Berichtigung der Delegierten Verordnung (EU) 2022/1 der Kommission vom 20. Oktober 2021 zur Änderung der Verordnung (EU) 2021/821 des Europäischen Parlaments und des Rates in Bezug auf die Liste der Güter mit doppeltem Verwendungszweck

( Amtsblatt der Europäischen Union L 3 vom 6. Januar 2022 )

Seite 142, Anhang, Nummer 3B001.f erhält folgende Fassung:

„f.

Lithografieanlagen wie folgt:

Step-and-repeat (direct step on wafer)- oder step-and-scan (scanner)-Justier- und Belichtungsanlagen für die Waferfertigung, die lichtoptische oder röntgentechnische Verfahren verwenden und eine der folgenden Eigenschaften haben:

a.	Wellenlänge der Lichtquelle kleiner als 193 nm oder

b.	geeignet, ‚kleinste auflösbare Strukturbreiten‘ (KAS) von kleiner/gleich 45 nm zu erzeugen, Technische Anmerkung: Die ‚kleinste auflösbare Strukturbreite‘ KAS wird berechnet nach der Formel: wobei K = 0,35

Anlagen für die Imprintlithografie, geeignet für die Herstellung von Strukturen kleiner/gleich 45 nm;

Anmerkung:

Unternummer 3B001f2 schließt ein:

—	Anlagen für den Mikrokontaktdruck (micro contact printing tools),

—	Anlagen für den Druck mit heißen Stempeln (hot embossing tools),

—	Anlagen für die Nano-Imprint-Lithografie,

—	Anlagen für S-FIL (step and flash imprint lithography).

Anlagen, besonders konstruiert für die Maskenherstellung mit allen folgenden Eigenschaften:

a.	abgelenkten, fokussierten Elektronenstrahlen, Ionenstrahlen oder „Laser“-Strahlen und

mit einer der folgenden Eigenschaften:

1.	Fokusgröße (spot size) mit einer Halbwertsbreite (full-width half-maximum (FWHM)) kleiner als 65 nm und einer Justiergenauigkeit (image placement) kleiner als 17 nm (Mittelwert + 3 Sigma) oder

2.	nicht belegt;

3.	Überdeckungsfehler (overlay error) der zweiten Schicht auf der Maske kleiner als 23 nm (Mittelwert + 3 Sigma),

Anlagen für die Halbleiterherstellung, die Direktschreibverfahren verwenden, mit allen folgenden Eigenschaften:

a.	abgelenkten, fokussierten Elektronenstrahlen und

mit einer der folgenden Eigenschaften:

1.	Mindeststrahlgröße (Minimum beam size) kleiner/gleich 15 nm oder

2.	Überdeckungsfehler (overlay error) kleiner als 27 nm (Mittelwert + 3 Sigma),“.