Rozporz±dzenie Rady (WE) nr 1504/2004 z dnia 19 lipca 2004 r. zmieniaj±ce i aktualizuj±ce rozporz±dzenie (WE) nr 1334/2000 ustanawiaj±ce wspólnotowy system kontroli wywozu produktów i technologii podwójnego zastosowania

RADA UNII EUROPEJSKIEJ

uwzglêdniaj±c Traktat ustanawiaj±cy Wspólnotê Europejsk±, w szczególno¶ci jego art. 133,

uwzglêdniaj±c wniosek Komisji,

a tak¿e maj±c na uwadze, co nastêpuje:

(1) Rozporz±dzenie Rady (WE) nr 1334/2000(1) wymaga, aby produkty podwójnego zastosowania (w tym oprogramowanie i technologia) podlega³y skutecznej kontroli podczas wywozu ze Wspólnoty.

(2) W celu umo¿liwienia Pañstwom Cz³onkowskim i Wspólnocie wype³nienia zobowi±zañ miêdzynarodowych za³±cznik I do rozporz±dzenia (WE) nr 1334/2000 ustanawia wspólny wykaz produktów i technologii podwójnego zastosowania, okre¶lonych w art. 3 tego rozporz±dzenia, które wprowadza uzgodnione na poziomie miêdzynarodowym kontrole podwójnego zastosowania, w tym Porozumienie z Wassenaar, System Kontrolny Technologii Rakietowych (MTCR), Grupê Dostawców Sprzêtu J±drowego (NSG), Grupê Australijsk± i Konwencjê o zakazie broni chemicznej (CWC).

(3) Artyku³ 11 rozporz±dzenia (WE) nr 1334/2000 okre¶la, ¿e za³±cznik I i IV zostan± uaktualnione zgodnie z odpowiednimi obowi±zkami i zobowi±zaniami oraz ewentualnymi zmianami do nich, które ka¿de Pañstwo Cz³onkowskie przyjê³o jako cz³onek miêdzynarodowych systemów nierozprzestrzeniania oraz uzgodnieñ dotycz±cych kontroli wywozu, lub w wyniku ratyfikacji odpowiednich traktatów miêdzynarodowych.

(4) Nale¿y zmieniæ za³±cznik I do rozporz±dzenia (WE) nr 1334/2000 w celu uwzglêdnienia zmian przyjêtych w ramach Porozumienia z Wassenaar, Grupy Australijskiej i Systemu Kontrolnego Technologii Rakietowych pó¼niejszych w stosunku do zmian wprowadzonych rozporz±dzeniem nr 149/2003(2) z dnia 27 stycznia 2003 r.

(5) Rozporz±dzeniem Rady (WE) nr 885/2004 zmienione czê¶ci± 3 za³±cznika II do rozporz±dzenia (WE) nr 1334/2000 w celu usuniêcia Republiki Czeskiej, Wêgier i Polski z bie¿±cego wykazu pañstw, wzglêdem których stosuje siê Wspólnotowe Pozwolenie na Wywóz.

(6) W celu u³atwienia konsultacji organom kontroli wywozu i podmiotom gospodarczym konieczne jest opublikowanie uaktualnionej i ujednoliconej wersji za³±czników do rozporz±dzenia (WE) nr 1334/2000, uwzglêdniaj±cej wszystkie zmiany przyjête przez Pañstwa Cz³onkowskie na forach miêdzynarodowych w okresie od grudnia 2002 r. do grudnia 2003 r.

(7) Rozporz±dzenie (WE) nr 1334/2000 powinno zostaæ odpowiednio zmienione,

PRZYJMUJE NINIEJSZE ROZPORZ¡DZENIE:

Artyku³ 1

Za³±czniki do rozporz±dzenia (WE) nr 1334/2000 zastêpuje siê tekstem znajduj±cym siê w za³±czniku do niniejszego rozporz±dzenia.

Artyku³ 2

Niniejsze rozporz±dzenie wchodzi w ¿ycie trzydziestego dnia po jego opublikowaniu w Dzienniku Urzêdowym Unii Europejskiej .

Niniejsze rozporz±dzenie wi±¿e w ca³o¶ci i jest bezpo¶rednio stosowane we wszystkich Pañstwach Cz³onkowskich.

Sporz±dzono w Brukseli, dnia 19 lipca 2004 r.

W imieniu Rady

P. H. Donner

Przewodnicz±cy

(1) Dz.U. L 159 z 30.6.2000, str. 1. Rozporz±dzenie ostatnio zmienione rozporz±dzeniem (WE) nr 885/2004 (Dz.U. L 168 z 1.5.2004, str. 1).

(2) Dz.U. L 30 z 5.2.2003, str. 1.

ZA£¡CZNIK I

LISTA TOWARÓW I TECHNOLOGII PODWÓJNEGO ZASTOSOWANIA

(odnosz±ca siê do art. 3 rozporz±dzenia (WE) nr 1334/2000)

Niniejszy wykaz wprowadza uzgodnione na poziomie miêdzynarodowym kontrole podwójnego zastosowania, w tym Porozumienie z Wassenaar, System Kontrolny Technologii Rakietowych (MTCR), Grupa Dostawców Sprzêtu J±drowego (NSG), Grupa Australijska i Konwencja o Zakazie Broni Chemicznej (CWC). Nie zosta³y uwzglêdnione produkty, które Pañstwa Cz³onkowskie chc± umie¶ciæ w wykazie produktów wy³±czonych. Nie uwzglêdniono jakiejkolwiek kontroli krajowej (kontrola pochodzenia pozasystemowego), która mo¿e byæ utrzymana przez Pañstwa Cz³onkowskie.

UWAGI OGÓLNE DO ZA£¡CZNIKA I:

1. W przypadku towarów, które s± zaprojektowane lub zmodyfikowane do zastosowañ wojskowych, nale¿y sprawdziæ tak¿e odpowiedni± listê kontroln± uzbrojenia publikowan± w danym Kraju Cz³onkowskim. Odsy³acz, który mówi «Sprawd¼ tak¿e Wykaz uzbrojenia » , odnosi siê do tych list.

2. Obowi±zek kontroli na³o¿ony niniejszym wykazem nie mo¿e byæ omijany przez eksport jakichkolwiek dóbr niepodlegaj±cych kontroli (w³±cznie z fabrykami) zawieraj±cych jeden lub wiêcej komponentów podlegaj±cych kontroli, gdy kontrolowany komponent lub komponenty s± zasadniczymi elementami tych dóbr i mo¿liwe jest ich wydzielenie i zastosowanie do innych celów.

N.B.: Przy rozstrzyganiu, czy kontrolowany komponent lub komponenty maj± byæ uwa¿ane za elementy zasadnicze, konieczne jest rozwa¿enie czynników: ilo¶ci, warto¶ci, zawarto¶ci technologicznego know-how i innych szczególnych okoliczno¶ci, które mog± zdecydowaæ, ¿e kontrolowany komponent lub komponenty s± zasadniczymi elementami dostarczanych dóbr.

3. Towary wymienione w niniejszym wykazie obejmuj± zarówno produkty nowe, jak i u¿ywane.

UWAGA DO TECHNOLOGII J¡DROWEJ (UdTJ):

(Czytaæ ³±cznie z grup± E kategorii 0)

«Technologia» bezpo¶rednio zwi±zana z jakimikolwiek towarami wymienionymi w kategorii 0 objêta jest kontrol± zgodnie z postanowieniami kategorii 0.

«Technologia» , która jest «niezbêdna» do «rozwoju» , «produkcji» lub «u¿ytkowania» towarów objêtych kontrol±, pozostaje pod tak± sam± kontrol± nawet wtedy, gdy mo¿e byæ stosowana do towarów tak± kontrol± nieobjêtych.

Zgoda na eksport okre¶lonych towarów upowa¿nia równie¿ do eksportu do tego samego u¿ytkownika minimalnej «technologii» wymaganej dla instalacji, dzia³ania, utrzymania i naprawy tych towarów.

Kontrole transferu «technologii» nie maj± zastosowania do informacji «bêd±cych w³asno¶ci± publiczn±» lub zwi±zanych z «podstawowymi badaniami naukowymi» .

UWAGA OGÓLNA DO TECHNOLOGII (UOdT):

(Czytaæ ³±cznie z grup± E kategorii od 1 do 9)

Eksport «technologii» , która jest «niezbêdna» do «rozwoju» , «produkcji» lub «u¿ytkowania» towarów wymienionych w kategoriach od 1 do 9, podlega kontroli na warunkach podanych w ka¿dej z tych kategorii.

«Technologia» , która jest «niezbêdna» do «rozwoju» , «produkcji» lub «u¿ytkowania» towarów objêtych kontrol±, pozostaje pod tak± sam± kontrol± nawet wtedy, gdy mo¿e byæ stosowana do towarów tak± kontrol± nieobjêtych.

Kontrol± eksportu nie obejmuje siê minimalnej «technologii» wymaganej do instalacji, dzia³ania, utrzymania i naprawy towarów niekontrolowanych lub takich, które uzyska³y odrêbnie zgodê na eksport.

N.B.: Powy¿sze nie zwalnia od kontroli «technologii» wyszczególnionych w pozycjach 1E002.e., 1E002.f., 8E002.a. i 8E002.b.

Kontrola transferu «technologii» nie ma zastosowania do informacji «bêd±cych w³asno¶ci± publiczn±» , zwi±zanych z «podstawowymi badaniami naukowymi» lub minimum informacji koniecznych przy sk³adaniu wniosków patentowych.

UWAGA OGÓLNA DO OPROGRAMOWANIA (UOdO):

(Niniejsza uwaga jest nadrzêdna w stosunku do zastrze¿eñ okre¶lonych w grupie D kategorii od 0 do 9)

Nie podlega kontroli «oprogramowanie» z kategorii 0 do 9 niniejszej listy, które jest:

a. ogólnie dostêpne poprzez:

1. sprzeda¿ gotowego oprogramowania w punktach sprzeda¿y detalicznej bez ¿adnych ograniczeñ w wyniku:

a. bezpo¶rednich transakcji sprzeda¿y,

b. transakcji realizowanych na zamówienie pocztowe,

c. transakcji zawieranych drog± elektroniczn±

d. transakcji realizowanych na zamówienie telefoniczne i

2. przygotowanie do samodzielnej instalacji przez u¿ytkownika bez konieczno¶ci dalszej pomocy sprzedawcy;

N.B.: Punkt a. Uwagi ogólnej do oprogramowania nie zwalnia od kontroli «oprogramowania» wymienionego w kategorii 5 - czê¶æ 2 ( «Bezpieczeñstwo informacji» ).

b. uznawane za «bêd±ce w³asno¶ci± publiczn±» .

DEFINICJE TERMINÓW U¯YWANYCH W WYKAZACH:

Definicje terminów w «cudzys³owie pojedynczym» podano w Uwadze Technicznej do odpowiedniej pozycji.

Definicje terminów w «cudzys³owie podwójnym» s± nastêpuj±ce:

N.B.: Odno¶niki do kategorii podano w nawiasach po zdefiniowanym terminie.

1. «Adaptacyjny dynamiczny wybór trasy» (5)

Automatyczna zmiana trasy w ruchu na podstawie odbieranych i analizowanych informacji o bie¿±cych warunkach w sieci.

N.B.: Nie dotyczy to przypadków decyzji o zmianie trasy podejmowanych na podstawie okre¶lonych wcze¶niej informacji.

2. «Algorytm asymetryczny» (5)

Algorytm kryptograficzny, w którym stosuje siê ró¿ne, powi±zane matematycznie, klucze do szyfrowania i deszyfrowania.

N.B.: Powszechnym zastosowaniem «algorytmu asymetrycznego» jest zarz±dzanie kluczami.

3. «Algorytm symetryczny» (5)

Algorytm kryptograficzny, w którym stosuje siê identyczne klucze do szyfrowania i deszyfrowania.

N.B.: Powszechnym zastosowaniem «algorytmu symetrycznego» jest utajnianie danych.

4. «Analizatory sygna³ów» (3)

Urz±dzenia do pomiaru i pokazywania podstawowych parametrów sygna³ów o jednej czêstotliwo¶ci, bêd±cych sk³adowymi sygna³ów wieloczêstotliwo¶ciowych.

5. «Analizatory sygna³ów dynamicznych» (3)

«Analizatory sygna³ów» , w których zastosowano techniki cyfrowego próbkowania i przekszta³cania w celu utworzenia obrazu widma Fouriera danej postaci fali, w³±cznie z informacjami o jej amplitudzie i fazie.

N.B.: Patrz tak¿e «Analizatory sygna³ów» .

6. «Atomizacja gazowa» (1)

Proces rozpylania strumienia stopionego metalu na kropelki o ¶rednicy 500 mikrometrów lub mniejszej za pomoc± strumienia gazu o wysokim ci¶nieniu.

7. «Atomizacja pró¿niowa» (1)

Proces rozpylania strumienia strumienia stopionego metalu na kropelki o ¶rednicy 500 mikrometrów lub mniejszej poprzez szybkie uwolnienie rozpuszczonego gazu w warunkach podci¶nienia.

8. «Atomizacja rotacyjna» (1)

Proces rozpylania strumienia lub jeziorka stopionego metalu na kropelki o ¶rednicy 500 mikrometrów lub mniejszej za pomoc± si³y od¶rodkowej.

9. «Automatyczne ¶ledzenie celu» (6)

Technika przetwarzania umo¿liwiaj±ca automatyczne okre¶lanie i podawanie na wyj¶ciu w czasie rzeczywistym ekstrapolowanej warto¶ci najbardziej prawdopodobnego po³o¿enia celu.

10. «Bicie promieniowe» (odchylenie od w³a¶ciwego ruchu) (2)

Promieniowe przemieszczenie g³ównego wrzeciona w ci±gu jednego obrotu, mierzone w p³aszczy¼nie prostopad³ej do osi wrzeciona w punkcie znajduj±cym siê na zewnêtrznej lub wewnêtrznej badanej powierzchni obrotowej. (Patrz: ISO 230 czê¶æ 1-1986, paragraf 5.61).

11. «Bicie osiowe» (2)

Przemieszczenie osiowe wrzeciona g³ównego podczas jednego obrotu, mierzone w p³aszczy¼nie prostopad³ej do czo³a wrzeciona, w punkcie s±siaduj±cym z obwodem czo³a wrzeciona (Patrz: ISO 230 Czê¶æ 1-1986, paragraf 5.63).

12. «Bezpo¶rednie wyt³aczanie hydrauliczne» (2)

Technika odkszta³cania, w której stosowana jest nape³niona p³ynem odkszta³calna poduszka, dzia³aj±ca bezpo¶rednio na powierzchniê obrabianego przedmiotu.

13. «Bêd±ce w³asno¶ci± publiczn±» (UOdT UdTJ UOdO)

W odniesieniu do niniejszego dokumentu oznacza «technologiê» lub «oprogramowanie» dostêpne bez ¿adnych ograniczeñ co do ich dalszego rozpowszechniania (ograniczenia wynikaj±ce z praw autorskich nie wykluczaj± uznania «technologii» lub «oprogramowania» za «bêd±ce w³asno¶ci± publiczn±» ).

14. «Ca³kowicie autonomiczny system cyfrowego sterowania silnikami» ( «FADEC» ) (7, 9)

Elektroniczny system sterowania turbin± gazow± lub silnikami o z³o¿onym cyklu, wykorzystuj±cy komputer cyfrowy do kontroli parametrów niezbêdnych do regulacji si³y ci±gu silnika lub mocy wyj¶ciowej na wale w ca³ym zakresie pracy silnika, od pocz±tku dozowania paliwa do odciêcia jego dop³ywu.

15. «Ca³kowita gêsto¶æ pr±du» (3)

Ca³kowita liczba amperozwojów w cewce (tj. suma liczby zwojów pomno¿ona przez maksymalne natê¿enie pr±du przenoszone przez ka¿dy zwój) podzielona przez ca³kowity przekrój poprzeczny cewki (sk³adaj±cej siê z w³ókienek nadprzewodz±cych, matrycy metalowej, w której osadzone s± w³ókienka nadprzewodz±ce, materia³u stanowi±cego obudowê, kana³ów ch³odz±cych itp.).

16. «Ca³kowita szybko¶æ transmisji cyfrowej» (5)

Liczba bitów, w³±cznie z bitami kodowymi linii, bitami nieinformacyjnymi i podobnymi, przep³ywaj±cych w jednostce czasu pomiêdzy odpowiednimi urz±dzeniami w cyfrowym systemie transmisji.

N.B.: Patrz tak¿e «szybko¶æ przesy³ania danych cyfrowych» .

17. «CE» - patrz «Element obliczeniowy» .

18. «Chwilowa szeroko¶æ pasma» (3, 5, 7)

Szeroko¶æ pasma, w którym moc wyj¶ciowa pozostaje na sta³ym poziomie z dok³adno¶ci± do 3 dB bez regulacji innych parametrów roboczych.

19. «CTP» - patrz «Teoretyczna moc kombinowana» .

20. «Cyrkulacyjne uk³ady równowa¿enia momentu lub cyrkulacyjne uk³ady sterowania kierunkiem» (7)

Uk³ady, w których przep³yw powietrza wokó³ powierzchni aerodynamicznych jest wykorzystywany do zwiêkszenia powstaj±cych na nich si³ albo do kierowania nimi.

21. «Czas prze³±czania czêstotliwo¶ci» (3, 5)

Maksymalny czas (tj. opó¼nienie), jakiego potrzebuje sygna³ przy prze³±czaniu siê z jednej wybranej czêstotliwo¶ci wyj¶ciowej na inn±, ¿eby osi±gn±æ:

a. Czêstotliwo¶æ ró¿ni±c± siê o 100 Hz od czêstotliwo¶ci koñcowej; lub

b. Poziom wyj¶ciowy ró¿ni±cy siê o 1 dB od koñcowego poziomu wyj¶ciowego.

22. «Czas trwania impulsu» (6)

Czas trwania impulsu «lasera» mierzony na poziomie po³owy natê¿enia pe³nej szeroko¶ci (FWHI).

23. «Czas ustalania» (3)

Podczas prze³±czania przetwornika z jednego poziomu na drugi czas potrzebny do otrzymania na wyj¶ciu warto¶ci ró¿ni±cej siê o po³owê bitu od warto¶ci koñcowej.

24. «Dok³adno¶æ» (2, 6)

Zazwyczaj okre¶lana w kategoriach niedok³adno¶ci; jest to maksymalne odchylenie, dodatnie albo ujemne, danej warto¶ci od uznanej warto¶ci standardowej lub prawdziwej.

25. «Element obliczeniowy» ( «CE» ) (4)

Najmniejsza jednostka obliczeniowa, której dzia³anie daje wynik arytmetyczny lub logiczny.

26. «Element o podstawowym znaczeniu» (4)

W odniesieniu do kategorii 4, dany element jest «elementem o podstawowym znaczeniu» , je¿eli warto¶æ jego wymiany stanowi ponad 35 % ca³kowitej warto¶ci systemu, w którego sk³ad wchodzi. Warto¶æ elementu jest cen± p³acon± za element przez producenta systemu lub przez firmê montuj±c± system. Warto¶æ ca³kowita jest zwyk³± cen± sprzeda¿y osobom postronnym w miejscu produkcji lub w miejscu przygotowywania wysy³ek towarów.

27. «FADEC» - patrz «Ca³kowicie autonomiczne systemy cyfrowego sterowania silnikami» .

28. «Formowanie ekstrakcyjne z fazy stopionej» (1)

Technika «gwa³townego krzepniêcia» i ekstrahowania wyrobu stopowego podobnego do ta¶my, polegaj±ca na wk³adaniu krótkiego segmentu wiruj±cego och³odzonego bloku do wanny stopionego stopu metalowego.

N.B.: «Gwa³towne krzepniêcie» : krzepniêcie stopionego materia³u podczas ch³odzenia z szybko¶ci± powy¿ej 1000 K/s.

29. «Formowanie rotacyjne z fazy stopionej» (1)

Technika «gwa³townego krzepniêcia» polegaj±ca na uderzaniu strumienia stopionego metalu w wiruj±cy och³odzony blok, wskutek czego powstaje wyrób w postaci p³atków, wstêgi lub prêcików.

N.B.: «Gwa³towne krzepniêcie» : krzepniêcie roztopionego materia³u podczas ch³odzenia z szybko¶ci± powy¿ej 1000 K/s.

30. «Formowanie w stanie nadplastycznym» (1, 2)

Technika odkszta³cania termicznego metali, których wyd³u¿enie ca³kowite do zerwania, mierzone w temperaturze pokojowej tradycyjnymi technikami badania wytrzyma³o¶ci na rozci±ganie, w normalnych warunkach, jest bardzo ma³e (poni¿ej 20 %); jej celem jest co najmniej dwukrotne powiêkszenie tych warto¶ci podczas obróbki.

31. «Gêsto¶æ zastêpcza» (6)

Masa elementu optycznego na jednostkê pola powierzchni optycznej rzutowanej na powierzchniê optyczn±.

32. «Gram efektywny» (0, 1)

«Gram efektywny» «specjalnego materia³u rozszczepialnego» oznacza:

(a) dla izotopów plutonu i uranu-233 - masê izotopu w gramach;

(b) dla uranu wzbogaconego do poziomu 1 % lub wiêcej izotopu uranu-235 - masê pierwiastka w gramach pomno¿on± przez kwadrat jego wzbogacenia wyra¿onego w postaci u³amka dziesiêtnego udzia³u wagowego izotopu U-235;

(c) dla uranu wzbogaconego w izotop uranu-235 do poziomu poni¿ej 1 procenta - masê pierwiastka w gramach pomno¿on± przez 0,0001;

33. «Hybrydowy uk³ad scalony» (3)

Dowolna kombinacja uk³adu(ów) scalonego(nych) lub uk³adu scalonego z «elementami uk³adu» albo «sk³adnikami dyskretnymi» po³±czonymi ze sob± w celu realizacji okre¶lonej(nych) funkcji, maj±ca wszystkie wymienione poni¿ej cechy:

a. Posiada co najmniej jedno urz±dzenie nieobudowane;

b. Zastosowano w niej typowe metody ³±czenia stosowane podczas produkcji uk³adów scalonych;

c. Mo¿na j± wymieniaæ tylko w ca³o¶ci; oraz

d. W normalnych warunkach nie mo¿na jej rozmontowaæ na elementy sk³adowe.

N.B.1: «Element uk³adu» : pojedyncza czynna lub bierna funkcjonalna czê¶æ uk³adu elektronicznego, na przyk³ad jedna dioda, jeden tranzystor, jeden rezystor, jeden kondensator itp.

N.B.2: «Sk³adnik dyskretny» : «element uk³adu» w oddzielnej obudowie z w³asnymi koñcówkami wyj¶ciowymi.

34. «Immunotoksyna» (1)

Koniugat jednokomórkowego przeciwcia³a monoklonalnego i «toksyny» lub «podjednostki toksyny» , który wp³ywa selektywnie na komórki chorobowo zmienione.

35. «Instalacje do naprowadzania» (7)

Systemy scalaj±ce proces pomiaru i obliczania po³o¿enia pojazdu i jego prêdko¶ci (tj. nawigacjê) z obliczeniami i wysy³aniem poleceñ do systemów sterowania lotem pojazdu w celu skorygowania jego toru lotu.

36. «Instalacje produkcyjne» (7, 9)

Sprzêt i specjalnie do niego opracowane oprogramowanie, scalone w instalacje w celu «rozwoju» albo do jednej lub wiêcej faz «produkcji» .

37. «Inteligentna karta osobista» (5)

Karta inteligentna zaopatrzona w mikrouk³ad, zaprogramowana do konkretnego zastosowania, bez mo¿liwo¶ci przeprogramowania przez u¿ytkownika do jakichkolwiek innych zastosowañ.

38. «Izolacja» (9)

Pojêcie stosowane do podzespo³ów silnika rakietowego, tj. os³ony, dyszy, wlotów, zamkniêæ os³on, obejmuj±ce utrwalone lub pó³utrwalone maty kauczukowe zawieraj±ce materia³ ogniotrwa³y lub izolacyjny. Mo¿na je równie¿ stosowaæ na klatki lub klapy odprê¿aj±ce.

39. «Izolowane ¿ywe kultury» (1)

¯ywe kultury w postaci u¶pionej i suchych preparatów.

40. «Izostatyczne zagêszczanie na gor±co» (2)

Technika ci¶nieniowania odlewu w temperaturach powy¿ej 375 K (102 °C) w zamkniêtej formie za pomoc± ró¿nych czynników (gaz, ciecz, cz±stki sta³e itp.), której celem jest wytworzenie jednakowej si³y we wszystkich kierunkach w celu zmniejszenia albo eliminacji jam wewnêtrznych w odlewie.

41. «Kable» (1)

Wi±zki «w³ókien elementarnych» , zazwyczaj w przybli¿eniu równoleg³e.

42. «Klasy kosmicznej» (3, 6)

Odnosi siê do produktów projektowanych, wytwarzanych i testowanych w taki sposób, ¿eby spe³nia³y specjalne wymagania elektryczne, mechaniczne lub ¶rodowiskowe, zwi±zane z ich stosowaniem podczas wystrzeliwania i wykorzystywania satelitów lub urz±dzeñ lataj±cych na du¿ych wysoko¶ciach, od 100 km wzwy¿.

43. «Kod wynikowy» (9)

Sprzêtowo wykonywalna postaæ dogodnego wyra¿enia jednego lub wiêcej procesów ( «kod ¼ród³owy» [jêzyk ¼ród³owy]), które zosta³y przetworzone przez system programowania.

44. «Kod ¼ród³owy (albo jêzyk ¼ród³owy)» (4, 6, 7, 9)

Wygodny sposób wyra¿enia jednego lub kilku procesów, który mo¿e byæ przekszta³cony przez system programowania w postaæ daj±c± siê wykonaæ na urz±dzeniu ( «kod wynikowy» [lub jêzyk wynikowy]).

45. «Kompleksowe sterowanie lotem» (7)

Automatyczne sterowanie zmiennymi stanu «samolotu» i toru lotu dla zrealizowania zadania bojowego odpowiednio do zmian w czasie rzeczywistym danych dotycz±cych celu, zagro¿eñ lub innego «samolotu» .

46. Kompresja impulsów (6)

Kodowanie i przetwarzanie d³ugiego impulsowego sygna³u radarowego na krótki, przy zachowaniu korzy¶ci wynikaj±cych z wysokiej energii impulsu.

47. «Komputer cyfrowy» (4, 5)

Urz±dzenie zdolne do wykonywania, w postaci jednej albo kilku zmiennych dyskretnych, wszystkich poni¿szych funkcji:

a. Przyjmowanie danych;

b. Zapamiêtywanie danych albo instrukcji na trwa³ych lub nietrwa³ych (zapis wymazywalny) urz±dzeniach pamiêciowych;

c. Przetwarzanie danych za pomoc± zapamiêtanej sekwencji instrukcji, któr± mo¿na modyfikowaæ; oraz

d. Wyprowadzanie danych na wyj¶cie.

N.B.: Modyfikacje zapamiêtanej sekwencji instrukcji dotycz± wymiany trwa³ych urz±dzeñ pamiêciowych, ale nie fizycznych zmian przewodów lub po³±czeñ.

48. «Komputer hybrydowy» (4)

Urz±dzenie zdolne do wykonywania wszystkich poni¿szych czynno¶ci:

a. Przyjmowanie danych;

b. Przetwarzanie danych, zarówno w postaci analogowej, jak i cyfrowej; oraz

c. Wyprowadzanie danych wyj¶ciowych.

49. «Komputer neuronowy» (4)

Urz±dzenie obliczeniowe przeznaczone albo zmodyfikowane z przeznaczeniem do na¶ladowania dzia³alno¶ci neuronu lub zbioru neuronów, tj. urz±dzenie obliczeniowe wyró¿niaj±ce siê mo¿liwo¶ci± sprzêtowego modulowania znaczenia i liczby po³±czeñ pomiêdzy wieloma elementami obliczeniowymi w oparciu o poprzednie dane.

50. «Komputer optyczny» (4)

Komputer zaprojektowany lub zmodyfikowany z przeznaczeniem do u¿ywania ¶wiat³a jako no¶nika danych oraz taki, którego elementy obliczeniowo-logiczne dzia³aj± bezpo¶rednio na sprzê¿onych urz±dzeniach optycznych.

51. «Komputer z dynamiczn± modyfikacj± tablic» (4)

Komputer, w którym przep³yw i modyfikacja danych s± dynamicznie sterowane przez u¿ytkownika na poziomie bramek logicznych.

52. «Komutacja optyczna» (5)

Przekazywanie lub komutacja sygna³ów w postaci optycznej bez przetwarzania na sygna³y elektryczne.

53. «Kr±g Równego Prawdopodobieñstwa» (CEP) (7)

Jest to miara dok³adno¶ci wyra¿ana jako promieñ okrêgu ze ¶rodkiem w miejscu znajdowania siê celu, w który wpada 50 % ³adunków u¿ytecznych, przy okre¶lonym zasiêgu.

54. «Kryptografia» (5)

Dziedzina wiedzy zajmuj±ca siê zasadami, narzêdziami i metodami przekszta³cania danych w celu ukrycia zawartych w nich informacji, zapobiegania mo¿liwo¶ci tajnego ich modyfikowania lub eliminacji dostêpu do nich osobom niepowo³anym. «Kryptografia» ogranicza siê do przekszta³cania informacji za pomoc± jednego lub wiêkszej liczby «tajnych parametrów» (np. szyfrów) lub zwi±zanego z tym zarz±dzania kluczami.

N.B.: «Tajny parametr» : warto¶æ sta³a albo klucz trzymany w tajemnicy przed osobami postronnymi albo znany wy³±cznie pewnej grupie osób.

55. «Laser» (0, 2, 3, 5, 6, 7, 8, 9)

Zespó³ elementów wytwarzaj±cy wi±zkê ¶wiat³a spójnego zarówno w przestrzeni, jak i w czasie, wzmocnion± za pomoc± stymulowanej emisji promieniowania.

N.B.: Patrz równie¿:

«Laser chemiczny» ,

«Laser modulowany dobroci±» ,

«Laser o super wysokiej mocy» ,

«Laser z przekazaniem energii» .

56. «Laser chemiczny» (6)

«Laser» , w którym wzbudzanie czynnika nastêpuje za pomoc± energii pochodz±cej z reakcji chemicznej.

57. «Laser modulowany dobroci±» (6)

«Laser» , którego energia, gromadzona w postaci odwrócenia obsadzeñ, jest emitowana w postaci impulsu wskutek szybkiej zmiany dobroci rezonatora optycznego.

58. «Laser o super wysokiej mocy» ( «SUPL.» ) (6)

«Laser» , który mo¿e dostarczyæ energiê wyj¶ciow± (ca³kowit± lub czê¶ciow±) powy¿ej 1 kJ w ci±gu 50 ms albo taki, którego moc przeciêtna lub moc w przypadku fali ci±g³ej wynosi powy¿ej 20 kW.

59. «Laser z przekazaniem energii» (6)

«Laser» , w którym czynnik emituj±cy promieniowanie laserowe jest wzbudzany dziêki transferowi energii wskutek zderzeñ atomów lub moleku³, niebior±cych udzia³u w akcji laserowej, z atomami lub moleku³ami czynnika emituj±cego promieniowanie laserowe.

60. «Liniowo¶æ» (2)

«Liniowo¶æ» (zazwyczaj okre¶lana w kategoriach nieliniowo¶ci) stanowi maksymalne odchylenie parametru rzeczywistego (przeciêtnej warto¶ci górnego i dolnego odczytu na skali), w kierunku dodatnim lub ujemnym, od linii prostej poprowadzonej w taki sposób, ¿eby maksymalne odchylenia zosta³y wyrównane i zminimalizowane.

61. «Lokalna sieæ komputerowa» (4)

System przesy³ania danych maj±cy wszystkie nastêpuj±ce cechy charakterystyczne:

a. Umo¿liwiaj±cy bezpo¶rednie po³±czenie ze sob± dowolnej liczby niezale¿nych «jednostek danych» ; oraz

b. Ograniczony w sensie geograficznym do pewnego obszaru o umiarkowanym zasiêgu (np. biurowiec, przedsiêbiorstwo, miasteczko studenckie, magazyn).

N.B.: «Jednostka danych» : urz±dzenie maj±ce mo¿liwo¶æ nadawania lub odbierania sekwencji informacji cyfrowych.

62. «£±czno¶æ kana³owa» (5)

Metoda przesy³ania sygna³ów, w której pojedynczy kana³ pomiêdzy centralami telefonicznymi przenosi, za pomoc± komunikatów etykietowanych, informacje sygna³owe dotycz±ce wielu uk³adów lub rozmów oraz inne informacje, np. stosowane do obs³ugi sieci.

63. «Magnetometry» (6)

Przyrz±dy do wykrywania pól magnetycznych ¼róde³ zewnêtrznych wzglêdem przyrz±du pomiarowego. Sk³adaj± siê z pojedynczego czujnika pola magnetycznego i odpowiedniego uk³adu elektronicznego, na którego wyj¶ciu jest warto¶æ mierzonego pola magnetycznego.

64. «Manipulatory » (2)

«Manipulatory» obejmuj± uchwyty, «aktywne jednostki oprzyrz±dowania» lub wszelkie inne oprzyrz±dowanie zamontowane na podstawowej (bazowej) p³ycie koñcz±cej ramiê manipulacyjne «robota» .

N.B.: «Aktywne jednostki oprzyrz±dowania» : urz±dzenia do przy³o¿enia mocy napêdowej, energii procesowej lub czujnika do przedmiotu obrabianego.

65. «Materia³ kompozytowy» (1, 2, 6, 8, 9)

«Matryca» oraz dodatkowa faza lub dodatkowe fazy, sk³adaj±ce siê z cz±stek, w³ókienek, w³ókien lub dowolnej ich kombinacji, dodawanych w okre¶lonym celu lub celach.

66. «Materia³y odporne na korozyjne dzia³anie UF6 » (0)

Mog± nimi byæ mied¼, stal nierdzewna, aluminium, tlenek aluminium, stopy aluminium, nikiel lub stop zawieraj±cy 60 % wagowych lub wiêcej niklu oraz odporne na dzia³anie UF6 fluorowane polimery wêglowodorowe, stosownie do rodzaju procesu separacji.

67. «Materia³y w³ókniste lub w³ókienkowe» (0, 1, 2, 8)

Termin «materia³ w³óknisty lub w³ókienkowy» obejmuje nastêpuj±ce pojêcia:

a. «W³ókna elementarne» o strukturze ci±g³ej;

b. «Przêdza» i «rowing» o strukturze ci±g³ej;

c. «Ta¶my» , tkaniny, maty i oploty o strukturze bez³adnej;

d. W³ókna ciête na drobne kawa³ki, w³ókna pociête na d³u¿sze odcinki oraz spójne maty z w³ókien;

e. Wiskery, monokrystaliczne lub polikrystaliczne, o dowolnej d³ugo¶ci;

f. Pulpa z poliamidu aromatycznego.

68. «Matryca» (1, 2, 8, 9)

W zasadzie faza o strukturze ci±g³ej wype³niaj±ca przestrzeñ pomiêdzy cz±stkami, wiskerami lub w³óknami.

69. «Mechanizmy robocze» (2)

Do «mechanizmów roboczych» zalicza siê uchwyty, «aktywne zespo³y narzêdziowe» oraz wszelkie inne narzêdzia mocowane do p³yty roboczej na koñcu ramienia manipulatora «robota» .

N.B.: «Aktywne zespo³y narzêdziowe» : urz±dzenia przekazuj±ce obrabianemu elementowi napêd, energiê potrzebn± do obróbki lub okre¶laj±ce parametry obrabianego elementu.

70. «Mierniki gradientu magnetycznego» (6)

Przyrz±dy do wykrywania zmian przestrzennych pól magnetycznych ze ¼róde³ zewnêtrznych w stosunku do przyrz±du pomiarowego. Sk³adaj± siê z wielu «magnetometrów» i odpowiednich uk³adów elektronicznych, na których wyj¶ciu jest mierzony gradient pola magnetycznego.

N.B.: Patrz równie¿ «Miernik gradientu magnetycznego w³asnego» .

71. «Miernik gradientu magnetycznego w³asnego» (6)

Pojedynczy element do pomiaru gradientu pola magnetycznego oraz zwi±zane z nim urz±dzenia elektroniczne, s³u¿±cy do pomiaru gradientu pola magnetycznego.

N.B.: Patrz równie¿ «Miernik gradientu magnetycznego» .

72. «Mieszanina chemiczna» (1) oznacza produkt sta³y, p³ynny lub gazowy zrobiony z dwóch lub wiêcej sk³adników, które nie reaguj± ze sob± w warunkach, w których mieszanina jest przechowywana.

73. «Mieszanie» (1)

Mieszanie w³ókien materia³ów termoplastycznych z w³óknami materia³ów wzmacniaj±cych w celu wytworzenia mieszanki w³ókien wzmacniaj±cych z «matryc±» , maj±cej w ca³o¶ci formê w³óknist±.

74. «Mikroorganizmy» (1, 2)

Bakterie, wirusy, mikoplazmy, riketsje, chlamydie lub grzyby, naturalne, wzmocnione lub zmodyfikowane, w postaci wyizolowanych ¿ywych kultur lub materia³u zawieraj±cego ¿ywe organizmy, który rozmy¶lnie zaszczepiono lub zaka¿ono takimi kulturami.

75. «Moc impulsu» (6)

Energia na impuls wyra¿ona w d¿ulach, podzielona przez czas trwania impulsu w sekundach.

76. «Modulowane czasowo silne poszerzanie pasma» (5)

Technika polegaj±ca na modulowaniu bardzo krótkich, precyzyjnie sterowanych czasowo impulsów radiowych zgodnie z danymi telekomunikacyjnymi poprzez przesuwanie po³o¿eñ impulsów (nazywana zwykle Modulacj± Po³o¿enia Impulsu, PPM) skanalizowanych lub szyfrowanych wed³ug pseudolosowych kodów zak³óceñ poprzez PPM, a nastêpnie przesy³anych i odbieranych w postaci impulsu bezpo¶redniego bez stosowania ¿adnych czêstotliwo¶ci no¶nych, w wyniku czego uzyskuje siê bardzo nisk± gêsto¶æ mocy na bardzo szerokim pa¶mie czêstotliwo¶ci. Jest równie¿ nazywana technik± Impulse Radio.

77. «Modu³ w³a¶ciwy» (0, 1, 9)

Modu³ Younga w paskalach, równowa¿ny N/m2 podzielonym przez ciê¿ar w³a¶ciwy w N/m3, mierzony w temperaturze (296 ± 2) K (23 ± 2) °C i przy wilgotno¶ci wzglêdnej (50 ± 5) %.

78. «Monolityczny uk³ad scalony» (3)

Kombinacja czynnych lub biernych, albo obu, «elementów obwodu» o nastêpuj±cych cechach charakterystycznych:

a. jest uformowana technik± dyfuzyjn±, technikami implantacyjnymi lub technikami osadzania w pojedynczym pó³przewodz±cym kawa³ku materia³u, tzw. chipie, albo na nim;

b. mo¿na j± traktowaæ jak element niepodzielny; oraz

c. realizuje funkcjê(e) obwodu.

N.B.: «Element obwodu» : pojedyncza czynna lub bierna funkcjonalna czê¶æ uk³adu elektronicznego, taka jak jedna dioda, tranzystor, rezystor, kondensator itp.

79. «Monospektralne czujniki obrazowe» (6)

Czujniki pozwalaj±ce na zbieranie danych obrazowych z pojedynczego pasma widma dyskretnego.

80. «Mo¿liwo¶æ programowania przez u¿ytkownika» (6)

Mo¿liwo¶æ wprowadzania, modyfikacji lub wymiany «programów» przez u¿ytkownika na innej drodze ni¿ poprzez:

a. Fizyczne zmiany przewodów lub po³±czeñ; lub

b. Nastawianie regulatorów funkcji, w tym parametrów wej¶ciowych.

81. «Nadprzewodniki» (1, 3, 6, 8)

Materia³y: tj. metale, stopy lub zwi±zki, które mog± ca³kowicie straciæ swoj± oporno¶æ, tj. które mog± uzyskaæ nieskoñczon± przewodno¶æ elektryczn± i przewodziæ pr±d elektryczny o bardzo wysokich natê¿eniach bez wytwarzania ciep³a Joule'a.

N.B.: «Nadprzewodz±cy» stan materia³u jest indywidualnie scharakteryzowany «temperatur± krytyczn±» , krytycznym polem magnetycznym, bêd±cym funkcj± temperatury, oraz krytyczn± gêsto¶ci± pr±du, która jest funkcj± zarówno pola magnetycznego, jak i temperatury.

82. «Nadstopy» (2, 9)

Stopy na osnowie niklu, kobaltu lub ¿elaza o bardzo wysokiej wytrzyma³o¶ci w porównaniu z innymi stopami serii AISI 300 w temperaturach powy¿ej 922 K (649 °C), w skrajnych warunkach ¶rodowiskowych i eksploatacyjnych.

83. «Nawigacja na bazie danych z wielu ¼róde³» ( «DBRN» ) (7) Systemy oparte na danych z wielu ¼róde³ uprzednio zmierzonych danych geograficznych zintegrowanych w celu uzyskania dok³adnych informacji nawigacyjnych w warunkach dynamicznych. Do ¼róde³ danych nale¿± mapy batymetryczne, mapy nieba, mapy grawitacji, mapy magnetyczne lub trójwymiarowe cyfrowe mapy terenowe.

84. «Niepewno¶æ pomiarowa» (2)

Parametr charakterystyczny okre¶laj±cy, na poziomie ufno¶ci 95 %, w jakiej odleg³o¶ci od warto¶ci prawid³owej le¿y zmienna pomiarowa. W jego sk³ad wchodz± niedaj±ce siê skorygowaæ odchylenia systematyczne, niedaj±cy siê skorygowaæ luz oraz odchylenia losowe (Patrz: ISO 10360-2 lub VDI/VDE 2617).

85. «Niezbêdne» (UOdT 1-9)

W odniesieniu do «technologii» lub «oprogramowania» dotyczy tylko tej czê¶ci «technologii» lub «oprogramowania» , która jest szczególnie odpowiedzialna za osi±gniêcie lub przekroczenie warto¶ci parametrów, w³a¶ciwo¶ci lub funkcji objêtych kontrol±. Taka «niezbêdna» «technologia» lub «oprogramowanie» mo¿e dotyczyæ ró¿nych produktów.

86. «Ochrona informacji» (4, 5)

Wszystkie rodzaje sposobów i funkcji zapewniaj±cych dostêp, poufno¶æ lub nienaruszalno¶æ informacji lub komunikacji, z wy³±czeniem sposobów i funkcji zabezpieczaj±cych przed wadliwym dzia³aniem. Obejmuje «kryptografiê» , «kryptoanalizê» , ochronê przed przypadkowym przekazywaniem sygna³ów odnosz±cych siê do tajnych informacji oraz zabezpieczanie komputerów.

N.B.: «Kryptoanaliza» : analiza systemów ³±czno¶ci szyfrowej albo ich wej¶æ lub wyj¶æ w celu uzyskania tajnych informacji lub danych, w³±czaj±c w to tajne teksty.

87. «Odchylenie po³o¿enia k±towego» (2)

Maksymalna ró¿nica pomiêdzy po³o¿eniem k±towym a rzeczywistym, bardzo dok³adnie zmierzonym po³o¿eniem k±towym po obróceniu sto³u monta¿owego od jego po³o¿enia pocz±tkowego. (Patrz: VDI/VDE 2617, Draft «Rotary tables on coordinate measuring machines» - Sto³y obrotowe wspó³rzêdno¶ciowych maszyn pomiarowych).

88. «Odporno¶æ na uszkodzenia» (4)

Mo¿liwo¶æ systemu komputerowego, po dowolnym wadliwym zadzia³aniu czê¶ci jego sprzêtu lub «oprogramowania» , do kontynuacji dzia³alno¶ci bez interwencji cz³owieka, na danym poziomie us³ug, zapewniaj±cym: kontynuowanie dzia³ania, zachowanie danych bez ich naruszenia oraz odzyskanie zdolno¶ci us³ugowych w okre¶lonym czasie.

89. «Opó¼nienie sygna³u bramki podstawowej» (3)

Warto¶æ opó¼nienia sygna³u odpowiadaj±ca bramce podstawowej, u¿ywanej w «rodzinie» «monolitycznych uk³adów scalonych» . Mo¿na j± wyznaczyæ, dla danej «rodziny» , jako opó¼nienie sygna³u na bramkê typow± w ramach danej «rodziny» albo jako typowe opó¼nienie na bramkê w ramach danej «rodziny» .

N.B.1: Nie nale¿y myliæ «opó¼nienia sygna³u bramki podstawowej» z opó¼nieniem wyj¶cia/wej¶cia z³o¿onego «monolitycznego uk³adu scalonego» .

N.B.2: Do «rodziny» zalicza siê wszystkie uk³ady scalone, do których metodologii produkcyjnej i danych technicznych, z wyj±tkiem ich odpowiednich funkcji, stosuj± siê nastêpuj±ce punkty:

a. Wspólna architektura hardware'u i software'u;

b. Wspólna technologia projektowania i przetwarzania; oraz

c. Wspólne charakterystyki podstawowe.

90. «Oprogramowanie» (Wszystko UOdO)

Zbiór jednego lub wiêcej «programów» lub «mikroprogramów» , wyra¿ony w dowolny zrozumia³y sposób.

N.B.: «Mikroprogram» oznacza sekwencjê elementarnych instrukcji, przechowywanych w specjalnej pamiêci, realizowanych po wprowadzeniu do rejestru instrukcji specjalnej dla niej instrukcji odwo³ania.

91. «Optyczny uk³ad scalony» (3)

«Monolityczny uk³ad scalony» lub «hybrydowy uk³ad scalony» , zaopatrzony w jedn± lub wiêcej czê¶ci przeznaczonych do dzia³ania w roli fotoczujników lub fotoemiterów albo do wykonywania funkcji optycznych lub elektrooptycznych.

92. «Optymalizacja toru lotu» (7)

Procedura minimalizuj±ca odchylenia od czterowymiarowej (przestrzeñ i czas) planowanej trajektorii lotu oparta na zasadzie maksymalizacji osi±gów lub efektywno¶ci realizacji zadania.

93. «Pamiêæ operacyjna» (4)

Podstawowa pamiêæ na dane lub instrukcje szybko dostêpna dla jednostki centralnej. Sk³ada siê z pamiêci wewnêtrznej «komputera cyfrowego» oraz jednej z dodatkowych pamiêci o strukturze hierarchicznej, takich jak pamiêæ podrêczna (cache) lub pamiêæ dodatkowa z dostêpem niesekwencyjnym.

94. «Pañstwa (nie) bêd±ce Stronami Konwencji o Zakazie Broni Chemicznej» (1) s± to te Pañstwa, w których

Konwencja o Zakazie Rozwijania, Produkcji, Sk³adowania i Stosowania Broni Chemicznej (nie) wesz³a w ¿ycie (patrz www.opcw.org).

95. «Pañstwo Uczestnicz±ce» (7, 9)

Ka¿de z Pañstw uczestnicz±cych w Porozumieniu z Wassenaar (patrz www.wassenaar.org).

96. «Pe³zanie zera (¿yroskopu)» (7)

Zmiana odchylenia wskazañ od warto¶ci po¿±danej w funkcji czasu. Sk³ada siê z elementów przypadkowych i systematycznych i jest wyra¿ana jako ekwiwalentne wej¶ciowe przemieszczenie k±towe na jednostkê czasu w odniesieniu do pola inercyjnego.

97. «P³aski zespó³ ogniskowy» (6)

P³aska warstwa o strukturze liniowej lub dwuwymiarowej albo kombinacja takich p³askich warstw, z³o¿onych z oddzielnych elementów detekcyjnych, z elektronicznym urz±dzeniem odczytuj±cym lub bez, pracuj±ca w p³aszczy¼nie ogniskowej.

N.B.: Nie chodzi tu o stos pojedynczych elementów detekcyjnych ani dwa, trzy lub cztery elementy detekcyjne opó¼niaj±ce, ani o realizacjê integracji wewn±trz elementu.

98. «Piksel aktywny» (6, 8)

Najmniejszy (pojedynczy) element sieci elementów pó³przewodnikowych maj±cy mo¿liwo¶æ realizacji funkcji fotoelektrycznych w odpowiedzi na promieniowanie ¶wietlne (elektromagnetyczne).

99. «Pociski rakietowe» (1, 3, 6, 7, 9)

Kompletne systemy rakietowe i bezza³ogowe systemy pojazdów lataj±cych, zdolne do dostarczania ³adunku u¿ytecznego o masie co najmniej 500 kg na odleg³o¶æ co najmniej 300 km.

100. «Podjednostka toksyny» (1)

Strukturalnie i funkcjonalnie oddzielny sk³adnik «toksyny» .

101. «Pod³o¿e» (3)

P³ytka materia³u g³ównego z naniesionymi po³±czeniami albo bez nich, na której, albo wewn±trz której, mo¿na umieszczaæ «sk³adniki dyskretne» lub uk³ady scalone albo oba z nich.

N.B.1: «Sk³adnik dyskretny» : «element obwodu» w oddzielnej obudowie z w³asnymi koñcówkami wyj¶ciowymi

N.B.2: «Element obwodu» : pojedyncza, czynna lub bierna, funkcjonalna czê¶æ uk³adu elektronicznego, taka jak jedna dioda, jeden tranzystor, jeden rezystor, jeden kondensator, itp.

102. «Podstawowe badania naukowe» (UOdT, UdTJ)

Prace do¶wiadczalne lub teoretyczne prowadzone g³ównie w celu uzyskania nowej wiedzy o podstawach danego zjawiska lub obserwowalnych jego efektach, nienakierowane bezpo¶rednio na konkretne cele lub zadania praktyczne.

103. «Podstawowe sterowanie lotem» (7)

Sterowanie stabilno¶ci± i manewrowo¶ci± «samolotu» za pomoc± generatorów typu si³a/moment, tj. za pomoc± aerodynamicznych powierzchni steruj±cych lub sterowania wektorem ci±gu.

104. «Po³±czone czujniki radarowe» (6)

Co najmniej dwa czujniki radarowe s± ze sob± po³±czone, kiedy wymieniaj± miêdzy sob± informacje w czasie rzeczywistym.

105. «Poziom szumu» (6)

Sygna³ elektryczny rozumiany w sensie gêsto¶ci mocy widmowej. «Poziom szumów» wyra¿ony w warto¶ciach ca³kowitych (peak-to-peak) jest okre¶lony zale¿no¶ci± S2pp = 8No (f2 - f1 ), gdzie Spp jest warto¶ci± ca³kowit± (maksymaln±) sygna³u (np. w nanoteslach), No jest gêsto¶ci± mocy widmowej (np. {nanotesle}2/Hz), a (f2 - f1 ) okre¶la dan± szeroko¶æ pasma.

106. «Pó³produkt pod³o¿y» (6)

Materia³ monolityczny o wymiarach umo¿liwiaj±cych wytworzenie z niego elementów optycznych, takich jak zwierciad³a albo okienka optyczne.

107. «Prasy izostatyczne» (2)

Urz±dzenia umo¿liwiaj±ce ci¶nieniowanie zamkniêtych komór za pomoc± ró¿nych czynników roboczych (gazu, cieczy, cz±stek sta³ych, itp.) w celu wytwarzania w komorze we wszystkich kierunkach równych ci¶nieñ na obrabiany element lub materia³.

108. «Preformy w³ókien wêglowych» (1)

Uporz±dkowany uk³ad powlekanych lub niepowlekanych w³ókien przeznaczony do tworzenia struktur sk³adowych przed u¿yciem «matrycy» do tworzenia «materia³u kompozytowego» .

109. «Produkcja» (Wszystkie UOdT, UdTJ)

Wszystkie etapy zwi±zane z produkcj±, takie jak: technologia mechaniczna, wytwarzanie, scalanie, monta¿ (sk³adanie), kontrola, testowanie, zapewnienie jako¶ci.

110. «Profile o zmiennej geometrii» (7)

Profile, w których zastosowano klapy lub inne p³aszczyzny na krawêdzi sp³ywu albo sloty lub osadzone przegubowo noski na krawêdzi natarcia, którymi mo¿na sterowaæ w locie.

111. «Program» (2, 6)

Sekwencja instrukcji do realizacji procesu, maj±ca postaæ wykonywaln± lub przekszta³caln± na wykonywaln±, za pomoc± komputera elektronicznego.

112. «Przestrajalno¶æ» (6)

Zdolno¶æ «lasera» do wytwarzania ci±g³ego sygna³u wyj¶ciowego we wszystkich d³ugo¶ciach fal w przedziale kilku przej¶æ «laserowych» . «Laser» z selekcj± liniow± wytwarza dyskretne d³ugo¶ci fal w ramach jednego przej¶cia «laserowego» i nie jest uwa¿any za «przestrajalny» .

113. «Przetwarzanie sygna³ów» (3, 4, 5, 6)

Przetwarzanie sygna³ów zawieraj±cych informacje, uzyskanych ze ¼róde³ zewnêtrznych, za pomoc± takich algorytmów, jak kompresja czasu, filtrowanie, wyci±ganie, selekcja, korelacja, splatanie lub przemieszczanie pomiêdzy domenami (np. za pomoc± szybkiej transformaty Fouriera lub transformaty Walsha).

114. «Przetwarzanie w czasie rzeczywistym» (6, 7)

Przetwarzanie danych przez system komputerowy, zapewniaj±ce ¿±dany poziom realizacji zadañ w funkcji dostêpnych ¶rodków, w gwarantowanym czasie odpowiedzi, bez wzglêdu na obci±¿enie systemu, kiedy jest on stymulowany przez wydarzenia zewnêtrzne.

115. «Przetworniki ci¶nienia» (2)

Urz±dzenia przetwarzaj±ce wyniki pomiaru ci¶nienia na sygna³ elektryczny.

116. «Przêdza» (1)

Wi±zka skrêconych «skrêtek» .

N.B.: «Skrêtka» oznacza wi±zkê «w³ókien elementarnych» (zazwyczaj ponad 200) uporz±dkowanych w przybli¿eniu równolegle.

117. «Przydzielone przez ITU» (3, 5) oznacza przydzia³ pasm czêstotliwo¶ci zgodnie z Przepisami Radiowymi ITU (International Telecommunication Union - Miêdzynarodowej Unii Telekomunikacyjnej) (wydanie 1998) dla s³u¿b podstawowych, dopuszczonych i pomocniczych.

N.B.: Nie obejmuje przydzia³ów dodatkowych i alternatywnych.

118. «Przystosowany do u¿ycia w dzia³aniach wojennych» (1)

Dowolna modyfikacja lub dobór (np. zmieniona czysto¶æ, dopuszczalny okres magazynowania, agresywno¶æ, charakterystyki propagacji lub odporno¶æ na promieniowanie nadfioletowe) przeznaczone do wzmocnienia efektów wywo³ywania strat w ludno¶ci lub zwierzêtach, unieszkodliwiania sprzêtu lub powoduj±cych straty w uprawach rolnych lub ¶rodowisku.

119. «Radar o rozproszonym widmie» (6)

(Patrz «Rozproszone widmo radarowe» ).

120. «Reaktor j±drowy» (0)

Obiekt znajduj±cy siê wewn±trz lub bezpo¶rednio przymocowany do zbiornika reaktora, wyposa¿enie steruj±ce poziomem mocy w rdzeniu, oraz znajduj±ce siê w nim zazwyczaj sk³adniki wchodz± w bezpo¶redni± styczno¶æ z ch³odziwem pierwotnym rdzenia reaktora albo steruj± nim.

121. «Robot» (2, 8)

Manipulator wykonuj±cy ruchy w sposób ci±g³y albo poruszaj±cy siê od punktu do punktu, maj±cy mo¿liwo¶æ korzystania z «czujników» i maj±cy wszystkie nastêpuj±ce cechy charakterystyczne:

a. jest wielofunkcyjny;

b. ma mo¿liwo¶æ ustawiania w odpowiednim po³o¿eniu lub orientowania przestrzennego materia³ów, czê¶ci, narzêdzi lub urz±dzeñ specjalnych poprzez wykonywanie ró¿nych ruchów w przestrzeni trójwymiarowej;

c. jest wyposa¿ony w trzy lub wiêksz± liczbê mechanizmów wspomagaj±cych, pracuj±cych w obwodzie zamkniêtym lub otwartym, które mog± byæ poruszane silnikami krokowymi; oraz

d. ma mo¿liwo¶æ «programowania dostêpnego dla u¿ytkownika» poprzez uczenie/odgrywanie lub za pomoc± komputera elektronicznego, który mo¿e byæ programowanym sterownikiem logicznym, tj. bez ingerencji mechanicznej.

N.B.: Niniejsza definicja nie obejmuje nastêpuj±cych urz±dzeñ:

1. Mechanizmów poruszanych wy³±cznie rêcznie albo zdalnie przez operatora;

2. Manipulatorów o ustalonej sekwencji ruchów, bêd±cych urz±dzeniami zautomatyzowanymi, realizuj±cymi zaprogramowane mechanicznie, z góry ustalone ruchy. Program jest ograniczony mechanicznie za pomoc± ustalonych ograniczników, np. sworzni lub krzywek. Kolejno¶æ ruchów oraz wybór drogi albo k±tów nie s± zmienne ani zmienialne za pomoc± ¶rodków mechanicznych, elektronicznych lub elektrycznych.

3. Manipulatorów o zmiennej sekwencji ruchów, bêd±cych urz±dzeniami zautomatyzowanymi, realizuj±cymi zaprogramowane mechanicznie, z góry ustalone ruchy. Program jest ograniczony mechanicznie za pomoc± ustalonych ograniczników, np. sworzni lub krzywek. Kolejno¶æ ruchów oraz wybór drogi albo k±tów s± zmienne w ramach ustalonego schematu programowego. Zmian lub modyfikacji schematu programowego (np. zmiany ko³ków lub wymiany krzywek) w jednej lub kilku osiach wspó³rzêdnych dokonuje siê wy³±cznie na drodze dzia³añ mechanicznych;

4. Manipulatorów bez sterowania ze sprzê¿eniem zwrotnym, o zmiennej sekwencji ruchów, bêd±cych urz±dzeniami zautomatyzowanymi, realizuj±cymi zaprogramowane mechanicznie ruchy. Program jest zmienny, ale sekwencja jest realizowana wy³±cznie za pomoc± sygna³u binarnego z elektrycznych urz±dzeñ binarnych o ustalonym mechanicznie po³o¿eniu lub nastawnych ograniczników;

5. ¯urawi do stertowania, definiowanych jako manipulatory dzia³aj±ce w kartezjañskim uk³adzie wspó³rzêdnych, produkowanych jako integralne czê¶ci pionowych zespo³ów do silosów, i s³u¿±ce do siêgania po zawarto¶æ tych silosów w celu sk³adowania lub wyjmowania.

122. «Rowing» (1)

Wi±zka (zazwyczaj 12-120 szt.) w przybli¿eniu równoleg³ych «skrêtek» .

N.B.: «Skrêtka» oznacza wi±zkê «w³ókien elementarnych» (zazwyczaj ponad 200) uporz±dkowanych w przybli¿eniu równolegle.

123. «Rozdrabnianie» (1)

Technika rozcz³onkowania materia³u na cz±stki przez mia¿d¿enie lub rozcieranie.

124. «Rozdzielczo¶æ» (2)

Najmniejsza dzia³ka urz±dzenia pomiarowego; w przypadku instrumentu cyfrowego jest to najmniej znacz±cy bit (Patrz: ANSI B-89.1.12).

125. «Rozproszone widmo radarowe» (6)

Dowolna technika modulacji s³u¿±ca do rozpraszania energii sygna³u o stosunkowo w±skim pa¶mie czêstotliwo¶ci na du¿o szersze pasmo czêstotliwo¶ci, za pomoc± kodowania losowego lub pseudolosowego.

126. «Rozrzucanie czêstotliwo¶ci» (frequency hopping) (5)

Forma «rozproszenia widma» polegaj±ca na krokowo-dyskretnej zmianie czêstotliwo¶ci no¶nej pojedynczego kana³u telekomunikacyjnego, w sposób losowy lub pseudolosowy.

127. «Rozrzucone geograficznie» (6)

Uwa¿a siê, ¿e czujniki s± rozrzucone geograficznie w przypadku, kiedy ka¿dy z nich znajduje siê w odleg³o¶ci od innego wiêkszej ni¿ 1500 m w dowolnym kierunku. Czujniki ruchome s± zawsze traktowane jako «rozrzucone geograficznie» .

128. «Rozwój» (Wszystkie UOdT, UdTJ)

Odnosi siê do wszystkich etapów poprzedzaj±cych produkcjê seryjn±, takich jak: projektowanie, badania projektowe, analiza konstrukcyjna, koncepcja projektowania, monta¿ i testowanie prototypów, plany produkcji pilotowej, dane projektowe, proces przetwarzania danych projektowych w produkt, projektowanie konfiguracji, projektowanie monta¿u ca³o¶ciowego, rozplanowanie.

129. «Ruchliwo¶æ czêstotliwo¶ci w radarach» (6)

Dowolna technika zmiany, wg sekwencji pseudolosowej, czêstotliwo¶ci no¶nej impulsowego nadajnika radarowego pomiêdzy impulsami lub pomiêdzy grupami impulsów, o warto¶æ równ± lub wiêksz± od szeroko¶ci pasma impulsu.

130. «Samolot» (1, 7, 9)

Statek powietrzny taki jak sta³op³at, statek z obrotowymi skrzyd³ami, wirop³at (helikopter), statek ze zmiennym wirnikiem lub zmiennop³at.

N.B.: Patrz równie¿ «samolot cywilny» .

131. «Samolot cywilny» (1, 7, 9)

Wy³±cznie «samoloty» maj±ce ¶wiadectwa zdatno¶ci do lotu opublikowane i wydane przez zarz±dy lotnictwa cywilnego, zezwalaj±ce na ich u¿ywanie do celów cywilnych na liniach wewnêtrznych i zewnêtrznych lub zezwalaj±ce na ich stosowanie do celów cywilnych, prywatnych lub zwi±zanych z prowadzeniem dzia³alno¶ci gospodarczej.

N.B.: Patrz równie¿ «samolot» .

132. «SHPL» - patrz «Laser o super wysokiej mocy» .

133. «Specjalny materia³ rozszczepialny» (0)

«Specjalny materia³ rozszczepialny» oznacza pluton-239, uran-233, «uran wzbogacony w izotopy 235 lub 233» oraz dowolne, zawieraj±ce je materia³y.

134. «Stabilno¶æ» (7)

Odchylenie standardowe (1 sigma) zmienno¶ci danego parametru od jego warto¶ci wzorcowej zmierzonej w ustalonych warunkach temperaturowych. Mo¿na j± wyra¿aæ w funkcji czasu.

135. «Sta³a czasowa» (6)

Czas od chwili bod¼ca ¶wietlnego do wzrostu pr±du do warto¶ci stanowi±cej 1-1/e-krotn± warto¶æ wielko¶ci koñcowej (tj. 63 % warto¶ci koñcowej).

136. «Stapianie mechaniczne» (1)

Technika wykonywania stopów polegaj±ca na mechanicznym ³±czeniu, rozdrabnianiu i ponownym ³±czeniu sproszkowanych pierwiastków i g³ównego sk³adnika stopowego. Jako sk³adnik stopowy mo¿e wystêpowaæ substancja niemetaliczna dodawana w postaci odpowiedniego proszku.

137. «Statek kosmiczny» (7, 9)

Czynne i bierne satelity i sondy kosmiczne.

138. «Sterowanie kszta³towe» (2)

Co najmniej dwa ruchy «sterowane numerycznie» , realizowane zgodnie z instrukcjami okre¶laj±cymi nastêpne po³o¿enie oraz potrzebne do osi±gniêcia tego po³o¿enia prêdko¶ci posuwów. Prêdko¶ci posuwów nie s± jednakowe, wskutek czego powstaje wymagany kszta³t (Patrz ISO/DIS 2806-1980).

139. «Sterowanie numeryczne» (2)

Automatyczne sterowanie procesem wykonywane przez urz±dzenie korzystaj±ce z danych numerycznych zazwyczaj wprowadzanych podczas realizacji operacji (Patrz ISO 2382).

140. «Sterowanie moc±» (7)

Zmiana mocy sygna³u nadawanego przez wysoko¶ciomierz w taki sposób, ¿eby moc odbierana w «samolocie» na danej wysoko¶ci by³a zawsze na minimalnym poziomie niezbêdnym do okre¶lenia wysoko¶ci.

141. «Sterowany elektronicznie uk³ad antenowy fazowany» (5, 6)

Antena kszta³tuj±ca wi±zkê za pomoc± sprzê¿enia fazowego, tj. kierunek wi±zki jest utrzymywany za pomoc± elementów promieniuj±cych o z³o¿onych wspó³czynnikach wzbudzenia, przy czym kierunek takiej wi±zki (azymut i (lub) podniesienie k±towe) mo¿na zmieniaæ za pomoc± sygna³u elektrycznego, zarówno dla nadawania, jak i odbioru.

142. «Sterownik dostêpu do sieci» (4)

Interfejs fizyczny do sieci rozproszonej. U¿ywa siê w nim wspólnego no¶nika dzia³aj±cego z tak± sam± «szybko¶ci± przesy³ania danych cyfrowych» w systemie transmisji z arbitra¿em (np. w sensie znacznika lub no¶nika). Niezale¿nie od innych wybiera on adresowane do niego pakiety z danymi lub grupami danych (np. IEEE 802). Jest to zespó³, który mo¿e byæ zintegrowany z komputerem lub urz±dzeniem telekomunikacyjnym, z zadaniem zapewniania dostêpu do ³±czy telekomunikacyjnych.

143. «Sterownik toru telekomunikacyjnego» (5)

Interfejs fizyczny steruj±cy przep³ywem cyfrowych informacji synchronicznych lub asynchronicznych. Jest to zespó³, który mo¿e stanowiæ podzespó³ komputera lub urz±dzenia telekomunikacyjnego zapewniaj±cego dostêp do ³±czno¶ci.

144. «Stó³ obrotowo-przechylny» (2)

Stó³ umo¿liwiaj±cy obracanie i przechylanie obrabianego przedmiotu wzglêdem dwóch osi nierównoleg³ych, które mog± byæ równocze¶nie koordynowane, co umo¿liwia «sterowanie kszta³towe» .

145. «Strumieniowe wieloprzetwarzanie danych» (4)

Technika oparta na «mikroprogramie» lub architekturze sprzêtu, umo¿liwiaj±ca równoczesne przetwarzanie dwóch lub wiêcej sekwencji danych pod kontrol± jednej lub kilku sekwencji instrukcji za pomoc± takich narzêdzi, jak:

a. Zespo³y o architekturze opartej na jednoinstrukcyjnym przetwarzaniu wielu danych (SIMD), np. procesory wektorowe lub tablicowe;

b. Zespo³y o architekturze opartej na wielokrotnym jednoinstrukcyjnym przetwarzaniu wielu danych (MSIMD);

c. Zespo³y o architekturze opartej na wieloinstrukcyjnym przetwarzaniu wielu danych (MIMD), w³±cznie z procesorami po³±czonymi bezpo¶rednio, po³±czonymi silnie lub po³±czonymi lu¼no; albo

d. Elementy przetwarzaj±ce o strukturze tablicowej, w³±cznie z tablicami dynamicznymi.

N.B.: «Mikroprogram» oznacza sekwencjê elementarnych instrukcji, przechowywanych w specjalnej pamiêci, realizowanych po wprowadzeniu do rejestru instrukcji specjalnej dla niej instrukcji odwo³ania.

146. «Syntetyzator czêstotliwo¶ci» (3)

Dowolny rodzaj ¼ród³a czêstotliwo¶ci lub generatora sygna³ów, bez wzglêdu na stosowan± technikê, zapewniaj±cy uzyskanie wielu równoczesnych lub alternatywnych czêstotliwo¶ci wyj¶ciowych z jednego lub kilku wyj¶æ sterowanych lub regulowanych za pomoc± mniejszej liczby czêstotliwo¶ci wzorcowych (lub g³ównych).

147. «Systemy eksperckie» (4, 7)

Systemy wypracowuj±ce wyniki poprzez zastosowanie pewnych zasad do danych przechowywanych w pamiêci niezale¿nie od «programu» i maj±ce nastêpuj±ce mo¿liwo¶ci:

a. Automatyczna modyfikacja «kodu ¼ród³owego» wprowadzonego przez u¿ytkownika;

b. Dostarczanie informacji zwi±zanych z klas± problemów w jêzyku quasi-naturalnym; lub

c. Rozszerzanie wiedzy potrzebnej do w³asnego rozwoju (szkolenie symboliczne).

148. «Szczepionka» (1)

Preparat medyczny w postaci wyrobu farmaceutycznego, wytworzony na licencji, albo po próbach badañ rynkowych lub klinicznych na podstawie upowa¿nienia przez w³adze kraju produkcji lub kraju stosowania, który wprowadzony do ustroju ludzkiego lub zwierzêcego ma za zadanie wytworzenie w nim ochronnej odporno¶ci immunologicznej w celu zapobiegania chorobom.

149. «Szeroko¶æ pasma czasu rzeczywistego» (2, 3)

W «dynamicznych analizatorach sygna³ów» - najwiêkszy zakres czêstotliwo¶ci, jaki analizator mo¿e przes³aæ na wy¶wietlacz lub do pamiêci masowej, bez jakiejkolwiek przerwy w analizowaniu danych wej¶ciowych. W przypadku analizatorów o wiêcej ni¿ jednym kanale, obliczenia nale¿y przeprowadziæ dla takiej konfiguracji kana³ów, która daje najwiêksz± «szeroko¶æ pasma czasu rzeczywistego» .

150. «Szybko¶æ przesy³ania danych cyfrowych» (5)

Ca³kowita szybko¶æ informacji w bitach, przesy³anych bezpo¶rednio na dowolnym typie no¶nika.

N.B.: Patrz tak¿e «ca³kowita szybko¶æ transmisji danych cyfrowych» .

151. «¦cie¿ki systemowe» (6)

Przetworzone, skorelowane (po³±czenie radiolokacyjnych danych o celu z po³o¿eniem lec±cego samolotu) i zaktualizowane dane dotycz±ce po³o¿enia lec±cego samolotu, przekazane kontrolerom w o¶rodku Kontroli Ruchu Powietrznego.

152. «Ta¶ma» (1)

Materia³ zbudowany z przeplatanych lub jednakowo ukierunkowanych «w³ókien elementarnych» , «skrêtek» , «rowingów» , «kabli» lub «przêdz» itp., zazwyczaj impregnowany ¿ywic±.

N.B.: «Skrêtka» oznacza wi±zkê «w³ókien elementarnych» (zazwyczaj ponad 200) uporz±dkowanych w przybli¿eniu równolegle.

153. «Technologia» (Wszystkie UOdT UdTJ)

Specyficzny rodzaj informacji, niezbêdny do «rozwoju» , «produkcji» lub «u¿ytkowania» wyrobów. Informacja ta ma postaæ «danych technologicznych» lub «pomocy technicznej» .

N.B.1: «Pomoc techniczna» mo¿e przybieraæ takie formy, jak: przekazanie instrukcji, umiejêtno¶ci, szkolenie, przekazanie wiedzy na temat eksploatacji oraz us³ugi konsultacyjne i mo¿e obejmowaæ transfer «danych technologicznych» .

N.B.2: «Dane technologiczne» mog± mieæ formê odbitek, planów, wykresów, modeli, wzorów, tabel, projektów technicznych i opisów, podrêczników i instrukcji w formie pisemnej lub zarejestrowanej na innych no¶nikach lub urz±dzeniach, takich jak dyski, ta¶my, pamiêci wy³±cznie do odczytu.

154. «Temperatura krytyczna» (1, 3, 6)

«Temperatura krytyczna» (nazywana czasami «temperatur± przemiany» ) danego materia³u «nadprzewodz±cego» jest temperatur±, w której materia³ ca³kowicie traci oporno¶æ dla przep³ywu elektrycznego pr±du sta³ego.

155. «Teoretyczna moc kombinowana» ( «CTP» ) (3, 4)

Miara mocy obliczeniowej podawana w milionach operacji teoretycznych na sekundê (Mtops), obliczana w oparciu o agregacjê «elementów obliczeniowych» ( «CE» ).

N.B.: (Patrz Kategoria 4, Uwaga techniczna).

156. «Toksyny» (1, 2)

Toksyny w postaci celowo wyizolowanych preparatów lub mieszanek, bez wzglêdu na sposób produkcji, ró¿ne od toksyn istniej±cych jako zanieczyszczenia innych materia³ów, takich jak próbki patogenne, plony, ¿ywno¶æ lub posiewy «mikroorganizmów» .

157. «Uk³ad scalony warstwowy» (3)

Uk³ad elementów obwodu i metalowych ³±czników, wytworzony technik± osadzania grubej lub cienkiej warstwy na «pod³o¿u» o w³a¶ciwo¶ciach izoluj±cych.

N.B.: «Element obwodu» : pojedyncza czynna lub bierna funkcjonalna czê¶æ uk³adu elektronicznego, np. jedna dioda, jeden tranzystor, jeden rezystor, jeden kondensator, itp.

158. «Uk³ad mikrokomputerowy» (3)

«Monolityczny uk³ad scalony» lub «wielouk³ad scalony» , w którego sk³ad wchodzi jednostka arytmetyczno-logiczna (ALU) zdolna do realizacji instrukcji ogólnych, zawartych w pamiêci wewnêtrznej, na danych znajduj±cych siê w pamiêci wewnêtrznej.

N.B.: Pamiêæ wewnêtrzna mo¿e byæ wspomagana przez pamiêæ zewnêtrzn±.

159. «Uk³ad mikroprocesorowy» (3)

«Monolityczny uk³ad scalony» lub «wielouk³ad scalony» , w którego sk³ad wchodzi jednostka arytmetyczno-logiczna (ALU) zdolna do realizacji szeregu instrukcji ogólnych zawartych w pamiêci zewnêtrznej.

N.B.1: «Uk³ad mikroprocesorowy» zazwyczaj nie jest wyposa¿ony w integraln± pamiêæ dostêpn± dla u¿ytkownika, ale do realizacji jego funkcji logicznych mo¿e byæ wykorzystywana pamiêæ istniej±ca w mikrouk³adzie.

N.B.2: Definicja ta obejmuje zespo³y uk³adów przeznaczone do pracy razem, w celu realizacji funkcji «uk³adu mikroprocesorowego» .

160. «Uk³ady aktywnego sterowania lotem» (7)

Uk³ady zapobiegaj±ce niepo¿±danym ruchom lub obci±¿eniom konstrukcji «samolotu» lub pocisku rakietowego dziêki autonomicznemu przetwarzaniu sygna³ów z wielu czujników i wydawaniu niezbêdnych poleceñ do realizacji sterowania automatycznego.

161. «Uk³ady czujników optycznych sterowania lotem» (7)

Uk³ad czujników optycznych, wykorzystuj±cy promieñ «lasera» do dostarczania w czasie rzeczywistym danych sterowania lotem w celu ich przetwarzania na pok³adzie.

162. «Ultraszybkie ch³odzenie» (1)

Technika «gwa³townego krzepniêcia» polegaj±ca na uderzaniu stopionego strumienia metalu w och³odzony blok, w wyniku czego powstaje produkt w postaci p³atków.

N.B.: «Gwa³towne krzepniêcie» : krzepniêcie roztopionego materia³u podczas ch³odzenia z szybko¶ci± powy¿ej 1000 K/s.

163. «U³amkowa szeroko¶æ pasma» (3) oznacza «szeroko¶æ chwilow± pasma» podzielon± przez czêstotliwo¶æ ¶rodkow±, wyra¿on± w procentach.

164. «Uprzednio separowane» (0, 1)

Oddzielone dowoln± technik± wzbogacania kontrolowanego izotopu.

165. «Uran naturalny» (0)

Uran zawieraj±cy mieszaninê izotopów wystêpuj±cych w naturze.

166. «Uran wzbogacony w izotopy 235 lub 233» (0)

Uran zawieraj±cy izotopy 235 lub 233, albo oba, w takich ilo¶ciach, ¿e stosunek ³±cznej zawarto¶ci tych izotopów do izotopu 238 jest wiêkszy ni¿ stosunek zawarto¶ci izotopu 235 do izotopu 238 wystêpuj±cy w naturze (stosunek izotopowy 0,72 procenta).

167. «Uran zubo¿ony» (0)

Uran, w którym zawarto¶æ izotopu 235 obni¿ono do ilo¶ci mniejszej ni¿ w warunkach naturalnych.

168. «Urz±dzenia produkcyjne» (1, 7, 9)

Oprzyrz±dowanie, szablony, przyrz±dy obróbkowe, trzpienie, formy, matryce, uchwyty, mechanizmy synchronizuj±ce, urz±dzenie testuj±ce, inne maszyny i ich wyposa¿enie, z ograniczeniem do urz±dzeñ specjalnie przeznaczonych lub zmodyfikowanych z przeznaczeniem do «rozwoju» lub jednej albo wiêcej faz «produkcji» .

169. «Ustalony» (5)

Algorytm kodowania lub kompresji, który nie mo¿e akceptowaæ parametrów dostarczonych z zewn±trz (np. zmiennych do szyfrowania lub kluczy) i nie mo¿e byæ modyfikowany przez u¿ytkownika.

170. «U¿ytkowanie» (Wszystkie UOdT UdTJ)

Praca, instalowanie (w³±cznie z monta¿em na miejscu), konserwacja (kontrola), naprawa, remonty i odnawianie.

171. «Widmo rozproszone» (5)

Dowolna technika s³u¿±ca do rozpraszania energii sygna³u ze stosunkowo w±skiego kana³u telekomunikacyjnego na du¿o szersze widmo energii.

172. «Wielouk³ad scalony» (3)

Dwa lub wiêcej «monolityczne uk³ady scalone» , spojone ze wspólnym «pod³o¿em» .

