Summary of Commission Decision

Rezumatul Deciziei Comisiei

of 19 May 2010

din 19 mai 2010

relating to a proceeding under Article 101 of TFEU [1] and Article 53 of the EEA Agreement

privind o procedură inițiată în temeiul articolului 101 din TFUE [1] și al articolului 53 din Acordul privind SEE

(Case COMP/38.511 — DRAMs)

(Cazul COMP/38.511 – Memoriile DRAM)

(notified under document C(2010) 3152 final)

[notificat cu numărul C(2010) 3152 final]

(Only the English, German and French texts versions are authentic)

(Numai textele în limbile engleză, germană și franceză sunt autentice)

(Text with EEA relevance)

(Text cu relevanță pentru SEE)

2011/C 180/09

2011/C 180/09

On 19 May 2010, the Commission adopted a decision relating to a proceeding under Article 101 of the TFEU and Article 53 of the EEA Agreement. In accordance with the provisions of Article 30 of Council Regulation (EC) No 1/2003 [2], the Commission herewith publishes the names of the parties and the main content of the decision, including any penalties imposed, having regard to the legitimate interest of undertakings in the protection of their business secrets. A non-confidential version of the decision is available on the Competition Directorate General website at the following address:

La data de 19 mai 2010, Comisia a adoptat o decizie privind o procedură inițiată în temeiul articolului 101 din Tratatul TFUE și al articolului 53 din Acordul privind SEE. În conformitate cu dispozițiile articolului 30 din Regulamentul (CE) nr. 1/2003 al Consiliului [2], Comisia publică în prezentul document numele părților și conținutul principal al deciziei, inclusiv eventualele sancțiuni impuse, luând în considerare interesul legitim al întreprinderilor de a-și proteja secretele de afaceri. O versiune neconfidențială a deciziei este disponibilă pe site-ul internet al Direcției Generale Concurență, la adresa:

http://ec.europa.eu/competition/antitrust/cases/

http://ec.europa.eu/competition/antitrust/cases/

INTRODUCTION

INTRODUCERE

(1) The Decision is addressed to 10 undertakings and relates to a single and continuous infringement of Article 101 of the TFEU and Article 53 of the EEA Agreement.

(1) Decizia se adresează unui număr de 10 întreprinderi și face referire la o încălcare unică și continuă a articolului 101 din TFUE și a articolului 53 din Acordul privind SEE.

1. CASE DESCRIPTION

1. DESCRIEREA CAZULUI

1.1. Procedure

1.1. Procedura

(2) This case was triggered by an immunity application submitted on 29 August 2002 by Micron. Conditional immunity was granted to Micron in December 2002. Between December 2003 and February 2006, Infineon, Hynix, Samsung, Elpida and NEC applied for leniency to the Commission. The first request for information was sent in March 2003 and a series of requests for information were sent at later stages.

(2) Acest caz a fost declanșat de o cerere de imunitate prezentată la 29 august 2002 de către Micron, căreia i s-a acordat imunitate condiționată în decembrie 2002. În perioada decembrie 2003-februarie 2006, întreprinderile Infineon, Hynix, Samsung, Elpida și NEC au solicitat clemență din partea Comisiei. Prima cerere de informații a fost trimisă în martie 2003, iar ulterior au fost trimise o serie de astfel de cereri.

(3) The settlement procedure allows the Commission to settle cases through a simplified procedure and was created in June 2008 [3]. The settlement discussions in this case took place as from March 2009 after the companies indicated that they were prepared to engage in such discussions. Subsequently, in December 2009, they all introduced formal settlement submissions in which they clearly and unequivocally acknowledged their respective liability for the infringement. A Statement of Objections reflecting the parties’ submissions was notified to them on 8 February this year and the parties all confirmed that its content reflected their submissions and they remained interested in the settlement procedure. The Advisory Committee on Restrictive Practices and Dominant Positions issued a favourable opinion on 7 May 2010 and the Commission adopted the Decision on 19 May 2010.

