VERORDNUNG (EWG) Nr. 3544/91 DES RATES vom 25. November 1991 zur zeitweiligen Aussetzung der autonomen Zollsätze des Gemeinsamen Zolltarifs für einige industrielle Waren (Mikroelektronik und verwandte Bereiche) -
Amtsblatt Nr. L 346 vom 16/12/1991 S. 0001 - 0097
VERORDNUNG (EWG) Nr. 3544/91 DES RATES vom 25. November 1991 zur zeitweiligen Aussetzung der autonomen Zollsätze des Gemeinsamen Zolltarifs für einige industrielle Waren (Mikrölektronik und verwandte Bereiche) DER RAT DER EUROPÄISCHEN GEMEINSCHAFTEN - gestützt auf den Vertrag zur Gründung der Europäischen Wirtschaftsgemeinschaft, insbesondere auf Artikel 28, auf Vorschlag der Kommission, in Erwägung nachstehender Gründe: Die in dieser Verordnung genannten Waren werden in der Gemeinschaft gegenwärtig nicht oder nur in unzureichender Menge hergestellt. Die Hersteller können somit den Bedarf der verarbeitenden Industrien der Gemeinschaft nicht decken. Es liegt im Interesse der Gemeinschaft, die autonomen Zollsätze des Gemeinsamen Zolltarifs in bestimmten Fällen, in denen insbesondere eine Gemeinschaftsproduktion dieser Waren besteht, nur teilweise und in den anderen Fällen vollständig auszusetzen. Da es schwierig ist, die kurzfristige Entwicklung der wirtschaftlichen Lage auf den betreffenden Gebieten genau zu beurteilen, sollten die Aussetzungen nur zeitweilig erfolgen, wobei ihre Gültigkeitsdauer entsprechend den Interessen der Gemeinschaftsproduktion festzusetzen ist - HAT FOLGENDE VERORDNUNG ERLASSEN: Artikel 1 Die autonomen Zollsätze des Gemeinsamen Zolltarifs werden für die im Anhang aufgeführten Waren auf die jeweils angegebene Höhe ausgesetzt. Diese Aussetzungen gelten vom 1. Januar bis zum 30. Juni 1992. Artikel 2 Diese Verordnung tritt am 1. Januar 1992 in Kraft. Diese Verordnung ist in allen ihren Teilen verbindlich und gilt unmittelbar in jedem Mitgliedstaat. Geschehen zu Brüssel am 25. November 1991. Im Namen des RatesDer PräsidentJ. M. M. RITZEN ANHANG ex 8471 93 50Floppy-Disc-Speichereinheit0 ex 8471 93 60Magnetbandspeichereinheit für einspulige Kassetten0 ex 8471 99 90Optischer Schriftleser zum Abtasten von alphanumerischen Punktmatrixzeichen und zum Umwandeln der Leseimpulse in elektrische Signale, bestehend aus einem Lesekopf mit Photosensor, einem Verstärker, einer Linse und zwei Lampen, über Flachkabel verbunden mit einer Kontrolleinheit mit den Abmessungen von nicht mehr als 200×220 mm, bestehend aus einer gedruckten Schaltung, bestückt mit mindestens einem Mikroprozessor, einer Bilderkennungsschaltung und einem Analog-Digital-Wandler0 ex 8473 10 10Speichereinheit für elektronische Schreibmaschinen, bestehend aus einer gedruckten Schaltung mit 2 oder 4 statischen Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs, statisch) mit einer Speicherkapazität von jeweils 8 kbit×8 bit, elektronischen Bauelementen zur Steuerung und Kontrolle und Haltestrombatterien, in einer Kassette mit Steckverbindungen und den Abmessungen von nicht mehr als 11×40×90 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: MEMOCART oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8473 30 10Prozessor, bestehend aus nicht mehr als 336 monolithischen integrierten Schaltungen, mit 4 200 nicht programmierten Logikgattern (sogenannte Uncommitted Logic Arrays) und 16 kbit Schreib-Lesespeichern mit wahlfreien Zugriff (sogenannte RAMs), in ECL-Technik hergestellt, in einem Gehäuse, auf einer mehrlagigen gedruckten Schaltung, die zwischen zwei Kühlplatten angebracht ist und die Abmessungen von nicht mehr als 148×560×594 mm aufweist. Die Ware trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 001B-3035-H002 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8473 30 10Arithmetisches logisches Element für die Zentraleinheit, bestehend aus nicht mehr als 9 gedruckten Schaltungen mit den Abmessungen von nicht mehr als 290×310 mm, jeweils bestückt mit nicht mehr als 121 ECL-Gate Arrays oder ECL-Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte ECL-RAMs) oder einer Kombination von beiden, die sich in einem Gestell mit den Abmessungen von nicht mehr als 501×596×611 mm befinden, das als Halterung und Verbindungsleiter für die gedruckten Schaltungen dient. Das Element trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CO1B 2675 E 500CO1B 2675 H 501CO1B 2675 H 503 CO1B 2675 H 500CO1B 2675 H 502CO1B 2675 H 504 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8473 30 90Ferrit-Magnetköpfe in Winchestertechnik für periphere Magnetplatten-Speichereinheiten, mit einer Aufzeichnungsdichte von 10 Spuren oder mehr je mm, auch auf Trägerarmen0 ex 8473 30 90Schreib-Lese-Baugruppe für feste Magnetplatten-Speichereinheiten, bestehend aus Ferrit-Magnetköpfen in Winchestertechnik, auf einem Trägerarm, verbunden durch eine biegsame gedruckte Schaltung mit einem Metallträger, der bestückt ist mit: -einer biegsamen gedruckten Schaltung bestückt mit einem Verstärker für Schreib-Lese-Signale, in Form einer integrierten Schaltung, -einer Steckvorrichtung für eine gedruckte Schaltung0 ex 8473 30 90Tintenstrahldruckkopf0 ex 8473 30 90Magnetblasenspeicher mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 4 Mbit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 42 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 43×44 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 7110FBM 54 DBBDL 0133BDN 0151MBM 2556 7114-1FBM 64 DABDL 0134MBM 2011 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8473 30 90Antriebseinheit für magnetooptische Platten mit einem Aussendurchmesser von 13,34 cm (5,25 inch)0 ex 8473 30 90Antriebseinheit für digitale Audio-Bandspeichereinheiten0 ex 8473 40 90Thermodruckkopf, in Dünn- oder Dickschichttechnik hergestellt, bestehend aus einer mit mindestens einem Tantalkondensator und einem Elektrolytkondensator bestückten gedruckten Schaltung, in einer Metallkonstruktion mit einem Verbindungsteil, Druckstiften und Wärmeableiter, mit Montageträger und -rolle0 ex 8483 10 90In einem Stück geschmiedete und vorgedrehte Generator- und Turbinenwellen mit einem Stückgewicht von mehr als 215 Tonnen0 ex 8501 10 99Bürstenloser Gleichstrommotor mit einem Drehmoment von nicht mehr als 0,20 Newtonmeter, einem Befestigungsflansch mit einem Durchmesser von 77 mm und einer Präzisionsspindel mit einem Durchmesser von 44 mm, einem Aussenrotor mit einem Durchmesser von nicht mehr als 55 mm, mit 4-Phasen-Wicklung, mit einer Nenndrehzahl von 3 600 Umdrehungen pro Minute und einer Versorgungsspannung von 12 V±10 %, mit Drähten und Anschlußstücken0 ex 8501 10 99Hybrid-Schrittmotor mit einem Schrittwinkel von 0,9 Grad, 400 Schritten pro Umdrehung, 2-Phasen- oder 4-Phasen-Drehfolge mit bipolarer Wicklung, bestehend aus einem Rotor und einem Ständerpaket, das zwischen zwei Viereckflanschen mit den Seitenlängen von nicht mehr als 40 mm eingeschlossen ist, mit durchgehender Welle, Drähten und Anschlußstücken0 ex 8501 10 99Hybrid-Schrittmotor mit einem Schrittwinkel von 0,9 Grad, 400 Schritten pro Umdrehung, 2-Phasen-Drehfolge mit bipolarer Wicklung, bestehend aus einem Rotor und einem Ständerpaket, das in einem zylindrischen Behälter mit einem Durchmesser von nicht mehr als 47 mm und einer Dicke von nicht mehr als 14 mm eingeschlossen ist, mit durchgehender Welle, Drähten und Anschlußstücken0 ex 8501 10 99Hybrid-Schrittmotor mit einem Schrittwinkel von 0,9 Grad, 400 Schritten pro Umdrehung, 2-Phasen-Drehfolge mit bipolarer Wicklung, bestehend aus einem Rotor und einem Ständerpaket, das zwischen zwei Viereckflanschen mit den Seitenlängen von nicht mehr als 40 mm eingeschlossen ist, mit eingebautem 2- oder 3-Phasen-Drehzahlmesser in einer Kalotte mit einem Durchmesser von nicht mehr als 35 mm, mit gesonderten Drähten und Anschlußstücken für die Ausgänge des Motors und des Drehzahlmessers, mit den Abmessungen von nicht mehr als 40×40×62 mm, einschließlich Welle0 ex 8501 10 99Bipolarer Gleichstrom-Schrittmotor mit einteiligem Stator, einer Leistung von 37,5 W oder weniger, einem Schrittwinkel von 180 Grad, 2 Schritten pro Umdrehung, 2-Phasen-Drehfolge mit unipolarer Wicklung, einem Drehmoment von nicht weniger als 0,1×10-6 Newtonmeter und nicht mehr als 0,1×10-4 Newtonmeter und einer Versorgungsspannung von nicht mehr als 3 V0 ex 8501 10 99Hybrid-Schrittmotor mit einem Schrittwinkel von 0,9 Grad, 400 Schritten pro Umdrehung, 2-Phasen-Drehfolge mit bipolarer Wicklung, bestehend aus einem Rotor und einem Ständerpaket, das zwischen zwei Flanschen eingeschlossen ist, von denen der eine einen Viereckquerschnitt mit den Seitenlängen von nicht mehr als 40 mm hat und der andere (vordere) scheibenförmig ist und zwei Auskragungen aufweist, mit eingebautem 2- oder 3-Phasen-Drehzahlmesser in einer Kalotte mit einem Durchmesser von nicht mehr als 35 mm, mit gesonderten Drähten und Anschlußstücken für die Ausgänge des Motors und Drehzahlmessers, mit den Abmessungen von nicht mehr als 40×40×62 mm, einschließlich Welle, aber ohne die Auskragungen des vorderen Flansches0 ex 8501 10 99Bürstenloser Gleichstrommotor mit einem Drehmoment von nicht mehr als 0,20 Newtonmeter, mit einem Befestigungsflansch mit einem Durchmesser von 74 mm, einer Spindel mit einem Durchmesser von 40 mm, mit einer Nenndrehzahl von 3 600 Umdrehungen pro Minute und einer Versorgungsspannung von 12 V±10 %, mit Drähten und Anschlußstücken0 ex 8501 10 99Bürstenloser Gleichstrommotor mit einem Drehmoment von nicht mehr als 0,018 Newtonmeter, mit einem Befestigungsflansch mit einem Durchmesser von 35 mm und einer Präzisionsspindel mit einem Durchmesser von 25 mm, mit Innenrotor mit 3-Phasen-Wicklung, mit einer Nenndrehzahl von 3 600 Umdrehungen pro Minute und einer Versorgungsspannung von 12 V±10 %0 ex 8501 10 99Hybrid-Schrittmotor mit einem Schrittwinkel von 1,8 Grad, 200 Schritten pro Umdrehung, 4-Phasen-Drehfolge mit unipolarer Wicklung, bestehend aus einem Rotor und einem Ständerpaket, das zwischen zwei Viereckflanschen mit den Seitenlängen von nicht mehr als 42 mm eingeschlossen ist, mit durchgehender Welle, Drähten und Anschlußstücken0 ex 8501 10 99Bürstenloser Gleichstrommotor mit einem Drehmoment von nicht mehr als 0,030 Newtonmeter, mit einem Befestigungsflansch mit einem Durchmesser von 34 mm und einer Präzisionsspindel mit einem Durchmesser von 25 mm, mit Innenrotor mit 3-Phasen-Wicklung, mit einer Nenndrehzahl von 3 600 Umdrehungen pro Minute und einer Versorgungsspannung von 12 V±10 %0 ex 8501 10 99Bürstenloser Gleichstrommotor mit einem Drehmoment von nicht mehr als 0,018 Newtonmeter, mit einem Befestigungsflansch mit einem Durchmesser von 26 mm und einer Präzisionsspindel mit einem Durchmesser von 20 mm, mit Innenrotor mit 3-Phasen-Wicklung, mit einer Nenndrehzahl von 3 600 Umdrehungen pro Minute und einer Versorgungsspannung von 12 V±10 %0 ex 8501 10 99Bürstenloser Gleichstrommotor mit einem Drehmoment von nicht mehr als 0,018 Newtonmeter, mit einem Befestigungsflansch mit einem Durchmesser von 58 mm und einer Präzisionsspindel mit einem Durchmesser von 25 mm, mit Innenrotor mit 3-Phasen-Wicklung, mit einer Nenndrehzahl von 3 600 Umdrehungen pro Minute und einer Versorgungsspannung von 12 V±10 %0 ex 8504 40 94Stromgleichrichter, bestehend aus einer Kaskadenschaltung von 7 Dioden, für Ausgangsspannungen von 40 kV oder mehr mit einer Stromstärke von 3 mA oder mehr0 ex 8504 40 98Gleichstromumformer, mit Dioden nicht in Kaskadenschaltung, mit einer Eingangsspannung von nicht mehr als 72 V, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 16 Anschlüssen0 ex 8506 19 19Lithium-Jod-Batterie mit den Abmessungen von nicht mehr als 9×23×45 mm und einer Spannung von nicht mehr als 2,8 V0 ex 8506 19 19Einheit, bestehend aus nicht mehr als 2 Lithium-Batterien, eingebettet in einen Sockel für integrierte Schaltungen (sogenannter batteriegepufferter Sockel), mit Kontroll-Schaltkreis, und mit nicht mehr als 32 Anschlüssen0 ex 8506 19 99Kohle-/Zink-Trockenbatterie mit einer Spannung von nicht weniger als 5,5 und nicht mehr als 6,5 V und den Abmessungen von nicht mehr als 5×90×110 mm, zur Verwendung in Filmkassetten für Sofortbildkameras (a)0 ex 8517 90 81Baugruppe für Fernsprechapparate, bestehend aus einem Mikrophon, einer Schutzschaltung und einer 4-Wege-Steckvorrichtung, montiert auf einer gedruckten Schaltung mit den Abmessungen von nicht mehr als 22×40 mm0 ex 8517 90 98Thermodruckkopf mit 1 728 Druckpunkten, in Dickschicht- oder Dünnschichttechnik hergestellt, bestehend aus einem mit Heizelementen versehenen Keramiksubstrat mit den Abmessungen von nicht mehr als 20×37 x 240 mm0 ex 8517 90 98Baugruppe bestehend aus: - einer monochromen Kathodenstrahlröhre mit flachem Bildschirm, mit einer Diagonalen des Bildschirms von nicht weniger als 100 mm und nicht mehr als 110 mm, und versehen mit einem Ablenkjoch und -einer gedruckten Schaltung, bestückt mit einer Ablenkeinheit, einem Video-Verstärker und einem Transformator, das Ganze befindet sich auf einer Grundplatte, zum Herstellen von Video-Telefonanlagen (a)0 ex 8518 90 00In einem Stück hergestellte Kernplatte aus kaltgestauchtem Stahl, in Form einer Scheibe, die auf einer Seite mit einem zylinderförmigen Kern versehen ist, zum Herstellen von Lautsprechern (a)0 ex 8522 90 91Optische Einheit, bestehend aus einer Laserdiode mit Photodiode, die Licht mit einer nominalen Wellenlänge von 780 Nanometer ausstrahlt, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 10 Anschlüssen, einem Durchmesser von nicht mehr als 10 mm und einer Höhe von nicht mehr als 9 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Buchstaben- oder Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: LDGU LT 022 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8522 90 99Kassetten-Einzellaufwerk, mit einer Gesamthöhe von nicht mehr als 53 mm, zum Herstellen von Tonaufnahme- und -wiedergabegeräten (a)0 ex 8522 90 99Laufwerk für Magnetbandkassetten-Tonaufnahme-und-wiedergabevorrichtungen, zum Herstellen von Telephonanrufbeantwortern (a)0 ex 8523 20 10Starre Oxid-Magnetplatte, vorgeschmiert, mit einer Körzitivkraft von 300 Örsted oder mehr0 ex 8523 20 10Starre Magnetplatte mit metallischer Dünnfilmschicht, mit einer Körzitivkraft von mehr als 600 Örsted und einem Aussendurchmesser von 231 mm oder weniger0 ex 8529 10 70Keramische Filtergruppe, bestehend aus zwei keramischen Filtern und einem keramischen Resonator, für eine Frequenz von 10,7 MHz ±30 kHz, in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 10×10 mm0 ex 8529 10 70Keramischer Filter für Frequenzen von nicht weniger als 4,5 MHz und nicht mehr als 6,6 MHz, in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 9×24 mm0 ex 8529 90 70Zugriffskontroll-Modul, bestehend aus einer gedruckten Schaltung mit den Abmessungen von nicht mehr als 103×103 mm, bestückt mit: -zwei integrierten Schaltungen, die die Zugriffsberechtigung, Kennwortüberprüfung, Datenschutzsicherung und Schnittstellen-Funktion sicherstellen, -einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 64 kbit, -einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 8 kbit, ex 8529 90 70 (Forts.)-diskreten aktiven und passiven Bauelementen, -einer Lithiumbatterie, zum Herstellen von Satelliten-Rundfunkempfangsgeräten (a)0 ex 8529 90 70Modul zur Signalverarbeitung, bestehend aus einer gedruckten Schaltung, bestückt mit mindestens: -einem Videoprozessor, -einem Ablenkungsprozessor, -einem Teletextprozessor, -einer Video-Codier-/Decodiereinheit, zum Herstellen von digitalen Farbfernsehempfangsgeräten (a)0 ex 8529 90 98Vorrichtung, bestehend aus einem Bildsensor mit Ladungsübertragung im Zeilenabstand und einem Filter, mit den Abmessungen von nicht mehr als 43×59 mm0 ex 8531 20 90Einheit, bestehend aus 15 Leuchtdioden, die von Halbleiterteilen aus im wesentlichen Galliumarsenid und Aluminium sowie Galliumphosphid hergestellt sind, in einem zylindrischen Metallgehäuse mit nicht mehr als 4 Anschlüssen und einem Durchmesser von nicht mehr als 26 mm0 ex 8531 20 90Einheit, bestehend aus 50 Leuchtdioden, die von Halbleiterteilen aus im wesentlichen Galliumarsenid und Aluminium sowie Galliumphosphid hergestellt sind, in einem zylindrischen Metallgehäuse mit nicht mehr als 3 Verbindungsdrähten und einem Durchmesser von nicht mehr als 53 mm0 ex 8531 20 90Digitalanzeigen, bestehend aus einer Leiterplatte mit einer Grösse von nicht mehr als 35×90 mm und einer Reihe von nicht weniger als 3 Anzeigestellen, die Leuchtdioden enthalten, die von Halbleiterteilen aus im wesentlichen Gallium hergestellt sind; letztere sind in die Leiterplatte eingebaut. Jede Anzeigestelle besteht aus nicht mehr als 8 Segmenten, auch mit einem Dezimalpunkt. Die Digitalreihe hat einen Schutzbelag aus Kunststoff0 ex 8531 20 90Monochrome Flüssigkristallanzeigen, bestehend aus einer zwischen zwei Glasplatten eingeschlossenen Flüssigkristallschicht mit 256 000 Punkten oder mehr, auf einer Leiterplatte mit elektronischen Bauelementen zur Steuerung und/oder Kontrolle0 ex 8531 20 907-Segment-Flüssigkristallanzeigen, bestehend aus einer zwischen zwei Glasplatten eingeschlossenen Flüssigkristallschicht, mit 16 Zahlenstellen und 9 Symbolen, auf einer Leiterplatte mit elektronischen Bauelementen zur Steuerung und/oder Kontrolle 0 ex 8531 20 90Punktmatrix-Flüssigkristallanzeigen, bestehend aus einer zwischen zwei Glasplatten eingeschlossenen Flüssigkristallschicht mit 423 Punkten (angeordnet in 7 Zeilen, 60 Kolonnen und 3 Symbolen), auf einer Leiterplatte mit elektronischen Bauelementen zur Steuerung und/oder Kontrolle0 ex 8531 80 90Gleichstrom-Plasma-Anzeigen0 ex 8532 29 00Goldkondensator mit einer nominalen Kapazität von 100 Millifarad, einer Betriebsspannung von 5,5 V und einem Verluststrom von nicht mehr als 100 Mikroampere, in einem zylinderförmigen Gehäuse mit einer Höhe von weniger als 8 mm und einem Durchmesser von nicht mehr als 14 mm0 ex 8532 30 10Platten-Drehkondensator mit Kunststoffisolierung, mit einer Kapazität von nicht mehr als 2×335 Picofarad für den AM-Teil und 2×20 Picofarad für den FM-Teil, in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 21×24 mm0 ex 8532 30 90Einstellbarer Kondensator in runder Form mit einem Durchmesser von nicht mehr als 2,5 mm und einer Dicke von nicht mehr als 3 mm, ausgerüstet mit einer Stellschraube in der Mitte und 2 Anschlüssen, mit einer Kapazität von nicht weniger als 5 Picofarad und nicht mehr als 30 Picofarad, zum Herstellen von Waren des Kapitels 91 (a)0 ex 8533 29 00Festwiderstandsmodul mit positivem Temperaturköffizienten und einem nominalen Gleichstromwiderstand von 19,6 Ohm bei 20 °C, einem Isolierwiderstand von mehr als 1 Megaohm, zum Schutz von Telefonzentralen gegen andauernde Spannungsüberlastungen von nicht mehr als 1 000 V, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 16 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 19×48 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 20793 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8534 00 11 ex 8534 00 19 Gedruckte Schaltung, einseitig bedruckt, mit den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm, zum Herstellen von Waren des Kapitels 91 (a)0 ex 8534 00 11Mehrlagenschaltung mit den Abmessungen von nicht mehr als 64×65 cm, bestehend aus 24 Lagen, von denen fünf durch eingeschlossene Zwischenverbindungen aus Bismaleimidtriazin miteinander verbunden sind0 ex 8534 00 19Gedruckte Schaltung, einseitig bedruckt, mit nicht mehr als 268 Verbindungen zu einer Kunststoff-Unterlage mit beidseitiger Randlochung, mit einer Breite von nicht mehr als 35 mm und einer Dicke von nicht mehr als 0,26 mm0 ex 8534 00 19Gedruckte Schaltung auf einem Keramik-Träger, mit Leiterbahnen und Kontakten einseitig oder beitseitig bedruckt, mit den Abmessungen von nicht mehr als 36×36 mm und nicht mehr als 304 Anschlüssen0 ex 8534 00 90Gedruckte Schaltung auf einem Keramik-Träger, mit Leiterbahnen, Kontakten und Widerständen einseitig oder beidseitig bedruckt, mit Kontaktpunkten, die durch vetrifizierte Schichten isoliert sind, mit nicht mehr als 320 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 37×37 mm0 ex 8535 90 00Sockel (Steckvorrichtung) für Kathodenstrahlröhren0 ex 8536 41 10 ex 8536 41 90 ex 8536 49 00 Thermorelais in hermetisch versiegeltem Glasgehäuse, mit den Längenabmessungen-ohne Drähte-von nicht mehr als 35 mm, mit einer maximalen Undichtigkeit von 10-6 cm3 Helium/Sekunde bei 1 bar innerhalb des Temperaturbereichs von 0 bis 160 °C, zum Einbau in Kompressoren für Kältemaschinen (a)0 ex 8536 50 19 ex 8536 50 90Reedschalter in Form eines Glasgehäuses, mit nicht mehr als 3 elektrischen Kontakten auf Metallzungen und einer kleinen Menge Quecksilber0 ex 8538 90 90Elektrothermisches Sicherungsteil, bestehend aus einem verzinnten Kupferdraht, der an einem zylindrischen Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 5×48 mm befestigt ist0 ex 8540 11 10Schlitzmasken-Farbkathodenstrahlröhren (Elektronenkanonen in Reihenanordnung-sogenannte In-Line-Technik-) mit einer Diagonalen des Bildschirms von nicht weniger als 12 cm und nicht mehr als 26 cm0 ex 8540 12 10Monochrome Kathodenstrahlröhren mit flachen Bildschirm, mit einer Diagonalen des Bildschirms von nicht weniger als 150 und nicht mehr als 155 mm, einer Anodenspannung von nicht weniger als 25 und nicht mehr als 32 kV0 ex 8540 20 90Photovervielfacher mit 9 Dynoden, ausgelegt für den Wellenlängenbereich von nicht weniger als 160 Nanometer und nicht mehr als 930 Nanometer, mit einem Durchmesser von nicht mehr als 14 mm und einer Höhe von nicht mehr als 94 mm0 ex 8540 30 10 ex 8540 30 90 Kathodenstrahlspeicherröhren (sogenannte Direktsicht-Speicherröhren/Direct View Storage Tubes) für die Wiedergabe alphanumerischer und analoger Daten, mit Abtastvorrichtung zum Lesen der gebildeten Zeichen0 ex 8540 30 10Lochmasken-Farbkathodenstrahlröhren (Elektronenkanonen in Dreiecksanordnung-sogenannte Deltatechnik-) mit einer Diagonalen des Bildschirms von 66 cm oder mehr 0 ex 8540 30 10Lochmasken-Farbkathodenstrahlröhren (Elektronenkanonen in Reihenanordnung-sogenannte In-Line-Technik-), mit einem Abstand zwischen den Farbpunkten von weniger als 0,45 mm, einer Diagonalen des Bildschirms von mehr als 54 cm, einer diagonalen Ablenkung von nicht mehr als 90° und Konvergenzfehlern in den Ecken von nicht mehr als 0,8 mm0 ex 8540 30 10Lochmasken-Farbkathodenstrahlröhren (Elektronenkanonen in Reihenanordnung-sogenannte In-Line-Technik-), mit einem Abstand zwischen den Farbpunkten von weniger als 0,45 mm und einem integrierten Anti-Vibrationssystem (sogenanntes Potting-System)0 ex 8540 30 10Lochmasken-Farbkathodenstrahlröhren (Elektronenkanonen in Reihenanordnung-sogenannte In-Line-Technik-), mit einem Abstand zwischen den Farbpunkten von weniger als 0,45 mm und ohne internen Magnetschirm0 ex 8540 30 10Lochmasken-Farbkathodenstrahlröhren (Elektronenkanonen in Reihenanordnung-sogenannte In-Line-Technik-), mit einem Abstand zwischen den Farbpunkten von weniger als 0,45 mm und einer Diagonalen des Bildschirms von 54 cm oder weniger0 ex 8540 30 90Monochrome Kathodenstrahlröhren mit flachem Bildschirm, mit einer Diagonalen des Bildschirms von nicht weniger als 142 und nicht mehr als 230 mm, einer Leuchtkraft zwischen 300 und 2 000 lumen, einem Auflösungsvermögen von nicht weniger als 0,06 und nicht mehr als 0,1 mm, einer Phosphorbeschichtung des Typs P1 oder P22 oder P53 oder P55 oder P56, einer Anodenspannung von mehr als 34 kV, einer Fokussierspannung von mehr als 7 kV und einem Kathodenstrom von 3 mA oder mehr0 ex 8540 89 11Anzeigen in Form einer Röhre, bestehend aus einem Glasgehäuse, aufgebracht auf einer Platte mit einer Grösse-ohne Berücksichtigung der Leitungen-von nicht mehr als 300×350 mm. Die Röhre enthält eine oder mehrere Reihen von Zeichen oder Strichen. Jedes Zeichen oder jeder Strich enthält fluoreszierende oder phosphoreszierende Elemente, die auf einer von fluoreszierenden Substanzen oder von Phosphorsalzen überzogenen metallisierten Unterlage aufgebracht sind und leuchten, wenn sie von Elektronen getroffen werden0 ex 8540 91 00Kathodenstrahlröhren-Ablenkeinheiten für Frequenzen von 31 250 Hz bis 64 000 Hz, mit einem 4-Pol-Magneten0 ex 8540 91 00Elektronenkanonen zum Herstellen von monochromen Kathodenstrahlröhren mit einer Diagonale des Bildschirms von nicht weniger als 7,6 cm und nicht mehr als 30,5 cm (a)0 ex 8540 99 00Anoden, Kathoden oder Ausgangsvorrichtungen zum Herstellen von Magnetronen der Unterposition 8540 41 00 (a)0 ex 8541 10 91Silicium-Leistungsgleichrichterdiode in Planartechnik, mit einer Erholzeit von weniger als 100 Nanosekunden, einer wiederkehrenden Sperrspannung von nicht mehr