union (Kansainvälinen televiestintäliitto)

JT

Joule-Thomson

LIDAR

Light Detecting and Ranging (valoon perustuva havainnointi ja etäisyyden mittaus)

LIDT

Laser Induced Damage Threshold (laseraltistuksen vauriokynnys)

LOA

Length Overall (suurin pituus)

LRU

Line Replaceable Unit (linjahuollossa vaihdettava yksikkö)

LTT

Light Triggering Thyristor (LTT-tyristori)

MLS

Microwave Landing Systems (mikroaaltolaskeutumisjärjestelmät)

MMIC

Monolithic Microwave Integrated Circuit (monoliittinen integroitu mikroaaltopiiri)

MOCVD

Metal Organic Chemical Vapour Deposition (metalliorgaaninen kemiallinen kaasufaasipinnoitus)

MOSFET

Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (metallioksidipuolijohdekanavatransistori)

MPM

Microwave Power Module (tehomittari)

MRF

Magnetorheological Finishing (magnetoreologinen viimeistely)

MRF

Minimum Resolvable Feature size (pienin erottuva kuvion koko)

MRI

Magnetic Resonance Imaging (magneettiresonanssikuvaus)

MTBF

Mean-Time-Between-Failures (keskimääräinen vikaväli)

MTTF

Mean-Time-To-Failure (keskimääräinen vioittumisaika)

NA

Numerical Aperture (numeerinen aukko)

NDT

Non-Destructive Test (ainetta rikkomaton testi)

NEQ

Net Explosive Quantity (nettoräjähdemäärä)

NIJ

National Institute of Justice

OAM

Operations, Administration or Maintenance (toiminta, hallinto tai ylläpito)

OSI

Open Systems Interconnection (avointen järjestelmien yhteenliittäminen)

PAI

Polyamide-imides (polyamidi-imidit)

PAR

Precision Approach Radar (tarkkuuslähestymistutka)

PCL

Passive Coherent Location (pssiiviset koherentit paikantamisjärjestelmät)

PDK

Process Design Kit (prosessisuunnittelusarja)

PIN

Personal Identification Number (henkilökohtainen tunnusnumero)

PMR

Private Mobile Radio (erillisradioverkko)

PVD

Chemical Vapour Deposition (fysikaalinen kaasufaasipinnoitus)

ppm

parts per million (miljoonasosa)

QAM

Quadrature-Amplitude-Modulation (kvadratuuri-amplitudi-modulaatio)

QE

Quantum Efficiency (kvanttihyötysuhde)

RAP

Reactive Atom Plasmas (reaktiiviset atomiplasmat)

RF

Radio Frequency (radiotaajuus)

rms

root mean square (neliöllinen keskiarvo)

RNC

Radio Network Controller (radioverkonohjain)

RNSS

Regional Navigation Satellite System (alueellinen navigointisatelliittijärjestelmä)

ROIC

Read-out Integrated Circuit (näyttöpiiri)

S-FIL

Step and Flash Imprint Lithography (askeltava optinen painokuviointi)

SAR

Synthetic Aperture Radar (synteettisen apertuurin tutka)

SAS

Synthetic Aperture Sonar (synteettisen apertuurin luotain)

SC

Single Crystal (yksikide-)

SCR

Silicon Controlled Rectifier (tyristori)

SFDR

Spurious Free Dynamic Range (hiriötön dynaaminen alue)

SHPL

Super High Powered Laser (suurteholaser)

SLAR

Sidelooking Airborne Radar (sivukulmatutka)

SOI

Silicon-on-Insulator (pii eristeen päällä)

SQUID

Superconducting Quantum Interference Device (suprajohtava kvantti-interferenssilaite)

SRA

Shop Replaceable Assembly (korjaamolla vaihdettava kokoonpano)

SRAM

Static Random Access Memory (staattinen luku-/kirjoitusmuisti)

SSB

Single Sideband (yksisivukaista)

SSR

Secondary Surveillance Radar (toisiovalvontatutka)

SSS

Side Scan Sonar (viistokaikuluotain)

TIR

Total Indicated Reading (koko näyttöalue)

TVR

Transmitting Voltage Response (lähetysjännitevaste)

u

Atomic Mass Unit (atomimassayksikkö)

UPR

Unidirectional Positioning Repeatability (yhdensuuntainen asemoinnin toistettavuus)

UTS

Ultimate Tensile Strength (murtovetolujuus)

UV

Ultraviolet (ultravioletti)

VJFET

Vertical Junction Field Effect Transistor (vertikaaliset liitoskanavatransistorit)

VOR

Very High Frequency Omni-Directional Range (VHF-monisuuntamajakka)

WHO

World Health Organization (Maailman terveysjärjestö)

WLAN

Wireless Local Area Network (langaton lähiverkko)

TÄSSÄ LIITTEESSÄ KÄYTETTYJEN TERMIEN MÄÄRITELMÄT

'Yksinkertaisissa lainausmerkeissä' olevien termien määritelmät on annettu kunkin tuotteen teknologiahuomautuksessa.

"Kaksinkertaisissa lainausmerkeissä" olevien termien määritelmät ovat seuraavat:

Huom.

Viittaukset ryhmiin ovat suluissa termin määrittelyn jälkeen.

"Tarkkuus" (Accuracy) (2 3 6 7 8) (mitataan normaalisti epätarkkuutena) tarkoittaa näyttöarvon positiivista tai negatiivista maksimipoikkeamaa hyväksytystä standardi- tai tosiarvosta.

"Aktiiviset lennonohjausjärjestelmät" (Active flight control systems) (7) ovat järjestelmiä, jotka toimivat "ilma-aluksen" tai ohjuksen ei-toivottujen liikkeiden tai rakenteellisten kuormitusten estämiseksi käsittelemällä itsenäisesti useilta antureilta tulevia tietoja ja antamalla tarvittavia automaattiohjaukseen vaikuttavia ennalta ehkäiseviä komentoja.

"Aktiivinen pikseli" (Active pixel) (6) on puolijohdematriisin pienin (yksittäinen) elementti, jolla on valosähköinen siirtofunktio, kun se altistetaan valolle (sähkömagneettiselle säteilylle).

"Mukautettu huipputehokkuus" (Adjusted Peak Performance) (4) tarkoittaa mukautettua huippunopeutta, jolla "digitaaliset tietokoneet" suorittavat 64-bittisten tai sitä suurempien liukulukujen yhteenlasku- ja kertolaskutoimituksia, ja joka ilmaistaan painotettuina teraliukulukutoimituksina (WT) yksikköinä, jotka koostuvat 1012:sta mukautetusta liukulukutoimituksesta sekunnissa.

Huom.

Katso ryhmä 4, Tekninen huomautus.

"Ilma-alus" (Aircraft) (1 6 7 9) tarkoittaa kiinteäsiipistä, kääntyväsiipistä, pyöriväsiipistä (helikopteri) tai kallistuvalla roottorilla tai siivillä varustettua ilmakulkuneuvoa.

Huom.

Katso myös "siviili-ilma-alus".

"Ilmalaiva" (Airship) (9) tarkoittaa moottorin voimalla kulkevaa ilmakulkuneuvoa, joka pysyy ilmassa käyttämällä ilmaa kevyempää kaasua (yleensä heliumia, aiemmin vetyä).

"Kaikki kompensaatiot käytettävissä" (All compensations available) (2) tarkoittaa, että otetaan huomioon kaikki valmistajan käytettävissä olevat soveltuvat toimenpiteet yksittäisen työstökonemallin kaikkien järjestelmällisten asemointivirheiden tai yksittäisen koordinaattimittauskoneen mittausvirheiden minimoimiseksi.

"ITU:n allokoima" (Allocated by the ITU) (3 5) on taajuuskaistojen allokointia ITU:n radio-ohjesääntöjen uusimman laitoksen mukaisesti primaari-, sallituille ja sekundaaripalveluille.

Huom.

Ei sisällä lisä- ja vaihtoehtoisia allokointeja.

"Kiertymiskulman poikkeama" (Angular position deviation) (2) tarkoittaa kiertymiskulman ja todellisen, erittäin tarkasti mitatun kiertymiskulman välistä maksimieroa, kun pöydän työkappaleen alustaa on käännetty alkuperäisestä asennostaan.

"Satunnaiskulmapoikkeama" (Angle random walk) (7) tarkoittaa ajan myötä kasaantunutta kulmavirhettä, joka johtuu kulmanopeuden valkoisesta kohinasta (IEEE STD 528–2001).

"APP" (4) tarkoittaa mukautettua huipputehokkuutta (Adjusted Peak Performance).

"Epäsymmetrinen algoritmi" (Asymmetric algorithm) (5) tarkoittaa salausalgoritmia, joka käyttää erilaisia matemaattisesti suunniteltuja salaukseen ja salauksen purkuun tarkoitettuja avaimia.

Huom.

"Epäsymmetrisen algoritmin" tavanomainen käyttö on avaimen hallinta.

"Todentaminen" (Authentication) (5) tarkoittaa käyttäjän, prosessin tai laitteen identiteetin tarkistamista usein ennakkoedellytyksenä sille, jotta saa pääsyn tietojärjestelmän resursseihin. Tähän sisältyy viestin tai muun tiedon alkuperän tai sisällön tarkistaminen sekä kaikki pääsykontrollin osatekijät, jos tiedostoja tai tekstiä ei ole salattu, paitsi jos se liittyy suoraan salasanan, henkilökohtaisen tunnusnumeron (PIN) tai samanlaisen luvattoman pääsyn estämiseen tarkoitetun tiedon suojaamiseen.

"Keskimääräinen lähtöteho" (Average output power) (6) tarkoittaa "laserin" kokonaislähtöenergiaa (jouleina) jaettuna ajanjaksolla, jonka aikana sarja peräkkäisiä pulsseja emittoidaan (sekunteina). Tasaisesti jakautuneiden pulssien sarjan osalta se vastaa "laserin" kokonaislähtöenergiaa yhdessä pulssissa jouleina kerrottuna "laserin" pulssitaajuudella Hertzeinä.

"Perusportin etenemisviive" (Basic gate propagation delay time) (3) tarkoittaa etenemisviiveen arvoa, joka vastaa "monoliittisessa integroidussa piirissä" käytetyn perusportin viivettä. "Monoliittisten integroitujen piirien"'perheelle' tämä voidaan määritellä tietylle joko etenemisviiveenä tyypillistä porttia kohti tietyssä 'perheessä' tai tyypillisenä etenemisviiveenä porttia kohti tietyssä 'perheessä'.

Huom. 1:

"Perusportin etenemisviivettä" ei pidä sekoittaa kompleksisen "monoliittisen integroidun piirin" kokonaisviiveeseen sisäänmenon ja ulostulon välillä.

Huom. 2:

'Perhe' (Family) tarkoittaa kaikkia integroituja piirejä, joilla on seuraavia valmistusmenetelmiä ja -spesifikaatioita koskevia ominaisuuksia lukuun ottamatta toimintoja, joita ovat:

a.

yhteinen laitteisto- ja ohjelmistoarkkitehtuuri;

b.

yhteinen rakenneperiaate ja prosessiteknologia; ja

c.

yhteiset perusominaisuudet.

"Tieteellinen perustutkimus" (Basic scientific research) (Ylth Ydth) tarkoittaa kokeellista tai teoreettista työtä, jota tehdään pääasiassa uuden tiedon saamiseksi ilmiöiden tai havaittavien faktojen perusperiaatteista, ja joilla ei ensisijaisesti pyritä mihinkään tiettyyn käytännön päämäärään tai tavoitteeseen.

"Bias" (kiihtyvyysmittari) (Bias (accelometer)) (7) tarkoittaa määrätyltä ajalta tietyissä käyttöolosuhteissa mitattua kiihtyvyysmittarin ulostulon keskiarvoa, joka ei korreloi sisääntulon kiihtyvyyden tai pyörimisen kanssa. "Bias" ilmaistaan g:na tai metreinä sekunnin neliötä kohden (g tai m/s2). (IEEE-standardi 528–2001) (Mikrogramma vastaa arvoa 1 × 10–6 g).

"Bias" (gyroskooppi) (Bias (gyro)) (7) tarkoittaa määrätyltä ajalta tietyissä käyttöolosuhteissa mitattua gyroskoopin ulostulon keskiarvoa, joka ei korreloi sisääntulon pyörimisen tai kiihtyvyyden kanssa. "Bias" ilmaistaan tyypillisesti asteina tuntia kohden (deg/hr). (IEEE-standardi 528–2001).

"Biologiset aineet" (1) ovat patogeeneja tai toksiineja, jotka on valittu tai muunnettu (kuten puhtauden, varastointi-iän, myrkyllisyyden, levittämisominaisuuksien tai UV-säteilyn kestävyyden muuttaminen) niin, että aiheutetaan tappioita ihmisille tai eläimille, turmellaan laitteita tai vahingoitetaan satoa tai ympäristöä.

"Aksiaalisiirtymä" (Camming) (2) on pääkaran aksiaalisiirtymä yhden kierroksen aikana, mitattuna karan tasolaikkaa vastaan kohtisuorassa olevassa tasossa, pisteessä, joka on lähinnä tasolaikan kehää (viite: ISO 230–1:1986, 5.63 kohta).

"Todennäköinen paikannuksen etäisyysvirhe" (Circular Error Probable – CEP) (7) tarkoittaa tavanomaisessa ympyräjakelussa ympyrän sädettä, joka sisältää 50 prosenttia tehdyistä yksittäisistä mittauksista, tai ympyrän sädettä, jonka sisään kohde sijoittuu 50 prosentin todennäköisyydellä.

"Kemiallinen laser" (Chemical laser) (6) tarkoittaa "laseria", jossa virittymisen aiheuttaa kemiallisen reaktion antama energia.

"Kemiallinen seos" (Chemical mixture) (1) tarkoittaa kiinteää, nestemäistä tai kaasumaista tuotetta, joka on valmistettu kahdesta tai useammasta aineesta, jotka eivät reagoi keskenään seoksen säilytysolosuhteissa.

"Ilmavirran avulla säädelty vastamomenttijärjestelmä tai suunnanohjausjärjestelmä" (Circulation controlled anti torque or circulation controlled direction control system) (7) ovat järjestelmiä, jotka käyttävät ilma-aluksen aerodynaamisten pintojen ohi virtaavaa ilmaa lisäämään tai säätämään näiden pintojen synnyttämiä voimia.

"Siviili-ilma-alus" (Civil aircraft) (1 3 4 7) tarkoittaa "ilma-aluksia", jotka yhden tai useamman EU-jäsenvaltion tai Wassenaarin järjestelyn jäsenmaan siviili-ilmailuviranomaisten julkaisemien lentokelpoisuuden vahvistavien listojen mukaan on tarkoitettu lentämään kaupallisilla sisäisillä sekä ulkomaan siviililentoreiteillä tai joita saadaan käyttää lainmukaiseen siviili-, yksityis- tai kaupalliseen käyttöön.

Huom.

Katso myös "ilma-alus".

"Tietoliikennekanavan ohjain" (Communications channel controller) (4) tarkoittaa fyysistä liitäntää, joka ohjaa synkronisen tai asynkronisen digitaalisen tiedon kulkua. Se on kokoonpano, joka voidaan asentaa tietokone- tai tietoliikennelaitteisiin tietoliikenneyhteyden luomiseksi.

"Kompensointijärjestelmät" (Compensation systems) (6) koostuvat pääasiallisesta mitta-anturista, yhdestä tai useammasta vertailu-anturista (esimerkiksi vektori "magnetometrit") sekä ohjelmistosta, joiden avulla on mahdollista vähentää alustan jäykän rungon pyörimisen melua.

"Komposiitti" (Composite) (1 2 6 8 9) tarkoittaa "matriisia" ja siihen tiettyä tarkoitusta tai tarkoituksia varten lisättyä faasia tai faaseja, jotka koostuvat hiukkasista, whiskerseistä, kuiduista tai mistä tahansa näiden yhdistelmästä.

"III/V-yhdisteet" (III/V compounds) (3 6) tarkoittavat monikiteisiä valmisteita tai binaarisia tai kompleksisia yksikiteisiä valmisteita, jotka koostuvat Mendelejevin jaksollisen luokitustaulun ryhmien IIIA ja VA alkuaineista (esim. galliumarsenidi, galliumalumiiniarsenidi, indiumfosfidi).

"Ääriviivaohjaus" (Contouring control) (2) tarkoittaa kahden tai useamman liikkeen "numeerista ohjausta" käskyillä, jotka määrittävät seuraavan vaadittavan aseman sekä tarvittavat syöttönopeudet tähän asemaan siirtymiseksi. Syöttönopeuksia vaihdellaan toistensa suhteen halutun ääriviivan aikaansaamiseksi (viite: ISO/DIS 2806–1980).

"Kriittinen lämpötila" (Critical temperature) (1 3 5) (kutsutaan myös joskus transitiolämpötilaksi) tarkoittaa tietyn "suprajohtavan" materiaalin sitä lämpötilaa, jossa materiaali menettää täysin tasavirtavastusarvonsa.

"Salauksen aktivointi" (Cryptographic activation) (5) tarkoittaa tekniikkaa, jolla erityisesti aktivoidaan tai mahdollistetaan tuotteen salauskyky mekanismin avulla, jonka tuotteen valmistaja toteuttaa, kun mekanismi liittyy yksilöllisesti johonkin seuraavista:

1.

tuotteen yksittäinen esiintyminen; tai

2.

yksi asiakas ja tuotteen useampia esiintymisiä.

Tekniset huomautukset:

1.

"Salauksen aktivoinnin" tekniikat ja mekanismit voidaan toteuttaa laitteistona, "ohjelmistona" tai "teknologiana".

2.

"Salauksen aktivoinnin" mekanismi voi olla esimerkiksi sarjanumeroon perustuva lisenssiavain tai autentikointiväline kuten sähköisesti allekirjoitettu varmenne.

"Salaus" (Cryptography) (5) tarkoittaa periaatteita, välineitä ja menetelmiä, joilla tietoa muunnetaan sen tietosisällön piilottamiseksi, huomaamatta tapahtuvien muutosten estämiseksi tai luvattoman käytön estämiseksi. "Salaus" rajoittuu tiedon muuntamiseen yhtä tai useampaa 'salaista parametriä' (esim. salausmuuttujia) tai siihen liittyvää avainta käyttäen.

Huomautukset:

1.

"Salaus" ei sisällä 'kiinteitä' tiedon pakkaus- tai koodaustekniikoita.

2.

"Salaukseen" sisältyy salauksen purku.

Tekniset huomautukset:

1.

'Salainen parametri': vakio tai avain, jota ei anneta muiden tiedoksi tai pidetään vain tietyn ryhmän tietona.

2.

'Kiinteä': koodaus- tai pakkausalgoritmi ei voi ottaa vastaan ulkopuolelta syötettyjä parametrejä (esim. salaus- tai avainmuuttujia) eikä käyttäjä voi sitä muuttaa.

"CW-laser" (CW laser) (6) tarkoittaa "laseria", joka tuottaa nimellisesti vakion lähtöenergian kauemmin kuin 0,25 sekunnin ajan.

"Kybertapahtumiin reagoiminen" (Cyber incident response) (4) tarkoittaa tarvittavien tietojen vaihtamista kyberturvallisuuspoikkeamasta niiden henkilöiden tai organisaatioiden kanssa, jotka toteuttavat tai koordinoivat korjaavia toimia kyberturvallisuuspoikkeaman käsittelemiseksi.

"DBRN-järjestelmät" (Data-Based Referenced Navigation) (7) tarkoittavat järjestelmiä, joissa käytetään eri lähteistä saatavaa, ennalta mitattua paikkatietoa, joka on yhdistetty tarkan navigointitiedon tuottamiseksi muuttuvissa olosuhteissa. Tietolähteet voivat olla syvyystietokarttoja, tähtikarttoja, painovoimakarttoja, magneettikarttoja tai kolmiulotteisia numeerisia maastokarttoja.

"Köyhdytetty uraani" (Depleted uranium) (0) tarkoittaa uraania, joka on köyhdytetty alle luonnossa esiintyvän isotooppi 235:n tason.

"Kehitys" (Development) (Ylth Ydth Kaikki) liittyy kaikkiin sarjatuotantoa edeltäviin vaiheisiin kuten: suunnitteluun, suunnittelun tutkimukseen, suunnittelun analysointiin, suunnittelukäsitteisiin, prototyyppien kokoonpanoon ja testaukseen, pilottituotantohankkeisiin, suunnittelutietoihin, suunnittelutietojen muuntamiseen tuotteeksi, konfigurointisuunnitteluun, integrointisuunnitteluun ja piirustuksiin.

"Diffuusioliittäminen" (Diffusion bonding) (1 2) tarkoittaa vähintään kahden eri metallin molekyylitasoista jähmeliittämistä yhdeksi kappaleeksi siten, että liitoslujuus vastaa heikoimman materiaalin lujuutta.

"Digitaalinen tietokone" (Digital computer) (4 5) tarkoittaa laitetta, joka voi suorittaa kaikkia seuraavia toimintoja yhden tai useamman erillisen muuttujan muodossa:

a.

Vastaanottaa tietoa;

b.