173. «Wielospektralne analizatory obrazowe» (6)

Umo¿liwiaj± równoczesne lub szeregowe odbieranie danych obrazowych z dwóch lub wiêcej dyskretnych pasm spektralnych. Analizatory o wiêcej ni¿ dwudziestu dyskretnych pasmach spektralnych s± czasami nazywane hiperspektralnymi analizatorami obrazowymi.

174. «W³ókno elementarne» (lub - w³ókno) (1)

Najmniejszy inkrement w³ókna, zazwyczaj maj±cy ¶rednicê kilku mikrometrów.

175. «Wrzeciono wahad³owe» (2)

Wrzeciono na narzêdzia, zmieniaj±ce podczas procesu obróbki po³o¿enie k±towe swojej osi wzglêdem dowolnej innej osi.

176. «Wspó³czynnik skalowania (¿yroskopu lub przyspieszeniomierza)» (7)

Stosunek zmiany warto¶ci wyj¶ciowej do zmiany warto¶ci wej¶ciowej, która ma byæ mierzona. Wspó³czynnik skalowania jest na ogó³ szacowany jako pochylenie linii prostej, któr± mo¿na poprowadziæ metod± najmniejszych kwadratów pomiêdzy punktami okre¶laj±cymi parametry wej¶ciowe/wyj¶ciowe, uzyskanymi poprzez cykliczn± zmianê parametrów wej¶ciowych w przedziale ich warto¶ci.

177. «Wszystkie dostêpne kompensacje» (2)

Oznacza, ¿e w celu zminimalizowania wszystkich systematycznych b³êdów pozycjonowania dla okre¶lonej obrabiarki ostatecznie uwzglêdniane s± wszystkie mo¿liwe do wykonania ¶rodki dostêpne dla producenta.

178. «Wychylenie wstêpne przyspieszeniomierza» (7)

Warto¶æ wskazywana przez przyspieszeniomierz w przypadku braku przyspieszenia.

179. «Wyk³adzina wewnêtrzna» (9)

Warstwa po¶rednia pomiêdzy paliwem sta³ym a os³on± lub warstw± izolacyjn±. Zazwyczaj jest to p³ynna polimerowa zawiesina materia³u ogniotrwa³ego lub izolacyjnego, np. wêgiel z wype³niaczem polibutadienowym zakoñczonym grupami hydroksylowymi (HTPB) lub innym polimerem z dodatkiem ¶rodków utrwalaj±cych, rozpylonych lub rozsmarowanych na wewnêtrznej powierzchni os³ony.

180. «Wytrzyma³o¶æ w³a¶ciwa na rozci±ganie» (0, 1, 9)

Wytrzyma³o¶æ na rozci±ganie w paskalach, równowa¿nych N/m2, podzielona przez masê w³a¶ciw± w N/m3, mierzona w temperaturze (296 ± 2) K (23 ± 2) °C i przy wilgotno¶ci wzglêdnej (50 ± 5) %.

181. «Wzmacnianie obrazu» (4)

Przetwarzanie obrazów zawieraj±cych informacje, uzyskanych ze ¼róde³ zewnêtrznych, za pomoc± algorytmów, takich jak kompresja czasu, filtrowanie, wyci±ganie, selekcja, korelacja, splatanie lub przemieszczanie pomiêdzy domenami (np. za pomoc± szybkiej transformacji Fouriera lub transformacji Walsha). Nie obejmuje algorytmów, w których stosowane s± wy³±cznie przekszta³cenia liniowe lub obrotowe pojedynczego obrazu, takie jak przesuniêcie, ekstrahowanie jakiej¶ cechy, rejestracja lub fa³szywe barwienie.

182. «Wzmocnienie optyczne» (5)

W telekomunikacji optycznej technika wzmacniania polegaj±ca na uzyskiwaniu sygna³ów optycznych generowanych przez oddzielne ¼ród³o optyczne, bez ich przetwarzania na sygna³y elektryczne, tj. za pomoc± pó³przewodnikowych wzmacniaczy optycznych lub ¶wiat³owodowych wzmacniaczy luminescencyjnych.

183. «Zasiêg przyrz±dowy» (6)

Jednoznacznie okre¶lony zasiêg radaru.

184. «Zespó³ elektroniczny» (3, 4, 5)

Pewna liczba elementów elektronicznych (tj. «uk³adów elementarnych» , «elementów dyskretnych» 7, uk³adów scalonych itp.) po³±czonych ze sob± w celu realizacji okre¶lonej(ych) funkcji, wymienialna w ca³o¶ci, która zazwyczaj mo¿e byæ demontowana.

N.B.1: «Element obwodu» : pojedyncza czynna albo bierna funkcjonalna czê¶æ uk³adu elektronicznego, np. jedna dioda, jeden tranzystor, jeden rezystor, jeden kondensator, itp.

N.B.2: «Element dyskretny» : oddzielnie obudowany «uk³ad elementarny» z w³asnymi koñcówkami wyj¶ciowymi.

185. «Ze sterowaniem zaprogramowanym w pamiêci» (2, 3, 8)

Sterowanie za pomoc± instrukcji zaprogramowanych w pamiêci elektronicznej, które procesor mo¿e realizowaæ w celu kierowania parametrami uprzednio okre¶lonych funkcji.

N.B.: Urz±dzenie mo¿e byæ urz±dzeniem «ze sterowaniem zaprogramowanym w pamiêci» , bez wzglêdu na to, czy pamiêæ elektroniczna jest wewnêtrzna, czy te¿ zewnêtrzna wzglêdem urz±dzenia.

186. «Zgrzewanie dyfuzyjne» (1, 2, 9)

£±czenie molekularne w stanie sta³ym co najmniej dwóch oddzielnych metali w jeden element, przy czym wytrzyma³o¶æ miejsca po³±czenia jest równa wytrzyma³o¶ci najs³abszego z materia³ów.

187. «Zwierciad³a odkszta³calne» (6)

(Okre¶la siê je równie¿ adaptacyjnymi zwierciad³ami optycznymi). S± to zwierciad³a maj±ce:

(a) jedn± ci±g³± odbijaj±c± powierzchniê optyczn±, któr± mo¿na dynamicznie odkszta³caæ za pomoc± pojedynczych momentów lub si³, kompensuj±c w ten sposób zniekszta³cenia fal optycznych padaj±cych na zwierciad³o; lub

(b) wiele odbijaj±cych elementów optycznych, które mo¿na oddzielnie i dynamicznie przemieszczaæ w inne po³o¿enie za pomoc± dzia³aj±cych na nie momentów lub si³, kompensuj±c w ten sposób zniekszta³cenia fal optycznych padaj±cych na zwierciad³o.

AKRONIMY I SKRÓTY U¯YWANE W NINIEJSZYM ZA£¡CZNIKU

Akronimy lub skróty u¿yte jako zdefiniowany termin znajduj± siê w «Definicjach terminów u¿ytych w niniejszym Za³±czniku» .

>TABELPOSITION>

KATEGORIA 0

MATERIA£Y, INSTALACJE I URZ¡DZENIA J¡DROWE

0A Systemy, urz±dzenia i czê¶ci

0A001 Nastêpuj±ce «reaktory j±drowe» oraz specjalnie zaprojektowane lub przystosowane do u¿ytkowania z nimi urz±dzenia i podzespo³y:

a. «Reaktory j±drowe» zdolne do pracy w taki sposób, ¿eby mog³a w nich przebiegaæ kontrolowana, samopodtrzymuj±ca siê reakcja ³añcuchowa;

b. Metalowe zbiorniki lub g³ówne czê¶ci do nich, tak¿e wykonane prototypowo w warsztatach, specjalnie zaprojektowane lub przystosowane do umieszczania w nich rdzenia «reaktora j±drowego» , w tym górne pokrywy zbiornika ci¶nieniowego reaktora;

c. Urz±dzenia manipulacyjne specjalnie zaprojektowane lub przystosowane do za³adunku i wy³adunku elementów paliwowych «reaktorów j±drowych» ;

d. Prêty regulacyjne specjalnie zaprojektowane lub przystosowane do sterowania procesem rozszczepienia w «reaktorze j±drowym» , odpowiednie elementy no¶ne lub zawieszenia, mechanizmy napêdu oraz prowadnice rurowe do prêtów regulacyjnych;

e. Przewody ci¶nieniowe reaktora specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem na elementy paliwowe i ch³odziwo w «reaktorze j±drowym» , wytrzyma³e na ci¶nienia eksploatacyjne powy¿ej 5,1 MPa;

f. Cyrkon metaliczny lub jego stopy w postaci rur lub zespo³ów rur specjalnie zaprojektowanych lub wykonanych z przeznaczeniem do «reaktorów j±drowych» , w których stosunek wagowy hafnu do cyrkonu wynosi poni¿ej 1:500;

g. Pompy pierwotnego obiegu specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do przetaczania ch³odziwa w «reaktorach j±drowych» ;

h. «Zespo³y wewnêtrzne reaktora» specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do pracy w «reaktorze j±drowym» , w tym elementy no¶ne rdzenia, kana³y paliwowe, os³ony termiczne, przegrody, siatki dystansuj±ce rdzenia i p³yty rozpraszaj±ce;

Uwaga: W pozycji 0A001.h. «zespo³y wewnêtrzne reaktora» oznaczaj± dowoln± wiêksz± strukturê wewn±trz zbiornika reaktora wype³niaj±c± jedn± lub wiêcej funkcji, takich jak podtrzymywanie rdzenia, utrzymywanie osiowania elementów paliwowych, kierowanie przep³ywem ch³odziwa w obiegu pierwotnym, zapewnienie os³on radiacyjnych zbiornika reaktora i oprzyrz±dowania wewn±trzrdzeniowego.

i. Wymienniki ciep³a (wytwornice pary) specjalnie zaprojektowane lub przystosowane do stosowania w obiegu pierwotnym «reaktora j±drowego» ;

j. Aparatura do detekcji i pomiaru promieniowania neutronowego specjalnie zaprojektowana lub przystosowana do okre¶lenia poziomu strumienia neutronów wewn±trz rdzenia «reaktora j±drowego» .

0B Urz±dzenia testuj±ce, kontrolne i produkcyjne

0B001 Nastêpuj±ce instalacje do separacji izotopów z «uranu naturalnego» , «uranu zubo¿onego» i «specjalnych materia³ów rozszczepialnych» oraz urz±dzenia specjalnie do nich zaprojektowane lub wykonane:

a. Nastêpuj±ce instalacje specjalnie przeznaczone do separacji izotopów «uranu naturalnego» , «uranu zubo¿onego» oraz «specjalnych materia³ów rozszczepialnych» :

1. Instalacje do rozdzielania gazów metod± wirowania;

2. Instalacje do dyfuzyjnego rozdzielania gazów;

3. Instalacje do rozdzielania metodami aerodynamicznymi;

4. Instalacje do rozdzielania metodami wymiany chemicznej;

5. Instalacje do rozdzielania technik± wymiany jonów;

6. Instalacje do rozdzielania izotopów w postaci par metalu za pomoc± «laserów» ;

7. Instalacje do rozdzielania izotopów w postaci molekularnej za pomoc± «laserów» ;

8. Instalacje do rozdzielania metodami plazmowymi;

9. Instalacje do rozdzielania metodami elektromagnetycznymi;

b. Nastêpuj±ce wirówki gazowe oraz zespo³y i urz±dzenia, specjalnie zaprojektowane lub wykonane do stosowania w procesach wzbogacania metod± wirowania gazów:

Uwaga: W pozycji 0B001.b. «materia³ o wysokim stosunku wytrzyma³o¶ci mechanicznej do gêsto¶ci» oznacza jeden z poni¿szych:

a. stal maraging o wytrzyma³o¶ci na rozci±ganie równej 2050 MPa lub wiêkszej;

b. stopy aluminium o wytrzyma³o¶ci na rozci±ganie równej 460 MPa lub wiêkszej; lub

c. «materia³y w³ókniste lub w³ókienkowe» o «module w³a¶ciwym» powy¿ej 3,18 × 106 m i «wytrzyma³o¶ci w³a¶ciwej na rozci±ganie» powy¿ej 76,2 × 103 m;

1. Wirówki gazowe;

2. Kompletne zespo³y rotorów;

3. Cylindryczne zespo³y rotorów o grubo¶ci 12 mm lub mniejszej, ¶rednicy od 75 do 400 mm, wykonane z «materia³ów o wysokim stosunku wytrzyma³o¶ci mechanicznej do gêsto¶ci» ;

4. Pier¶cienie lub mieszki ze ¶ciankami o grubo¶ci 3 mm lub mniejszej i ¶rednicy od 75 mm do 400 mm przeznaczone do lokalnego osadzenia cylindra wirnika albo do po³±czenia ze sob± wielu cylindrów wirników, wykonane z «materia³ów o wysokim stosunku wytrzyma³o¶ci mechanicznej do gêsto¶ci» ;

5. Deflektory o ¶rednicy od 75 mm do 400 mm przeznaczone do instalowania wewn±trz cylindra wirnika od¶rodkowego, wykonane z «materia³ów o wysokim stosunku wytrzyma³o¶ci mechanicznej do gêsto¶ci» ;

6. Pokrywy górne lub dolne o ¶rednicy od 75 mm do 400 mm pasuj±ce do koñców cylindra wirnika, wykonane z «materia³ów o wysokim stosunku wytrzyma³o¶ci mechanicznej do gêsto¶ci» ;

7. £o¿yska na poduszce magnetycznej sk³adaj±ce siê z pier¶cieniowego magnesu zawieszonego w obudowie wykonanej z «materia³ów odpornych na korozyjne dzia³anie UF6 » , lub chronionej takimi materia³ami, zawieraj±cej wewn±trz czynnik t³umi±cy i posiadaj±ce magnes sprzê¿ony z nabiegunnikiem lub drugim magnesem osadzonym w pokrywie górnej wirnika;

8. Specjalnie wykonane ³o¿yska sk³adaj±ce siê z zespo³u czop-panewka osadzonego na amortyzatorze;

9. Pompy molekularne zawieraj±ce cylindry z wewnêtrznymi, obrobionymi technik± skrawania lub wyt³oczonymi, spiralnymi rowkami i wewnêtrznymi wywierconymi otworami;

10. Pier¶cieniowe stojany silników do wysokoobrotowych wielofazowych silników histerezowych (lub reluktancyjnych) do pracy synchronicznej w pró¿ni z czêstotliwo¶ci± 600-2000 Hz i moc± od 50 do 1000 woltoamperów;

11. Obudowy (komory) wirówek, w których znajduj± siê zespo³y wirników cylindrycznych wirówki gazowej, sk³adaj±ce siê ze sztywnego cylindra ze ¶ciankami o grubo¶ci do 30 mm z precyzyjnie obrobionymi koñcami i wykonane z «materia³ów odpornych na korozyjne dzia³anie UF6 » lub te¿ zabezpieczone takimi materia³ami;

12. Zbieraki sk³adaj±ce siê z rurek o ¶rednicy wewnêtrznej do 12 mm, przeznaczone do ekstrahowania gazowego UF6 z wirnika wirówki na zasadzie rurki Pitota, wykonane z «materia³ów odpornych na korozyjne dzia³anie UF6 » lub te¿ zabezpieczone takimi materia³ami;

13. Przemienniki czêstotliwo¶ci (konwertory lub inwentory) specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do zasilania stojanów silników wirówek gazowych do wzbogacania, posiadaj±ce wszystkie nastêpuj±ce cechy charakterystyczne i specjalnie do nich przeznaczone podzespo³y:

a. Wyj¶cie wielofazowe o czêstotliwo¶ci od 600 do 2000 Hz;

b. Regulacja czêstotliwo¶ci z dok³adno¶ci± lepsz± ni¿ 0,1 %;

c. Zniekszta³cenia harmoniczne poni¿ej 2 %; oraz

d. Sprawno¶æ powy¿ej 80 %;

c. Nastêpuj±ce urz±dzenia i podzespo³y, specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do separacji metod± dyfuzji gazowej:

1. Przegrody do dyfuzji gazowej wykonane z porowatych metalowych, polimerowych lub ceramicznych «materia³ów odpornych na korozyjne dzia³anie UF6 » , posiadaj±ce pory o ¶rednicach od 10 do 100 nm, grubo¶æ 5 mm lub mniejsz± oraz, w przypadku elementów cylindrycznych, ¶rednicê 25 mm lub mniejsz±;

2. Obudowy dyfuzorów gazowych wykonane lub chronione «materia³ami odpornymi na korozyjne dzia³anie UF6 » ;

3. Sprê¿arki (wyporowe, od¶rodkowe i osiowe) lub dmuchawy do gazów, o objêto¶ciowej pojemno¶ci ssania UF6 wynosz±cej 1 m3/min lub wiêcej oraz o ci¶nieniu wylotowym do 667,7 kPa, wykonane z «materia³ów odpornych na korozyjne dzia³anie UF6 » albo chronione takimi materia³ami;

4. Uszczelnienia wiruj±cych wa³ów sprê¿arek lub dmuchaw wymienionych w pozycji 0B001.c.3., skonstruowane w taki sposób, ¿eby objêto¶ciowe natê¿enie przep³ywu gazu buforowego przez nieszczelno¶ci wynosi³o poni¿ej 1000 cm3/min;

5. Wymienniki ciep³a wykonane z aluminium, miedzi, niklu lub jego stopów zawieraj±cych ponad 60 % wagowych niklu, albo z kombinacji tych metali, takie jak rury platerowane, przeznaczone do pracy w warunkach podci¶nienia przy zachowaniu natê¿enia przep³ywu przez nieszczelno¶ci na takim poziomie, ¿e ogranicza ono wzrost ci¶nienia do mniej ni¿ 10 Pa na godzinê przy ró¿nicy ci¶nieñ rzêdu 100 kPa;

6. Zawory mieszkowe o ¶rednicy od 40 do 1500 mm wykonane z «materia³ów odpornych na korozyjne dzia³anie UF6 » albo chronione takimi materia³ami;

d. Nastêpuj±ce urz±dzenia i podzespo³y specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do aerodynamicznego wzbogacania materia³ów:

1. Dysze separuj±ce sk³adaj±ce siê ze szczelinowych, zakrzywionych kana³ów o promieniu krzywizny poni¿ej 1 mm, odporne na korozyjne dzia³anie UF6 , zawieraj±ce w ¶rodku ostre krawêdzie rozdzielaj±ce gaz p³yn±cy w dyszach na dwa strumienie;

2. Cylindryczne lub sto¿kowe rury napêdzane stycznym strumieniem wlotowym (rurki wirowe) wykonane z «materia³ów odpornych na korozyjne dzia³anie UF6 » lub te¿ zabezpieczone takimi materia³ami, maj±ce ¶rednicê od 0,5 cm do 4 cm i stosunek d³ugo¶ci do ¶rednicy 20:1 lub mniejszy oraz jeden lub kilka stycznych wlotów;

3. Sprê¿arki (wyporowe, od¶rodkowe i osiowe) lub dmuchawy do gazów, o objêto¶ciowej pojemno¶ci ssania 2 m3/min, wykonane z «materia³ów odpornych na korozyjne dzia³anie UF6 » albo zabezpieczone takimi materia³ami oraz wiruj±ce uszczelnienia wa³ów do nich;

4. Wymienniki ciep³a wykonane z «materia³ów odpornych na korozyjne dzia³anie UF6 » lub zabezpieczone takimi materia³ami;

5. Obudowy aerodynamicznych elementów rozdzielaj±cych, wykonane z «materia³ów odpornych na korozyjne dzia³anie UF6 » albo zabezpieczone takimi materia³ami, przeznaczone na rurki wirowe lub dysze rozdzielaj±ce;

6. Zawory mieszkowe wykonane z «materia³ów odpornych na korozyjne dzia³anie UF6 » albo zabezpieczone takimi materia³ami, maj±ce ¶rednicê od 40 do 1500 mm;

7. Instalacje przetwórcze do oddzielania UF6 od gazu no¶nego (wodoru lub helu) do zawarto¶ci 1 ppm UF6 lub mniejszej, w tym:

a. Kriogeniczne wymienniki ciep³a i separatory zdolne do pracy w temperaturach 153 K (- 120 °C) lub mniejszych;

b. Zamra¿arki kriogeniczne zdolne do wytwarzania temperatur 153 K (- 120 °C) lub ni¿szych;

c. Dysze rozdzielaj±ce lub zespo³y rurek wirowych do oddzielania UF6 od gazu no¶nego;

d. Wymra¿arki UF6 zdolne do pracy w temperaturach 253 K (- 20 °C) lub ni¿szych;

e. Nastêpuj±ce urz±dzenia i podzespo³y do nich, specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do wzbogacania materia³ów technik± wymiany chemicznej:

1. Cieczowo-cieczowe kolumny impulsowe do szybkiej wymiany chemicznej z czasem przebywania czynnika w stopniu urz±dzenia rzêdu 30 sekund lub krótszym oraz odporne na stê¿ony kwas solny (np. wykonane z odpowiednich tworzyw sztucznych, takich jak polimery fluorowêglowe lub szk³o, albo pokryte takimi materia³ami);

2. Cieczowo-cieczowe kontaktory od¶rodkowe do szybkiej wymiany chemicznej z czasem przebywania czynnika w stopniu urz±dzenia rzêdu 30 sekund lub krótszym oraz odporne na stê¿ony kwas solny (np. wykonane z odpowiednich tworzyw sztucznych, takich jak polimery fluorowêglowe lub szk³o, albo pokryte takimi materia³ami);

3. Elektrochemiczne ogniwa redukcyjne, odporne na dzia³anie roztworów kwasu solnego, do obni¿ania warto¶ciowo¶ci uranu;

4. Urz±dzenia do zasilania elektrochemicznych ogniw redukcyjnych, pobieraj±ce U+4 ze strumieni substancji organicznych, wykonane w strefach kontaktu z przetwarzanym strumieniem z odpowiednich materia³ów lub chronione takimi materia³ami (na przyk³ad szk³o, polimery fluorowêglowe, polisiarczan fenylu, polisulfon eteru i grafit nasycany ¿ywic±);

5. Urz±dzenia do sporz±dzania pó³produktów do wytwarzania roztworu chlorku uranu o wysokiej czysto¶ci, sk³adaj±ce siê z zespo³ów do rozpuszczania, ekstrakcji rozpuszczalnikowej i/lub wymiany jonowej, przeznaczone do oczyszczania, oraz ogniwa elektrolityczne do redukowania uranu U+6 lub U+4 do U+3;

6. Urz±dzenia do utleniania uranu ze stanu U+3 do U+4;

f. Nastêpuj±ce urz±dzenia i podzespo³y, specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do wzbogacania materia³ów technik± wymiany jonów:

1. Szybko reaguj±ce ¿ywice jonowymienne, ¿ywice b³onkowate lub porowate makrosiatkowe, w których grupy chemiczne bior±ce aktywny udzia³ w wymianie znajduj± siê wy³±cznie w pow³oce na powierzchni nieaktywnej porowatej struktury no¶nej, oraz inne materia³y kompozytowe w dowolnej stosownej formie, w tym w postaci cz±stek lub w³ókien, ze ¶rednicami rzêdu 0,2 mm lub mniejszymi, odporne na stê¿ony kwas solny i wykonane w taki sposób, ¿e ich pó³czas wymiany wynosi poni¿ej 10 sekund, oraz zdolne do pracy w temperaturach w zakresie od 373 K (100 °C) do 473 K (200 °C);

2. Kolumny jonitowe (cylindryczne) o ¶rednicy powy¿ej 1.000 mm, wykonane z materia³ów odpornych na stê¿ony kwas solny, lub chronione takimi materia³ami (np. tytan lub tworzywa fluorowêglowe) i zdolne do pracy w temperaturach w zakresie od 373 K (100 °C) do 473 K (200 °C) i przy ci¶nieniach powy¿ej 0,7 MPa;

3. Jonitowe urz±dzenia zwrotne (urz±dzenia do chemicznego lub elektrochemicznego utleniania lub redukcji) przeznaczone do regeneracji substancji do chemicznej redukcji lub utleniania, stosowanych w jonitowych kaskadach do wzbogacania materia³ów;

g. Nastêpuj±ce urz±dzenia i podzespo³y, specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do rozdzielania izotopów w postaci pary metalu za pomoc± «laserów» (AVLIS):

1. Du¿ej mocy dzia³a elektronowe wytwarzaj±ce strumieñ elektronów w reakcji zdzierania albo skaningowe dzia³a elektronowe o mocy wyj¶ciowej powy¿ej 2,5 kW/cm, przeznaczone do urz±dzeñ do przeprowadzania uranu w stan pary;

2. Systemy operowania ciek³ym uranem metalicznym dla stopionego uranu lub jego stopów sk³adaj±ce siê z tygli, wykonanych z materia³ów odpornych na odpowiednie efekty korozyjne i ciep³o (np. tantal, grafit powlekany tlenkiem itrowym, grafit powlekany tlenkami innych metali ziem rzadkich lub ich mieszanki) lub chronionych takimi materia³ami oraz instalacji ch³odniczych do tygli;

N.B.: Sprawd¼ tak¿e pozycjê 2A225.

3. Urz±dzenia do gromadzenia produktów lub frakcji koñcowych, wykonane z materia³ów odpornych na dzia³anie cieplne i korozyjne uranu w postaci pary lub cieczy, takich jak grafit powlekany tlenkiem itru lub tantal lub wy³o¿one takimi materia³ami;

4. Obudowy modu³ów urz±dzeñ rozdzielaj±cych (zbiorniki cylindryczne lub prostopad³o¶cienne) przeznaczone na ¼ród³a par uranu metalicznego, dzia³a elektronowe oraz urz±dzenia do gromadzenia produktu i frakcji koñcowych;

5. «Lasery» lub systemy «laserów» do rozdzielania izotopów uranu wyposa¿one w stabilizatory czêstotliwo¶ci przystosowane do pracy przez d³u¿sze okresy czasu;

N.B.: Sprawd¼ tak¿e pozycje 6A005 i 6A205.

h. Nastêpuj±ce urz±dzenia i podzespo³y, specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do rozdzielania izotopów w postaci molekularnej za pomoc± «laserów» (MLIS) lub reakcji chemicznej wywo³anej selektywn± laserow± aktywacj± izotopów (CRISLA):

1. Nadd¼wiêkowe dysze rozprê¿ne do ch³odzenia mieszanin UF6 z gazem no¶nym do temperatur 150 K (- 123 °C) lub ni¿szych, wykonane z «materia³ów odpornych na korozyjne dzia³anie UF6 » ;

2. Urz±dzenia do gromadzenia piêciofluorku uranu (UF5 ), sk³adaj±ce siê z kolektorów filtracyjnych, udarowych lub cyklonowych lub ich kombinacji, wykonane z «materia³ów odpornych na korozyjne dzia³anie UF5 /UF6 » ;

3. Sprê¿arki wykonane z «materia³ów odpornych na korozyjne dzia³anie UF6 » albo zabezpieczone takimi materia³ami oraz uszczelnienia wiruj±cych wa³ów do nich;

4. Urz±dzenia do fluorowania UF5 (sta³ego) do UF6 (gazowego);

5. Urz±dzenia przetwórcze do oddzielania UF6 od gazu no¶nego (np. azotu lub argonu), w tym:

a. Kriogeniczne wymienniki ciep³a i separatory zdolne do pracy w temperaturach 153 K (- 120 °C) lub mniejszych;

b. Zamra¿arki kriogeniczne zdolne do wytwarzania temperatur 153 K (- 120 °C) lub ni¿szych;

c. Wymra¿arki UF6 zdolne do pracy w temperaturach 253 K (- 20 °C) lub ni¿szych;

6. «Lasery» lub systemy «laserów» do rozdzielania izotopów uranu wyposa¿one w stabilizatory czêstotliwo¶ci przystosowane do pracy przez d³u¿sze okresy czasu;

N.B.: Sprawd¼ tak¿e pozycje 6A005 i 6A205.

i. Nastêpuj±ce urz±dzenia i podzespo³y, specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do plazmowego rozdzielania materia³ów:

1. ¬ród³a mikrofal i anteny do wytwarzania lub przyspieszania jonów, o czêstotliwo¶ci wyj¶ciowej powy¿ej 30 GHz i ¶redniej mocy wyj¶ciowej powy¿ej 50 kW;

2. Wysokoczêstotliwo¶ciowe cewki do wzbudzania jonów pracuj±ce w zakresie czêstotliwo¶ci powy¿ej 100 kHz i zdolne do pracy w warunkach ¶redniej mocy powy¿ej 40 kW;

3. Urz±dzenia do wytwarzania plazmy uranowej;

4. Systemy operowania ciek³ym metalem dla stopionego uranu lub jego stopów sk³adaj±ce siê z tygli, wykonanych z materia³ów odpornych na odpowiednie efekty korozyjne i ciep³o (np. tantal, grafit powlekany tlenkiem itrowym, grafit powlekany tlenkami innych metali ziem rzadkich lub ich mieszanki) lub chronionych takimi materia³ami oraz instalacji ch³odniczych do tygli;

N.B.: Sprawd¼ tak¿e pozycjê 2A225.

5. Urz±dzenia do gromadzenia produktów lub frakcji koñcowych, wykonane z materia³ów odpornych na dzia³anie cieplne i korozyjne par uranu, takich jak grafit powlekany tlenkiem itru lub tantal lub zabezpieczone takimi materia³ami;

6. Obudowy modu³ów separatorów (cylindryczne) na ¼ród³o plazmy uranowej, cewki na pr±dy wysokiej czêstotliwo¶ci oraz kolektory do produktu i frakcji koñcowych, wykonane z odpowiednich materia³ów niemagnetycznych (np. ze stali nierdzewnej).

j. Nastêpuj±ce urz±dzenia i podzespo³y, specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do wzbogacania materia³ów metodami elektromagnetycznymi:

1. ¬ród³a jonów, pojedyncze lub wielokrotne, sk³adaj±ce siê ze ¼ród³a pary, jonizatora oraz akceleratora wi±zki wykonane z odpowiednich materia³ów niemagnetycznych (np. grafitu, stali nierdzewnej lub miedzi) i zdolne do wytwarzania wi±zki jonów o ca³kowitym natê¿eniu 50 mA lub wiêkszym;

2. P³ytkowe kolektory jonów do gromadzenia wzbogaconych lub zubo¿onych wi±zek jonów uranu, sk³adaj±ce siê z dwóch lub wiêcej szczelin i kieszeni i wykonane z odpowiednich materia³ów niemagnetycznych (np. grafitu lub stali nierdzewnej);

3. Obudowy pró¿niowe do elektromagnetycznych separatorów uranu wykonane z materia³ów niemagnetycznych (np. z grafitu lub stali nierdzewnej) i skonstruowane z przeznaczeniem do pracy przy ci¶nieniach 0,1 Pa lub ni¿szych;

4. Elementy biegunów magnesów o ¶rednicy powy¿ej 2 m;

5. Wysokonapiêciowe zasilacze do ¼róde³ jonów, posiadaj±ce wszystkie nastêpuj±ce cechy charakterystyczne:

a. Zdolne do pracy w trybie ci±g³ym;

b. Napiêcie wyj¶ciowe 20000 V lub wiêksze;

c. Natê¿enie pr±du na wyj¶ciu 1A lub wiêksze; oraz

d. Regulacja napiêcia z dok³adno¶ci± lepsz± ni¿ 0,01 % w ci±gu 8 godzin;

N.B.: Sprawd¼ tak¿e pozycjê 3A227.

6. Zasilacze magnesów (wysokiej mocy, pr±du sta³ego) maj±ce wszystkie wymienione poni¿ej cechy charakterystyczne:

a. Zdolno¶æ do pracy w trybie ci±g³ym z pr±dem wyj¶ciowym o natê¿eniu 500 A lub wiêkszym i napiêciu 100 V lub wiêkszym; oraz

b. Regulacja natê¿enia lub napiêcia pr±du z dok³adno¶ci± lepsz± ni¿ 0,01 % w ci±gu 8 godzin.

N.B.: Sprawd¼ tak¿e pozycjê 3A226.

0B002 Nastêpuj±ce specjalnie zaprojektowane lub wykonane pomocnicze instalacje, urz±dzenia i podzespo³y do instalacji separacji izotopów wymienionych w pozycji 0B001, wykonane z «materia³ów odpornych na korozyjne dzia³anie UF6 » lub chronione materia³ami tego typu:

a. Autoklawy, piece lub instalacje do doprowadzania UF6 do instalacji do wzbogacania;

b. Desublimatory lub wymra¿arki do odprowadzania UF6 z instalacji przetwórczych i dalszego jego transportu po ogrzaniu;

c. Instalacje do produktu lub frakcji koñcowych do transportu UF6 do zbiorników.

d. Instalacje do skraplania lub zestalania stosowane do usuwania UF6 z procesu wzbogacania drog± sprê¿ania i przetwarzania UF6 w ciecz lub cia³o sta³e;

e. Instalacje ruroci±gowe i zbiorniki specjalnie przeznaczone do transportu i manipulowania UF6 w procesach rozdzielania izotopów metod± dyfuzji, ultrawirowania lub kaskady aerodynamicznej;

f. 1. Pró¿niowe instalacje rur rozga³ê¼nych lub zbiorników o wydajno¶ci ssania wynosz±cej 5 m3 na minutê lub wiêcej; lub

2. Pompy pró¿niowe specjalnie przeznaczone do pracy w atmosferze UF6 ;

g. Spektrometry masowe (¼ród³a jonów), specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do bie¿±cego (on-line) pobierania próbek surowca, produktu lub frakcji koñcowych ze strumieni zawieraj±cych UF6 , posiadaj±ce wszystkie wymienione poni¿ej cechy:

1. Jednostkow± rozdzielczo¶æ masy atomowej powy¿ej 320;

2. ¬ród³a jonów wykonane lub powlekane nichromem lub monelem albo niklowane;

3. Elektronowe ¼ród³a jonizacyjne;

4. Wyposa¿one w kolektory umo¿liwiaj±ce analizê izotopow±.

0B003 Nastêpuj±ce instalacje do przetwarzania uranu i urz±dzenia specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do nich:

a. Instalacje do przetwarzania koncentratów rudy uranowej na UO3 ;

b. Instalacje do przetwarzania UO3 na UF6 ;

c. Instalacje do przetwarzania UO3 na UO2 ;

d. Instalacje do przetwarzania UO2 na UF4 ;

e. Instalacje do przetwarzania UF4 na UF6 ;

f. Instalacje do przetwarzania UF4 na metaliczny uran;

g. do przetwarzania UF6 na UO2 ;

h. Instalacje do przetwarzania UF6 na UF4 ;

i. Instalacje do przetwarzania UO2 na UCl4 .

0B004 Nastêpuj±ce instalacje do produkcji lub stê¿ania ciê¿kiej wody, deuteru i zwi±zków deuteru oraz specjalnie do nich zaprojektowane i wykonane urz±dzenia:

a. Nastêpuj±ce instalacje do produkcji ciê¿kiej wody, deuteru i zwi±zków deuteru:

1. Instalacje do produkcji metod± wymiany woda - siarkowodór;

2. Instalacje do produkcji metod± wymiany amoniak - wodór;

b. Nastêpuj±ce urz±dzenia i podzespo³y:

1. Kolumnowe wymienniki typu woda - siarkowodór wykonane z oczyszczonej stali wêglowej (np. ASTM A516), maj±ce ¶rednicê od 6 m do 9 m i zdolno¶æ do pracy przy ci¶nieniach równych lub wiêkszych ni¿ 2 MPa oraz posiadaj±ce naddatek korozyjny o warto¶ci 6 mm lub wiêkszy;

2. Jednostopniowe, niskoci¶nieniowe (np. 0,2 MPa), od¶rodkowe dmuchawy lub kompresory wymuszaj±ce cyrkulacjê gazowego siarkowodoru (tj. gazu zawieraj±cego wiêcej ni¿ 70 % H2 S), o przepustowo¶ci równej lub wiêkszej ni¿ 56 m3/sekundê podczas pracy przy ci¶nieniach zasysania równych lub wiêkszych ni¿ 1,8 MPa, posiadaj±ce uszczelnienia umo¿liwiaj±ce pracê w ¶rodowisku wilgotnego H2 S;

3. Kolumnowe wymienniki typu amoniak - wodór o wysoko¶ci równej lub wiêkszej ni¿ 35 m i ¶rednicy od 1,5 m do 2,5 m, zdolne do pracy przy ci¶nieniach wiêkszych ni¿ 15 MPa;

4. Konstrukcje wewnêtrzne kolumn w³±cznie z kontaktorami stopniowymi i pompami stopniowymi, w tym zanurzeniowymi, do produkcji ciê¿kiej wody w procesie wymiany amoniak - wodór;

5. Instalacje do krakowania amoniaku zdolne do pracy przy ci¶nieniach równych lub wiêkszych ni¿ 3 MPa przy produkcji ciê¿kiej wody w procesie wymiany amoniak - wodór;

6. Podczerwone analizatory absorpcyjne zdolne do bie¿±cej (on-line) analizy stosunku wodoru do deuteru w warunkach, w których stê¿enia deuteru s± równe lub wiêksze ni¿ 90 %;

7. Palniki katalityczne do konwersji wzbogaconego deuteru w ciê¿k± wodê przy u¿yciu procesu wymiany amoniak - wodór;

8. Kompletne systemy wzbogacania ciê¿kiej wody lub przeznaczone dla nich kolumny, przeznaczone do zwiêkszania koncentracji deuteru w ciê¿kiej wodzie do poziomu reaktorowego;

0B005 Instalacje specjalnie przeznaczone do wytwarzania elementów paliwowych do «reaktorów j±drowych» oraz specjalnie dla nich zaprojektowane lub przystosowane urz±dzenia.

Uwaga: Instalacje do wytwarzania elementów paliwowych do «reaktorów j±drowych» obejmuj±ce w urz±dzenia, które:

a. Pozostaj± w bezpo¶rednim kontakcie z materia³ami j±drowymi albo bezpo¶rednio je przetwarzaj± lub steruj± procesem ich produkcji;

b. Uszczelniaj± materia³y j±drowe wewn±trz ich koszulek;

c. Kontroluj± szczelno¶æ koszulek; lub

d. Kontroluj± koñcow± obróbkê paliwa sta³ego.

0B006 Instalacje do przerobu napromieniowanych (wypalonych w ró¿nym stopniu) elementów paliwowych «reaktorów j±drowych» oraz specjalnie dla nich przeznaczone lub wykonane urz±dzenia i podzespo³y.

Uwaga: Pozycja 0B006 obejmuje:

a. Instalacje do przerobu napromieniowanych (wypalonych w ró¿nym stopniu) elementów paliwowych «reaktorów j±drowych» , w tym urz±dzenia i podzespo³y, które zazwyczaj wchodz± w bezpo¶redni kontakt z materia³ami j±drowymi, s³u¿± do ich bezpo¶redniego przetwarzania lub sterowania ich przep³ywem;

b. Maszyny do rozdrabniania lub kruszenia elementów paliwowych, tj. zdalnie sterowane urz±dzenia do ciêcia, rozdrabniania lub krojenia napromieniowanych (wypalonych w ró¿nym stopniu) zespo³ów, wi±zek lub prêtów paliwowych «reaktorów j±drowych» ;

c. Urz±dzenia do rozpuszczania, zbiorniki podkrytyczne (np. pier¶cieniowe lub p³askie zbiorniki o ma³ych ¶rednicach), specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do rozpuszczania napromieniowanego (wypalonego w ró¿nym stopniu) paliwa do «reaktorów j±drowych» , odporne na dzia³anie gor±cych, silnie ¿r±cych p³ynów oraz przystosowane do zdalnego za³adunku i obs³ugi;

d. Ekstraktory przeciwpr±dowe i urz±dzenia do separacji metod± wymiany jonów, specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do przerobu napromieniowanego (wypalonego w ró¿nym stopniu) «uranu naturalnego» , «uranu zubo¿onego» lub «specjalnych materia³ów rozszczepialnych» ;

e. Zbiorniki technologiczne lub magazynowe, specjalnie zaprojektowane w taki sposób, ¿e s± podkrytyczne i odporne na ¿r±ce dzia³anie kwasu azotowego;

Uwaga: Zbiorniki technologiczne lub magazynowe mog± mieæ nastêpuj±ce w³a¶ciwo¶ci:

1. ¶cianki lub struktury wewnêtrzne z co najmniej dwuprocentowym ekwiwalentem borowym (obliczonym dla wszystkich sk³adowych pierwiastków w sposób zdefiniowany w uwadze do pozycji 0C004);

2. maksymaln± ¶rednicê rzêdu 175 mm w przypadku zbiorników cylindrycznych; lub

3. maksymaln± szeroko¶æ 75 mm w przypadku zbiorników p³ytowych lub pier¶cieniowych.

f. Instrumenty do sterowania procesem przetwarzania, specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do monitorowania lub sterowania przerobem napromieniowanego (wypalonego w ró¿nym stopniu) «uranu naturalnego» , «uranu zubo¿onego» lub «specjalnych materia³ów rozszczepialnych» .

0B007 Instalacje do przetwarzania plutonu oraz specjalnie dla nich przeznaczone lub wykonane urz±dzenia i podzespo³y.

a. Instalacje do przetwarzania azotanu plutonu na tlen;

b. Instalacje do wytwarzania metalicznego plutonu.

0C Materia³y

0C001 «Uran naturalny» lub «uran zubo¿ony» lub tor w formie metalu, stopu, zwi±zku chemicznego lub koncentratu i dowolnego innego materia³u zawieraj±cego jeden lub wiêcej z powy¿szych materia³ów;

Uwaga: Pozycja 0C001 nie obejmuje kontrol±:

a. Czterech gramów lub mniej «uranu naturalnego» lub «uranu zubo¿onego» , je¿eli znajduje siê w czujnikach instrumentów pomiarowych;

b. «Uranu zubo¿onego» specjalnie wyprodukowanego z przeznaczeniem do wyrobu nastêpuj±cych produktów cywilnych spoza dziedziny j±drowej:

1. Os³ony

2. Wype³nienia;

3. Balasty o masie nieprzekraczaj±cej 100 kg;

4. Przeciwwagi o masie nieprzekraczaj±cej 100 kg;

c. Stopów zawieraj±cych mniej ni¿ 5 % toru;

d. Produktów ceramicznych zawieraj±cych tor, ale wykonanych do zastosowañ poza dziedzin± j±drow±.

0C002 «Specjalne materia³y rozszczepialne»

Uwaga: Pozycja 0C002 nie obejmuje kontrol± czterech «gramów efektywnych» lub mniej, w przypadku ich stosowania w czujnikach instrumentów pomiarowych.

0C002 Deuter, ciê¿ka woda (tlenek deuteru) i inne zwi±zki deuteru oraz ich mieszaniny i roztwory, w których stosunek liczby atomów deuteru do atomów wodoru jest wiêkszy ni¿ 1:5000.

0C004 Grafit klasy j±drowej, o stopniu zanieczyszczenia poni¿ej 5 czê¶ci na milion «ekwiwalentu boru» oraz gêsto¶ci wiêkszej ni¿ 1,50 g/cm3.

N.B.: Sprawd¼ tak¿e poz. 1C107.

Uwaga 1: Pozycja 0C004 nie obejmuje kontrol±:

a. wyrobów grafitowych o masie mniejszej ni¿ 1 kg, ró¿nych od specjalnie zaprojektowanych lub przystosowanych do wykorzystania w reaktorach j±drowych,

b. proszku grafitowego.

Uwaga 2: W pozycji 0C004 «ekwiwalent boru» (BE) zdefiniowany jest jako suma BEZ dla domieszek (z pominiêciem BEC dla wêgla, poniewa¿ wêgiel nie jest uwa¿any za domieszkê) z uwzglêdnieniem boru, gdzie:

BEZ (ppm) = CF × stê¿enie pierwiastka Z okre¶lane w ppm (czê¶ciach na milion)

gdzie CF jest wspó³czynnikiem przeliczeniowym = σ>ISO_2>ZAB>ISO_7>σ>ISO_2>B AZ

a >ISO_7>σ>ISO_2>B i >ISO_7>σ>ISO_2>Z s± przekrojami czynnymi na wychwyt neutronσw termicznych (w barnach) odpowiednio dla boru pochodzenia naturalnego i pierwiastka Z, a AB i AZ s± masami atomowymi odpowiednio boru naturalnego i pierwiastka Z.

0C005 Specjalnie wzbogacone zwi±zki lub proszki do wyrobu przegrσd do dyfuzji gazowej, odporne na korozyjne dzia³anie UF6 , np. nikiel lub stop zawieraj±cy 60 % wagowych lub wiκcej niklu, tlenek aluminium i ca³kowicie fluorowane polimery wκglowodorowe o procentowym stopniu czystoΆci w proporcji wagowej 99,9 lub powyΏej i Άredniej wielkoΆci cz±stek poniΏej 10 mikrometrσw, mierzonej wed³ug normy Amerykaρskiego Towarzystwa Materia³oznawczego (ASTM) B330 i wysokim stopniu jednorodnoΆci wymiarowej cz±stek.

0D Oprogramowanie

0D001 «Oprogramowanie» specjalnie opracowane lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do «rozwoju» , «produkcji» lub «uΏytkowania» towarσw wymienionych w tej kategorii.

0E Technologia

0E001 «Technologie» wed³ug Uwagi do technologii j±drowej, do «rozwoju» , «produkcji» lub «uΏytkowania» towarσw wymienionych w tej kategorii.

KATEGORIA 1

MATERIA£Y, SUBSTANCJE CHEMICZNE, «MIKROORGANIZMY» I «TOKSYNY»

1A Systemy, urz±dzenia i czκΆci

1A001 Nastκpuj±ce elementy wykonane ze zwi±zkσw fluorowych:

a. Uszczelnienia, uszczelki, masy uszczelniaj±ce lub przepony w uk³adach paliwowych, specjalnie przeznaczone do «samolotσw» lub rakiet kosmicznych, w ktσrych ponad 50 % zawartoΆci wagowej stanowi jeden z materia³σw objκtych kontrol± wed³ug pozycji 1.C009.b lub 1C009.c.;

b. Polimery i kopolimery piezoelektryczne wykonane z kopolimerσw fluorku winylidenu, wymienionych w pozycji 1C009.a:

1. w postaci arkuszy albo folii; i

2. o gruboΆci wiκkszej od 200 mikrometrσw;

c. Uszczelnienia, uszczelki, gniazda zaworσw, przepony albo membrany wykonane z elastomerσw fluorowych zawieraj±cych co najmniej jeden monomer eteru winylowego, specjalnie opracowane do «samolotσw» , rakiet kosmicznych lub «pociskσw rakietowych» .

UWAGA: W pozycji 1A001.c. «pocisk rakietowy» oznacza kompletne systemy rakietowe i bezza³ogowe systemy obiektσw lataj±cych w powietrzu.

1A002 Wyroby albo laminaty «kompozytowe» maj±ce nastκpuj±ce w³aΆciwoΆci:

N.B.: SprawdΌ takΏe pozycje 1A202, 9A010 i 9A110.

a. Posiadaj±ce «matrycκ» organiczn± i wykonane z materia³σw objκtych kontrol± wed³ug pozycji 1C010.c., 1C010.d. lub 1C010.e.; albo

b. Posiadaj±ce «matrycκ» metalow± lub wκglow± i wykonane z:

1. Wκglowych «materia³σw w³σknistych lub w³σkienkowych» o:

a. «module w³aΆciwym» powyΏej 10,15 Χ 106 m; i

b. «wytrzyma³oΆci w³aΆciwej na rozci±ganie» powyΏej 17,7 Χ 104 m; lub

2. Materia³σw wymienionych w pozycji 1C010.c.

UWAGA 1: Pozycja 1A002 nie dotyczy wyrobσw kompozytowych ani laminatσw wykonanych z Ώywic epoksydowych impregnowanych wκglowymi «materia³ami w³σknistymi lub w³σkienkowymi» , przeznaczonych do naprawy elementσw lub laminatσw samolotowych, pod warunkiem Ώe ich wielkoΆζ nie przekracza 1 m2.

UWAGA 2: Pozycja 1A002 nie obejmuje kontrol± ca³kowicie lub czκΆciowo wykoρczonych towarσw, specjalnie przeznaczonych do nastκpuj±cych, wy³±cznie cywilnych, zastosowaρ:

a. sprzκt sportowy,

b. przemys³ samochodowy,

c. przemys³ obrabiarkowy,

d. zastosowania medyczne.

1A003 Wyroby z substancji polimerowych niefluorowanych, okreΆlonych w pozycji 1C008.a.3., w postaci folii, arkuszy, taΆm lub wstκg, jednej z poniΏszych w³aΆciwoΆci:

a. o gruboΆci powyΏej 0,254 mm; lub

b. powlekane lub laminowane wκglem, grafitem, metalami lub substancjami magnetycznymi.

UWAGA: Pozycja 1A003 nie obejmuje kontrol± wyrobσw powlekanych lub laminowanych miedzi±, przeznaczonych do produkcji elektronicznych p³ytek drukowanych.

1A004 Nastκpuj±ce urz±dzenia, wyposaΏenie i czκΆci ochronne i detekcyjne, rσΏne od objκtych kontrol± na podstawie Wykazu uzbrojenia:

N.B.: SprawdΌ takΏe pozycje 2B351 i 2B352.

a. maski przeciwgazowe, poch³aniacze i wyposaΏenie dekontaminacyjne do nich, przeznaczone lub zmodyfikowane dla ochrony przed czynnikami biologicznymi i materia³ami promieniotwσrczymi «przystosowanymi do uΏycia w dzia³aniach wojennych» lub przed chemicznymi Άrodkami bojowymi, a takΏe czκΆci specjalnie do nich zaprojektowane;

b. ubrania, rκkawice i obuwie ochronne specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane dla ochrony przed czynnikami biologicznymi i materia³ami promieniotwσrczymi «przystosowanymi do uΏycia w dzia³aniach wojennych» lub przed chemicznymi Άrodkami bojowymi;

c. j±drowe, biologiczne i chemiczne systemy detekcji specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane dla wykrywania lub identyfikacji czynnikσw biologicznych i materia³σw promieniotwσrczych «przystosowanych do uΏycia w dzia³aniach wojennych» oraz chemicznych Άrodkσw bojowych, i specjalnie zaprojektowane do nich czκΆci.

UWAGA: Pozycja 1A004 nie obejmuje kontrol±:

a. Osobistych monitoruj±cych dozymetrσw promieniowania j±drowego;

b. Urz±dzeρ i wyposaΏenia, ograniczonych projektowo lub funkcjonalnie do spe³niania ochrony przed typowymi cywilnymi zagroΏeniami przemys³owymi, np. w gσrnictwie, przemyΆle wydobywczym, rolnictwie, przemyΆle farmaceutycznym, medycynie, weterynarii, ochronie Άrodowiska, zagospodarowaniu odpadσw lub w przemyΆle spoΏywczym.

1A005 Kamizelki i okrycia kuloodporne oraz specjalnie zaprojektowane do nich czκΆci, rσΏne od wykonanych wed³ug norm lub technicznych wymagaρ wojskowych oraz od ich odpowiednikσw o porσwnywalnych parametrach.

N.B.: SprawdΌ takΏe Wykaz uzbrojenia.

N.B.: W odniesieniu do «materia³σw w³σknistych lub w³σkienkowych» , stosowanych do produkcji kamizelek kuloodpornych, patrz 1C010.

UWAGA 1: Pozycja 1A005 nie obejmuje kontrol± indywidualnych okryζ kuloodpornych, ani akcesoriσw do nich, kiedy s³uΏ± one ich uΏytkownikowi do osobistej ochrony.

UWAGA 2: Pozycja 1A005 nie obejmuje kontrol± kamizelek kuloodpornych zaprojektowanych do ochrony czo³owej wy³±cznie zarσwno przed od³amkami, jak i wybuchami ³adunkσw i urz±dzeρ niewojskowych.

1A102 Elementy z przesycanego pirolizowanego materia³u typu wκgiel-wκgiel przeznaczone do pojazdσw kosmicznych wymienionych w pozycji 9A004 lub do rakiet meteorologicznych wymienionych w pozycji 9A104.

1A202 Elementy kompozytowe, rσΏne od wymienionych w pozycji 1A002, w postaci rur i maj±ce obie z nastκpuj±cych cech:

N.B.: SprawdΌ takΏe pozycje 9A010 i 9A110.

a. ¦rednicκ wewnκtrzn± od 75 mm do 400 mm; i

b. S± wykonane z jednego z «materia³σw w³σknistych lub w³σkienkowych» wymienionych w pozycji 1C010.a., 1C010.b. albo 1C210.a. lub z materia³σw wκglowych wyspecyfikowanych w pozycji 1C210.c.

1A225 Katalizatory platynowe specjalnie opracowane lub przygotowane do wspomagania reakcji wymiany izotopσw wodoru pomiκdzy wodorem a wod± w celu separacji trytu z ciκΏkiej wody albo w celu produkcji ciκΏkiej wody.

1A226 Wyspecjalizowane wk³ady do oddzielania ciκΏkiej wody od wody zwyk³ej, maj±ce obydwie z nastκpuj±cych cech:

a. S± wykonane z siatek z br±zu fosforowego obrabianych chemicznie dla zwiκkszenia nasi±kliwoΆci; i

b. S± przeznaczone do stosowania w prσΏniowych wieΏach destylacyjnych.

1A227 Przeciwradiacyjne okna ochronne o wysokiej gκstoΆci (ze szk³a o³owiowego lub podobnych materia³σw), maj±ce wszystkie z nastκpuj±cych cech, oraz specjalnie do nich skonstruowane ramy:

a. Powierzchniκ w obszarze nieradioaktywnym powyΏej 0,09 m2;

b. GκstoΆζ powyΏej 3 g/cm3; i

c. GruboΆζ 100 mm lub wiκksz±.

Uwaga techniczna;

Na uΏytek poz. 1A227, termin «obszar nieradioaktywny» oznacza pole widzenia okna wystawionego na promieniowanie o poziomie najniΏszym w danym zastosowaniu.

1B Urz±dzenia testuj±ce, kontrolne i produkcyjne

1B001 Nastκpuj±ce urz±dzenia do produkcji w³σkien, materia³σw do prasowania laminatσw zbrojonych, preform lub «kompozytσw» wymienionych w pozycji 1A002 lub 1C010 oraz specjalnie do nich skonstruowane elementy i akcesoria:

N.B.: SprawdΌ takΏe pozycje 1B101 i 1B201.

a. Maszyny nawojowe do w³σkien, z koordynowanymi i programowanymi w trzech lub wiκcej osiach ruchami zwi±zanymi z ustawianiem, owijaniem i nawijaniem w³σkien, specjalnie skonstruowane z przeznaczeniem do produkcji wyrobσw «kompozytowych» lub laminatσw z «materia³σw w³σknistych lub w³σkienkowych» ;

b. Maszyny do uk³adania taΆm albo mat z w³σkien, z koordynowanymi i programowanymi w dwσch lub wiκcej osiach ruchami zwi±zanymi z ustawianiem w odpowiednim po³oΏeniu i uk³adaniem taΆm, mat lub p³yt, specjalnie skonstruowane z przeznaczeniem do «kompozytowych» elementσw konstrukcyjnych p³atowca samolotu lub «pocisku rakietowego» ;

UWAGA : W pozycji 1B001.b. «pocisk rakietowy» oznacza kompletne systemy rakietowe i bezza³ogowe systemy obiektσw lataj±cych w powietrzu.

c. Wielokierunkowe, wielowymiarowe maszyny tkackie albo maszyny do przeplatania, w³±cznie z zestawami adaptacyjnymi i modyfikacyjnymi, przeznaczone do tkania, przeplatania lub oplatania w³σkien w celu wytworzenia elementσw «kompozytowych» ;

Uwaga techniczna;

Na uΏytek poz. 1B001.c. technika przeplatania obejmuje rσwnieΏ dzianie.

UWAGA: Pozycja 1B001.c. nie obejmuje kontrol± maszyn tekstylnych niezmodyfikowanych do wspomnianych powyΏej zastosowaρ koρcowych.

d. Nastκpuj±ce urz±dzenia specjalnie skonstruowane albo przystosowane do produkcji w³σkien wzmocnionych:

1. Urz±dzenia do przetwarzania w³σkien polimerowych (takich jak poliakrylonitryl, w³σkno z celulozy regenerowanej, pak albo polikarbosilan) we w³σkna wκglowe lub w³σkna wκglika krzemu, w³±cznie ze specjalnymi urz±dzeniami do naprκΏania w³σkien podczas ogrzewania;

2. Urz±dzenia do chemicznego osadzania par pierwiastkσw lub zwi±zkσw chemicznych na ogrzanych pod³oΏach w³σknistych w celu wyprodukowania w³σkien z wκglika krzemu;

3. Urz±dzenia do mokrego przκdzenia ogniotrwa³ych materia³σw ceramicznych (takich jak tlenek aluminiowy);

4. Urz±dzenia do przetwarzania za pomoc± obrσbki cieplnej w³σkien macierzystych zawieraj±cych aluminium we w³σkna aluminiowe;

e. Urz±dzenia do produkcji materia³σw do prasowania laminatσw zbrojonych, wymienionych w pozycji 1C010.e., metod± topienia termicznego (hot melt);

f. Urz±dzenia do badaρ nieniszcz±cych, umoΏliwiaj±ce kontrolκ wad w trzech wymiarach, metod± tomografii ultradΌwiκkowej albo rentgenowskiej i specjalnie skonstruowane do materia³σw «kompozytowych» .

1B002 Urz±dzenia specjalnie zaprojektowane w celu zabezpieczenia przed zanieczyszczeniem i skonstruowane specjalnie z przeznaczeniem do produkcji stopσw metali, proszkσw ze stopσw metali lub materia³σw stopowych wg jednego z procesσw wymienionych w pozycji 1C002.c.2.

N.B.: SprawdΌ takΏe pozycjκ 1B102.

1B003 Narzκdzia, matryce, formy lub osprzκt o specjalnej konstrukcji, do przetwarzania tytanu albo aluminium lub ich stopσw w «stanie nadplastycznym» albo metod± «zgrzewania dyfuzyjnego» z przeznaczeniem do produkcji:

a. Konstrukcji lotniczych i kosmicznych;

b. Silnikσw do «samolotu» i kosmicznych; lub

c. Specjalnie skonstruowanych zespo³σw do wspomnianych powyΏej konstrukcji lub silnikσw.

1B101 Nastκpuj±ce urz±dzenia, rσΏne od wymienionych w pozycji 1B001, do «produkcji» kompozytσw konstrukcyjnych oraz specjalnie do nich skonstruowane elementy i akcesoria:

N.B.: SprawdΌ takΏe pozycjκ 1B201.

UWAGA: Do wymienionych w 1B101 elementσw i akcesoriσw naleΏ± formy, trzpienie, matryce, uchwyty i oprzyrz±dowanie do wstκpnego prasowania, utrwalania, odlewania, spiekania lub spajania elementσw kompozytowych, laminatσw i wytworzonych z nich wyrobσw.

a. Maszyny nawojowe do w³σkien, z koordynowanymi i programowanymi w trzech lub wiκcej osiach ruchami zwi±zanymi z ustawianiem, owijaniem i nawijaniem w³σkien, specjalnie skonstruowane z przeznaczeniem do produkcji wyrobσw kompozytowych lub laminatσw z materia³σw w³σknistych lub w³σkienkowych;

b. Maszyny do uk³adania taΆm z koordynowanymi i programowanymi w dwσch lub wiκcej osiach ruchami zwi±zanymi z ustawianiem w odpowiednim po³oΏeniu i uk³adaniem taΆm, specjalnie skonstruowane z przeznaczeniem do «kompozytowych» elementσw konstrukcyjnych p³atowca samolotu lub «pocisku rakietowego» ;

c. Nastκpuj±ce urz±dzenia specjalnie skonstruowane albo przystosowane do «produkcji» «materia³σw w³σknistych lub w³σkienkowych» :

1. Urz±dzenia do przetwarzania w³σkien polimerowych (takich jak poliakrylonitryl, w³σkno z celulozy regenerowanej albo polikarbosilan) w³±cznie ze specjalnymi urz±dzeniami do naprκΏania w³σkien podczas ogrzewania;

2. Urz±dzenia do chemicznego osadzania par pierwiastkσw lub zwi±zkσw chemicznych na ogrzanych pod³oΏach w³σknistych; oraz

3. Urz±dzenia do mokrego przκdzenia ogniotrwa³ych materia³σw ceramicznych (takich jak tlenek aluminiowy);

d. Urz±dzenia skonstruowane lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do specjalnej obrσbki powierzchniowej w³σkien albo do wytwarzania materia³σw do prasowania laminatσw zbrojonych i preform wymienionych w pozycji 9C110.

UWAGA: Do urz±dzeρ ujκtych w 1B101.d. zalicza siκ rolki, naprκΏacze, zespo³y powlekaj±ce, urz±dzenia do ciκcia i formy zatrzaskowe.

1B102 «Urz±dzenia produkcyjne» do wytwarzania proszkσw metali, rσΏne od wymienionych w poz. 1B002 i specjalnie zaprojektowane elementy do nich:

N.B.: SprawdΌ takΏe pozycjκ 1B115.b.

a. nadaj±ce siκ do «produkcji» , w kontrolowanej atmosferze, sferycznych lub pylistych materia³σw wymienionych w pozycjach: 1C011.a., 1C011.b., 1C111.a.1., 1C111.a.2., lub w Wykazie uzbrojenia;

b. specjalnie zaprojektowane elementy do «urz±dzeρ produkcyjnych» wyszczegσlnionych w poz. 1B002 lub 1B102.a.

UWAGA: Pozycja 1B102 obejmuje:

a. Generatory plazmowe (na zasadzie ³uku elektrycznego wysokiej czκstotliwoΆci) nadaj±ce siκ do otrzymywania pylistych lub sferycznych proszkσw metali, z organizacj± procesu w Άrodowisku argon-woda.

b. Urz±dzenia elektroimpulsowe nadaj±ce siκ do otrzymywania pylistych lub sferycznych proszkσw metali, z organizacj± procesu w Άrodowisku argon-woda.

c. Urz±dzenia nadaj±ce siκ do «produkcji» sferycznych proszkσw aluminiowych przez rozpylanie roztopionego metalu w atmosferze obojκtnej (np. azocie).

1B115 Urz±dzenia, rσΏne od wymienionych w 1B002 lub 1B102, do produkcji paliw i sk³adnikσw paliw oraz specjalnie do nich skonstruowane podzespo³y:

a. «Urz±dzenia produkcyjne» do «produkcji» , manipulowania i testowania odbiorczego paliw p³ynnych i sk³adnikσw paliw wymienionych w pozycji 1C011.a, 1C011.b. i 1C111 lub w Wykazie uzbrojenia;

b. «Urz±dzenia produkcyjne» do «produkcji» , manipulowania, mieszania, utrwalania, odlewania, prasowania, obrabiania, wyt³aczania lub testowania odbiorczego paliw sta³ych i sk³adnikσw paliw wymienionych w pozycji 1C011.a, 1C011.b. i 1C111 lub w Wykazie uzbrojenia.

UWAGA: Pozycja 1B115.b nie obejmuje mieszarek okresowych, mieszarek ci±g³ych lub m³ynσw wykorzystuj±cych energiκ p³ynσw. W sprawie kontroli mieszarek okresowych, mieszarek ci±g³ych lub m³ynσw wykorzystuj±cych energiκ p³ynσw sprawdΌ pozycje 1B117, 1B118 i 1B119.

UWAGA 1: Urz±dzenia specjalnie skonstruowane do produkcji wyrobσw militarnych wymagaj± kaΏdorazowo sprawdzenia Wykazu uzbrojenia.

UWAGA 2: Pozycja 1B115 nie obejmuje kontrol± urz±dzeρ do «produkcji» , manipulowania i testowania odbiorczego wκgliku boru.

1B116 Dysze o specjalnej konstrukcji, przeznaczone do wytwarzania materia³σw pochodzenia pirolitycznego, formowanych w matrycy, na trzpieniu albo innym pod³oΏu, z gazσw macierzystych rozk³adaj±cych siκ w zakresie temperatur od 1573 K (1300 °C) do 3173 K (2900 °C) przy ciΆnieniach w zakresie od 130 Pa do 20 kPa.

1B117 Mieszarki okresowe umoΏliwiaj±ce mieszanie prσΏniowe w zakresie od zera do 13,326 kPa, w ktσrych moΏna regulowaζ temperaturκ w komorze mieszania, maj±ce wszystkie z nastκpuj±cych cech, i specjalnie zaprojektowane do nich elementy:

a. ca³kowit± wydajnoΆζ objκtoΆciow± 110 litrσw lub wiκksz±; i

b. co najmniej jeden wa³ mieszaj±cy/ugniataj±cy osadzony mimoΆrodowo.

1B118 Mieszarki ci±g³e umoΏliwiaj±ce mieszanie prσΏniowe w zakresie od zera do 13,326 kPa, w ktσrych moΏna regulowaζ temperaturκ w komorze mieszania, maj±ce wszystkie z nastκpuj±cych cech, i specjalnie zaprojektowane do nich elementy:

a. dwa lub wiκcej wa³σw mieszaj±cych/ugniataj±cych; i

b. jeden oscyluj±cy wa³ obrotowy z zκbami/ko³kami ugniataj±cymi na nim jak rσwnieΏ wewn±trz obudowy komory mieszalniczej.

1B119 M³yny wykorzystuj±ce energiκ p³ynσw, nadaj±ce siκ do rozdrabniania i mielenia substancji wymienionych w pozycjach 1C011.a, 1C011.b. i 1C111 lub w Wykazie uzbrojenia, i specjalnie zaprojektowane do nich elementy.

1B201 Maszyny do nawijania w³σkien i zwi±zane z nimi wyposaΏenie, rσΏne od wymienionych w pozycji 1B001 lub 1B101, jak nastκpuje:

a. Maszyny do nawijania w³σkien, maj±ce wszystkie z nastκpuj±cych cech:

1. koordynacjκ i programowanie ruchσw zwi±zanych z ustawianiem, owijaniem i nawijaniem w³σkien, w dwσch lub wiκcej osiach;

2. s± specjalnie skonstruowane z przeznaczeniem do produkcji wyrobσw kompozytowych lub laminatσw z «materia³σw w³σknistych lub w³σkienkowych» ; i

3. zdolne do nawijania cylindrycznych wirnikσw o Άrednicy od 75 mm do 400 mm i d³ugoΆci 600 mm lub wiκkszej;

b. Sterowniki koordynuj±ce i programuj±ce do maszyn do nawijania w³σkien wymienionych w 1B201.a.;

c. Trzpienie precyzyjne do maszyn do nawijania w³σkien wymienionych w 1B201.a.

1B225 Ogniwa elektrolityczne do produkcji fluoru o wydajnoΆci wiκkszej niΏ 250 gramσw fluoru na godzinκ.

1B226 Elektromagnetyczne separatory izotopσw, skonstruowane z przeznaczeniem do wspσ³pracy z jednym lub wieloma Όrσd³ami jonσw zdolnymi do uzyskania wi±zki jonσw o ca³kowitym natκΏeniu rzκdu 50 mA lub wiκcej, albo wyposaΏone w takie Όrσd³o lub Όrσd³a.

UWAGA: Pozycja 1B226 obejmuje nastκpuj±ce separatory:

a. zdolne do wzbogacania izotopσw trwa³ych;

b. ze Όrσd³ami i kolektorami jonσw zarσwno w polu magnetycznym, jak i w takich instalacjach, w ktσrych zespo³y te znajduj± siκ na zewn±trz pola.

1B227 Konwertery do syntezy amoniaku lub urz±dzenia do syntezy amoniaku, w ktσrych gaz do syntezy (azot lub wodσr) jest odprowadzany z wysokociΆnieniowej kolumny wymiennej amoniakowo-wodorowej, a zsyntetyzowany amoniak wraca do wspomnianej kolumny.

1B228 Kolumny do kriogenicznej destylacji wodoru posiadaj±ce wszystkie wymienione poniΏej cechy:

a. skonstruowane z przeznaczeniem do pracy przy temperaturach wewnκtrznych 35 K (- 238 °C) lub mniejszych;

b. skonstruowane z przeznaczeniem do pracy przy ciΆnieniach wewnκtrznych od 0,5 do 5 MPa (5 do 50 atmosfer);

c. skonstruowane zarσwno:

1. z drobnoziarnistych stali nierdzewnych klasy 300 o niskiej zawartoΆci siarki i o wielkoΆci ziarna austenitu 5 lub wiκkszym wed³ug norm ASTM (lub rσwnowaΏnych); lub

2. z materia³σw rσwnowaΏnych nadaj±cych siκ zarσwno do dzia³aρ w warunkach kriogenicznych jak i w atmosferze H2 -; oraz

d. o Άrednicach wewnκtrznych 1 m lub wiκkszych i d³ugoΆciach efektywnych 5 m lub wiκkszych.

1B229 Kolumny pσ³kowe do wymiany typu woda-siarkowodσr oraz «kontaktory wewnκtrzne» do nich, jak nastκpuje;

N.B.: W przypadku kolumn specjalnie skonstruowanych lub spreparowanych do produkcji ciκΏkiej wody patrz 0B004.

a. Kolumny pσ³kowe do wymiany typu woda-siarkowodσr, maj±ce wszystkie z nastκpuj±cych cech:

1. przeznaczenie do pracy przy ciΆnieniu nominalnym 2 MPa lub wyΏszym;

2. s± wykonane z drobnoziarnistej stali wκglowej o wielkoΆci ziarna 5 lub wiκkszym wed³ug norm ASTM (lub rσwnowaΏnych); i

3. maj± Άrednicκ 1,8 m lub wiκksz±;

b. «Kontaktory wewnκtrzne» dla kolumn pσ³kowych do wymiany typu woda-siarkowodσr zdefiniowanych w poz. 1B229.a.

Uwaga techniczna:

«Kontaktory wewnκtrzne» w kolumnach s± segmentowymi pσ³kami o zespo³owej Άrednicy roboczej 1,8 m lub wiκkszej, skonstruowanymi w sposσb u³atwiaj±cy kontakt czynnikσw w przep³ywie przeciwpr±dowym, wykonanymi ze stali nierdzewnej o zawartoΆci wκgla 0,03 % lub mniejszej. Mog± one mieζ postaζ pσ³ek sitowych, pσ³ek zaworowych, pσ³ek dzwonowych lub rusztowych.

1B230 Pompy do przet³aczania roztworσw katalizatora z amidku potasu rozcieρczonego lub stκΏonego w ciek³ym amoniaku (KNH2 /NH3 ), posiadaj±ce wszystkie wymienione poniΏej cechy:

a. szczelnoΆζ dla powietrza (tj. hermetycznie zamkniκte);

b. wydajnoΆζ powyΏej 8,5 m3/godz; oraz

c. nadaj±ce siκ do:

1. stκΏonych roztworσw amidku potasu (1 % lub powyΏej) - ciΆnienie robocze 1,5-60 MPa (15-600 atmosfer); lub

2. do rozcieρczonych roztworσw amidku potasu (poniΏej 1 %) - ciΆnienie robocze 20-60 MPa (200-600 atmosfer).

1B231 Nastκpuj±ce urz±dzenia i instalacje do obrσbki trytu lub ich podzespo³y:

a. Urz±dzenia lub instalacje do produkcji, odzyskiwania, ekstrakcji, stκΏania lub manipulowania trytem;

b. Nastκpuj±ce urz±dzenia instalacji lub fabryk trytu:

1. urz±dzenia do ch³odzenia wodoru lub helu zdolne do ch³odzenia do temperatury 23 K (- 250 °C) lub poniΏej, o wydajnoΆci odprowadzania ciep³a powyΏej 150 watσw; lub

2. instalacje do magazynowania i oczyszczania izotopσw wodoru za pomoc± wodorkσw metali jako Άrodkσw do magazynowania lub oczyszczania.

1B232 TurborozprκΏarki lub zestawy turborozprκΏarka-sprκΏarka maj±ce obie z wymienionych niΏej cech:

a. przeznaczone do dzia³ania przy temperaturze wylotowej poniΏej 35 K (- 238 °C) lub niΏszej; i

b. posiadaj±ce przepustowoΆζ wodoru wiκksz± lub rσwn± 1000 kg/godz.

1B233 Nastκpuj±ce urz±dzenia i instalacje do separacji izotopσw litu lub ich podzespo³y:

a. Urz±dzenia i instalacje do separacji izotopσw litu;

b. Nastκpuj±ce podzespo³y do separacji izotopσw litu:

1. Kolumny z wype³nieniem do wymiany cieczowo-cieczowej specjalnie przeznaczone do amalgamatσw litu;

2. Pompy do pompowania rtκci oraz (lub) amalgamatu litu;

3. Cele do elektrolizy amalgamatu litu;

4. Aparaty wyparne do zagκszczonych roztworσw wodorotlenku litu.

1C Materia³y

Uwaga techniczna:

Metale i stopy:

JeΏeli nie stwierdzono inaczej, terminy «metale» i «stopy» uΏywane w pozycjach od 1C001 do 1C012 dotycz± nastκpuj±cych wyrobσw surowych i pσ³fabrykatσw:

Wyroby surowe:

Anody, kule, prκty (³±cznie z prκtami karbowanymi i ci±gnionymi), kκsy, bloki, bochny, brykiety, placki, katody, kryszta³y, kostki, struktury, ziarna, sztaby, bry³y, pastylki, surσwki, proszki, podk³adki, Άruty, p³yty, owale osadnicze, g±bki i dr±Ώki;

Pσ³fabrykaty (zarσwno powlekane, pokrywane galwanicznie, wiercone i wykrawane, jak i niepoddane Ώadnej z tych obrσbek):

a. Przerobione plastycznie lub obrobione materia³y wyprodukowane poprzez walcowanie, wyci±ganie, wyt³aczanie, prasowanie, granulowanie, rozpylanie, mielenie, tj.: k±towniki, ceowniki, ko³a, tarcze, py³y, p³atki, folie, odkuwki, p³yty, proszki, wyt³oczki, wypraski, wstκgi, pierΆcienie, prκty (w tym prκty spawalnicze, walcσwki i druty walcowane), kszta³towniki, arkusze, taΆmy, rury, rurki (w tym rury bezszwowe, rury o przekroju kwadratowym i tuleje rurowe), druty ci±gnione i t³oczone;

b. Materia³y odlewnicze produkowane przez odlewanie w piasku, kokile, formy metalowe, gipsowe i inne, w tym odlewanie pod ciΆnieniem, formy spiekane i formy wykonywane w metalurgii proszkowej.

Przedmioty nie powinny byζ zwalniane z kontroli poprzez eksport form niewymienionych, uwaΏanych za produkty finalne, ale bκd±ce w rzeczywistoΆci formami surowymi lub pσ³fabrykatami.

1C001 Nastκpuj±ce materia³y specjalnie opracowane z przeznaczeniem na poch³aniacze fal elektromagnetycznych albo polimery przewodz±ce samoistnie:

N.B.: SprawdΌ takΏe pozycjκ 1C101.

a. Materia³y poch³aniaj±ce fale o czκstotliwoΆciach powyΏej 2 Χ 108 Hz, ale poniΏej 3 Χ 1012 Hz;

UWAGA 1: Pozycja 1C001.a. nie obejmuje kontrol±:

a. Poch³aniaczy typu w³osowego, wykonanych z w³σkien naturalnych albo syntetycznych, w ktσrych poch³anianie osi±ga siκ innym sposobem niΏ magnetyczny;

b. Poch³aniaczy niewykazuj±cych strat magnetycznych oraz takich, ktσrych powierzchnia, na ktσr± pada promieniowanie, nie jest planarna, w tym ostros³upσw, stoΏkσw, klinσw i powierzchni zwichrowanych;

c. Poch³aniaczy planarnych posiadaj±cych wszystkie poniΏsze cechy:

1. Wykonane z jednego z poniΏszych materia³σw:

a. ze spienionych tworzyw sztucznych (elastycznych albo nieelastycznych) wzmacnianych wκglem albo z materia³σw organicznych, w³±cznie z materia³ami wi±Ώ±cymi, daj±cych wiκcej niΏ 5 % echa w porσwnaniu z metalami, w paΆmie o szerokoΆci wyΏszej o ± 15 % od czκstotliwoΆci centralnej padaj±cej fali, i nieodpornych na temperatury przekraczaj±ce 450 K (177 °C); lub

b. z materia³σw ceramicznych daj±cych ponad 20 % echa wiκcej w porσwnaniu z metalami, w paΆmie o szerokoΆci wyΏszej o ± 15 % od czκstotliwoΆci centralnej padaj±cej fali, i nieodpornych na temperatury przekraczaj±ce 800 K (527 °C).

Uwaga techniczna:

Prσbki do badania stopnia poch³aniania materia³σw wymienionych w Uwadze 1.c.1. do pozycji 1C001.a. powinny byζ kwadratami o boku rσwnym co najmniej 5 d³ugoΆciom fali o czκstotliwoΆci centralnej i umieszczone w polu dalekim elementu promieniuj±cego fale elektromagnetyczne.

2. Wytrzyma³oΆζ na rozci±ganie poniΏej 7 Χ 106 N/m2; oraz

3. Wytrzyma³oΆζ na Άciskanie poniΏej 14 Χ 106 N/m2;

d. Poch³aniaczy planarnych wykonanych ze spieku ferrytowego, charakteryzuj±cego siκ:

1. CiκΏarem w³aΆciwym powyΏej 4,4; oraz

2. Maksymaln± temperatur± robocz± 548 K (275 °C);

Uwaga 2: —adne sformu³owanie w pozycji 1C001.a. nie zwalnia z kontroli materia³σw magnetycznych uΏywanych jako poch³aniacze fal w farbach.

b. Materia³y poch³aniaj±ce fale o czκstotliwoΆciach w zakresie od 1,5 Χ 1014 Hz do 3,7 Χ 1014 Hz i nieprzezroczyste dla promieniowania widzialnego;

c. Materia³y polimerowe przewodz±ce samoistnie, o objκtoΆciowej przewodnoΆci elektrycznej powyΏej 10000 S/m (simensσw na metr) albo opornoΆci powierzchniowej poniΏej 100 omσw/m2, ktσrych podstawowym sk³adnikiem jest jeden z nastκpuj±cych polimerσw:

1. Polianilina;

2. Polipirol;

3. Politiofen;

4. Polifenylenowinylen; lub

5. Politienylenowinylen.

Uwaga techniczna:

«ObjκtoΆciow± przewodnoΆζ elektryczn±» oraz «opornoΆζ powierzchniow±» naleΏy okreΆlaζ zgodnie z norm± ASTM D-257 albo jej odpowiednikami.

