ISSN 1725-5082

Euroopa Liidu

Teataja

L 74

European flag  

Eestikeelne väljaanne

Õigusaktid

49. köide
13. märts 2006


Sisukord

 

I   Aktid, mille avaldamine on kohustuslik

Lehekülg

 

*

Nõukogu määrus (EÜ) nr 394/2006, 27. veebruar 2006, millega muudetakse ja ajakohastatakse määrust (EÜ) nr 1334/2000, millega kehtestatakse ühenduse kord kahesuguse kasutusega kaupade ja tehnoloogia ekspordi kontrollimiseks

1

ET

Aktid, mille peakiri on trükitud harilikus trükikirjas, käsitlevad põllumajandusküsimuste igapäevast korraldust ning nende kehtivusaeg on üldjuhul piiratud.

Kõigi ülejäänud aktide pealkirjad on trükitud poolpaksus kirjas ja nende ette on märgitud tärn.


I Aktid, mille avaldamine on kohustuslik

13.3.2006   

ET

Euroopa Liidu Teataja

L 74/1


NÕUKOGU MÄÄRUS (EÜ) nr 394/2006,

27. veebruar 2006,

millega muudetakse ja ajakohastatakse määrust (EÜ) nr 1334/2000, millega kehtestatakse ühenduse kord kahesuguse kasutusega kaupade ja tehnoloogia ekspordi kontrollimiseks

EUROOPA LIIDU NÕUKOGU,

võttes arvesse Euroopa Ühenduse asutamislepingut, eriti selle artiklit 133,

võttes arvesse komisjoni ettepanekut,

ning arvestades järgmist:

(1)

Määruse (EÜ) nr 1334/2000 (1) kohaselt tuleb kahesuguse kasutusega kaupade (sealhulgas tarkvara ja tehnoloogia) eksporti ühendusest tõhusalt kontrollida.

(2)

Selleks et liikmesriigid ja ühendus saaksid täita oma rahvusvahelisi kohustusi, on kõnealuse määruse I lisas esitatud kõnealuse määruse artiklis 3 osutatud kahesuguse kasutusega kaupade ja tehnoloogia ühine loetelu, mille abil teostatakse kahesuguse kasutusega kaupade rahvusvaheliselt kokkulepitud kontrolli, mis hõlmab Wassenaari kokkulepet, raketitehnoloogia kontrollrežiimi (MTCR), tuumatarneriikide gruppi (NSG), Austraalia gruppi ja keemiarelvade keelustamise konventsiooni (CWC).

(3)

Kõnealuse määruse artiklis 11 on sätestatud, et I ja IV lisas esitatud kahesuguse kasutusega kaupade loetelusid ajakohastatakse kooskõlas selliste ülesannete ja kohustustega ning nende võimalike muudatustega, mida iga liikmesriik on võtnud tuumarelva leviku tõkestamise rahvusvahelise korra ja ekspordi kontrollimise korra raames või asjakohaste rahvusvaheliste lepingute ratifitseerimise tulemusel.

(4)

Kõnealuse määruse I ja IV lisa tuleb muuta, et võtta arvesse muudatusi, mis Wassenaari kokkuleppe täiskogu, Austraalia rühm, raketitehnoloogia kontrollrežiimi rühm ja NSG on vastu võtnud pärast määrusega (EÜ) nr 1504/2004 tehtud muudatusi.

(5)

Et eksporti kontrollivatel asutustel ja ettevõtjatel oleks lihtsam viidetest aru saada, tuleks avaldada nimetatud määruse lisade ajakohastatud ja konsolideeritud versioon.

(7)

Seepärast tuleks määrust (EÜ) nr 1334/2000 vastavalt muuta,

ON VASTU VÕTNUD KÄESOLEVA MÄÄRUSE:

Artikkel 1

Määruse (EÜ) nr 1334/2000 lisad asendatakse käesoleva määruse lisa tekstiga.

Artikkel 2

Käesolev määrus jõustub 30. päeval pärast selle avaldamist Euroopa Liidu Teatajas.

Käesolev määrus on tervikuna siduv ja vahetult kohaldatav kõikides liikmesriikides.

Brüssel, 27. veebruar 2006

Nõukogu nimel

eesistuja

U. PLASSNIK


(1)  EÜT L 159, 30.6.2000, lk 1. Määrust on viimati muudetud määrusega (EÜ) nr 1504/2004 (ELT L 281, 31.8.2004, lk 1).


LISA

I LISA

KAHESUGUSE KASUTUSEGA KAUPADE JA TEHNOLOOGIA LOETELU

(vastavalt määruse (EÜ) nr 1334/2000 artiklile 3)

Käesoleva loeteluga teostatakse kahesuguse kasutusega kaupade rahvusvaheliselt kokkulepitud kontrolli, mis hõlmab Wassenaari kokkulepet, raketitehnoloogia kontrollrežiimi (MTCR), tuumatarnijate gruppi (NSG), Austraalia gruppi ja keemiarelvade konventsiooni (CWC). Arvesse ei ole võetud neid kaupu, mida liikmesriigid on soovinud lülitada välistavasse loetelusse. Arvesse ei ole võetud mis tahes siseriiklikke kontrollimisi (valitsusvälise päritoluga kontrollimised), mida liikmesriigid võivad jätkata.

ÜLDMÄRKUSED I LISA KOHTA

1.

Sõjaliseks kasutuseks ettenähtud või kohandatud kaupade kontrolli osas vaadake üksikute liikmesriikide sõjaliste kaupade kontrollimist käsitlevaid loetelusid. Käesolevas lisas esinevad viited VT KA SŌJALISTE KAUPADE NIMEKIRJA osutavad nimetatud loeteludele.

2.

Käesolevas lisas käsitletud kontrollimiste eesmärki ei tohiks kahjustada kontrolli alla mittekuuluvate mis tahes kaupade (kaasa arvatud tehas) ekspordiga, mis sisaldavad üht või mitut kontrolli alla kuuluvat komponenti, kusjuures kontrolli alla kuuluv komponent või komponendid on kaupade põhiliseks koostisosaks ja seda (neid) on võimalik kergesti eraldada või kasutada muudel eesmärkidel.

NB! Otsustades, kas kontrolli alla kuuluvat komponenti või komponente võib pidada põhiliseks koostisosaks, on vaja kaaluda koguse, väärtuse ja tehnoloogilise oskusteabega seotud tegureid ning muid eriasjaolusid, mis võiksid määrata kontrolli alla kuuluva komponendi või komponendid hangitavate kaupade põhiliseks koostisosaks.

3.

Käesolevas lisas määratletud kaubad hõlmavad nii uusi kui ka kasutatud kaupu.

TUUMATEHNOLOOGIAT KÄSITLEV MÄRKUS (NTN)

(Lugeda koos 0. kategooria E osaga.)

0. kategoorias kontrollitud kaupadega otseselt seotud tehnoloogiat kontrollitakse vastavalt 0. kategooria sätetele.

Tehnoloogia, mis on ette nähtud kontrolli alla kuuluvate kaupade arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks, jääb kontrolli alla kuuluvaks ka siis, kui seda kohaldatakse kontrolli alla mittekuuluvate kaupade suhtes.

Kaupade lubamine ekspordiks annab loa eksportida samale lõppkasutajale ka minimaalse tehnoloogia, mis on vajalik kõnealuste kaupade paigaldamiseks, kasutamiseks, hoolduseks ja remondiks.

Tehnosiirde kontrollimisi ei kohaldata üldkasutatava teabe või fundamentaalteaduslike uuringute suhtes.

ÜLDMÄRKUS TEHNOLOOGIA KOHTA (GTN)

(Lugeda koos 1.–9. kategooria E osaga.)

Sellise tehnoloogia eksporti, mis on vajalik 1.–9. kategoorias nimetatud kontrolli alla kuuluvate kaupade arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks, kontrollitakse 1.–9. kategooria sätete kohaselt.

Tehnoloogia, mis on vajalik kontrolli alla kuuluvate kaupade arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks, jääb kontrolli alla kuuluvaks ka siis, kui seda kohaldatakse kontrolli alla mittekuuluvate kaupade suhtes.

Kontrolli ei kohaldata sellise tehnoloogia suhtes, mis on minimaalselt vajalik selliste kaupade paigaldamiseks, kasutamiseks, hoolduseks (kontrolliks) ja remondiks, mis ei kuulu kontrolli alla või mille eksport on lubatud.

NB! See ei vabasta kontrolli alla kuulumisest punktides IE002.e, IE002.f, 8E002.a ja 8E002.b määratletud vastavat tehnoloogiat.

Tehnosiirde kontrolli ei kohaldata üldkasutatavateabe või fundamentaalteaduslike uuringute või patenditaotluste tegemiseks vajaliku miinimumteabe suhtes.

ÜLDMÄRKUS TARKVARA KOHTA (GSN)

(Käesolev märkus on ülimusliku iseloomuga kõigi 0.–9. kategooria D osas loetletud kontrollimiste suhtes.)

Käesoleva loetelu 0.–9. kategoorias ei kontrollita tarkvara, mis on:

a.

üldiselt avalikkusele kättesaadav, kuna:

1.

seda müüakse varudest jaemüügikohtades piiramatult järgmistel viisidel:

a.

käsimüügi teel;

b.

postimüügi teel;

c.

elektrooniliste tehingute teel või

d.

telefonimüügi teel; ning

2.

nad on ette nähtud paigaldamiseks kasutaja oma jõududega, ilma tarnija olulise abita; või

NB! Tarkvara üldmärkuse punkt a ei vabasta kontrolli alla kuulumisest 5. kategooria 2. osas määratletud tehnoloogiat (Infoturve).

b.

üldkasutatav.

KÄESOLEVAS LISAS KASUTATUD MÕISTED

Allajoonitud terminite definitsioonid on antud vastava kauba tehnilises märkuses.

Kursiivkirjas (ja jutumärkides) olevate terminite definitsioonid on järgmised:

NB! Viide kategooria kohta on märgitud defineeritava mõiste järele sulgudesse.

 

Täpsus (Accuracy) (2 6) – väljendab antud väärtuse maksimaalset positiivset või negatiivset kõrvalekallet tunnustatud standardi märgitud väärtusest või tegelikust väärtusest; enamasti mõõdetakse ebatäpsuse kaudu.

 

Lennujuhtimise aktiivsüsteemid (Active flight control systems) (7) – lennujuhtimise süsteemid, mille ülesandeks on vältida õhusõidukite ja rakettide soovimatuid liikumisi või soovimatuid kerestruktuuri koormusi, käsitledes autonoomselt paljudelt anduritelt tulevat teavet ning andes vajalikud ennetavad juhtimiskäsud automaatjuhtimisele.

 

Aktiivpiksel (Active pixel) (6 8) – väikseim tahkismassiivi (üksik) element, millel on fotoelektriline ülekandefunktsioon valguskiirguse (elektromagnetiline kiirgus) kasutamisel.

 

Kohandatud kasutamiseks sõja tingimustes (Adapted for use in war) (1) – tähendab igat muudatust või eesmärgipärast valikut (nt puhtuse, säilivusaja, virulentsuse, levimisomaduste või ultraviolettkiirguskindluse muutmine), mille sihiks on inim- ja loomkaotuste tekitamise efektiivsuse tõstmine, vigastades seadmeid või kahjustades viljasaaki või keskkonda.

 

Õhusõiduk (Aircraft) (1 7 9) – kas jäigatiivaline, muudetava tiivakujuga, pöörleva tiivaga (helikopter), kaldrootoriga või kaldtiivaga lennuaparaat.

NB! Vt ka ‧tsiviilõhusõiduk‧.

 

Kõik olemasolevad kompensatsioonid (All compensations available) (2) – võetakse arvesse kõik valmistaja käsutuses olevad võimalikud meetmed konkreetse tööpingi kõigi süstemaatiliste positsioneerimisvigade minimeerimiseks.

 

ITU poolt eraldatud (Allocated by ITU) (3 5) – sagedusribade eraldamine vastavalt Rahvusvahelise Telekommunikatsiooni Liidu (ITU) kehtivatele raadioside-eeskirjadele esmastele, lubatud ja teisestele teenustele.

NB! Ei hõlma täiendavaid ja alternatiivseid eraldusi.

 

Pöördenurga hälve (Angular position deviation) (2) – maksimaalne erinevus osutatud pöördenurga ja tegeliku, eriti täpselt mõõdetud pöördenurga vahel, kui pöördlaua töödeldava detaili alus on oma algasendist ära pööratud (vt VDI/VDE 2617 visand: Rotary table on coordinate measuring machines ).

 

Asümmeetriline algoritm (Asymmetric algorithm) (5) – kodeerimisalgoritm, mis kasutab kodeerimiseks ja dekodeerimiseks erinevaid matemaatiliselt omavahel seotud võtmeid.

NB!"Asümmeetrilise algoritmi" tavaline kasutus seisneb võtme haldamises.

 

Automaatne sihtmärgi järgimine (Automatic target tracking) (6) – andmetöötlustehnika, mis automaatselt määrab ning väljastab reaalajas sihtmärgi kõige tõenäolisema asukoha ekstrapoleeritud väärtuse.

 

Hilistus põhiventiilis levimisel (Basic gate propagation delay time) (3) – hilinemine levimisel, mis vastab monoliit-integraallülituses kasutatud põhivärati viivitusele. Monoliit-integraallülituste perekonnale võib seda määratleda kas kui viivitust levimisel teatud perekonna tüüpilises ventiilis või kui tüüpilist viivitust levimisel ventiili kohta teatud perekonna sees.

NB! 1: ‧Hilistus põhiventiilis levimisel‧ ei tohi segi ajada ‧monoliit-integraallülituse‧ kompleksse sisend-/ väljundviivitusega.

NB! 2: Perekond sisaldab kõiki integraallülitusi, millistele kõik alljärgnev on rakendatud kui tootmismetoodikad ja spetsifikatsioonid, arvesse võtmata nende konkreetseid funktsioone:

a.

ühtne riistvara ja tarkvara arhitektuur,

b.

ühtne konstruktsioon ja tootmistehnoloogia ning

c.

ühtsed põhiparameetrid.

 

Fundamentaalteaduslikud uuringud (Basic scientific research) (GTN NTN) – eksperimentaalne või teoreetiline töö, mida teostatakse põhiliselt uute teadmiste saamiseks nähtustest või vaadeldud faktide fundamentaalsetest põhimõtetest, ning mis ei ole otseselt suunatud mingi praktilise rakenduse või eesmärgi saavutamiseks.

 

Kiirendusmõõtur (Accelerometer) (7) – tähendab kiirendusmõõturi väljundi väärtust, kui kiirendust ei rakendata.

 

Aksiaallõtk (Camming) (2) – teljesuunaline nihe peavõlli ühe pöörde jooksul, mõõdetuna peavõlli plaanseibiga risti asetseval tasapinnal punktis, mis on lähim peavõlli plaanseibile (vt ISO 230/1 1986, lõik 5.63).

 

Süsinikkiu eelvormid (Carbon fibre preforms) (1) – kaetud või katmata kiu reeglipärast asetust, mis on kavandatud moodustama detaili tugikarkassi enne põhimassi sisseviimist komposiidi moodustamiseks.

 

CE – vt arvutuselement.

 

CEP (samavõrdne tõenäosusring) (Circle of equal probability) (7) – täpsuse mõõt; märklauale tsentreeritud sellise spetsiifilise ulatusega ringi raadius, millesse jääb 50 % lõhkelaengu mõjust.

 

Kemolaser (Chemical laser) (6) – laser, millel ergastatud osakesed tekitatakse keemilisel reaktsioonil vabanenud energia arvel.

 

Keemiline segu (Chemical mixture) (1) – tahke, vedel või gaasiline toode, mis koosneb kahest või enamast komponendist, mis ei reageeri üksteisega segu säilitamise tingimustes.

 

Õhuvoolu abil juhitud pöörlemisvastane või õhuvoolu abil juhitud suunajuhtimise süsteem (Circulation-controlled anti-torque or circulation controlled direction control systems) (7) – süsteemid, mis kasutavad õhu voolu piki aerodünaamilisi pindu, et tugevdada või juhtida pinnale tekitatud jõude.

 

Tsiviilõhusõidukid (Civil aircraft) (1 7 9) – need õhusõidukid, mis on loendatud kasutusotstarbe järgi tsiviillennunduse ameti poolt avaldatud lennukõlblikkuse sertifitseerimise nimekirjas, lendamiseks sisemaistel ja välismaistel tsiviilkaubanduslikel marsruutidel või seaduslikuks kasutamiseks tsiviil-, era- ja ärilisel otstarbel.

NB! Vt ka ‧õhusõiduk‧.

 

Segatud (Commingled) (1) – kiudude segu termoplastsetest kiududest ja tugevduskiududest, kiukujulise tugevduskiu ja põhiaine segu tootmiseks.

 

Peenestamine (Comminution) (1) – materjali muutmine osakesteks purustamise või jahvatamise teel.

 

Ühiskanaliga signaalimine (Common channel signalling) (5) – signaalimisviis, mille korral üks kanal vahendajate vahel vahendab märgistatud sõnumite abil signaalteateid ühenduste või kõnede arvu kohta ning muud informatsiooni, mida näiteks kasutatakse võrgu haldamiseks.

 

Teabevahetuskanali kontroller (Communications channel controller) (4) – füüsiline liides, mis juhib sünkroonse või asünkroonse digitaalse info liikumist. Selle sõlme võib liita arvutile või telekommunikatsiooniseadmele, et tagada juurdepääs teabevahetusele.

 

Komposiit (Composite) (1 2 6 8 9) – põhiaine ja sellesse teatud eesmärgil lisatud lisafaas või faasid, mis koosnevad osakestest, niitkristallidest, kiududest või mis tahes nende kombinatsioonist.

 

Ühendatud teoreetiline suutlikkus (Composite theoretical performance) (CTP) (3 4) – arvutussuutlikkuse mõõt, mis esitatakse miljonites teoreetilistes operatsioonides sekundis (Mtops) ning mis on arvutatud arvutuselementide (CE) arvutusvõimsuste ühendamise teel.

NB! Vt 4. kategooria tehnilist märkust.

 

Kombineeritud pöördlauad (Compound rotary table) (2) – laud, mille abil saab töödeldavat detaili pöörata ning kallutada ümber kahe mitteparalleelse telje ning milliseid on võimalik kontuurjuhtimise jaoks samaaegselt koordineerida.

 

Arvutuselement (Computing element) (CE) (4) – tähistab vähimat arvutuslikku ühikut, mis annab aritmeetilise või loogilise tulemuse.

 

Kontuurjuhtimine (Contouring control) (2) – tööorgani kahe või enama liikumise numbriline juhtimine käskudega, mis määravad ära järgmise nõutava asukoha ning vajalikud etteandmiskiirused sellele asukohale siirdumiseks. Neid etteandmiskiirusi varieeritakse üksteise suhtes soovitud kontuuri saavutamiseks (vt ISO/DIS 2806–1980).

 

Kriitiline temperatuur (Critical temperature) (1 3 6) (vahel nimetatud ka üleminekutemperatuuriks) – temperatuur, mille juures konkreetne ülijuhtiv aine kaotab täielikult oma elektrilise takistuse alalisvoolule.

 

Krüptograafia (Cryptography) (5) – teadusharu, mis hõlmab andmete muutmise põhimõtteid, vahendeid ja meetodeid eesmärgiga varjata nende informatiivset sisu, takistada andmete kontrollimatut muutmist või loata kasutamist. Krüptograafia all mõistetakse teabe muutmist, kasutades üht või mitut salajast parameetrit (nt salamuutujad) või nendega seotud võtmete kasutamist.

NB! Salajane parameeter on konstant või võti, mida varjatakse teiste eest või mida teatakse üksnes teatavas rühmas.

 

CTP – tähistab ühendatud teoreetilist suutlikkust.

 

Andmebaasidega toetatavad navigatsioonisüsteemid (Data-Based Referenced Navigation – DBRN) (7) – süsteemid, milles kasutatakse eri allikatest pärinevaid eelnevalt mõõdetud geofüüsikalisi paikkonna koondandmeid, et saada muutuvates tingimustes täpset informatsiooni navigeerimiseks. Allikandmeteks võivad olla mere sügavuskaardid, tähekaardid, gravimeetrilised kaardid, magnetvälja tugevuse kaardid või kolmemõõtmelised digitaalsed maastikukaardid.

 

Deformeeritavad peeglid (Deformable mirrors) (6) (ka kohandatavad optilised peeglid) – peeglid, millel on:

a.

üks pidev optiliselt peegeldav pind, mida saab dünaamiliselt deformeerida, kohaldades üksikuid väändemomente või jõude, et kompenseerida peeglile langeva optilise laine kuju moonutused, või

b.

palju optilisi peegelduvaid elemente, mida on võimalik eraldi ja dünaamiliselt väändemomente või jõude kasutades ümber paigutada, et kompenseerida peeglile langeva optilise laine kuju moonutused.

 

Vaesestatud uraan (Depleted uranium) (0) – uraan, milles isotoobi 235 sisaldus on kahandatud allapoole looduses esinevat taset.

 

Arendus (Development) (GTN NTN kõik) – on seotud kõikide seeriatootmisele eelnevate järkudega, näiteks: toote projektlahendus, projektlahenduse otsing, projektlahenduse analüüs, projektlahenduse põhimõtted, prototüüpide koostamine ja katsetamine, katsetootmiskavad, projektlahenduse andmed, projektlahenduse andmete tooteks muutmise protsess, osade suhtelise paigutuse kavand, terviku moodustamise kavand, skeemid.

 

Difusioonkeevitus (Diffusion bonding) (1 2 9) – vähemalt kahe erineva metalli molekulaarne tahkisliitmine üheks tükiks, mille ühine tugevus on sama suur kui kõige nõrgemal materjalil.

 

Digitaalarvuti (Digital computer) (4 5) – seade, mis ühe või mitme diskreetse muutuja kujul võib teha järgmist:

a.

võtta vastu andmeid;

b.

säilitada andmeid või käske muudetamatus või muudetavas (ülekirjutatavas) salvestusseadmes;

c.

töödelda andmeid salvestatud käsujada abil, mida on võimalik muuta; ning

d.

esitada töödeldud andmeid.

NB! Salvestatud käsujada muutmine hõlmab muudetamatute salvestusseadmete asendamist, kuid mitte füüsilisi muutusi juhtmestikus või ühendustes.

 

Digitaalne edastuskiirus (Digital transfer rate) – mis tahes kandjale edastatud informatsiooni täielik bitikiirus.

NB! Vt ka "täielik digitaalne edastuskiirus".

 

Otsetoimehüdropressimine (Direct-acting hydraulic pressing) (2) – deformeerimisprotsess, milles kasutatakse töödeldava detailiga kontaktis olevat vedeliktäitega elastset rakku.

 

Triivi kiirus (güroskoop) (Drift rate) (7) – güroskoobi väljundi ajast sõltuv hälve soovitud väärtusest. Hälve koosneb juhuslikest ja süstemaatilistest komponentidest ning on väljendatav ekvivalentse sisendnurga nihkega ajaühikus inertsiaalsüsteemi suhtes.

 

Dünaamiline adaptiivne suunamine (Dynamic adaptive routing) (5) – liikluse automaatne suunamine, mis põhineb momendil võrgu aktuaalse seisundi määramisel ning analüüsil.

NB! Siia ei kuulu suunamisotsused, mis on tehtud eelnevalt antud informatsiooni põhjal.

 

Dünaamilised signaalianalüsaatorid (Dynamic signal analysers) (3) – signaalianalüsaatorid, mis kasutavad digitaalset andmekogumis- ja muundustehnikat, et antud lainekuju Fourier’ esitusele lisada ka amplituudi- ja faasiteave.

NB! Vt ka "signaalianalüsaatorid".

 

Lõhustuvate erimaterjalide efektiivgramm (Effective gramme) (0 1) –

a.

plutooniumi isotoopide ja uraan-233 puhul isotoobi kaal grammides;

b.

uraan-235 suhtes 1 % võrra või enam rikastatud uraani puhul elemendi kaal grammides, mis on mõõdetud kaalu ja rikastusastme ruudu korrutisena ja väljendatud kümnendmurruna;

c.

uraan-235 suhtes alla 1 % rikastatud uraani puhul elemendi kaal grammides korrutatuna 0,0001-ga.

 

Elektroonikasõlm (Electronic assembly) (2 3 4 5) – teatud hulk elektroonilisi komponente (st vooluahela elemente, diskreetkomponente, integraallülitusi jne), mis on ühendatud omavahel spetsiifilis(t) e funktsiooni(de) täitmiseks ning mida on võimalik tervikuna asendada ja mis on tavaliselt algkomponentideks lahtiühendatav.

NB! 1: Vooluahela element on vooluahela üksik aktiivne või passiivne funktsionaalne osa, näiteks üks diood, üks transistor, üks takisti, üks kondensaator jne.

NB! 2: Diskreetkomponent on eraldi pakitud vooluahela element, millel on oma välisühendused.

 

Elektrooniliselt formeeritava suunadiagrammiga antenn (Electronically steerable phased array antenna) (5 6) – antenn, mis moodustab kiire faasisidestuse abil, st et kiire suund määratakse kiirgavate elementide omavahel seostatud komplekssete ergastuskoefitsientide kaudu ning kiire tõusunurka ja asimuuti nii koos kui ka eraldivõetuna saab muuta nii ülekande kui ka vastuvõtu korral elektrilise signaali abil.

 

Tööorganid (End-effectors) (2) – tähendab haaratseid, aktiivseid tööriistühikuid ja kõiki muid töövahendeid, mis on kinnitatud roboti manipulaatori otsa kinnitusplaadile.