Tallettaa tietoa tai käskyjä kiinteille tai muutettaville (kirjoitus-) muistilaitteille;

c.

Käsitellä tietoa tallennetun käskyjonon avulla, joka on muokattavissa; ja

d.

Tulostaa tietoa.

Huom.

Tallennetun käskyjonon muokkaus sisältää pysyväismuistiyksiköiden vaihdon, mutta ei langoituksen tai kytkentöjen fyysistä muuttamista.

"Digitaalinen siirtonopeus" (Digital transfer rate) (def) tarkoittaa minkä tahansa tyyppistä siirtotietä käyttäen suoraan siirretyn informaation kokonaisbittinopeutta.

Huom.

Katso myös "digitaalinen kokonaissiirtonopeus".

"Ryömintänopeus" (gyroskooppi) (Drift rate) (7) tarkoittaa gyroskoopin ulostulon komponenttia, joka on toiminnallisesti riippumaton sisääntulon pyörimisestä. Se ilmaistaan kulmapoikkeamana. (IEEE-standardi 528–2001).

"Tehollinen gramma", "erityisen halkeamiskelpoisen aineen" (Effective gramme of special fissile material) (0 1) tarkoittaa

a.

Plutoniumin isotoopeilla ja uraani-233:lla isotoopin painoa grammoina;

b.

Uraanilla, joka on rikastettu vähintään yhteen prosenttiin isotoopilla U-235, alkuaineen painoa grammoina kerrottuna sen desimaalisina paino-osina ilmaistun rikastusmäärän neliöllä;

c.

Uraanilla, joka on rikastettu alle yhteen prosenttiin isotoopilla U-235, alkuaineen painoa grammoina kerrottuna luvulla 0,0001;

"Elektroninen kokoonpano" (Electronic assembly) (2 3 4) tarkoittaa elektronisten komponenttien (eli 'piirielementtien', 'erilliskomponenttien', integroitujen piirien jne.) joukkoa, joka on kytketty tietyn tehtävän (tai tietyt tehtävät) suorittavaksi kokonaisuudeksi, joka voidaan yksikkönä vaihtaa ja on tavallisesti purettavissa.

Huom. 1:

'Piirielementti' (Circuit element): Yksittäinen aktiivinen tai passiivinen elektronisen piirin toiminnallinen osa kuten diodi, transistori, vastus, kondensaattori jne.

Huom. 2:

'Erilliskomponentti' (Discrete component): Erikseen koteloitu 'piirielementti', jolla on omat ulkoiset kytkentäpisteensä.

"Energeettiset aineet" (Energetic materials) (1) tarkoittavat aineita tai seoksia, jotka reagoivat kemiallisesti vapauttaen energiaa tarkoitettuun käyttösovellukseen. "Räjähteet", "pyrotekniset aineet" ja "ajoaineet" ovat energeettisten aineiden alaryhmiä.

"Päätetyövälineet" (End-effectors) (2) tarkoittavat tarraimia, 'aktiivisia työkaluyksikköjä' ja kaikkia muita työkaluja, jotka kiinnitetään "robotin" tai manipulaattorin käsivarren kiinnityslaippaan.

Huom.

'Aktiivinen työkaluyksikkö' tarkoittaa laitetta, joka kohdistaa työkappaleeseen liikevoimaa tai prosessienergiaa tai toimii anturina.

"Ekvivalenttitiheys" (Equivalent density) (6) tarkoittaa optiikan yksikkömassaa optiselle pinnalle projisoitua optisen pinta-alan yksikköä kohti.

"Vastaavat standardit" (Equivalent standards) (1) tarkoittavat vastaavia kansallisia tai kansainvälisiä standardeja, jotka ainakin yksi EU-jäsenvaltio tai Wassenaarin järjestelyyn osallistuva valtio tunnustaa ja joita sovelletaan asianomaiseen kohtaan.

"Räjähteet" (Explosives) (1) tarkoittavat kiinteitä, nestemäisiä tai kaasumaisia aineita tai aineseoksia, joiden käytettyinä aloite-, lisä- tai päälatauksena taistelukärjissä sekä hävitys- ja muissa tarkoituksissa edellytetään räjähtävän.

"FADEC-järjestelmät" (FADEC Systems – Full Authority Digital Engine Control Systems) (9) tarkoittavat täyden auktoriteetin digitaalisia moottorin ohjausjärjestelmiä – kaasuturbiinimoottorin elektroninen ohjausjärjestelmä, joka pystyy ohjaamaan autonomisesti moottoria koko sen toiminta-alueella moottorin käynnistyskäskystä sen sammutuskäskyyn sekä normaali- että vikatilanteissa.

"Kuitu- tai säiemateriaalit" (Fibrous or filamentary materials) (0 1 8 9) sisältävät:

a.

Jatkuvat "monofilamentit";

b.

Jatkuvat "langat" ja "rovingit";

c.

"Nauhat", kudokset, matot ja punokset;

d.

Katkeet, tapulikuidut ja yhtenäiset kuituhuovat;

e.

Erilliskuitukiteet (whiskersit), yksi- tai monikiteisinä ja kaiken pituisina;

f.

Aromaattisen polyamidimassan.

"Integroitu kalvopiiri" (Film type integrated circuit) (3) tarkoittaa eristävälle "substraatille" pinnoittamalla muodostettujen ohut- tai paksukalvo 'piirielementtien' ja niiden välisten kytkentöjen muodostamaa kokonaisuutta.

Huom.

'Piirielementti' (Circuit element) on yksittäinen aktiivinen tai passiivinen elektronisen piirin toiminnallinen osa kuten diodi, transistori, vastus, kondensaattori jne.

"Optoelektroninen ohjausjärjestelmä" (Fly-by-light system) (7) tarkoittaa primääristä digitaalista lennonohjausjärjestelmää, jossa käytetään palautetta "ilma-aluksen" ohjaamiseen lennon aikana ja jossa käskyt pääte-elimille/toimilaitteille ovat optisia signaaleja.

"Elektroninen ohjausjärjestelmä" (Fly-by-wire system) (7) tarkoittaa primääristä digitaalista lennonohjausjärjestelmää, jossa käytetään palautetta "ilma-aluksen" ohjaamiseen lennon aikana ja jossa käskyt pääte-elimille/toimilaitteille ovat elektronisia signaaleja.

"Fokusoiva tasorakenne" (Focal plane array) (6 8) tarkoittaa fokusoivassa tasossa toimivista, lukemaelektroniikalla varustetuista tai ilman sitä olevista yksittäisistä ilmaisinelementeistä koostuvaa lineaarista tai kaksiulotteista tasopintaa tai tasopintojen yhdistelmää.

Huom.

Tällä ei ole tarkoitus kattaa yksittäisten ilmaisinelementtien pinoa eikä kaksi-, kolme- tai neljäelementtisiä ilmaisimia, edellyttäen että aikaviivästystä ja integrointia ei suoriteta elementeissä.

"Suhteellinen kaistanleveys" (Fractional bandwidth) (3 5) tarkoittaa "hetkellistä kaistanleveyttä" jaettuna keskitaajuudella ja prosenttiosuutena ilmaistuna.

"Taajuushyppely" (Frequency hopping) (5 6) tarkoittaa "hajaspektri"ominaisuuden muotoa, jossa yksittäisen tiedonsiirtokanavan lähetystaajuutta vaihdellaan epäjatkuvasti askelittain satunnaisessa tai puolisatunnaisessa järjestyksessä.

"Taajuuden vaihtoaika" (Frequency switching time) (3) tarkoittaa aikaa (so. viivettä), jonka signaali tarvitsee, kun sen alkuperäistä määritettyä lähtötaajuutta vaihdetaan, saavuttaakseen lopullisen määritetyn lähtötaajuuden tai taajuuden, joka on

a.

± 100 Hz:n sisällä lopullisesta määritetystä lähtötaajuudesta, joka on alle 1 GHz; tai

b.

± 0,1 miljoonasosan sisällä lopullisesta määritetystä lähtötaajuudesta, joka on vähintään 1 GHz.

"Polttokenno" (Fuel cell) (8) tarkoittaa sähkökemiallista laitetta, joka muuntaa kemiallista energiaa suoraan tasavirtasähköksi käyttämällä ulkoisesta lähteestä peräisin olevaa polttoainetta.

"Plastisoituva" (Fusible) (1) tarkoittaa materiaalia, joka on mahdollista ristisilloittaa tai polymeroida edelleen lämmön, säteilyn, katalyyttien jne. avulla tai joka voidaan sulattaa lämmön avulla ilman termistä hajoamista.

"Gate-all-around-kanavatransistori" ("GAAFET", Gate-All-Around Field-Effect Transistor) (3) tarkoittaa laitetta, jossa on yksi tai useampi puolijohdekanavaelementti, joilla on yhteinen porttirakenne, joka ympäröi ja ohjaa sähkövirtaa kaikissa puolijohdekanavaelementeissä.

Huom.

Tämä määritelmä sisältää NS-FET- tai NW-FET- ja SGT-transistorit (nanosheet or nanowire field-effect and surrounding gate transistors) ja muut "GAAFET"-puolijohdekanavaelementtirakenteet.

"Kiinteät kriteerit" (Hard selectors) (5) tarkoittavat tietoa tai tietojoukkoa, joka liittyy yksittäiseen henkilöön (esim. sukunimi, etunimi, sähköpostiosoite, katuosoite, puhelinnumero tai erilaisiin ryhmiin kuuluminen).

"Ohjautusjärjestelmä" (Guidance set) (7) tarkoittaa järjestelmiä, jotka yhdistävät kulkuvälineen paikan ja nopeuden mittaus- ja laskentaprosessin (eli navigoinnin) kulkuvälineen lennonohjausjärjestelmien lentoradan korjauskomentojen laskenta- ja välitysprosessiin.

"Hybridipiiri" (Hybrid integrated circuit) (3) tarkoittaa integroitujen piirien yhdistelmää, joka käsittää integroidun piirin (tai piirejä) tai integroitua piiriä 'piirielementtien' tai 'erilliskomponenttien' yhteydessä, jotka on kytketty toisiinsa tietyn toiminnon (tai toimintojen) suorittamiseksi, ja jolla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

a.

Sisältää vähintään yhden koteloimattoman komponentin;

b.

Kytkennät on suoritettu tyypillisiä integroitujen piirien tuotantomenetelmiä käyttäen;

c.

On vaihdettavissa yhtenä kokonaisuutena; ja

d.

Ei yleensä ole purettavissa osiinsa.

Huom. 1:

'Piirielementti' (Circuit element): Yksittäinen aktiivinen tai passiivinen elektronisen piirin toiminnallinen osa kuten diodi, transistori, vastus, kondensaattori jne.

Huom. 2:

'Erilliskomponentti' (Discrete component): Erikseen koteloitu 'piirielementti', jolla on omat ulkoiset kytkentäpisteensä.

"Kuvan parantaminen" (Image enhancement) (4) tarkoittaa ulkopuolelta saatujen informaatiota sisältävien kuvien käsittelyä algoritmeilla kuten aikakompressio, suodatus, poiminto, valinta, korrelaatio, konvoluutio tai muunnokset eri tasoihin (kuten nopea Fourier-muunnos tai Walsh-muunnos). Tämä ei sisällä algoritmeja, jotka käyttävät vain yksittäisen kuvan lineaarisia tai toisen asteen muunnoksia kuten kääntäminen, kuvionerotus, kohdistaminen tai vääräväritys.

"Immunotoksiini" (Immunotoxin) (1) on yhden soluspesifisen monoklonaalisen vasta-aineen ja "toksiinin" tai "toksiinialayksikön" muodostama konjugaatti, joka vaikuttaa selektiivisesti sairaisiin soluihin.

"Julkinen" (In the public domain) (Ylth Ydth Yloh) tarkoittaa tässä yhteydessä "teknologiaa" ja "ohjelmistoja", jotka ovat saatavilla ilman edelleenlevitystä koskevia rajoituksia (kustannusoikeudelliset rajoitukset eivät estä "teknologiaa" tai "ohjelmistoa" olemasta "julkisia").

"Tiedonsuojaus" (Information security) (Yloh Ytsh) (5) tarkoittaa kaikkia menetelmiä ja toimintoja, jotka takaavat tiedon tai tiedonvälityksen saatavuuden, luottamuksellisuuden tai eheyden, poislukien menetelmät tai toiminnot, joilla suojaudutaan virhetoiminnoilta. Siihen kuuluu "salaus", "salauksen aktivointi", 'salauksen analyysi', suojautuminen paljastavia vuotoja vastaan ja tietokoneturvallisuus.

Tekninen huomautus:

'Salauksen analyysi': salausjärjestelmän tai sen syötteiden tai tulosteiden analysointi, jonka tarkoituksena on selvittää luottamuksellisia muuttujia tai sensitiivistä tietoa, selväkielinen teksti mukaan lukien.

"Hetkellinen kaistanleveys" (Instantenous bandwidth) (3 5 7) tarkoittaa kaistanleveyttä, jolla lähtöteho pysyy 3 dB:n tarkkuudella vakiona, ilman että muita toimintaparametreja säädetään.

"Eristystä" (Insulation) (9) käytetään rakettimoottorien osissa eli rungossa, suuttimessa, läpivienneissä ja rungon väliseinissä, ja se käsittää eristäviä tai tulenkestäviä materiaaleja sisältäviä vulkanoidun tai puolivulkanoidun seoskumin levykerroksia. Sitä voidaan käyttää myös rasituksen vaimennustuppeina tai -liuskoina.

"Sisäpinnanvuoraus" (Interior lining) (9) tarkoittaa kiinteän polttoaineen ja rungon tai eristävän vuorauksen välisenä sidoksena käytettävää vuorausta. Tavallisesti se on tulenkestävien tai eristävien materiaalien nestemäiseen polymeeriin, kuten hiilitäytteinen hydroksyylipäätteinen polybutadieeni (HTPB) tai muu polymeeri, perustuva dispersio, johon on lisätty vulkanoivia aineita ja joka suihkutetaan tai levitetään rungon sisäpinnalle.

"Limitetyillä analogia-digitaalimuuntimilla (ADC)" (Interleaved Analogue-to-Digital Converter) (3) tarkoitetaan laitteita, joissa on useita ADC-yksikköjä, jotka ottavat näytteitä samasta analogisesta sisääntulosta eri aikoina siten, että kun ulostulot aggregoidaan, analogisesta sisääntulosta on tosiasiallisesti otettu näytteet ja se on muunnettu korkeammalla näytteenottonopeudella.

"Itseisjohtavuuteen perustuva magneettikentän gradiometri" (Intrinsic Magnetic Gradiometer) (6) on yksittäinen magneettikentän gradienttia ilmaiseva elementti ja siihen liittyvä elektroniikka, jonka tuloste on magneettikentän gradientin mitta.

Huom.

Katso myös "magneettikentän gradiometri".

"Tunkeutumisohjelmisto" (Intrusion software) (4 5) tarkoittaa tietokoneen tai verkkolaitteen "ohjelmistoa", joka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu sellaiseksi, että se jää 'valvontatyökaluilta' havaitsematta tai estää 'suojaavat vastatoimet', ja joka tekee jotakin seuraavista:

a.

Poimii tietokoneelta tai verkkolaitteesta dataa tai tietoja tai muuttaa järjestelmä- tai käyttäjätietoja; tai

b.

Muuttaa ohjelman tai prosessin tavanomaista suorituspolkua ulkopuolelta tulevien ohjeiden noudattamiseksi.

Huomautukset:

1.

"Tunkeutumisohjelmistoon" eivät sisälly mitkään seuraavista:

a.

Hypervisor-ohjelmat, ohjelmankorjausohjelmat tai ohjelmien takaisinmallinnus (SRE);

b.

Digitaalisten oikeuksien hallintaan tarkoitetut DRM-"ohjelmistot"; tai

c.

"Ohjelmistot", jotka on tarkoitettu valmistajien, hallinnoijien tai käyttäjien asennettaviksi omaisuuden seurannan tai takaisinsaamisen varmistamiseksi.

2.

Verkkolaitteisiin sisältyvät mobiililaitteet ja älymittarit.

Tekniset huomautukset:

1.

'Valvontatyökalut': "ohjelmisto" tai laite, joka seuraa järjestelmän käyttäytymistä ja laitteessa käynnissä olevia prosesseja. Tähän sisältyvät viruksentorjuntatuotteet, päätepisteturvallisuuteen liittyvät, PSP-tuotteet (Personal Security Products), tietomurtohälyttimet (IDS), IPS-järjestelmät (Intrusion Prevention Systems) tai palomuurit.

2.

'Suojaavat vastatoimet': tekniikat, joilla pyritään varmistamaan koodin turvallinen suorittaminen, kuten DEP-suojaus (Data Execution Prevention), ASLR-suojaus (Address Space Layout Randomisation) tai sandbox-tekniikka.

"Eristetyt elävät viljelmät" (Isolated live cultures) (1) tarkoittavat uinuvassa tilassa ja kuivatuissa preparaateissa olevia eläviä viljelmiä.

"Isostaattiset puristimet" (Isostatic presses) (2) tarkoittavat laitteita, jotka kykenevät eri väliaineiden avulla (kaasu, neste, kiinteät partikkelit jne.) paineistamaan suljetun tilan, niin että suljetussa tilassa olevaan työkappaleeseen kohdistuu kaikissa suunnissa samansuuruinen paine.

"Laser" (0 1 2 3 5 6 7 8 9) on tuote, joka tuottaa sekä avaruudellisesti että ajallisesti koherenttia valoa, jota vahvistetaan stimuloidulla säteilyemissiolla.

Huom.

Katso myös

"kemiallinen laser";

"CW-laser";

"Pulssilaser";

"Suurteholaser".

"Tiedostolla" (Library) (1) (tekninen parametrien tietokanta) tarkoitetaan teknisten tietojen kokoelmaa, jonka käytöllä voidaan tehostaa asiaankuuluvien järjestelmien, laitteiden tai komponenttien suorituskykyä.

"Ilmaa kevyemmät ilma-alukset" (Lighter-than-air vehicles) (9) tarkoittavat ilmapalloja ja "ilma-aluksia", jotka käyttävät nousemiseen kuumaa ilmaa tai muita ilmaa kevyempiä kaasuja, kuten heliumia tai vetyä.

"Lineaarisuus" (Linearity) (2) (mitataan normaalisti epälineaarisuutena) tarkoittaa varsinaisen ominaisuuden (keskimääräisen lukeman) positiivista tai negatiivista maksimipoikkeamaa suorasta, joka on asetettu siten, että se tasoittaa tai minimoi maksimipoikkeamat.

"Paikallisverkko" (Local area network) (4 5) on tiedonvälitysjärjestelmä, joka:

a.

Sallii määrittelemättömän määrän yksittäisiä 'tietolaitteita' kommunikoida suoraan toistensa kanssa; ja

b.

Rajoittuu maantieteellisesti kohtuullisen kokoiselle alueelle (kuten toimistorakennus, tehdas, korkeakoulu, varasto).

Huom.

'Tietolaite' on laite, joka kykenee lähettämään tai vastaanottamaan digitaalista informaatiota sisältäviä sekvenssejä.

"Magneettikentän gradiometrit" (Magnetic gradiometers) (6) ovat laitteita, jotka on suunniteltu havaitsemaan instrumentin ulkopuolisten lähteiden magneettikenttien avaruudellista vaihtelua. Ne koostuvat useista "magnetometreistä" ja niihin liittyvästä elektroniikasta, joiden tuloste on magneettikentän gradientin mitta.

Huom.

Katso myös "itseisjohtavuuteen perustuva magneettikentän gradiometri".

"Magnetometrit" (Magnetometers) (6) ovat laitteita, jotka on suunniteltu havaitsemaan instrumentin ulkopuolisten lähteiden magneettikenttiä. Ne koostuvat yhdestä magneettikenttää havaitsevasta elementistä ja siihen liittyvästä elektroniikasta, joiden tuloste on magneettikentän mitta.

"UF6-korroosiota kestävät aineet" (Materials resistant to corrosion by UF6) (0) sisältävät kuparin, kupariseoksen, ruostumattoman teräksen, alumiinin, alumiinioksidin, alumiiniseokset, nikkelin tai seoksen, joka sisältää vähintään 60 painoprosenttia nikkeliä, sekä fluoratut hiilivetypolymeerit.

"Matriisi" (Matrix) (1 2 8 9) tarkoittaa huomattavan jatkuvaa aineen faasia, joka täyttää hiukkasten, whiskersien tai kuitujen välisen tilan.

"Mittauksen epävarmuus" (Measurement uncertainty) (2) on ominaisparametri, joka määrittelee 95 %:n luotettavuustasolla, millä alueella saadun tuloksen molemmin puolin mitattavan suureen oikea arvo sijaitsee. Se sisältää korjaamattomat systemaattiset poikkeamat, korjaamattoman väljyyden ja satunnaiset poikkeamat (viite: ISO 10360–2).

"Mikrotietokonepiiri" (Microcomputer microcircuit) (3) tarkoittaa "monoliittista integroitua piiriä" tai "monipalapiiriä", joka sisältää sisäisessä muistissa olevia tietoja koskevia sisäisen muistin yleisluonteisten käskyjen sarjoja suorittamaan kykenevän aritmetiikkayksikön (ALU).