1C002 Nastκpuj±ce stopy metali, proszki stopσw metali albo materia³y stopowe:

N.B.: SprawdΌ takΏe pozycjκ 1C202.

UWAGA: Pozycja 1C002 nie obejmuje kontrol± stopσw metali, proszkσw stopσw metali ani materia³σw stopowych do pod³oΏy powlekanych.

Uwagi techniczne:

1. Do stopσw metalu wed³ug pozycji 1C002 zalicza siκ takie, ktσre zawieraj± wyΏszy procent wagowy danego metalu niΏ dowolnego innego pierwiastka.

2. Trwa³oΆζ w prσbie pe³zania do zerwania powinna byζ okreΆlana wed³ug normy ASTM E-139 lub jej krajowych odpowiednikσw.

3. Trwa³oΆζ w niskocyklowych badaniach zmκczeniowych naleΏy okreΆlaζ wed³ug normy ASTM E-606 «Zalecana metoda niskocyklowego badania zmκczeniowego przy sta³ej amplitudzie» albo jej krajowych odpowiednikσw. Badania naleΏy prowadziζ przy obci±Ώeniu skierowanym osiowo, przy Άredniej wartoΆci wspσ³czynnika asymetrii cyklu 1 oraz wartoΆci wspσ³czynnika spiκtrzenia naprκΏeρ (Kt ) rσwnej 1. NaprκΏenie Άrednie definiuje siκ jako rσΏnicκ naprκΏenia maksymalnego i minimalnego podzielon± przez naprκΏenie maksymalne.

a. Nastκpuj±ce glinki:

1. Glinki niklu zawieraj±ce wagowo minimum 15, maksimum 38 procent aluminium i przynajmniej jeden dodatek stopowy;

2. Glinki tytanu zawieraj±ce wagowo 10 procent lub wiκcej aluminium i przynajmniej jeden dodatek stopowy;

b. Nastκpuj±ce stopy metali wykonane z materia³σw wymienionych w pozycji 1C002.c.:

1. Stopy niklu o:

a. Trwa³oΆci w prσbie pe³zania do zerwania wynosz±cej 10000 lub wiκcej godzin, w temperaturze 923 K (650 °C) przy naprκΏeniach 676 MPa; lub

b. Trwa³oΆci w niskocyklowych badaniach zmκczeniowych wynosz±cej 10000 lub wiκcej cykli w temperaturze 823 K (550 °C) przy maksymalnym naprκΏeniu 1095 MPa;

2. Stopy niobu o:

a. Trwa³oΆci w prσbie pe³zania do zerwania wynosz±cej 10000 lub wiκcej godzin, w temperaturze 1073 K (800 °C) przy naprκΏeniach 400 MPa; lub

b. Trwa³oΆci w niskocyklowych badaniach zmκczeniowych wynosz±cej 10000 lub wiκcej cykli w temperaturze 973 K (700 °C) przy maksymalnym naprκΏeniu 700 MPa;

3. Stopy tytanu o:

a. Trwa³oΆci w prσbie pe³zania do zerwania wynosz±cej 10000 lub wiκcej godzin, w temperaturze 723 K (450 °C) przy naprκΏeniu 200 MPa; lub

b. Trwa³oΆci w niskocyklowych badaniach zmκczeniowych wynosz±cej 10000 lub wiκcej cykli w temperaturze 723 K (450 °C) przy maksymalnym naprκΏeniu 400 MPa;

4. Stopy aluminium o wytrzyma³oΆci na rozci±ganie:

a. 240 MPa lub wiκkszej w temperaturze 473 K (200 °C); lub

b. 415 MPa lub wiκkszej w temperaturze 298 K (25 °C);

5. Stopy magnezu o:

a. wytrzyma³oΆci na rozci±ganie 345 MPa lub wiκkszej; i

b. szybkoΆci korozji w 3 % wodnym roztworze chlorku sodowego, mierzonej wed³ug normy ASTM G-31 albo jej krajowych odpowiednikσw, wynosz±cej poniΏej 1 mm/rok;

c. Proszki stopu metalu albo materia³u jednorodnego maj±ce wszystkie nastκpuj±ce cechy:

1. Wykonane z dowolnego z podanych poniΏej komponentσw:

Uwaga techniczna:

W podanych poniΏej zwi±zkach X oznacza jeden lub wiκcej sk³adnikσw stopu.

a. Stopσw niklu (Ni-Al-X, Ni-X-Al) przeznaczonych do wyrobu czκΆci albo zespo³σw silnikσw turbinowych, tj. zawieraj±cych mniej niΏ 3 cz±steczki niemetalowe (wprowadzone podczas procesu produkcji) o wielkoΆci przekraczaj±cej 100 mikrometrσw, na 109 cz±steczek stopu;

b. Stopσw niobu (Nb-Al-X lub Nb-X-Al, Nb-Si-X lub Nb-X-Si, Nb-Ti-X lub Nb-X-Ti);

c. Stopσw tytanu (Ti-Al-X lub Ti-X-Al);

d. Stopσw aluminium (Al-Mg-X lub Al-X-Mg, Al-Zn-X lub Al-X-Zn, Al-Fe-X lub Al-X-Fe); lub

e. Stopσw magnezu (Mg-Al-X lub Mg-X-Al);

2. Wyprodukowane w atmosferze o regulowanych parametrach jedn± z nastκpuj±cych metod:

a. «Rozpylania prσΏniowego» ;

b. «Rozpylania gazowego» ;

c. «Rozpylania rotacyjnego» ;

d. «Ch³odzenia ultraszybkiego» ;

e. «Przκdzenia ze stopu» i «proszkowania» ;

f. «Ekstrakcji ze stopu» i «proszkowania» ; lub

g. «Stapiania mechanicznego» ; oraz

3. Nadaj±ce siκ do formowania materia³σw wymienionych w poz. 1C002.a. lub 1C002.b.

d. Materia³y stopowe maj±ce wszystkie nastκpuj±ce cechy:

1. Wykonane z dowolnego z wymienionych w poz. 1C002.c.1. komponentσw;

2. W postaci niesproszkowanych p³atkσw, wst±Ώek lub cienkich prκcikσw; oraz

3. Produkowanych w atmosferze o regulowanych parametrach dowoln± z nastκpuj±cych metod:

a. «ultraszybkiego ch³odzenia» ;

b. «przκdzenia ze stopu» ; lub

c. «ekstrakcji ze stopu» .

1C003 Metale magnetyczne, bez wzglκdu na typ i postaζ, posiadaj±ce jedn± z nastκpuj±cych cech charakterystycznych:

a. Pocz±tkow± wzglκdn± przenikalnoΆζ magnetyczn± 120000 lub wyΏsz± i gruboΆζ 0,05 mm, albo mniejsz±;

Uwaga techniczna:

Pocz±tkow± wzglκdn± przenikalnoΆζ magnetyczn± naleΏy mierzyζ na materia³ach ca³kowicie wyΏarzonych.

b. Stopy magnetostrykcyjne maj±ce jedn± z poniΏszych cech:

1. Magnetostrykcja nasycenia powyΏej 5 Χ 10-4; lub

2. Wspσ³czynnik sprzκΏenia Ώyromagnetycznego (k) powyΏej 0,8; lub

c. TaΆmy ze stopσw amorficznych lub nanokrystalicznych maj±ce wszystkie z poniΏszych cech:

1. Sk³ad minimum 75 % wagowych Ώelaza, kobaltu lub niklu; i

2. Indukcjκ magnetyczn± nasycenia (BS ) 1,6 T lub wyΏsz±, i

3. Jeden z poniΏszych parametrσw:

a. GruboΆζ taΆmy 0,02 mm lub mniejsz±; lub

b. OpornoΆζ w³aΆciw± 2 Χ 10-4 ohm cm lub wiκksz±.

Uwaga techniczna:

Pod pojκciem «stopy nanokrystaliczne» w pozycji 1C003.c. rozumie siκ materia³y o rozmiarze ziarna krystalicznego wynosz±cym 50 nm lub mniej, zmierzonym metod± dyfrakcji promieniowania rentgenowskiego.

1C004 Stopy uranowo-tytanowe lub stopy wolframu na «matrycy» z Ώelaza, niklu lub miedzi, posiadaj±ce wszystkie wymienione poniΏej w³aΆciwoΆci:

a. GκstoΆζ powyΏej 17,5 g/cm3;

b. Granicκ sprκΏystoΆci powyΏej 880 MPa;

c. Wytrzyma³oΆζ na rozci±ganie powyΏej 1270 MPa; oraz

d. Wyd³uΏenie powyΏej 8 %.

1C005 Nastκpuj±ce «nadprzewodz±ce» przewodniki «kompozytowe» o d³ugoΆci powyΏej 100 m lub masie powyΏej 100 g:

a. Wielow³σkienkowe «nadprzewodz±ce» przewodniki «kompozytowe» , w ktσrych sk³ad wchodzi jedno albo wiκcej w³σkien niobowo-tytanowych:

1. Osadzonych w «matrycy» rσΏnej od miedzianej lub «matrycy» mieszanej na osnowie miedzi; lub

2. Maj±ce pole przekroju poprzecznego poniΏej 0,28 Χ 10-4 mm2 (o Άrednicy 6 mikrometrσw w przypadku w³σkien o przekroju ko³owym);

b. «Nadprzewodz±ce» przewodniki «kompozytowe» , w ktσrych sk³ad wchodzi jedno albo wiκcej w³σkien «nadprzewodz±cych» rσΏnych od niobowo-tytanowych, maj±ce wszystkie z poniΏszych w³aΆciwoΆci:

1. «Temperaturκ krytyczn±» przy zerowej indukcji magnetycznej powyΏej 9,85 K (- 263,31 °C) ale poniΏej 24 K (- 249,16 °C);

2. Pole przekroju poprzecznego poniΏej 0,28 Χ 10-4 mm2; oraz

3. Pozostawanie w stanie «nadprzewodnoΆci» w temperaturze 4,2 K (- 268,96 °C) pod dzia³aniem pola magnetycznego rσwnowaΏnego indukcji magnetycznej 12 T.

1C006 Nastκpuj±ce ciecze i materia³y smarne:

a. Ciecze hydrauliczne zawieraj±ce jako sk³adniki podstawowe dowolny z nastκpuj±cych zwi±zkσw chemicznych albo materia³σw:

1. Syntetyczne oleje wκglowodorowe lub krzemowκglowodorowe maj±ce wszystkie z poniΏszych w³aΆciwoΆci:

Uwaga techniczna:

Dla celσw pozycji 1C006.a.1. zak³ada siκ, Ώe oleje krzemowκglowodorowe zawieraj± wy³±cznie krzem, wodσr i wκgiel.

a. Temperatura zap³onu powyΏej 477 K (204 °C);

b. Temperatura krzepniκcia 239 K (- 34 °C) lub niΏsza;

c. WskaΌnik lepkoΆci 75 lub wiκcej; oraz

d. StabilnoΆζ termiczna w temperaturze 616 K (343 °C); lub

2. Chlorofluoropochodne wκglowodorσw maj±ce wszystkie z poniΏszych w³aΆciwoΆci:

Uwaga techniczna:

Dla celσw pozycji 1C006.a.2. zak³ada siκ, Ώe chlorofluoropochodne wκglowodorσw zawieraj± wy³±cznie wκgiel, fluor i chlor.

a. Brak temperatury zap³onu;

b. Temperatura samozap³onu powyΏej 977 K (704 °C);

c. Temperatura krzepniκcia 219 K (- 54 °C) lub niΏsza;

d. WskaΌnik lepkoΆci 80 lub wiκcej; oraz

e. Temperatura wrzenia 473 K (200 °C) lub wyΏsza;

b. Materia³y smarne zawieraj±ce jako sk³adniki podstawowe dowolny z nastκpuj±cych zwi±zkσw chemicznych albo materia³σw:

1. Etery albo tioetery fenylenowe lub alkilofenylenowe, albo ich mieszaniny, zawieraj±ce powyΏej dwσch grup funkcyjnych eteru lub tioeteru, lub ich mieszaninκ; lub

2. Fluorowe oleje silikonowe o lepkoΆci kinematycznej poniΏej 5000 mm2/s (5000 centystokesσw) mierzonej w temperaturze 298 K (25 °C);

c. Ciecze zwilΏaj±ce lub flotacyjne o czystoΆci powyΏej 99,8 %, zawieraj±ce mniej niΏ 25 cz±stek o Άrednicy 200 mikrometrσw lub wiκkszej w 100 ml i wykonane co najmniej w 85 % z dowolnego z nastκpuj±cych zwi±zkσw chemicznych lub materia³σw:

1. Dibromotetrafluoroetanu;

2. Polichlorotrifluoroetylenu (tylko modyfikowanego olejem albo woskiem); lub

3. Polibromotrifluoroetylenu;

d. Fluorowκglowe elektroniczne p³yny ch³odz±ce posiadaj±ce wszystkie z poniΏszych cech:

1. ZawartoΆζ wagowa 85 % lub wiκcej nastκpuj±cych zwi±zkσw lub ich mieszanin:

a. Monomeryczne postaci perfluoropolialkiloeterotriazyn lub perfluoropolialkiloeterσw;

b. Perfluoroalkiloaminy;

c. Perfluorocykloalkany; lub

d. Perfluoroalkany;

2. GκstoΆζ przy 298 K (25 °C) wynosz±c± 1,5 g/cm3 lub wiκcej;

3. Stan ciek³y w temperaturze 273 K (0 °C); oraz

4. ZawartoΆζ fluoru 60 % wagowych lub wiκcej.

Uwaga techniczna:

Dla celσw pozycji 1C006:

a. Temperaturκ zap³onu okreΆla siκ metod± Cleveland Open Cup Method (Otwartego Kubka) opisan± w normie ASTM D-92 lub jej krajowych odpowiednikach.

b. Temperaturκ krzepniκcia okreΆla siκ metod± opisan± w normie ASTM D-97 albo jej krajowych odpowiednikach.

c. WskaΌnik lepkoΆci okreΆla siκ metod± opisan± w normie ASTM D-2270 albo jej krajowych odpowiednikach.

d. StabilnoΆζ termiczn± okreΆla siκ wed³ug przedstawionej poniΏej procedury albo jej krajowych odpowiednikσw:

UmieΆciζ dwadzieΆcia ml badanej cieczy w komorze ze stali nierdzewnej typu 317 o pojemnoΆci 46 ml, w ktσrej znajduj± siκ trzy kulki o Άrednicy (nominalnej) 12,5 mm, jedna ze stali narzκdziowej M-10, druga ze stali 52100 i trzecia z mosi±dzu morskiego dwufazowego (60 % Cu, 39 % Zn, 0,75 % Sn).

Nastκpnie nape³niζ komorκ azotem, zamkn±ζ pod ciΆnieniem atmosferycznym, podnieΆζ temperaturκ do 644 ± 6 K (371 ± 6 °C) i utrzymaζ j± na tym poziomie przez szeΆζ godzin. Prσbkκ uznaje siκ za stabiln± termicznie, jeΏeli po zakoρczeniu badania spe³nione s± wszystkie nastκpuj±ce warunki:

1. Spadek wagi kaΏdej z kulek jest mniejszy niΏ 10 mg/mm2 powierzchni kulki;

2. Zmiana lepkoΆci pocz±tkowej okreΆlonej w temperaturze 311 K (38 °C) jest mniejsza niΏ 25 %; i

3. Ca³kowita liczba kwasowa lub zasadowa jest mniejsza niΏ 0,40;

e. Temperaturκ samozap³onu wyznacza siκ metod± opisan± w normie ASTM E-659 albo w jej krajowych odpowiednikach.

1C007 Nastκpuj±ce materia³y na osnowie ceramicznej, niekompozytowe materia³y ceramiczne, «materia³y kompozytowe» na «matrycy» ceramicznej oraz materia³y macierzyste:

N.B.: SprawdΌ takΏe pozycjκ 1C107.

a. Materia³y pod³oΏowe z pojedynczych albo z³oΏonych borkσw tytanowych, w ktσrych ³±czna iloΆζ zanieczyszczeρ metalicznych, z wy³±czeniem dodatkσw zamierzonych, wynosi poniΏej 5000 ppm (czκΆci na milion), przeciκtne wymiary cz±stek s± rσwne albo mniejsze niΏ 5 mikrometrσw oraz zawieraj± nie wiκcej niΏ 10 % cz±stek o wielkoΆci powyΏej 10 mikrometrσw;

b. Niekompozytowe materia³y ceramiczne w postaci nieprzerobionej albo pσ³przetworzonej, z³oΏone z borkσw tytanowych o gκstoΆci stanowi±cej 98 % lub wiκcej gκstoΆci teoretycznej;

UWAGA: Pozycja 1C007.b. nie obejmuje kontrol± materia³σw Άciernych.

c. «Materia³y kompozytowe» ceramiczno-ceramiczne na «matrycy» szklanej albo tlenkowej, wzmacniane w³σknami, maj±ce wszystkie nastκpuj±ce cechy:

1. wykonane z jednego z nastκpuj±cych komponentσw:

a. Si-N;

b. Si-C;

c. Si-Al-O-N; lub

d. Si-O-N; i

2. maj±ce «wytrzyma³oΆζ w³aΆciw± na rozci±ganie» wiκksz±, niΏ 12,7 Χ 103 m;

d. «Materia³y kompozytowe» ceramiczno-ceramiczne, z faz± metaliczn± o strukturze ci±g³ej albo bez tej fazy, zawieraj±ce cz±stki, wiskery lub w³σkna, w ktσrych «matrycκ» stanowi± wκgliki albo azotki krzemu, cyrkonu lub boru;

e. Nastκpuj±ce materia³y macierzyste (tj. specjalne polimery albo materia³y metaloorganiczne) do wytwarzania dowolnej fazy albo faz materia³σw ujκtych w pozycji 1C007.c.

1. Polidiorganosilany (do produkcji wκglika krzemu);

2. Polisilazany (do produkcji azotka krzemu);

3. Polikarbosilazany (do produkcji materia³σw ceramicznych zawieraj±cych sk³adniki krzemowe, wκglowe i azotowe);

f. «Materia³y kompozytowe» ceramiczno-ceramiczne na «matrycy» szk³a albo tlenkowej, wzmacniane ci±g³ymi w³σknami wykonanymi z jednego z nastκpuj±cych materia³σw:

1. Al2 O3 ; lub

2. Si-C-N.

UWAGA: Pozycja 1C007.f. nie obejmuje kontrol± «materia³σw kompozytowych» zawieraj±cych w³σkna z wymienionych w niej materia³σw, posiadaj±ce wytrzyma³oΆζ na rozci±ganie mniejsz± niΏ 700 MPa przy temperaturze 1273 K (1000 °C) lub odpornoΆζ na pe³zanie wiκksz±, niΏ 1 % odkszta³cenia przy obci±Ώeniu 100 MPa i temperaturze 1273 K (1000 °C) w czasie 100 godzin.

1C008 Nastκpuj±ce materia³y polimerowe niezawieraj±ce fluoru:

a. 1. Bismaleimidy;

2. Poliamidoimidy aromatyczne;

3. Poliimidy aromatyczne;

4. Polieteroimidy aromatyczne o temperaturze zeszklenia (Tg ) powyΏej 513 K (240 °C) mierzonej metod± such±, opisan± w ASTM D 3418;

UWAGA: Pozycja 1C008.a. nie obejmuje kontrol± nietopliwych proszkσw do prasowania w formach ani wyt³oczek.

b. Ciek³e kryszta³y z kopolimerσw termoplastycznych o temperaturze ugiκcia pod obci±Ώeniem powyΏej 523 K (250 °C) mierzonej wed³ug normy ASTM D- 648, metod± A, albo jej krajowych odpowiednikσw, przy obci±Ώeniu 1,82 N/mm2, w ktσrych sk³ad wchodz±:

1. Jeden z nastκpuj±cych komponentσw:

a. Fenylen, bifenylen lub naftalen; lub

b. Fenylen, bifenylen lub naftalen z podstawnikiem metylowym, trzeciorzκdowym butylowym albo fenylowym; i

2. Dowolny z nastκpuj±cych kwasσw:

a. Kwas tereftalowy;

b. Kwas 6-hydroksy-2 naftoesowy; lub

c. Kwas 4-hydroksybenzoesowy;

c. Nastκpuj±ce poliketony arylenoeterowe:

1. Poliketon eterowo-eterowy (PEEK);

2. Poliketon eterowo-ketonowy (PEKK);

3. Poliketon eterowy (PEK);

4. Poliketon eterowo-ketonowo-eterowo-ketonowy (PEKEKK);

d. Poliketony arylenowe;

e. Polisiarczki arylenowe, w ktσrych grup± arylenow± jest bifenylen, trifenylen albo ich kombinacja;

f. Polisulfon bifenylenoeterowy;

Uwaga techniczna:

Temperatura zeszklenia (Tg ) dla materia³σw z pozycji 1C010.e. okreΆlana jest przy uΏyciu metody suchej, opisanej w normie ASTM D 3418.

1C009 Nastκpuj±ce nieprzetworzone zwi±zki fluorowe:

a. Kopolimery fluorku winylidenu posiadaj±ce w 75 %, albo wiκcej, strukturκ beta krystaliczn± bez rozci±gania;

b. Poliimidy fluorowane zawieraj±ce 10 % wagowych albo wiκcej zwi±zanego fluoru;

c. Fluorowane elastomery fosfazenowe zawieraj±ce 30 % wagowych albo wiκcej zwi±zanego fluoru.

1C010 Nastκpuj±ce «materia³y w³σkniste lub w³σkienkowe» , ktσre moΏna zastosowaζ w konstrukcjach «kompozytowych» lub laminatach z «matryc±» organiczn±, metalow± lub wκglow±:

N.B.: SprawdΌ takΏe pozycjκ 1C210.

a. Organiczne materia³y «w³σkniste lub w³σkienkowe» , maj±ce wszystkie z wymienionych w³aΆciwoΆci:

1. «Modu³ w³aΆciwy» powyΏej 12,7 Χ 106 m; i

2. «Wytrzyma³oΆζ w³aΆciw± na rozci±ganie» powyΏej 23,5 Χ 104 m;

UWAGA: Pozycja 1C010.a. nie obejmuje kontrol± polietylenu.

b. «W³σkniste i w³σkienkowe» materia³y wκglowe, maj±ce wszystkie z wymienionych w³aΆciwoΆci:

1. «Modu³ w³aΆciwy» powyΏej 12,7 Χ 106 m; i

2. «Wytrzyma³oΆζ w³aΆciw±» na rozci±ganie powyΏej 23,5 Χ 104 m;

UWAGA: Pozycja 1C010.b. nie dotyczy kontroli tkanin wykonanych z «materia³σw w³σknistych lub w³σkienkowych» przeznaczonych do naprawy konstrukcji lotniczych ani laminatσw, pod warunkiem Ώe wymiary pojedynczych arkuszy materia³u nie przekraczaj± wielkoΆci 50 cm Χ 90 cm.

Uwaga techniczna:

W³aΆciwoΆci materia³σw ujκtych w pozycji 1C010.b. naleΏy okreΆlaζ zalecanymi przez Stowarzyszenie Dostawcσw WysokojakoΆciowych Materia³σw Kompozytowych (SACMA) metodami SRM 12 do 17, albo rσwnowaΏnymi metodami badania w³σkien, takimi jak Japoρska Norma Przemys³owa JIS-R-7601, Paragraf 6.6.2., i opartymi na badaniu przeciκtnej prσbki z partii materia³u.

c. Nieorganiczne «materia³y w³σkniste lub w³σkienkowe» , maj±ce wszystkie z wymienionych w³aΆciwoΆci:

1. «Modu³ w³aΆciwy» powyΏej 2,54 Χ 106 m; i

2. Temperatura topnienia, miκknienia, rozk³adu lub sublimacji powyΏej 1922 K (1649 °C) w Άrodowisku obojκtnym;

UWAGA: Pozycja 1C010.c. nie obejmuje kontrol±:

1. Nieci±g³ych, wielofazowych, polikrystalicznych w³σkien aluminiowych w postaci w³σkien ciκtych albo mat o strukturze bez³adnej, zawieraj±cych 3 procent wagowych albo wiκcej krzemu, i maj±cych «modu³ w³aΆciwy» poniΏej 10 Χ 106 m;

2. W³σkien molibdenowych i ze stopσw molibdenowych;

3. W³σkien borowych;

4. Nieci±g³ych w³σkien ceramicznych o temperaturze topnienia, miκknienia, rozk³adu lub sublimacji poniΏej 2043 K (1770 °C) w Άrodowisku obojκtnym.

d. «Materia³y w³σkniste albo w³σkienkowe» :

1. Zawieraj±ce dowolny z nastκpuj±cych zwi±zkσw:

a. Polieteroimidy okreΆlone w pozycji 1C008.a.; lub

b. Materia³y ujκte w pozycjach 1C008.b. do 1C008.f.; lub

2. Z³oΏone z materia³σw ujκtych w pozycji 1C010.d.1.a. lub 1C010.d.1.b. i «zmieszane» z innymi materia³ami w³σknistymi ujκtymi w pozycjach 1C010.a., 1C010.b. lub 1C010.c.;

e. Nastκpuj±ce w³σkna impregnowane Ώywic± lub pakiem (prepregi), w³σkna powlekane metalem lub wκglem (preformy) lub «preformy w³σkien wκglowych» :

1. Wykonane z «materia³σw w³σknistych lub w³σkienkowych» okreΆlonych w pozycji 1C010.a., 1C010.b., lub 1C010.c.;

2. Wykonane z organicznych lub wκglowych «materia³σw w³σknistych lub w³σkienkowych» :

a. o «wytrzyma³oΆci w³aΆciwej na rozci±ganie» powyΏej 17,7 Χ 104 m;

b. o «module w³aΆciwym» powyΏej 10,15 Χ 106 m;

c. nieobjκte kontrol± w pozycji 1C010.a. lub 1C010.b.; i

d. w przypadku gdy s± impregnowane materia³ami okreΆlonymi w pozycjach 1C008 lub 1C009.b., maj±cymi temperaturκ zeszklenia (Tg ) powyΏej 383 K (110 °C), albo Ώywicami fenolowymi lub epoksydowymi, maj±cymi temperaturκ zeszklenia (Tg ) powyΏej 418 K (145 °C).

UWAGA: Pozycja 1C010.e. nie obejmuje kontrol±:

a. impregnowanych Ώywic± epoksydow± «matryc» z «materia³σw w³σknistych lub w³σkienkowych» (materia³σw do prasowania laminatσw zbrojonych) przeznaczonych do naprawy konstrukcji lotniczych ani laminatσw, pod warunkiem Ώe wymiary pojedynczych arkuszy materia³u nie przekraczaj± wielkoΆci 50 cm Χ 90 cm.

b. materia³σw do prasowania laminatσw zbrojonych, impregnowanych Ώywicami fenolowymi lub epoksydowymi, maj±cymi temperaturκ zeszklenia (Tg ) poniΏej 433 K (160 °C) i temperaturκ sieciowania niΏsz± niΏ temperatura zeszklenia.

Uwaga techniczna:

Temperatura zeszklenia (Tg ) dla materia³σw z pozycji 1C010.e. okreΆlana jest przy uΏyciu metody suchej, opisanej w normie ASTM D 3418. Temperatura zeszklenia dla Ώywic fenolowych i epoksydowych okreΆlana jest przy uΏyciu metody suchej, opisanej w normie ASTM D 4065, przy czκstotliwoΆci 1 Hz i szybkoΆci nagrzewania wynosz±cej 2 K (°C) na minutκ.

1C011 Nastκpuj±ce metale i zwi±zki:

N.B.: SprawdΌ takΏe Wykaz uzbrojenia i pozycjκ 1C111.

a. Metale o rozmiarach ziarna mniejszych niΏ 60 mikronσw, zarσwno w postaci sferycznej, rozpylanej, sferoidalnej, p³atkσw, jak i zmielonej, wykonane z materia³σw zawieraj±cych 99 % lub wiκcej cyrkonu, magnezu lub ich stopσw;

Uwaga techniczna:

Naturalna zawartoΆζ hafnu w cyrkonie (typowo 2 % do 7 %) jest liczona razem z cyrkonem.

UWAGA: Metale lub stopy wymienione w pozycji 1C011.a. s± objκte kontrol± bez wzglκdu na to, czy s±, czy teΏ nie, zamkniκte w kapsu³kach z aluminium, magnezu lub berylu.

b. Bor i wκgliki boru o czystoΆci 85 % lub wiκkszej oraz rozmiarach ziarna 60 mikronσw lub mniejszych;

UWAGA: Metale lub stopy wymienione w pozycji 1C011.b. s± objκte kontrol± bez wzglκdu na to, czy s±, czy teΏ nie, zamkniκte w kapsu³kach z aluminium, magnezu lub berylu.

c. Azotan guanidyny;

d. Nitroguanidyna (NQ) (CAS 55-88-7).

1C012 Nastκpuj±ce materia³y:

Uwaga techniczna:

Materia³y te s± typowo wykorzystywane do j±drowych Όrσde³ ciep³a.

a. Pluton w dowolnej postaci zawieraj±cy izotop pluton-238 w iloΆci powyΏej 50 % wagowych;

UWAGA: Pozycja 1C012.a. nie obejmuje kontrol±:

a. Dostaw zawieraj±cych 1 gram plutonu lub mniej;

b. Dostaw zawieraj±cych 3 «gramy efektywne» lub mniej, w przypadku kiedy znajduje siκ on w czujnikach instrumentσw pomiarowych.

b. Uprzednio separowany neptun-237 w dowolnej formie.

UWAGA: Pozycja 1C012.b. nie obejmuje kontrol± dostaw zawieraj±cych neptun-237 w iloΆci 1 grama lub mniejszej.

1C101 Materia³y i urz±dzenia do obiektσw o zmniejszonej wykrywalnoΆci za pomoc± odbitych fal radarowych, Άladσw w zakresie promieniowania nadfioletowego i (lub) podczerwonego i Άladσw akustycznych, inne niΏ okreΆlone w pozycji 1C001, w zastosowaniu do «pociskσw rakietowych» i ich podsystemσw.

UWAGA 1: Pozycja 1C101 obejmuje:

a. Materia³y strukturalne i pow³oki specjalnie opracowane pod k±tem zmniejszenia ich echa radarowego;

b. Pow³oki, w tym farby, specjalnie opracowane pod k±tem zmniejszenia iloΆci odbijanego lub emitowanego promieniowania z zakresu mikrofalowego, podczerwonego lub nadfioletowego promieniowania elektromagnetycznego.

UWAGA 2: Pozycja 1C101 nie dotyczy pow³ok, pod warunkiem Ώe s± specjalnie uΏywane do regulacji temperatur w satelitach.

1C102 Przesycane pyrolizowane materia³y wκglowo-wκglowe przeznaczone do pojazdσw kosmicznych wymienionych w pozycji 9A004 lub do rakiet meteorologicznych (sonduj±cych) wymienionych w poz. 9A104.

1C107 Nastκpuj±ce materia³y grafitowe i ceramiczne, rσΏne od wymienionych w pozycji 1C007:

a. Nastκpuj±ce drobnoziarniste, rekrystalizowane materia³y grafitowe luzem o gκstoΆci nasypowej co najmniej 1,72 g/cm3 lub wiκkszej, mierzonej w temperaturze 288 K (15 °C) i o wymiarach cz±stek 100 mikrometrσw lub mniejszych, uΏywane do produkcji dysz do rakiet i na przednie krawκdzie zespo³σw obiektσw kosmicznych l±duj±cych na ziemi;

1. Cylindry o Άrednicy 120 mm lub wiκkszej i d³ugoΆci 50 mm lub wiκkszej;

2. Rury o Άrednicy wewnκtrznej 65 mm lub wiκkszej i gruboΆci Άcianki 25 mm lub wiκkszej i d³ugoΆci 50 mm lub wiκkszej;

3. Bloki o wymiarach 120 mm Χ 120 mm Χ 50 mm lub wiκkszej;

N.B.: Patrz rσwnieΏ 0C004

b. Pyrolityczne lub wzmacniane w³σknami materia³y grafitowe nadaj±ce siκ do zastosowania w dyszach «pociskσw rakietowych» i szpicach czo³owych pojazdσw l±duj±cych.

N.B.: SprawdΌ takΏe pozycjκ 0C004.

c. Ceramiczne materia³y kompozytowe (o sta³ej dielektrycznej poniΏej 6 przy czκstotliwoΆciach od 100 Hz do 10000 MHz), nadaj±ce siκ rσwnieΏ do wyrobu kopu³ek anten radiolokatorσw «pociskσw rakietowych» ;

d. Skrawalne, niepalne materia³y ceramiczne wzmacniane w³σknami krzemo-wκglowymi, uΏywane do wyrobu przednich szpicσw «pociskσw rakietowych» .

1C111 Nastκpuj±ce substancje napκdowe i zwi±zki chemiczne do nich, rσΏne od wymienionych w pozycji 1C011:

a. Substancje napκdowe:

1. Sferyczny proszek aluminiowy, rσΏny od wymienionego w Wykazie uzbrojenia, z³oΏony z cz±stek o rσwnomiernej Άrednicy i wielkoΆci poniΏej 200 mikrometrσw i zawartoΆci aluminium rzκdu 97 procent wagowych lub wiκkszej, jeΏeli co najmniej 10 % ciκΏaru ogσlnego stanowi± cz±stki o Άrednicy mniejszej niΏ 63 mikrometry, zgodnie z ISO 2591:1988 lub rσwnowaΏnymi normami narodowymi;

Uwaga techniczna:

WielkoΆζ cz±stek 63 mikrometry (ISO R-565) koresponduje z siatk± 250 (Tyler) lub siatk± 230 (standard ASTM E-11).

2. Paliwa metalowe, rσΏne od wymienionych w Wykazie uzbrojenia, w postaci cz±stek o Άrednicy poniΏej 60 mikrometrσw, w postaci sferycznej, zatomizowanej, sferoidalnej, p³atkσw lub silnie rozdrobnionego proszku, zawieraj±ce 97 procent wagowych lub wiκcej jednego z nastκpuj±cych sk³adnikσw:

a. cyrkonu;

b. berylu;

c. magnezu;

d. stopσw metali okreΆlonych w pozycjach od a. do c. powyΏej; lub

Uwaga techniczna:

Naturalna zawartoΆζ hafnu w cyrkonie (typowo 2 % do 7 %) jest liczona razem z cyrkonem.

3. Nastκpuj±ce p³ynne utleniacze:

a. Tritlenek diazotu;

b. Ditlenek azotu/tetratlenek diazotu;

c. Pentatlenek diazotu;

d. Mieszaniny tlenkσw azotu (MON);

Uwaga techniczna:

Mieszaniny tlenkσw azotu stanowi± roztwory tlenku azotu (NO) w tetratlenku diazotu/ditlenku azotu (N2 O4 /NO2 ), ktσre mog± byζ wykorzystane w systemach rakietowych. Istnieje ca³a skala mieszanin, ktσre mog± byζ oznaczone jako MONi lub MONij, gdzie i oraz j s± liczbami ca³kowitymi przedstawiaj±cymi procentow± zawartoΆζ tlenku azotu w danej mieszaninie (np. MON3 zawiera 3 % tlenku azotu, MON25 - 25 % tlenku azotu. Gσrn± granicκ stanowi MON40 - 40 % zawartoΆci wagowej).

e. SprawdΌ takΏe Wykaz uzbrojenia dla inhibitowanego dymi±cego na czerwono kwasu azotowego (IRFNA);

f. SprawdΌ takΏe Wykaz uzbrojenia oraz pozycjκ 1C238 dla zwi±zkσw chemicznych sk³adaj±cych siκ z fluoru oraz jednego lub wiκcej iloΆci innych chlorowcσw, tlenu lub azotu.

b. Substancje polimerowe:

1. Polibutadien o ³aρcuchach zakoρczonych grup± karboksylow± (CTPB);

2. Polibutadien o ³aρcuchach zakoρczonych grup± hydroksylow± (HTPB), rσΏny od wymienionego w uregulowaniach dotycz±cych towarσw wojskowych;

3. Kopolimer butadienu z kwasem akrylowym (PBAA);

4. Kopolimer butadienu z kwasem akrylowym i akrylonitrylem (PBAN);

c. Inne dodatki i Άrodki do materia³σw miotaj±cych:

1. SprawdΌ takΏe Wykaz uzbrojenia dla wκgloborowodorσw, dekaborowodorσw, pentaborowodorσw oraz i ich pochodnych;

2. Diazotan glikolu trietylenowego (TEGDN);

3. 2-nitrodifenyloamina;

4. Triazotan trimetyloetanu (TMETN);

5. Diazotan glikolu dietylenowego (DEGDN);

6. Pochodne ferrocenu, takie jak:

a. SprawdΌ takΏe Wykaz uzbrojenia dla katocenu;

b. Ferrocen etylu;

c. Ferrocen propylu;

d. SprawdΌ takΏe Wykaz uzbrojenia dla ferrocenu n-butylu;

e. Ferrocen pentylu;

f. Ferrocen dicyklopentylu;

g. Ferrocen dicykloheksylu;

h. Ferrocen dietylu;

i. Ferrocen dipropylu;

j. Ferrocen dibutylu;

k. Ferrocen diheksylu;

l. Ferroceny acetylu;

m. SprawdΌ takΏe Wykaz uzbrojenia dla kwasσw karboksylowych ferrocenu;

n. SprawdΌ takΏe Wykaz uzbrojenia dla butacenu;

o. Inne pochodne ferrocenu wykorzystywane jako modyfikatory szybkoΆci spalania paliwa rakietowego, rσΏne od wyszczegσlnionych w uregulowaniach dotycz±cych towarσw wojskowych.

UWAGA: Dla substancji miotaj±cych oraz sk³adnikσw chemikaliσw do materia³σw miotaj±cych, nie wymienionych w pozycji 1C111, sprawdΌ takΏe Wykaz uzbrojenia.

1C116 Stale maraging (stale ogσlnie charakteryzuj±ce siκ wysok± zawartoΆci± niklu, bardzo nisk± zawartoΆci± wκgla i wykorzystaniem sk³adnikσw substytucyjnych lub przyspieszaj±cych, umoΏliwiaj±cych utwardzanie wydzielinowe), o wytrzyma³oΆci na rozci±ganie rσwnej 1500 MPa lub wiκkszej, mierzonej w temperaturze 293 °K (20 °C), w postaci blach, p³yt lub rur o gruboΆci Άcianek rur lub gruboΆci p³yt mniejszej lub rσwnej 5 mm.

N.B.: Patrz takΏe pozycja 1C216.

1C117 Wolfram, molibden oraz stopy tych metali w postaci regularnych kulek albo rozpylonych cz±stek o Άrednicy 500 >ISO_7>μ>ISO_2>m lub mniejszej i czystoΆci wiκkszej lub rσwnej 97 %, przeznaczone do produkcji zespo³σw silnikσw «rakietowych» , tj. os³on termicznych, pod³oΏa dysz, przewκΏeρ dysz i powierzchni sterowania wektorem ci±gu.

1C118 Stabilizowana tytanem stal nierdzewna dupleksowa (Ti-DSS) posiadaj±ca wszystkie z niΏej wymienionych cech:

a. Posiadaj±ca wszystkie z niΏej wymienionych charakterystyk:

1. ZawartoΆζ wagowa chromu: 17,0 - 23,0 %, niklu: 4,5 - 7,0 %;

2. ZawartoΆζ wagowa tytanu wiκksza niΏ 0,10 %; oraz

3. ObecnoΆζ mikrostruktury ferrytowo-austenitowej (nazywanej takΏe mikrostruktur± dwufazow±), w ktσrej co najmniej 10 % objκtoΆci stanowi austenit (zgodnie z ASTM E-1181 lub jego odpowiednikiem narodowym); oraz

b. Posiadaj±ca ktσr±kolwiek z nastκpuj±cych postaci:

1. Sztab lub prκtσw o wielkoΆci wiκkszej lub rσwnej 100 mm w kaΏdym z wymiarσw;

2. Arkuszy o szerokoΆci wiκkszej lub rσwnej 600 mm i gruboΆci mniejszej lub rσwnej 3 mm; lub

3. Rur o Άrednicy zewnκtrznej wiκkszej lub rσwnej 600 mm i gruboΆci Άcianek mniejszej lub rσwnej 3 mm.

1C202 Stopy, rσΏne od wyszczegσlnionych w pozycji 1C002.b.3. lub b.4., takie jak:

a. Stopy aluminium posiadaj±ce obydwie wymienione niΏej cechy:

1. «Zdolne do» wytrzyma³oΆci na rozci±ganie wiκkszej lub rσwnej 460 MPa w temperaturze 293 °K (20 °C); oraz

2. Posiadaj±ce postaζ rur lub litych elementσw cylindrycznych (w tym odkuwek) o Άrednicy zewnκtrznej powyΏej 75 mm;

b. Stopy tytanu posiadaj±ce obydwie wymienione niΏej cechy:

1. «Zdolne do» wytrzyma³oΆci na rozci±ganie wiκkszej lub rσwnej 900 MPa w temperaturze 293 °K (20 °C); oraz

2. Posiadaj±ce postaζ rur lub litych elementσw cylindrycznych (w tym odkuwek) o Άrednicy zewnκtrznej powyΏej 75 mm.

Uwaga techniczna:

OkreΆlenie stopy «zdolne do» obejmuje stopy przed lub po obrσbce cieplnej.

1C210 «Materia³y w³σkniste lub w³σkienkowe» lub prepregi, rσΏne od wyszczegσlnionych w pozycji 1C010.a., b. lub e., takie jak:

a. Wκglowe lub aramidowe «materia³y w³σkniste lub w³σkienkowe» posiadaj±ce obojκtnie, ktσr± z niΏej wymienionych charakterystyk:

1. «Modu³ w³aΆciwy» wiκkszy lub rσwny 12,7 Χ 106 m; lub

2. «Wytrzyma³oΆζ w³aΆciwa na rozci±ganie» wiκksza lub rσwna 23,5 Χ 103 m;

UWAGA: Pozycja 1C210.a. nie obejmuje kontrol± aramidowych «materia³σw w³σknistych lub w³σkienkowych» , zawieraj±cych wagowo 0,25 % lub wiκcej dowolnego modyfikatora powierzchni w³σkien opartego na estrach;

b. Szklane «materia³y w³σkniste lub w³σkienkowe» posiadaj±ce obydwie z niΏej wymienionych cech:

1. «Modu³ w³aΆciwy» wiκkszy lub rσwny 3,18 Χ 106 m; lub

2. «Wytrzyma³oΆζ w³aΆciwa na rozci±ganie» wiκksza lub rσwna 76,2 Χ 103 m;

c. Termoutwardzalne, impregnowane Ώywic±, ci±g³e «przκdze» , «niedoprzκdy» , «kable» lub «taΆmy» o szerokoΆci nie przekraczaj±cej 15 mm (prepregi), wykonane z wκglowych lub szklanych «materia³σw w³σknistych lub w³σkienkowych» wyszczegσlnionych w pozycji 1C210.a. lub b.

Uwaga techniczna:

—ywice tworz± matryce kompozytσw.

UWAGA: W pozycji 1C210 pojκcie «materia³y w³σkniste lub w³σkienkowe» ogranicza siκ do ci±g³ych «w³σkien elementarnych» , «przκdz» , «niedoprzκdσw» , «kabli» lub «taΆm» .

1C216 Stal maraging, rσΏna od wyszczegσlnionej w pozycji 1C116, «zdolna do» wytrzyma³oΆci na rozci±ganie wiκkszej lub rσwnej 2050 MPa, w temperaturze 293 °K (20 °C).

UWAGA: Pozycja 1C216 nie obejmuje kontrol± form, w ktσrych wszystkie wymiary liniowe s± mniejsze lub rσwne 75 mm.

Uwaga techniczna:

Sformu³owanie stal maraging «zdolna do» obejmuje stal maraging przed lub po obrσbce cieplnej.

1C225 Bor wzbogacony izotopem boru-10 (10B) w stopniu wiκkszym niΏ naturalna liczebnoΆζ izotopowa, taki jak: bor pierwiastkowy, zwi±zki i mieszaniny zawieraj±ce bor, wyroby oraz z³om i odpady powsta³e z wyΏej wymienionych.

UWAGA: W pozycji 1C225 mieszaniny zawieraj±ce bor obejmuj± materia³y obci±Ώone borem.

Uwaga techniczna:

Naturalna liczebnoΆζ izotopowa boru-10 wynosi wagowo ok. 18,5 % (atomowo 20 %).

1C226 Wolfram, wκglik wolframu oraz stopy zawieraj±ce wagowo powyΏej 90 % wolframu, posiadaj±ce obydwie z niΏej wymienionych cech:

a. W postaci form wydr±Ώonych o symetrii cylindrycznej (w³±cznie z segmentami cylindrycznymi) o Άrednicy wewnκtrznej od 100 do 300 mm; oraz

b. Masa wiκksza niΏ 20 kg.

UWAGA: Pozycja 1C226 nie obejmuje kontrol± wyrobσw specjalnie zaprojektowanych jako odwaΏniki lub kolimatory promieniowania gamma.

1C227 Wapρ posiadaj±cy obydwie z niΏej wymienionych cech:

a. ZawartoΆζ wagowa zanieczyszczeρ metalami rσΏnymi od magnezu poniΏej 1000 czκΆci na milion; oraz

b. ZawartoΆζ wagowa boru poniΏej 10 czκΆci na milion.

1C228 Magnez posiadaj±cy obydwie z niΏej wymienionych cech:

a. ZawartoΆζ wagowa zanieczyszczeρ metalami rσΏnymi od wapnia poniΏej 200 czκΆci na milion; oraz

b. ZawartoΆζ wagowa boru poniΏej 10 czκΆci na milion.

1C229 Bizmut posiadaj±cy obydwie z niΏej wymienionych cech:

a. CzystoΆζ wagowa wiκksza lub rσwna 99,99 %; oraz

b. ZawartoΆζ wagowa srebra poniΏej 10 czκΆci na milion.

1C230 Beryl metaliczny, stopy zawieraj±ce wagowo wiκcej niΏ 50 % berylu, zwi±zki berylu, wyroby oraz z³om i odpady powsta³e z wyΏej wymienionych.

UWAGA: Pozycja 1C230 nie obejmuje kontrol±:

a. Metalowych okien do aparatury rentgenowskiej lub do urz±dzeρ wiertniczych;

b. Profili tlenkowych w postaci przetworzonej lub pσ³przetworzonej, zaprojektowanych specjalnie do elementσw zespo³σw elektronicznych lub jako pod³oΏa do obwodσw elektronicznych;

c. Berylu (krzemianu berylu i aluminium) w postaci szmaragdσw lub akwamarynσw.

1C231 Hafn metaliczny, stopy oraz zwi±zki hafnu zawieraj±ce wagowo wiκcej niΏ 60 % hafnu, wyroby oraz z³om i odpady z powsta³e z wyΏej wymienionych.

1C232 Hel-3 (3He), mieszaniny zawieraj±ce hel-3 oraz wyroby lub urz±dzenia zawieraj±ce dowolne z wyΏej wymienionych substancji;

UWAGA: Pozycja 1C232 nie obejmuje kontrol± wyrobσw lub urz±dzeρ zawieraj±cych mniej niΏ 1 g helu-3.

1C233 Lit wzbogacony izotopem litu-6 (6Li) w stopniu wiκkszym niΏ naturalna liczebnoΆζ izotopowa, oraz produkty lub urz±dzenia zawieraj±ce wzbogacony lit takie jak: lit pierwiastkowy, stopy, zwi±zki, mieszaniny zawieraj±ce lit, wyroby oraz z³om i odpady powsta³e z wyΏej wymienionych.

UWAGA: Pozycja 1C233 nie obejmuje kontrol± dozymetrσw termoluminescencyjnych.

Uwaga techniczna:

Naturalna liczebnoΆζ izotopowa litu-6 wynosi wagowo ok. 6,5 % (atomowo 7,5 %).

1C234 Cyrkon z zawartoΆci± wagow± hafnu mniejsz± niΏ 1 czκΆζ hafnu do 500 czκΆci cyrkonu, taki jak: metal, stopy zawieraj±ce wagowo ponad 50 % cyrkonu, zwi±zki, wyroby oraz z³om i odpady powsta³e z wyΏej wymienionych.

UWAGA: Pozycja 1C234 nie obejmuje kontrol± cyrkonu w postaci folii o gruboΆci mniejszej lub rσwnej 0,10 mm.

1C235 Tryt, zwi±zki trytu i mieszaniny zawieraj±ce tryt, w ktσrych stosunek atomσw trytu do wodoru przewyΏsza 1 czκΆζ na 1000, oraz wyroby lub urz±dzenia zawieraj±ce wyΏej wymienione substancje.

UWAGA: Pozycja 1C235 nie obejmuje kontrol± wyrobσw lub urz±dzeρ zawieraj±cych nie wiκcej niΏ 1,48 Χ 103 GBq (40 Ci) trytu.

1C236 Radionuklidy emituj±ce cz±stki alfa o okresie po³owicznego rozpadu wiκkszym lub rσwnym 10 dni, ale mniejszym niΏ 200 lat, wystκpuj±ce w poniΏszych postaciach:

a. Pierwiastki;

b. Zwi±zki o ca³kowitej aktywnoΆci alfa wiκkszej lub rσwnej 37 GBq/kg (1 Ci/kg);

c. Mieszaniny o ca³kowitej aktywnoΆci alfa wiκkszej lub rσwnej 37 GBq/kg (1 Ci/kg);

d. Wyroby lub urz±dzenia zawieraj±ce wyΏej wymienione substancje.

UWAGA: Pozycja 1C236 nie obejmuje kontrol± wyrobσw lub urz±dzeρ o aktywnoΆci alfa poniΏej 3,7 GBq (100 mCi).

1C237 Rad-226 (226Ra), stopy oraz zwi±zki radu-226, mieszaniny zawieraj±ce rad-226, powsta³e z nich wyroby, oraz produkty i urz±dzenia powsta³e z wyΏej wymienionych.

UWAGA: Pozycja 1C237 nie obejmuje kontrol±:

a. Aplikatorσw medycznych;

b. Wyrobσw lub urz±dzeρ zawieraj±cych mniej niΏ 0,37 GBq (10 mCi) radu-226.

1C238 Trifluorek chloru (ClF3 ).

1C239 Krusz±ce materia³y wybuchowe, rσΏne od wyszczegσlnionych w uregulowaniach dotycz±cych towarσw wojskowych, substancje lub mieszaniny zawieraj±ce wagowo wiκcej niΏ 2 % tych materia³σw, o gκstoΆci krystalicznej wiκkszej niΏ 1,8 g/cm3 i prκdkoΆci detonacji powyΏej 8000 m/s.

1C240 Proszek niklu lub porowaty nikiel metaliczny, rσΏny od wyszczegσlnionego w pozycji 0C005, taki jak:

a. Proszek niklu posiadaj±cy obydwie z niΏej wymienionych cech:

1. CzystoΆζ niklowego sk³adnika wagowego wiκksza lub rσwna 99 %; oraz

2. ¦rednia wielkoΆζ cz±stek mniejsza niΏ 10 >ISO_7>μ>ISO_2>m, mierzona wed³ug normy B330 Amerykaρskiego Towarzystwa Materia³oznawczego (ASTM);

b. Porowaty nikiel metaliczny wytwarzany z materia³σw wyszczegσlnionych w pozycji 1C240.a.

UWAGA: Pozycja 1C240 nie obejmuje kontrol±:

a. W³σkienkowych proszkσw niklu;

b. Pojedynczych porowatych blach niklowych o polu powierzchni arkusza mniejszym lub rσwnym 1000 cm2.

Uwaga techniczna:

Pozycja 1C240.b. odnosi siκ do porowatego metalu wyrabianego metod± zagκszczania lub spiekania materia³σw wyszczegσlnionych w pozycji 1C240.a., celem otrzymania metalu z drobnymi porami, wzajemnie ³±cz±cymi siκ w ca³oΆci struktury.

1C350 Substancje chemiczne, ktσre mog± byζ wykorzystane jako prekursory dla toksycznych Άrodkσw chemicznych, oraz «mieszaniny chemiczne» zawieraj±ce jedn± lub wiκcej z wyΏej wymienionych substancji, z tego:

N.B.: SprawdΌ takΏe Wykaz uzbrojenia oraz pozycjκ 1C450.

1. Tiodiglikol (111- 48-8);

2. Tlenochlorek fosforu (10025-87-3);

3. Metylofosfonian dimetylu (756-79-6);

4. SprawdΌ takΏe Wykaz uzbrojenia dla Difluorek metylofosfonowy (676-99-3);

5. Dichlorek metylofosfonowy (676-97-1);

6. Fosforyn dimetylu (868-85-9);

7. Trichlorek fosforu (7719-12-2);

8. Fosforyn trimetylu (121-45-9);

9. Chlorek tionylu (7719-09-7);

10. 3-Hydroksy-1-metylopiperydyna (3554-74-3);

11. N,N-diizopropylo-(beta)-chloroetyloamina (96-79-7);

12. N,N-diizopropylo-(beta)-tioloetanoamina (5842-07-9);

13. 3-chinuklidynol (1619-34-7);

14. Fluorek potasu (7789-23-3);

15. 2-Chloroetanol (107-07-3);

16. Dimetyloamina (124-40-3);

17. Etylofosfonian dietylu (78-38-6);

18. N,N-dimetylofosforoamidan dietylu (2404-03-7);

19. Fosfonian dietylu (762-04-9);

20. Chlorowodorek dimetyloaminy (506-59-2);

21. Dichlorek etylofosfinowy (1498-40-4);

22. Dichlorek etylofosfonowy (1066-50-8);

23. SprawdΌ takΏe Wykaz uzbrojenia dla Difluorek etylofosfonowy (753-98-0);

24. Fluorowodσr (7664-39-3);

25. Benzilan metylu (76-89-1);

26. Dichloro(metylo) fosfina (676-83-5);

27. N,N-diizopropylo-(beta)-amino etanol (96-80-0);

28. Alkohol pinakolinowy (464-07-3);

29. SprawdΌ takΏe Wykaz uzbrojenia dla O-etylo-2-diizopropyloaminoetylo metylofosfinin (57856-11-8);

30. Fosforyn trietylu (122-52-1);

31. Trichlorek arsenu (7784-34-1);

32. Kwas benzilowy (76-93-7);

33. Metylofosfinin dietylu (15715-41-0);

34. Etylofosfonian dimetylu (6163-75-3);

35. Etylodifluorofosfina (430-78-4);

36. Difluoro(metylo) fosfina (753-59-3);

37. 3-chinuklidynon (3731-38-2);

38. Pentachlorek fosforu (10026-13-8);

39. Pinakolon (75-97-8);

40. Cyjanek potasu (151-50-8);

41. Wodorofluorek potasu (7789-29-9);

42. Wodorofluorek amonu (1341-49-7);

43. Fluorek sodu (7681-49-4);

44. Wodorofluorek sodu (1333-83-1);

45. Cyjanek sodu (143-33-9);

46. Trietanoloamina (102-71-6);

47. Pentasiarczek fosforawy (1314-80-3);

48. Di-izopropyloamina (108-18-9);

49. Dietyloaminoetanol (100-37-8);

50. Siarczek sodu (1313-82-2);

51. Jednochlorek siarki (10025-67-9);

52. Dichlorek siarki (10545-99-0);

53. Chlorowodorek trietanoloaminy (637-39-8);

54. N,N-diizopropylo-(beta)-chloroetyloamino chlorowodorek (4261-68-1).

UWAGA 1: Dla eksportu do «Paρstw nie bκd±cych stronami Konwencji o zakazie broni chemicznej» pozycja 1C350 nie obejmuje kontrol± «mieszanin chemicznych» zawieraj±cych jedn± lub wiκcej substancji chemicznych wyszczegσlnionych w podpunktach 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, i .54, w ktσrych Ώadna z indywidualnie wyszczegσlnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo wiκcej niΏ 10 % mieszaniny.

UWAGA 2: Dla eksportu do «Paρstw bκd±cych stronami Konwencji o zakazie broni chemicznej» pozycja 1C350 nie obejmuje kontrol± «mieszanin chemicznych» zawieraj±cych jedn± lub wiκcej substancji chemicznych wymienionych w podpunktach 1C350.1, .3, .5, .11, 12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, i .54, w ktσrych Ώadna z indywidualnie wyszczegσlnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo wiκcej niΏ 30 % mieszaniny.

UWAGA 3: Pozycja 1C350 nie obejmuje kontrol± «mieszanin chemicznych» zawieraj±cych jedn± lub wiκcej substancji chemicznych wyszczegσlnionych w podpunktach 1C350.2, .6, .7, .8, .9, .10, 14, .15, .16, .19, .20, .24, .25, .30, .37, .38, .39, .40, .41, .42, .43, .44, .45, .46, .47, .48, .49, .50, .51, .52, oraz .53, w ktσrych Ώadna z indywidualnie wyszczegσlnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo wiκcej niΏ 30 % mieszaniny.

UWAGA 4: Pozycja 1C350 nie obejmuje kontrol± wyrobσw okreΆlanych jako dobra konsumpcyjne pakowane do sprzedaΏy detalicznej do osobistego uΏytku lub pakowane do indywidualnego uΏytku.

1C351 Ludzkie czynniki chorobotwσrcze, choroby przenoszone przez zwierzκta oraz «toksyny» , takie jak:

a. Wirusy pochodzenia naturalnego, wzmocnione lub zmodyfikowane, w postaci «izolowanych Ώywych kultur» lub jako materia³ w³±cznie z materia³em Ώywym, ktσry zosta³ celowo zaszczepiony lub zakaΏony takimi kulturami, takie jak:

1. Wirus gor±czki Chikungunya;

2. Wirus gor±czki krwotocznej kongijsko-krymskiej;

3. Wirus gor±czki denga;

4. Wirus wschodnioamerykaρskiego koρskiego zapalenia mσzgu;

5. Wirus Ebola;

6. Wirus Hanta;

7. Wirus Junin;

8. Wirus gor±czki Lassa;

9. Wirus limfocytowego zapalenia opon mσzgowych;

10. Wirus Machupo;

11. Wirus marburski;

12. Wirus ma³piej ospy;

13. Wirus gor±czki z Rift Valley;

14. Wirus kleszczowego zapalenia mσzgu (rosyjski wiosenno - letni wirus zapalenia mσzgu);

15. Wirus ospy naturalnej;

16. Wirus wenezuelskiego koρskiego zapalenia mσzgu;

17. Wirus zachodnioamerykaρskiego koρskiego zapalenia mσzgu;

18. Wirus ospσwki;

19. Wirus Ώσ³tej gor±czki;

20. Wirus japoρskiego zapalenia mσzgu;

21. Wirus Lasu Kyasanur;

22. Wirus choroby skokowej owiec;

23. Wirus zapalenia mσzgu z Murray Valley;

24. Wirus omskiej gor±czki krwotocznej;

25. Wirus Oropouche;

26. Wirus Powassan;

27. Wirus Rocio;

28. Wirus zapalenia mσzgu z St Louis;

29. Wirus Hendra;

30. Wirus po³udniowoamerykaρskiej gor±czki krwotocznej (Sabia, Flexal, Guanarito);

31. Wirusy gor±czki krwotocznej z zepo³em p³ucnym i nerkowym (Seoul, Dobrava, Puumala, Sin Nobre);

32. Wirus Nipah;

b. Riketsje pochodzenia naturalnego, wzmocnione lub zmodyfikowane, w postaci «izolowanych Ώywych kultur» lub jako materia³ w³±cznie z materia³em Ώywym, ktσry zosta³ celowo zaszczepiony lub zakaΏony takimi kulturami, takie jak:

1. Coxiella burnetii - riketsja gor±czki Q;

2. Bartonella quintana (Rochalimea Quintana, Rickettsia quintana) - riketsja gor±czki okopowej;

3. Riketsja prowasecki - riketsja duru plamistego;

4. Riketsja rickettsii - riketsja gor±czki plamistej Gσr Skalistych;

c) Bakterie pochodzenia naturalnego, wzmocnione lub zmodyfikowane, w postaci «izolowanych Ώywych kultur» lub jako materia³ w³±cznie z materia³em Ώywym, ktσry zosta³ celowo zaszczepiony lub zakaΏony takimi kulturami, takie jak:

1. Laseczka w±glika (Bacillus anthracis);

2. Pa³eczka ronienia byd³a (Brucella abortus);

3. Pa³eczka maltaρska (Brucella melitensis);

4. Pa³eczka ronienia Άwiρ (Brucella suis);

5. Zarazek papuzicy (Chlamydia psittaci);

6. Laseczka jadu kie³basianego (Clostridium botulinum);

7. Pa³eczka tularemii (Francisella tularensis);

8. Pa³eczka nosacizny (Pseudomonas mallei);

9. Pa³eczka nosacizny rzekomej (Pseudomonas pseudomallei);

10. Pa³eczka duru (Salmonella typhi);

11. Pa³eczka czerwonki (Shigella dysenteriae);

12. Przecinkowiec cholery (Vibrio cholerae);

13. Pa³eczka dΏumy (Yersinia pestis);

14. Laseczka zgorzeli gazowej wytwarzaj±ca odmiany egzotoksyn (Clostridium perfringens);

15. Pa³eczka okrκΏnicy (Escherichia coli) o odmianie serologicznej O157 oraz inne werotoksyny wytwarzaj±ce odmiany serologiczne

d) Nastκpuj±ce «toksyny» i ich «podjednostki toksyn» :

1. Toksyny botulinowe;

2. Toksyny laseczki zgorzeli gazowej;

3. Konotoksyna;

4. Rycyna;

5. Saksytoksyna;

6. Toksyna Shiga;

7. Toksyny gronkowca z³ocistego;

8. Tetrodotoksyna;

9. Verotoksyna;

10. Microcystin (cyanginosin);

11. Aflatoksyny;

12. Abryn;

13. Toksyna cholery;

14. Toksyna diacetoksyscyrpenolowa;

15. Toksyna T-2;

16. Toksyna HT-2;

17. Modecyn;

18. Wolkensyn;

19. Lektyn 1 jemio³y pospolitej (wiskotoksyna);

Uwaga: Pozycja 1C351.d. nie obejmuje kontrol± toksyn botulinowych ani konotoksyn w postaci wyrobσw spe³niaj±cych wszystkie niΏej wymienione kryteria:

1. S± formu³ami farmaceutycznymi przeznaczonymi do przywracania zdrowia chorym ludziom;

2. S± opakowane do rozprowadzania jako wyroby lecznicze;

3. S± dopuszczone do obrotu przez w³adze paρstwowe jako wyroby lecznicze.

Uwaga: Pozycja 1C351 nie obejmuje kontrol± «szczepionek» lub «immunotoksyn» .

1C352 Zwierzκce czynniki chorobotwσrcze, takie jak:

a. Wirusy pochodzenia naturalnego, wzmocnione lub zmodyfikowane, w postaci «izolowanych Ώywych kultur» lub jako materia³ w³±cznie z materia³em Ώywym, ktσry zosta³ celowo zaszczepiony lub zakaΏony takimi kulturami, takie jak:

1. Wirus afrykaρskiego pomoru Άwiρ;

2. Ptasie wirusy grypy, ktσre s±:

a. Niescharakteryzowane; lub

b. OkreΆlone w Dyrektywie Wspσlnoty Europejskiej 92/40/WE (Dz. U. L. 16 z 23.1.1992, pkt 19) jako posiadaj±ce wysokie w³aΆciwoΆci chorobotwσrcze, z tego:

1. Wirusy typu A o wartoΆci IVPI, (wskaΌnik doΏylnej chorobotwσrczoΆci) dla szeΆciotygodniowych kurcz±t, powyΏej 1,2; lub

2. Wirusy typu A o podtypie H5 lub H7, dla ktσrych sekwencjonowanie nukleotydσw wykaza³o wystκpowanie licznych aminokwasσw zasadowych w miejscach rozszczepienia hemaglutyniny;

3. Wirus choroby niebieskiego jκzyka;

4. Wirus pryszczycy;

5. Wirus ospy koziej;

6. Wirus opryszczki Άwiρ (choroba Aujeszky'ego);

7. Wirus pomoru Άwiρ (wirus cholery Hog'a);

8. Wirus Lyssa;

9. Wirus rzekomego pomoru drobiu (wirus z Newcastle);

10. Wirus pomoru przeΏuwaczy;

11. Enterowirus Άwiρski, typ 9 (wirus choroby pκcherzykowej u Άwiρ);

12. Wirus zarazy bydlκcej;

13. Wirus ospy owczej;

14. Wirus choroby cieszyρskiej;

15. Wirus pκcherzykowego zapalenia jamy gκbowej;

16. Wirus choroby zgrudowacenia skσry;

17. Wirus afrykaρskiej choroby koni;

b. Drobnoustroje z rodzaju mykoplazma pochodzenia naturalnego, wzmocnione lub zmodyfikowane, w postaci «izolowanych Ώywych kultur» lub jako materia³ w³±cznie z materia³em Ώywym, ktσry zosta³ celowo zaszczepiony lub zakaΏony drobnoustrojami z tego rodzaju.

UWAGA: Pozycja 1C352 nie obejmuje kontrol± «szczepionek» .

1C353 Elementy genetyczne oraz zmodyfikowane genetycznie «organizmy» :

a. Zmodyfikowane genetycznie «organizmy» lub elementy genetyczne zawieraj±ce sekwencje kwasσw nukleinowych po³±czone z czynnikami chorobotwσrczymi organizmσw wyszczegσlnionych w pozycjach 1C351.a. do c. lub 1C352 lub 1C354;

b. Zmodyfikowane genetycznie «organizmy» lub elementy genetyczne zawieraj±ce sekwencje kwasσw nukleinowych przypisanych do jakiejkolwiek z «toksyn» wyszczegσlnionych w pozycji 1C351.d. lub naleΏ±ce do nich «podjednostki toksyn» .

Uwaga techniczna:

Elementy genetyczne zawieraj± miκdzy innymi chromosomy, genomy, plazmidy, transpozony oraz wektory, bez wzglκdu czy s± modyfikowane genetycznie, czy nie.

UWAGA: Pozycji 1C353 nie stosuje siκ do sekwencji kwasσw nukleinowych po³±czonych z czynnikami chorobotwσrczymi pa³eczki okrκΏnicy o odmianie serologicznej O157 oraz innych werotoksyn wytwarzaj±cych odmiany serologiczne innych niΏ te przypisane do werotoksyn lub ich podjednostek.

1C354 Szczepy chorobotwσrcze, takie jak:

a. Wirusy pochodzenia naturalnego, wzmocnione lub zmodyfikowane, w postaci «izolowanych Ώywych kultur» lub jako materia³ w³±cznie z materia³em Ώywym, ktσry zosta³ celowo zaszczepiony lub zakaΏony takimi kulturami, jak:

1. Andyjski utajony wirus ziemniaka;

2. Wiroid wrzecionowatoΆci bulw ziemniaka;

b. Bakterie pochodzenia naturalnego, wzmocnione lub zmodyfikowane, w postaci «izolowanych Ώywych kultur» lub jako materia³ w³±cznie z materia³em Ώywym, ktσry zosta³ celowo zaszczepiony lub zakaΏony takimi kulturami, jak:

1. Xanthomonas albilineans;

2. Xantomonas campestris pv. citri zawieraj±ce szczepy pokrewne, takie jak Xantomonas campestris pv. citri typu A, B, C, D, E lub inaczej klasyfikowane jako Xantomonas citri, Xantomonas campestris pv. aurantifolia lub Xantomonas campestris pv. citrumelo;

3. Xanthomonas oryzae pv. Oryzae (Pseudomonas campestris pv. Oryzae);

4. Clavibacter michiganensis subsp. Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum or Corynebacterium Sepedonicum);

5. Ralstonia solanacearum typy 2 i 3 (Pseudomonas solanacearum typy 2 i 3 lub Burkholderia solanacearum typy 2 i 3);

c. Grzyby pochodzenia naturalnego, wzmocnione lub zmodyfikowane, w postaci «izolowanych Ώywych kultur» lub jako materia³ w³±cznie z materia³em Ώywym, ktσry zosta³ celowo zaszczepiony lub zakaΏony takimi kulturami, jak:

1. Colletotrichum coffeanum var. virulans (Colletotrichum kahawae);

2. Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae);

3. Microcyclus ulei (syn. Dothidella ulei);

4. Puccinia graminis (syn. Puccinia graminis F. sp. tritici);

5. Puccinia striiformis (syn. Puccinia glumarum);

6. Magnaporthe grisea (Pyricularia grisea/pyricularia oryzae).

1C450 Toksyczne zwi±zki chemiczne, prekursory toksycznych zwi±zkσw chemicznych oraz «mieszaniny chemiczne» zawieraj±ce jedn± lub wiκcej z tych substancji, takie jak:

N.B.: Patrz takΏe pozycje 1C350, 1C351.d. oraz wykaz uzbrojenia.

a. Toksyczne zwi±zki chemiczne, takie jak:

1. Amiton: O,O-dietylo-S-[2-(dietyloamino) etylo] fosforotiolan (78-53-5) oraz odpowiednie alkilowane lub protonowane sole;

2. PFIB: 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-(trifluorometylo)-1-propen (382-21-8);

3. SprawdΌ takΏe Wykaz uzbrojenia dla BZ: 3-chinuklidylo benzylan (6581-06-2);

4. Fosgen: dichlorek karbonylu (75-44-5);

5. Chlorocyjan (506-77-4);

6. Cyjanowodσr (74-90-8);

7. Chloropikryna: trichloronitrometan (76-06-2);

UWAGA 1: Dla eksportu do «Paρstw nie bκd±cych stronami Konwencji o zakazie broni chemicznej» pozycja 1C450 nie obejmuje kontrol± «mieszanin chemicznych» zawieraj±cych jedn± lub wiκcej substancji chemicznych wyszczegσlnionych w podpunktach 1C450.a.1. oraz .a.2., w ktσrych Ώadna z indywidualnie wyszczegσlnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo wiκcej niΏ 10 % mieszaniny.

UWAGA 2: Dla eksportu do «Paρstw bκd±cych stronami Konwencji o zakazie broni chemicznej» pozycja 1C450 nie obejmuje kontrol± «mieszanin chemicznych» zawieraj±cych jedn± lub wiκcej substancji chemicznych wyszczegσlnionych w podpunktach 1C450.a.1. oraz .a.2., w ktσrych Ώadna z indywidualnie wyszczegσlnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo wiκcej niΏ 30 % mieszaniny.

UWAGA 3: Pozycja 1C450 nie obejmuje kontrol± «mieszanin chemicznych» zawieraj±cych jedn± lub wiκcej substancji chemicznych wyszczegσlnionych w podpunktach 1C450.a.4., .a.5., .a.6. oraz .a.7., w ktσrych Ώadna z indywidualnie wyszczegσlnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo wiκcej niΏ 30 % mieszaniny.

b. Prekursory toksycznych zwi±zkσw chemicznych, takie jak:

1. Zwi±zki chemiczne, rσΏne od wyszczegσlnionych w uregulowaniach dotycz±cych towarσw wojskowych lub w pozycji 1C350, posiadaj±ce atom fosforu, z ktσrym zwi±zana jest jedna grupa metylowa, etylowa, propylowa lub izopropylowa, lecz nie wiκcej atomσw wκgla;

UWAGA: Pozycja 1C450.b.1. nie obejmuje kontrol± fonofosu: O-etylo S-fenylo -etylofosfonotiolotionianu (944-22-9);

2. Dihalogenki N,N-dialkilo (metylo, etylo, propylo lub izopropylo) fosforoamidowe;

3. Dialkilo (metylo, etylo, propylo lub izopropylo) N,N-dialkilo (metylo, etylo, propylo lub izopropylo)-fosforoamidany, rσΏne od dietylo-N,N-dimetylofosforoamidanu wyszczegσlnionego w pozycji 1C350,

4. Chlorki 2-[N,N-dialkilo (metylo, etylo, propylo lub izopropylo) aminoetylu i odpowiednie protonowane sole, inne niΏ chlorek N,N-diizopropylo-(beta)-aminoetylu lub chlorowodorek N,N-diizopropylo-(beta)-aminoetylo chlorku, ktσre zosta³y wyszczegσlnione w pozycji 1C350;

5. N,N-dialkilo (metylo, etylo, propylo lub izopropylo) aminoetan-2-ole i odpowiednie protonowane sole, rσΏne od N,N-diizopropylo-(beta)-aminoetanolu (96-80-0) i N,N-dietyloaminoetanolu (100-37-8), wyszczegσlnionych w pozycji 1C350;

UWAGA: Pozycja 1C450.b.5. nie obejmuje kontrol±:

a. N,N-dimetyloaminoetanolu (108-01-0) i odpowiednich protonowanych soli;

b. Protonowanych soli N,N-dietyloaminoetanolu (100-37-8);

6. N,N-dialkilo (metylo, etylo, propylo lub izopropylo) aminoetano-2-tiole i odpowiednie protonowane sole, inne niΏ N,N-diizopropylo-(beta)-aminoetanootiol, wyszczegσlniony w pozycji 1C350;

7. Etylodietanoloamina (139-87-7);

8. Metylodietanoloamina (105-59-9);

UWAGA 1: Dla eksportu do «Paρstw nie bκd±cych stronami Konwencji o zakazie broni chemicznej» pozycja 1C450 nie obejmuje kontrol± «mieszanin chemicznych» zawieraj±cych jedn± lub wiκcej substancji chemicznych wyszczegσlnionych w podpunktach 1C450.b.1., .b.2., .b.3., .b.4., .b.5., oraz .b.6., w ktσrych Ώadna z indywidualnie wyszczegσlnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo wiκcej niΏ 10 % mieszaniny.

UWAGA 2: Dla eksportu do «Paρstw bκd±cych stronami Konwencji o zakazie broni chemicznej» pozycja 1C450 nie obejmuje kontrol± «mieszanin chemicznych» zawieraj±cych jedn± lub wiκcej substancji chemicznych wyszczegσlnionych w podpunktach 1C450.b.1., .b.2., .b.3., .b.4., .b.5., oraz .b.6., w ktσrych Ώadna z indywidualnie wyszczegσlnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo wiκcej niΏ 30 % mieszaniny

UWAGA 3: Pozycja 1C450 nie obejmuje kontrol± «mieszanin chemicznych» zawieraj±cych jedn± lub wiκcej substancji chemicznych wyszczegσlnionych w podpunktach 1C450.b.7. oraz .b.8., w ktσrych Ώadna z indywidualnie wyszczegσlnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo wiκcej niΏ 30 % mieszaniny.

UWAGA: Pozycja 1C450 nie obejmuje kontrol± wyrobσw okreΆlanych jako dobra konsumpcyjne pakowane do sprzedaΏy detalicznej do osobistego uΏytku lub pakowane do indywidualnego uΏytku.

1D Oprogramowanie

1D001 «Oprogramowanie» specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do «rozwoju» , «produkcji» albo «uΏytkowania» wyrobσw wyszczegσlnionych w pozycjach od 1B001 do 1B003.

1D002 «Oprogramowanie» do «rozwoju» «matryc» organicznych, «matryc» metalowych, «matryc» wκglowych do laminatσw, oraz «kompozytσw» .

1D101 «Oprogramowanie» specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do «uΏytkowania» wyrobσw wyszczegσlnionych w pozycji 1B101, 1B102, 1B115, 1B117, 1B118 lub 1B119.

1D103 «Oprogramowanie» specjalnie zaprojektowane do badania obiektσw o zmniejszonej wykrywalnoΆci za pomoc± odbitych fal radarowych, Άladσw w zakresie promieniowania nadfioletowego/podczerwonego oraz Άladσw akustycznych.

1D201 «Oprogramowanie» specjalnie zaprojektowane do «uΏytkowania» wyrobσw wyszczegσlnionych w pozycji 1B201.

1E Technologia

1E001 «Technologia» , stosownie do Uwagi ogσlnej do technologii, do " «rozwoju» lub «produkcji» sprzκtu lub materia³σw wyszczegσlnionych w pozycji 1A001.b., 1A001.c., 1A002 do 1A005, 1B lub 1C.

