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Document 32018R1922R(03)

Berichtigung der Delegierten Verordnung (EU) 2018/1922 der Kommission vom 10. Oktober 2018 zur Änderung der Verordnung (EG) Nr. 428/2009 des Rates über eine Gemeinschaftsregelung für die Kontrolle der Ausfuhr, der Verbringung, der Vermittlung und der Durchfuhr von Gütern mit doppeltem Verwendungszweck (ABl. L 319 vom 14.12.2018)

OJ L 103, 12.4.2019, p. 60–60 (BG, ES, CS, DA, DE, ET, EL, EN, FR, HR, IT, LV, LT, HU, MT, NL, PL, PT, RO, SK, SL, FI, SV)

ELI: http://data.europa.eu/eli/reg_del/2018/1922/corrigendum/2019-04-12/oj

12.4.2019   

DE

Amtsblatt der Europäischen Union

L 103/60


Berichtigung der Delegierten Verordnung (EU) 2018/1922 der Kommission vom 10. Oktober 2018 zur Änderung der Verordnung (EG) Nr. 428/2009 des Rates über eine Gemeinschaftsregelung für die Kontrolle der Ausfuhr, der Verbringung, der Vermittlung und der Durchfuhr von Gütern mit doppeltem Verwendungszweck

( Amtsblatt der Europäischen Union L 319 vom 14. Dezember 2018 )

Auf Seite 129, Punkt 3B001 Buchstabe f Nummer 3 und 4:

Anstatt:

„3.

Anlagen, besonders konstruiert für die Maskenherstellung mit allen folgenden Eigenschaften:

a)

abgelenkten, fokussierten Elektronenstrahlen, Ionenstrahlen oder ‚Laser‘-Strahlen und

b)

mit einer der folgenden Eigenschaften:

1.

Fokusgröße (spot size) mit einer Halbwertsbreite (full-width half-maximum (FWHM)) kleiner als 65 nm und einer Justiergenauigkeit (image placement) kleiner als 17 nm (Mittelwert + 3 Sigma) oder

2.

nicht belegt;

3.

Überdeckungsfehler (overlay error) der zweiten Schicht auf der Maske kleiner als 23 nm (Mittelwert + 3 Sigma),

4.

Anlagen für die Halbleiterherstellung, die Direktschreibverfahren verwenden, mit allen folgenden Eigenschaften:

a)

abgelenkten, fokussierten Elektronenstrahlen und

b)

mit einer der folgenden Eigenschaften:

1.

Mindeststrahlgröße (Minimum beam size) kleiner/gleich 15 nm oder

2.

Überdeckungsfehler (overlay error) kleiner als 27 nm (Mittelwert + 3 Sigma),“

muss es heißen:

„3.

Anlagen, besonders konstruiert für die Maskenherstellung mit allen folgenden Eigenschaften:

a)

abgelenkten, fokussierten Elektronenstrahlen, Ionenstrahlen oder ‚Laser‘-Strahlen und

b)

mit einer der folgenden Eigenschaften:

1.

Fokusgröße (spot size) mit einer Halbwertsbreite (full-width half-maximum (FWHM)) kleiner als 65 nm und einer Justiergenauigkeit (image placement) kleiner als 17 nm (Mittelwert + 3 Sigma) oder

2.

nicht belegt;

3.

Überdeckungsfehler (overlay error) der zweiten Schicht auf der Maske kleiner als 23 nm (Mittelwert + 3 Sigma),

4.

Anlagen für die Halbleiterherstellung, die Direktschreibverfahren verwenden, mit allen folgenden Eigenschaften:

a)

abgelenkten, fokussierten Elektronenstrahlen und

b)

mit einer der folgenden Eigenschaften:

1.

Mindeststrahlgröße (Minimum beam size) kleiner/gleich 15 nm oder

2.

Überdeckungsfehler (overlay error) kleiner als 27 nm (Mittelwert + 3 Sigma),“


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