(3) În temeiul procedurii de tranzacționare, Comisia poate lua decizii în anumite cazuri printr-o procedură simplificată, creată în iunie 2008 [3]. Discuțiile privind tranzacționarea în acest caz au început în martie 2009, după ce întreprinderile au precizat că erau pregătite să înceapă discuțiile în acest sens. Prin urmare, în decembrie 2009, toate aceste întreprinderi au prezentat propuneri oficiale de tranzacționare prin care își recunoșteau în mod clar și fără echivoc responsabilitatea individuală în ceea ce privește încălcarea. O comunicare a obiecțiunilor care reflectă propunerile de tranzacționare ale părților le-a fost notificată la data de 8 februarie a acestui an; toate părțile au confirmat că propunerile lor se regăseau în conținutul comunicării și că erau în continuare interesate să urmărească procedura de tranzacționare. Comitetul consultativ în materie de practici restrictive și poziții dominante a emis un aviz favorabil la 7 mai 2010, iar Comisia a adoptat decizia la 19 mai 2010.

1.2. Summary of the infringement

1.2. Rezumatul încălcării

(4) The Decision concerns a single and continuous infringement of Article 101 of the TFEU and Article 53 of the EEA Agreement in the EEA. Parties to the infringement entered into a scheme and/or network of contacts and secret information sharing by which they coordinated their conduct on general pricing levels and quotations to major PC/server Original Equipment Manufacturers ("OEMs"), ultimately amounting to price coordination vis-à-vis such clients. This was done with the aim of restricting competition in respect of major PC/server OEMs with regard to the sale of Dynamic Random Access Memory (all 10 undertakings) and also for the sale of Rambus DRAMs (only Toshiba, Samsung and Elpida), from 1 July 1998 until 15 June 2002 in respect of DRAMs and from 9 April 2001 until 15 June 2002 in respect of Rambus DRAMs.

(4) Decizia vizează o încălcare unică și continuă a articolului 101 din TFUE și a articolului 53 din Acordul privind SEE. Părțile care au participat la încălcare au intrat într-o schemă și/sau rețea de contacte și de schimb de informații secrete prin care și-au coordonat comportamentul în ceea ce privește nivelurile generale ale prețurilor și ofertelor de prețuri prezentate marilor producători de echipamente originale (PEO) specializați în domeniul calculatoarelor/serverelor, ceea ce dus, în cele din urmă, la o coordonare a prețurilor față de astfel de clienți. Acest comportament viza limitarea concurenței în cazul principalilor PEO specializați în domeniul calculatoarelor/serverelor în ceea ce privește vânzarea memoriei dinamice cu acces aleatoriu (toate cele zece întreprinderi) și a memoriilor Rambus DRAM (numai Toshiba, Samsung și Elpida), în perioada 1 iulie 1998- 15 iunie 2002 în ceea ce privește memoriile DRAM și 9 aprilie 2001- 15 iunie 2002 în ceea ce privește memoriile Rambus DRAM.

1.3. Addressees and duration in the infringements

1.3. Destinatarii și durata încălcărilor

(5) The following undertakings infringed Article 101 of the TFEU and Article 53 of the EEA Agreement by participating, during the periods indicated below, in anti-competitive courses of conduct amounting to price coordination in respect of major PC/server OEMs respectively for DRAM and Rambus DRAM products:

(5) Următoarele întreprinderi au încălcat articolul 101 din TFUE și articolul 53 din Acordul privind SEE prin adoptarea, în perioadele menționate mai jos, a unui comportament anticoncurențial care consta în coordonarea prețurilor față de principalii PEO specializați în domeniul calculatoarelor/serverelor în ceea ce privește produsele DRAM și Rambus DRAM:

(a) Micron Technology, Inc. from 1 July 1998 until 15 June 2002;

(a) Micron Technology, Inc., în perioada 1 iulie 1998- 15 iunie 2002;

(b) Micron Europe Limited from 1 July 1998 until 15 June 2002;

(b) Micron Europe Limited, în perioada 1 iulie 1998- 15 iunie 2002;