1E002 Inne «technologie» , takie jak:

a. «Technologia» do «rozwoju» lub «produkcji» polibenzotiazoli lub polibenzoksazoli;

b. «Technologia» do «rozwoju» lub «produkcji» zwi±zkσw elastomerσw fluorowych, zawieraj±cych co najmniej jeden monomer eteru winylowego;

c. «Technologia» do projektowania lub «produkcji» materia³σw podstawowych albo nie- «kompozytowych» materia³σw ceramicznych, takich jak:

1. Materia³σw podstawowych posiadaj±cych wszystkie niΏej wymienione cechy:

a. Zawieraj±cych jakikolwiek z nastκpuj±cych zwi±zkσw:

1. Pojedyncze lub kompleksowe tlenki cyrkonu oraz kompleksowe tlenki krzemu lub glinu;

2. Pojedyncze azotki boru (w postaci regularnych kryszta³σw);

3. Pojedyncze lub kompleksowe wκgliki krzemu lub boru; lub

4. Pojedyncze lub kompleksowe azotki krzemu;

b. Posiadaj±cych ca³kowit± zawartoΆζ zanieczyszczeρ metalicznych, z wy³±czeniem celowych domieszek, mniejsz± niΏ:

1. 1000 ppm dla pojedynczych tlenkσw lub wκglikσw; lub

2. 5000 ppm dla zwi±zkσw kompleksowych lub pojedynczych azotkσw; oraz

c. Posiadaj±cych:

1. Dwutlenek cyrkonu o przeciκtnych wymiarach cz±steczek mniejszych lub rσwnych 1 >ISO_7>μ>ISO_2>m oraz nie zawieraj±cy wiκcej niΏ 10 % cz±steczek wiκkszych niΏ >ISO_7>μ>ISO_2>m;

2. Inne materia³y podstawowe o przeciκtnych wymiarach cz±steczek mniejszych lub rσwnych 5 >ISO_7>μ>ISO_2>m oraz nie zawieraj±cych wiκcej niΏ 10 % cz±steczek wiκkszych niΏ 10 >ISO_7>μ>ISO_2>m; lub

3. Wszystkie z poniΏszych w³aΆciwoΆci:

a. Postaζ p³ytek o stosunku d³ugoΆci do gruboΆci wiκkszym niΏ 5;

b. Postaζ wiskerσw o stosunku d³ugoΆci do Άrednicy wiκkszym od 10 przy Άrednicach poniΏej 2 >ISO_7>μ>ISO_2>m; oraz

c. Postaζ ci±g³ych lub pociκtych w³σkien o Άrednicy poniΏej 10 >ISO_7>μ>ISO_2>m;

2. Nie- «kompozytowych» materia³σw ceramicznych sk³adaj±cych siκ z materia³σw wyszczegσlnionych w pozycji 1E002.c.1.;

UWAGA: Pozycja 1E002.c.2. nie obejmuje kontrol± «technologii» do projektowania lub produkcji materia³σw Άciernych.

d. «Technologia» do «produkcji» w³σkien z poliamidσw aromatycznych;

e. «Technologia» do instalacji, obs³ugiwania lub naprawy materia³σw wyszczegσlnionych w pozycji 1C001;

f. «Technologia» do naprawy struktur «kompozytowych» , laminatσw lub materia³σw wyszczegσlnionych w pozycji 1A002, 1C007.c. lub 1C007.d.

UWAGA: Pozycja 1E002.f. nie obejmuje kontrol± «technologii» do naprawy struktur «cywilnych statkσw powietrznych» za pomoc± wκglowych «materia³σw w³σknistych lub w³σkienkowych» oraz Ώywic epoksydowych, zawartych w instrukcjach producenta, dotycz±cych obs³ugi «statkσw powietrznych» .

1E101 «Technologia» , stosownie do Uwagi ogσlnej do technologii, do «uΏytkowania» wyrobσw wyszczegσlnionych w pozycjach 1A102, 1B001, 1B101, 1B102, 1B115 do 1B119, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111 do 1C117, 1D101 lub 1D103.

1E102 «Technologia» , stosownie do Uwagi ogσlnej do technologii, do «rozwoju» «oprogramowania» wyszczegσlnionego w pozycjach 1D001, 1D101 lub 1D103.

1E103 «Technologia» do regulacji temperatur, ciΆnieρ lub atmosfery w autoklawach lub hydroklawach w przypadku wykorzystania do «produkcji» «kompozytσw» lub «kompozytσw» czκΆciowo przetworzonych.

1E104 «Technologia» zwi±zana z «produkcj±» pirolitycznie wytwarzanych materia³σw, formowanych za pomoc± form, walcowania trzpieniowego lub innego pod³oΏa z gazσw prekursorowych, ulegaj±cych rozk³adowi w temperaturach od 1573 K (1300 °C) do 3173 K (2900 °C) przy ciΆnieniach od 130 Pa do 20 kPa.

UWAGA: Pozycja 1E104 obejmuje «technologiκ» do ³±czenia gazσw prekursorowych, wartoΆci natκΏeρ przep³ywu, harmonogramy oraz parametry sterowania procesem.

1E201 «Technologia» , stosownie do Uwagi ogσlnej do technologii, do «uΏytkowania» wyrobσw wyszczegσlnionych w pozycjach 1A002, 1A202, 1A225 do 1A227, 1B201, 1B225 do 1B233, 1C002.a.2.c. lub .d., 1C010.b., 1C202, 1C210, 1C216, 1C225 do 1C240 lub 1D201.

1E202 «Technologia» , stosownie do Uwagi ogσlnej do technologii, do «rozwoju» lub «produkcji» wyrobσw wyszczegσlnionych w pozycjach 1A202 lub 1A225 do 1A227.

1E203 «Technologia» , stosownie do Uwagi ogσlnej do technologii, do «rozwoju» «oprogramowania» wyszczegσlnionego w pozycji 1D201.

KATEGORIA 2

PRZETWARZANIE MATERIA£ΣW

2A Systemy, sprzκt oraz komponenty.

N.B.: Dla ³oΏysk bezg³oΆnych patrz uregulowania dotycz±ce towarσw wojskowych

2A001 £oΏyska, zespo³y ³oΏysk oraz ich czκΆci sk³adowe:

Uwaga: Pozycja 2A001 nie obejmuje kontrol± kulek o tolerancji, okreΆlanej przez producenta zgodnie z norm± ISO 3290, klasy 5 lub gorszej.

a. £oΏyska kulkowe lub pe³ne wa³eczkowe o tolerancjach, okreΆlonych przez producenta zgodnie z norm± ISO 492, 4 klasy tolerancji (lub norm± ANSI/ABMA Std 20 - klasa tolerancji ABEC 7 lub RBEC 7, albo wed³ug innych narodowych odpowiednikσw) lub lepszej, oraz posiadaj±ce pierΆcienie oraz elementy toczne (ISO 5593) wykonane z monelu lub berylu;

Uwaga: Pozycja 2A001.a. nie obejmuje kontrol± ³oΏysk z wa³eczkami stoΏkowymi.

b. Inne ³oΏyska kulkowe lub pe³ne wa³eczkowe o tolerancjach, okreΆlonych przez producenta zgodnie z norm± ISO 492, 2 klasy tolerancji (lub norm± ANSI/ABMA Std 20 - klasa tolerancji ABEC 9 lub RBEC 97, albo wed³ug innych narodowych odpowiednikσw) lub lepszej;

Uwaga: Pozycja 2A001.b. nie obejmuje kontrol± ³oΏysk z wa³eczkami stoΏkowymi.

c. Aktywne zespo³y ³oΏysk magnetycznych, wykorzystuj±ce, co najmniej jeden z niΏej wymienionych elementσw:

1. Materia³y o gκstoΆci strumienia 2,0 T lub wiκkszej, przenosz±ce obci±Ώenia wiκksze niΏ 414 MPa;

2. Ca³kowicie elektromagnetyczne, trσjwymiarowe jednobiegunowe konstrukcje dla si³ownikσw; lub

3. Wysokotemperaturowe (450 K (117 °C) i wiκcej) czujniki po³oΏenia.

2A225 Tygle, wykonane z materia³σw odpornych na p³ynne aktynowce, takie jak:

a. Tygle posiadaj±ce obydwie z nastκpuj±cych cech charakterystycznych:

1. PojemnoΆζ od 150 cm3; do 8000 cm3; oraz

2. Wykonane z jednego z nastκpuj±cych materia³σw lub nim powlekane, o czystoΆci wagowej materia³u 98 % lub wiκkszej:

a. Fluorek wapniowy (CaF2 );

b. Cyrkonian wapnia (metacyrkonian) (CaZrO3 );

c. Siarczek ceru (Ce2 S3 );

d. Tlenek erbowy (erbia) (Er2 O3 );

e. Tlenek hafnowy (hafnia) (HfO2 );

f. Tlenek magnezowy (MgO);

g. Azotowany stop niobu z tytanem i wolframem (oko³o 50 % Nb, 30 % Ti, 20 % W);

h. Tlenek itrowy (itria) (Y2 O3 ); lub

i. Tlenek cyrkonowy (cyrkonia) (ZrO2 );

b. Tygle posiadaj±ce obydwie z nastκpuj±cych cech charakterystycznych:

1. PojemnoΆζ od 50 cm3 do 2000 cm3; oraz

2. Wykonane z tantalu lub nim pokryte, o czystoΆci wagowej tantalu 99,9 % lub wiκkszej;

c. Tygle posiadaj±ce wszystkie z nastκpuj±cych cech charakterystycznych:

1. PojemnoΆζ od 50 cm3 do 2000 cm3;

2. Wykonane z tantalu lub nim pokryte, o czystoΆci wagowej tantalu 98 % lub wiκkszej; oraz

3. Powlekane wκglikiem, azotkiem lub borkiem tantalu, lub jak±kolwiek ich kombinacj±.

2A226 Zawory posiadaj±ce wszystkie z nastκpuj±cych cech charakterystycznych:

a. «Wymiar nominalny» 5 mm lub wiκkszy;

b. WyposaΏone w uszczelnienia mieszkowe; oraz

c. W ca³oΆci wykonane lub pokryte aluminium, stopem aluminium, niklem lub stopem niklu zawieraj±cym wagowo 60 % lub wiκcej niklu.

Uwaga techniczna:

Dla zaworσw o rσΏnych Άrednicach otworu wlotowego i wylotowego pojκcie «wymiar nominalny» w pozycji 2A226 odnosi siκ do najmniejszych Άrednic.

2B Urz±dzenia testuj±ce, kontrolne i produkcyjne

Uwagi techniczne:

1. Pomocnicze, rσwnoleg³e osie konturowe, (np. oΆ «w» w wiertarkach poziomych, albo pomocnicza oΆ obrotowa, ktσrej linia centralna biegnie rσwnolegle do g³σwnej osi obrotu) nie s± zaliczane do ca³kowitej liczby osi kszta³towych. Osie obrotowe nie musz± obracaζ siκ o 360°. OΆ obrotowa moΏe byζ napκdzana za pomoc± urz±dzenia liniowego (np. Άruby albo mechanizmu zκbatkowego).

2. Dla celσw pozycji 2B za liczbκ osi, ktσre mog± byζ koordynowane jednoczeΆnie w celu «kontroli kszta³towania» , uznaje siκ liczbκ osi, maj±cych wp³yw na ruch wzglκdny pomiκdzy obrabianym przedmiotem a narzκdziem, g³owic± tn±c± lub tarcz± szlifiersk±, ktσra przecina lub usuwa metal z przedmiotu obrabianego.

Nie obejmuje to jakichkolwiek dodatkowych osi, ktσre maj± wp³yw na inne ruchy wzglκdne maszyny, takie jak:

a. Systemσw obci±gania Άciernic w szlifierkach;

b. Rσwnoleg³ych osi obrotowych, przeznaczonych do mocowania oddzielnych przedmiotσw obrabianych;

c. Wspσ³liniowych osi obrotowych przeznaczonych do manipulowania tym samym przedmiotem poprzez zamocowanie go w uchwytach z oddzielnych koρcσw.

3. Nazewnictwo osi powinno byζ zgodne z Miκdzynarodow± Norm± ISO 841, «Maszyny sterowane numerycznie - Nazewnictwo osi i ruchσw» .

4. Dla potrzeb pozycji 2B001 do 2B009 «wrzeciono wahliwe» jest zaliczane do osi obrotowych.

5. Zamiast indywidualnych testσw dla kaΏdego modelu obrabiarki moΏna stosowaζ poziomy gwarantowanej dok³adnoΆci pozycjonowania, ustalone przy pomiarach wykonanych stosownie do ISO 230/2 (1988) lub narodowego odpowiednika. Poziom gwarantowanej dok³adnoΆci pozycjonowania, oznacza wartoΆζ dok³adnoΆci, przyjκt± przez kompetentne w³adze paρstwa cz³onkowskiego, w ktσrym eksporter jest zarejestrowany, jako reprezentatywn± dok³adnoΆζ modelu maszyny. OkreΆlenie gwarantowanej dok³adnoΆci

a. Wybraζ piκζ egzemplarzy modelu maszyny, ktσry ma byζ oceniany;

b. Zmierzyζ liniowe dok³adnoΆci osi zgodnie z ISO 230/2 (1988) (1);

c. OkreΆliζ wartoΆζ A dla kaΏdej osi kaΏdej maszyny. Metoda okreΆlania wartoΆci A opisana jest w normie ISO.

d. OkreΆliζ wartoΆci Άrednie wartoΆci A dla kaΏdej osi. Oznacza to, Ώe wartoΆζ Β staje siκ gwarantowan± wartoΆci± dla kaΏdej osi modelu (Β x, Β y, ...);

e. PoniewaΏ wykaz Kategorii 2 odnosi siκ do kaΏdej osi liniowej, wartoΆci gwarantowanych bκdzie tyle, ile jest osi liniowych.

f. JeΏeli ktσraΆ z osi modelu maszyny nieobjκtego kontrol± przez podpunkty 2B001.a. do 2B001.c. lub 2B201 posiada gwarantowan± dok³adnoΆζ Β rσwn± 6 um dla szlifierek i 8 um dla frezarek i tokarek lub lepsz±, od producenta powinno siκ wymagaζ potwierdzania poziomu pozionu dok³adnoΆci raz na osiemnaΆcie miesiκcy.

2B001 Obrabiarki, oraz ich rσΏne kombinacje, do skrawania (albo ciκcia) metali, materia³σw ceramicznych lub «kompozytσw» ktσre, wed³ug danych technicznych producenta, mog± byζ wyposaΏone w urz±dzenia elektroniczne do «sterowania numerycznego» oraz specjanie do nich zaprojektowane komponenty, z tego:

N.B.: Patrz takΏe pozycja 2B201.

Uwaga 1: Pozycja 2B001 nie obejmuje kontrol± obrabiarek do specjalizowanych zastosowaρ ograniczonych do wytwarzania kσ³ zκbatych. Dla takich maszyn patrz pozycja 2B003.

Uwaga 2: Pozycja 2B001 nie obejmuje kontrol± obrabiarek do specjalizowanych zastosowaρ ograniczonych do wytwarzania dowolnych z nastκpuj±cych czκΆci:

a. Wa³σw korbowych i rozrz±dowych;

b. Narzκdzi lub noΏy do obrabiarek;

c. ¦limakσw do wyt³aczarek;

d. Grawerowanych lub szlifowanych czκΆci biΏuterii.

Uwaga 3: Obrabiarki posiadaj±ce, co najmniej dwie z trzech nastκpuj±cych zdolnoΆci: toczenia, frezowania lub szlifowania (np. tokarka ze zdolnoΆci± do frezowania), musz± byζ oszacowane stosownie odpowiednio do kaΏdej pozycji 2B001.a., .b. lub .c.

a. Tokarki posiadaj±ce wszystkie z nastκpuj±cych cech charakterystycznych:

1. Dok³adnoΆζ ustalania po³oΏenia, z uwzglκdnieniem «wszystkich moΏliwych kompensacji» , rσwna lub mniejsza (wiκksza) niΏ 6 >ISO_7>μ>ISO_2>m, zgodnie z ISO 230/2 (1988)(2) lub rσwnowaΏn± norm± narodow±, mieΏona wzd³uΏ dowolnej osi liniowej; oraz

2. Dwie lub wiκcej osi, ktσre moΏna jednoczeΆnie koordynowaζ w celu «kontroli kszta³towania» ;

Uwaga: Pozycja 2B001.a. nie obejmuje kontrol± tokarek specjalnie zaprojektowanych do wytwarzania soczewek kontaktowych.

b. Frezarki posiadaj±ce dowolne z nastκpuj±cych cech charakterystycznych:

1. Posiadaj±ce wszystkie niΏej wymienione cechy charakterystyczne:

a. Dok³adnoΆζ ustalania po³oΏenia, z uwzglκdnieniem «wszystkich moΏliwych kompensacji» , rσwna lub mniejsza (wiκksza) niΏ 6 >ISO_7>μ>ISO_2>m, zgodnie z ISO 230/2 (1988)(3) lub rσwnowaΏn± norm± narodow±, mieΏona wzd³uΏ dowolnej osi liniowej; oraz

b. Trzy lub wiκcej osi, ktσre moΏna jednoczeΆnie koordynowaζ w celu «kontroli kszta³towania» ; lub

2. Piκζ lub wiκcej osi, ktσre moΏna jednoczeΆnie koordynowaζ w celu «kontroli kszta³towania» ; lub

3. Dok³adnoΆζ ustalania po³oΏenia dla wiertarek wspσ³rzκdnoΆciowych z uwzglκdnieniem «wszystkich moΏliwych kompensacji» , rσwna lub mniejsza (wiκksza) niΏ 6 >ISO_7>μ>ISO_2>m, zgodnie z ISO 230/2 (1988)(4) lub rσwnowaΏn± norm± narodow±, mieΏona wzd³uΏ dowolnej osi liniowej;

4. Maszyny do obrσbki frezem jednoostrzowym, posiadaj±ce wszystkie niΏej wymienione cechy:

a. WartoΆζ modu³u «bicie promieniowego» i «bicie osiowego» wrzeciona mniejsza (lepsza) niΏ 0,0004 mm; oraz

b. WartoΆζ modu³u odchylenia k±towego posuwu (odchy³u, skoku i obrotu) mniejsze niΏ 2 sekundy k±towe, na 300 mm odcinku ruchu.

c. Szlifierki posiadaj±ce dowolne z nastκpuj±cych cech charakterystycznych:

1. Posiadaj±ce wszystkie niΏej wymienione cechy charakterystyczne:

a. Dok³adnoΆζ ustalania po³oΏenia, z uwzglκdnieniem «wszystkich moΏliwych kompensacji» , rσwna lub mniejsza (wiκksza) niΏ 4 m, zgodnie z ISO 230/2 (1988)(5) lub rσwnowaΏn± norm± narodow±, mieΏona wzd³uΏ dowolnej osi liniowej; oraz

b. Trzy lub wiκcej osi, ktσre moΏna jednoczeΆnie koordynowaζ w celu «kontroli kszta³towania» ; lub

2. Piκζ lub wiκcej osi, ktσre moΏna jednoczeΆnie koordynowaζ w celu «kontroli kszta³towania» ;

Uwaga: Pozycja 2B001.c. nie obejmuje kontrol± nastκpuj±cych szlifierek:

1. Szlifierek do zewnκtrznego, wewnκtrznego i zewnκtrzno-wewnκtrznego szlifowania na okr±g³o, posiadaj±cych wszystkie wymienione niΏej cechy charakterystyczne:

a. Ograniczenie do szlifowania na okr±g³o; oraz

b. Ograniczenie do maksymalnych wymiarσw przedmiotu obrabianego do 150 mm Άrednicy zewnκtrznej lub d³ugoΆci.

2. Obrabiarek skonstruowanych specjalnie jako szlifierki wspσ³rzκdnoΆciowe, posiadaj±cych jedn± z niΏej wymienionych cech charakterystycznych:

a. OΆ c jest wykorzystywana do utrzymywania tarczy szlifierskiej w po³oΏeniu normalnym do obrabianej powierzchni; lub

b. OΆ a jest skonfigurowana do szlifowania bκbnowych krzywek walcowych.

3. Szlifierek powierzchniowych.

d. Obrabiarki elektroiskrowe (EDM), niedrutowe, posiadaj±ce dwie albo wiκcej osi obrotowych, ktσre moΏna jednoczeΆnie koordynowaζ w celu «kontroli kszta³towania» ;

e. Obrabiarki do obrσbki metali, materia³σw ceramicznych lub «kompozytowych» , posiadaj±ce wszystkie niΏej wymienione cechy charakterystyczne:

1. Usuwaj±ce materia³ za pomoc± dowolnego z niΏej wymienionych sposobσw:

a. Dysz wodnych lub dysz z innymi cieczami roboczymi, w tym z dysz z p³ynami zawieraj±cymi substancje cierne;

b. Wi±zki elektronσw; lub

c. Wi±zki «laserowej» ; oraz

2. Posiadaj±ce dwie albo wiκcej osi obrotowych, ktσre:

a. MoΏna jednoczeΆnie koordynowaζ w celu «kontroli kszta³towania» ; oraz

b. Posiadaj± «dok³adnoΆζ ustalania po³oΏenia» mniejsz± (lepsza) niΏ 0,003°.

f. Wiertarki do g³κbokich otworσw i tokarki, zmodyfikowane do wiercenia g³κbokich otworσw, posiadaj±ce maksymaln± zdolnoΆζ do wiercenia otworσw o g³κbokoΆci przekraczaj±cej 5000 mm, oraz specjalnie zaprojektowane do nich komponenty.

2B002 Obrabiarki sterowane numerycznie wykorzystuj±ce proces magnetorheologicznej obrσbki wykaρczaj±cej [W] (MRF).

Uwaga techniczna:

Dla celσw pozycji 2B002, MRF oznacza proces obrσbki materia³u, wykorzystuj±cy Άcierny p³yn magnetyczny, ktσrego lepkoΆζ kontrolowana jest przez pole magnetyczne.

2B003 Obrabiarki «sterowane numerycznie» lub rκcznie, oraz specjalnie do nich zaprojektowane komponenty, urz±dzenia steruj±ce i oprzyrz±dowanie, specjalnie opracowane do skrawania, obrσbki, wykaρczania, szlifowania albo g³adzenia hartowanych (Rc  = 40 lub wiκcej), kσ³ zκbatych o zκbach prostych, kσ³ zκbatych Άrubowych i daszkowych o Άrednicy toczonej powyΏej 1250 mm i szerokoΆci wieρca wynosz±cej 15 % Άrednicy toczonej lub wiκkszej, wykoρczone do jakoΆci AGMA 14 albo wyΏszej (rσwnowaΏnej Klasie 3 normy ISO 1328).

2B004 Pracuj±ce na gor±co «prasy izostatyczne» posiadaj±ce wszystkie niΏej wymienione cechy charakterystyczne, oraz specjalnie zaprojektowane do nich komponenty i akcesoria, takie jak:

N.B.: Patrz takΏe pozycje 2B104 i 2B204.

a. Posiadaj±ce moΏliwoΆζ regulacji warunkσw termicznych w zamkniκtej formie oraz wyposaΏone w komorκ formy o Άrednicy wewnκtrznej 406 mm albo wiκkszej; oraz

b. Posiadaj± jedn± z poniΏszych w³aΆciwoΆci:

1. Maksymalne ciΆnienie robocze powyΏej 207 MPa;

2. Regulacja warunkσw termicznych powyΏej 1773 K (1500 °C); lub

3. £atwoΆζ nasycania wκglowodorami i usuwania powstaj±cych gazowych produktσw rozk³adu;

Uwaga techniczna:

Termin wewnκtrznκgo wymiaru, oznacza wymiar komory, w ktσrym osi±ga siκ zarσwno temperaturκ robocz± jak i ciΆnienie robocze, termin nie obejmuje osprzκtu. Wymiar ten bκdzie mniejsz± ze Άrednic wewnκtrzych komory ciΆnieniowej lub izolowanej komory paleniskowej, w zaleΏnoΆci od tego, ktσra z tych komσr jest umieszczona wewn±trz drugiej.

N.B.: W przypadku specjalnie zaprojektowanych matryc, form i oprzyrz±dowania patrz pozycje 1B003, 9B009 oraz uregulowania dotycz±ce towarσw wojskowych.

2B005 Sprzκt specjalnie zaprojektowany do osadzania, przetwarzania i automatycznej kontroli w czasie obrσbki pokryζ i pow³ok nieorganicznych oraz modyfikacji warstw powierzchniowych, przeznaczony do wytwarzania pod³oΏy nieelektronicznych, technikami wymienionymi w tabeli oraz dowi±zanymi uwagami, umieszczonymi po pozycji 2E003.f., oraz specjalnie do nich opracowane zautomatyzowane komponenty do obs³ugiwania, ustalania po³oΏenia, manipulowania i sterowania, z tego:

a. Sprzκt produkcyjny do chemicznego osadzania warstw z faz gazowych (CVD) ze «sterowaniem zaprogramowanym w pamiκci» posiadaj±cy wszystkie niΏej wymienione cechy:

N.B.: Patrz takΏe pozycja 2B1O5.

1. Modyfikacja procesu do wymienionego poniΏej:

a. CVD pulsuj±ce;

b. Rozk³ad termiczny z regulowan± nukleacj± (CNTD); lub

c. CVD intensyfikowane albo wspomagane plazmowo; oraz

2. Posiadaj±ce jak±kolwiek z nastκpuj±cych cech:

a. Zawieraj±ce wysokoprσΏniowe (rσwne lub mniejsze od 0,01 Pa) uszczelnienia wiruj±ce; lub

b. Zawieraj±ce wbudowane urz±dzenia do regulowania gruboΆci pow³oki;

b. Sprzκt produkcyjny do implantacji jonσw ze «sterowaniem zaprogramowanym w pamiκci» o natκΏeniu wi±zki 5 mA lub wiκkszym;

c. Sprzκt produkcyjny do elektronowego naparowywania prσΏniowego (EB-PVD) ze «sterowaniem zaprogramowanym w pamiκci» zaopatrzony w uk³ady zasilania o mocy powyΏej 80 kW, posiadaj±cy jakikolwiek z niΏej wymienionych podzespo³σw:

1. «Laserowy» system regulacji poziomu cieczy, umoΏliwiaj±cy precyzyjne sterowanie podawaniem materia³u wsadowego; lub

2. System kontroli wydajnoΆci, sterowany komputerowo, dzia³aj±cy na zasadzie fotoluminescencji zjonizowanych atomσw w strumieniu odparowanego czynnika, umoΏliwiaj±cy sterowanie wydajnoΆci± napylania pokrycia, sk³adaj±cego siκ z dwσch lub wiκcej pierwiastkσw;

d. Sprzκt produkcyjny do napylania plazmowego ze «sterowaniem zaprogramowanym w pamiκci» posiadaj±cy jak±kolwiek z niΏej wymienionych cech charakterystycznych:

1. MoΏliwoΆζ pracy w atmosferze o regulowanym niskim ciΆnieniu (rσwnym lub mniejszym od 10 kPa, mierzonym powyΏej i w zakresie 300 mm od wylotu dyszy natryskowej) w komorze prσΏniowej, w ktσrej przed rozpoczκciem napylania moΏna obniΏyζ ciΆnienie do 0,01 Pa; lub

2. Zawieraj±ce wbudowane urz±dzenia do regulowania gruboΆci pow³oki;

e. Sprzκt produkcyjny do napylania jonowego ze «sterowaniem zaprogramowanym w pamiκci» zdolny do osi±gania pr±du o gκstoΆci 0,1 mA/mm2 lub wiκkszej przy wydajnoΆci napylania 15 >ISO_7>μ>ISO_2>m/h lub wyΏszej;

f. Sprzκt produkcyjny do napylania ³ukowo-katodowego ze «sterowaniem zaprogramowanym w pamiκci» , zawieraj±cym siatki elektromagnesσw do sterowania ³ukiem na katodzie;

g. Sprzκt produkcyjny do powlekania jonowego ze «sterowaniem zaprogramowanym w pamiκci» umoΏliwiaj±ce przeprowadzenie, na miejscu, pomiaru jednego niΏej wymienionych parametrσw:

1. GruboΆci pow³oki na pod³oΏu i wydajnoΆci procesu; lub

2. W³aΆciwoΆci optycznych;

Uwaga: Pozycja 2B005 nie obejmuje kontrol± urz±dzeρ chemicznego osadzania warstw z faz gazowych, napylania katodowego, napylania jonowego, jonowego powlekania lub implantacji jonσw, specjalnie zaprojektowanych do narzκdzi tn±cych i skrawaj±cych.

2B006 Systemy oraz sprzκt do kontroli wymiarowej lub pomiarσw, taki jak:

a. Sterowane komputerowo, «sterowane numerycznie» lub «ze sterowaniem zaprogramowanym w pamiκci» urz±dzenia do pomiaru wspσ³rzκdnych (CMM), posiadaj±ce maksymalny dopuszczalny b³±d wskazania (MPEE ), wzd³uΏ trzech osi (objκtoΆciowy), w dowolnym punkcie zakresu roboczego maszyny (tj. w d³ugoΆci osi) rσwny lub mniejszy (lepszy) niΏ (1,7 + L/1000) >ISO_7>μ>ISO_2>m (gdzie L d³ugoΆci±, mierzon± w mm), badane stosownie do ISO 10360-2 (2001);

N.B.: Patrz takΏe pozycja 2B206.

b. Przyrz±dy do pomiaru odchylenia liniowego i k±towego:

1. Przyrz±dy do pomiaru odchylenia lioniowego, posiadaj±ce jak±kolwiek z niΏej wymienionych cech:

Uwaga techniczna:

Dla celσw pozycji 2B006.b.1. «odchylenie liniowe» oznacza zmianκ odleg³oΆci pomiκdzy czujnikiem a obiektem mierzonym.

a. Bezstykowe systemy pomiarowe o «rozdzielczoΆci» rσwnej lub mniejszej (lepszej) niΏ 0,2 um w zakresie pomiarowym do 0,2 mm;

b. Liniowe systemy przetwornikσw napiκciowych posiadaj±ce wszystkie, niΏej wymienione cechy charakterystyczne:

1. «Liniowosζ» rσwn± lub mniejsz± (lepsz±) niΏ 0,1 %, w zakresie pomiarowym do 5 mm; oraz

2. Dryf rσwny albo mniejszy (lepszy) niΏ 0,1 % na dzieρ w standardowej temperaturze pomieszczenia pomiarowego ± 1 °K; lub

c. Systemy pomiarowe posiadaj±ce wszystkie niΏej wymienione cechy:

1. Zawieraj±ce «laser» ; oraz

2. Utrzymuj±ce, przez co najmniej przez 12 godzin, przy temperaturze wzorcowej z dok³adnoΆci± ± 1 °K i przy ciΆnieniu wzorcowym wszystkie z poniΏszych parametrσw:

a. «RozdzielczoΆζ» w pe³nym zakresie wynosz±c± 0,1 >ISO_7>μ>ISO_2>m lub mniejsz± (lepsz±); oraz

b. «NiepewnoΆζ pomiarow±» rσwn± lub mniejsz± (lepsz±) niΏ (0,2 + L/2000) >ISO_7>μ>ISO_2>m (gdzie L jest d³ugoΆci± mierzon± w mm);

Uwaga: Pozycja 2B006.b.1. nie obejmuje kontrol± interferometrycznych systemσw pomiarowych nieposiadaj±cych zamkniκtej lub otwartej pκtli sprzκΏenia zwrotnego, zawieraj±cej «laser» do pomiaru b³κdσw ruchu posuwistego obrabiarek, urz±dzeρ kontroli wymiarσw lub podobnego wyposaΏenia.

2. Przyrz±dy do pomiaru przesuniκζ k±towych o «odchyleniu po³oΏenia k±towego» rσwnym lub mniejszym (lepszym) niΏ 0,00025°;

Uwaga: Pozycja 2B006.b.2. nie obejmuje kontrol± przyrz±dσw optycznych, takich jak autokolimatory, wykorzystuj±cych Άwiat³o kolimowane, (np. Άwiat³o lasera) w celu wykrycia odchylenia k±towego zwierciad³a.

c. Sprzκt do pomiaru nieregularnoΆci powierzchni, poprzez pomiar rozproszenia Άwiat³a w funkcji k±ta, o czu³oΆci 0,5 nm lub mniejszej (lepszej);

Uwaga: Obrabiarki, ktσre moΏna wykorzystaζ do celσw pomiarowych s± objκte kontrol±, jeΏeli spe³niaj± lub przewyΏszaj± kryteria okreΆlone dla funkcji obrabiarki lub funkcji maszyny pomiarowej.

2B007 «Roboty» posiadaj±ce jak±kolwiek z niΏej wymienionych cech charakterystycznych, oraz specjalnie zaprojektowane do nich urz±dzenia steruj±ce i «mechanizmy wykonawcze» z tego;

N.B.: Patrz takΏe pozycja 2B207.

a. Posiadaj±ce moΏliwoΆζ pe³nego trσjwymiarowego przetwarzania obrazσw lub pe³nej trσjwymiarowej «analizy obrazσw» w czasie rzeczywistym, w celu tworzenia albo modyfikacji «programσw» lub tworzenia lub modyfikacji numerycznych danych programowych;

Uwaga techniczna:

Ograniczenie dotycz±ce «analizy obrazσw» nie obejmuje aproksymacji trzeciego wymiaru poprzez rzutowanie pod zadanym k±tem, ani stosowanego w ograniczonym zakresie cieniowania wed³ug skali szaroΆci, wykorzystywanego do spostrzegania g³κbi lub tekstury dla okreΆlonych zadaρ (2 1/2 D).

b. Specjalnie zaprojektowane w celu spe³niania wymagaρ narodowych norm bezpieczeρstwa, stosowanych do Άrodowiskach Άrodkσw wybuchowych; oraz

c. Specjalnie zaprojektowane lub odpowiednio wzmocnione przed promieniowaniem, w celu przeciwstawienia siκ dawce promieniowania wynosz±cej 5 Χ 103 Gy (Si) bez pogorszenia parametrσw dzia³ania; lub

Uwaga techniczna:

Termin Gy (Si) odnosi siκ do energii w DΏulach na kilogram zaabsorbowanej przez nieekranowan± prσbkκ krzemu poddan± promieniowaniu jonizuj±cemu.

d. Specjalnie zaprojektowana do dzia³ania na wysokoΆciach przekraczaj±cych 30000 m.

2B008 Zespo³y lub podzespo³y specjalnie zaprojektowane do obrabiarek, systemσw i sprzκtu do kontroli wymiarσw oraz systemσw pomiarowych i sprzκtu pomiarowego, takie jak:

a. Podzespo³y po³oΏenia liniowego ze sprzκΏeniem zwrotnym (np. urz±dzenia typu indukcyjnego, z podzia³k± stopniow±, systemy na podczerwieρ lub «laserowe» posiadaj±ce ca³kowit± «dok³adnoΆζ» mniejsz± (lepsz±) niΏ (800 +(600 x L x 10-3)) nm (gdzie L rσwna siκ efektywnej d³ugoΆci w mm);

N.B.: Dla systemσw «laserowych» , patrz takΏe uwagκ do pozycji 2B006.b.1.

b. Podzespo³y po³oΏenia obrotowego ze sprzκΏeniem zwrotnym (np. urz±dzenia typu indukcyjnego, z podzia³k± stopniow±, systemy na podczerwieρ lub «laserowe» posiadaj±ce ca³kowit± «dok³adnoΆζ» mniejsz± (lepsz±) niΏ 0,00025°;

N.B.: Dla systemσw «laserowych» , patrz takΏe uwagκ do pozycji 2B006.b.1.

c. «Sto³y obrotowo-przechylne» oraz «wrzeciona wychylne» umoΏliwiaj±ce, stosownie do danych technicznych producenta, polepszenie parametrσw obrabiarek do albo ponad poziomy okreΆlone w pozycji 2B.

2B009 Maszyny do wyoblania i t³oczenia kszta³towego, ktσre stosownie do danych technicznych producenta, mog± byζ wyposaΏone w zespo³y «sterowania numerycznego» lub komputerowego oraz posiadaj±ce wszystkie z niΏej wymienionych cech:

N.B.: Patrz takΏe pozycje 2B109 i 2B209.

a. Dwie lub wiκcej osi sterowanych, z ktσrych przynajmniej dwie mog± byζ rσwnoczeΆnie koordynowane w celu «kontroli kszta³towania» ; oraz

b. Nacisk wa³ka wiκkszy niΏ 60 kN.

Uwaga techniczna:

Maszyny ³±cz±ce funkcje wyoblania i t³oczenia kszta³towego s± dla potrzeb pozycji 2B009 traktowane jako urz±dzenia do t³oczenia kszta³towego.

2B104 «Prasy izostatyczne» , rσΏne od wyszczegσlnionych w pozycji 2B004, posiadaj±ce wszystkie niΏej wymienione cechy:

N.B.: Patrz takΏe pozycja 2B204.

a. Maksymalne ciΆnienie robocze 69 MPa lub wiκksze;

b. Skonstruowane dla osi±gniκcia i utrzymania Άrodowiska o regulowanych parametrach termicznych rzκdu 873 °K (600 °C) lub wiκkszych; oraz

c. Posiadaj± komorκ o Άrednicy wewnκtrznej 254 mm lub wiκkszej;

2B105 Piece do CVD, inne niΏ wyszczegσlnione w pozycji 2B005.a., zaprojektowane lub zmodyfikowane dla zagκszczania kompozytσw wκglowo-wκglowych.

2B109 Maszyny do t³oczenia kszta³towego, rσΏne od wyszczegσlnionych w pozycji 2B009 oraz specjalnie zaprojektowane komponenty, takie jak:

N.B.: Patrz takΏe pozycja 2B209.

a. Maszyny do t³oczenia kszta³towego posiadajace wszystkie niΏej wymienione cechy:

1. Mog±ce byζ wyposaΏone, wed³ug specyfikacji technicznej producenta, w zespo³y do «sterowania numerycznego» lub komputerowego, nawet wtedy, kiedy nie s± wyposaΏone w takie zespo³y; oraz

2. Posiadaj± wiκcej niΏ dwie osie, ktσre mog± byζ rσwnoczeΆnie koordynowane w celu «kontroli kszta³towania» .

b. Specjalnie zaprojektowane komponenty do maszyn t³oczenia kszta³towego, wymienionych w pozycjach 2B009 i 2B109.a.

Uwaga: Pozycja 2B109 nie obejmuje kontrol± maszyn nienadaj±cych siκ do produkcji komponentσw i sprzκtu napκdowego (np. os³on silnikσw) do systemσw wyszczegσlnionych w pozycjach 9A005, 9A007.a. lub 9A105.a.

Uwaga techniczna:

Maszyny ³±cz±ce funkcje wyoblania i t³oczenia kszta³towego s± dla potrzeb pozycji 2B109 traktowane jako urz±dzenia do t³oczenia kszta³towego.

2B116 Systemy do badaρ wibracyjnych, sprzκt i komponenty z nimi zwi±zane, z tego:

a. Systemy do badaρ wibracyjnych, wykorzystuj±ce techniki sprzκΏenia zwrotnego lub pκtli zamkniκtej, zawierajace sterowniki cyfrowe, przystosowane do wymuszania wibracji o Άredniej wartoΆci kwadratowej 10 g lub wiκkszej w ca³ym zakresie od 20 Hz do 2000 Hz, i przekazuj±cymi si³y rzκdu 50 kN, mierzone na «nagim stole» , lub wiκkszymi;

b. Sterowniki cyfrowe wspσ³pracuj±ce ze specjalnie opracowanym oprogramowaniem do badaρ wibracyjnych, cechuj±ce siκ «pasmem czasu rzeczywistego» powyΏej 5 kHz, zaprojektowane do uΏytku w systemach do badaρ wibracyjnych, wyszczegσlnionych w pozycji 2B116.a.;

c. Mechanizmy do wymuszania wibracji (wstrz±sarki) wyposaΏone, albo nie, w odpowiednie wzmacniacze, zdolne do przekazywania si³ rzκdu 50 kN, mierzonych na «nagim stole» , lub wiκkszych, uΏywane w systemach do badaρ wibracyjnych wyszczegσlnionych w pozycji 2B116.a.;

d. Kontrukcje podtrzymuj±ce prσbki do badaρ oraz urz±dzenia elektroniczne, zaprojektowane do ³aczenia wielu wstrz±sarek w system umoΏliwiaj±cy uzyskanie ³±cznej si³y skutecznej 50 kN, mierzonych na «nagim stole» , lub wiκkszej, i nadaj±ce siκ do uΏytku w systemach do badaρ wibracyjnych wyszczegσlnionych w pozycji 2B116.a.

Uwaga techniczna:

W pozycji 2B116 pojκcie «nagi stσ³» oznacza p³aski stσ³, albo powierzchniκ, bez uchwytσw i elementσw mocuj±cych.

2B117 ¦rodki do sterowania sprzκtem i przebiegiem procesσw, rσΏne od wyszczegσlnionych w pozycjach 2B004, 2B005.a., 2B104 lub 2B105, zaprojektowane lub zmodyfikowane dla zagκszczania i pirolizy kompozytσw strukturalnych dysz rakietowych oraz g³owic powracaj±cych do atmosfery.

2B119 Maszyny do wywaΏania i powi±zany z nimi sprzκt, z tego:

N.B.: Patrz takΏe pozycja 2B219.

a. Maszyny do wywaΏania, posiadajace wszystkie wymienione niΏej cechy charakterystyczne:

1. Nienadaj±ce siκ do wywaΏania wirnikσw/zespo³σw o masie wiκkszej niΏ 3 kg;

2. Nadaj±ce siκ do wywaΏania wirnikσw/zespo³σw przy prκdkoΆciach obrotowych wiκkszych niΏ 12500 obr./min;

3. Nadaj±ce siκ do korekcji niewywaΏenia w dwu lub wiκcej p³aszczyznach; oraz

4. Nadaj±ce siκ do wywaΏania resztkowego niewywaΏenia w³aΆciwego wynosz±cego 0,2 gmm/kg masy wirnika;

Uwaga: Pozycja 2B119 nie obejmuje kontrol± wywaΏarek zaprojektowanych lub zmodyfikowanych dla urz±dzeρ dentystycznych i innego sprzκtu medycznego.

b. G³owice wskaΌnikσw zaprojektowane lub zmodyfikowane do wykorzystania w maszynach wyszczegσlnionych w pozycji 2B119.a.

Uwaga techniczna:

G³owice wskaΌnikσw okreΆlane s± czasami jako oprzyrz±dowanie wywaΏaj±ce.

2B120 Symulatory ruchu lub sto³y obrotowe posiadaj±ce wszystkie niΏej wymienione cechy:

a. Dwie lub wiκcej osi;

b. PierΆcienie Άlizgowe do przekazywania zasilania elektrycznego i/lub informacji sygna³owych; oraz

c. Posiadaj±ce jak±kolwiek z niΏej wymienionych cech charakterystycznych:

1. Posiadajacymi dla jakiejkolwiek pojedynczej osi wszystkie niΏej wymienione cechy:

a. ZdolnoΆζ do tempa obracania rσwn± 400 °/s lub wiκkszego albo 30 °/s lub mniejszego; oraz

b. RozdzielczoΆζ tempa obracania rσwn± 6 °/s lub mniejsz±, z dok³adnoΆci± rσwn± 6 °/s lub mniejsz±.

2. Posiadaj±cymi stabilnoΆζ dla najgorszego przypadku rσwn± lub wiκksz± niΏ ± 0,05 % uΆrednion± w zakresie 10 ° lub wiκkszym; lub

3. Dok³adnoΆζ ustawiania po³oΏenia rσwn± lub lepsz± niΏ 5 sekund k±towych.

Uwaga: Pozycja 2B120 nie obejmuje kontrol± sto³σw obrotowych przeznaczonych lub zmodyfikowanych dla obrabiarek lub sprzκtu medycznego. Dla uregulowaρ dotycz±cych obrabiarkowych sto³σw obrotowych patrz pozycja 2B008.

2B121 Sto³y pozycjonuj±ce (sprzκt zdolny do precyzyjnego okreΆlania po³oΏenia k±towego w dowolnej osi), inne niΏ wyszczegσlnione w pozycji 2B120, posiadaj±ce wszystkie nastκpujace cechy charakterystyczne:

a. Dwie lub wiκcej osi;

b. Dok³adnoΆζ wyznaczania po³oΏenia rσwn± lub lepsz± niΏ 5 sekund k±towych.

Uwaga: Pozycja 2B121 nie obejmuje kontrol± sto³σw obrotowych przeznaczonych lub zmodyfikowanych dla obrabiarek lub sprzκtu medycznego. Dla uregulowaρ dotycz±cych obrabiarkowych sto³σw obrotowych patrz pozycja 2B008.

2B122 Wirσwki umoΏliwiaj±ce nadanie przyΆpieszenia ponad 100 g i posiadaj±ce pierΆcienie Άlizgowe zdolne do przekazywania zasilania elektrycznego i/lub informacji sygna³owych;

2B201 Obrabiarki, rσΏne od wyszczegσlnionych w pozycji 2B001, do skrawania lub ciκcia metali, materia³σw ceramicznych lub «kompozytowych» , ktσre stosownie do specyfikacji technicznej producenta mog± byζ wyposaΏone w urz±dzenia elektroniczne do jednoczesnej «kontroli kszta³towania» w dwσch lub wiκcej osiach:

a. Frezarki posiadaj±ce jak±kolwiek z poniΏej wymienionych cech charakterystycznych:

1. Dok³adnoΆζ ustalania po³oΏenia, z uwzglκdnieniem «wszystkich moΏliwych kompensacji» , rσwna lub mniejsza (lepsza) niΏ 6 >ISO_7>μ>ISO_2>m, stosownie do ISO 230/2 (1988)(6) lub odpowiednikσw narodowych, wzd³uΏ dowolnej osi liniowej; lub

2. Dwie lub wiκcej konturowe osie obrotowe;

Uwaga: Pozycja 2B201.a. nie obejmuje kontrol± frezarek posiadaj±cych nastκpuj±ce cechy charakterystyczne:

a. Robocza d³ugoΆζ osi x wiκksza niΏ 2 m; oraz

b. Dok³adnoΆζ ca³kowitego ustalenia po³oΏenia wzd³uΏ osi x wiκcej (gorzej) niΏ 0,30 >ISO_7>μ>ISO_2>m;

b. Szlifierki posiadaj±ce jak±kolwiek z niΏej wymienionych cech charakterystycznych:

1. Dok³adnoΆζ ustalania po³oΏenia, z uwzglκdnieniem «wszystkich moΏliwych kompensacji» , rσwna lub mniejsza (lepsza) niΏ 4 >ISO_7>μ>ISO_2>m, stosownie do ISO 230/2 (1988)(7) lub odpowiednikσw narodowych, wzd³uΏ dowolnej osi liniowej; lub

2. Dwie lub wiκcej konturowe osie obrotu;

Uwaga: Pozycja 2B201.b. nie obejmuje kontrol± nastκpuj±cych szlifierek:

a. Szlifierek do zewnκtrznego, wewnκtrznego i zewnκtrzno-wewnκtrznego szlifowania cylindrycznego, posiadaj±cych wszystkie niΏej wymienione cechy:

1. Ograniczenie do szlifowania tylko powierzchni cylindrycznych;

2. Maksymaln± zewnκtrzn± Άrednicκ albo d³ugoΆζ robocz± przedmiotu obrabianego wynosz±c± 150 mm

3. Posiadanie nie wiκcej niΏ dwu osi, ktσre mog± byζ jednoczeΆnie koordynowane w celu «kontroli kszta³towania» ; oraz

4. Brak konturowej osi c.

b. Szlifierek wspσ³rzκdnoΆciowych z osiami ograniczonymi do x, y, c i a, gdzie oΆ c jest wykorzystywana do utrzymywania tarczy szlifierskiej w po³oΏeniu normalnym do obrabianej powierzchni, a oΆ a jest skonfigurowana do szlifowania walcowych krzywek bκbnowych.

c. Szlifierek do narzκdzi lub noΏy obrabiarkowych z «oprogramowaniem» , specjalnie zaprojektowanym do produkcji narzκdzi lub noΏy obrabiarkowych.

d. Szlifierek do wa³σw korbowych i rozrz±dowych.

2B204 «Prasy izostatyczne» , rσΏne od wyszczegσlnionych w pozycjach 2B004, lub 2B104 i sprzκt z nimi zwi±zany, z tego:

a. «Prasy izostatyczne» posiadaj±ce obydwie niΏej wyminienione cechy charakterystyczne:

1. ZdolnoΆζ do osi±gniκcia maksymalnego ciΆnienia roboczego rσwnego 69 MPa lub wiκkszego; oraz

2. Wnκkκ komorow± o Άrednicy wewnκtrznej przekraczaj±cej 152 mm;

b. Matryce, formy i zespo³y steruj±ce specjalnie zaprojektowane do «pras izostatycznych» wyszczegσlnionych w pozycji 2B204.a.

Uwaga techniczna:

W pozycji 2B204 termin wewnκtrznκgo wymiaru komory, oznacza wymiar, w ktσrym osi±ga siκ zarσwno temperaturκ robocz± jak i ciΆnienie robocze, termin nie obejmuje osprzκtu. Wymiar ten bκdzie mniejsz± ze Άrednic wewnκtrzych komory ciΆnieniowej lub izolowanej komory paleniskowej, w zaleΏnoΆci od tego, ktσra z tych komσr jest umieszczona wewn±trz drugiej.

2B206 Maszyny, przyrz±dy oraz systemy do kontroli wymiarowej, rσΏne od wyszczegσlnionych w pozycji 2B006, takie jak:

a. Sterowane komputerowo lub «sterowane numerycznie » maszyny do kontroli wymiarowej posiadaj±ce obie z niΏej wymienionych cech charakterystycznych:

1. Dwie lub wiκcej osi; oraz

2. «NiepewnoΆζ pomiarow±» wzd³uΏ jednej z osi, rσwn± lub mniejsz± (lepsz±) niΏ (1,25 + L/1000) >ISO_7>μ>ISO_2>m badan± czujnikiem o «dok³adnoΆci» rσwnej lub mniejszej (lepszej) niΏ 0,2 >ISO_7>μ>ISO_2>m (gdzie L jest d³ugoΆci± mierzon± w mm) (patrz VDI/VDE 2617 czκΆζ 1 i 2);

b. Systemy do jednoczesnej liniowo-k±towej kontroli pσ³pow³ok, posiadaj±ce obie z niΏej wymienionych cech charakterystycznych:

1. «NiepewnoΆζ pomiarow±» wzd³uΏ dowolnej osi liniowej, rσwn± lub mniejsz± (lepsz±) niΏ 3,5 >ISO_7>μ>ISO_2>m na 5 mm;

2. «Odchylenie po³oΏenia k±towego» rσwne lub mniejsze niΏ 0,02°.

Uwaga 1: Obrabiarki, ktσre moΏna wykorzystaζ do celσw pomiarowych, s± objκte kontrol±, jeΏeli spe³niaj± albo przekraczaj± kryteria okreΆlone dla funkcji obrabiarki lub maszyny pomiarowej.

Uwaga 2: Maszyna wyszczegσlniona w pozycji 2B206 jest objκta kontrol±, jeΏeli jej zakres pracy przekracza w jakikolwiek sposσb prσg objκcia kontrol±.

Uwagi techniczne:

1. Czujnik uΏywany do okreΆlenia «niepewnoΆci pomiarowej» systemσw do kontroli wymiarowej powinien byζ opisany w czκΆciach 2, 3 i 4 VDI/VDE 2617.

2. Wszystkie parametry wartoΆci pomiarowych w pozycji 2B206 reprezentuj± wartoΆci plus/minus, tj. pasmo niepe³ne.

2B207 «Roboty» , «manipulatory» i jednostki steruj±ce, rσΏne od wyszczegσlnionych w pozycji 2B007, takie jak:

a. «Roboty» , «manipulatory» specjalnie zaprojektowane przy spe³nieniu narodowych norm bezpieczeρstwa stosowanych do obs³ugiwania krusz±cych materia³σw wybuchowych (np. spe³niaj±ce warunki ujκte w przepisach elektrycznych, stosowanych do krusz±cych materia³σw wybuchowych);

b. Jednostki steruj±ce, specjalnie zaprojektowane do «robotσw» i «manipulatorσw» wyszczegσlnionych w pozycji 2B207.a.

2B209 Maszyny do t³oczenia kszta³towego, maszyny do wyoblania kszta³towego posiadaj±ce moΏliwoΆζ realizacji funkcji t³oczenia kszta³towego, rσΏne od wyszczegσlnionych w pozycjach 2B009 lub 2B109, lub trzpienie, z tego:

a. Maszyny posiadaj±ce obydwie, niΏej wymienione cechy charakterystyczne:

1. Trzy lub wiκcej wa³ki (aktywne lub prowadz±ce); oraz

2. Mog±ce, zgodnie ze specyfikacj± techniczn± producenta, byζ wyposaΏone w uk³ady «sterowania numerycznego» lub sterowania komputerowego;

b. Trzpienie do formowania wirnikσw zaprojektowane do formowania wirnikσw cylindrycznych o Άrednicy wewnκtrznej pomiκdzy 75 mm a 400 mm:

Uwaga: Pozycja 2B209.a. obejmuje maszyny posiadaj±ce tylko pojedynczy wa³ek zaprojektowany do deformowania metalu oraz dwa pomocnicze wa³ki podtrzymuj±ce trzpieρ, ale nieuczestnicz±ce bezpoΆrednio w procesie deformacji.

2B219 OdΆrodkowe maszyny do wielop³aszczyznowego wywaΏania, sta³e lub przenoΆne, poziome lub pionowe, z tego:

a. WywaΏarki odΆrodkowe zaprojektowane do wywaΏania elastycznego wirnikσw o d³ugoΆci 600 mm lub wiκkszej, posiadaj±cych wszystkie niΏej wymienione cechy charakterystyczne:

1. Wychylenie lub Άrednica czopa powyΏej 75  mm;

2. ZdolnoΆζ do wywaΏania zespo³σw o masie od 0,9 do 23 kg; oraz

3. ZdolnoΆζ do prκdkoΆci obrotowych w czasie wywaΏania powyΏej 5000 obr./min.;

b. WywaΏarki odΆrodkowe zaprojektowane do wywaΏania cylindrycznych zespo³σw wirnika, posiadaj±ce wszystkie niΏej wymienione cechy charakterystyczne:

1. ¦rednica czopa powyΏej 75 mm;

2. ZdolnoΆζ do wywaΏania zespo³σw o masie od 0,9 do 23 kg;

3. ZdolnoΆζ wywaΏania z niewywaΏeniem szcz±tkowym rzκdu 0,01 kg x mm/kg dla jednej p³aszczyzny, lub mniejszym; oraz

4. Napκd pasowy.

2B225 Zdalnie sterowane manipulatory, ktσre mog± byζ stosowane do zdalnego wykonywania prac podczas rozdzielania radiochemicznego oraz w komorach gor±cych, posiadaj±ce wszystkie niΏej wymienione cechy charakterystyczne:

a. MoΏliwoΆζ pokonania Άciany komory gor±cej o gruboΆci 0,6 m lub wiκkszej (dla operacji wykonywanych poprzez Άcianκ); lub

b. MoΏliwoΆζ zmostkowania ponad szczytem Άciany komory gor±cej o gruboΆci 0,6 m lub wiκkszej (dla operacji wykonywanych ponad Άcian±).

Uwaga techniczna:

Zdalnie sterowane manipulatory przekszta³caj± dzia³anie cz³owieka - operatora, na ramiκ robocze i uchwyt koρcowy. Mog± wystκpowaζ jako typu «master/slave» lub posiadaζ sterowanie przez joystick lub klawiaturκ.

2B226 Piece indukcyjne z regulowan± atmosfer± (prσΏniowe lub z gazem obojκtnym) i instalacje do ich zasilania, takie jak:

N.B.: Patrz takΏe pozycja 3B.

a. Piece posiadaj±ce wszystkie niΏej wymienione cechy charakterystyczne:

1. ZdolnoΆζ do pracy w temperaturach powyΏej 1123 °K (850 °C);

2. WyposaΏone w cewki indukcyjne o Άrednicy 600 mm; lub mniejszej; oraz

3. Zaprojektowane do 5 kW lub wiκkszego poboru mocy;

b. Instalacje zasilaj±ce, o wydajnoΆci nominalnej 5 kW lub wiκkszej, specjalnie zaprojektowane do piecσw wyszczegσlnionych w pozycji 2B226.a.

Uwaga: Pozycja 2B226.a. nie obejmuje kontrol± piecσw przeznaczonych do przetwarzania p³ytek pσ³przewodnikowych.

2B227 PrσΏniowe oraz posiadajace inn± regulowan± atmosferκ, roztapiaj±ce i odlewnicze piece metalurgiczne, oraz sprzκt z nimi zwi±zany, z tego:

a. Piece ³ukowe do przetapiania i odlewania, posiadaj±ce obydwie niΏej wymienione cechy charakterystyczne:

1. O wydajnoΆci elektrody topliwej pomiκdzy 1000 cm3 a 20000 cm3, oraz

2. Zdolne do pracy w temperaturach topienia powyΏej 1973 °K (1700 °C);

b. Piece do topienia wi±zk± elektronσw oraz plazmowe piece do atomizacji i topienia, posiadaj±ce obydwie niΏej wymienione cechy charakterystyczne:

1. Moc 50 kW lub wiκksza; oraz

2. Zdolne do pracy w temperaturach topnienia powyΏej 1473 °K (1200 °C);

c. Komputerowe systemy do sterowania i Άledzenia przebiegu procesσw, specjalnie skonfigurowane do jakichkolwiek piecσw wyszczegσlnionych w pozycji 2B227.a. lub b.

2B228 Sprzκt do wytwarzania, montaΏu oraz prostowania wirnikσw, trzpienie i matryce do formowania mieszkσw, z tego:

a. Sprzκt do montaΏu wirnikσw, przeznaczony do montaΏu sekcji rurowych wirnikσw odΆrodkowych wirσwek gazowych, przegrσd oraz pokryw;

Uwaga: Pozycja 2B228.a. obejmuje precyzyjne trzpienie, zaciski i maszyny do pasowania skurczowego.

b. Sprzκt prostowania wirnikσw, przeznaczony do osiowania sekcji rurowych wirnikσw odΆrodkowych wirσwek gazowych na wspσlnej osi.

Uwaga techniczna:

W pozycji 2B228.b. taki sprzκt sk³ada siκ zazwyczaj z dok³adnych czujnikσw pomiarowych, pod³±czonych do komputera, steruj±cego nastκpnie prac±, np. pneumatycznego bijaka wykorzystywanego do ustawiania sekcji rurowych wirnika.

c. Trzpienie i matryce do formowania mieszkσw, s³uΏ±ce do wytwarzania mieszkσw jednozwojowych.

Uwaga techniczna:

Mieszki, o ktσrych mowa w pozycji 2B228.c., posiadaj± wszystkie niΏej wymienione cechy charakterystyczne:

1. ¦rednica wewnκtrzna pomiκdzy 75 mm a 400 mm;

2. D³ugoΆζ rσwn± lub wiκksz± 12,7 mm;

3. G³κbokoΆζ pojedynczego zwoju wiκksza niΏ 2 mm; oraz

4. Wykonane z wysokowytrzyma³ych stopσw aluminium, stali maraging lub wysokowytrzyma³ych «materia³σw w³σknistych lub w³σkienkowych» .

2B230 «Przetworniki ciΆnienia» zdolne do pomiaru ciΆnienia bezwzglκdnego w dowolnym punkcie z przedzia³u od 0 do 13 kPa, posiadaj±ce obydwie niΏej wymienione cechy charakterystyczne:

a. WyposaΏone w czujniki ciΆnieρ wykonane z aluminium, stopσw aluminium, niklu lub stopσw niklu o zawartoΆci wagowej niklu ponad 60 %, lub teΏ zabezpieczone tymi materia³ami; oraz

b. Posiadaj±ce ktσr±Ά z niΏej wymienionych cech charakterystycznych:

1. Pe³ny zakres pomiarowy poniΏej 13 kPa oraz «dok³adnoΆζ» lepsza niΏ ± 1 % (w ca³ym zakresie); lub

2. Pe³ny zakres pomiarowy wynosz±cy 13 kPa lub wiκcej oraz «dok³adnoΆζ» lepsza niΏ ± 130 kPa.

Uwaga techniczna:

Dla potrzeb pozycji 2B230 pojκcie «dok³adnoΆζ» obejmuje nieliniowoΆζ, histerezκ i powtarzalnoΆζ w temperaturze otoczenia.

2B231 Pompy prσΏniowe posiadaj±ce wszystkie niΏej wymienione cechy charakterystyczne:

a. Gardziel wlotow± o Άrednicy rσwnej lub wiκkszej 380 mm;

b. WydajnoΆζ pompowania rσwn± lub wiκksz± 15 m3/s; oraz

c. Zdolne do wytwarzania prσΏni koρcowej o ciΆnieniu lepszej niΏ 13 mPa.

Uwagi techniczne:

1. WydajnoΆζ pompowania jest okreΆlona poprzez pomiar z uΏyciem azotu lub powietrza.

2. PrσΏnia koρcowa jest okreΆlana na wlocie do pompy po jego zatkaniu.

2B232 Wielostopniowe lekkie dzia³a gazowe lub inne wysokoprκdkoΆciowe systemy miotaj±ce (cewkowe, elektromagnetyczne, elektrotermiczne lub inne rozwiniκte systemy) zdolne do przyspieszania pociskσw do prκdkoΆci 2 km/s lub wiκkszej.

2B350 Instalacje do produkcji substancji chemicznych, sprzκt i komponenty, z tego:

a. Zbiorniki reakcyjne lub reaktory, wyposaΏone lub nie wyposaΏone w mieszad³a, o ca³kowitej pojemnoΆci wewnκtrznej (geometrycznej) powyΏej 0,1 m3 (100 litrσw) i poniΏej 20 m3 (20000 litrσw), w ktσrych wszystkie powierzchnie posiad±jace bezpoΆredni kontakt z przetwarzanym lub znajduj±cym siκ w nich Άrodkiem chemicznym (Άrodkami chemicznymi), wykonane s± z jednego z nastκpuj±cych materia³σw:

1. Stopσw o zawartoΆci wagowej powyΏej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. Polimerσw fluorowych;

3. Szk³a (w tym materia³σw powlekanych szkliwami lub emaliowanych albo wyk³adanych szk³em);

4. Niklu lub stopσw o zawartoΆci wagowej niklu powyΏej 40 %;

5. Tantalu lub stopσw tantalu;

6. Tytanu lub stopσw tytanu; lub

7. Cyrkonu lub stopσw cyrkonu;

b. Mieszad³a do zbiornikσw reakcyjnych lub reaktorσw, wyszczegσlnionych w pozycji 2B350.a., w ktσrych wszystkie powierzchnie posiad±jace bezpoΆredni kontakt z przetwarzanym lub znajduj±cym siκ w nich Άrodkiem chemicznym (Άrodkami chemicznymi), wykonane s± z jednego z nastκpuj±cych materia³σw:

1. Stopσw o zawartoΆci wagowej powyΏej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. Polimerσw fluorowych;

3. Szk³a (w tym materia³σw powlekanych szkliwami lub emaliowanych albo wyk³adanych szk³em);

4. Niklu lub stopσw o zawartoΆci wagowej niklu powyΏej 40 %;

5. Tantalu lub stopσw tantalu;

6. Tytanu lub stopσw tytanu; lub

7. Cyrkonu lub stopσw cyrkonu;

c. Zbiorniki magazynowe, zasobniki lub odbiorniki o ca³kowitej pojemnoΆci wewnκtrznej (geometrycznej) powyΏej 0,1 m3 (100 litrσw), w ktσrych wszystkie powierzchnie posiad±jace bezpoΆredni kontakt z przetwarzanym lub znajduj±cym siκ w nich Άrodkiem chemicznym (Άrodkami chemicznymi), wykonane s± z jednego z nastκpuj±cych materia³σw:

1. Stopσw o zawartoΆci wagowej powyΏej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. Polimerσw fluorowych;

3. Szk³a (w tym materia³σw powlekanych szkliwami lub emaliowanych albo wyk³adanych szk³em);

4. Niklu lub stopσw o zawartoΆci wagowej niklu powyΏej 40 %;

5. Tantalu lub stopσw tantalu;

6. Tytanu lub stopσw tytanu; lub

7. Cyrkonu lub stopσw cyrkonu;

d. Wymienniki ciep³a lub skraplacze o polu powierzchni wymiany ciep³a powyΏej 0,15 m2, oraz poniΏej 20 m2, w ktσrych wszystkie powierzchnie posiadaj±ce bezpoΆredni kontakt z przetwarzanym lub znajduj±cym siκ w nich Άrodkiem chemicznym (Άrodkami chemicznymi), wykonane s± z jednego z nastκpuj±cych materia³σw:

1. Stopσw o zawartoΆci wagowej powyΏej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. Polimerσw fluorowych;

3. Szk³a (w tym materia³σw powlekanych szkliwami lub emaliowanych albo wyk³adanych szk³em);

4. Grafitu lub «grafitu wκglowego» ;

5. Niklu lub stopσw o zawartoΆci wagowej niklu powyΏej 40 %;

6. Tantalu lub stopσw tantalu;

7. Tytanu lub stopσw tytanu; lub

8. Cyrkonu lub stopσw cyrkonu;

9. Wκglika krzemu; lub

10. Wκglika tytanowego;

e. Kolumny destylacyjne lub absorpcyjne o Άrednicy wewnκtrznej powyΏej 0,1 m, oraz rozdzielacze cieczy i par, kolektory cieczy, zaprojektowane do takich kolumn destylacyjnych lub absorpcyjnych, w ktσrych wszystkie powierzchnie posiadaj±ce bezpoΆredni kontakt z przetwarzanym lub znajduj±cym siκ w nich Άrodkiem chemicznym (Άrodkami chemicznymi), wykonane s± z jednego z nastκpuj±cych materia³σw:

1. Stopσw o zawartoΆci wagowej powyΏej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. Polimerσw fluorowych;

3. Szk³a (w tym materia³σw powlekanych szkliwami lub emaliowanych albo wyk³adanych szk³em);

4. Grafitu lub «grafitu wκglowego» ;

5. Niklu lub stopσw o zawartoΆci wagowej niklu powyΏej 40 %;

6. Tantalu lub stopσw tantalu;

7. Tytanu lub stopσw tytanu; lub

8. Cyrkonu lub stopσw cyrkonu;

f. Zdalnie sterowany sprzκt nape³niaj±cy, w ktσrych wszystkie powierzchnie posiadaj±ce bezpoΆredni kontakt z przetwarzanym lub znajduj±cym siκ w nich Άrodkiem chemicznym (Άrodkami chemicznymi), wykonane s± z jednego z nastκpuj±cych materia³σw:

1. Stopσw o zawartoΆci wagowej powyΏej 25 % niklu i 20 % chromu; lub

2. Niklu lub stopσw o zawartoΆci wagowej niklu powyΏej 40 %;

g. Zawory o wymiarach znamionowych wiκkszych niΏ 10 mm oraz obudowy (korpusy zaworσw) lub wstepnie uformowane wk³adki doos³onowe, zaprojektowane do takich zaworσw, w ktσrych wszystkie powierzchnie posiadaj±ce bezpoΆredni kontakt z przetwarzanym lub znajduj±cym siκ w nich Άrodkiem chemicznym (Άrodkami chemicznymi), wykonane s± z jednego z nastκpuj±cych materia³σw:

1. Stopσw o zawartoΆci wagowej powyΏej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. Polimerσw fluorowych;

3. Szk³a (w tym materia³σw powlekanych szkliwami lub emaliowanych albo wyk³adanych szk³em);

4. Niklu lub stopσw o zawartoΆci wagowej niklu powyΏej 40 %;

5. Tantalu lub stopσw tantalu;

6. Tytanu lub stopσw tytanu; lub

7. Cyrkonu lub stopσw cyrkonu;

h. Rury wieloΆcienne, zawieraj±ce okna do wykrywania nieszczelnoΆci, w ktσrych wszystkie powierzchnie posiadaj±ce bezpoΆredni kontakt z przetwarzanym lub znajduj±cym siκ w nich Άrodkiem chemicznym (Άrodkami chemicznymi), wykonane s± z jednego z nastκpuj±cych materia³σw:

1. Stopσw o zawartoΆci wagowej powyΏej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. Polimerσw fluorowych;

3. Szk³a (w tym materia³σw powlekanych szkliwami lub emaliowanych albo wyk³adanych szk³em);

4. Grafitu lub «grafitu wκglowego» ;

5. Niklu lub stopσw o zawartoΆci wagowej niklu powyΏej 40 %;

6. Tantalu lub stopσw tantalu;

7. Tytanu lub stopσw tytanu; lub

8. Cyrkonu lub stopσw cyrkonu;

i. Pompy wielokrotnie uszczelnione, obudowane, z napκdem magnetycznym, mieszkowe lub przeponowe, o maksymalnym natκΏeniu przep³ywu, wed³ug specyfikacji producenta, powyΏej 0,6 m3/h, lub pompy prσΏniowe o maksymalnym natκΏeniu przep³ywu, wed³ug specyfikacji producenta, powyΏej 5 m3/h (w warunkach znormalizowanej temperaturz y (273 °K (0 °C)) oraz ciΆnienia (101,3 kPa)), w ktσrych wszystkie powierzchnie posiadaj±ce bezpoΆredni kontakt z przetwarzanym lub znajduj±cym siκ w nich Άrodkiem chemicznym (Άrodkami chemicznymi), wykonane s± z jednego z nastκpuj±cych materia³σw:

1. Stopσw o zawartoΆci wagowej powyΏej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. Materia³σw ceramicznych;

3. —elazokrzemu;

4. Polimerσw fluorowych;

5. Szk³a (w tym materia³σw powlekanych szkliwami lub emaliowanych albo wyk³adanych szk³em);

6. Grafitu lub «grafitu wκglowego» ;

7. Niklu lub stopσw o zawartoΆci wagowej niklu powyΏej 40 %;

8. Tantalu lub stopσw tantalu;

9. Tytanu lub stopσw tytanu; lub

10. Cyrkonu lub stopσw cyrkonu;

j. Piece do spopielania, zaprojektowane do niszczenia substancji chemicznych wyszczegσlnionych w pozycji 1C350, posiadaj±ce specjalnie zaprojektowane systemy doprowadzania odpadσw, specjalne urz±dzenia obs³uguj±ce oraz przeciκtn± temperaturκ w komorze spalania powyΏej 1273 °K (1000 °C), w ktσrych wszystkie powierzchnie w systemie doprowadzania odpadσw posiadaj±ce bezpoΆredni kontakt z odpadami wykonane s± z jednego z nastκpuj±cych materia³σw lub nim pokryte:

1. Stopσw o zawartoΆci wagowej powyΏej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. Materia³σw ceramicznych; lub

3. Niklu lub stopσw o zawartoΆci wagowej niklu powyΏej 40 %;

Uwaga techniczna:

«Grafit wκglowy» jest substancj± sk³adaj±c± siκ z wκgla amorficznego i grafitu, w ktσrej zawartoΆζ wagowa sk³adnika, jakim jest grafit wynosi 8 % lub wiκcej.

2B351 Systemy monitorowania gazσw toksycznych; oraz przeznaczone do nich czujniki, z tego:

a. Przeznaczone do ci±g³ej pracy i wykorzystywane do wykrywania bojowych Άrodkσw chemicznych lub Άrodkσw chemicznych wyszczegσlnionych w pozycji 1C350, w stκΏeniach poniΏej 0,3 mg/m3; lub

b. Przeznaczone do wykrywania aktywnoΆci wstrzymuj±cej cholinoesterazκ.

2B352 Sprzκt zdolny do wykorzystania przy obs³ugiwaniu materia³σw biologicznych, taki jak:

a. Kompletne biologiczne obudowy zabezpieczaj±ce dla P3, P4 poziomu zabezpieczenia;

Uwaga techniczna:

Poziomy zabezpieczenia P3 lub P4 (BL3, BL4, L3, L4) s± wyszczegσlnione w instrukcji WHO dotycz±cej bezpieczeρstwa biologicznego laboratoriσw (wydanie drugie, Genewa 1993).

b. Kadzie fermentacyjne, pozwalaj±ce na namnaΏanie «mikroorganizmσw» chorobotwσrczych i wirusσw lub umoΏliwiaj±ce produkcjκ «toksyn» , bez rozprzestrzeniania aerozoli, posiadaj±ce pojemnoΆζ ca³kowit± rσwn± 20 litrσw lub wiκksz±;

Uwaga techniczna:

Do kadzi fermentacyjnych zalicza siκ bioreaktory, chemostaty oraz instalacje o przep³ywie ci±g³ym.

c. Separatory odΆrodkowe, zdolne do ci±g³ego oddzielania bez rozprzestrzeniania aerozoli, posiadaj±ce wszystkie niΏej wymienione cechy charakterystyczne:

1. NatκΏenie przep³ywu powyΏej 100 l/h;

2. Wykonanie elementσw z polerowanej stali nierdzewnej lub tytanu;

3. Jedno lub wiκcej z³±cze uszczelniane w obszarze wystκpowania pary wodnej; oraz

4. Zdolne do sterylizacji w stanie zamkniκtym na miejscu;

Uwaga techniczna:

Do separatorσw odΆrodkowych zalicza siκ rσwnieΏ dekantery.

d. Sprzκt filtruj±cy o poprzecznym (stycznym) przep³ywie oraz komponenty, z tego:

1. Sprzκt filtruj±cy o poprzecznym (stycznym) przep³ywie, zdolny do ci±g³ego rozdzielania chorobotwσrczych mikroorganizmσw, wirusσw, toksyn i kultur komσrkowych, bez rozprzestrzeniania aerozoli, posiadaj±cy obie niΏej wymienione cechy charakterystyczne:

a. Ca³kowite pole powierzchni filtruj±ce rσwnej lub wiκksze niΏ 1 m2; oraz

b. Zdolny do wysterylizowania lub odkaΏenia na miejscu; oraz ;

Uwaga techniczna:

W pozycji 2B352.d.1.b. sterylizacja oznacza likwidacjκ wszystkich Ώyj±cych mikroorganizmσw ze sprzκtu poprzez uΏycie czynnika fizycznego (np. para wodna) lub chemicznego. OdkaΏenie oznacza zniszczenie potencjalnego zagroΏenia mikrobiologicznego sprzκtu poprzez uΏycie czynnikσw chemicznych o w³aΆciwoΆciach bakteriobσjczych. OdkaΏenie i sterylizacja rσΏni± siκ od oczyszczania, ktσre odnosi siκ do procedur oczyszczenia, zaprojektowanch w celu obniΏenia sk³adnika mikrobilologicznego w sprzκcie, bez koniecznoΆci dokonania likwidacji wszystkich zagroΏeρ mikrobiologicznych lub utrzymuj±cych siκ przy Ώyciu mikroorganizmσw.

2. Komponenty do filtracji o poprzecznym (stycznym) przep³ywie (np. modu³y, elementy, casety, pojemniki, zespo³y lub p³yty) o powierzchni filtruj±cej rσwnej lub wiκkszej niΏ 0,2 m2 dla kaΏdego komponemtu i zaprojektowane do uΏycia w sprzκcie do filtracji o poprzecznym (stycznym) przep³ywie wyszczegσlnionym w pozycji 2B352.d.;

Uwaga: Pozycja 2B352.d. nie obejmuje kontrol± sprzκtu odwracania osmozy, jako okreΆlonego przez producenta.

e. Sterylizowany par± wodn± sprzκt do liofilizacji o wydajnoΆci kondensora przekraczajacej 10 kg lodu w ci±gu 24 godzin i mniejszej do 1000 kg lodu w ci±gu 24 godzin;

f. Sprzκt zabezpieczenia i obudowy, taki jak:

1. Pe³ne lub czκΆciowe obudowy ochronne lub kolpaki uzaleΏnione od dowi±zanego zewnκtrznego Όrσd³a powietrza, pracuj±cego pod nadciΆnieniem;

Uwaga: Pozycja 2B352.f.1. nie obejmuje kontrol± kombinezonσw zaprojektowanych do noszenia z niezaleΏnym aparatem do oddychania.

2. Komory klasy III bezpieczeρstwa biologicznego lub izolatory o podobnych znormalizowanych wymaganiach;

Uwaga: W pozycji 2B352.f.2. izolatory obejmuj± elastyczne pojemniki izolowane, komory suche, komory anaerobowe oraz komory rκkawowe (zamkniκte z pionowym przep³ywem).

g. Komory zaprojektowane do testowania toΏsamoΆci aerozoli zawieraj±cych «mikroorganizmy» , wirusy lub «toksyny» oraz posiadajace pojemnoΆζ 1 m3 lub wiκksz±.

2C Materia³y

—adne.

2D Oprogramowanie

2D001 «Oprogramowanie» rσΏne od wyszczegσlnionego w pozycji 2D002, specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do «rozwoju» , «produkcji» lub «uΏytkowania» urz±dzeρ wyszczegσlnionych w pozycjach 2A001 lub 2B001 do 2B009.

2D002 «Oprogramowanie» urz±dzeρ elektronicznych, nawet rezyduj±ce w elementach elektronicznych urz±dzenia lub systemu, pozwalajace dzia³aζ tym urz±dzeniom lub systemom jako jednostki «sterowania numerycznego» , umoΏliwiajace jednoczesn± koordynacjκ wiκcej niΏ czterech osi w celu «kontroli kszta³towania» .

Uwaga 1: Pozycja 2D002 nie obejmuje kontrol± «oprogramowania» specjalnie zaprojektowanego lub zmodyfikowanego do uΏytkowania obrabiarek nie wyszczegσlnionych w Kategorii 2.

Uwaga 2: Pozycja 2D002 nie obejmuje kontrol± «oprogramowania» do obiektσw wyszczegσlnionych w pozycji 2B002. Patrz pozycja 2D001 dla uregulowaρ dotycz±cych «oprogramowania» do obiektσw wyszczegσlnionych w pozycji 2B002.

2D101 «Oprogramowanie» specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do «uΏytkowania» sprzκtu wyszczegσlnionego w pozycjach 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 lub 2B119 do 2B122.

N.B.: PATRZ TAK—E POZYCJA 9D004.

2D201 «Oprogramowanie» specjalnie zaprojektowane do «uΏytkowania» sprzκtu wyszczegσlnionego w pozycjach 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 lub 2B227.

2D202 «Oprogramowanie» specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do «rozwoju» , «produkcji» lub «uΏytkowania» sprzκtu wyszczegσlnionego w pozycji 2B201.

2E Technologia

2E001 «Technologia» stosownie do Uwagi ogσlnej do technologii przeznaczona do «rozwoju» sprzκtu lub «oprogramowania» wyszczegσlnionego w pozycjach 2A, 2B lub 2D.

2E002 «Technologia» stosownie do Uwagi ogσlnej do technologii przeznaczona do «produkcji» sprzκtu wyszczegσlnionego w pozycjach 2A lub 2B.