NB! Aktiivne tööriistühik (active tooling unit) on seade, mille abil rakendatakse töödeldavale detailile liigutavat jõudu, töötlemisenergiat või sondeeritakse seda.

 

Ekvivalenttihedus (Equivalent Density) (6) – optika mass optilise pindalaühiku kohta, mis on projitseeritud optilisele pinnale.

 

Ekspertsüsteemid (Expert systems) (7) – süsteemid, mis esitavad tulemusi, kohaldades eeskirju nende andmete suhtes, mis on salvestatud programmist sõltumatult ning millel on järgmised omadused:

a.

muudavad automaatselt kasutaja antud lähtekoodi;

b.

tekitavad teavet mingi kvaasi-loomuliku keele probleemide kohta või

c.

omandavad enda arenguks vajalikke teadmisi (sümbolite õppimine).

 

FADEC (full authority digital engine control) – täisautomaatne digitaalne mootori juhtimine.

 

Tõrketaluvus (Fault tolerance) (4) – arvutisüsteemi võime jätkata inimsekkumiseta tööd pärast mis tahes riist- või tarkvarakomponentide tõrget teataval toimimistasemel, mis tagab teatava aja jooksul töötamise pidevuse, andmete säilimise ja toimimistaseme taastumise teatud aja jooksul.

 

Kiud- või niitmaterjalid (Fibrous or filamentary materials) (0 1 2 8) hõlmavad järgmisi materjale:

a.

pidevad monokiud;

b.

pidev lõng ja heie;

c.

paelad, kudumid, reeglipäratud matid ja punutised;

d.

tükeldatud kiud, staapelkiud ja vanutatud viltvaibad;

e.

mis tahes pikkusega monokristallilised või polükristallilised niitkristallid;

f.

aromaatse polüamiidi pulp.

 

Kile-tüüpi integraallülitused (Film type integrated circuit) (3) – vooluahela elementide ja metallist ühendusradade kogu, mis moodustatakse paksude või õhukeste kilede sadestamisega isolatsioonpõhimikule.

NB! Vooluahela element on vooluahela üksik aktiivne või passiivne funktsionaalne osa, näiteks üks diood, üks transistor, üks takisti, üks kondensaator jne.

 

Fikseeritud (Fixed) (5) – kodeerimis- või pakkimisalgoritm ei võta vastu väljastpoolt antud parameetreid (nt šifreerimis- või võtmemuutujaid) ning kasutaja ei saa seda muuta.

 

Lennujuhtimise optiliste andurite massiiv (Flight control optical sensor array) (7) – jaotatud optiliste andurite võrgustik, mis kasutab laserikiiri, et edastada lennujuhtimise andmeid reaalajas pardal töötlemiseks.

 

Lennutrajektoori optimeerimine (Flight path optimisation) (7) – toiming, mis muudab minimaalseks kõrvalekalded soovitud neljamõõtmelisest (aeg ja ruum) trajektoorist ning põhineb sihtülesannete teostuse või efektiivsuse suurendamisel.

 

Fokaaltasandiline massiiv (Focal plane array) (6) – lineaarne või kahemõõtmeline üksikutest detektorelementidest koosnev tasapinnaline kiht või tasapinnaliste kihtide kombinatsioon, koos lugemiselektroonikaga või ilma, mis töötab fokaaltasandil.

NB! Antud definitsioon ei kirjelda üksikute detektorelementide pinu või mingeid kahe-, kolme- või neljaelemendilisi detektoreid eeldusel, et ajaline viivitus ning integreerimine ei ole teostatud elementides.

 

Fraktsionaalne ribalaius (Fractional bandwith) (3) – hetkelise ribalaiuse jagatis selle kesksageduse väärtusega, väljendatuna protsentides.

 

Sagedushüplemine (Frequency hopping) (5) – "hajaspektri" üks kujudest, milles üksiku sidekanali ülekandesagedust muudetakse diskreetselt sammhaaval juhusliku või pseudojuhusliku järjestuse alusel.

 

Sageduse ümberlülitusaeg (Frequency switching time) (3 5) – maksimaalne aeg (st viivitus), mis kulub signaalil, kui lülitutakse ühelt valitud väljundsageduselt teisele väljundsagedusele, et jõuda:

a.

sageduseni, mis erineb lõppsagedusest vähem kui 100 Hz; või

b.

väljundtasemeni, mis erineb lõplikust väljundtasemest vähem kui 1 dB.

 

Sagedussüntesaator (Frequency synthesiser) (3) – mis tahes sagedusallikas või signaaligeneraator, olenemata kasutatavast tehnikast, mis tekitab mitmeid üheaegseid või vahelduvaid väljundsagedusi ühest või mitmest väljundist, mis on juhitud tuletatud või määratud vähema hulga standardsageduste (või põhisageduste) poolt.

 

Täisautomaatne digitaalne mootori juhtimine (Full Authority Digital Engine Control) (FADEC) (7 9) – gaasiturbiini või kombineeritud tsükliga mootori elektroonne juhtimissüsteem, mis kasutab digitaalset arvutit, et juhtida muutujaid, mis on vajalikud mootori veojõu ja võlli väljundvõimsuse reguleerimiseks kogu mootori tööulatuses alates kütuse arvestamisest kuni kütuse sulgemiseni.

 

Gaaspulverisatsioon (Gas atomisation) (1) – protsess, mille käigus sula metallisulamijuga pihustatakse kõrgsurvelise gaasijoaga piiskadeks, mille läbimõõt on 500 mikromeetrit või vähem.

 

Geograafiliselt hajutatud (Geographically dispersed) (6) – olukord, kus iga asukoht asub mis tahes suunas enam kui 1 500 meetri kaugusel igast teisest. Liikuvad andurid loetakse alati geograafiliselt hajutatud olevateks.

 

Juhtimissüsteem (Guidance set) (7) – süsteem, mis ühendab sõiduki asukoha ja kiiruse mõõtmise ning arvutamise protsessi (st navigeerimise) sõiduki lennujuhtimise süsteemile lennu trajektoori korrigeerimiseks käskude arvutamise ja saatmise protsessiga.

 

Kuumisostaattihendamine (Hot isostatic densification) (2) – valu survestamise protsess üle 375 K (102 °C) temperatuuri juures suletud ruumis erinevate keskkondade (gaas, vedelik, tahked osakesed jne) vahendusel, tekitades valule võrdset survet kõigist suundadest, et vähendada või väljutada seal olevaid tühimikke.

 

Hübriidarvuti (Hybrid computer) (4) – seadmed, mis võimaldavad teha järgmist:

a.

võtta vastu andmeid;

b.

töödelda andmeid nii analoog- kui ka digitaalkujul ning

c.

esitada töödeldud andmeid.

 

Hübriidintegraallülitus (Hybrid integrated circuit) (3) – mis tahes integraallülitus(t)e kombinatsioon või integraallülitus, mille vooluahela elemendid või diskreetkomponendid on ühendatud spetsiifiliste funktsioonide täitmiseks ning millel on kõik järgmised omadused:

a.

sisaldab vähemalt üht korpuseta seadet;

b.

ühendamisel on kasutatud tüüpilisi integraallülituste tootmismeetodeid;

c.

on tervikuna asendatav ja

d.

tavaliselt ei ole demonteeritav.

 

NB! 1: Vooluahela element on vooluahela üksik aktiivne või passiivne funktsionaalne osa, näiteks üks diood, üks transistor, üks takisti, üks kondensaator jne.

NB! 2: Diskreetkomponent on eraldi pakitud vooluahela element, millel on oma välisühendused.

 

Pildiväärindus (Image enhancement) (4) – väljastpoolt saadud, informatsiooni sisaldavate piltide töötlemine selliste algoritmidega nagu ajaline kokkusurumine, filtreerimine, väljaeraldamine, väljavalimine, korrelatsioon, konvolutsioon või piirkondadevahelised teisendused (nt Fourier’ kiirteisendus või Walsh’i teisendus). Siia hulka ei ole loetud algoritmid, mis kasutavad ainult üksiku kujutise lineaar- või rotatsioonteisendust nagu translatsioon, piirjoone eraldamine, registreerimine või vale värvimine.

 

Immuunotoksiin (Immunotoxin) (1) – on ühe rakuspetsiifilise monoklonaalse antikeha ja toksiini või toksiini alamühiku konjugaat, mis mõjutab valikuliselt haigeid rakke.

 

Üldkasutatav (In the public domain) (GTN NTN GSN) – siinkohal tähistab tehnoloogiat või tarkvara, mis on tehtud kättesaadavaks, seadmata piiranguid selle edasise levitamise suhtes (autoriõigusega seatud piirangud ei takista tehnoloogiat või tarkvara olemast üldkasutatav).

 

Infoturve (Information security) (4 5) – kõik vahendid ja funktsioonid, mis tagavad info või teabevahetuse kättesaadavuse, konfidentsiaalsuse või terviklikkuse, välja arvatud vahendid ja funktsioonid, mis on ette nähtud kaitseks tõrgete eest. Siia kuuluvad krüptograafia, krüptoanalüüs, kaitse ohustavate lekete eest ja arvutiturve.

NB! Krüptoanalüüs on krüptograafiasüsteemi või selle sisendite ja väljundite analüüs, et kätte saada salamuutujaid või tundlikku teavet, kaasa arvatud selge tekst.

 

Hetkeline ribalaius (Instantaneous bandwidth) (3 5 7) – ribalaius, mille puhul väljundvõimsus jääb 3 dB piirides konstantseks, ilma et peaks kohandama teisi tööparameetreid.

 

Näitepiirkond (Instrumented range) (6) – radari määratletud nägevuspiirkond, milles objektid on ühemõtteliselt eristatavad.

 

Isolatsioon (Insulation) (9) – kasutatakse rakettmootorite komponentide juures, st korpuse, düüsi sisselaskeava, korpusekattes ning kujutab endast isoleerivaid või tulekindlaid lisandeid sisaldavaid kõvastatud või poolkõvastatud kummimassist lehti. Seda võib kasutada ka pakiruumi või stabilisaatorite mehhaanilise pingetustajana.

 

Ühendatud radar-andurid (Interconnected radar sensors) (6) – kaks või enam omavahel ühendatud radar-andurit, mis vahetavad reaalajas vastastikku andmeid.

 

Sisekatend (Interior lining) (9) – siduv sobituskatend tahke kütuse ja kesta või isoleeriva vooderduse vahel. Tavaliselt kuumuskindlate või isoleerivate ainete vedelatel polümeeridel, nagu näiteks süsiniktäitega hüdroksüüliga termineeritud (lõpetatud) polübutadieenil (HTPB) või muul polümeeril põhinev dispersioon, millesse on lisatud tahkestavaid toimeaineid ning mis on pihustatud või kantud kesta sisepinnale.

 

Sisemine magnetvälja gradiomeeter (Intrinsic Magnetic Gradiometer) (6) – üksik magnetvälja gradiendi tajur ning selle juurde kuuluv elektroonika, mille väljundiks on magnetvälja gradiendi mõõt.

NB! Vt ka "magnetgradiomeetrid".

 

Isoleeritud eluskultuurid (Isolated live cultures) (1) – eluskultuurid soikeseisundis ja kuivatatud preparaatidena.

 

Isostaatpressid (Isostatic presses) (2) – seadmed, mille abil on võimalik survestada suletud ruumi erinevate keskkondade abil (gaas, vedelik, tahked osakesed) nii, et selles asuvale töödeldavale detailile või ainele mõjub kõikidest suundadest võrdne rõhk.

 

Laser (Laser) (0 2 3 5 6 7 8 9) – komponentide koost, mis toodab nii ruumiliselt kui ka ajaliselt koherentset valgust, mida võimendab stimuleeritud kiirgusemissioon.

NB! Vt ka:

 

"kemolaser",

 

"hiidvälkelaser",

 

"ülivõimas laser",

 

"siirdelaser".

 

Õhust kergemad õhusõidukid (Lighter-than-air vehicles) (9) – õhupallid ja õhulaevad, mille õhkutõstmiseks kasutatakse kuuma õhku või muid õhust kergemaid gaase, näiteks heeliumi või vesinikku.

 

Lineaarsus (Linearity) (2) (enamasti mõõdetakse mittelineaarsuse kaudu) – maksimaalne tegeliku omaduse (skaala alumiste ja ülemiste näitude keskmine) positiivne või negatiivne kõrvalekalle sirgjoonest, mis on paigutatud selliselt, et võrdsustada ja vähendada maksimaalseid kõrvalekaldeid.

 

Kohtvõrk (Local area network) (4) – andmesidesüsteem, millel on kõik järgmised omadused:

a.

võimaldab mis tahes arvul sõltumatutel andmesideseadmetel üksteisega otse suhelda ning

b.

piirdub mõõduka suurusega geograafilise alaga (nt kontorihoone, tehas, ülikoolilinnak, ladu).

NB! Andmesideseade on seade, millega on võimalik edastada või vastu võtta digitaalset infot.

 

Magnetvälja gradiomeetrid (Magnetic gradiometers) (6) – seadmed, mis on ette nähtud väljaspool seadet ennast olevatest allikatest pärinevate magnetväljade ruumilise erinevuse kindlakstegemiseks. Koosnevad mitmest magnetomeetrist ja nendega seotud elektroonikast, mille väljundiks on magnetvälja gradiendi mõõt.

NB! Vt ka "sisemised magnetvälja gradiomeetrid".

 

Magnetomeetrid (Magnetometers) (6) – seadmed, mis on ette nähtud väljaspool seadet ennast olevatest allikatest tulenevate magnetväljade kindlakstegemiseks. Koosnevad ühest magnetvälja tajurist ja sellega seotud elektroonikast, mille väljundiks on magnetvälja mõõt.

 

Põhimälu (Main storage) (4) – peamine andmete või käskude salvesti, millele keskprotsessoril on kiire juurdepääs. Koosneb digitaalarvuti sisemisest mälust ja selle hierarhilistest laiendustest, näiteks vahemälu või suvapöördusega välismälu.

 

UF6 korrosioonile vastupidavad materjalid (Materials resistant to corrosion by UF6) (0) – võivad olla vask, roostevaba teras, alumiinium, alumiiniumoksiid, alumiiniumisulamid, nikkel või sulam, mis sisaldab niklit 60 % kaalust või rohkem, ja UF6 korrosiooni suhtes vastupidavad fluorosüsivesinikpolümeerid, vastavalt sellele, mis on vajalik eraldusprotsessi liigist lähtuvalt.

 

Põhiaine (Matrix) (1 2 8 9) – oluliselt ühtlane aine faas, mis täidab osakeste, niitkristallide ja kiududevahelise ruumi.

 

Mõõtehälve (Measurement uncertainty) (2) – iseloomustav parameeter, mis 95 % usutavusega määrab ära, missuguses piirkonnas väljundväärtuse ümber mõõdetava muutuja õige väärtus asub. See võtab arvesse korrigeerimata süstemaatilised kõrvalekalded, korrigeerimata lõtku ja juhuslikud kõrvalekalded (vt ISO 10360–2 või VDI/VDE 2617).

 

Mehaaniline legeerimine (Mechanical Alloying) (1) – legeerimisprotsess, mis tekib elementide ja põhisulami pulbrite seostumisel, seose katkemisel ja uuesti seostumisel mehhaanilise põrke tagajärjel. Mittemetallilisi osakesi võib sulamisse segada, lisades vastavaid pulbreid.

 

Sulandi eraldamine (Melt Extraction) (1) – protsess, mille käigus kiirel tahkestamisel eraldatakse paelakujuline metallisulamist toode, mis saadakse pöörleva ja jahutatud lühikese plokisegmendi uputamisel sulametallisulami vanni.

NB! Kiire tahkestamine on sula aine tahkestamine jahutuskiirusega üle 1 000 K/s.

 

Sulandi ketramine (Melt Spinning) (1) – protsess, mille käigus tahkestatakse kiiresti sulametallijuga, mis põrkub vastu pöörlevat jahutatud plokki, tekitades helbe-, paela- või vardakujulisi saadusi.

NB! Kiire tahkestamine on sula aine tahkestamine jahutuskiirusega üle 1 000 K/s.

 

Mikroarvuti mikroskeem (Microcomputer microcircuit) (3) – monoliit-integraallülitus või mitmekiibiline integraallülitus, mis sisaldab aritmeetika-loogikaseadet (ALU), mis on võimeline täitma põhimälus asuvaid üldotstarbelisi käske põhimälus sisalduvate andmete kohta.

NB! Põhimälu võib olla laiendatud välismälu abil.

 

Mikroprotsessor mikroskeem (Microprocessor microcircuit) (3) – monoliit-integraallülitus või mitmekiibiline integraallülitus, mis sisaldab aritmeetika-loogikaseadet (ALU), mis on võimeline täitma välismälus asuvaid üldotstarbelisi käskude jadasid.

NB! 1: "Mikroprotsessor mikroskeem" ei sisalda üldjuhul integraalse komponendina mälu, kuhu kasutajal oleks võimalik pöörduda, kuigi võib kasutada samal kiibil asuvat mälu oma loogiliste funktsioonide täitmiseks.

NB! 2: See definitsioon hõlmab ka kiibikomplekte, mis on kavandatud "mikroprotsessor mikroskeemina" koos toimima.

 

Mikroorganismid (Microorganisms) (1 2) – bakterid, viirused, mükoplasmad, riketsiad, klamüüdiad või seened, nii looduslikult, parandatud või modifitseeritud, kas isoleeritud eluskultuuride või aine kujul, kaasa arvatud elusained, mida on teadlikult nakatatud või saastatud nimetatud kultuuridega.

 

Monoliit-integraallülitus (Monolithic integrated circuit) (3) – passiivsete või aktiivsete või mõlemat liiki vooluahela elementide kombinatsioon, mis:

a.

moodustatakse difusioonimenetluse, sisestusmenetluse või sadestusmenetluse teel ühe pooljuhtmaterjali tüki (nn kiibi) sees või peal;

b.

mida võib käsitleda kui lahutamatut tervikut ning

c.

mis täidab vooluahela ülesannet (ülesandeid).

NB! Vooluahela element on vooluahela üksik aktiivne või passiivne funktsionaalne osa, näiteks üks diood, üks transistor, üks takisti, üks kondensaator jne.

 

Monospektraalsed pildiandurid (Monospectral imaging sensors) (6) – võimelised omandama kujutise andmeid ühest diskreetsest spektriribast.

 

Mitmekiibiline integraallülitus (Multichip integrated circuit) (3) – kaks või enam monoliit-integraallülitust, mis on ühendatud ühisele põhimikule.

 

Mitme andmevoo töötlus (Multi-data-stream processing) (4) – mikroprogramm- või seadmearhitektuuritehnika, mis võimaldab samaaegselt töödelda kaht või enamat andmejada ühe või enama käsujada abil, kasutades seejuures:

a.

ühe käsuvoo ja mitme andmevooga (SIMD) arvutiarhitektuuri nagu vektor- või maatriksprotsessorites;

b.

mitmekordset ühe käsuvoo ja mitme andmevooga (MSIMD) arhitektuuri;

c.

mitme käsuvoo ja mitme andmevooga (MIMD) arhitektuuri, kaasa arvatud need arhitektuurid, mis on tihedalt sidestatud, lähedalt sidestatud või nõrgalt sidestatud, või

d.

struktureeritud töötlevate elementide massiive, kaasa arvatud süstoolsed massiivid.

NB! Mikroprogramm on elementaarsete käskude jada, mida säilitatakse erilises mäluseadmes ja mille täitmise käivitab tema viitekäsu saabumine käsuregistrisse.

 

Multispektraalsed pildiandurid (Multispectral imaging sensors) (6) – võimelised üheaegselt või järjestikku omandama kujutise andmeid kahes või enamas diskreetses spektriribas. Andureid, mis on tundlikud rohkem kui kahekümnes diskreetses spektraalribas, kutsutakse ka hüperspektraalseteks pildianduriteks.

 

Looduslik uraan (Natural uranium) (0) – looduses esinevat isotoopide segu sisaldav uraan.

 

Võrgu juurdepääsu kontroller (Network access controller) (4) – hajutatud teabevõrgu füüsiline liides. See kasutab sama edastusmeediumi, mis töötab kõikjal sama digitaalse edastuskiirusega, kasutades edastamisel arbitreerimist (nt loa või liikluse tuvastust). Sõltumata teistest, valib ta andmepaketid või andmegrupid (nt IEEE 802), mis on talle adresseeritud. Selle sõlme võib liita arvutile või telekommunikatsiooniseadmele, et tagada juurdepääs teabevahetusele.

 

Neuroarvuti (Neural computer) (4) – arvutusseade, mis on konstrueeritud või muudetud jäljendama üksiku neuroni või enamate neuronite käitumist, st arvutusseade, mille riistvaral on võime reguleerida eelnevate andmete põhjal suure hulga arvutuselementide omavaheliste seoste kaalu ja arvu.

 

Müratase (Noise level) (6) – elektrisignaal, mida esitatakse võimsuse spektraaltihedusena. Tippudevaheline müranivoo on esitatud valemina S2 PP = 8N0(f2-f1), kus SPP on signaali tippudevaheline väärtus (nt nanoteslades), N0 on võimsuse spektraaltihedus (nt (nanotesla)2/Hz) ja (f2-f1) tähistab meid huvitavat sagedusriba.

 

Tuumareaktor (Nuclear reactor) (0) – reaktorianumas paiknevad või vahetult selle külge kinnitatud osad, seadmed, mis reguleerivad reaktori südamiku võimsustaset, ning komponendid, mis tavaliselt sisaldavad reaktori südamiku primaarset jahutusainet, puutuvad sellega vahetult kokku või kontrollivad seda.

 

Arvjuhtimine (Numerical control) (2) – sooritatava toimingu automaatjuhtimisseade, mis kasutab tavaliselt toimingu kestel sisestatavaid arvandmeid (vt ISO 2382).

 

Objektkood (Object code) (9) – ühe või mitme protsessi mugava esitusviisi (lähtekoodi (lähtekeele)), seadme poolt täidetav vorm, mis on muundatud programmeerimissüsteemi abil.

 

Optiline võimendamine (Optical amplification) (5) – optilises sides kasutatav võimendustehnika, kus võimendatakse eraldiasetseva optilise allika genereeritud optilisi signaale neid elektrilisteks signaalideks muundamata, st kasutades optilisi pooljuhtvõimendeid, kiudoptilisi luminestsentsvõimendeid.

 

Optiline arvuti (Optical computer) (4) – arvuti, mis on konstrueeritud või kohandatud kasutama andmete esitamiseks valgust ning mille loogilised arvutuselemendid põhinevad omavahel vahetult seotud optilistel lülitustel.

 

Optiline integraallülitus (Optical integrated circuit) (3) – monoliit-integraallülitus või hübriidintegraallülitus, mis sisaldab üht või mitut osa, mis on kavandatud toimima valgusandurina või valguskiirgurina või täitma optilisi või elektro-optilisi funktsioone.

 

Optiline kommuteerimine (Optical switching) (5) – optiliste signaalide marsruutimine või kommuteerimine ilma nende muundamiseta elektrilisteks.

 

Üldine voolutihedus (Overall current density) (3) – mähise amperkeerdude arv (st mähise keerdude arv, mis on korrutatud maksimaalse voolu tugevusega, mis igas keerus voolab) jagatud kogu mähise ristlõikepindalaga (kaasa arvatud ülijuhtivad kiud, metallist maatriksid, milles asuvad ülijuhtivad kiud, kattematerjalid, jahutuskanalid jne).

 

Osalisriik (Participating state) (7 9) – Wassenaari kokkuleppes osalev riik (vt www.wassenaar.org).

 

Tippvõimsus (Peak power) (6) – džaulides väljendatud impulsi energia, mis on jagatud impulsi kestusega sekundites.

 

Personaalne kiipkaart (Personalized smart card) (5) – spetsiifiliseks kasutuseks programmeeritud mikrolülitust sisaldav kiipkaart, mida ei ole võimalik ringi programmeerida muudeks kasutajapoolseteks rakendusteks.

 

Võimsuse juhtimine (Power management) (7) – kõrgusmõõturi lähetatud signaali võimsuse muutmine selliselt, et õhusõidukil kõrgusemõõtmiseks vastuvõetud võimsus oleks alati minimaalne.

 

Rõhuandurid (Pressure transducers) (2) – seadmed, mis muudavad rõhu mõõtmised elektrisignaaliks.

 

Eelnevalt eraldatud (Previously separated) (0 1) – suvaliselt valitud protsessi kasutamine, mille eesmärgiks on jälgitava isotoobi kontsentratsiooni tõstmine.

 

Põhijuhtimine (Primary flight control) (7) – õhusõiduki stabiilsuse ja manöövrite juhtimine, kasutades jõudude/momentide tekitajaid, st aerodünaamilisi juhtpindu või tõukejõu reaktsiooni (vektorjuhtimist).

 

Põhiline koostisosa (Principal element) (4) – 4. kategooria kohaselt on põhilise koostisosaga tegemist siis, kui selle asendamisväärtus on üle 35 % sellise süsteemi koguväärtusest, mille koostisosa see on. Koostisosa väärtus on hind, mida süsteemi valmistaja või koostaja selle koostisosa eest maksab. Koguväärtus on tavapärane rahvusvaheline müügihind, mille eest toimub müük mitteasjaomastele pooltele valmistamiskohas või kaubasaadetise kinnitamisel.

 

Tootmine (GTN NTN kõik) – kõik tootmisetapid, näiteks: konstrueerimine, toote insenerlahendus, valmistamine, integreerimine, montaaž, järelevalve, katsetamine, kvaliteedi tagamine.

 

Tootmisvahendid (Production equipment) (1 7 9) – instrumendid, šabloonid, rakised, tööriistatornid, valuvormid, stantsid, kinnitusvahendid, joondamisseadmed, katseseadmed, muud masinad ning nende osad, mis on eraldi konstrueeritud või modifitseeritud arenduse või tootmise ühe või enama järgu jaoks.