(c) Micron Semiconductor (Deutschland) GmbH from 1 July 1998 until 15 June 2002;

(c) Micron Semiconductor (Deutschland) GmbH, în perioada 1 iulie 1998- 15 iunie 2002;

(d) Infineon Technologies AG from 14 November 1998 until 15 June 2002;

(d) Infineon Technologies AG, în perioada 14 noiembrie 1998- 15 iunie 2002;

(e) Hynix Semiconductor Inc. from 1 July 1998 until 15 June 2002;

(e) Hynix Semiconductor Inc., în perioada 1 iulie 1998- 15 iunie 2002;

(f) Hynix Semiconductor Europe Holding Ltd. from 1 July 1998 until 15 June 2002;

(f) Hynix Semiconductor Europe Holding Ltd., în perioada 1 iulie 1998- 15 iunie 2002;

(g) Hynix Semiconductor Deutschland GmbH from 1 July 1998 until 15 June 2002;

(g) Hynix Semiconductor Deutschland GmbH, în perioada 1 iulie 1998- 15 iunie 2002;

(h) Hynix Semiconductor United Kingdom, Ltd. from 1 July 1998 until 15 June 2002;

(h) Hynix Semiconductor United Kingdom, Ltd., în perioada 1 iulie 1998- 15 iunie 2002;

(i) Samsung Electronics Co. Ltd. from 1 July 1998 until 15 June 2002 for DRAMs (and from 9 April 2001 until 15 June 2002 for Rambus DRAMs);

(i) Samsung Electronics Co. Ltd., în perioada 1 iulie 1998- 15 iunie 2002 în ceea ce privește memoriile DRAM (și în perioada 9 aprilie 2001- 15 iunie 2002 în ceea ce privește memoriile Rambus DRAM);

(j) Samsung Semiconductor Europe GmbH from 1 July 1998 until 15 June 2002 for DRAMs (and from 9 April 2001 until 15 June 2002 for Rambus DRAMs);

(j) Samsung Semiconductor Europe GmbH, în perioada 1 iulie 1998- 15 iunie 2002 în ceea ce privește memoriile DRAM (și în perioada 9 aprilie 2001- 15 iunie 2002 în ceea ce privește memoriile Rambus DRAM);

(k) Samsung Semiconductor Europe Ltd. from 1 July 1998 until 15 June 2002 for DRAMs (and from 9 April 2001 until 15 June 2002 for Rambus DRAMs);

(k) Samsung Semiconductor Europe Ltd., în perioada 1 iulie 1998- 15 iunie 2002 în ceea ce privește memoriile DRAM (și în perioada 9 aprilie 2001- 15 iunie 2002 în ceea ce privește memoriile Rambus DRAM);

(l) Samsung Semiconductor France Sarl from 1 July 1998 until 15 June 2002 for DRAMs (and from 9 April 2001 until 15 June 2002 for Rambus DRAMs);

(l) Samsung Semiconductor France Sarl, în perioada 1 iulie 1998- 15 iunie 2002 în ceea ce privește memoriile DRAM (și în perioada 9 aprilie 2001- 15 iunie 2002 în ceea ce privește memoriile Rambus DRAM);

(m) NEC Corporation from 1 July 1998 until 28 February 2001 and indirectly through Elpida as from 1 March 2001 until 15 June 2002;

(m) NEC Corporation în perioada 1 iulie 1998- 28 februarie 2001 și indirect, prin intermediul Elpida, în perioada 1 martie 2001- 15 iunie 2002;

(n) Renesas Electronics Europe GmbH (formerly NEC Electronics (Europe) GmbH until 1 April 2010) from 1 July 1998 until 28 February 2001;

(n) Renesas Electronics Europe GmbH [fosta NEC Electronics (Europa) GmbH până la 1 aprilie 2010], în perioada 1 iulie 1998- 28 februarie 2001;

(o) NEC Electronics (UK) Ltd. from 1 July 1998 until 28 February 2001;

(o) NEC Electronics (UK) Ltd., în perioada 1 iulie 1998- 28 februarie 2001;