Huom.

Sisäistä muistia voidaan laajentaa ulkoisen muistin avulla.

"Mikroprosessoripiiri" (Microprocessor microcircuit) (3) tarkoittaa "monoliittista integroitua piiriä" tai "monipalapiiriä", joka sisältää ulkoisen muistin yleisluontoisia käskyjä suorittamaan kykenevän aritmetiikkayksikön (ALU).

Huom. 1:

"Mikroprosessoripiiri" ei yleensä sisällä sisäistä muistia, johon käyttäjällä olisi pääsy, vaikka se saattaa käyttää samalla lastulla olevaa muistia suorittaessaan loogista toimintaansa.

Huom. 2:

Tämä määritelmä sisältää lastuyhdistelmät, jotka on suunniteltu yhdessä toimien huolehtimaan "mikroprosessoripiiri"-toiminnasta.

"Mikro-organismit" (Microorganisms) (1 2) tarkoittavat bakteereita, viruksia, mykoplasmoja, riketsioita, klamydioita tai sieniä, sekä luonnontilaisia, kehitettyjä että muunnettuja, joko "eristettyinä elävinä viljelminä" tai materiaalina, joka sisältää elävää materiaalia, johon on tarkoituksella istutettu näitä viljelmiä tai joka on saastutettu niillä.

"Ohjukset" (Missiles) (1 2 3 6 7 9) tarkoittavat täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä, jotka kykenevät vähintään 300 km:n kantomatkaan vähintään 500 kg:n hyötykuormalla.

"Monofilamentti" (Monofilament) (1) tai filamentti on kuidun pienin inkrementti, jonka halkaisija on tavallisesti joitakin mikrometrejä.

"Monoliittinen integroitu piiri" (Monolithic integrated circuit) (3) tarkoittaa passiivisten tai aktiivisten 'piirielementtien' tai molempien yhdistelmää, joka:

a.

On muodostettu diffuusio-, istutus- tai pinnoitusprosesseilla yhteen puolijohdepalaan (ns. 'lastun') tai sen pinnalle;

b.

Voidaan katsoa erottamattomasti yhteen liitetyksi; ja

c.

Suorittaa piirin tietyn toiminnon (tai toimintoja).

Huom.

'Piirielementti' (Circuit element) on yksittäinen aktiivinen tai passiivinen elektronisen piirin toiminnallinen osa kuten diodi, transistori, vastus, kondensaattori jne.

"Monoliittinen integroitu mikroaaltopiiri" (Monolithic Microwave Integrated Circuit, MMIC) (3 5) tarkoittaa "monoliittista integroitua piiriä", joka toimii mikroaalto- tai millimetriaaltotaajuuksilla.

"Yksispektriset kuvannusanturit" (Monospectral imaging sensors) (6) ovat kykeneviä hankkimaan kuvatietoa yhdestä erillisestä spektrikaistasta.

"Integroitu monipalapiiri" (Multichip integrated circuit) (3) tarkoittaa yhteiselle "substraatille" liitettyä kahta tai useampaa "monoliittista integroitua piiriä".

"Monikanavaisilla analogia-digitaalimuuntimilla (ADC)" (3) tarkoitetaan laitteita, joissa yhdistetään useampi kuin yksi ADC ja jotka on suunniteltu niin, että kullakin ADC:llä on erillinen analoginen sisääntulo.

"Monispektriset kuvannusanturit" (Multispectral imaging sensors) (6) ovat kykeneviä hankkimaan kuvatietoa samanaikaisesti tai peräkkäin kahdesta tai useammasta erillisestä spektrikaistasta. Antureita, joilla on enemmän kuin kaksikymmentä spektrikaistaa, kutsutaan toisinaan hyperspektrisiksi kuvannusantureiksi.

"Luonnonuraani" (Natural uranium) (0) tarkoittaa uraania, joka sisältää luonnossa tavattavia isotooppiseosmääriä.

"Verkkoliityntäohjain" (Network access controller) (4) tarkoittaa fyysistä liitäntää hajautettuun tietoliikenneverkkoon. Se käyttää yhteistä siirtotietä, joka toimii kauttaaltaan samalla "digitaalisella siirtonopeudella" ja jakaa päätteille siirtovuoroja (esim. vuoromerkkien tai kuulostelun avulla). Muista riippumatta se valitsee tietopaketit tai tietoryhmät (esim. IEEE 802), jotka sille on osoitettu. Se on kokoonpano, joka voidaan asentaa tietokone- tai tietoliikennelaitteisiin tietoliikenneyhteyden luomiseksi.

"Ydinreaktori" (Nuclear reactor) (0) tarkoittaa täydellistä reaktoria, joka kykenee ylläpitämään säädettävää jatkuvaa ytimien halkeamisketjureaktiota. "Ydinreaktori" käsittää kaikki laitteet, jotka ovat reaktoriastian sisällä tai jotka on liitetty suoraan siihen, laitteet, jotka kontrolloivat sydämen tehotasoa, sekä komponentit, jotka normaalisti sisältävät reaktorin sydämen primäärijäähdytettä tai joutuvat suoraan kosketukseen sen kanssa tai ohjaavat sen kulkua.

"Numeerinen ohjaus" (Numerical control) (2) tarkoittaa prosessin automaattista ohjausta, jossa ohjauslaite käyttää numeerista tietoa, jota se tavallisesti saa toiminnan edetessä (viite: ISO 2382:2015).

"Kohdekoodi" (Object code) (Yloh) tarkoittaa yhden tai useamman prosessin tarkoituksenmukaisen esitystavan ("lähdekoodi" (lähdekieli)) laitteessa toteutettavaa muotoa, joka on käännetty ohjelmointijärjestelmällä.

"Toiminta, hallinto tai ylläpito" (Operations, Administration or Maintenance, OAM) (5) tarkoittaa yhden tai useamman seuraavan tehtävän suorittamista:

a.

Jonkin seuraavista perustaminen tai hoitaminen:

1.

Käyttäjien tai hallinnoijien tilit tai erioikeudet;

2.

Tuotteen asetukset; tai

3.

Autentikointitiedot a.1 tai a.2 kohdassa kuvattujen tehtävien tueksi;

b.

Tuotteen toimintaolosuhteiden tai suorituskyvyn seuranta tai hoitaminen; tai

c.

Lokien tai auditointitietojen hoitaminen a. tai b. kohdassa kuvattujen tehtävien tueksi.

Huomautus:

"Toiminta, hallinto tai ylläpito" ei sisällä mitään seuraavista tehtävistä tai niihin liittyvistä keskeisistä hallintotoimista:

a.

Sellaisen salauksen toiminnallisuuden toimittaminen tai päivittäminen, joka ei suoraan liity a.1 tai a.2 kohdassa kuvattujen tehtävien tueksi tarkoitettujen autentikointitietojen luomiseen tai hallinnointiin; tai

b.

Salauksen minkä tahansa toiminnallisuuden suorittaminen tuotteen edelleenlähetys- tai datatasolla.

"Optinen integroitu piiri" (Optical integrated circuit) (3) tarkoittaa "monoliittista integroitua piiriä" tai "hybridipiiriä", joka sisältää yhden tai useampia osia, jotka on suunniteltu toimimaan valoanturina tai valolähteenä tai suorittamaan optista tai sähköoptista toimintoa (toimintoja).

"Optinen kytkentä" (Optical switching) (5) tarkoittaa signaalien reititystä tai kytkentää optisessa muodossa muuntamatta niitä sähköisiksi signaaleiksi.

"Kokonaisvirtatiheys" (Overall current density) (3) tarkoittaa kelan ampeerikierrosten kokonaismäärää (ts. kierrosten lukumäärä kerrottuna kunkin kierroksen kuljettaman maksimivirran arvolla) jaettuna kelan kokonaispoikkipinnalla (sisältäen suprajohtavat säikeet, metallimatriisin, johon säikeet on upotettu, suojaavan materiaalin, kaikki jäähdyttävät elementit jne.).

"Osallistujavaltio" (Participating state) (7 9) on Wassenaarin järjestelyn jäsenmaa (ks. www.wassenaar.org).

"Huipputeho" (Peak power) (6) tarkoittaa suurinta tehoa, joka saavutetaan "pulssin kestossa".

"Henkilökohtainen verkko" (Personal area network) (5) on tiedonvälitysjärjestelmä, jolla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

a.

Sallii määrittelemättömän määrän yksittäisiä tai yhteenliitettyjä 'tietolaitteita' kommunikoida suoraan toistensa kanssa; ja

b.

Rajoittuu sellaisten laitteiden väliseen viestintään, jotka ovat tietyn ihmisen tai laiteohjaimen välittömässä fyysisessä läheisyydessä (kuten yksittäinen huone, toimisto tai ajoneuvo).

Tekniset huomautukset:

1.

'Tietolaite' on laite, joka kykenee lähettämään tai vastaanottamaan digitaalista informaatiota sisältäviä sekvenssejä.

2.

"Paikallisverkko" (local area network) ulottuu "henkilökohtaisen verkon" maantieteellistä aluetta pidemmälle.

"Aiemmin erotettu" (Previously separated) (1) on minkä tahansa sellaisen prosessin käyttö, jolla halutaan lisätä kontrolloidun isotoopin konsentraatiota.

"Olennaisin osa" (Principal element) (4) on ryhmää 4 koskien sellainen osa, jonka vaihtoarvo on enemmän kuin 35 % sen järjestelmän kokonaishinnasta, jonka osa se on. Osan arvo on se arvo, jonka järjestelmän valmistaja tai järjestelmän kokoonpanija siitä maksaa. Kokonaisarvo on normaali kansainvälinen myyntihinta vieraille osapuolille valmistuspaikassa tai kuljetuspisteessä.

"Tuotanto" (Production) (Ylth Ydth Kaikki) tarkoittaa kaikkia tuotantovaiheita, kuten rakentaminen, tuotanto, suunnittelu, valmistus, integrointi, kokoonpano, asennus, tarkastus, testaus, laadunvalvonta.

"Tuotantolaitteet" (Production equipment) (1 7 9) tarkoittavat "kehitystä" tai yhtä tai useampaa "tuotannon" vaihetta varten erityisesti suunniteltuja tai muunnettuja työkaluja, mallineita, asettimia, tuurnia, muotteja, suulakkeita, kiinnittimiä, suuntausmekanismeja, testilaitteita sekä muita koneita ja niiden osia.

"Tuotantoympäristö" (Production facilities) (7 9) tarkoittaa "tuotantolaitteita" ja niitä varten erityisesti suunniteltuja ohjelmistoja, jotka on yhdistetty kokonaisuudeksi "kehitystä" tai yhtä tai useampaa "tuotannon" vaihetta varten.

"Ohjelma" (Program) (6) tarkoittaa käskyjonoa, joka voidaan suorittaa tietokoneella tai muuntaa sen suoritettavaksi.

"Pulssin kompressointi" (Pulse compression) (6) tarkoittaa pitkäaikaisten tutkasignaalien koodausta ja käsittelyä lyhytaikaisina, korkean pulssienergian suomat edut säilyttäen.

"Pulssin kesto" (Pulse duration) (6) on "laserin" pulssin kesto ja tarkoittaa yksittäisen pulssin etureunan ja takareunan puolen tehon pisteiden välillä kuluvaa aikaa.

"Pulssilaser" (Pulsed laser) (6) tarkoittaa "laseria", jonka "pulssin kesto" on 0,25 sekuntia tai vähemmän.

"Kvanttisalaus" (Quantum cryptography) (5) tarkoittaa ryhmää tekniikoita, joilla luodaan jaettu avain "salausta" varten mittaamalla fysikaalisen järjestelmän kvanttimekaaniset ominaisuudet (mukaan lukien ne fysikaaliset ominaisuudet, joita määrittävät nimenomaisesti kvanttioptiikka, kvanttikenttäteoria tai kvanttisähködynamiikka).

"Tutkan taajuushyppely" (Radar frequency agility) (6) tarkoittaa kaikkia tekniikoita, jotka vaihtavat puolisatunnaisessa järjestyksessä pulssitutkan lähettimen kantoaaltotaajuutta pulssien välillä tai pulssiryhmien välillä enemmän, kuin on pulssin kaistanleveys.

"Tutkan hajaspektri" (Radar spread spectrum) (6) tarkoittaa kaikkia modulointitekniikoita, jotka hajauttavat suhteellisen kapean taajuuskaistan signaalien energian laajemman taajuuskaistan yli käyttäen satunnaista tai puolisatunnaista koodausta.

"Säteilynherkkyys" (Radiant sensitivity) (6) on Säteilynherkkyys (mA/W) = 0,807 × (aallonpituus nm:einä) × Kvanttihyötysuhde (QE).

Tekninen huomautus:

QE ilmaistaan yleensä prosenttiosuutena; tässä kaavassa QE ilmaistaan kuitenkin desimaalina, joka on vähemmän kuin yksi, esimerkiksi 78 prosenttia on 0,78.

"Tosiaikainen käsittely" (Real-time processing) (6) tarkoittaa tietokonejärjestelmän tiedonkäsittelykykyä, joka käytettävissä olevin resurssein ja järjestelmän kuormituksesta riippumatta turvaa tarvittavan palvelutason taatun vasteajan sisällä, kun ulkoinen tapahtuma käynnistää palvelun.

"Toistuvuus" (Repeatability) (7) tarkoittaa saman muuttujan samoissa toimintaolosuhteissa suoritettujen toistettujen mittausten läheisyyttä toisiinsa, kun mittausten välissä tapahtuu muutoksia olosuhteissa tai muissa kuin toimintajaksoissa (viite: IEEE-standardi 528–2001 (yhden sigman standardipoikkeama)).

"Tarvittava" (Required) (Ylth 3 5 6 7 9) viittaa "teknologian" osalta vain siihen osaan "teknologiaa", joka nimenomaisesti aikaansaa valvottuja suorituksen tasoja, ominaisuuksia tai toimintoja tai lisää niitä. "Tarvittava" "teknologia" voi olla yhteistä eri tuotteille.

"Mellakantorjunta-aineet" (Riot control agents) (1) tarkoittavat aineita, jotka mellakantorjuntaan tarkoitetuissa käyttöolosuhteissa aiheuttavat ihmiselle nopeasti aistielinten ärsytystä tai toimintakyvyttömyyttä, jotka häviävät pian altistumisen päätyttyä.

Tekninen huomautus:

Kyynelkaasut ovat "mellakantorjunta-aineiden" alaryhmä.

"Robotti" (Robot) (2 8) tarkoittaa manipulointimekanismia, joka voi olla jatkuvaa rataa tai pisteestä pisteeseen kulkevaa tyyppiä, voi käyttää antureita ja jolla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

a.

On monitoiminen;

b.

Kykenee muuttuvin liikkein asemoimaan tai suuntaamaan materiaaleja, osia, työkaluja tai erikoislaitteita kolmessa ulottuvuudessa;

c.

Sisältää kolme tai useampia suljetun tai avoimen piirin servolaitteita, jotka voivat sisältää askelmoottoreita; ja

d.

On "käyttäjän ohjelmoitavissa" opetusajo-/toistomenetelmällä tai tietokoneella, joka voi olla ohjelmoitava logiikkaohjain, ts. ilman mekaanista väliintuloa.

Huom.

Edellä oleva määritelmä ei sisällä seuraavia laitteita:

1.

Manipulaatiomekanismit, jotka ovat ohjattavissa vain manuaalisesti tai kaukokäyttölaitteella;

2.

Kiinteän sekvenssin manipulaatiomekanismit, jotka ovat automaattisesti liikkuvia laitteita ja toimivat mekaanisesti kiinteästi ohjelmoiduilla liikkeillä. Ohjelma on mekaanisesti rajoitettu kiinteillä pysäyttimillä, kuten tapeilla tai toimikäyrillä. Liikkeiden sarja ja liikeradat tai liikekulmat eivät ole muuttuvia tai muutettavissa mekaanisin, elektronisin tai sähköisin keinoin;

3.

Mekaanisesti ohjatut muuttuvasekvenssiset manipulaatiomekanismit, jotka ovat automaattisesti liikkuvia laitteita ja toimivat mekaanisesti kiinteästi ohjelmoiduilla liikkeillä. Ohjelma on mekaanisesti rajoitettu kiinteillä, mutta aseteltavilla pysäyttimillä, kuten tapeilla tai toimikäyrillä. Liikkeiden sarja ja liikeratojen tai liikekulmien valinta on muuteltavissa kiinteän ohjelmamallin rajoissa. Yhden tai useamman akselin ohjelman muutokset (esim. tapeilla tai toimikäyrillä) ovat suoritettavissa vain mekaanisilla operaatioilla;

4.

Muut kuin servo-ohjatut muuttuvan sekvenssin manipulaatiomekanismit, jotka ovat automaattisesti liikkuvia laitteita ja toimivat mekaanisesti kiinteiden ohjelmaliikkeiden mukaisesti. Ohjelma on muunneltavissa, mutta liikejakso etenee vain mekaanisesti kiinnitettyjen sähköisten binaarilaitteiden tai aseteltavien pysäyttimien antamien binaarisignaalien mukaan;

5.

Pinoamislaitteet, joita kutsutaan karteesisiksi manipulaatiojärjestelmiksi, jotka on valmistettu korkeavaraston kiinteiksi osiksi ja joiden avulla lokeroiden sisältöä käsitellään (lisätään tai poistetaan).

"Roving" (Roving) (1) on suunnilleen samansuuntaisista (tavallisesti 12–120) 'säikeistä' muodostuva kimppu.

Huom.

'Säie' on suunnilleen samansuuntaisista (tavallisesti useammasta kuin 200) "monofilamentista" muodostuva kimppu.

"Poikkeama" (Run out, out-of-true-running) (2) tarkoittaa pääkaran säteittäistä poikkeamaa yhden kierroksen aikana mitattuna karan akselia vasten suorassa kulmassa olevalla tasolla pisteessä, joka on pyörivän testattavan kappaleen sisä- tai ulkopinnalla (viite ISO 230–1:1986, 5.61 kohta).

Analogia-digitaalimuuntimen (ADC) "näytenopeus" (Sample rate) (3) tarkoittaa näytteiden enimmäismäärää, jota mitataan analogisesta sisääntulosta yhden sekunnin aikana, lukuun ottamatta ylinäytteistäviä ADC:itä. Ylinäytteistävien ADC:iden osalta "näytenopeudella" tarkoitetaan sen ulostulevaa sananopeutta. "Näytenopeus" voi tarkoittaa myös näytteenottonopeutta, joka esitetään yleensä muodossa miljoonaa näytettä sekunnissa (MSPS) tai miljardia näytettä sekunnissa (GSPS) tai muuntonopeutena, yleensä hertseinä (Hz).

"Satelliittinavigointijärjestelmä" (Satellite navigation system) (5 7) tarkoittaa maa-asemista, satelliittiryhmistä ja vastaanottimista muodostuvaa järjestelmää, joka mahdollistaa vastaanottimien sijaintien laskennan satelliiteista saatujen signaalien perusteella. Siihen kuuluvat maailmanlaajuiset satelliittinavigointijärjestelmät (GNSS) ja alueelliset satelliittinavigointijärjestelmät (RNSS).

"Mittakerroin" (Scale factor) (gyroskoopissa tai kiihtyvyysmittarissa) (7) tarkoittaa ulostulon muutoksen suhdetta mitattavaksi aiotun syötteen muutokseen nähden. Mittakerroin ilmaistaan yleisesti sen suoran kaltevuutena, joka voidaan piirtää pienimmän neliösumman menetelmällä syöte- ja tulostearvojen kautta, jotka on saatu vaihtelemalla syötteen arvoa jaksottaisesti syötearvojen alueen yli.

"Signaalianalysaattorit" (Signal analysers) (3) tarkoittavat laitteita, jotka kykenevät mittaamaan ja näyttämään monitaajuisten signaalien yksitaajuisten komponenttien perusominaisuuksia.

"Signaalin käsittely" (Signal processing) (3 4 5 6) tarkoittaa ulkoisesta lähteestä tulevien signaalien käsittelyä algoritmeilla kuten kompressio, suodatus, erottelu, valinta, korrelaatio, konvoluutio tai tasomuunnokset (esim. nopea Fourier- tai Walsh-muunnos).

"Ohjelmisto" (Software) (Yloh Kaikki) on yhden tai useamman "ohjelman" tai 'mikro-ohjelman' muodostama kokonaisuus missä tahansa käsitettävässä muodossa.

Huom.

'Mikro-ohjelma' tarkoittaa peruskäskyjen sarjaa, jota säilytetään erityisessä muistissa, ja jonka suoritus käynnistyy, kun sen viitekäsky tulee käskyrekisteriin.

"Lähdekoodi" (tai lähdekieli) (Source code or source language) (6 7 9) on sopiva yhden tai useamman prosessin esitystapa, joka voidaan ohjelmointijärjestelmässä muuntaa laitteessa toteutettavaan muotoon ("kohdekoodiksi" tai kohdekielelle).

"Avaruusalus" (Spacecraft) (9) tarkoittaa aktiivisia ja passiivisia satelliitteja sekä avaruusluotaimia.