 

Tootmisseadmed (Production facilities) (7 9) – seadmed ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud tarkvara, mis on integreeritud arenduseks mõeldud seadeldistesse või ühte või mitmesse tootmisjärku.

 

Programm (Programme) (2 6) – käskude jada protsessi sooritamiseks elektronarvuti abil kas vahetult täidetaval või täidetavaks muundataval kujul.

 

Impulsi kokkusurumine (Pulse compression) (6) – radari signaalimpulsi kodeerimine ja töötlemine pikaajalisest lühiajaliseks, säilitades kõrge impulsienergia eelised.

 

Impulsi kestus (Pulse duration) (6) – laseri impulsi kestus mõõdetuna impulsi poollaiusena (FWHI) (st impulsi täislaius tema tippintensiivsuse poolkõrgusel).

 

Kvantkrüptograafia (5) – krüptograafia meetodite kogum, milles kodeeringu jagatud võti moodustub mingi füüsikalise süsteemi kvantmehhaaniliste omaduste (sh kvantoptikast, kvantväljateooriast või kvantelektrodünaamikast otseselt tulenevate omaduste) mõõtetulemustest.

 

Hiidvälkelaser (Q-switched laser) (6) – laser, milles pöördasustuses või optilises resonaatoris salvestatud energia kiiratakse salvestusele järgnevalt impulsis.

 

Radari sagedusliikuvus (Radar frequency agility) (6) – mis tahes tehnika, mis muudab pooljuhuslikus järjestuses radari impulss-saatja kandesagedust impulsside või impulsigruppide vahel vähemalt samavõrra kui impulsi ribalaius või rohkem.

 

Radari hajaspekter (Radar spread spectrum) (6) – hajutab suhteliselt kitsa sagedusribaga signaali energia oluliselt laiemale sagedusribale, kasutades juhuslikku või pooljuhuslikku kodeerimist.

 

Reaalajaline ribalaius (Real-time bandwidth) (2 3) – dünaamiliste signaalianalüsaatorite kõige laiem sageduspiirkond, mille juures analüsaator on veel võimeline tulemusi näitama või salvestama mällu, põhjustamata seejuures sissetulevate andmete analüüsi katkestusi. Enama kui ühe kanaliga analüsaatorite korral tuleb arvutustes kasutada sellist kanalikonfiguratsiooni, mille puhul saavutatakse kõige laiem reaalajaline ribalaius.

 

Reaalajas töötlemine (Real time processing) (6 7) – andmetöötlus arvutisüsteemis, mis tagab nõutava teenindustaseme garanteeritud kosteajaga, sõltudes olemasolevatest vahenditest ja olenemata süsteemi koormusest, kui see teenus on käivitatud mingi välise sündmuse poolt.

 

Nõuetekohane (Required) (GTN 1-9) – kasutatuna koos sõnadega "tehnoloogia" või "tarkvara", tähendab üksnes seda tehnoloogia või tarkvara osa, mis peab tagama kontrollitud toimimistaseme, näitajate või funktsioonide saavutamise või laiendamise. Sellist nõuetekohast tehnoloogiat või tarkvara võivad omavahel jagada mitmed tooted.

 

Eraldusvõime (Resolution) (2) – mõõteseadme väikseim inkrement; digitaalsetes mõõteseadmetes väikseim väärtust omav bitt (vt ANSI B-89.1.12).

 

Robot (Robot) (2 8) – manipulatsioonimehhanism, mis võib olla nii pideval rajal kui ka punktist punkti kulgev, võib kasutada andureid ning millel on kõik järgmised omadused:

a.

multifunktsionaalsus;

b.

selle abil saab erinevate liikumiste kaudu kohale asetada või suunata materjali, osi, tööriistu või Spetsiaalseid seadmeid kolmemõõtmelises ruumis;

c.

koosneb kolmest või enamast suletud või avatud ahelaga servoseadmest, mille hulka võivad kuuluda ka samm-mootorid ning

d.

on kasutaja-programmeeritav kas kasutades "õpetamine/kordamine" meetodit või elektronarvuti abil, mis võib olla programmeeritav loogiline kontroller, st ilma mehaanilise vahelesegamiseta.

NB! Eespool esitatud definitsioon ei hõlma järgmisi seadmeid:

1.

manipulaatorid, mis on ainult käsi- või kaugjuhitavad;

2.

fikseeritud järjestusega manipulatsioonimehhanismid, mis on automaatselt liikuvad seadmed ning mis teostavad mehaaniliselt programmeeritud liikumisi. Programm on mehaaniliselt piiratud asetatavate peatustega, nagu tapid ja nukid. Liikumiste järjekord ja radade ning nurkade valik ei ole varieeritav ega muudetav ei mehaaniliselt, elektrooniliselt ega elektriliselt;

3.

mehaaniliselt juhitud muudetava järjestusega manipulatsioonimehhanismid, mis on automaatselt liikuvad seadmed ning teostavad mehaaniliselt kindlaid programmeeritud liikumisi. Programm on mehaaniliselt piiratud fikseeritud, kuid reguleeritavate peatustega, nagu tapid ja nukid. Liikumiste järjestus ning radade ja nurkade valik on varieeritav etteantud programmi mallide siseselt. Ühe või mitme liikumistelje programmi mallide varieerimine või muutmine (st tappide muutmine või nukkide ümberasetamine) on teostatav vaid mehaaniliste operatsioonide abil;

4.

muud kui servo-juhitud muutuva järjestusega manipulatsioonimehhanismid, mis on automaatselt liikuvad seadmed, ning mis teostavad fikseeritud, mehaaniliselt programmeeritud liikumisi. Programm on varieeritav, kuid järjestus toimub vaid mehaaniliselt kinnitatud elektriliste kahendseadmete või reguleeritavate peatustest saadavate kahendsignaalide põhjal;

5.

virnastamisseadmed, mis on defineeritud kui Descartes’i koordinaatidega manipulatsiooniseadmed ning mis on vertikaalselt asetatud laokastide virna integraalseks osaks ning on ette nähtud kastide sisu kättesaamiseks või taastamiseks.

 

Rotatsioonpulverisatsioon (Rotary atomisation) (1) – protsess, mille käigus tsentrifugaaljõu mõjul sulametallijuga või seisev sulametall pihustatakse mitte üle 500 mikromeetrise läbimõõduga tilkadeks.

 

Eelketrus (Roving) (1) – ligikaudu paralleelsetest heictest (tavaliselt 12–120) koosnev kimp.

NB! Heie on kogum "monokiude" (tavaliselt üle 200), mis on ligikaudu paralleelsed.

 

Viskumine (Run out, out-of-true running) (2) – telje radiaalne nihe peavõlli ühe pöörde jooksul, mõõdetuna peavõlli teljega risti asetseval tasapinnal, uuritava pöörleva sise- või välispinna punktis (vt ISO 230/1 1986, lõik 5.61).

 

Mastaabitegur (Scale factor) (güroskoop või kiirendusmõõtur) (7) – väljundi väärtuse muudu suhe sisendi väärtuse muutu, mida kavatsetakse mõõta. Mastaabiteguri väärtus hinnatakse üldiselt sirge tõusust, mis saadakse sisend- ja väljundväärtusi vähimruutude meetodiga sobitades, muutes tsükliliselt sisendväärtusi üle kogu sisendväärtuste piirkonna.

 

Seadumisaeg (Settling time) (3) – aeg, mis kulub muundaja suvalise kahe nivoo vahel ümberlülitamise korral, et väljund saavutaks poolebitilise täpsusega lõppväärtuse.

 

SHPL (Super high power laser) – ülivõimas laser.

 

Signaalianalüsaatorid (Signal analysers) (3) – seadmed, mis on võimelised mõõtma ja näitama mitmesageduslike signaalide ühesageduslike komponentide põhiomadusi.

 

Signaalitöötlus (Signal processing) (3 4 5 6) – väljastpoolt tulnud infot kandvate signaalide töötlemine selliste algoritmidega nagu ajaline kokkusurumine, filtreerimine, väljaeraldamine, väljavalimine, korrelatsioon, domeenidevaheline konvolutsioon või teisendused (nt Fourier’ kiirteisendus või Walsh'i teisendus).

 

Tarkvara (Software) (GSN kõik) – ühest või mitmest programmist või mikroprogrammist koosnev kogum, mis on paigutatud mis tahes kättesaadavale väljundmeediale.

NB! Mikroprogramm on elementaarsete käskude jada, mida säilitatakse erilises mäluseadmes ja mille täitmise käivitab tema viitekäsu saabumine käsuregistrisse.

 

Lähtekood (või lähtekeel) (Source code or language) (4 6 7 9) – ühe või mitme protsessi otstarbekohane avaldis, mida võib programmeerimissüsteemi abil viia masinas täidetavale kujule (objektkood (või objektkeel)).

 

Kosmoseaparaat (Spacecraft) (7 9) – aktiiv- ja passiivsatelliidid ja kosmosesondid.

 

Kosmosekindel (Space qualified) (3 6) – kasutatakse toodete puhul, mis on konstrueeritud, valmistatud ja katsetatud nii, et need vastavad satelliitide või suurtes kõrgustes kasutatavate lennusüsteemide, mis töötavad 100 km kõrgusel või kõrgemal, väljasaatmise ja paigutamise suhtes kehtivatele erilistele elektri-, mehhaanika- või keskkonnanõuetele.

 

Lõhustuv erimaterjal (Special fissile material) (0) – plutoonium-239, uraan-233, uraaniisotoobi U-235 või U-233 suhtes rikastatud uraan ja kõiki eelnimetatuid sisaldavad materjalid.

 

Erimoodul (Specific modulus) (0 1 9) – Young’i moodul paskalites, vastavalt N/m2 jagatud erikaaluga N/m3 mõõdetuna temperatuuril (296 ± 2) K ((23 ± 2) °C), (50 ± 5) % suhtelise niiskuse juures.

 

Eritõmbetugevus (Specific tensile strength) (0 1 9) – maksimaalne tõmbetugevus paskalites, vastavalt N/m2 jagatud erikaaluga N/m3 mõõdetuna temperatuuril (296 ± 2) K ((23 ± 2) °C), (50 ± 5) % suhtelise niiskuse juures.

 

Lamepulbri tootmine sulametallist (Splat quenching) (1) – sulametalli joa kiire tahkestamise protsess joa põrkumisel jahutatud plokkide vastu, mille tulemusena moodustuvad helbed.

NB! Kiire tahkestamine on sula aine tahkestamine jahutuskiirusega üle 1 000 K/s.

 

Hajaspekter (Spread spectrum) (5) – tehnika, milles suhteliselt kitsaribalise sidekanali energia on levitatud üle palju laiema energiaspektri.

 

Hajaspektriga radar (Spread spectrum radar) (6) – vt "radari hajaspekter".

 

Stabiilsus (Stability) (7) – teatava parameetri variatsiooni standardhälve (1 sigma) oma kalibreeritud väärtusest, mis on mõõdetud muutumatu temperatuuri tingimustes. Seda võib väljendada aja funktsioonina.

 

Keemiarelvade konventsiooniga (mitte) ühinenud riigid (States (not) Party to the Chemical Weapon Convention) (1) – riigid, kelle suhtes keemiarelvade väljatöötamise, tootmise, varumise ja kasutamise keelustamise konventsioon on/ei ole jõustunud (vt www.opcw.org).

 

Põhimik (Substrate) (3) – alusmaterjali kiht koos ühendusradadega või ilma, mille peale või sisse võib paigutada diskreetkomponente või integraallülitusi.

NB! 1: Diskreetkomponent on eraldi pakitud vooluahela element, millel on oma välisühendused.

NB! 2: Vooluahela element on vooluahela üksik aktiivne või passiivne funktsionaalne osa, näiteks üks diood, üks transistor, üks takisti, üks kondensaator jne.

 

Substraattoorikud (Substrate blanks) (6) – monoliitsed ühendid, mille suurus on sobiv selliste optiliste elementide tootmiseks nagu peeglid või optilised aknad.

 

Toksiini alarühm (Sub-unit of toxin) (1) – struktuurselt ja funktsionaalselt kogu toksiini diskreetkomponent.

 

Supersulamid (Superalloys) (2 9) – nikli-, koobalti- või rauapõhised sulamid, mis on tugevamad kui mis tahes AISI 300 seeria sulamid temperatuuridel üle 922 K (649 °C) ja rasketes keskkonna- ja töötingimustes.

 

Ülijuhtivad materjalid (Superconductive) (1 3 6 8) – materjalid, näiteks metallid, sulamid või ühendid, mis võivad kaotada täielikult oma elektritakistuse, st võivad omandada lõpmatult suure elektrijuhtivuse ning kanda üle väga suuri elektrivoole ilma Joule’i soojenemiseta.

NB! Aine "ülijuhtivat" olekut iseloomustavad individuaalselt "kriitiline temperatuur", kriitiline magnetväli, mis sõltub temperatuurist, ning kriitiline voolutihedus, mis sõltub nii temperatuurist kui ka magnetväljast.

 

Ülivõimas laser (Super High Power Laser) (SHPL) (6) – laser, mille väljundenergia impulsis (tervikuna või osana sellest) ületab 1 kJ 50 ms jooksul või mille keskmine või pidevlaine (CW) võimsus ületab 20 kW.

 

Üliplastne vormimine (Superplastic forming) (1 2) – kuumvormimisprotsess, mille käigus saavutatakse metallidel, millistel toatemperatuuril tavalisel venitamiskatsel on katkemispunktis väike suhteline pikenemine (vähem kui 20 %), kuumutamist kasutades vähemalt kahekordne suhtelise pikenemise kasv.

 

Sümmeetriline algoritm (Symmetric algorithm) (5) – krüptograafiline algoritm, mis kasutab nii krüpteerimise kui ka dekrüpteerimise puhul ühesugust võtit.

NB!"Sümmeetriliste algoritmide" tavakasutuseks on andmete konfidentsiaalsuse tagamine.

 

Marsruudid (System track) (6) – töödeldud, korreleeritud (radari sihtmärgi ja lennu plaanijärgse asukoha andmed) ning ajakohastatud õhusõiduki asukoha raport, mis on lennujuhtimiskeskuse lennujuhtidele kättesaadav.

 

Süstoolsed maatriksarvutid (Systolic array computer) (4) – arvutid, milles kasutaja võib dünaamiliselt ohjata andmete voogu ja muutumist loogikalülituste tasemel.

 

Lint (Tape) (1) – materjal, mis on valmistatud põimitud või ühesuunalistest monokiududest, heidest, eelketrusest, köisikutest või lõngadest jm, tavaliselt vaiguga impregneeritud.

NB! Heie on kogum "monokiude" (tavaliselt üle 200), mis on ligikaudu paralleelsed.

 

Tehnoloogia (Technology) (GTN NTN kõik) – spetsiifiline teave, mis on ette nähtud kaupade arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks. See teave esineb tehnilise informatsiooni või tehnilise abi kujul.

NB! 1: Tehniline abi võib esineda juhiste, oskuste, väljaõppe, tööalaste teadmiste ja konsultatsiooniteenuste vormis ning võib sisaldada ka tehniliste andmete edastamist.

NB! 2: Tehnilised andmed võivad esineda tehniliste jooniste, plaanide, diagrammide, mudelite, valemite, tabelite, insener-tehniliste projektide ja spetsifikatsioonide, käsiraamatute ja juhiste kujul kas kirjalikult või muudele andmekandjatele või seadmetele, nagu näiteks magnetkettad, helilindid, püsimälud, salvestatuna.

 

Kallutatav spindel (Tilting spindle) (2) – tööriista hoidev spindel, mis muudab masintöötlemisprotsessi käigus oma kesktelje pöördenurka mis tahes muu telje suhtes.

 

Ajakonstant (Time constant) (6) – aeg, mis kulub valgusmõjustuse andmisest 1-1/e-kordseks voolutugevuse kasvuks tema lõppväärtusest (st 63 %-ni lõppväärtusest).

 

Täielikult automatiseeritud lennujuhtimine (Total control of flight) (7) – õhusõidukite seisundi muutujate ja lennutrajektoori automatiseeritud kontroll, et tagada ülesande eesmärkide saavutamine vastavalt reaalajas muutunud eesmärkidele, ohtudele või teistele õhusõidukitele.

 

Täielik digitaalne edastuskiirus (Total digital transfer rate) (5) – ajaühikus digitaalse andmeedastussüsteemi vastavate seadmete vahel liikuvate bittide arv, kaasa arvatud reakodeerimisbitid, talitusbitid jne.

NB! Vt ka "digitaalne edastuskiirus".

 

Köisik (Tow) (1) – kogum monokiude, mis on tavaliselt ligikaudu paralleelsed.

 

Toksiinid (Toxins) (1) – toksiinid, mis esinevad sihilikult isoleeritud preparaatide või segudena, olenemata tootmisviisist, välja arvatud toksiinid, mis esinevad selliste teiste materjalide nagu patoloogiliste näidiste, põllukultuuride, toiduainete või mikroorganismide külvivarude saasteainetena.

 

Siirdelaser (Transfer laser) (6) – laser, milles laseri aktiivaine osakesi ergastatakse mitteaktiivaine aatomite või molekulide põrkumisel aktiivaine aatomite või molekulidega ülekantud energia abil.

 

Timmitav (Tunable) (6) – laseri võime tekitada pidevat väljundvõimsust igal sagedusel üle paljude lasersiirete piirkonna. Laserit, mis võimaldab saada diskreetseid lainepikkusi ühel lasersiirdel, ei loeta timmitavaks.

 

Mehitamata õhusõiduk (Unmanned Aerial Vechicle – UAV) – igasugune õhusõiduk, mis on võimeline lendu alustama ja sooritama kontrollitavat ja juhitavat lendu ning navigeerima ilma inimpiloodita pardal.

 

Uraaniisotoobi U235 või U233 suhtes rikastatud uraan (Uranium enriched in the isotopes 235 or 233) (0) – uraan, mis sisaldab uraaniisotoopi U235 või U233 või mõlemat nimetatud uraaniisotoopi sellisel hulgal, et nende isotoopide summaarse koguse suhe isotoobi 238 kogusesse on suurem kui looduslikult esinev isotoopide 235 ja 238 suhe (0,71 %).

 

Kasutamine (Use) (GTN NTN kõik) – toimimine, paigaldus (sh kohapealne paigaldus), hooldus (kontroll), remont, kapitaalremont ja renoveerimine.

 

Kasutajal juurdepääsetav programmeeritavus (User-accessible programmability) (6) – omadus, mis lubab kasutajal sisestada, modifitseerida või asendada programme teisiti kui:

a.

muutes füüsiliselt lülitusskeemi või ühendusi või

b.

talitlusviiside sättimine, kaasa arvatud parameetrite sisestuse abil.

 

Vaktsiin (Vaccine) (1) – ravimvormis olev ravim, millel on valmistaja- või kasutajariigi reguleerivate asutuste antud litsents või müügiluba või kliiniliste uuringutega seotud luba ja mis on mõeldud nende inimeste või loomade immunoloogilise kaitsesüsteemi tõhustamiseks haiguste ärahoidmise eesmärgil, kellele seda manustatakse.

 

Vaakumpulverisatsioon (Vacuum atomisation) (1) – protsess, mille käigus vaakumisse suunatud sula metallisulamijuga pihustub seal lahustunud gaasi kiirel paisumisel piiskadeks, mille läbimõõt on 500 mikromeetrit ja vähem.

 

Muudetava tiivageomeetriaga aerodünaamilised pinnad (Variable geometry airfoils) (7) – kandepinna tagumisel serval tagatiibade ja trimmerite või esiserval eestiibade või kallutatava nina langetamise kasutamine, mille asendit saab lennu ajal juhtida.

 

Lõng (Yarn) (1) – kimp keerutatud heiet.

NB! Heie on kogum "monokiude" (tavaliselt üle 200), mis on ligikaudu paralleelsed.

KÄESOLEVAS LISAS KASUTATUD AKRONÜÜMID JA LÜHENDID

Defineeritud terminina akronüümi või lühendi leiab ka pealkirja alt "Käesolevas lisas kasutatud mõisted".

AKRONÜÜM VÕI LÜHEND

TÄHENDUS

ABEC

Annular Bearing Engineers Committee (rull-laagritootjate ühendus)

AGMA

American Gear Manufacturers' Association (Ameerika ajamitootjate ühendus)

AHRS

attitude and heading reference systems (suuna ja positsiooni määramise süsteemid)

AISI

American Iron and Steel Institute (Ameerika Raua ja Terase Instituut)

ALU

arithmetic logic unit (aritmeetika-loogikaseade)

ANSI

American National Standards Institute (Ameerika Riiklik Standardiinstituut)

ASTM

American Society for Testing and Materials (USA Materjalide Katsetamise Ühing)

ATC

air traffic control (lennujuhtimine)

AVLIS

atomic vapour laser isotope separation (atomaarse gaasi isotoopiline laser-eraldus)

CAD

computer-aided-design (raalprojekteerimine)

CAS

Chemical Abstracts Service (keemiaalane referaatteenindus)

CCITT

International Telegraph and Telephone Consultative Committee (Rahvusvaheline Telegraafi ja Telefoni Konsultatiivkomitee)

CDU

control and display unit (juhtimis- ja kuvarmoodul)

CEP

circular error probable (tõenäolise vea ring)

CNTD

controlled nucleation thermal deposition (kontrollitud idustamisega termiline sadestamine)

CRISLA

chemical reaction by isotope selective laser activation (laseraktiveeritud keemiline reaktsioon)

CVD

chemical vapour deposition (keemiline aurustamine-sadestamine)

CW

chemical warfare (keemiasõda)

CW (for lasers)

continuous wave (pidevlaine)

DME

distance measuring equipment (kaugusmõõtur)

DS

directionally solidified (suunatult tahkestatud)

EB-PVD

electron beam physical vapour deposition (elektronkiire abil toimuv füüsikaline aurustamine-sadestamine)

EBU

European Broadcasting Union (Euroopa Ringhäälinguliit)

ECM

electro-chemical machining (elektrokeemiline töötlus)

ECR

electron cyclotron resonance (elektrontsüklotronresonants)

EDM

electrical discharge machines (elektroerosioontöötlus)

EEPROMS

electrically erasable programmable read only memory (programmeeritav elekterkustutusega püsimälu)

EIA

Electronic Industries Association (Elektroonikatööstuste Ühendus)

EMC

electromagnetic compatibility (elektromagnetiline ühilduvus)

ETSI

European Telecommunications Standards Institute (Euroopa Telekommunikatsiooni Standardiinstituut)

FFT

Fast Fourier Transform (Fourier’ kiirteisendus)

GLONASS

global navigation satellite system (globaalne sattelliitnavigatsioonisüsteem)

GPS

global positioning system (globaalne positsioneerimissüsteem)

HBT

hetero-bipolar transistors (hetero-bipolaarsed transistorid)

HDDR

high density digital recording (kõrglahutuslik digitaalsalvestus)

HEMT

high electron mobility transistors (elektronide kõrgliikuvusega transistor)

ICAO

International Civil Aviation Organisation (Rahvusvaheline Tsiviillennundusorganisatsioon)

IEC

International Electro-technical Commission (Rahvusvaheline Elektrotehnikakomisjon)

IEEE

Institute of Electrical and Electronic Engineers (Elektri- ja Elektroonikainseneride Instituut)

IFOV

instantaneous-field-of-view (hetkeline vaateväli)

ILS

instrument landing system (instrumentaalmaandumissüsteem)

IRIG

inter-range instrumentation group (salvestusmeetodite normeerimise komisjon)

ISAR

inverse synthetic aperture radar (inverteeritud sünteesapertuuriga radar)

ISO-kood

International Organization for Standardization (Rahvusvaheline Standardiorganisatsioon)

ITU

International Telecommunication Union (Rahvusvaheline Telekommunikatsiooni Liit)

JIS

Japanese Industrial Standard (Jaapani tööstusstandard)

JT

Joule-Thomson

LIDAR

light detection and ranging (laserlokaator)

LRU

line replaceable unit (liini vahetatav moodul)

MAC

message authentication code (sõnumi autentimiskood)

Mach

ratio of speed of an object to speed of sound (after Ernst Mach) (eseme kiiruse suhe heli kiirusesse samas keskkonnas (Ernst Machi järgi))

MLIS

molecular laser isotopic separation (molekulide laserergastusel põhinev eraldamine)

MLS

microwave landing systems (mikrolainemaandumissüsteemid)

MOCVD

metal organic chemical vapour deposition (keemiline aurustamine-sadestamine metallorgaanilistest ühenditest)

MRI

magnetic resonance imaging (magnetresonantskuvamine)

MTBF

mean-time-between-failures (keskmine tõrketusvältus)

Mtops

million theoretical operations per second (miljon teoreetilist operatsiooni sekundis)

MTTF

mean-time-to-failure (keskmine kasutusaeg tõrkeni)

NBC

Nuclear, Biological and Chemical (tuuma-, bioloogiline ja keemiline ehk massihävitus-)

NDT

non-destructive test (mittepurustav katsetus)

PAR

precision approach radar (täppislähenemisradar)

PIN

personal identification number (PIN-kood)

ppm

parts per million (miljondikosa)

PSD

power spectral density (võimsuse spektraaltihedus)

QAM

quadrature-amplitude-modulation (kvadratuurne amplituudmodulatsioon)

RF

radio frequency (raadiosagedus)

SACMA

Suppliers of Advanced Composite Materials Association (Edendatud Komposiitmaterjalide Tarnijate Assotsiatsioon)

SAR

synthetic aperture radar (sünteesapertuuriga radar)

SC

single crystal (monokristall)

SLAR

sidelooking airborne radar (õhusõiduki pardal külgvaateradar)

SMPTE

Society of Motion Picture and Television Engineers (Filmi- ja Televisiooniinseneride Ühing)

SRA

shop replaceable assembly (töökojas vahetatav agregaat)

SRAM

static random access memory (staatiline muutmälu)

SRM

SACMA Recommended Methods (SACMA soovitatavad meetodid)

SSB

single sideband (ühe külgribaga)

SSR

secondary surveillance radar (sekundaarseireradar)

TCSEC

trusted computer system evaluation criteria (Ameerika arvutisüsteemide informatsiooniturvalisuse hindamisnorm)

TIR

total indicated reading (kogu tulemus)

UV

ultraviolett

UTS

ultimate tensile strength (tõmbetugevus)

VOR

very high frequency omni-directional range (ülikõrgsageduslik ringsuunaline raadiomajakas)

YAG

yttrium/aluminum garnet (ütrium/alumiiniumgranaat)

0. KATEGOORIA – TUUMAMATERJALID, RAJATISED JA SEADMED

0A
Süsteemid, seadmed ja komponendid

0A001
Tuumareaktorid ja spetsiaalselt nende jaoks projekteeritud või valmistatud seadmed ja komponendid:

a.

tuumareaktorid, mis on võimelised käigus hoidma kontrollitavat isekulgevat tuumade lõhastumise ahelreaktsiooni;

b.

metallanumad või nende olulised osad, spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud hoidma tuumareaktori südamikku, kaasa arvatud reaktorianuma kaas reaktori surveanuma jaoks;

c.

manipuleeritavad seadmed, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud tuumakütuse tuumareaktorisse sisseviimiseks või sealt eemaldamiseks;

d.

reaktori kontrollvardad, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud tuumareaktoris toimuva tuuma lõhustumise protsessi kontrollimiseks, nende toetus- ja riputustarindid, varraste ajamid ning varraste juhiktorud;

e.

reaktori survetorud, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud sisaldama tuumareaktoris kütuseelemente ja primaarjahutit töörõhul üle 5,1 MPa;

f.

tsirkooniumist ja selle sulamitest valmistatud torud või torusõlmed, milles hafniumi ja tsirkooniumi suhe kaalu järgi on väiksem kui 1:500 ja mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud kasutamiseks tuumareaktorites;

g.

jahuti pumbad, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud primaarjahuti tsirkulatsiooni tekitamiseks tuumareaktoris;

h.

tuumareaktori siseosad, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud kasutamiseks tuumareaktoris, sealhulgas südamiku kandetarindid, kütusekanalid, soojusekraanid, deflektorid, südamiku restplaadid ja hajutiplaadid;

Märkus: Punkti 0A001.h tähendavad reaktori siseosad kõiki olulisi struktuure reaktorianumas, millel on üks või enam ülesannet, nagu südamiku toestamine, kütuse asetuse säilitamine, primaarjahuti voolu suunamine, reaktorianuma kiirgusvarje ning südamikusiseste seadmete juhtimine.

i.

soojusvahetid (aurugeneraatorid), mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud kasutamiseks tuumareaktori primaarjahutusringis;

j.

neutronite detekteerimis- ja mõõteriistad, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud neutronvoo taseme kindlaksmääramiseks tuumareaktori südamikus.