2E003 Inna «technologia» , taka jak:

a. «Technologia» do «rozwoju» grafiki interakcyjnej jako integralnej czκΆci jednostek «sterowanych numerycznie» przeznaczonych do przygotowania lub modyfikacji programσw obrσbki czκΆci;

b. «Technologia» do procesσw wytwarzania obrσbk± metali:

1. «Technologia» projektowania narzκdzi, form lub uchwytσw specjalnie zaprojektowanych do jednego z nastκpuj±cych procesσw:

a. «Obrσbki w stanie nadplastycznym» ;

b. «Zgrzewania dyfuzyjnego» ;

c. «BezpoΆredniego t³oczenia hydraulicznego» ;

2. Dane techniczne, zawieraj±ce metody lub parametry procesu, wykorzytywane do sterowania, takie jak:

a. «Obrσbka w stanie nadplastycznym» stopσw aluminium, stopσw tytanu lub «nadstopσw» :

1. Przygotowanie powierzchni;

2. W³aΆciwoΆci plastyczne;

3. Temperatura;

4. CiΆnienie;

b. «Zgrzewanie dyfuzyjne» «nadstopσw» lub stopσw tytanu:

1. Przygotowanie powierzchni;

2. Temperatura;

3. CiΆnienie;

c. «BezpoΆrednie t³oczenie hydrauliczne» stopσw aluminium lub tytanu:

1. CiΆnienie;

2. Czas cyklu;

d. «Izostatyczne prasowanie na gor±co» stopσw tytanu, aluminium lub «nadstopσw» :

1. Temperatura;

2. CiΆnienie;

3. Czas cyklu;

c. «Technologia» do «rozwoju» lub «produkcji» obci±garek hydraulicznych i form do nich, wykorzytywanych do wytwarzania struktur p³atowca;

d. «Technologia» do «rozwoju» generatorσw instrukcji dla obrabiarek (np. programσw do obrσbki czκΆci) na podstawie danych konstrukcyjnych rezyduj±cych w urz±dzeniach «sterowanych numerycznie» ;

e. «Technologia» do «rozwoju» zintegrowanego «oprogramowania» do wprowadzania systemσw eksperckich do wspomagania procesu decyzyjnego pracy warsztatowej, przeznaczonego do urz±dzeρ «sterowanych numerycznie» ;

f. «Technologia» do stosowania pokryζ pow³okami nieorganicznymi lub pow³okami nieorganicznymi modyfikowanymi powierzchniowo (wyszczegσlnionymi w kolumnie 3 poniΏszej tabeli) na pod³oΏa nieelektroniczne (wyszczegσlnione w kolumnie 2 poniΏszej tabeli) za pomoca procesσw wyszczegσlnionych w kolumnie 1 poniΏszej tabeli i zdefiniowanych w Uwadze technicznej;

Uwaga: Tabela i Uwaga techniczna znajduj± siκ za pozycj± 2E3001.

2E101 «Technologia» stosownie do Uwagi ogσlnej do technologii przeznaczona do «uΏytkowania» sprzκtu lub «oprogramowania» wyszczegσlnionego w pozycjach 2B004, 2B104, 2B109, 2B116 2B119 do 2B122 lub 2D101.

2E201 «Technologia» stosownie do Uwagi ogσlnej do technologii przeznaczona do «uΏytkowania» sprzκtu lub «oprogramowania» wyszczegσlnionego w pozycjach 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 do 2B232, 2D201 lub 2D202.

2E301 «Technologia» stosownie do Uwagi ogσlnej do technologii przeznaczona do «uΏytkowania» towarσw wyszczegσlnionych w pozycjach 2B350 do 2B352.

>TABELPOSITION>

Uwagi do tabeli technik powlekania

1. Termin «technika powlekania» obejmuje zarσwno naprawκ i odnawianie pow³ok, jak i nak³adanie nowych.

2. Termin «pow³oka z glinku stopowego» obejmuje pow³oki uzyskane w procesie jedno- albo wieloetapowym, w ktσrym kaΏdy pierwiastek albo pierwiastki s± nak³adane przed albo podczas nak³adania pow³oki glinkowej, nawet, jeΏeli pierwiastki te s± nak³adane podczas innego procesu powlekania. JednakΏe nie obejmuje to przypadku wieloetapowego stosowania jednostopniowych procesσw osadzania fluidyzacyjnego, maj±cego na celu uzyskanie glinkσw stopowych.

3. Termin «pow³oka z glinku modyfikowanego metalem szlachetnym» obejmuje pow³oki wytwarzane w procesie wieloetapowym, podczas ktσrego przed po³oΏeniem pow³oki z glinku na pod³oΏe nak³adany jest, w innym procesie powlekania, jeden albo kilka metali szlachetnych.

4. Termin «ich mieszaniny» obejmuje kombinacje, zawieraj±ce przesycony materia³ pow³oki pod³oΏa, sk³adnikσw poΆrednich, materia³u wspσ³osadzonego oraz wielowarstwowego materia³u osadzonego i bκd±ce wytwarzane jedn± albo kilku technikami powlekania, wymienionymi w tabeli.

5. Przez termin «MCrAlX» naleΏy rozumieζ pow³okκ stopow±, w ktσrej M oznacza kobalt, Ώelazo, nikiel lub ich kombinacjκ, a X hafn, itr, krzem, tantal w dowolnych lub innych zamierzonych iloΆciach dodatkowych, wynosz±cych wagowo powyΏej 0,01 % w rσΏnych proporcjach i kombinacjach, z wyj±tkiem:

a. Pow³ok CoCrAlY, w ktσrych znajduje siκ wagowo poniΏej 22 % chromu, poniΏej 7 % aluminium i poniΏej 2 % itru;

b. Pow³ok CoCrAlY, w ktσrych znajduje siκ wagowo 22 do 24 % chromu, 10 do 12 % aluminium i 0,5 do 0,7 % itru; lub

c. Pow³ok NiCrAlY, w ktσrych znajduje siκ wagowo 21 do 23 % chromu, 10 do 12 % aluminium i 0,9 do 1,1 % itru.

6. Termin «stopy aluminium» dotyczy stopσw, ktσrych wytrzyma³oΆζ na rozci±ganie, mierzona w temperaturze 293 °K (20 °C), wynosi 190 MPa lub wiκcej.

7. Termin «stale odporne na korozjκ» odnosi siκ do stali serii 300 wed³ug AISI (American Iron and Steel Institute) lub rσwnowaΏnych norm narodowych.

8. Do metali Ώarowytrzyma³ych zalicza siκ nastκpuj±ce metale i ich stopy: niob, molibden, wolfram i tantal.

9. «Materia³y na okienka wziernikowe» takie jak: tlenek glinu, krzem, german, siarczek cynku, selenek cynku, arsenek galu, diament, fosforek galu oraz nastκpuj±ce halogenki metali: materia³y na okienka wziernikowe o Άrednicy powyΏej 40 mm z fluorku cyrkonu i fluorku hafnu.

10. Kategoria 2 nie obejmuje kontrol± «technologii» jednoetapowego utwardzania technik± cieplno-chemiczn± litych profili aerodynamicznych.

11. Polimery, takie jak: poliimidy, poliestry, polisiarczki, poliwκglany i poliuretany.

12. Termin «zmodyfikowany tlenek cyrkonowy» odnosi siκ do tlenku cyrkonowego z dodatkami innych tlenkσw metali, np. tlenku wapnia, tlenku magnezu, tlenku itru, tlenku hafnu, tlenkσw lantanowcσw itp. dodanymi w celu stabilizacji pewnych faz krystalicznych i sk³adnikσw faz. Pow³oki przeciwtermiczne wykonane z tlenku cyrkonowego modyfikowanego poprzez mieszanie albo stapianie z tlenkiem wapnia albo magnezu, nie s± objete kontrol±.

13. Termin «stopy tytanu» odnosi siκ jedynie do stopσw stosowanych w technice kosmicznej, ktσrych wytrzyma³oΆζ na rozci±ganie, mierzona w temperaturze 293 °K (20 °C), wynosi 900 MPa lub wiκcej.

14. Termin «szk³a o ma³ym wspσ³czynniku rozszerzalnoΆci cieplnej» odnosi siκ do szkie³, dla ktσrych wartoΆζ wspσ³czynnika rozszerzalnoΆci cieplnej, mierzona w temperaturze 293 °K (20 °C), wynosi 1 Χ 10-7 K-1 lub mniej.

15. Termin «warstwy dielektryczne» odnosi siκ do pow³ok wielowarstwowych z materia³σw izolacyjnych, w ktσrych interferencyjne w³aΆciwoΆci konstrukcji z³oΏonej z materia³σw o rσΏnych wspσ³czynnikach za³amania s± wykorzystywane do odbijania, przepuszczania lub poch³aniania fal o rσΏnych d³ugoΆciach. Warstwy dielektryczne odnosz± siκ do materia³σw sk³adaj±cych siκ z wiκcej niΏ czterech warstw dielektrycznych lub warstw «kompozytσw» dielektryk/metal.

16. «Spiekany wκglik wolframu» nie obejmuje materia³σw na narzκdzia skrawaj±ce i formuj±ce wykonane z wκglika wolframu/(kobaltu, niklu), wκglika tytanu/(kobaltu, niklu), wκglika chromu/nikiel-chrom i wκglika chromu/nikiel.

17. «Technologia» specjalnie zaprojektowana do nak³adania wκgla diamentopodobnego na jakikolwiek z niΏej wymienionych produktσw nie podlega kontroli:

dyski i g³owice magnetyczne, urz±dzenia do wytwarzania produktσw jednorazowych, zawory do kranσw, membrany do g³oΆnikσw, czκΆci silnikσw samochodowych, narzκdzia tn±ce, matryce do t³oczenia-wykrawania, sprzκt do automatyzacji prac biurowych, mikrofony, urz±dzenia medyczne.

18. «Wκglik krzemu» nie obejmuje materia³σw dla narzκdzi do ciκcia i formowania.

19. Pod³oΏa ceramiczne, w rozumieniu tej pozycji nie obejmuj± materia³σw ceramicznych zawieraj±cych wagowo 5 % lub wiκcej gliny lub cementu, zarσwno w postaci oddzielnych sk³adnikσw, jak i ich kombinacji.

Definicje procesσw wymienionych w kolumnie 1 tabeli:

a. Osadzanie z pary lotnej (CVD) jest procesem nak³adania pow³oki albo modyfikacji powierzchni pod³oΏa, polegaj±cym na osadzaniu na rozgrzanym pod³oΏu metalu, stopu, «kompozytu» , dielektryka albo materia³u ceramicznego. W s±siedztwie pod³oΏa nastκpuje rozk³ad albo ³±czenie gazowych substratσw reakcji, wskutek czego osadza siκ na nim poΏ±dany pierwiastek, stop albo zwi±zek. Potrzebna do rozk³adu zwi±zkσw albo do reakcji chemicznych energia moΏe byζ dostarczana przez rozgrzane pod³oΏe, plazmκ z wy³adowaρ jarzeniowych lub za pomoc± «lasera» .

N.B. 1: CVD obejmuje nastκpuj±ce procesy: osadzanie w ukierunkowanym przep³ywie gazσw bez zanurzania w proszku, CVD pulsuj±ce, rozk³ad termiczny z regulowanym zarodkowaniem (CNTD), CVD intensyfikowane albo wspomagane za pomoc± plazmy.

N.B. 2: Zanurzanie w proszku polega na zanurzaniu pod³oΏa w mieszaninie sproszkowanych substancji.

N.B. 3: Gazowe substraty reakcji, wykorzystywane w technice, w ktσrej nie stosuje siκ zanurzania w proszku, s± wytwarzane podczas takich samych reakcji podstawowych i przy takich samych parametrach jak w przypadku osadzania fluidyzacyjnego: z tym wyj±tkiem, Ώe powlekane pod³oΏe nie styka siκ z mieszanin± proszku.

b. Naparowywanie termiczne - fizyczne osadzanie par (TE-PVD) jest procesem powlekania w prσΏni przy ciΆnieniach poniΏej 0,1 Pa, w ktσrej do odparowania materia³u powlekaj±cego uΏywa siκ energii termicznej. Rezultatem tego procesu jest kondensacja albo osadzenie odparowanych sk³adnikσw na odpowiednio usytuowanych powierzchniach.

Zwykle proces ten jest modyfikowany poprzez wpuszczanie dodatkowych gazσw do komory prσΏniowej podczas powlekania, co umoΏliwia wytwarzanie pow³ok o z³oΏonym sk³adzie.

Innym, powszechnie stosowanym sposobem jego modyfikacji jest uΏywanie wi±zki jonσw albo elektronσw lub plazmy do intensyfikacji albo wspomagania osadzania pow³oki. W technice tej moΏna stosowaζ monitory do bieΏ±cego pomiaru parametrσw optycznych i gruboΆci pow³oki.

WyrσρΏnia siκ szczegσlne procesy TE-PVD, takie jak:

1. PVD z zastosowaniem wi±zki elektronσw - do rozgrzania i odparowania materia³u, ktσry ma stanowiζ pow³okκ, uΏywa siκ wi±zki elektronσw;

2. PVD z ogrzewaniem oporowym - do wytwarzania odpowiedniego i rσwnomiernego strumienia odparowanych sk³adnikσw pow³okowych wykorzystywane s± Όrσd³a elektrycznego ogrzewania oporowego w kombinacji z uderzaj±c± wi±zk± jonσw;

3. Odparowanie «laserowe» wykorzystuj±ce ci±g³± lub impulsow± wi±zkκ «laserow±» do ogrzania materia³u przeznaczonego na pow³okκ;

4. Metoda osadzania za pomoc± ³uku katodowego wykorzystuj±ca zuΏywaj±c± siκ katodκ wykonan± z materia³u maj±cego stanowiζ pow³okκ; ³uk wywo³ywany jest na powierzchni tego materia³u poprzez chwilowy kontakt inicjuj±cy. Kontrolowany ruch ³uku powoduje erozjκ powierzchni katody, wytwarzaj±c wysoko zjonizowan± plazmκ. Anodκ moΏe stanowiζ stoΏek osadzony w izolatorze na obwodzie katody albo sama komora. Osadzanie w miejscach nieleΏ±cych na linii biegu wi±zki uzyskuje siκ dziκki odpowiedniej polaryzacji pod³oΏa.

N.B. Definicja ta nie obejmuje bez³adnego osadzania wspomaganego ³ukiem katodowym w przypadku powierzchni niepolaryzowanych.

5. Powlekanie jonowe stanowi specjaln± modyfikacjκ procesu TE- PVD, w ktσrej do jonizacji osadzanych sk³adnikσw jest wykorzystywane Όrσd³o plazmy albo jonσw, natomiast pod³oΏe jest polaryzowane ujemnie, co u³atwia wychwytywania z plazmy tych sk³adnikσw, ktσre maj± byζ osadzone. Do czκsto spotykanych odmian tej techniki naleΏ±: wprowadzanie sk³adnikσw aktywnych, odparowywanie substancji sta³ych wewn±trz komory roboczej oraz bieΏ±cy pomiar parametrσw optycznych i gruboΆci pow³ok za pomoc± monitorσw.

c. Osadzanie fluidyzacyjne jest procesem powlekania albo modyfikacji powierzchni pod³oΏa, w ktσrej pod³oΏe jest zanurzane w mieszaninie proszkσw, sk³adajacej siκ z:

1. Proszkσw metalicznych, maj±cych ulec osadzeniu (zazwyczaj aluminium, chrom, krzem lub ich kombinacje);

2. Aktywatora (zazwyczaj sσl halogenkowa); oraz

3. Proszku obojκtnego, najczκΆciej tlenku glinu.

Pod³oΏe wraz z mieszanin± proszkσw znajduje siκ w retorcie, ktσra jest podgrzewana do temperatury od 1030 °K (757 °C) do 1375 °K (1102 °C) przez okres wystarczaj±cy do osadzenia pow³oki.

d. Napylanie plazmowe jest procesem powlekania, w ktσrym do pistoletu (pistoletu natryskowego) s³uΏ±cego do wytwarzania i sterowania strumieniem plazmy jest doprowadzany materia³ do powlekania w postaci proszku albo prκta. Pistolet topi materia³ i wyrzuca go na pod³oΏe, na ktσrym powstaje silnie z nim zwi±zana pow³oka. Odmianami tego procesu jest napylanie plazmowe niskociΆnieniowe oraz napylanie plazmowe z wysok± prκdkoΆci±.

N.B. 1: Niskocisnieniowe oznacza pod ciΆnieniem niΏszym od ciΆnienia atmosferycznego otoczenia.

N.B. 2: Wysoka prκdkoΆζ odnosi siκ do prκdkoΆci gazσw na wylocie z dyszy przekraczaj±cej wartoΆζ 750 m/s w temperaturze 293 °K (20 °C) i ciΆnieniu 0,1 MPa.

e. Osadzanie zawiesinowe jest procesem powlekania albo modyfikacji powierzchni, w ktσrej stosowana jest zawiesina proszku metalicznego lub ceramicznego ze spoiwem organicznym w cieczy, nak³adana na pod³oΏe technik± natryskiwania, zanurzania lub malowania. Nastκpnym etapem jest suszenie w powietrzu albo w piecu i obrσbka cieplna, w wyniku czego powstaje pow³oka o odpowiedniej charakterystyce.

f. Rozpylanie jonowe jest procesem powlekania, opartym na zjawisku przenoszenia pκdu, w ktσrej na³adowane dodatnio jony s± przyspieszane przez pole elektryczne w kierunku powierzchni docelowej (materia³ pow³okowy). Energia kinetyczna padaj±cych jonσw jest wystarczaj±ca do wyrwania atomσw z powierzchni materia³u pow³okowego i osadzenia ich na odpowiednio usytuowanej powierzchni pod³oΏa.

N.B. 1: Tabela dotyczy tylko rozpylania jonowego za pomoc± triody, magnetronowego i reakcyjnego, ktσre jest wykorzystywane do zwiκkszania przyczepnoΆci pow³oki i wydajnoΆci osadzania oraz do rozpylania jonowego wspomaganego pr±dami wysokiej czκstotliwoΆci, wykorzystywanego do intensyfikacji odparowania niemetalicznych materia³σw pow³okowych.

N.B. 2: Do aktywacji osadzania moΏna zastosowaζ wi±zki jonσw o niskiej energii (poniΏej 5 keV).

g. Implantacja jonowa jest procesem modyfikacji powierzchni polegaj±cym na jonizacji pierwiastka, ktσry ma byζ stopiony, przyspieszaniu go za pomoc± rσΏnicy potencja³σw i wstrzeliwaniu w odpowiedni obszar powierzchni pod³oΏa. Technika ta moΏe byζ stosowana rσwnoczeΆnie z napylaniem jonowym wspomaganym za pomoc± wi±zki elektronσw albo rozpylaniem jonowym.

KATEGORIA 3

ELEKTRONIKA

3A Systemy, urz±dzenia i czκΆci

Uwaga 1: Poziom kontroli sprzκtu i komponentσw opisanych w pozycjach 3A001 lub 3A002, innych niΏ opisane w pozycji 3A001.a.3. do 3A001.a.10. lub 3A001.a.12., specjalnie do nich zaprojektowanych albo posiadaj±cych te same cechy funkcjonalne co inny sprzκt, jest taki sam jak poziom kontroli innego sprzκtu.

Uwaga 2: Poziom kontroli uk³adσw scalonych opisnaych w pozycjach 3A001.a.3. do 3A001.a.9. lub 3A001.a.12., zaprogramowanych na sta³e bez moΏliwoΆci wprowadzenia zmian albo przeznaczonych do specjalnych funkcji dla innego sprzκtu, jest taki sam jak poziom kontroli innego sprzκtu.

N.B.: W razie, gdy producent lub wnioskodawca nie jest w stanie okreΆliζ poziomu kontroli innego sprzκtu, poziom kontroli danych uk³adσw scalonych jest okreΆlony w pozycjach 3A001.a.3 do 3A001.a.9. i 3A001.a.12. JeΏeli uk³ad scalony jest krzemowym «mikrouk³adem mikrokomputerowym» lub mikrosterownikiem opisanym w pozycji 3A001.a.3. o d³ugoΆci s³owa operanda (danych) 8 bitσw lub mniej, poziom kontroli uk³adu scalonego jest okreΆlony w pozycji 3A001.a.3.

3A001 Komponenty elektroniczne, takie jak:

a. Uk³ady scalone ogσlnego przeznaczenia, takie jak:

Uwaga 1: Poziom kontroli p³ytek (gotowych albo niegotowych) posiadaj±cych wyznaczon± funkcjκ naleΏy okreΆlaζ na podstawie parametrσw podanych w pozycji 3A001. a.

Uwaga 2: Wsrσd uk³adσw scalonych rozrσΏnia siκ nastκpuj±ce typy:

«Uk³ady scalone monolityczne» ;

«Uk³ady scalone hybrydowe» ;

«Uk³ady scalone wielop³ytkowe» ;

«Uk³ady scalone warstwowe» , w³±cznie z uk³adami scalonymi typu krzem na szafirze;

«Uk³ady scalone optyczne» .

1. Uk³ady scalone zaprojektowane albo ulepszone do przeciwstawiania promieniowaniu jonizuj±cemu, wytrzymuj±ce:

a. Dawkκ ca³kowit± 5 Χ 103 Gy (Si) lub wyΏsz±;

b. Wzrost dawki o 5 Χ 106 Gy (Si)/s lub wiκkszy;

c. Fluencjκ (zintegrowany strumieρ) neutronσw (ekwiwalent 1 MeV) o wartoΆci 5 Χ 1013 n/cm2 lub wiκkszej na krzemie, lub jej ekwiwalent na innym materiale.

Uwaga: Pozycja 3A001.a.1.c. nie stosuje siκ do struktur metal - izolator - pσ³przewodnik (MIS).

2. «Mikrouk³ady mikroprocesorowe» , «mikrouk³ady mikrokomputerowe» i mikrouk³ady do mikrosterownikσw, uk³ady scalone pamiκci wykonane z pσ³przewodnikσw z³oΏonych, przetworniki analogowo-cyfrowe i cyfrowo-analogowe, uk³ady elektrooptyczne lub «optyczne uk³ady scalone» do «przetwarzania sygna³σw» , sieci bramek programowalne przez uΏytkownika, tablice logiczne programowalne przez uΏytkownika, uk³ady scalone na sieciach neuronowych, robione na zamσwienie uk³ady scalone o nieznanej ich producentowi funkcji lub poziomie kontroli urz±dzenia, w ktσrym mia³yby byζ zainstalowane, procesory do Szybkiej Transformacji Fouriera (FFT), wymazywalne elektrycznie - programowalne pamiκci sta³e (EEPROM), pamiκci b³yskowe lub statyczne pamiκci o dostκpie swobodnym (SRAM), o jednej z poniΏszych w³aΆciwoΆci:

a. Przystosowane do pracy w temperaturze otoczenia powyΏej 398 K (125 °C);

b. Przystosowane do pracy w temperaturze otoczenia poniΏej 218 K (- 55 °C); lub

c. Przystosowane do pracy w ca³ym przedziale wartoΆci temperatur od 218 K (- 55 °C) do 398 K (125 °C).

Uwaga: Pozycja 3A001.a.2. nie stosuje siκ do uk³adσw scalonych do silnikσw pojazdσw cywilnych ani kolejowych.

3. «Mikrouk³ady mikroprocesorowe» , «mikrouk³ady mikrokomputerowe» i mikrouk³ady do mikrosterownikσw posiadaj±ce jedn± z nastκpuj±cych cech charaktrystycznych:

Uwaga: Pozycja 3A001.a.3. obejmuje cyfrowe procesory sygna³owe, cyfrowe procesory tablicowe i koprocesory cyfrowe.

a. Nie uΏywany;

b. Wykonane z pσ³przewodnikσw z³oΏonych, pracuj±ce z czκstotliwoΆci± zegara przekracz±jac± 40 MHz; lub

c. Posiadaj±ce wiκcej niΏ jedn± szynκ danych albo rozkazσw albo szeregowy port komunikacji zapewniaj±cy bezpoΆrednie zewnκtrzne po³aczenie miκdzy rσwnoleg³ym «mikrouk³adem mikroprocesowym» , o prκdkoΆci transmisji danych przekraczajacym 150 Mb/s.

4. Pamiκciowe uk³ady scalone wytwarzane z pσ³przewodnikσw z³oΏonych.

5. Przetworniki analogowo-cyfrowe i cyfrowo-analogowe na uk³adach scalonych, takie jak:

a. Przetworniki analogowo-cyfrowe posiadaj±ce jedn± z nastκpuj±cych cech charakterystycznych:

N.B. PATRZ TAK—E POZYCJA 3A101.

1. RozdzielczoΆζ 8 bitσw lub wiκcej, lecz poniΏej 12 bitσw i «ca³kowity czas przetwarzania» z maksymaln± rozdzielczoΆci± poniΏej 5 ns;

2. RozdzielczoΆζ 12 bitσw i «ca³kowity czas przetwarzania» z maksymalna rozdzielczoΆci± poniΏej 200 ns; lub

3. RozdzielczoΆζ powyΏej 12 bitσw i «ca³kowity czas przetwarzania» z maksymaln± rozdzielczoΆci± poniΏej 2 >ISO_7>μ>ISO_2>s;

4. RozdzielczoΆζ powyΏej 14 bitσw i «ca³kowity czas przetwarzania» z maksymaln± rozdzielczoΆci± poniΏej 1 >ISO_7>μ>ISO_2>s.

b. Przetworniki cyfrowo-analogowe o rozdzielczoΆci 12 bitσw lub wiκkszej, i «czasie ustalania» poniΏej 10 ns.

Uwagi techniczne:

1. RozdzielczoΆζ n bitσw odpowiada kwantowaniu na 2n poziomach.

2. «Ca³kowity czas konwersji» jest odwrotnoΆci± szybkoΆci prσbkowania.

6. Elektrooptyczne uk³ady scalone lub «optyczne uk³ady scalone» do «przetwarzania sygna³σw» posiadaj±ce wszystkie niΏej wymienione cechy charakterystyczne:

a. Jedn± lub wiκcej wewnκtrzn± diodκ «laserow±» ;

b. Jeden lub wiκcej wewnκtrzny element wykrywajacy Άwiat³o; oraz

c. Prowadnicκ Άwiat³owodow±.

7. Urz±dzenia logiczne programowalne przez uΏytkownika, posiadaj±ce jedn± z niΏej wymienionych cech charakterystycznych:

a. Zastκpcz± liczbκ bramek powyΏej 30000 (bramki dwuwejΆciowe);

b. Typowe «podstawowe opσΌnienie przechodzenia sygna³u przez bramkκ» mniejsze niΏ 0,4 ns; lub

c. CzκstotliwoΆζ prze³±czania powyΏej 133 MHz.

Uwaga: Pozycja 3A001.a.7. zawiera:

Proste programowalne urz±dzenia logiczne (SPLD)

Z³oΏone programowalne urz±dzenia logiczne (CPLD)

Tablice bramek programowane przez uΏytkownika (FPGA)

Tablice logiczne programowane przez uΏytkownika (FPLA)

Po³±czenia wewnκtrzne programowane przez uΏytkownika (FPIC)

N.B.: Programowalne przez uΏytkownika urz±dzenia logiczne, znane s± rσwnieΏ jako bramki programowalne przez uΏytkownika lub tablice logiczne programowalne przez uΏytkownika.

8. Nie uΏywany.

9. Uk³ady zintegrowanych sieci neuronowych.

10. Wykonywane na zamσwienie uk³ady scalone o nieznanej ich producentowi funkcji lub poziomie kontroli sprzκtu, w ktσrym bκdzie zastosowany dany uk³ad scalony, posiadaj±ce jedn± z niΏej wymienionych cech charakterystycznych:

a. Ponad 1000 koρcσwek;

b. Typowe «podstawowe opσΌnienie przechodzenia sygna³u przez bramkκ» mniejsze niΏ 1 ns; lub

c. CzκstotliwoΆζ robocza powyΏej 3 GHz.

11. Cyfrowe uk³ady scalone, rσΏne od przedstawionych w pozycji 3A001.a.3. do 3A001.a.10. lub 3A001.a.12., oparte na dowolnym uk³adzie pσ³przewodnikσw z³oΏonych oraz posiadaj±ce jedn± z niΏej wymienionych cech:

a. Zastκpcz± liczbκ bramek powyΏej 3000 (bramki dwuwejΆciowe); lub

b. CzκstotliwoΆζ prze³±czania powyΏej 1,2 GHz.

12. Procesory do szybkiej transformacji Fouriera (FFT) posiadaj±ce nominalny czas realizacji dla N-punktowej zespolonej transformaty FFT poniΏej (N log2 N)/20480 ms, gdzie N jest liczb± punktσw.

Uwaga techniczna:

Gdy N jest rσwne 1024 punkty, wynik formu³y w pozycji 3A001.a.12., okreΆlaj±cej czas realizacji wynosi 500 >ISO_7>μ>ISO_2>s.

b. Komponenty mikrofalowe lub pracuj±ce na falach milimetrowych, takie jak:

1. Elektronowe lampy prσΏniowe i katodowe, takie jak:

Uwaga 1: Pozycja 3A001.b.1. nie obejmuje kontrol± lamp zaprojektowanych lub przystosowanych do dzia³ania w jakimkolwiek paΆmie czκstotliwoΆci, posiadajacym wszystkie niΏej wymienione cechy charakterystyczne:

a. SzerokoΆζ nie przekracza 31,8 GHz; oraz

b. Jest «przydzielane przez ITU» dla s³uΏb radiokomunikacyjnych, ale nie do namierzania radiowego.

Uwaga 2: Pozycja 3A001.b.1. nie obejmuje kontrol± lamp nie posiadaj±cych «zastosowaρ kosmicznych» posiadaj±cych wszystkie niΏej wymienione cechy charakterystyczne:

a. ¦rednia moc wyjΆciowa rσwna lub mniejsza niΏ 50 W; oraz

b. Zaprojektowanych lub przystosowane do dzia³ania w jakimkolwiek paΆmie czκstotliwoΆci, posiadaj±cym wszystkie niΏej wymienione cechy charakterystyczne:

1. SzerokoΆζ przekracza 31,8 Ghz, lecz nie przekracza 43,5 GHz; oraz

2. Jest «rozdzielone przez ITU» dla s³uΏb radiokomunikacyjnych, ale nie w celu namierzania radiowego.

a. Lampy o fali bieΏacej, fali impulsowej lub ci±g³ej, z tego:

1. Pracuj±ce na czκstotliwoΆciach powyΏej 31,8 GHz;

2. Posiadajace element podgrzewaj±cy katodκ, z czasem uzyskania mocy znamionowej w zakresie fal radiowych wynosz±cym poniΏej 3 sekund;

3. SprzκΏone lampy wnκkowe, albo ich pochodne o «u³amkowej szerokoΆci pasma» powyΏej 7 % lub mocy szczytowej powyΏej 2,5 kW;

4. Lampy spiralne, albo ich pochodne, posiadaj±ce jedn± z niΏej wymienionych cech charakterystycznych:

a. «Chwilowa szerokoΆζ pasma» powyΏej jednej oktawy oraz iloczyn mocy przeciκtnej (wyraΏonej w kW) i czκstotliwoΆci (wyraΏonej w GHz) powyΏej 0,5;

b. «Chwilowa szerokoΆζ pasma» poniΏej jednej oktawy oraz iloczyn mocy przeciκtnej (wyraΏonej w kW) i czκstotliwoΆci (wyraΏonej w GHz) powyΏej 1; lub

c. Posiadanie «zastosowaρ kosmicznych» .

b. Wzmacniacze lampowe o skrzyΏowanych polach o wzmocnieniu powyΏej 17 dB;

c. Impregnowane katody zaprojektowane do lamp elektronicznych, wytwarzaj±ce ci±g³y pr±d emisyjny w znamionowych warunkach pracy o gκstoΆci powyΏej 5 A/cm2.

2. Mikrofalowe monolityczne uk³ady scalone (MMIC) wzmacniaczy mocy, posiadaj±ce jedn± z niΏej wymienionych cech charakterystycznych:

a. Przystosowane do pracy na czκstotliwoΆciach przewyΏszaj±cych 3,2 GHz, do 6 GHz w³±cznie, oraz ze Άredni± moc± wyjΆciow± wiκksz± niΏ 4 W (36 dBm) z «u³amkow± szerokoΆci± pasma» wiκksz± niΏ 15 %;

b. Przystosowane do pracy na czκstotliwoΆciach przewyΏszaj±cych 6 GHz, do 16 GHz w³±cznie, oraz ze Άredni± moc± wyjΆciow± wiκksz± niΏ 1 W (30 dBm) z «u³amkow± szerokoΆci± pasma» wiκksz± niΏ 10 %;

c. Przystosowane do pracy na czκstotliwoΆciach przewyΏszaj±cych 16 GHz, do 31,8 GHz w³±cznie, oraz ze Άredni± moc± wyjΆciow± wiκksz± niΏ 0,8 W (29 dBm) z «u³amkow± szerokoΆci± pasma» wiκksz± niΏ 10 %;

d. Przystosowane do pracy na czκstotliwoΆciach przewyΏszaj±cych 31,8 GHz, do 37,5 GHz w³±cznie;

e. Przystosowane do pracy na czκstotliwoΆciach przewyΏszaj±cych 37,5 GHz, do 43,5 GHz w³±cznie, oraz ze Άredni± moc± wyjΆciow± wiκksz± niΏ 0,25 W (24 dBm) z «u³amkow± szerokoΆci± pasma» wiκksz± niΏ 10 %; lub

f. Przystosowane do pracy na czκstotliwoΆciach przewyΏszaj±cych 43,5 GHz.

Uwaga 1: Pozycja 3A001.b.2. nie obejmuje sprzκtu satelitσw radiofonicznych, zaprojektowanych lub przystosowanych do pracy w zakresie czκstotliwoΆci od 40,5 GHz do 42,5 GHz.

Uwaga 2: Poziom kontroli MMIC, ktσrych czκstotliwoΆci robocze rozciagaj± siκ poza zakres ich czκstotliwoΆci, zgodnie z definicj± w pozycji 3A0001.b.2., jest okreΆlony przez najniΏszy prσg kontroli Άredniej mocy wyjΆciowej.

Uwaga 3: Uwagi 1 i 2 w nag³σwku Kategorii 3 oznaczaja, Ώe pozycja 3A001.b.2. nie obejmuje kontrol± MMIC-σw, jeΆli s± one specjalnie zaprojektowane do innych zastosowaρ, np. telekomunikacjnych, radiolokacjnych, motoryzacjnych.

3. Tranzystory mikrofalowe, posiadaj±ce jedn± z niΏej wymienionych cech:

a. Przystosowane do pracy na czκstotliwoΆciach przewyΏszaj±cych 3,2 GHz, do 6 GHz w³±cznie, oraz ze Άredni± moc± wyjΆciow± wiκksz± niΏ 60 W (47 dBm);

b. Przystosowane do pracy na czκstotliwoΆciach przewyΏszaj±cych 6 GHz, do 31,8 GHz w³±cznie, oraz ze Άredni± moc± wyjΆciow± wiκksz± niΏ 20 W (43 dBm);

c. Przystosowane do pracy na czκstotliwoΆciach przewyΏszaj±cych 31,8 GHz, do 37,5 GHz w³±cznie, oraz ze Άredni± moc± wyjΆciow± wiκksz± niΏ 0,5 W (27 dBm);

d. Przystosowane do pracy na czκstotliwoΆciach przewyΏszaj±cych 37,5 GHz, do 43,5 GHz w³±cznie, oraz ze Άredni± moc± wyjΆciow± wiκksz± niΏ 1 W (30 dBm);

e. Przystosowane do pracy na czκstotliwoΆciach przewyΏszaj±cych 43,5 GHz.

Uwaga: Poziom kontroli elementu, ktσrego czκstotliwoΆci robocze rozciagaj± siκ poza zakres jego czκstotliwoΆci, zgodnie z definicj± w pozycji 3A0001.b.3., jest okreΆlony przez najniΏszy prσg kontroli Άredniej mocy wyjΆciowej.

4. Mikrofalowe wzmacniacze pσ³przewodnikowe oraz mikrofalowe zespo³y/modu³y zawieraj±ce wzmacniacze mikrofalowe, posiadaj±ce jedn± z niΏej wymienionych cech:

a. Przystosowane do pracy na czκstotliwoΆciach przewyΏszaj±cych 3,2 GHz, do 6 GHz w³±cznie, oraz ze Άredni± moc± wyjΆciow± wiκksz± niΏ 60 W (47,8 dBm) z «u³amkow± szerokoΆci± pasma» wiκksz± niΏ 15 %;

b. Przystosowane do pracy na czκstotliwoΆciach przewyΏszaj±cych 6 GHz, do 31,8 GHz w³±cznie, oraz ze Άredni± moc± wyjΆciow± wiκksz± niΏ 15 W (42 dBm) z «u³amkow± szerokoΆci± pasma» wiκksz± niΏ 10 %;

c. Przystosowane do pracy na czκstotliwoΆciach przewyΏszaj±cych 31,8 GHz, do 37,5 GHz w³±cznie;

d. Przystosowane do pracy na czκstotliwoΆciach przewyΏszaj±cych 37,5 GHz, do 43,5 GHz w³±cznie, oraz ze Άredni± moc± wyjΆciow± wiκksz± niΏ 1 W (30 dBm) z «u³amkow± szerokoΆci± pasma» wiκksz± niΏ 10 %;

e. Przystosowane do pracy na czκstotliwoΆciach przewyΏszaj±cych 43,5 GHz; lub

f. Przystosowane do pracy na czκstotliwoΆciach powyΏej 3 GHz oraz posiadaj±ce wszystkie z niΏej wymienionych cech:

1. ¦rednia moc wyjΆciowa (w watach), P, wiκksza niΏ 150 dzielone przez maksymaln± czκstotliwoΆζ pracy (w GHz) podniesione do potegi drugiej [P>150 W*GHz2/fGHz 2];

2. U³amkowa szerokoΆζ pasma wynosz±ca 5 % lub wiκcej; oraz

3. Jakiekolwiek dwustronne, wzajemnie prostopad³e do siebie, o d³ugoΆci d (w cm) mniejszej lub rσwnej niΏ 15 podzielone przez najniΏsz± czestotliwoΆζ pracy (w GHz) [d<= 15cm*GHz/fGHz ].

N.B.: Pozycja 3A001.b.4. obejmuje kontrol± sprzetu satelitσw radiofonicznych, zaprojektowanych lub przystosowanych do pracy w zakresie czκstotliwoΆci od 40,5 do 42,5 Ghz;

Uwaga 1: Pozycja 3A001.b.2. nie obejmuje uk³adσw ani modu³σw do urz±dzeρ skonstruowanych lub przystosowanych do dzia³ania w jakimkolwiek paΆmie czκstotliwoΆci, ktσre spe³nia nastκpuj±ce warunki:

Uwaga 2: Poziom kontroli elementu, ktσrego czκstotliwoΆci robocze rozciagaj± siκ poza zakres jego czκstotliwoΆci, zgodnie z definicj± w pozycji 3A0001.b.4., jest okreΆlony przez najniΏszy prσg kontroli Άredniej mocy wyjΆciowej.

5. Filtry Άrodkowo-przepustowe i Άrodkowo-zaporowe, przestrajalne elektronicznie lub magnetycznie, posiadaj±ce wiecej niΏ 5 przestrajalnych rezonatorσw, umoΏliwiaj±cych strojenie w zakresie pasma czκstotliwoΆci 1,5:1 (fmax /fmin ) w czasie poniΏej 10 >ISO_7>μ>ISO_2>s, posiadaj±ce jedn± z poniΏszych cech:

a. SzerokoΆζ pasma Άrodkowo-przepustowego powyΏej 0,5 % czκstotliwoΆci noΆnej; lub

b. SzerokoΆζ pasma Άrodkowo-zaporowego poniΏej 0,5 % czκstotliwoΆci noΆnej.

6. Nie uΏywany.

7. Mieszacze i konwertery przeznaczone do rozszerzania przedzia³u czκstotliwoΆci sprzκtu opisanego w pozycjach 3A002.c., 3A002.e. lub 3A002.f. powyΏej podanych tam wartoΆci granicznych.

8. Mikrofalowe wzmacniacze mocy zawieraj±ce lampy wyszczegσlnione w pozycji 3A001.b., posiadaj±ce wszystkie niΏej wymienione cechy:

a. CzκstotliwoΆci robocze powyΏej 3 GHz;

b. ¦rednia wyjΆciowa gκstoΆζ mocy wiκksza niΏ 80 W/kg; oraz

c. ObjκtoΆζ mniejsza niΏ 400 cm3.

Uwaga: Pozycja 3A001.b.8. nie obejmuje kontrol± sprzκtu zaprojektowanego lub przystosowanego do dzia³ania w jakimkolwiek paΆmie czκstotliwoΆci, ktσre jest «przydzielane przez ITU» dla s³uΏb radiokomunikacyjnych, ale nie w celu namierzania radiowego.

c. Urz±dzenia wykorzystuj±ce fale akustyczne oraz specjalnie zaprojektowane do nich komponenty, z tego:

1. Urz±dzenia wykorzystuj±ce powierzchniowe fale akustyczne oraz szumi±ce powierzchniowo (p³ytkie) fale akustyczne (tj. urz±dzenia do «przetwarzania sygna³σw» wykorzystuj±ce fale odkszta³ceρ sprκΏystych w materia³ach), posiadaj±ce jedn± z nastκpuj±cych cech:

a. CzκstotliwoΆζ noΆn± powyΏej 2,5 GHz;

b. CzκstotliwoΆζ noΆn± wiκksz± niΏ 1 GHz, ale nie przekraczaj±c± 2,5 GHz oraz posiadajace jedn± z poniΏszych w³aΆciwoΆci:

1. T³umienie pasma bocznego czκstotliwoΆci powyΏej 55 dB;

2. Iloczyn maksymalnego czasu zw³oki i szerokoΆci pasma (czas w >ISO_7>μ>ISO_2>s, a szerokoΆζ pasma w MHz) powyΏej 100;

3. SzerokoΆζ pasma wiκksza, niΏ 250 MHz; lub

4. OpσΌnienie dyspersyjne powyΏej 10 >ISO_7>μ>ISO_2>s; lub

c. CzκstotliwoΆζ noΆn± wynosz±c± 1 GHz lub mniejsz± oraz posiadajace jedn± z poniΏszych w³aΆciwoΆci:

1. Iloczyn maksymalnego czasu zw³oki i szerokoΆci pasma (czas w >ISO_7>μ>ISO_2>s, a szerokoΆζ pasma w MHz) powyΏej 100;

2. OpσΌnienie dyspersyjne powyΏej 10 >ISO_7>μ>ISO_2>s; lub

3. T³umienie pasma bocznego czκstotliwoΆci powyΏej 55 dB i szerokoΆζ pasma wiκksza, niΏ 50 MHz.

2. Urz±dzenia wykorzystuj±ce przestrzenne fale akustyczne (tj. urz±dzenia do «przetwarzania sygna³σw» wykorzystuj±ce fale odkszta³ceρ sprκΏystych w materia³ach), umoΏliwiaj±ce bezpoΆrednie przetwarzanie sygna³σw z czκstotliwoΆciami powyΏej 1 GHz.

3. Urz±dzenia do «przetwarzania sygna³σw» optyczno-akustycznych wykorzystuj±ce oddzia³ywania pomiκdzy falami akustycznymi (przestrzennymi albo powierzchniowymi) a falami Άwietlnymi do bezpoΆredniego przetwarzania sygna³σw albo obrazσw, w³±cznie z analiz± widmow±, korelacj± lub splataniem.

d. Urz±dzenia lub uk³ady elektroniczne, zawierajace komponenty wykonane z materia³σw «nadprzewodz±cych» , specjalnie zaprojektowane do pracy w temperaturach poniΏej «temperatury krytycznej» , co najmniej jednego z elementσw «nadprzewodz±cych» , posiadaj±ce jedn± z nastκpuj±cych cech:

1. Prze³±czanie pr±dowe dla obwodσw cyfrowych za pomoc± bramek «nadprzewodz±cych» , dla ktσrego iloczyn czasu zw³oki na bramkκ (w sekundach) i rozproszenia mocy na bramkκ (w watach) wynosi poniΏej 10- 14 J; lub

2. Selekcjκ czκstotliwoΆci dla wszystkich czκstotliwoΆci za pomoc± obwodσw rezonansowych o wartoΆciach Q przekraczaj±cych 10000.

e. Urz±dzenia wysokoenergetyczne, takie jak:

1. Baterie oraz zespo³y fotowoltaiczne, takie jak:

Uwaga: Pozycja 3A001.e.1. nie obejmuje kontrol± baterii o objκtoΆciach rσwnych lub mniejszych niΏ 27 cm3 (np. standardowe ogniwa C lub baterie R14).

a. Ogniwa i baterie galwaniczne o gκstoΆci energii powyΏej 480 Wh/kg i przystosowane do pracy w zakresie temperatur od poniΏej 243 °K (- 30 °C) do powyΏej 343 °K (+70 °C);

b. Ogniwa i akumulatory do³adowywane, o gκstoΆci energii powyΏej 150 Wh/kg po 75 cyklach ³adowania/roz³adowania przy pr±dzie roz³adowania rσwnym C/5 godzin (C stanowi wartoΆζ pojemnoΆci nominalnej w amperogodzinach) w przypadku eksploatacji w zakresie temperatur od poniΏej 253 °K (- 20 °C) do powyΏej 333 °K (+60 °C);

Uwaga techniczna:

«GκstoΆζ energii» otrzymuje siκ mnoΏ±c Άredni± moc w watach (Άrednie napiκcie w woltach razy Άredni pr±d w amperach) przez czas roz³adowania do poziomu stanowi±cego 75 % napiκcia ja³owego, wyraΏony w godzinach oraz dziel±c przez ca³kowit± masκ ogniwa (albo akumulatora) wyraΏon± w kg.

c. P³yty z ogniwami fotoelektrycznymi «zastosowaρ kosmicznych» lub odporne na promieniowanie jonizuj±ce, o mocy jednostkowej przekraczaj±cej 160 W/m2 w temperaturze roboczej 301 °K (+28 °C), po oΆwietleniu Άwiat³em o natκΏeniu 1 kW/m2 emitowanym przez w³σkno wolframowe o temperaturze 2800 °K (2527 °C);

2. Wysokoenergetyczne kondensatory magazynuj±ce, takie jak.

N.B.: Patrz takΏe pozycja 3A201.a.

a. Kondensatory o czκstotliwoΆci powtarzania poniΏej 10 Hz (kondensatory jednokrotne) posiadaj±ce wszystkie niΏej wymienione cechy:

1. Napiκcie znamionowe rσwne lub wyΏsze niΏ 5 kV;

2. GκstoΆζ energii rσwn± lub wyΏsz± niΏ 250 J/kg; oraz

3. Energiκ ca³kowit± rσwn± lub wyΏsz± niΏ 25 kJ;

b. Kondensatory o czκstotliwoΆci powtarzania 10 Hz lub wyΏszej (kondensatory powtarzalne) posiadaj±ce wszystkie niΏej wymienione cechy:

1. Napiκcie znamionowe rσwne lub wyΏsze niΏ 5 kV;

2. GκstoΆζ energii rσwn± lub wyΏsz± niΏ 50 J/kg;

3. Energiκ ca³kowit± rσwn± lub wyΏsz± niΏ 100 kJ; oraz

4. —ywotnoΆζ mierzon± liczb± cykli ³adowanie/roz³adowanie wynosz±c± wiκcej niΏ 10000.

3. «Nadprzewodz±ce» elektromagnesy lub cewki, specjalnie zaprojektowane w sposσb umoΏliwiaj±cy ich pe³ne ³adowanie i roz³adowanie w czasie mniejszym niΏ 1 s., posiadaj±ce wszystkie niΏej wymienione cechy:

N.B.: Patrz takΏe pozycja 3A201.b.

Uwaga: Pozycja 3A001.e.3. nie obejmuje kontrol± elektromagnesσw, ani cewek «nadprzewodz±cych» , specjalnie zaprojektowanych do aparatury zobrazowania rezonansem magnetycznym (MRI), wykorzytywanej w medycynie.

a. Energia dostarczona podczas wy³adowania jest wiκksza od 10 kJ w pierwszej sekundzie;

b. ¦rednica wewnκtrzna uzwojenia pr±dowego cewki wynosi powyΏej 250 mm; oraz

c. Zosta³y dostosowane do indukcji magnetycznej powyΏej 8 T lub posiadaj± «ca³kowit± gκstoΆζ pr±du» w uzwojeniu powyΏej 300 A/mm2.

f. Urz±dzenia koduj±ce bezwzglκdne po³oΏenie wa³u, posiadaj±ce jedn± z niΏej wymienionych cech:

1. RozdzielczoΆζ lepsz± niΏ 1 czκΆζ na 265000 (rozdzielczoΆζ 18 bitσw) w pe³nym zakresie; lub

2. Dok³adnoΆζ lepsz± niΏ ± 2,5 sekundy k±towej.

3A002 Sprzκt elektroniczny ogσlnego przeznaczenia, taki jak:

a. Sprzκt do rejestracji i specjalnie zaprojektowane do nich taΆmy testowe:

1. Analogowe oprzyrz±dowanie do rejestracji na taΆmie magnetycznej, w³±cznie z urz±dzeniami umoΏliwiaj±cymi zapis sygna³σw cyfrowych (np. wykorzystuj±c modu³ do cyfrowego zapisu magnetycznego z duΏ± gκstoΆci± (HDDR)), posiadaj±ce jedn± z niΏej wymienionych cech:

a. SzerokoΆζ pasma powyΏej 4 MHz na kana³ elektroniczny lub ΆcieΏkκ;

b. SzerokoΆζ pasma powyΏej 2 MHz na kana³ elektroniczny lub ΆcieΏkκ oraz posiadaj±ce wiκcej niΏ 42 ΆcieΏki; lub

c. Uchyb przesuniκcia czasu (bazy), mierzony stosownie do dostκpnej dokumentacji IRIG lub EIA, mniejszy niΏ ± 0,1 >ISO_7>μ>ISO_2>s.

Uwaga: Rejestratory analogowe na taΆmie magnetycznej, specjalnie zaprojektowane do cywilnych zastosowaρ techniki wideo, nie s± rozpatryweane jako oprzyrz±dowanie rejestratorσw na taΆmie magnetycznej.

2. Cyfrowe rejestratory obrazσw na taΆmie magnetycznej, posiadaj±ce z³±cza komunikacyjne o maksymalnej szybkoΆci transmisji interfejsu cyfrowego przekraczaj±cej 360 Mbit/s.

Uwaga: Pozycja 3A002.a.2. nie obejmuje kontrol± cyfrowych rejestratorσw wideo na taΆmie magnetycznej specjalnie przeznaczonych do rejestracji sygna³u telewizyjnego z wykorzystaniem formatu sygna³u, ktσry moΏe zawieraζ format sygna³u skompresowanego, znormalizowanego lub zalecanego przez ITU, IEC, SMPTE, EBU, ETSI lub IEEE do stosowania w telewizji cywilnej;

3. Cyfrowe oprzyrz±dowanie do rejestracji na taΆmie magnetycznej, wykorzytujace techniki skanowania spiralnego lub g³owicy sta³ej, posiadaj±ce jedn± z niΏej wymienionych cech:

a. Maksymalna szybkoΆζ transmisji interfejsu cyfrowego przekraczaj±ca 170 Mbit/s; lub

b. Wykorzystywane w «zastosowaniach kosmicznych» .

Uwaga: Pozycja 3A002.a.3. nie obejmuje kontrol± rejestratorσw analogowych na taΆmie magnetycznej, wyposaΏonych w przetworniki elektroniczne HDDR oraz skonfigurowane do rejestracji wy³±cznie danych cyfrowych.

4. Sprzκt, posiadaj±cy maksymaln± szybkoΆζ transmisji interfejsu cyfrowego przekraczaj±c± 175 Mbit/s, zaprojektowany do przekszta³cania cyfrowych rejestratorσw obrazσw na taΆmie magnetycznej w cyfrowe rejestratory danych.

5. Przetworniki falowe oraz rejestratory stanσw przejΆciowych posiadaj±ce wszystkie z niΏej wymienionych cech:

a. SzybkoΆζ przetwarzania cyfrowego rσwn± lub wiκksz± niΏ 200 milionσw prσbek na sekundκ i rozdzielczoΆζ 10 bitσw lub wiκksz±; oraz

b. PrzepustowoΆζ ci±g³± 2 Gbit/s lub wiκksz±.

Uwaga techniczna:

W przypadku urz±dzeρ o rσwnoleg³ej architekturze szyn, przepustowoΆζ ci±g³± okreΆla siκ jako iloczyn najwiκkszej prκdkoΆci przesy³u s³σw i liczby bitσw w s³owie.

PrzepustowoΆζ ci±g³a oznacza najwiκksz± prκdkoΆζ przesy³ania danych przez urz±dzenie do pamiκci masowej, bez utraty informacji, z utrzymaniem prκdkoΆci prσbkowania i przetwarzania analogowo-cyfrowego.

6. Cyfrowe oprzyrz±dowanie do rejestracji danych, wykorzystuj±ce techniki sk³adowania na dyskach magnetycznych, posiadaj±ce wszystkie z niΏej wymienionych cech:

a. SzybkoΆζ przetwarzania cyfrowego rσwn± lub wiκksz± niΏ 100 milionσw prσbek na sekundκ i rozdzielczoΆζ 8 bitσw lub wiκksz±; oraz

b. PrzepustowoΆζ ci±g³± 1 Gbit/s lub wiκksz±.

b. «Elektroniczne zespo³y» «syntezatorσw czκstotliwoΆci» posiadaj±ce «czas prze³±czania czκstotliwoΆci» z jednej wybranej wartoΆci na drug± mniejszy niΏ 1 ms;

c. «Analizatory sygna³σw» o czκstotliwoΆciach radiowych, takie jak:

1. «Analizatory sygna³σw» zdolne do analizowania czκstotliwoΆci przekraczaj±cych 31,8 GHz, lecz mniejszych od 37,5 GHz lub przekraczaj±cych 43,5 GHz;

2. «Analizatory sygna³σw dynamicznych» posiadaj±ce «szerokoΆζ pasma czasu rzeczywistego» powyΏej 500 kHz.

Uwaga: Pozycja 3A002.c.2. nie obejmuje kontrol± «analizatorσw sygna³σw dynamicznych» , w ktσrych zastosowano jedynie filtry o sta³oprocentowej szerokoΆci pasma (znanych rσwnieΏ jako filtry oktawowe albo u³amkowo-oktawowe).

d. Generatory sygna³owe z syntez± czκstotliwoΆci, wytwarzaj±ce czκstotliwoΆci wyjΆciowe, ktσrych dok³adnoΆζ oraz stabilnoΆζ krσtko- i d³ugo- terminowa, podlega regulacji, powstaj±ce lub wymuszane przez wewnκtrzn± czκstotliwoΆζ podstawow±, posiadaj±ce jedn± z niΏej wymienionych cech:

1. Maksymalna czκstotliwoΆζ zsyntetyzowana przekraczaj±ca 31,8 GHz, lecz nie przekraczaj±ca 43,5 GHz oraz przystosowana do generowania impulsσw o czasie trwania mniejszym niΏ 100 ns;

2. Maksymaln± syntetyzowan± czκstotliwoΆci± przekraczaj±c± 43,5 GHz;

3. «Czas prze³±czania czκstotliwoΆci» z jednej wybranej wartoΆci na drug± mniejszy niΏ 1 ms; lub

4. Zak³σcenie fazowe pojedynczej wstκgi bocznej (SSB) lepsze niΏ - (126 + 20 log10 F - 20 log10 f), w dBc/Hz, gdzie F oznacza uchyb od czκstotliwoΆci roboczej w Hz, a f jest czκstotliwoΆci± robocz± w MHz;

Uwaga techniczna:

Dla celσw pozycji 3A002.d.1., «czas trwania impulsu» jest zdefiniowany jako odcinek czasu pomiκdzy osi±gniκciem, przez zbocze narastaj±ce impulsu 90 % wartoΆci szczytowej, a osi±gniκciem, przez zbocze opadajace impulsu 10 % wartoΆci szczytowej.

Uwaga: Pozycja 3A002.d. nie obejmuje kontrol± sprzκtu, w ktσrym czκstotliwoΆζ wyjΆciowa jest wytwarzana poprzez dodawanie albo odejmowanie dwσch lub wiκcej czκstotliwoΆci oscylatorσw kwarcowych, b±dΌ poprzez dodawanie lub odejmowanie, a nastκpnie mnoΏenie uzyskanego wyniku.

e. Analizatory sieci o maksymalnej czκstotliwoΆci roboczej przewyΏszj±cej 43,5 GHz;

f. Kontrolne odbiorniki mikrofalowe posiadaj±ce wszystkie niΏej wymienione cechy:

1. Maksymaln± czκstotliwoΆζ robocz± przewyΏszj±c± 43,5 GHz; oraz

2. Posiadaj±ce moΏliwoΆζ jednoczesnego pomiaru amplitudy i fazy;

g. Atomowe wzorce czκstotliwoΆci posiadaj±ce jedn± z niΏej wymienionych cech:

1. StabilnoΆζ d³ugookresowa (starzenie) mniejsza (lepsza) niΏ 1 x 10- 11/miesi±c; lub

2. Posiadanie «zastosowaρ kosmicznych» ;

Uwaga: Pozycja 3A002.g.1. nie obejmuje kontrol± rubidowych wzorcσw czκstotliwoΆci, nieposiadaj±cych «zastosowaρ kosmicznych» .

3A003 Systemy zarz±dzania termicznym ch³odzeniem natryskowym, wykorzystuj±cym sprzκt do obs³ugi i przywracania stanu z zamkniκtym obiegiem cieczy, umieszczone w uszczelnionych obudowach, w ktσrych p³yn dielektryczny, przy uΏyciu specjalnie zaprojektownych dysz, jest rozpylany na elementy elektroniczne, w celu utrzymania ich w dopuszczalnym przedziale temperatur pracy, oraz specjalnie zaprojektowne do nich komponenty.

3A101 Sprzκt, przyrz±dy i elementy elektroniczne, rσΏne od wyszczegσlnionych w pozycji 3A001, takie jak:

a. Przetworniki analogowo-cyfrowe, wykorzystywane w «pociskach rakietowych» , spe³niaj±ce wymagania wojskowe dla urz±dzeρ odpornych na wstrz±sy.

b. Akceleratory zdolne do generowania promieniowania elektromagnetycznego, wytwarzanego w wyniku hamowania elektronσw o energii 2 MeV lub wiκkszej, oraz systemy zawieraj±ce takie akceleratory.

Uwaga: Pozycja 3A101.b. nie okreΆla sprzκtu specjalnie zaprojektowanego do zastosowaρ medycznych.

3A201 Podzespo³y elektroniczne, rσΏne od wyszczegσlnionych w pozycji 3A001, takie jak:

a. Kondensatory posiadaj±ce jeden z nastκpuj±cych zestawσw cech:

1. a. Napiκcie znamionowe wiκksze niΏ 1,4 kV;

b. Zgromadzona energia wiκksza niΏ 10 J;

c. Reaktancja pojemnoΆciowa wiκksza niΏ 0,5 F; oraz

d. IndukcyjnoΆζ szeregowa mniejsza niΏ 50 nH; lub

2. a. Napiκcie znamionowe wiκksze niΏ 750 V;

b. Reaktancja pojemnoΆciowa wiκksza niΏ 0,25 F; oraz

c. IndukcyjnoΆζ szeregowa mniejsza niΏ 10 nH;

b. Nadprzewodnikowe elektromagnesy solenoidalne posiadaj±ce wszystkie niΏej wymienione cechy charakterystyczne:

1. Zdolne do wytwarzania pσl magnetycznych o natκΏeniu wiκkszym niΏ 2 T;

2. O stosunku d³ugoΆci do Άrednicy wewnκtrznej wiκkszym niΏ 2;

3. O Άrednicy wewnκtrznej wiκkszej niΏ 300 mm; oraz

4. Wytwarzaj±ce pole magnetyczne o rσwnomiernoΆci rozk³adu lepszej niΏ 1 % w zakresie Άrodkowych 50 % objκtoΆci wewnκtrznej.

Uwaga: Pozycja 3A201.b. nie obejmuje kontrol± magnesσw specjalnie zaprojektowanych i eksportowanych «jako czκΆci» medycznych systemσw do obrazowania metod± j±drowego rezonansu magnetycznego (NMR). Sformu³owanie «jako czκΆci» niekoniecznie oznacza fizyczn± czκΆζ wchodz±c± w sk³ad tej samej partii wysy³anego wyrobu; dopuszcza siκ moΏliwoΆζ oddzielnych wysy³ek z rσΏnych Όrσde³, pod warunkiem, Ώe w towarzysz±cej im dokumentacji eksportowej wyraΌnie okreΆla siκ, Ώe wysy³ane wyroby s± dostarczane «jako czκΆζ» systemu obrazowania.

c. Generatory b³yskowe promieniowania rentgenowskiego lub impulsowe akceleratory elektronσw posiad±jace jeden z nastκpuj±cych zestawσw cech:

1. a. Energia szczytowa akceleratora elektronσw rσwna 500 keV lub wiκksza, ale mniejsza niΏ 25 MeV; oraz

b. «Wspσ³czynnik dobroci» (K) rσwny 0,25 lub wiκkszy; lub

2. a. Energia szczytowa akceleratora elektronσw rσwna 25 MeV lub wiκksza; oraz

b. «Moc szczytowa» powyΏej 50 MW.

Uwaga: Pozycja 3A201.c. nie obejmuje kontrol± akceleratorσw stanowi±cych elementy sk³adowe urz±dzeρ zaprojektowanych do innych celσw, niΏ wytwarzania wi±zek elektronσw lub promieniowania rentgenowskiego (np. mikroskopy elektronowe) oraz urz±dzeρ zaprojektowanych do zastosowaρ medycznych.

Uwagi techniczne:

1. «Wspσ³czynnik dobroci» K jest zdefiniowany jako:

K = 1,7 Χ 10 3 V 2,65 Q ,

gdzie V jest szczytow± energi± elektronσw w milionach elektronowoltσw,

JeΏeli czas trwania impulsu wi±zki akceleratora wynosi mniej niΏ, lub jest rσwny 1 >ISO_7>μ>ISO_2>s, to Q jest ca³kowitym ³adunkiem przyspieszanym, wyraΏonym w Kulombach. JeΏeli czas trwania impulsu wi±zki akceleratora jest wiκkszy niΏ 1 >ISO_7>μ>ISO_2>s, to Q jest maksymalnym ³adunkiem przyspieszanym w 1 >ISO_7>μ>ISO_2>s.

Q rσwna siκ ca³ce z i po t, w przedziale o d³ugoΆci rσwnym mniejszej z dwσch wartoΆci: 1 >ISO_7>μ>ISO_2>s lub czasu trwania impulsu wi±zki (Q = >ISO_8>8747>ISO_2> idt), gdzie i jest natκΏeniem wi±zki w amperach, a t jest czasem w sekundach;

2. «Moc szczytowa» = (napiκcie szczytowe w woltach) x (szczytowy pr±d wi±zki w amperach).

3. W maszynach bazuj±cych na mikrofalowych akceleratorach rezonatorowych, czas trwania impulsu wi±zki jest mniejsz± z dwσch wartoΆci: 1 >ISO_7>μ>ISO_2>s lub czas trwania pakietu wi±zek wynikaj±cych z jednego impulsu modulatora mikrofalowego.

4. W maszynach bazuj±cych na mikrofalowych akceleratorach rezonatorowych, szczytowa wartoΆζ pr±du wi±zki jest wartoΆci± Άredni± pr±du podczas trwania pakietu wi±zek.

3A225 Przemienniki czκstotliwosci lub generatory, rσΏne od wyszczegσlnionych w pozycji 0B001.b.13., posiadaj±ce wszystkie niΏej wymienione cechy charakterystyczne:

a. WyjΆcie wielofazowe umoΏliwiaj±ce uzyskanie mocy rσwnej 40 W lub wiκkszej;

b. ZdolnoΆζ do pracy w zakresie czκstotliwoΆci pomiκdzy 600 a 2000 Hz;

c. Ca³kowite zniekszta³cenia harmoniczne lepsze (mniej) niΏ 10 %; oraz

d. Dok³adnoΆζ regulacji czκstotliwoΆci lepsza (mniejsza) niΏ 0,1 %.

Uwaga techniczna:

Przemienniki czκstotliwoΆci w pozycji 3A225, nazywane s± rσwnieΏ konwerterami lub inwerterami.

3A226 Wysokoenergetyczne zasilacze pr±du sta³ego, rσΏne od wyszczegσlnionych w pozycji 0B001.j.6., posiadaj±ce obydwie niΏej wymienione cechy charakterystyczne:

a. ZdolnoΆζ do ci±g³ego wytwarzania, w ci±gu 8 godzinnego okresu czasu, napiκcia 100 V lub wiκkszego z wyjΆciem pr±dowym 500 A lub wiκkszym; oraz

b. StabilnoΆci pr±du lub napiκcia, w ci±gu 8 godzinnego okresu czasu, lepszej niΏ 0,1 %.

3A227 Wysokonapiκciowe zasilacze pr±du sta³ego, rσΏne od wyszczegσlnionych w pozycji 0B001.j.5., posiadaj±ce obydwie niΏej wymienione cechy charakterystyczne:

a. ZdolnoΆζ do ci±g³ego wytwarzania, w ci±gu 8 godzinnego okresu czasu, napiκcia 20 kV lub wiκkszego z wyjΆciem pr±dowym 1 A lub wiκkszym; oraz

b. StabilnoΆci pr±du lub napiκcia, w ci±gu 8 godzinnego okresu czasu, lepszej niΏ 0,1 %.

3A228 Urz±dzenia prze³±czaj±ce, takie jak:

a. Lampy elektronowe o zimnej katodzie, bez wzglκdu na to, czy s± nape³nione gazem, czy teΏ nie, pracuj±ce podobnie do iskiernika i posiadaj±ce wszystkie niΏej wymienione cechy charakterystyczne:

1. Sk³adaj±ce siκ z trzech lub wiκcej elektrod;

2. Szczytowa wartoΆζ napiκcia anody rσwna 2500 V lub wiκcej;

3. Szczytowa wartoΆζ natκΏenia pr±du anodowego rσwna 100 A lub wiκcej; oraz

4. Czas zw³oki dla anody rσwny 10 >ISO_7>μ>ISO_2>s lub mniej.

Uwaga: Pozycja 3A228 obejmuje gazowe lampy kriotronowe i prσΏniowe lampy sprytronowe.

b. Iskierniki wyzwalane, posiadaj±ce obydwie niΏej wymienione cechy charakterystyczne:

1. Czas zw³oki dla anody rσwny 15 >ISO_7>μ>ISO_2>s lub mniej; oraz

2. Przystosowane do pr±dσw o natκΏeniach szczytowych rσwnych 500 A lub wiκkszych.

c. Modu³y lub zespo³y do szybkiego prze³±czania funkcji posiadaj±ce wszystkie niΏej wymienione cechy charakterystyczne:

1. Szczytowa wartoΆζ napiκcia anody rσwna 2 kV lub wiκcej;

2. Szczytowa wartoΆζ natκΏenia pr±du anodowego rσwna 500 A lub wiκcej; oraz

3. Czas w³±czania rσwny l >ISO_7>μ>ISO_2>s lub krσtszy.

3A229 Instalacje zap³onowe i rσwnowaΏne generatory impulsσw wysokopr±dowych, takie jak:

N.B.: SPRAWD¬ TAK—E WYKAZ UZBROJENIA.

a. Zestawy zap³onowe do detonatorσw, zaprojektowane do objκtych kontrol± detonatorσw typu wielokrotnego, wyszczegσlnionych w pozycji 3A232:

b. Modu³owe generatory impulsσw elektrycznych (impulsatory) posiadaj±ce wszystkie niΏej wymienione cechy charakterystyczne:

1. Zaprojektowane do urz±dzeρ przenoΆnych, przewoΌnych lub innych naraΏonych na wstrz±sy;

2. Umieszczone w obudowie py³oszczelnej;

3. Zdolne do dostarczenia swojej energii w przeci±gu do 15 >ISO_7>μ>ISO_2>s;

4. Posiadaj±ce wyjΆcie pr±dowe powyΏej 100 A;

5. Posiadaj±ce «czas narastania» poniΏej 10 >ISO_7>μ>ISO_2>s przy obci±Ώeniu poniΏej 40 >ISO_7>Ω>ISO_2>;

6. —aden z wymiarσw nie przekracza 254 mm;

7. Masa mniejsza niΏ 25 kg; oraz

8. Przeznaczone do pracy w rozszerzonym zakresie temperatur 223 K (- 50 °C) do 373 K (100 °C) lub nadaj±ce siκ do stosowania w przestrzeni kosmicznej.

Uwaga: Pozycja 3A229.b. obejmuje wzbudnice ksenonowych lamp b³yskowych.

Uwaga techniczna:

W pozycji 3A229.b.5. «czas narastania» jest zdefiniowany jako przedzia³ czasowy w zakresie od 10 do 90 % amplitudy natκΏenia pr±du w przypadku zasilania obci±Ώenia rezystancyjnego.

3A230 Szybkie generatory impulsowe posiadaj±ce obydwie niΏej wymienione cechy charakterystyczne:

a. Napiκcie wyjΆciowe wiκksze niΏ 6 woltσw, przy obci±Ώeniu rezystancyjnym mniejszym niΏ 55 >ISO_7>Ω>ISO_2>, oraz

b. «Czas narastania impulsσw» mniejszy niΏ 500 ps.

Uwaga techniczna:

W pozycji 3A230 «czas narastania impulsσw» definiuje siκ jako przedzia³ czasowy pomiκdzy 10 % a 90 % amplitudy napiκcia.

3A231 Systemy generowania neutronσw, w tym lampy, posiadaj±ce obydwie niΏej wymienione cechy charakterystyczne:

a. Przeznaczone do pracy bez zewnκtrznych instalacji prσΏniowych; oraz

b. Wykorzystuj±ce przyspieszanie elektrostatyczne do wzbudzania reakcji j±drowej trytu z deuterem.

3A232 Detonatory i wielopunktowe systemy inicjuj±ce, z tego:

N.B.: SprawdΌ takΏe Wykaz uzbrojenia.

a. Zap³onniki elektryczne, takie jak:

1. Eksploduj±ce zap³onniki mostkowe (EB);

2. Eksploduj±ce zap³onniki po³±czeρ mostkowych (EBW)

3. Zap³onniki udarowe;

4. Eksploduj±ce zap³onniki foliowe (EFI);

b. Instalacje z detonatorami pojedynczymi lub wielokrotnymi, przeznaczone do prawie rσwnoczesnego inicjowania wybuchσw, na obszarze wiκkszym niΏ 5000 mm2 , za pomoc± pojedynczego sygna³u zap³onowego, o opσΌnieniu synchronizacji na ca³ej powierzchni mniejszym niΏ 2,5 >ISO_7>μ>ISO_2>s.

Uwaga: Pozycja 3A232 nie obejmuje kontrol± zap³onnikσw, wykorzystujacych wy³±cznie inicjuj±ce materia³y wybuchowe, takie jak azydek o³owiawy.

Uwaga techniczna:

W pozycji 3A232 wszystkie przedmiotowe detonatory wykorzystuj± ma³e przewodniki elektryczne (mostki, po³±czenia mostkowe lub folie) gwa³townie odparowuj±ce po przepuszczeniu przez nie szybkich, wysokopr±dowych impulsσw elektrycznych. W przypadku zap³onnikσw nieudarowych, wybuchaj±cy przewodnik inicjuje eksplozjκ chemiczn± w zetkniκciu siκ z materia³em burz±cym, takim jak PETN (czteroazotan pentaerytrytu). W zap³onnikach udarowych, wybuchowe odparowanie przewodnika elektrycznego zwalnia przeskok bijnika przez szczelinκ, ktσrego uderzenie w materia³ wybuchowy inicjuje eksplozjκ chemiczn±. W niektσrych przypadkach bijnik napκdzany jest si³ami magnetycznymi. Termin detonator w postaci folii eksploduj±cej, moΏe odnosiζ siκ zarσwno do detonatorσw typu EB, jak i udarowych. TakΏe, s³owo inicjator jest czasami uΏywane zamiast s³owa detonator.

3A233 Spektrometry masowe, rσΏne od wyszczegσlnionych w pozycji 0B002.g., zdolne do pomiaru mas jonσw o wartoΆci 230 mas atomowych lub wiκkszej oraz posiadaj±ce rozdzielczoΆζ lepsz± niΏ 2 czκΆci na 230, oraz Όrσd³a jonσw do tych urz±dzeρ, z tego:

a. Plazmowe spektrometry masowe ze sprzκΏeniem indukcyjnym (ICP/MS);

b. Jarzeniowe spektrometry masowe (GDMS);

c. Termojonizacyjne spektrometry masowe (TIMS);

d. Spektrometry masowe z zespo³ami do bombardowania elektronami, posiadaj±ce komorκ ze Όrσd³em elektronσw wykonan± z materia³σw odpornych na UF6 , wyk³adan± lub powlekan± takimi materia³ami;

e. Nastκpuj±ce spektrometry masowe z wi±zk± molekularn±:

1. Posiadaj±ce komorκ ze Όrσd³em moleku³ wykonan± ze stali nierdzewnej lub molibdenu albo wyk³adan±, lub powlekan± takimi materia³ami, wyposaΏone w wymraΏarkκ umoΏliwiaj±c± ch³odzenie do 193 K (- 80 °C) lub niΏej; lub

2. Posiadaj±ce komorκ ze Όrσd³em moleku³ wykonan± z materia³σw odpornych na UF6 , wyk³adan± lub powlekan± takimi materia³ami;

f. Spektrometry masowe ze Όrσd³em jonσw do mikrofluoryzacji zaprojektowane do pracy w obecnoΆci aktynowcσw lub fluorkσw aktynowcσw.

3B Urz±dzenia testuj±ce, kontrolne i produkcyjne

3B001 Sprzκt do wytwarzania urz±dzeρ lub materia³σw pσ³przewodnikowych oraz specjalnie zaprojektowane do nich komponenty i akcesoria, z tego:

a. Sprzκt, zaprojektowany do osadzania warstwy epitaksjalnej, taki jak:

1. Sprzκt zdolny do wytwarzania niΏej wymienionych:

a. Pow³ok krzemowych o rσwnomiernej gruboΆci, wykonanej z dok³adnoΆci± poniΏej ± 2,5 % na odcinku o d³ugoΆci 200 mm lub wiκkszym; lub

b. Pow³ok z materia³σw rσΏnych od krzemu o rσwnomiernej gruboΆci, wykonanych z dok³adnoΆci± poniΏej ± 2,5 % na odcinku o d³ugoΆci 75 mm lub wiκkszym;

2. Reaktory do osadzania z par lotnych zwi±zkσw metaloorganicznych (MOCVD), specjalnie zaprojektowane do wytwarzania kryszta³σw pσ³przewodnikσw ze zwi±zkσw dziκki reakcji chemicznej pomiκdzy materia³ami wyszczegσlnionymi w pozycji 3C003 lub 3C004;

3. Sprzκt wykorzystuj±cy wi±zkκ molekularn± do wytwarzania warstw epitaksjalnych z surowca gazowego lub sta³ego.

b. Sprzκt zaprojektowany do implantacji jonσw, posiadaj±cy jedn± z niΏej wymienionych cech:

1. Energiκ wi±zki (napiκcie przyspieszaj±ce) powyΏej 1 MeV;

2. Specjalne zaprojektowany i optymalizowany do dzia³ania z energi± wi±zki (napiκciem przyspieszaj±cym) mniejsz± niΏ 2 keV;

3. ZdolnoΆζ bezpoΆredniego zapisu; lub

4. Posiadaj±cy energiκ wi±zki wynosz±c± 65 keV lub wiκksz± oraz natκΏenie wi±zki rσwne 45 mA lub wiκksze, w celu wysokoenergetycznej implantacji tlenu w podgrzany pσ³przewodnikowy materia³ «pod³oΏa» .

c. Sprzκt do suchego trawienia za pomoc± plazmy anizotropowej, taki jak:

1. Sprzκt typu kaseta-kaseta oraz load-lock, posiadaj±cy jedn± z niΏej wymienionych cech:

a. Zaprojektowany lub optymalizowany do produkcji z wymiarem krytycznym 0,3 >ISO_7>μ>ISO_2>m lub mniejszym, z dok³adnoΆci± 3 sigma ± 5 %; lub

b. Zaprojektowany do wytwarzania mniej niΏ 0,04 cz±steczek/cm2 z mierzaln± wielkoΆci± cz±steczki wiκksz± niΏ 0,1 >ISO_7>μ>ISO_2>m w Άrednicy;

2. Sprzκt specjalnie zaprojektowany lub sprzκt wyszczegσlniony w pozycji 3B001.e., posiadaj±cy jedn± z niΏej wymienionych cech:

a. Zaprojektowany lub optymalizowany do produkcji z wymiarem krytycznym 0,3 >ISO_7>μ>ISO_2>m lub mniejszym, z dok³adnoΆci± 3 sigma ± 5 %; lub

b. Zaprojektowany do wytwarzania mniej niΏ 0,04 cz±steczek/cm2 z mierzaln± wielkoΆci± cz±steczki wiκksz± niΏ 0,1 >ISO_7>μ>ISO_2>m w Άrednicy.

d. Sprzet do intensyfikowanego za pomoc± plazmy osadzania z par lotnych (CVD), taki jak:

1. Sprzκt typu kaseta-kaseta oraz load-lock, zaprojektowany stosownie do wymagaρ producenta lub optymalizowany do uΏytku w produkcji urz±dzeρ pσ³przewodnikowych o wymiarach krytycznych rσwnych 180 nm, lub mniejszych;

2. Sprzκt specjanie zaprojektowany do sprzκtu objκtego kontrol± przez pozycje 3B001.e., oraz stosownie do wymagaρ producenta lub optymalizowany do uΏytku w produkcji urz±dzeρ pσ³przewodnikowych o wymiarach krytycznych rσwnych 180 nm, lub mniejszych.

e. Automatycznie ³aduj±ce siκ, wielokomorowe, centryczne systemy do wytwarzania p³ytek elektronicznych, posiadaj±cy wszystkie z niΏej wymienionych cech:

1. Interfejsy wejΆciowe i wyjΆciowe do p³ytek, umoΏliwiaj±ce pod³±czenie wiκcej niΏ dwσch czκΆci pσ³przewodnikowego sprzκtu przetwarzaj±cego; oraz

2. Zaprojektowane do tworzenia zintegrowanego systemu, dzia³aj±cego w warunkach prσΏni, do sekwencyjnego wytwarzania p³ytek metod± powielania.