(p) Hitachi Ltd. from 9 November 1998 until 28 February 2001 and indirectly through Elpida as from 1 March 2001 until 15 June 2002;

(p) Hitachi Ltd., în perioada 9 noiembrie 1998- 28 februarie 2001 și indirect, prin intermediul Elpida, în perioada 1 martie 2001- 15 iunie 2002;

(q) Hitachi Europe Ltd. from 9 November 1998 until 28 February 2001;

(q) Hitachi Europe Ltd., în perioada 9 noiembrie 1998- 28 februarie 2001;

(r) Mitsubishi Electric Corp. from 24 November 1998 until 15 June 2002;

(r) Mitsubishi Electric Corp., în perioada 24 noiembrie 1998- 15 iunie 2002;

(s) Mitsubishi Electric Europe BV from 24 November 1998 until 15 June 2002;

(s) Mitsubishi Electric Europe BV, în perioada 24 noiembrie 1998- 15 iunie 2002;

(t) Toshiba Corp. from 1 July 1998 until 22 April 2002 for DRAMs (and from 9 April 2001 until 22 April 2002 for Rambus DRAMs);

(t) Toshiba Corp., în perioada 1 iulie 1998- 22 aprilie 2002 în ceea ce privește memoriile DRAM (și 9 aprilie 2001- 22 aprilie 2002 în ceea ce privește memoriile Rambus DRAM);

(u) Toshiba Electronics Europe GmbH from 1 July 1998 until 22 April 2002 for DRAMs (and from 9 April 2001 until 22 April 2002 for Rambus DRAMs);

(u) Toshiba Electronics Europe GmbH, în perioada 1 iulie 1998- 22 aprilie 2002 în ceea ce privește memoriile DRAM (și în perioada 9 aprilie 2001- 22 aprilie 2002 în ceea ce privește memoriile Rambus DRAM);

(v) Elpida Memory Inc. from 1 March 2001 until 15 June 2002 for DRAMs (and from 9 April 2001 until 15 June 2002 for Rambus DRAMs);

(v) Elpida Memory Inc., în perioada 1 martie 2001- 15 iunie 2002 în ceea ce privește memoriile DRAM (și 9 aprilie 2001- 15 iunie 2002 în ceea ce privește memoriile Rambus DRAM);

(w) Elpida Memory (Europe) GmbH from 1 March 2001 until 15 June 2002 for DRAMs (and from 9 April 2001 until 15 June 2002 for Rambus DRAMs); and

(w) Elpida Memory (Europe) GmbH, în perioada 1 martie 2001- 15 iunie 2002 în ceea ce privește memoriile DRAM (și 9 aprilie 2001- 15 iunie 2002 în ceea ce privește memoriile Rambus DRAM); precum și

(x) Nanya Technology Corp. from 12 October 2001 until 15 June 2002.

(x) Nanya Technology Corp., în perioada 12 octombrie 2001- 15 iunie 2002.

1.4. Remedies

1.4. Măsuri corective

(6) The Decision applies the 2006 Guidelines on Fines [4]. With the exception of Micron Technology, Inc., Micron Europe Limited and Micron Semiconductor (Deutschland) GmbH, the Decision imposes fines on all companies listed under recital (5) above. However, the Decision does not take into account Samsung's Rambus DRAMs sales when setting the fine to be imposed on Samsung as set out in recital (13) below.

(6) Decizia aplică Orientările din 2006 privind amenzile [4]. Cu excepția întreprinderilor Micron Technology, Inc., Micron Europe Limited și Micron Semiconductor (Deutschland) GmbH, decizia impune amenzi tuturor întreprinderilor menționate la punctul (5). Cu toate acestea, decizia nu ține cont de vânzările de memorii Rambus DRAM ale întreprinderii Samsung în stabilirea amenzii care urmează să fie impusă acesteia în conformitate cu punctul (13) de mai jos.

1.4.1. Basic amount of the fine

1.4.1. Cuantumul de bază al amenzii

(7) The basic amount of fine is set at 16 % of the undertakings’ sales of DRAMs (including Rambus DRAMs where applicable) [5] to major PC/server OEMs in the EEA.