0B
Testimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed

0B001
Isotoopide eraldustehased loodusliku uraani isotoopide, vaesestatud uraani isotoopide ja lõhustuvate erimaterjalide isotoopide eraldamiseks ning nende jaoks spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud seadmed ja komponendid:

a.

tehased, mis on spetsiaalselt kavandatud loodusliku uraani isotoopide, vaesestatud uraani isotoopide, lõhustuvate erimaterjalide isotoopide eraldamiseks järgnevalt:

1.

gaastsentrifugaaleraldustehas;

2.

gaasdifusiooneraldustehas;

3.

aerodünaamiline eraldustehas;

4.

keemilise vahetusprotsessiga eraldustehas;

5.

ioonvahetuseraldustehas;

6.

atomaarse gaasi isotoopide lasereraldustehas (AVLIS);

7.

molekulaarne isotoopide lasereraldustehas (MLIS);

8.

plasmaeraldustehas;

9.

elektromagnetiline eraldustehas;

b.

gaasitsentrifuugid, komplektid ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud gaasilise tsentrifugaaleraldusprotsessi jaoks, nagu:

Märkus: Punktis 0B001.b tähendab kõrge tugevus/tihedussuhtega materjal järgmist:

a.

martensiitvanandatud teras, mille tõmbetugevus on 2 050 MPa või rohkem;

b.

alumiiniumisulamid, mille tõmbetugevus on 460 MPa või rohkem; või

c.

"kiud- või niitmaterjal", mille "erimoodul" on suurem kui 3,18 × 106 m ning mille "eritõmbetugevus" on suurem kui 76,2 × 103 m;

1.

gaasitsentrifuugid;

2.

terviklikud rootorsõlmed;

3.

kõrge tugevuse/tiheduse suhtega materjalist valmistatud rootori torusilindrid seinapaksusega 12 mm või vähem ja diameetriga 75–400 mm;

4.

kõrge tugevuse/tiheduse suhtega materjalist valmistatud rõngad või lõõtsad seinapaksusega 3 mm või vähem ja diameetriga 75–400 mm, mis on mõeldud rootortoru kohalikuks toetamiseks või mitme sellise ühendamiseks;

5.

kõrge tugevuse/tiheduse suhtega materjalist valmistatud ja rootortoru sisse paigaldamiseks mõeldud tõkestid diameetriga 75–400 mm;

6.

kõrge tugevuse/tiheduse suhtega materjalist valmistatud ja rootortoru otstele mõeldud ülemised ja alumised korgid diameetriga 75–400 mm;

7.

magnetilised ripplaagrid, milles rõngasmagnet hõljub UF6 vastupidavatest materjalidest valmistatud ümbrises, sisaldades summutavat keskkonda ja omades magnetilist sidestust magnetpooluse või teise, rootori ülemisele kaanele sobitatud magnetiga;

8.

spetsiaalselt valmistatud laagrid, mis sisaldavad poolkerakujulisi vastaslaagreid (pivot-cup) ning on monteeritud summutile;

9.

molekulaarpumbad, mis koosnevad silindritest, millel on sisse freesitud või pressitud spiraalsed sooned ning puuritud augud;

10.

rõngakujulised mootori staatorid mitmefaasiliste vahelduvvoolu hüsterees- (või reluktants-) mootorite sünkroonseks tööks vaakumis sagedusvahemikus 600–2 000 Hz ja võimsuse vahemikus 50–1 000 VA;

11.

UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud gaasitsentrifuugi rootortoru agregaadi korpus/vastuvõtja, mis koosneb jäigast silindrist seinapaksusega kuni 30 mm ja on täpselt töödeldud otstega;

12.

UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud kulbid, mis koosnevad kuni 12mm sisediameetriga torudest ja on ette nähtud UF6 gaasi eraldamiseks tsentrifuugrootortorust Pitot’ toru meetodil;

13.

gaasi tsentrifuugrikastamise mootorite staatorite toiteks spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud sagedusmuundurid (konverterid või inverterid) ja nende spetsiaalselt konstrueeritud osad, millel on kõik järgmised tunnused:

a.

mitmefaasiline väljund 600–2 000 Hz;

b.

sageduse stabiilsus on parem kui 0,1 %;

c.

harmoonmoonutused on alla 2 % ning

d.

efektiivsus on üle 80 %;

c.

seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud gaasilise difusiooneraldusprotsessi jaoks:

1.

gaasilise difusiooni tõkked, mis on valmistatud UF6 korrosioonile vastupidavast poorsest metallist, polümeerist või keraamikast, pooride suurusega 10–100 nm, paksusega 5 mm või vähem ja torukujulised diameetriga 25 mm või vähem;

2.

UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud gaasi difuusori korpused;

3.

kompressorid (sundtoitega, tsentrifugaalse ja teljesihilise vooluga) või gaasipuhurid imivõimsusega 1 m3/min või rohkem ja väljundrõhuga kuni 666,7 kPa ning mis on valmistatud UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest või nendega kaitstud;

4.

punktis 0B001.c.3 nimetatud pöörleva võlli tihendid kompressoritele ja puhuritele, mille kavandatud puhvergaasi sisselekke kiirus on väiksem kui 1 000 cm3/min;

5.

soojusvahetid, mis on valmistatud alumiiniumist, vasest, niklist või sulamitest, mis sisaldavad rohkem kui 60 massiprotsenti niklit, või nende metallide kombinatsioonidest kattetorudena, mis on kavandatud tööks alarõhul sellise lekkekiirusega, mis piirab rõhutõusu väiksemaks kui 10 Pa tunnis, rõhuerinevusel 100 kPa;

6.

UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud lõõtsklapid diameetriga 40–1500 mm;

d.

seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud aerodünaamilise eraldusprotsessi jaoks:

1.

UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest eraldusdüüsid, mis koosnevad pilukujulistest kumeratest kanalitest kõverusraadiusega alla 1 mm, millel on düüsi sees eralduslaba düüsist läbivoolava gaasi jaotamiseks kaheks vooks;

2.

UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud tangentsiaalse sissevooluga juhitavad silindrilised või koonilised torud (turbulentstorud) diameetriga 0,5–4 cm ning pikkuse-diameetri suhtega 20:1 või vähem, mis on ühe või mitme tangentsiaalse sissevooluavaga;

3.

UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud kompressorid (sundtoitega, tsentrifugaalse ja teljesihilise vooluga) või gaasipuhurid imivõimsusega 2 m3/min või enam ja pöörleva võlli tihendid nende jaoks;

4.

UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud soojusvahetid;

5.

UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud aerodünaamilise eralduselemendi korpused turbulentstorude või eraldusdüüside jaoks;

6.

UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud lõõtsklapid diameetriga 40–1500 mm;

7.

protsessisüsteemid UF6 eraldamiseks kandevgaasist (vesinik või heelium) UF6 sisaldusega kuni üks miljondikosa või vähem, kaasa arvatud:

a.

krüogeensed soojusvahetid ja krüoseparaatorid, mis taluvad –120 °C (153 K) või madalamat temperatuuri;

b.

krüogeensed jahutusseadmed, mis taluvad –120 °C (153 K) või madalamat temperatuuri;

c.

eraldusdüüsi- või turbulentstoruseadmed UF6 eraldamiseks kandevgaasist;

d.

UF6 külmlõksud, mis taluvad 253 K (–20 °C) või madalamat temperatuuri;

e.

seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud keemilisel vahetusel põhineva eraldusprotsessi jaoks:

1.

kontsentreeritud soolhappele vastupidavad kiirvahetuse vedelik-vedelik impulsskolonnid ühel astmel viibimisajaga 30 s või vähem (valmistatud või vooderdatud sobivate plastmaterjalidega, nt fluorosüsivesinikpolümeerid või klaas);

2.

kontsentreeritud soolhappele vastupidavad kiirvahetuse vedelik-vedelik tsentrifugaalsed kontaktorid töölava resideerimisajaga 30 s või vähem (valmistatud või vooderdatud sobivate plastmaterjalidega, nt fluorosüsivesinikpolümeerid või klaas);

3.

kontsentreeritud soolhappe lahusele vastupidavad elektrokeemilise reduktsiooni kambrid uraani taandamiseks ühest valentsolekust teise;

4.

sobivatest materjalidest (nt klaas, fluorosüsivesinikpolümeerid, polüfenüülsulfaat, polüeetersulfoon ja vaiguga immutatud grafiit) valmistatud või nendega kaitstud elektrokeemilise reduktsiooni kambrite etteandmise seadmed U+4 võtmiseks orgaanilisest voost ja nende protsessivooga kontaktis olevad osad;

5.

etteannet ettevalmistavad süsteemid kõrge puhtusega uraankloriidlahuse valmistamiseks, mis koosnevad lahustamise, lahusti eraldamise ja/või ioonvahetuse seadmetest lahuse puhastamiseks, ja elektrolüütilised rakud U+6 või U+4 taandamiseks U+3-ks;

6.

uraani oksüdeerimissüsteemid U+3 oksüdeerimiseks U+4;

f.

seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud ioonvahetusega eraldusprotsessi jaoks:

1.

kiirelt reageerivad ioonvahetusvaigud, membraanikujulised või poorsed makrovõrgustikuga vaigud, milles aktiivsed keemilised vahetusrühmad piirduvad mitteaktiivse poorse tugistruktuuri pinnakattega ning teised komposiitstruktuurid mis tahes sobival kujul, kaasa arvatud osakesed või kiud diameetriga 0,2 mm või vähem, vastupidavad kontsentreeritud soolhappele ning projekteeritud omama väiksemat vahetuskiiruse poolaega kui 10 sekundit ja on töövõimelised temperatuuride vahemikus 100–200 °C (373–473 K);

2.

kontsentreeritud soolhappele vastupidavatest materjalidest (nt titaan või fluorosüsinikplast) valmistatud või nendega kaitstud ja temperatuuride vahemikus 373–473 K (100–200 °C) ning rõhul üle 0,7 MPa töövõimelised (silindrilised) ioonvahetuskolonnid, mille diameeter on üle 1 000 mm;

3.

ioonvahetuse tagasijooksu süsteemid (keemilised või elektrokeemilised oksüdatsioon- või reduktsioonsüsteemid) ioonvahetuse rikastuskaskaadides kasutatavate keemilise redutseerimise või oksüdeerumise toimeainete regenereerimiseks;

g.

seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud atomaarse gaasi isotoopide lasereraldusprotsessi (AVLIS) jaoks, nagu:

1.

uraani aurustamissüsteemides kasutamiseks mõeldud suure võimsusega riba või skaneerivad elektronkiirte kahurid väljastatava võimsusega üle 2,5 kW/cm;

2.

sulauraani või uraanisulamite käsitlemiseks sobivad sulauraani kuumusele ja korrosioonile vastupidavatest materjalidest käitlemissüsteemid, mis koosnevad sobivatest korrosiooni- ja kuumakindlatest või nendega kaitstud materjalidest (nt tantaal, ütriumiga kaetud grafiit, grafiit, mis on kaetud teiste haruldaste muldmetallide oksiididega või nende segudega) valmistatud tiiglitest ning tiiglite jahutusseadmetest;

NB! VT KA PUNKTI 2A225.

3.

uraani korrosioonile vastupidavatest materjalidest (nt ütriumiga kaetud grafiit või tantaal) valmistatud või nendega vooderdatud saaduse ja jäätmete kogumissüsteemid;

4.

uraani auru allika, elektronkiirte kahuri ning saaduse- ja jäätmekogujate jaoks ettenähtud eraldusmoodulite korpused (silindrilised või täisnurksed anumad);

5.

pikemate ajavahemike jooksul töötamiseks mõeldud spektri sagedusstabilisaatoriga laserid või lasersüsteemid uraani isotoopide eraldamiseks;

NB! VT KA PUNKTE 6A005 JA 6A205.

h.

seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud isotoopide molekulaarseks lasereraldamiseks (MLIS) või isotoopselektiivselt laseraktiveeritud keemilise reaktsiooni (CRISLA) jaoks, järgmiselt:

1.

UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud ülehelikiirusliku paisumise düüsid UF6 ja kandevgaasi segude jahutamiseks temperatuurini –123 °C (150 K) või alla selle;

2.

UF5/UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest uraanpentafluoriidi (UF5) saaduse kogujad, mis sisaldavad filtrit, põrke- või tsüklon-tüüpi kogujaid või nende kombinatsioone;

3.

UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud kompressorid ja nende jaoks ettenähtud pöörlevate võllide tihendid;

4.

seadmed UF5 (tahke) fluoreerimiseks UF6-ks (gaasiline);

5.

protsessisüsteemid UF6 eraldamiseks kandevgaasist (nt lämmastik või argoon), kaasa arvatud:

a.

krüogeensed soojusvahetid ja krüoseparaatorid, mis taluvad –120 °C (153 K) või madalamat temperatuuri;

b.

krüogeensed jahutusseadmed, mis taluvad –120 °C (153 K) või madalamat temperatuuri;

c.

UF6 külmlõksud, mis taluvad –20 °C (253 K) või madalamat temperatuuri;

6.

pikemate ajavahemike jooksul töötamiseks mõeldud spektri sagedusstabilisaatoriga laserid või lasersüsteemid uraani isotoopide eraldamiseks;

NB! VT KA PUNKTE 6A005 JA 6A205.

i.

seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud plasmaeraldusprotsessi jaoks:

1.

üle 30 GHz väljundsagedusega ja üle 50 kW keskmise väljundvõimsusega võimsad mikrolaineallikad ja antennid ioonide tekitamiseks ja kiirendamiseks;

2.

üle 40 kW keskmist võimsust käsitleda võimaldavad raadiosageduslikud ioonergastuse poolid üle 100 kHz sagedustele;

3.

uraaniplasma genereerimissüsteemid;

4.

sulametalli käitlemissüsteemid sulauraani või uraanisulamite käitlemiseks, mis koosnevad sobivatest korrosiooni- ja kuumakindlatest või nendega kaitstud materjalidest (nt tantaal, ütriumiga kaetud grafiit, grafiit, mis on kaetud teiste haruldaste muldmetallide oksiididega või nende segudega) valmistatud tiiglitest ning tiiglite jahutusseadmetest;

NB! VT KA PUNKTI 2A225.

5.

kuumusele ja uraaniaurude korrosioonile vastupidavatest materjalidest (nt ütriumiga kaetud grafiit või tantaal) valmistatud või nendega kaitstud saaduse- ja jäätmekogujad;

6.

sobivast mittemagnetilisest materjalist (nt roostevaba teras) valmistatud eraldusmoodulite korpused (silindrilised) uraaniplasma allika, raadiosagedusliku ergutuspooli ning saaduse- ja jäätmekoguja jaoks;

j.

seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud elektromagnetilise eraldusprotsessi jaoks:

1.

sobivatest mittemagnetilistest materjalidest (nt grafiit, roostevaba teras või vask) valmistatud üksikud või kombineeritud iooniallikad, mis koosnevad auruallikatest, ionisaatorist ja kiirte kiirendist ning mis on võimelised tekitama ioonkiire koguvooluga 50 mA või enam;

2.

sobivast mittemagnetilisest materjalist (nt grafiit või roostevaba teras) valmistatud, kahest või enamast pilust ja kogumistaskust koosnevad ioonkollektori plaadid rikastatud või vaesestatud uraani ioonkiirte kogumiseks;

3.

mittemagnetilistest materjalidest (nt roostevaba teras) valmistatud vaakumkorpused uraani elektromagnetilistele separaatoritele, mis on kavandatud tööks rõhul 0,1 Pa ja vähem;

4.

magnetpooluse detailid diameetriga üle 2 m;

5.

kõrgepinge toiteallikad iooniallikatele, millel on kõik järgmised omadused:

a.

võimelised pidevaks tööks;

b.

väljundpingega 20 000 V või rohkem;

c.

väljundvooluga 1 A või rohkem ning

d.

pingetundlikkusega, mis on 8 tunni vältel parem kui 0,01 %;

NB! VT KA PUNKTI 3A227.

6.

magnetite toiteallikad (suure võimsusega, alalisvoolulised), millel on kõik järgmised omadused:

a.

võimelised pidevaks tööks väljundvooluga 500 A või rohkem ja pingega 100 V või rohkem ning

b.

voolu- ja pingetundlikkus on 8 tunni vältel parem kui 0,01 %.

NB! VT KA PUNKTI 3A226.

0B002
Spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud abisüsteemid, seadmed ja komponendid punktis 0B001 nimetatud isotoopide eraldusjaamadele, mis on valmistatud UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest või nendega kaitstud:

a.

etteande autoklaavid, ahjud või süsteemid UF6 läbilaskmiseks rikastusprotsessis;

b.

desublimaatorid või külmlõksud, mida kasutatakse UF6 eraldamiseks rikastusprotsessist, selle järgnevaks kuumutamise abil toimuvaks edasitoimetamiseks;

c.

saaduse ja jäätmete jaamad UF6 toimetamiseks mahutitesse;

d.

veeldamis- või tahkestamisjaamad, mida kasutatakse UF6 eraldamiseks rikastusprotsessist UF6 kokkusurumise ja vedelasse või tahkesse olekusse viimise teel;

e.

toru- ja kogujasüsteemid, mis on spetsiaalselt ette nähtud UF6 käsitlemiseks gaasilise difusiooni, tsentrifuug- või aerodünaamilistes kaskaadides;

f.

1.

vaakumkollektorid või vaakumkogujad imivõimsusega 5 m3/min või rohkem; või

2.

vaakumpumbad, mis on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks UF6 sisaldavas atmosfääris;

g.

järgmiste omadustega UF6 mass-spektromeetrid/iooniallikad, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud jooksvaks proovide võtmiseks etteandest, saadusest või jäätmetest UF6 gaasivoos:

1.

ühe aatommassiühiku lahutusvõime üle 320 amü (aatommassiühik) massi korral;

2.

iooniallikad, mis on valmistatud või vooderdatud nikroomiga, moneliga või on nikeldatud;

3.

elektronpommitamisel põhinevad ionisatsiooniallikad ning

4.

isotoopanalüüsiks sobivad kollektorsüsteemid.

0B003
Uraani konversiooniks ettenähtud tööjaam ja spetsiaalselt selleks projekteeritud või valmistatud seadmed:

a.

süsteemid, mis on ette nähtud uraanimaagi kontsentraatide konversiooniks UO3ks;

b.

süsteemid, mis on ette nähtud UO3 konversiooniks UF6ks;

c.

süsteemid, mis on ette nähtud UO3 konversiooniks UO2ks;

d.

süsteemid, mis on ette nähtud UO2 konversiooniks UF4ks;

e.

süsteemid, mis on ette nähtud UF4 konversiooniks UF6ks;

f.

süsteemid, mis on ette nähtud UF4 konversiooniks uraanimetalliks;

g.

süsteemid, mis on ette nähtud UF6 konversiooniks UO2ks;

h.

süsteemid, mis on ette nähtud UF6 konversiooniks UF4ks;

i.

süsteemid, mis on ette nähtud U02 konversiooniks UCl4ks.

0B004
Raske vee, deuteeriumi ja selle ühendite tootmiseks või kontsentreerimiseks ettenähtud tehased ja spetsiaalselt selleks projekteeritud ja valmistatud seadmed ja komponendid:

a.

järgmised süsteemid raske vee, deuteeriumi ja selle ühendite tootmiseks:

1.

vesi-vesiniksulfiid-vahetustehased;

2.

ammoniaak-vesinik-vahetustehased;

b.

järgmised seadmed ja komponendid:

1.

peensüsinikterasest (nt ASTM A516) valmistatud vesi-vesiniksulfiid-vahetuskolonnid diameetriga 6–9 m, mis on töövõimelised 2 MPa või kõrgemal rõhul ning materjali korrosioonivaruga, mis on 6 mm või suurem;

2.

üheastmelised madalsurvelised (st 0,2 MPa) tsentrifugaalventilaatorid või kompressorid vesiniksulfiidgaasi (st gaasi, mis sisaldab enam kui 70 % H2S) ringluse tagamiseks, mille jõudlus on 56 m3/sekundis või rohkem, imedes 1,8 MPa või kõrgemal rõhul, ning mille tihendid on ette nähtud taluma niisket H2S keskkonda;

3.

ammoniaak-vesinik-vahetuskolonnid kõrgusega 35 m või rohkem, diameetriga 1,5 m–2,5 m, mis on töövõimelised üle 15 MPa suurusel rõhul;

4.

torni siseosad, kaasa arvatud astmereaktorid ja astmepumbad, kaasa arvatud sukelpumbad, raske vee tootmiseks ammoniaak-vesinik-vahetusprotsessi abil;

5.

3MPa või suurema töörõhuga ammoniaagikrakkerid raske vee tootmiseks, kasutades ammoniaak-vesinik-vahetusprotsessi;

6.

infrapuna-absorptsioonanalüsaatorid, mis on võimelised jätkuvaks samaaegseks vesinik/deuteeriumi suhte analüüsiks deuteeriumi kontsentratsioonil 90 % või rohkem;

7.

katalüütilised põletid, ammoonium-vesinik-vahetusprotsessi abil rikastatud gaasilise deuteeriumi muutmiseks raskeks veeks;

8.

täielikud raske vee parandamise süsteemid või nende kolonnid raske vee deuteeriumisisalduse muutmiseks reaktorikõlblikuks.

0B005
Tuumareaktorite kütuseelementide tootmiseks ettenähtud tehased ja spetsiaalselt selleks projekteeritud või valmistatud seadmed.

Märkus:"Tuumareaktori" kütuseelementide tootmise tehas sisaldab seadmeid, mis:

a.

on tavaolukorras kokkupuutes tuumamaterjalide tootevooga või osalevad otseselt selle tootmisel või juhtimisel;

b.

hermetiseerib tuumamaterjali kattesse;

c.

kontrollib katte terviklikkust või hermeetilisust või

d.

kontrollib hermeetiliselt suletud kütuse lõppkäsitlemist.

0B006
Tuumareaktoris kiiritatud kütuseelementide ümbertöötamiseks ettenähtud tehased ja spetsiaalselt selleks projekteeritud või valmistatud seadmed ja komponendid.

Märkus: Punkt 0B006 hõlmab järgmist:

a.