Uwaga: Pozycja 3B001.e. nie obejmuje kontrol± automatycznych, zrobotyzowanych systemσw wytwarzania p³ytek elektronicznych, nie zaprojektowanych do dzia³ania w warunkach prσΏni.

f. Sprzκt litograficzny, taki jak:

1. Sprzκt do wytwarzania p³ytek elektronicznych poprzez pozycjonowanie, naΆwietlanie oraz powielanie (bezpoΆredni krok na p³ytkκ) lub skanowanie (skaner), z wykorzystaniem metody fotooptycznej lub promieni rentgenowskich, posiadaj±cy jedn± z niΏej wymienionych cech:

a. ¬rσd³o Άwiat³a o d³ugoΆci fali krσtszej niΏ 350 nm; lub

b. Zdolne do wytwarzania wzorσw o «minimalnej rozdzielczoΆci wymiarowej» 0,35 >ISO_7>μ>ISO_2>m lub mniejszej.

Uwaga techniczna:

Rozmiar «minimalnej rozdzielczoΆci wymiarowej» obliczany jest wed³ug poniΏszego wzoru:

MRF = (d³ugoΆζ fali Όrσd³a Άwiat³a napromieniowuj±cego w>ISO_7>μ>ISO_2>m) Χ (wspσ³czynnik K) apertura liczbowa

gdzie: wspσ³czynnik K = 0,7

MRF = minimalna rozdzielczoΆζ wymiarowa.

2. Sprzκt specjalnie zaprojektowany do wytwarzania masek lub przyrz±dσw pσ³przewodnikowych za pomoc± odchylanej, zogniskowanej wi±zki elektronσw, jonσw lub «laserowej» , posiadaj±cy jedn± z niΏej wymienionych cech:

a. Aperturκ plamki poniΏej 0,2 >ISO_7>μ>ISO_2>m;

b. ZdolnoΆζ wytwarzania obrazσw o wielkoΆci charakterystycznej poniΏej 1 >ISO_7>μ>ISO_2>m; lub

c. Dok³adnoΆζ nak³adania warstw lepsz± niΏ ± 0,20 >ISO_7>μ>ISO_2>m (3 sigma).

g. Maski i siatki optyczne zaprojektowane do uk³adσw scalonych wyszczegσlnionych w pozycji 3A001;

h. Maski wielowarstwowe z warstw± z przesuniκciem fazowym.

Uwaga: Pozycja 3B001.h. nie obejmuje kontrol± wielowarstwowych masek z warstw± z przesuniκciem fazy, zaprojektowanych do wytworzenia urz±dzeρ pamiκciowych, nie objκtych kontrol± przez pozycjκ 3A001.

3B002 Sprzκt testuj±cy «ze sterowaniem zaprogramowanym w pamiκci» , specjalnie przeznaczony do testowania wykoρczonych i niewykoρczonych elementσw pσ³przewodnikowych oraz specjalnie zaprojektowane do nich komponenty i akcesoria, z tego:

a. Do testowania S - parametrσw urz±dzeρ tranzystorowych przy czκstotliwoΆciach powyΏej 31,8 GHz;

b. Do testowania uk³adσw scalonych zdolne do przeprowadzenia testowania funkcjonalnego (tabela loprawdy) z «szybkoΆci± wzorca» powyΏej 667 MHz.

Uwaga: Pozycja 3B002.b. nie obejmuje kontrol± sprzκtu testuj±cego specjalnie zaprojektowanego do:

1. «Zespo³σw elektronicznych» lub klasy «zespo³σw elektronicznych» do zastosowaρ domowych albo rozrywkowych;

2. Nieobjκtych kontrol± elementσw elektronicznych, «zespo³σw elektronicznych» lub uk³adσw scalonych;

3. Pamiκci.

Uwaga techniczna:

Dla celσw tej pozycji «szybkoΆζ wzorca» , okreΆlana jest jako maksymalna czκstotliwoΆζ operacji cyfrowych testera. Jest ona, dlatego rσwnowaΏna najwiκkszej szybkoΆci przesy³ania danych, z jak± tester moΏe dzia³aζ w trybie niemultipleksowym. Wspomina siκ o niej takΏe, jako o prκdkoΆci testowania, maksymalnej czκstotliwoΆci cyfrowej lub maksymalnej prκdkoΆci cyfrowej.

c. Do testowania mikrofalowych uk³adσw scalonych wyszczegσlnionych w pozycji 3A001.b.2.

3C Materia³y

3C001 Materia³y heteroepitaksjalne sk³adaj±ce siκ z «pod³oΏa» i wielu na³oΏonych epitaksjalnie warstw z jednego z niΏej wymienionych materia³σw:

a. Krzemu;

b. Germanu;

c. Wκglika krzemu; lub

d. Zwi±zkσw III/V galu lub indu.

Uwaga techniczna:

Zwi±zki III/V s± substancjami polikrystalicznymi, binarnymi lub z³oΏonymi substancjami monokrystalicznymi sk³adaj±cymi siκ z pierwiastkσw grupy IIIA i VA okresowego uk³adu Mendelejewa (np. arsenek galu, arsenek galu i glinu, fosforek indu).

3C002 Materia³y fotorezystywne, «pod³oΏa» powlekane, objκtymi kontrol±, materia³ami ochronnymi, z tego:

a. Materia³y fotorezystywne pozytywowe zaprojektowane do litografii pσ³przewodnikowej, specjalnie wyregulowanej (zoptymalizowanej) do stosowania w zakresie d³ugoΆci fali poniΏej 350 nm;

b. Wszystkie materia³y fotorezystywne, zaprojektowane do uΏytku z wi±zkami elektronowymi lub jonowymi, o czu³oΆci 0,01 >ISO_7>μ>ISO_2>C/mm2 lub lepszej;

c. Wszystkie materia³y fotorezystywne, przeznaczone do uΏytku promieni rentgenowskimi, posiadaj±ce czu³oΆζ 2,5 mJ/mm2 lub lepsz±;

d. Wszystkie materia³y fotorezystywne zoptymalizowane do technologii tworzenia obrazσw powierzchniowych, w³±cznie z fotorezystami «siliatowanymi» .

Uwaga techniczna:

Techniki «siliatowania» s± zdefiniowane jako procesy zawieraj±ce utlenianie powierzchni materia³σw fotorezystywnych w celu poprawy ich parametrσw zarσwno podczas wywo³ywania na sucho, jak i na mokro.

3C003 Zwi±zki organiczno-nieorganiczne, takie jak:

a. Materia³y metaloorganiczne z glinu, galu lub indu o czystoΆci (na bazie metalu) powyΏej 99,999 %;

b. Zwi±zki arsenoorganiczne, antymonoorganiczne i fosforoorganiczne o czystoΆci (na bazie zwi±zku nieorganicznego) lepszej niΏ 99,999 %.

Uwaga: Pozycja 3C003 obejmuje kontrol± wy³±cznie zwi±zki, w ktσrych sk³adnik metalowy, czκΆciowo metalowy lub sk³adnik niemetalowy jest bezpoΆrednio zwi±zany z wκglem w organicznym sk³adniku moleku³y.

3C004 Wodorki fosforu, arsenu lub antymonu o czystoΆci powyΏej 99,999 %, nawet rozpuszczone w gazach obojκtnych lub w wodorze.

Uwaga: Pozycja 3C004 nie obejmuje kontrol± wodorkσw zawieraj±cych molowo 20 %, lub wiκcej, gazσw obojκtnych lub wodoru.

3D Oprogramowanie

3D001 «Oprogramowanie» specjalnie zaprojektowane do «rozwoju» lub «produkcji» sprzκtu objκtego kontrol±, wyszczegσlnionego w pozycji 3A001.b. do 3A002.g., lub 3B.

3D002 «Oprogramowanie» specjalnie zaprojektowane do «uΏytkowania» dowolnych obiektσw z niΏej wymienionych:

a. Sprzκt wyszczegσlniony w pozycji 3B001.a. do .f.; lub

b. Sprzκt wyszczegσlniony w pozycji 3B002.

3D003 «Oprogramowanie» symulacyjne, bazuj±ce na fizyce, specjalnie zaprojektowane do «rozwoju» litografii, wytrawiania lub procesσw osadzania w celu przekszta³cenia maskuj±cych kszta³tσw w konkretn± topografiκ obszarσw przewodz±cych, dielektrycznych lub pσ³przewodnikowych.

Uwaga techniczna:

«Bazuj±ce na fizyce» w 3.D.3. oznacza wykorzystanie obliczeρ do okreΆlenia sekwencji przyczyn fizycznych oraz skutkσw zdarzeρ, opieraj±cych siκ na w³aΆciwoΆciach fizycznych (np. temperatura, ciΆnienie, sta³e dyfuzji oraz w³aΆciwoΆci materia³σw pσ³przewodnikowych).

Uwaga: Biblioteki, zwi±zane z nimi atrybuty i inne dane s³uΏ±ce do projektowania urz±dzeρ pσ³przewodnikowych lub uk³adσw scalonych s± postrzegane jako «technologia» .

3D004 «Oprogramowanie» specjalnie zaprojektowane do «rozwoju» sprzκtu wyszczegσlnionego w pozycji 3A003.

3D101 «Oprogramowanie» specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do «uΏytkowania» sprzκtu wyszczegσlnionego w pozycji 3A101.b.

3E Technologia

3E001 «Technologia» stosownie do Uwagi ogσlnej do technologii do «rozwoju» lub «produkcji» sprzκtu lub materia³σw wyszczegσlnionych w pozycji 3A, 3B lub 3C;

Uwaga 1: Pozycja 3E001 nie obejmuje kontrol± «technologii» do «produkcji» sprzκtu lub komponentσw objκtych kontrol± przez pozycjκ 3A003.

Uwaga 2: Pozycja 3E001 nie obejmuje kontrol± «technologii» do «rozwoju» lub «produkcji» uk³adσw scalonych wyszczegσlnionych w pozycji 3A001.a.3. do 3A001.a.12., posiadaj±cych wszystkie niΏej wymienione cechy:

1. Wykorzystuj±ce technologiκ 0,5 >ISO_7>μ>ISO_2>m lub wiκcej, oraz

2. Nie posiadaj±ce «struktury wielowarstwowej» .

Uwaga techniczna:

Pojκcie «struktura wielowarstwowa» nie obejmuje urz±dzeρ posiadaj±cych maksymalnie trzy warstwy metaliczne i trzy warstwy polikrzemowe.

3E002 «Technologia» stosownie do Uwagi ogσlnej do technologii, inna niΏ wyszczegσlnione w pozycji 3E001, do «rozwoju» lub «produkcji» «mikrouk³adσw mikroprocesorowych» , «mikrouk³adσw mikrokomputerowych» oraz uk³adσw mikrosterownikσw posiadaj±cych «kombinowan± teoretyczn± moc obliczeniow±» ( «CTP» ) rσwn± 530 milionσw teoretycznych operacji na sekundκ (Mtops) lub wiκcej, oraz jednostki arytmetyczno-logiczne z szyn± dostepu 32 bity lub wiκcej.

Uwaga: Uwaga 2 do pozycji 3E001 stosuje siκ takΏe do pozycji 3E002.

3E003 Inna «technologia» do «rozwoju» lub «produkcji» tego, co nastepuje:

a. PrσΏniowych urz±dzeρ mikroelektronicznych;

b. Heterostrukturalnych urz±dzeρ pσ³przewodnikowych, takich jak tranzystory o wysokiej ruchliwosci elektronσw (HEMT), tranzystory heterobipolarne (HBT), urz±dzenia nadstrukturalne oraz ze studni± kwantow±;

Uwaga: Pozycja 3E003.b. nie obejmuje kontrol± technologii dla tranzystorσw o wysokiej ruchliwosci elektronσw (HEMT), pracuj±cych na czκstotliwoΆciach niΏszych od 31,8 GHz oraz tranzystorσw heterobipolarnych (HBT), pracuj±cych na czκstotliwoΆciach niΏszych od 31,8 GHz.

c. «Nadprzewodnikowych» urz±dzeρ elektronicznych;

d. Pod³oΏy folii diamentowych do podzespo³σw elektronicznych;

e. Pod³oΏy do uk³adσw scalonych, typu «krzem na izolatorze» (SOI), gdzie izolatorem jest dwutlenek krzemu;

f. Pod³oΏy z wκglika krzemu dla komponentσw elektronicznych;

g. Elektronicznych lamp prσΏniowych, pracuj±cych na czκstotliwoΆciach rσwnych 31,8 GHz, lub wyΏszych.

3E101 «Technologia» stosownie do Uwagi ogσlnej do technologii, do «uΏytkowania» sprzκtu lub «oprogramowania» wyszczegσlnionego w pozycji 3A001.a.1. lub 3A001.a.2., 3A101 albo 3D101.

3E102 «Technologia» stosownie do Uwagi ogσlnej do technologii, do «rozwoju» «oprogramowania» wyszczegσlnionego w pozycji 3D101;

3E201 «Technologia» stosownie do Uwagi ogσlnej do technologii, do «uΏytkowania» sprzκtu wyszczegσlnionych w pozycji 3A0001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.e.5., 3A201, 3A225 do 3A233.

KATEGORIA 4

KOMPUTERY

Uwaga 1: Komputery, towarzysz±ce im sprzκt i «oprogramowanie» wype³niaj±ce funkcje telekomunikacyjne lub dzia³aj±ce w ramach «lokalnej sieci komputerowej» , musz± rσwnieΏ byζ analizowane pod k±tem spe³niania charakterystyk, przynaleΏnych do Kategorii 5, CzκΆζ 1 -Telekomunikacja.

Uwaga 2: Jednostki steruj±ce pod³±czone bezpoΆrednio do szyn lub ³±czy jednostek centralnych, «pamiκci operacyjnych» lub sterownikσw dyskσw nie s± uwaΏane za urz±dzenia telekomunikacyjne ujκte w Kategorii 5, CzκΆζ 1 - Telekomunikacja.

N.B.: Dla ustalenia poziomu kontroli «oprogramowania» specjalnie przeznaczonego do komutacji pakietσw, patrz pozycja 5D001.

Uwaga 3: Komputery, towarzyszace im urz±dzenia i «oprogramowanie» spe³niaj±ce funkcje szyfrowania, rozszyfrowywania, systemu zabezpieczeρ wymagaj±cego potwierdzania wielopoziomowego lub w wymagaj±cych potwierdzania systemach wyodrκbnienia uΏytkownika, lub, ktσre ograniczaj± zgodnoΆζ elektromagnetyczn± (EMC), naleΏy rσwnieΏ analizowaζ pod k±tem spe³niania charakterystyk, przynaleΏnych do Kategorii 5, CzκΆζ 2 - Ochrona informacji.

4A Systemy, sprzκt i komponenty

4A001 Komputery elektroniczne i towarzysz±cy im sprzκt, «zespo³y elektroniczne» oraz specjalnie do nich zaprojektowane komponenty, z tego:

N.B.: Patrz takΏe pozycja 4A101.

a. Specjalnie zaprojektowane, aby posiadaζ jedn± z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych:

1. MoΏliwoΆζ dzia³ania w temperaturze otoczenia poniΏej 228 °K (-45 °C) lub powyΏej 358 °K (+85 °C);

Uwaga: Pozycja 4A001.a.1. nie dotyczy komputerσw specjalnie zaprojektowanych do samochodσw cywilnych lub zastosowania w kolejnictwie.

2. Zabezpieczone przed promieniowaniem jonizuj±cym, o nastκpuj±cych parametrach minimalnych:

a. Dawka ca³kowita : 5 Χ 103 Gy (Si); b. Narastanie natκΏenia dawki : 5 Χ 106 Gy (SI)/s; lub c. Pojedyncze przypadkowe zak³σcenie : 1 Χ 10-7 b³κdσw/bit/dzieρ;

b. Posiadajace cechy charakterystyczne lub realizuj±ce dzia³ania, wykraczaj±ce poza ograniczenia Kategorii 5, CzκΆζ 2 - Ochrona informacji.

Uwaga: Pozycja 4A001.b. nie obejmuje kontrol± komputerσw elektronicznych i zwi±zanego z nimi sprzκtu, towarzysz±cymi uΏytkownikowi dla jego osobistego uΏytku.

4A003 «Komputery cyfrowe» , «zespo³y elektroniczne» i sprzκt im towarzysz±cy oraz specjalnie zaprojektowane dla nich komponenty, z tego:

Uwaga 1: Pozycja 4A003 obejmuje:

a. Procesory wektorowe,

b. Procesory tablicowe,

c. Cyfrowe procesory sygna³owe,

d. Procesory logiczne,

e. Sprzκt zaprojektowany do «udoskonalania obrazσw» ,

f. Sprzκt zaprojektowany do «przetwarzania sygna³σw» .

Uwaga 2: Poziom kontroli «komputerσw cyfrowych» i towarzysz±cego im sprzκtu opisany w pozycji 4A003 wynika z poziomu kontroli innego sprzκtu lub systemσw, pod warunkiem, Ώe:

a. «Komputery cyfrowe» lub towarzysz±cy im sprzκt maj± zasadnicze znaczenie dla dzia³ania innego sprzκtu lub systemσw;

b. «Komputery cyfrowe» lub towarzysz±cy im sprzκt nie s± «elementem o podstawowym znaczeniu» innego sprzκtu lub systemσw; oraz

N.B. 1: Poziom kontroli sprzκtu do «przetwarzania sygna³σw» lub «udoskonalania obrazσw» specjalnie przeznaczonych do innego sprzκtu i ograniczonych funkcjonalnie do wymogσw pracy tego sprzκtu wynika ze statusu kontroli innego sprzκtu, nawet, gdy wykracza to poza kryterium «elementu o podstawowym znaczeniu» .

N.B. 2: W przypadku poziomu kontroli «komputerσw cyfrowych» lub towarzysz±cego im sprzκtu, do sprzκtu telekomunikacyjnego patrz Kategoria 5, CzκΆζ 1 - Telekomunikacja.

c. «Technologia» do «komputerσw cyfrowych» i towarzysz±cego im sprzκtu jest okreΆlona przez pozycjκ 4E.

a. Zaprojektowane lub zmodyfikowane w celu «odpornoΆci na uszkodzenia» ;

Uwaga: Dla celσw pozycji 4A003.a., «komputery cyfrowe» i towarzysz±cy im sprzκt nie s± uwaΏane za «odporne na uszkodzenia» dziκki specjalnej konstrukcji lub odpowiedniej modyfikacji, jeΏeli zastosowano w nich:

1. Algorytmy wykrywania albo korekcji b³κdσw w «pamiκci operacyjnej» ;

2. Po³±czenie dwσch «komputerσw cyfrowych» w jeden zespσ³, w taki sposσb, Ώe w razie awarii jednej z aktywnych jednostek centralnych dzia³ania zwi±zane z kontynuacj± pracy systemu moΏe przej±ζ bliΌniacza jednostka centralna, znajduj±ca siκ do tej chwili na biegu ja³owym;

3. Po³±czenie dwσch jednostek centralnych szynami danych poprzez wykorzystywan± wspσlnie pamiκζ w celu umoΏliwienia danej jednostce centralnej wykonywania innych dzia³aρ do czasu awarii drugiej jednostki centralnej, co spowoduje przejκcie wszystkich prac zwi±zanych z funkcjonowaniem systemu przez pierwsz± jednostkκ centraln±; lub

4. Synchronizacjκ dwσch jednostek centralnych za pomoc± «oprogramowania» , w taki sposσb, Ώe jedna z nich rozpoznaje awariκ drugiej i przejmuje w takiej sytuacji jej zadania.

b. «Komputery cyfrowe» posiadaj±ce «teoretyczn± moc kombinowan±» ( «CTP» ) powyΏej 28000 milionσw teoretycznych operacji kombinowanych na sekundκ (Mtops);

c. «Zespo³y elektroniczne» specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane w celu polepszenia mocy obliczeniowej poprzez agregacjκ «elementσw obliczeniowych» ( «CE» ), w taki sposσb, Ώe «CTP» agregatu przekracza wartoΆci graniczne, zawarte w pozycji 4A003.b.;

Uwaga 1: Pozycja 4A003.c. odnosi siκ wy³±cznie do «zespo³σw elektronicznych» i programowanych po³±czeρ, ktσrych moc obliczeniowa nie wykracza poza wartoΆci graniczne okreΆlone w pozycji 4A003.b., w przypadku dostarczania ich jako «zespo³y elektroniczne» w stanie roz³oΏonym. Pozycja ta nie dotyczy «zespo³σw elektronicznych» , ktσre ze wzglκdu na charakter swojej konstrukcji nie mog± z natury rzeczy byζ wykorzystywane jako urz±dzenia towarzysz±ce, wyszczegσlnione w pozycji 4A003.d. lub 4A003.f.

Uwaga 2: Pozycja 4A003.c nie obejmuje kontrol± «zespo³σw elektronicznych» , specjalnie zaprojektowanych do wyrobu albo rodziny wyrobσw, ktσrych maksymalna konfiguracja nie wykracza poza ograniczenia zawarte w pozycji 4A003.b.

d. Nie uΏywany;

e. Sprzκt do przetwarzania analogowo-cyfrowego o parametrach wykraczaj±cych poza wartoΆci graniczne okreΆlone w pozycji 3A001.a.5.;

f. Nie uΏywany;

g. Sprzκt specjalnie zaprojektowany w celu zapewnienia po³±czenia zewnκtrznego «komputerσw cyfrowych» lub towarzysz±cego im sprzκtu, ktσry pozwala na wymianκ danych z szybkoΆciami przekraczaj±cymi 1,25 Gb/s.

Uwaga: Pozycja 4A003.g. nie obejmuje kontrol± sprzκtu zapewniaj±cego po³±czenia wewnκtrzne (np. tablice po³±czeρ, szyny), urz±dzeρ ³±cz±cych o charakterze pasywnym, «sterownikσw dostκpu do sieci» ani «sterownikσw torσw telekomunikacyjnych» .

4A004 Komputery i specjalnie do nich zaprojektowany sprzκt towarzysz±cy, «zespo³y elektroniczne» i komponenty dla nich, z tego:

a. «Komputery z dynamiczn± modyfikacj± zestawu procesorσw» ;

b. «Komputery neuronowe» ;

c. «Komputery optyczne» .

4A101 Komputery analogowe, «komputery cyfrowe» lub cyfrowe analizatory rσΏniczkowe, rσΏne od wyszczegolnionych w pozycji 4A001.a.1., zabezpieczone przed naraΏeniami mechanicznymi lub podobnymi i specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do uΏycia w kosmicznych pojazdach noΆnych, wyszczegolnionych w pozycji 9A004 lub w rakietach meteorologicznych wyszczegolnionych w pozycji 9A104.

4A102 «Komputery hybrydowe» , specjalnie zaprojektowane do modelowania, symulowania lub integrowania konstrukcyjnego kosmicznych pojazdσw noΆnych wyszczegσlnionych w pozycji 9A004, lub rakiet meteorologicznych wyszczegσlnionych w pozycji 9A104.

Uwaga: Kontrola dotyczy wy³±cznie takich sytuacji, w ktσrych sprzκt jest dostarczany z «oprogramowaniem» wyszczegσlnionym w pozycji 7D103 lub 9D103.

4B Urz±dzenia testuj±ce, kontrolne i produkcyjne

—adne

4C Materia³y

—adne

4D Oprogramowanie

Uwaga: Poziom kontroli «oprogramowania» do «rozwoju» , «produkcji» , lub «uΏytkowania» urz±dzeρ opisanych w innych kategoriach wynika z odpowiedniej kategorii. Status kontroli «oprogramowania» do urz±dzeρ opisanych w niniejszej kategorii jest z ni± zwi±zany.

4D001

a. «Oprogramowanie» specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do «rozwoju» , «produkcji» lub «uΏytkowania» sprzκtu lub «oprogramowania» wyszczegσlnionych w pozycji 4A001 do 4A004 lub 4D;

b. «Oprogramowanie» , inne niΏ wyszczegσlnione w pozycji 4D001.a., specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do «rozwoju» lub «produkcji» niΏej wymienionych:

1. «Komputery cyfrowe» posiadaj±ce «teoretyczn± moc kombinowan±» ( «CTP» ) powyΏej 28000 milionσw teoretycznych operacji kombinowanych na sekundκ (Mtops); lub

2. «Zespo³y elektroniczne» specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane w celu polepszenia mocy obliczeniowej poprzez agregacjκ «elementσw obliczeniowych» ( «CE» ) w taki sposσb, Ώe «CTP» agregatu przekracza wartoΆci graniczne, zawarte w pozycji 4A001.b.1.;

4D002 «Oprogramowanie» specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do wspomagania «technologii» wyszczegσlnionych w pozycji 4E;

4D003 «Oprogramowanie» specjalne, takie jak:

a. «Oprogramowanie» systemu operacyjnego, programy narzκdziowe i kompilatory do opracowywania «oprogramowania» specjalnie przeznaczone do urz±dzeρ do «wielostrumieniowego przetwarzania danych» na «kod Όrσd³owy» ;

b. Nie uΏywany;

c. «Oprogramowanie» o cechach lub moΏliwoΆciach realizacji funkcji wykraczaj±cych poza ograniczenia wymienione w pozycjach Kategorii 5, CzκΆζ 2 - Ochrona informacji;

Uwaga: Pozycja 4D003.c. nie obejmuje kontrol± «oprogramowania» , kiedy towarzyszy ono uΏytkownikowi dla jego osobistego uΏytku.

4E Technologia

4E001

a. «Technologia» stosownie do Uwagi ogσlnej do technologii do «rozwoju» lub «produkcji» sprzκtu lub «oprogramowania» wyszczegσlnionych w pozycji 4A lub 4D;

b. «Technologia» , inna niΏ wyszczegσlniona w pozycji 4E001.a., specjalnie zaprojektowana lub zmodyfikowana do «rozwoju» lub «produkcji» niΏej wymienionych:

1. «Komputery cyfrowe» posiadaj±ce «teoretyczn± moc kombinowan±» ( «CTP» ) powyΏej 28000 milionσw teoretycznych operacji kombinowanych na sekundκ (Mtops); lub

2. «Zespo³y elektroniczne» specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane w celu polepszenia mocy obliczeniowej poprzez agregacjκ «elementσw obliczeniowych» ( «CE» ), w taki sposσb, Ώe «PTP» agregatu przekracza wartoΆci graniczne, zawarte w pozycji 4E00a.b.1.;

Uwaga techniczna dotycz±ca «teoretycznej mocy kombinowanej» ( «CTP» )

Skrσty stosowane w niniejszej Uwadze technicznej

«CE» «element obliczeniowy» (typowo, jednostka arytmetyczno-logiczna) FP zmienny przecinek XP sta³y przecinek T czas wykonania XOR nierσwnowaΏnoΆζ CPU jednostka centralna TP teoretyczna moc obliczeniowa (pojedynczego «CE» ) «CTP» «teoretyczna moc kombinowana» (wielu «CE» ) R efektywna szybkoΆζ obliczeniowa WL d³ugoΆζ s³owa L wspσ³czynnik poprawkowy d³ugoΆci s³owa * mnoΏenie Czas wykonania «t» wyraΏa siκ w >ISO_7>μ>ISO_2>s, natomiast TP i «CTP» w milionach teoretycznych operacji na sekundκ (Mtops), a WL w bitach.

Omσwienie sposobu obliczania «CTP»

«CTP» jest miar± mocy obliczeniowej wyraΏan± w Mtops. W celu obliczenia «CTP» pewnego zespo³u (agregatu) «CE» naleΏy wykonaζ czynnoΆci podzielone na trzy nastκpuj±ce etapy:

1. Obliczyζ efektywn± szybkoΆζ obliczeniow± R kaΏdego «CE» ;

2. Skorygowaζ uzyskan± efektywn± szybkoΆζ obliczeniow± (R) za pomoc± wspσ³czynnika poprawkowego d³ugoΆci s³owa, dziκki czemu uzyska siκ Moc Teoretyczn± (TP) kaΏdego «CE» ;

3. W przypadku istnienia wiκcej niΏ jednego «CE» , po³±czyζ wszystkie wynikowe TP, uzyskuj±c w wyniku «CTP» ca³ego danego uk³adu.

Szczegσ³owe informacje na temat podanych etapσw postκpowania zamieszczono dalej.

Uwaga 1: W przypadku agregatσw z³oΏonych z wielu «CE» , posiadaj±cych podsystemy zarσwno z pamiκci± dzielon± jak i niedzielon±, obliczanie «CTP» odbywa siκ na zasadzie hierarchicznej, w dwσch etapach: po pierwsze, grupuje siκ «CE» z podsystemami pamiκci dzielonej, a nastκpnie oblicza siκ «CTP» dla danych grup, stosuj±c tak± metodκ obliczeρ jak dla wielu «CE» z pamiκci± niedzielon±.

Uwaga 2: W obliczeniach «CTP» nie uwzglκdnia siκ «CE» o zastosowaniu ograniczonym do obs³ugi funkcji wejscia/wyjΆcia i peryferyjnych (np. napκdσw dyskowych, sterownikσw komunikacyjnych i wyΆwietlaczy obrazowych).

UWAGA TECHNICZNA DOTYCZ‛CA «CTP»

W podanej poniΏej tabeli przedstawiono sposσb liczenia efektywnej szybkoΆci obliczeniowej (R) dla kaΏdego «CE» :

Etap 1: Efektywna szybkoΆζ obliczeniowa R:

>TABELPOSITION>

Uwaga W: W przypadku wielu «CE» dzia³aj±cych w trybie potokowym, zdolnych do wykonania do jednej operacji arytmetycznej lub logicznej na kaΏdy cykl zegara po zape³nieniu trybu potokowego, moΏna ustaliζ szybkoΆζ obliczeniow± trybu potokowego. Efektywn± szybkoΆci± obliczeniow± (R) dla kaΏdego takiego «CE» jest najwiκksza szybkoΆζ w trybie potokowym lub szybkoΆζ realizacji obliczeρ w trybie niepotokowym.

Uwaga X: Dla «CE» realizuj±cych wielokrotne operacje arytmetyczne specjalnego typu w pojedynczym cyklu (np. dwa dodawania na cykl lub dwie identyczne operacje na cykl) czas realizacji t okreΆla siκ zaleΏnoΆci±:

t = czas cykluliczba identycznych operacji na cykl maszyny

«CE» wykonuj±ce rσΏne typy operacji arytmetycznych lub logicznych podczas pojedynczego cyklu maszynowego naleΏy traktowaζ jako wielokrotne oddzielne «CE» dzia³aj±ce rσwnoczeΆnie (np. «CE» wykonuj±cy dodawanie i mnoΏenie podczas jednego cyklu naleΏy traktowaζ jako dwa «CE» , raz jako wykonuj±cy dodawanie w jednym cyklu i po raz drugi jako wykonuj±cy mnoΏenie w drugim cyklu). W przypadku wykonywania przez pojedynczy «CE» zarσwno dzia³ania na skalarach, jak i na wektorach, naleΏy wybraζ krσtszy z czasσw realizacji.

Uwaga Y: W przypadku braku implementacji dodawania FP (zmiennoprzecinkowego) lub mnoΏenia FP, natomiast wykonywania przez dany «CE» dzielenia FP:

Rfp = lffpdivide

W przypadku realizacji przez dany «CE» odwrotnoΆci FP, ale bez moΏliwoΆci realizacji dodawania FP, mnoΏenia FP lub dzielenia FP, wartoΆζ Rfp wyznacza siκ z zaleΏnoΆci:

Rfp = lffpreciprocal

W razie braku implementacji wszystkich wymienionych instrukcji, efektywna moc FP wynosi 0.

Uwaga Z: W prostych operacjach logicznych pojedyncza instrukcja realizuje pojedyncze dzia³anie logiczne na nie wiκcej niΏ dwσch operandach o danej d³ugoΆci. W z³oΏonych operacjach logicznych pojedyncza instrukcja realizuje wiele dzia³aρ logicznych na dwσch lub wiκcej operandach, wskutek czego powstaje jeden lub wiκcej wynikσw.

SzybkoΆci obliczeniowe naleΏy obliczaζ dla wszystkich moΏliwych d³ugoΆci operandσw z uwzglκdnieniem zarσwno operacji potokowych (jeΏeli s± moΏliwe), jak i operacji niepotokowych, dla instrukcji wykonywanych najszybciej i dla kaΏdej d³ugoΆci operandu w oparciu o nastκpuj±ce zasady:

1. Operacje potokowe lub typu rejestr-rejestr. Z wykluczeniem bardzo krσtkich czasσw wykonania dla operacji na z gσry okreΆlonym operandzie lub operandach (na przyk³ad, mnoΏenie przez 0 lub 1). W razie braku implementacji operacji typu rejestr-rejestr, postκpowaζ wed³ug punktu (2).

2. Szybsze operacje typu rejestr-pamiκζ albo pamiκζ-rejestr; w razie braku rσwnieΏ takich operacji, postκpowaζ wed³ug punktu (3).

3. Operacje typu pamiκζ-pamiκζ.

W kaΏdym wymienionym powyΏej przypadku naleΏy skorzystaζ z najkrσtszego czasu wykonania potwierdzonego przez producenta.

Etap 2: TP dla kaΏdej moΏliwej d³ugoΆci operandu WL:

Skorygowaζ szybkoΆζ efektywn± R (lub R') za pomoc± wspσ³czynnika poprawkowego na d³ugoΆζ s³owa L w nastκpuj±cy sposσb:

TP = R Χ L

gdzie: L = (1/3 + WL/96)

Uwaga: UΏywana w tych obliczeniach d³ugoΆζ s³owa WL jest d³ugoΆci± operandu w bitach. (W przypadku, gdy w operacji uΏywane s± operandy o rσΏnych d³ugoΆciach, naleΏy wybraζ s³owo o najwiκkszej d³ugoΆci).

Dla celσw obliczania «CTP» , za jeden «CE» o d³ugoΆci s³owa (WL) rσwnej liczbie bitσw w przedstawieniu danych (zazwyczaj 32 lub 64) uwaΏa siκ kombinacjκ mantysy ALU i wyk³adnika ALU dla procesora zmiennoprzecinkowego albo jednoΆζ.

Korekcja tego typu nie znajduje zastosowania do wyspecjalizowanych procesorσw logicznych, w ktσrych nie s± realizowane instrukcje XOR. W takim przypadku TP = R.

Wybraζ maksymaln± wartoΆζ wynikow± TP dla:

KaΏdego XP - tylko «CE» (Rxp );

KaΏdego FP - tylko «CE» (Rfp );

KaΏdego kombinowanego FP i XP «CE» (R);

KaΏdego prostego procesora logicznego bez Ώadnej implementacji wymienionych operacji arytmetycznych; oraz

KaΏdego specjalnego procesora logicznego niewykonuj±cego Ώadnej z wymienionych operacji arytmetycznych ani logicznych.

Etap 3: «CTP» dla agregacji «CE» , w³±cznie z CPU:

Dla CPU sk³adaj±cego siκ z pojedynczego «CE» ,

«CTP»  = TP

(dla «CE» wykonuj±cych zarσwno operacje sta³o-, jak i zmiennoprzecinkowe,

TP = max (TPfp , TPxp ))

Sposσb obliczania «CTP» dla agregacji wielu «CE» dzia³aj±cych rσwnoczeΆnie:

Uwaga 1: W przypadku agregacji uniemoΏliwiaj±cych rσwnoczesne dzia³anie wszystkich «CE» naleΏy stosowaζ tκ konfiguracjκ moΏliwych «CE» , ktσra daje najwiκksz± z moΏliwych «CTP» . Przed obliczeniem «CTP» ca³ej kombinacji naleΏy obliczyζ TP kaΏdego «CE» dla kaΏdej teoretycznie moΏliwej wartoΆci maksymalnej.

N.B.: W celu obliczenia moΏliwych kombinacji «CE» dzia³aj±cych rσwnoczeΆnie naleΏy wygenerowaζ sekwencjκ instrukcji inicjuj±ca operacje w wielu «CE» poczynaj±c od najwolniejszego z nich (jest to taki element obliczeniowy, ktσry wymaga najwiκkszej liczby cykli do zakoρczenia swojego dzia³ania) i koρcz±c na najszybszym «CE» . MoΏliw± kombinacj± przy kaΏdej sekwencji cyklu jest taka kombinacja elementσw «CE» , ktσre dzia³aj± podczas cyklu. W sekwencji instrukcji naleΏy wzi±ζ pod uwagκ wszystkie ograniczenia sprzκtowe i (lub) konfiguracyjne (architektura) dla operacji pokrywaj±cych siκ ze sob±.

Uwaga 2: Pojedynczy uk³ad scalony lub p³ytka moΏe sk³adaζ siκ z wielu «CE» .

Uwaga 3: Zak³ada siκ, Ώe komputer moΏe wykonywaζ rσwnoczesne operacje w przypadku, gdy jego producent podaje w instrukcji uΏytkowania lub innej, Ώe komputer moΏe pracowaζ wspσ³bieΏnie, rσwnolegle lub wykonywaζ operacje albo dzia³ania rσwnoczesne.

Uwaga 4: Nie naleΏy agregowaζ wartoΆci «CTP» dla kombinacji «CE» po³±czonych ze sob± i z innymi w "lokalnych sieciach komputerowych", Rozleg³ych Sieciach Komputerowych (WAN), dzielonych wspσlnych po³±czeniach (urz±dzeniach wejΆcia/wyjΆcia), sterownikach wejΆζ/wyjΆζ oraz we wszelkich po³±czeniach komunikacyjnych implementowanych przez oprogramowanie.

Uwaga 5: NaleΏy agregowaζ wartoΆci «CE» dla wieloelementowych uk³adσw «CE» specjalnie opracowanych w celu poprawy parametrσw poprzez agregacjκ, rσwnoczesne dzia³anie i kombinacjκ w uk³adzie z dzieleniem wspσlnej pamiκci - lub typu wielokrotna pamiκζ/ «CE» - dzia³aj±cych rσwnoczeΆnie i z wykorzystaniem specjalnie opracowanego sprzκtu.

Agregacji tego typu nie stosuje siκ do zespo³σw opisanych w pozycji 4A003.c.

«CTP»  = TP1  + C2  Χ TP2  + ... + Cn  Χ TPn ,

gdzie TP s± uszeregowane wed³ug wartoΆci, przy czym TP1 jest najwiκksza, TP2 jest druga z kolei pod wzglκdem wartoΆci, ..., a TPn jest najmniejsz± z wartoΆci TP. Ci s± wspσ³czynnikami wynikaj±cymi z przepustowoΆci po³±czeρ pomiκdzy «CE» , okreΆlonymi w sposσb nastκpuj±cy:

W przypadku wielu «CE» dzia³aj±cych rσwnoczeΆnie i korzystaj±cych ze wspσlnej pamiκci:

C2  = C3  = C4  = ... = Cn  = 0,75

Uwaga 1: W przypadku, kiedy wartoΆζ «CPT» obliczona w podany powyΏej sposσb nie przekracza 194 Mtops, do obliczania Ci moΏna zastosowaζ nastκpuj±cy wzσr:

Ci = 0,75m

(i = 2, ..., n)

gdzie m = liczba elementσw «CE» lub grup «CE» o wspσlnym dostκpie,

pod warunkiem Ώe

1. TPi kaΏdej grupy lub grup «CE» nie jest wyΏsza od 30 Mtops

2. Elementy «CE» lub grupy elementσw «CE» dziel± wspσlny dostκp do pamiκci operacyjnej (z wyj±tkiem pamiκci podrκcznej (cache)) za poΆrednictwem pojedynczego kana³u; oraz

3. W danym czasie tylko jeden element «CE» lub grupa elementσw «CE» moΏe uΏywaζ takiego kana³u.

N.B. Nie dotyczy to pozycji objκtych kontrol± w ramach Kategorii 3.

Uwaga 2: «CE» korzystaj± ze wspσlnej pamiκci, jeΏeli maj± dostκp do wspσlnego segmentu pamiκci pσ³przewodnikowej. MoΏe to byζ pamiκζ podrκczna (cache), pamiκζ operacyjna albo inny rodzaj pamiκci wewnκtrznej. W tym przypadku nie uwzglκdnia siκ peryferyjnych jednostek pamiκciowych, takich jak stacje dyskσw, napκdy taΆm ani RAM-dyski.

Dla wielokrotnych uk³adσw «CE» lub grup «CE» niekorzystaj±cych ze wspσlnej pamiκci, po³±czonych ze sob± jednym lub wiκksz± liczba kana³σw danych:

Ci  = 0,75 Χ ki (i = 2, ..., 32) (patrz uwaga poniΏej)

= 0,60 Χ ki (i = 33, ..., 64)

= 0,45 Χ ki (i = 65, ..., 256)

= 0,30 Χ ki (i > 256)

WartoΆζ Ci okreΆla siκ w zaleΏnoΆci od liczby elementσw «CE» , a nie liczby wκz³σw,

gdzie

ki = min (Si /Kr , 1), oraz Kr = wspσ³czynnik normalizuj±cy do 20 MBajtσw/s Si = suma maksymalnych szybkoΆci transmisji danych (w jednostkach MB/s) dla wszystkich kana³σw danych po³±czonych z i-tym elementem «CE» lub grup± elementσw «CE» dziel±cych wspσln± pamiκζ. W przypadku obliczania Ci dla grupy elementσw «CE» , numer pierwszego «CE» w grupie wyznacza odpowiedni± wartoΆζ graniczn± dla Ci . Przyk³adowo, w agregacji grup sk³adaj±cych siκ kaΏda z 3 elementσw «CE» , grupa 22 bκdzie zawiera³a «CE» 64 , «CE» 65 i «CE» 66 . W³aΆciw± wartoΆci± graniczn± dla Ci dla tej grupy bκdzie 0,60.

Agregacja (elementσw «CE» lub grup elementσw «CE» ) powinna nastκpowaζ w kolejnoΆci od elementσw najszybszych do najwolniejszych; tj.:

TP1   > = TP2   > = ...  > = TPn , oraz

w przypadku TPi  = TPi + 1 w kolejnoΆci od najwiκkszego do najmniejszego; tj.:

Ci   > = Ci + 1

Uwaga: W przypadku, gdy TPi dla elementu «CE» lub grupy elementσw «CE» wynosi powyΏej 50 Mtops, nie uΏywa siκ wspσ³czynnika ki do elementσw «CE» od 2 do 12; tj. Ci dla elementσw «CE» 2 do 12 wynosi 0,75.

KATEGORIA 5

TELEKOMUNIKACJA I «OCHRONA INFORMACJI»

CZΚ¦Ζ 1

TELEKOMUNIKACJA

Uwaga 1: W pozycjach Kategorii 5, CzκΆζ 1, ujκto poziom kontroli komponentσw, sprzκtu «laserowego» , testuj±cego i «produkcyjnego» , oraz «oprogramowania» do nich, specjalnie zaprojektowanych do sprzκtu lub systemσw telekomunikacyjnych.

Uwaga 2: «Komputery cyfrowe» , towarzysz±cy im sprzκt lub «oprogramowanie» , maj±ce zasadniczy wp³yw na dzia³anie i wspomaganie dzia³aρ sprzκtu telekomunikacyjnego przedstawionych w pozycjach dotycz±cych telekomunikacji w niniejszej Kategorii, s± traktowane jako specjalnie opracowane komponenty, pod warunkiem, Ώe s± to modele standardowe, dostarczane przez producenta na zamσwienie klienta. Dotyczy to komputerowych systemσw obs³ugi, zarz±dzania, konserwacji, technicznych lub ksiκgowych.

5A1 Systemy, sprzκt i komponenty:

5A001

a. Dowolny typ sprzκtu telekomunikacyjnego, posiadaj±cy jedn± z niΏej wymienionych cech charakterystycznych lub w³aΆciwoΆci albo realizuj±cy jedn± z wymienionych funkcji:

1. Specjalnie zabezpieczone przed skutkami przejΆciowych zjawisk elektronicznych lub impulsu elektromagnetycznego, powstaj±cych w wyniku wybuchu j±drowego;

2. Specjalnie zabezpieczone przed promieniowaniem gamma, neutronowym lub jonizacyjnym;

3. Specjalnie zaprojektowane do eksploatacji w zakresie temperatur poza przedzia³em od 218 °K (- 55 °C) do 397 °K (+ 124 °C).

Uwaga: Pozycja 5A001.a.3. odnosi siκ wy³±cznie do sprzκtu elektronicznego.

Uwaga: Pozycje 5A001.a.2. i 5A001.a.3. nie obejmuj± kontrol± sprzκtu zaprojektowanego lub zmodyfikowanego do stosowania na pok³adach satelitσw.

b. Telekomunikacyjny sprzκt i systemy transmisyjne oraz specjalnie do nich zaprojektowane komponenty i osprzκt, posiadaj±ce jedn± z niΏej wymienionych cech charakterystycznych oraz w³aΆciwoΆci lub realizuj±cych jedn± z wymienionych poniΏej funkcji:

1. Bκd±ce systemami komunikacji podwodnej posiadaj±cymi jedn± z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych:

a. Akustyczna czκstotliwoΆζ noΆna spoza przedzia³u 20 kHz do 60 kHz;

b. Dzia³aj±ce w zakresie elektromagnetycznej czκstotliwoΆci noΆnej poniΏej 30 kHz; lub

c. Dzia³aj±ce z wykorzystaniem technik sterowania za pomoc± wi±zki elektronσw;

2. Bκd±ce sprzκtem radiowym dzia³aj±cym w paΆmie od 1,5 do 87,5 MHz, posiadaj±cymi dowoln± z wymienionych niΏej cech charakterystycznych:

a. Zastosowanie technik adaptacyjnych zapewniaj±cych t³umienie sygna³σw zak³σcaj±cych na poziomie wiκkszym niΏ 15 dB; lub

b. Spe³nianie obu niΏej wymienionych warunkσw:

1. Automatyczne przewidywanie i wybieranie czκstotliwoΆci oraz «ca³kowite szybkoΆci przesy³ania danych cyfrowych» na kana³, umoΏliwiaj±ce optymalizacjκ transmisji; oraz

2. Zaopatrzenie w liniowy wzmacniacz mocy umoΏliwiaj±cy rσwnoczesn± obrσbkκ wielu sygna³σw przy mocy wyjΆciowej 1 kW lub wyΏszej, w zakresie czκstotliwoΆci od 1,5 do 30 MHz, lub 250 W lub wyΏszej w zakresie czκstotliwoΆci od 30 do 87,5 MHz, w zakresie «pasma chwilowego» o szerokoΆci jednej oktawy lub wiκkszej oraz z wyjΆciem o zniekszta³ceniach harmonicznych lub innych lepszych niΏ - 80 dB;

3. Bκd±ce sprzκtem radiowym, w ktσrym zastosowano techniki «widma rozproszonego» w³±czaj±c hopping czκstotliwoΆci, posiadaj±cym dowoln± z niΏej wymienionych cech charakterystycznych:

a. Programowane przez uΏytkownika kody rozpraszania; lub

b. Ca³kowita szerokoΆζ przesy³anego pasma 100 lub wiκcej razy wiκksza od szerokoΆci pasma dowolnego z kana³σw informacyjnych w nadmiarze 50 kHz;

Uwaga: Pozycja 5A001.b.3.b. nie obejmuje kontrol± sprzκtu radiowego sieci telekomunikacyjnych w uk³adzie terytorialnym (komσrkowym) dzia³aj±cych w zakresie pasm cywilnych.

Uwaga: Pozycja 5A001.b.3. nie obejmuje kontrol± urz±dzeρ o mocy wyjΆciowej 1 W lub mniejszej.

4. Bκd±ce sprzκtem radiowym, w ktσrym zastosowano techniki «modulowanych czasem ultra pasm przenoszenia» , posiadaj±ce programowane przez uΏytkownika kody kanalizowania lub rozpraszania.

5. Bκd±ce sterowanymi cyfrowo odbiornikami radiowymi, ktσre jednoczeΆnie:

a. Posiadaj± ponad 1000 kana³σw;

b. Charakteryzuj± siκ «czasem prze³±czania czκstotliwoΆci» niΏszym od 1 ms;

c. UmoΏliwiaj± automatyczne przeszukiwanie lub skanowanie czκΆci widma fal elektromagnetycznych; i

d. UmoΏliwiaj± identyfikacjκ odbieranych sygna³σw lub typu nadajnika.

Uwaga: Pozycja 5A001.b.4. nie obejmuje kontrol± sprzκtu specjalnie zaprojektowanego do komσrkowych radiowych sieci telekomunikacyjnych, dzia³aj±cych w zakresie pasm cywilnych.

6. Bκd±ce urz±dzeniami wykorzystuj±cymi funkcje cyfrowego «przetwarzania sygna³σw» dla realizacji kodowania mowy z szybkoΆci± poniΏej 2400 bitσw/s.

Uwaga techniczna:

Dla zmiennych wspσ³czynnikσw kodowania g³osu, pozycja 5A001.b.6. stosuje kodowanie wyjΆcia ci±gtego sygna³u g³osowego.

c. ¦wiat³owodowe kable komunikacyjne, Άwiat³owody oraz akcesoria, z tego:

1. ¦wiat³owody o d³ugoΆci ponad 500 m i okreΆlone przez producenta, jako mog±ce siκ oprzeζ podczas testu kontrolnego, naprκΏeniom rozci±gaj±cym wynosz±cym 2 Χ 109 N/m2 lub wiκksze;

Uwaga techniczna:

Test Kontrolny: prowadzona na bieΏ±co (on line) albo poza lini± produkcyjn± (off-line) kontrola zupe³na, podczas ktσrej wszystkie w³σkna s± obci±Ώane dynamicznie z gσry okreΆlonymi naprκΏeniami rozci±gaj±cymi, dzia³aj±cymi na odcinek Άwiat³owodu o d³ugoΆci od 0,5 do 3 m, przeci±gany z szybkoΆci± 2 do 5 m/s pomiκdzy bκbnami nawijaj±cymi o Άrednicy oko³o 150 mm. Temperatura otoczenia powinna wynosiζ 293 °K (20 °C), a wilgotnoΆζ wzglκdna 40 %. Testy kontrolne moΏna przeprowadziζ wed³ug rσwnowaΏnych norm narodowych.

2. Kable Άwiat³owodowe i akcesoria zaprojektowane do pracy pod wod±;

Uwaga: Pozycja 5A001.c.2. nie obejmuje kontrol± kabli i akcesoriσw dla standardowej telekomunikacji cywilnej.

N.B. 1: Dla kabli startowych (pκpowinowych) lub ³±cznikσw do nich patrz takΏe pozycja 8A002.a.3.

N.B. 2: Dla Άwiat³owodowych penetratorσw kad³ubσw statkσw lub z³±czy do nich takΏe pozycja 8A002.c.

d. «Elektronicznie sterowane fazowane uk³ady antenowe» pracuj±ce w zakresie czκstotliwoΆci powyΏej 31 GHz;

Uwaga: Pozycja 5A001.d. nie obejmuje kontrol± «elektronicznie sterowanych fazowanych uk³adσw antenowych» do systemσw kontroli l±dowania oprzyrz±dowanych wed³ug wymagaρ norm ICAO obejmuj±cych mikrofalowe systemy kontroli l±dowania (MLS).

5A101 Sprzκt do zdalnego przekazywania wynikσw pomiarσw i do zdalnego sterowania, w³±czaj±c sprzκt naziemny, zaprojektowany lub zmodyfikowany do uΏycia w «pociskach rakietowych» .

Uwaga techniczna:

W pozycji 5A101 «pocisk rakietowy» , oznacza kompletne systemy rakietowe oraz systemy bezza³ogowych statkσw powietrznych, zdolnych do pokonania odleg³oΆci przekraczaj±cej 300 km.

Uwaga: Pozycja 5A101 nie obejmuje kontrol±:

a. Sprzκtu zaprojektowanego lub zmodyfikowanego do za³ogowych statkσw powietrznych lub satelitσw;

b. Sprzκt naziemny, zaprojektowany lub zmodyfikowany do zastosowaρ l±dowych lub morskich;

c. Sprzκt zaprojektowany do celσw komercyjnych, cywilnych lub «ratowania Ώycia» (np. integralnoΆci danych, bezpieczeρstwa lotσw) us³ug GNSS.

5B1 Urz±dzenia testuj±ce, kontrolne i produkcyjne

5B001

a. Sprzκt i specjalnie zaprojektowane do niego elementy i akcesoria, specjalnie zaprojektowane do «rozwoju» , «produkcji» i «uΏytkowania» urz±dzeρ, materia³σw, funkcji lub w³aΆciwoΆci ujκtych w pozycjach 5A001, 5B001, 5D001 lub 5E001;

Uwaga: Pozycja 5B001.a. nie obejmuje kontrol± sprzκtu do cechowania Άwiat³owodσw.

b. Sprzκt i specjalnie zaprojektowane do niego elementy i akcesoria, specjalnie zaprojektowane do «rozwoju» , nastκpuj±cych urz±dzeρ telekomunikacyjnych lub prze³±czaj±cych:

1. Sprzκt, w ktσrym zastosowano techniki cyfrowe, zaprojektowane do pracy z «ca³kowit± cyfrow± szybkoΆci± transferu» przekraczaj±c± 15 Gbit/s;

Uwaga techniczna:

Dla sprzκtu prze³±czaj±cego «ca³kowita cyfrowa szybkoΆζ transferu» jest mierzona dla najwiκkszej szybkoΆci portu lub linii.

2. Sprzκt wykorzystuj±cy «laser» i posiadaj±cy nastκpuj±ce cechy:

a. D³ugoΆζ fali nadawczej przekraczaj±ca 1750 nm;

b. Daj±cy «wzmocnienie optyczne» ;

c. Wykorzystuj±cy techniki koherentnego przekazu optycznego lub koherentnej detekcji optycznej (zwane takΏe technikami heterodyny optycznej lub technikami homodynowymi); lub

d. Stosuj±cy techniki analogowe i posiadaj±cy szerokoΆζ pasma przekraczaj±c± 2,5 GHz;

Uwaga: Pozycja 5A001.b.2.d. nie obejmuje kontrol± sprzκtu specjalnie zaprojektowanego do «rozwoju» systemσw telewizji komercyjnej.

3. Sprzκt wykorzystuj±cy «komutacjκ optyczn±» ;

4. Sprzκt radiowy wykorzystuj±cy technikκ modulacji kwadraturowej (QAM), powyΏej poziomu 128; lub

5. Sprzκt wykorzystuj±cy «wspσlny kana³ sygnalizowania» , pracuj±cy w trybie nie-skojarzonym;

5C1 Materia³y

—adne

5D1 Oprogramowanie

5D001

a. «Oprogramowanie» specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do «rozwoju» , «produkcji» lub «uΏytkowania» sprzκtu, funkcji lub w³aΆciwoΆci wyszczegσlnionych w pozycji 5A001 lub 5B001;

b. «Oprogramowanie» specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do wspierania «technologii» wyszczegσlnionej w pozycji 5E001;

c. Specyficzne «oprogramowanie» , takie jak:

1. «Oprogramowanie» specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane w celu umoΏliwienia sprzκtowi osi±gniκcia cech charakterystycznych, funkcji lub w³aΆciwoΆci, wyszczegσlnionych w pozycji 5A001 lub 5B001;

2. Nie uΏywany;

3. «Oprogramowanie» inne, niΏ w postaci wykonywalnej maszynowo, specjalnie zaprojektowane do «adaptacyjnego dynamicznego wyboru trasy» .

d. «Oprogramowanie» , specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do «rozwoju» , nastκpuj±cego sprzκtu telekomunikacyjnych oraz prze³±czaj±cego:

1. Sprzκt wykorzystuj±cy techniki cyfrowe, zaprojektowane do pracy z «ca³kowit± cyfrow± szybkoΆci± transferu» przekraczaj±c± 15 Gbit/s;

Uwaga techniczna:

Dla sprzκtu prze³±czaj±cego «ca³kowita cyfrowa szybkoΆζ transferu» jest mierzona dla najwiκkszej szybkoΆci portu lub linii.

2. Sprzκt wykorzystuj±cy «laser» i posiadaj±cy nastκpuj±ce cechy;

a. D³ugoΆζ fali nadawczej przekraczaj±ca 1750 nm; lub

b. Stosuj±ce techniki analogowe i posiadaj±ce szerokoΆζ pasma przekraczaj±c± 2,5 GHz;

Uwaga: Pozycja 5A001.d.2.b. nie obejmuje kontrol± «oprogramowania» specjalnie zaprojektowanego do «rozwoju» systemσw telewizji komercyjnej.

3. Sprzκt wykorzystuj±cy «komutacjκ optyczn±» ;

4. Sprzκt radiowy wykorzystuj±cy technikκ modulacji kwadraturowej (QAM), powyΏej poziomu 128;

5D101 «Oprogramowanie» , specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do «uΏytkowania» sprzκtu wyszczegσlnionego w pozycji 5A101.

5E1 Technologia

5E001

a. «Technologia» stosownie do Uwagi ogσlnej do technologii do «rozwoju» lub «produkcji» lub «uΏytkowania» (wy³±czaj±c obs³ugiwanie) sprzκtu, funkcji, w³aΆciwoΆci lub «oprogramowania» , wyszczegσlnionych poryemi 5A001, 5B001 lub 5D001;

b. Technologie specjalne, takie jak:

1. «Technologie» «niezbκdne» do «rozwoju» lub «produkcji» sprzκtu telekomunikacyjnego zaprojektowanego specjalnie do instalowania w satelitach;

2. «Technologie» do «rozwoju» lub «uΏytkowania» «laserowych» technik komunikacyjnych z moΏliwoΆci± automatycznego wykrywania, ustalania pochodzenia i Άledzenia sygna³σw oraz utrzymywania komunikacji w egzoatmosferze lub w Άrodowisku podpowierzchniowym (podwodnym);

3. «Technologie» do «rozwoju» komσrkowych cyfrowych systemσw radiowych, ktσrych moΏliwoΆci odbiorcze pozwalaj± na multi-pasmowe, multi-kana³owe, multi-trybowe, multi-kodowe algorytmy lub multi-protoko³owe uΏytkowanie, ktσre moΏe byζ modyfikowane poprzez zmiany w «oprogramowaniu» ;

4. «Technologie» do «rozwoju» technik «widma rozproszonego» , ³±cznie z technikami «hoppingu czκstotliwoΆci» .

c. «Technologia» stosownie do Uwagi ogσlnej do technologii do «rozwoju» lub «produkcji» nastκpuj±cego sprzκtu telekomunikacyjnego lub prze³±czaj±cego, funkcji lub w³aΆciwoΆci:

1. Sprzκt wykorzystuj±cy techniki cyfrowe, zaprojektowane do pracy z «ca³kowit± cyfrow± szybkoΆci± transferu» przekraczaj±c± 15 Gbit/s;

Uwaga techniczna:

Dla sprzκtu prze³±czaj±cego «ca³kowita cyfrowa szybkoΆζ transferu» jest mierzona dla najwiκkszej szybkoΆci portu lub linii.

2. Sprzκt wykorzystuj±cy «laser» i posiadaj±cy nastκpuj±ce cechy:

a. D³ugoΆζ fali nadawczej przekraczaj±ca 1750 nm;

b. Wytwarzaj±cy «wzmocnienie optyczne» z wykorzystaniem wzmacniaczy Άwiat³owodowych prazedymowych domieszkowanych fluorem (PDFFA);

c. Wykorzystuj±cy techniki koherentnego przekazu optycznego lub koherentnej detekcji optycznej (zwane takΏe technikami heterodyny optycznej lub technikami homodynowymi);

d. Wykorzystuj±cy techniki zwielokrotniania poprzez rozdzielanie fal, przekraczaj±ce 8 noΆnych optycznych w pojedynczym oknie optycznym; lub

e. Stosuj±ce techniki analogowe i posiadaj±ce szerokoΆζ pasma przekraczaj±c± 2,5 GHz;

Uwaga: Pozycja 5E001.c.2.e. nie obejmuje kontrol± «technologii» specjalnie zaprojektowanej do «rozwoju» systemσw telewizji komercyjnej.

3. Sprzκt wykorzystuj±cy «komutacjκ optyczn±» ;

4. Sprzκt radiowy posiadaj±cy nastκpuj±ce cechy:

a. Wykorzystuj±cy technikκ modulacji kwadraturowej (QAM), powyΏej poziomu 256; lub

b. Pracuj±cy z czκstotliwoΆciami, wejΆciow± lub wyjΆciow±, powyΏej 31,8 GHz;

Uwaga: Pozycja 5E001.c.4.b. nie obejmuje kontrol± «technologii» do «rozwoju» lub «produkcji» sprz±tu przeznaczonego lub zmodyfikowanego do pracy w pasmach przydzielonych przez ITU dla s³uΏb radiokomunikacyjnych, ale nie do namierzania radiowego.

5. Sprzκt wykorzystuj±cy «wspσlny kana³ sygnalizowania» , pracuj±cy w trybie nie-skojarzonym.

5E101 «Technologia» stosownie do Uwagi ogσlnej do technologii do «rozwoju» lub «produkcji» lub «uΏytkowania» sprzκtu wyszczegσlnionego w pozycji 5A101.

CZΚ¦Ζ 2

«OCHRONA INFORMACJI»

Uwaga 1: W niniejszej Kategorii okreΆlono poziom kontroli «ochrony informacji» sprzκtu, «oprogramowania» , systemσw, szczegσlnych aplikacji «podzespo³σw elektronicznych» , modu³σw, uk³adσw scalonych, komponentσw, technologii lub funkcji, nawet, jeΆli stanowi± one elementy lub «podzespo³y elektroniczne» wchodz±ce w sk³ad innego sprzκtu.

Uwaga 2: Kategoria 5, CzκΆζ 2 nie obejmuje kontrol± wyrobσw, towarzysz±cych uΏytkownikowi dla jego osobistego uΏytku.

Uwaga 3:

Uwaga kryptograficzna

Pozycje 5A002 i 5D002 nie obejmuj± kontrol± towarσw, ktσre spe³niaj± wszystkie niΏej wymienione warunki:

a. S± ogσlnie dostκpne dla klientσw poprzez ich sprzedaΏ bez ograniczeρ z magazynσw punktσw sprzedaΏy detalicznej w jakikolwiek z wymienionych niΏej sposobσw:

1. BezpoΆrednich transakcji przez ladκ;

2. Transakcji na podstawie zamσwieρ pocztowych;

3. Transakcji elektronicznych; lub

4. Transakcji przez telefon.

b. Ich funkcjonalnoΆζ kryptograficzna nie moΏe byζ ³atwo zmieniona przez uΏytkownika;

c. S± przeznaczone do zainstalowania przez uΏytkownika bez dalszej, znacz±cej pomocy ze strony dostawcy; oraz

d. W przypadku zaistnienia koniecznoΆci, szczegσ³y techniczne tych towarσw s± dostκpne i zostan±, dostarczone, na Ώ±danie kompetentnych w³adz paρstwa cz³onkowskiego, w ktσrym eksporter jest zarejestrowany, w celu potwierdzenia zgodnoΆci z warunkami okreΆlonymi w punktach od a. do c. powyΏej.

Uwaga techniczna:

W ramach Kategorii 5 - CzκΆζ 2, bity parzystoΆci nie s± wliczane do d³ugoΆci klucza.

5A2 Systemy, sprzκt i komponenty

5A002

a. Systemy, sprzκt, specyficzne aplikacje «podzespo³σw elektronicznych» , modu³y i uk³ady scalone zwi±zane z «ochron± informacji» oraz inne specjalnie do nich zaprojektowane komponenty, z tego:

N.B.: Do sterowania urz±dzeniami systemσw globalnej nawigacji satelitarnej zawieraj±cych lub wykorzystuj±cych funkcje szyfrowania (np. GPS lub GLONASS) patrz pozycja 7A005.

1. Przeznaczone albo zmodyfikowane w celu zastosowania mechanizmσw kryptograficznych z wykorzystaniem technik cyfrowych realizuj±cych jakiekolwiek funkcje kryptograficzne, inne niΏ uwierzytelnienie lub podpis cyfrowy, w ktσrych stosuje siκ jakikolwiek z poniΏszych elementσw:

Uwagi techniczne:

1. Funkcje uwierzytelnienia i podpisu cyfrowego obejmuj± zwi±zane z nimi funkcje zarz±dzania kluczami.

2. Uwierzytelnienie obejmuje wszystkie aspekty kontroli dostκpu, gdzie nie wystκpuje szyfrowanie plikσw lub fragmentσw tekstσw, z wyj±tkiem tych bezpoΆrednio zwi±zanych z ochron± hase³, Numerσw Personalnej Identyfikacji (PIN) lub podobnych danych stosowanych do ochrony przed nieuprawnionym dostκpem.

3. Mechanizmy kryptograficzne nie obejmuj± technik kompresji lub kodowania danych.

Uwaga: Pozycja 5A002.a.1. obejmuje sprzκt przeznaczony lub zmodyfikowany w celu zastosowania mechanizmσw kryptograficznych do przekazywania informacji z wykorzystaniem technik analogowych, gdy stosowane s± wraz z technikami cyfrowymi.

a. «Algorytm symetryczny» wykorzystuj±cy d³ugoΆζ klucza przekraczaj±c± 56 bitσw; lub

b. «Algorytm asymetryczny» , w ktσrym bezpieczeρstwo stosowania algorytmu bazuje na jednej z nastκpuj±cych w³aΆciwoΆci:

1. Faktoryzacji liczb ca³kowitych powyΏej 512 bitσw (np. RSA);

2. Zliczaniu dyskretnych logarytmσw w multiplikatywnej grupie pola o skoρczonej wielkoΆci wiκkszej niΏ 512 bitσw (np. Diffie-Helman z Z/pZ); lub

3. Dyskretnych logarytmach w grupie innej niΏ wspomniana w pozycji 5A002.a.1.b.2. wiκkszej niΏ 112 bitσw (np. Diffie-Helman na krzywej eliptycznej);

2. Zaprojektowane lub zmodyfikowane dla realizacji funkcji kryptoanalitycznych;

3. Nie uΏywany;

4. Specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do redukcji przypadkowego przekazywania sygna³σw nosz±cych informacjκ poza tym, co jest niezbκdne ze wzglκdσw zdrowotnych, bezpieczeρstwa pracy i ochrony przed zak³σceniami elektromagnetycznymi;

5. Zaprojektowane lub zmodyfikowane do wykorzystania technik kryptograficznych, w celu generowania kodu rozpraszaj±cego dla «widma rozproszonego» , ³±cznie z kodem rozrzucaj±cym dla systemσw z «hoppingiem czκstotliwoΆci» ;

6. Zaprojektowane lub zmodyfikowane do wykorzystania technik kryptograficznych w celu generowania kodσw wykorzystywanych do kanalizowania lub skramblingu informacji w systemach «czasowo-modulowanych ultraszerokopasmowych» ;

7. Nie uΏywany;

8. Systemy kabli telekomunikacyjnych zaprojektowane lub zmodyfikowane za pomoc± elementσw mechanicznych, elektrycznych lub elektronicznych w celu wykrywania w³amaρ do sieci teleinformatycznych.

Uwaga: Pozycja 5A002 nie obejmuje kontrol±:

a. «Personalizowanych kart elektronicznych» :

1. Gdy wykorzystanie funkcji kryptograficznych ograniczone jest do urz±dzeρ lub systemσw wy³±czonych z kontroli na podstawie punktσw b. do f. niniejszej Uwagi.

2. Dla ogσlnych zastosowaρ uΏytku publicznego, gdzie wykorzystanie funkcji kryptograficznych nie jest dostκpne dla przeciκtnego uΏytkownika oraz istnieje specjalnie zaprojektowana i ograniczona ochrona zgromadzonych danych osobowych.

N.B.: JeΏeli «personalizowane karty elektroniczne» s± kartami wieloaplikacyjnymi, poziom kontroli kaΏdej aplikacji oceniany jest indywidualnie;

b. Sprzκtu odbiorczego dla stacji radiowych, p³atnej telewizji lub podobnych systemσw telewizyjnych typu konsumenckiego o ograniczonym zasiκgu, niepodlegaj±cego cyfrowemu szyfrowaniu, oraz w ktσrym cyfrowe szyfrowanie jest wykorzystywane tylko do wysy³ania rachunkσw lub informacji zwi±zanych z programem wysy³anym zwrotnie do dostawcσw us³ug;

c. Sprzκtu, w ktσrym funkcje kryptograficzne nie s± dostκpne dla uΏytkownika, i ktσre s± specjalnie zaprojektowane, a funkcjonalnoΆζ ograniczona do nastκpuj±cych moΏliwoΆci:

1. Wykonywania programσw zabezpieczonych przed kopiowaniem;

2. Realizowania dostκpu do:

a. Zabezpieczonych przed kopiowaniem danych przechowywanych na noΆniku wykorzystywanym tylko do odczytu;

b. Informacji przechowywanych na noΆniku w formie zaszyfrowanej (np. w zwi±zku z ochron± praw w³asnoΆci intelektualnej), gdy noΆnik oferowany jest do sprzedaΏy publicznej w identycznych zestawach; lub

3. Danych audio/video chronionych prawem autorskim z moΏliwoΆci± dokonania jednokrotnego kopiowania,

d. Sprzκtu kryptograficznego specjalnie zaprojektowanego i ograniczonego do zastosowaρ bankowych lub transakcji pieniκΏnych;

Uwaga techniczna:

«Transakcje pieniκΏne» w ramach Uwagi d do pozycji 5A002 obejmuj± zbieranie i ustalanie op³at lub funkcji kredytowych.

e. PrzewoΌnych lub przenoΆnych radiotelefonσw do zastosowaρ cywilnych, (np. do zastosowania w cywilnych systemach radiokomunikacji komσrkowej), w ktσrych nie ma moΏliwoΆci szyfrowania przez koρcowych abonentσw (typu «end-to-end» );

f. Sprzκtu telefonii bezprzewodowej niezdolnego do szyfrowania typu «end-to-end» , w ktσrym, zgodnie z danymi producenta, maksymalny skuteczny zasiκg dzia³ania bezprzewodowego bez dodatkowego wzmocnienia (tj. pojedyncza, bez poΆrednictwa przekaΌnika, odleg³oΆζ miκdzy terminalem a domow± stacj± bazow±) wynosi mniej niΏ 400 m.

5B2 Urz±dzenia testuj±ce, kontrolne i produkcyjne

5B002

a. Sprzκt specjalnie zaprojektowany do:

1. «Rozwoju» sprzκtu lub funkcji wyszczegσlniony w pozycji 5A002, 5B002, 5D002 lub 5E002, ³±cznie ze sprzκtem pomiarowym lub testuj±cym;

2. «Produkcji» sprzκtu lub funkcji wyszczegσlniony w pozycji 5A002, 5B002, 5D002 lub 5E002, ³±cznie ze sprzκtem pomiarowym, testuj±cym, naprawczym lub produkcyjnym;

b. Sprzκt pomiarowy specjalnie zaprojektowany do oceny i analizy funkcji «ochrony informacji» wyszczegσlniony w pozycji 5A002 lub 5D002.

5C2 Materia³y

—adne

5D2 Oprogramowanie

5D002

a. «Oprogramowanie» specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do «rozwoju» , «produkcji» lub «uΏytkowania» sprzκtu lub «oprogramowania» wyszczegσlnionego w pozycji 5A002, 5B002 lub 5D002;

b. «Oprogramowanie» specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do wspierania «technologii» wyszczegσlnionej w pozycji 5E002;

c. Specyficzne «oprogramowanie» , takie jak:

1. «Oprogramowanie» posiadaj±ce w³aΆciwoΆci albo realizuj±ce lub symuluj±ce funkcje sprzκtu wyszczegσlnionego w pozycji 5A002 lub 5B002;

2. «Oprogramowanie» do prowadzenia procesu certyfikacji «oprogramowania» wyszczegσlnionego w pozycji 5D002.c.1.;

Uwaga: Pozycja 5D002 nie obejmuje kontrol±:

a. «Oprogramowania» niezbκdnego do «uΏytkowania» sprzκtu wykluczonego spod kontroli Uwag± do pozycji 5A002;

b. «Oprogramowania» umoΏliwiaj±cego realizacjκ dowolnej funkcji sprzκtu wykluczonego spod kontroli Uwag± do pozycji 5A002.

5E2 Technologia

5E002 «Technologia» stosownie do Uwagi ogσlnej do technologii do «rozwoju» lub «produkcji» lub «uΏytkowania» sprzκtu lub «oprogramowania» , wyszczegσlnionego w pozycji 5A002, 5B002 lub 5D002.

KATEGORIA 6

CZUJNIKI I LASERY

6A Systemy, urz±dzenia i czκΆci

6A001 Czujniki akustyczne.

a. Nastκpuj±ce okrκtowe systemy akustyczne, urz±dzenia albo specjalnie do nich przeznaczone elementy:

1. Nastκpuj±ce systemy aktywne (nadajniki albo nadajniki-odbiorniki), urz±dzenia i specjalnie do nich przeznaczone elementy:

Uwaga: Pozycja 6A001.a.1. nie obejmuje kontrol±:

a. sond do pomiaru g³κbokoΆci pracuj±cych w pionie pod aparatur±, niemaj±cych moΏliwoΆci przeszukiwania w zakresie powyΏej ± 20°, ktσrych dzia³anie jest ograniczone do pomiaru g³κbokoΆci wody, odleg³oΆci do zanurzonych lub zatopionych obiektσw albo do wykrywania ³awic ryb;

b. nastκpuj±cych p³aw lub staw akustycznych:

1. akustycznych p³aw lub staw ostrzegawczych;

2. sonarσw impulsowych specjalnie przeznaczonych do przemieszczenia siκ lub powrotu do po³oΏenia podwodnego.

a. Systemy o szerokim zakresie przeszukiwania przeznaczone do badaρ batymetrycznych w celu sporz±dzania map topograficznych dna morskiego, maj±ce wszystkie poniΏsze cechy charakterystyczne:

1. Przeznaczenie do dokonywania pomiarσw pod k±tem wiκkszym od 20° w stosunku do pionu;

2. Przeznaczenie do pomiarσw g³κbokoΆci wiκkszych niΏ 600 m, licz±c od powierzchni wody; oraz

3. Przeznaczenie do realizacji jednej z poniΏszych funkcji:

a. Wprowadzanie wielu wi±zek, z ktσrych co najmniej jedna ma rozwartoΆζ k±tow± poniΏej 1,9°; lub

b. Uzyskiwanie przeciκtnej dok³adnoΆci pomiarσw g³κbokoΆci wody na przeszukiwanym obszarze w odniesieniu do poszczegσlnych pomiarσw lepszej niΏ 0,3 %;

b. Systemy do wykrywania lub lokalizacji obiektσw posiadaj±ce jedn± z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych:

1. CzκstotliwoΆζ noΆna poniΏej 10 kHz;

2. Poziom ciΆnienia akustycznego powyΏej 224 dB (co odpowiada 1 mikropaskalowi na 1 m) w odniesieniu do urz±dzeρ z czκstotliwoΆci± robocz± w paΆmie od 10 kHz do 24 kHz w³±cznie;

3. Poziom ciΆnienia akustycznego powyΏej 235 dB (co odpowiada 1 mikropaskalowi na 1 m) w odniesieniu do urz±dzeρ z czκstotliwoΆci± robocz± w paΆmie od 24 kHz do 30 kHz;

4. Kszta³tuj±ce wi±zki o k±cie rozproszenia poniΏej 1° wzglκdem dowolnej osi i posiadaj±ce czκstotliwoΆζ robocz± poniΏej 100 kHz;

5. UmoΏliwiaj±ce jednoznaczny pomiar odleg³oΆci do obiektσw w zakresie powyΏej 5120 m; lub

6. Skonstruowane w ten sposσb, Ώe w normalnych warunkach pracy s± wytrzyma³e na ciΆnienia na g³κbokoΆci wiκkszej niΏ 1000 m i s± zaopatrzone w przetworniki:

a. Z dynamiczn± kompensacj± ciΆnienia; lub

b. W ktσrych elementem przetwarzaj±cym nie jest cyrkonian/tytanian o³owiu;

c. Reflektory akustyczne, w³±cznie z przetwornikami, wyposaΏone w elementy piezoelektryczne, magnetostrykcyjne, elektrostrykcyjne, elektrodynamiczne lub hydrauliczne, dzia³aj±ce indywidualnie lub w odpowiedniej kombinacji zespo³owej, posiadaj±ce jedn± z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych:

Uwaga 1: Status kontroli reflektorσw akustycznych, w³±cznie z przetwornikami, specjalnie przeznaczonych do innych urz±dzeρ, wynika ze statusu kontroli tych innych urz±dzeρ.

Uwaga 1: Pozycja 6A001.a.1.c. nie obejmuje kontrol± elektronicznych Όrσde³ kieruj±cych dΌwiκk tylko w pionie ani Όrσde³ mechanicznych (np. pistolety powietrzne lub parowe) lub chemicznych (np. materia³y wybuchowe).

1. «GκstoΆζ mocy akustycznej» w impulsie powyΏej 0,01 mW/mm2/Hz dla urz±dzeρ pracuj±cych w paΆmie czκstotliwoΆci poniΏej 10 kHz;

2. «GκstoΆζ mocy akustycznej» ci±g³ej powyΏej 0,001 mW/mm2/Hz dla urz±dzeρ pracuj±cych w paΆmie czκstotliwoΆci poniΏej 10 kHz; lub

Uwaga techniczna:

«GκstoΆζ mocy akustycznej» oblicza siκ dziel±c wyjΆciow± moc akustyczn± przez iloczyn pola powierzchni wypromieniowanej wi±zki i czκstotliwoΆci roboczej.