(7) Cuantumul de bază al amenzii este stabilit la 16 % din vânzările de memorii DRAM (inclusiv de memorii Rambus DRAM, după caz) [5] ale acestor întreprinderi către PEO în domeniul calculatoarelor/serverelor din cadrul SEE.

(8) The basic amount is multiplied by the number of years of participation in the infringement in order to take fully into account the duration of the participation for each undertaking in the infringement individually.

(8) Cuantumul de bază este înmulțit cu numărul de ani de participare la încălcare pentru a se ține seama de durata participării individuale a fiecărei întreprinderi la încălcare.

1.4.2. Adjustments to the basic amount

1.4.2. Ajustări aduse cuantumului de bază

1.4.2.1. Aggravating circumstances

1.4.2.1. Circumstanțe agravante

(9) There are no aggravating circumstances in this case.

(9) Nu există circumstanțe agravante în acest caz.

1.4.2.2. Mitigating circumstances

1.4.2.2. Circumstanțe atenuante

(10) Due to mitigating circumstances, the fine for three (out of 10) undertakings were reduced. Hynix received a reduction of 5 % as a result of the very specific circumstances applicable to the undertaking during 2001 [6]. Toshiba and Mitsubishi received a reduction of 10 % each as the involvement of both Toshiba and Mitsubishi was much lower than that of other suppliers throughout the relevant period.

(10) Datorită circumstanțelor atenuante, amenda a fost redusă în cazul a trei (din zece) întreprinderi. Hynix a beneficiat de o reducere de 5 % ca urmare a unor circumstanțe extrem de specifice aplicabile acestei întreprinderi în anul 2001 [6]. Toshiba și Mitsubishi au primit fiecare câte o reducere de 10 %, întrucât acestea au fost mult mai puțin implicate decât alți furnizori în perioada respectivă.

1.4.2.3. Specific increase for deterrence

1.4.2.3. Majorări specifice cu efect disuasiv

(11) Based on the size of the undertakings concerned, it is appropriate to apply a multiplier factor to the fines imposed. On that basis, the fine for Hitachi is multiplied by 1.2 while the fine for Samsung and Toshiba is multiplied by 1.1.

(11) Având în vedere dimensiunea întreprinderilor vizate, trebuie aplicat un factor multiplicator amenzilor impuse. Astfel, în cazul întreprinderii Hitachi, amenda aplicată se înmulțește cu 1,2, iar în cazul întreprinderilor Samsung și Toshiba, cu 1,1.

1.4.3. Application of the 10 % turnover limit

1.4.3. Aplicarea plafonului de 10 % din cifra de afaceri

(12) It is not required to adjust the amounts in the light of the undertakings’ turnover in this case.

(12) Având în vedere cifra de afaceri a întreprinderilor, în acest caz nu este necesară ajustarea amenzilor.

1.4.4. Application of the 2002 Leniency Notice

1.4.4. Aplicarea Comunicării privind politica de clemență din 2002

(13) Micron is granted immunity from fines, Infineon is granted a 45 % reduction of fine, Hynix is granted a 27 % reduction of fine and Samsung, Elpida and NEC are each granted a 18 % reduction of fine. In addition, Samsung is granted a "de facto" immunity in relation to Rambus DRAMs, on top of the reduction within its leniency band in relation to DRAMs.

(13) Întreprinderii Micron i se acordă imunitate la amenzi, Infineon beneficiază de o reducere cu 45 % a amenzii, Hynix de o reducere cu 27 %, iar Samsung, Elpida și NEC beneficiază fiecare de o reducere cu 18 % a amenzii. În plus, Samsung beneficiază de imunitate "de facto" în ceea ce privește memoriile Rambus DRAM, pe lângă reducerea acordată în virtutea clemenței în ceea ce privește memoriile DRAM.