"tuumareaktori" kiiritatud kütuseelementide ümbertöötlemistehased, kaasa arvatud seadmed ja nende osad, mis otseselt juhivad kiiritatud tuumakütuse ja enamiku tuumamaterjali lõhustumissaaduste käitlemisvooge ning on tavaolukorras sellega kokkupuutes;

b.

kütuseelemendi tükeldamise või hakkimismasinad, st kaugjuhitavad seadmed kiiritatud tuumakütuse agregaatide, kimpude või varraste lõikamiseks, tükeldamiseks, hakkimiseks või lõikumiseks;

c.

lahustuspaagid, kriitilisturvalised mahutid (nt väikse diameetriga, rõnga- või plaadikujulised mahutid), mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud kasutamiseks kiiritatud "tuumakütuse" lahustamisel ja mille tööpinnad on vastupidavad kuuma ja ülimalt korrodeeriva vedeliku suhtes ning mis on kaugjuhitavalt täidetavad ja hooldatavad;

d.

vastuvoolu lahustiekstraktorid ja ioonivahetusprotsessi seadmed, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud kasutamiseks kiiritatud "loodusliku uraani", "vaesestatud uraani" või "lõhustuvate erimaterjalide" ümbertöötlemistehases;

e.

säilitus- ja ladustamisanumad, mis on projekteeritud kriitilisturvaliseks ning korrosioonikindlaks lämmastikhappe söövitavale mõjule;

Märkus: Säilitus- ja ladustamisanumatel võivad olla järgmised omadused:

1.

seinte ja sisestruktuuride booriekvivalendi väärtus on (arvutatakse kõikide koostisosade kohta, nagu on määratletud punkti 0C004 märkuses) vähemalt 2 %;

2.

silindriliste anumate diameeter ei ületa 175 mm või

3.

plaadi- või rõngakujuliste anumate laius ei ületa 75 mm;

f.

protsessi juhtimisseadmed, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud kiiritatud "loodusliku uraani", "vaesestatud uraani" või "lõhustuvate erimaterjalide" ümbertöötlemisprotsessi jälgimiseks ja juhtimiseks.

0B007
Plutooniumi konversiooniks ettenähtud tööjaam ja spetsiaalselt selleks projekteeritud või valmistatud seadmed:

a.

süsteemid, mis on ette nähtud plutooniumnitraadi muutmiseks plutooniumoksiidiks;

b.

süsteemid, mis on ette nähtud metallilise plutooniumi tootmiseks.

0C
Materjalid

0C001
Looduslik uraan, vaesestatud uraan või toorium metalli, sulami, keemilise ühendi või kontsentraadi kujul ja materjalid, mis sisaldavad mis tahes eelnevalt nimetatud ühendit või ühendeid;

Märkus: Punkt 0C001 ei hõlma järgmist:

a.

"looduslik uraan" või "vaesestatud uraan", kui seda on instrumentide anduriosades neli grammi või vähem;

b.

"vaesestatud uraan", mis on spetsiaalselt valmistatud tsiviilkasutuseks järgmistel mittetuuma-eesmärkidel:

1.

kaitse;

2.

pakendamine;

3.

ballastid massiga kuni 100 kg;

4.

vastukaalud massiga kuni 100 kg;

c.

sulamid, mis sisaldavad alla 5 % tooriumi;

d.

tooriumi sisaldavad keraamikatooted, mis on valmistatud mitte-tuuma eesmärkidel kasutamiseks.

0C002
Lõhustuvad erimaterjalid

Märkus: Punkt 0C002 ei hõlma kogust, milleks on neli või vähem "efektiivgrammi" instrumentide anduriosades.

0C003
Deuteerium, raske vesi (deuteeriumoksiid) ja teised deuteeriumiühendid ning segud ja deuteeriumi sisaldavad lahused, milles deuteeriumi ja vesiniku isotoopsuhe on suurem kui 1:5 000.

0C004
Tuumatehnoloogilise puhtuseastmega grafiit, mille booriekvivalent on väiksem kui 5 miljondikku ja tihedus üle 1,5 g/cm3.

NB! VT KA PUNKTI 1C107.

Märkus 1: Punkt 0C004 ei hõlma järgmist:

a.

grafiittooted, mille mass on alla 1 kg ja mis ei ole spetsiaalselt projekteeritud ega valmistatud kasutamiseks tuumareaktorites;

b.

grafiidipulber.

Märkus 2: Punktis 0C004 on booriekvivalent (BE) määratletud kui lisandite BEz-de summa (v.a BEsüsinik, kuna süsinikku ei loeta lisandiks) koos booriga, kus:

BEZ(ppm) = CF x elemendi Z kontsentratsioon ppm-des;

kus CF on teisendustegur Formula

ning σB ja σZ on vastavalt loodusliku boori ja elemendi Z soojuslike neutronite haarde ristlõige (barnides); AB ja AZ on vastavalt loodusliku boori ja elemendi Z aatommassid.

0C005
Gaasilise difusiooni tõkete valmistamiseks ettenähtud UF6 korrosioonile vastupidavad ühendid või pulbrid (nt nikkel või sulam, mis sisaldab 60 massiprotsenti või rohkem niklit, alumiiniumoksiid ja täielikult fluoritud süsivesinikpolümeerid) puhtusastmega 99,9 massiprotsenti või rohkem, mille osakeste suurus mõõdetuna vastavalt USA Materjalide Katsetamise Ühingu (ASTM) standardile B330 on 10 μm või vähem ning milles osakeste jaotus suuruse järgi on väga väike.

0D
Tarkvara

0D001
Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud käesolevas kategoorias nimetatud kaupade arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks.

0E
Tehnoloogia

0E001
Tuumatehnoloogia märkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud käesolevas kategoorias nimetatud kaupade arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks.

1. KATEGOORIA – MATERJALID, KEMIKAALID, MIKROORGANISMID JA TOKSIINID

1A
Süsteemid, seadmed ja komponendid

1A001
Järgmised fluoritud segudest valmistatud komponendid:

a.

mansetid, tihendid, hermeetikud või kütusepõied, mis on spetsiaalselt kavandatud õhu- või kosmosesõidukitel kasutamiseks ning mille valmistamisel on kasutatud üle 50 massiprotsendi punktis 1C009.b või 1C009.c nimetatud materjale;

b.

piesoelektrilised polümeerid ja kopolümeerid, mis on valmistatud punktis 1C009.a nimetatud vinülideenfluoriidmaterjalidest:

1.

lehe või kilena ning

2.

paksusega üle 200 μm;

c.

mansetid, tihendid, klapipesad, põied ja membraanid, mis on spetsiaalselt kavandatud õhu- ja kosmosesõidukite ja rakettmürskude jaoks ning valmistatud fluoroelastomeeridest, mis sisaldavad vähemalt üht vinüüleetrirühma.

Märkus: Punktis 1A001.c tähendab rakettmürsk terviklikke raketisüsteeme ja mehitamata õhusõidukisüsteeme.

1A002
Komposiitstruktuurid või -laminaadid, millel on:

NB! VT KA PUNKTE 1A202, 9A010 ja 9A110.

a.

orgaaniline põhiaine, mis on valmistatud punktis 1C010.c, 1C010.d või 1C010.e nimetatud materjalidest või

b.

metall- või süsinikpõhiaine ning on valmistatud:

1.

süsinikkiust või niitmaterjalist, mille:

a.

erimoodul on üle 10,15 × 106 m ning

b.

eritõmbetugevus on üle 17,7 × 104 m või

2.

punktis 1C010.c nimetatud materjalidest.

Märkus 1: Punkt 1A002 ei hõlma komposiitstruktuure või- laminaate, mis on valmistatud epoksüvaiguga immutatud "süsinikkiust või niitmaterjalidest", mis on ettenähtud õhusõiduki tarindite või laminaatide parandamiseks, kui pindala ei ületa 1 m2.

Märkus 2: Punkt 1A002 ei hõlma valmistooteid ega pooltooteid, mis on ette nähtud kasutamiseks tsiviilotstarbel:

a.

spordikaupadena;

b.

autotööstuses;

c.

tööpingitööstuses;

d.

meditsiinis.

1A003
Punktis 1C008.a.3 nimetatud mittefluoritud polümeeridest valmistatud kile-, lehe-, lindi- või paelakujulised tooted, mis on järgmiste omadustega:

a.

paksusega üle 0,254 mm või

b.

kaetud või lamineeritud süsiniku, grafiidi, metallide või magnetiliste ainetega.

Märkus: Punkt 1A003 ei käsitle tooteid, mis on kaetud või lamineeritud vasega ja on kavandatud trükkplaatide tootmiseks.

1A004
Kaitse- ja avastamisseadmed ning nende komponendid, mida ei ole nimetatud sõjaliste kaupade nimekirjas:

NB! VT KA PUNKTE 2B351 JA 2B352.

a.

gaasimaskid, filtrid ja saaste kõrvaldamise seadmed, mis on kavandatud või kohandatud kaitseks bioloogiliste toimeainete või sõjaliseks kasutamiseks kohandatud radioaktiivsete ainete või keemiliste ründeainete eest ning nende jaoks kavandatud komponendid;

b.

kaitseülikonnad, -kindad ja -jalatsid, mis on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud kaitseks bioloogiliste toimeainete või sõjaliseks kasutamiseks kohandatud radioaktiivsete ainete või keemiliste ründeainete eest;

c.

tuuma-, bioloogilise ja keemilise (NBC) saaste avastamise süsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud bioloogiliste toimeainete või sõjaliseks kasutamiseks kohandatud radioaktiivsete ainete või keemiliste ründeainete avastamiseks ja identifitseerimiseks, ning nende jaoks kavandatud komponendid.

Märkus: Punkt 1A004 ei hõlma järgmist:

a.

personaalsed radiatsioonidosimeetrid;

b.

seadmed, mille konstruktsioon või funktsioonid on piiratud kaitseks tsiviiltegevuses, nagu all- ja pealmaakaevandamine, põllumajandus, ravimitööstus, meditsiin, veterinaaria, keskkond, jäätmekäsitlus, või toiduainetööstus esinevate iseloomulike riskide eest.

1A005
Kuulikindlad vestid ja spetsiaalselt nende jaoks kavandatud komponendid, välja arvatud need, mis on valmistatud sõjaliste standardite või spetsifikatsioonide kohaselt või nendega samaväärsete eeskirjade kohaselt.

NB! VT KA SÕJALISTE KAUPADE NIMEKIRJA.

NB! Kuulikindlate vestide valmistamiseks kasutatavate "kiud- ja niitmaterjalide" kohta vt punkti 1C010.

Märkus 1: Punkt 1A005 ei hõlma kuulikindlaid veste või kaitserõivaid, kui inimene kasutab neid oma isiklikuks kaitseks.

Märkus 2: Punkt 1A005 ei käsitle kuulikindlaid veste, mis on kavandatud pakkuma vaid frontaalset kaitset mittesõjaliste lõhkeseadeldiste kildude ja plahvatuse eest.

1A102
Korduvküllastatud pürolüüsitud süsinik-süsinik-komponendid, mis on ette nähtud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettides või punktis 9A104 nimetatud sondrakettides.

1A202
Komposiitstruktuurid, muud kui punktis 1A002 nimetatud, torude kujul, millel on mõlemad järgmised omadused:

NB! VT KA PUNKTE 9A010 ja 9A110.

a.

sisediameeter 75–400 mm ning

b.

valmistatud punktides 1C010.a või 1C010.b või punktis 1C210.a nimetatud kiud- või niitmaterjalist või punktis 1C210.c nimetatud süsinikprepregmaterjalist.

1A225
Platineeritud katalüsaatorid, mis on ispetsiaalselt projekteeritud või valmistatud vesiniku isotoopidevahetusreaktsiooni aktiveerimiseks vesiniku ja vee vahel, triitiumi tagasisaamiseks raskest veest või raske vee tootmiseks.

1A226
Spetsiaalsed topendid, mida võib kasutada raske vee eraldamiseks tavalisest veest ja millel on on mõlemad järgmised omadused:

a.

valmistatud fosforpronksvõrgust, mida on märguvuse parandamiseks keemiliselt töödeldud ning

b.

kavandatud kasutamiseks vaakumdestillatsioonikolonnides.

1A227
Kõrgtihedad (pliiklaasist vms) kiirgusvarjeaknad, millel on kõik järgmised omadused, ning spetsiaalselt selliste akende jaoks projekteeritud raamid:

a.

külm (kiirgusvaba) piirkond on suurem kui 0,09 m2;

b.

tihedus on üle 3 g/cm3 ning

c.

paksus on 100 mm või rohkem.

Tehniline märkus:

Punktis 1A227 tähendab külm piirkond akna väljavaateala, mis on kavandatud kasutuse korral avatud madalaimale kiirgustasemele.

1B
Testimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed

1B001
Järgmised seadmed punktides 1A002 ja 1C010 nimetatud kiudude, prepregmaterjalide, eelvormide ja komposiitide tootmiseks ning nende jaoks ettenähtud komponendid ja lisaseadmed:

NB! VT KA PUNKTE 1B101 JA 1B201.

a.

elementaarkiu poolimispingid, mille liikumine positsioneerimiseks, kiudude poolimiseks ja mähkimiseks on koordineeritud ja programmeeritud kolme või enama telje suhtes ja mis on spetsiaalselt ette nähtud komposiitstruktuuride või -laminaatide tootmiseks kiud- või niitmaterjalidest;

b.

lintimis- ja köisikupaigalduspingid, mille liikumine lindi, köisiku või lehtede positsioneerimiseks ja paigaldamiseks on koordineeritud ja programmeeritud kahe või enama telje suhtes ja mis on spetsiaalselt ette nähtud komposiitsete õhusõiduki plaanerite või rakettmürskude tarindite tootmiseks;

Märkus: Punktis 1B001.b tähendab rakettmürsk terviklikke raketisüsteeme ja mehitamata õhusõidukisüsteeme.

c.

mitmesuunalised ja -dimensioonilised kudumisteljed või põimimispingid kiudude kudumiseks, põimimiseks või punumiseks komposiitstruktuuride tootmise eesmärgil ning nende adapterid ja ümberseadistamiskomplektid;

Tehniline märkus:

Punkti 1B001.c tähenduses hõlmab põimimine kudumist.

Märkus: Punkt 1B001.c ei hõlma tekstiilitööstuses kasutatavaid seadmeid, mida ei ole seadistatud eespool nimetatud lõppkasutuseks.

d.

järgmised armeerimiskiudude tootmiseks ettenähtud või kohandatud seadmed:

1.

seadmed polümeerkiudude (nt polüakrüülnitriil, raion, pigi või polükarbosilaan) muutmiseks süsinikkiududeks või ränikarbiidkiududeks, kaasa arvatud eriseadmed kiudude pingutamiseks kuumutamise jooksul;

2.

seadmed kuumutatud kiudsubstraatide katmiseks elementide või ühenditega keemilise aursadestamise abil ränikarbiidkiudude tootmiseks;

3.

seadmed kuumuskindla portselani (nt alumiiniumoksiid) märgketruseks;

4.

seadmed lähteaineks olevate alumiiniumisisaldusega kiudude muutmiseks termotöötlemisel alumiiniumoksiidkiududeks;

e.

seadmed punktis 1C010.e nimetatud prepregmaterjalide tootmiseks kuumsulatusmeetodil;

f.

spetsiaalsed mittepurustavad kontrollseadmed defektide kolmemõõtmeliseks otsinguks komposiitmaterjalides ultraheli- või röntgentomograafia abil.

1B002
Seadmed, mis on ette nähtud metallisulamite, metallisulamipulbrite või legeeritud materjalide tootmiseks ja saastumise vältimiseks ning kavandatud punktis 1C002.c2 nimetatud protsessides kasutamiseks.

NB! VT KA PUNKTI 1B102.

1B003
Titaani, alumiiniumi või nende sulamite üliplastseks vormimiseks või difusioonkeevitamiseks ettenähtud tööriistad, stantsid, vormid ja rakised järgmiste toodete valmistamiseks:

a.

õhusõidukite plaanerite või kosmosesõidukite tarindid;

b.

õhu- või kosmosesõidukite mootorid või

c.

spetsiaalselt kavandatud komponendid nendele tarinditele või mootoritele.

1B101
Muud kui punktis 1B001 nimetatud seadmed, mis on ette nähtud järgmiste struktuurkomposiitide tootmiseks, ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid ja lisaseadmed:

NB! VT KA PUNKTI 1B201.

Märkus: Punktis 1B101 määratletud komponendid ja lisaseadmed hõlmavad valuvorme, torne, stantse, rakiseid ning tööriistasid komposiitstruktuuride, -laminaatide ja nende toodete eelvormi pressimiseks, tahkestamiseks, valamiseks, paagutamiseks või kleepimiseks.

a.

elementaarkiu poolimispingid, mille liikumine positsioneerimiseks, kiudude poolimiseks ja mähkimiseks on koordineeritud ja programmeeritud kolme või enama telje suhtes ja mis on spetsiaalselt ette nähtud komposiitstruktuuride või -laminaatide tootmiseks kiud- või kiudmaterjalidest, ning koordineerimise ja programmeerimise juhtseadmed;

b.

lintimispingid, mille liikumine lindi või lehtede positsioneerimiseks ja paigaldamiseks on koordineeritavad ja programmeeritavad kahe või enama telje suhtes ja mis on spetsiaalselt ette nähtud komposiitsete õhusõiduki plaanerite või rakettmürskude tarindite tootmiseks;

c.

järgmised kiud- või niitmaterjalide tootmiseks kavandatud või seadistatud seadmed:

1.

seadmed polümeerkiudude (nt polüakrüülnitriil, raion või polükarbosilaan) muutmiseks, kaasa arvatud spetsiaalne varustus kiudude pingutamiseks kuumutamise jooksul;

2.

kuumutatud kiudsubstraatidele elementide või ühendite aursadestamise seadmed;

3.

seadmed kuumuskindla portselani (nt alumiiniumoksiid) märgketruseks;

d.

seadmed, mis on kavandatud või seadistatud spetsiaalseks kiudude pinnatöötluseks või punktis 9C110 nimetatud prepregmaterjalide ja eelvormide tootmiseks.

Märkus: Punktis 1B101.d nimetatud seadmete hulka kuuluvad rullid, venitus-, pindamis- ja lõikeseadmed ning matriitsid.

1B102
Muud kui punktis 1B002 nimetatud metallipulbri tootmisseadmed ja järgmised komponendid:

NB! VT KA PUNKTI 1B115.b.

a.

metallipulbri tootmisseadmed, mida saab kasutada punktis 1C011.a, 1C011.b, 1C111.a.1, 1C111.a.2 või sõjaliste kaupade nimekirjas nimetatud sfääriliste või pihustatud materjalide tootmiseks kontrollitavas keskkonnas;

b.

spetsiaalselt kavandatud punktis 1B002 või 1B102.a nimetatud tootmisseadmed.

Märkus: Punkt 1B102 hõlmab järgmist:

a.

plasmageneraatorid (kõrgsageduslik kaarleek), mida kasutatakse pihustatud või sfääriliste metallipulbrite saamiseks argoon-vesi keskkonnas teostatava menetlusega;

b.

elektrilahendusseadmed, mida kasutatakse pihustatud või sfääriliste metallipulbrite saamiseks argoon-vesi keskkonnas teostatava menetlusega;

c.

seadmed, mida kasutatakse sfääriliste alumiiniumipulbrite "tootmiseks", pihustades sulametalli inertsesse keskkonda (nt lämmastik).

1B115
Muud kui punktis 1B002 või 1B102 nimetatud seadmed raketikütuse ja raketikütuse koostisosade tootmiseks ja nende jaoks ettenähtud komponendid:

a.

tootmisseadmed punktis 1C011.a, 1C011.b, 1C111 või sõjaliste kaupade nimekirjas nimetatud vedelate raketikütuste või raketikütuse koostisosade tootmiseks, käitlemiseks või heakskiidukatseteks;

b.

tootmisseadmed punktis 1C011.a, 1C011.b, 1C111 või sõjaliste kaupade nimekirjas nimetatud tahkete raketikütuste või raketikütuse koostisosade tootmiseks, käitlemiseks, segamiseks, tahkestamiseks, valuks, pressimiseks, töötlemiseks, ekstrusiooniks või heakskiidukatseteks.

Märkus: Punkt 1B115.b ei hõlma perioodilisi segisteid, pidevsegisteid ega paiskveskeid. Perioodiliste segistite, pidevsegistite ja paiskveskite kontrolli vaata punktidest 1B117, 1B118 ja 1B119.

Märkus 1: Sõjaliste kaupade tootmiseks spetsiaalselt kavandatud seadmete kohta vaata sõjaliste kaupade nimekirja.

Märkus 2: Punkt 1B115 ei hõlma boorkarbiidi "tootmise", käitlemise ja heakskiidukatsete seadmeid.

1B116
Düüsid, mis on spetsiaalselt kavandatud pürolüütiliselt saadud materjalide tootmiseks, mis on moodustunud valuvormil, spindlil või muul alusel lähtegaasidest, mis lagunevad temperatuurivahemikus 1 573 K (1 300 °C) kuni 3 173 K (2 900 °C), rõhul 130 Pa–20 kPa.

1B117
Perioodilised segistid segamiseks vaakumis rõhuvahemikus 0–13 326 kPa võimalusega reguleerida segamiskambri temperatuuri, millel on kõik järgmised omadused:

a.

kogumaht 110 liitrit ja rohkem ning

b.

vähemalt ühe ekstsentrilise segamis-/sõtkumisvõlliga.

1B118
Pidevsegistid segamiseks vaakumis rõhuvahemikus 0–13 326 kPa reguleeritava temperatuuriga segamiskambris, millel on mis tahes järgmised omadused:

a.

kaks või rohkem segamis-/sõtkumisvõlli või

b.

üks pöörlev võnkliikuv võll, millel on sõtkumishambad/-sõrmed nii võllil kui ka segamiskambri seinte siseküljel.

1B119
Paiskveskid punktis 1C011.a, 1C011.b, 1C111 või sõjaliste kaupade nimekirjas nimetatud ainete peenestamiseks või jahvatamiseks ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud osad.

1B201
Elementaarkiu poolimispingid, muud kui punktis 1B001 või 1B101 nimetatud, ja nendega seotud järgmised seadmed:

a.

elementaarkiu poolimispingid, millel on kõik järgmised omadused:

1.

mille liikumine positsioneerimiseks, kiudude poolimiseks ja mähkimiseks on koordineeritud ja programmeeritud kahe või enama telje suhtes;

2.

mis on ette nähtud komposiitstruktuuride või -laminaatide tootmiseks kiud- või niitmaterjalidest ning

3.

mis võimaldavad 75–400 mm diameetriga ja 600 mm pikkuste või pikemate silindriliste rootorite mähkimist;

b.

punktis 1B201.a nimetatud elementaarkiu poolimispinkide koordineerimis- ja programmeerimisseadmed;

c.

punktis 1B201.a nimetatud elementaarkiu poolimispinkide täpsustornid.

1B225
Elektrolüüsivannid fluori tootmiseks, mille tootmisvõimsus on enam kui 250 g fluori tunnis.

1B226
Elektromagnetilised isotoopseparaatorid, mis on kavandatud või varustatud ühe või mitme iooniallikaga, võimaldades maksimaalset ioonkiirte voolu 50 mA või rohkem.

Märkus: Punkt 1B226 hõlmab separaatoreid:

a.

mis võimaldavad rikastada stabiilseid isotoope;

b.

millel mõlemad, nii iooniallikad kui ka kollektorid, võivad asuda kas magnetväljas või väljaspool magnetvälja.

1B227
Ammoniaagi sünteesimiskonverterid või ammoniaagi sünteesiseadmed, milles sünteesgaas (lämmastik ja vesinik) eemaldatakse kõrgsurve ammoniaak/vesinik-vahetuskolonnist ja sünteesitud ammoniaak suunatakse tagasi samasse kolonni.

1B228
Vesiniku krüodestillatsiooni kolonnid, millel on kõik järgmised omadused:

a.

ette nähtud tööks temperatuuril 35 K (–238 °C) või vähem;

b.

ette nähtud töötama siserõhul 0,5–5 MPa;

c.

valmistatud:

1.

vähese väävlisisaldusega 300-seeria roostevabast terasest, mille austeniitse tera suurus on 5 või suurem ASTM-i (või samaväärse standardi) järgi, või

2.

samalaadsetest ülimadalat temperatuuri ja H2 keskkonda taluvatest materjalidest ning

d.

sisediameetriga 1 m või rohkem ning tegeliku pikkusega 5 m või üle selle.

1B229
Järgmised vesi-vesiniksulfiid-vahetuskolonnid ja nende sisekontaktorid:

NB! Spetsiaalselt raske vee tootmiseks kavandatud või valmistatud kolonnide kohta vt punkti 0B004.

a.

vesi-vesiniksulfiid-taldrikvahetuskolonnid, millel on kõik järgmised omadused:

1.

võivad töötada rõhul 2 MPa või rohkem;

2.

valmistatud süsinikterasest, mille austeniitse tera suurus on 5 või suurem ASTM-i (või samaväärse standardi) järgi, ning

3.

diameetriga 1,8 m või rohkem;

b.

punktis 1B229.a määratletud vesi-vesiniksulfiid-taldrikvahetuskolonnide jaoks ettenähtud sisekontaktorid.

Tehniline märkus:

Kolonnide sisekontaktoriteks on segmenditud taldrikud efektiivdiameetriga 1,8 m või rohkem, mis on konstrueeritud hõlbustama vastuvoolukontakti ning on valmistatud roostevabast terasest süsinikusisaldusega 0,03 % või vähem. Need võivad olla sõeltaldrikud, ventiiltaldrikud, kellakujulised või turbovõretaldrikud.

1B230
Pumbad, mis tsirkuleerivad kontsentreeritud või lahjendatud kaaliumamiidi katalüsaatorlahuseid vedelas ammoniaagis (KNH2/NH3) ja millel on kõik järgmised omadused:

a.