als 200 V, einem durchschnittlichen Durchlaßstrom von nicht weniger als 2,5 A, in einem flachen Gehäuse mit den Abmessungen von mehr als 3×9×9 mm und nicht mehr als 5×11×17 mm0 ex 8541 10 99Germanium-Golddraht-Diode mit einer Durchlaßspannung von 1 V oder weniger bei 5 mA0 ex 8541 10 99Silicium-Diode mit variabler Kapazität, ausgelegt für eine mindestens 10-fache Kapazitätsänderung im Verhältnis zum Ausgangswert durch Änderung der Betriebsspannung von nicht weniger als 2 V und nicht mehr als 10 V und mit einer Kapazität von nicht weniger als 96 pF und nicht mehr als 144 pF bei 2 V, in einem zylinderförmigen Gehäuse mit nicht mehr als 2 Anschlüssen und einem Durchmesser von nicht mehr als 3 mm und einer Höhe von nicht mehr als 8 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: MV 1404 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8541 21 90Transistor mit Elektronen hoher Beweglichkeit (sogenannter High Electron Mobility Transistor/HEMT) für den Frequenzbereich von 2 GHz oder mehr, jedoch nicht mehr als 20 GHz, mit einem Stromverlust von nicht mehr als 180 mW, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 4 Anschlüssen und einem Durchmesser von nicht mehr als 3 mm 0 ex 8541 21 90Feldeffekttransistor für den Frequenzbereich von 2 GHz oder mehr, jedoch nicht mehr als 16 GHz, mit einem Stromverlust von nicht mehr als 225 mW, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 4 Anschlüssen und einem Durchmesser von nicht mehr als 3 mm0 ex 8541 29 90Transistor mit einer Leistung von nicht weniger als 150 W bei einer Spannung von nicht weniger als 160 V und einer Abschaltfrequenz von 20 MHz oder mehr (sogenannte "Cut-off-Frequenz"), in einem Gehäuse mit nicht mehr als 3 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 22×37 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 2 SA 11702 SA 14942 SC 2921 2 SA 12152 SC 27742 SC 3858 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8541 29 90Silicium-Transistor mit einer Leistung von 1 000 W oder mehr, einem Verstärkungsfaktor von 5,25 dB oder mehr bei einer Frequenz von 1 025 MHz bis 1 150 MHz, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 4 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 11×36 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: SD 1543 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8541 40 10Leuchtdioden auf Basis Gallium-Arsen-Phosphor (GaAsP), die bei einer nominalen Wellenlänge von 710 Nanometer arbeiten, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ohne Gehäuse (Chip), zum Herstellen von Optokopplern (a)0 ex 8541 40 91Modul mit nicht mehr als 5 Solarzellen, in Dünnschichttechnik hergestellt, auf einem Substrat mit den Abmessungen von nicht mehr als 18×70 mm0 ex 8541 60 00Piezölektrischer Quarzkristall mit einer Frequenz von 32 768 Hz, in einem zylindrischen Gehäuse mit einer Länge von nicht mehr als 8,2 mm und einem Durchmesser von nicht mehr als 3,2 mm, zum Herstellen von Waren des Kapitels 91 (a)0 ex 8541 60 00Keramischer polarisierter piezölektrischer Kristall mit einer Frequenz von 500 kHz bis 12 500 kHz, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 3 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 14×15 mm0 ex 8542 11 05Kontroll- und Treiberbaustein für Punktmatrix-Flüssigkristallanzeigen, in C-MOS-Technik hergestellt, mit Zeichengenerator, einer Treiberspannung von mehr als 10 V, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ohne Gehäuse (Mikroplättchen), zum Herstellen von Flüssigkristallanzeige-Modulen (a)0 ex 8542 11 05Treiberbaustein für Flüssigkristallanzeigen, in C-MOS-Technik hergestellt, mit 40 oder mehr Ausgangskanälen, einer Treiberspannung von mehr als 10 V, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ohne Gehäuse (Mikroplättchen), zum Herstellen von Flüssigkristallanzeige-Modulen (a)0 ex 8542 11 12Dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in N-MOS (einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt (sogenannter N/H-MOS-RAM, dynamisch), mit einer Speicherkapazität von 64 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 18 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 9×24 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: KM 4164 MN 4264 TMS 4164 TMS 4416 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 12Dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in N-MOS (einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt (sogenannter N/H-MOS-RAM, dynamisch), mit einer Speicherkapazität von 256 kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 150 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×34 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: HB 50562KM 41257MB 81464PD 41256TMS 4256 HM 50256M5M 4256MSM 4256PD 41464TMS 4464 HM 50464M5M4464MSM 4464TMM 41256 KM 41256MB 81256PD 41254TMM 41464 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.8 ex 8542 11 12Dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, dynamisch), mit einer Speicherkapazität von 256 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 53 C 25653 C 466P 51 C 256 53 C 258MB 81 C 258P 51 C 259 53 C 464MB 81 C 466TC 51832 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 12Dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff und dualer Ein-/Ausgangsstelle (sogenannter RAM, dynamisch), mit Datenregister und serieller Leseausgangskontrolle, mit einer Speicherkapazität von 256 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 13×39 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: M5M 4 C 264MB 81461PD 41264TMS 4461 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 14Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, mit getrennten Ein- und Ausgängen und seriellen Schieberegistern (sogenannter Field Memory), in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 1 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×54 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: TC 521000 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 14Dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff und dualer oder dreifacher Ein-/Ausgangsstelle, (sogenannter RAM, dynamisch), mit Datenregister und serieller Leseausgangskontrolle, mit einer Speicherkapazität von 1 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 14×51 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: TC 524256TC 528128MT 42 C 4256TMS 44 C 251 TC 524257M5M 442256MT 43 C 4257 TC 528126MB 81 C 4251MT 43 C 4258 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 16Pseudo-statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 4 Mbit und einer Zugriffszeit von 100 ns, mit Zeittaktgenerator und Auffrischungsschaltung, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 12×22 mm, zum Herstellen von tragbaren Computern, die ohne externe Energiequelle betrieben werden können (a). Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: HM 658512 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 21Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch) mit einer Speicherkapazität von 16×4 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 35 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 16 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 9×21 mm. ex 8542 11 21 (Forts.)Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CY27S03CY54S189CY7C189 CY27S07CY74S189CY7C190 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 21Monolithische integrierte Schaltung, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 256 bit, bitweise gekoppelt mit einem elektrisch löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter E2PROM), in einem Gehäuse mit nicht mehr als 18 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×24 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: X 2210 X 2443 X 2444 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 21Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt (sogenannter N/H-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 256×4 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 25 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 9122-25 91 L 22-25 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 21Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 256×4 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 60 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 12×33 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CY7C122 CY7C123 CY93422 CY93L422 P4C 422 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 21Monolithische integrierte Schaltung, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 1 kbit, bitweise gekoppelt mit einem elektrisch löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter E2PROM), in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×33 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: X 2001 X 2201 A X 2212 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 21Monolithische integrierte Schaltung, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 2 kbit, bitweise gekoppelt mit einem elektrisch löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter E2PROM), in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: X 2002 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 21Monolithische integrierte Schaltung, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 4 kbit, bitweise gekoppelt mit einem elektrisch löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter E2PROM), in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: X 2004 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 21Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 1 kbit×4 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 25 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht weniger als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×32 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: AM 9150-20CY 7 C 150-15 AM 9150-25CY 7 C 150-25 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht. 0 ex 8542 11 21Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt (sogenannter N/H-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 8 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 4008480181088114PD 421 4118810481128185 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 21Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreien Zugriff und dualer Ein-/Ausgangsstelle, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 1 kbit×8 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 55 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 52 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 21×62 mm. ex 8542 11 21 (Forts.)Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CY7C130 CY7C131 CY7C140 CY7C141 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 21Nicht fluechtiger Speicher, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 16 kbit und interner Energiequelle, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 19×40 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: DS 1220 Y MK 48 Z 02 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.7 ex 8542 11 21Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreien Zugriff und dualer Ein-/Ausgangsstelle, in C-MOS-Technik hergetellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 2 kbit×8 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 55 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 52 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 21×62 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CY7C132 CY7C136 CY7C142 CY7C146 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 21Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 32 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 48 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 18×63 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: IDT 7134 TC 5532 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 21Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff und dualer Ein-/Ausgangsstelle, in BiMOS-Technik hergestellt (sogenannter BiMOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 32 kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 35 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 29×62 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CY7B134 CY7B1342 CY7B135 CY7B138 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 21Nicht fluechtiger Speicher, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 64 kbit und interner Energiequelle, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 20×42 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: BQ 4010 DS 1225 Y oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 21Statischer Cache-Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter Cache-RAM, statisch), in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 4 kbit×16 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 55 ns, mit einem 12-bit-Adressen-Register und Kontrollschaltungen, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 10×53 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: IDT71586S oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 21Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff und dualer Ein-/Ausgangsstelle, in BiMOS-Technik hergestellt (sogenannter BiMOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 64 kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 35 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 29×29 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: CY7B144 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 23Statischer Cache-Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter Cache-RAM, statisch), in BiMOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 72 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 28×28 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CY7B180 CY7B181 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 23Statischer Cache-Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter Cache-RAM, statisch), in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 144 kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 30 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 52 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 21×21 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: TC 55187 TC 55188 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 23Nicht fluechtiger Speicher, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 256 kbit und interner Energiequelle, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 19×40 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: BQ 4011 DS 1230 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 23Statischer, asynchroner, Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter asynchroner C-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 16 kbit×16 bit, ausgenommen statischer Cache-Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter Cache-RAM, statisch), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 52 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 21×21 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: MCM 62995-17 MCM 62995-20 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht0 ex 8542 11 23Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 32 kbit×8 bit und einer Zugriffszeit von mehr als 55 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: HM 62256 HY 62C256 MB 84256 PD 43256 TC 55257 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 23Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in BiMOS-Technik hergestellt (sogenannter BiMOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 256 kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 20 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 52 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 21×38 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CY7B153CY7B155HM 6709 AMCM 6709 CY7B154CY7B156MCN 6708 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehend Beschreibung bezieht0 ex 8542 11 25Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 288 kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 40 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×41 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: TC 55329 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 25Statischer Cache-Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter Cache-RAM, statisch), in BiMOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 288 kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 21 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×17 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CY7B173 CY7B174 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 25Statischer Scheib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 1 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×44 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CXK581020CY7C108M5M 51004TC 55B4256 CY7C101CY7C109M5M 51008TC 55B4257 CY7C102HM 621100AMCM 6228TC 55B8128 CY7C106HM 624256MT 5C1008 CY7C107HM 624257TC 551001 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht0 ex 8542 11 31Lesespeicher, nicht programmierbar, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-ROM), mit einem Versorgungsstrom im Bereitschaftszustand von nicht mehr als 0,03 mA und einer Speicherkapazität von 256 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 54 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×50 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: HN 61256 HN 613256 MB 83256 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.7 ex 8542 11 31Lesespeicher, nicht programmierbar, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-ROM), mit einer Speicherkapazität von 1 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×43 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: HN 62301 PMB 83 1000TC 53 1000 P IMP 23101MB 83 1124TC 53 1001 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.7 ex 8542 11 31Lesespeicher, nicht programmierbar, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-ROM), mit einer Speicherkapazität von 8 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 14×54 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: TC 538200 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 31Lesespeicher, nicht programmierbar, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-ROM), mit einer Speicherkapazität von 16 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 14×54 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: TC 5316200 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 42UV-löschbarer, programmierbarer Lesespeicher (sogenannter EPROM), mit einer Speicherkapazität von 16 kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 65 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm und einem Quarzfenster auf der Oberseite. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CY 7C 245 W CY 7C 291 W oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 42UV-löschbarer, programmierbarer Lesespeicher (sogenannter EPROM), mit einer Speicherkapazität von 32 kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 45 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm und einem Quarzfenster auf der Oberseite. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 27 CX 321 27 CX 322 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 42UV-löschbarer, programmierbarer Lesespeicher (sogenannter EPROM) mit einer Speicherkapazität von 64 kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 65 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm und einem Quarzfenster auf der Oberseite. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CY 7C 261 W CY 7C 263 W CY 7C 268 W CY 7C 269 W oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 42 ex 8542 11 59 Programmierbarer Lesespeicher, UV-löschbar (sogenannter EPROM) oder nicht löschbar (sogenannter PROM), mit einer Speicherkapazität von 128 kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 100 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm, auch mit einem Quarzfenster auf der Oberseite. ex 8542 11 42 ex 8542 11 59 (Forts.)Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CY 7C 251 CY 7C 254 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 42 ex 8542 11 59 Programmierbarer Lesespeicher, UV-löschbar (sogenannter EPROM) oder nicht löschbar (sogenannter PROM), mit einer Speicherkapazität von 256 kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 99 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm, auch mit einem Quarzfenster auf der Oberseite. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CY 7C 271 CY 7C 274 CY 7C 277 CY 7C 279 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 44 ex 8542 11 59 Programmierbarer Lesespeicher, UV-löschbar (sogenannter EPROM) oder nicht löschbar (sogenannter PROM), mit einer Speicherkapazität von 1 Mbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 35 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 18×53 mm, auch mit einem Quarzfenster auf der Oberseite. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CY7B201 CY7B210 CY7B211 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 44Elektrisch löschbarer, programmierbarer Flash-Lesespeicher (sogenannter Flash-E2PROM), mit einer Speicherkapazität von 1 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×42 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 48 F 010 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 46Elektrisch löschbarer, programmierbarer Flash-Lesespeicher (sogenannter Flash-E2PROM), mit einer Speicherkapazität von 2 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×42 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 28F020 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 50Elektrisch löschbarer, programmierbarer Lesespeicher (sogenannter E2PROM) mit einer Speicherkapazität von 16 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×42 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 24 C 1628 C 1752 B 13X 2816 28 C 1638 C 16AM 2817 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 50Elektrisch löschbarer, programmierbarer Lesespeicher (sogenannter E2PROM), mit einer Speicherkapazität von 64 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 28 C 64HN 58C65X 2864 A AM 2864 BEMBM 28 C 65 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 50Elektrisch löschbarer, programmierbarer Lesespeicher (sogenannter E2PROM), mit einer Speicherkapazität von 128 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: X 28128 A oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 50Elektrisch löschbarer, programmierbarer Lesespeicher (sogenannter E2PROM), mit einer Speicherkapazität von 256 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 19×42 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder diese Kombinationen als Bestandteil enthält: 28256 28 C 256 48 C 256 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 50Elektrisch löschbarer, programmierbarer Lesespeicher (sogenannter E2PROM), mit einer Speicherkapazität von 1 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×52 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: AT 28C1024 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 59Daten-/Adressen-Pufferspeicher für Daten von einer Zentraleinheit, einem Systembus und einem Speicherbus oder für Adressen von einem Systembus, einem lokalen Bus und dynamischen Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff, mit zwei Schaltungen zur Paritätsfehlersuche, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 84 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: GC 102 HT 102 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 59Doppelreihen-Speicher (sogenannter Double Row Buffer/DRB), mit Schieberegistern und Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: CRT 9212 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 59Pufferspeicher mit einer Organisation von 4×16 bit, bestehend aus 8 bit für Adressen, 8 bit für Daten und 4 bit zur Paritätsprüfung, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 31×31 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 79 R 2020 A 79 R 3020 R 2020/16 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 59FIFO (First In/First Out)-Schreib-Lesespeicher, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 64×8 oder 64×9 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 12×38 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CY7C408A CY7C409A oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 59FIFO (First In/First Out)-Schreib-Lesespeicher, mit einer Speicherkapazität von 7 280 oder 9 080 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 12×36 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: PD 41101 PD 41102 PD 42101 PD 42102 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 59FIFO (First In/First Out)-Schreib-Lesespeicher, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 512×9 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 40 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 12×43 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CY7C420-20CY7C420-40CY7C421-30CY7C451 CY7C420-25CY7C421-20CY7C421-40 CY7C420-30CY7C421-25CY7C441 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 59FIFO (First In/First Out)-Schreib-Lesespeicher, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 18 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 13×43 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CY7C428 CY7C429 CY7C439 CY7C443 CY7C453 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 59FIFO (First In/First Out)-Schreib-Lesespeicher, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 72 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 14×38 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CY7C460 CY7C470 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 59FIFO (First In/First Out)-Schreib-Lesespeicher, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 144 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 14×38 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CY7C462 CY7C472 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 59FIFO (First In/First Out)-Schreib-Lesespeicher, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 288 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 14×38 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CY7C464 CY7C474 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 59Programmierbarer Lesespeicher, nicht löschbar (sogenannter PROM), mit einer Speicherkapazität von 16 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 7 C 245 7 C 291 7 C 292 HM 6616 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 59Programmierbarer Lesespeicher, nicht löschbar (sogenannter PROM), in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 36 288 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×16 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: XC 1736 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 59Programmierbarer Lesespeicher, nicht löschbar (sogenannter PROM), mit einer Speicherkapazität von 64 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×44 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CY7C261CY7C264CY7C269MB7144XC 1764 CY7C263CY7C268MB7143MB71C44XC 1765 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 62 ex 8542 11 64 ex 8542 11 67 Coprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, mit multipler Schnittstellen-Funktion für ein paralleles Bus-System zu einer 8-, 16- oder 32-bit-Zentraleinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 149 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 41×41 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 82389 82C389 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 62 ex 8542 11 64 ex 8542 11 67 Zentraleinheit, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, bestehend aus einem 8×8 bit-Dienstspeicher, einem 16×16 bit-Dienstspeicher, einem 16×20 bit-Dienstspeicher, einem 32×32 bit-Dienstspeicher, einem 8-bit-Register, einem 12-bit-Register, einem 16-bit-Register, zwei 20-bit-Registern, einem 5-bit-Zähler und einem Zeitgeber, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 25×25 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: LSI-604041855 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 62 ex 8542 11 64 ex 8542 11 67 ex 8542 11 68 Gleitkomma-Coprozessor (sogenannter Floating Point Coprozessor), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 208 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 46×53 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 317180387MC 68882TX 32081 W 74 ACT 88478087NCR 32020WTL 3167 79 R 201080C287NS 32081 79 R 3010CY 7C 602NS 32381 80287MC 68881R 2010/16 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 62 ex 8542 11 64 ex 8542 11 67 ex 8542 11 68 Text-Coprozessor, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 25×25 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: C 82730 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 628-bit-Mikroprozessor, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, zum Ver- und Entschlüsseln von Daten, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 15×53 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus den nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 8294 Z 8068 Z 9518 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 628-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einer Zentraleinheit, einer Einheit für die Organisation des Speichers (sogenannte Memory Management Unit/MMU), einem Zwei-Kanal-Kontrollbaustein für den Direktspeicherzugriff, einem programmierbaren Zwei-Kanal 16-bit-Taktgeber, einem Bereitschaftszustandgenerator, zwei Schnittstellenbausteinen für die asynchrone serielle Datenübertragung und einem Bus-Kontrollbaustein, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 80 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 26×62 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: HD 64 A 180 HD 64 B 180 Z 64180 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 628-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einer Modulationsschaltung zur Signalaufnahme, einer Demodulationsschaltung zur Signalwiedergabe, einer Fehlerkorrekturschaltung, einem Analog-Digital/Digital-Analog-Wandler, einer Schnittstelle für statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs, statisch), einer Ein-/Ausgangsschnittstelleneinheit für einen Mikrocontroller oder Mikrocomputer, einer Ein-/Ausgangsschnittstelleneinheit für ein Audiosystem und einen Phasenregelkreis, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 15×21 mm. ex 8542 11 62 (Forts.)Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: CXD2601 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 62 ex 8542 11 64 8- oder 16-bit-Multiprotokoll-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einer Zentraleinheit, einer Direktspeicherzugriff-Kontrolleinheit, einer Unterbrechungssteuerung, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff mit dualer Ein-/Ausgangsstelle mit einer Speicherkapazität von 9 216 bit, drei Zeitgebern, einem Kommunikationsprozessor und drei seriellen Kommunikationskontrolleinheiten mit vollem Duplexbetrieb, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 132 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 36×36 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: MC 68302 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 648-bit-Mikroprozessor mit interner Architektur von 16 bit, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, bestehend aus einer Zentraleinheit, einem Zeitgenerator, zwei unabhängigen Direktzugriffspeicher-Kanälen, einem programmierbaren Unterbrecher (sogenannter Interrupt Controller), drei programmierbaren 16-bit-Taktgebern, einem programmierbaren Speicher und äusserer Chipauswahllogik, einem programmierbaren Bereitschaftszustandsgenerator mit Bus-Kontrolleinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 80188 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.7 ex 8542 11 648-bit-Mikroprozessor mit interner 16-bit-Architektur, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 120 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 36×60 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: MB 89T713 MB 89T715 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6410-bit-Mikroprozessor zur Textdatendecodierung, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem Vorsatz-Prozessor für die Umsetzung serieller in parallele Daten, einem Video-Anzeigen-Prozessor, einer Speicherzugriffskontrolleinheit, einem Anzeigespeicher und einer Schnittstellenschaltung, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×37 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CF 70064 CF 70095 CF 72301 CF 72305A oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6416-bit-Mikroprozessor, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, bestehend aus einer Zentraleinheit, einem Zeitgenerator, zwei unabhängigen Direktspeicherzugriff-Kanälen, einem programmierbaren Unterbrecher (sogenannter Interrupt Controller), drei programmierbaren 16-bit-Taktgebern, einem programmierbaren Speicher und äusserer Chipauswahllogik, einem programmierbaren Bereitschaftszustandsgenerator mit Bus-Kontrolleinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 80186 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6416-bit-Mikroprozessor, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, bestehend aus einer Zentraleinheit, einer Einheit für die Organisation des Speichers (sogenannte Memory Management Unit/MMU) und einem internen Betriebssystem für reale und virtülle Adressierung, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 80286 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.10 ex 8542 11 6416-bit-Kommunikationsprozessor, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, bestehend aus einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 22 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 48 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 15×60 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: TMS 38010 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6416-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einer arithmetischen logischen Einheit, einem Multiplizierer-Addierer (sogenannter Multiplier Accumulator/MAC), einer arithmetischen logischen Schiebeeinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 101 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 35×35 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: ADSP 2100 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6416-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einer arithmetischen logischen Dateneinheit, einer Einheit zur Adressenbildung, drei 16 bit Adreßbussen, drei 16 bit Datenbussen und einer Programm-Kontrolleinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 132 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 36×36 mm. ex 8542 11 64 (Forts.)Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: DSP 56116 DSP 56156 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6416-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem Multiplizierer-Addierer (sogenannter Multiplier Accumulator/MAC), einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch) mit einer Speicherkapazität von 256×24 bit, einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch) mit einer Speicherkapazität von 256×16 bit, einer Einheit zur Adessenbildung, einer seriellen Schnittstelle in Kaskadenschaltung, einer parallelen asynchronen Schnittstelle, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×37 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: DSP 56200 XSP 56200 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6416-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einer Zentraleinheit, einem externen 8- oder 16-bit-Daten-Bus, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×54 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 80 C 18680 C 196Z 70108 80 C 18880 C 296Z 70116 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6416-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einer Zentraleinheit, einer Einheit für die Organisation des Speichers (sogenannte Memory Management Unit/MMU), einem Cache-Speicher mit einer Kapazität von 2 kbit, drei programmierbaren 16-bit-Taktgebern, einem Sende-Empfangsbaustein zur asynchronen Datenübertragung (sogenannter Universal Asynchronous Receiver Transmitter/UART) mit vollem Duplexbetrieb, einem 4-Kanal-Kontrollbaustein für den Direktspeicherzugriff, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 26×26 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: Z 280 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6416-bit-Kommunikationsprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem Codierer/Decodierer für die seriell-parallele oder parallel-serielle Umsetzung von Daten, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 132 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 28×28 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: TMS 380 C 16 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6732-bit-Coprozessor für ein lokales Netzwerk (sogenannter Local Area Network/LAN), in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Daten-Schnittstelle, einer Bus-Schnittstelle, einer Kontrolleinheit für den Direktspeicherzugriff und FIFO (First In/First Out)-Schreib-Lesespeichern mit einer Speicherkapazität von insgesamt 1 536 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 132 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 63×63 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 82596 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6732-bit-Mikroprozessor, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 132 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 38×38 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CPU 04041871 NCR 32000 NS 32032 NS 32332 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6732-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Gleitkomma-Datenarithmetik-Einheit mit vier 80 bit Registern, sechsunddreissig 32 bit Registern, einem Cache-Speicher mit einer Speicherkapazität von 4 kbit und einer Unterbrechungs-Kontrolleinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 132 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 37×37 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 80960KB oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6732-bit-Mikroprozessor, bestehend aus einem oder mehreren Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als insgesamt 48 kbit und einer 32-bit-Gleitkomma-Datenarithmetik-Einheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 164 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 35×35 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: DSP 32 C oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6732-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer arithmetischen logischen Binär-Einheit, einer arithmetischen logischen Gleitkomma-Einheit, einer arithmetischen logischen Dezimal-Einheit, einer Speicher-Kontrolleinheit, einer Einheit zur Verwaltung eines virtüllen Speichers und Registern, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 223 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 48×48 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als bestandteil enthält: 78201441 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6732-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, mit externem 32-bit-Daten- und Adreßbus, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 208 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 48×48 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 48679 R 3000MC 68020NS 32C 032 80386AM 29000MC 68030R 2000/16 80486CY7C601MC 68040 79 R 2000 AL 64801NS 32532 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6732-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem externen 16-bit-Daten-Bus und einem externen 24-bit-Adressen-Bus, einer virtüllen Speicheradressierbarkeit von 64 Terabyte, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und Abmessungen von nicht mehr als 31×31 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 80386 SX oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6732-bit-Mikroprozessor-Einheit, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem Bus-Kontrollbaustein, einem Speicher-Kontrollbaustein, einem Cache-Speicher-Kontrollbaustein und einem Cache-Speicher mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 512 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 227 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 38×38 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 80386 SL oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6716-bit-Mikroprozessor mit einer arithmetischen logischen Einheit von 32 bit, mit einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 8,5 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 29×29 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: TMS 32020 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6864-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 168 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 45×45 mm Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 80860 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 714-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, mit Treiberfunktion für Flüssigkristallanzeigen, bestehend aus einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM), mit einer Speicherkapazität von 12 kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 160 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 60 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 14×18 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: MSM 58421 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 714-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM), mit einer Speicherkapazität von 2 kbit×8 bit, einem Doppel-Ton-Multifrequenz (DTMF)-Generator, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 1 kbit, auch mit einem weiteren Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 512 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 42 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×54 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: T 6978 TCM 8301 TCM 8302 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 714-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von nicht weniger als 10 kbit und nicht mehr als 16 kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 1 536 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 67 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×54 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehenden Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: HD 44750 TMP 47 C 200 TMP 47 C 220 TMP 47 C 221 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 714-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM) oder einem programmierbaren Lesespeicher, nicht löschbar (sogenannter PROM) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 8 kbit×8 bit, einem Doppel-Ton-Multifrequenz (DTMF)-Generator, Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs) mit einer Gesamtspeicherkapazität von nicht mehr als 4 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 21×60 mm. Das Gehäuse trägt -zeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: TMP 47 C 452TMP 47 C 855TMP 47 P 855 TMP 47 C 456TMP 47 C 858 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 71 ex 8542 11 91 4-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, bestehend aus einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM) oder einem programmierbaren Lesespeicher, nicht löschbar (sogenannter PROM) oder einem UV-löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 128 kbit und einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 5 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 21×60 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CD 3200 bis 3299HD 614042TMC 1500 bis 1599 HD 38800HD 614080TMC 1980 bis 1999 HD 38820MN 1584531TMP 47 C 1670 HD 404189SMC 6214TMP 47 C 670 HD 404608SMC 6215TMP 47 P 1670 HD 4074608SMC 6234TMP 47 P 860 E HD 44796SMC 6266TP 0310 bis 03299 HD 44800SMC 62 L 34TP 0450 bis 04599 HD 44801T 7767 BSTP 0480 bis 04899 HD 44820TMC 0270 bis 0279TP 0500 bis 05999 HD 44840TMC 0500 bis 0599TSS 200 HD 44860TMC 0980 bis 0989TSS 400 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 714-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM) oder aus einem programmierbaren Lesespeicher, nicht löschbar (sogenannter PROM) mit einer Speicherkapazität von 160 kbit oder mehr und einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 4 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 64 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 20×60 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: HD 404019 HD 404919 HD 4074019 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 718-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, bestehend aus einem UV-löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM) mit einer Speicherkapazität von 14 432 bit, 30 016 bit oder 30 208 bit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 832 bit oder 896 bit und einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 920 bit, 1 528 bit oder 1 728 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 18×54 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: MC 68705P3 MC 68705R3 MC 68705S3 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 718-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, bestehend aus einem programmierbaren, nicht löschbaren Lesespeicher (sogenannter PROM) oder einem UV-löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM) mit einer Speicherkapazität von 32 kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 1 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×53 mm, auch mit einem Quarzfenster auf der Oberseite. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 7742 8751 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 718-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, mit Peripherie-Schnittstellen-Funktion, bestehend aus einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 2 kbit, einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM) oder einem programmierbaren, nicht löschbaren Lesespeicher (sogenannter PROM) oder einem UV-löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM) mit einer Speicherkapazität von 16 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×53 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 8042 8742 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 718-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, mit Register-Register-Architektur, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 4 kbit, einem programmierbaren, nicht löschbaren Lesespeicher (sogenannter PROM) oder einem UV-löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM) oder einem programmierbaren, elektrisch löschbaren Lesespeicher (sogenannter E2PROM) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 128 kbit sowie mit oder ohne einem programmierbaren elektrisch löschbaren Lesespeicher (sogenannter E2PROM) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 4 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 370C010370C052370C156370C310370C352370C756 370C032370C056370C250370C332370C356370C810 370C050370C150370C256370C350370C732370C850 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 718-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 256 bit, einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 16 kbit, einem elektrisch löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter E2PROM) mit einer Speicherkapazität von 2 kbit, einem Taktgeber, einem 4-bit-Zeitgeber, einer seriellen Kommunikations-Schnittstelle und einem 14-bit-Digital-Analog-Wandler, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 10×29 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: HD 401220 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 718-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einem programmierbaren, nicht löschbaren Lesespeicher (sogenannter PROM) oder einem UV-löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM) mit einer Speicherkapazität von nicht weniger als 60 kbit und nicht mehr als 128 kbit und einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 3 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 19×54 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 87C51FB 87C54 MC68HC705C8 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 718-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 16 kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 2 kbit, einem elektrisch löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter E2PROM) mit einer Speicherkapazität von 640 bit, einem 8 bit-Zweiweg-Wandler (ADC/DAC), einem Analog-Multiplexer und programmierbaren Verstärkern für die analoge Signalsteuerung, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 20×26 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: DAPC oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Warender vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 718-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 2 kbit, einem programmierbaren, nicht löschbaren Lesespeicher (sogenannter PROM) oder einem UV-löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM) mit einer Speicherkapazität von 64 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als als 52×63 mm. ex 8542 11 71 (Forts.)Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 77 C 82 80 C 152 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 718-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 4 kbit, einem nicht programmierbaren Lesespeicher (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 96 kbit, einem nicht programmierbaren Lesespeicher zum Laden des Schreib-Lesespeichers (sogenanntes Bootstrap-ROM) mit einer Speicherkapazität von 1 536 bit, einem programmierbaren, elektrisch löschbaren Lesespeicher (sogenannter E2PROM) mit einer Speicherkapazität von 4 kbit und einem 8-Kanal-Analog-Digital-Wandler, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 64 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 20×20 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: MC 68HC11E9 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 718-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einem nicht programmierbaren Lesespeicher (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 192 kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 4,5 kbit und einem arithmetischen Coprozessor, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht weniger als 80 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht weniger als 15×21 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: CXP80524 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 718-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 3 kbit, einem nicht programmierbaren Lesespeicher (sogenannter ROM) oder einem programmierbaren, nicht löschbaren Lesespeicher (sogenannter PROM) oder einem UV-löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM) mit einer Speicherkapazität von 128 kbit, einem Analog-Digital-Wandler und einem Digital-Analog-Wandler, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 80 Anschlüsse und den Abmessungen von nicht mehr als 19×58 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: M 37450E8 M 37450M8 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 718-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, mit Peripherie-Schnittstellen-Funktion, bestehend aus einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 1 kbit, einem UV-löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM) mit einer Speicherkapazität von 2 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×53 mm und einem Quarzfenster auf der Oberseite. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: D 8742 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 7316-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, bestehend aus mindestens einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM), mit einer Speicherkapazität von 510×13 bit oder einem UV-löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM) mit einer Speicherkapazität von 512×13 bit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 2 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×37 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: PD 7720 PD 77 P 20 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 738-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer mit interner 16-bit-Architektur, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM) oder einem programmierbaren, nicht löschbaren Lesespeicher (sogenannter PROM) oder einem programmierbaren, UV-löschbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM) mit einer Speicherkapazität von nicht weniger als 64 kbit und einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von nicht weniger als 2 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 120 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 36×60 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: MB 89713 MB 89715 MB 89P713 MB 89P715 MB 89W715 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht. 0 ex 8542 11 738-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, mit interner 16-bit-Architektur, bestehend aus einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 2 kbit, 20 Ein/Ausgangsstellen, einem Komparatoreingang, zwei asynchronen Kanälen mit programmierbarer Übertragungsgeschwindigkeit, einer Unterbrechungssteuerung, zwei Direktspeicherzugriff-Kanälen und zwei 16-bit-Zählern, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 84 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 31×31 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: PD 70320 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 738-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer mit einer arithmetischen logischen Einheit von 16 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 128 kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 2 kbit, einem 8-Kanal-Analog-Digital-Wandler, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 26×42 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: PD 78C14 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 7316-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, bestehend aus einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM) oder einem programmierbaren Lesespeicher, nicht löschbar (sogenannter PROM) oder einem UV-löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 128 kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 6 kbit, einem Analog-Digital-Wandler mit Tastspeicherschaltung (Sample and Hold), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 84 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 40×40 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 8396 8397 8796 83C196 83C198 87C196 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 7316-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einer arithmetischen logischen Einheit, einem Multiplizierer-Addierer (sogenannter Multiplier Accumulator/MAC), einer arithmetischen logischen Schiebeeinheit, einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch) mit einer Speicherkapazität von 48 kbit, einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch) mit einer Speicherkapazität von 16 kbit und einem programmierbaren Zeitgeber, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: ADSP 2101 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 7424-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 60 kbit oder mehr, Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs) mit einer Speicherkapazität von insgesamt 12 kbit oder mehr, einer 24-bit-Gleitkomma-Datenarithmetik-Einheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 135 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 40×40 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: MB 86220 oder -eine ander Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 7416-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer mit einer arithmetischen logischen Einheit von 32 bit, bestehend aus Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs) mit einer Gesamtspeicherkapazität von nicht mehr als 160 kbit, einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM) oder einem UV-löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 128 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 132 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 29×54 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 320 10 320 C 10 320 C 17 320 C 50 320 E 15 320 11 320 C 15 320 C 25 320 C 51 320 E 17 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 7432-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, bestehend aus 24 Registern mit jeweils 32 bit und einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 2 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 24×24 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: HGC 6127 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 7432-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, bestehend aus einem oder mehreren Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als insgesamt 48 kbit, einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 128 kbit, einer 32-bit-Gleitkomma-Datenarithmetik-Einheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 208 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 45×53 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: DSP 32 MB 86232 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 7432-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus 2 Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs) mit einer Gesamtspeicherkapazität von 64 kbit, einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 128 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 325 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 69×74 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 320 C 30 320 C 40 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 7432-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einem Modul zur Vereinheitlichung verschiedener Systeme mit einem Konfigurationsregister, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 16 kbit, einer Zeit-Prozessor-Einheit (sogenannte Time Processor Unit/TPU) mit 16 programmierbaren unabhängigen Kanälen, einer seriellen peripheren Schnittstelle und einer seriellen Kommunikationsschnittstelle, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 132 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 29×29 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: MC 68332 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 7556-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus 4 Zweirichtungs-24-bit-Bussen, 3 Lesespeichern, nicht programmierbar (sogenannte ROMs) mit einer Gesamtspeicherkapazität von 12,75 kbit oder 102 kbit und 2 oder 3 Schreib-Lesespeichern mit wahlfreien Zugriff (sogenannte RAMs) mit einer Gesamtspeicherkapazität von 12 kbit oder 24 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 132 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 48×48 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: DSP 56000 DSP 56001 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 7596-bit Gleitkomma-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer mit dualer Ein-/Ausgangsstelle, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 32 kbit und zwei Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs) mit einer Speicherkapazität von jeweils 16 kbit, einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 2 kbit und zwei Lesespeichern, nicht programmierbar (sogenannte ROMs) mit einer Speicherkapazität von jeweils 16 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 223 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 48×48 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: DSP 96002 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 77Gate Array, in C-MOS-Technik mit metallischen Gates hergestellt, mit einer Betriebsspannung von 12 V, mit nicht weniger als 637 Zwei-Eingangs-Funktionen und einem durch Elektronenstrahl hergestellten Digitalcode in der Matrix, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 22 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 11×29 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: FB 215 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.7 ex 8542 11 77Programmierte Videoschaltmatrix (sogenannter Video Gate Array) zur Kontrolle von Graphik und Speicher, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 144 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 36×36 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Buchstaben- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 82 C 451 82 C 452 84 C 451 PVGA WD90C00 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 80Programmierbare Logikschaltung, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer programmierbaren UND-Anordnung, einer festen ODER-Anordnung, mit nicht mehr als 32 Eingangsstellen und nicht mehr als 12 Ausgangsstellen, auch mit Registern, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 19×39 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 16 P 8C 16 L 8C 16 R 6C 20 G 10 16 RP 4C 16 R 4C 16 R 8C 22 V 10 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 80Programmierbare Logikschaltung, in BiMOS Technik hergestellt, mit einer programmierbaren UND-Anordnung, mit 384, 768 oder 6 400 Gattern, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 13×38 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CY7B326 CY7B336 CY7B337 CY7B338 CY7B339 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 80Programmierbare Logikschaltung, nicht löschbar oder UV-löschbar, in C-MOS-Technik hergestellt, mit nicht weniger als 500 Logikgattern, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 85×124 mm, auch mit einem Quarzfenster auf der Oberseite . Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 16 L8-WCY7C330CY7C344EP 630EPM 5032 16 R4-WCY7C331CY7C345EP 910EPM 5064 16 R6-WCY7C332CY7C361EP 1800EPM 5128 16 R8-WCY7C342EP 600EP 1810EPM 5130 22 V10-WCY7C343EP 610EP 1830EPM 5192 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 80Programmierbare Logikschaltung, nicht fluechtig, in C-MOS-Technik hergestellt, mit nicht mehr als 2 000 Gattern, mit nicht mehr als 69 Ein-/Ausgangsstellen, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 84 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: ACT 1010 ACT 1020 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.7 ex 8542 11 82 ex 8542 11 95 Analog-Digitaler-Steuerbaustein für bürstenlose Motoren, zum Erhalten einer konstanten Geschwindigkeit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 9×25 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: MGA 3015 AUC 1633UC 3633 SSI 590UC 1634UC 3634 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Baustein zur Puffer-Steuerung (sogenannter Buffer Management Controller) in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 160 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 36×36 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 82 C 325WD 11 C 00-22WD 83 C 580 1TU9-0301WD 12 C 00-22WD 83 C 583 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Baustein zur Puffer-Steuerung (sogenannter Buffer Management Controller) in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×54 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: WD 1015 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein zur Fehlersuche und -beseitigung von Mehrfachfehlern im Magnetplattensystem (sogenannter Burst Error Processor/BEP), in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×54 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: AM 9520 AM 9521 Z 8065 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein zur Überwachung von Bus-Systemen, statischen oder dynamischen Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs, statisch oder dynamisch), mit einer 4-Kanal-Direktspeicherzugriff-Kontrolleinheit, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 20×21 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: OTI 031 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Bus-Kontrollbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 208 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 41×41 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 8230882 C 88CA 91C014TACT 83443 8230982 C 211GC 181VIC 068 8235582 C 288L1A 4601VL 82 C 331 8235882 C 301MSM 6307VL 86 C 410 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein für Bus-Systeme und Peripherie und zur Takterzeugung, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 84 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 31×31 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 82C101 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein für monochrome Anzeigen (sogenannter Monochrome Display Controller/MDC), in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 25×30 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: M 50452 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein für Kathodenstrahlröhren (sogenannter Cathode Ray Tube Controller/CRTC), in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 25×62 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: AM 8052 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein für Kathodenstrahlröhren (sogenannter Cathode Ray Tube Controller/CRTC), in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 32×62 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 82 C 434 MB 89321 MB 89322 V 6363 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Video-Kontrollbaustein für Kathodenstrahlröhren, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 160 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 33×62 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 82 C 453CRT 97 C 11WD 90 C 10 CRT 9007VL 86 C 310WD 90 C 11 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein für Kathodenstrahlröhren und Flüssigkristallanzeigen, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 160 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 82 C 425 CL-GD6410 V 6355-DJ oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Treiberbaustein für Flüssigkristallanzeigen (sogenannter LCD-Driver), in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 14×20 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: HD 44100HD 66100MSM 5259MSM 5299SED 1600 HD 44780LC 7582MSM 5298MSM 5839SED 1610 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Baustein zur Anzeigenkontrolle und zum Erzeugen von Zeichen (sogenannter Display Controller und Character Generator/DCCG), für Flüssigkristall-Punktmatrixanzeigen, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 80 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 24×26 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: HD 61830 LH 5821 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Graphik-Kontrollbaustein, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 18×52 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 82720 Z 7220 A oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Graphik-Kontrollbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 144 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 31×31 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Buchstaben- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 82 C 431 82 C 435 82 C 441 OTI 067 PEGA oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein zur Farbselektion, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 19×52 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 82 C 433 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Video-Kontrollbaustein (sogenannter Video Controller) für Graphik und Speicher, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 128 Anschlüssen und Abmessungen von nicht mehr als 28×52 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: AVGA1 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Programmierbarer Kontrollbaustein für Videoanzeigen (sogenannter Advanced Video Display Controller/AVDC), in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 15×55 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: SCN 2674 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.7 ex 8542 11 82Kontrollbaustein zum Steuern der Zugangsfolge (sogenannter Local Area Network Controller/LAN-Controller), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 132 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 63×63 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 82586AM 7990MB 86950WD 83 C 603 82588COM 9026WD 80 C 24WD 83 C 690 82590DP 8390WD 83 C 503 82592DP 83932WD 83 C 510 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein mit einer Arbeitsfrequenz von 12 MHz, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem programmierbaren Intervallzeitgeber, einem Taktgeber, zwei Direktspeicherzugriff-Kontrolleinheiten und einer Einheit zur Speicheradressierung (sogenannter Memory Mapper), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 84 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 82231 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Baustein mit Multi-Master-Bus, in C-MOS-Technik hergestellt, zur Steuerung des lokalen Kanals in 16 bit Datenverarbeitungssystemen, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 132 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 82303 82304 82306 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein zur Ablaufsteuerung von 4-bit-Adressen für die Befehlsausführungen in Mikroprogramm-Speichern, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 14×38 mm Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CY2909 CY2911 CY7C909 CY7C911 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Programmierbarer 7-Kanal-Direktspeicherzugriff-Kontrollbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, mit 2 programmierbaren 8-Kanal-Unterbrechungssteuerungen, fünf programmierbaren 16-bit-Zeitgebern/Zählern, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit mehr als 132 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 32×32 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 82357 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 824-Kanal-Steuerbaustein zum Erhalten einer konstanten elektromagnetischen Andruckskraft, in C-MOS-Technik hergestellt, mit Dioden und 4-bit-Speicher, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 16 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 7×22 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: UCN 5813 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 828-Kanal-Steuerbaustein zum Erhalten einer konstanten elektromagnetischen Andruckskraft, in C-MOS-Technik hergestellt, mit Dioden und 8-bit-Speicher, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 22 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 9×28 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: UCN 5801 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Monolithische integrierte Schaltung, in C-MOS-Technik hergestellt, mit nicht weniger als 16 Analogschaltern, zur Kontrolle von Niederfrequenzsignalen zwischen 20 bis 20 000 Hz und zur Verarbeitung von Signalen bis zu 3 V bei einer Verzerrung von nicht mehr als 0,05 % im gesamten Frequenzbereich bei 1 V, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 42 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×40 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: TC 9164 N TC 9177 P TC 9184 P oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein für die Verwaltung asynchroner Zyklen einer 32-bit-Zentraleinheit, für den Direktspeicherzugriff und für einen Multi-Master-Bus, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 31×31 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 82 C 321 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus zwei Direktspeicherzugriff-Kontrolleinheiten, zwei Unterbrechungs-Kontrolleinheiten, einem Zeitgeber/Zähler und einer Einheit für den Adressenvergleich (sogenannter Memory Mapper), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 160 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 33×33 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 82C206 82C316 GC 101 SX HT 101 SX oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Kontroll- und Steuerbaustein, mit zwei Direktspeicherzugriff-Kontrolleinheiten, zwei Unterbrechungs-Kontrolleinheiten, zwei seriellen Ein-/Ausgangs-Kontrolleinheiten, einer parallelen Ein-/Ausgangs-Kontrolleinheit und einer Stromüberwachungseinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 196 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 39×39 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 82360SL oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, zum Erstellen eines Meldeprotokolls für Master- und Slave-Bus-Schnittstellen, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 26×26 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: SN 74ACT2440 SN 74ACT2441 oder -eine andere Kennazichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein zum Überwachen eines lokalen Kanals und einer Zentraleinheit, zum Erzeugen von Zyklen für eine graphische Videoschaltmatrix und einem Speicher, mit Direktspeicherzugriff und Logik zur Speicherauffrischung, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 25×25 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 