"Avaruusaluksen alusta" (Spacecraft bus) (9) tarkoittaa laitetta, joka tarjoaa tuki-infrastruktuurin "avaruusalukselle" ja paikan "avaruusaluksen hyötykuormalle".

"Avaruusaluksen hyötykuorma" (Spacecraft payload) (9) tarkoittaa avaruusaluksen alustaan kiinnitettyjä laitteita, jotka on suunniteltu avaruudessa suoritettavaa tehtävää varten (esim. viestintä, havainnointi, tiede).

"Avaruuskelpoinen" (Space-qualified) (3 6 7) tarkoittaa suunniteltu, valmistettu tai hyväksytty onnistuneen testin perusteella toimimaan yli 100 km:n korkeudella maan pinnasta.

Huom.

Tietyn tuotteen määrittäminen "avaruuskelpoiseksi" testin perusteella ei tarkoita, että saman tuotantosarjan tai mallisarjan muut tuotteet olisivat "avaruuskelpoisia", jos niitä ei ole erikseen testattu.

"Erityinen halkeamiskelpoinen aine" (Special fissile material) (0) tarkoittaa plutonium-239:ää, uraani-233:a, "isotoopeilla 235 tai 233 rikastettua uraania" ja mitä tahansa edellä mainittuja sisältävää ainetta.

"Ominaiskimmokerroin" (Specific modulus) (0 1 9) on Youngin kerroin pascaleina ja on yhtä kuin N/m2 jaettuna ominaispainolla N/m3, mitattuna 296 ± 2 K:n (23 ± 2 °C:n) lämpötilassa sekä 50 ± 5 %:n suhteellisessa kosteudessa.

"Ominaismurtovetolujuus" (Specific tensile strength) (0 1 9) on lopullinen murtovoima pascaleina, joka on yhtä kuin N/m2 jaettuna ominaispainolla N/m3, mitattuna 296 ± 2 K:n (23 ± 2 °C:n) lämpötilassa sekä 50 ± 5 %:n suhteellisessa kosteudessa.

"Pyörivät massagyroskoopit" (Spinning mass gyros) (7) tarkoittavat gyroskooppeja, joissa käytetään jatkuvasti pyörivää massaa kulmaliikkeen havaitsemiseen.

"Hajaspektri" (Spread spectrum) (5) tarkoittaa tekniikkaa, jolla suhteellisen kapeakaistaisen tietoliikennekanavan energia levitetään huomattavasti laajemman energiaspektrin yli.

"Hajaspektri"tutka (Spread spectrum radar) (6) – katso "Tutkan hajaspektri".

"Stabiilisuus" (Stability) (7) tarkoittaa tietyn parametrin variaation (1 sigman) standardipoikkeamaa kalibroidusta arvosta vakiolämpötilaolosuhteissa mitattuna. Se voidaan esittää ajan funktiona.

"Valtiot, jotka ovat (eivät ole) kemiallisten aseiden kieltosopimuksen sopimuspuolia" (States (not) Party to the Chemical Weapon Convention) (1) ovat valtioita, joiden osalta kemiallisten aseiden kehittämisen, tuotannon, varastoinnin ja käytön kieltämistä koskeva yleissopimus on (ei ole) tullut voimaan (ks. www.opcw.org)

"Vakiotila" (Steady State Mode) (9) määrittää moottorin käyttöolosuhteet, joissa moottorin parametrien, kuten työntövoiman, tehon, kierrosluvun ja muun, osalta ei ole merkittäviä vaihteluja ja ulkoilman lämpötila ja paine moottorin ilmanottoaukossa ovat vakaat.

"Aliorbitaalinen alus" (Sub-orbital craft) (9) tarkoittaa alusta, jossa on ihmisten tai rahdin kuljettamiseen suunniteltu tila ja joka on tarkoitettu

a.

toimimaan stratosfäärin yläpuolella;

b.

käyttämään muuta kuin orbitaalista lentorataa; ja

c.

laskeutumaan takaisin Maahan ihmiset tai rahti vahingoittumattomina.

"Substraatti" (Substrate) (3) tarkoittaa pohjamateriaalin ohutta levyä, jossa on tai ei ole kytkentäkuviota ja jonka päälle tai sisään voidaan sijoittaa 'erilliskomponentteja' tai integroituja piirejä tai molempia.

Huom. 1:

'Erilliskomponentti' (Discrete component): Erikseen koteloitu 'piirielementti', jolla on omat ulkoiset kytkentäpisteensä.

Huom. 2:

'Piirielementti' (Circuit element): Yksittäinen aktiivinen tai passiivinen elektronisen piirin toiminnallinen osa kuten diodi, transistori, vastus, kondensaattori jne.

"Substraattiaihio" (Substrate blanks) (3 6) tarkoittaa monoliittisia yhdisteitä, joiden mitat sopivat optisten elementtien (kuten optiset peilit tai ikkunat) tuotantoon.

"Toksiinialayksikkö" (Sub-unit toxin) (1) tarkoittaa kokonaisen "toksiinin" rakenteellisesti ja toiminnallisesti erillistä osaa.

"Superseokset" (Superalloys) (2 9) tarkoittavat nikkeli-, koboltti- tai rautapohjaisia seoksia, joiden jännitysmurtumakestävyys on suurempi kuin 1 000 tuntia 400 MPa:n paineessa ja murtovetolujuus suurempi kuin 850 Mpa vähintään 922 K:n (649 °C:n) lämpötilassa.

"Suprajohtava" (Superconductive) (1 3 5 6 8) tarkoittaa materiaaleja, esim. metallit, metalliseokset tai yhdisteet, jotka voivat menettää kokonaan sähköisen vastusarvonsa, ts. jotka voivat saavuttaa äärettömän suuren sähköisen johtavuuden ja kuljettaa hyvin suuria sähkövirtoja ilman Joule-lämpenemistä.

Huom.

Materiaalin "suprajohtavalle" tilalle on yksilöllisesti tunnusomaista "kriittinen lämpötila", kriittinen magneettinen kenttä, joka on lämpötilan funktio, sekä kriittinen virrantiheys, joka on sekä magneettisen kentän että lämpötilan funktio.

"Suurteholaser" (Super High Power Laser) (6) tarkoittaa "laseria", joka kykenee lähettämään lähtöenergiaa, joka (kokonaisuutena tai minä tahansa annoksena) on yli 1 kJ 50 ms:ssa tai jonka keskimääräinen tai CW-teho on yli 20 kW.

"Superplastinen muovaus" (Superplastic forming) (1 2) tarkoittaa muovausprosessia, jossa metalleille, joilla normaalisti huoneen lämpötilassa on alhainen venymä (vähemmän kuin 20 %) tavanomaisessa murtovetolujuuskokeessa, saavutetaan lämpöä käyttämällä prosessin aikana vähintään kaksinkertainen venymä.

"Symmetrinen algoritmi" (Symmetric algorithm) (5) tarkoittaa salausalgoritmia, joka käyttää täysin samanlaista avainta sekä salaukseen että salauksen purkuun.

Huom.

"Symmetrisen algoritmin" tavanomainen käyttö on tiedon luottamuksellisuus.

"Nauha" (Tape) (1) on punotuista tai yhdensuuntaisista "monofilamenteista", 'säikeistä', "rovingeista", "touveista" tai "langoista" jne. muodostuva tavallisesti hartsilla esikyllästetty materiaali.

Huom.

'Säie' on suunnilleen samansuuntaisista (tavallisesti useammasta kuin 200) "monofilamentista" muodostuva kimppu.

"Teknologia" (Technology) (Ylth Ydth Kaikki) tarkoittaa erityistä kirjallista tai muussa muodossa olevaa teknistä tietoa, jota tarvitaan tuotteen "kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten. Tämä tieto on 'teknisen tiedon' tai 'teknisen avun' muodossa.

Huom. 1:

'Tekninen apu' voi olla muodoltaan ohjeita, taitoja, opetusta, työnsuoritustietoutta tai konsultointipalveluja ja saattavat sisältää 'teknisen tiedon' siirtoa.

Huom. 2:

'Tekninen tieto' voi olla muodoltaan piirustuksia, suunnitelmia, kaavioita, malleja, kaavoja, taulukoita, suunnittelukonstruktioita tai määritelmiä, kirjallisia tai muulle medialle tai laitteille, kuten levylle, nauhalle tai lukumuistiin, talletettuja käsikirjoja ja ohjeita.

"Kolmiulotteinen integroitu piiri" (Three dimensional integrated circuit) (3) tarkoittaa yhteen integroitujen puolijohdesirujen tai aktiivisten laitekerrosten kokoelmaa, jossa on läpivientireikiä, jotka kulkevat kokonaan välittäjän (interposer), substraatin, sirun tai kerroksen läpi ja muodostavat kytkentöjä laitteen kerrosten välille. Välittäjä (interposer) on rajapinta, joka mahdollistaa sähköiset kytkennät.

"Kieppikara" (Tilting spindle) (2) tarkoittaa työkalunkäsittelykaraa, joka koneistusprosessin aikana muuttaa keskilinjansa kulma-asentoa mihin tahansa muuhun akseliin nähden.

"Aikavakio" (Time constant) (6) on aika, joka kuluu valoärsytyksen antamisesta siihen, kun virran lisäys saavuttaa arvon, joka on 1–1/e kertaa lopullinen arvo (eli 63 % lopullisesta arvosta).

"Vakiintumisaika" (Time-to-steady-state registration) (6) (tähän viitataan myös gravimetrin vasteaikana) on aika, jonka kuluessa alustan aiheuttaman kiihtyvyyden häiritsevät vaikutukset (suuritaajuinen melu) vähenevät.

"Kärkivaippa" (Tip shroud) (9) tarkoittaa kiinteää rengaskomponenttia (yhtenäistä tai segmentoitua), joka on kiinnitetty moottorin turbiinin kotelon sisäpinnalle, tai turbiinin lavan ulkokärjessä olevaa osaa, joka pääasiassa muodostaa kaasutiivisteen kiinteiden ja pyörivien osien välillä.

"Lennon kokonaisohjaus" (Total control of flight) (7) tarkoittaa "ilma-aluksen" tilamuuttujien ja lentoradan automaattista ohjausta vastaamalla lentotehtävän tavoitteiden täyttämiseksi tosiaikaisiin muutoksiin tavoitteiden, uhkien tai muiden "ilma-alusten" tiedoissa.

"Digitaalinen kokonaissiirtonopeus" (Total digital transfer rate) (5) tarkoittaa toistensa kanssa yhteydessä olevien digitaalisen siirtojärjestelmän laitteiden välillä kulkevien bittien lukumäärää aikayksikössä, mukaan lukien linjan koodaukseen tarvittavat sekä muut lisäbitit.

Huom.

Katso myös "digitaalinen siirtonopeus".

"Touvi" (Tow) (1) on tavallisesti suunnilleen samansuuntaisten "monofilamenttien" kimppu.

"Toksiinit" (Toxins) (1 2) tarkoittavat valmistustavasta riippumatta tarkoituksellisesti eristettyjen preparaattien tai seosten muodossa olevia myrkyllisiä aineita, lukuun ottamatta toksiineja, joita on saasteina muissa materiaaleissa, kuten patologisissa näytteissä, viljassa, ruokatavaroissa tai "mikro-organismien" kylvöksissä.

"Viritettävä" (Tunable) (6) tarkoittaa "laserin" kykyä tuottaa jatkuvaa lähtötehoa kaikilla aallonpituuksilla usean "laser"transition alueella. Viiva"laser" tuottaa diskreettejä aallonpituuksia yhdellä "laser"transitiolla eikä sitä katsota "viritettäväksi".

"Yhdensuuntainen asemoinnin toistettavuus" (Unidirectional positioning repeatability) (2) tarkoittaa yksittäisen työstökoneakselin arvoista R↑ ja R↓ (eteenpäin ja taaksepäin) pienempää, sellaisena kuin se on määritetty ISO-standardin 230–2:2014 kohdassa 3.21 tai vastaavissa kansallisissa standardeissa.

"Miehittämätön ilma-alus" (Unmanned Aerial Vehicle – UAV) (9) tarkoittaa ilma-alusta, joka kykenee aloittamaan lennon ja pitämään yllä johdettua lentoa ja lentosuunnistusta ilman, että aluksella on ketään ihmistä.

"Isotoopilla 235 tai 233 rikastettu uraani" (Uranium enriched in the isotopes 235 or 233) (0) tarkoittaa uraania, joka sisältää isotooppia 235 tai 233 tai molempia siinä määrin, että näiden isotooppien ylimääräsumman suhde isotooppiin 238 nähden on enemmän kuin luonnossa esiintyvän isotoopin 235 suhde isotooppiin 238 (isotooppisuhde 0,71 %).

"Käyttö" (Use) (Ylth Ydth Kaikki) tarkoittaa käyttöä, asennusta (paikalla suoritettava asennus mukaan lukien), ylläpitoa (tarkastusta), korjausta, huoltoa ja kunnostusta.

"Käyttäjän ohjelmointimahdollisuus" (User-accessible programmability) (6) tarkoittaa ominaisuutta, joka sallii käyttäjän sisällyttää, muuntaa tai vaihtaa "ohjelmia" muulla tavoin kuin:

a.

Langoitusta tai kytkentöjä muuttamalla; tai

b.

Toimintonäppäimistöä asettelemalla, parametrien syöttö mukaan lukien.

"Rokote" (Vaccine) (1) on lääkevalmisteena oleva lääke, jolla on joko valmistus- tai käyttömaan sääntelyviranomaisten myöntämä lisenssi tai markkinoille saattamista tai kliinistä tutkimusta koskeva lupa ja jonka tarkoituksena on saada aikaan suojaava immuunivaste sairauden ennaltaehkäisemiseksi niissä ihmisissä tai eläimissä, joille rokote annetaan.

"Tyhjiöelektroniset laitteet" (Vacuum electronic devices) (3) tarkoittavat elektronisia laitteita, jotka perustuvat elektronisuihkun vuorovaikutukseen sellaisen sähkömagneettisen aallon kanssa, joka etenee tyhjiöpiirissä tai on vuorovaikutuksessa radiotaajuustyhjiöonteloresonaattorin kanssa. "Tyhjiöelektronisia laitteita" ovat muun muassa klystronit, kulkuaaltoputket ja niiden muunnokset.

"Haavoittuvuuksien julkistaminen" (Vulnerability disclosure) (4) tarkoittaa prosessia, jonka mukaisesti haavoittuvuus tunnistetaan ja siitä raportoidaan tai viestitään yksilöille tai organisaatioille, jotka ovat vastuussa haavoittuvuuden korjaamiseen liittyvien toimien toteuttamisesta tai koordinoinnista, tai jonka mukaisesti haavoittuvuutta analysoidaan näiden yksilöiden ja organisaatioiden kanssa.

"Lanka" (Yarn) (1) on kerratuista 'säikeistä' muodostuva kimppu.

Huom.

'Säie' on suunnilleen samansuuntaisista (tavallisesti useammasta kuin 200) "monofilamentista" muodostuva kimppu.

II OSA

Ryhmä 0

RYHMÄ 0 – YDINAINEET, LAITTEISTOT JA LAITTEET

0A
Järjestelmät, laitteet ja komponentit

0A001
Seuraavat "ydinreaktorit" ja niitä varten erityisesti suunnitellut ja valmistetut komponentit:

a.

"Ydinreaktorit";

b.

Sellaiset metalliset astiat tai niiden merkittävät rakenne-elementit, mukaan lukien reaktoripaineastian kansi, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu sisältämään "ydinreaktorin" sydän;

c.

Käsittelylaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu polttoaineen viemiseksi "ydinreaktoriin" tai polttoaineen poistamiseksi sieltä;

d.

Säätösauvat, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu halkeamisprosessin säätämiseksi "ydinreaktorissa", sauvojen tuki- ja ripustusrakenteet, säätösauvojen käyttökoneistot ja ohjausputket;

e.

Paineputket, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu sisältämään "ydinreaktorin" polttoaine-elementtejä ja primäärijäähdytettä;

f.

Putket tai putkisarjat, jotka on valmistettu zirkoniummetallista tai -seoksesta ja jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu käytettäväksi polttoaineen suojakuorena "ydinreaktorissa" yli 10 kg:n määrinä;

Huom.

Zirkoniumpaineputket, ks. 0A001.e, ja kuumennuskammion putket, ks. 0A001.h.

g.

Jäähdytepumput, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu "ydinreaktorin" primäärijäähdytteen kierrättämiseksi;

h.

'Ydinreaktorin sisäosat', jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu käytettäviksi "ydinreaktorissa", mukaan lukien sydämen tukirakenteet, polttoainekanavat, kuumennuskammion putket, termiset suojat, verholevyt, sydänritilät ja diffuuserilevyt;

Tekninen huomautus:

0A001.h kohdassa 'ydinreaktorin sisäosat' tarkoittaa mitä tahansa reaktoriastiassa olevaa merkittävää rakennetta, jolla on yksi tai useampi seuraavanlaisista tehtävistä: sydämen tukeminen, polttoaineen paikallaan pitäminen, primäärijäähdytteen virtauksen ohjaus, toimiminen reaktoriastian säteilysuojana ja sydämessä olevien instrumentointilaitteiden ohjaaminen.

i.

Seuraavat lämmönvaihtimet:

1.

Höyrystimet, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu "ydinreaktorin" primääri- tai välijäähdytyspiiriä varten;

2.

Muut lämmönvaihtimet, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu käytettäviksi "ydinreaktorin" primäärijäähdytyspiirissä;

Huomautus:

0A001.i kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi lämmönvaihtimia reaktorin tukijärjestelmiä varten, esim. hätäjäähdytysjärjestelmää tai jälkilämmön jäähdytysjärjestelmää.

j.

Neutroninilmaisimet, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu "ydinreaktorin" sydämessä vallitsevan neutronivuon määrittämiseen;

k.

'Ulkoiset termiset suojat', jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu käytettäväksi "ydinreaktorissa" lämpöhäviön vähentämiseksi ja myös reaktorin suojarakennuksen suojaamiseksi.

Tekninen huomautus:

0A001.k kohdassa 'ulkoiset termiset suojat' tarkoittavat reaktoriastian päälle sijoitettuja suuria rakenteita, jotka vähentävät lämpöhäviötä reaktorista ja alentavat lämpötilaa reaktorin suojarakennuksessa.

0B
Testaus-, tarkastus- ja tuotantolaitteet

0B001
Seuraavat laitokset "luonnonuraanin", "köyhdytetyn uraanin" tai "erityisten halkeamiskelpoisten aineiden" isotooppien erotusta varten ja niitä varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut laitteet ja komponentit:

a.

Seuraavat laitokset, jotka on erityisesti suunniteltu "luonnonuraanin", "köyhdytetyn uraanin" tai "erityisten halkeamiskelpoisten aineiden" isotooppien erotusta varten:

1.

Kaasusentrifugierotuslaitos;

2.

Kaasudiffuusioerotuslaitos;

3.

Aerodynaaminen erotuslaitos;

4.

Kemialliseen vaihtoon perustuva erotuslaitos;

5.

Ionivaihtoon perustuva erotuslaitos;

6.

Atomihöyryn "laser"viritykseen perustuva isotooppierotuslaitos;

7.

Molekyylien "laser"viritykseen perustuva isotooppierotuslaitos;

8.

Plasmaerotuslaitos;

9.

Sähkömagneettinen erotuslaitos;

b.

Seuraavat kaasusentrifugit sekä rakenteet ja komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu käytettäviksi kaasusentrifugierotusprosessissa:

Tekninen huomautus:

0B001.b kohdassa 'korkean lujuus/tiheys-suhteen aineella' tarkoitetaan jotakin seuraavista:

1.

Maraging-teräs, jonka vetomurtolujuus on vähintään 1,95 GPa;

2.

Alumiiniseokset, joiden vetomurtolujuus on vähintään 0,46 GPa; tai

3.

"Kuitu- tai säiemateriaalit", joiden "ominaiskimmokerroin" on suurempi kuin 3,18 × 106 m ja "ominaisvetolujuus" suurempi kuin 7,62 × 104 m;

1.

Kaasusentrifugit;

2.

Täydelliset roottorikokoonpanot;

3.

Roottoriputkisylinterit, joiden seinien paksuus on enintään 12 mm ja halkaisija 75–650 mm ja jotka on valmistettu 'korkean lujuus/tiheys-suhteen aineista';

4.

Renkaat tai palkeet, joiden seinämän paksuus on enintään 3 mm sekä halkaisija 75–650 mm ja jotka on suunniteltu tukemaan paikallisesti roottoriputkea tai liittämään useita putkia yhteen ja jotka on valmistettu 'korkean lujuus/tiheys-suhteen aineista';

5.

Ohjauslevyt, joiden halkaisija on 75–650 mm ja jotka on tarkoitettu asennettavaksi roottoriputken sisään ja jotka on valmistettu 'korkean lujuus/tiheys-suhteen aineista';

6.

Roottoriputken ylä- tai alalaipat, joiden halkaisija on 75–650 mm ja jotka on valmistettu 'korkean lujuus/tiheys-suhteen aineista';

7.

Seuraavat magneettiset ripustuslaakerit:

a.