3. Maj±ce t³umienie listka bocznego emisji powyΏej 22 dB;

d. Systemy akustyczne, urz±dzenia i specjalne elementy do okreΆlania po³oΏenia statkσw nawodnych lub pojazdσw podwodnych skonstruowane z przeznaczeniem do dzia³ania w zasiκgu powyΏej 1000 m i umoΏliwiaj±ce wyznaczanie po³oΏenia z dok³adnoΆci± poniΏej 10 m (wartoΆζ Άrednia kwadratowa) w przypadku pomiaru w zasiκgu do 1000 m;

Uwaga: Pozycja 6A001.a.1.d. obejmuje:

a. urz±dzenia, w ktσrych zastosowano koherentne «przetwarzanie sygna³σw» pomiκdzy dwiema lub wiκksz± liczb± boi kierunkowych a hydrofonem na statku nawodnym albo pojeΌdzie podwodnym,

b. urz±dzenia maj±ce moΏliwoΆζ automatycznego korygowania b³κdσw prκdkoΆci rozchodzenia siκ dΌwiκku w celu obliczenia po³oΏenia obiektu.

2. Nastκpuj±ce pasywne urz±dzenia i systemy (odbiorcze, wspσ³pracuj±ce, albo nie, w normalnych zastosowaniach z oddzielnymi urz±dzeniami aktywnymi) oraz specjalnie do nich przeznaczone elementy:

a. Hydrofony posiadaj±ce jedn± z nastκpuj±cych cech charakterystycznych:

Uwaga: Status kontroli hydrofonσw specjalnie zaprojektowanych do innych urz±dzeρ, wynika ze statusu kontroli tych innych urz±dzeρ.

1. WyposaΏone w ci±g³e, elastyczne czujniki lub zespo³y z³oΏone z dyskretnych elementσw czujnikowych o Άrednicy lub d³ugoΆci poniΏej 20 mm znajduj±cych siκ w odleg³oΆci jeden od drugiego wynosz±cej poniΏej 20 mm;

2. WyposaΏone w jeden z nastκpuj±cych elementσw czujnikowych:

a. ¦wiat³owody; lub

b. Elastyczne, piezoelektryczne materia³y ceramiczne;

3. «Czu³oΆζ hydrofonσw» lepsz± niΏ - 180 dB na kaΏdej g³κbokoΆci bez kompensacji przyspieszeniowej;

4. W przypadku przeznaczenia do pracy na g³κbokoΆciach wiκkszych niΏ 35 m z kompensacj± przyspieszeniow±; lub

5. Przeznaczone do dzia³ania na g³κbokoΆciach wiκkszych niΏ 1000 m;

Uwaga techniczna:

«Czu³oΆζ hydrofonu» definiuje siκ jako dwadzieΆcia logarytmσw przy podstawie 10 ze stosunku napiκcia skutecznego po sprowadzeniu do napiκcia skutecznego 1 V, po umieszczeniu czujnika hydrofonowego, bez przedwzmacniacza, w polu akustycznych fal p³askich o ciΆnieniu skutecznym 1 mikropaskala. Na przyk³ad, hydrofon o czu³oΆci - 160 dB (po sprowadzeniu do poziomu 1 V na mikropaskal) daje w takim polu napiκcie wyjΆciowe 10- 8 V, natomiast hydrofon o czu³oΆci - 180 dB daje w takim samym polu napiκcie wyjΆciowe tylko 10- 9 V. Zatem hydrofon o czu³oΆci - 160 dB jest lepszy od hydrofonu o czu³oΆci - 180 dB.

b. Holowane zestawy matrycowe hydrofonσw akustycznych, maj±ce jedn± z nastκpuj±cych cech:

1. Odleg³oΆζ pomiκdzy grupami hydrofonσw wynosi poniΏej 12,5 m; lub «moΏliwe do modyfikowania» tak, Ώeby odleg³oΆζ pomiκdzy grupami hydrofonσw by³a mniejsza niΏ 12,5 m;

2. Przeznaczone albo «moΏliwe do modyfikowania» z przeznaczeniem do dzia³ania na g³κbokoΆciach wiκkszych niΏ 35 m;

Uwaga techniczna:

Wspomniana w pozycji 6A001.a.2.b.1. i 2 «moΏliwoΆζ modyfikowania» oznacza, Ώe s± zaopatrzone w elementy umoΏliwiaj±ce zmianκ przewodσw lub po³±czeρ w celu zmiany odleg³oΆci pomiκdzy grupami hydrofonσw albo granicznych g³κbokoΆci roboczych. Do elementσw takich zalicza siκ: zapasowe przewody w iloΆci przewyΏszaj±cej o 10 % liczbκ przewodσw uΏywanych, bloki umoΏliwiaj±ce zmianκ odleg³oΆci pomiκdzy grupami hydrofonσw lub wewnκtrzne regulowane urz±dzenia limituj±ce g³κbokoΆζ lub urz±dzenia steruj±ce umoΏliwiaj±ce sterowanie wiκcej niΏ jedn± grup± hydrofonσw.

3. Czujniki kursowe objκte kontrol± wed³ug pozycji 6A001.a.2.d.;

4. Sieci wκΏy ze wzmocnieniem pod³uΏnym;

5. WyposaΏenie w uk³ad zespo³owy o Άrednicy mniejszej niΏ 40 mm;

6. MoΏliwoΆζ multipleksowania sygna³σw grup hydrofonσw i przeznaczenie do dzia³ania na g³κbokoΆciach wiκkszych niΏ 35 m albo wyposaΏenie w regulowane lub demontowalne czujniki g³κbokoΆci z przeznaczeniem do pracy na g³κbokoΆciach wiκkszych niΏ 35 m; lub

7. WyposaΏenie w hydrofony o w³aΆciwoΆciach okreΆlonych w pozycji 6A001.a.2.a.;

c. Urz±dzenia przetwarzaj±ce, specjalnie przeznaczone do holowanych zestawσw (matryc) hydrofonσw akustycznych posiadaj±ce «moΏliwoΆζ dostκpu uΏytkownika do oprogramowania» oraz moΏliwoΆζ przetwarzania i korelacji w funkcji czasu lub czκstotliwoΆci, w³±cznie z analiz± spektraln±, filtrowaniem cyfrowym i kszta³towaniem wi±zki za pomoc± szybkiej transformaty Fouriera lub innych transformat lub procesσw;

d. Czujniki kursowe posiadaj±ce wszystkie z poniΏszych cech:

1. Dok³adnoΆζ powyΏej ± 0,5°; oraz

2. Przeznaczone do pracy na g³κbokoΆciach wiκkszych niΏ 35 m albo wyposaΏone w regulowane lub demontowalne czujniki g³κbokoΆci z przeznaczeniem do pracy na g³κbokoΆciach wiκkszych niΏ 35 m;

e. Denne lub przybrzeΏne uk³ady kablowe maj±ce jedn± z poniΏszych cech:

1. Wykorzystuj±ce hydrofony z pozycji 6A001.a.2.a.; lub

2. Zawieraj±ce modu³y multipleksowe sygna³σw grup hydrofonσw, maj±ce wszystkie wymienione niΏej cechy:

a. Przeznaczone do dzia³ania na g³κbokoΆci poniΏej 35 m albo wyposaΏone w regulowane lub demontowalne czujniki g³κbokoΆci, aby mog³y dzia³aζ na g³κbokoΆci poniΏej 35 m; i

b. Mog±ce pracowaζ wymiennie z modu³ami holowanych zestawσw hydrofonσw akustycznych.

f. Urz±dzenia przetwarzaj±ce, specjalnie przeznaczone do kablowych uk³adσw dennych lub miκdzywrκgowych, umoΏliwiaj±ce «programowalnoΆζ dostκpn± dla uΏytkownika» oraz przetwarzanie i korelacjκ w dziedzinie czasu lub czκstotliwoΆci, w tym analizκ widmow±, filtrowanie cyfrowe oraz cyfrowe kszta³towanie wi±zki za pomoc± szybkiej transformaty Fouriera lub innych transformat lub procesσw.

b. Urz±dzenia sonarowe z korelacj± prκdkoΆciow± przeznaczone do pomiaru prκdkoΆci poziomej obiektu, na ktσrym siκ znajduj±, wzglκdem dna morza w przypadku odleg³oΆci obiektu od dna powyΏej 500 m.

6A002 Czujniki optyczne

N.B.: SprawdΌ takΏe pozycjκ 6A102.

a. Nastκpuj±ce detektory optyczne:

Uwaga: Pozycja 6A002.a. nie obejmuje kontrol± elementσw fotoelektrycznych wykonanych z germanu lub krzemu.

1. Nastκpuj±ce detektory pσ³przewodnikowe «klasy kosmicznej» :

a. Detektory pσ³przewodnikowe «klasy kosmicznej» posiadaj±ce wszystkie z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych:

1. Reakcja szczytowa w paΆmie fal o d³ugoΆci powyΏej 10 nm, ale poniΏej 300 nm; i

2. W zakresie fal o d³ugoΆci powyΏej 400 nm reakcja s³absza niΏ 0,1 % reakcji szczytowej;

b. Detektory pσ³przewodnikowe «klasy kosmicznej» posiadaj±ce wszystkie z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych:

1. Reakcja szczytowa w zakresie d³ugoΆci fal powyΏej 900 nm, ale poniΏej 1200 nm; oraz

2. «Sta³a czasowa» reakcji 95 ns lub poniΏej;

c. Detektory pσ³przewodnikowe «klasy kosmicznej» posiadaj±ce reakcjκ szczytow± w zakresie d³ugoΆci fal powyΏej 1200 nm, ale poniΏej 30000 nm;

2. Nastκpuj±ce lampy wzmacniaj±ce obrazy i specjalnie do nich przeznaczone elementy:

a. Lampy wzmacniaj±ce obrazy posiadaj±ce wszystkie wymienione poniΏej cechy charakterystyczne:

1. Reakcja szczytowa w zakresie d³ugoΆci fal powyΏej 400 nm, ale poniΏej 1050 nm;

2. Elektroda mikrokanalikowa do wzmacniania obrazσw elektronicznych z otworkami w odstκpach (odleg³oΆζ pomiκdzy Άrodkami otworkσw) poniΏej 12 mikrometrσw; oraz

3. Nastκpuj±ce fotokatody:

a. Fotokatody S-20 i S-25 lub alkaliczne (wielopierwiastkowe) o czu³oΆci Άwietlnej przekraczaj±cej 350 >ISO_7>μ>ISO_2>A/lm;

b. Fotokatody GaAs lub GaInAs; lub

c. Inne fotokatody pσ³przewodnikowe zwi±zkσw III-V.

Uwaga: Pozycja 6A002.a.2.a.3.c. nie obejmuje kontrol± fotokatod pσ³przewodnikowych zwi±zkowych o maksymalnej czu³oΆci promieniowania 10 mA/W lub mniej.

b. Nastκpuj±ce specjalnie opracowane elementy:

1. Elektrody mikrokanalikowe do wzmacniania obrazσw z otworkami w odstκpach (odleg³oΆζ pomiκdzy Άrodkami otworkσw) poniΏej 12 mikrometrσw;

2. Fotokatody GaAs lub GaInAs;

3. Inne fotokatody pσ³przewodnikowe zwi±zkσw III-V.

Uwaga: Pozycja 6A002.a.2.b.3. nie obejmuje kontrol± fotokatod pσ³przewodnikowych zwi±zkowych o maksymalnej czu³oΆci promieniowania 10 mA/W lub mniej.

3. Nastκpuj±ce, inne niΏ «klasy kosmicznej» «p³askie zespo³y ogniskuj±ce» :

Uwagi techniczne:

1. «P³askie zespo³y ogniskuj±ce» to liniowe lub dwuwymiarowe wieloelementowe zespo³y czujnikσw.

2. Dla celσw pozycji 6A002.a.3 «poprzeczny kierunek przeszukiwania» jest okreΆlany jako oΆ rσwnoleg³a do liniowego uk³adu elementσw detekcyjnych, a «kierunek przeszukiwania» jest okreΆlany jako oΆ prostopad³a do liniowego uk³adu elementσw detekcyjnych.

Uwaga 1: Pozycja 6A002.a.3. obejmuje kontrol± zespo³y fotoprzewodz±ce i fotowoltaiczne.

Uwaga 2: Pozycja 6A002.a.3. nie obejmuje kontrol±:

a. krzemowych «p³askich zespo³σw ogniskuj±cych» :

b. wieloelementowych (nie wiκcej niΏ 16 elementσw) komσrek fotoelektrycznych w obudowie, zawieraj±cych siarczek lub selenek cynku.

c. detektorσw piroelektrycznych, w ktσrych zastosowano jeden z nastκpuj±cych zwi±zkσw:

1. Siarczan triglicyny i jego odmiany;

2. Tytanian o³owiu-lantanu-cyrkonu i odmiany;

3. Tantalan litu;

4. Polifluorek winylidenu i jego odmiany; lub

5. Niobian strontu-baru i jego odmiany;

a. Inne niΏ «klasy kosmicznej» «p³askie zespo³y ogniskuj±ce» posiadaj±ce wszystkie z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych:

1. Pojedyncze elementy o reakcji szczytowej w zakresie d³ugoΆci fal z przedzia³u powyΏej 900 nm, ale poniΏej 1050 nm; oraz

2. «Sta³a czasowa» reakcji poniΏej 0,5 ns;

b. Inne niΏ «klasy kosmicznej» «p³askie zespo³y ogniskuj±ce» posiadaj±ce wszystkie wymienione poniΏej cechy charakterystyczne:

1. Pojedyncze elementy o reakcji szczytowej w zakresie d³ugoΆci fal z przedzia³u powyΏej 1050 nm, ale poniΏej 1200 nm; i

2. «Sta³a czasowa» reakcji 95 ns lub mniej; lub

c. Inne niΏ «klasy kosmicznej» nieliniowe (2 wymiarowe) «p³askie zespo³y ogniskuj±ce» posiadaj±ce reakcjκ szczytow± poszczegσlnych elementσw w zakresie d³ugoΆci fal z przedzia³u powyΏej 1200 nm, ale poniΏej 30000 nm;

d. Inne niΏ «klasy kosmicznej» liniowe (1 wymiarowe) «p³askie zespo³y ogniskuj±ce» , posiadaj±ce wszystkie nastκpuj±ce cechy charakterystyczne:

1. Pojedyncze elementy o reakcji szczytowej w zakresie d³ugoΆci fal z przedzia³u powyΏej 1200 nm, ale poniΏej 2500 nm; oraz

2. Jedn± z nastκpuj±cych w³aΆciwoΆci:

a. stosunek wymiaru kierunku przeszukiwania elementu detekcyjnego do wymiaru poprzecznego kierunku przeszukiwania elementu detekcyjnego poniΏej 3,6; lub

b. przetwarzanie sygna³σw w elemencie (SPRITE);

e. Inne niΏ «klasy kosmicznej» liniowe (1 wymiarowe) «p³askie zespo³y ogniskuj±ce» posiadaj±ce reakcjκ szczytow± poszczegσlnych elementσw w zakresie d³ugoΆci fal z przedzia³u powyΏej 2500 nm, ale poniΏej 30000 nm.

b. «Monospektralne czujniki obrazowe» i «wielospektralne czujniki obrazowe» przeznaczone do zdalnego wykrywania obiektσw, posiadaj±ce jedn± z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych:

1. Chwilowe pole widzenia (IFOV) poniΏej 200 mikroradianσw; lub

2. Przeznaczenie do dzia³ania w zakresie fal o d³ugoΆci powyΏej 400 nm, ale poniΏej 30000 nm oraz maj±ce wszystkie nastκpuj±ce w³asnoΆci:

a. Dostarczanie wyjΆciowych danych obrazowych w postaci cyfrowej; oraz

b. Spe³nianie jednego z warunkσw:

1. Posiadanie «klasy kosmicznej» ; lub

2. Przeznaczenie do zastosowaρ lotniczych i zaopatrzenie w czujniki inne niΏ krzemowe oraz posiadaj±ce IFOV poniΏej 2,5 miliradianσw.

c. Urz±dzenia do «bezpoΆredniego widzenia» dzia³aj±ce w zakresie promieniowania widzialnego lub podczerwonego wyposaΏone w jeden z nastκpuj±cych zespo³σw:

1. Lampy do wzmacniania obrazσw objκte kontrol± wed³ug pozycji 6A002.a.2.a.; lub

2. «P³askie zespo³y ogniskuj±ce» objκte kontrol± wed³ug pozycji 6A002.a.3.;

Uwaga techniczna:

Termin «bezpoΆrednie widzenie» odnosi siκ do urz±dzeρ tworz±cych obrazy, dzia³aj±cych w zakresie fal widzialnych albo podczerwonych i przedstawiaj±cych widzialny dla cz³owieka obraz bez jego przetwarzania na sygna³ elektroniczny przekazywany na ekran telewizyjny, niemog±cych zarejestrowaζ albo przechowaζ obrazu na drodze fotograficznej, elektronicznej albo jakiejkolwiek innej.

Uwaga: Pozycja 6A002.c. nie obejmuje kontrol± nastκpuj±cych urz±dzeρ zaopatrzonych w fotokatody inne niΏ z GaAs lub GaInAs:

a. Przemys³owych lub cywilnych systemσw alarmowych, systemσw kontroli ruchu drogowego lub przemys³owego ani systemσw zliczaj±cych;

b. Urz±dzeρ medycznych;

c. Urz±dzeρ przemys³owych stosowanych do kontroli, sortowania lub analizy w³aΆciwoΆci materia³σw;

d. Wykrywaczy p³omieni do piecσw przemys³owych;

e. Urz±dzeρ specjalnie przeznaczonych do celσw laboratoryjnych.

d. Nastκpuj±ce specjalne elementy pomocnicze do czujnikσw optycznych;

1. Ch³odnice kriogeniczne «klasy kosmicznej» ;

2. Nastκpuj±ce ch³odnice kriogeniczne nie naleΏ±ce do «klasy kosmicznej» , posiadaj±ce Όrσd³o ch³odzenia o temperaturze poniΏej 218 K (- 55 °C):

a. Pracuj±ce w obiegu zamkniκtym i charakteryzuj±ce siκ Άrednim Czasem Do Awarii (MTTF) albo Άrednim Czasem Miκdzyawaryjnym (MTBF) powyΏej 2500 godzin;

b. Samoreguluj±ce siκ minich³odnice Joula-Thomsona (JT) z otworkami o Άrednicy (na zewn±trz) poniΏej 8 mm;

3. Czujnikowe w³σkna optyczne o specjalnym sk³adzie albo konstrukcji, albo zmodyfikowane technik± powlekania, w celu nadania im w³aΆciwoΆci umoΏliwiaj±cych reagowanie na fale akustyczne, promieniowanie termiczne, si³y bezw³adnoΆci, promieniowanie elektromagnetyczne lub j±drowe,

e. «P³askie zespo³y ogniskuj±ce» «klasy kosmicznej» maj±ce wiκcej niΏ 2048 elementσw na zespσ³ i reakcjκ szczytow± w paΆmie fal o d³ugoΆci powyΏej 300 nm, ale poniΏej 900 nm.

6A003 Kamery filmowe

N.B.: SPRAWD¬ TAK—E POZYCJΚ 6A203.

N.B.: Dla kamer specjalnie opracowanych lub zmodyfikowanych do zastosowaρ podwodnych sprawdΌ takΏe pozycje 8A002.d. i 8A002.e.  

a. Nastκpuj±ce kamery rejestruj±ce i specjalnie dla nich przeznaczone elementy:

Uwaga: Kamery rejestruj±ce, okreΆlone w poz. 6A003.a.3. do 6A003.a.5., o budowie modu³owej powinny byζ oceniane wg ich maksymalnych moΏliwoΆci przy wykorzystaniu «zespo³σw wtykanych» zgodnie ze specyfikacj± producenta kamery.

1. Bardzo szybkie kamery filmowe rejestruj±ce na b³onie dowolnego formatu od 8 mm do 16 mm w³±cznie, w ktσrych b³ona jest podczas rejestracji przesuwana w sposσb ci±g³y, umoΏliwiaj±ce rejestrowanie obrazσw z szybkoΆciami powyΏej 13150 klatek na sekundκ;

Uwaga: Pozycja 6A003.a.1. nie obejmuje kontrol± filmowych kamer rejestruj±cych przeznaczonych do uΏytku cywilnego.

2. Bardzo szybkie kamery z napκdem mechanicznym, bez przesuwu filmu, umoΏliwiaj±ce rejestracjκ z szybkoΆciami powyΏej 1000000 klatek na sekundκ na ca³ej szerokoΆci b³ony 35 mm, lub z szybkoΆciami proporcjonalnie wiκkszymi na b³onach o mniejszych formatach, albo z szybkoΆciami proporcjonalnie mniejszymi na b³onach o formatach wiκkszych;

3. Mechaniczne lub elektryczne kamery smugowe o szybkoΆci zapisu powyΏej 10 mm/mikrosekundκ;

4. Elektroniczne kamery obrazowe o szybkoΆci powyΏej 1000000 klatek na sekundκ;

5. Kamery elektroniczne posiadaj±ce obie z poniΏszych cech:

a. SzybkoΆζ dzia³ania migawki elektronicznej (bramkowania) poniΏej 1 mikrosekundy na pe³n± klatkκ; oraz

b. Czas odczytu umoΏliwiaj±cy szybkoΆζ powyΏej 125 pe³nych klatek na sekundκ;

6. Zespo³y wtykane posiadaj±ce wszystkie z poniΏszych cech:

a. Specjalnie zaprojektowane do kamer rejestruj±cych, ktσre maj± modu³ow± strukturκ i ktσre zosta³y wyszczegσlnione w pozycji 6A003.a.; i

b. UmoΏliwiaj±ce tym kamerom realizowanie w³aΆciwoΆci wymienionych w pozycjach 6A003.a.3., 6A003.a.4. lub 6A003.a.5., zgodnie z danymi technicznymi producenta.

b. Nastκpuj±ce kamery obrazowe:

Uwaga: Pozycja 6A003.b. nie obejmuje kontrol± kamer telewizyjnych ani wideokamer przeznaczonych specjalnie dla stacji telewizyjnych.

1. Wideokamery z czujnikami pσ³przewodnikowymi posiadaj±ce reakcjκ szczytow± w przedziale d³ugoΆci fal powyΏej 10 nm, ale nie wiκksz± niΏ 30000 nm, oraz wszystkie wymienione poniΏej cechy charakterystyczne:

a. posiadaj±ce jedn± z poniΏszych w³aΆciwoΆci:

1. powyΏej 4 Χ 106 «aktywnych pikseli» na pσ³przewodnikow± siatkκ dla kamer monochromatycznych (czarno-bia³ych);

2. powyΏej 4 Χ 106 «aktywnych pikseli» na pσ³przewodnikow± siatkκ dla kamer kolorowych z trzema siatkami pσ³przewodnikowymi; lub

3. powyΏej 12 Χ 106 «aktywnych pikseli» na pσ³przewodnikow± siatkκ dla kamer kolorowych z jedn± siatk± pσ³przewodnikow±; oraz

b. posiadaj±ce jedn± z poniΏszych:

1. zwierciad³a optyczne objκte kontrol± wed³ug pozycji 6A004.a;

2. urz±dzenia do sterowania optyk± objκte kontrol± wed³ug pozycji 6A004.d; lub

3. zdolnoΆζ do nanoszenia wytwarzanych wewnκtrznie ΆcieΏek danych o kamerze.

Uwaga techniczna:

1. Na uΏytek niniejszego punktu wideokamery cyfrowe powinny byc oceniane na podstawie maksymalnej liczby «aktywnych pikseli» wykorzystywanych do rejestrowania obrazσw ruchomych.

2. Na uΏyte niniejszego punktu, ΆcieΏki danych o kamerze stanowi± informacje niezbκdne do okreΆlenia orientacji widzenia kamery wzglκdem ziemi. NaleΏ± do nich: 1) k±t poziomy osi widzenia kamery wzglκdem kierunku pola magnetycznego ziemi; oraz 2) k±t pionowy pomiκdzy osi± widzenia kamery a horyzontem ziemi.

2. Kamery skaningowe i systemy kamer skaningowych posiadaj±ce wszystkie z poniΏszych w³aΆciwoΆci:

a. Posiadaj±ce reakcjκ szczytow± w przedziale d³ugoΆci fal powyΏej 10 nm, ale nie wiκksz± niΏ 30000 nm;

b. Liniowe siatki detekcyjne posiadaj±ce powyΏej 8192 elementσw na siatkκ; i

c. Mechaniczne przeszukiwanie w jednym kierunku;

3. Kamery obrazowe wyposaΏone we wzmacniacze obrazσw wymienione w pozycji 6A002.a.2.a.;

4. Kamery obrazowe wyposaΏone w «p³askie zespo³y ogniskuj±ce» wymienione w pozycji 6A002.a.3.;

Uwaga: Pozycja 6A003.b.4. nie obejmuje kontrol± kamer obrazowych wykorzystuj±cych liniowe «p³askie zespo³y ogniskuj±ce» o 12 lub mniej elementach, nieposiadaj±cych w elementach opσΌnienia czasowego i ca³kowania, przeznaczone do nastκpuj±cych zastosowaρ:

a. Przemys³owe lub cywilne alarmy w³amaniowe, kontrola ruchu na drogach lub w przemyΆle, lub systemy zliczaj±ce;

b. Urz±dzenia przemys³owe stosowane do nadzoru lub monitorowania wyp³ywu ciep³a w budynkach, urz±dzeniach lub procesach przemys³owych;

c. Urz±dzenia przemys³owe stosowane do nadzoru, sortowania lub analizy w³aΆciwoΆci materia³σw;

d. Urz±dzenia specjalnie zaprojektowane do zastosowaρ laboratoryjnych; lub

e. Sprzκt medyczny.

6A004 Elementy optyczne

a. Nastκpuj±ce zwierciad³a optyczne (reflektory):

1. «Zwierciad³a odkszta³calne» o powierzchni ci±g³ej lub wieloelementowej oraz specjalnie do nich przeznaczone elementy, maj±ce moΏliwoΆζ dynamicznej zmiany po³oΏenia czκΆci powierzchni zwierciad³a z szybkoΆci± powyΏej 100 Hz;

2. Lekkie zwierciad³a monolityczne o przeciκtnej «gκstoΆci zastκpczej» poniΏej 30 kg/m2 i masie ca³kowitej powyΏej 10 kg;

3. Lekkie konstrukcje zwierciadlane z materia³σw «kompozytowych» lub spienionych o przeciκtnej «gκstoΆci zastκpczej» poniΏej 30 kg/m2 i masie ca³kowitej powyΏej 2 kg;

4. Zwierciad³a do kierowania wi±zk±, maj±ce Άrednicκ albo d³ugoΆζ osi g³σwnej powyΏej 100 mm, zachowuj±ce p³askoΆζ rzκdu lambda/2 lub lepsz± (lambda jest rσwne 633 nm) i sterowane wi±zk± o szerokoΆci pasma powyΏej 100 Hz;

b. Elementy optyczne z selenku cynku (ZnSe) lub siarczku cynku (ZnS) z moΏliwoΆci± transmisji w zakresie d³ugoΆci fal powyΏej 3000 nm, ale poniΏej 25000 nm i posiadaj±ce jedn± z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych:

1. ObjκtoΆζ powyΏej 100 cm3; lub

2. ¦rednicκ lub d³ugoΆζ osi g³σwnej powyΏej 80 mm oraz gruboΆζ (g³κbokoΆζ) powyΏej 20 mm;

c. Nastκpuj±ce elementy «klasy kosmicznej» do systemσw optycznych:

1. O «gκstoΆci zastκpczej» obniΏonej o 20 % w porσwnaniu z masywnym wyrobem o takiej samej aperturze i gruboΆci;

2. Pod³oΏa surowe, pod³oΏa powlekane powierzchniowo (z pow³ok± jednowarstwow± lub wielowarstwow±, metaliczn± lub dielektryczn±, przewodz±c±, pσ³przewodz±c± lub izoluj±c±) lub pokryte b³on± ochronn±;

3. Segmenty lub zespo³y zwierciade³ przeznaczone do montaΏu z nich w przestrzeni kosmicznej systemσw optycznych, maj±ce sumaryczn± aperturκ rσwnowaΏn± lub wiκksz± niΏ pojedynczy element optyczny o Άrednicy 1 metra;

4. Wykonane z materia³σw «kompozytowych» o wspσ³czynniku liniowej rozszerzalnoΆci termicznej w kierunku dowolnej wspσ³rzκdnej rσwnym lub mniejszym niΏ 5 Χ 10-6;

d. Nastκpuj±ce urz±dzenia do sterowania elementami optycznymi:

1. Urz±dzenia specjalnie przeznaczone do utrzymywania kszta³tu lub orientacji powierzchni elementσw «klasy kosmicznej» objκtych kontrol± wed³ug pozycji 6A004.c.1. lub 6A004.c.3.;

2. Urz±dzenia posiadaj±ce pasmo sterowania, Άledzenia, stabilizacji lub strojenia rezonatora o szerokoΆci rσwnej lub wiκkszej niΏ 100 Hz oraz dok³adnoΆζ 10 >ISO_7>μ>ISO_2>rad (mikroradianσw) lub lepsz±;

3. Zawieszenia kardanowe maj±ce wszystkie z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych:

a. Maksymalny k±t wychylenia powyΏej 5°;

b. SzerokoΆζ pasma rσwn± lub wiκksz± niΏ 100 Hz;

c. MoΏliwoΆζ ustawiania k±towego z dok³adnoΆci± rσwn± lub lepsz± niΏ 200 >ISO_7>μ>ISO_2>rad (mikroradianσw); oraz

d. Jeden z wymienionych poniΏej parametrσw:

1. Άrednicκ lub d³ugoΆζ osi g³σwnej powyΏej 0,15 m, ale nie wiκksz± niΏ 1 m i moΏliwoΆζ zmiany po³oΏenia k±towego z przyspieszeniami powyΏej 2 rad (radianσw)/s2; lub

2. Άrednicκ lub d³ugoΆζ osi g³σwnej powyΏej 1 m i moΏliwoΆζ zmiany po³oΏenia k±towego z przyspieszeniami powyΏej 0,5 rad (radianσw)/s2;

4. Urz±dzenia specjalnie przeznaczone do utrzymywania w odpowiednim po³oΏeniu systemσw uk³adσw fazowanych lub systemσw fazowanych zwierciade³ segmentowych o Άrednicy segmentσw lub d³ugoΆci osi g³σwnej rσwnej lub wiκkszej od 1 m;

e. «Asferyczne elementy optyczne» , maj±ce wszystkie wymienione niΏej cechy:

1. Najwiκkszy wymiar apertury optycznej jest wiκkszy niΏ 400 mm;

2. NierσwnoΆζ powierzchni jest mniejsza niΏ 1 nm (Άrednia wartoΆζ kwadratowa) dla d³ugoΆci prσbkowania rσwnej lub wiκkszej niΏ 1 mm; i

3. WartoΆζ absolutna wspσ³czynnika liniowej rozszerzalnoΆci termicznej przy 25 °C jest mniejsza niΏ 3 Χ 10-6/K.

Uwagi techniczne:

1. «Asferycznym elementem optycznym» jest taki element, stosowany w systemach optycznych, ktσrego powierzchnia lub powierzchnie czynne s± zaprojektowane jako odbiegaj±ce od kszta³tu idealnej sfery.

2. Od producentσw nie jest wymagany pomiar nierσwnoΆci, o ktσrym mowa w 6A004.e., jeΏeli element optyczny nie zosta³ zaprojektowany lub wykonany z zamiarem dotrzymania lub przekroczenia parametru kontrolnego.

Uwaga: Poz. 6A004.e.2. nie obejmuje kontrol± asferycznych elementσw optycznych maj±cych ktσr±kolwiek z nastκpuj±cych cech:

a. Najwiκkszy wymiar apertury optycznej mniejszy niΏ 1 m i stosunek d³ugoΆci ogniskowej do apertury rσwny lub wiκkszy niΏ 4.5:1;

b. Najwiκkszy wymiar apertury optycznej rσwny lub wiκkszy niΏ 1 m i stosunek d³ugoΆci ogniskowej do apertury rσwny lub wiκkszy niΏ 7:1;

c. Zaprojektowany jako element Fresnela, oko muchy, pasek, pryzmat lub element dyfrakcyjny;

d. Wykonany ze szk³a borokrzemowego maj±cego wspσ³czynnik rozszerzalnoΆci liniowej wiκkszy niΏ 2,5 Χ 10-6/K przy 25 °C;

e. Bκd±cy elementem optyki rentgenowskiej, maj±cym w³aΆciwoΆci zwierciad³a wewnκtrznego (np. zwierciad³a typu rurowego).

N.B.: JeΏeli chodzi o elementy asferyczne specjalnie zaprojektowane dla urz±dzeρ litograficznych, sprawdΌ 3B001.

6A005 Nastκpuj±ce «lasery» , ich elementy i urz±dzenia optyczne do nich, rσΏne od wymienionych w pozycjach 0B001.g.5. lub 0B001.h.6.:

N.B.: SPRAWD¬ TAK—E POZYCJΚ 6A205.

Uwaga 1: Do «laserσw» impulsowych zalicza siκ lasery z fal± ci±g³± (CW), z nak³adanymi na ni± impulsami.

Uwaga 2: Do «laserσw» wzbudzanych impulsowo zalicza siκ lasery dzia³aj±ce w trybie wzbudzenia ci±g³ego z nak³adaj±cym siκ wzbudzeniem impulsowym.

Uwaga 3: Status kontroli «laserσw» Ramana wynika z parametrσw «laserσw» pompuj±cych. «Laserem» pompuj±cym moΏe byζ kaΏdy z «laserσw» wymienionych poniΏej.

a. Nastκpuj±ce «lasery» gazowe:

1. «Lasery» ekscymerowe posiadaj±ce jedn± z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych:

a. D³ugoΆζ fali wyjΆciowej nieprzekraczaj±c± 150 nm oraz jedn± z poniΏszych w³aΆciwoΆci:

1. Energia wyjΆciowa powyΏej 50 mJ na impuls; lub

2. Przeciκtna moc wyjΆciowa powyΏej 1 W;

b. D³ugoΆζ fali wyjΆciowej powyΏej 150 nm, ale nie d³uΏsz± niΏ 190 nm oraz jeden z poniΏszych parametrσw:

1. Energia wyjΆciowa powyΏej 1,5 J na impuls; lub

2. Przeciκtna moc wyjΆciowa powyΏej 120 W;

c. D³ugoΆζ fali wyjΆciowej powyΏej 190 nm, ale nie wiκcej niΏ 360 nm oraz jeden z poniΏszych parametrσw:

1. Energia wyjΆciowa powyΏej 10 J na impuls; lub

2. Przeciκtna moc wyjΆciowa powyΏej 500 W; lub

d. D³ugoΆζ fali wyjΆciowej powyΏej 360 nm oraz jeden z poniΏszych parametrσw:

1. Energia wyjΆciowa powyΏej 1,5 J na impuls; lub

2. Przeciκtna moc wyjΆciowa powyΏej 30 W;

N.B.: W przypadku «laserσw» ekscymerowych specjalnie zaprojektowanych dla urz±dzeρ litograficznych sprawdΌ 3B001.

2. Nastκpuj±ce «lasery» na parach metali:

a. «Lasery» na miedzi (Cu) o przeciκtnej mocy wyjΆciowej powyΏej 20 W;

b. «Lasery» na z³ocie (Au) o przeciκtnej mocy wyjΆciowej powyΏej 5 W;

c. «Lasery» na sodzie (Na) o mocy wyjΆciowej powyΏej 5 W;

d. «Lasery» na barze (Ba) o przeciκtnej mocy wyjΆciowej powyΏej 2 W;

3. «Lasery» na tlenku wκgla (CO) posiadaj±ce jedn± z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych:

a. Energia wyjΆciowa powyΏej 2 J na impuls i «szczytowa moc» impulsu powyΏej 5 kW; lub

b. Przeciκtna lub ci±g³a (CW) moc wyjΆciowa powyΏej 5 kW;

4. «Lasery» na dwutlenku wκgla (CO2 ) posiadaj±ce jedn± z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych:

a. Ci±g³a (CW) moc wyjΆciowa powyΏej 15 kW;

b. WyjΆcie impulsowe z «szerokoΆci± impulsu» powyΏej 10 mikrosekund oraz jeden z poniΏszych parametrσw:

1. Przeciκtna moc wyjΆciowa powyΏej 10 kW; lub

2. «Moc szczytowa» impulsu powyΏej 100 kW; lub

c. WyjΆcie impulsowe o «szerokoΆci impulsu» rσwnej lub mniejszej niΏ 10 mikrosekund oraz jeden z poniΏszych parametrσw:

1. Energia impulsu powyΏej 5 J na impuls; lub

2. Przeciκtna moc wyjΆciowa powyΏej 2,5 kW;

5. Nastκpuj±ce «lasery chemiczne» :

a. «Lasery» fluorowodorowe (HF);

b. «Lasery» na fluorku deuteru (DF);

c. «Lasery z przekazaniem energii» :

1. «Lasery» tlenowo-jodowe (O2 -I);

2. «Lasery» na mieszaninie fluorku deuteru i dwutlenku wκgla (DF-CO2 );

6. «Lasery» jarzeniowo-jonowe, tj. «lasery» na jonach kryptonu lub argonu posiadaj±ce jedn± z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych:

a. Energia wyjΆciowa powyΏej 1,5 J na impuls i «moc szczytowa» impulsu powyΏej 50 W; lub

b. Przeciκtna albo ci±g³a (CW) moc wyjΆciowa powyΏej 50 W;

7. Inne «lasery» gazowe, posiadaj±ce jedn± z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych:

Uwaga: Pozycja 6A005.a.7. nie obejmuje kontrol± «laserσw» azotowych.

a. D³ugoΆζ fali wyjΆciowej nie wiκksza niΏ 150 nm oraz jeden z poniΏszych parametrσw:

1. Energia wyjΆciowa powyΏej 50 mJ na impuls i «moc szczytowa» impulsu powyΏej 1 W; lub

2. Przeciκtna albo ci±g³a (CW) moc wyjΆciowa powyΏej 1 W;

b. D³ugoΆζ fali wyjΆciowej wiκksza niΏ 150 nm, ale nie d³uΏsza niΏ 800 nm oraz jeden z poniΏszych parametrσw:

1. Energia wyjΆciowa powyΏej 1,5 J na impuls i «moc szczytowa» impulsu powyΏej 30 W; lub

2. Przeciκtna albo ci±g³a (CW) moc wyjΆciowa powyΏej 30 W;

c. D³ugoΆζ fali wyjΆciowej wiκksza niΏ 800 nm, ale nie d³uΏsza niΏ 1400 nm oraz jeden z poniΏszych parametrσw:

1. Energia wyjΆciowa powyΏej 0,25 J na impuls i «moc szczytowa» impulsu powyΏej 10 W; lub

2. Przeciκtna albo ci±g³a (CW) moc wyjΆciowa powyΏej 10 W; lub

d. D³ugoΆζ fali wyjΆciowej wiκksza niΏ 1400 nm oraz przeciκtna albo ci±g³a (CW) moc wyjΆciowa powyΏej 1 W;

b. «Lasery» pσ³przewodnikowe, jak nastκpuje:

1. Indywidualne «lasery» pσ³przewodnikowe dzia³aj±ce w trybie z pojedynczym przejΆciem poprzecznym posiadaj±ce jedn± z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych:

a. D³ugoΆζ fali mniejsz± niΏ 1510 nm oraz przeciκtn± lub ci±g³± (CW) moc wyjΆciow± powyΏej 1,5 W; lub

b. D³ugoΆζ fali wiκksz± niΏ 1510 nm oraz przeciκtn± lub ci±g³± (CW) moc wyjΆciow± powyΏej 500 mW;

2. Indywidualne «lasery» pσ³przewodnikowe dzia³aj±ce w trybie z wielokrotnym przejΆciem poprzecznym posiadaj±ce jedn± z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych:

a. D³ugoΆζ fali mniejsz± niΏ 1400 nm oraz przeciκtn± lub ci±g³± (CW) moc wyjΆciow± powyΏej 10 W;

b. D³ugoΆζ fali wiκksz± niΏ 1400 nm a mniejsz± niΏ 1900 nm oraz przeciκtn± lub ci±g³± (CW) moc wyjΆciow± powyΏej 2,5 W; lub

c. D³ugoΆζ fali rσwn± lub wiκksz± niΏ 1900 nm oraz przeciκtn± lub ci±g³± (CW) moc wyjΆciow± powyΏej 1 W.

3. Indywidualne zestawy oddzielnych «laserσw» pσ³przewodnikowych posiadaj±ce jedn± z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych:

a. D³ugoΆζ fali mniejsz± niΏ 1400 nm oraz przeciκtn± lub ci±g³± (CW) moc wyjΆciow± powyΏej 80 W;

b. D³ugoΆζ fali wiκksz± niΏ 1400 nm a mniejsz± niΏ 1900 nm oraz przeciκtn± lub ci±g³± (CW) moc wyjΆciow± powyΏej 25 W; lub

c. D³ugoΆζ fali rσwn± lub wiκksz± niΏ 1900 nm oraz przeciκtn± lub ci±g³± (CW) moc wyjΆciow± powyΏej 10 W.

4. Stosy uk³adσw «laserσw» pσ³przewodnikowych zawieraj±ce przynajmniej jeden uk³ad znajduj±cy siκ pod pozycj± 6A005.b.3.

Uwagi techniczne:

1. «Lasery» pσ³przewodnikowe s± powszechnie nazywane diodami «laserowymi» .

2. «Uk³ad» sk³ada siκ z wielu pσ³przewodnikowych emiterσw «laserowych» wytwarzanych jako jeden uk³ad scalony tak, Ώe Άrodki emitowanych wi±zek Άwiat³a leΏ± na liniach rσwnoleg³ych.

3. «Stos uk³adσw» wytwarza siκ uk³adaj±c na sobie, albo w inny sposσb tworz±c zespσ³, «uk³ady» tak, Ώe Άrodki emitowanych wi±zek Άwiat³a leΏ± na liniach rσwnoleg³ych.

Uwaga 1: Pozycja 6A005.b. obejmuje «lasery» pσ³przewodnikowe wyposaΏone w optyczne z³±cza wyjΆciowe (np. kable z w³σkien Άwiat³owodowych).

Uwaga 2: Status kontroli «laserσw» pσ³przewodnikowych przeznaczonych specjalnie do innych urz±dzeρ wynika ze statusu kontroli tych innych urz±dzeρ.

c. Nastκpuj±ce «lasery» na ciele sta³ym:

1. «Lasery» «przestrajalne» posiadaj±ce jedn± z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych:

Uwaga: Pozycja 6A005.c.1. obejmuje «lasery» tytanowo-szafirowe (Ti: Al2 O3 ), tul - YAG (Tm: YAG), tul - YSGG (Tm: YSGG), aleksandrytowe (CR: BeAl2 O4 ) oraz «lasery» barwnikowe.

a. D³ugoΆζ fali wyjΆciowej poniΏej 600 nm oraz jeden z poniΏszych parametrσw:

1. Energia wyjΆciowa powyΏej 50 mJ na impuls i «moc szczytowa» impulsu powyΏej 1 W; lub

2. Przeciκtna lub ci±g³a (CW) moc wyjΆciowa powyΏej 1 W;

b. D³ugoΆζ fali wyjΆciowej 600 nm lub wiκksza, ale nieprzekraczaj±ca 1400 nm oraz jeden z poniΏszych parametrσw:

1. Energia wyjΆciowa powyΏej 1 J na impuls i «moc szczytowa» impulsu powyΏej 20 W; lub

2. Przeciκtna lub ci±g³a (CW) moc wyjΆciowa powyΏej 20 W; lub

c. D³ugoΆζ fali wyjΆciowej powyΏej 1400 nm oraz jeden z poniΏszych parametrσw:

1. Energia wyjΆciowa powyΏej 50 mJ na impuls i «moc szczytowa» impulsu powyΏej 1 W; lub

2. Przeciκtna lub ci±g³a (CW) moc wyjΆciowa powyΏej 1 W;

2. Nastκpuj±ce «lasery» «nieprzestrajalne» :

Uwaga: Pozycja 6A005.c.2. obejmuje kontrol± «lasery» na ciele sta³ym z przemian± atomow±.

a. Nastκpuj±ce «lasery» ze szk³a neodymowego:

1. «Lasery modulowane dobroci±» posiadaj±ce jedn± z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych:

a. Energia wyjΆciowa powyΏej 20 J, ale nie wiκcej niΏ 50 J na impuls i przeciκtna moc wyjΆciowa powyΏej 10 W; lub

b. Energia wyjΆciowa powyΏej 50 J na impuls;

2. «Lasery niemodulowane dobroci±» posiadaj±ce jedn± z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych:

a. Energia wyjΆciowa powyΏej 50 J, ale nie wiκcej niΏ 100 J na impuls i przeciκtna moc wyjΆciowa powyΏej 20 W; lub

b. Energia wyjΆciowa powyΏej 100 J na impuls;

b. Nastκpuj±ce «lasery» z domieszk± neodymu (z wyj±tkiem szk³a) z fal± wyjΆciow± o d³ugoΆci powyΏej 1000 nm, ale nie d³uΏsz± niΏ 1100 nm;

Uwaga: «Lasery» z domieszk± neodymow± (inn± niΏ szk³o), o d³ugoΆciach fali wyjΆciowej nie wiκkszych niΏ 1000 nm lub powyΏej 1100 nm, ujκto w pozycji 6A005.c.2.c.

1. Wzbudzane impulsowo, z blokad± trybu dzia³ania, «lasery modulowane dobroci±» o «szerokoΆci impulsu» poniΏej 1 ns oraz maj±ce jeden z poniΏszych parametrσw:

a. «Moc szczytowa» powyΏej 5 GW;

b. Przeciκtna moc wyjΆciowa powyΏej 10 W; lub

c. Energia impulsu powyΏej 0,1 J;

2. Wzbudzane impulsowo «lasery modulowane dobroci±» o «szerokoΆci impulsu» rσwnej albo wiκkszej niΏ 1 ns oraz maj±ce jeden z poniΏszych parametrσw:

a. Sygna³ wyjΆciowy w trybie pojedynczego przejΆcia poprzecznego maj±cy:

1. «Moc szczytow±» powyΏej 100 MW;

2. Przeciκtn± moc wyjΆciow± powyΏej 20 W; lub

3. Energiκ impulsu powyΏej 2 J; lub

b. Sygna³ wyjΆciowy w trybie wielokrotnego przejΆcia poprzecznego maj±cy:

1. «Moc szczytow±» powyΏej 400 MW;

2. Przeciκtn± moc wyjΆciow± powyΏej 2 kW; lub

3. Energiκ impulsu powyΏej 2 J;

3. Wzbudzane impulsowo «lasery innego typu niΏ modulowane dobroci±» , posiadaj±ce jedn± z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych:

a. WyjΆcie w trybie pojedynczego przejΆcia poprzecznego oraz jeden z poniΏszych parametrσw:

1. «Moc szczytow±» powyΏej 500 kW; lub

2. Przeciκtn± moc wyjΆciow± powyΏej 150 W; lub

b. WyjΆcie w trybie wielokrotnego przejΆcia poprzecznego oraz jeden z poniΏszych parametrσw:

1. «Moc szczytow±» powyΏej 1 MW; lub

2. Przeciκtn± moc wyjΆciow± powyΏej 2 kW;

4. «Lasery» o wzbudzeniu ci±g³ym posiadaj±ce jedn± z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych:

a. WyjΆcie w trybie pojedynczego przejΆcia poprzecznego oraz jeden z poniΏszych parametrσw:

1. «Moc szczytow±» powyΏej 500 kW; lub

2. Przeciκtn± lub ci±g³± (CW) moc wyjΆciow± powyΏej 150 W; lub

b. WyjΆcie w trybie wielokrotnego przejΆcia poprzecznego oraz jeden z poniΏszych parametrσw:

1. «Moc szczytow±» powyΏej 1 MW; lub

2. Przeciκtn± lub ci±g³± (CW) moc wyjΆciow± powyΏej 2 kW;

c. Inne «lasery» nieprzestrajalne posiadaj±ce jedn± z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych:

1. D³ugoΆζ fali wyjΆciowej poniΏej 150 nm oraz jeden z poniΏszych parametrσw:

a. Energia wyjΆciowa powyΏej 50 mJ na impuls i «moc szczytowa» impulsu powyΏej 1 W; lub

b. Przeciκtna albo ci±g³a (CW) moc wyjΆciowa powyΏej 1 W;

2. D³ugoΆζ fali wyjΆciowej 150 nm lub wiκcej, ale nie powyΏej 800 nm oraz jeden z poniΏszych parametrσw:

a. Energia wyjΆciowa powyΏej 1,5 J na impuls i «moc szczytowa» impulsu powyΏej 30 W; lub

b. Przeciκtna albo ci±g³a (CW) moc wyjΆciowa powyΏej 30 W;

3. Nastκpuj±ce lasery o d³ugoΆci fali wyjΆciowej powyΏej 800 nm, ale nie powyΏej 1400 nm:

a. «Lasery modulowane dobroci±» o nastκpuj±cych parametrach:

1. Energia wyjΆciowa powyΏej 0,5 J na impuls i «moc szczytowa» impulsu powyΏej 50 W; lub

2. Przeciκtna moc wyjΆciowa powyΏej:

a. Dla «laserσw» pracuj±cych w trybie pojedynczym 10 W;

b. Dla «laserσw» pracuj±cych w trybie wielokrotnym 30 W;

b. «Lasery niemodulowane dobroci±» o nastκpuj±cych parametrach:

1. Energia wyjΆciowa powyΏej 2 J na impuls i «moc szczytowa» impulsu powyΏej 50 W; lub

2. Przeciκtna lub ci±g³a (CW) moc wyjΆciowa powyΏej 50 W; lub

4. D³ugoΆζ fali powyΏej 1400 nm oraz jeden z poniΏszych parametrσw:

a. Energia wyjΆciowa powyΏej 100 mJ na impuls i «moc szczytowa» impulsu powyΏej 1 W; lub

b. Przeciκtna albo ci±g³a (CW) moc wyjΆciowa powyΏej 1 W;

d. «Lasery» barwnikowe i inne cieczowe, posiadaj±ce jedn± z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych:

1. D³ugoΆζ fali wyjΆciowej poniΏej 150 nm oraz:

a. Energia wyjΆciowa powyΏej 50 mJ na impuls i «moc szczytowa impulsu» powyΏej 1 W; lub

b. Przeciκtna albo ci±g³a (CW) moc wyjΆciowa powyΏej 1 W;

2. D³ugoΆζ fali 150 nm lub wiκcej, ale nie powyΏej 800 nm oraz jeden z poniΏszych parametrσw:

a. Energia wyjΆciowa powyΏej 1,5 J na impuls i «moc szczytowa» impulsu powyΏej 20 W;

b. Przeciκtna lub ci±g³a (CW) moc wyjΆciowa powyΏej 20 W;

c. Impulsowy pojedynczy oscylator pod³uΏny o przeciκtnej mocy wyjΆciowej powyΏej 1 W i czκstotliwoΆci powtarzania impulsσw 1 kHz w przypadku gdy «szerokoΆζ impulsu» wynosi poniΏej 100 ns;

3. D³ugoΆζ fali powyΏej 800 nm, ale nie wiκcej niΏ 1400 nm oraz jeden z poniΏszych parametrσw:

a. Energia wyjΆciowa powyΏej 0,5 J na impuls i «moc szczytowa» impulsu powyΏej 10 W; lub

b. Przeciκtna albo ci±g³a (CW) moc wyjΆciowa powyΏej 10 W; lub

4. D³ugoΆζ fali powyΏej 1400 nm oraz jeden z poniΏszych parametrσw:

a. Energia wyjΆciowa powyΏej 100 mJ na impuls i «moc szczytowa» impulsu powyΏej 1 W; lub

b. Przeciκtna albo ci±g³a (CW) moc wyjΆciowa powyΏej 1 W;

e. Nastκpuj±ce elementy:

1. Zwierciad³a «ch³odzone czynnie» albo za pomoc± termicznej ch³odnicy rurkowej;

Uwaga techniczna:

«Ch³odzenie czynne» jest technik± ch³odzenia elementσw optycznych za pomoc± cieczy przep³ywaj±cej pomiκdzy powierzchni± optyczn± a dodatkow± (zazwyczaj znajduj±c± siκ w odleg³oΆci poniΏej 1 mm od powierzchni optycznej), wskutek czego nastκpuje odprowadzenie ciep³a z powierzchni optycznej.

2. Zwierciad³a optyczne albo przepuszczalne lub czκΆciowo przepuszczalne elementy optyczne lub elektrooptyczne specjalnie przeznaczone do «laserσw» objκtych kontrol±;

f. Nastκpuj±ce urz±dzenia optyczne:

N.B.: OdnoΆnie elementσw optycznych z dzielon± apertur±, zdolnych do pracy w «Laserach super wysokiej mocy» , sprawdΌ takΏe Wykaz Uzbrojenia.

1. Dynamiczne urz±dzenia pomiarowe do czo³a fali (faza) umoΏliwiaj±ce mapowanie co najmniej 50 po³oΏeρ na czole wi±zki falowej charakteryzuj±ce siκ nastκpuj±cymi parametrami:

a. SzybkoΆζ analizy obrazσw rσwna lub wyΏsza niΏ 100 Hz oraz dyskryminacja fazy na co najmniej 5 % d³ugoΆci fali wi±zki; lub

b. SzybkoΆζ analizy obrazσw rσwna lub wyΏsza niΏ 1000 Hz i dyskryminacja fazy na co najmniej 20 % d³ugoΆci fali wi±zki;

2. «Laserowe» urz±dzenia diagnostyczne umoΏliwiaj±ce pomiar b³κdσw sterowania po³oΏeniem k±towym «Systemσw Laserowych Bardzo Wysokiej Mocy» (SHPL) z dok³adnoΆci± rσwn± lub lepsz± niΏ 10 >ISO_7>μ>ISO_2>rad (mikroradianσw);

3. Urz±dzenia optyczne, zespo³y lub elementy specjalnie przeznaczone do systemσw «SHPL» w formie zespo³σw fazowanych w celu sterowania wi±zkami koherentnymi z dok³adnoΆci± Lambda/10 dla okreΆlonej d³ugoΆci fali, lub 0,1 mikrometra, w zaleΏnoΆci od tego, ktσra z tych wielkoΆci jest mniejsza;

4. Teleskopy projekcyjne specjalnie przeznaczone do systemσw SHPL.

6A006 Nastκpuj±ce «magnetometry» , «mierniki gradientu magnetycznego» , «mierniki gradientu magnetycznego w³asnego» i systemy kompensacji oraz specjalnie do nich przeznaczone elementy:

Uwaga: Pozycja 6A006 nie obejmuje kontrol± instrumentσw specjalnie przeznaczonych do pomiarσw biomagnetycznych do celσw diagnostycznych w medycynie.

a. «Magnetometry» , w ktσrych zastosowano techniki «nadprzewodnictwa» , pompowania optycznego lub precesji j±drowej (proton/Overhauser) albo technologiκ trσjosiowego bramkowania strumienia charakteryzuj±ce siκ «poziomem szumσw» (czu³oΆci±) mniejsz± (lepsz±) niΏ 0,05 nT (Άrednia wartoΆζ kwadratowa) na pierwiastek kwadratowy z Hz;

b. «Magnetometry» z cewk± indukcyjn±, charakteryzuj±ce siκ «poziomem szumσw» mniejszym (czu³oΆci± lepsz±) niΏ jeden z poniΏszych:

1. 0,05 nT rms/square root Hz [(Άrednia wartoΆζ kwadratowa) na pierwiastek kwadratowy z Hz] w zakresie czκstotliwoΆci poniΏej 1 Hz;

2. 1 Χ 10-3 nT rms/square root Hz w zakresie czκstotliwoΆci 1 Hz lub powyΏej, ale nieprzekraczaj±cych 10 Hz; lub

3. 1 Χ 10-4 nT rms/square root Hz w zakresie czκstotliwoΆci powyΏej 10 Hz;

c. «Magnetometry» Άwiat³owodowe charakteryzuj±ce siκ «poziomem szumσw» (czu³oΆci±) poniΏej (lepsz± niΏ) 1 nT (Άrednia wartoΆζ kwadratowa) na pierwiastek kwadratowy z Hz;

d. «Mierniki gradientu magnetycznego» , w ktσrych zastosowano pewn± liczbκ «magnetometrσw» objκtych kontrol± wed³ug pozycji 6A006.a., 6A006.b. lub 6A006.c.;

e. ¦wiat³owodowe «mierniki gradientu magnetycznego w³asnego» charakteryzuj±ce siκ «poziomem szumσw» gradientu pola magnetycznego (czu³oΆci±) niΏszym (lepsz±) niΏ 0,3 nT/m rms/square root Hz;

f. «Mierniki gradientu magnetycznego w³asnego» , w ktσrych zastosowano inn± «technologiκ» niΏ Άwiat³owodowa, charakteryzuj±ce siκ «poziomem szumσw» gradientu pola magnetycznego (czu³oΆci±) niΏszym (lepsz±) niΏ 0,015 nT/m rms/square root Hz;

g. Systemy kompensacji magnetycznej do czujnikσw magnetycznych przeznaczonych do dzia³ania na ruchomych platformach;

h. «Nadprzewodz±ce» czujniki elektromagnetyczne zaopatrzone w elementy wykonane z materia³σw nadprzewodz±cych i cechuj±ce siκ wszystkimi poniΏszymi w³asnoΆciami:

1. Przeznaczone do dzia³ania w temperaturach poniΏej «temperatury krytycznej» co najmniej jednego z ich elementσw «nadprzewodz±cych» (w³±cznie z urz±dzeniami, ktσrych dzia³anie jest oparte na zjawisku Josephsona lub «urz±dzeniami nadprzewodz±cymi» dzia³aj±cymi na zasadzie interferencji kwantowej (SQUIDS));

2. Przeznaczone do wykrywania zmian pola elektromagnetycznego z czκstotliwoΆciami 1 kHz lub mniejszymi; oraz

3. Charakteryzuj±ce siκ jedn± z wymienionych poniΏej w³aΆciwoΆci:

a. WyposaΏone w cienkowarstwowe elementy SQUIDS o minimalnym wymiarze charakterystycznym poniΏej 2 mikrometrσw zaopatrzone w odpowiednie wejΆciowe i wyjΆciowe obwody sprzκgaj±ce;

b. Przeznaczone do dzia³ania w przypadku szybkoΆci zmian pola magnetycznego powyΏej 1 Χ 106 strumienia magnetycznego na sekundκ;

c. Przeznaczone do dzia³ania w ziemskim polu magnetycznym bez ekranowania magnetycznego; lub

d. Maj±ce wspσ³czynnik temperaturowy poniΏej (mniejszy niΏ) 0,1 strumienia magnetycznego/K.

6A007 Nastκpuj±ce grawimetry i mierniki gradientu pola grawitacyjnego:

N.B.: SPRAWD¬ TAK—E POZYCJΚ 6A107.

a. Grawimetry zaprojektowane lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do pomiarσw naziemnych o dok³adnoΆci statycznej poniΏej (lepszej niΏ) 10 >ISO_7>μ>ISO_2>gal;

Uwaga: Pozycja 6A007.a. nie obejmuje kontrol± grawimetrσw do pomiarσw naziemnych z elementem kwarcowym (Wordena).

b. Grawimetry do stosowania na ruchomych platformach charakteryzuj±ce siκ wszystkimi z poniΏszych parametrσw:

1. Dok³adnoΆζ statyczna poniΏej (lepsza niΏ) 0,7 mgal; oraz

2. Dok³adnoΆζ eksploatacyjna (robocza) poniΏej (lepsza niΏ) 0,7 mgal przy czasie do ustalenia warunkσw rejestracji poniΏej 2 minut bez wzglκdu na sposσb kompensacji oddzia³ywaρ ubocznych i wp³ywu ruchu;

c. Mierniki gradientu pola grawitacyjnego.

6A008 Systemy, urz±dzenia i zespo³y radarowe o jednej z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych oraz specjalnie do nich przeznaczone elementy:

N.B.: SPRAWD¬ TAK—E POZYCJΚ 6A108.

Uwaga: Pozycja 6A008 nie obejmuje kontrol± nastκpuj±cych obiektσw:

a. Pomocniczych radarσw kontroli rejonu (SSR);

b. Radarσw samochodowych ostrzegaj±cych przed zderzeniami;

c. WyΆwietlaczy i monitorσw stosowanych w kontroli ruchu powietrznego maj±cych nie wiκcej niΏ 12 rozrσΏnialnych elementσw na mm.

d. Radarσw meteorologicznych (do kontroli pogody).

a. Dzia³aj±ce w zakresie czκstotliwoΆci od 40 GHz do 230 GHz i charakteryzuj±ce siκ przeciκtn± moc± wyjΆciow± powyΏej 100 mW;

b. UmoΏliwiaj±ce przestrajanie pasma czκstotliwoΆci w zakresie powyΏej ± 6,25 % od «Άrodkowej czκstotliwoΆci roboczej» ;

Uwaga techniczna:

«¦rodkowa czκstotliwoΆζ robocza» rσwna siκ po³owie sumy najwyΏszej i najniΏszej nominalnej czκstotliwoΆci roboczej.

c. Zdolne do rσwnoczesnego dzia³ania na dwσch lub wiκcej czκstotliwoΆciach noΆnych;

d. Zdolne do dzia³ania w trybie z syntez± apertury (SAR), z odwrσcon± syntez± apertury (ISAR) albo jako radiolokatory pok³adowe obserwacji bocznej (SLAR);

e. Zaopatrzone w «sterowany elektronicznie fazowany uk³ad antenowy» ;

f. Zdolne do okreΆlania wysokoΆci niepowi±zanych ze sob± celσw;

Uwaga: Pozycja 6A008.f. nie obejmuje kontrol± urz±dzeρ radiolokacyjnych dok³adnej kontroli podejΆcia do l±dowania (PAR) odpowiadaj±cych standardom ICAO;

g. Przeznaczone specjalnie dla lotnictwa (zainstalowane na balonach lub samolotach) i maj±ce moΏliwoΆζ «przetwarzania sygna³σw» dopplerowskich w celu wykrywania obiektσw ruchomych;

h. Zdolne do przetwarzania sygna³σw radiolokacyjnych nastκpuj±cymi technikami:

1. «Rozproszonego widma radiolokacyjnego» ; lub

2. «Regulacji czκstotliwoΆci sygna³σw radiolokacyjnych» ;

i. Zapewniaj±ce dzia³ania naziemne o maksymalnym «zasiκgu roboczym » powyΏej 185 km;

Uwaga: Pozycja 6A008.i. nie obejmuje kontrol±:

a. radarσw kontroli ³owisk rybackich;

b. radarowych instalacji naziemnych specjalnie przeznaczonych do kierowania ruchem lotniczym, specjalnie opracowanych, aby spe³nia³y wszystkie poniΏsze warunki:

1. ich maksymalny «zasiκg roboczy» wynosi co najwyΏej 500 km;

2. skonfigurowano je w taki sposσb, Ώe umoΏliwiaj± transmisjκ danych o celach radarowych tylko w jedn± stronκ, od miejsca zainstalowania radaru do jednego lub wiκcej cywilnych oΆrodkσw ATC (kierowania ruchem lotniczym).

3. nie zawieraj± Ώadnych elementσw umoΏliwiaj±cych zdalne sterowanie szybkoΆci± przeszukiwania radaru z oΆrodka ATC; oraz

4. maj± byζ zainstalowane na sta³e.

c. meteorologicznych, balonowych radiolokatorσw Άledz±cych.

j. Radary «laserowe» lub optyczne (LIDAR'y), maj±ce jedn± z poniΏszych cech charakterystycznych:

1. Parametry «klasy kosmicznej» ; lub

2. Zastosowanie koherentnych heterodynowych lub homodynowych technik wykrywania obiektσw oraz posiadanie rozdzielczoΆci k±towej poniΏej (lepszej niΏ) 20 >ISO_7>μ>ISO_2>rad (mikroradianσw);

Uwaga: Pozycja 6A008.j. nie obejmuje kontrol± urz±dzeρ LIDAR'owych specjalnie przeznaczonych do badaρ lub do obserwacji meteorologicznych.

k. WyposaΏone w poduk³ady do «przetwarzania sygna³σw» technik± «kompresji impulsσw» posiadaj±ce jedn± z poniΏszych cech charakterystycznych:

1. WskaΌnik «kompresji impulsσw» powyΏej 150; lub

2. SzerokoΆζ impulsu poniΏej 200 ns; lub

l. WyposaΏone w poduk³ady do przetwarzania danych umoΏliwiaj±ce realizacjκ jednej z poniΏszych funkcji:

1. «Automatyczne Άledzenie celu» zapewniaj±ce, przy dowolnym po³oΏeniu k±towym anteny, przewidzenie po³oΏenia celu w okresie pomiκdzy kolejnymi przejΆciami wi±zki radiolokacyjnej;

Uwaga: Pozycja 6A008.l.1. nie obejmuje kontrol± uk³adσw ostrzegaj±cych przed moΏliwoΆci± zderzenia, wchodz±cych w sk³ad systemσw kontroli ruchu powietrznego albo morskiego lub portowego.

2. Obliczanie prκdkoΆci celu za pomoc± radaru g³σwnego, o nieperiodycznych (zmiennych) czκstotliwoΆciach przeszukiwania;

3. Przetwarzanie danych do automatycznego rozpoznawania typu (wychwytywanie cech charakterystycznych) i porσwnywania z charakterystycznymi parametrami znajduj±cymi siκ w bazie danych (w postaci kszta³tu fal albo obrazσw) w celu identyfikacji lub klasyfikacji obiektu; lub

4. Superpozycjκ (nak³adanie) i korelacjκ lub scalanie danych o celu z dwσch lub wiκcej «wspσ³pracuj±cych czujnikσw radarowych» «rozrzuconych geograficznie» w celu wzmocnienia i wyodrκbnienia celσw.

Uwaga: Pozycja 6A008.l.4. nie obejmuje kontrol± systemσw, urz±dzeρ lub zespo³σw uΏywanych do kontroli ruchu na morzu.

6A102 «Detektory» zabezpieczone przed promieniowaniem, rσΏne od wymienionych w pozycji 6A002, specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do ochrony przed skutkami wybuchσw j±drowych (np. impulsσw elektromagnetycznych (EMP), promieniowania rentgenowskiego, kombinowanych efektσw podmuchu i udaru termicznego) i znajduj±ce zastosowanie w «pociskach rakietowych» , skonstruowane lub przystosowane w taki sposσb, Ώe s± w stanie wytrzymaζ ³±czn± dawkκ promieniowania o wartoΆci 5 Χ 105 radσw (Si).

Uwaga techniczna:

W pozycji 6A102 przez pojκcie detektora naleΏy rozumieζ urz±dzenie mechaniczne, elektryczne, optyczne lub chemiczne, do automatycznej identyfikacji i rejestracji takich bodΌcσw, jak zmiany warunkσw otoczenia, np. ciΆnienie lub temperatura, sygna³ elektryczny lub elektromagnetyczny albo promieniowanie materia³u radioaktywnego. Obejmuje to urz±dzenia, ktσre wykrywaj± bodziec poprzez jednorazowe zadzia³anie albo uszkodzenie siκ.

6A107 Nastκpuj±ce grawimetry i podzespo³y do miernikσw grawitacji i miernikσw gradientu pola grawitacyjnego:

a. Grawimetry rσΏne od wymienionych w pozycji 6A007.b., zaprojektowane lub zmodyfikowane do stosowania w lotnictwie lub w warunkach morskich, posiadaj±ce dok³adnoΆζ statyczn± lub eksploatacyjn± (robocz±) rσwn± lub niΏsz± (lepsz±) niΏ 7 Χ 10-6 m/s2 (0,7 miligala) przy czasie do ustalenia warunkσw rejestracji rσwnym lub krσtszym od 2 minut;

b. Specjalnie zaprojektowane podzespo³y do grawimetrσw wymienionych w pozycjach 6A007.b. lub 6A107.a. oraz do miernikσw gradientu pola grawitacyjnego wymienionych w pozycji 6A007.c.

6A108 Nastκpuj±ce instalacje radarowe i Άledz±ce, rσΏne od wymienionych w pozycji 6A008:

a. Instalacje radarowe lub laserowe przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do stosowania w kosmicznych pojazdach noΆnych wymienionych w pozycji 9A004 lub w rakietach meteorologicznych wymienionych w pozycji 9A104.

Uwaga: Pozycja 6A108.a. obejmuje nastκpuj±ce obiekty:

a. Urz±dzenia do wykonywania map konturowych terenu;

b. Urz±dzenia czujnikowe obrazσw;

c. Urz±dzenia do wykonywania i korelacji obrazσw terenu (analogowe i cyfrowe);

d. Urz±dzenia do radarowej nawigacji doplerowskiej;

b. Nastκpuj±ce precyzyjne instalacje do Άledzenia torσw obiektσw, znajduj±ce zastosowanie w «pociskach rakietowych» :

1. Instalacje do Άledzenia torσw, wyposaΏone w translatory kodσw wspσ³pracuj±ce z instalacjami naziemnymi lub nadziemnymi albo satelitarnymi instalacjami nawigacyjnymi w celu pomiaru w czasie rzeczywistym po³oΏeρ i prκdkoΆci obiektσw w locie;

2. Radary kontroli obszaru powietrznego wspσ³pracuj±ce z instalacjami Άledzenia obiektσw w zakresie optycznym i podczerwonym, posiadaj±ce wszystkie wymienione poniΏej cechy charakterystyczne:

a. RozdzielczoΆζ k±tow± lepsz± niΏ 3 miliradiany (0,5 mils);

b. Zasiκg 30 km lub wiκkszy z rozdzielczoΆci± odleg³oΆci lepsz± niΏ 10 m (Άrednia kwadratowa);

c. Dok³adnoΆζ ustalania prκdkoΆci lepsz± od 3 m/s.

Uwaga techniczna:

Termin «pocisk rakietowy» w pozycji 6A108b oznacza kompletn± instalacjκ rakietow± i bezza³ogowe systemy pojazdσw lataj±cych o zasiκgu powyΏej 300 km.

6A202 Lampy fotopowielaczowe maj±ce wszystkie nastκpuj±ce cechy:

a. powierzchniκ fotokatody powyΏej 20 cm2; i

b. czas narastania impulsu katody poniΏej 1 ns.

6A203 Nastκpuj±ce kamery filmowe i ich podzespo³y, rσΏne od wymienionych w pozycji 6A003:

a. Nastκpuj±ce kamery z wiruj±cym zwierciad³em napκdzanym mechanicznie oraz specjalnie do nich przeznaczone podzespo³y:

1. Kamery filmowe z kadrowaniem z szybkoΆci± powyΏej 225000 klatek zdjκciowych na sekundκ;

2. Kamery smugowe z prκdkoΆciami zapisu powyΏej 0,5 mm na mikrosekundκ;

Uwaga: W pozycji 6A203.a do podzespo³σw kamer tego typu zalicza siκ specjalnie skonstruowane elektroniczne elementy synchronizuj±ce oraz specjalne zespo³y wirnikσw sk³adaj±ce siκ z turbinek, zwierciade³ i ³oΏysk.

b. Nastκpuj±ce elektroniczne kamery i lampy smugowe i obrazowe:

1. Elektroniczne kamery smugowe o rozdzielczoΆci czasowej 50 ns lub mniejszej;

2. Lampy smugowe do kamer wymienionych w poz. 6A203.b.1.;

3. Kamery elektroniczne (albo z elektroniczn± migawk±) o czasie naΆwietlania 50 ns lub krσtszym.

4. Nastκpuj±ce lampy obrazowe i pσ³przewodnikowe urz±dzenia obrazowe do kamer filmowych wymienionych w pozycji 6A203.b.3:

a. Lampy wzmacniaj±ce ogniskowanie obrazσw zbliΏeniowych, posiadaj±ce fotokatodκ w postaci warstwy osadzonej na przezroczystej pow³oce przewodz±cej w celu zmniejszenia jej opornoΆci;

b. Lampy wzmacniaj±ce na bramkach wykonanych w technologii SIT (silicon intensifier target), w ktσrych szybki uk³ad umoΏliwia bramkowanie fotoelektronσw z fotokatody przed ich uderzeniem w p³ytkκ SIT;

c. Migawki elektrooptyczne z fotokomσrkami dzia³aj±cymi na zasadzie efektu Kerra lub Pockela; lub

d. Inne lampy obrazowe oraz pσ³przewodnikowe urz±dzenia obrazowe o czasie bramkowania szybkich obrazσw poniΏej 50 ns, specjalnie przeznaczone do kamer filmowych wymienionych w pozycji 6A203.b.3.

c. Kamery telewizyjne zabezpieczone przed promieniowaniem oraz soczewki do nich, skonstruowane lub przystosowane w taki sposσb, Ώe s± w stanie wytrzymaζ promieniowanie o natκΏeniu powyΏej 50 Χ 103 Gy (Si) [5 Χ 106 rad (Si)] bez pogorszenia moΏliwoΆci eksploatacyjnych, oraz specjalnie do nich przeznaczone soczewki.

Uwaga techniczna:

Termin Gy(silikon) odnosi siκ do energii w Jooulach na kilogram wch³oniκtej przez nieos³oniκt± prσbkκ krzemow± po wystawieniu na dzia³anie promieniowania jonizuj±cego.

6A205 Nastκpuj±ce «lasery» , wzmacniacze «laserowe» i oscylatory, rσΏne od wymienionych w pozycjach 0B001.g.5., 0B001.h.6. i 6A005:

a. Lasery na jonach argonu maj±ce obydwie wymienione cechy:

1. pracuj±ce w zakresie fal o d³ugoΆciach pomiκdzy 400 nm a 515 nm; i

2. przeciκtn± moc wyjΆciow± powyΏej 40 W;

b. Przestrajalne, impulsowe oscylatory na laserach barwnikowych pracuj±ce w trybie pojedynczym, maj±ce wszystkie nastκpuj±ce cechy:

1. pracuj±ce w przedziale d³ugoΆci fal od 300 nm do 800 nm;

2. przeciκtn± moc wyjΆciow± powyΏej 1 W;

3. czκstotliwoΆci powtarzania powyΏej 1 kHz; i

4. impuls o d³ugoΆci poniΏej 100 ns;

c. Przestrajalne, impulsowe wzmacniacze i oscylatory na laserach barwnikowych, maj±ce wszystkie nastκpuj±ce cechy:

1. pracuj±ce w przedziale d³ugoΆci fal od 300 nm do 800 nm;

2. przeciκtn± moc wyjΆciow± powyΏej 30 W;

3. czκstotliwoΆci powtarzania powyΏej 1 kHz; i

4. impuls o d³ugoΆci poniΏej 100 ns;

Uwaga: Pozycja 6A205.c. nie obejmuje oscylatorσw pracuj±cych w trybie pojedynczym;

d. Impulsowe «lasery» na dwutlenku wκgla, maj±ce wszystkie nastκpuj±ce cechy:

1. pracuj±ce w przedziale d³ugoΆci fal od 9000 nm do 11000 nm;

2. czκstotliwoΆci powtarzania powyΏej 250 Hz;

3. przeciκtnej mocy wyjΆciowej powyΏej 500 W; i

4. szerokoΆci impulsu poniΏej 200 ns;

e. Przekszta³tniki na parawodorze dzia³aj±ce w paΆmie Ramana, przeznaczone do pracy na fali 16-mikrometrowej z czκstotliwoΆci± powtarzania powyΏej 250 Hz.

f. Wzbudzane impulsowo «lasery modulowane dobroci±» , domieszkowane neodymem (z wyj±tkiem szk³a), posiadaj±ce wszystkie poniΏsze parametry:

1. wyjΆciow± d³ugoΆζ fali powyΏej 1000 nm, ale nieprzekraczaj±c± 1100 nm;

2. czas trwania impulsu rσwny lub wiκkszy niΏ 1 ns; oraz

3. wyjΆcie w trybie wielokrotnego przejΆcia poprzecznego ze Άredni± moc± wyjΆciow± ponad 50 W.

6A225 Interferometry do pomiaru prκdkoΆci w zakresie powyΏej 1 km/s w odstκpach czasowych poniΏej 10 mikrosekund.

Uwaga: Pozycja 6A225 obejmuje doplerowskie interferometry laserowe, jak VISAR'y, DLI itp.

6A226 Nastκpuj±ce czujniki ciΆnienia:

a. Czujniki wykonane z manganinu z przeznaczeniem do pomiaru ciΆnieρ powyΏej 10 GPa; lub

b. Kwarcowe przetworniki ciΆnieρ do pomiarσw ciΆnieρ powyΏej 10 GPa.

6B Urz±dzenia testuj±ce, kontrolne i produkcyjne

6B004 Nastκpuj±ce urz±dzenia optyczne:

a. Urz±dzenia do pomiaru absolutnego wspσ³czynnika odbicia z dok³adnoΆci± ± 0,1 % wartoΆci odbicia;

b. Urz±dzenia rσΏne od optycznych urz±dzeρ do pomiaru rozpraszania powierzchni, posiadaj±ce nieprzys³oniκt± aperturκ o wielkoΆci powyΏej 10 cm, specjalnie przeznaczone do bezstykowych pomiarσw optycznych figur o przestrzennych (nieplanarnych) powierzchniach optycznych (profili) z «dok³adnoΆci±» 2 nm lub wiκksz± (lepsz±) na danym profilu.

Uwaga: Pozycja 6B004 nie obejmuje kontrol± mikroskopσw.

6B007 Urz±dzenia do produkcji, strojenia i wzorcowania grawimetrσw l±dowych o dok³adnoΆci statycznej lepszej niΏ 0,1 miligal;

6B008 Systemy do impulsowych pomiarσw radarowego przekroju czynnego o szerokoΆciach impulsu przesy³owego 100 ns lub mniejszych oraz specjalnie dla nich przeznaczone elementy.

N.B.: SPRAWD¬ TAK—E POZYCJΚ 6B108.

6B108 Systemy specjalnie przeznaczone do pomiarσw radarowego przekroju czynnego znajduj±ce zastosowanie w «pociskach rakietowych» i ich podzespo³ach, rσΏne od wymienionych w pozycji 6B008.