82C221 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein zur Steuerung und Verbindung der Signale zwischen Zentraleinheit, Speicher und Ein-/Ausgangsschnittstellen, mit Schaltungen zur Auffrischung dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, zur Adressendecodierung, zur Takterzeugung und zur Verwaltung der Signale zur Unterbrechung der Datenübertragung, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 84 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 344 S 0602 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein für das Multiplexen des Adressenbusses einer Zentraleinheit, bestehend aus 41 Bus-Kontrollschaltungen, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 84 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 31×31 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 82 C 103 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Baustein für die Organisation des Speichers (sogenannte Memory Management Unit/MMU), in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, mit einer Speicheradressierbarkeit bis zu 4 Gbyte, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 132 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 36×82 mm. Das Gehäuse trägt -end aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 0404 1872NS 32082TX 32082 W 68451NS 32382 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Baustein für die Organisation des Speichers (sogenannte Memory Management Unit/MMU), in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 244 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 53×53 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CY7C604 CY7C605 MC 68851 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Baustein für die Kontrolle des Speichers, mit einer Arbeitstaktfrequenz von nicht weniger als 10 MHz und Videospeicherzugang, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 144 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 36×36 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 82 C 222 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Baustein für die Kontrolle des Speichers, mit einer Arbeitstaktfrequenz von nicht weniger als 16 MHz und einem 32-bit-Speicherzugang, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 144 Anschlüssen und Abmessungen von nicht mehr als 36×36 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 82 C 302 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Kontroll- und Steuerbaustein für Cache-Speicher, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 196 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 39×39 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 82385 82395 82485 A 38202 T 9490 oder -eine ander Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein für den Direktspeicherzugriff und für die Auffrischung von dynamischen Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs, dynamisch), in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit mehr als 84 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 32×32 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: VC 2730-000 1 C oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein zum Steuern dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs, dynamisch), mit Adressen-Multiplexer, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 196 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 39×63 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 82359 82 C 08 THCT 4502 VL 4502 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein für dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt, ausgelegt zur Seitenadressierung des Speichers (sogenannte Page Mode Operation) und gleichzeitigen Behandlung von separaten Speichern (sogenanntes Interleaving), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 160 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 33×33 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: GC 113 HT 113 VL82C320 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein für dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreien Zugriff, mit Adressen-Pufferspeicher für hohe Bit-Adressen, einem Speicher-Decodierer und einer Lautsprecher-Kontrollschaltung, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 84 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 31×31 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 82C102 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht. 0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein für die Datenein- und -ausgabe und Zeitfolge, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, mit einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch) mit einer Speicherkapazität von 128×8 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×54 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 6532 CO 10750 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein für den Daten/Adressenfluß von der Zentraleinheit, den Ein- und Ausgängen und dem Zentralspeicher, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 132 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 36×36 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: CIM 1456 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein zur Datenübertragung zwischen dynamischem Speicher und Peripheriegeräten, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 160 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 38×63 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 8230782 C 223HD 68450WE 32104Z 9516 82380GC 183L1A 4599Z 8516 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein für Gleichstrommotoren, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Schaltung zur Uberwachung der Spannungsversorgung, einer Schaltung zum Sammeln und Decodieren der Adressen und zum Multiplexen der Daten, einem 8-bit-Digital-Analog-Wandler und 5 Verstärkern, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×17 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: GC 27 GC 45 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht. 0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein für flexible Magnetplatten (sogenannter Floppy Disc Controller/FDC), in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 26×62 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: FE 2100L 1 A 0519OTI 033 G 70360-33MB 89311WD 16 C 92 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein zum Steuern von Magnetplattenspeichern mit festen Platten (Hard Disc Controller/HDC), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 84 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 31×53 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 1454-001HDC 9234WD 1010WD 5011 ADS 10C00PD 7261WD 2010WD 42C22 HDC 9224PD 7262WD 5010 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein zur Fehlersuche und -beseitigung von einzelnen Bit-Fehlern und zur Fehlersuche von doppelten Bit-Fehlern (sogenannter Error Detection and Correction Circuit), in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 8206 oder ex 8542 11 82 (Forts.)-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Interpolations-Baustein (sogenannter Interpolation Pulse Generator) zum Steuern geometrischer Funktionen, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: KM 3701 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Logischer Kontrollbaustein, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, bestehend aus einem 7-bit-Register, drei Zeitgebern, einem Multiplexer, Ablauf- und Verbindungsnetzwerken mit Kontrollfunktion, einer Decodierlogik, einem logischen Element zur Fehlersuche und -beseitigung und einer Zeitschaltung, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 64 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 23×82 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: MIC 0482 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein für Mikroprogramme, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×54 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CY 2910 CY 7C 910 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein zum Multiplexen von Mikroprozesor-Datenkanälen zum System-Datenbus, peripheren Datenbus und Speicher-Datenbus, mit einem 16-bit Datenbus, sechs 8-bit Multiplexern, 40 gepufferten Treibern und einem Codierer/Decodierer für die Paritätsprüfung der Daten, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 84 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 32×32 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 82C104 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Multiprotokoll-Kontrollbaustein für die serielle Datenübertragung, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 18×54 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: MC 2652 MC 68652 SCN 2652 SCN 68652 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein zur Überwachung einer konstanten Versorgungsspannung von 60 V bei 500 mA, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 13×13 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: UCN 5816 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, zur Überwachung der Spannung von Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 16 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×54 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: BQ 2201 BQ 2202 BQ 2204 BQ 2502 BQ 2503 DS 1210 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Baustein zur Folgekontrolle, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, bestehend aus einem 32-bit-Register, drei 16-bit-Registern, einem 16×16 bit-Dienstspeicher, einem 7×17 bit-Kellerspeicher (Last In/First Out/LIFO), einem Addierwerk, einer Decodierlogik, einer Prioritätslogik, einem logischen Element zur Fehlersuche und -beseitigung, einem 16-bit-Multiplexer, einem 8-bit-Zähler und einem Zeitgeber, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 64 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 23×82 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: CSS 0484 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Baustein zur Folgekontrolle für Bildprozessoren, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 145 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 50×50 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: XL 8236 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Baustein zur Folgekontrolle der Daten zwischen Festmagnetplattenspeicher und Speicherkontrolleinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×54 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: AIC 010AIC 610 LOMTI 505CL SH260CL SH350 AIC 100AIC 6190CL SH250CL SH265 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein für die serielle Datenübertragung (sogenannter Serial Communication Controller), mit 2 unabhängigen Duplex-Kanälen mit einer Kapazität von nicht weniger als 1,6 und nicht mehr als 4 Mbit/Sek., in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 52 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 21×62 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: PD 72001 SCN 68562 Z 80 C 30 Z 85 C 30 Z 85 C 35 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Seriell-paralleler Kommunikations-Kontrollbaustein, mit zwei Sendeempfangsbausteinen zur asynchronen Datenübertragung (sogenannte Universal Asynchronous Receiver Transmitters/UARTs), in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 80 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 26×26 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 82C605 82C606 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Baustein zum Steuern von Servovorrichtungen, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×54 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: KM 3702 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Zeitsteuereinheit (sogenannte Timing Control Unit/TCU) mit 2-Phasentakt für die Zentraleinheit und die Organisation des Speichers (sogenannte Memory Management Unit/MMU), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×33 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: NS 32201 NS 32 C 201 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 82Kontrollbaustein zur asynchronen Datenübertragung, Datentrennung und mit Schnittstellenfunktion für Peripheriegeräte, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 80 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 27×27 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 82 C 607 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 84Bus-Schnittstellenbaustein für einen 8- oder 16-bit-Adreß/Datenbus oder Speicherbus und einem 32-bit-Adreß/Datenbus einer Zentraleinheit, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 160 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 28×28 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: GC 133 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 84Bus-Schnittstellenbaustein zur Kontrolle der Übertragungsleitungen, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einem numerischen Bus, zwei unabhängigen Empfängern und einem Sender mit FIFO (First In/First Out)-Speicher, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 20×52 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: HS 3282 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 84Bus-Schnittstellenbaustein mit programmierbarer Geschwindigkeit für die Datenübertragung, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 132 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 28×28 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: TMS 38030 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 84Bus-Schnittstellenbaustein zur synchronen oder asynchronen Datenübertragung zwischen einem Mikroprozessor und Kontrollbausteinen, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 31×31 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: AIC 6250ESP 226FAS 226 ESP 216FAS 216FAS 236 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 84Bus-Schnittstellenbaustein für die Graphikkontrolle, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 84 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 31×31 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: PBI oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 84Bus-Schnittstellenbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, zum Steuern des Ein-/Ausgabe-Datenflusses in den Leitungen, mit vier unabhängigen Sendeempfangsbausteinen, vier Zwei-Eingangs-NAND-Funktionen, vier Zwei-Eingangs-AND-Funktionen, einer Trennschaltung, einem Flipflop, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 84 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 31×31 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: FE 3030 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 84Bus-Schnittstellen-Kontrollbaustein, mit Adapterfunktionen zwischen Zentraleinheit und externer Kontrolleinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und Abmessungen von nicht mehr als 26×63 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: NCR 5380NCR 53 C 80WD 33 C 92 NCR 5381NCR 53 C 90WD 33 C 93 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 84Programmierbarer Schnittstellenbaustein für die Datenübertragung (sogenannter Enhanced Programmable Communication Interface/EPCI), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 2661 68661 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 84 ex 8542 11 95 Serieller Schnittstellenbaustein zur Datenstromcodierung oder -decodierung und damit zusammenhängenden Kontrollfunktionen für einen Steuerbaustein zum Steuern der Zugangsfolge (sogenannter Local Area Network), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×33 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 800282501AM 7991COM 91 C 32 802382 C 501COM 9032 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 84Textdatendecodier-Schnittstellenbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, mit Daten-Slicing, Taktregenerierung und Synchronisationstrennung, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×25 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CF 72303 CF 72306 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht0 ex 8542 11 84Schnittstellenbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, für den peripheren Festmagnetplattenspeicher und die Zentraleinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 80 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 53×62 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: AIC 560 LOMTI 5090 (OMTI 20509) DP 8466WD 11 C 00-17 OMTI 5080 (OMTI 20508)WD 14 C 00-17 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 84Durchflußmesser-Schnittstellenbaustein, in BiMOS-Technik hergestellt, mit 16 Verstärkern, drei Digital-Analog-Wandlern, einem Analog-Digital-Wandler, Filtern, einer Tastspeicherschaltung, einem Oszillator, einem Phasenregelkreis und einer seriellen Mikroprozessor-Schnittstelle, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 25×25 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: AD75027 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 84Schnittstellenbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, für eine Tastatur mit einer kapazitiven Matrix, ausgelegt für die Matrix-Abtastung und -Erkennung, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 14×52 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 22-00958-000 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 84Schnittstellenbaustein zwischen einem Mikroprozessor mit einem 32-bit-Bus und Peripherieeinheiten mit einem 16-bit-Bus und zur Kontrolle für dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs, dynamisch), in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 132 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 82335 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 84Schnittstellenbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, zwischen einem graphischen Mikroprozessor, dynamischen Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs, dynamisch) und einem Farbpaletten-Register, mit einer Einheit zum Erzeugen von Adressen und Kontrollsignalen für den graphischen Mikroprozessor, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 132 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm. ex 8542 11 84 (Forts.)Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: TMS 34092 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 84Bus-Schnittstellen-Kontrollbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, mit nicht mehr als zwei Direktspeicherzugriff-Kontrolleinheiten, nicht mehr als zwei Unterbrechungssteuerungen und einem Zeitgeber/Zähler, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 32×32 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 82C100 82C300 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 84Schnittstellen-Kontrollbaustein zur Kontrolle eines 32-bit Daten-/Adreßflusses zwischen mehreren Bussen in beiden Richtungen, ausgelegt für das Arbeiten im Datenmodus mit Paritätsprüfung, im Datenmodus ohne Paritätsprüfung und im Adreßmodus, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 120 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 33×33 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 82352 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 84Schnittstellen-Kontrollbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, zur Kontrolle der Datenkommunikation zwischen einer System-Bus-Schnittstelle und peripheren Einheiten, mit System-Schnittstellen-Anschluß, Mikroprozessor-Anschluß und Direktspeicherzugriff-Anschluß, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 15×21 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 1TU1-03011TV3-03011TV4-0301 1TU2-03011TV3-03021TV4-0302 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 84Schnittstellen-Kontrollbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, zum Empfangen, Verarbeiten und Senden von Teilnehmerdaten in einem digitalen Netz, mit einer Leitungsschnittstelleneinheit, einem Multiplexer, einem Tonprozessor, einer Datenverbindungs-Kontrolleinheit, einer Mikroprozessor-Schnittstelle und einem Oszillator, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×17 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: AM 79C32A oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 84Schnittstellen-Kontrollbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, für die Daten zwischen einer automatischen Datenverarbeitungsmaschine und einem Festmagnetplattenspeicher, mit einer Einheit zur Pufferspeicher-Steuerung mit dualer Ein-/Ausgangsstelle, einer Einheit zur Folgekontrolle, einer Mikroprozessor-Schnittstelle und einer Bus-Schnittstelle mit 24 mA-Treibern, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüsse und den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: AIC-6060 SSI 32C260 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 84Einheit für die Kontrolle von Speichereinheiten mit flexiblen Magnetplatten und der Geschwindigkeit der Datenübertragung, den Abgleich der Schreibsignale, der Datentrennung, der Takterzeugung und mit Schnittstellenfunktion zu einer Zentraleinheit, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 26×62 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 82077 DP 8473 WD 37C65 WD 57C65 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 84Schnittstellen-Kontrollbaustein mit Schnittstellen-Funktion zwischen dynamischen Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff zu einem lokalen Kanal und einer Zentraleinheit, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 120 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 33×33 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: GC 182 L5A 6031 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 84Schnittstellen-Kontrollbaustein, für die Unterbrechungssteuerung, die Auffrischung eines dynamischen Schreib-Lesespeichers mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, dynamisch), die Kontrolle des parallelen Ein-/Ausgangs und der Adressendecodierung, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 160 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 33×33 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: GC186 L1A4982 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 84Schnittstellen-Kontrollbaustein zum Steuern einer Tastatur und einer Eingabeeinheit, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus zwei seriellen Kommunikationskontrolleinheiten, einer Kontrolleinheit für den parallelen Ein-/Ausgang, einer Unterbrechungssteuerung und einem Zeitgeber/Zähler, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 15×21 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: OTI-032 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 84Schnittstellen-Kontrollbaustein für Zentraleinheiten mit einer Kontrolleinheit zur Speicherauffrischung, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 31×31 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: FE 3010 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 84Schnittstellen-Kontrollbaustein für Zentraleinheiten und Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs), in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 160 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 28×28 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: GC 132 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 84Schnittstellen-Kontrollbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, ausgelegt als Schnittstelle zwischen einem graphischen Mikroprozessor, dynamischen Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs, dynamisch), und einem Erweiterungs-Bus einer automatischen Datenverarbeitungsmaschine, mit einer Einheit zur Folgekontrolle, einer Einheit zur Adressierung der Adressen (sogenannter Addreß Mapper), einer Einheit zur Adressierung der Daten (sogenannter Data Mapper), Registern, einer Anzeigekontrolleinheit und einer Einheit zur Steuerung des Zugriffs, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 132 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: TMS 34096 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstenhenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 84Schnittstellen-Kontrollbaustein zwischen einem 32-bit-Mikroprozessor und einem Gleitkomma-Coprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 299 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 54×54 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CY 7 C 608 L 64802 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 84Schnittstellen-Kontrollbaustein mit einer