16.4.2019   

ES

Diario Oficial de la Unión Europea

L 105/67


Corrección de errores del Reglamento Delegado (UE) 2018/1922 de la Comisión, de 10 de octubre de 2018, que modifica el Reglamento (CE) n.o 428/2009 del Consejo, por el que se establece un régimen comunitario de control de las exportaciones, la transferencia, el corretaje y el tránsito de productos de doble uso

( Diario Oficial de la Unión Europea L 319 de 14 de diciembre de 2018 )

En la página 129, en la entrada 3B001.f, puntos 3 y 4, la estructura se modifica como sigue:

donde dice:

«3.

Equipos diseñados especialmente para la fabricación de máscaras, que reúnan todas las características siguientes:

a.

Un haz de electrones, un haz de iones o un haz “láser”, enfocado y desviable, y

b.

Que posean cualquiera de las características siguientes:

1.

Un tamaño de anchura de altura media (FWHM) del haz en el impacto (spot) inferior a 65 nm y una colocación de imagen inferior a 17 nm (media + 3 sigma), o

2.

Sin uso

3.

Un error de recubrimiento de la segunda capa inferior a 23 nm (media + 3 sigma) de la máscara

4.

Equipos diseñados para el proceso de dispositivos, utilizando métodos de escritura directa, que reúnan todas las características siguientes:

a.

Un haz de electrones enfocado y desviable, y

b.

Que posean cualquiera de las características siguientes:

1.

Un tamaño mínimo del haz inferior o igual a 15 nm, o

2.

Un error de recubrimiento inferior a 27 nm (media + 3 sigma)»,

debe decir:

«3.

Equipos diseñados especialmente para la fabricación de máscaras, que reúnan todas las características siguientes:

a.

Un haz de electrones, un haz de iones o un haz “láser”, enfocado y desviable, y

b.

Que posean cualquiera de las características siguientes:

1.

Un tamaño de anchura de altura media (FWHM) del haz en el impacto (spot) inferior a 65 nm y una colocación de imagen inferior a 17 nm (media + 3 sigma), o

2.

Sin uso

3.

Un error de recubrimiento de la segunda capa inferior a 23 nm (media + 3 sigma) de la máscara

4.

Equipos diseñados para el proceso de dispositivos, utilizando métodos de escritura directa, que reúnan todas las características siguientes:

a.

Un haz de electrones enfocado y desviable, y

b.

Que posean cualquiera de las características siguientes:

1.

Un tamaño mínimo del haz inferior o igual a 15 nm, o

2.

Un error de recubrimiento inferior a 27 nm (media + 3 sigma)».