Laakerikokoonpanot, jotka koostuvat "UF6-korroosiota kestävistä aineista" valmistettuun tai sellaisella suojattuun koteloon ripustetusta rengasmaisesta magneetista ja jotka sisältävät vaimentavan väliaineen ja joissa magneetti kytkeytyy napakappaleeseen tai toiseen roottorin yläkanteen kiinnitettyyn magneettiin;

b.

Aktiiviset magneettiset laakerit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu käytettäviksi kaasusentrifugeissa.

8.

Erityisvalmisteiset laakerit, jotka koostuvat vaimentimelle asennetusta laakeritappi-kuppi-kokoonpanosta;

9.

Sylintereistä koostuvat molekylaariset pumput, joissa on sisäisesti koneistettuja tai puristettuja kierrerihlauksia ja sisäisesti koneistettuja porausreikiä;

10.

Monivaiheisten vaihtovirralla toimivien hystereesi- (tai reluktanssi-) moottorien renkaan muotoiset moottoristaattorit tahtikäyttöön tyhjiössä vähintään 600 Hz:n taajuusalueella tai vähintään 40 VA:n tehoalueella;

11.

Kaasusentrifugin roottoriputkikokoonpanon sentrifugikotelo, joka koostuu jäykästä sylinteristä, jonka seinämän paksuus on enintään 30 mm ja jonka tarkkuuskoneistetut päädyt ovat keskenään samansuuntaiset ja kohtisuorassa sylinterin pituusakseliin nähden enintään 0,05 asteen kulmassa;

12.

Kauhakerääjät, jotka koostuvat erityisesti suunnitelluista tai valmistetuista putkista UF6-kaasun poistamiseksi sentrifugiroottoriputken sisältä Pitot’n putken toimintaperiaatteella ja jotka voidaan kiinnittää kaasunpoiston keskusjärjestelmään;

13.

Taajuusmuuntimet (konvertterit tai invertterit), jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu syöttämään kaasusentrifugirikastukseen tarkoitettuja moottorin staattoreita ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet, ja tällaisia muuntimia varten erityisesti suunnitellut komponentit:

a.

Monivaiheinen ulostulo vähintään 600 Hz; ja

b.

Erittäin stabiili (taajuuden hallinta parempi kuin 0,2 %);

14.

Seuraavat sulku- ja säätöventtiilit:

a.

Sulkuventtiilit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu toimimaan yksittäisen kaasusentrifugin UF6-kaasun syötteestä, tuotteesta tai jätteestä;

b.

Paljetiivisteillä varustetut sulku- tai säätöventtiilit, jotka on valmistettu "UF6-korroosiota kestävistä aineista" tai suojattu niillä ja joiden sisähalkaisija on 10–160 mm ja jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu käytettäväksi kaasusentrifugirikastuslaitosten pää- tai apujärjestelmissä;

c.

Seuraavat laitteet ja komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu kaasudiffuusioerotusprosessia varten:

1.

Huokoisista metallisista, polymeerisista tai keraamisista "UF6-korroosiota kestävistä aineista" valmistetut kaasudiffuusiosulut, joiden huokosten koko on 10–100 nm ja paksuus enintään 5 mm sekä putkimaisten muotojen halkaisija enintään 25 mm;

2.

Kaasudiffuusioyksikön kotelot, jotka on valmistettu "UF6-korroosiota kestävistä aineista" tai suojattu niillä;

3.

Kompressorit tai kaasupuhaltimet, joiden UF6-imuteho on vähintään 1 m3/min, poistopaine enintään 500 kPa ja painesuhde enintään 10:1 ja jotka on tehty "UF6-korroosiota kestävistä aineista" tai suojattu niillä;

4.

Pyörivien akselien tiivisteet kompressoreihin ja puhaltimiin, jotka on määritelty 0B001.c.3 kohdassa ja suunniteltu salpakaasun sisäänvuotonopeudelle, joka on alle 1 000 cm3/min;

5.

Lämmönvaihtimet, jotka on valmistettu "UF6-korroosiota kestävistä aineista" tai suojattu niillä ja jotka on suunniteltu toimimaan vuotonopeudella, joka on alle 10 Pa tunnissa 100 kPa:n paine-eron vallitessa;

6.

Paljetiivisteillä varustetut manuaaliset tai automaattiset sulku- tai säätöventtiilit, jotka on valmistettu "UF6 -korroosiota kestävistä aineista" tai suojattu niillä;

d.

Seuraavat laitteet ja komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu aerodynaamista erotusprosessia varten:

1.

Raonmuotoisista kaarevista kanavista tehdyt erotussuuttimet, joiden kaarevuussäde on alle 1 mm ja jotka ovat UF6-korroosiokestoisia sekä joissa on veitsenterä, joka erottaa suuttimen läpi virtaavan kaasun kahdeksi virraksi;

2.

Sylinterimäiset tai kartiomaiset putket (pyörreputket), jotka on valmistettu "UF6 -korroosiota kestävistä aineista" tai suojattu niillä ja joilla on yksi tai useampi tangentiaalinen sisäänmenoaukko;

3.

Kompressorit tai kaasupuhaltimet, jotka on valmistettu "UF6-korroosiota kestävistä aineista" tai suojattu niillä, ja pyörivien akselien tiivisteet niihin;

4.

"UF6-korroosiota kestävistä aineista" valmistetut tai niillä suojatut lämmönvaihtimet;

5.

"UF6-korroosiota kestävistä aineista" valmistetut tai niillä suojatut erotuselementtien kotelot pyörreputkia tai erotussuuttimia varten;

6.

Paljetiivisteillä varustetut manuaaliset tai automaattiset sulku- tai säätöventtiilit, jotka on valmistettu "UF6 -korroosiota kestävistä aineista" tai suojattu niillä ja joiden halkaisija on vähintään 40 mm;

7.

Prosessijärjestelmät UF6-kaasun erottamiseksi kantokaasusta (vety tai helium) 1 ppm:n tai alhaisempaan UF6-pitoisuuteen, mukaan lukien:

a.

Kryogeeniset lämmönvaihtimet ja kryoerottimet, jotka kykenevät toimimaan 153 K:n (– 120 °C:n) tai sitä alhaisemmissa lämpötiloissa;

b.

Kryogeeniset jäähdytinyksiköt, jotka kykenevät toimimaan 153 K:n (– 120 °C:n) tai sitä alhaisemmissa lämpötiloissa;

c.

Erotussuutin- tai pyörreputkiyksiköt UF6-kaasun erottamiseksi kantokaasusta;

d.

UF6-kylmäloukut, jotka pystyvät jäädyttämään UF6-kaasun.

e.

Seuraavat laitteet ja komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu kemialliseen vaihtoon perustuvaa erotusprosessia varten:

1.

Nopeavaihtoiset neste-neste-pulssikolonnit, joiden saosaika vaihetta kohti on enintään 30 s ja jotka kestävät vahvaa suolahappoa (esim. sopivista muoviaineista kuten fluoratuista hiilivetypolymeereistä tai lasista valmistetut tai niillä vuoratut);

2.

Nopeavaihtoiset neste-neste-keskipakokontaktorit, joiden saosaika vaihetta kohti on enintään 30 s ja jotka kestävät vahvaa suolahappoa (esim. sopivista muoviaineista kuten fluoratuista hiilivetypolymeereistä tai lasista valmistetut tai niillä vuoratut);

3.

Vahvoja suolahappoliuoksia kestävät sähkökemialliset pelkistyskennot, jotka soveltuvat yhden valenssitilan uraanin pelkistämiseen toiseen valenssitilaan;

4.

Sähkökemialliset pelkistyskennojen syöttölaitteet U+4-ionien erottamiseksi orgaanisesta virrasta ja ne prosessivirran kanssa kosketuksissa olevat laitteet, jotka on valmistettu sopivista aineista (esim. lasi, fluorihiilipolymeerit, polyfenyylisulfaatti, polyeetterisulfoni ja hartsikyllästetty grafiitti) tai suojattu niillä;

5.

Hyvin puhdistetun uraanikloridiliuoksen tuottamiseen tarkoitetut syötön valmistelujärjestelmät, jotka koostuvat puhdistukseen tarkoitetuista liuotus-, uutin- ja/tai ioninvaihtolaitteista sekä U+6- tai U+4-uraanin pelkistämiseen U+3-uraaniksi soveltuvista elektrolyyttisistä kennoista;

6.

Uraanin hapettamisjärjestelmät U+3-uraanin hapettamiseksi U+4-uraaniksi;

f.

Seuraavat laitteet ja komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu ionivaihtoon perustuvaa erotusprosessia varten:

1.

Nopeasti reagoivat ioninvaihtohartsit, kalvomaiset tai huokoiset makroverkkomaiset hartsit, joissa aktiiviset kemialliset vaihtoryhmät on rajoitettu ei-aktiivisen huokoisen tukirakenteen pinnoitteeksi, ja muut komposiittirakenteet missä tahansa sopivassa muodossa, mukaan lukien partikkelit ja kuidut, joiden halkaisija on enintään 0,2 mm ja suunniteltu vaihtopuoliintumisaika on alle 10 s ja jotka kestävät vahvaa suolahappoa ja kykenevät toimimaan 373–473 K:n (100–200 °C:n) lämpötila-alueella;

2.

(Sylinterinmuotoiset) ioninvaihtokolonnit, joiden halkaisija on yli 1 000 mm ja jotka on valmistettu vahvaa suolahappoa kestävistä aineista (esim. titaani tai fluorihiilimuovit) tai suojattu niillä ja jotka kykenevät toimimaan 373–473 K:n (100–200 °C:n) lämpötila-alueella ja yli 0,7 MPa:n paineessa;

3.

Ioninvaihtotakaisinvirtausjärjestelmät (kemialliset tai sähkökemialliset hapetus- tai pelkistysjärjestelmät) kemiallisten pelkistys- tai hapetusaineiden talteenottamiseksi ioninvaihtoon perustuvissa rikastuskaskadeissa;

g.

Seuraavat laitteet ja komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu laseriin perustuvaa erotusprosessia varten, jossa käytetään atomihöyryn laserviritykseen perustuvaa isotooppierotusta:

1.

Uraanimetallin höyrystämisjärjestelmät, jotka on suunniteltu tuottamaan vähintään 1 kW:n teho kohteessa laserrikastuksessa käyttöä varten;

2.

Sulan tai höyrystyneen uraanimetallin käsittelyjärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu käsittelemään sulaa uraania, sulia uraaniseoksia tai uraanimetallihöyryä laserrikastuksessa käyttöä varten, ja erityisesti niitä varten suunnitellut komponentit;

Huom.

KATSO MYÖS 2A225 KOHTA.

3.

Nestemäisessä tai kiinteässä muodossa olevan uraanimetallin kokoamiseen tarkoitetut tuote- ja jätekerääjäkokoonpanot, jotka on valmistettu uraanimetallihöyryn tai nestemäisen uraanin korroosiota ja lämpöä kestävistä aineista, kuten yttriumoksidilla pinnoitetusta grafiitista tai tantaalista, tai suojattu niillä.

4.

Erotusyksikön kotelot (sylinterinmuotoiset tai suorakulmaiset astiat), joihin voidaan sijoittaa uraanimetallin höyrystin, elektronisuihkutykki ja tuote- ja jätekerääjät;

5.

Uraani-isotooppien erottamiseen erityisesti suunnitellut ja valmistetut "laserit" tai "laser"järjestelmät, joissa oleva taajuusspektrin stabilointi mahdollistaa pitkäaikaisen käytön;

Huom.

KATSO MYÖS 6A005 JA 6A205 KOHTA.

h.

Seuraavat laitteet ja komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu laseriin perustuvaa erotusprosessia varten, jossa käytetään molekyylien laserviritykseen perustuvaa isotooppierotusta:

1.

Ääntä nopeammilla virtauksilla toimivat paisuntasuuttimet, joilla voidaan jäähdyttää UF6:n ja kantokaasun seokset 150 K:n (– 123 °C:n) tai sitä alhaisempaan lämpötilaan ja jotka on valmistettu "UF6-korroosiota kestävistä aineista";

2.

Tuote- tai jätekerääjäkomponentit tai -laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu uraanimateriaalin tai uraanijätemateriaalin keräämistä varten laservalolla valaisun jälkeen ja jotka on valmistettu "UF6-korroosiota kestävistä aineista";

3.

Kompressorit, jotka on valmistettu "UF6-korroosiota kestävistä aineista" tai suojattu niillä, ja niihin soveltuvat pyörimisakselien tiivisteet;

4.

Laitteet UF5:n (kiinteä aine) fluoraamiseksi UF6:ksi (kaasu);

5.

Prosessijärjestelmät UF6:n erottamiseksi kantokaasusta (esim. typestä, argonista tai muusta kaasusta) mukaan lukien:

a.

Kryogeeniset lämmönvaihtimet ja kryoerottimet, jotka kykenevät toimimaan 153 K:n (– 120 °C:n) tai sitä alhaisemmissa lämpötiloissa;

b.

Kryogeeniset jäähdytinyksiköt, jotka kykenevät toimimaan 153 K:n (– 120 °C:n) tai sitä alhaisemmissa lämpötiloissa;

c.

UF6-kylmäloukut, jotka pystyvät jäädyttämään UF6-kaasun.

6.

Uraani-isotooppien erottamiseen erityisesti suunnitellut ja valmistetut "laserit" tai "laser"järjestelmät, joissa oleva taajuusspektrin stabilointi mahdollistaa pitkäaikaisen käytön;

Huom.

KATSO MYÖS 6A005 JA 6A205 KOHTA.

i.

Seuraavat plasmaerotusmenetelmää varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut laitteet ja komponentit:

1.

Ionien tuottamiseen tai kiihdyttämiseen soveltuvat mikroaaltoteholähteet ja antennit, joiden lähtötaajuus on enemmän kuin 30 GHz ja keskimääräinen lähtöteho suurempi kuin 50 kW;

2.

Radiotaajuusioninvirityskelat, jotka toimivat yli 100 kHz:n taajuuksilla ja kykenevät käsittelemään yli 40 kW:n keskimääräisen tehon;

3.

Uraaniplasman synnyttämiseen soveltuvat järjestelmät;

4.

Ei käytössä;

5.

Kiinteässä muodossa olevan uraanimetallin tuote- ja jätekerääjäkokoonpanot, jotka on valmistettu uraanihöyryn korroosiota ja lämpöä kestävistä aineista, kuten yttriumoksidilla pinnoitetusta grafiitista tai tantaalista, tai suojattu niillä;

6.

Erotusyksikön (sylinterimäinen) kotelo, johon voidaan sijoittaa uraaniplasmalähde, radiotaajuinen ajokela ja tuote- ja jätekerääjät ja joka on tehty sopivasta ei-magneettisesta aineesta (esim. ruostumattomasta teräksestä);

j.

Seuraavat sähkömagneettista isotooppierotusmenetelmää varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut laitteet ja komponentit:

1.

Joko yhden tai useita ionisuihkuja synnyttävät ionilähteet, jotka koostuvat höyrylähteestä, ionisaattorista ja suihkun kiihdyttimestä, jotka on valmistettu sopivasta ei-magneettisesta aineesta (esim. grafiitista, ruostumattomasta teräksestä tai kuparista) ja jotka kykenevät tuottamaan vähintään 50 mA:n kokonaisionivirran;

2.

Rikastetun tai köyhdytetyn uraani-ionisuihkun keräyslevyt, jotka koostuvat kahdesta tai useammasta raosta ja keräystaskusta ja jotka on valmistettu sopivista ei-magneettisista aineista (esim. grafiitista tai ruostumattomasta teräksestä);

3.

Uraanin sähkömagneettisten erotusyksiköiden tyhjiökotelot, jotka on valmistettu ei-magneettisista aineista (esim. ruostumattomasta teräksestä) ja suunniteltu toimimaan 0,1 Pa:n tai sitä alhaisemmissa paineissa;

4.

Magneettinapakappaleet, joiden halkaisija on yli 2 m;

5.

Ionilähteisiin tarvittavat suurjänniteteholähteet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

a.

Kykenevät toimimaan jatkuvasti;

b.

Ulostulojännite vähintään 20 000 V;

c.

Ulostulovirta vähintään 1 A; ja

d.

Jännitteen stabiilisuus parempi kuin 0,01 % kahdeksan tunnin jakson aikana;

Huom.

KATSO MYÖS 3A227 KOHTA.

6.

Magneettien teholähteet (suuritehoiset, tasavirta-), joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

a.

Kykenevät toimimaan jatkuvasti siten, että lähtövirta on vähintään 500 A jännitteen ollessa vähintään 100 V; ja

b.

Virran tai jännitteen stabiilisuus parempi kuin 0,01 % kahdeksan tunnin jakson aikana.

Huom.

KATSO MYÖS 3A226 KOHTA.

0B002
Seuraavat kohdassa 0B001 määriteltyjä isotooppierotuslaitoksia varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut, "UF6-korroosiota kestävistä aineista" tehdyt tai niillä suojatut apujärjestelmät, laitteet ja komponentit:

a.

Autoklaavit, uunit tai järjestelmät, joita käytetään UF6:n syöttämiseen rikastusprosessiin;

b.

Kiinteyttimet (desublimaattorit) tai kylmäloukut, joita käytetään UF6:n poistamiseen rikastusprosessista myöhempää lämmittämällä tapahtuvaa siirtoa varten;

c.

Tuote- ja jäteasemat UF6:n siirtämiseksi säilytysastioihin;

d.

Nesteytys- tai kiinteytysasemat, joita käytetään poistamaan UF6 väkevöintiprosessista puristamalla, jäähdyttämällä ja muuntamalla UF6 nestemäiseen tai kiinteään olomuotoon;

e.

Putkisto- ja kokoojajärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu UF6:n käsittelyyn kaasudiffuusio-, sentrifugi- ja aerodynaamisen erotuslaitoksen kaskadissa;

f.

Seuraavat tyhjiöjärjestelmät ja -pumput:

1.

Tyhjiöjakoputket, tyhjiökokoojat tai tyhjiöpumput, joiden imukyky on vähintään 5 m3/min;

2.

Tyhjiöpumput, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi UF6:ta sisältävässä ilmakehässä ja jotka on valmistettu "UF6-korroosiota kestävistä aineista" tai suojattu niillä; tai

3.

Tyhjiöjakoputkista, tyhjiökokoojista tai tyhjiöpumpuista koostuvat tyhjiöjärjestelmät, jotka on suunniteltu käytettäväksi UF6:ta sisältävässä ilmakehässä;

g.

UF6-massaspektrometrit/ionilähteet, jotka kykenevät ottamaan jatkuvatoimisesti näytteitä UF6-kaasun virrasta ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Ne kykenevät mittaamaan ioneja, joiden atomipaino on vähintään 320, ja niiden resoluutio on parempi kuin 1 osa 320:stä;

2.

Ionilähteet, jotka on valmistettu nikkelistä, nikkelikupariseoksesta, jonka nikkelipitoisuus on vähintään 60 painoprosenttia, tai nikkelikromiseoksesta, tai suojattu niillä;

3.

Elektronipommitukseen perustuva ionisointilähde; ja

4.

Isotooppianalyysiin soveltuva kokoojajärjestelmä.

0B003
Uraanin konversiolaitos ja erityisesti sitä varten suunnitellut tai valmistetut laitteet seuraavasti:

a.

Järjestelmät, joilla uraanimalmikonsentraatit voidaan muuttaa UO3:ksi;

b.

Järjestelmät, joilla UO3 voidaan muuttaa UF6:ksi;

c.

Järjestelmät, joilla UO3 voidaan muuttaa UO2:ksi;

d.

Järjestelmät, joilla UO2 voidaan muuttaa UF4:ksi;

e.

Järjestelmät, joilla UF4 voidaan muuttaa UF6:ksi;

f.

Järjestelmät, joilla UF4 voidaan muuttaa uraanimetalliksi;

g.

Järjestelmät, joilla UF6 voidaan muuttaa UO2:ksi;

h.

Järjestelmät, joilla UF6 voidaan muuttaa UF4:ksi;

i.

Järjestelmät, joilla UO2 voidaan muuttaa UCl4:ksi.

0B004
Raskaan veden, deuteriumin ja deuteriumyhdisteen tuotanto- tai konsentrointilaitos ja sitä varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut laitteet ja komponentit seuraavasti:

a.

Raskaan veden, deuteriumin tai deuteriumyhdisteen tuotantolaitos seuraavasti:

1.

Vesi-rikkivety-erotuslaitokset;

2.

Ammoniakki-vety-erotuslaitokset;

b.

Seuraavat laitteet ja komponentit:

1.

Vesi-rikkivety-erotustornit, joiden halkaisija on vähintään 1,5 m ja jotka kykenevät toimimaan vähintään 2 MPa:n paineessa;

2.

Rikkivetykaasun (eli yli 70 painoprosenttia rikkivetyä H2S:ää sisältävän kaasun) kierrätykseen soveltuvat yksivaiheiset pienipaineiset (0,2 MPa) keskipakopuhaltimet tai kompressorit, joiden tilavuusvirta on vähintään 56 m3/s niiden toimiessa vähintään 1,8 MPa:n imua vastaavassa paineessa ja jotka on varustettu H2S-märkäkäyttöön suunnitelluilla tiivisteillä;

3.