õhutihedad (st hermeetiliselt suletud);

b.

tootlikkusega 8,5 m3/h või rohkem ning

c.

üks järgmistest omadustest:

1.

kontsentreeritud kaaliumamiidilahuste (1 %lise või suurema kontsentratsiooniga) jaoks on töörõhk 1,5–60 MPa või

2.

lahjendatud kaaliumamiidilahuste (alla 1 %lise kontsentratsiooniga) jaoks on töörõhk 20–60 MPa.

1B231
Triitiumi tootmisrajatised või -tehased ning seadmed nende jaoks:

a.

tootmisrajatised või -tehased triitiumi tootmiseks, taastamiseks, ekstraheerimiseks, kontsentreerimiseks või käitlemiseks;

b.

seadmed triitiumi tootmisrajatiste või -tehaste jaoks järgmiselt:

1.

vesinik- või heeliumijahutusmoodulid jahutusvõimega 23 K (–250 °C) või sellest madalamale ning soojusärastamisvõimega 150 W või rohkem;

2.

vesiniku isotoopide kogumis- ja puhastussüsteemid, mis koguvad ja puhastavad metallhüdriidide keskkonnas.

1B232
Turboekspandrid või turboekspander-kompressorgarnituurid, millel on järgmised omadused:

a.

projekteeritud töötamiseks väljundtemperatuuril 35 K (–238 °C) või madalamal ning

b.

projekteeritud vesinikgaasi tootlikkus 1 000 kg/h või rohkem.

1B233
Liitiumi isotoopide eraldusrajatised või -tehased ning seadmed nende jaoks:

a.

rajatised või tehased liitiumi isotoopide eraldamiseks;

b.

seadmed liitiumi isotoopide eraldamiseks järgmiselt:

1.

täidetud vedelik-vedelik-vahetuskolonnid, mis on spetsiaalselt kavandatud liitiumamalgaamidele;

2.

elavhõbeda või liitiumamalgaami pumbad;

3.

liitiumamalgaami elektrolüüsikambrid;

4.

aurustid kontsentreeritud liitiumhüdroksiidilahuste jaoks.

1C
Materjalid

Tehniline märkus:

Metallid ja sulamid

 

Kui ei ole sätestatud teisti, kuuluvad punktides 1C001–1C012 käsitletud mõistete metall ja sulam alla järgmised metallid ja sulamid töötlemata ja pooltöödeldud kujul:

töötlemata kujul:

 

anoodid, kuulid, varbmaterjalid (kaasa arvatud sarrusvarvad ja traadi varbtoorikud), valutoorikud, pangad, bluumid, briketid, kamakad, katoodid, kristallid, kuubikud, pooljuhtmaterjalide toorikkristallid, terad, graanulid, kangid, känkrad, tabletid, toormetalli plokid, pulbrid, helmed, haavlid, slääbid e valtsplaadid, toorikud, käsnmetallid, latid;

pooltöödeldud kujul (pinnatud või pindamata, kaetud teisest metallist kihiga (metallitud), puuritud või augustatud):

a.

survetöödeldud või töödeldud materjalid, mida on valtsitud, tõmmatud, ekstrudeeritud, sepistatud, vormpressitud, pressitud, sõmerdatud, pihustatud ja jahvatatud, nagu: nurkmetall, karpmetall, ringmetall, kettad, tolm, helbed, fooliumid ning õhuke lehtmetall, sepis, plaat, pulber, pressitud ja stantsitud esemed, lindid, rõngad, vardad (sh katmata keevituselektroodid, traadi varbtoorikud ja valtstraat), profiilid, vormid, plekid (lehtmetall), laastud, torud (sh ümartorud, kandilised torud ning mis tahes ristlõikega õõnesmaterjalid), tõmmatud või ekstrudeeritud traat;

b.

valumaterjalid, mis on saadud valu valamisel mulda, matriitsi, metallist, kipsist või muudest materjalidest vormidesse, kaasa arvatud survevalu, paagutatud kujul ning pulbermetallurgia abil valmistatud kujul.

Kontrolli eesmärki ei tohi nurjata materjalide eksport mitteloetletud kujul, mida väidetakse olevat lõpptooted, kuid mis tegelikult on töötlemata või pooltöödeldud kujul.

1C001
Materjalid, mis on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks elektromagnetlainete neelajatena, või omajuhtivuslikud polümeerid.

NB! VT KA PUNKTI 1C101.

a.

Materjalid, mis neelavad sagedusi vahemikus 2 × 108 Hz kuni 3 × 1012 Hz.

Märkus 1: Punkt 1C001.a ei hõlma järgmist:

a.

naturaalsetest või sünteetilistest kiududest kokkuseatud karvtüüpi neelajad, mittemagnetilise koormusega neeldumise tekitamiseks;

b.

neelajad, milles ei esine magnetilisi kadusid ning mille kohtamispind ei ole kujult tasane, hõlmates püramiide, koonuseid, kiile ning keerdunud pindu;

c.

tasapinnalised neelajad, millel on kõik järgmised omadused:

1.

valmistatud jägmistest materjalidest:

a.

süsiniktäitega (painduvad või paindumatud) vahtplastikud või orgaanilised materjalid, sh sideained, mis annavad metalliga võrreldes enam kui 5 %lise kaja sagedusribas, mis ulatub üle ±15 % pealelangeva energia kesksagedusest ning mis ei talu temperatuuri üle 450 K (177 °C), või

b.

keraamilised materjalid, mis annavad metalliga võrreldes enam kui 20 %lise kaja sagedusribas, mis ulatub üle ±15 % pealelangeva energia kesksagedusest ning mis ei talu temperatuuri üle 800 K (527 °C);

Tehniline märkus:

Punkti 1C001.a märkuse 1.c.1 puhul peavad neeldumise proovikehad olema ruudukujulised, küljepikkusega vähemalt viis kesksageduse lainepikkust ning asetatud kiirgava elemendi kaugvälja.

2.

tõmbetugevus väiksem kui 7 × 106 N/m2 ning

3.

survetugevus väiksem kui 14 × 106 N/m2;

d.

paagutatud ferriidist valmistatud tasapinnalised neelajad, mille:

1.

erikaal on üle 4,4 ning

2.

maksimaalne töötemperatuur on 548 K (275 °C).

Märkus 2: Mitte miski punkti 1C001.a märkuses 1 ei vabasta värvis sisalduvaid neeldumisotstarbelisi magnetilisi materjale.

b.

Materjalid, mis neelavad sagedusi vahemikus 1,5 × 1014 Hz kuni 3,7 × 1014 Hz ega ole läbipaistvad nähtavale valgusele.

c.

Omajuhtivusega polümeersed materjalid, mille elektriline mahtjuhtivus ületab 10 000 S/m (siimensit meetri kohta) või mille kiht-/pindtakistus on vähem kui 100 oomi/m2 ning mis põhinevad mis tahes järgmisel polümeeril:

1.

polüaniliin;

2.

polüpürrool;

3.

polütiofeen;

4.

polüfenüleenvinüleen või

5.

polütienüleenvinüleen.

Tehniline märkus:

Elektriline mahtjuhtivus ning kiht-/pindjuhtivus tuleb määrata kas ASTM D-257 või vastava siseriikliku standardi alusel.

1C002
Metallisulamid, pulbrid metallisulamitest ja legeeritud materjalid.

NB! VT KA PUNKTI 1C202.

Märkus: Punkt 1C002 ei hõlma metallisulameid, metallisulamipulbreid ning sulandunud materjale põhimiku katmiseks.

Tehnilised märkused:

1.

Punktis 1C002 nimetatud metallisulamid on need, milles mainitud metalli sisaldus protsentuaalselt (massiprotsent) sulamis on suurem kui mis tahes teisel elemendil.

2.

Pingetaluvusaega purunemiseni tuleb mõõta vastavalt ASTM-i standardile E-139 või vastavale siseriiklikule standardile.

3.

Väsimisaeg vähetsüklilise väsitamise korral tuleb mõõta vastavalt ASTM-i standardile E-606 Recommended Practice for Constant-Amplitude Low-Cycle Fatigue Testing (tööjuhend konstantse amplituudiga vähetsüklilise väsimuse katsetamiseks) või vastavale siseriiklikule standardile. Katsetamine peab toimuma teljesuunaliselt keskmise pingesuhtega 1 ning pingekontsentratsiooniteguriga (Kt) 1. Keskmine pinge on defineeritud kui maksimaalse ja minimaalse pinge vahe jagatuna maksimaalse pinge väärtusega.

a.

Järgmised aluminiidid:

1.

nikkelaluminiidid, mis sisaldavad vähemalt 15 massiprotsenti, kuid üle 38 massiprotsendi alumiiniumi ja lisaks vähemalt veel ühte legeerelementi;

2.

titaanaluminiidid, mis sisaldavad 10 massiprotsendi või rohkem alumiiniumi ja lisaks vähemalt veel ühte legeerelementi.

b.

Metallisulamid, mis on valmistatud punktis 1C002.c nimetatud materjalidest:

1.

niklisulamid, mille:

a.

pingetaluvusaeg purunemiseni on 10 000 tundi või rohkem temperatuuril 923 K (650 °C) ning pingel 676 MPa või

b.

väsimisaeg vähesüklilisel väsitamisel on 10 000 tsüklit või rohkem temperatuuril 823 K (+ 550 °C) ja maksimaalsel pingel 1 095 MPa;

2.

nioobiumisulamid, mille:

a.

pingetaluvusaeg purunemiseni on 10 000 tundi või rohkem temperatuuril 1 073 K (800 °C) ning pingel 400 MPa või

b.

väsimisaeg vähetsüklilisel väsitamisel on 10 000 tsüklit või rohkem temperatuuril 973 K (700 °C) ja maksimaalsel pingel 700 MPa;

3.

titaanisulamid, mille:

a.

pingetaluvusaeg purunemiseni on 10 000 tundi või rohkem temperatuuril 723 K (450 °C) ning pingel 200 MPa või

b.

väsimisaeg vähetsüklilisel väsitamisel on 10 000 tsüklit või rohkem temperatuuril 723 K (450 °C) ja maksimaalsel pingel 400 MPa;

4.

alumiiniumisulamid tõmbetugevusega:

a.

240 MPa või rohkem temperatuuril 473 K (200 °C) või

b.

415 MPa või rohkem temperatuuril 298 K (25 °C);

5.

magneesiumisulamid, mille:

a.

tõmbetugevus on 345 MPa või rohkem ning

b.

korrosioonikiirus vähem kui 1 mm aastas 3 %lises naatriumkloriidi vesilahuses mõõdetuna vastavuses ASTM-i standardile G-31 või vastavale siseriiklikule standardile.

c.

Metallisulamipulber või peeneteraline materjal, millel on järgmised omadused:

1.

mis on valmistatud järgmistest segusüsteemidest:

Tehniline märkus:

X tähistab järgmistes valemites üht või enamat legeerelementi.

a.

niklisulamid (Ni-Al-X, Ni-X-Al), mis sobivad turbiinmootorite detailidele ja komponentidele, st vähem kui 3 (valmistamisprotsessis lisatud) läbimõõdult suurema kui 100 μm mittemetalse osakesega 109 sulamiosakese kohta;

b.

nioobiumisulamid (Nb-Al-X või Nb-X-Al, Nb-Si-X, või Nb-X-Si, Nb-Ti-X või Nb-X-Ti);

c.

titaanisulamid (Ti-Al-X või Ti-X-Al);

d.

alumiiniumisulamid (Al-Mg-X või Al-X-Mg, Al-Zn-X või Al-X-Zn, Al-Fe-X või Al-X-Fe) või

e.

magneesiumisulamid (Mg-Al-X või Mg-X-Al);

2.

valmistatud kontrollitavas keskkonnas, mis tahes järgmise protsessiga:

a.

vaakumpihustamine;

b.

gaaspihustamine;

c.

rootorpihustamine;

d.

lamepulbri tootmine sulametallist;

e.

sulandi ketramine ja peenestamine;

f.

sulandi eraldamine ja peenestamine või

g.

mehaaniline legeerimine, ja

3.

need võivad moodustada punktis 1C002.a või 1C002.b nimetatud materjale.

d.

Lähtematerjalid, millel on kõik järgmised omadused:

1.

valmistatud punktis 1C002.c.1 nimetatud segusüsteemidest;

2.

mittepeenestatud helveste, ribade või peente varbade kujul ning

3.

valmistatud kontrollitavas keskkonnas, mis tahes järgmise protsessiga:

a.

lamepulbri tootmine sulametallist;

b.

sulandi ketramine või

c.

sulandi eraldamine.

1C003
Magnetilised metallid, igat tüüpi ja mis tahes kujul, millel on järgmised omadused:

a.

suhteline algne magnetiline läbitavus 120 000 või rohkem ja paksus 0,05 mm või vähem;

Tehniline märkus:

Suhtelise algse magnetilise läbitavuse mõõtmine peab olema teostatud täielikult lõõmutatud materjalidega.

b.

magnetostriktiivne sulamid, millel on järgmised omadused:

1.

magnetomehaaniline küllastus rohkem kui 5 × 10–4 või

2.

magnetomehaaniline sidestustegur (k) üle 0,8 või

c.

amorfsed või nanokristallilised sulamiliistakud, millel on kõik järgmised omadused:

1.

koostis, mis sisaldab vähemalt 75 massiprotsendi rauda, koobaltit või niklit;

2.

magnetilise induktsiooni küllastuse (BS) 1,6 T või rohkem ning

3.

mis tahes järgmistest:

a.

liistaku paksus 0,02 mm või vähem või

b.

elektriline eritakistus 2 × 10–4 oomi/cm või rohkem.

Tehniline märkus:

Punktis 1C003.c nimetatud nanokristallilised materjalid on sellised materjalid, mille röntgendifraktsiooni abil määratud tera suurus on 50 nm või vähem.

1C004
Raua, nikli või vase baasil uraantitaan- või volframisulamid, millel on kõik järgmised omadused:

a.

tihedus üle 17,5 g/cm3;

b.

elastsuspiir üle 880 MPa;

c.

tõmbetugevus üle 1 270 MPa ning

d.

suhteline pikenemine üle 8 %.

1C005
Ülijuhtivad komposiitjuhtmed, pikkusega üle 100 m või massiga üle 100 g:

a.

mitmekiulised ülijuhtivad komposiitjuhtmed, mis sisaldavad üht või enamat nioobium-titaankiudu, mis on:

1.

asetatud muudesse põhiainetesse kui vask või vase baasil segude põhiaine või

2.

ristlõikepindalaga vähem kui 0,28 × 10–4 mm2 (väiksem kui 6 μm diameetriga ümarkiud);

b.

ülijuhtivad komposiitjuhtmed, mis koosnevad ühest või enamast ülijuhtivast kiust, muud kui nioobium-titaankiud, ning millel on kõik järgmised omadused:

1.

kriitiline temperatuur magnetilise induktsiooni puudumise korral on üle 9,85 K (–263,31 °C), kuid vähem kui 24 °K (–249,16 °C),

2.

ristlõikepindala on vähem kui 0,28 × 10–4 mm2 ning

3.

temperatuuril 4,2 °K (–268,96 °C) magnetvälja asetatuna säilitab ülijuhtiva oleku ka 12 T suuruse magnetvälja magnetilise induktsiooni korral.

1C006
Vedelikud ja määrdeained:

a.

hüdraulilised vedelikud, mis sisaldavad oluliste koostisosadena mis tahes järgmist ühendit või ainet:

1.

sünteetilised silasüsivesinikõlid, millel on kõik järgmised omadused:

Tehniline märkus:

Punkti 1C006 a.1 tähenduses sisaldavad silasüsivesinikõlid eranditult räni, vesinikku ja süsinikku.

a.

süttimispunkt üle 477 K (204 °C),

b.

hangumispunkt 239 K (–34 °C) või madalam;

c.

viskoossusindeks 75 või suurem ning

d.

terminiline stabiilsus 616 K (343 °C) või

2.

klorofluorosüsinik, millel on kõik järgmised omadused:

Tehniline märkus:

Punkti 1C006.a.2 tähenduses sisaldab klorofluorosüsinik eranditult süsinikku, fluori ja kloori.

a.

süttimispunkt puudub;

b.

isesüttimistemperatuur üle 977 K (704 °C),

c.

hangumispunkt 219 K (–54 °C) või madalam;

d.

viskoossusindeks 80 või suure ning

e.

keemispunkt 473 K (200 °C) või kõrgem;

b.

määrdeained, mis sisaldavad oluliste koostisosadena mis tahes järgmist ühendit või ainet:

1.

fenüleen- või alküülfenüleeneetrid või tioeetrid või nende segud, mis sisaldavad rohkem kui kaht eetri või tioeetri funktsiooni või nende segusid, või

2.

fluoritud silikoonvedelikud, mille kinemaatiline viskoossus on temperatuuril 298 K (25 °C) väiksem kui 5 000 mm2/s (5 000 sentistooksi);

c.

summutus- ja flotovedelikud puhtusastmega üle 99,8 %, mis sisaldavad 100 ml kohta vähem kui 25 osakest suurusega 200 μm või rohkem ja mis koosnevad vähemalt 85 % ulatuses mis tahes järgmisest ühendist või ainest:

1.

dibromotetrafluoroetaan;

2.

polüklorotrifluoroetüleen (üksnes õli- ja vahalaadsed modifikatsioonid) või

3.

polübromotrifluoroetüleen;

d.

fluorosüsivesinikel põhinevad elektroonika jahutusvedelikud, millel on kõik järgmised omadused:

1.

sisaldavad 85 massiprotsenti või enam mis tahes järgmist ühendit või nende segu:

a.

perfluoropolüalküüleeter-triasiinide või perfluoroalifaatsete eetrite monomeersed vormid;

b.

perfluoroalküülamiinid;

c.

perfluorotsükloalkaanid või

d.

perfluoroalkaanid;

2.

tihedus 1,5 g/ml või rohkem mõõdetuna temperatuuril 298 K (25 °C);

3.

temperatuuril 273 K (0 °C) vedelas olekus ning

4.

sisaldab 60 massiprotsenti või rohkem fluori.

Tehniline märkus:

Punkti 1C006 tähenduses kasutatakse:

a.

süttimistemperatuuri määramisel ASTM D-92s kirjeldatud Clevelandi lahtise tiigli meetodit või vastavat siseriiklikku meetodit;

b.

hangumispunkti määramisel ASTM D-97s kirjeldatud meetodit või vastavat siseriiklikku meetodit;

c.

viskoossusindeksi määramisel ASTM D-2270s kirjeldatud meetodit või vastavat siseriiklikku meetodit;

d.

termilise stabiilsuse määramisel järgmist katsemeetodit või vastavat siseriiklikku meetodit:

 

20 ml uuritavat vedelikku valatakse 46 ml mahuga roostevabast terasest (tüüp-317) anumasse, millesse on eelnevalt asetatud 12,5 mm läbimõõduga kuulid: üks M-10 tööriistaterasest, üks 52 100-tüüpi terasest ning üks laevapronksist (60 % Cu, 39 % Zn, 0,75 % Sn).

 

Anum uhutakse seest lämmastikuga, suletakse atmosfäärirõhul õhukindlalt ja kuumutatakse temperatuurini 644 ± 6 K (371 ± 6 °C) ning hoitakse sellel temperatuuril kuus tundi.

Proov loetakse termiliselt stabiilseks, kui ülalkirjeldatud protseduuri lõppedes on täidetud järgmised tingimused:

1.

iga kuuli kaalukaotus on vähem kui 10 mg/mm2 kuuli pinna suhtes;

2.

algse viskoossuse muutus, mis on määratud temperatuuril 311 K (38 °C), on väiksem kui 25 % ning

3.

summaarne happe- või aluselisusnumber on väiksem kui 0,40;

e.

Isesüttimistemperatuuri määramisel kasutatakse standardis ASTM E-659 kirjeldatud meetodit või vastavat siseriiklikku meetodit.

1C007
Keraamilised lähtematerjalid, mittekomposiitsed keraamilised materjalid, keraamilised põhimassimaterjalid ja nende lähteained:

NB! VT KA PUNKTI 1C107.

a.

titaani liht- või kompleksboriidide lähteained, mille metalliliste lisandite hulk (v.a kavatsetult lisatud lisandid) on väiksem kui 5 000 ppm ning osakeste keskmine suurus ei ületa 5 μm ja kuni 10 % osakeste suurus ei ületa 10 μm;

b.

mittekomposiitsed keraamilised materjalid töötlemata või pooltöödeldud kujul, mis koosnevad titaanboriididest tihedusega 98 % või rohkem teoreetilisest tihedusest;

Märkus: Punkt 1C007.b ei hõlma abrasiive.

c.

keraamika-keraamika-komposiitmaterjalid klaas- või oksiidpõhimassiga, mis on armeeritud mis tahes järgmistest süsteemidest valmistatud kiududega:

1.

valmistatud järgmistest materjalidest:

a.

Si-N;

b.

Si-C;

c.

Si-Al-O-N või

d.

Si-O-N ning

2.

mille eritõmbetugevus on üle 12,7 × 103 m;

d.

keraamika-keraamika-komposiitmaterjalid, pideva metallfaasiga või mitte, mis liidavad osakesi, niitkristalle või kiude, milles räni, tsirkooniumi või boori karbiidid või nitriidid moodustavad põhimassi;

e.

lähteained (nt spetsiaalsed polümeersed või metallorgaanilised ühendid) punktis 1C007.c nimetatud materjalide mõne faasi või faaside tootmiseks:

1.

polüdiorganosilaanid (ränikarbiidi tootmiseks);

2.

polüsilatsaanid (räninitriidi tootmiseks);

3.

polükarbosilatsaanid (räni-, süsinik- ja lämmastikkomponentidega keraamika tootmiseks);

f.

keraamika-keraamika-komposiitmaterjalid oksiid- või klaaspõhimassiga, mis on armeeritud mis tahes järgmistest süsteemidest saadud pidevkiududega:

1.

Al2O3 või

2.

Si-C-N.

Märkus: Punkt 1C007.f ei hõlma "komposiite", mis sisaldavad nendest süsteemidest kiude kiu tõmbetugevusega alla 700 MPa temperatuuril 1 273 K (1 000 °C) või kiudu tõmbe-roome-vastupanuga rohkem kui 1 % roomedeformatsiooni 100 MPa koormisel, 1 273 K (1 000 °C) temperatuuril 100 tunni kestel.

1C008
Mittefluoritud polümeersed ained:

a.

1.

bismaleimiidid;

2.

aromaatsed polüamidoimiidid;

3.

aromaatsed polüimiidid;

4.

aromaatsed polüeeterimiidid, mille klaasistumistemperatuur (Tg) on üle 513 K (240 °C);

Märkus: Punkt 1C008.a ei hõlma surve all vormitavaid mittesulavaid pulbreid või vormitud detaile.

b.

termoplastsed vedelkristallkopolümeerid, mille soojusliku deformeerumise temperatuur on üle 523 K (250 °C), mõõdetuna vastavalt AISO 75-3 (2004) standardile või vastavale siseriiklikule meetodile koormusega 1,82 N/mm2, ja mis koosnevad:

1.

mis tahes järgmistest:

a.

fenüleen, bifenüleen või naftaleen või

b.

metüül, tertsiaarbutüül või fenüüliga asendatud fenüleen, bifenüleen või naftaleen ning

2.

mis tahes järgmisest happest:

a.

tereftaalhape;

b.

6-hüdroksü-2-naftohape või

c.

4-hüdroksübensoehape;

c.

järgmised polüarüleeneeterketoonid:

1.

ei kasutata;

2.

polüeeterketoonketoon (PEKK);

3.

polüeeterketoon (PEK);

4.

polüeeterketooneeterketoonketoon (PEKEKK);

d.

polüarüleenketoonid;

e.

polüarüleensulfiidid, mille arüleeni grupp on bifenüleen, trifenüleen või nende kombinatsioon;

f.

polübifenüleeneetersulfoon, mille klaasistumistemperatuur (Tg) on üle 513 K (240 °C).

Tehniline märkus:

Klaasistumistemperatuui (Tg) määramisel punktis 1C008 nimetatud ainete puhul kasutatakse ISO 11357- 2 (1999) standardit või vastavaid siseriiklikke meetodeid.

1C009
Töötlemata fluoritud ühendid:

a.

vinülideenfluoriidi kopolümeerid, millel on ilma venituseta rohkem kui 75 % ulatuses beetakristalliline struktuur;

b.

fluoritud polüimiidid, mis sisaldavad 10 massiprotsenti või rohkem seotud fluori;

c.

fluoritud fosfatseenelastomeerid, mis sisaldavad 30 massiprotsenti või rohkem seotud fluori.

1C010
Kiud- või niitmaterjalid, mida võidakse kasutada orgaanilise, metallilise või süsinikpõhimassi komposiitstruktuurides või -laminaatides:

NB! VT KA PUNKTI 1C210.

a.

orgaanilised kiud- või niitmaterjalid, millel on kõik järgmised omadused:

1.

erimoodul üle 12,7 × 106 m ning

2.

eritõmbetugevus on üle 23,5 × 104 m;

Märkus: Punkt 1C010.a ei hõlma polüetüleeni.

b.

süsinikust kiud- või niitmaterjalid, millel on kõik järgmised omadused:

1.

erimoodul üle 12,7 × 106 m ning

2.

eritõmbetugevus on üle 23,5 × 104 m;

Märkus: Punkt 1C010.b ei hõlma "kiud- või niitmaterjalidest" kangast, mis on ette nähtud õhusõiduki tarindite või laminaatide parandamiseks eeldusel, et iga üksiku kangatüki mõõtmed ei ületa 50 cm × 90 cm.