Arbeitsfrequenz von 12 MHz, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem Taktgeber, einem Bus-Kontrollschaltkreis für einen Mikroprozessor, einem Zeitgeber, zwei programmierbaren Unterbrechungssteuerungen und einer Schnittstelle für einen numerischen Coprozessor, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 84 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 82230 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 84Schnittstellen-Kontrollbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, mit zwei Unterbrechungs-Kontrolleinheiten, drei programmierbaren 16-bit Zeitgebern/Zählern, einer Echtzeituhr und einer digitalen Mikroprozessor-Schnittstelle, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 120 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 28×28 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: TACT 82303 PB oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 84Schnittstellen-Kontrollbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, mit 48 mA-Treibern, Registern, einer 18-bit-Direktspeicherzugriff-Schnittstelle, einem 8-bit-Mikroprozessor-Bus und einer Einheit zur Paritätserzeugung und -prüfung, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 31×31 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: NCR 53C94 NCR 53C95 NCR 53C96 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 84Schnittstellen-Kontrollbaustein für Kathodenstrahlröhren, in C-MOS-Technik hergestellt, ausgelegt für das Steuern der Graphikverfahren EGA und VGA, als Schnittstelle zwischen einem graphischen Mikroprozessor, dynamischen Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs, dynamisch) und einem Farbpaletten-Register, für die Takterzeugung und für das Multiplexen der Bildpunktdaten, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 26×26 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: TMS 34098 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 8616-bit-Arithmetik-Logik-Einheit, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 29×83 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CY7C9101 CY7C9115 CY7C9116 CY7C9117 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Arithmetische logische Einheit mit einer Kapazität von 32 bit für Bildprozessoren, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 145 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 50×50 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: XL 8237 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 864-bit-Arithmetik-Logik-Einheit, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 29×83 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CY 2901 CY7C 901 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Arithmetische, logische Einheit, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, bestehend aus einem 32-bit-Register, einem 24-bit-Register, einem 4-bit-Register, zwölf 1-bit-Registern, zwei 16×24 bit-Dienstspeichern, einem logischen Element zum Durchführen arithmetischer und logischer Operationen, einer Decodierlogik, einem logischen Element zur Fehlersuche und -beseitigung, einem 8-bit-Zähler und einem Zeitgeber, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 64 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 23×82 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: ALU 0486 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 868-bit-Puffer/Leitungstreiber, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Laufzeitverzögerung von nicht mehr als 9,5 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 10×27 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 74FCT240 74FCT241 74FCT244 74FCT540 74FCT541 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 868-bit-Identitätsvergleich-Baustein, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Laufzeitverzögerung von nicht mehr als 7,2 ns, ausgelegt für den Bit-zu-Bit-Vergleich von 2 Worten mit jeweils nicht mehr als 8 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 10×27 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 74FCT521 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 868-bit-Transparenz-Latch-Schaltung, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Laufzeitverzögerung von nicht mehr als 12 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 10×27 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 74FCT373 74FCT533 74FCT573 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 868-, 9- oder 10-bit-Bus-Schnittstellen-Latch-Schaltung, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Laufzeitverzögerung von nicht mehr als 20 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 12×33 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 74FCT841 74FCT843 74FCT844 74FCT845 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 868-bit-Register, bestehend aus acht Flipflops des D-Typs, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Laufzeitverzögerung von nicht mehr als 11 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 10×27 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 74FCT374 74FCT534 74FCT574 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 868-bit-Zweirichtungs-Sendeempfangsbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Laufzeitverzögerung von nicht mehr als 11 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 10×27 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 74FCT245 74FCT645 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Analog-Digital-Wandler, in C-MOS-Technik hergestellt, zum Ansteuern einer Flüssigkristall- oder Leuchtdioden-Anzeige mit 3 1/2 Stellen, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 18×54 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: ICL 7106ICL 7116ICL 7126ICL 7137 ICL 7107ICL 7117ICL 7136MAX 136 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 867-Kanal-Analog-Digital-Wandler, mit einer Kapazität von 15 bit je Kanal, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 18×18 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: MAX 133 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 868-bit-Analog-Digital-Parallelwandler, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×39 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: IDT 75C48 IDT 75C58 MP 7683 MP 7684 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86 ex 8542 11 98 12-bit-Analog-Digital-Wandler mit Referenzspannung und Taktgeber, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 60 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 18×55 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: AD 574 A TSC7109 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 8616-, 18- oder 20-bit-Analog-Digital-Wandler, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×54 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CS 5016CS 5317CS 5337CS 5503 CS 5101CS 5326CS 5338CS 5505 CS 5102CS 5327CS 5339CS 5506 CS 5116CS 5328CS 5346CS 5507 CS 5126CS 5329CS 5349CS 5508 CS 5316CS 5336CS 5501DSP 56ADC16 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Monolithische integrierte Schaltung zum Umwandeln analoger Signale in digitale Signale, mit Verstärkern, Digital-Analog- und Analog-Digital-Wandlern, mit einer Versorgungsspannung von 12 V±10 % und einer digitalen seriellen Schnittstelle mit asynchronem Sendeempfänger, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 18×18 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: AD 75002 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Audio-Digital-Analog-Wandler, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer dynamischen Spannungsbreite von 93 db oder mehr und interner Referenzspannung, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×38 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: CS 4328 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 868-bit-Digital-Analog-Wandler, in C-MOS-Technik hergestellt, für die Doppelpufferung von 8 bit Worten und Vierquadrantmultiplikation, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 11×27 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: DAC 0830 DAC 0831 DAC 0832 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Vierfacher 12-bit-Digital-Analog-Wandler, in BiMOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 18×40 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: AD 664 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Uhrenschaltung, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einem 64-bit-Zähler, einem 64-bit-Zustandsregister, einem Oszillator, einer Kontrolleinheit für die Lese- und Schreibzyklen, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 48 Anschlüssen und Abmessungen von nicht mehr als 16×59 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: TOD 0815 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Baustein, in C-MOS-Technik hergestellt, mit Tonausgabe, auch mit Stundenzähler, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×33 mm, zum Herstellen von Waren des Kapitels 91 (a). Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 7910 SVM 5530 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht. 0 ex 8542 11 86Uhren/Datum-Schaltung, in C-MOS-Technik hergestellt, mit Quarzoszillator, unabhängigen Zeitzählregistern und einem Zeitgeber, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×33 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 58274 MM 58167 MM 58174 A oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Uhren-/Datumschaltung, in C-MOS-Technik hergestellt, mit programmierbarem Generator für periodische Unterbrechungen und blockförmige Wellen, einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch) mit einer Speicherkapazität von 400 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×33 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: MC 146818 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Baustein zum Takterzeugen und Steuern von Mikroprozessoren, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 9×24 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 82 C 284 82 C 84 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Taktgeber für Graphikkontrollbausteine, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 10×27 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: ICS 1394 PCLK 1 PCLK 2 WD90C61 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Zeitgenerator zum Erzeugen von Zeit- und Kontrollsignalen für Video-Digital-Analog-Wandler mit Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMDACs), in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 14×38 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: Bt438 Bt439 oder - eine ander Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Baustein zum Erzeugen eines anwenderdefinierten Kursors, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×33 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: Bt431 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Programmierbarer Sendeempfangsbaustein für asynchrone Daten, mit einem FIFO (First In/First Out)-Schreib-Lesespeicher mit einer Speicherkapazität von 128 bit, mindestens einem seriellen Ein-/Ausgangskanal und einem parallelen Kanal in beiden Richtungen, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 26×26 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 16C551 16C552 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Baustein zum Adressenvergleich, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einem oder mehreren statischen Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs, statisch), einem Paritätsgenerator, einer Paritätsprüflogik und einem oder mehreren Vergleichern, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 48 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 20×65 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: SN 74 ACT 2151SN 74 ACT 2154SN 74 ACT 2158 SN 74 ACT 2152SN 74 ACT 2156SN 74 ACT 2159 SN 74 ACT 2153SN 74 ACT 2157SN 74 ACT 2160 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Baustein zum Komprimieren/Dekomprimieren von Daten, in C-MOS-Technik hergestellt, mit zwei Ein-/Ausgangsstellen für den Direktspeicherzugriff, einer Schnittstelle für statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff und einer Mikroprozessor-Schnittstelle, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 20×28 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 1XH4-0301 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Baustein zum Komprimieren/Dekomprimieren von Bildern, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Video-Bus-Schnittstelle, einer Komprimier/Dekomprimier-Einheit des Bildpunktdatenflusses und einer Mikroprozessor-Bus-Schnittstelle, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 144 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 45×45 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: CL 550 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Rechenbaustein, ohne interne Programmablaufsteuerung, zum Multiplizieren oder zum Verarbeiten von Fest- und Gleitkomma-Zahlen, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 144 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 42×42 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: ADSP 3210 ADSP 3220 oder ex 8542 11 86 (Forts.)-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 868-Kanal-Demodulator/Filter, in BiMOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 18×18 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: AD 75030 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86 ex 8542 11 98 Rauchmelder, ausgelegt für den Temperaturbereich von -20 °C bis +60 °C, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 18 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 9×23 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: MC 14467MC 14471CS 235 MC 14468MC 145010V 24216 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Abtast- und Signalverteilungsbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einer Daten- und Zeitgeber-Filtereinheit, einer Kontrolleinheit, einem Sperrkreis zur Signalglättung bei Kontaktprellen (sogenannter Contact Bounce Elimination Circuit), einer Stromversorgungs-Kontrolleinheit, einem 17-bit-Schieberegister und einer Datenausgabe-Formatierungseinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×54 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: QMV 16 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Codier-/Decodierbaustein für die Umsetzung von Daten in NRZ (Non-Return-to-Zero)-Format oder in RLL (Run-Length-Limited)-Format, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 12×12 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 61158 CL-SH110 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Manchester-Codier- und Decodierbaustein (sogenannter Manchester-Encoder-Decoder/MED) zur kontinuierlichen Datenübertragung, mit Wiederholungsmodus, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×33 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: HD 6409 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Digitalfilter mit linearer Phase, in C-MOS-Technik hergestellt, zum Filtern der Phasenperioden in ein serielles 24 bit-Format, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 13×13 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: CS 5322 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Modulator/Demodulator, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-Modem), zur Datenübertragung über Telefonleitungen in vollem Duplexbetrieb mit einer Geschwindigkeit von 2 400 bit/Sekunde und zur Übertragung von Standbildern in einer Richtung mit einer Geschwindigkeit von 4 800 oder 9 600 bit/Sekunde, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 14×37 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: SC 11046 SC 11054 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Geräuscheffektmodul (sogenanntes Echo and Reverberation Module), mit einem Multiplizierer/Addierer (sogenannter Multiplier Accumulator/MAC), zwei Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs) mit einer Speicherkapazität von insgesamt 4 kbit und einem nicht programmierbaren Lesespeicher (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 12 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 25×25 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: VC5344 VC5909 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 868×8 bit Rechenbaustein zum Multiplizieren und Addieren (sogenannter Multiplier Accumulator/MAC), in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 48 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×62 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: ADSP 1008-A oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Baustein zur Pulscode-Modulation mit differenzierter Anpassung, in C-MOS-Technik hergestellt, für die Codierung/Decodierung von Sprache und Daten, mit 8 unabhängigen Kanälen mit einer Bandbreite von 8 kHz und ausgelegt für die Datenübertragung im vollen oder halben Duplexbetrieb mit einer Geschwindigkeit von 32 000 bit/Sekunde, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 15×38 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: SC 11360 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Monolithische integrierte Schaltung zur Pulscode-Modulation (sogenannte PCM), in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, bestehend aus einer Tastspeicherschaltung (sogenannter Sample and Hold Circuit), einem Digital-Analog-Wandler, einem Vergleicher, einem Register für sukzessive Approximation und logischer Schnittstellen-Funktion zu einer PCM-Linie zur gleichzeitigen Datenübermittlung in beiden Richtungen, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 22 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 11×29 mm. Das Gehäuse trägt - diese Kombination als Bestandteil enthält: 2911 A-1 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.7 ex 8542 11 86Sendeempfangsfilter zur Pulscode-Modulation (sogenannte Pulse Code Modulation/PCM), in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, für einen PCM-Leitungsanschluß, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 16 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 10×21 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: D 2912 A oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.7 ex 8542 11 86Ein- oder dreifacher Video-Digital-Analog-Wandler mit Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAMDAC), in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem oder mehreren Farbpaletten-Registern und Bildpunkt-Eingangsstellen im internen Multiplexbetrieb, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 132 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 39×39 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 357S0010357S0012Bt458Bt460Bt462 357S0011Bt451Bt459Bt461 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Sendeempfangsbaustein mit acht Kanälen zur asynchronen Datenübertragung (sogenannter Octal Universal Asynchronous Receiver Transmitter/Octal-UART), in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 84 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 32×53 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 1TQ1-0202 SCC 2698 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Codier- und Decodierbaustein für die seriell-parallele oder parallel-serielle Umsetzung von Daten, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, bestehend aus einer arithmetischen logischen Einheit, einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 128 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 48 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 15×60 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: TMS 38020 TMS 38021 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Sendeempfangsbaustein mit zwei Kanälen zur asynchronen Datenübertragung (sogenannter Dual Universal Asynchronous Receiver Transmitter/DUART), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 18×53 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 2681 PC 87310 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Sendeempfangbaustein für synchrone Daten zum digitalen Sprach- und Datentransfer in vollem Duplexbetrieb mit einer Geschwindigkeit von 160 kbit/Sekunde über eine Entfernung von 1 km, mit einem Modulator, einem Demodulator, Pufferspeichern für Daten, Datensende- und Datenempfangsregistern, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 15×33 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: MC145421 MC145425 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Sendeempfangbaustein für synchrone Daten zum digitalen Sprach- und Datentransfer in vollem Duplexbetrieb mit einer Geschwindigkeit von 80 kbit/Sekunde über eine Entfernung von 2 km, mit einem Modulator, einem Demodulator, zwei Pufferspeichern für Daten, einem Datensende- und einem Datenempfangsregister, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 10×29 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: MC145422 MC145426 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Sendeempfangsbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Laufzeitverzögerung von nicht mehr als 11 ns, bestehend aus zwei entgegengesetzt angeordneten (back-to-back) 8 bit-Registern, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 9×33 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 29FCT52 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Sendeempfangsbaustein, in BiMOS-Technik hergestellt, für die Zweirichtungs-16-bit-Datenübertragung, mit einem Adressen- und Daten-Multiplexer/Demultiplexer, Latchschaltungen zur Datenspeicherung und einer 8-bit-Kontrollschaltung, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 26×26 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: SN 74 BCT 2423 SN 74 BCT 2424 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Sendeempfangsbaustein, in BiMOS-Technik hergestellt, für die Übertragung von Adressen und Daten im Multiplexbetrieb, mit Flipflops des D-Typs, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 26×26 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: SN 74 BCT 2420 SN 74 BCT 2425 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Baustein zum Aufnehmen und Wiedergeben von Sprache mit einer programmierbaren Geschwindigkeit von nicht weniger als 8 kbit/Sekunde, mit einem Verstärker und einem 10 bit-Digital-Analog-Wandler, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 67 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 18×22 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: T 6668 TC 8830 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Hallsensor, in BiMOS-Technik hergestellt, ausgelegt für die Übertragung über einen Zwei-Draht-Bus, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 3 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 5×5 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: UGN 3055U UGS 3055U oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86 ex 8542 11 98 Datentrennbaustein für feste Magnetplatten (sogenannter Hard Disc Data Separator/HDDS), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×37 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: DP 8460-2DP 8460-4HDC 9226WD 10 C 21 DP 8460-3DP 8465WD 10 C 20 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Baustein zum Erzeugen und Steueren der Zeitabläufe für den Bildschirmspeicher (sogenannter Sequenzer), in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 19×52 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 82 C 432 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Teilnehmerleitung-Sprach-Signal-Baustein (sogenannter Subscriber Line Audio Processing Circuit/SLAC) mit 2 Digitalsignalprozessoren, einem Analog-Digital- und einem Digital-Analog-Wandler, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: AM 7901 AM 7905 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.7 ex 8542 11 86Signalsynthetisator (sogenannter Digital Signal Synthesizer), in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem Frequenzgenerator, der nur einen Ton erzeugen und abgeben kann, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 18 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×25 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: UMC 3511 A oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Signalsynthetisator, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, mit einem Frequenzgenerator, einem Speicher für 15 Töne, einem Digital-Analog-Wandler, einem Quarzoszillator, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 