Ammoniakki-vety-erotustornit, joiden korkeus on vähintään 35 m ja halkaisija 1,5–2,5 m ja jotka kykenevät toimimaan yli 15 MPa:n paineessa;

4.

Tornien sisäiset osat, mukaan lukien kosketuspinnat, ja vaihepumput, mukaan lukien upotettavat pumput, jotka soveltuvat raskaan veden valmistukseen ammoniakki-vety-erotusprosessin avulla;

5.

Ammoniakkikrakkerit, joiden käyttöpaine on vähintään 3 MPa ja jotka soveltuvat raskaan veden valmistukseen ammoniakki-vety-erotusprosessin avulla;

6.

Infrapuna-absorptioanalysaattorit, jotka kykenevät jatkuvaan vety-deuterium-suhteen mittaamiseen, kun deuteriumpitoisuus on vähintään 90 paino-%;

7.

Katalyyttipolttimet, joilla väkevöity deuterium muutetaan raskaaksi vedeksi ammoniakki-vety-erotusprosessin avulla;

8.

Täydelliset järjestelmät tai niiden kolonnit, joilla parannetaan raskaan veden laatua, raskaan veden deuteriumpitoisuuden konsentroimiseksi reaktoriluokkaan;

9.

Ammoniakin syntetisointikonvertterit tai ammoniakin syntetisointiyksiköt, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu raskaan veden valmistukseen ammoniakki-vety-erotusprosessin avulla.

0B005
"Ydinreaktorin" polttoaine-elementtien valmistukseen erityisesti suunniteltu laitos ja sitä varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut laitteet.

Tekninen huomautus:

"Ydinreaktorin" polttoaine-elementtien valmistukseen erityisesti suunnitellut tai valmistetut laitteet sisältävät laitteet, jotka:

1.

Tavallisesti ovat suoraan yhteydessä ydinaineiden tuotantovirtaan tai suoraan prosessoivat tai valvovat sitä;

2.

Sulkevat ydinaineet ilmatiiviisti suojakuoren sisään;

3.

Tarkistavat suojakuoren eheyden tai sulkemisen ilmatiiviyden;

4.

Tarkistavat suljetun polttoaineen viimeistelyn; tai

5.

Joita käytetään reaktorielementtien kokoonpanoon.

0B006
"Ydinreaktorin" säteilytettyjen polttoaine-elementtien jälleenkäsittelylaitos ja sitä varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut laitteet ja komponentit.

Huomautus:

0B006 kohtaan kuuluvat:

a.

"Ydinreaktorin" säteilytettyjen polttoaine-elementtien jälleenkäsittelylaitos sekä laitteet ja komponentit, jotka tavallisesti ovat suoraan yhteydessä säteilytettyyn polttoaineeseen ja pääasiallisiin ydinaineiden ja fissiotuotteiden prosessivirtoihin ja suoraan ohjaavat niitä;

b.

Polttoaine-elementtien suojakuoren poistolaitteet ja paloittelu- tai pilkkomiskoneet, ts. kauko-ohjatut laitteet, jotka leikkaavat, paloittelevat tai katkovat "ydinreaktorien" säteilytettyjä polttoainekokoonpanoja, -nippuja tai -sauvoja;

c.

Liuotintankit tai liuotinastiat, joissa käytetään mekaanisia laitteita, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu "ydinreaktorien" säteilytetyn polttoaineen liuottamiseen ja jotka kykenevät kestämään kuumia, voimakkaasti syövyttäviä nesteitä ja joita voidaan täyttää, käyttää ja huoltaa kauko-ohjatusti;

d.

Uuttimet, kuten pulsoidut tai pakatut kolonnit, sekoitussaostimet tai keskipakokontaktorit, jotka kestävät typpihapon syövyttäviä vaikutuksia ja jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu käytettäväksi säteilytetyn "luonnonuraanin", "köyhdytetyn uraanin" ja "erityisten halkeamiskelpoisten aineiden" jälleenkäsittelylaitoksessa;

e.

Säilytys- tai varastoastiat, jotka on erityisesti suunniteltu kriittisyysturvallisiksi ja kestämään typpihapon syövyttäviä vaikutuksia;

Tekninen huomautus:

Säilytys- tai varastoastioilla voi olla seuraavat ominaisuudet:

1.

Seinämien tai sisärakenteiden booriekvivalenttipitoisuus (laskettuna 0C004 kohtaa koskevassa huomautuksessa olevan kaavan mukaisesti kaikkien olennaisten elementtien osalta) vähintään kaksi prosenttia;

2.

Sylinterimäisen astian halkaisija enintään 175 mm; tai

3.

Joko laatta- tai rengasmaisen astian leveys enintään 75 mm.

f.

Neutronimittausjärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu integroitaviksi ja käytettäviksi automaattisten prosessinvalvontajärjestelmien kanssa säteilytetyn "luonnonuraanin", "köyhdytetyn uraanin" ja "erityisten halkeamiskelpoisten aineiden" jälleenkäsittelylaitoksessa.

0B007
Plutoniumin konversiolaitos ja sitä varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut laitteet seuraavasti:

a.

Järjestelmät plutoniumnitraatin muuttamiseksi plutoniumoksidiksi;

b.

Järjestelmät plutoniummetallin tuottamiseksi.

0C
Materiaalit

0C001
"Luonnonuraani" tai "köyhdytetty uraani" tai torium metallina, seoksena, kemiallisena yhdisteenä tai konsentraattina ja mikä tahansa muu aine, joka sisältää yhtä tai useampaa edellä mainituista;

Huomautus:

0C001 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi seuraavia:

a.

Neljä grammaa tai vähemmän "luonnonuraania" tai "köyhdytettyä uraania", kun se on instrumentin anturiosassa;

b.

Erityisesti seuraaviin rauhanomaisiin, ei-ydinteknisiin sovellutuksiin käytetty "köyhdytetty uraani":

1.

Suojaus;

2.

Pakkaus;

3.

Painolastit, joiden massa on enintään 100 kg;

4.

Vastapainot, joiden massa on enintään 100 kg;

c.

Seokset, jotka sisältävät toriumia alle 5 %;

d.

Toriumia sisältävät keraamiset tuotteet, jotka on valmistettu muuta kuin ydinteknistä käyttöä varten.

0C002
"Erityinen halkeamiskelpoinen aine"

Huomautus:

0C002 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi määrää, joka on neljä "tehollista grammaa" tai vähemmän kyseistä ainetta, kun se on instrumentin anturiosassa.

0C003
Deuterium, raskas vesi (deuteriumoksidi) ja muut deuteriumyhdisteet sekä deuteriumia sisältävät seokset ja liuokset, joissa deuterium-vety-isotooppisuhde on yli 1:5 000.

0C004
Grafiitti, jonka puhtaustaso on parempi kuin 5 miljoonasosaa 'booriekvivalenttia' ja jonka tiheys on suurempi kuin 1,50 g/cm3 ja joka on tarkoitettu käytettäväksi "ydinreaktorissa" yli 1 kg:n määrinä.

Huom.

KATSO MYÖS 1C107 KOHTA.

Huomautus 1:

Vientivalvontaa varten sen EU-jäsenvaltion toimivaltaiset viranomaiset, johon viejä on sijoittautunut, päättävät, onko edellä mainitun eritelmän täyttävän grafiitin vienti tarkoitettu käytettäväksi "ydinreaktorissa". 0C004 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi grafiittia, jonka puhtaustaso on parempi kuin 5 miljoonasosaa booriekvivalenttia ja jonka tiheys on suurempi kuin 1,50 g/cm3, joka ei ole tarkoitettu käytettäväksi "ydinreaktorissa".

Huomautus 2:

0C004 kohdassa 'booriekvivalentti' (BE) (Boron equivalent) määritellään epäpuhtauksille summana BEZ:ista (lukuun ottamatta BEhiili:ia, koska hiiltä ei lasketa epäpuhtaudeksi) mukaan lukien boori, jolloin

BEZ (ppm) = CF x alkuaineen Z konsentraatio ppm-yksikköinä,

Formula

ja σΒ ja σΖ ovat boorin ja alkuaineen Z termiset neutronikaappausvaikutusalat (barn-yksikköinä); ja AB ja AZ ovat boorin ja alkuaineen Z atomipainot.

0C005
Kaasudiffuusiokalvojen valmistukseen erityisesti valmistetut UF6-korroosiota kestävät yhdisteet tai jauheet (esim. nikkeli tai seokset, jotka sisältävät vähintään 60 painoprosenttia nikkeliä, alumiinioksidi ja täysin fluoratut hiilivetypolymeerit), joiden puhtaus on vähintään 99,9 painoprosenttia ja joissa keskimääräinen partikkelikoko on alle 10 μm mitattuna ASTM-standardin B330 mukaisesti ja joissa partikkelit ovat hyvin samankokoisia.

0D
Ohjelmistot

0D001
"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu tässä ryhmässä määriteltyjen tavaroiden "kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten.

0E
Teknologia

0E001
"Teknologia" ydinteknologiahuomautuksen mukaisesti tässä ryhmässä määriteltyjen tavaroiden "kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten.

III OSA

Ryhmä 1

RYHMÄ 1 – ERITYISMATERIAALIT JA NIIHIN LIITTYVÄT LAITTEET

1A
Järjestelmät, laitteet ja komponentit

1A001
Seuraavat fluoratuista yhdisteistä valmistetut komponentit:

a.

"Ilma-aluksiin" tai avaruuskäyttöön erityisesti suunnitellut tiivisteet, tiivisterenkaat, tiivisteaineet tai polttoainekalvot, joiden valmistuksessa on käytetty yli 50 painoprosenttia 1C009.b tai 1C009.c kohdassa määritettyjä materiaaleja;

b.

Ei käytössä;

c.

Ei käytössä.

1A002
Seuraavat "komposiitti"rakenteet tai -laminaatit:

Huom.

KATSO MYÖS 1A202, 9A010 JA 9A110 KOHTA.

a.

Ne on tehty jostakin seuraavista:

1.

1C010.c tai 1C010.d kohdassa määritelty orgaaninen "matriisi" tai "kuitu- tai säiemateriaalit"; tai

2.

1C010.e kohdassa määritellyt prepegit tai preformit;

b.

Ne on tehty metalli- tai hiili "matriisista" ja jostakin seuraavista:

1.

Hiili"kuitu- tai -säiemateriaaleista", joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

a.

"Ominaiskimmokerroin" on yli 10,15 × 106 m; ja

b.

"Ominaisvetolujuus" on yli 17,7 × 104 m; tai

2.

1C010.c kohdassa määritellyistä materiaaleista.

Huomautus 1:

1A002 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi epoksihartsilla kyllästetyistä hiili"kuitu- tai -säiemateriaaleista" valmistettuja "komposiitti"rakenteita tai -laminaatteja, jotka on tarkoitettu "siviili-ilma-alusten" rakenteiden tai laminointien korjaukseen ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

a.

Pinta-ala enintään 1 m2;

b.

Pituus enintään 2,5 m; ja

c.

Leveys yli 15 mm.

Huomautus 2:

1A002 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi puolivalmiita tuotteita, jotka on erityisesti suunniteltu seuraaviin puhtaasti siviilitarkoituksiin:

a.

Urheilutarvikkeisiin;

b.

Autoteollisuuteen;

c.

Työstökoneteollisuuteen;

d.

Lääkinnällisiin käyttötarkoituksiin.

Huomautus 3:

1A002.b.1 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi puolivalmiita tuotteita, jotka sisältävät enintään kaksi eri suuntiin kudottua filamenttia ja jotka on erityisesti suunniteltu seuraavia sovelluksia varten:

a.

Metallin kuumakäsittelyuunit metallien karkaisua varten;

b.

Piipallojen tuotantolaitteet.

Huomautus 4:

1A002 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi valmiita tuotteita, jotka on erityisesti suunniteltu tiettyä sovellusta varten.

Huomautus 5:

1A002.b.1 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi mekaanisesti katkottuja, rouhittuja tai leikattuja hiilipohjaisia "kuitu- tai säiemateriaaleja", joiden pituus on enintään 25,0 mm.

1A003
Ei-"plastisoituvista" aromaattisista polyimideistä valmistetut kalvot, levyt, teipit tai nauhat, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Paksuus yli 0,254 mm; tai

b.

Pinnoitettu tai laminoitu hiilellä, grafiitilla, metallilla tai magneettisilla aineilla.

Huomautus:

1A003 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi valmisteita, jotka on pinnoitettu tai laminoitu kuparilla ja suunniteltu elektronisten piirilevyjen tuotantoon.

Huom.

Kaikissa muodoissa olevien "plastisoituvien" aromaattisten polyimidien osalta katso 1C008.a.3.

1A004
Seuraavat suojaus- ja ilmaisinlaitteet ja komponentit, joita ei ole erityisesti suunniteltu sotilaskäyttöön:

Huom.

KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO, 2B351 ja 2B352 KOHTA.

a.

Kokonaamarit, suodatinrasiat ja niiden puhdistuslaitteet, jotka on suunniteltu tai muunnettu suojaamaan seuraavia aineita vastaan, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit;

Huomautus:

1A004.a. kohta sisältää moottoroidut ilmaa puhdistavat hengityslaitteet (PAPR), jotka on suunniteltu tai muunnettu suojaamaan 1A004.a kohdassa lueteltuja aineita tai materiaaleja vastaan.

Tekninen huomautus:

Sovellettaessa 1A004.a kohtaa:

1.

Kokonaamareita kutsutaan myös kaasunaamareiksi.

2.

Suodatinrasiat sisältävät suodatinpatruunat.

1.

"Biologiset aineet";

2.

'Radioaktiiviset aineet';

3.

Kemiallisen sodankäynnin (CW) taisteluaineet; tai

4.

"Mellakantorjunta-aineet", mukaan lukien:

a.

α-Bromibentseeniasetonitriili (bromibentsyylisyanidi) (CA) (CAS 5798-79-8);

b.

[(2-kloorifenyyli)metyleeni)] propaanidinitriili, o-klooribentsaalimalononitriili (CS) (CAS 2698-41-1);

c.

2-kloori-1-fenyylietanoni, fenasyylikloridi (ω-klooriasetofenoni) (CN) (CAS 532-27-4);

d.

Dibentso(b, f)-1,4-oksatsepiini (CR) (CAS 257-07-8);

e.

10-kloori-5,10-dihydrofenarsatsiini (fenarsatsiinikloridi) (adamsiitti) (DM) (CAS 578-94-9);

f.

N-nonanoyylimorfoliini (MPA) (CAS 5299-64-9).

b.

Suojapuvut, käsineet ja jalkineet, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu suojaamaan seuraavia aineita vastaan:

1.

"Biologiset aineet";

2.

'Radioaktiiviset aineet'; tai

3.

Kemiallisen sodankäynnin (CW) taisteluaineet;

c.

Ilmaisinjärjestelmät, joka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu ilmaisemaan tai tunnistamaan seuraavia aineita, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:

1.

"Biologiset aineet";

2.

'Radioaktiiviset aineet'; tai

3.

Kemiallisen sodankäynnin (CW) taisteluaineet;

d.

Elektroniset laitteet, jotka on suunniteltu automaattisesti ilmaisemaan tai tunnistamaan "räjähteiden" jäämiä ja jotka käyttävät 'pienten pitoisuuksien mittaamiseen' (trace detection) tarkoitettuja tekniikoita (esim. pinta-akustista aaltoa, ioniliikkuvuusspektrometriaa, differentiaaliliikkuvuusspektrometriaa, massaspektrometriaa).

Tekninen huomautus:

Sovellettaessa 1A004.d kohtaa 'pienten pitoisuuksien mittaaminen' (trace detection) määritellään kyvyksi havaita pienempiä määriä kuin 1 ppm höyryssä tai 1 mg kiinteässä aineessa tai nesteessä.

Huomautus 1:

1A004.d kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi laitteita, jotka on erityisesti suunniteltu laboratoriokäyttöön.

Huomautus 2:

1A004.d kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi kosketuksettomia läpikuljettavia turvatarkastusportteja.

Huomautus:

1A004 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi:

a.

Henkilökohtaisia säteilyannoksen valvontamittareita;

b.

Työterveys- tai työturvallisuuslaitteita, joiden suunnittelu tai toiminta on rajoitettu suojaamaan niitä vaaroja vastaan, jotka ovat ominaisia asukasturvallisuudelle tai siviiliteollisuudelle, mukaan luettuina:

1.

kaivostoiminta;

2.

louhinta;

3.

maatalous;

4.

lääketeollisuus;

5.

lääkintäteollisuus;

6.

eläinlääketeollisuus;

7.

ympäristöteollisuus;

8.

jätehuolto

9.

elintarviketeollisuus.

Tekniset huomautukset:

1.

1A004 kohtaan sisältyy laitteita ja komponentteja, jotka on määritetty ja onnistuneesti testattu kansallisten standardien mukaisesti tai muutoin todistettu tehokkaiksi 'radioaktiivisten aineiden', "biologisten aineiden", kemiallisen sodankäynnin (CW) taisteluaineiden, 'simulanttien' tai "mellakantorjunta-aineiden" ilmaisemista tai niiltä suojaamista varten, vaikka tällaisia laitteita ja komponentteja käytettäisiin siviiliteollisuudessa, esimerkiksi kaivostoiminnassa, louhinnassa, maataloudessa, lääke-, lääkintä-, eläinlääke- tai ympäristöteollisuudessa, jätehuollossa tai elintarviketeollisuudessa.

2.

'Simulantti' on aine tai materiaali, jota käytetään myrkyllisen aineen (kemiallisen tai biologisen) sijasta koulutuksessa, tutkimuksessa, testauksessa tai arvioinnissa.

3.

Sovellettaessa 1A004 kohtaa 'radioaktiiviset aineet' ovat aineita, jotka on valittu tai muunnettu lisäämään niiden tehokkuutta niin, että aiheutetaan tappioita ihmisille tai eläimille, turmellaan laitteita tai vahingoitetaan satoa tai ympäristöä.

1A005
Seuraavat vartalosuojat ja niitä varten tarkoitetut komponentit:

Huom.

KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO.

a.

Pehmeät vartalosuojat, joita ei ole valmistettu sotilasstandardien tai -laatuvaatimusten tai niitä vastaavien standardien tai vaatimusten mukaisesti, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit;

b.

Kovat vartalosuojalevyt, joiden luodinkestävyys vastaa enintään tasoa IIIA (NIJ 0101,06, heinäkuu 2008) tai "vastaavaa standardia".

Huom.

Suojaliivien valmistukseen käytettyjen "kuitu- tai säiemateriaalien" osalta katso 1C010 kohta.

Huomautus 1:

1A005 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi vartalosuojia, kun ne ovat käyttäjänsä mukana hänen henkilökohtaista suojautumistaan varten.

Huomautus 2:

1A005 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi vartalosuojia, jotka on suunniteltu antamaan suojaa vain edestäpäin kohdistuvia, muiden kuin sotilasräjähteiden sirpaleita ja räjähdystä vastaan.

Huomautus 3:

1A005 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi vartalosuojia, jotka on suunniteltu antamaan suojaa vain veitsen, piikin, neulan tai tylpän aseen iskua vastaan.

1A006
Seuraavat laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu omatekoisten räjähteiden (IED) raivaamiseen, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit ja tarvikkeet:

Huom.

KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO.

a.

Kauko-ohjattavat ajoneuvot;

b.

'Häiritsijät' (disruptors).

Tekninen huomautus:

Sovellettaessa 1A006.b kohtaa 'häiritsijät' ovat laitteita, jotka on erityisesti suunniteltu estämään räjähdettä toimimasta kohdistamalla siihen nestemäinen, kiinteä tai räjähtävä projektiili.

Huomautus:

1A006 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi laitteita, jotka ovat käyttäjänsä mukana.

1A007
Seuraavat laitteet ja laitteistot, jotka on erityisesti suunniteltu latausten ja "energeettisiä aineita" sisältävien laitteiden laukaisemiseen sähköisin keinoin:

Huom.

KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO, 3A229 ja 3A232 KOHTA.

a.

Räjähtävien sytyttimien laukaisulaitteet, jotka on suunniteltu laukaisemaan 1A007.b kohdassa määriteltyjä räjähtäviä sytyttimiä;

b.

Seuraavat sähköisesti ohjattavat räjähtävät sytyttimet:

1.

Räjähtävä siltajohdin (EB);

2.

Räjähtävä siltajohdinlanka (EBW);

3.

Iskulaukaisin;

4.

Räjähtävät kalvosytyttimet (EFI).

Tekniset huomautukset:

1.

Termiä "initiator" tai "igniter" (käynnistin tai räjäytin) käytetään toisinaan termin "detonator" (sytytin) sijasta.

2.

Sovellettaessa 1A007.b kohtaa kaikki kyseiset sytyttimet käyttävät pientä sähköjohdinta (siltavastusta, siltavastuslankaa tai kalvoa), joka kaasuuntuu räjähdysmäisesti, kun nopea, voimakas sähköinen pulssi kulkee sen läpi. Muissa kuin iskulaukaisin-tyypeissä räjähtävä johdin käynnistää kemiallisen räjähdyksen siihen yhteydessä olevassa voimakkaassa räjähteessä, esim. PETN:ssä (pentaerytritoltetranitraatissa). Iskulaukaisimissa sähköjohtimen kaasuuntuminen työntää piikin tai iskurin sytyttimen välin yli ja iskurin törmäys räjähteeseen käynnistää kemiallisen sytytyksen. Joissakin malleissa iskurin käyttövoimana on magneettinen voima. Termiä räjähtävä kalvo voidaan käyttää joko EB- tai iskurityyppisistä sytyttimistä.