Tehniline märkus:

Punktis 1C010.b nimetatud materjalide omadused määratakse SACMA poolt soovitatud meetoditel SRM 12–17 või vastavate siseriiklike vedamiskatsetega nagu Jaapani tööstusstandard JIS-R-7601, punkt 6.6.2, mis põhinevad kõigi katsetulemuste keskmistamisel.

c.

anorgaanilised kiud- või niitmaterjalid, millel on kõik järgmised omadused:

1.

erimoodul üle 2,54 × 106 m ning

2.

sulamis-, pehmenemis-, lagunemis- või sublimatsioonipunkt on inertses keskkonnas üle 1 922 K (1 649 °C);

Märkus: Punkt 1C010 ei hõlma järgmist:

1.

katkendlikud, mitmefaasilised, polükristallilised alumiiniumoksiidkiud tükeldatud kiudude või reeglipäratu mati kujul, mille ränisisaldus on 3 massiprotsenti või rohkem ning mille erimoodul on väiksem kui 10 × 106 m;

2.

molübdeen- ja molübdeenisulamkiud;

3.

boorkiud;

4.

katkendlikud keraamilised kiud, mille sulamis-, pehmenemis-, lagunemis- või sublimatsioonipunkt on inertses keskkonnas madalam kui 2 043 K (1 770 °C).

d.

kiud või niitmaterjalid:

1.

mis koosnevad järgmistest komponentidest:

a.

punktis 1C008.a nimetatud polüeeterimiidid või

b.

punktides 1C008.b–1C008.f nimetatud materjalid;

2.

mis koosnevad punktis 1C010.d.1.a või 1C010.d.1.b nimetatud materjalidest, mis on segatud muude, punktides 1C010.a, 1C010.b või 1C010.c nimetatud kiududega;

e.

vaigu või pigiga impregneeritud kiud (prepregmaterjalid), metalli või süsinikuga kaetud kiud (eelvormid) või süsinikkiu eelvormid:

1.

mis on valmistatud punktis 1C010.a, 1C010.b või 1C010.c nimetatud kiud- või niitmaterjalidest;

2.

mis on valmistatud orgaanilistest või süsiniku kiud- või niitmaterjalidest:

a.

eritõmbetugevusega üle 17,7 × 104 m;

b.

erimoodul on üle 10,15 × 106 m;

c.

mis ei ole hõlmatud punktidega 1C010.a ja 1C010.b ning

d.

mis on impregneeritud punktides 1C008 või 1C009.b nimetatud ainetega, mille klaasistumistemperatuur (Tg) on üle 383 K (110 °C), või fenool- või epoksüvaikudega, mille klaasistumistemperatuur (Tg) on 418 K (145 °C) või kõrgem.

Märkused: Punkt 1C010.e ei hõlma järgmist:

a.

epoksüvaik-"põhimassiga" eelimpregneeritud "süsinikkiud või -materjalid" (prepregmaterjalid) õhusõidukite tarindite või laminaatide parandamiseks eeldusel, et iga üksiku lehe mõõtmed ei ületa 50 cm × 90 cm;

b.

prepregmaterjalid, mis on impregneeritud fenool- või epoksüvaikudega, mille klaasistumistemperatuur (Tg) on madalam kui 433 K (160 °C) ning tahkestumistemperatuur on madalam klaasistumistemperatuurist.

Tehniline märkus:

Klaasistumistemperatuuri (Tg) määramisel punktis 1C010.e nimetatud ainete puhul kasutatakse ASTM D 3418s kirjeldatud kuivmeetodit. Klaasistumistemperatuuri määramisel fenool- ja epoksüvaikude puhul kasutatakse ASTM D 4065s kirjeldatud meetodit 1 Hz sageduse juures ning kuumutamiskiirusel 2 K (°C) minutis, kasutades kuivmeetodit.

1C011
Metallid ja ühendid:

NB! VT KA SÕJALISTE KAUPADE NIMEKIRJA JA PUNKTI 1C111.

a.

metallid, mille osakeste suurus ei ületa 60 μm, kas sfäärilistena, pihustatutena, sferoidsetena, helvestatutena või jahvatatutena, ja mis on valmistatud materjalidest, mis koosnevad 99 % või suuremas ulatuses tsirkooniumist, magneesiumist või nende sulamitest;

Tehniline märkus:

Hafniumi loomulik sisaldus tsirkooniumis (tüüpiliselt 2–7 %) arvestatakse koos tsirkooniumiga.

Märkus: Punktis 1C011.a loetletud metalle või sulameid kontrollitakse, olenemata sellest, kas metallid või sulamid on kapseldatud alumiiniumis, magneesiumis, tsirkooniumis või berülliumis.

b.

boor või boorkarbiid 85 % puhtusega või puhtam, mille osakeste suurus ei ületa 60 μm;

Märkus: Punktis 1C011.b loetletud metalle või sulameid kontrollitakse, olenemata sellest, kas metallid või sulamid on kapseldatud alumiiniumis, magneesiumis, tsirkooniumis või berülliumis.

c.

guanidiinnitraat;

d.

nitroguanidiin (NQ) (CASi nr 556-88-7).

1C012
Järgmised materjalid:

Tehniline märkus:

Neid materjale kasutatakse enamasti tuumasoojusallikate puhul.

a.

plutoonium mis tahes kujul, milles plutoonium-238 isotoobi sisaldus on üle 50 massiprotsendi;

Märkus: Punkt 1C012.a ei hõlma:

a.

saadetisi, milles on plutooniumi 1 gramm või vähem;

b.

saadetisi, milles on 3 efektiivgrammi või vähem plutooniumi, kui see sisaldub instrumentide anduriosades;

b.

eelnevalt eraldatud neptuunium-237 mis tahes kujul.

Märkus: Punkt 1C012 ei hõlma saadetisi, milles neptuunium-237 sisaldus on 1 gramm või vähem.

1C101
Muud kui punktis 1C001 nimetatud rakettmürskudes, nende alamsüsteemides või punktis 9A012 nimetatud mehitamata õhusõidukites kasutatavad materjalid ja seadmed, mis vähendavad nende märgatavust, nagu radarikiirte tagasipeegeldumine, ultraviolett-/infrapuna-ja akustilised signaalid.

Märkus 1: Punkt 1C101 hõlmab järgmist:

a.

konstruktsioonimaterjalid ja pinnakatted, mis on spetsiaalselt ette nähtud vähendama radarikiirte tagasipeegeldumist;

b.

pinnakatted, sh värvid, mis on ette nähtud vähendama või muundama peegeldavust või kiiratavust elektromagnetilise spektri mikrolaine, infrapuna või ultravioleti piirkonnas.

Märkus 2: Punkt 1C101 ei hõlma pinnakatteid, mida kasutatakse satelliitide soojuse reguleerimiseks.

Tehniline märkus:

Punktis 1C101 tähendab rakettmürsk terviklikke raketisüsteeme ja mehitamata õhusõidukisüsteeme, mille lennuulatus ületab 300 km.

1C102
Korduvküllastatud pürolüüsitud süsinik-süsinik-materjalid, mis on ette nähtud punktis 9A004 nimetatud kanderakettidele või punktis 9A104 nimetatud sondrakettidele.

1C107
Grafiit- ja keraamilised materjalid, muud kui punktis 1C007 nimetatud:

a.

peeneteraline rekristalliseeritud grafiit puistetihedusega 1,72 g/cm3 või rohkem, mõõdetud temperatuuril 288 K (15 °C), mille tera suurus on 100 μm või vähem ja mida kasutatakse raketti de düüside ja atmosfääri taassisenevate lennuaparaatide ninamike otste valmistamisel mis tahes järgneva toote jaoks:

1.

silindrid diameetriga 120 mm või rohkem ja pikkusega 50 mm või rohkem;

2.

torud sisediameetriga 65 mm või rohkem ja seinapaksusega 25 mm või rohkem ning pikkusega 50 mm või rohkem või

3.

plokid mõõtudega 120 mm × 120 mm × 50 mm või rohkem;

NB! Vt ka punkti 0C004.

b.

pürolüütiline või kiudarmeeritud grafiit, mida kasutatakse rakettmürskude düüside ja atmosfääri taassisenevate sõidukite ninamike otste valmistamisel;

NB! Vt ka punkti 0C004.

c.

keraamilised komposiitmaterjalid (dielektrilise läbitavuse konstandiga 6 ja vähem, sagedusvahemikus 100 Hz kuni 100 GHz), mida kasutatakse rakettmürskude radoomide valmistamiseks;

d.

masintöödeldavad mahulised ränikarbiidiga tugevdatud põletamata keraamilised materjalid, mida kasutatakse rakettmürskude ninamike otste valmistamisel.

1C111
Raketikütused ja raketikütuste keemilised komponendid, muud kui punktis 1C011 nimetatud:

a.

tõukeained:

1.

sfäärilistest osakestest alumiiniumipulber, muu kui sõjaliste kaupade nimekirjas nimetatud, mille osakeste ühtlane diameeter on vähem kui 200 μm ja alumiiniumisisaldus 97 massiprotsenti või rohkem, kui vähemalt 10 % kogukaalust moodustavad vähema kui 63 μm läbimõõduga osakesed, vastavalt standardile ISO 2591:1988 või vastavale siseriiklikule standardile;

Tehniline märkus:

Osakese suurus 63 μm (ISO R-565) vastab 250 mešile (Tyler) või 230 mešile (ASTM standard E-11).

2.

metallilised kütused, muud kui sõjaliste kaupade nimekirjas nimetatud, kas sfäärilised, pihustatud, helbekujulised või sferoidsed, mille osakesed on väiksemad kui 60 μm ja mis sisaldavad 97 massiprotsenti või rohkem mis tahes järgmist elementi:

a.

tsirkoonium;

b.

berüllium;

c.

magneesium või

d.

eespool punktides a–c nimetatud metallide sulamid;

Tehniline märkus:

Hafniumi loomulik sisaldus tsirkooniumis (tüüpiliselt 2–7 %) arvestatakse koos tsirkooniumiga.

3.

järgmised vedelad oksüdeerivad ained:

a.

dilämmastiktrioksiid;

b.

lämmastikdioksiid/dilämmastiktetroksiid;

c.

dilämmastikpentoksiid;

d.

lämmastikoksiidide segud (MON – Mixed Oxides of Nitrogen);

Tehniline märkus:

Lämmastikoksiidide segud (MON) on lämmastikoksiidi (NO) lahused dilämmastiktetroksiidis / lämmastikdioksiidis (N2O4/NO2), mida on võimalik kasutada raketisüsteemides. On olemas hulk erineva kontsentratsiooniga segusid, millele saab viidata lühendiga MONi või MONij, kus i ja j on täisarvud, mis näitavad lämmastikoksiidi kaalulist sisaldust protsentides antud segus (nt MON3 sisaldab 3 % lämmastikoksiidi, MON25 sisaldab 25 % lämmastikoksiidi). Ülempiiriks on MON40 ehk 40 % lämmastikoksiidi).

e.

VT SÕJALISTE KAUPADE NIMEKIRJAST inhibeeritud suitsev lämmastikhape (IRFNA);

f.

VT SÕJALISTE KAUPADE NIMEKIRJAST JA PUNKTIST 1C238, fluorist ja ühest või enamast muust halogeenist, hapnikust või lämmastikust koosnevad ühendid;

4.

hüdrasiini derivaadid, mida kasutatakse raketikütusena ja mida ei ole nimetatud sõjaliste kaupade nimekirjas;

b.

polümeersed ained:

1.

karboksüül-otsaga polübutadieen (CTPB);

2.

hüdroksüül-otsaga polübutadieen (HTPB), muu kui sõjaliste kaupade nimekirjas nimetatud;

3.

polübutadieen-akrüülhape (PBAA);

4.

polübutadieen-akrüülhape-akrüülnitriil (PBAN);

c.

muud raketikütuse lisandid ja toimeained:

1.

VT SÕJALISTE KAUPADE NIMEKIRJAST karboraanid, dekaboraanid, pentaboraanid ja nende derivaadid;

2.

trietüleenglükooldinitraat (TEGDN);

3.

2-nitrodifenüülamiin;

4.

trimetüüloletaantrinitraat (TMETN);

5.

dietüleenglükooldinitraat (DEGDN);

6.

ferrotseeni derivaadid:

a.

vt sõjaliste kaupade nimekirjast katotseen;

b.

etüülferrotseen;

c.

propüülferootseen;

d.

vt sõjaliste kaupade nimekirjast n-butüülferrotseen;

e.

pentüülferrotseen;

f.

ditsüklopentüülferrotseen;

g.

ditsükloheksüülferrotseen;

h.

dietüülferrotseen;

i.

dipropüülferrotseen;

j.

dibutüülferrotseen;

k.

diheksüülferrotseen;

l.

atsetüülferrotseenid;

m.

vt sõjaliste kaupade nimekirjast ferrotseenkarboksüülhapped;

n.

vt sõjaliste kaupade nimekirjast butatseen;

o.

muud ferrotseeni derivaadid, mida kasutatakse raketikütuse põlemiskiiruse modifikaatorina, v.a. sõjaliste kaupade nimekirjas nimetatud.

Märkus: Raketikütuste ja raketikütuste koostisse kuuluvate kemikaalide kohta, mida ei ole punktis 1C111 nimetatud, vaata sõjaliste kaupade nimekirja.

1C116
Vanandatud martensiitterased (terased, mida reeglina iseloomustab kõrge nikli- ja väga madal süsinikusisaldus ning asenduselementide ja pretsipitaatide kasutamine vanandamise eesmärgil) lehtede, plaatide ja torude kujul, mille paksus või seinapaksus ei ületa 5 mm ning mille tõmbetugevus on 1 500 MPa ja rohkem temperatuuril 293 K (20 °C).

NB! VT KA PUNKTI 1C216.

1C117
Volfram, molübdeen ja nende sulamid samakujuliste sfääriliste või pihustatud osakeste kujul, mille osakeste diameeter ei ületa 500 mikromeetrit, puhtusastmega 97 % või rohkem, mis on ette nähtud rakettmürskude mootorite komponentide, st soojusekraanide, düüsipõhimike, düüsikõride ja tõukevektori juhtimispindade valmistamiseks.

1C118
Titaanstabiliseeritud roostevaba dupleksteras (Ti-DSS), millel on:

a.

kõik järgmised omadused:

1.

sisaldavad 17,0–23,0 massiprotsenti kroomi ja 4,5–7,0 massiprotsenti niklit;

2.

nende titaanisisaldus on üle 0,10 massiprotsendi; ning

3.

nende raua-austeniidi mikrostruktuur (samuti viidatud kui kahefaasiline mikrostruktuur), millest vähemalt 10 mahuprotsenti on austeniiti (kooskõlas standardi ASTM E-1181-87 või vastavate siseriiklike standarditega) ning

b.

mis tahes järgmine omadus:

1.

kangid või varvad mõõtmetega 100 mm või rohkem igas suunas;

2.

lehed laiusega 600 mm või rohkem ja paksusega 3 mm või vähem või

3.

torud välisläbimõõduga 600 mm või rohkem ja seinapaksusega 3 mm või vähem.

1C202
Sulamid, muud kui punktis 1C002.b.3 või 1C002.b.4 nimetatud:

a.

alumiiniumisulamid, millel on mõlemad järgmised omadused:

1.

tõmbetugevus 460 MPa või rohkem temperatuuril 293 K (20 °C) ning

2.

torud või silindrikujulised täismaterjalid (sh sepised), mille välisläbimõõt on üle 75 mm;

b.

titaanisulamid, millel on mõlemad järgmised omadused:

1.

tõmbetugevus 900 MPa või rohkem temperatuuril 293 K (20 °C) ning

2.

torud või silindrikujulised täismaterjalid (sh sepised), mille välisläbimõõt on üle 75 mm.

Tehniline märkus:

"Sulam" tähistab antud juhul sulamit enne ja pärast termotöötlust.

1C210
Kiud- või niitmaterjalid või prepregmaterjalid, muud kui punktides 1C010.a, 1C010.b või 1C010.e nimetatud:

a.

süsinik- või aramiidkiud või -niitmaterjalid, millel on üks järgmistest omadustest:

1.

erimoodul 12,7 × 106 m või rohkem või

2.

eritõmbetugevus 235 × 103 m või rohkem;

Märkus: Punkt 1C210.a ei hõlma aramiidkiude ja -niitmaterjale, mis sisaldavad 0,25 massiprotsenti või rohkem estril põhinevat kiupinna modifikaatorit;

b.

klaaskiud või -niitmaterjalid, millel on mõlemad järgmised omadused:

1.

erimoodul 3,18 × 106 m või rohkem ning

2.

eritõmbetugevus 76,2 × 103 m või rohkem;

c.

temperatuurikindla vaiguga impregneeritud pidevad lõngad, heided, köisikud ja lindid, mille laius ei ületa 15 mm (prepregmaterjalid) ja mis on valmistatud punktides 1C210.a või 1C210.b nimetatud süsinik- või klaaskiududest- või -niitmaterjalidest.

Tehniline märkus:

Vaik moodustab siin komposiidi põhimassi.

Märkus: Punktis 1C210 piirduvad kiud- ja niitmaterjalid pidevate "monokiudude", "lõngade", "heiete", "köisikute" ja "lintidega".

1C216
Vanandatud martensiitteras, muu kui punktis 1C116 nimetatud, mille tõmbetugevus on temperatuuril 293 K (20 °C) 2 050 MPa või rohkem.

Märkus: Punkt 1C216 ei hõlma detaile, mille ükski lineaarmõõde ei ületa 75 mm.

Tehniline märkus:

"Vanandatud martensiitteras" tähistab antud juhul vanandatud martentsiitterast enne ja pärast termotöötlust.

1C225
Boor, mida on boor-10 isotoobi (10B) suhtes rikastatud üle selle isotoobi looduslikult esineva sisalduse, järgmiselt: elementkujul, ühenditena, boori sisaldavate segudena, nendest valmistatud toodetena, kõigi eelkirjeldatute heitmete või jäätmetena.

Märkus: Punktis 1C225 boori sisaldavate segude hulka loetakse ka boori sisaldavad materjalid.

Tehniline märkus:

Boor-10 looduslik sisaldus on ligikaudu 18,5 massiprotsenti (20 aatomprotsenti).

1C226
Volfram, volframkarbiid ja sulamid, mis sisaldavad üle 90 massiprotsendi volframi, ja millel on mõlemad järgmised omadused:

a.

silindrikujulise sümmeetriaga detailid (sh silindrite segmendid) siseläbimõõduga üle 100 mm, kuid vähem kui 300 mm, ning

b.

kogumass üle 20 kg.

Märkus: Punkt 1C226 ei hõlma spetsiaalselt kaaluvihtidena või gammakiirguse kollimaatoritena kasutamiseks valmistatud tooteid.

1C227
Kaltsium, millel on mõlemad järgmised omadused:

a.

sisaldab kaaluliselt vähem kui 1 000 miljondikosa muid metallilisi lisandeid kui magneesium ning

b.

sisaldab kaaluliselt vähem kui 10 miljondikosa boori.

1C228
Magneesium, millel on mõlemad järgmised omadused:

a.

sisaldab kaaluliselt vähem kui 200 miljondikosa muid metallilisi lisandeid kui kaltsium ning

b.

sisaldab kaaluliselt vähem kui 10 miljondikosa boori.

1C229
Vismut, millel on mõlemad järgmised omadused:

a.

puhtusaste 99,99 massiprotsenti või rohkem ning

b.

kaaluline hõbedasisaldus on vähem kui 10 miljondikosa.

1C230
Berüllium metallina ja sulamitena, mis sisaldavad üle 50 massiprotsendi berülliumi, berülliumiühendid, tooted nendest ning nende heitmed või jäätmed.

Märkus: Punkt 1C230 ei hõlma järgmist:

a.

metallaknad röntgeniseadmetele või puuraukude sondidele;

b.

oksiidina kas valmistoodete või pooltoodete kujul, mis on spetsiaalselt ette nähtud elektroonika komponentide osadeks või elektronlülituste põhimikeks;

c.

berüll (berüllium- ja alumiiniumsilikaat) smaragdide või akvamariinide kujul.

1C231
Hafnium metallina ja sulamitena, mis sisaldavad üle 60 massiprotsendi hafniumi, hafniumiühendid, mis sisaldavad üle 60 massiprotsendi hafniumi, tooted nendest ning nende heitmed või jäätmed.

1C232
Heelium-3 (3He) või seda sisaldavad segud ning tooted ja seadmed, mis neid sisaldavad.

Märkus: Punkt 1C232 ei hõlma tooteid ega seadmeid, mis sisaldavad vähem kui 1 g heelium-3.

1C233
Liitium, mida on liitium-6 isotoobi (6Li) suhtes rikastatud üle selle isotoobi looduslikult esineva sisalduse ning tooted ja seadmed, mis sisaldavad rikastatud liitiumi järgmiselt: elementkujul, sulamitena, ühenditena, liitiumi sisaldavate segudena, nendest valmistatud toodetena, kõigi eelkirjeldatute heitmete või jäätmetena.

Märkus: Punkt 1C233 ei hõlma termoluminestsentsdosimeetreid.

Tehniline märkus:

Liitium-6 looduslik sisaldus on ligikaudu 6,5 massiprotsenti (7,5 aatomprotsenti).

1C234
Tsirkoonium, milles hafniumi on kaaluliselt vähem kui 1 osa hafniumi 500 osa tsirkooniumi kohta järgmiselt: tsirkoonium metallina, sulamitena, mis sisaldavad üle 50 massiprotsendi tsirkooniumi, ühendid, tooted nendest ning nende heitmed või jäätmed.

Märkus: Punkt 1C234 ei hõlma tsirkooniumi fooliumi kujul, mille paksus on 0,10 mm või vähem.

1C235
Triitium, triitiumiühendid, triitiumi sisaldavad segud, milles triitiumiaatomite suhe vesinikuaatomite suhtes on suurem kui 1:1000, ning neid sisaldavad tooted ja seadmed.

Märkus: Punkt 1C235 ei hõlma kaupu ega seadmeid, milles triitiumisisaldus on kuni 1,48 × 103 GBq (40 Ci).

1C236
Alfa-aktiivsed radionukliidid, poolestusajaga 10 päeva või rohkem, kuid vähem kui 200 aastat, järgmisel kujul:

a.

elementkujul;

b.

ühenditena, mille summaarne alfa-aktiivsus on 37 GBq/kg (1 Ci/kg) või rohkem;

c.

segudena, mille summaarne alfa-aktiivsus on 37 GBq/kg (1 Ci/kg) või rohkem;

d.

eelnimetatuid sisaldavate toodete või seadmetena.

Märkus: Punkt 1C236 ei hõlma kaupu ja seadmeid, milles sisalduv alfa-aktiivsus on kuni 3,7 GBq (100 milliküriid).

1C237
Raadium-226 (226Ra), raadium-226 sulamid, raadium-226 ühendid ja segud, mis sisaldavad raadium-226, nendest valmistatud tooted ning neid sisaldavad tooted ja seadmed.

Märkus: Punkt 1C237 ei hõlma järgmist:

a.

meditsiinilised seadmed;

b.

toode või seade, mis sisaldab vähem kui 0,37 GBq (10 milliküriid) raadium-226.

1C238
Kloortrifluoriid (ClF3).

1C239
Brisantlõhkeained, muud kui sõjaliste kaupade nimekirjas nimetatud, või ained või segud, mis sisaldavad neid üle 2 massiprotsendi ja mille kristalne tihedus on üle 1,8 g/cm3 ja detonatsiooni kiirus üle 8 000 m/s.

1C240
Niklipulber või poorne (käsn) nikkel, muu kui punktis 0C005 nimetatud:

a.

niklipulber, millel on mõlemad järgmised omadused:

1.

puhtusaste 99,0 massiprotsenti või rohkem ning

2.

keskmine osakese suurus alla 10 μm mõõdetuna vastavalt ASTM standardile B330;

b.

poorne (käsn) nikkel, mis on toodetud punktis 1C240.a nimetatud materjalist.

Märkus: Punkt 1C240 ei hõlma järgmist:

a.

kiuline niklipulber;

b.

üksikud poorsest niklist lehed pindalaga 1 000 cm2 või vähem lehe kohta.

Tehniline märkus:

Punktis 1C240.b peetakse silmas poorset metalli, mis saadakse punktis 1C240.a nimetatud materjalide kokkusurumisel ja paagutamisel metalseks materjaliks, mis sisaldab omavahel ühendatud peeneid poore läbi kogu selle struktuuri.

1C350
Kemikaalid, mida võidakse kasutada lähteainena mürkkemikaalide valmistamisel, ja üht või mitut nimetatud kemikaali sisaldavad keemilised segud:

NB! VT KA SÕJALISTE KAUPADE NIMEKIRJA JA PUNKTI 1C450.

1.

tiodiglükool (111-48-8);

2.

fosforoksükloriid (10025-87-3);

3.

dimetüülmetüülfosfonaat (756-79-6);

4.

VT SÕJALISTE KAUPADE NIMEKIRJAST metüülfosfonüüldifluoriid (676-99-3):

5.

metüülfosfonüüldikloriid (676-97-1);

6.

dimetüülfosfit (DMP) (868-85-9);

7.

fosfortrikloriid (7719-12-2);

8.

trimetüülfosfit (TMP) (121-45-9);

9.

tionüülkloriid (7719-09-7);

10.

3-hüdroksü-1-metüülpiperidiin (3554-74-3);

11.

N,N-diisopropüül-ß-aminoetüülkloriid (96-79-7);

12.

N,N-diisopropüül-ß-aminoetaantiool (5842-07-9);

13.

3-kinoklidinool (1619-34-7);

14.

kaaliumfluoriid (7789-23-3);

15.