6C Materia³y

6C002 Nastκpuj±ce materia³y do czujnikσw optycznych:

a. Tellur pierwiastkowy (Te) o poziomie czystoΆci rσwnym lub wyΏszym niΏ 99,9995 %;

b. Pojedyncze kryszta³y nastκpuj±cych substancji (w³±cznie z epitaksjalnymi p³ytkami);

1. Tellurku kadmu i cynku (kadmowo-cynkowego) (CdZnTe), o zawartoΆci cynku mniej niΏ 6 % w «u³amku molowym» ;

2. Tellurku kadmu (CdTe) o dowolnym poziomie czystoΆci; lub

3. Tellurku kadmu i rtκci (kadmowo-rtκciowego) (HgCdTe) o dowolnym poziomie czystoΆci.

Uwaga techniczna:

«U³amek molowy» definiowany jest jako stosunek moli ZnTe do sumy moli CdTe i ZnTe znajduj±cych siκ w krysztale.

6C004 Nastκpuj±ce materia³y optyczne:

a. «Pσ³produkty pod³oΏy» z selenku cynku (ZnSe) i siarczku cynku (ZnS) wytwarzane technik± osadzania z par lotnych, maj±ce jedn± z nastκpuj±cych w³aΆciwoΆci:

1. O objκtoΆci powyΏej 100 cm3; lub

2. O Άrednicy wiκkszej niΏ 80 mm i gruboΆci rσwnej lub wiκkszej niΏ 20 mm;

b. Kκsy nastκpuj±cych materia³σw elektrooptycznych:

1. Arsenianu potasu i tytanylu (potasowo-tytanylowy) (KTA);

2. Selenku srebra i galu (srebrowo-galowy) (AgGaSe2 );

3. Selenku talu i arsenu (talowo-arsenowego) (Tl3 AsSe3 , znanego rσwnieΏ pod nazw± TAS);

c. Nieliniowe materia³y optyczne o nastκpuj±cych parametrach:

1. WraΏliwoΆζ trzeciego rzκdu (chi 3) rσwna 10-6m2/V2 lub lepsza; oraz

2. Czas reakcji poniΏej 1 ms;

d. «Pσ³produkty pod³oΏy» z osadzonym wκglikiem krzemu lub beryl-beryl (Be/Be) o Άrednicy lub d³ugoΆci osi g³σwnej powyΏej 300 mm;

e. Szk³o, w³±cznie ze stopion± krzemionk±, szk³o fosforanowe, fluorofosforanowe, z fluorku cyrkonu (ZrF4 ) i fluorku hafnu (HfF4 ) maj±ce wszystkie z nastκpuj±cych w³aΆciwoΆci:

1. StκΏenie jonσw hydroksylowych (OH-) poniΏej 5 ppm (czκΆci na milion);

2. ZawartoΆζ wtr±ceρ metalicznych poniΏej 1 ppm; oraz

3. Wysoka jednorodnoΆζ (wahania wspσ³czynnika za³amania Άwiat³a) poniΏej 5 Χ 10-6;

f. Wytwarzany syntetycznie materia³ diamentowy o wspσ³czynniku poch³aniania poniΏej 10-5 cm-1 dla fal o d³ugoΆciach powyΏej 200 nm, ale nie d³uΏszych niΏ 14000 nm;

6C005 Nastκpuj±ce pσ³produkty do «laserσw» na kryszta³ach syntetycznych:

a. Szafir domieszkowany tytanem;

b. Aleksandryt.

6D Oprogramowanie

6D001 «Oprogramowanie» specjalnie przeznaczone do «rozwoju» lub «produkcji» urz±dzeρ objκtych kontrol± wed³ug pozycji 6A004, 6A005, 6A008 lub 6B008.

6D002 «Oprogramowanie» specjalnie przeznaczone do «uΏytkowania» urz±dzeρ objκtych kontrol± wed³ug pozycji 6A002.b., lub 6A008 lub 6B008.

6D003 Nastκpuj±ce inne oprogramowanie:

a. 1. «Oprogramowanie» specjalnie przeznaczone do kszta³towania wi±zek akustycznych do «przetwarzania w czasie rzeczywistym» danych akustycznych pochodz±cych z pasywnego odbioru za pomoc± holowanego zespo³u hydrofonσw;

2. «Kod Όrσd³owy» do «przetwarzania w czasie rzeczywistym» danych akustycznych pochodz±cych z pasywnego odbioru za pomoc± holowanego zespo³u hydrofonσw;

3. «Oprogramowanie» specjalnie opracowane do formowania wi±zek akustycznych do «przetwarzania w czasie rzeczywistym» danych akustycznych w celu biernej detekcji za pomoc± dennych lub przybrzeΏnych uk³adσw kablowych;

4. «kod Όrσd³owy» do «przetwarzania w czasie rzeczywistym» danych akustycznych dla biernej detekcji dla dennych lub przybrzeΏnych uk³adσw kablowych;

b. 1. «Oprogramowanie» specjalnie przeznaczone do systemσw kompensacji magnetycznej do czujnikσw magnetycznych przeznaczonych do pracy na ruchomych platformach;

2. «Oprogramowanie» specjalnie przeznaczone do wykrywania anomalii magnetycznych na ruchomych platformach;

c. «Oprogramowanie» specjalnie przeznaczone do korygowania wp³ywu oddzia³ywaρ zwi±zanych z ruchem na grawimetry i mierniki gradientu pola grawitacyjnego;

d. 1. «Programy» aplikacyjne «oprogramowania» do Kontroli Ruchu Powietrznego zainstalowane na komputerach ogσlnego przeznaczenia w centrach Kontroli Ruchu Powietrznego, umoΏliwiaj±ce realizacjκ jednej z wymienionych poniΏej funkcji:

a. Przetwarzanie i wyΆwietlanie rσwnoczeΆnie ponad 150 «ΆcieΏek systemowych» ;

b. Przyjmowanie danych radiolokacyjnych o obiektach z wiκcej niΏ czterech radarσw pierwotnych;

2. «Oprogramowanie» do projektowania lub «produkcji» kopu³ anten radiolokatorσw, ktσre:

a. S± specjalnie przeznaczone do ochrony «sterowanych elektronicznie fazowanych uk³adσw antenowych» objκtych kontrol± wed³ug pozycji 6A008.e.; oraz

b. Wp³ywaj± na charakterystykκ promieniowania anteny, maj±c «przeciκtny poziom listkσw bocznych» wiκkszy niΏ 40 dB poniΏej wartoΆci szczytowych wi±zki g³σwnej.

Uwaga techniczna:

«Przeciκtny poziom listkσw bocznych» w pozycji 6D003.d.2.b. mierzony jest dla ca³ego uk³adu, pomijaj±c rozpiκtoΆζ k±tow± wi±zki g³σwnej i pierwsze dwa listki boczne z kaΏdej strony.

6D102 «Oprogramowanie» specjalnie przeznaczone lub zmodyfikowane do «uΏytkowania» «wyrobσw» wymienionych w pozycji 6A108.

6D103 «Oprogramowanie» do obrσbki (po zakoρczeniu lotu) danych zebranych podczas lotu, umoΏliwiaj±ce okreΆlenie po³oΏenia pojazdu w kaΏdym punkcie toru jego lotu, specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane dla «pociskσw rakietowych» .

Uwaga techniczna:

«Pocisk rakietowy» w pozycji 6D103 odnosi siκ do kompletnych systemσw rakietowych i bezza³ogowych statkσw lataj±cych o zasiκgu powyΏej 300 km.

6E Technologia

6E001 «Technologie» wed³ug Uwagi ogσlnej do technologii do «rozwoju» urz±dzeρ, materia³σw lub «oprogramowania» objκtych kontrol± wed³ug pozycji 6A, 6B, 6C lub 6D.

6E002 «Technologie» wed³ug Uwagi ogσlnej do technologii do «produkcji» urz±dzeρ lub materia³σw objκtych kontrol± wed³ug pozycji 6A, 6B lub 6C.

6E003 Nastκpuj±ce inne technologie:

a. 1. «Technologie » wytwarzania i obrσbki pow³ok na powierzchniach optycznych «niezbκdne» do osi±gniκcia jednorodnoΆci 99,5 % lub lepszej na pow³okach optycznych o Άrednicy lub d³ugoΆci osi g³σwnej wynosz±cej 500 mm lub wiκcej i ca³kowitego wspσ³czynnika strat (poch³anianie i rozpraszanie) poniΏej 5 Χ 10-3;

N.B.: SprawdΌ takΏe pozycjκ 2E003.f.

2. «Technologie» wytwarzania elementσw optycznych wykorzystuj±ce jednoostrzowe techniki diamentowania, umoΏliwiaj±ce wyg³adzanie powierzchni z dok³adnoΆci± lepsz± niΏ 10 nm (wartoΆζ Άrednia kwadratowa) na powierzchniach niep³askich o polu powyΏej 0,5 m2;

b. «Technologie» «niezbκdne» do «rozwoju» , «produkcji» lub «uΏytkowania» specjalnie zaprojektowanych instrumentσw diagnostycznych lub obiektσw w urz±dzeniach testuj±cych specjalnie przeznaczonych do testowania instalacji «Urz±dzeρ Laserowych Bardzo Wysokiej Mocy» (SHPL) albo testowania lub oceny materia³σw napromienionych wi±zk± z tych systemσw;

c. «Technologie» «niezbκdne» do «rozwoju» lub «produkcji» nie trzyosiowych bramkowo strumieniowych «magnetometrσw» lub systemσw «magnetometrσw» , maj±cych jedn± z poniΏszych cech charakterystycznych:

1. «Poziom szumu» mniejszy niΏ 0,05 nT (Άrednia kwadratowa) na pierwiastek kwadratowy z Hz przy czκstotliwoΆciach poniΏej Hz; lub

2. «Poziom szumu» mniejszy niΏ 1 Χ 10-3 nT (Άrednia kwadratowa) na pierwiastek kwadratowy z Hz przy czκstotliwoΆciach 1 Hz lub wiκkszych.

6E101 «Technologie» wed³ug Uwagi ogσlnej do technologii do «uΏytkowania» urz±dzeρ lub «oprogramowania» objκtych kontrol± wed³ug pozycji 6A002, 6A007.b i c., 6A008, 6A102, 6A107, 6A108, 6B108, 6D102 lub 6D103.

Uwaga: Pozycja 6E101 obejmuje wy³±cznie «technologie» do urz±dzeρ wymienionych w pozycji 6A008 w razie jej przeznaczenia do stosowania w lotnictwie i moΏliwoΆci zastosowania w «pociskach rakietowych» .

6E201 «Technologie» wed³ug Uwagi ogσlnej do technologii do «uΏytkowania» urz±dzeρ wymienionych w pozycjach 6A003, 6A005.a.1.c., 6A005.a.2.a., 6A005.c.1.b., 6A005.c.2.c.2., 6A005.c.2.d.2.b., 6A202, 6A203, 6A205, 6A225 lub 6A226.

KATEGORIA 7

NAWIGACJA I AWIONIKA

7A Systemy, urz±dzenia i czκΆci:

N.B.: W przypadku automatycznych pilotσw do p³ywaj±cych jednostek podwodnych sprawdΌ takΏe Kategoriκ 8.

W przypadku radarσw sprawdΌ takΏe Kategoriκ 6.

7A001 Akcelerometry (przyspieszeniomierze) liniowe przeznaczone do inercyjnych systemσw nawigacji lub naprowadzania i posiadaj±ce jedn± z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych oraz specjalnie do nich przeznaczone podzespo³y:

N.B.: SPRAWD¬ TAK—E POZYCJΚ 7A101. W PRZYPADKU AKCELEROMETRΣW K‛TOWYCH LUB OBROTOWYCH SPRAWD¬ TAK—E POZYCJΚ 7A002.

a. «StabilnoΆζ» «wychylenia wstκpnego» poniΏej (lepsz± niΏ) 130 mikro g wzglκdem ustalonej wartoΆci wzorcowej w okresie jednego roku;

b. «StabilnoΆζ» «wspσ³czynnika skalowania» poniΏej (lepsz± niΏ) 130 ppm wzglκdem ustalonej wartoΆci wzorcowej w okresie jednego roku;

c. Przeznaczone do pracy przy przyspieszeniach na poziomie powyΏej 100 g;

7A002 —yroskopy i akcelerometry k±towe lub obrotowe, posiadaj±ce jedn± z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych, oraz specjalnie do nich przeznaczone podzespo³y.

N.B.: SPRAWD¬ TAK—E POZYCJΚ 7A102.

a. «StabilnoΆζ» «pe³zania zera» , mierzona w warunkach przyspieszenia rσwnego 1 g w okresie trzech miesiκcy i w odniesieniu do ustalonej wartoΆci wzorcowej, wynosz±ca:

1. PoniΏej (lepsza niΏ) 0,1° na godzinκ w przypadku przeznaczenia do ci±g³ego dzia³ania w warunkach przyspieszenia liniowego poniΏej 10 g; lub

2. PoniΏej (lepsza niΏ) 0,5° na godzinκ w przypadku przeznaczenia do ci±g³ego dzia³ania w warunkach przyspieszenia liniowego od 10 g do 100 g w³±cznie; lub

b. Przeznaczone do dzia³ania w warunkach przyspieszeρ liniowych o wartoΆciach na poziomie powyΏej 100 g;

7A003 Inercyjne systemy nawigacji i specjalnie zaprojektowane do nich podzespo³y:

N.B.: SPRAWD¬ TAK—E POZYCJΚ 7A103.

a. Inercyjne systemy nawigacyjnie (INS) (z zawieszeniem kardanowym lub innym) i urz±dzenia bezw³adnoΆciowe, przeznaczone dla «samolotσw» , pojazdσw l±dowych lub «statkσw kosmicznych» do pomiarσw wysokoΆci, naprowadzania lub sterowania oraz specjalnie do nich przeznaczone podzespo³y, posiadaj±ce jedn± z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych:

1. B³±d nawigacji (czysto inercyjny) po prawid³owej regulacji, wynosz±cy 0,8 (lub mniej) mili morskiej na godzinκ (nm/hr) «Ko³o Rσwnego Prawdopodobieρstwa» (CEP) lub mniej (lepiej); lub

2. Przeznaczone do okreΆlonych zadaρ na poziomach przyspieszeρ liniowych powyΏe³ 10 g;

b. Hybrydowe systemy nawigacyjnie wbudowane w Globalne Satelitarne Systemy Nawigacyjne (GNSS) lub wspσ³pracuj±ce z systemami «Nawigacji opartej na danych z bazy danych» ( «DBRN» ) do pomiarσw wysokoΆci, naprowadzania lub sterowania, po normalnym zestrojeniu, cechuj±ce siκ dok³adnoΆci± pozycyjn± nawiganci INS, po utracie kontaktu z GNSS lub «DBRN» przez okres do czterech minut, mniejszy (lepszy) niΏ 10 metrσw «Ko³o Rσwnego Prawdopodobieρstwa» (CEP).

c. Inercyjne urz±dzenia do wyznaczania azymutu, naprowadzania lub wskazywania pσ³nocy, maj±ce jedn± z poniΏszych w³aΆciwoΆci, oraz specjalnie do nich zaprojektowane zespo³y:

1. zaprojektowane tak, Ώeby dok³adnoΆζ wyznaczania azymutu, naprowadzania lub pσ³nocy by³a rσwna lub mniejsza (lepsza) niΏ 6 minut ³uku (wartoΆζ Άrednia kwadratowa) na szerokoΆci 45 stopni; lub

2. zaprojektowane tak, Ώeby mia³y nieroboczy poziom wstrz±sσw 900 g lub wiκkszy przez okres 1 milisekundy, albo wiκkszy.

Uwaga 1: Parametry pozycji 7A003.a. maj± zastosowanie wraz z jednym z poniΏszych warunkσw Άrodowiskowych:

1. WejΆciowe drgania przypadkowe o ca³kowitej wielkoΆci Άredniej kwadratowej 7,7 g przez pierwsze pσ³ godziny oraz ogσlny czas trwania testu 1,5 godziny na kaΏd± z trzech prostopad³ych osi, gdy drgania przypadkowe spe³niaj± nastκpuj±ce warunki:

a. Sta³a gκstoΆζ widmowa mocy o wartoΆci 0,04 g2/Hz w przedziale czκstotliwoΆci od 15 do 1000 Hz; oraz

b. GκstoΆζ widmowa mocy malej±ca od 0,04 g2/Hz do 0,01 g2/Hz w przedziale czκstotliwoΆci od 1000 do 2000 Hz; lub

2. Przechylenie i odchylenie rσwne lub wiκksze niΏ + 2,62 radian/s (150 deg/s); lub

3. Zgodnie z normami krajowymi rσwnowaΏnych dla 1 lub 2 powyΏej.

Uwaga 2: Pozycja 7A003 nie obejmuje kontrol± inercyjnych systemσw nawigacyjnych certyfikowanych do stosowania w «samolotach cywilnych» przez w³adze cywilne «paρstwa uczestnicz±cego» .

Uwaga 3: Pozycja 7A003.c.1 nie obejmuje kontrol± systemσw teodolitowych zawieraj±cych urz±dzenia inercyjne specjalnie przeznaczone do cywilnych zastosowaρ badawczych.

Uwagi techniczne:

1. Pozycja 7A003.b. odnosi siκ do systemσw, w ktσrych INS lub inne niezaleΏne pomoce nawigacyjne s± wbudowane w jeden zespσ³ w celu uzyskania poprawy parametrσw.

2. «Kr±g Rσwnego Prawdopodobieρstwa» (CEP) (7) - W ko³owym rozk³adzie normalnym, promieρ okrκgu zawieraj±cego 50 procent poszczegσlnych wynikσw pomiarσw albo promieρ okrκgu, w ktσrym wystκpuje 50 procentowe prawdopodobieρstwo.

7A004 —yro-astrokompasy i inne urz±dzenia umoΏliwiaj±ce okreΆlanie po³oΏenia lub orientacjκ przestrzenn± za pomoc± automatycznego Άledzenia cia³ niebieskich lub satelitσw, o dok³adnoΆci azymutowej rσwnej 5 sekund k±towych lub mniej (lepszej niΏ).

N.B.: SPRAWD¬ TAK—E POZYCJΚ 7A104.

7A005 Urz±dzenia odbiorcze globalnych satelitarnych systemσw nawigacji (np. GPS lub GLONASS) posiadaj±ce jedn± z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych oraz specjalnie do nich przeznaczone podzespo³y:

N.B.: SPRAWD¬ TAK—E POZYCJΚ 7A105.

a. wyposaΏenie w systemy dekoduj±ce; lub

b. wyposaΏenie w samoczynnie nastawne anteny.

7A006 WysokoΆciomierze lotnicze dzia³aj±ce poza pasmem czκstotliwoΆci od 4,2 do 4,4 GHz w³±cznie, posiadaj±ce jedn± z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych:

N.B.: SPRAWD¬ TAK—E POZYCJΚ 7A106.

a. «Sterowanie moc±» ; lub

b. WyposaΏenie w zespo³y do modulacji z przesuniκciem fazy.

7A007 Urz±dzenia do wyszukiwania kierunku dzia³aj±ce przy czκstotliwoΆciach powyΏej 30 MHz, maj±ce wszystkie poniΏsze cechy charakterystyczne oraz specjalnie do nich przeznaczone czκΆci:

a. «Chwilow± szerokoΆζ pasma» wynosz±c± 1 MHz lub wiκcej;

b. Rσwnoleg³e przetwarzanie wiκcej niΏ 100 kana³σw czκstotliwoΆciowych; oraz

c. SzybkoΆζ przetwarzania wiκksz± niΏ 1000 znalezionych kierunkσw na sekundκ i na kana³ czκstotliwoΆciowy.

7A101 Akcelerometry, rσΏne od wymienionych w pozycji 7A001 oraz specjalnie do nich przeznaczone podzespo³y:

a. Akcelerometry o wartoΆci progowej 0,05 g lub mniejszej lub b³κdzie liniowoΆci w granicach 0,25 % pe³nego zakresu pomiarowego, lub posiadaj±ce obie te wartoΆci, przeznaczone do stosowania w inercyjnych systemach nawigacyjnych lub w dowolnego typu systemach naprowadzania;

Uwaga: Pozycja 7A101.a. nie dotyczy akcelerometrσw specjalnie przeznaczonych i opracowanych jako czujniki MWD (Measurement While Drilling - pomiar podczas wiercenia) stosowanych podczas prac wiertniczych.

b. Akcelerometry z wyjΆciem ci±g³ym przeznaczone do pracy przy poziomach przyspieszenia przekraczaj±cych 100 g.

7A102 Wszystkie typy Ώyroskopσw, rσΏne od wymienionych w pozycji 7A002, nadaj±ce siκ do stosowania w «pociskach rakietowych» , o «stabilnoΆci» «pe³zania zera» poniΏej 0,5° (1 sigma lub Άrednia kwadratowa) na godzinκ w warunkach przyspieszenia 1 g oraz specjalnie do nich przeznaczone podzespo³y.

7A103 Nastκpuj±ce instrumenty, urz±dzenia i systemy nawigacyjne, rσΏne od wymienionych w pozycji 7A003, oraz specjalnie do nich przeznaczone podzespo³y:

a. Urz±dzenia inercyjne lub inne, w ktσrych zastosowano akcelerometry wymienione w pozycjach 7A001, 7A101 lub Ώyroskopy wymienione w pozycjach 7A002, 7A102, oraz systemy, w ktσrych znajduj± siκ urz±dzenia tego typu;

Uwaga: Pozycja 7A103.a. nie dotyczy urz±dzeρ zawieraj±cych akcelerometry wyspecyfikowane w pozycji 7A001 oraz przeznaczone i opracowane jako czujniki MWD (Measurement While Drilling - pomiar podczas wiercenia) stosowane podczas prac wiertniczych.

b. Zintegrowane systemy samolotowych przyrz±dσw pok³adowych, zawieraj±ce stabilizatory Ώyroskopowe lub automatycznego pilota, przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do stosowania w kosmicznych pojazdach noΆnych wymienionych w pozycji 9A004, bezza³ogowych pojazdach lataj±cych wymienionych w pozycji 9A012 lub w rakietach meteorologicznych wymienionych w pozycji 9A104.

c. «Zintegrowane systemy nawigacyjne» przeznaczone lub zmodyfikowane do kosmicznych pojazdach noΆnych wymienionych w pozycji 9A004, bezza³ogowych pojazdach lataj±cych wymienionych w pozycji 9A012 lub w rakietach meteorologicznych wymienionych w pozycji 9A104 i zdolne do zapewniania dok³adnoΆci nawigacyjnej 200 m dla Krκgu Rσwnego Prawdopodobieρstwa (CEP) lub mniejszej.

Uwaga techniczna:

W sk³ad «zintegrowanego systemu nawigacyjnego» zazwyczaj wchodz± nastκpuj±ce elementy sk³adowe:

1. inercyjne urz±dzenie pomiarowe (np. system pomiaru wysokoΆci i naprowadzania, inercyjny zespσ³ odniesienia, albo inercyjny system nawigacyjny);

2. jeden lub wiκcej czujnikσw zewnκtrznych uΏywanych do aktualizowania po³oΏenia i/lub prκdkoΆci, albo okresowo albo w sposσb ci±g³y w trakcie lotu (np. satelitarny odbiornik nawigacyjny, wysokoΆciomierz radarowy, i/lub radar dopplerowski); oraz

3. sprzκt i oprogrowanie scalaj±ce.

7A104 —yro-astrokompasy i inne urz±dzenia, rσΏne od wymienionych w pozycji 7A004, umoΏliwiaj±ce okreΆlanie po³oΏenia lub orientacjκ przestrzenn± za pomoc± automatycznego Άledzenia cia³ niebieskich lub satelitσw oraz specjalnie do nich przeznaczone podzespo³y.

7A105 Urz±dzenia odbiorcze Globalnego Satelitarnego Systemu Nawigacji (GNSS; np. GPS, GLONASS lub Galileo) oraz specjalnie przeznaczone do nich zespo³y, o nastκpuj±cych w³aΆciwoΆciach:

a. przeznaczone lub zmodyfikowane do stosowania w kosmicznych pojazdach noΆnych wymienionych w pozycji 9A004, bezza³ogowych pojazdach lataj±cych wymienionych w pozycji 9A012 lub w rakietach meteorologicznych wymienionych w pozycji 9A104; lub

b. przeznaczone lub zmodyfikowane do zastosowaρ lotniczych i maj±ce nastκpuj±ce parametry:

1. zdolne do dostarczania danych nawigacyjnych przy prκdkoΆciach powyΏej 600 m/s (1165 mili morskiej na godzinκ);

2. stosuj±ce kodowanie, przeznaczone lub zmodyfikowane do zadaρ wojskowych lub rz±dowych, w celu uzyskania dostκpu do zabezpieczonych sygna³σw/ danych GNSS; lub

3. specjalnie zaprojektowane do stosowania elementσw przeciwzak³σceniowych (np. bezmodemowa antena steruj±ca lub antena sterowana elektronicznie) do dzia³ania w warunkach, w ktσrych wystκpuje aktywne lub bierne przeciwdzia³anie.

Uwaga: Pozycje 7A105.b.2 i 7A105b.3 nie obejmuj± kontrol± urz±dzeρ przeznaczonych do komercyjnego, cywilnego lub ratunkowego dostκpu do GNSS (np. integracja danych, bezpieczeρstwo lotσw).

7A106 WysokoΆciomierze, rσΏne od wymienionych w pozycji 7A006, typu radarowego lub laserowego, przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do stosowania w kosmicznych pojazdach noΆnych wymienionych w pozycji 9A004 lub w rakietach meteorologicznych wymienionych w pozycji 9A104.

7A115 Pasywne czujniki do okreΆlania namiaru na okreΆlone Όrσd³a fal elektromagnetycznych (namierniki) lub w³aΆciwoΆci terenu, przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do stosowania w kosmicznych pojazdach noΆnych wymienionych w pozycji 9A004 lub w rakietach meteorologicznych wymienionych w pozycji 9A104.

Uwaga: Pozycja 7A115 obejmuje czujniki do nastκpuj±cych urz±dzeρ:

a. do zobrazowania (mapowania) rzeΌby terenu;

b. czujniki do tworzenia obrazσw (zobrazowania) (aktywne i pasywne);

c. interferometry pasywne.

7A116 Nastκpuj±ce systemy sterowania lotem i serwozawory, przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do kosmicznych pojazdσw noΆnych wymienionych w pozycji 9A004 lub do rakiet meteorologicznych wymienionych w pozycji 9A104:

a. hydrauliczne, mechaniczne, elektrooptyczne lub elektromechaniczne systemy sterowania lotem (w tym systemy typu «fly-by-wire» );

b. urz±dzenia do sterowania wysokoΆci±;

c. serwozawory do sterowania lotem przeznaczone lub zmodyfikowane do systemσw okreΆlonych w pozycjach 7A116.a. lub 7A116.b., oraz przeznaczone lub zmodyfikowane do dzia³ania w Άrodowisku wibracyjnym o parametrach powyΏej 10 g (wartoΆζ Άrednia kwadratowa) w ca³ym zakresie pomiκdzy 20 Hz i 2 kHz.

7A117 «Instalacje do naprowadzania» znajduj±ce zastosowanie w «pociskach rakietowych» umoΏliwiaj±ce uzyskanie dok³adnoΆci instalacji 3,33 % zasiκgu lub lepszej (np. «CEP» [Kr±g Rσwnego Prawdopodobieρstwa] 10 km lub mniej w zasiκgu 300 km).

7B Urz±dzenia testuj±ce, kontrolne i produkcyjne

7B001 Urz±dzenia do testowania, wzorcowania lub strojenia specjalnie przeznaczone do urz±dzeρ objκtych kontrol± wed³ug pozycji 7A,

Uwaga: Pozycja 7B001 nie obejmuje kontrol± urz±dzeρ do testowania, wzorcowania lub strojenia specjalnie przeznaczonych do I i II Poziomu Obs³ugi.

Uwagi techniczne:

1. Poziom Obs³ugi I

Wykrycie awarii urz±dzenia nawigacji inercyjnej w samolocie i jej sygnalizowanie przez Jednostkκ Sterowania i WyΆwietlania (CDU) albo komunikat statusowy z odpowiedniego poduk³adu. Na podstawie instrukcji producenta moΏna zlokalizowaζ przyczyny awarii na poziomie wadliwego funkcjonowania liniowego elementu wymiennego (LRU). Nastκpnie operator demontuje LRU i zastκpuje go czκΆci± zapasow±.

2. Poziom Obs³ugi II

Uszkodzony LRU przekazuje siκ do warsztatu technicznego (u producenta lub operatora odpowiedzialnego za obs³ugκ techniczn± na Poziomie II). W warsztacie technicznym LRU poddaje siκ testom za pomoc± rσΏnych, odpowiednich do tego urz±dzeρ, w celu sprawdzenia i lokalizacji uszkodzonego modu³u warsztatowego zespo³u wymiennego (SRA) odpowiedzialnego za awariκ. Nastκpnie demontuje siκ wadliwy SRA i zastκpuje go zespo³em zapasowym. Uszkodzony SRA (albo teΏ kompletny LRU) wysy³a siκ do producenta.

N.B.: Na Poziomie Obs³ugi II nie przewiduje siκ demontaΏu z SRA przyspieszeniomierzy ani teΏ czujnikσw Ώyroskopowych objκtych kontrol±.

7B002 Nastκpuj±ce urz±dzenia specjalnie przeznaczone do okreΆlania parametrσw zwierciade³ do pierΆcieniowych Ώyroskopσw «laserowych» :

N.B.: SPRAWD¬ TAK—E POZYCJΚ 7B102.

a. Urz±dzenia do pomiaru rozproszenia z dok³adnoΆci± do 10 ppm lub mniej (lepsz±);

b. Profilometry o dok³adnoΆci pomiarowej 0,5 nm (5 angstremσw) lub mniej (lepszej);

7B003 Urz±dzenia specjalnie przeznaczone do «produkcji» urz±dzeρ ujκtych w pozycji 7A.

Uwaga: Pozycja 7B0030 obejmuje:

a. Stanowiska testowe do regulacji Ώyroskopσw;

b. Stanowiska do dynamicznego wywaΏania Ώyroskopσw;

c. Stanowiska do testowania silniczkσw do Ώyroskopσw;

d. Stanowiska do usuwania powietrza i nape³niania Ώyroskopσw;

e. Uchwyty odΆrodkowe do ³oΏysk do Ώyroskopσw;

f. Stanowiska do regulacji pozycji osi przyspieszeniomierzy.

7B102 Reflektometry specjalnie przeznaczone do wyznaczania charakterystyk zwierciade³ do Ώyroskopσw «laserowych» , posiadaj±ce dok³adnoΆζ pomiarow± 50 ppm lub mniej (lepsz±).

7B103 Nastκpuj±ce «instalacje produkcyjne» i «urz±dzenia produkcyjne» :

a. Specjalnie zaprojektowane «instalacje produkcyjne» do urz±dzeρ wymienionych w pozycji 7A117;

b. Urz±dzenia produkcyjne i inne urz±dzenia do testowania, wzorcowania lub strojenia, rσΏne od wymienionych w pozycjach 7B001 do 7B003, zaprojektowane lub zmodyfikowane do urz±dzeρ wymienionych w pozycji 7A.

7C Materia³y

—adne.

7D Oprogramowanie

7D001 «Oprogramowanie» specjalnie przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do «rozwoju» lub «produkcji» urz±dzeρ wymienionych w pozycji 7A lub 7B.

7D002 «Kod Όrσd³owy» do «uΏytkowania» wszelkich urz±dzeρ do nawigacji inercyjnej lub Uk³adσw Informuj±cych o Po³oΏeniu i Kursie (AHRS) w³±cznie z inercyjnymi urz±dzeniami niewymienionymi w pozycji 7A003 lub 7A004.

Uwaga: Pozycja 7D002 nie obejmuje kontrol± «kodσw Όrσd³owych» do «uΏytkowania» zawieszonych kardanowo uk³adσw AHRS.

Uwaga techniczna:

Uk³ady AHRS w istotny sposσb rσΏni± siκ od inercyjnych systemσw nawigacji (INS), poniewaΏ uk³ady te (AHRS) dostarczaj± podstawowych informacji o po³oΏeniu i kursie, i zazwyczaj nie dostarczaj± informacji o przyspieszeniu, prκdkoΆci i po³oΏeniu, jakich dostarcza uk³ad INS.

7D003 Nastκpuj±ce inne «oprogramowanie» :

a. «Oprogramowanie» specjalnie przeznaczone albo zmodyfikowane w celu poprawy parametrσw eksploatacyjnych lub zmniejszenia b³κdσw nawigacyjnych systemσw do poziomu okreΆlonego w pozycjach 7A003 lub 7A004;

b. «Kod Όrσd³owy» do hybrydowych uk³adσw scalonych poprawiaj±cy parametry eksploatacyjne lub zmniejszaj±cy b³κdy nawigacyjne systemu do poziomu okreΆlonego w pozycji 7A003 poprzez ci±g³± syntezκ danych inercyjnych z jednymi z nastκpuj±cych danych nawigacyjnych:

1. PrκdkoΆci± okreΆlan± za pomoc± radaru dopplerowskiego;

2. Porσwnywaniem z danymi z globalnego satelitarnego systemu nawigacyjnego (np. GPS lub GLONASS); lub

3. Informacjami z «bazy danych o terenie» ;

c. «Kod Όrσd³owy» do zintegrowanych systemσw awionicznych lub systemσw realizacji zadaρ bojowych, umoΏliwiaj±cy wykorzystywanie danych z czujnikσw oraz «systemσw eksperckich» ;

d. «Kod Όrσd³owy» do «rozwoju» jednego z poniΏej wymienionych:

1. Cyfrowych systemσw sterowania lotem umoΏliwiaj±cych «kompleksowe sterowanie lotem» ;

2. Zintegrowanych systemσw sterowania napκdem i lotem;

3. Systemσw sterowania elektronicznego (fly-by-wire) i Άwiat³owodowego;

4. «Aktywnych systemσw sterowania lotem» , toleruj±cych b³κdy pilotaΏu lub maj±cych moΏliwoΆζ samoczynnej rekonfiguracji;

5. Automatycznych lotniczych systemσw namiarowych;

6. Systemσw przyrz±dσw pok³adowych dostarczaj±cych danych dotycz±cych parametrσw powietrza w locie na podstawie pomiarσw powierzchniowych parametrσw statycznych; lub

7. Przeziernikowych wyΆwietlaczy rastrowych lub trσjwymiarowych.

e. «Oprogramowanie» do komputerowo wspomaganego projektowania (CAD), specjalnie opracowane do «rozwoju» «uk³adσw aktywnego sterowania lotem» sterownikσw helikopterowych wieloosiowych systemσw sterowania elektronicznego i Άwiat³owodowego lub helikopterowych «cyrkulacyjnych uk³adσw rσwnowaΏenia momentu lub cyrkulacyjnych uk³adσw sterowania kierunkiem» , ktσrych technologie s± wyspecyfikowane w pozycjach 7E004.b., 7E004.c.1. lub 7E004.c.2.

7D101 «Oprogramowanie» specjalnie przeznaczone do «uΏytkowania» urz±dzeρ wymienionych w pozycjach 7A001 do 7A006, 7A101 do 7A106, 7A115, 7A116.a., 7A116.b., 7B001, 7B002, 7B003, 7B102 lub 7B103.

7D102 «Oprogramowanie» scalaj±ce, jak nastκpuje:

a. «Oprogramowanie» scalaj±ce do urz±dzeρ wymienionych w pozycji 7A103.b.;

b. «Oprogramowanie» scalaj±ce specjalnie zaprojektowane do urz±dzeρ wymienionych w pozycjach 7A003. lub 7A103.a.;

c. «Oprogramowanie» scalaj±ce specjalnie zaprojektowane do urz±dzeρ wymienionych w pozycji 7A103.

Uwaga: Powszechnie spotykan± postaci± «oprogramowania» scalaj±cego jest filtrowanie Kalmana.

7D103 «Oprogramowanie» specjalnie przeznaczone do modelowania lub symulowania dzia³ania «instalacji do naprowadzania» wymienionych w pozycji 7A117 lub do ich integrowania konstrukcyjnego z kosmicznymi pojazdami noΆnymi wymienionymi w pozycji 9A004 lub z rakietami meteorologicznymi wymienionymi w pozycji 9A104.

Uwaga: «Oprogramowanie» wymienione w pozycji 7D103 podlega kontroli, jeΆli jest przeznaczone specjalnie do sprzκtu wymienionego w pozycji 4A102.

7E Technologie

7E001 «Technologie » wed³ug Uwagi ogσlnej do technologii do «rozwoju » urz±dzeρ lub «oprogramowania» wymienionych w pozycjach 7A, 7B lub 7D.

7E002 «Technologie» wed³ug Uwagi ogσlnej do technologii do «produkcji» urz±dzeρ wymienionych w pozycjach 7A lub 7B.

7E003 «Technologie» wed³ug Uwagi ogσlnej do technologii do naprawy, regeneracji lub remontowania urz±dzeρ wymienionych w pozycjach 7A001 do 7A004.

Uwaga: Pozycja 7E003 nie obejmuje kontrol± «technologii» obs³ugi technicznej bezpoΆrednio zwi±zanych z wzorcowaniem, usuwaniem lub wymian± uszkodzonych lub nienadaj±cych siκ do uΏytku liniowych elementσw wymiennych (LRU) i warsztatowych zespo³σw wymiennych (SRA) w «samolotach cywilnych» zgodnie z opisem w I lub w II Poziomie Obs³ugi.

N.B.: Patrz Uwagi techniczne do 7B001.

7E004 Nastκpuj±ce inne «technologie» :

a. Technologie do «rozwoju » lub «produkcji» :

1. Lotniczych automatycznych urz±dzeρ namiarowych pracuj±cych w paΆmie czκstotliwoΆci powyΏej 5 MHz;

2. Systemσw przyrz±dσw pok³adowych podaj±cych dane dotycz±ce parametrσw powietrza w locie w oparciu wy³±cznie o pomiary powierzchniowych parametrσw statycznych, tj. dostarczane z konwencjonalnych sond do pomiarσw parametrσw powietrza;

3. Przeziernikowych wyΆwietlaczy rastrowych lub trσjwymiarowych do «samolotσw» ;

4. Inercyjnych systemσw nawigacyjnych lub Ώyro-astrokompasσw wyposaΏonych w przyspieszeniomierze lub Ώyroskopy objκte kontrol± wed³ug pozycji 7A001 lub 7A002;

5. Serwomotorσw elektrycznych (tj. elektromechanicznych, elektrohydrostatycznych i zintegrowanych) specjalnie opracowanych dla «podstawowego sterowania lotem» ;

6. «Uk³adσw czujnikσw optycznych sterowania lotem» specjalnie opracowanych dla «aktywnych uk³adσw sterowania lotem» ;

b. Nastκpuj±ce technologie «rozwoju » «aktywnych systemσw sterowania lotem » w³±cznie z systemami elektronicznymi lub Άwiat³owodowymi) do:

1. Projektowania konfiguracji po³±czeρ wielokrotnych mikroelektronicznych elementσw przetwarzaj±cych (do komputerσw pok³adowych) umoΏliwiaj±cych osi±gniκcie «przetwarzania w czasie rzeczywistym» z przeznaczeniem do wprowadzania regu³ sterowania;

2. Kompensacji regu³ sterowania z uwzglκdnieniem po³oΏenia czujnikσw lub obci±Ώeρ dynamicznych p³atowca, tj. kompensacji z uwzglκdnieniem wibracji czujnikσw lub zmian po³oΏenia czujnikσw wzglκdem Άrodka ciκΏkoΆci;

3. Elektronicznego sterowania redundancj± danych lub redundancj± systemσw w celu wykrywania b³κdσw, tolerowania b³κdσw, identyfikacji elementσw niesprawnych drog± eliminacji lub zmiany konfiguracji;

Uwaga: Pozycja 7E004.b.3. nie obejmuje kontrol± «technologii» do projektowania redundancji fizycznej.

4. Sterowania lotem umoΏliwiaj±cego przeprowadzenie w locie zmiany konfiguracji sterowania si³± i momentem w celu autonomicznego sterowania pojazdem powietrznym w czasie rzeczywistym;

5. Integracji systemu sterowania cyfrowego, danych z systemu nawigacyjnego i napκdowego w jeden system cyfrowego kierowania lotem dla «kompleksowego sterowania lotem» ;

Uwaga: Pozycja 7E004.b.5. nie obejmuje kontrol±:

a. «Technologii» «rozwoju» integracji cyfrowych systemσw sterowania lotem, danych nawigacyjnych i danych kontrolnych uk³adu napκdowego do systemu cyfrowego kierowania lotem w celu «optymalizacji toru lotu» .

b. «Technologii» «rozwoju» samolotowych przyrz±dσw kontroli lotu, zintegrowanych wy³±cznie z systemami nawigacyjnymi i podchodzenia do l±dowania, takimi jak VOR (radiolatarnia kierunkowa wysokiej czκstotliwoΆci), DME (radiodalmierz), ILS (system l±dowania na przyrz±dy) lub MLS (mikrofalowy system l±dowania);

6. Ca³kowicie autonomiczne cyfrowe systemy sterowania lotem lub wieloczujnikowe systemy kierowania realizacj± zadaρ, wyposaΏone w «systemy eksperckie» ;

N.B.: W przypadku «technologii» Ca³kowicie Autonomicznych Cyfrowych Systemσw Sterowania Silnikami (FADEC) sprawdΌ takΏe pozycjκ 9E003.a.9.

c. Nastκpuj±ce «technologie» do «rozwoju» systemσw do Άmig³owcσw:

1. Wieloosiowe systemy sterowania elektronicznego i Άwiat³owodowego, w ktσrych po³±czono funkcje co najmniej dwσch z wymienionych poniΏej systemσw w jeden zespσ³ sterowania:

a. System sterowania skokiem ogσlnym;

b. System sterowania skokiem okresowym ³opat;

c. System kierowania odchyleniem kursowym;

2. «Sterowane cyrkulacyjnie (op³ywowo) systemy kompensacji momentu lub sterowania kierunkiem lotu» ;

3. £opaty wirnika z «profilami o zmiennej geometrii» opracowane do systemσw umoΏliwiaj±cych niezaleΏne sterowanie poszczegσlnymi ³opatami.

7E101 «Technologie» wed³ug Uwagi ogσlnej do technologii do «uΏytkowania» urz±dzeρ wymienionych w pozycjach 7A001 do 7A006, 7A101 do 7A106, 7A115 do 7A117, 7B001, 7B002, 7B003, 7B102, 7B103, 7D101 do 7D103.

7E102 Nastκpuj±ce «technologie» do zabezpieczania podzespo³σw awioniki i elektrycznych przed impulsem elektromagnetycznym (EMP) i zagroΏeniem zak³σceniami elektromagnetycznymi ze Όrσde³ zewnκtrznych:

a. «technologie» projektowania ekranowania;

b. «technologie» projektowania dla konfigurowania odpornych obwodσw elektrycznych i poduk³adσw;

c. «technologie» projektowania dla wyznaczania kryteriσw uodporniania w odniesieniu do technologii wymienionych powyΏej w pozycjach 7E102.a. i 7E102.b.

7E104 «Technologie» scalania danych z systemσw sterowania lotem, naprowadzania i napκdu w system zarz±dzania lotem w celu optymalizacji toru lotu rakiet.

KATEGORIA 8

URZ‛DZENIA OKRΚTOWE

8A Systemy, urz±dzenia i czκΆci

8A001 Nastκpuj±ce p³ywaj±ce jednostki podwodne lub nawodne:

Uwaga: Status kontroli urz±dzeρ do pojazdσw podwodnych okreΆlono w nastκpuj±cych pozycjach:

Kategoria 5, CzκΆζ 2 «Ochrona Informacji» - w zakresie szyfruj±cych urz±dzeρ komunikacyjnych;

Kategoria 6 - w zakresie czujnikσw;

Kategoria 7 i 8 - w zakresie urz±dzeρ nawigacyjnych;

Kategoria 8.A. - w zakresie urz±dzeρ podwodnych.

a. Za³ogowe pojazdy podwodne na uwiκzi, przeznaczone do dzia³ania na g³κbokoΆciach wiκkszych niΏ 1000 m;

b. Za³ogowe, swobodne pojazdy podwodne, posiadaj±ce jedn± z poniΏszych cech:

1. Przeznaczenie do «dzia³aρ autonomicznych» i noΆnoΆζ stanowi±c± jednoczeΆnie:

a. 10 % lub wiκcej ich wagi w powietrzu; oraz

b. 15 kN lub wiκcej;

2. Przeznaczenie do dzia³ania na g³κbokoΆciach wiκkszych niΏ 1000 m; lub

3. Posiadanie wszystkich nastκpuj±cych w³aΆciwoΆci:

a. Przeznaczenie dla za³ogi czteroosobowej lub liczniejszej;

b. Przeznaczenie do «autonomicznego dzia³ania» przez 10 lub wiκcej godzin;

c. «Zasiκg» 25 lub wiκcej mil morskich; oraz

d. D³ugoΆζ 21 m lub mniejsz±;

Uwagi techniczne:

1. Dla potrzeb pozycji 8A001.b. termin «dzia³anie autonomiczne» dotyczy dzia³aρ prowadzonych przez pojazd podwodny (posiadaj±cy uk³ad napκdowy pracuj±cy pod wod± albo nad wod±) w ca³kowitym zanurzeniu, bez chrap, przy wszystkich systemach pracuj±cych i kr±Ώenia z minimaln± prκdkoΆci±, przy ktσrej pojazd podwodny moΏe bezpiecznie regulowaζ dynamicznie g³κbokoΆζ zanurzenia za pomoc± wy³±cznie sterσw g³κbokoΆci, bez korzystania z pomocy nawodnej jednostki p³ywaj±cej, ani bazy nawodnej, na dnie lub brzegu morza.

2. Dla potrzeb pozycji 8A001.b. «zasiκg» oznacza po³owκ maksymalnego dystansu, jaki pojazd podwodny moΏe pokonaζ.

c. Bezza³ogowe pojazdy podwodne na uwiκzi przeznaczone do dzia³ania na g³κbokoΆciach wiκkszych niΏ 1000 m, posiadaj±ce jedn± z poniΏszych cech charakterystycznych:

1. Przeznaczenie do manewrowania z w³asnym napκdem za pomoc± silnikσw napκdowych lub silnikσw odrzutowych objκtych kontrol± wed³ug pozycji 8A002.a.2.; lub

2. Άwiat³owodowe kana³y przesy³ania danych;

d. Bezza³ogowe pojazdy podwodne bez uwiκzi (swobodne), posiadaj±ce jedn± z poniΏszych cech charakterystycznych:

1. MoΏliwoΆζ decydowania o kursie wzglκdem dowolnego systemu geograficznego bez bieΏ±cej (w czasie rzeczywistym) pomocy cz³owieka;

2. WyposaΏenie w akustyczne kana³y przesy³ania danych lub poleceρ; lub

3. WyposaΏenie w d³uΏsze niΏ 1000 m Άwiat³owodowe kana³y przesy³ania danych lub poleceρ;

e. Oceaniczne urz±dzenia ratownicze o noΆnoΆci powyΏej 5 MN przeznaczone do ratowania obiektσw z g³κbokoΆci wiκkszych niΏ 250 m i maj±ce jedn± z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych:

1. Dynamiczne systemy ustalania po³oΏenia zdolne do utrzymania po³oΏenia z dok³adnoΆci± do 20 m wzglκdem danego punktu za pomoc± systemu nawigacyjnego; lub

2. Systemy nawigacyjne dzia³aj±ce wzglκdem dna morza i zintegrowane systemy nawigacyjne przeznaczone do dzia³ania na g³κbokoΆciach wiκkszych niΏ 1000 m, umoΏliwiaj±ce utrzymywanie po³oΏenia wzglκdem danego punktu z dok³adnoΆci± do 10 m;

f. Pojazdy na poduszce powietrznej (odmiana z pe³nym fartuchem bocznym), maj±ce wszystkie wymienione poniΏej cechy charakterystyczne:

1. Maksymaln± prκdkoΆζ projektow± z pe³nym obci±Ώeniem przekraczaj±c± 30 wκz³σw przy falach o wysokoΆci 1,25 m (stan morza 3) lub wyΏszej;

2. CiΆnienie powietrza w poduszce powyΏej 3830 Pa; oraz

3. Stosunek masy pustej jednostki p³ywaj±cej do ca³kowicie obci±Ώonej poniΏej 0,7;

g. Pojazdy na poduszce powietrznej (odmiana ze sztywnymi burtami) o maksymalnej prκdkoΆci obliczeniowej z pe³nym obci±Ώeniem powyΏej 40 wκz³σw przy falach o wysokoΆci 3,25 m (stan morza 5) lub wiκkszej;

h. Wodoloty wyposaΏone w aktywne systemy automatycznego sterowania po³oΏeniem p³atσw noΆnych, o maksymalnej prκdkoΆci obliczeniowej z pe³nym obci±Ώeniem rσwnej lub wyΏszej od 40 wκz³σw przy falach o wysokoΆci 3,25 m (stan morza 5) lub wiκkszej;

i. «Jednostki p³ywaj±ce o ma³ym polu przekroju wodnicowego» maj±ce jedn± z poniΏszych cech charakterystycznych:

1. WypornoΆζ z pe³nym obci±Ώeniem powyΏej 500 ton i maksymaln± prκdkoΆζ obliczeniow± z pe³nym obci±Ώeniem powyΏej 35 wκz³σw przy falach o wysokoΆci 3,25 m (stan morza 5) lub wiκkszej; lub

2. WypornoΆζ z pe³nym obci±Ώeniem powyΏej 1500 ton i maksymaln± prκdkoΆζ obliczeniow± z pe³nym obci±Ώeniem powyΏej 25 wκz³σw przy falach o wysokoΆci 4 m (stan morza 6) lub wiκkszej;

Uwaga techniczna:

«Jednostkκ p³ywaj±c± o ma³ym polu przekroju wodnicowego» definiuje siκ wed³ug nastκpuj±cego wzoru: pole przekroju wodnicowego przy konstrukcyjnym zanurzeniu eksploatacyjnym mniejsze od 2 Χ (wyparta objκtoΆζ przy konstrukcyjnym zanurzeniu eksploatacyjnym)2/3.

8A002 Nastκpuj±ce uk³ady lub urz±dzenia:

Uwaga: Podwodne instalacje telekomunikacyjne ujκto w Kategorii, 5 czκΆζ 1 - Telekomunikacja.

a. Nastκpuj±ce systemy i urz±dzenia, specjalnie przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do pojazdσw podwodnych, przeznaczone do dzia³ania na g³κbokoΆciach wiκkszych niΏ 1000 m:

1. Obudowy ciΆnieniowe lub kad³uby sztywne o maksymalnej Άrednicy wewnκtrznej komory powyΏej 1,5 m;

2. Silniki napκdowe na pr±d sta³y lub silniki odrzutowe;

3. Kable startowe i ³±czniki do nich, na bazie w³σkien optycznych i zaopatrzone w syntetyczne elementy wzmacniaj±ce;

b. Systemy specjalnie przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do automatycznego sterowania ruchem urz±dzeρ do pojazdσw podwodnych objκtych kontrol± wed³ug pozycji 8A001, korzystaj±ce z danych nawigacyjnych i wyposaΏone w serwomechanizmy steruj±ce ze sprzκΏeniem zwrotnym w celu umoΏliwienia pojazdowi:

1. Poruszania siκ w s³upie wody w zasiκgu 10 m od ΆciΆle okreΆlonego punktu;

2. Utrzymania po³oΏenia w s³upie wody w zasiκgu 10 m od okreΆlonego punktu; lub

3. Utrzymania po³oΏenia w zasiκgu do 10 m od kabla leΏ±cego na dnie albo znajduj±cego siκ pod dnem morza;

c. Penetratory Άwiat³owodowe do kad³ubσw lub ³±czniki;

d. Nastκpuj±ce podwodne systemy wizyjne:

1. Nastκpuj±ce systemy i kamery telewizyjne:

a. Instalacje telewizyjne (sk³adaj±ce siκ z kamery, Άwiate³, urz±dzeρ monitoruj±cych i do przesy³ania sygna³σw) o rozdzielczoΆci granicznej mierzonej w powietrzu powyΏej 800 linii i specjalnie przeznaczone albo zmodyfikowane w taki sposσb, Ώe moΏna nimi zdalnie sterowaζ z pojazdσw podwodnych;

b. Podwodne kamery telewizyjne o rozdzielczoΆci granicznej mierzonej w powietrzu powyΏej 1100 linii;

c. Bardzo czu³e kamery telewizyjne (dzia³aj±ce przy s³abym oΆwietleniu) specjalnie przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do dzia³ania pod wod±, wyposaΏone w oba poniΏej wymienione elementy:

1. Lampy do wzmacniania obrazσw wymienione w pozycji 6A002.a.2.a; oraz

2. Siatki na elementach pσ³przewodnikowych z ponad 150000 «aktywnych pikseli» na powierzchni siatki;

Uwaga techniczna:

W telewizji rozdzielczoΆζ graniczna jest miar± rozdzielczoΆci poziomej, wyraΏanej zazwyczaj jako maksymalna liczba linii mieszcz±ca siκ w wysokoΆci obrazu, rozrσΏnianych na karcie testowej, okreΆlana wed³ug normy IEEE 208/1960 lub dowolnej normy stanowi±cej jej odpowiednik.

2. Systemy, specjalnie przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do zdalnego kierowania z pojazdu podwodnego, w ktσrych zastosowano techniki umoΏliwiaj±ce minimalizacjκ zjawiska rozpraszania wstecznego, w³±cznie z iluminatorami o regulowanym zakresie lub systemami «laserowymi» ;

e. Aparaty fotograficzne specjalnie przeznaczone albo zmodyfikowane z przeznaczeniem do stosowania pod wod±, na g³κbokoΆciach poniΏej 150 m, na b³ony filmowe formatu 35 mm lub wiκkszego, maj±ce jedn± z poniΏszych cech:

1. MoΏliwoΆζ zapisu na b³onie komentarza w postaci danych ze Όrσd³a zewnκtrznego wzglκdem aparatu fotograficznego;

2. Mechanizm do automatycznego korygowania ogniskowej; lub

3. System automatycznego sterowania kompensacj± o specjalnej konstrukcji umoΏliwiaj±cej wykorzystanie obudowy kamery podwodnej na g³κbokoΆciach wiκkszych niΏ 1000 m;

f. Elektroniczne systemy tworzenia obrazσw, specjalnie przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do stosowania pod wod±, maj±ce moΏliwoΆζ zapamiκtania w postaci cyfrowej ponad 50 naΆwietlonych obrazσw;

g. Nastκpuj±ce instalacje oΆwietleniowe, specjalnie przeznaczone albo zmodyfikowane z przeznaczeniem do stosowania pod wod±:

1. Stroboskopowe instalacje oΆwietleniowe o energii strumienia Άwietlnego powyΏej 300 J na jeden b³ysk i o szybkoΆci powtarzania wiκkszej niΏ 5 b³yskσw na sekundκ;

2. Instalacje oΆwietleniowe, w ktσrych Άwiat³o wytwarza ³uk argonowy, specjalnie przeznaczone do dzia³ania na g³κbokoΆciach wiκkszych niΏ 1000 m;

h. «Roboty» (manipulatory) specjalnie przeznaczone do pracy pod wod±, zarz±dzane za pomoc± dedykowanego komputera «ze sterowaniem zaprogramowanym w pamiκci» , maj±ce jedn± z poniΏszych cech:

1. WyposaΏenie w uk³ady steruj±ce «robotem» dziκki informacjom z czujnikσw mierz±cych si³y lub momenty dzia³aj±ce na obiekty zewnκtrzne albo odleg³oΆζ do zewnκtrznego obiektu, lub czujnikσw dotykowych «robota» wyczuwaj±cych obiekt zewnκtrzny; lub

2. MoΏliwoΆζ dzia³ania z si³± 250 N lub wiκksz± albo momentem 250 Nm lub wiκkszym, i do ktσrych budowy zastosowano stopy na osnowie tytanowej albo materia³y «kompozytowe» na osnowie «w³σkien lub w³σkienek» ;

i. Zdalnie sterowane manipulatory przegubowe specjalnie przeznaczone albo zmodyfikowane z przeznaczeniem do stosowania w pojazdach podwodnych i posiadaj±ce jedn± z wymienionych poniΏej cech charakterystycznych:

1. WyposaΏenie w uk³ady steruj±ce ruchem manipulatora na podstawie informacji z czujnikσw mierz±cych moment lub si³κ dzia³aj±c± na obiekt zewnκtrzny albo z czujnikσw dotykowych wyczuwaj±cych dotyk manipulatora do obiektu zewnκtrznego; lub

2. Sterowanie na zasadzie proporcjonalnego odtwarzania ruchσw operatora albo za pomoc± dedykowanego komputera «ze sterowaniem zaprogramowanym w pamiκci» oraz posiadanie 5 lub wiκcej stopni swobody ruchu;

Uwaga: Przy okreΆlaniu liczby stopni swobody ruchu bierze siκ pod uwagκ wy³±cznie te funkcje, w ktσrych wykorzystywane jest sterowanie proporcjonalne z pozycyjnym sprzκΏeniem zwrotnym lub sterowanie za pomoc± dedykowanego komputera «ze sterowaniem zaprogramowanym w pamiκci» .

j. Nastκpuj±ce uk³ady napκdowe niezaleΏne od dop³ywu powietrza, specjalnie przeznaczone do dzia³ania pod wod±:

1. NiezaleΏne od powietrza systemy napκdowe z silnikami pracuj±cymi wed³ug obiegu Braytona (Joula) lub Rankina, wyposaΏone w jeden z wymienionych poniΏej uk³adσw:

a. Chemiczne uk³ady oczyszczaj±ce lub absorpcyjne, specjalnie przeznaczone do usuwania dwutlenku wκgla, tlenku wκgla i cz±stek sta³ych zawieszonych w gazie wydechowym z silnika pracuj±cego w obiegu z recyrkulacj±;

b. Specjalne uk³ady przystosowane do pracy na gazach jednoatomowych;

c. Urz±dzenia lub obudowy specjalnie przeznaczone do t³umienia pod wod± szumσw o czκstotliwoΆciach poniΏej 10 kHz, lub specjalne urz±dzenia mocuj±ce, os³abiaj±ce skutki wstrz±sσw; lub

d. Uk³ady specjalnie przeznaczone do:

1. Prasowania produktσw reakcji albo do regeneracji paliw;

2. Sk³adowania produktσw reakcji; oraz

3. Usuwania produktσw reakcji w warunkach ciΆnienia zewnκtrznego 100 kPa lub wiκkszego;

2. NiezaleΏne od powietrza systemy napκdowe z silnikami wysokoprκΏnymi (obieg Diesla) wyposaΏone we wszystkie z wymienionych poniΏej uk³adσw:

a. Chemiczne uk³ady oczyszczaj±ce lub absorpcyjne, specjalnie przeznaczone do usuwania dwutlenku wκgla, tlenku wκgla i cz±stek sta³ych zawieszonych w gazie wydechowym z silnika pracuj±cego w obiegu z recyrkulacj±;

b. Specjalne uk³ady przystosowane do pracy na gazach jednoatomowych;

c. Urz±dzenia lub obudowy specjalnie przeznaczone do t³umienia pod wod± szumσw o czκstotliwoΆciach poniΏej 10 kHz, lub specjalne urz±dzenia mocuj±ce os³abiaj±ce skutki wstrz±sσw; i

d. Specjalne uk³ady wydechowe o nieci±g³ym odprowadzaniu produktσw spalania;

3. NiezaleΏne od powietrza uk³ady energetyczne na ogniwach paliwowych o mocy powyΏej 2 kW, wyposaΏone w jeden z wymienionych poniΏej uk³adσw:

a. Urz±dzenia lub obudowy specjalnie przeznaczone do t³umienia pod wod± szumσw o czκstotliwoΆciach poniΏej 10 kHz, lub specjalne urz±dzenia mocuj±ce, os³abiaj±ce skutki wstrz±sσw; lub

b. Uk³ady specjalnie przeznaczone do:

1. Prasowania produktσw reakcji albo do regeneracji paliw;

2. Sk³adowania produktσw reakcji; oraz

3. Usuwania produktσw reakcji w warunkach ciΆnienia zewnκtrznego 100 kPa lub wiκkszego;

4. NiezaleΏne od powietrza systemy napκdowe z silnikami pracuj±cymi wed³ug obiegu Stirlinga, wyposaΏone we wszystkie z poniΏszych uk³adσw:

a. Urz±dzenia lub obudowy specjalnie przeznaczone do t³umienia pod wod± szumσw o czκstotliwoΆciach poniΏej 10 Hz, lub specjalne urz±dzenia mocuj±ce, os³abiaj±ce skutki wstrz±sσw; oraz

b. Specjalne uk³ady wydechowe do usuwania produktσw spalania w warunkach ciΆnienia zewnκtrznego 100 kPa lub wiκkszego;

k. Nastκpuj±ce fartuchy boczne poduszkowcσw, uszczelnienia i inne elementy montaΏowe:

1. Wytrzyma³e na ciΆnienia w poduszce powietrznej 3830 Pa lub wyΏsze, dzia³aj±ce przy falach o wysokoΆci 1,25 m (stan morza 3) lub wiκkszej i specjalnie przeznaczone do pojazdσw na poduszce powietrznej (odmiana z pe³nym fartuchem bocznym) objκtych kontrol± wed³ug pozycji 8A001.f; lub

2. Wytrzyma³e na ciΆnienia w poduszce powietrznej 6224 Pa lub wyΏsze, dzia³aj±ce przy falach o wysokoΆci 3,25 m (stan morza 5) lub wiκkszej i specjalnie przeznaczone do pojazdσw na poduszce powietrznej (odmiana ze sztywnymi burtami) objκtych kontrol± wed³ug pozycji 8A001.g;

l. Dmuchawy noΆne o mocy nominalnej powyΏej 400 kW, specjalnie przeznaczone do pojazdσw na poduszce powietrznej objκtych kontrol± wed³ug pozycji 8A001.f lub 8A00.1.g;

m. Pracuj±ce w ca³kowitym zanurzeniu podkawitacyjne lub superkawitacyjne p³aty wodne specjalnie przeznaczone do jednostek p³ywaj±cych objκtych kontrol± wed³ug pozycji 8A001.h;

n. Uk³ady aktywne specjalnie przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do automatycznej kompensacji wywo³anych dzia³aniem wody ruchσw jednostek p³ywaj±cych lub pojazdσw objκtych kontrol± wed³ug pozycji 8A001.f., 8A001.g., 8A001.h. lub 8A001.i.;

o. Nastκpuj±ce pκdniki, uk³ady przenoszenia napκdu, generatory mocy i uk³ady t³umienia szumσw:

1. Nastκpuj±ce pκdniki Άrubowe lub uk³ady przenoszenia napκdu specjalnie przeznaczone do pojazdσw poduszkowych (zarσwno do odmian z pe³nym fartuchem bocznym, jak i ze sztywnymi burtami), wodolotσw lub jednostek p³ywaj±cych o ma³ym polu przekroju wodnicowego, objκtych kontrol± wed³ug pozycji 8A001.f., 8A001.g., 8A001.h., lub 8A001.i.:

a. ¦ruby napκdowe superkawitacyjne, superwentylowane, czκΆciowo zanurzone lub zanurzone nieca³kowicie, o mocy nominalnej powyΏej 7,5 MW;

b. Zespo³y Άrub napκdowych przeciwbieΏnych o mocy nominalnej powyΏej 15 MW;

c. Uk³ady napκdowe, w ktσrych do uspokojenia przep³ywu przez Άruby zastosowano zawirowanie wstκpne albo wylotowe;

d. Lekkie przek³adnie redukcyjne o wysokim prze³oΏeniu (wspσ³czynnik prze³oΏenia K powyΏej 300);

e. Wa³owe uk³ady przeniesienia napκdu, sk³adaj±ce siκ z elementσw wykonanych z materia³σw «kompozytowych» , zdolne do przenoszenia mocy powyΏej 1 MW;

2. Nastκpuj±ce pκdniki Άrubowe, generatory mocy lub uk³ady przenoszenia napκdu przeznaczone dla jednostek p³ywaj±cych:

a. ¦ruby napκdowe o regulowanym skoku oraz zespo³y piast do Άrub o mocy nominalnej powyΏej 30 MW;

b. Elektryczne silniki napκdowe z wewnκtrznym ch³odzeniem cieczowym o mocy wyjΆciowej powyΏej 2,5 MW;

c. «Nadprzewodnikowe» silniki napκdowe albo elektryczne silniki napκdowe z magnesami sta³ymi, o mocy wyjΆciowej powyΏej 0,1 MW;

d. Wa³owe uk³ady przeniesienia napκdu, ktσrych elementy s± wykonane z materia³σw «kompozytowych» , zdolne do przenoszenia mocy powyΏej 2 MW;

e. Wentylowane lub podobne napκdy Άrubowe o mocy nominalnej powyΏej 2,5 MW;

3. Nastκpuj±ce uk³ady do t³umienia szumσw, przeznaczone dla jednostek p³ywaj±cych o wypornoΆci 1000 t lub wyΏszej:

a. Uk³ady t³umienia szumσw podwodnych o czκstotliwoΆciach poniΏej 500 Hz, sk³adaj±ce siκ ze z³oΏonych systemσw montaΏowych s³uΏ±cych do izolacji akustycznej silnikσw wysokoprκΏnych, zespo³σw generatorσw wysokoprκΏnych, turbin gazowych, zespo³σw generatorσw gazowych, silnikσw napκdowych lub napκdowych przek³adni redukcyjnych, specjalnie przeznaczone do t³umienia dΌwiκkσw lub wibracji, maj±ce masκ stanowi±c± ponad 30 % masy urz±dzeρ, na ktσrych maj± byζ zamontowane;

b. Aktywne uk³ady t³umienia lub eliminacji szumσw albo ³oΏyska magnetyczne, specjalnie przeznaczone do uk³adσw przenoszenia napκdu, wyposaΏone w elektroniczne uk³ady sterowania umoΏliwiaj±ce aktywne zmniejszanie wibracji urz±dzeρ poprzez bezpoΆrednie generowanie do Όrσd³a dΌwiκkσw sygna³σw t³umi±cych dΌwiκki i wibracje;

p. Strugowodne uk³ady napκdowe o mocy wyjΆciowej powyΏej 2,5 MW, w ktσrych, w celu poprawy sprawnoΆci napκdu lub zmniejszenia rozchodz±cego siκ pod wod± wytworzonego dΌwiκku, pochodz±cego z uk³adu napκdowego, zastosowano dysze rozbieΏne oraz ³opatki kieruj±ce przep³ywem.

q. NiezaleΏne aparaty do nurkowania i p³ywania podwodnego o zamkniκtym lub pσ³zamkniκtym obiegu.

Uwaga: Pozycja 8A002.q. nie obejmuje kontrol± aparatσw indywidualnych, kiedy towarzysz± one uΏytkownikowi do jego osobistego uΏytku.

8B Urz±dzenia testuj±ce, kontrolne i produkcyjne

8B001 Tunele wodne o szumie t³a poniΏej 100 dB (odpowiednik 1 mikropaskala, 1 Hz) w paΆmie czκstotliwoΆci od 0 do 500 Hz, przeznaczone do pomiaru pσl akustycznych wytwarzanych przez przep³ywy cieczy wokσ³ modeli uk³adσw napκdowych.

8C Materia³y

8C001 «Pianka syntaktyczna» (porowata) do uΏytku pod wod± maj±ca obie poniΏsze cechy:

a. Przeznaczenie do stosowania na g³κbokoΆciach wiκkszych niΏ 1000 m; oraz

b. GκstoΆζ mniejsz± niΏ 561 kg/m3.

Uwaga techniczna:

«Pianka syntaktyczna» sk³ada siκ z pustych w Άrodku kuleczek z tworzywa sztucznego lub szk³a osadzonych w matrycy z Ώywicy.

8D Oprogramowanie

8D001 «Oprogramowanie» specjalnie przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do «rozwoju» , «produkcji» lub «uΏytkowania» urz±dzeρ lub materia³σw objκtych kontrol± wed³ug pozycji 8A, 8B lub 8C;

8D002 «Oprogramowanie» specjalne, przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do «rozwoju» , «produkcji» , napraw, remontσw lub modyfikacji (ponownej obrσbki skrawaniem) Άrub, specjalnie w celu t³umienia generowanych przez nie pod wod± szumσw.

8E Technologie

8E001 Technologie wed³ug Uwagi ogσlnej do technologii do «rozwoju» lub «produkcji» urz±dzeρ lub materia³σw objκtych kontrol± wed³ug pozycji 8A, 8B lub 8C;

8E002 Nastκpuj±ce inne technologie:

a. Technologie do «rozwoju» , «produkcji» , napraw, remontσw lub modyfikacji (ponownej obrσbki skrawaniem) Άrub specjalnie w celu t³umienia generowanych przez nie pod wod± szumσw;

b. Technologie do remontσw lub modyfikacji urz±dzeρ objκtych kontrol± wed³ug pozycji 8A001 lub 8A002.b., 8A002.j., 8A002.o., lub 8A002.p.

KATEGORIA 9

UK£ADY NAPΚDOWE, POJAZDY KOSMICZNE I ICH WYPOSA—ENIE

9A Systemy, urz±dzenia i czκΆci

N.B.: Dla uk³adσw napκdowych specjalnie skonstruowanych lub zabezpieczonych przed promieniowaniem neutronowym lub przenikliwym promieniowaniem jonizuj±cym sprawdΌ takΏe Wykaz uzbrojenia.

9A001 Nastκpuj±ce lotnicze silniki turbinowe, w ktσrych zastosowano jedn± z technologii objκtych kontrol± wed³ug pozycji 9E003.a:

N.B.: SPRAWD¬ TAK—E POZYCJΚ 9A101.

a. Nieposiadaj±ce certyfikatu na instalowanie w okreΆlonym «samolocie cywilnym» , w ktσrym maj± byζ zastosowane;

b. Nieposiadaj±ce certyfikatu zezwalaj±cego na ich uΏycie do zastosowaρ cywilnych, wydanego przez w³adze lotnicze «paρstwa uczestnicz±cego» ;

c. Przeznaczone do lotσw z prκdkoΆciami powyΏej Ma = 1,2 przez ponad trzydzieΆci minut;

9A002 «Turbinowe silniki okrκtowe» o nominalnej mocy ci±g³ej okreΆlonej wed³ug normy ISO wynosz±cej 24245 kW lub wiκcej i zuΏyciu jednostkowym paliwa nieprzekraczaj±cym 0,219 kg/kWh w dowolnym punkcie roboczym w zakresie mocy od 35 do 100 %, oraz specjalnie do nich przeznaczone zespo³y i elementy;

Uwaga: Termin «turbinowe silniki okrκtowe» obejmuje rσwnieΏ turbinowe silniki przemys³owe lub lotnicze, przystosowane do napκdzania jednostek p³ywaj±cych lub wytwarzania energii elektrycznej na jednostkach p³ywaj±cych.

9A003 Nastκpuj±ce specjalne zespo³y i elementy, w ktσrych zastosowano jedn± z technologii objκtych kontrol± wed³ug pozycji 9E003.a, do wymienionych poniΏej turbinowych silnikσw napκdowych:

a. Wymienionych w pozycji 9A001;

b. Skonstruowanych lub wyprodukowanych w krajach innych niΏ «paρstwa cz³onkowskie» lub nieznanych producentowi (wnioskodawcy);

9A004 Kosmiczne pojazdy noΆne «statki kosmiczne» ;

N.B.: SPRAWD¬ TAK—E POZYCJΚ 9A104.

Uwaga: Pozycja 9A004 nie obejmuje kontrol± ³adunku uΏytecznego.

N.B.: Dla okreΆlenia statusu kontroli produktσw wchodz±cych w sk³ad ³adunku uΏytecznego «statku kosmicznego» sprawdΌ odpowiednie Kategorie.

9A005 Rakietowe systemy napκdowe na paliwo ciek³e zawieraj±ce jeden z systemσw lub elementσw wymienionych w pozycji 9A006;

N.B.: SPRAWD¬ TAK—E POZYCJE 9A105 I 9A119.

9A006 Nastκpuj±ce systemy lub elementy specjalnie przeznaczone do rakietowych uk³adσw napκdowych na paliwo ciek³e:

N.B.: SPRAWD¬ TAK—E POZYCJE 9A106 I 9A108.

a. Ch³odziarki kriogeniczne, pok³adowe pojemniki Dewara, kriogeniczne instalacje grzewcze lub urz±dzenia kriogeniczne specjalnie przeznaczone do pojazdσw kosmicznych, umoΏliwiaj±ce ograniczenie strat cieczy kriogenicznych do poziomu poniΏej 30% rocznie;

b. Pojemniki kriogeniczne lub pracuj±ce w obiegu zamkniκtym uk³ady ch³odzenia umoΏliwiaj±ce utrzymanie temperatur na poziomie 100 K (- 173 °C) lub mniejszym, przeznaczone do «samolotσw» zdolnych do rozwijania prκdkoΆci powyΏej Ma = 3, do rakiet noΆnych lub «statkσw kosmicznych» ;

c. Urz±dzenia do przechowywania lub transportu wodoru w formie mieszaniny fazy ciek³ej ze sta³± (zawiesiny);

d. WysokociΆnieniowe (powyΏej 17,5 MPa) pompy turbinowe, ich elementy lub towarzysz±ce im gazowe lub pracuj±ce w cyklu rozprκΏnym napκdy turbinowe;

e. WysokociΆnieniowe (powyΏej 10,6 MPa) komory ci±gu silnikσw rakietowych i dysze do nich;

f. Urz±dzenia do przechowywania paliw napκdowych na zasadzie kapilarnej lub wydmuchowej (tj. z elastycznymi przeponami);

g. Wtryskiwacze ciek³ych paliw napκdowych, w ktσrych Άrednice pojedynczych otworkσw nie przekraczaj± 0,381 mm (pole powierzchni 1,14 Χ 10-3 cm2 lub mniejsze dla otworkσw niekolistych), specjalnie skonstruowane do silnikσw rakietowych na paliwo ciek³e;

h. Wykonane z jednego elementu materia³u typu wκgiel - wκgiel komory ci±gu lub wykonane z jednego elementu materia³u typu wκgiel - wκgiel stoΏki wylotowe, ktσrych gκstoΆci przekraczaj± 1,4 g/cm3, a wytrzyma³oΆci na rozci±ganie s± wiκksze niΏ 48 MPa.

9A007 Systemy napκdowe rakiet na paliwo sta³e o nastκpuj±cych parametrach:

N.B.: SPRAWD¬ TAK—E POZYCJΚ 9A119.

a. Impuls ca³kowity powyΏej 1,1 MNs;

b. Impuls w³aΆciwy 2,4 kNs/kg lub wiκkszy w sytuacji wyp³ywu z dyszy do otoczenia w warunkach istniej±cych na poziomie morza przy ciΆnieniu w komorze wyregulowanym na poziomie 7 MPa;

c. Udzia³ masowy stopnia powyΏej 88 % i procentowy udzia³ sk³adnikσw sta³ych w paliwie powyΏej 86 %;

d. Zawieraj±ce dowolne elementy objκte kontrol± wed³ug pozycji 9A008; lub

e. WyposaΏone w uk³ady izolacyjne i wi±Ώ±ce paliwo, w ktσrych zastosowano bezpoΆrednio po³±czone konstrukcje silnikowe zapewniaj±ce «silne po³±czenia mechaniczne» lub elementy barierowe uniemoΏliwiaj±ce migracjκ chemiczn± pomiκdzy paliwem sta³ym a stanowi±cym os³onκ materia³em izolacyjnym;

Uwaga techniczna:

Dla celσw pozycji 9A007.e. «silne po³±czenie mechaniczne» oznacza wytrzyma³oΆζ wi±zania rσwn± lub wiκksz± niΏ wytrzyma³oΆζ paliwa.

9A008 Nastκpuj±ce elementy przeznaczone do rakietowych uk³adσw napκdowych na paliwo sta³e:

N.B.: SPRAWD¬ TAK—E POZYCJΚ 9A108.

a. Uk³ady izolacyjne i wi±Ώ±ce paliwo, w ktσrych zastosowano wyk³adziny zapewniaj±ce «silne po³±czenia mechaniczne» lub elementy barierowe uniemoΏliwiaj±ce migracjκ chemiczn± pomiκdzy paliwem sta³ym a stanowi±cym os³onκ materia³em izolacyjnym;

Uwaga techniczna:

Dla celσw pozycji 9A008.a. «silne po³±czenie mechaniczne» oznacza wytrzyma³oΆζ wi±zania rσwn± lub wiκksz± niΏ wytrzyma³oΆζ paliwa.

b. Wykonane z w³σkien nawojowych «kompozytowe» os³ony silnikσw o Άrednicy powyΏej 0,61 m lub o «wskaΌnikach efektywnoΆci strukturalnej (PV/W)» powyΏej 25 km;

Uwaga techniczna:

«WskaΌnik efektywnoΆci strukturalnej (PV/W)» jest iloczynem ciΆnienia wybuchu (P) i pojemnoΆci zbiornika (V) podzielonym przez ca³kowit± wagκ zbiornika ciΆnieniowego (W);

c. Dysze o ci±gach powyΏej 45 kN lub szybkoΆci erozyjnego zuΏycia gardzieli poniΏej 0,075 mm/s;

d. Dysze ruchome lub systemy sterowania wektorem ci±gu za pomoc± pomocniczego wtrysku p³ynσw o jednym z nastκpuj±cych parametrσw:

1. Ruch okrκΏny z odchyleniem k±towym powyΏej ± 5 °;

2. K±towy obrσt wektora ci±gu rzκdu 20 °/s lub wiκcej; lub

3. Przyspieszenia k±towe wektora ci±gu rzκdu 40 °/s2 lub wiκksze.

9A009 Hybrydowe systemy napκdowe rakiet o nastκpuj±cych parametra