1A008
Seuraavat räjähteet, laitteet ja komponentit:

a.

'Suunnatun räjähdysvaikutuksen omaavat räjähteet', joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Nettoräjähdemäärä (NEQ) yli 90 g; ja

2.

Ulkokuori halkaisijaltaan vähintään 75 mm;

b.

Pitkänomaiset räjähteet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet, ja erityisesti niitä varten suunnitellut komponentit:

1.

Räjähdelataus yli 40 g/m; ja

2.

Leveys vähintään 10 mm;

c.

Räjähtävä tulilanka, jossa räjähdelataus on yli 64 g/m;

d.

Katkaisimet, muut kuin 1A008.b kohdassa määritellyt, ja leikkaustyökalut, joiden nettoräjähdemäärä (NEQ) on yli 3,5 kg.

Tekninen huomautus:

Sovellettaessa 1A008.a kohtaa 'suunnatun räjähdysvaikutuksen omaavat räjähteet' ovat muotoiltuja räjähdyspanoksia, jotka suuntaavat räjähdysvoiman vaikutukset.

1A102
9A004 kohdassa määriteltyihin avaruuteen laukaisussa käytettäviin kantoraketteihin tai 9A104 kohdassa määriteltyihin luotainraketteihin tarkoitetut toistokyllästetyt pyrolisoidut hiili-hiilikomponentit.

1A202
Muut kuin 1A002 kohdassa määritellyt komposiittirakenteet putkina, joilla on seuraavat ominaisuudet:

Huom.

KATSO MYÖS 9A010 JA 9A110 KOHTA.

a.

Niiden sisähalkaisija on 75 mm:n ja 400 mm:n välillä; ja

b.

Ne on valmistettu 1C010.a tai b tai 1C210.a kohdassa määritellyistä "kuitu- ja säiemateriaaleista" tai 1C210.c kohdassa määritellyistä hiiliprepregimateriaaleista.

1A225
Platinoidut katalyytit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmisteltu edistämään vedyn ja veden välistä isotooppien vaihtoreaktiota tritiumin ottamiseksi talteen raskaasta vedestä tai raskaan veden tuottamiseksi.

1A226
Erikoisaineet, joita voidaan käyttää raskaan veden erottamiseen tavallisesta vedestä ja joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:

a.

Ne on tehty fosforipronssiverkosta, joka on käsitelty kemiallisesti vettyvyyden parantamiseksi; ja

b.

Ne on suunniteltu käytettäväksi tyhjiötislauskolonneissa.

1A227
Korkeatiheyksiset (lyijylasista tai muusta aineesta valmistetut) säteilysuojaikkunat, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet, sekä näitä varten erityisesti suunnitellut puitteet:

a.

'Kylmä (säteilyltä suojattu) ala' yli 0,09 m2;

b.

Tiheys yli 3 g/cm3; ja

c.

Paksuus vähintään 100 mm.

Tekninen huomautus:

1A227 kohdassa termillä 'kylmä ala' tarkoitetaan ikkunan läpinäkyvää alaa, joka on altistuneena alhaisimmalle säteilytasolle mallisovelluksessa.

1B
Testaus-, tarkastus- ja tuotantolaitteet

1B001
Seuraavat 1A002 kohdassa määriteltyjen "komposiitti" rakenteiden tai -laminaattien tai 1C010 kohdassa määriteltyjen "kuitu- tai säiemateriaalien" tuotanto- tai tarkastuslaitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit ja varusteet:

Huom.

KATSO MYÖS 1B101 JA 1B201 KOHTA.

a.

Filamenttikuitujen kelauskoneet, joissa käämittävien kuitujen asemointi-, kiedonta- ja kelausliikkeet ovat koordinoitavissa ja ohjelmoitavissa kolmen tai useamman 'ensisijaisen servo-ohjaus' akselin suhteen ja jotka on erityisesti suunniteltu "komposiitti"rakenteiden tai -laminaattien valmistukseen "kuitu- tai säiemateriaaleista";

b.

'Nauhapäällystyskoneet', joissa nauhan asemointi- ja päällystysliikkeet voidaan koordinoida ja ohjelmoida viiden tai useamman 'ensisijaisen servo-ohjaus' akselin suhteen ja jotka on erityisesti suunniteltu ilma-alusten tai 'ohjusten'"komposiitti"rakenteiden valmistusta varten;

Huomautus:

1B001.b kohdassa 'ohjus' tarkoittaa täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä.

Tekninen huomautus:

Sovellettaessa 1B001.b kohtaa 'nauhapäällystyskoneet' pystyvät päällystämään yhden tai useamman 'filamenttinauhan', joka on leveydeltään yli 25,4 mm mutta enintään 304,8 mm, ja leikkaamaan ja aloittamaan uudelleen yksittäisiä 'filamenttinauha'-ajoja päällystysprosessin aikana.

c.

"Komposiitti"rakenteita varten tarkoitetut monisuuntaiset ja monidimensioiset kutoma- tai punontakoneet, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu kuitujen kudontaa, punontaa tai palmikointia varten sekä näiden koneiden adapterit ja muunnossarjat;

Tekninen huomautus:

Sovellettaessa 1B001.c kohtaa punontatekniikkaan sisältyy neulonta.

d.

Seuraavat lujitekuitujen tuotantoa varten erityisesti suunnitellut tai muunnetut laitteet:

1.

Laitteet, joilla polymeerikuituja (kuten polyakryylinitriili, raion, hartsi tai polykarbosilaani) muutetaan hiilikuiduiksi tai piikarbidikuiduiksi, mukaan lukien erikoislaitteet, joilla kuituja jännitetään kuumennuksen aikana;

2.

Laitteistot, joilla valmistetaan piikarbidikuituja pinnoittamalla kuumennettuja filamenttisubstraatteja alkuaineilla tai yhdisteillä kemiallista kaasufaasipinnoitus-menetelmää (CVD) käyttäen;

3.

Laitteet, joiden avulla voidaan märkäkehrätä tulenkestäviä keraameja (kuten esim. alumiinioksidia);

4.

Laitteet, joilla esikuituja sisältävä alumiini muutetaan lämpökäsittelyllä alumiinioksidikuiduiksi;

e.

Laitteet, joilla tuotetaan kuumasulatusmenetelmällä 1C010.e kohdassa määriteltyjä prepregejä;

f.

Seuraavat ainetta rikkomattomat tarkastuslaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu "komposiitti" materiaaleja varten:

1.

Röntgentomografiajärjestelmät, joilla voidaan tarkastella valmistusvirheitä kolmessa ulottuvuudessa;

2.

Digitaalisesti ohjatut ultraäänitestauslaitteet, joiden liikkeet lähettimien tai vastaanottimien asemoimista varten koordinoidaan ja ohjelmoidaan yhtäaikaisesti neljällä tai useammalla akselilla tarkastettavan komponentin kolmiulotteisten ääriviivojen seuraamiseksi;

g.

'Touvi-asettelukoneet', joissa touvien asemointi- ja asetteluliikkeet ovat koordinoitavissa ja ohjelmoitavissa kahden tai useamman 'ensisijaisen servo-ohjaus' akselin suhteen ja jotka on erityisesti suunniteltu ilma-aluksen tai 'ohjuksen'"komposiitti"rakenteiden valmistukseen.

Tekninen huomautus:

Sovellettaessa 1B001.g kohtaa 'touviasettelukoneet' pystyvät asettelemaan yhden tai useamman 'filamenttinauhan', jonka leveys on enintään 25,4 mm, ja leikkaamaan ja aloittamaan uudelleen yksittäisiä 'filamenttinauha'-ajoja asetteluprosessin aikana.

Tekniset huomautukset:

1.

Sovellettaessa 1B001 kohtaa 'ensisijaiset servo-ohjatut' akselit ohjaavat halutun prosessin toteuttamiseksi tietokoneohjatusti pääte-elimen (siis työkalun) asemaa avaruudessa oikeaan suuntaan suhteessa työkappaleeseen.

2.

Sovellettaessa 1B001 kohtaa 'filamenttinauha' on yksittäinen tasalevyinen täysin tai osittain hartsikyllästetty nauha, touvi tai kuitu. Täysin tai osittain hartsikyllästettyihin 'filamenttinauhoihin' kuuluvat nauhat, jotka on päällystetty kuivalla jauheella, joka kiinnittyy kuumennettaessa.

1B002
Laitteet, jotka on suunniteltu metalliseosjauhe- tai hiukkasmaisten materiaalien tuottamiseen ja jotka täyttävät kaikki seuraavat edellytykset:

a.

Ne on suunniteltu erityisesti kontaminaation välttämiseen; ja

b.

Ne on suunniteltu erityisesti käytettäväksi jossakin 1C002.c.2 kohdassa määritellyistä prosesseista.

Huom.

KATSO MYÖS 1B102 KOHTA.

1B003
Titaanin, alumiinin tai niiden seosten "superplastista muovausta" tai "diffuusioliittämistä" varten tarkoitetut työkalut, suuttimet, muotit tai kiinnikkeet, jotka on erityisesti suunniteltu seuraavien tuotteiden valmistamiseen:

a.

Ilma-alusten runko- tai avaruusalusten rakenteet;

b.

"Ilma-alusten" tai avaruusalusten moottorit; tai

c.

1B003.a kohdassa määriteltyjä rakenteita tai 1B003.b kohdassa määriteltyjä moottoreita varten erityisesti suunnitellut komponentit.

1B101
Seuraavat, muut kuin 1B001 kohdassa määritellyt laitteet rakenteellisten komposiittien "tuotantoa" varten sekä niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit ja varusteet:

Huom.

KATSO MYÖS 1B201 KOHTA.

Huomautus:

1B101 kohdassa määriteltyihin komponentteihin ja varusteisiin sisältyvät muotit, tuurnat, suukappaleet, kiinnittimet ja työkalut komposiittirakenteiden, -laminaattien ja niiden valmisteiden preformien puristamista, kovettamista, valamista, sintraamista tai liittämistä varten.

a.

Filamenttikuidun kelauskoneet tai kuidunasettelukoneet, joissa kuidun asemointi-, käärintä- ja kelausliikkeet voidaan koordinoida ja ohjelmoida kolmen tai useamman akselin suhteen ja jotka on suunniteltu valmistamaan komposiittirakenteita tai -laminaatteja "kuitu- tai säiemateriaaleista", sekä koordinoinnin ja ohjelmoinnin ohjaukset;

b.

Nauhapäällystyskoneet, joissa nauhan asemointi- ja päällystysliikkeet voidaan koordinoida ja ohjelmoida kahden tai useamman akselin suhteen ja jotka on suunniteltu komposiittisten ilma-alusten ja "ohjusten" runkorakenteiden valmistusta varten;

c.

Seuraavat "kuitu- tai säiemateriaalien""tuotantoa" varten suunnitellut tai muunnetut laitteet:

1.

Laitteet, joilla muunnetaan polymeerikuituja (esim. polyakryylinitriiliä, raionia tai polykarbosilaania), erityisesti kuitua kuumennuksen aikana jännittäen;

2.

Laitteet, joiden avulla kuumennettuja filamenttisubstraatteja höyrypinnoitetaan alkuaineilla tai yhdisteillä;

3.

Laitteet, joiden avulla voidaan märkäkehrätä tulenkestäviä keraameja (kuten esim. alumiinioksidia);

d.

Laitteet, jotka on suunniteltu tai muunnettu kuitujen erityispintakäsittelyä varten tai 9C110 kohdassa määriteltyjen prepregien ja preformien tuottamista varten.

Huomautus:

1B101.d kohtaan sisältyvät valssaimet, venytyslaitteet, päällystyslaitteet, leikkurit ja meistimuotit.

1B102
Seuraavat muut kuin 1B002 kohdassa määritellyt metallijauheen "tuotantolaitteet" ja komponentit:

Huom.

KATSO MYÖS 1B115.b KOHTA.

a.

Metallijauheen "tuotantolaitteet", joita voidaan käyttää 1C011.a, 1C011.b, 1C111.a.1, 1C111.a.2 kohdassa tai asetarvikeluettelossa määriteltyjen pallomaisten, sferoidisten tai hivennettyjen materiaalien "tuotantoon" valvotussa ympäristössä.

b.

Erityisesti suunnitellut komponentit 1B002 tai 1B102.a kohdassa määriteltyjä "tuotantolaitteita" varten.

Huomautus:

1B102 kohtaan sisältyvät:

a.

Plasmageneraattorit (suuritaajuinen kaarisuihku), joita voidaan käyttää aikaansaamaan sputteroituja tai pallomaisia metallijauheita siten, että prosessi tehdään argon-vesiympäristössä;

b.

Sähköpurkauslaitteistot, joita voidaan käyttää aikaansaamaan sputteroituja tai pallomaisia metallijauheita siten, että prosessi tehdään argon-vesiympäristössä;

c.

Laitteet, joita voidaan käyttää pallomaisten alumiinijauheiden "tuotantoon" pulverisoimalla sula suojakaasussa (esim. typessä).

1B115
Seuraavat muut kuin 1B002 tai 1B102 kohdassa määritellyt laitteet ajoaineiden ja niiden ainesosien tuotantoa varten ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:

a.

"Tuotantolaitteet" 1C011.a, 1C011.b tai 1C111 kohdassa tai asetarvikeluettelossa määriteltyjen nestemäisten ajoaineiden ja niiden ainesosien "tuotantoa", käsittelyä tai vastaanottotestausta varten;

b.

"Tuotantolaitteet" 1C011.a, 1C011.b tai 1C111 kohdassa tai asetarvikeluettelossa määriteltyjen kiinteiden ajoaineiden ja niiden ainesosien "tuotantoa", käsittelyä, sekoittamista, kovettamista, valamista, prässäystä, työstämistä, puristamista tai vastaanottotestausta varten.

Huomautus:

1B115.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi eräsekoittimia, jatkuvatoimisia sekoittimia tai neste-energiamyllyjä. Eräsekoittimien, jatkuvatoimisten sekoittimien ja neste-energiamyllyjen valvonnan osalta katso 1B117, 1B118 ja 1B119 kohta.

Huomautus 1:

Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu asetarvikkeiden tuotantoa varten: katso asetarvikeluettelo.

Huomautus 2:

1B115 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi boorikarbidin "tuotantoon", käsittelyyn ja hyväksymistestaukseen tarkoitettuja laitteita.

1B116
Erityisesti suunnitellut suuttimet, joilla tuotetaan pyrolyysimenetelmällä muodostuvia aineita muotille, tuurnalle tai muulle substraatille välituotekaasuista, jotka hajoavat 1 573–3 173 K:n (1 300–2 900 °C:n) lämpötila-alueella ja 130 Pa:n–20 kPa:n paineessa.

1B117
Eräsekoittimet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet, ja erityisesti niitä varten suunnitellut komponentit:

a.

Ne on suunniteltu tai muunnettu sekoittamaan tyhjiössä painealueella nollasta 13,326 kPa:iin;

b.

Niiden sekoituskammion lämpötilaa voidaan säätää;

c.

Niiden kokonaistilavuuskapasiteetti on 110 litraa tai enemmän; ja

d.

Niissä on ainakin yksi keskustasta sivuun asennettu 'sekoitus-/vaivausvarsi'.

Huomautus:

1B117.d kohdassa termillä 'sekoitus-/vaivausvarsi' ei viitata homogenisoijiin tai pyöriviin leikkuuteriin.

1B118
Jatkuvatoimiset sekoittimet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet, ja erityisesti niitä varten suunnitellut komponentit:

a.

Ne on suunniteltu tai muunnettu sekoittamaan tyhjiössä painealueella nollasta 13,326 kPa:iin;

b.

Niiden sekoituskammion lämpötilaa voidaan säätää;

c.

Niissä on jokin seuraavista:

1.

Kaksi tai useampia sekoitus-/vaivausvarsia; tai

2.

Kaikki seuraavat ominaisuudet:

a.

Niissä on yksi pyörivä ja värähtelevä varsi, jossa on vaivaushampaat/piikit; ja

b.

Niissä on vaivaushampaat/piikit sekoituskammion vuorauksen sisäpuolella.

1B119
Neste-energiamyllyt, joita voidaan käyttää 1C011.a, 1C011.b tai 1C111 kohdassa tai asetarvikeluettelossa määriteltyjen aineiden jauhamiseen tai hienontamiseen, ja tällaisia myllyjä varten erityisesti suunnitellut komponentit.

1B201
Seuraavat muut kuin 1B001 tai 1B101 kohdassa määritellyt filamenttikuidun kelauskoneet ja niihin liittyvät laitteet:

a.

Filamenttikuidun kelauskoneet, joissa on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Kuitujen asemointi, käärintä ja käämintä on koordinoitu ja ohjelmoitu kahden tai useamman akselin suhteen;

2.

Suunniteltu erityisesti komposiittirakenteiden tai -laminaattien valmistamiseen "kuitu- tai säiemateriaaleista"; ja

3.

Kykenevät käämimään lieriömäisiä putkia, joiden sisähalkaisija on 75–650 mm ja pituus vähintään 300 mm;

b.

1B201.a kohdassa määriteltyjen filamenttikuidun kelauskoneiden koordinointi- ja ohjelmointilaitteet;

c.

1B201.a kohdassa määriteltyjen filamenttikuidun kelauskoneiden tarkkuustuurnat.

1B225
Fluorin tuotannossa käytettävät elektrolyysikennot, joiden tuotantokapasiteetti on yli 250 g fluoria tunnissa.

1B226
Sähkömagneettiset isotooppierottimet, jotka on suunniteltu toimimaan tai varusteltu yhdellä tai useilla ionilähteillä, joilla voidaan saada aikaan vähintään 50 mA:n ionisuihkun kokonaisvirta.

Huomautus:

1B226 kohta sisältää erottimet:

a.

Jotka pystyvät rikastamaan pysyviä isotooppeja;

b.

Joissa ionilähteet ja -kerääjät ovat kummatkin magneettikentässä, sekä ne konfiguraatiot, joissa ne ovat kentän ulkopuolella.

1B228
Kryogeeniset vetytislauskolonnit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

a.

Ne on suunniteltu toimimaan 35 K:n (– 238 °C:n) tai sitä alhaisemmissa sisäisissä lämpötiloissa;

b.

Ne on suunniteltu toimimaan 0,5–5 MPa:n sisäisessä paineessa;

c.

Ne on valmistettu joko:

1.

SAE:n (Society of Automotive Engineers International) 300-sarjan vähärikkisestä ruostumattomasta teräksestä, jonka austeniittinen ASTM-standardin (tai vastaavan standardin) mukainen raekokoluku on 5 tai suurempi; tai

2.

Vastaavista kryogeenisistä ja vetyä (H2) kestävistä materiaaleista; ja

d.

Niiden sisähalkaisija on vähintään 30 cm ja 'tehollinen pituus' vähintään 4 m.

Tekninen huomautus:

1B228 kohdassa 'tehollinen pituus' tarkoittaa pakkausmateriaalin aktiivista korkeutta pakatussa kolonnissa tai sisäkosketuslevyjen aktiivista korkeutta pohjakolonnissa.

1B230
Nesteammoniakkiin liuotetun väkevän tai laimean kaliumamidikatalyytin (KNH2/NH3) kierrättämiseen kykenevät pumput, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

a.

Ne ovat ilmatiiviitä (eli hermeettisesti suljettuja);

b.

Niiden pumppausteho on yli 8,5 m3/h; ja

c.

Niillä on jompikumpi seuraavista ominaisuuksista:

1.

Ne on tarkoitettu väkevien (pitoisuus vähintään 1 %) kaliumamidiliuosten kierrättämiseen 1,5–60 MPa:n käyttöpaineella; tai

2.

Ne on tarkoitettu laimeiden (pitoisuus alle 1 %) kaliumamidiliuosten kierrättämiseen 20–60 MPa:n käyttöpaineella.

1B231
Seuraavat tritiumlaitokset ja -tehtaat ja niissä käytettävät laitteet:

a.

Laitokset tai tehtaat, joissa tuotetaan, otetaan talteen, uutetaan, rikastetaan tai käsitellään tritiumia,

b.

Seuraavat tritiumlaitosten tai -tehtaiden laitteet:

1.

Vedyn tai heliumin jäähdytysyksiköt, joissa lämpötila saadaan lasketuksi 23 K:iin (– 250 °C:een) tai alemmaksi ja joiden lämmönpoistokyky on yli 150 W;

2.

Vetyisotooppien varastointijärjestelmät tai vetyisotooppien puhdistusjärjestelmät, joissa varastointiin tai puhdistukseen käytetään metallihydridejä.

1B232
Turbohöyrystimet tai turbohöyrystin-kompressoriyhdistelmät, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:

a.

Ne on tarkoitettu käytettäviksi siten, että ulostulolämpötila on 35 K (– 238 °C) tai alhaisempi; ja

b.