2. FINES IMPOSED BY THE DECISION

2. AMENZI IMPUSE PRIN DECIZIE

(14) For the single and continuous infringement dealt with in this Decision, the following fines are imposed:

(14) Pentru încălcarea unică și continuă vizată în prezenta directivă, se impun următoarele amenzi:

(a) Jointly and severally on Micron Technology Inc., Micron Europe Limited and Micron Semiconductor (Deutschland) GmbH: EUR 0;

(a) în mod solidar întreprinderilor Micron Technology Inc., Micron Europe Limited și Micron Semiconductor (Deutschland) GmbH: 0 EUR;

(b) On Infineon Technology AG: EUR 56700000;

(b) întreprinderii Infineon Technology AG: 56700000 EUR;

(c) Jointly and severally on Hynix Semiconductor Inc., Hynix Semiconductor Europe Holding Ltd., Hynix Semiconductor Deutschland GmbH and Hynix Semiconductor United Kingdom, Ltd: EUR 51471000;

(c) în mod solidar întreprinderilor Hynix Semiconductor Inc., Hynix Semiconductor Europe Holding Ltd., Hynix Semiconductor Deutschland GmbH și Hynix Semiconductor United Kingdom, Ltd: 51471000 EUR;

(d) Jointly and severally on Samsung Electronics Co. Ltd., Samsung Semiconductor Europe GmbH, Samsung Semiconductor Europe Ltd. and Samsung Semiconductor France Sarl: EUR 145728000;

(d) în mod solidar întreprinderilor Samsung Electronics Co. Ltd., Samsung Semiconductor Europe GmbH, Samsung Semiconductor Europe Ltd. și Samsung Semiconductor France Sarl: 145728000 EUR;

(e) Jointly and severally on NEC Corporation, Renesas Electronics Europe GmbH (formerly NEC Electronics (Europe) GmbH until 1 April 2010) and NEC Electronics (UK) Ltd.: EUR 10296000;

(e) în mod solidar întreprinderilor NEC Corporation, Renesas Electronics Europe GmbH [fosta NEC Electronics (Europa) GmbH până la 1 aprilie 2010] și NEC Electronics (UK) Ltd.: 10296000 EUR;

(f) Jointly and severally on Hitachi Ltd. and Hitachi Europe Ltd: EUR 20412000;

(f) în mod solidar întreprinderilor Hitachi Ltd. și Hitachi Europe Ltd.: 20412000 EUR;

(g) Jointly and severally on Mitsubishi Electric Corp. and Mitsubishi Electric Europe BV: EUR 16605000;

(g) în mod solidar întreprinderilor Mitsubishi Electric Corp. și Mitsubishi Electric Europe BV: 16605000 EUR;

(h) Jointly and severally on Toshiba Corp. and Toshiba Electronics Europe GmbH: EUR 17641800;

(h) în mod solidar întreprinderilor Toshiba Corp. și Toshiba Electronics Europe GmbH: 17641800 EUR;

(i) Jointly and severally on Elpida Memory, Inc. and Elpida Memory (Europe) GmbH, NEC Corporation and Hitachi Ltd: EUR 8496000;

(i) în mod solidar întreprinderilor Elpida Memory, Inc. și Elpida Memory (Europe) GmbH, NEC Corporation și Hitachi Ltd.: 8496000 EUR;

(j) On Nanya Technology Corp.: EUR 1800000; and

(j) întreprinderii Nanya Technology Corp.: 1800000 EUR; și

(k) Jointly and severally on NEC Corporation and Hitachi Ltd.: EUR 2124000.

(k) în mod solidar întreprinderilor NEC Corporation și Hitachi Ltd.: 2124000 EUR.

[1] With effect from 1 December 2009, Articles 81 and 82 of the EC Treaty have become Articles 101 and, respectively, 102 of the TFEU. The two sets of provisions are in substance identical. For the purposes of this Decision references to Articles 81 and 82 of the EC Treaty should be now understood as references to Articles 101 and 102 of the TFEU when appropriate.