2-kloroetanool (107-07-3);

16.

dimetüülamiin (124-40-3);

17.

dietüületüülfosfonaat (78-38-6);

18.

dietüül-N,N-dimetüülfosforamidaat (2404-03-7);

19.

dietüülfosfit (762-04-9);

20.

dimetüülamiinhüdrokloriid (506-59-2);

21.

etüülfosfinüüldikloriid (1498-40-4);

22.

etüülfosfonüüldikloriid (1066-50-8);

23.

VT SÕJALISTE KAUPADE NIMEKIRJAST etüülfosfonüüldifluoriid (753-98-0);

24.

vesinikfluoriid (7664-39-3);

25.

metüülbensilaat (76-89-1);

26.

metüülfosfinüüldikloriid (676-83-5);

27.

N,N-diisopropüül-ß-aminoetanool (96-80-0);

28.

pinakolüülalkohol ( 464-07-3);

29.

VT SÕJALISTE KAUPADE NIMEKIRJAST O-etüül-2-diisopropüülaminoetüülmetüülfosfoniit (57856-11-8);

30.

trietüülfosfit (122-52-1);

31.

arseentrikloriid (7784-34-1);

32.

bensüülhape ( 76-93-7);

33.

dietüülmetüülfosfoniit (15715-41-0);

34.

dimetüületüülfosfonaat (6163-75-3);

35.

etüülfosfinüüldifluoriid (430-78-4);

36.

metüülfosfinüüldifluoriid (753-59-3);

37.

3-kinoklidoon (3731-38-2);

38.

fosforpentakloriid (10026-13-8);

39.

pinakoloon (75-97-89);

40.

kaaliumtsüaniid (151-50-8);

41.

kaaliumbifluoriid (7789-29-9);

42.

ammooniumvesinikfluoriid (1341-49-7);

43.

naatriumfluoriid (7681-49-4);

44.

naatriumbifluoriid (1333-83-1);

45.

naatriumtsüaniid (143-33-9);

46.

trietanoolamiin (102-71-6);

47.

fosforpentasulfiid (1314-80-3);

48.

diisopropüülamiin (108-18-9);

49.

dietüülaminoetanool (100-37-8);

50.

naatriumsulfiid (1313-82-2);

51.

väävelmonokloriid (10025-67-9);

52.

vääveldikloriid (10545-99-0);

53.

trietanoolamiinhüdrokloriid (637-39-8);

54.

N,N-diisopropüül-2-aminoetüülkloriidhüdrokloriid (4261-68-1);

55.

metüülfosfoonhape (993-13-5);

56.

dimetüülmetüülfosfonaat (683-08-9);

57.

N,N-dimetüülaminofosforüül dikloriid (677-43-0);

58.

triisoporüülfosfit (116-17-6);

59.

etüüldietanoolamiin (139-87-7);

60.

O,O-dietüülfosforotioaat (2465-65-8);

61.

O,O-dietüülfosforoditioaat (298-06-6);

62.

naatriumheksafluorosilikaat (16893-85-9);

63.

metüülfosfoontiohappe dikloriid (676-98-2).

Märkus 1: Keemiarelvade konventsiooniga mitteühinenud riikidesse eksportimisel ei hõlma punkt 1C350 "keemilisi segusid", mis sisaldavad üht või mitut punkti 1C350 alapunktides 1, 3, 5, 11, 12, 13, 17, 18, 21, 22, 26, 27, 28, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 54, 55, 56, 57 ja 63 nimetatud kemikaali ning milles ükski üksik kemikaal ei moodusta kõnealusest segust üle 10 massiprotsendi.

Märkus 2: Keemiarelvade konventsiooniga ühinenud riikidesse eksportimisel ei hõlma punkt 1C350 keemilisi segusid, mis sisaldavad üht või mitut punkti 1C350 alapunktides 1, 3, 5, 11, 12, 13, 17, 18, 21, 22, 26, 27, 28, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 54, 55, 56, 57 ja 63 nimetatud kemikaali ning milles ükski üksik kemikaal ei moodusta kõnealusest segust üle 30 massiprotsendi.

Märkus 3: Punkt 1C350 ei hõlma "keemilisi segusid", mis sisaldavad üht või mitut punkti 1C350 alapunktides 2, 6, 7, 8, 9, 10, 14, 15, 16, 19, 20, 24, 25, 30, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 58, 59, 60, 61 ja 62 nimetatud kemikaali ning milles ükski üksik kemikaal ei moodusta kõnealusest segust üle 30 massiprotsendi.

Märkus 4: Punkt 1C350 ei hõlma tarbekaupadena määratletavaid tooteid, mis on pakendatud jaemüügiks isiklikuks kasutamiseks või pakendatud üksikisikule kasutamiseks.

1C351
Inimpatogeenid, zoonoosid ja toksiinid:

a.

viirused, kas loomulikud, aktiveeritud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgmiste kultuuridega:

1.

chikungunya viirus;

2.

Krimmi-Kongo hemorraagilise palaviku viirus;

3.

Dengue’i palaviku viirus;

4.

hobuste ida entsefalomüeliidi viirus;

5.

Ebola viirus;

6.

Hantaani viirus;

7.

Junini viirus;

8.

Lassa palaviku viirus;

9.

lümfotsütaarse koriomeningiidi viirus;

10.

Machupo viirus;

11.

Marburgi viirus;

12.

ahvide rõugeviirus;

13.

Rifti oru palaviku viirus;

14.

puukentsefaliidi viirus / Vene kevad-suve entsefaliidi viirus;

15.

variola viirus (ehk tavaline rõugeviirus);

16.

hobuste venetsueela entsefalomüeliidi viirus;

17.

hobuste lääne entsefalomüeliidi viirus;

18.

White-pox’i viirus;

19.

kollapalaviku viirus;

20.

Jaapani entsefaliidi viirus;

21.

Kyasanur Foresti haiguse viirus;

22.

lammaste (Šoti) entsefalomüeliidi viirus;

23.

Murray Valley entsefaliidi viirus;

24.

Omski hemorraagilise palaviku viirus;

25.

Oropouche'i viirus;

26.

Powassani viirus;

27.

Rocio viirus;

28.

St. Louis’i entsefaliidi viirus;

29.

Hendra viirus (hobuste leetriviirus);

30.

Lõuna-Ameerika hemorraagilise palaviku viirus (Sabia, Flexal, Guanarito);

31.

kopsu-neerusündroomiga hemorraagilise palaviku viirused (Sõul, Dobrava, Puumala, Sin Nombre);

32.

Nipah viirus;

b.

riketsiad, kas loomulikud, aktiveeritud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgmiste kultuuridega:

1.

Coxiella burnetii;

2.

Bartonella quintana (Rochalimea quintana, Rickettsia quintana);

3.

Rickettsia provazekii;

4.

Rickettsia rickettsii;

c.

bakterid, kas loomulikud, aktiveeritud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgmiste kultuuridega:

1.

Bacillus anthracis;

2.

Brucella abortus;

3.

Brucella melitensis;

4.

Brucella suis;

5.

Chlamydia psittaci;

6.

Clostridium botulinum;

7.

Francisella tularensis;

8.

Burkholderia mallei (Pseudomonas mallei);

9.

Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei);

10.

Salmonella typhi;

11.

Shigella dysenteriae;

12.

Vibrio cholerae;

13.

Yersinia pestis;

14.

Clostridium perfringens, epsilontoksiini produtseerivad tüübid;

15.

enterohemorraagiline Escherichia coli, serotüüp O157 ja muud verotoksiini produtseerivad serotüübid;

d.

toksiinid ja nende alarühmad:

1.

botulismitoksiin;

2.

Clostridium perfingens’i toksiin;

3.

konotoksiin;

4.

ritsiin;

5.

saksitoksiin;

6.

shigatoksiin;

7.

Staphylococcus aureus’e toksiin;

8.

tetrodotoksiin;

9.

verotoksiin;

10.

mikrotsüstiin (Cyanginosin);

11.

aflatoksiinid;

12.

abrin;

13.

kooleratoksiin;

14.

diatsetoksisksirpenooltoksiin;

15.

T-2 toksiin;

16.

HT-2 toksiin;

17.

modeksiin;

18.

volkensiin;

19.

Viscum album Lectin 1 (viskumiin).

Märkus: Punkt 1C351.d ei hõlma botulismitoksiini või konotoksiini toote vormis, mis vastab kõikidele järgmistele kriteeriumidele:

1.

on farmatseutilised formulatsioonid, mis on mõeldud inimeste meditsiiniliseks raviks;

2.

on eelnevalt pakendatud meditsiinitoodetena turustamiseks;

3.

on riigi ametiasutuse poolt lubatud turustamiseks meditsiinitoodetena.

Märkus: Punkt 1C351 ei hõlma "vaktsiine" ja "immunotoksiine".

1C352
Loompatogeenid:

a.

viirused, kas loomulikud, aktiveeritud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgmiste kultuuridega:

1.

sigade aafrika katku viirus;

2.

lindude gripiviirus, mis on:

a.

mittekirjeldatud või

b.

määratletud EÜ direktiivis 92/40/EÜ (EÜT L 16, 23.1.1992, lk 19) kui suure patogeensusega viirused:

1.

A-tüüpi viirused, mille intravenoosse patogeensuse indeks (IVPI) kuuenädalastel tibudel on suurem kui 1,2, või

2.

A-tüüpi viiruste alatüübid H5 või H7, mille korral nukleotiidide järjestusmääramine näitab mitmealuseliste aminohapete olemasolu hemaglutiniini lõhestamispiirkonnas;

3.

lammaste katarraalse palaviku viirus;

4.

suu- ja sõrataudi viirus;

5.

kitsede rõugeviirus;

6.

sigade herpesviirus/ Aujeszky haigus;

7.

sigade katku viirus;

8.

Lyssa-viirus;

9.

Newcastle’i haiguse viirus;

10.

väikemäletsejate katku viirus;

11.

sigade enteroviirus, tüüp 9 (sigade vesikulaarhaiguste viirus);

12.

veisekatku viirus;

13.

lammaste rõugeviirus;

14.

Tescheni haiguse viirus;

15.

vesikulaarse stomatiidi viirus;

16.

veiste nodulaarse dermatiidi viirus;

17.

hobuste aafrika katku viirus;

b.

mükoplasma mükoidid, kas loomulikud, aktiveeritud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult idustatud või saastatud nimetatud mükoplasma mükoididega.

Märkus: Punkt 1C352 ei hõlma "vaktsiine".

1C353
Geneetilised elemendid ja geneetiliselt muundatud organismid:

a.

geneetiliselt muundatud organismid või geneetilised elemendid, mis sisaldavad punktis 1C351.a–c, 1C352 või 1C354 määratletud organismide patogeensusega seotud nukleiinhappejärjestusi;

b.

geneetiliselt muundatud organismid või geneetilised elemendid, mis sisaldavad patogeensusega seotud nukleiinhappejärjestusi, mis kodeerivad punktis 1C351.d nimetatud mis tahes toksiine või nende toksiinide alarühmasid.

Tehnilised märkused:

Geneetilised elemendid hõlmavad muu hulgas geneetiliselt muundatud või muundamata kromosoome, genoome, plasmiide, transponsoone ja vektoreid.

Punktides 1C351.a–c või 1C352 või 1C354 nimetatud mikroorganismide patogeensusega seotud nukleiinhappejärjestused on kõik nimetatud mikroorganismile omased järjestused, mis:

a.

ise või mille transkribeeritud või transleeritud produktid kujutavad endast olulist ohtu inimeste, loomade või taimede tervisele või

b.

teatavalt suurendavad nimetatud mikroorganismi või mis tahes muu organismi, millesse neid võib sisestada või muul viisil integreerida, võimet kahjustada tõsiselt inimeste, loomade või taimede tervist.

Märkus: Punkt 1C353 ei kehti nukleiinhappejärjestuste kohta, mis on seotud enterohemorraagilise Escherichia coli (serotüüp O157) ja muude verotoksiini produtseerivate tüvede patogeensusega, välja arvatud järjestused, mis kodeerivad verotoksiini või selle allühikuid.

1C354
Taimpatogeenid:

a.

viirused, kas loomulikud, aktiveeritud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgmiste kultuuridega:

1.

Potato Andean latent tymovirus;

2.

Potato spindle tuber viroid;

b.

bakterid, kas loomulikud, aktiveeritud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgmiste kultuuridega:

1.

Xanthomonas albilineans;

2.

Xanthomonas campestris pv. Citri, kaasa arvatud Xanthomonas campestris pv. citri tüüpidele A, B, C, D, E omistatavad tüved või teisiti klassifitseerituna Xanthomonas citri, Xanthomonas campestris pv. aurantifolia või Xanthomonas campestris pv. citrumelo;

3.

Xanthomonas oryzae pv. Oryzae (Pseudomonas campestris pv. Oryzae);

4.

Clavibacter michiganensis subsp. Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum või Corynebacterium Sepedonicum);

5.

Ralstonia solanacearum rassid 2 ja 3 (Pseudomonas solanacearum rassid 2 ja 3 või Burkholderia solanacearum rassid 2 ja 3);

c.

seened, kas loomulikud, aktiveeritud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgmiste kultuuridega:

1.

Colletotrichum coffeanum var. virulans (Colletotrichum kahawae);

2.

Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae);

3.

Microcycolus ulei (sünonüüm Dothidella ulei);

4.

Puccinia graminis (sünonüüm Puccinia graminis f. sp. tritici);

5.

Puccinia striiformis (sünonüüm Puccinia glumarum);

6.

Magnaporthe grisea (pyricularia grisea/pyricularia oryzae).

1C450
Mürkkemikaalid ja nende lähteained ning üht või mitut nimetatud kemikaali sisaldavad keemilised segud:

NB! VT KA PUNKTE 1C350 JA 1C351.d NING SÕJALISTE KAUPADE NIMEKIRJA.

a.

Mürkkemikaalid:

1.

amiton: O,O-dietüül-S-[2-(dietüülamino) etüül]fosforotiolaat (78-53-5) ja vastavad alküülitud või protoneeritud soolad;

2.

PFIB: 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-(trifluorometüül)-1-propeen (382-21-8);

3.

VT SÕJALISTE KAUPADE NIMEKIRJAST BZ: 3-kinoklidinüülbensülaat (6581-06-2);

4.

fosgeen: karbonüüldikloriid (75-44-5);

5.

tsüaankloriid (506-77-4);

6.

vesiniktsüaniid (74-90-8);

7.

kloropikriin: trikloronitrometaan (76-06-2);

Märkus 1: Keemiarelvade konventsiooniga mitteühinenud riikidesse eksportimisel ei hõlma punkt 1C450 "keemilisi segusid", mis sisaldavad üht või mitut punktides 1C450.a.1 ja 1C450.a.2 nimetatud kemikaali ning milles ükski üksik kemikaal ei moodusta kõnealusest segust üle 1 massiprotsendi.

Märkus 2: Keemiarelvade konventsiooniga ühinenud riikidesse eksportimisel ei hõlma punkt 1C450 "keemilisi segusid", mis sisaldavad üht või mitut punktides 1C450.a.1 ja 1C450.a.2 nimetatud kemikaali ning milles ükski üksik kemikaal ei moodusta kõnealusest segust üle 30 massiprotsendi.

Märkus 3: Punkt 1C450 ei hõlma "keemilisi segusid", mis sisaldavad üht või mitut punktides 1C450.a.4, 1C450.a.5, 1C450.a.6 ja 1C450.a.7 nimetatud kemikaali ning milles ükski üksik kemikaal ei moodusta kõnealusest segust üle 30 massiprotsendi.

b.

mürkkemikaalide lähteained:

1.

kemikaalid, välja arvatud sõjaliste kaupade nimekirjas või punktis 1C350 nimetatud, mis sisaldavad fosforiaatomit, millega on seotud üks (normaal- või iso-) metüül-, etüül- või propüülrühm, kuid mitte enam süsinikuaatomeid;

Märkus: Punkt 1C450.b.1 ei hõlma järgmist: Fonofos: O-etüül-S-fenüületüülfosfonotiolotionaat (944-22-9);

2.

N,N-dialküül[metüül, etüül, n-propüül- või isopropüül-]-fosforamiidi dihalogeniidid;

3.

dialküül[metüül, etüül, n-propüül või isopropüül]-N,N-dialküül[metüül, etüül, n-propüül või isopropüül]-fosforamidaadid, muud kui punktis 1C350 nimetatud dietüül-N,N-dimetüülfosforamidaat;

4.

N,N-dialküül[metüül, etüül, n-propüül või isopropüül]aminoetüül-2-kloriidid ja vastavad protoneeritud soolad, muud kui punktis 1C350 nimetatud N,N-diisopropüül-(beta)-aminoetüülkloriidhüdrokloriid;

5.

N,N-dialküül-[metüül, etüül, n-propüül või isopropüül]aminoetaan-2-oolid ja vastavad protoneeritud soolad, muud kui punktis 1C350 nimetatud N,N-diisopropüül-(beta)-aminoetanool (96-80-0) ja N,N-dietüülaminoetanool (100-37-8);

Märkus: Punkt 1C450.b.5 ei hõlma järgmist:

a.

N,N-dimetüülaminoetanool (108-01-0) ja vastavad protoneeritud soolad;

b.

N,N-dietüülaminoetanool ja vastavad protoneeritud soolad (100-37-8);

6.

N,N-dialküül-[metüül, etüül, n-propüül või isopropüül]aminoetaan-2-tioolid ja vastavad protoneeritud soolad, muud kui punktis 1C350 nimetatud N,N-diisopropüül-(beta)-aminoetaantiool;

7.

vt punktis 1C350 etüüldietanoolamiin (139-87-7);

8.

metüüldietanoolamiin (105-59-9).

Märkus 1: Keemiarelvade konventsiooniga mitteühinenud riikidesse eksportimisel ei hõlma punkt 1C450 "keemilisi segusid", mis sisaldavad üht või mitut punktides 1C450.b.1, 1C450.b.2, 1C450.b.3, 1C450.b.4, 1C450.b.5 ja 1C450.b.6 nimetatud kemikaali ning milles ükski üksik kemikaal ei moodusta kõnealusest segust üle 10 massiprotsendi.

Märkus 2: Keemiarelvade konventsiooniga ühinenud riikidesse eksportimisel ei hõlma punkt 1C450 "keemilisi segusid", mis sisaldavad üht või mitut punktides 1C450.b.1, 1C450.b.2, 1C450.b.3, 1C450.b.4, 1C450.b.5 ja 1C450.b.6 nimetatud kemikaali ning milles ükski üksik kemikaal ei moodusta kõnealusest segust üle 30 massiprotsendi.

Märkus 3: Punkt 1C450 ei hõlma "keemilisi segusid", mis sisaldavad üht või mitut punktis 1C450.b.8 nimetatud kemikaali ning milles ükski üksik kemikaal ei moodusta kõnealusest segust üle 30 massiprotsendi.

Märkus: Punkt 1C450 ei hõlma tarbekaupadena määratletavaid tooteid, mis on pakendatud jaemüügiks isiklikuks kasutamiseks või pakendatud üksikisikule kasutamiseks.

1D
Tarkvara

1D001
Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktides 1B001–1B003 nimetatud seadmete arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks.

1D002
Tarkvara, mis on ette nähtud orgaaniliste ja metalliliste põhimasside, süsinikpõhimassilaminaatide või -komposiitide arendamiseks.

1D101
Tarkvara, mis on spetsiaalselt ette nähtud või kohandatud punktides 1B101,1B102, 1B115, 1B117, 1B118 või 1B119 nimetatud kaupade kasutamiseks.

1D103
Tarkvara, mis on spetsiaalselt ette nähtud selliste vähendatud märgatavusega signaalide analüüsiks nagu radarikiirte tagasipeegeldumine, ultraviolett-/infrapuna- või akustilised signaalid.

1D201
Tarkvara, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 1B201 nimetatud kaupade kasutamiseks.

1E
Tehnoloogia

1E001
Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktides 1A001.b, 1A001.c, 1A002–1A005, 1B või 1C nimetatud materjalide arendamiseks või tootmiseks.

1E002
Muu tehnoloogia:

a.

tehnoloogia polübensotiasoolide või polübensoksasoolide arendamiseks ja tootmiseks;

b.

tehnoloogia selliste fluoroelastomeerühendite arendamiseks ja tootmiseks, mis sisaldavad vähemalt ühte vinüüleetermonomeeri;

c.

tehnoloogia järgmiste lähtematerjalide või mittekomposiitsete keraamiliste materjalide tootmiseks:

1.

lähtematerjalid, millel on kõik järgmised omadused:

a.

üks järgmisest loetelust:

1.

tsirkooniumi liht- või kompleksoksiidid ja räni või alumiiniumi kompleksoksiidid;

2.

boori lihtnitriidid (kuubilise võrega kristallide kujul);

3.

räni või boori liht- või komplekskarbiidid või

4.

räni liht- või kompleksnitriidid;

b.

summaarne metalliliste lisandite hulk, välja arvatud spetsiaalselt lisatavad, on väiksem kui:

1.

1 000 miljondikosa lihtoksiidide või karbiidide korral või'

2.

5 000 miljondikosa kompleksühendite või lihtnitriidide korral ning

c.

mis tahes järgmiste omadustega:

1.

tsirkooniumid, mille keskmine osakeste suurus ei ületa 1 μm ja kuni 10 % osakeste suurus ei ületa 5 μm;

2.

muud lähtematerjalid, mille keskmine osakeste suurus ei ületa 5 μm ja kuni 10 % osakeste suurus ei ületa 10 μm või

3.

millel on kõik järgmised omadused:

a.

liistakud, mille pikkuse ja paksuse suhe ületab 5;

b.

niitkristallid, mille pikkuse ja läbimõõdu suhe ületab 10 läbimõõtude korral, mis on väiksemad kui 2 μm, ning

c.

pidev või tükeldatud kiud, mille läbimõõt on väiksem kui 10 μm;

2.

mittekomposiitsed keraamilised materjalid, mis on valmistatud punktis 1E002.c.1 nimetatud materjalidest;

Märkus: Punkt 1E002.c.2 ei hõlma "tehnoloogiat" abrasiivide kavandamiseks või tootmiseks.

d.

tehnoloogia aromaatsete polüamiidkiudude tootmiseks;

e.

tehnoloogia punktis 1C001 nimetatud materjalide installeerimiseks, hooldamiseks või parandamiseks;

f.

tehnoloogia punktides 1A002, 1C007.c või 1C007.d nimetatud komposiitstruktuuride, -laminaatide või -materjalide parandamiseks.

Märkus: Punkt 1E002.f ei hõlma "tehnoloogiat", mis on vajalik "tsiviilõhusõidukite" tarindite remondiks, kasutades süsinik "kiud- ja niitmaterjale" ning epoksüvaike, mis sisalduvad õhusõidukivalmistaja käsiraamatus.

1E101
Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktides 1A102, 1B001, 1B101, 1B102, 1B115–1B119, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111–1C117, 1D101 või 1D103 nimetatud kaupade kasutamiseks.

1E102
Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia punktides 1D001, 1D101 või 1D103 nimetatud tarkvara arendamiseks.

1E103
Tehnoloogia temperatuuri, rõhu või atmosfääri reguleerimiseks autoklaavides või hüdroklaavides komposiitide või osaliselt töödeldud komposiitide tootmisel.

1E104
Tehnoloogia pürolüütiliselt saadud materjalide tootmiseks, mis on moodustunud valuvormil, spindlil või muul alusel lähtegaasidest, mis lagunevad temperatuurivahemikus 1 573 K (1 300 °C) kuni 3 173 K (2 900 °C), rõhkudel 130 Pa kuni 20 kPa.

Märkus: Punkt 1E104 hõlmab tehnoloogiat lähtegaaside koostise jaoks, voolukiirusi ja protsessi juhtimise programmi ning parameetreid.

1E201
Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktides 1A002, 1A202, 1A225–1A227, 1B201, 1B225–1B233, 1C002.b.3 või 1C002.b.4, 1C010.b., 1C202, 1C210, 1C216, 1C225–1C240 või 1D201 nimetatud kaupade kasutamiseks.

1E202
Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktides 1A202 või 1A225–1A227 nimetatud seadmete või materjalide arendamiseks või tootmiseks.

1E203
Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia punktis 1D201 nimetatud tarkvara arendamiseks.

2. KATEGOORIA – MATERJALIDE TÖÖTLEMINE

2A
Süsteemid, seadmed ja komponendid

NB! Müravabade laagrite kohta vaata sõjaliste kaupade nimekirja.

2A001
Veerelaagrid ja laagrisüsteemid ning nende komponendid:

Märkus: Punkt 2A001 ei hõlma kuule, mille tootja poolt määratud tolerantsid ISO 3290 standardi kohaselt vastavad täpsusklassile 5 või on halvemad.

a.

kuullaagrid või tervikrull-laagrid, mille tootja määratletud tolerantsid vastavad ISO 492 täpsusklassile 4 (või ANSI/ABMA Std 20 täpsusklassile ABEC-7 või RBEC-7 või vastavatele siseriiklikele normidele) või on paremad ja mille veerevõrud ja -kehad on valmistatud monelmetallist või berülliumist;

Märkus: Punkt 2A001 ei hõlma koonusrull-laagreid.

b.

muud kuullaagrid või tervikrull-laagrid, mille tootja määratletud tolerantsid vastavad ISO 492 täpsusklassile 2 (või ANSI/ABMA Std 20 täpsusklassile ABEC-9 või RBEC-9 või vastavatele siseriiklikele normidele) või on paremad;

Märkus: Punkt 2A001.b ei hõlma koonusrull-laagreid.

c.

aktiivsed magnetlaagrisüsteemid, mis kasutavad mõnda järgmistest:

1.

materjalid, mille magnetvootihedus on 2,0 T või suurem ja voolavuspiir on üle 414 MPa;