Ne on tarkoitettu tuottamaan vetykaasua vähintään 1 000 kg/h.

1B233
Seuraavat litiumisotooppien erotukseen käytettävät laitokset tai tehtaat ja niissä käytettävät järjestelmät ja laitteet:

a.

Laitokset tai tehtaat litiumisotooppien erottamiseen;

b.

Seuraavat laitteet litiumisotooppien erottamiseen litium-elohopea-amalgaamiprosessin perusteella:

1.

Erityisesti litiumamalgaameja varten suunnitellut pakatut neste-neste-erotuskolonnit;

2.

Elohopea- tai litiumamalgaamipumput,

3.

Litiumamalgaamielektrolyysikennot;

4.

Haihduttimet väkeviä litiumhydroksidiliuoksia varten;

c.

Ioninvaihtojärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu litiumisottoopien erotukseen, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:

d.

Kemialliset vaihtojärjestelmät (joissa käytetään kruunueetteriä, kryptandeja tai lariaattisia eettereitä), jotka on erityisesti suunniteltu litiumisotooppien erotusta varten, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit.

1B234
Voimakkaiden räjähteiden suojarakennukset, -kammiot, -astiat ja muut samanlaiset suojalaitteet, jotka on suunniteltu voimakkaiden räjähteiden tai räjähtävien laitteiden testausta varten ja joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:

Huom.

KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO.

a.

Ne on suunniteltu suojaamaan täysin räjähdykseltä, joka vastaa vähintään 2 kg:aa trinitrotolueenia (TNT); ja

b.

Niissä on elementtejä tai ominaisuuksia, jotka mahdollistavat diagnostisten tai mittaustietojen siirron reaaliaikaisesti tai viiveellä.

1B235
Seuraavat kohdekokoonpanot ja komponentit tritiumin valmistukseen:

a.

Kohdekokoonpanot, jotka on tehty 6-isotoopilla (6Li) rikastetusta litiumista tai jotka sisältävät sitä ja jotka on erityisesti suunniteltu tritiumin valmistukseen säteilytyksellä, mukaan luettuna sisällyttäminen ydinreaktoriin;

b.

Komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu 1B235.a kohdassa määriteltyjä kohdekokoonpanoja varten.

Tekninen huomautus:

Komponentteja, jotka on erityisesti suunniteltu kohdekokoonpanoja varten tritiumin valmistukseen, voivat olla litiumpelletit, tritiumgetterit ja erityispinnoitetut suojakuoret.

1C
Materiaalit

Tekninen huomautus:

Metallit ja metalliseokset:

Ellei toisin säädetä, 1C001-1C012 kohdassa sanat 'metalli' ja 'metalliseos' kattavat seuraavat raa’at ja puolivalmistemuodot:

Raa’at muodot:

Anodit, harkot, kanget (mukaan lukien lovetut kanget ja lankaharkot), valanteet, lohkareet, raakatangot, briketit, katodit, kiteet, kuutiot, rouheet, jyväset, valuharkot, kokkareet, pelletit, raakametalliharkot, pulveri, sulakuoret, valurakeet, valssausaihiot, puristusharkot, sieni, sauvat;

Puolivalmistemuodot (riippumatta siitä, ovatko ne pinnoitettuja, päällystettyjä, porattuja tai lävistettyjä):

a.

Taotut tai työstetyt materiaalit, jotka on valmistettu valssaamalla, vetämällä, suulakepuristamalla, takomalla, kylmäpursottamalla, meistämällä, rouhimalla, hiventämällä ja jauhamalla, so. kulmakiskot, kourut, pyörylät, kiekot, pöly, hiutaleet, foliot ja ohutlevy, taos, levy, pulveri, puristeet ja meistot, nauha, renkaat, tangot (mukaan lukien paljaat hitsauslangat, valssilangat ja valssivanungit), muotometallit, profiilit, levyt ja putket (mukaan lukien putkikehät, neliökanget ja ontot palkit), vedetyt tai puristetut langat;

b.

Valettu materiaali, joka on tuotettu valamalla hiekka-, suulake-, metalli-, kipsi- tai muun tyyppisellä muotilla, mukaan lukien korkeapainevalokset, sintratut muodot ja pulverimetallurgialla aikaansaadut muodot.

Valvonnan tavoitetta ei tule kumota viemällä muita kuin lueteltuja muotoja, joiden väitetään olevan lopullisia tuotteita, vaikka ne käytännössä ovat raakoja muotoja tai puolivalmistemuotoja.

1C001
Seuraavat sähkömagneettista säteilyä absorboiviksi erityisesti suunnitellut materiaalit tai itseisjohtavat polymeerit:

Huom.

KATSO MYÖS 1C101 KOHTA.

a.

Materiaalit, jotka absorboivat yli 2 × 108 mutta alle 3 × 1012 hertsin taajuuksia;

Huomautus 1:

1C001.a kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi:

a.

Luonnon- tai synteettisistä kuiduista rakentuvia hiustyyppisiä absorboivia materiaaleja, joiden absorptiokyky on saatu aikaan ei-magneettisella täyteaineella;

b.

Absorboivia materiaaleja, joilla ei ole lainkaan magneettista häviötä ja joiden kohtauspinta ei ole muodoltaan taso, mukaan lukien pyramidi-, kartio-, kiila- sekä poimuiset pinnat;

c.

Tasopintaisia absorboivia materiaaleja, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Ne on valmistettu:

a.

Taipuisista tai jäykistä vaahtomuoveista, joissa täyteaineena on hiili, tai orgaanisista materiaaleista, mukaan luettuna sideaineet, jotka antavat metalliin verrattuna yli 5 %:n kaiun kaistalla, joka on yli ± 15 % kohtaavan energian keskitaajuudesta, ja jotka eivät kestä yli 450 K:n (177 °C:n) lämpötiloja; tai

b.

Keraamisista materiaaleista, jotka antavat metalliin verrattuna yli 20 %:n kaiun kaistalla, joka on yli ± 15 % kohtaavan energian keskitaajuudesta, ja jotka eivät kestä yli 800 K:n (527 °C:n) lämpötiloja;

Tekninen huomautus:

Sovellettaessa 1C001.a kohdan huomautusta 1.c.1 absorptiotestinäytteiden on oltava neliöitä, joiden sivun pituus on vähintään 5 keskitaajuuden aallonpituutta, ja ne on asetettava säteilevän elementin kaukokenttään.

2.

Niiden vetolujuus on alle 7 × 106 N/m2; ja

3.

Niiden puristuslujuus on alle 14 × 106 N/m2;

d.

Sintratusta ferriitistä valmistetut tasopintaiset absorboivat materiaalit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Niiden ominaispaino on yli 4,4; ja

2.

Niiden maksimitoimintalämpötila on enintään 548 K (275 °C);

e.

Tasopintaiset absorboivat materiaalit, joilla ei ole lainkaan magneettista häviötä ja jotka on valmistettu 'avosoluvaahdosta' (muovimateriaalista), jonka tiheys on 0,15 g/cm3 tai vähemmän.

Tekninen huomautus:

Sovellettaessa 1C001.a. kohdan huomautusta 1.e 'avosoluvaahdot' ovat joustavia ja huokoisia materiaaleja, joiden sisärakennetta ei ole suljettu ilmalta. 'Avosoluvaahtoja' kutsutaan myös verkkovaahdoiksi.

Huomautus 2:

Mikään 1C001.a kohtaa koskevassa huomautuksessa 1 ei vapauta maaliin sisällytettyjä magneettisia materiaaleja, joiden tarkoitus on tehdä se absorbtiokykyiseksi.

b.

Materiaalit, jotka eivät läpäise näkyvää valoa ja jotka on erityisesti suunniteltu absorboimaan lyhytaaltoista infrapunasäteilyä, jonka aallonpituus on yli 810 nm mutta alle 2 000 nm (taajuudet yli 150 THz mutta alle 370 THz);

Huomautus:

1C001.b. kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi materiaaleja, jotka on erityisesti suunniteltu tai muodostettu seuraavia sovelluksia varten:

a.

Polymeerien "laser" merkintä; tai

b.

Polymeerien "laser" hitsaus;

c.

Itseisjohtavat polymeerimateriaalit, joiden 'kokonaissähkönjohtokyky' on yli 10 000 S/m (siemensiä metriä kohti) tai 'pintaresistiivisyys' on alle 100 ohmia/m2, ja jotka perustuvat johonkin seuraavista polymeereistä:

1.

Polyaniliini;

2.

Polypyroli;

3.

Polytiofeeni;

4.

Polyfenyleenivinyleeni; tai

5.

Polytienyleenivinyleeni.

Huomautus:

1C001.c kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi nestemäisessä muodossa olevia materiaaleja.

Tekninen huomautus:

Sovellettaessa 1C001.c kohtaa 'kokonaissähkönjohtokyky' ja 'pintaresistiivisyys' on määriteltävä ASTM-standardin D-257 tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti.

1C002
Seuraavat metalliseokset, metalliseosjauheet tai seostetut materiaalit:

Huom.

KATSO MYÖS 1C202 KOHTA.

Huomautus:

1C002 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi metalliseoksia, metalliseosjauheita tai seostettuja materiaaleja, jotka on erityisesti muodostettu pinnoitustarkoituksiin.

Tekninen huomautus:

Sovellettaessa 1C002 kohtaa metalliseokset ovat niitä, joissa mainitun metallin painoprosentti on suurempi kuin minkään muun aineen.

a.

Seuraavat aluminidit:

1.

Nikkelialuminidit, jotka sisältävät vähintään 15 painoprosenttia alumiinia, enintään 38 painoprosenttia alumiinia ja vähintään yhden lisäseosalkuaineen;

2.

Titaanialuminidit, jotka sisältävät vähintään 10 painoprosenttia alumiinia ja vähintään yhden lisäseosalkuaineen;

b.

Seuraavat metalliseokset, jotka on valmistettu 1C002.c kohdassa määritellyistä jauhe- tai hiukkasmaisista materiaaleista:

1.

Nikkeliseokset, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

'Jännitysmurtumaikä' on vähintään 10 000 tuntia 923 K:n (650 °C:n) lämpötilassa rasituksen ollessa 676 MPa; tai

b.

'Low cycle -väsymisikä' on vähintään 10 000 jaksoa 823 K:n (550 °C:n) lämpötilassa maksimirasituksen ollessa 1 095 MPa;

2.

Niobiumseokset, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

'Jännitysmurtumaikä' on vähintään 10 000 tuntia 1 073 K:n (800 °C:n) lämpötilassa rasituksen ollessa 400 MPa; tai

b.

'Low cycle -väsymisikä' on vähintään 10 000 jaksoa 973 K:n (700 °C:n) lämpötilassa maksimirasituksen ollessa 700 MPa;

3.

Titaaniseokset, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

'Jännitysmurtumaikä' on vähintään 10 000 tuntia 723 K:n (450 °C:n) lämpötilassa rasituksen ollessa 200 MPa; tai

b.

'Low cycle -väsymisikä' on vähintään 10 000 jaksoa 723 K:n (450 °C:n) lämpötilassa maksimirasituksen ollessa 400 MPa;

4.

Alumiiniseokset, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Vetolujuus on vähintään 240 MPa lämpötilan ollessa 473 K (200 °C); tai

b.

Vetolujuus on vähintään 415 MPa lämpötilan ollessa 298 K (25 °C);

5.

Magnesiumseokset, joilla on kaikki seuraavista ominaisuudet:

a.

Vetolujuus on vähintään 345 MPa; ja

b.

Syöpymisnopeus on alle 1 mm/vuosi 3-prosenttisessa natriumkloridin vesiliuoksessa mitattuna ASTM-standardin G-31 tai vastaavan kansallisen standardin mukaisesti;

Tekniset huomautukset:

Sovellettaessa 1C002.b kohtaa:

1.

'Jännitysmurtumaikä' mitataan ASTM-standardin E-139 tai vastaavien standardien mukaisesti.

2.

'Low cycle -väsymisikä' mitataan ASTM-standardin E-606 'Recommended Practice for Constant-Amplitude Low-Cycle Fatigue Testing' mukaisesti tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti. Testauksen tulee olla aksiaalinen, keskimääräisen jännityssuhteen 1 ja jännityksen keskityskertoimen (Kt) 1. Keskimääräinen jännityssuhde määritellään maksimijännityksen ja minimijännityksen erotuksen sekä maksimijännityksen osamääränä.

c.

Metalliseosjauhe- tai hiukkasmaiset materiaalit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Ne on tehty jostakin seuraavista seossysteemeistä:

Tekninen huomautus:

Sovellettaessa 1C002.c.1 kohtaa X tarkoittaa yhtä tai useampaa seosalkuainetta.

a.

Nikkeliseokset (Ni-Al-X, Ni-X-Al), jotka ovat turbiinimoottorien osiksi sopivia eli joissa on alle 3 (valmistusprosessin aikana lisättyä) yli 100 μm:n kokoista epämetallipartikkelia 109 seospartikkelia kohti;

b.

Niobium;Niobiumseokset (Nb-Al-X tai Nb-X-Al, Nb-Si-X tai Nb-X-Si, Nb-Ti-X tai Nb-X-Ti);

c.

Titaaniseokset (Ti-Al-X tai Ti-X-Al);

d.

Alumiiniseokset (Al-Mg-X tai Al-X-Mg, Al-Zn-X tai Al-X-Zn, Al-Fe-X tai Al-X-Fe); tai

e.

Magnesium;Magnesiumseokset (Mg-Al-X tai Mg-X-Al);

2.

Ne on valmistettu kontrolloiduissa olosuhteissa jollakin seuraavista prosesseista:

a.

'Tyhjiöatomisointi';

b.

'Kaasuatomisointi';

c.

'Pyörivä atomisointi';

d.

'Läimäyssammutusmenetelmä';

e.

'Sulakehräys' ja 'jauhatus';

f.

'Sulaerotus' ja 'jauhatus';

g.

'Mekaaninen seostus'; tai

h.

'Plasma-atomisointi'; ja

3.

Ne kykenevät muodostamaan 1C002.a tai 1C002.b kohdassa määriteltyjä materiaaleja.

d.

Seostetut materiaalit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Ne on tehty 1C002.c.1 kohdassa määritellyistä seossysteemeistä;

2.

Ne ovat hienontamattomina hiutaleina, nauhoina tai ohuina tankoina; ja

3.

Ne on tuotettu kontrolloidussa ympäristössä jollakin seuraavista menetelmistä:

a.

'Läimäyssammutusmenetelmä';

b.

'Sulakehräysmenetelmä'; tai

c.

'Sulaerotusmenetelmä'.

Tekniset huomautukset:

Sovellettaessa 1C002 kohtaa:

1.

'Tyhjiöatomisointi' on prosessi, jossa sula metallivirta hajotetaan nopeasti kehittyvän kaasun avulla tyhjiössä pisaroiksi, joiden halkaisija on enintään 500 μm.

2.

'Kaasuatomisointi' on prosessi, jossa sula metalliseosvirta hajotetaan korkeapaineisella kaasuvirtauksella pisaroiksi, joiden halkaisija on enintään 500 μm.

3.

'Pyörivä atomisointi' on prosessi, jossa sula metallivirta tai -lähde hajotetaan keskipakovoimalla pisaroiksi, joiden halkaisija on enintään 500 μm.

4.

'Läimäyssammutus' on prosessi, jossa sula metallivirta 'kiinteytetään nopeasti' jäähdytetyn telan päälle niin, että muodostuu hiutalemainen tuote.

5.

'Sulakehräys' on prosessi, jossa sula metallivirta 'kiinteytetään nopeasti' pyörivän jäähdytetyn telan päälle niin, että muodostuu hiutalemainen, nauhamainen tai sauvamainen tuote.

6.

'Jauhaminen' on prosessi, jossa materiaali hajotetaan hiukkasiksi murskaamalla tai jauhamalla.

7.

'Sulaerotus' on prosessi, jossa nauhamainen metalliseostuote 'kiinteytetään nopeasti' ja erotetaan upottamalla pyörivän jäähdytetyn telan lyhyt segmentti sulaan metalliseoskylpyyn.

8.

'Mekaaninen seostaminen' on seostamisprosessi, jossa alkuaineiden ja perusmetalliseosten jauheet sidostuvat, hajoavat ja sidostuvat uudelleen mekaanisen törmäyksen voimasta. Ei-metallisia hiukkasia voidaan sisällyttää seokseen tarvittavia jauheita lisäämällä.

9.

'Plasma-atomisointi' on prosessi, jossa sula metallivirta tai kiinteä metalli hajotetaan käyttämällä plasmasoihtuja inerttikaasuympäristössä pisaroiksi, joiden halkaisija on enintään 500 μm.

10.

Sovellettaessa 1C002 kohdan teknisiä huomautuksia 'nopea kiinteytys' on prosessi, jossa sula materiaali kiinteytetään 1 000 K/s ylittävillä jäähdytysnopeuksilla.

1C003
Kaikentyyppiset ja -muotoiset magneettiset metallit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

a.

Suhteellinen alkupermeabiliteetti vähintään 120 000 ja paksuus enintään 0,05 mm;

Tekninen huomautus:

Sovellettaessa 1C003.a kohtaa suhteellisen alkupermeabiliteetin mittaus on suoritettava täysin hehkutetuilla materiaaleilla.

b.

Magnetostriktiiviset metalliseokset, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1.

Magnetostriktiivinen saturaatio on yli 5 × 10–4; tai

2.

Magnetomekaaninen kytkentäkerroin (k) on yli 0,8; tai

c.

Amorfiset tai 'nanokiteiset' metalliseosnauhat, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Koostumuksesta vähintään 75 painoprosenttia on rautaa, kobolttia tai nikkeliä;

2.

Magneettisen induktion saturaatio (Bs) on vähintään 1,6 T; ja

3.

Jokin seuraavista:

a.

Nauhapaksuus on enintään 0,02 mm; tai

b.

Ominaisresistanssi on vähintään 2 × 10–4 ohmi cm.

Tekninen huomautus:

Sovellettaessa 1C003.c kohtaa 'nanokiteiset' materiaalit ovat sellaisia materiaaleja, joiden röntgendiffraktiolla määritelty kideraekoko on enintään 50 nm.

1C004
Uraani-titaaniseokset tai volframiseokset, joilla on rauta-, nikkeli- tai kuparipohjainen "matriisi" ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

a.

Tiheys on yli 17,5 g/cm3;

b.

Elastisuusraja on yli 880 MPa;

c.

Murtovetolujuus on yli 1 270 MPa; ja

d.

Venymä on yli 8 %.

1C005
Seuraavat yli 100 m pitkät tai yli 100 g:n painoiset "suprajohtavat" "komposiitti"johtimet:

a.

"Suprajohtavat""komposiitti"johtimet, jotka sisältävät yhden tai useamman niobium-titaani 'filamentin' ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Ne on istutettu muuhun "matriisiin" kuin kupari- tai kuparipohjaiseen "matriisiin"; ja

2.

Niiden poikkileikkauksen pinta-ala on alle 0,28 × 10–4 mm2 (pyöreiden 'filamenttien' halkaisija on alle 6 μm);

b.

Yhdestä tai useammasta, muusta kuin niobium-titaanista valmistetusta "suprajohtavasta"'filamentista' koostuvat "suprajohtavat""komposiitti"johtimet:

1.

Joiden "kriittinen lämpötila" magneettisen induktion nollapisteessä on yli 9,85 K (– 263,31 °C); ja

2.

Jotka pysyvät "suprajohtavassa" tilassa 4,2 K:n (– 268,96 °C) lämpötilassa, kun ne asetetaan magneettikenttään, joka on suunnattu mihin tahansa suuntaan kohtisuorassa johtimen pituusakseliin nähden ja jonka magneettinen induktio on 12 T siten, että kriittisen virran tiheys on yli 1 750 A/mm2 johtimen kokonaispoikkileikkauksen kohdalla;

c.

"Suprajohtavat""komposiitti"johtimet, jotka koostuvat yhdestä tai useammasta "suprajohtavasta"'filamentista' ja jotka pysyvät "suprajohtavassa" tilassa yli 115 K:n (– 158,16 °C:n) lämpötilassa.

Tekninen huomautus:

Sovellettaessa 1C005 kohtaa 'filamentit' voivat olla langan, sylinterin, kalvon tai nauhan muodossa.

1C006
Seuraavat nesteet ja voiteluaineet:

a.

Ei käytössä;

b.

Voiteluaineet, jotka sisältävät perusainesosanaan fenyleeni- tai alkyylifenyleenieettereitä tai tioeettereitä tai niiden seoksia, jotka sisältävät enemmän kuin kaksi eetteri- tai tioeetterifunktiota tai niiden seosta;

c.

Höyrystys- tai vaahdotusnesteet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1.

Niiden puhtaus on yli 99,8 %;

2.

Ne sisältävät 100 millilitrassa alle 25 vähintään 200 μm:n kokoista partikkelia; ja

3.

Ne on valmistettu vähintään 85-prosenttisesti jostakin seuraavista:

a.

Dibromitetrafluorietaani (CAS 25497-30-7, 124-73-2, 27336-23-8);

b.

Polyklooritrifluorietyleeni (vain öljyiset tai vahamaiset muunnokset); tai