[1] Începând cu data de 1 decembrie 2009, articolele 81 și 82 din Tratatul CE au devenit articolele 101, respectiv 102 din TFUE. Cele două seturi de dispoziții sunt, în esență, identice. În sensul prezentei decizii, trimiterile la articolele 81 și 82 din Tratatul CE ar trebui înțelese ca trimiteri la articolele 101 și 102 din TFUE, atunci când este cazul.

[2] OJ L 1, 4.1.2003, p. 1. Regulation as amended by Regulation (EC) No 411/2004 (OJ L 68, 6.3.2004, p. 1). With effect from 1 December 2009, Articles 81 and 82 of the EC Treaty have become Articles 101 and, respectively, 102 of the TFEU. The two sets of provisions are in substance identical. For the purposes of this Decision references to Articles 81 and 82 of the EC Treaty should be now understood as references to Articles 101 and 102 of the TFEU when appropriate.

[2] JO L 1, 4.1.2003, p. 1. Regulament modificat prin Regulamentul (CE) nr. 411/2004 (JO L 68, 6.3.2004, p. 1). Începând cu data de 1 decembrie 2009, articolele 81 și 82 din Tratatul CE au devenit articolele 101, respectiv 102 din TFUE. Cele două seturi de dispoziții sunt, în esență, identice. În sensul prezentei decizii, trimiterile la articolele 81 și 82 din Tratatul CE ar trebui înțelese ca trimiteri la articolele 101 și 102 din TFUE, atunci când este cazul.

[3] Commission Regulation (EC) No 622/2008 of 30 June 2008 amending Regulation (EC) No 773/2004, as regards the conduct of settlement procedures in cartel cases (OJ L 171, 1.7.2008, p. 3) and Commission Notice on the conduct of settlement procedures in view of the adoption of Decisions pursuant to Article 7 and Article 23 of Council Regulation (EC) No 1/2003 in cartel cases (OJ C 167, 2.7.2008, pp. 1-6).

[3] Regulamentul (CE) nr. 622/2008 al Comisiei din 30 iunie 2008 de modificare a Regulamentului (CE) nr. 773/2004 în ceea ce privește desfășurarea procedurii de tranzacționare în cazurile privind cartelurile, JO L 171, 1.7.2008, p. 3 și Comunicarea Comisiei privind desfășurarea procedurilor de tranzacție în vederea adoptării deciziilor, în temeiul articolelor 7 și 23 din Regulamentul (CE) nr. 1/2003 al Consiliului în cazurile privind cartelurile, JO C 167, 2.7.2008, pp. 1-6.

[4] OJ C 210, 1.9.2006, p. 2.

[4] JO C 210, 1.9.2006, p. 2.

[5] For the calculation of the fine to be imposed on Micron, Hynix, Infineon, Mitsubishi and Nanya, account was taken only of the value of sales of DRAMs products to the exclusion of Rambus DRAMs products if any. As mentioned, Samsung's Rambus DRAMs sales were moreover not taken into account when calculating the fine to be imposed on Samsung.

[5] Pentru calcularea amenzii impuse întreprinderilor Micron, Hynix, Infineon, Mitsubishi și Nanya, s-a ținut seama doar de valoarea vânzărilor de produse DRAM, nu și de vânzarea unor eventuale produse Rambus DRAM. Așa cum s-a menționat, vânzările de memorii Rambus DRAM înregistrate de Samsung nu au fost luate în considerare nici atunci când s-a calculat amenda care urma să fie aplicată întreprinderii Samsung.

[6] As established in earlier Commission proceedings on anti-subsidies in the EU, please refer to Commission Regulation (EC) No 708/2003 of 23.4.2003, para 148 and ff., confirmed by Commission Regulation (EC) No 1408/2003 of 11.8.2003.

[6] Potrivit procedurilor anterioare ale Comisiei referitoare la antisubvenții în UE, vă invităm să consultați Regulamentul (CE) nr. 708/2003 al Comisiei din 23 aprilie 2003, punctul 148 și următoarele, confirmate și în Regulamentul (CE) nr. 1408/2003 al Comisiei din 11 august 2003.

--------------------------------------------------

--------------------------------------------------