18 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×25 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: YM 2413 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Signal-Synthetisator, in C-MOS-Technik hergestellt, mit 32 oder 48 Frequenzgeneratoren, einem Taktgeber und einem Adreßgenerator, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 84 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 31×31 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: VC 2375 VC 5395 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Phonem-Sprachsynthetisator, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-Phoneme Speech Synthesizer), mit einem Versorgungsstrom von weniger als 10 mA, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CD 54121 N2L CD 54147 N2LCM 54146 N2LSSI 263 CD 54122 N2LCM 54104CM 54166 N2L CD 54123 N2LCM 54145 N2LSC 01 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Programmierbarer Signalsynthetisator (sogenannter Digital Signal Synthesizer), in C-MOS-Technik hergestellt, mit 13 Frequenzgeneratoren zur Erzeugung von jeweils bis zu 5 Tönen und einem Output von bis zu 65 Tönen, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 15×50 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: DPS 6401 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86Programmierbarer Signalsynthetisator zur Erzeugung von digitalen Tonsignalen, mit einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff mit einer Speicherkapazität von 16 kbit, mit einer Abtastgeschwindigkeit von 22,257 und 44,1 kHz, zwei Ausgangskanälen für Mono- oder Stereo-Signale, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 18×18 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 344 S 0053 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 86TTL/ECL- oder ECL/TTL-Pegelumsetzer, in BiMOS-Technik hergestellt, ausgelegt für die Bus-Ansteuerung und Datenübertragung im vollen Duplexbetrieb, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 84 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 31×31 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CY10E383 CY101E383 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 90Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in bipolarer Technik hergestellt (sogenannter bipolarer RAM, statisch) mit einer Speicherkapazität von 64×9 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×40 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 82 S 09 MBM 93419 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 90Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch), in Gallium-Arsenid (GaAs)-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 1 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 13×13 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält : 12G014 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 90Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in ECL-Technik hergestellt (sogenannter ECL-RAM), mit einer Speicherkapazität von 256×4 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 8 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 11×32 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 10422 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 90Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in TTL-Technik hergestellt (sogenannter TTL-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 1 kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 45 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 22 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×30 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 93422 93425 oder -der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 90Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in ECL-Technik hergestellt (sogenannter ECL-RAM), mit einer Speicherkapazität von 4 kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 50 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit nicht mehr als 26 Verbindungen zu Anschlüssen einer Kunststoff-Unterlage oder in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 11×32 mm. Das Gehäuse oder die Unterlage trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 10470 10474 100474 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 90Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch), in Gallium-Arsenid(GaAs)-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 4 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 13×13 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 12G044 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht. 0 ex 8542 11 90Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in ECL-Technik hergestellt (sogenannter ECL-RAM), mit einer Speicherkapazität von 16 kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 15 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 18×37 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 10480 10484 100484 oder ex 8542 11 90 (Forts.)-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 90Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in ECL-Technik hergestellt (sogenannter ECL-RAM) mit einer Speicherkapazität von 64 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 10×32 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 10490 100490 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 90FIFO (First In/First Out)-Schreib-Lesespeicher, in TTL-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 256 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 16 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 7×20 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 67 L 401 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 90Programmierbarer Lesespeicher, nicht löschbar (sogenannter PROM), in Gallium-Arsenid (GaAs)-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 4 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 10×10 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 14GD048 14GM048 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht0 ex 8542 11 90Programmierbarer Lesespeicher, nicht löschbar (sogenannter PROM), in TTL-Schottky-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 2 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 27 S 1253055624705382 S 131 27 S 1353066305705893436 28 L 225308630674 S 57093446 28 LA 225309630874 S 571MB 7115 28 L2XMFC53 S 240630976 LS 03MB 7116 2961353 S 24163 S 2407620MB 7117 2977054 S 57063 S 2417621MB 7118 2977154 S 571633582 S 114 385105604633682 S 130 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 90Programmierbarer Lesespeicher, nicht löschbar (sogenannter PROM), mit einer Speicherkapazität von 16 kbit, in bipolarer Technik hergestellt, mit einem Versorgungsstrom im Bereitschaftszustand von nicht weniger als 50 mA und nicht mehr als 80 mA, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 14×33 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 27 PS 191 A oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 90Programmierbarer Lesespeicher, nicht löschbar (sogenannter PROM), mit einer Speicherkapazität von 32 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 63 S 3281 AM 27S43 MB 7141 MB 7142 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 9116-bit-Mikroprozessor, in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 25×82 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: AM 29116 SBP 9989 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 95Programmierbare Logikschaltung, nicht löschbar, mit Registern und programmierbarer UND-Anordnung, mit nicht mehr als 16 Eingangsstellen und nicht mehr als 8 Ausgangsstellen, in ECL-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 13×33 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CY10E301 CY10E302 CY100E301 CY100E302 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 95Programmierbare, nicht löschbare Ablaufsteuerung, in bipolarer Technik hergestellt, mit nicht mehr als 48 AND-Funktionen, einem 6-bit-Zustandsregister, einem 8-bit-Ausgaberegister, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 82 S 105 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 95Programmierbare Logikschaltung, in bipolarer Technik hergestellt, mit einer programmierbaren UND-Anordnung und einer festen ODER-Anordnung, mit nicht mehr als 16 Eingangangsstellen und nicht mehr als 8 Ausgangsstellen, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 12×27 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 16L4 16L6 16L8 16R4 16R6 16R8 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 95Programmierbare Logikschaltung, nicht löschbar, in TTL-Schottky-Technik hergestellt, mit nicht mehr als 48 UND-Funktionen und nicht mehr als 8 ODER-Funktionen sowie nicht mehr als 16 Eingangsstellen, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 82 S 100FP 54 AS 839SN 54 LS 333 SN 74 LS 333 82 S 101FP 54 AS 840SN 54 LS 334SN 74 LS 334 93458FP 74 AS 839SN 54 LS 335SN 74 LS 335 93459FP 74 AS 840SN 54 LS 336SN 74 LS 336 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.5 ex 8542 11 95Drei- oder sechsfacher Flipflop des D-Typs mit ECL-Ein-/Ausgängen, in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 13×31 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: F100131 F100151 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 95Logikbaustein, bestehend aus fünf OR/NOR-Gliedern mit ECL-Ein-/Ausgängen, in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 13×31 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: F100102 F100107 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 95Sechsfache Hexadezimal-Latch-Schaltung des D-Typs mit ECL-Ein-/Ausgängen, in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 13×31 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: F100150 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 95Logikbaustein, in bipolarer Technik hergestellt, mit nicht mehr als 6 logischen Funktionen, einer Betriebsspannung von nicht weniger als 11 V und nicht mehr als 18 V, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 18 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×23 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: FZH 101 AFZH 191FZJ 121 FZH 111 AFZH 201FZK 101 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 95Multiplexer, mit 12 oder 16 Eingangsstellen, mit ECL-Ein-/Ausgängen, in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 13×31 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: F100163 F100164 F100171 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 95Fünffacher Differential-Leitungsempfangsbaustein mit ECL-Ein-/Ausgängen, in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 13×31 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: F100114 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 954-Stufen-Zähler/4 bit-Schieberegister mit ECL-Ein-/Ausgängen, in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 13×31 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: F100136 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 958-bit-Schieberegister mit ECL-Ein-/Ausgängen, in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 13×31 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: F100141 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 95TTL/ECL- oder ECL/TTL-Hexadezimal-Pegelumsetzer, in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 13×31 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: F100124 F100125 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 95Baustein zur asynchronen Bus-Kontrolle und zur Umwandlung der lokalen Bus-Leitungen in Multiplex-Leitungen, in advanced low power Schottky (ALPS)-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 13×37 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 68452 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 95Kontrollbaustein für Kathodenstrahlröhren (sogenannter Cathode Ray Tube Controller/CRTC), in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 15×55 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: SCB 2675 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 95Mehrbus-Puffer-Schnittstellenbaustein (sogenannter Multiple Bus Buffer) in low power Schottky (LPS)-Technik hergestellt, für die Fehlersuch- und Beseitigungseinheit, das Datenbus-System und den dynamischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, dynamisch), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 20×33 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: AM 2961 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 95Baustein mit 4 Kanälen zur Kontrolle der Schreib-Lesesignale der Magnetköpfe in Magnetplattenspeichern mit festen Platten, in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 12×19 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: SSI 510 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 95Baustein mit 6 Kanälen zur Kontrolle der Schreib-Lesesignale der Magnetköpfe in Magnetplattenspeichern mit festen Platten, in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×19 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: SSI 32R522-6 SSI 32R522R-6 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 95Treiberbaustein für dynamische 8-bit-Speicher (sogenannter Octal Dynamic Memory Driver), in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×33 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: AM 2965 AM 2966 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 95Kontrollbaustein zum Steuern dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs, dynamisch), mit Adressen-Multiplexer, in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 26×67 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: DP 8408DP 8419DP 8429SN 74 S 409 DP 8409DP 8428MB 1422 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 95Treiberbaustein für Laserdioden oder anderen Leuchtdioden, in Gallium-Arsenid(GaAs)-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 18 Anschüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 7×7 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 16G075 16G076 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 95Schreibsignal-Treiberbaustein für Magnetbandspeichereinheiten, in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 22 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 11×29 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: VT 211 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 95Kontrollbaustein zur Fehlersuche und -beseitigung (sogenannter Error Detection and Correction Circuit), in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 208 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 46×68 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 296074 AS 63274 F 63074 LS 631 54 AS 63274 AS 63474 F 631DP 8400 54 AS 63474 AS 636474 LS 630 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 95Kontrollbaustein zum Steuern magnetischer Drucktypen, in TTL-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 18 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 9×26 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 801379-002 810751-001 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 95Zustands- und Schiebekontrollbaustein (sogenannte Status and Shift Control Unit), in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 42 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×57 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: AM 2904 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 95Bus-Schnittstellenbaustein in advanced Schottky (AS)- oder in advanced low power Schottky (ALPS)-Technik hergestellt, zur Adressensteuerung in den Datenleitungen, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 26×26 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 82 A 203 82 A 204 82 A 303 82 A 304 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 95Bus-Schnittstellenbaustein in advanced Schottky (AS)- oder in advanced low power Schottky (ALPS)-Technik hergestellt, zur Steuerung des Datenflusses in den Leitungen der Zentraleinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 26×26 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 82 A 205 82 A 305 82 A 436 82 A 442 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 95Bus-Schnittstellenbaustein, in bipolarer Technik hergestellt, mit 8-, 9- oder 10-bit-Registern, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 9×34 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: AM 29821AM 29823AM 29825AM 29843AM 29845 AM 29822AM 29824AM 29826AM 29844 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 95Schnittstellen-Kontrollbaustein für Manchester-codierte Daten, in Schottky-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×24 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: TMS 38052 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 95Schnittstellen-Kontrollbaustein, in bipolarer Technik hergestellt, für Signale zwischen Datenverarbeitungsmaschinen und einem Koaxialkabel eines lokalen Netzwerks (sogenanntes Local Area Network/LAN), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 13×23 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: DP 8392 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 95Schnittstellenbaustein zur Datenstromsynchronisierung von festen Magnetplatten, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×35 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: DP 8462 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 95Analog-Digitaler-Schnittstellenbaustein, in bipolarer Technik hergestellt, für den peripheren Festmagnetplattenspeicher und der Zentraleinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 15×50 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: AD 581 C oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 95Teilnehmerleitung-Schnittstellenbaustein (sogenannter Subscriber Line Interface Circuit/SLIC), in dielektrischer Isolations-Technik hergestellt, mit intern programmiertem, konstantem Leitungsstrom, einem Widerstands-Netzwerk und einem Operationsverstärker, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 18×39 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: HC 5502 HC 5504 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 98Audio-Digital-Analog-Wandler, in bipolarer Technik hergestellt, mit einer dynamischen Spannungsbreite von 96 db oder mehr und interner Referenzspannung, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×37 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: PCM 63P oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 98Baustein zum programmierbaren Verstärken der Signale eines numerischen Busses, in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×21 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: HS 3182 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 98Baustein zum Verstärken und Umwandeln der Lesesignale und zum Umwandeln der Schreibsignale für Magnetplattenspeicher mit festen Platten (sogenannter Read/Write Data Processor Circuit), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 19×38 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: SSI 540 SSI 541 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 98Baustein zum Wiederherstellen von Zeit- und Datensignalen, in Gallium-Arsenid(GaAs)-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 13×13 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 16G040 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 98Baustein zum Vergleichen von Phasen und Frequenzabweichungen für Frequenzen von nicht mehr als 1 GHz, in Gallium-Arsenid(GaAs)-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 13×13 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 16G044 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 98Demodulator für phasenverschobene Signale, in bipolarer Technik hergestellt, mit einem Takterzeuger und einem Schaltkreis für die parallel-serielle Umwandlung von Signalen, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 30 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 15×28 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: TA 8662 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 98Baustein zur Frequenzdecodierung (sogenannter Demodulator/Tone Decoder), in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 14 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 10×21 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: XR 2211 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 98Adressengenerator eines Slave-Blocks für die Erzeugung von Adressen bei der Übertragung des Blocks auf einen Bus, in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 11×11 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: SN 74 ALS 2442 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 98Baustein mit 6 oder 8 Kanälen zum Erzeugen von Schreib- und Lesesignalen für Magnetplattenspeicher mit festen Magnetplatten, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 13×13 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: SSI 117 SSI 501 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 98Baustein zum Erzeugen variabler Wellenformen, in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 16 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 10×21 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: XR 2206 XR 8038 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 98Sendeempfangsbaustein für Manchester-codierte Daten, in Schottky-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 18×28 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: TMS 38051 TMS 38053 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 98Baustein zum Regenerieren pulscode-modulierter Signale, in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 16 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 10×21 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: XR C 240 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 98Baustein zum Synchronisieren der Daten für Bandleseeinheiten, in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 15×39 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: VT 210 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 98Baustein zum Synchronisieren, Codieren und Decodieren von Daten. in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 13×21 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: SSI 32D 532 SSI 32D 535 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 20Verstärker, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in Form von Mikroplättchen (chips), mit den Abmessungen von nicht mehr als 3×3 mm, zum Herstellen von Waren der Unterposition 9021 40 00 (a).0 ex 8542 19 20Baustein zum Empfangen und Verstärken von frequenzmodulierten Signalen, in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in Form von Mikroplättchen (chips), mit den Abmessungen von nicht mehr als 4×6 mm, zum Herstellen von Waren der Unterposition 9021 40 00 (a)0 ex 8542 19 30Verstärker mit einer Nennverstärkung von nicht weniger als 18 und nicht mehr als 30 db und einem Frequenzbereich von nicht mehr als 1,9 GHz, in Gallium-Arsenid(GaAs)-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 18 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 7×7 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 16G071 16G072 16G074 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 30Mikrowellenverstärker mit einer Nennverstärkung von -18 db bei 0,5 GHz oder -22,5 db bei 1 GHz und 32,5 db bei 0,1 GHz oder -26 db bei 1,5 GHz, in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 4 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 2×4 mm oder einem Durchmesser von nicht mehr als 3 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: A-06 A-08 N10 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 30Vierfacher Verstärker mit einem Eingangsstrom von nicht mehr als 20 Pico-Ampere, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 14 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×20 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: LMC 660 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 30Programmierbarer Verstärker zum Verstärken in eine Ausgangsspannung von nicht weniger als -9,5 V und nicht mehr als +14,5 V oder in einem Ausgangsstrom von nicht mehr als 0,5 A, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 18 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 9×23 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: EL 2021C oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 30Verstärker, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 10 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 2×4×4 mm, zum Herstellen von Waren der Unterposition 9021 40 00 (a). Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: C 05 V 35 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 30Verstärker mit einem Eingangsstrom von 80 nA oder weniger, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 8 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×11 mm oder einem Durchmesser von nicht mehr als 10 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: OPA 37 OPA 111 OPA 121 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 30Verstärker, steuerbar für Signale von 10 Hz bis 30 kHz mit einer Verstärkung von nicht weniger als 85 db, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 8 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×19 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: M 5218 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 30Thermölementverstärker mit eingebautem Alarmsystem zur Kontrolle von Instrumenten innerhalb eines Temperaturbereichs von nicht weniger als 0 und nicht mehr als 50 °C, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 14 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×20 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: AD 594 AD 595 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 30Verstärker für Winchester-Plattenlaufwerke, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 10 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 7×7 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: A 2480 FC oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 30Verstärker mit programmierbarem Verstärkungsfaktor, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×45 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: PGA 102 PGA 202 PGA 203 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 50Spannungsregler mit einem Ruhestrom von 75 mA und einer Abschaltspannung von 380 mV bei 100 mA, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 8 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 7×11 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: LP 2950 LP 2951 oder ex 8542 19 50 (Forts.)-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 60Treiberbaustein zum Steuern von linearen oder rotierenden Motoren, in bipolarer Technik hergestellt, mit einer Ausgangsspannung von nicht mehr als 45 V bei einem Ausgangsstrom von nicht mehr als 2,5 A, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×33 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: EL 2007PBL 3717PBL 3771 EL 2017PBL 3770PBL 3772 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 60Monolithische integrierte analoge Schaltung, in C-MOS-Technik hergestellt, zur Kontrolle der Geschwindigkeit von linearen oder rotierenden Motoren und zum Positionieren der Magnetköpfe, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 14×38 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: A 2460 A 2461 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 60Treiberbaustein zum Steuern von Gleichstrommotoren, in bipolarer Technik hergestellt, mit einer Ausgangsspannung von nicht mehr als 18 V bei einem Ausgangsstrom von nicht mehr als 1,6 A, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 10 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 9×26 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: BA 6109 BA 6209 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 60Analog-Digital-Steuerbaustein für bürstenlose Motoren zur Kontrolle der Geschwindigkeit in der Vorwärts- und Rückwärtsrichtung, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×33 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: MC33033 MC33034 MC33035 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht. 0 ex 8542 19 60Kontrollbaustein zur Spannungsüberwachung für Mikroprozessoren, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 16 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×12 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: DS 1231 DS 1232 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 60Kontrollbaustein zum Vormagnetisieren von Audio-Magnetbändern, in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 18 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×26 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: PC 1297 CA oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 60Monolithische integrierte analoge 2-Kanal-Schaltung zur Lautstärke- und Balanceregelung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 14 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 9×22 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: M 51523 PBM 3910 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 70Schnittstellen-Kontrollbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, zum Erzeugen von graphischen Symbolen auf einem Kathodenstrahl-Bildschirm, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 9×29 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: MN 1297 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 80Signal-Lese-Prozessor für Plattenlaufwerke, in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 12×13 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: VM 443 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 80Filter für Signale im Frequenzbereich von 300 bis 3 000 Hz, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einer Sendeempfangseinheit, einem Analog-Digital-Wandler, einem Doppel-Ton-Multifrequenz (DTMF)-Generator und Schnittstellenregistern für eine Zentraleinheit, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit mehr als 60 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 14×21 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: STC 9130 F oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 804-Kanal-Tastspeicherschaltung, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 18 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 9×25 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: CS 31412 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 80Baustein zur Rauschunterdrückung der Audiosignale von 14 db, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 18 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 7×26 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: HA 12043 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 80Programmierbarer Codier/Decodierbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einem elektrisch löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter E2PROM) mit einer Speicherkapazität von 32 bit, einem Verstärker und einem Oszillator, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 14 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×20 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestendteil enthält: AZ 280 TMC3637 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 80Analogmodulator, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer dynamischen Spannungsbreite von 123 db bei 375 Hz, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 13×13 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: CS 5323 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 80AM-FM-Empfangseinheit, in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 14×37 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: CXA 1030 P CXA 1240 P oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.7 ex 8542 19 80Verzögerungsleitung für die Kompensation von Übertragungsverlusten von Videosignalen, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 8 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 7×10 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: MSM 6965 RS oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 80Schalteinheit für Audiosignale, mit einer Verzerrung von nicht mehr als 0,005 %, in bipolarer Technik hergestellt, mit 2 Kontrollschaltkreisen und 2 Wechselschaltern, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 10 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×13 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: TK 15022 Z oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 80Monolithische integrierte analoge Schaltung, in bipolarer Technik hergestellt, zum Schutz von Telefonzentralen gegen Spannungsüberlastungen, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 3 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 10×11 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 1515 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 80Frequenzgenerator, in bipolarer Technik hergestellt, mit einer Betriebsspannung von nicht weniger als 40 und nicht mehr als 130 V Wechselstrom, zum Erzeugen von Signalen, die mit einem Takt von 10 Hz zwischen 512 und 640 Hz, ±22 %, oszillieren, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 8 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 9×11 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: QMV 155 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 80Doppel-Ton-Multifrequenz(DTMF)-Generator, in C-MOS-Technik hergestellt, zum Decodieren von 4 bit-Binärdaten und zur 16 Ton-Paarbildung, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 14 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 10×11 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: TP 5088 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 80Frequenzwandler zur Umwandlung von Frequenzen von nicht weniger als 10,95 GHz und nicht mehr als 12,5 GHz in Frequenzen von nicht weniger als 950 MHz und nicht mehr als 1 750 MHz, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 6 Anschlüssen und einem Durchmesser von nicht mehr als 10 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 20070C AKD12000 AKD12010 AKD12011 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 80Spannungs-Frequenz-Wandler mit Verstärker, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 10×24 mm oder einem Durchmesser von nicht mehr als 11 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: VFC32 VFC100 VFC101 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 80Strom-Spannungs-Wandler mit einem Eingangsstrom von nicht mehr als 100 mA und einer Ausgangsspannung von nicht mehr als - 10 V, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×32 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: ACF 2101 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 80Effektivwertwandler zum Berechnen der Effektivwerts von Wellenformen und zur Umwandlung dieses Werts in einen entsprechenden Gleichstrom oder in eine entsprechende Gleichspannung, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 14 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 18×21 mm oder einem Durchmesser von nicht mehr als 18 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: AD 536 A AD 636 AD 637 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 80Temperaturfühler, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 3 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 6×6 mm oder einem Durchmesser von nicht mehr als 10 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: AD 590 AD 592 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 80Programmierbare Dioden-Matrix, bestehend aus 14 einzelnen Dioden und einem Gleichrichter, in Gallium-Arsenid(GaAs)-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 36 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 10×10 mm. ex 8542 19 80 (Forts.)Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 16G010 16G011 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 80Bildsensor, bestehend aus einer Reihe mit nicht mehr als 3 648 Photozellen und einer mit einem oder mehreren Schieberegistern verbundenen Matrix, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 22 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 12×43 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: LZ 2019 PD 3573 TCD 103 TCD 105 TCD 133 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 80Bildsensor mit Ladungsübertragung im Zeilenabstand, mit 250 000 bis 291 000 Photozellen, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 21×32 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: ICX 018 ICX 021 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 80Phasenregelkreis-Zeitschaltung, in C-MOS-Technik hergestellt, zum Synchronisieren oder Multiplizieren von Frequenzen von nicht weniger als 20 MHz und nicht mehr als 70 MHz, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 13×13 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: MC 88915 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 80Baustein zum Feststellen von Amplituden-Spitzen in Schreib-Lese-Signalen von Plattenspeichereinheiten, mit einem Differentialverstärker zur automatischen Verstärkungskontrolle und einem Zwei-Phasen-Präzisionsgleichrichter, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 12×12 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: ML 8464 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 80Baustein zum Vergleichen der Spannung, in dielektrischer Isolations-Technik hergestellt, bestehend aus einem Master-Slave-Flipflop, für den Betrieb in einem allgemeinen Spannungsbereich von -12 V oder mehr, jedoch nicht mehr als +12 V und einem Differenzspannungsbereich von -24 V oder mehr, jedoch nicht mehr als +24 V und einer Reaktionszeit von nicht mehr als 6 ns, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 8 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 10×11 mm oder einem Durchmesser von nicht mehr als 10 mm. ex 8542 19 80 (Forts.)Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: EL 2019 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 80Verstärker/Vergleicher, in bipolarer Technik hergestellt, zum Verstärken und Vergleichen von Phasen-/Frequenzsignalen der Sensoreingangsmeßwerte, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 6×8 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: CXA 1418 N oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 19 80Halb-Brückengleichrichter, bestehend aus zwei Feldeffekttransistoren, in MOS-Technik hergestellt, ausgelegt für induktive oder kapazitive Ladungen mit einer Nennspannung von 50 V bei einer nominalen Stromstärke von 2 A, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 16 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 6×11 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: Si9950DY oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 20 1032-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einer Substratebene mit 2 Chips, die die Zentraleinheit und die Speichereinheit bilden, in Form einer hybriden integrierten Schaltung, mit nicht mehr als 60 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 33×76 mm. Der Baustein trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 57-00000 57-19400 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 20 308-bit-Analog-Digital-Wandler mit einer Signalumsetzungszeit von weniger als 3 ms, in Form einer hybriden integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 19×37 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: ADC 82 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 20 30Video-Digital-Analog-Wandler (sogenannter Video-Digital-Analog-Converter/VDAC), mit einer Signalumsetzungszeit von nicht mehr als 10 ns, in Form einer hybriden integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 20×35 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: VDAC 0405 H VDAC 0605 H VDAC 0805 H oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 20 30Vierfacher Digital-Analog-Wandler mit einer Kapazität je Kanal von 12 bit, in Form einer hybriden integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 21×41 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: AD 390 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 20 3016-bit-Digital-Analog-Wandler, in Form einer hybriden integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: DAC 705 DAC 706 DAC 707 DAC 708 DAC 709 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 20 50Verstärker für Signale im Frequenzbereich von 20 bis 20 000 Hz, in Form einer hybriden integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 30 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 45×80 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: STK 4041 STK 4151 STK 4201 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 20 50Verstärker, steuerbar für Signale mit einem nominalen Frequenzbereich von 0 bis 70 kHz, mit einer Trennspannung von nicht weniger als 750 V und einem Reststrom von nicht mehr als 1 mA, in Form einer hybriden integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×52 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: ISO 100 ISO 102 ISO 106 ISO 120 ISO 121 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 20 50Verstärker mit programmierbarem Verstärkungsfaktor, in Form einer hybriden integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×45 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: 3606 G oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 20 80Baustein zur Demodulation und Rauschunterdrückung, in Form einer hybriden integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 21 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×44 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: STK 3400 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 20 80Teilnehmerleitungs-Einheit (sogenannter Crosspoint Switch) mit nicht weniger als 4 und nicht mehr als 12 Schaltern, mit einer Betriebsspannung von 150 V oder mehr, in Form einer hybriden integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 94 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 41×92 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: 719 904 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8543 80 80Elektromagnetische Anzeige, bestehend aus 7 Elektromagneten, die durch Restmagnetismus des Magnetkerns dafür sorgen, daß die letzte Angabe verfügbar bleibt, 7 drehbaren, lichtreflektierenden Segmenten, die jeweils mit einem Stahlmagneten verbunden sind. Die Anzeige ist in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 28×36×50 mm.0 ex 8543 80 80Frequenzmodulator für den Bereich von 0,5 MHz bis 5 MHz, in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 48×74 mm.0 ex 8543 80 80Optölektronische Schaltung, bestehend aus einer oder mehreren Leuchtdioden und einer Photodiode mit Verstärkerschaltkreis und integrierter Logikgatterschaltung oder aus einer oder mehreren Leuchtdioden und mehreren Photodioden mit Verstärkerschaltkreis, in einem Gehäuse aus Kunststoff mit nicht mehr als 8 Anschlüssen. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: HC PL 2400 HC PL 2730 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8543 80 80Verstärker mit einer Trennspannung von 1 500 V oder mehr und einem Reststrom von nicht mehr als 0,5 mA, bestehend aus einer mit zwei Kondensatoren und zwei monolithischen integrierten Schaltungen bestückten gedruckten Schaltung, die auf einen Träger aus Kunststoff angebracht ist; das Ganze befindet sich in einem Gehäuse mit nicht mehr als 8 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×21 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: ISO 122 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8543 80 80Sprachwiedergabe-Modul, bestehend aus einer gedruckten Schaltung bestückt mit: -einem Synthetisator, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse, -einem piezölektrischen oder magnetischen Lautsprecher, -zwei oder drei Batterien, einem Schalter, drei Kondensatoren, und gegebenenfalls auch mit einem nicht programmierbaren Lesespeicher (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 1 Mbit oder einem UV-löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM) mit einer Speicherkapazität von 128 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse; das Ganze befindet sich in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 4×60 x 95 mm. ex 8543 80 80 (Forts.)Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält: SPMS oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8543 80 80Digitaler Bildprozessor zum Herstellen von Kardiodiagnosegeräten, mit einer Arbeitsgeschwindigkeit von 1 bis 50 Bildern/Sekunde, einer Raumauflösung von 512×512 Bildpunkten oder mehr und einer radiometrischen Auflösung von 16 bit, mit einer Versorgungsstromeinheit und 11 gedruckten Schaltungen, die mit integrierten Schaltungen sowie anderen aktiven oder passiven Bauelementen bestückt sind; das Ganze befindet sich in einem Gestell (a)0 ex 8544 19 90Isolierter Wickeldraht, weder lackiert noch verniert, aus Aluminium mit einer Reinheit von 99,5 GHT oder mehr, mit einer Gesamtdicke von nicht weniger als 0,15 mm und nicht mehr als 0,16 mm0 ex 8548 00 00Uhren-/Datumschaltung, bestehend aus einer Lithiumbatterie, einem Schwingquarz und einer monolithischen integrierten Schaltung, in C-MOS-Technik hergestellt, mit programmierbarem Generator für periodische Unterbrechungen und blockförmige Wellen und einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch); das Ganze befindet sich in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 18×34 mm. Das Gehäuse trägt -eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält: DS 1287 DS 1387 oder -eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8548 00 00Kontakt-Bildsensor, bestehend aus einer Reihe mit nicht weniger als 1 728 und nicht mehr als 2 048 Photozellen und einer Reihe Leuchtdioden, in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 21×22 x 273 mm0 ex 9001 10 10 ex 9001 10 90 Lichtwellenumkehrleiter aus optischen Fasern0 ex 9001 20 00Polarisierender Film, auf eine oder zwischen zwei Unterlagen aus durchsichtigem Material aufgebracht0 ex 9001 90 90Achteckige Fresnelsche Linsen aus Acrylharz, nicht gefasst, zum Einbau in Überkopfprojektoren (a)0 ex 9002 11 00Objektiv mit einer regelbaren Brennweite von nicht weniger als 90 mm und nicht mehr als 180 mm, bestehend aus 4 bis 8 Linsen aus Glas oder Methacrylat, die einen Durchmesser von nicht weniger als 120 mm und nicht mehr als 180 mm aufweisen und jeweils auf mindestens einer Seite mit Magnesiumfluorid beschichtet sind, zum Einbau in Videoprojektoren (a)0 ex 9002 11 00Objektiv mit einer Brennweite von nicht weniger als 90 mm und nicht mehr als 94 mm, bestehend aus Linsen aus Glas oder Kunststoff mit einem Durchmesser von nicht weniger als 80 mm und nicht mehr als 90 mm0 ex 9002 11 00Objektiv mit einer Brennweite von nicht weniger als 77 mm und nicht mehr als 81 mm, bestehend aus Linsen aus Glas oder Kunsstoff mit einem Durchmesser von nicht weniger als 120 mm und nicht mehr als 180 mm0 ex 9002 90 91Optisches Element, bestehend aus einer achteckigen Fresnelschen Linse, zum Einbau in Überkopfprojektoren (a)0 ex 9013 80 10Flüssigkristallanzeigen, bestehend aus einer zwischen 2 Glasplatten eingeschlossenen Flüssigkeitskristallschicht mit nicht weniger als 7 und nicht mehr als 120 Anzeigenstellen für Ziffern oder Buchstaben, mit nicht mehr als 192 Anschlüssen und den Abmessungen von 18,5×52 mm oder 18,5×61 mm oder 22×52 mm oder 22×63 mm oder 27×67 mm oder 55,8×73,7 mm, zum Herstellen von Rechenmaschinen (a)0 ex 9021 30 90Gefässprothesen, weder gewebt noch gestrickt, deren grösste Öffnung einen Innendurchmesser von 6 mm oder weniger aufweist3,1 ex 9021 30 90Gefässprothesen, weder gewebt noch gestrickt, deren grösste Öffnung einen Innendurchmesser von mehr als 6 mm jedoch nicht mehr als 8 mm aufweist0 ex 9021 30 90Herzklappen und ihre Teile0 ex 9021 90 10Empfänger für Schwerhörigengeräte, in einem Gehäuse mit den Abmessungen-ohne Anschlußstücke-von nicht mehr als 5×6×8 mm0 ex 9110 12 00Einheit, bestehend aus einer gedruckten Schaltung, bestückt mit einem Quarzschwinger und jeweils mindestens einer Uhrenschaltung und einem Kondensator-auch integriert-, mit einer Dicke von nicht mehr als 5 mm, zum Herstellen von Waren des Kapitels 91 (a)0 ex 9110 90 00 ex 9114 90 00 Einheit, bestehend aus einer gedruckten Schaltung, bestückt mit einer Uhrenschaltung oder einer Uhrenschaltung und einem Quarzschwinger, mit einer Dicke von nicht mehr als 5 mm, zum Herstellen von Waren des Kapitels 91 (a)0 ex 9110 90 00Einheit, bestehend aus einer gedruckten Schaltung, bestückt mit mindestens einer Uhrenschaltung, einem Quarzschwinger und Summer, mit einer Dicke von mehr als 5 mm, zum Herstellen von Waren des Kapitels 91 (a)0 ex 9608 91 00Schreibfederspitzen aus Kunststoff, keine Fasern enthaltend, mit einem Innenkanal0 ex 9613 90 00Piezo-Zuendmechanismus0 (a)Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen.