Nõukogu määrus (EÜ) nr 1504/2004, 19. juuli 2004 , millega muudetakse ja ajakohastatakse määrust (EÜ) nr 1334/2000, millega kehtestatakse ühenduse kord kahesuguse kasutusega kaupade ja tehnoloogia ekspordi kontrollimiseks

EUROOPA LIIDU NÕUKOGU,

võttes arvesse Euroopa Ühenduse asutamislepingut, eriti selle artiklit 133,

võttes arvesse komisjoni ettepanekut,

ning arvestades järgmist:

(1) Nõukogu määruse (EÜ) nr 1334/2000(1) kohaselt tuleb kahesuguse kasutusega kaupade (sealhulgas tarkvara ja tehnoloogia) eksporti ühendusest tõhusalt kontrollida.

(2) Selleks, et liikmesriigid ja ühendus saaksid järgida oma rahvusvahelisi kohustusi, on määruse (EÜ) nr 1334/2000 I lisas kehtestatud kõnealuse määruse artiklis 3 osutatud kahesuguse kasutusega kaupade ja tehnoloogia ühine loetelu, mille abil teostatakse kahesuguse kasutusega kaupade rahvusvaheliselt kokkulepitud kontrolli, mis hõlmab Wassenaari kokkulepet, raketitehnoloogia kontrollire¾iimi (MTCR), tuumatarnijate gruppi (NSG), Austraalia gruppi ja keemiarelvade konventsiooni (CWC).

(3) Määruse (EÜ) nr 1334/2000 artiklis 11 on sätestatud, et I ja IV lisa ajakohastatakse kooskõlas selliste ülesannete ja kohustustega ning nende võimalike muudatustega, mida iga liikmesriik on võtnud tuumarelva leviku tõkestamise rahvusvahelise korra ja ekspordi kontrollimise korra raames või asjakohaste rahvusvaheliste lepingute ratifitseerimise tulemusel.

(4) Määruse (EÜ) nr 1334/2000 I lisa tuleb muuta, et võtta arvesse muudatusi, mis tehti Wassenaari kokkuleppe, Austraalia grupi ja raketitehnoloogia kontrollire¾iimi poolt pärast 27. jaanuari 2003 . aasta määrusega (EÜ) nr 149/2003(2) tehtud muudatusi.

(5) Selleks, et kõrvaldada T¹ehhi Vabariik, Ungari ja Poola praegusest riikide nimekirjast, mille suhtes kohaldatakse ühenduse ekspordiluba, on nõukogu määrusega (EÜ) nr 885/2004 muudetud määruse (EÜ) nr 1334/2000 II lisa 3. osa.

(6) Ekspordikontrolli asutuste ja eksportivate ettevõtjate tegevuse lihtsustamiseks on vaja avaldada määruse (EÜ) nr 1334/2000 lisade ajakohastatud ja konsolideeritud variant, võttes arvesse kõiki muudatusi, mis on heaks kiidetud liikmesriikide rahvusvahelistel foorumitel ajavahemikul detsember 2002 kuni detsember 2003.

(7) Sellest tulenevalt tuleks määrust (EÜ) nr 1334/2000 vastavalt muuta,

ON VASTU VÕTNUD KÄESOLEVA MÄÄRUSE:

Artikkel 1

Määruse (EÜ) nr 1334/2000 lisad asendatakse käesoleva määruse lisadega.

Artikkel 2

Käesolev määrus jõustub kolmekümnendal päeval pärast selle avaldamist Euroopa Liidu Teatajas .

Käesolev määrus on tervikuna siduv ja vahetult kohaldatav kõikides liikmesriikides.

Brüssel, 19. juuli 2004

Nõukogu nimel

eesistuja

P. H. Donner

(1) EÜT L 159, 30.6.2000, lk 1. Määrust on viimati muudetud määrusega (EÜ) nr 885/2004 (ELT L 168, 1.5.2004, lk 1).

(2) ELT L 30, 5.2.2003, lk 1.

I LISA

KAHESUGUSE KASUTUSEGA KAUPADE JA TEHNOLOOGIA LOETELU

(vastavalt määruse (EÜ) nr 1334/2000 artiklile 3)

Käesoleva loeteluga teostatakse kahesuguse kasutusega kaupade rahvusvaheliselt kokkulepitud kontrolli, mis hõlmab Wassenaari kokkulepet, raketitehnoloogia kontrollre¾iimi (MTCR), tuumatarnijate gruppi (NSG), Austraalia gruppi ja keemiarelvade konventsiooni (CWC). Arvesse ei ole võetud neid kaupu, mida liikmesriigid on soovinud lülitada välistavasse loetelusse. Arvesse ei ole võetud mis tahes siseriiklikke kontrollimisi (valitsusvälise päritoluga kontrollimised), mida liikmesriigid võivad jätkata.

ÜLDMÄRKUSED I LISA KOHTA

1. Sõjaliseks kasutuseks ettenähtud või kohandatud kaupade kontrolli osas vaadake üksikute liikmesriikide sõjalise otstarbega kaupade kontrollimist käsitlevaid loetelusid. Käesolevas lisas esinevad viited «VT KA SÕJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJA» viitavad nimetatud loeteludele.

2. Käesolevas lisas käsitletud kontrollimiste eesmärki ei tohiks kahjustada kontrolli alla mittekuuluvate mis tahes kaupade (kaasa arvatud tehas) ekspordiga, mis sisaldavad üht või mitut kontrolli alla kuuluvat komponenti, kusjuures kontrolli alla kuuluv komponent või komponendid on kaupade põhiliseks koostisosaks ja seda (neid) on võimalik kergesti eraldada või kasutada muudel eesmärkidel.

NB! Otsustades, kas kontrolli alla kuuluvat komponenti või komponente võib pidada põhiliseks koostisosaks, on vaja kaaluda koguse, väärtuse ja tehnoloogilise oskusteabega seotud tegureid ning muid eriasjaolusid, mis võiksid määrata kontrolli alla kuuluva komponendi või komponendid hangitavate kaupade põhiliseks koostisosaks.

3. Käesolevas lisas määratletud kaubad hõlmavad nii uusi kui ka kasutatud kaupu.

TUUMATEHNOLOOGIAT KÄSITLEV MÄRKUS (NTN)

(Lugeda koos 0. kategooria E osaga.)

0. kategoorias kontrollitud kaupadega otseselt seotud « tehnoloogiat » kontrollitakse vastavalt 0. kategooria sätetele.

Tehnoloogia, mis on ette nähtud kontrolli alla kuuluvate kaupade arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks, jääb kontrolli alla kuuluvaks ka siis, kui seda kohaldatakse kontrolli alla mittekuuluvate kaupade suhtes.

Kaupade lubamine ekspordiks annab loa eksportida samale lõppkasutajale ka minimaalse tehnoloogia, mis on vajalik kõnealuste kaupade paigaldamiseks, kasutamiseks, hoolduseks ja remondiks.

Tehnosiirde kontrollimisi ei kohaldata « üldkasutatava » teabe või « fundamentaalteaduslike uuringute » suhtes.

ÜLDMÄRKUS TEHNOLOOGIA KOHTA (GTN)

(Lugeda koos 1.-9. kategooria E osaga.)

Sellise tehnoloogia eksporti, mis on vajalik 1.-9. kategoorias nimetatud kontrolli alla kuuluvate kaupade arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks, kontrollitakse 1.-9. kategooria sätete kohaselt.

Tehnoloogia, mis on vajalik kontrolli alla kuuluvate kaupade arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks, jääb kontrolli alla kuuluvaks ka siis, kui seda kohaldatakse kontrolli alla mittekuuluvate kaupade suhtes.

Kontrolli ei kohaldata sellise tehnoloogia suhtes, mis on minimaalselt vajalik selliste kaupade paigaldamiseks, kasutamiseks, hoolduseks (kontrolliks) ja remondiks, mis ei kuulu kontrolli alla või mille eksport on lubatud.

NB! See ei vabasta kontrolli alla kuulumisest punktides IE002.e, IE002.f, 8E002.a ja 8E002.b määratletud vastavat tehnoloogiat.

Tehnosiirde kontrolli ei kohaldata « üldkasutatava » teabe või « fundamentaalteaduslike uuringute » või patenditaotluste tegemiseks vajaliku miinimumteabe suhtes.

ÜLDMÄRKUS TARKVARA KOHTA (GSN)

(Käesolev märkus on ülimusliku iseloomuga kõigi 0.-9. kategooria D osas loetletud kontrollimiste suhtes.)

Käesoleva loetelu 0.-9. kategoorias ei kontrollita tarkvara, mis on:

a. üldiselt avalikkusele kättesaadav, kuna:

1. Seda müüakse varudest jaemüügikohtades piiramatult järgmistel viisidel:

a. käsimüügi teel;

b. postimüügi teel;

c. elektronkaubandus; või

d. telefonimüügi teel; ja

2. nad on ette nähtud paigaldamiseks kasutaja oma jõududega, ilma tarnija olulise abita; või

NB! Tarkvara käsitleva üldmärkuse punkt a ei vabasta kontrolli alla kuulumisest 5. kategooria 2. osas määratletud tehnoloogiat (Infoturve).

b. üldkasutatav.

KÄESOLEVAS LISAS KASUTATUD MÕISTED

Allajoonitud terminite definitsioonid on antud vastava kauba tehnilises märkuses.

Kursiivkirjas (ja jutumärkides) olevate terminite definitsioonid on järgmised:

NB! Viide kategooria kohta on märgitud defineeritava mõiste järele sulgudesse.

Täpsus (Accuracy) (2 6) - väljendab antud väärtuse maksimaalset positiivset või negatiivset kõrvalekallet tunnustatud standardi märgitud väärtusest või tegelikust väärtusest; enamasti mõõdetakse ebatäpsuse kaudu.

Lennujuhtimise aktiivsüsteemid (Active flight control systems) (7) - lennujuhtimise süsteemid, mille ülesandeks on vältida õhusõidukite ja rakettide soovimatud liikumised või soovimatud kerestruktuuri koormused, käsitledes autonoomselt paljudelt anduritelt tulevat teavet ning andes vajalikud ennetavad juhtimiskäsud automaatjuhtimisele.

Aktiivpiksel (Active pixel) (6 8) - väikseim tahkismassiivi (üksik) element, millel on fotoelektriline ülekandefunktsioon valguskiirguse (elektromagnetiline kiirgus) kasutamisel.

Kohandatud kasutamiseks sõja tingimustes (Adapted for use in war) (1) - tähendab igat muudatust või eesmärgipärast valikut (nt puhtuse, säilivusaja, virulentsuse, levimisomaduste või ultraviolettkiirguskindluse muutmine), mille sihiks on inim- ja loomkaotuste tekitamise efektiivsuse tõstmine, vigastades seadmeid või kahjustades viljasaaki või keskkonda.

Õhusõiduk (Aircraft) (1 7 9) - kas jäigatiivaline, muudetava tiivakujuga, pöörleva tiivaga (helikopter), kaldrootoriga või kaldtiivaga lennuaparaat.

NB! Vt ka «tsiviilõhusõiduk» .

Kõik olemasolevad kompensatsioonid (All compensations available) (2) - võetakse arvesse kõik valmistaja käsutuses olevad võimalikud meetmed konkreetse tööpingi kõigi süstemaatiliste positsioneerimisvigade minimeerimiseks.

ITU poolt eraldatud (Allocated by ITU) (3 5) - sagedusribade eraldamine vastavalt Rahvusvahelise Telekommunikatsiooni Liidu (ITU) raadioside-eeskirjadele (1998. aasta väljaanne) esmastele, lubatud ja teisestele teenustele.

NB! Ei hõlma täiendavaid ja alternatiivseid eraldusi.

Pöördenurga hälve (Angular position deviation) (2) - maksimaalne erinevus osutatud pöördenurga ja tegeliku, eriti täpselt mõõdetud pöördenurga vahel, kui pöördlaua töödeldava detaili alus on oma algasendist ära pööratud (vt VDI/VDE 2617 visand « Rotary table on coordinate measuring machines » ).

Asümmeetriline algorit m (Asymmetric algorithm) (5) - kodeerimisalgoritm, mis kasutab kodeerimiseks ja dekodeerimiseks erinevaid matemaatiliselt omavahel seotud võtmeid.

NB! Asümmeetrilise algoritmi tavaline kasutus seisneb võtme haldamises.

Automaatne sihtmärgi järgimine (Automatic target tracking) (6) - andmetöötlustehnika, mis automaatselt määrab ning väljastab reaalajas sihtmärgi kõige tõenäolisema asukoha ekstrapoleeritud väärtuse.

Hilistus põhiventiilis levimisel (Basic gate propagation delay time) (3) - hilinemine levimisel mis vastab monoliit-integraallülituses kasutatud põhivärati viivitusele. Monoliit-integraallülituste perekonnale võib seda määratleda kas kui viivitust levimisel teatud perekonna tüüpilises ventiilis või kui tüüpilist viivitust levimisel ventiili kohta teatud perekonna sees.

NB! 1: «Hilistus põhiventiilis levimisel» ei tohi segi ajada «monoliit-integraallülituse» kompleksse sisend-/ väljundviivitusega.

NB! 2: Perekond sisaldab kõiki integraallülitusi, millistele kõik alljärgnev on rakendatud kui tootmismetoodikad ja spetsifikatsioonid, arvesse võtmata nende konkreetseid funktsioone:

a. ühtne riistvara ja tarkvara arhitektuur;

b. ühtne konstruktsioon ja tootmistehnoloogia; ja

c. ühtsed põhiparameetrid.

Fundamentaalteaduslikud uuringud (Basic scientific research) (GTN NTN) - eksperimentaalne või teoreetiline töö mida teostatakse põhiliselt uute teadmiste saamiseks nähtustest või vaadeldud faktide fundamentaalsetest põhimõtetest ning mis ei ole otseselt suunatud mingi praktilise rakenduse või eesmärgi saavutamiseks.

Kiirendusmõõtur (Accelerometer) (7) - tähendab kiirendusmõõturi väljundi väärtust, kui kiirendust ei rakendata.

Aksiaallõtk (Camming) (2) - teljesuunaline nihe peavõlli ühe pöörde jooksul, mõõdetuna peavõlli plaanseibiga risti asetseval tasapinnal punktis, mis on lähim peavõlli plaanseibile (vt ISO 230/1 1986, lõik 5.63).

Süsinikkiu eelvormid (Carbon fibre preforms) (1) - kaetud või katmata kiu reeglipärast asetust, mis on kavandatud moodustama detaili tugikarkassi enne põhimassi sisseviimist komposiidi moodustamiseks.

CE - vt arvutuselement .

CEP (samavõrdne tõenäosusring) (Circle of equal probability) (7) - täpsuse mõõt; märklauale tsentreeritud sellise spetsiifilise ulatusega ringi raadius, millesse jääb 50 % lõhkelaengu mõjust.

Kemolaser (Chemical laser) (6) - laser , millel ergastatud osakesed tekitatakse keemilisel reaktsioonil vabanenud energia arvel.

Keemiline segu (Chemical mixture) (1) - tahke, vedel või gaasiline toode, mis koosneb kahest või enamast komponendist, mis ei reageeri üksteisega segu säilitamise tingimustes.

Õhuvoolu abil juhitud pöörlemisvastane või õhuvoolu abil juhitud suunajuhtimise süsteem (Circulation-controlled anti-torque or circulation controlled direction control systems) (7) - süsteemid, mis kasutavad õhu voolu piki aerodünaamilisi pindu, et tugevdada või juhtida pinnale tekitatud jõude.

Tsiviilõhusõidukid (Civil aircraft) (1 7 9) - need õhusõidukid , mis on loendatud kasutusotstarbe järgi tsiviillennunduse ameti poolt avaldatud lennukõlblikkuse sertifitseerimise nimekirjas, lendamiseks sisemaistel ja välismaistel tsiviilkaubanduslikel marsruutidel või seaduslikuks kasutamiseks tsiviil-, era- ja ärilisel otstarbel.

NB! Vt ka «õhusõiduk» .

Segatud (Commingled) (1) - kiudude segu termoplastsetest kiududest ja tugevduskiududest, kiukujulise tugevduskiu ja põhiaine segu tootmiseks.

Peenestamine (Comminution) (1) - materjali muutmine osakesteks purustamise või jahvatamise teel.

Ühiskanaliga signaalimine (Common channel signalling) (5) - signaalimisviis, mille korral üks kanal vahendajate vahel vahendab märgistatud sõnumite abil signaalteateid ühenduste või kõnede arvu kohta ning muud informatsiooni, mida näiteks kasutatakse võrgu haldamiseks.

Teabevahetuskanali kontroller (Communications channel controller) (4) - füüsiline liides, mis juhib sünkroonse või asünkroonse digitaalse info liikumist. Selle sõlme võib liita arvutile või telekommunikatsiooniseadmele, et tagada juurdepääs teabevahetusele.

Komposiit (Composite) (1 2 6 8 9) - põhiaine ja sellesse teatud eesmärgil lisatud lisafaas või faasid, mis koosnevad osakestest, niitkristallidest, kiududest või mis tahes nende kombinatsioonist.

Ühendatud teoreetiline suutlikkus (Composite theoretical performance) (CTP) (3 4) - arvutussuutlikkuse mõõt, mis esitatakse miljonites teoreetilistes operatsioonides sekundis (Mtops) ning mis on arvutatud arvutuselementide (CE) arvutusvõimsuste ühendamise teel.

NB! Vt 4. kategooria tehnilist märkust.

Kombineeritud pöördlauad (Compound rotary table) (2) - laud, mille abil saab töödeldavat detaili pöörata ning kallutada ümber kahe mitteparalleelse telje ning milliseid on võimalik kontuurjuhtimise jaoks samaaegselt koordineerida.

Arvutuselement (Computing element) (CE) (4) - tähistab vähimat arvutuslikku ühikut, mis annab aritmeetilise või loogilise tulemuse.

Kontuurjuhtimine (Contouring control) (2) - tööorgani kahe või enama liikumise numbriline juhtimine käskudega, mis määravad ära järgmise nõutava asukoha ning vajalikud etteandmiskiirused sellele asukohale siirdumiseks. Neid etteandmiskiirusi varieeritakse üksteise suhtes soovitud kontuuri saavutamiseks (vt ISO/DIS 2806 -1980).

Kriitiline temperatuur (Critical temperature) (1 3 6) - (vahel nimetatud ka üleminekutemperatuuriks); temperatuur mille juures konkreetne ülijuhtiv aine kaotab täielikult oma elektrilise takistuse alalisvoolule.

Krüptograafia (Cryptography) (5) - teadusharu, mis hõlmab andmete muutmise põhimõtteid, vahendeid ja meetodeid eesmärgiga varjata nende informatiivset sisu, takistada andmete kontrollimatut muutmist või loata kasutamist. Krüptograafia all mõistetakse teabe muutmist, kasutades ühte või mitut salajast parameetrit (nt salamuutujad) või nendega seotud võtmete kasutamist.

NB! «Salajane parameeter » on konstant või võti, mida varjatakse teiste eest või mida teatakse üksnes teatavas rühmas.

CTP - tähistab ühendatud teoreetilist suutlikkust .

Andmebaasidega toetatavad navigatsioonisüsteemid (Data-Based Referenced Navigation - DBRN) (7) - süsteemid, milles kasutatakse eri allikatest pärinevaid eelnevalt mõõdetud geofüüsikalisi paikkonna koondandmeid, et saada muutuvates tingimustes täpset informatsiooni navigeerimiseks. Allikandmeteks võivad olla mere sügavuskaardid, tähekaardid, gravimeetrilised kaardid, magnetvälja tugevuse kaardid või kolmemõõtmelised digitaalsed maastikukaardid.

Deformeeritavad peeglid (Deformable mirrors) (6) (ka kohandatavad optilised peeglid) - peeglid, millel on:

a. üks pidev optiliselt peegeldav pind, mida saab dünaamiliselt deformeerida, kohaldades üksikuid väändemomente või jõude, et kompenseerida peeglile langeva optilise laine kuju moonutused; või

b. palju optilisi peegelduvaid elemente, mida on võimalik eraldi ja dünaamiliselt väändemomente või jõude kasutades ümber paigutada, et kompenseerida peeglile langeva optilise laine kuju moonutused.

Vaesestatud uraan (Depleted uranium) (0) - uraan, milles isotoobi 235 sisaldus on kahandatud allapoole looduses esinevat taset.

Arendus (Development) (GTN NTN kõik) - on seotud kõikide seeriatootmisele eelnevate järkudega nagu näiteks: toote projektlahendus, projektlahenduse otsing, projektlahenduse analüüs, projektlahenduse põhimõtted, prototüüpide koostamine ja katsetamine, katsetootmiskavad, projektlahenduse andmed, projektlahenduse andmete tooteks muutmise protsess, osade suhtelise paigutuse kavand, terviku moodustamise kavand, skeemid.

Difusioonkeevitus (Diffusion bonding) (1 2 9) - vähemalt kahe erineva metalli molekulaarne tahkisliitmine üheks tükiks, mille ühine tugevus on sama suur kui kõige nõrgemal materjalil.

Digitaalarvuti (Digital computer) (4 5) - seade, mis ühe või mitme diskreetse muutuja kujul võib teha järgmist:

a. võtta vastu andmeid;

b. säilitada andmeid või käske muudetamatus või muudetavas (ülekirjutatavas) salvestusseadmes;

c. töödelda andmeid salvestatud käsujada abil, mida on võimalik muuta; ja

d. esitada töödeldud andmeid.

NB! Salvestatud käsujada muutmine hõlmab muudetamatute salvestusseadmete asendamist, kuid mitte füüsilisi muutusi juhtmestikus või ühendustes.

Digitaalne edastuskiirus (Digital transfer rate) - mis tahes kandjale edastatud informatsiooni täielik bitikiirus.

NB! Vt ka «täielik digitaalne edastuskiirus» .

Otsetoimehüdropressimine (Direct-acting hydraulic pressing) (2) - deformeerimisprotsess, milles kasutatakse töödeldava detailiga kontaktis olevat vedeliktäitega elastset rakku.

Triivi kiirus (güroskoop) (Drift rate) (7) - güroskoobi väljundi ajast sõltuv hälve soovitud väärtusest. Hälve koosneb juhuslikest ja süstemaatilistest komponentidest ning on väljendatav ekvivalentse sisendnurga nihkega ajaühikus inertsiaalsüsteemi suhtes.

Dünaamiline adaptiivne suunamine (Dynamic adaptive routing) (5) - liikluse automaatne suunamine, mis põhineb momendil võrgu aktuaalse seisundi määramisel ning analüüsil.

NB! Siia ei kuulu suunamisotsused, mis on tehtud eelnevalt antud informatsiooni põhjal.

Dünaamilised signaalianalüsaatorid (Dynamic signal analysers) (3) - signaalianalüsaatorid , mis kasutavad digitaalset andmekogumis- ja muundustehnikat, et antud lainekuju Fourier' esitusele lisada ka amplituudi- ja faasiteave.

NB! Vt ka «signaalianalüsaatorid» .

Lõhustuvate erimaterjalide efektiivgramm (Effective gramme) (0 1) -

a. plutooniumi isotoopide ja uraan-233 puhul isotoobi kaal grammides;

b. uraan-235 suhtes 1 % võrra või enam rikastatud uraani puhul elemendi kaal grammides, mis on mõõdetud kaalu ja rikastusastme ruudu korrutisena ja väljendatud kümnendmurruna;

c. uraan-235 suhtes alla 1 % rikastatud uraani puhul elemendi kaal grammides korrutatuna 0,0001-ga.

Elektroonikasõlm (Electronic assembly) (3 4 5) - teatud hulk elektroonilisi komponente (st vooluahela elemente , diskreetkomponente , integraallülitusi jne), mis on ühendatud omavahel spetsiifilis(t) e funktsiooni(de) täitmiseks ning mida on võimalik tervikuna asendada ja mis on tavaliselt algkomponentideks lahtiühendatav.

NB! 1: Vooluahela element : vooluahela üksik aktiivne või passiivne funktsionaalne osa, näiteks üks diood, üks transistor, üks takisti, üks kondensaator jne.

NB! 2: Diskreetkomponent : eraldi pakitud vooluahela element , millel on oma välisühendused.

Elektrooniliselt formeeritava suunadiagrammiga antenn (Electronically steerable phased array antenna) (5 6) - antenn, mis moodustab kiire faasisidestuse abil, st et kiire suund määratakse kiirgavate elementide omavahel seostatud komplekssete ergastuskoefitsientide kaudu ning kiire tõusunurka ja asimuuti nii koos kui ka eraldivõetuna saab muuta nii ülekande kui ka vastuvõtu korral elektrilise signaali abil.

Tööorganid (End-effectors) (2) - tähendab haaratseid, aktiivseid tööriistühikuid ja kõiki muid töövahendeid, mis on kinnitatud roboti manipulaatori otsa kinnitusplaadile.

NB! Aktiivne tööriistühik (active tooling unit) - seade, mille abil rakendatakse töödeldavale detailile liigutavat jõudu, töötlemisenergiat või sondeeritakse seda.

Ekvivalenttihedus (Equivalent Density) (6) - optika mass optilise pindalaühiku kohta, mis on projitseeritud optilisele pinnale.

Ekspertsüsteemid (Expert systems) (7) - süsteemid, mis esitavad tulemusi, kohaldades eeskirju nende andmete suhtes, mis on salvestatud programmist sõltumatult ning millel on järgmised omadused:

a. muudavad automaatselt kasutaja antud lähtekoodi ;

b. tekitavad teavet mingi kvaasi-loomuliku keele probleemide kohta; või

c. omandavad enda arenguks vajalikke teadmisi (sümbolite õppimine).

FADEC (full authority digital engine control) - täisautomaatne digitaalne mootori juhtimine.

Tõrketaluvus (Fault tolerance) (4) - arvutisüsteemi võime jätkata inimsekkumiseta tööd pärast mis tahes riist- või tarkvarakomponentide tõrget teataval toimimistasemel, mis tagab teatava aja jooksul töötamise pidevuse, andmete säilimise ja toimimistaseme taastumise teatud aja jooksul.

Kiud või kiudained (Fibrous or filamentary materials) (0 1 2 8) hõlmavad järgmisi materjale:

a. pidevad monokiud ;

b. pidev lõng ja heie ;

c. paelad , kudumid, reeglipäratud matid ja punutised;

d. tükeldatud kiud, staapelkiud ja vanutatud viltvaibad;

e. mis tahes pikkusega monokristallilised või polükristallilised niitkristallid;

f. aromaatse polüamiidi pulp.

Kile-tüüpi integraallülitused (Film type integrated circuit) (3) - vooluahela elementide ja metallist ühendusradade kogu, mis moodustatakse paksude või õhukeste kilede sadestamisega isolatsioon põhimikule .

NB! Vooluahela element on vooluahela üksik aktiivne või passiivne funktsionaalne osa, näiteks üks diood, üks transistor, üks takisti, üks kondensaator jne.

Fikseeritud (Fixed) (5) - kodeerimis- või pakkimisalgoritm ei võta vastu väljastpoolt antud parameetreid (nt ¹ifreerimis- või võtmemuutujaid) ning kasutaja ei saa seda muuta.

Lennujuhtimise optiliste andurite massiiv (Flight control optical sensor array) (7) - jaotatud optiliste andurite võrgustik, mis kasutab laserikiiri, et edastada lennujuhtimise andmeid reaalajas pardal töötlemiseks.

Lennutrajektoori optimeerimine (Flight path optimisation) (7) - toiming, mis muudab minimaalseks kõrvalekalded soovitud neljamõõtmelisest (aeg ja ruum) trajektoorist ning põhineb sihtülesannete teostuse või efektiivsuse suurendamisel.

Fokaaltasandiline massiiv (Focal plane array) (6) - lineaarne või kahemõõtmeline üksikutest detektorelementidest koosnev tasapinnaline kiht või tasapinnaliste kihtide kombinatsioon, koos lugemiselektroonikaga või ilma, mis töötab fokaaltasandil.

NB! Antud definitsioon ei kirjelda üksikute detektorelementide pinu või mingeid kahe-, kolme- või neljaelemendilisi detektoreid eeldusel, et ajaline viivitus ning integreerimine ei ole teostatud elementides.

Fraktsionaalne ribalaius (Fractional bandwith) (3) - hetkelise ribalaiuse jagatis selle kesksageduse väärtusega, väljendatuna protsentides.

Sagedushüplemine (Frequency hopping) (5) - hajaspektri üks kujudest, milles üksiku sidekanali ülekandesagedust muudetakse diskreetselt sammhaaval juhusliku või pseudojuhusliku järjestuse alusel.

Sageduse ümberlülitusaeg (Frequency switching time) (3 5) - maksimaalne aeg (st viivitus), mis kulub signaalil, kui lülitutakse ühelt valitud väljundsageduselt teisele väljundsagedusele, et jõuda:

a. sageduseni, mis erineb lõppsagedusest vähem kui 100 Hz; või

b. väljundtasemeni, mis erineb lõplikust väljundtasemest vähem kui 1 dB.

Sagedussüntesaator (Frequency synthesiser) (3) - mis tahes sagedusallikas või signaaligeneraator, olenemata kasutatavast tehnikast, mis tekitab mitmeid üheaegseid või vahelduvaid väljundsagedusi ühest või mitmest väljundist, mis on juhitud tuletatud või määratud vähema hulga standardsageduste (või põhisageduste) poolt.

Täisautomaatne digitaalne mootori juhtimine (Full Authority Digital Engine Control) (FADEC) (7 9) - gaasiturbiini või kombineeritud tsükliga mootori elektroonne juhtimissüsteem, mis kasutab digitaalset arvutit, et juhtida muutujaid, mis on vajalikud mootori veojõu ja võlli väljundvõimsuse reguleerimiseks kogu mootori tööulatuses alates kütuse arvestamisest kuni kütuse sulgemiseni.

Gaaspulverisatsioon (Gas atomisation) (1) - protsess, mille käigus sula metallisulamijuga pihustatakse kõrgsurvelise gaasijoaga piiskadeks, mille läbimõõt on 500 mikromeetrit või vähem.

Geograafiliselt hajutatud (Geographically dispersed) (6) - olukord, kus iga asukoht asub mis tahes suunas enam kui 1500 meetri kaugusel igast teisest. Liikuvad andurid loetakse alati geograafiliselt hajutatud olevateks.

Juhtimissüsteem (Guidance set) (7) - süsteem, mis ühendab sõiduki asukoha ja kiiruse mõõtmise ning arvutamise protsessi (st navigeerimise) sõiduki lennujuhtimise süsteemile lennu trajektoori korrigeerimiseks käskude arvutamise ja saatmise protsessiga.

Kuumisostaattihendamine (Hot isostatic densification) (2) - valu survestamise protsess üle 375 K (102 °C) temperatuuri juures suletud ruumis erinevate keskkondade (gaas, vedelik, tahked osakesed jne) vahendusel, tekitades valule võrdset survet kõigist suundadest, et vähendada või väljutada seal olevaid tühimikke.

Hübriidarvuti (Hybrid computer) (4) - seadmed, mis võimaldavad teha järgmist:

a. võtta vastu andmeid;

b. töödelda andmeid nii analoog- kui ka digitaalkujul; ja

c. esitada töödeldud andmeid.

Hübriidintegraallülitus (Hybrid integrated circuit) (3) - mis tahes integraallülitus(t)e kombinatsioon või integraallülitus, mille vooluahela elemendid või diskreetkomponendid on ühendatud spetsiifiliste funktsioonide täitmiseks ning millel on kõik järgmised omadused:

a. sisaldab vähemalt üht korpuseta seadet;

b. ühendamisel on kasutatud tüüpilisi integraallülituste tootmismeetodeid;

c. tervikuna asendatav; ja

d. tavaliselt ei ole demonteeritav.

NB! 1: Vooluahela element : vooluahela üksik aktiivne või passiivne funktsionaalne osa, näiteks üks diood, üks transistor, üks takisti, üks kondensaator jne.

NB! 2: Diskreetkomponent : eraldi pakitud vooluahela element , millel on oma välisühendused.

Pildiväärindus (Image enhancement) (4) - väljastpoolt saadud, informatsiooni sisaldavate piltide töötlemine selliste algoritmidega nagu ajaline kokkusurumine, filtreerimine, väljaeraldamine, väljavalimine, korrelatsioon, konvolutsioon või piirkondadevahelised teisendused (nt Fourier' kiirteisendus või Walsh'i teisendus). Siia hulka ei ole loetud algoritmid, mis kasutavad ainult üksiku kujutise lineaar- või rotatsioonteisendust nagu translatsioon, piirjoone eraldamine, registreerimine või vale värvimine.

Immuunotoksiin (Immunotoxin) (1) - on ühe rakuspetsiifilise monoklonaalse antikeha ja toksiini või toksiini alamühiku konjugaat, mis mõjutab valikuliselt haigeid rakke.

Üldkasutatav (In the public domain) (GTN NTN GSN) - siinkohal tähistab tehnoloogiat või tarkvara , mis on tehtud kättesaadavaks, seadmata piiranguid selle edasise levitamise suhtes (autoriõigusega seatud piirangud ei takista tehnoloogiat või tarkvara olemast üldkasutatav ).

Infoturve (Information security) (4 5) - kõik vahendid ja funktsioonid, mis tagavad info või teabevahetuse kättesaadavuse, konfidentsiaalsuse või terviklikkuse, välja arvatud vahendid ja funktsioonid, mis on ette nähtud kaitseks tõrgete eest. Siia kuuluvad krüptograafia , krüptoanalüüs , kaitse ohustavate lekete eest ja arvutiturve.

NB! Krüptoanalüüs : krüptograafiasüsteemi või selle sisendite ja väljundite analüüs, et kätte saada salamuutujaid või tundlikku teavet, kaasa arvatud selge tekst.

Hetkeline ribalaius (Instantaneous bandwidth) (3 5 7) - ribalaius, mille puhul väljundvõimsus jääb 3 dB piirides konstantseks, ilma et peaks kohandama teisi tööparameetreid.

Näitepiirkond (Instrumented range) (6) - radari määratletud nägevuspiirkond, milles objektid on ühemõtteliselt eristatavad.

Isolatsioon (Insulation) (9) - kasutatakse rakettmootorite komponentide juures, st korpuse, düüsi sisselaskeava, korpusekattes ning kujutab endast isoleerivaid või tulekindlaid lisandeid sisaldavaid kõvastatud või poolkõvastatud kummimassist lehti. Seda võib kasutada ka pakiruumi või stabilisaatorite mehhaanilise pingetustajana.

Ühendatud radar-andurid (Interconnected radar sensors) (6) - kaks või enam omavahel ühendatud radar-andurit, mis vahetavad reaalajas vastastikku andmeid.

Sisekatend (Interior lining) (9) - siduv sobituskatend tahke kütuse ja kesta või isoleeriva vooderduse vahel. Tavaliselt kuumuskindlate või isoleerivate ainete vedelatel polümeeridel, nagu näiteks süsiniktäitega hüdroksüüliga termineeritud (lõpetatud) polübutadieenil (HTPB) või muul polümeeril põhinev dispersioon, millesse on lisatud tahkestavaid toimeaineid ning mis on pihustatud või kantud kesta sisepinnale.

Sisemine magnetvälja gradiomeeter (Intrinsic Magnetic Gradiometer) (6) - üksik magnetvälja gradiendi tajur ning selle juurde kuuluv elektroonika, mille väljundiks on magnetvälja gradiendi mõõt.

NB! Vt ka «magnetgradiomeetrid» .

Isoleeritud eluskultuurid (Isolated live cultures) (1) - eluskultuurid soikeseisundis ja kuivatatud preparaatidena.

Isostaatpressid (Isostatic presses) (2) - seadmed, mille abil on võimalik survestada suletud ruumi erinevate keskkondade abil (gaas, vedelik, tahked osakesed) nii, et selles asuvale töödeldavale detailile või ainele mõjub kõikidest suundadest võrdne rõhk.

Laser (Laser) (0 2 3 5 6 7 8 9) - komponentide koost, mis toodab nii ruumiliselt kui ka ajaliselt koherentset valgust, mida võimendab stimuleeritud kiirgusemissioon.

NB! Vt ka:

« kemolaser » ,

« hiidvälkelaser » ,

« ülivõimas laser » ,

« siirdelaser » .

Lineaarsus (Linearity) (2) (enamasti mõõdetakse mittelineaarsuse kaudu) - maksimaalne tegeliku omaduse (skaala alumiste ja ülemiste näitude keskmine) positiivne või negatiivne kõrvalekalle sirgjoonest, mis on paigutatud selliselt, et võrdsustada ja vähendada maksimaalseid kõrvalekaldeid.

Kohtvõrk (Local area network) (4) - andmesidesüsteem, millel on kõik järgmised omadused:

a. võimaldab mis tahes arvul sõltumatutel andmesideseadmetel üksteisega otse suhelda; ja

b. piirdub mõõduka suurusega geograafilise alaga (nt kontorihoone, tehas, ülikoolilinnak, ladu).

NB! Andmesideseade on seade, millega on võimalik edastada või vastu võtta digitaalset infot.

Magnetvälja gradiomeetrid (Magnetic gradiometers) (6) - seadmed, mis on ette nähtud väljaspool seadet ennast olevatest allikatest pärinevate magnetväljade ruumilise erinevuse kindlakstegemiseks. Koosnevad mitmest magnetomeetrist ja nendega seotud elektroonikast, mille väljundiks on magnetvälja gradiendi mõõt.

NB! Vt ka «sisemised magnetvälja gradiomeetrid» .

Magnetomeetrid (Magnetometers) (6) - seadmed, mis on ette nähtud väljaspool seadet ennast olevatest allikatest tulenevate magnetväljade kindlakstegemiseks. Koosnevad ühest magnetvälja tajurist ja sellega seotud elektroonikast, mille väljundiks on magnetvälja mõõt.

Põhimälu (Main storage) (4) - peamine andmete või käskude salvesti, millele keskprotsessoril on kiire juurdepääs. Koosneb digitaalarvuti sisemisest mälust ja selle hierarhilistest laiendustest, nagu näiteks vahemälu või suvapöördusega välismälu.

UF6 korrosioonile vastupidavad materjalid (Materials resistant to corrosion by UF6 ) (0) - võivad olla vask, roostevaba teras, alumiinium, alumiiniumoksiid, alumiiniumisulamid, nikkel või sulam, mis sisaldab niklit 60 % kaalust või rohkem, ja UF6 korrosiooni suhtes vastupidavad fluorosüsivesinikpolümeerid, vastavalt sellele, mis on vajalik eraldusprotsessi liigist lähtuvalt.

Põhiaine (Matrix) (1 2 8 9) - oluliselt ühtlane aine faas, mis täidab osakeste, niitkristallide ja kiududevahelise ruumi.

Mõõtehälve (Measurement uncertainty) (2) - iseloomustav parameeter, mis 95 % usutavusega määrab ära, missuguses piirkonnas väljundväärtuse ümber mõõdetava muutuja õige väärtus asub. See võtab arvesse korrigeerimata süstemaatilised kõrvalekalded, korrigeerimata lõtku ja juhuslikud kõrvalekalded (vt ISO 10360-2 või VDI/VDE 2617).

Mehaaniline legeerimine (Mechanical Alloying) (1) - legeerimisprotsess, mis tekib elementide ja põhisulami pulbrite seostumisel, seose katkemisel ja uuesti seostumisel mehhaanilise põrke tagajärjel. Mittemetallilisi osakesi võib sulamisse segada, lisades vastavaid pulbreid.

Sulandi eraldamine (Melt Extraction) (1) - protsess, mille käigus kiirel tahkestamisel eraldatakse paelakujuline metallisulamist toode, mis saadakse pöörleva ja jahutatud lühikese plokisegmendi uputamisel sulametallisulami vanni.

NB! Kiire tahkestamine : sula aine tahkestamine jahutuskiirusega üle 1000 K/s.

Sulandi ketramine (Melt Spinning) (1) - protsess, mille käigus tahkestatakse kiiresti sulametallijuga mis põrkub vastu pöörlevat jahutatud plokki, tekitades helbe-, paela- või vardakujulisi saadusi.

NB! Kiire tahkestamine : sula aine tahkestamine jahutuskiirusega üle 1000 K/s.

Mikroarvuti mikroskeem (Microcomputer microcircuit) (3) - monoliit-integraallülitus või mitmekiibiline integraallülitus , mis sisaldab aritmeetika-loogikaseadet (ALU), mis on võimeline täitma põhimälus asuvaid üldotstarbelisi käske põhimälus sisalduvate andmete kohta.

NB! Põhimälu võib olla laiendatud välismälu abil.

Mikroprotsessor mikroskeem (Microprocessor microcircuit) (3) - monoliit-integraallülitus või mitmekiibiline integraallülitus , mis sisaldab aritmeetika-loogikaseadet (ALU), mis on võimeline täitma välismälus asuvaid üldotstarbelisi käskude jadasid.

NB! 1: Tavaliselt «mikroprotsessor mikroskeem» ei sisalda üldjuhul integraalse komponendina mälu, kuhu kasutajal oleks võimalik pöörduda, kuigi võib kasutada samal kiibil asuvat mälu oma loogiliste funktsioonide täitmiseks.

NB! 2: See definitsioon hõlmab ka kiibikomplekte, mis on kavandatud «mikroprotsessor mikroskeemina» koos toimima.

Mikroorganismid (Microorganisms) (1 2) - bakterid, viirused, mükoplasmad, riketsiad, klamüüdiad või seened, nii looduslikult, parandatud või modifitseeritud, kas isoleeritud eluskultuuride või aine kujul, kaasa arvatud elusained, mida on teadlikult nakatatud või saastatud nimetatud kultuuridega.

Monoliit-integraallülitus (Monolithic integrated circuit) (3) - passiivsete või aktiivsete või mõlemat liiki vooluahela elementide kombinatsioon, mis:

a. moodustatakse difusioonimenetluse, sisestusmenetluse või sadestusmenetluse teel ühe pooljuhtmaterjali tüki (nn kiibi ) sees või peal;

b. mida võib käsitleda kui lahutamatut tervikut; ja

c. mis täidab vooluahela ülesannet (ülesandeid).

NB! Vooluahela element on vooluahela üksik aktiivne või passiivne funktsionaalne osa, näiteks üks diood, üks transistor, üks takisti, üks kondensaator jne.

Monospektraalsed pildiandurid (Monospectral imaging sensors) (6) - võimelised omandama kujutise andmeid ühest diskreetsest spektriribast.

Mitmekiibiline integraallülitus (Multichip integrated circuit) (3) - kaks või enam monoliit-integraallülitust , mis on ühendatud ühisele põhimikule .

Mitme andmevoo töötlus (Multi-data-stream processing) (4) - mikroprogramm - või seadmearhitektuuritehnika, mis võimaldab samaaegselt töödelda kaht või enamat andmejada ühe või enama käsujada abil, kasutades seejuures:

a. ühe käsuvoo ja mitme andmevooga (SIMD) arvutiarhitektuuri nagu vektor- või maatriksprotsessorites;

b. mitmekordset ühe käsuvoo ja mitme andmevooga (MSIMD) arhitektuuri;

c. mitme käsuvoo ja mitme andmevooga (MIMD) arhitektuuri, kaasa arvatud need arhitektuurid, mis on tihedalt sidestatud, lähedalt sidestatud või nõrgalt sidestatud; või

d. struktureeritud töötlevate elementide massiive, kaasa arvatud süstoolsed massiivid.

NB! Mikroprogramm on elementaarsete käskude jada, mida säilitatakse erilises mäluseadmes ja mille täitmise käivitab tema viitekäsu saabumine käsuregistrisse.

Multispektraalsed pildiandurid (Multispectral imaging sensors) (6) - võimelised üheaegselt või järjestikku omandama kujutise andmeid kahes või enamas diskreetses spektriribas. Andureid, mis on tundlikud rohkem kui kahekümnes diskreetses spektraalribas, kutsutakse ka hüperspektraalseteks pildianduriteks.

Looduslik uraan (Natural uranium) (0) - looduses esinevat isotoopide segu sisaldav uraan.

Võrgu juurdepääsu kontrolle r (Network access controller) (4) - hajutatud teabevõrgu füüsiline liides. See kasutab sama edastusmeediumi, mis töötab kõikjal sama digitaalse edastuskiirusega , kasutades edastamisel arbitreerimist (nt loa või liikluse tuvastust). Sõltumata teistest, valib ta andmepaketid või andmegrupid (nt IEEE 802), mis on talle adresseeritud. Selle sõlme võib liita arvutile või telekommunikatsiooniseadmele, et tagada juurdepääs teabevahetusele.

Neuroarvuti (Neural computer) (4) - arvutusseade, mis on konstrueeritud või muudetud jäljendama üksiku neuroni või enamate neuronite käitumist, st arvutusseade, mille riistvaral on võime reguleerida eelnevate andmete põhjal suure hulga arvutuselementide omavaheliste seoste kaalu ja arvu.

Müratase (Noise level) (6) - elektrisignaal, mida esitatakse võimsuse spektraaltihedusena. Tippudevaheline müranivoo on esitatud valemina S2PP = 8N0 (f2 -f1 ), kus SPP on signaali tippudevaheline väärtus (nt nanoteslades), N0 on võimsuse spektraaltihedus (nt (nanotesla)2/Hz) ja (f2 -f1 ) tähistab meid huvitavat sagedusriba.

Tuumareaktor (Nuclear reactor) (0) - reaktorianumas paiknevad või vahetult selle külge kinnitatud osad, seadmed, mis reguleerivad reaktori südamiku võimsustaset, ning komponendid, mis tavaliselt sisaldavad reaktori südamiku primaarset jahutusainet, puutuvad sellega vahetult kokku või kontrollivad seda.

Arvjuhtimine (Numerical control) (2) - sooritatava toimingu automaatjuhtimisseade, mis kasutab tavaliselt toimingu kestel sisestatavaid arvandmeid (vt ISO 2328).

Objektkood (Object code) (9) - ühe või mitme protsessi mugava esitusviisi ( lähtekoodi (lähtekeele)), seadme poolt täidetav vorm, mis on muundatud programmeerimissüsteemi abil.

Optiline võimendamine (Optical amplification) (5) - optilises sides kasutatav võimendustehnika, kus võimendatakse eraldiasetseva optilise allika genereeritud optilisi signaale neid elektrilisteks signaalideks muundamata, st kasutades optilisi pooljuhtvõimendeid, kiudoptilisi luminestsentsvõimendeid.

Optiline arvuti (Optical computer) (4) - arvuti, mis on konstrueeritud või kohandatud kasutama andmete esitamiseks valgust ning mille loogilised arvutuselemendid põhinevad omavahel vahetult seotud optilistel lülitustel.

Optiline integraallülitus (Optical integrated circuit) (3) - monoliit-integraallülitus või hübriidintegraallülitus , mis sisaldab üht või mitut osa, mis on kavandatud toimima valgusandurina või valguskiirgurina või täitma optilisi või elektro-optilisi funktsioone.

Optiline kommuteerimine (Optical switching) (5) - optiliste signaalide marsruutimine või kommuteerimine ilma nende muundamiseta elektrilisteks.

Üldine voolutihedus (Overall current density) (3) - mähise amperkeerdude arv (st mähise keerdude arv, mis on korrutatud maksimaalse voolu tugevusega, mis igas keerus voolab) jagatud kogu mähise ristlõikepindalaga (kaasa arvatud ülijuhtivad kiud, metallist maatriksid, milles asuvad ülijuhtivad kiud, kattematerjalid, jahutuskanalid jne.)

Osalisriik (Participating state) (7 9) - Wassenaari kokkuleppes osalev riik (vt www.wassenaar.org).

Tippvõimsus (Peak power) (6) - d¾aulides väljendatud impulsi energia, mis on jagatud impulsi kestusega sekundites.

Personaalne kiipkaart (Personalized smart card) (5) - spetsiifiliseks kasutuseks programmeeritud mikrolülitust sisaldav kiipkaart, mida ei ole võimalik ringi programmeerida muudeks kasutajapoolseteks rakendusteks.

Võimsuse juhtimine (Power management) (7) - kõrgusmõõturi lähetatud signaali võimsuse muutmine selliselt, et õhusõidukil kõrgusemõõtmiseks vastuvõetud võimsus oleks alati minimaalne.

Rõhuandurid (Pressure transducers) (2) - seadmed, mis muudavad rõhu mõõtmised elektrisignaaliks.

Eelnevalt eraldatud (Previously separated) (0 1) - suvaliselt valitud protsessi kasutamine, mille eesmärgiks on jälgitava isotoobi kontsentratsiooni tõstmine.

Põhijuhtimine (Primary flight control) (7) - õhusõiduki stabiilsuse ja manöövrite juhtimine, kasutades jõudude/momentide tekitajaid, st aerodünaamilisi juhtpindu või tõukejõu reaktsiooni (vektorjuhtimist).

Põhiline koostisosa (Principal element) (4) - 4. kategooria kohaselt on põhilise koostisosaga tegemist siis, kui selle asendamisväärtus on üle 35 % sellise süsteemi koguväärtusest, mille koostisosa see on. Koostisosa väärtus on hind, mida süsteemi valmistaja või koostaja selle koostisosa eest maksab. Koguväärtus on tavapärane rahvusvaheline müügihind, mille eest toimub müük mitteasjaomastele pooltele valmistamiskohas või kaubasaadetise kinnitamisel.

Tootmin e (GTN NTN kõik) - kõik tootmisetapid, nagu näiteks: konstrueerimine, toote insenerlahendus, valmistamine, integreerimine, montaa¾, järelevalve, katsetamine, kvaliteedi tagamine.

Tootmisvahendid (Production equipment) (1 7 9) - instrumendid, ¹abloonid, rakised, tööriistatornid, valuvormid, stantsid, kinnitusvahendid, joondamisseadmed, katseseadmed, muud masinad ning nende osad, mis on eraldi konstrueeritud või modifitseeritud arenduse või tootmise ühe või enama järgu jaoks.

Tootmisseadmed (Production facilities) (7 9) - seadmed ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud tarkvara, mis on integreeritud arenduseks mõeldud seadeldistesse või ühte või mitmesse tootmis järku.

Programm (Programme) (2 6) - käskude jada protsessi sooritamiseks elektronarvuti abil kas vahetult täidetaval või täidetavaks muundataval kujul.

Impulsi kokkusurumine (Pulse compression) (6) - radari signaalimpulsi kodeerimine ja töötlemine pikaajalisest lühiajaliseks, säilitades kõrge impulsienergia eelised.

Impulsi kestus (Pulse duration) (6) - laseri impulsi kestus mõõdetuna impulsi poollaiusena (FWHI) (st impulsi täislaius tema tippintensiivsuse poolkõrgusel).

Hiidvälkelaser (Q-switched laser) (6) - laser , milles pöördasustuses või optilises resonaatoris salvestatud energia kiiratakse salvestusele järgnevalt impulsis.

Radari sagedusliikuvus (Radar frequency agility) (6) - mis tahes tehnika, mis muudab pooljuhuslikus järjestuses radari impulss-saatja kandesagedust impulsside või impulsigruppide vahel vähemalt samavõrra kui on impulsi ribalaius või rohkem.

Radari hajaspekter (Radar spread spectrum) (6) - mis tahes modulatsioonitehnika, mis hajutab juhuslikku või pooljuhuslikku kodeerimisega suhteliselt kitsa sagedusribaga signaali energia oluliselt laiemale sagedusribale.

Reaalajaline ribalaius (Real-time bandwidth) (2 3) - dünaamiliste signaalianalüsaatorite kõige laiem sageduspiirkond, mille juures analüsaator on veel võimeline tulemusi näitama või salvestama mällu, põhjustamata seejuures sissetulevate andmete analüüsi katkestusi. Enama kui ühe kanaliga analüsaatorite korral tuleb arvutustes kasutada sellist kanalikonfiguratsiooni, mille puhul saavutatakse kõige laiem reaalajaline ribalaius .

Reaalajas töötlemine (Real time processing ) (6 7) - on andmetöötlus arvutisüsteemis, mis tagab nõutava teenindustaseme garanteeritud kosteajaga, sõltudes olemasolevatest vahenditest ja olenemata süsteemi koormusest, kui see teenus on käivitatud mingi välise sündmuse poolt.

Nõuetekohane (Required) (GTN 1-9) - kasutatuna koos sõnadega «tehnoloogia» või « tarkvara » , tähendab üksnes seda tehnoloogia või tarkvara osa, mis peab tagama kontrollitud toimimistaseme, näitajate või funktsioonide saavutamise või laiendamise. Sellist nõuetekohast tehnoloogiat või tarkvara võivad omavahel jagada mitmed tooted.

Eraldusvõime (Resolution) (2) - mõõteseadme väikseim inkrement; digitaalsetes mõõteseadmetes väikseim väärtust omav bitt (vt ANSI B-89.1.12).

Robot (Robot) (2 8) - manipulatsioonimehhanism, mis võib olla nii pideval rajal kui ka punktist punkti kulgev, võib kasutada andureid ning millel on kõik järgmised omadused:

a. multifunktsionaalsus;

b. selle abil saab erinevate liikumiste kaudu kohale asetada või suunata materjali, osi, tööriistu või spetsiaalseid seadmeid kolmemõõtmelises ruumis;

c. koosneb kolmest või enamast suletud või avatud ahelaga servoseadmest, mille hulka võivad kuuluda ka samm-mootorid; ja

d. on kasutaja-programmeeritav kas kasutades «õpetamine/kordamine» meetodit või elektronarvuti abil, mis võib olla programmeeritav loogiline kontroller, st ilma mehaanilise vahelesegamiseta.

NB! Eespool esitatud definitsioon ei hõlma järgmisi seadmeid:

1. manipulaatorid, mis on ainult käsi- või kaugjuhitavad;

2. fikseeritud järjestusega manipulatsioonimehhanismid, mis on automaatselt liikuvad seadmed ning mis teostavad mehaaniliselt programmeeritud liikumisi. Programm on mehaaniliselt piiratud asetatavate peatustega, nagu tapid ja nukid. Liikumiste järjekord ja radade ning nurkade valik ei ole varieeritav ega muudetav ei mehaaniliselt, elektrooniliselt ega elektriliselt;

3. mehaaniliselt juhitud muudetava järjestusega manipulatsioonimehhanismid, mis on automaatselt liikuvad seadmed ning teostavad mehaaniliselt kindlaid programmeeritud liikumisi. Programm on mehaaniliselt piiratud fikseeritud, kuid reguleeritavate peatustega, nagu tapid ja nukid. Liikumiste järjestus ning radade ja nurkade valik on varieeritav etteantud programmi mallide siseselt. Ühe või mitme liikumistelje programmi mallide varieerimine või muutmine (st tappide muutmine või nukkide ümberasetamine) on teostatav vaid mehaaniliste operatsioonide abil;

4. muud kui servo-juhitud muutuva järjestusega manipulatsioonimehhanismid mis on automaatselt liikuvad seadmed ning mis teostavad fikseeritud mehaaniliselt programmeeritud liikumisi. Programm on varieeritav, kuid järjestus toimub vaid mehaaniliselt kinnitatud elektriliste kahendseadmete või reguleeritavate peatustest saadavate kahendsignaalide põhjal;

5. virnastamisseadmed, mis on defineeritud kui Descartes'i koordinaatidega manipulatsiooniseadmed ning mis on vertikaalselt asetatud laokastide virna integraalseks osaks ning on ette nähtud kastide sisu kättesaamiseks või taastamiseks.

Rotatsioonpulverisatsioon (Rotary atomisation) (1) - protsess, mille käigus tsentrifugaaljõu mõjul sulametallijuga või seisev sulametall pihustatakse mitte üle 500 mikromeetrise läbimõõduga tilkadeks.

Eelketrus (Roving) (1) - ligikaudu paralleelsetest heidest (tavaliselt 12-120) koosnev kimp.

NB! Heie on kogum onokiude (tavaliselt üle 200), mis on ligikaudu paralleelsed.

Viskumine (Run out, out-of-true running) (2) - telje radiaalne nihe peavõlli ühe pöörde jooksul, mõõdetuna peavõlli teljega risti asetseval tasapinnal, uuritava pöörleva sise- või välispinna punktis (vt ISO 230/1 1986, lõik 5.61).

Mastaabitegur (Scale factor) (güroskoop või kiirendusmõõtur) (7) - väljundi väärtuse muudu suhe sisendi väärtuse muutu, mida kavatsetakse mõõta. Mastaabiteguri väärtus hinnatakse üldiselt sirge tõusust, mis saadakse sisend- ja väljundväärtusi vähimruutude meetodiga sobitades, muutes tsükliliselt sisendväärtusi üle kogu sisendväärtuste piirkonna.

Seadumisaeg (Settling time) (3) - aeg, mis kulub muundaja suvalise kahe nivoo vahel ümberlülitamise korral, et väljund saavutaks poolebitilise täpsusega lõppväärtuse.

SHPL (Super high power laser) - ülivõimas laser .

Signaalianalüsaatorid (Signal analysers) (3) - seadmed, mis on võimelised mõõtma ja näitama mitmesageduslike signaalide ühesageduslike komponentide põhiomadusi.

Signaalitöötlus (Signal processing) (3 4 5 6) - väljastpoolt tulnud infot kandvate signaalide töötlemine selliste algoritmidega nagu ajaline kokkusurumine, filtreerimine, väljaeraldamine, väljavalimine, korrelatsioon, domeenidevaheline konvolutsioon või teisendused (nt Fourier' kiirteisendus või Walsh`i teisendus).

Tarkvara (Software) (GSN kõik) - ühest või mitmest programmist või mikroprogrammist koosnev kogum, mis on paigutatud mis tahes kättesaadavale väljundmeediale.

NB! Mikroprogramm on elementaarsete käskude jada, mida säilitatakse erilises mäluseadmes ja mille täitmise käivitab tema viitekäsu saabumine käsuregistrisse.

Lähtekood (või lähtekeel) (Source code or language) (4 6 7 9) - ühe või mitme protsessi otstarbekohane avaldis, mida võib programmeerimissüsteemi abil viia masinas täidetavale kujule ( objektkood (või objektkeel)).

Kosmoseaparaat (Spacecraft) (7 9) - aktiiv- ja passiivsatelliidid ja kosmosesondid.

Kosmosekindel (Space qualified) (3 6) - kasutatakse toodete puhul, mis on konstrueeritud, valmistatud ja katsetatud nii, et need vastavad satelliitide või suurtes kõrgustes kasutatavate lennusüsteemide, mis töötavad 100 km kõrgusel või kõrgemal, väljasaatmise ja paigutamise suhtes kehtivatele erilistele elektri-, mehhaanika- või keskkonnanõuetele.

Lõhustuv erimaterjal (Special fissile material) (0) - plutoonium-239, uraan-233, uraaniisotoobi U-235 või U-233 suhtes rikastatud uraan ja kõiki eelnimetatuid sisaldavad materjalid.

Erimoodul (Specific modulus) (0 1 9) - Young'i moodul paskalites, vastavalt N/m2 jagatud erikaaluga N/m3 mõõdetuna temperatuuril (296 ± +2) K ((23 ± +2) °C), (50 ± +5) % suhtelise niiskuse juures.

Eritõmbetugevus (Specific tensile strength) (0 1 9) - maksimaalne tõmbetugevus paskalites, vastavalt N/m2 jagatud erikaaluga N/m3 mõõdetuna temperatuuril (296 ± +2) K ((23 ± +2) °C), (50 ± +5) % suhtelise niiskuse juures.

Lamepulbri tootmine sulametallist (Splat quenching) (1) - sulametalli joa kiire tahkestamise protsess joa põrkumisel jahutatud plokkide vastu, mille tulemusena moodustuvad helbed.

NB! Kiire tahkestamine: sula aine tahkestamine jahutuskiirusega üle 1000 K/s.

Hajaspekter (Spread spectrum) (5) - tehnika, milles suhteliselt kitsaribalise sidekanali energia on levitatud üle palju laiema energiaspektri.

Hajaspektriga radar (Spread spectrum radar) (6) - vt Radari hajaspekter .

Stabiilsus (Stability) (7) - teatava parameetri variatsiooni standardhälve (1 sigma) oma kalibreeritud väärtusest, mis on mõõdetud muutumatu temperatuuri tingimustes. Seda võib väljendada aja funktsioonina.

Keemiarelvade konventsiooniga (mitte) ühinenud riigid (States (not) Party to the Chemical Weapon Convention) (1) - riigid, kelle suhtes keemiarelvade väljatöötamise, tootmise, varumise ja kasutamise keelustamise konventsioon on/ei ole jõustunud (vt www.opcw.org).

Programmeeritav (Stored programme controlled) (2 3 8) - juhitud elektroonilises mäluseadmes salvestatud käskudega, mida protsessor võib täita, et suunata kindlaksmääratud funktsioonide sooritamist.

NB! Seadmed võivad olla programmeeritavad nii seadmesisese kui ka seadmevälise elektroonilise mäluseadme korral.

Põhimik (Substrate) (3) - alusmaterjali kiht koos ühendusradadega või ilma, mille peale või sisse võib paigutada diskreetkomponente või integraallülitusi.

NB! 1: Diskreetkomponent: eraldi pakitud vooluahela element , millel on oma välisühendused.

NB! 2: Vooluahela element: vooluahela üksik aktiivne või passiivne funktsionaalne osa, näiteks üks diood, üks transistor, üks takisti, üks kondensaator jne.

Substraattoorikud (Substrate blanks) (6) - monoliitsed ühendid, mille suurus on sobiv selliste optiliste elementide tootmiseks nagu peeglid või optilised aknad.

Toksiini alarühm (Sub-unit of toxin) (1) - struktuurselt ja funktsionaalselt kogu toksiini diskreetkomponent.

Supersulamid (Superalloys) (2 9) - nikli-, koobalti- või rauapõhised sulamid, mis on tugevamad kui mis tahes AISI 300 seeria sulamid temperatuuridel üle 922 K (649°C) ja rasketes keskkonna- ja töötingimustes.

Ülijuhtivad materjalid (Superconductive) (1 3 6 8) - materjalid, näiteks metallid, sulamid või ühendid, mis võivad kaotada täielikult oma elektritakistuse, st võivad omandada lõpmatult suure elektrijuhtivuse ning kanda üle väga suuri elektrivoole ilma Joule'i soojenemiseta.

NB! 1: Aine ülijuhtivat olekut iseloomustavad individuaalselt kriitiline temperatuur, kriitiline magnetväli, mis sõltub temperatuurist, ning kriitiline voolutihedus, mis sõltub nii temperatuurist kui ka magnetväljast.

Ülivõimas laser (Super High Power Laser) (SHPL) (6) - laser , mille väljundenergia impulsis (tervikuna või osana sellest) ületab 1 kJ 50 ms jooksul või mille keskmine või pidevlaine (CW) võimsus ületab 20 kW.

Üliplastne vormimine (Superplastic forming) (1 2) - kuumvormimisprotsess, mille käigus saavutatakse metallidel, millistel toatemperatuuril tavalisel venitamiskatsel on katkemispunktis väike suhteline pikenemine (vähem kui 20 %), kuumutamist kasutades vähemalt kahekordne suhtelise pikenemise kasv.

Sümmeetriline algoritm (Symmetric algorithm) (5) - krüptograafiline algoritm, mis kasutab nii krüpteerimise kui ka dekrüpteerimise puhul ühesugust võtit.

NB! Sümmeetriliste algoritmide tavakasutuseks on andmete konfidentsiaalsuse tagamine.

Marsruudid (System track) (6) - töödeldud, korreleeritud (radari sihtmärgi ja lennu plaanijärgse asukoha andmed) ning värskendatud õhusõiduki asukoha raport, mis on lennujuhtimiskeskuse lennujuhtidele kättesaadav.

Süstoolsed maatriksarvutid (Systolic array computer) (4) - arvutid, milles kasutaja võib dünaamiliselt ohjata andmete voogu ja muutumist loogikalülituste tasemel.

Lint (Tape) (1) - materjal, mis on valmistatud põimitud või ühesuunalistest monokiududest , heidest , eelketrusest , köisikutest või lõngadest jm, tavaliselt vaiguga impregneeritud.

NB! Heie on kogum monokiude (tavaliselt üle 200), mis on ligikaudu paralleelsed.

Tehnoloogia (Technology) (GTN NTN kõik) - spetsiifiline teave, mis on ette nähtud kaupade arendamiseks , tootmiseks või kasutamiseks . See teave esineb tehnilise informatsiooni või tehnilise abi kujul.

NB! 1: Tehniline abi võib esineda juhiste, oskuste, väljaõppe, tööalaste teadmiste ja konsultatsiooniteenuste vormis ning võib sisaldada ka tehniliste andmete edastamist.

NB! 2: Tehnilised andmed võivad esineda tehniliste jooniste, plaanide, diagrammide, mudelite, valemite, tabelite, insener-tehniliste projektide ja spetsifikatsioonide, käsiraamatute ja juhiste kujul kas kirjalikult või muudele andmekandjatele või seadmetele nagu näiteks magnetkettad, helilindid, püsimälud, salvestatuna.

Kallutatav spindel (Tilting spindle) (2) - tööriista hoidev spindel, mis muudab masintöötlemisprotsessi käigus oma kesktelje pöördenurka mis tahes muu telje suhtes.

Ajakonstant (Time constant) (6) - aeg, mis kulub valgusmõjustuse andmisest 1-1/e-kordseks voolutugevuse kasvuks tema lõppväärtusest (st 63 %-ni lõppväärtusest).

Aegmoduleeritud ultralairiba (Time-modulated ultra-wideband) (5) - tehnika, mille käigus väga lühikesi, ajaliselt täpselt kontrollitud raadiosageduslikke impulsse moduleeritakse vastavuses ülekantavate andmetega, nihutades impulsi asukohta (nn impulsi asukohamodulatsioon - Pulse Position Modulation , PPM), ning raadiosageduslikud impulsid kanalistatakse või skrambleeritakse vastavalt pseudojuhusliku müraga impulsi asukohamodulatsiooni abil ja antakse edasi ning võetakse vastu otse impulsside kujul, kasutamata kandesagedusi, mistõttu üle ultralaia sagedusvahemiku on võimsustihedus erakordselt madal. Seda tehnikat kutsutakse ka impulssraadioks.

Täielikult automatiseeritud lennujuhtimine (Total control of flight) (7) - õhusõidukite seisundi muutujate ja lennutrajektoori automatiseeritud kontroll, et tagada ülesande eesmärkide saavutamine vastavalt reaalajas muutunud eesmärkidele, ohtudele või teistele õhusõidukitele .

Täielik digitaalne edastuskiirus (Total digital transfer rate) (5) - ajaühikus digitaalse andmeedastussüsteemi vastavate seadmete vahel liikuvate bittide arv, kaasa arvatud reakodeerimisbitid, talitusbitid jne.

NB! Vt ka «digitaalne edastuskiirus» .

Köisik (Tow) (1) - kogum monokiude , mis on tavaliselt ligikaudu paralleelsed.

Toksiinid (Toxins) (1 2) - toksiinid, mis esinevad sihilikult isoleeritud preparaatide või segudena, olenemata tootmisviisist, välja arvatud toksiinid, mis esinevad selliste teiste materjalide nagu patoloogiliste näidiste, põllukultuuride, toiduainete või mikroorganismide külvivarude saasteainetena.

Siirdelaser (Transfer laser) (6) - laser , milles laseri aktiivaine osakesi ergastatakse mitteaktiivaine aatomite või molekulide põrkumisel aktiivaine aatomite või molekulidega ülekantud energia abil.

Timmitav (Tunable) (6) - laseri võime tekitada pidevat väljundvõimsust igal sagedusel üle paljude lasersiirete piirkonna. Laserit , mis võimaldab saada diskreetseid lainepikkusi ühel laser siirdel, ei loeta timmitavaks .

Uraaniisotoobi U235 või U233 suhtes rikastatud uraan (Uranium enriched in the isotopes 235 or 233) (0) - uraan, mis sisaldab uraaniisotoopi U235 või U233 või mõlemat nimetatud uraaniisotoopi sellisel hulgal, et nende isotoopide summaarse koguse suhe isotoobi 238 kogusesse on suurem kui looduslikult esinev isotoopide 235 ja 238 suhe (0,72 %).

Kasutamine (Use) (GTN NTN kõik) - toimimine, paigaldus (sh kohapealne paigaldus), hooldus (kontroll), remont, kapitaalremont ja renoveerimine.

Kasutajal juurdepääsetav programmeeritavus (User-accessible programmability) (6) - omadus, mis lubab kasutajal sisestada, modifitseerida või asendada programme teisiti kui:

a. muutes füüsiliselt lülitusskeemi või ühendusi; või

b. talitlusviiside sättimise, kaasa arvatud parameetrite sisestuse abil.

Vaktsiin (Vaccine) (1) - ravimvormis olev ravim, millel on valmistaja- või kasutajariigi reguleerivate asutuste antud litsents või müügiluba või kliiniliste uuringutega seotud luba ja mis on mõeldud nende inimeste või loomade immunoloogilise kaitsesüsteemi tõhustamiseks haiguste ärahoidmise eesmärgil, kellele seda manustatakse.

Vaakumpulverisatsioon (Vacuum atomisation) (1) - protsess, mille käigus vaakumisse suunatud sula metallisulamijuga pihustub seal lahustunud gaasi kiirel paisumisel piiskadeks, mille läbimõõt on 500 mikromeetrit ja vähem.

Muudetava tiivageomeetriaga aerodünaamilised pinnad (Variable geometry airfoils) (7) - kandepinna tagumisel serval tagatiibade ja trimmerite või esiserval eestiibade või kallutatava nina langetamise kasutamine, mille asendit saab lennu ajal juhtida.

Lõng (Yarn) (1) - kimp keerutatud heiet .

NB! Heie on kogum monokiude (tavaliselt üle 200), mis on ligikaudu paralleelsed.

KÄESOLEVAS LISAS KASUTATUD AKRONÜÜMID JA LÜHENDID

Defineeritud terminina akronüümi või lühendi leiab ka pealkirja alt «Käesolevas lisas kasutatud mõisted» .

>TABELPOSITION>

0. KATEGOORIA

TUUMAMATERJALID, RAJATISED JA SEADMED

0A Süsteemid, seadmed ja komponendid

0A001 Tuumareaktorid ja spetsiaalselt nende jaoks projekteeritud või valmistatud seadmed ja komponendid:

a. tuumareaktorid , mis on võimelised käigus hoidma kontrollitavat isekulgevat tuumade lõhastumise ahelreaktsiooni;

b. metallanumad või nende olulised osad, spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud hoidma tuumareaktori südamikku, kaasa arvatud reaktorianuma kaas reaktori surveanuma jaoks;

c. manipuleeritavad seadmed, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud tuumakütuse tuumareaktorisse sisseviimiseks või sealt eemaldamiseks;

d. reaktori kontrollvardad, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud tuumareaktoris toimuva tuuma lõhustumise protsessi kontrollimiseks, nende toetus- ja riputustarindid, varraste ajamid ning varraste juhiktorud;

e. reaktori survetorud, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud sisaldama tuumareaktoris kütuseelemente ja primaarjahutit töörõhul üle 5,1 MPa;

f. tsirkooniumist ja selle sulamitest valmistatud torud või torusõlmed, milles hafniumi ja tsirkooniumi suhe kaalu järgi on väiksem kui 1:500 ja mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud kasutamiseks tuumareaktorites ;

g. jahuti pumbad, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud primaarjahuti tsirkulatsiooni tekitamiseks tuumareaktoris ;

h. tuumareaktori siseosad , mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud kasutamiseks tuumareaktoris , sealhulgas südamiku kandetarindid, kütusekanalid, soojusekraanid, deflektorid, südamiku restplaadid ja hajutiplaadid.

Märkus: Reaktori siseosad punktis 0A001.h tähendavad kõiki olulisi struktuure reaktorianumas, millel on üks või enam ülesannet, nagu südamiku toestamine, kütuse asetuse säilitamine, primaarjahuti voolu suunamine, reaktorianuma kiirgusvarje ning südamikusiseste seadmete juhtimine.

i. soojusvahetid (aurugeneraatorid), mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud kasutamiseks tuumareaktori primaarjahutusringis;

j. neutronite detekteerimis- ja mõõteriistad, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud neutronvoo taseme kindlaksmääramiseks tuumareaktori südamikus.

0B Testimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed

0B001 Isotoopide eraldustehased loodusliku uraani isotoopide, vaesestatud uraani isotoopide ja lõhustuvate erimaterjalide isotoopide eraldamiseks ning nende jaoks spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud seadmed ja komponendid:

a. tehased, mis on spetsiaalselt kavandatud loodusliku uraani isotoopide, vaesestatud uraani isotoopide, lõhustuvate erimaterjalide isotoopide eraldamiseks järgnevalt:

1. gaastsentrifugaaleraldustehas;

2. gaasdifusiooneraldustehas;

3. aerodünaamiline eraldustehas;

4. keemilise vahetusprotsessiga eraldustehas;

5. ioonvahetuseraldustehas;

6. atomaarse gaasi isotoopide laser eraldustehas (AVLIS);

7. molekulaarne isotoopide laser eraldustehas (MLIS); Plasmaeraldustehas;

8. plasmaeraldustehas;

9. elektromagnetiline eraldustehas;

b. gaasitsentrifuugid, komplektid ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud gaasilise tsentrifugaaleraldusprotsessi jaoks, nagu:

Märkus: Punktis 0B001.b tähendab kõrge tugevus/tihedussuhtega materjal järgmist:

a. martensiitvanandatud teras, mille tõmbetugevus on 2050 MPa või rohkem;

b. alumiiniumisulamid, mille tõmbetugevus on 460 MPa või rohkem; või

c. kiud või kiuline materjal, mille erimoodul on suurem kui 3,18 × 106 m ning mille eritõmbetugevus on suurem kui 76,2 × 103 m;

1. gaasitsentrifuugid;

2. terviklikud rootorsõlmed;

3. kõrge tugevuse/tiheduse suhtega materjalist valmistatud rootori torusilindrid seinapaksusega 12 mm või vähem ja diameetriga 75-400 mm;

4. kõrge tugevuse/tiheduse suhtega materjalist valmistatud rõngad või lõõtsad seinapaksusega 3 mm või vähem ja diameetriga 75-400 mm, mis on mõeldud rootortoru kohalikuks toetamiseks või mitme sellise ühendamiseks;

5. kõrge tugevuse/tiheduse suhtega materjalist valmistatud ja rootortoru sisse paigaldamiseks mõeldud tõkestid diameetriga 75-400 mm;

6. kõrge tugevuse/tiheduse suhtega materjalist valmistatud ja rootortoru otstele mõeldud ülemised ja alumised korgid diameetriga 75-400 mm;

7. magnetilised ripplaagrid, milles rõngasmagnet hõljub UF6 vastupidavatest materjalidest valmistatud ümbrises, sisaldades summutavat keskkonda ja omades magnetilist sidestust magnetpooluse või teise, rootori ülemisele kaanele sobitatud magnetiga;

8. spetsiaalselt valmistatud laagrid, mis sisaldavad poolkerakujulisi vastaslaagreid ( pivot-cup ) ning on monteeritud summutile;

9. molekulaarpumbad, mis koosnevad silindritest, millel on sisse freesitud või pressitud spiraalsed sooned ning puuritud augud;

10. rõngakujulised mootori staatorid mitmefaasiliste vahelduvvoolu hüsterees- (või reluktants-) mootorite sünkroonseks tööks vaakumis sagedusvahemikus 600-2000 Hz ja võimsuse vahemikus 50-1000 VA;

11. UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud gaasitsentrifuugi rootortoru agregaadi korpus/vastuvõtja, mis koosneb jäigast silindrist seinapaksusega kuni 30 mm ja on täpselt töödeldud otstega;

12. UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud kulbid, mis koosnevad kuni 12mm sisediameetriga torudest ja on ette nähtud UF6 gaasi eraldamiseks tsentrifuugrootortorust Pitot' toru meetodil;

13. gaasi tsentrifuugrikastamise mootorite staatorite toiteks spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud sagedusmuundurid (konverterid või inverterid) ja nende spetsiaalselt konstrueeritud osad, millel on kõik järgmised tunnused:

a. mitmefaasiline väljund 600-2000 Hz;

b. sageduse stabiilsus on parem kui 0,1 %;

c. harmoonmoonutused on alla 2 %; ja

d. efektiivsus on üle 80 %;

c. seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud gaasilise difusiooneraldusprotsessi jaoks:

1. Gaasilise difusiooni tõkked, mis on valmistatud UF6 korrosioonile vastupidavast poorsest metallist, polümeerist või keraamikast, pooride suurusega 10-100 nm, paksusega 5 mm või vähem ja torukujulised diameetriga 25 mm või vähem;

2. UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud gaasi difuusori korpused;

3. Kompressorid (sundtoitega, tsentrifugaalse ja teljesihilise vooluga) või gaasipuhurid imivõimsusega 1 m3/min või rohkem ja väljundrõhuga kuni 666,7 kPa ning mis on valmistatud UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest või nendega kaitstud;

4. Punktis 0B001.c.3 nimetatud pöörleva võlli tihendid kompressoritele ja puhuritele, mille kavandatud puhvergaasi sisselekke kiirus on väiksem kui 1000 cm3/min;

5. Soojusvahetid, mis on valmistatud alumiiniumist, vasest, niklist või sulamitest, mis sisaldavad rohkem kui 60 massi% niklit, või nende metallide kombinatsioonidest kattetorudena, mis on kavandatud tööks alarõhul sellise lekkekiirusega, mis piirab rõhutõusu väiksemaks kui 10 Pa tunnis, rõhuerinevusel 100 kPa;

6. UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud lõõtsklapid diameetriga 40-1500 mm;

d. seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud aerodünaamilise eraldusprotsessi jaoks:

1. UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest eraldusdüüsid, mis koosnevad pilukujulistest kumeratest kanalitest kõverusraadiusega alla 1 mm, millel on düüsi sees eralduslaba düüsist läbivoolava gaasi jaotamiseks kaheks vooks;

2. UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud tangentsiaalse sissevooluga juhitavad silindrilised või koonilised torud (turbulentstorud) diameetriga 0,5-4 cm ning pikkuse-diameetri suhtega 20:1 või vähem, mis on ühe või mitme tangentsiaalse sissevooluavaga;

3. UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud kompressorid (sundtoitega, tsentrifugaalse ja teljesihilise vooluga) või gaasipuhurid imivõimsusega 2 m3/min või enam ja pöörleva võlli tihendid nende jaoks;

4. UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud soojusvahetid;

5. UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud aerodünaamilise eralduselemendi korpused turbulentstorude või eraldusdüüside jaoks;

6. UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud lõõtsklapid diameetriga 40-1500 mm;

7. protsessisüsteemid UF6 eraldamiseks kandevgaasist (vesinik või heelium) UF6 sisaldusega kuni 1 miljondikosa või vähem, kaasa arvatud:

a. Krüogeensed soojusvahetid ja krüoseparaatorid, mis taluvad - 120 °C (153 K) või madalamat temperatuuri;

b. Krüogeensed jahutusseadmed, mis taluvad - 120 °C (153 K) või madalamat temperatuuri;

c. Eraldusdüüsi- või turbulentstoruseadmed UF6 eraldamiseks kandevgaasist;

d. UF6 külmlõksud, mis taluvad 253 K (- 20 °C) või madalamat temperatuuri;

e. seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud keemilisel vahetusel põhineva eraldusprotsessi jaoks:

1. kontsentreeritud soolhappele vastupidavad kiirvahetuse vedelik-vedelik impulsskolonnid ühel astmel viibimisajaga 30 s või vähem (valmistatud või vooderdatud sobivate plastmaterjalidega, nt fluorosüsivesinikpolümeerid või klaas);

2. kontsentreeritud soolhappele vastupidavad kiirvahetuse vedelik-vedelik tsentrifugaalsed kontaktorid töölava resideerimisajaga 30 s või vähem (valmistatud või vooderdatud sobivate plastmaterjalidega, nt fluorosüsivesinikpolümeerid või klaas);

3. kontsentreeritud soolhappe lahusele vastupidavad elektrokeemilise reduktsiooni kambrid uraani taandamiseks ühest valentsolekust teise;

4. sobivatest materjalidest (nt klaas, fluorosüsivesinikpolümeerid, polüfenüülsulfaat, polüeetersulfoon ja vaiguga immutatud grafiit) valmistatud või nendega kaitstud elektrokeemilise reduktsiooni kambrite etteandmise seadmed U+4 võtmiseks orgaanilisest voost ja nende protsessivooga kontaktis olevad osad;

5. etteannet ettevalmistavad süsteemid kõrge puhtusega uraankloriidlahuse valmistamiseks, mis koosnevad lahustamise, lahusti eraldamise ja/või ioonvahetuse seadmetest lahuse puhastamiseks, ja elektrolüütilised rakud U+6 või U+4 taandamiseks U+3-ks;

6. uraani oksüdeerimissüsteemid U+3 oksüdeerimiseks U+4;

f. seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud ioonvahetusega eraldusprotsessi jaoks:

1. kiirelt reageerivad ioonvahetusvaigud, membraanikujulised või poorsed makrovõrgustikuga vaigud, milles aktiivsed keemilised vahetusrühmad piirduvad mitteaktiivse poorse tugistruktuuri pinnakattega ning teised komposiitstruktuurid mis tahes sobival kujul, kaasa arvatud osakesed või kiud diameetriga 0,2 mm või vähem, vastupidavad kontsentreeritud soolhappele ning projekteeritud omama väiksemat vahetuskiiruse poolaega kui 10 sekundit ja on töövõimelised temperatuuride vahemikus 100-200 °C (373-473 K);

2. kontsentreeritud soolhappele vastupidavatest materjalidest (nt titaan või fluorosüsinikplast) valmistatud või nendega kaitstud ja temperatuuride vahemikus 373-473 K (100-200 °C) ning rõhul üle 0,7 MPa töövõimelised (silindrilised) ioonvahetuskolonnid, mille diameeter on üle 1000 mm;

3. ioonvahetuse tagasijooksu süsteemid (keemilised või elektrokeemilised oksüdatsioon- või reduktsioonsüsteemid) ioonvahetuse rikastuskaskaadides kasutatavate keemilise redutseerimise või oksüdeerumise toimeainete regenereerimiseks;

g. seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud atomaarse gaasi isotoopide laser eraldusprotsessi (AVLIS) jaoks, nagu:

1. uraani aurustamissüsteemides kasutamiseks mõeldud suure võimsusega riba või skaneerivad elektronkiirte kahurid väljastatava võimsusega üle 2,5 kW/cm;

2. sulauraani või uraanisulamite käsitlemiseks sobivad sulauraani kuumusele ja korrosioonile vastupidavatest materjalidest käitlemissüsteemid, mis koosnevad sobivatest korrosiooni- ja kuumakindlatest või nendega kaitstud materjalidest (nt tantaal, ütriumiga kaetud grafiit, grafiit, mis on kaetud teiste haruldaste muldmetallide oksiididega või nende segudega) valmistatud tiiglitest ning tiiglite jahutusseadmetest;

NB! VT KA PUNKTI 2A225.

3. uraani korrosioonile vastupidavatest materjalidest (nt ütriumiga kaetud grafiit või tantaal) valmistatud või nendega vooderdatud saaduse ja jäätmete kogumissüsteemid;

4. uraani auru allika, elektronkiirte kahuri ning saaduse- ja jäätmekogujate jaoks ettenähtud eraldusmoodulite korpused (silindrilised või täisnurksed anumad);

5. pikemate ajavahemike jooksul töötamiseks mõeldud spektri sagedusstabilisaatoriga laser id või laser süsteemid uraani isotoopide eraldamiseks;

NB! VT KA PUNKTE 6A005 JA 6A205.

h. seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud isotoopide molekulaarseks laser eraldamiseks (MLIS) või isotoopselektiivselt laseraktiveeritud keemilise reaktsiooni (CRISLA) jaoks, järgmiselt:

1. UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud ülehelikiirusliku paisumise düüsid UF6 ja kandevgaasi segude jahutamiseks temperatuurini - 123 °C (150 K) või alla selle;

2. UF5 /UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest uraanpentafluoriidi (UF5 ) saaduse kogujad, mis sisaldavad filtrit, põrke- või tsüklon-tüüpi kogujaid või nende kombinatsioone;

3. UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud kompressorid ja nende jaoks ettenähtud pöörlevate võllide tihendid;

4. seadmed UF5 (tahke) fluoreerimiseks UF6 -ks (gaasiline);

5. protsessisüsteemid UF6 eraldamiseks kandevgaasist (nt lämmastik või argoon), kaasa arvatud:

a. krüogeensed soojusvahetid ja krüoseparaatorid, mis taluvad - 120 °C (153 K) või madalamat temperatuuri;

b. krüogeensed jahutusseadmed, mis taluvad - 120 °C (153 K) või madalamat temperatuuri;

c. UF6 külmlõksud, mis taluvad - 20 °C (253 K) või madalamat temperatuuri;

6. pikemate ajavahemike jooksul töötamiseks mõeldud spektri sagedusstabilisaatoriga laserid või laser süsteemid uraani isotoopide eraldamiseks;

NB! VT KA PUNKTE 6A005 JA 6A205.

i. seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud plasmaeraldusprotsessi jaoks:

1. üle 30 GHz väljundsagedusega ja üle 50 kW keskmise väljundvõimsusega võimsad mikrolaineallikad ja antennid ioonide tekitamiseks ja kiirendamiseks;

2. üle 40 kW keskmist võimsust käsitleda võimaldavad raadiosageduslikud ioonergastuse poolid üle 100 kHz sagedustele;

3. uraaniplasma genereerimissüsteemid;

4. sulametalli käitlemissüsteemid sulauraani või uraanisulamite käitlemiseks, mis koosnevad sobivatest korrosiooni- ja kuumakindlatest või nendega kaitstud materjalidest (nt tantaal, ütriumiga kaetud grafiit, grafiit, mis on kaetud teiste haruldaste muldmetallide oksiididega või nende segudega) valmistatud tiiglitest ning tiiglite jahutusseadmetest;

NB! VT KA PUNKTI 2A225.

5. kuumusele ja uraaniaurude korrosioonile vastupidavatest materjalidest (nt ütriumiga kaetud grafiit või tantaal) valmistatud või nendega kaitstud saaduse- ja jäätmekogujad;

6. sobivast mittemagnetilisest materjalist (nt roostevaba teras) valmistatud eraldusmoodulite korpused (silindrilised) uraaniplasma allika, raadiosagedusliku ergutuspooli ning saaduse- ja jäätmekoguja jaoks;

j. seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud elektromagnetilise eraldusprotsessi jaoks:

1. sobivatest mittemagnetilistest materjalidest (nt grafiit, roostevaba teras või vask) valmistatud üksikud või kombineeritud iooniallikad, mis koosnevad auruallikatest, ionisaatorist ja kiirte kiirendist ning mis on võimelised tekitama ioonkiire koguvooluga 50 mA või enam;

2. sobivast mittemagnetilisest materjalist (nt grafiit või roostevaba teras) valmistatud, kahest või enamast pilust ja kogumistaskust koosnevad ioonkollektori plaadid rikastatud või vaesestatud uraani ioonkiirte kogumiseks;

3. mittemagnetilistest materjalidest (nt roostevaba teras) valmistatud vaakumkorpused uraani elektromagnetilistele separaatoritele, mis on kavandatud tööks rõhul 0,1 Pa ja vähem;

4. magnetpooluse detailid diameetriga üle 2 m;

5. kõrgepinge toiteallikad iooniallikatele, millel on kõik järgmised omadused:

a. võimelised pidevaks tööks;

b. väljundpingega 20000 V või rohkem;

c. väljundvooluga 1 A või rohkem; ja

d. pingetundlikkusega, mis on 8 tunni vältel parem kui 0,01 %;

NB! VT KA PUNKTI 3A227.

6. magnetite toiteallikad (suure võimsusega, alalisvoolulised), millel on kõik järgmised omadused:

a. võimelised pidevaks tööks väljundvooluga 500 A või rohkem ja pingega 100 V või rohkem; ja

b. voolu- ja pingetundlikkus on 8 tunni vältel parem kui 0,01 %.

NB! VT KA PUNKTI 3A226.

0B002 Spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud abisüsteemid, seadmed ja komponendid punktis 0B001 nimetatud isotoopide eraldusjaamadele, mis on valmistatud UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest või nendega kaitstud:

a. etteande autoklaavid, ahjud või süsteemid UF6 läbilaskmiseks rikastusprotsessis;

b. desublimaatorid või külmlõksud, mida kasutatakse UF6 eraldamiseks rikastusprotsessist, selle järgnevaks kuumutamise abil toimuvaks edasitoimetamiseks;

c. saaduse ja jäätmete jaamad UF6 toimetamiseks mahutitesse;

d. veeldamis- või tahkestamisjaamad, mida kasutatakse UF6 eraldamiseks rikastusprotsessist UF6 kokkusurumise ja vedelasse või tahkesse olekusse viimise teel;

e. toru- ja kogujasüsteemid, mis on spetsiaalselt ette nähtud UF6 käsitlemiseks gaasilise difusiooni, tsentrifuug- või aerodünaamilistes kaskaadides;

f. 1. vaakumkollektorid või vaakumkogujad imivõimsusega 5 m3/min või rohkem; või

2. vaakumpumbad, mis on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks UF6 sisaldavas atmosfääris;

g. järgmiste omadustega UF6 mass-spektromeetrid/iooniallikad, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud jooksvaks proovide võtmiseks etteandest, saadusest või jäätmetest UF6 gaasivoos:

1. ühe aatommassiühiku lahutusvõime üle 320 amü (aatommassiühik) massi korral;

2. iooniallikad, mis on valmistatud või vooderdatud nikroomiga, moneliga või on nikeldatud;

3. elektronpommitamisel põhinevad ionisatsiooniallikad; ja

4. isotoopanalüüsiks sobivad kollektorsüsteemid.

0B003 Uraani konversiooniks ettenähtud tööjaam ja spetsiaalselt selleks projekteeritud või valmistatud seadmed:

a. süsteemid, mis on ette nähtud uraanimaagi kontsentraatide konversiooniks UO3 -ks;

b. süsteemid, mis on ette nähtud UO3 konversiooniks UF6 -ks;

c. süsteemid, mis on ette nähtud UO3 konversiooniks UO2 -ks;

d. süsteemid, mis on ette nähtud UF4 konversiooniks UF6 -ks;

e. süsteemid, mis on ette nähtud UF6 konversiooniks UF4 -ks;

f. süsteemid, mis on ette nähtud UF4 konversiooniks uraanimetalliks;

g. süsteemid, mis on ette nähtud UF4 konversiooniks UF6 -ks;

h. süsteemid, mis on ette nähtud UF6 konversiooniks UF4 -ks;

i. süsteemid, mis on ette nähtud U02 konversiooniks UCl4 -ks.

0B004 Raske vee, deuteeriumi ja selle ühendite tootmiseks või kontsentreerimiseks ettenähtud tehased ja spetsiaalselt selleks projekteeritud ja valmistatud seadmed ja komponendid:

a. järgmised süsteemid raske vee, deuteeriumi ja selle ühendite tootmiseks:

1. vesi-vesiniksulfiid-vahetustehased;

2. ammoniaak-vesinik-vahetustehased;

b. järgmised seadmed ja komponendid:

1. peensüsinikterasest (nt ASTM A516) valmistatud vesi-vesiniksulfiid-vahetuskolonnid diameetriga 6-9 m, mis on töövõimelised 2 MPa või kõrgemal rõhul ning materjali korrosioonivaruga, mis on 6 mm või suurem;

2. üheastmelised madalsurvelised (st 0,2 MPa) tsentrifugaalventilaatorid või kompressorid vesiniksulfiidgaasi (st gaasi, mis sisaldab enam kui 70 % H2 S) ringluse tagamiseks, mille jõudlus on 56 m3/sekundis või rohkem, imedes 1,8 MPa või kõrgemal rõhul, ning mille tihendid on ette nähtud taluma niisket H2 S keskkonda;

3. ammoniaak-vesinik-vahetuskolonnid kõrgusega 35 m või rohkem, diameetriga 1,5 m-2,5 m, mis on töövõimelised üle 15 MPa suurusel rõhul;

4. torni siseosad, kaasa arvatud astmereaktorid ja astmepumbad, kaasa arvatud sukelpumbad, raske vee tootmiseks ammoniaak-vesinik-vahetusprotsessi abil;

5. 3MPa või suurema töörõhuga ammoniaagikrakkerid raske vee tootmiseks, kasutades ammoniaak-vesinik-vahetusprotsessi;

6. infrapuna-absorptsioonanalüsaatorid, mis on võimelised jätkuvaks samaaegseks vesinik/deuteeriumi suhte analüüsiks deuteeriumi kontsentratsioonil 90 % või rohkem;

7. katalüütilised põletid, ammoonium-vesinik-vahetusprotsessi abil rikastatud gaasilise deuteeriumi muutmiseks raskeks veeks;

8. täielikud raske vee parandamise süsteemid või nende kolonnid raske vee deuteeriumisisalduse muutmiseks reaktorikõlblikuks.

0B005 Tuumareaktorite kütuseelementide tootmiseks ettenähtud tehased ja spetsiaalselt selleks projekteeritud või valmistatud seadmed.

Märkus: Tuumareaktori kütuseelementide tootmise tehas sisaldab seadmeid, mis:

a. on tavaolukorras kokkupuutes tuumamaterjalide tootevooga või osalevad otseselt selle tootmisel või juhtimisel;

b. hermetiseerib tuumamaterjali kattesse;

c. kontrollib katte terviklikkust või hermeetilisust; või

d. kontrollib hermeetiliselt suletud kütuse lõppkäsitlemist.

0B006 Tuumareaktoris kiiritatud kütuseelementide ümbertöötamiseks ettenähtud tehased ja spetsiaalselt selleks projekteeritud või valmistatud seadmed ja komponendid.

Märkus: Punkt 0B006 hõlmab järgmist:

a. tuumareaktori kiiritatud kütuseelementide ümbertöötlemistehased, kaasa arvatud seadmed ja nende osad, mis otseselt juhivad kiiritatud tuumakütuse ja enamiku tuumamaterjali lõhustumissaaduste käitlemisvooge ning on tavaolukorras sellega kokkupuutes;

b. kütuseelementide tükeldamise või hakkimismasinad s. kaugjuhitavad seadmed kiiritatud tuumakütuse agregaatide, kimpude või varraste lõikamiseks, tükeldamiseks, hakkimiseks või lõikumiseks;

c. lahustuspaagid, kriitilisturvalised mahutid (nt väikse diameetriga, rõnga- või plaadikujulised mahutid), mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud kasutamiseks kiiritatud tuumakütuse lahustamisel ja mille tööpinnad on vastupidavad kuuma ja ülimalt korrodeeriva vedeliku suhtes ning mis on kaugjuhitavalt täidetavad ja hooldatavad;

d. vastuvoolu lahustiekstraktorid ja ioonivahetusprotsessi seadmed, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud kasutamiseks kiiritatud loodusliku uraani, vaesestatud uraani või lõhustuvate erimaterjalide ümbertöötlemistehases;

e. säilitus- ja ladustamisanumad, mis on projekteeritud kriitilisturvaliseks ning korrosioonikindlaks lämmastikhappe söövitavale mõjule;

Märkus: Säilitus- ja ladustamisanumatel võivad olla järgmised omadused:

1. Seinte ja sisestruktuuride booriekvivalendi väärtus on (arvutatakse kõikide koostisosade kohta, nagu on määratletud punkti 0C004 märkuses) vähemalt 2 %;

2. Silindriliste anumate diameeter ei ületa 175 mm; või

3. Plaadi- või rõngakujuliste anumate laius ei ületa 75 mm.

f. protsessi juhtimisseadmed, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud kiiritatud loodusliku uraani, vaesestatud uraani või lõhustuvate erimaterjalide ümbertöötlemisprotsessi jälgimiseks ja juhtimiseks.

0B007 Uraani konversiooniks ettenähtud tööjaam ja spetsiaalselt selleks projekteeritud või valmistatud seadmed:

a. süsteemid, mis on ette nähtud plutooniumnitraadi muutmiseks plutooniumoksiidiks;

b. süsteemid, mis on ette nähtud metallilise plutooniumi tootmiseks.

0C Materjalid

0C001 Looduslik uraan, vaesestatud uraan või toorium metalli, sulami, keemilise ühendi või kontsentraadi kujul ja materjalid, mis sisaldavad mis tahes eelnevalt nimetatud ühendit või ühendeid;

Märkus: Punkt 0C001 ei hõlma järgmist:

a. looduslik uraan või vaesestatud uraan, kui seda on instrumentide anduriosades neli grammi või vähem;

b. vaesestatud uraan, mis on spetsiaalselt valmistatud tsiviilkasutuseks järgmistel mittetuuma-eesmärkidel:

1. kaitse;

2. pakendamine;

3. ballastid massiga kuni 100 kg;

4. vastukaalud massiga kuni 100 kg;

c. sulamid, mis sisaldavad alla 5 % tooriumi;

d. tooriumi sisaldavad keraamikatooted, mis on valmistatud mitte-tuuma eesmärkidel kasutamiseks.

0C002 Lõhustuvad erimaterjalid

Märkus: Punkt 0C002 ei hõlma kogust, milleks on neli või vähem efektiivgrammi instrumentide anduriosades.

0C003 Deuteerium, raske vesi (deuteeriumoksiid) ja teised deuteeriumiühendid ning segud ja deuteeriumi sisaldavad lahused, milles deuteeriumi ja vesiniku isotoopsuhe on suurem kui 1:5000.

0C004 Tuumatehnoloogilise puhtuseastmega grafiit, mille booriekvivalent on väiksem kui 5 miljondikku ja tihedus üle 1,5 g/cm3.

NB! VT KA PUNKTI 1C107.

Märkus 1: Punkt 0C004 ei hõlma järgmist:

a. grafiittooted, mille mass on alla 1 kg ja mis ei ole spetsiaalselt projekteeritud ega valmistatud kasutamiseks tuumareaktorites;

b. grafiidipulber.

Märkus 2: Punktis 0C004 on booriekvivalent (BE) määratletud kui lisandite BEz -de summa (v.a BEsüsinik , kuna süsinikku ei loeta lisandiks) koos booriga, kus:

BEZ (ppm) = CF x elemendi Z kontsentratsioon ppm-des;

kus CF on teisendustegur = σ>ISO_4>ZAB>ISO_7>σ>ISO_4>BAZ

ning >ISO_7>σ>ISO_4>B ja >ISO_7>σ>ISO_4>Z on vastavalt loodusliku boori ja elemendi Z soojuslike neutronite haarde ristlυige (barnides); AB ja AZ on vastavalt loodusliku boori ja elemendi Z aatommassid.

0C005 Gaasilise difusiooni tυkete valmistamiseks ettenδhtud UF6 korrosioonile vastupidavad όhendid vυi pulbrid (nt nikkel vυi sulam, mis sisaldab 60 massi % vυi rohkem niklit, alumiiniumoksiid ja tδielikult fluoritud sόsivesinikpolόmeerid) puhtusastmega 99,9 massi % vυi rohkem, mille osakeste suurus mυυdetuna vastavalt USA Materjalide Katsetamise άhingu (ASTM) standardile B330 on 10 >ISO_7>μ>ISO_4>m vυi vδhem ning milles osakeste jaotus suuruse jδrgi on vδga vδike.

0D Tarkvara

0D001 Tarkvara , mis on spetsiaalselt loodud vυi kohandatud kδesolevas kategoorias nimetatud kaupade arendamiseks, tootmiseks vυi kasutamiseks .

0E Tehnoloogia

0E001 Tuumatehnoloogia mδrkusele vastav tehnoloogia , mis on ette nδhtud kδesolevas kategoorias nimetatud kaupade arendamiseks, tootmiseks vυi kasutamiseks .

1. KATEGOORIA

MATERJALID, KEMIKAALID, MIKROORGANISMID JA TOKSIINID

1A Sόsteemid, seadmed ja komponendid

1A001 Jδrgmised fluoritud segudest valmistatud komponendid:

a. mansetid, tihendid, hermeetikud vυi kόtusepυied, mis on spetsiaalselt kavandatud υhu- vυi kosmosesυidukitel kasutamiseks ning mille valmistamisel on kasutatud όle 50 massi% punktis 1C009.b vυi 1C009.c nimetatud materjale;

b. piesoelektrilised polόmeerid ja kopolόmeerid, mis on valmistatud punktis 1C009.a nimetatud vinόlideenfluoriidmaterjalidest:

1. lehe vυi kilena; ja

2. paksusega όle 200 >ISO_7>μ>ISO_4>m;

c. mansetid, tihendid, klapipesad, pυied ja membraanid, mis on spetsiaalselt kavandatud υhu- ja kosmosesυidukite ja rakettmόrskude jaoks ning valmistatud fluoroelastomeeridest, mis sisaldavad vδhemalt όht vinόόleetrirόhma.

Mδrkus: Punktis 1A001.c tδhendab rakettmόrsk terviklikke raketisόsteeme ja mehitamata υhusυidukisόsteeme.

1A002 Komposiitstruktuurid vυi -laminaadid, millel on:

NB! VT KA PUNKTE 1A202, 9A010 ja 9A110.

a. orgaaniline pυhiaine , mis on valmistatud punktis 1C010.c, 1C010.d vυi 1C010.e nimetatud materjalidest; vυi

b. metall- vυi sόsinik pυhiaine ning on valmistatud:

1. sόsinik kiust vυi niitmaterjalist , mille:

a. erimoodul on όle 10,15 Χ 106 m; ja

b. eritυmbetugevus on όle 17,7 Χ 104 m; vυi

2. punktis 1C010.c nimetatud materjalidest.

Mδrkus 1: Punkt 1A002 ei hυlma komposiitstruktuure vυi- laminaate, mis on valmistatud epoksόvaiguga immutatud sόsinikkiust vυi niitmaterjalidest, mis on ettenδhtud υhusυiduki tarindite vυi laminaatide parandamiseks, kui pindala ei όleta 1 m2.

Mδrkus 2: Punkt 1A002 ei hυlma valmistooteid ega pooltooteid, mis on ette nδhtud kasutamiseks tsiviilotstarbel:

a. spordikaupadena;

b. autotφφstuses;

c. tφφpingitφφstuses;

d. meditsiinis.

1A003 Punktis 1C008.a.3 nimetatud mittefluoritud polόmeeridest valmistatud kile-, lehe-, lindi- vυi paelakujulised tooted, mis on jδrgmiste omadustega:

a. paksusega όle 0,254 mm; vυi

b. kaetud vυi lamineeritud sόsiniku, grafiidi, metallide vυi magnetiliste ainetega.

Mδrkus: Punkt 1A003 ei kδsitle tooteid, mis on kaetud vυi lamineeritud vasega ja on kavandatud trόkkplaatide tootmiseks.

1A004 Kaitse- ja avastamisseadmed ning nende komponendid, mida ei ole nimetatud sυjalise otstarbega kaupade nimekirjas:

NB! VT KA PUNKTE 2B351 JA 2B352.

a. gaasimaskid, filtrid ja saaste kυrvaldamise seadmed, mis on kavandatud vυi kohandatud kaitseks bioloogiliste toimeainete vυi sυjaliseks kasutamiseks kohandatud radioaktiivsete ainete vυi keemiliste rόndeainete eest ning nende jaoks kavandatud komponendid;

b. kaitseόlikonnad, -kindad ja -jalatsid, mis on spetsiaalselt kavandatud vυi kohandatud kaitseks bioloogiliste toimeainete vυi sυjaliseks kasutamiseks kohandatud radioaktiivsete ainete vυi keemiliste rόndeainete eest;

c. tuuma-, bioloogilise ja keemilise (NBC) saaste avastamise sόsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud vυi kohandatud bioloogiliste toimeainete vυi sυjaliseks kasutamiseks kohandatud radioaktiivsete ainete vυi keemiliste rόndeainete avastamiseks ja identifitseerimiseks, ning nende jaoks kavandatud komponendid.

Mδrkus: Punkt 1A004 ei hυlma jδrgmist:

a. personaalsed radiatsioonidosimeetrid;

b. seadmed, mille konstruktsioon vυi funktsioonid on piiratud kaitseks tsiviiltegevuses, nagu all- ja pealmaakaevandamine, pυllumajandus, ravimitφφstus, meditsiin, veterinaaria, keskkond, jδδtmekδsitlus, vυi toiduainetφφstus esinevate iseloomulike riskide eest.

1A005 Kuulikindlad vestid ja spetsiaalselt nende jaoks kavandatud komponendid, vδlja arvatud need, mis on valmistatud sυjaliste standardite vυi spetsifikatsioonide kohaselt vυi nendega samavδδrsete eeskirjade kohaselt.

NB! VT KA SΥJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJA.

NB! Kuulikindlate vestide valmistamiseks kasutatavate kiudude ja kiudmaterjalide kohta vt punkti 1C010.

Mδrkus 1: Punkt 1A005 ei hυlma kuulikindlaid veste vυi kaitserυivaid, kui inimene kasutab neid oma isiklikuks kaitseks.

Mδrkus 2: Punkt 1A005 ei kδsitle kuulikindlaid veste, mis on kavandatud pakkuma vaid frontaalset kaitset mittesυjaliste lυhkeseadeldiste kildude ja plahvatuse eest.

1A102 Korduvkόllastatud pόrolόόsitud sόsinik-sόsinik-komponendid, mis on ette nδhtud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettides vυi punktis 9A104 nimetatud sondrakettides.

1A202 Komposiitstruktuurid, muud kui punktis 1A002 nimetatud, torude kujul, millel on jδrgmised omadused:

NB! VT KA PUNKTE 9A010 ja 9A110.

a. sisediameeter 75-400 mm; ja

b. valmistatud punktides 1C010.a. vυi 1C010.b. vυi punktis 1C210.a nimetatud kiust vυi kiudmaterjalist vυi punktis 1C210.c nimetatud sόsinikprepregmaterjalist.

1A225 Platineeritud katalόsaatorid, mis on spetsiaalselt projekteeritud vυi valmistatud vesiniku isotoopide vahetusreaktsiooni aktiveerimiseks vesiniku ja vee vahel, triitiumi tagasisaamiseks raskest veest vυi raske vee tootmiseks.

1A226 Spetsiaalsed topendid, mida vυib kasutada raske vee eraldamiseks tavalisest veest ja millel on jδrgmised omadused:

a. valmistatud fosforpronksvυrgust, mida on mδrguvuse parandamiseks keemiliselt tφφdeldud; ja

b. kavandatud kasutamiseks vaakumdestillatsioonikolonnides.

1A227 Kυrgtihedad (pliiklaasist vms) kiirgusvarjeaknad, millel on jδrgmised omadused, ning spetsiaalselt selliste akende jaoks projekteeritud raamid:

a. kόlm (kiirgusvaba) piirkond on suurem kui 0,09 m2;

b. tihedus on όle 3 g/cm3; ja

c. paksus on 100 mm vυi rohkem.

Tehniline mδrkus:

Punktis 1A227 tδhendab kόlm piirkond akna vδljavaateala, mis on kavandatud kasutuse korral avatud madalaimale kiirgustasemele.

1B Testimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed

1B001 Jδrgmised seadmed punktides 1A002 ja 1C010 nimetatud kiudude, prepregmaterjalide, eelvormide ja komposiitide tootmiseks ning nende jaoks ettenδhtud komponendid ja lisaseadmed:

NB! VT KA PUNKTE 1B101 JA 1B201.

a. elementaarkiu poolimispingid, mille liikumine positsioneerimiseks, kiudude poolimiseks ja mδhkimiseks on koordineeritud ja programmeeritud kolme vυi enama telje suhtes ja mis on spetsiaalselt ette nδhtud komposiit struktuuride vυi -laminaatide tootmiseks kiududest vυi kiudainetest ;

b. lintimis- ja kφisikupaigalduspingid, mille liikumine lindi, kφisiku vυi lehtede positsioneerimiseks ja paigaldamiseks on koordineeritud ja programmeeritud kahe vυi enama telje suhtes ja mis on spetsiaalselt ette nδhtud komposiitsete υhusυiduki plaanerite vυi rakettmόrskude tarindite tootmiseks;

Mδrkus: Punktis 1B001.b tδhendab rakettmόrsk terviklikke raketisόsteeme ja mehitamata υhusυidukisόsteeme.

c. mitmesuunalised ja -dimensioonilised kudumisteljed vυi pυimimispingid kiudude kudumiseks, pυimimiseks vυi punumiseks komposiit struktuuride tootmise eesmδrgil ning nende adapterid ja όmberseadistamiskomplektid;

Tehniline mδrkus:

Punkti 1B001.c tδhenduses hυlmab «pυimimine» kudumist.

Mδrkus: Punkt 1B001.c ei hυlma tekstiilitφφstuses kasutatavaid seadmeid, mida ei ole seadistatud punktis 1B001.c nimetatud lυppkasutuseks.

d. jδrgmised armeerimiskiudude tootmiseks ettenδhtud vυi kohandatud seadmed:

1. seadmed polόmeerkiudude (nt polόakrόόlnitriil, raion, pigi vυi polόkarbosilaan) muutmiseks sόsinikkiududeks vυi rδnikarbiidkiududeks, kaasa arvatud eriseadmed kiudude pingutamiseks kuumutamise jooksul;

2. seadmed kuumutatud kiudsubstraatide katmiseks elementide vυi όhenditega keemilise aursadestamise abil rδnikarbiidkiudude tootmiseks;

3. seadmed kuumuskindla portselani (nt alumiiniumoksiid) mδrgketruseks;

4. seadmed lδhteaineks olevate alumiiniumisisaldusega kiudude muutmiseks termotφφtlemisel alumiiniumoksiidkiududeks;

e. seadmed punktis 1C010.e nimetatud prepregmaterjalide tootmiseks kuumsulatusmeetodil;

f. spetsiaalsed mittepurustavad kontrollseadmed defektide kolmemυυtmeliseks otsinguks komposiit materjalides ultraheli- vυi rφntgentomograafia abil.

1B002 Seadmed, mis on ette nδhtud metallisulamite, metallisulamipulbrite vυi legeeritud materjalide tootmiseks ja saastumise vδltimiseks ning kavandatud punktis 1C002.c nimetatud protsessides kasutamiseks.

NB! VT KA PUNKTI 1B102.

1B003 Titaani, alumiiniumi vυi nende sulamite όliplastseks vormimiseks vυi difusioonkeevitamiseks ettenδhtud tφφriistad, stantsid, vormid ja rakised jδrgmiste toodete valmistamiseks:

a. υhusυidukite plaanerite vυi kosmosesυidukite tarindid;

b. υhu- vυi kosmosesυidukite mootorid; vυi

c. spetsiaalselt kavandatud komponendid nendele tarinditele vυi mootoritele.

1B101 Muud kui punktis 1B001 nimetatud seadmed, mis on ette nδhtud jδrgmiste struktuurkomposiitide tootmiseks , ja nende jaoks ettenδhtud komponendid ja lisaseadmed:

NB! VT KA PUNKTI 1B201.

Mδrkus: Punktis 1B101 mδδratletud komponendid ja lisaseadmed hυlmavad valuvorme, torne, stantse, rakiseid ning tφφriistasid komposiitstruktuuride, -laminaatide ja nende toodete eelvormi pressimiseks, tahkestamiseks, valamiseks, paagutamiseks vυi kleepimiseks.

a. elementaarkiu poolimispingid, mille liikumine positsioneerimiseks, kiudude poolimiseks ja mδhkimiseks on koordineeritud ja programmeeritud kolme vυi enama telje suhtes ja mis on spetsiaalselt ette nδhtud komposiitstruktuuride vυi -laminaatide tootmiseks kiududest vυi kiudainetest, ning kordineerimise ja programmeerimise juhtseadmed;

b. Lintimispingid, mille liikumine lindi vυi lehtede positsioneerimiseks ja paigaldamiseks on koordineeritavad ja programmeeritavad kahe vυi enama telje suhtes ja mis on spetsiaalselt ette nδhtud komposiitsete υhusυiduki plaanerite vυi rakettmόrskude tarindite tootmiseks;

c. jδrgmised kiudude vυi niitmaterjalide tootmiseks kavandatud vυi seadistatud seadmed:

1. seadmed polόmeerkiudude (nt polόakrόόlnitriil, raion vυi polόkarbosilaan) muutmiseks, kaasa arvatud spetsiaalne varustus kiudude pingutamiseks kuumutamise jooksul;

2. kuumutatud kiudsubstraatidele elementide vυi όhendite aursadestamise seadmed;

3. seadmed kuumuskindla portselani (nt alumiiniumoksiid) mδrgketruseks;

d. seadmed, mis on kavandatud vυi seadistatud spetsiaalseks kiudude pinnatφφtluseks vυi punktis 9C110 nimetatud prepregmaterjalide ja eelvormide tootmiseks.

Mδrkus: Punktis 1B101.d nimetatud seadmete hulka kuuluvad rullid, venitus-, pindamis- ja lυikeseadmed ning matriitsid.

1B102 Muud kui punktis 1B002 nimetatud metallipulbri tootmisseadmed ja jδrgmised komponendid:

NB! VT KA PUNKTI 1B115.b.

a. metallipulbri tootmisseadmed , mida saab kasutada punktis 1C011.a, 1C011.b, 1C111.a.1, 1C111.a.2 vυi sυjalise otstarbega kaupade nimekirjas nimetatud sfδδriliste vυi pihustatud materjalide tootmiseks kontrollitavas keskkonnas.

b. spetsiaalselt kavandatud punktis 1B002 vυi 1B102.a nimetatud tootmisseadmed .

Mδrkus: Punkt 1B102 hυlmab jδrgmist:

a. plasmageneraatorid (kυrgsageduslik kaarleek), mida kasutatakse pihustatud vυi sfδδriliste metallipulbrite saamiseks argoon-vesi keskkonnas teostatava menetlusega;

b. elektrilahendusseadmed, mida kasutatakse pihustatud vυi sfδδriliste metallipulbrite saamiseks argoon-vesi keskkonnas teostatava menetlusega;

c. seadmed, mida kasutatakse sfδδriliste alumiiniumipulbrite tootmiseks, pihustades sulametalli inertsesse keskkonda (nt lδmmastik).

1B115 Muud kui punktis 1B002 vυi 1B102 nimetatud seadmed raketikόtuse ja raketikόtuse koostisosade tootmiseks ja nende jaoks ettenδhtud komponendid:

a. tootmisseadmed punktis 1C011.a, 1C011.b, 1C111 vυi sυjalise otstarbega kaupade nimekirjas nimetatud vedelate raketikόtuste vυi raketikόtuse koostisosade tootmiseks , kδitlemiseks vυi heakskiidukatseteks;

b. tootmisseadmed punktis 1C011.a, 1C011.b, 1C111 vυi sυjalise otstarbega kaupade nimekirjas nimetatud tahkete raketikόtuste vυi raketikόtuse koostisosade tootmiseks , kδitlemiseks, segamiseks, tahkestamiseks, valuks, pressimiseks, tφφtlemiseks, ekstrusiooniks vυi heakskiidukatseteks.

Mδrkus: Punkt 1B115.b ei hυlma perioodilisi segisteid, pidevsegisteid ega paiskveskeid. Perioodiliste segistite, pidevsegistite ja paiskveskite kontrolli vaata punktidest 1B117, 1B118 ja 1B119.

Mδrkus 1: Sυjalise otstarbega kaupade tootmiseks spetsiaalselt kavandatud seadmete kohta vaata sυjalise otstarbega kaupade nimekirja.

Mδrkus 2: Punkt 1B115 ei hυlma boorkarbiidi tootmise, kδitlemise ja heakskiidukatsete seadmeid.

1B116 Dόόsid, mis on spetsiaalselt kavandatud pόrolόόtiliselt saadud materjalide tootmiseks, mis on moodustunud valuvormil, spindlil vυi muul alusel lδhtegaasidest, mis lagunevad temperatuurivahemikus 1573 K (+1300 °C) kuni 3173 K (+2900 °C), rυhul 130 Pa-20 kPa.

1B117 Perioodilised segistid segamiseks vaakumis rυhuvahemikus 0-13326 kPa vυimalusega reguleerida segamiskambri temperatuuri, millel on kυik jδrgmised omadused:

a. kogumaht 110 liitrit ja rohkem; ja

b. vδhemalt όhe ekstsentrilise segamis-/sυtkumisvυlliga.

1B118 Pidevsegistid segamiseks vδhendatud rυhul rυhuvahemikus 0-13326 kPa reguleeritava temperatuuriga segamiskambris, millel on mis tahes jδrgmised omadused:

a. kaks vυi rohkem segamis-/sυtkumisvυlli; vυi

b. όks pφφrlev vυnkliikuv vυll, millel on sυtkumishambad/-sυrmed nii vυllil kui ka segamiskambri seinte sisekόljel.

1B119 Paiskveskid punktis 1C011.a, 1C011.b, 1C111 vυi sυjalise otstarbega kaupade nimekirjas nimetatud ainete peenestamiseks vυi jahvatamiseks ja spetsiaalselt nende jaoks ettenδhtud osad.

1B201 Elementaarkiu poolimispingid, muud kui punktis 1B001 vυi 1B101 nimetatud, ja nendega seotud seadmed:

a. elementaarkiu poolimispingid, millel on kυik jδrgmised omadused:

1. mille liikumine positsioneerimiseks, kiudude poolimiseks ja mδhkimiseks on koordineeritud ja programmeeritud kahe vυi enama telje suhtes;

2. mis on ette nδhtud komposiitstruktuuride vυi -laminaatide tootmiseks kiududest vυi kiudainetest ; ja

3. mis vυimaldavad 75-400 mm diameetriga ja 600 mm pikkuste vυi pikemate silindriliste rootorite mδhkimist;

b. Punktis 1B201.a nimetatud elementaarkiu poolimispinkide koordineerimis- ja programmeerimisseadmed;

c. Punktis 1B201.a nimetatud elementaarkiu poolimispinkide tδpsustornid.

1B225 Elektrolόόsivannid fluori tootmiseks, mille tootmisvυimsus on enam kui 250 g fluori tunnis.

1B226 Elektromagnetilised isotoopseparaatorid, mis on kavandatud vυi varustatud όhe vυi mitme iooniallikaga, vυimaldades maksimaalset ioonkiirte voolu 50 mA vυi rohkem.

Mδrkus: Punkt 1B226 hυlmab separaatoreid:

a. mis vυimaldavad rikastada stabiilseid isotoope;

b. millel mυlemad, nii iooniallikad kui ka kollektorid vυivad asuda kas magnetvδljas vυi vδljaspool magnetvδlja.

1B227 Ammoniaagi sόnteesimiskonverterid vυi ammoniaagi sόnteesiseadmed, milles sόnteesgaas (lδmmastik ja vesinik) eemaldatakse kυrgsurve ammoniaak/vesinik-vahetuskolonnist ja sόnteesitud ammoniaak suunatakse tagasi samasse kolonni.

1B228 Vesiniku krόodestillatsiooni kolonnid, millel on kυik jδrgmised omadused:

a. ette nδhtud tφφks temperatuuril 35 K (- 238 °C) vυi vδhem;

b. ette nδhtud tφφtama siserυhul 0,5-5 MPa;

c. valmistatud:

1. vδhese vδδvlisisaldusega 300-seeria roostevabast terasest, mille austeniitse tera suurus on 5 vυi suurem ASTM-i (vυi samavδδrse standardi) jδrgi; vυi

2. samalaadsetest όlimadalat temperatuuri ja H2 keskkonda taluvatest materjalidest; ja

d. sisediameetriga 1 m vυi rohkem ning tegeliku pikkusega 5 m vυi όle selle.

1B229 Jδrgmised vesi-vesiniksulfiid-vahetuskolonnid ja nende sisekontaktorid :

NB! Spetsiaalselt raske vee tootmiseks kavandatud vυi valmistatud kolonnide kohta vt punkti 0B004.

a. vesi-vesiniksulfiid-taldrikvahetuskolonnid, millel on kυik jδrgmised omadused:

1. vυivad tφφtada rυhul 2 MPa vυi rohkem;

2. valmistatud sόsinikterasest, mille austeniitse tera suurus on 5 vυi suurem ASTM-i (vυi samavδδrse standardi) jδrgi; ja

3. diameetriga 1,8 m vυi rohkem;

b. punktis 1B229.a mδδratletud vesi-vesiniksulfiid-taldrikvahetuskolonnide jaoks ettenδhtud sisekontaktorid .

Tehniline mδrkus:

Kolonnide sisekontaktoriteks on segmenditud taldrikud efektiivdiameetriga 1,8 m vυi rohkem, mis on konstrueeritud hυlbustama vastuvoolukontakti ning on valmistatud roostevabast terasest sόsinikusisaldusega 0,03 % vυi vδhem. Need vυivad olla sυeltaldrikud, ventiiltaldrikud, kellakujulised vυi turbovυretaldrikud.

1B230 Pumbad, mis tsirkuleerivad kontsentreeritud vυi lahjendatud kaaliumamiidi katalόsaatorlahuseid vedelas ammoniaagis (KNH2 /NH3 ) ja millel on kυik jδrgmised omadused:

a. υhutihedad (st hermeetiliselt suletud);

b. tootlikkusega 8,5 m3/h vυi rohkem; ja

c. όks jδrgmistest omadustest:

1. kontsentreeritud kaaliumamiidilahuste (όle 1 %-lise kontsentratsiooniga) jaoks on tφφrυhk 1,5-60 MPa; vυi

2. lahjendatud kaaliumamiidilahuste (alla 1 %-lise kontsentratsiooniga) jaoks on tφφrυhk 20-60 MPa.

1B231 Triitiumi tootmisrajatised vυi -tehased ning seadmed nende jaoks:

a. tootmisrajatised vυi -tehased triitiumi tootmiseks, taastamiseks, ekstraheerimiseks, kontsentreerimiseks vυi kδitlemiseks;

b. seadmed triitiumi tootmisrajatiste vυi -tehaste jaoks jδrgmiselt:

1. vesinik- vυi heeliumijahutusmoodulid jahutusvυimega 23 K (- 250 °C) vυi sellest madalamale ning soojusδrastamisvυimega 150 W vυi rohkem;

2. vesiniku isotoopide kogumis- ja puhastussόsteemid, mis koguvad ja puhastavad metallhόdriidide keskkonnas.

1B232 Turboekspandrid vυi turboekspander-kompressorgarnituurid, millel on jδrgmised omadused:

a. projekteeritud tφφtamiseks vδljundtemperatuuril 35 K (- 238 °C) vυi madalamal; ja

b. projekteeritud vesinikgaasi tootlikkus 1000 kg/h vυi rohkem.

1B233 Liitiumi isotoopide eraldusrajatised vυi -tehased ning seadmed nende jaoks:

a. rajatised vυi tehased liitiumi isotoopide eraldamiseks;

b. seadmed liitiumi isotoopide eraldamiseks jδrgmiselt:

1. tδidetud vedelik-vedelik-vahetuskolonnid, mis on spetsiaalselt kavandatud liitiumamalgaamidele;

2. elavhυbeda vυi liitiumamalgaami pumbad;

3. liitiumamalgaami elektrolόόsikambrid;

4. aurustid kontsentreeritud liitiumhόdroksiidilahuste jaoks.

1C Materjalid

Tehniline mδrkus:

Metallid ja sulamid:

Kui ei ole sδtestatud teisti, kuuluvad punktides 1C001-1C012 kδsitletud mυistete metall ja sulam alla jδrgmised metallid ja sulamid tφφtlemata ja pooltφφdeldud kujul:

Tφφtlemata kujul:

Anoodid, kuulid, varbmaterjalid (kaasa arvatud sarrusvarvad ja traadi varbtoorikud), valutoorikud, pangad, bluumid, briketid, kamakad, katoodid, kristallid, kuubikud, pooljuhtmaterjalide toorikkristallid, terad, graanulid, kangid, kδnkrad, tabletid, toormetalli plokid, pulbrid, helmed, haavlid, slδδbid e. valtsplaadid, toorikud, kδsnmetallid, latid;

Pooltφφdeldud kujul (pinnatud vυi pindamata, kaetud teisest metallist kihiga (metallitud), puuritud vυi augustatud):

a. survetφφdeldud vυi tφφdeldud materjalid, mida on valtsitud, tυmmatud, ekstrudeeritud, sepistatud, vormpressitud, pressitud, sυmerdatud, pihustatud ja jahvatatud, nagu: nurkmetall, karpmetall, ringmetall, kettad, tolm, helbed, fooliumid ning υhuke lehtmetall, sepis, plaat, pulber, pressitud ja stantsitud esemed, lindid, rυngad, vardad (sh katmata keevituselektroodid, traadi varbtoorikud ja valtstraat), profiilid, vormid, plekid (lehtmetall), laastud, torud (sh όmartorud, kandilised torud ning mis tahes ristlυikega υυnesmaterjalid), tυmmatud vυi ekstrudeeritud traat;

b. valumaterjalid, mis on saadud valu valamisel mulda, matriitsi, metallist, kipsist vυi muudest materjalidest vormidesse, kaasa arvatud survevalu, paagutatud kujul ning pulbermetallurgia abil valmistatud kujul.

Kontrolli eesmδrki ei tohi nurjata materjalide eksport mitteloetletud kujul, mida vδidetakse olevat lυpptooted, kuid mis tegelikult on tφφtlemata vυi pooltφφdeldud kujul.

1C001 Materjalid, mis on spetsiaalselt ette nδhtud kasutamiseks elektromagnetlainete neelajatena, vυi omajuhtivuslikud polόmeerid.

NB! VT KA PUNKTI 1C101.

a. Materjalid, mis neelavad sagedusi vahemikus 2 Χ 108 Hz kuni 3 Χ 1012 Hz;

Mδrkus 1: Punkt 1C001.a ei hυlma jδrgmist:

a. naturaalsetest vυi sόnteetilistest kiududest kokkuseatud karvtόόpi neelajad, mittemagnetilise koormusega neeldumise tekitamiseks;

b. neelajad, milles ei esine magnetilisi kadusid ning mille kohtamispind ei ole kujult tasane, hυlmates pόramiide, koonuseid, kiile ning keerdunud pindu;

c. tasapinnalised neelajad, millel on kυik jδrgmised omadused:

1. valmistatud jδrgmistest materjalidest:

a. sόsiniktδitega (painduvad vυi paindumatud) vahtplastikud, vυi orgaanilised materjalid, sh sideained, mis annavad metalliga vυrreldes enam kui 5 %-lise kaja sagedusribas, mis ulatub όle ± 15 % pealelangeva energia kesksagedusest ning mis ei talu temperatuuri όle 450 K (177 °C); vυi

b. keraamilised materjalid, mis annavad metalliga vυrreldes enam kui 20 %-lise kaja sagedusribas, mis ulatub όle ± 15 % pealelangeva energia kesksagedusest ning mis ei talu temperatuuri όle 800 K (527 °C);

Tehniline mδrkus:

Punkti 1C001.a mδrkuse 1.c.1 puhul peavad neeldumise proovikehad olema ruudukujulised, kόljepikkusega vδhemalt viis kesksageduse lainepikkust ning asetatud kiirgava elemendi kaugvδlja.

2. tυmbetugevus vδiksem kui 7 Χ 106 N/m2; ja

3. survetugevus vδiksem kui 14 Χ 106 N/m2;

d. paagutatud ferriidist valmistatud tasapinnalised neelajad, mille:

1. erikaal on όle 4,4; ja

2. maksimaalne tφφtemperatuur on 548 K (275 °C).

Mδrkus 2: Mitte miski punkti 1C001.a mδrkuses 1 ei vabasta vδrvis sisalduvaid neeldumisotstarbelisi magnetilisi materjale.

b. materjalid, mis neelavad sagedusi vahemikus 1,5 Χ 1014 Hz kuni 3,7 Χ 1014 Hz ega ole lδbipaistvad nδhtavale valgusele;

c. omajuhtivusega polόmeersed materjalid, mille elektriline mahtjuhtivus όletab 10000 S/m (siimensit meetri kohta) vυi mille kiht-/pindtakistus on vδhem kui 100 oomi/m2 ning mis pυhinevad mis tahes jδrgmisel polόmeeril:

1. polόaniliin;

2. polόpόrrool;

3. polόtiofeen;

4. polόfenόleenvinόleen vυi

5. polόtienόleenvinόleen.

Tehniline mδrkus:

«Elektriline mahtjuhtivus» ning «kiht-/pindjuhtivus» tuleb mδδrata kas ASTM D-257 vυi vastava siseriikliku standardi alusel.

1C002 Metallisulamid, pulbrid metallisulamitest ja legeeritud materjalid:

NB! VT KA PUNKTI 1C202.

Mδrkus: Punkt 1C002 ei hυlma metallisulameid, metallisulamipulbreid ning sulandunud materjale pυhimiku katmiseks.

Tehnilised mδrkused:

1. Punktis 1C002 nimetatud metallisulamid on need, milles mainitud metalli sisaldus protsentuaalselt (massi%) sulamis on suurem kui mis tahes teisel elemendil.

2. Pingetaluvusaega purunemiseni tuleb mυυta vastavalt ASTM-i standardile E-139 vυi vastavale siseriiklikule standardile.

3. Vδsimisaeg vδhetsόklilise vδsitamise korral tuleb mυυta vastavalt ASTM-i standardile E-606 Recommended Practice for Constant-Amplitude Low-Cycle Fatigue Testing (tφφjuhend konstantse amplituudiga vδhetsόklilise vδsimuse katsetamiseks) vυi vastavale siseriiklikule standardile. Katsetamine peab toimuma teljesuunaliselt keskmise pingesuhtega 1 ning pingekontsentratsiooniteguriga (Kt) 1. Keskmine pinge on defineeritud kui maksimaalse ja minimaalse pinge vahe, jagatuna maksimaalse pinge vδδrtusega.

a. Jδrgmised aluminiidid:

1. Nikkelaluminiidid, mis sisaldavad vδhemalt 15 massi%, kuid όle 38 massi% alumiiniumi ja lisaks vδhemalt veel όhte legeerelementi;

2. Titaanaluminiidid, mis sisaldavad 10 massi% vυi rohkem alumiiniumi ja lisaks vδhemalt veel όhte legeerelementi;

b. Metallisulamid, mis on valmistatud punktis 1C002.c nimetatud materjalidest:

1. niklisulamid, mille:

a. pingetaluvusaeg purunemiseni on 10000 tundi vυi rohkem temperatuuril 923 K (650 °C) ning pingel 676 MPa; vυi

b. vδsimisaeg vδhetsόklilisel vδsitamisel on 10000 tsόklit vυi rohkem temperatuuril 823 K (+ 450 °C) ja maksimaalsel pingel 1095 MPa;

2. nioobiumisulamid, mille:

a. pingetaluvusaeg purunemiseni on 10000 tundi vυi rohkem temperatuuril 1073 K (800 °C) ning pingel 400 MPa; vυi

b. vδsimisaeg vδhetsόklilisel vδsitamisel on 10000 tsόklit vυi rohkem temperatuuril 973 K (700 °C) ja maksimaalsel pingel 700 MPa;

3. titaanisulamid, mille:

a. pingetaluvusaeg purunemiseni on 10000 tundi vυi rohkem temperatuuril 723 K (450 °C) ning pingel 200 MPa; vυi

b. vδsimisaeg vδhetsόklilisel vδsitamisel on 10000 tsόklit vυi rohkem temperatuuril 723 K (450 °C) ja maksimaalsel pingel 400 MPa;

4. alumiiniumisulamid tυmbetugevusega:

a. 240 MPa vυi rohkem temperatuuril 473 K (+ 200°C); vυi

b. 415 MPa vυi rohkem temperatuuril 298 K (+ 25 °C);

5. magneesiumisulamid, mille:

a. tυmbetugevus on 345 MPa vυi rohkem; ja

b. korrosioonikiirus vδhem kui 1 mm aastas 3 %-lises naatriumkloriidi vesilahuses mυυdetuna vastavuses ASTM-i standardile G-31 vυi vastavale siseriiklikule standardile;

c. Metallisulamipulber vυi peeneteraline materjal, millel on jδrgmised omadused:

1. Mis on valmistatud jδrgmistest segusόsteemidest:

Tehniline mδrkus:

X tδhistab jδrgmistes valemites όht vυi enamat legeerelementi.

a. Niklisulamid (Ni-Al-X, Ni-X-Al), mis sobivad turbiinmootorite detailidele ja komponentidele, st vδhem kui 3 (valmistamisprotsessis lisatud) lδbimυυdult suurema kui 100 >ISO_7>μ>ISO_4>m mittemetalse osakesega 109 sulamiosakese kohta;

b. Nioobiumisulamid (Nb-Al-X vυi Nb-X-Al, Nb-Si-X, vυi Nb-X-Si, Nb-Ti-X vυi Nb-X-Ti);

c. Titaanisulamid (Ti-Al-X vυi Ti-X-Al);

d. Alumiiniumisulamid (Al-Mg-X vυi Al-X-Mg, Al-Zn-X vυi Al-X-Zn, Al-Fe-X vυi Al-X-Fe); vυi

e. Magneesiumisulamid (Mg-Al-X vυi Mg-X-Al);

2. Valmistatud kontrollitavas keskkonnas, mis tahes jδrgmise protsessiga:

a. Vaakumpihustamine;

b. Gaaspihustamine;

c. Rootorpihustamine;

d. Lamepulbri tootmine sulametallist;

e. Sulandi ketramine ja peenestamine;

f. Sulandi eraldamine ja peenestamine; vυi

g. Mehaaniline legeerimine; ja

3. Need vυivad moodustada punktis 1C002.a vυi 1C002.b nimetatud materjale.

d. Lδhtematerjalid, millel on kυik jδrgmised omadused:

1. Mis on valmistatud punktis 1C002.c.1 nimetatud segusόsteemidest;

2. Mis on mittepeenestatud helveste, ribade vυi peente varbade kujul; ja

3. Mis on valmistatud kontrollitavas keskkonnas, mis tahes jδrgmise protsessiga:

a. Lamepulbri tootmine sulametallist;

b. Sulandi ketramine; vυi

c. Sulandi eraldamine.

1C003 Magnetilised metallid, igat tόόpi ja mis tahes kujul, millel on jδrgmised omadused:

a. Suhteline algne magnetiline lδbitavus 120000 vυi rohkem ja paksus 0,05 mm vυi vδhem;

Tehniline mδrkus:

Suhtelise algse magnetilise lδbitavuse mυυtmine peab olema teostatud tδielikult lυυmutatud materjalidega.

b. Magnetostriktiivsed sulamid, millel on jδrgmised omadused:

1. Magnetostriktiivne kόllastus rohkem kui 5 Χ 10-4; vυi

2. Magnetomehaaniline sidestustegur (k) όle 0,8; vυi

c. amorfsed vυi nanokristallilised sulamiliistakud, millel on kυik jδrgmised omadused:

1. koostis, mis sisaldab vδhemalt 75 massi% rauda, koobaltit vυi niklit;

2. magnetilise induktsiooni kόllastuse (BS ) 1,6 T vυi rohkem; ja

3. mis tahes jδrgmistest:

a. liistaku paksus 0,02 mm vυi vδhem; vυi

b. elektriline eritakistus 2 Χ 10-4 oomi/cm vυi rohkem.

Tehniline mδrkus:

Punktis 1C003.c nimetatud nanokristallilised materjalid on sellised materjalid, mille rφntgendifraktsiooni abil mδδratud tera suurus on 50 nm vυi vδhem.

1C004 Raua, nikli vυi vase baasil uraantitaan- vυi volframisulamid, millel on kυik jδrgmised omadused:

a. tihedus όle 17,5 g/cm3;

b. elastsuspiir όle 880 MPa;

c. tυmbetugevus όle 1270 MPa; ja

d. suhteline pikenemine όle 8 %.

1C005 άlijuhtivad komposiit juhtmed, pikkusega όle 100 m vυi massiga όle 100 g:

a. mitmekiulised όlijuhtivad komposiit juhtmed, mis sisaldavad όht vυi enamat nioobium-titaankiudu, mis on:

1. asetatud muudesse pυhiainetesse kui vask vυi vase baasil segude pυhiaine ; vυi

2. ristlυikepindalaga vδhem kui 0,28 Χ 10-4 mm2 (vδiksem kui 6 diameetriga όmarkiud);

b. όlijuhtivad komposiit juhtmed, mis koosnevad όhest vυi enamast όlijuhtivast kiust, muud kui nioobium-titaankiud, ning millel on kυik jδrgmised omadused:

1. kriitiline temperatuur magnetilise induktsiooni puudumise korral on όle 9,85 K (- 263,31 °C), kuid vδhem kui 24 K (- 49,16 °C);

2. ristlυikepindala on vδhem kui 0,28 Χ 10-4 mm2; ja

3. temperatuuril 4,2 K (- 268,96 °C) magnetvδlja asetatuna sδilitab όlijuhtiva oleku ka 12 T suuruse magnetvδlja magnetilise induktsiooni korral.

1C006 Vedelikud ja mδδrdeained:

a. hόdraulilised vedelikud, mis sisaldavad oluliste koostisosadena mis tahes jδrgmist όhendit vυi ainet:

1. sόnteetilised silasόsivesinikυlid, millel on kυik jδrgmised omadused:

Tehniline mδrkus:

Punkti 1C006 a.1 tδhenduses sisaldavad silasόsivesinikυlid eranditult rδni, vesinikku ja sόsinikku.

a. sόttimispunkt όle 477 K (+ 204 °C);

b. hangumistemperatuur 239 K (- 34 °C) vυi madalam;

c. viskoossusindeks 75 vυi suurem; ja

d. terminiline stabiilsus 616 K (+ 343 °C); vυi

2. klorofluorosόsinik, millel on kυik jδrgmised omadused:

Tehniline mδrkus:

Punkti 1C006.a.2 tδhenduses sisaldab klorofluorosόsinik eranditult sόsinikku, fluori ja kloori.

a. ei oma sόttimispunkti;

b. isesόttimistemperatuur όle 977 K (+ 704 °C);

c. hangumistemperatuur 219 K (- 54 °C) vυi madalam;

d. viskoossusindeks 80 vυi suurem; ja

e. keemispunkt 473 K (200 °C) vυi kυrgem;

b. mδδrdeained, mis sisaldavad oluliste koostisosadena mis tahes jδrgmist όhendit vυi ainet:

1. fenόleen- vυi alkόόlfenόleeneetrid vυi tioeetrid vυi nende segud, mis sisaldavad rohkem kui kaht eetri vυi tioeetri funktsiooni vυi nende segusid; vυi

2. fluoritud silikoonvedelikud, mille kinemaatiline viskoossus on temperatuuril 298 K (+ 25 °C) vδiksem kui 5000 mm2/s (5000 sentistooksi);

c. summutus- ja flotovedelikud puhtusastmega όle 99,8 %, mis sisaldavad 100 ml kohta vδhem kui 25 osakest suurusega 200 vυi rohkem ja mis koosnevad vδhemalt 85 % ulatuses mis tahes jδrgmisest όhendist vυi ainest:

1. dibromotetrafluoroetaan;

2. polόklorotrifluoroetόleen (όksnes υli- ja vahalaadsed modifikatsioonid); vυi

3. polόbromotrifluoroetόleen;

d. fluorosόsivesinikel pυhinevad elektroonika jahutusvedelikud, millel on kυik jδrgmised omadused:

1. sisaldavad 85 massi% vυi enam mis tahes jδrgmist όhendit vυi nende segu:

a. perfluoropolόalkόόleeter-triasiinide vυi perfluoroalifaatsete eetrite monomeersed vormid;

b. perfluoroalkόόlamiinid;

c. perfluorotsόkloalkaanid; vυi

d. Perfluoroalkaanid;

2. tihedus 1,5 g/ml vυi rohkem mυυdetuna temperatuuril 298 K (25 °C);

3. temperatuuril 273 K (0 °C) vedelas olekus; ja

4. sisaldab 60 massi% vυi rohkem fluori;

Tehniline mδrkus:

Punkti 1C006 tδhenduses:

a. kasutatakse sόttimistemperatuuri mδδramisel ASTM D-92-s kirjeldatud Clevelandi lahtise tiigli meetodit vυi vastavat siseriiklikku meetodit;

b. kasutatakse hangumispunkti mδδramisel ASTM D-97-s kirjeldatud meetodit vυi vastavat siseriiklikku meetodit;

c. kasutatakse viskoossusindeksi mδδramisel ASTM D-2270-s kirjeldatud meetodit vυi vastavat siseriiklikku meetodit;

d. kasutatakse termilise stabiilsuse mδδramisel jδrgmist katsemeetodit vυi vastavat siseriiklikku meetodit:

20 ml uuritavat vedelikku valatakse 46 ml mahuga roostevabast terasest (tόόp-317) anumasse, millesse on eelnevalt asetatud 12,5 mm lδbimυυduga kuulid: όks M-10 tφφriistaterasest, όks 52100-tόόpi terasest ning όks laevapronksist (60 % Cu, 39 % Zn, 0,75 % Sn);

Anum uhutakse seest lδmmastikuga, suletakse atmosfδδrirυhul υhukindlalt ja kuumutatakse temperatuurini 644 ± 6 K (371 ± 6 °C) ning hoitakse sellel temperatuuril kuus tundi;

Proov loetakse termiliselt stabiilseks, kui όlalkirjeldatud protseduuri lυppedes on tδidetud jδrgmised tingimused:

1. iga kuuli kaalukaotus on vδhem kui 10 mg/mm2 kuuli pinna suhtes;

2. algse viskoossuse muutus, mis on mδδratud temperatuuril 311 K (38 °C), on vδiksem kui 25 %; ja

3. summaarne happe- vυi aluselisusnumber on vδiksem kui 0,40;

e. kasutatakse isesόttimistemperatuuri mδδramisel ASTM E-659-s kirjeldatud meetodit vυi vastavat siseriiklikku meetodit.

1C007 Keraamilised lδhtematerjalid, mitte komposiitsed keraamilised materjalid, keraamilised pυhimassi materjalid ja nende lδhteained:

NB! VT KA PUNKTI 1C107.

a. titaani liht- vυi kompleksboriidide lδhteained, mille metalliliste lisandite hulk (v.a kavatsetult lisatud lisandid) on vδiksem kui 5000 ppm-i ning osakeste keskmine suurus ei όleta 5 >ISO_7>μ>ISO_4>m ja kuni 10 % osakeste suurus ei όleta 10 >ISO_7>μ>ISO_4>m;

b. mitte komposiitsed keraamilised materjalid tφφtlemata vυi pooltφφdeldud kujul, mis koosnevad titaanboriididest tihedusega 98 % vυi rohkem teoreetilisest tihedusest;

Mδrkus: Punkt 1C007.b ei hυlma abrasiive.

c. keraamika-keraamika- komposiit materjalid klaas- vυi oksiidpυhimassiga, mis on armeeritud mis tahes jδrgmistest sόsteemidest valmistatud kiududega:

1. valmistatud jδrgmistest materjalidest:

a. Si-N;

b. Si-C;

c. Si-Al-O-N; vυi

d. Si-O-N; ja

2. mille eritυmbetugevus on όle 12,7 Χ 103 m;

d. keraamika-keraamika- komposiit materjalid, pideva metallfaasiga vυi mitte, mis liidavad osakesi, niitkristalle vυi kiude, milles rδni, tsirkooniumi vυi boori karbiidid vυi nitriidid moodustavad pυhimassi ;

e. lδhteained (nt spetsiaalsed polόmeersed vυi metallorgaanilised όhendid) punktis 1C007.c nimetatud materjalide mυne faasi vυi faaside tootmiseks:

1. polόdiorganosilaanid (rδnikarbiidi tootmiseks);

2. polόsilatsaanid (rδninitriidi tootmiseks);

3. polόkarbosilatsaanid (rδni-, sόsinik- ja lδmmastikkomponentidega keraamika tootmiseks);

f. keraamika-keraamika- komposiit materjalid oksiid- vυi klaas pυhimassiga , mis on armeeritud mis tahes jδrgmistest sόsteemidest saadud pidevkiududega:

1. Al2 O3 ; vυi

2. Si-C-N.

Mδrkus: Punkt 1C007.f ei hυlma komposiite, mis sisaldavad nendest sόsteemidest kiude kiu tυmbetugevusega alla 700 MPa temperatuuril 1273 K (1000 °C) vυi kiudu tυmbe-roome-vastupanuga rohkem kui 1 % roomedeformatsiooni 100 MPa koormisel, 1273 K (1000 °C) temperatuuril 100 tunni kestel.

1C008 Mittefluoritud polόmeersed ained:

a. 1. bismaleimiidid;

2. aromaatsed polόamidoimiidid;

3. aromaatsed polόimiidid;

4. aromaatsed polόeeterimiidid, mille klaasistumistemperatuur (Tg ) on όle 513 K (240 °C), mis on mδδratud kuivmeetodil vastavalt standardis ASTM D 3418 nimetatud meetodile;

Mδrkus: Punkt 1C008.a ei hυlma surve all vormitavaid mittesulavaid pulbreid vυi vormitud detaile.

b. termoplastsed vedelkristallkopolόmeerid, mille soojusliku deformeerumise temperatuur on όle 523 K (250 °C), mυυdetuna vastavalt ASTM standardi D-648 meetodile A vυi vastavale siseriiklikule meetodile koormusega 1,82 N/mm2, ja mis koosnevad:

1. mis tahes jδrgmistest:

a. fenόleen, bifenόleen vυi naftaleen; vυi

b. metόόl, tertsiaarbutόόl vυi fenόόliga asendatud fenόleen, bifenόleen vυi naftaleen; ja

2. mis tahes jδrgmisest happest:

a. tereftaalhape;

b. 6-hόdroksό-2-naftohape; vυi

c. 4-hόdroksόbensoehape;

c. Jδrgmised polόarόleeneeterketoonid:

1. polόeetereeterketoon (PEEK);

2. polόeeterketoonketoon (PEKK);

3. polόeeterketoon (PEK);

4. polόeeterketooneeterketoonketoon (PEKEKK);

d. polόarόleenketoonid;

e. polόarόleensulfiidid, mille arόleeni grupp on bifenόleen, trifenόleen vυi nende kombinatsioon,

f. polόbifenόleeneetersulfoon.

Tehniline mδrkus:

Klaasistumistemperatuui (Tg ) mδδramisel punktis 1C008 nimetatud ainete puhul kasutatakse ASTM D 3418-s kirjeldatud kuivmeetodit.

1C009 Tφφtlemata fluoritud όhendid:

a. vinόlideenfluoriidi kopolόmeerid, millel on ilma venituseta rohkem kui 75 % ulatuses beetakristalliline struktuur;

b. fluoritud polόimiidid, mis sisaldavad 10 massi% vυi rohkem seotud fluori;

c. fluoritud fosfatseenelastomeerid, mis sisaldavad 30 massi% vυi rohkem seotud fluori;

1C010 Kiud vυi kiudained , mida vυidakse kasutada orgaanilise, metallilise vυi sόsinik pυhimassi komposiit struktuurides vυi -laminaatides:

NB! VT KA PUNKTI 1C210.

a. orgaanilised kiud vυi kiudained , millel on kυik jδrgmised omadused:

1. erimoodul όle 12,7 Χ 106 m; ja

2. eritυmbetugevus on όle 23,5 Χ 104 m;

Mδrkus: Punkt 1C010.a ei hυlma polόetόleeni.

b. sόsinikust kiud vυi kiudained, millel on kυik jδrgmised omadused:

1. erimoodul όle 12,7 Χ 106 m; ja

2. eritυmbetugevus on όle 23,5 Χ 104 m;

Mδrkus: Punkt 1C010.b ei hυlma kiust vυi kiudainest kangast, mis on ette nδhtud υhusυiduki tarindite vυi laminaatide parandamiseks eeldusel, et iga όksiku kangatόki mυυtmed ei όleta 50 cm Χ 90 cm.

Tehniline mδrkus:

Punktis 1C010.b nimetatud materjalide omadused mδδratakse SACMA poolt soovitatud meetoditel SRM 12-17 vυi vastavate siseriiklike vedamiskatsetega nagu Jaapani Tφφstusstandard JIS-R-7601, punkt 6.6.2, mis pυhinevad kυigi katsetulemuste keskmistamisel.

c. anorgaanilised kiud vυi kiudained , millel on kυik jδrgmised omadused:

1. erimoodul όle 2,54 Χ 106 m; ja

2. sulamis-, pehmenemis-, lagunemis- vυi sublimatsioonipunkt on inertses keskkonnas όle 1922 K (1649 °C);

Mδrkus: Punkt 1C010 ei hυlma jδrgmist:

1. katkendlikud, mitmefaasilised, polόkristallilised alumiiniumoksiidkiud tόkeldatud kiudude vυi reeglipδratu mati kujul, mille rδnisisaldus on 3 massi% vυi rohkem ning mille erimoodul on vδiksem kui 10 Χ 106 m;

2. molόbdeen- ja molόbdeenisulamkiud;

3. boorkiud

4. katkendlikud keraamilised kiud, mille sulamis-, pehmenemis-, lagunemis- vυi sublimatsioonipunkt on inertses keskkonnas madalam kui 2043 K (1770 °C).

d. kiud vυi niidid:

1. mis koosnevad jδrgmistest komponentidest:

a. punktis 1C008.a nimetatud polόeeterimiidid; vυi

b. punktides 1C008.b-1C008.f nimetatud materjalid; vυi ;

2. mis koosnevad punktis 1C010.d.1.a vυi 1C010.d.1.b nimetatud materjalidest, mis on segatud muude, punktides 1C010.a, 1C010.b vυi 1C010.c nimetatud kiududega;

e. vaigu vυi pigiga impregneeritud kiud (prepregmaterjalid), metalli vυi sόsinikuga kaetud kiud (eelvormid) vυi sόsinikkiu eelvormid :

1. mis on valmistatud punktis 1C010.a, 1C010.b vυi 1C010.c nimetatud kiududest vυi niitidest ;

2. mis on valmistatud orgaanilistest vυi sόsiniku kiududest vυi niitidest :

a. eritυmbetugevusega όle 17,7 Χ 104 m;

b. erimooduliga όle 10,15 Χ 106 m;

c. mis ei ole hυlmatud punktiga 1C010.a vυi 1C010.b; ja

d. mis on impregneeritud punktides 1C008 vυi 1C009.b nimetatud ainetega, mille klaasistumistemperatuur (Tg) on όle 383 K (110 °C), vυi fenool- vυi epoksόvaikudega, mille klaasistumistemperatuur (Tg ) on 418 K (145 °C) vυi kυrgem.

Mδrkused: Punkt 1C010.e ei hυlma jδrgmist:

a. epoksόvaik-pυhimassiga eelimpregneeritud sόsinikkiud vυi -niidid (prepregmaterjalid) υhusυidukite tarindite vυi laminaatide parandamiseks eeldusel, et iga όksiku lehe mυυtmed ei όleta 50 cm Χ 90 cm;

b. prepregmaterjalid, mis on impregneeritud fenool- vυi epoksόvaikudega, mille klaasistumistemperatuur (Tg) on madalam kui 433 K (160 °C) ning tahkestumistemperatuur on madalam klaasistumistemperatuurist.

Tehniline mδrkus:

Klaasistumistemperatuuri (Tg ) mδδramisel punktis 1C010.e nimetatud ainete puhul kasutatakse ASTM D 3418-s kirjeldatud kuivmeetodit. Klaasistumistemperatuuri mδδramisel fenool- ja epoksόvaikude puhul kasutatakse ASTM D 4065-s kirjeldatud meetodit 1 Hz sageduse juures ning kuumutamiskiirusel 2 K (°C) minutis, kasutades kuivmeetodit.

1C011 Metallid ja όhendid:

NB! VT KA SΥJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJA JA PUNKTI 1C111.

a. metallid, mille osakeste suurus ei όleta 60 >ISO_7>μ>ISO_4>m, kas sfδδrilistena, pihustatutena, sferoidsetena, helvestatutena vυi jahvatatutena, ja mis on valmistatud materjalidest, mis koosnevad 99 % vυi suuremas ulatuses tsirkooniumist, magneesiumist vυi nende sulamitest;

Tehniline mδrkus:

Hafniumi loomulik sisaldus tsirkooniumis (tόόpiliselt 2-7 %) arvestatakse koos tsirkooniumiga.

Mδrkus: Punktis 1C011.a loetletud metalle vυi sulameid kontrollitakse, olenemata sellest, kas metallid vυi sulamid on kapseldatud alumiiniumis, magneesiumis, tsirkooniumis vυi berόlliumis.

b. boor vυi boorkarbiid 85 % puhtusega vυi puhtam, mille osakeste suurus ei όleta 60 >ISO_7>μ>ISO_4>m;

Mδrkus: Punktis 1C011.b loetletud metalle vυi sulameid kontrollitakse, olenemata sellest, kas metallid vυi sulamid on kapseldatud alumiiniumis, magneesiumis, tsirkooniumis vυi berόlliumis.

c. guanidiinnitraat;

d. nitroguanidiin (NQ) (CASi nr 556-88-7).

1C012 Jδrgmised materjalid:

Tehniline mδrkus:

Neid materjale kasutatakse enamasti tuumasoojusallikate puhul.

a. plutoonium mis tahes kujul, milles plutoonium-238 isotoobi sisaldus on όle 50 massi%;

Mδrkus: Punkt 1C012.a ei hυlma jδrgmist:

a. Saadetised, milles on plutooniumi 1 gramm vυi vδhem;

b. Saadetised, milles on 3 efektiivgrammi vυi vδhem plutooniumi, kui see sisaldub instrumentide anduriosades.

b. eelnevalt eraldatud neptuunium-237 mis tahes kujul.

Mδrkus: Punkt 1C012 ei hυlma saadetisi, milles neptuunium-237 sisaldus on 1 gramm vυi vδhem.

1C101 Muud kui punktis 1C001 nimetatud rakettmόrskudes ja nende alamsόsteemides kasutatavad materjalid ja seadmed, mis vδhendavad nende mδrgatavust, nagu radarikiirte tagasipeegeldumine, ultraviolett-/infrapuna-ja akustilised signaalid.

Mδrkus 1: Punkt 1C101 hυlmab jδrgmist:

a. konstruktsioonimaterjalid ja pinnakatted, mis on spetsiaalselt ette nδhtud vδhendama radarikiirte tagasipeegeldumist;

b. pinnakatted, sh vδrvid, mis on ette nδhtud vδhendama vυi muundama peegeldavust vυi kiiratavust elektromagnetilise spektri mikrolaine, infrapuna vυi ultravioleti piirkonnas.

Mδrkus 2: Punkt 1C101 ei hυlma pinnakatteid, mida kasutatakse satelliitide soojuse reguleerimiseks.

1C102 Korduvkόllastatud pόrolόόsitud sόsinik-sόsinik-materjalid, mis on ette nδhtud punktis 9A004 nimetatud kanderakettidele vυi punktis 9A104 nimetatud sondrakettidele.

1C107 Grafiit- ja keraamilised materjalid, muud kui punktis 1C007 nimetatud:

a. peeneteraline rekristalliseeritud grafiit puistetihedusega 1,72 g/cm3 vυi rohkem, mυυdetud temperatuuril 288 K (+ 15 °C), mille osakeste suurus on 100 >ISO_7>μ>ISO_4>m vυi vδhem ja mida kasutatakse rakettmόrskude dόόside ja atmosfδδri taassisenevate lennuaparaatide ninamike otste valmistamisel:

1. silindrid diameetriga 120 mm vυi rohkem ja pikkusega 50 mm vυi rohkem;

2. torud sisediameetriga 65 mm vυi rohkem ja seinapaksusega 25 mm vυi rohkem ning pikkusega 50 mm vυi rohkem;

3. plokid mυυtudega 120 mm Χ 120 mm Χ 50 mm vυi rohkem.

NB! Vt ka punkti 0C004.

b. pόrolόόtiline vυi kiudarmeeritud grafiit, mida kasutatakse rakettmόrskude dόόside ja atmosfδδri taassisenevate sυidukite ninamike otste valmistamisel;

NB! Vt ka punkti 0C004.

c. keraamilised komposiitmaterjalid (dielektrilise lδbitavuse konstandiga 6 ja vδhem, sagedusvahemikus 100 Hz kuni 10000 MHz), mida kasutatakse rakettmόrskude radoomide valmistamiseks;

d. masintφφdeldavad mahulised rδnikarbiidiga tugevdatud pυletamata keraamilised materjalid, mida kasutatakse rakettmόrskude ninamike otste valmistamisel.

1C111 Raketikόtused ja raketikόtuste keemilised komponendid, muud kui punktis 1C011 nimetatud:

a. tυukeained:

1. sfδδrilistest osakestest alumiiniumipulber, muu kui sυjalise otstarbega kaupade nimekirjas nimetatud, mille osakeste όhtlane diameeter on vδhem kui 200 >ISO_7>μ>ISO_4>m ja alumiiniumisisaldus 97 massi% vυi rohkem, kui vδhemalt 10 % kogukaalust moodustavad vδhema kui 63 >ISO_7>μ>ISO_4>m lδbimυυduga osakesed, vastavalt standardile ISO 2591:1988-le vυi vastavale siseriiklikule standardile;

Tehniline mδrkus:

Osakese suurus 63 >ISO_7>μ>ISO_4>m (ISO R-565) vastab 250 meΉile (Tyler) vυi 230 meΉile (ASTM standard E-11).

2. metallilised kόtused, muud kui sυjalise otstarbega kaupade nimekirjas nimetatud, kas sfδδrilised, pihustatud, helbekujulised vυi sferoidsed, mille osakesed on vδiksemad kui 60 >ISO_7>μ>ISO_4>m ja mis sisaldavad 97 massi% vυi rohkem mis tahes jδrgmist elementi:

a. tsirkoonium;

b. berόllium;

c. magneesium; vυi

d. eespool punktides a-c nimetatud metallide sulamid;

Tehniline mδrkus:

Hafniumi loomulik sisaldus tsirkooniumis (tόόpiliselt 2-7 %) arvestatakse koos tsirkooniumiga.

3. jδrgmised vedelad oksόdeerivad ained:

a. dilδmmastiktrioksiid;

b. lδmmastikdioksiid/dilδmmastiktetroksiid;

c. dilδmmastikpentoksiid;

d. lδmmastikoksiidide segud (MON - Mixed Oxides of Nitrogen );

Tehniline mδrkus:

Lδmmastikoksiidide segud (MON) on lδmmastikoksiidi (NO) lahused dilδmmastiktetroksiidis / lδmmastikdioksiidis (N2 O4 /NO2 ) mida on vυimalik kasutada raketisόsteemides. On olemas hulk erineva kontsentratsiooniga segusid, millele saab viidata lόhendiga MONi vυi MONij, kus i ja j on tδisarvud, mis nδitavad lδmmastikoksiidi kaalulist sisaldust protsentides antud segus (nt MON3 sisaldab 3 % lδmmastikoksiidi, MON25 sisaldab 25 % lδmmastiksoksiidi). άlempiiriks on MON40 ehk 40 % lδmmastikoksiidi).

e. VT SΥJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJAS inhibeeritud suitsev lδmmastikhape (IRFNA);

f. VT SΥJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJA JA PUNKTI 1C238 fluorist ja όhest vυi enamast muust halogeenist, hapnikust vυi lδmmastikust koosnevad όhendid.

b. polόmeersed ained:

1. karboksόόl-otsaga polόbutadieen (CTPB);

2. hόdroksόόl-otsaga polόbutadieen (HTPB), muu kui sυjalise otstarbega kaupade nimekirjas nimetatud;

3. polόbutadieen-akrόόlhape (PBAA);

4. polόbutadieen-akrόόlhape-akrόόlnitriil (PBAN);

c. muud raketikόtuse lisandid ja toimeained:

1. VT SΥJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJAS karboraanid, dekaboraanid, pentaboraanid ja nende derivaadid

2. trietόleenglόkooldinitraat (TEGDN);

3. 2-nitrodifenόόlamiin;

4. trimetόόloletaantrinitraat (TMETN);

5. dietόleenglόkooldinitraat (DEGDN);

6. ferrotseeni derivaadid:

a. vt sυjalise otstarbega kaupade nimekirjas: een;

b. etόόlferrotseen;

c. propόόlferrotseen;

d. vt sυjalise otstarbega kaupade nimekirjas: n-butόόlferrotseen;

e. pentόόlferrotseen;

f. ditsόklopentόόlferrotseen;

g. ditsόkloheksόόlferrotseen;

h. dietόόlferrotseen;

i. dipropόόlferrotseen;

j. dibutόόlferrotseen;

k. diheksόόlferrotseen;

l. atsetόόlferrotseenid;

m. vt sυjalise otstarbega kaupade nimekirjas: ferrotseenkarboksόόlhapped;

n. vt sυjalise otstarbega kaupade nimekirjas: butatseen;

o. muud ferrotseeni derivaadid, mida kasutatakse raketikόtuse pυlemiskiiruse modifikaatorina, v.a. sυjalise otstarbega kaupade nimekirjas nimetatud.

Mδrkus: Raketikόtuseid ja raketikόtuste koostisse kuuluvaid kemikaalide kohta, mida ei ole punktis 1C111 nimetatud, vaata sυjalise otstarbega kaupade nimekirja.

1C116 Vanandatud martensiitterased (terased, mida reeglina iseloomustab kυrge nikli- ja vδga madal sόsinikusisaldus ning asenduselementide ja pretsipitaatide kasutamine vanandamise eesmδrgil) lehtede, plaatide ja torude kujul, mille paksus vυi seinapaksus ei όleta 5 mm ning mille tυmbetugevus on 1500 MPa ja rohkem temperatuuril 293 K (+ 20 °C).

NB! VT KA PUNKTI 1C216.

1C117 Volfram, molόbdeen ja nende sulamid samakujuliste sfδδriliste vυi pihustatud osakeste kujul, mille osakeste diameeter ei όleta 500 mikromeetrit, puhtusastmega 97 % vυi rohkem, mis on ette nδhtud rakettmόrskude mootorite komponentide, st soojusekraanide, dόόsipυhimike, dόόsikυride ja tυukevektori juhtimispindade valmistamiseks.

1C118 Titaanstabiliseeritud roostevaba dupleksteras (Ti-DSS), millel on:

a. kυik jδrgmised omadused:

1. sisaldavad 17,0-23,0 massi% kroomi ja 4,5-7,0 massi% niklit;

2. nende titaanisisaldus on όle 0,10 massi%; ja

3. nende raua-austeniidi mikrostruktuur (samuti viidatud kui kahefaasiline mikrostruktuur), millest vδhemalt 10 mahu% on austeniiti (kooskυlas standardi ASTM E-1181-87 vυi vastavate siseriiklike standarditega); ja

b. mis tahes jδrgmine omadus:

1. kangid vυi varvad mυυtmetega 100 mm vυi rohkem igas suunas;

2. lehed laiusega 600 mm vυi rohkem ja paksusega 3 mm vυi vδhem; vυi

3. torud vδlislδbimυυduga 600 mm vυi rohkem ja seinapaksusega 3 mm vυi vδhem.

1C202 Sulamid, muud kui punktis 1C002.b.3 vυi 1C002.b.4 nimetatud:

a. alumiiniumisulamid, millel on mυlemad jδrgmised omadused:

1. tυmbetugevus 460 MPa vυi rohkem temperatuuril 293 K (20 °C); ja

2. torud vυi silindrikujulised tδismaterjalid (sh sepised), mille vδlislδbimυυt on όle 75 mm;

b. titaanisulamid, millel on mυlemad jδrgmised omadused:

1. tυmbetugevus 900 MPa vυi rohkem temperatuuril 293 K (20 °C); ja

2. torud vυi silindrikujulised tδismaterjalid (sh sepised), mille vδlislδbimυυt on όle 75 mm;

Tehniline mδrkus:

Sulam tδhistab antud juhul sulamit enne ja pδrast termotφφtlust.

1C210 Kiud vυi niidid vυi prepregmaterjalid, muud kui punktides 1C010.a, 1C010.b vυi 1C010.e nimetatud:

a. sόsinik- vυi aramiid kiud vυi -niidid , millel on όks jδrgmistest omadustest:

1. erimoodul 12,7 Χ 106 m vυi rohkem; vυi

2. eritυmbetugevus 235 Χ 103 m vυi rohkem;

Mδrkus: Punkt 1C210.a ei hυlma aramiid kiude ja -niite , mis sisaldavad 0,25 massi% vυi rohkem estril pυhinevat kiupinna modifikaatorit;

b. Klaas kiud vυi -niidid , millel on mυlemad jδrgmised omadused:

1. erimoodul 3,18 Χ 106 m vυi rohkem; ja

2. eritυmbetugevus 76,2 Χ 103 m vυi rohkem;

c. temperatuurikindla vaiguga impregneeritud pidevad lυngad, heided, kφisikud ja lindid , mille laius ei όleta 15 mm (prepregmaterjalid) ja mis on valmistatud punktides 1C210.a vυi 1C210.b nimetatud sόsinik- vυi klaaskiududest- vυi -niitidest .

Tehniline mδrkus:

Vaik moodustab siin komposiidi pυhimassi.

Mδrkus: Punktis 1C210 piirduvad kiud ja niidid pidevate monokiudude, lυngade, heiete, kφisikute ja lintidega.

1C216 Vanandatud martensiitteras, muu kui punktis 1C116 nimetatud, mille tυmbetugevus on temperatuuril 293 K (+20 °C) 2050 MPa vυi rohkem.

Mδrkus: Punkt 1C216 ei hυlma detaile, mille όkski lineaarmυυde ei όleta 75 mm.

Tehniline mδrkus:

Vanandatud martensiitteras tδhistab antud juhul vanandatud martentsiitterast enne ja pδrast termotφφtlust.

1C225 Boor, mida on boor-10 isotoobi (10B) suhtes rikastatud όle selle isotoobi looduslikult esineva sisalduse, jδrgmiselt: elementkujul, όhenditena, boori sisaldavate segudena, nendest valmistatud toodetena, kυigi eelkirjeldatute heitmete vυi jδδtmetena.

Mδrkus: Punktis 1C225 boori sisaldavate segude hulka loetakse ka boori sisaldavad materjalid.

Tehniline mδrkus:

Boor-10 looduslik sisaldus on ligikaudu 18,5 massi% (20 aatomprotsenti).

1C226 Volfram, volframkarbiid ja sulamid, mis sisaldavad όle 90 massi% volframi, ja millel on mυlemad jδrgmised omadused:

a. silindrikujulise sόmmeetriaga detailid (sh silindrite segmendid) siselδbimυυduga όle 100 mm, kuid vδhem kui 300 mm; ja

b. kogumass όle 20 kg.

Mδrkus: Punkt 1C226 ei hυlma spetsiaalselt kaaluvihtidena vυi gammakiirguse kollimaatoritena kasutamiseks valmistatud tooteid.

1C227 Kaltsium, millel on mυlemad jδrgmised omadused:

a. sisaldab kaaluliselt vδhem kui 1000 miljondikosa muid metallilisi lisandeid kui magneesium; ja

b. sisaldab kaaluliselt vδhem kui 10 miljondikosa boori.

1C228 Magneesium, millel on mυlemad jδrgmised omadused:

a. sisaldab kaaluliselt vδhem kui 200 miljondikosa muid metallilisi lisandeid kui kaltsium; ja

b. sisaldab kaaluliselt vδhem kui 10 miljondikosa boori.

1C229 Vismut, millel on mυlemad jδrgmised omadused:

a. puhtusaste 99,99 massi% vυi rohkem; ja

b. kaaluline hυbedasisaldus on vδhem kui 10 miljondikosa.

1C230 Berόllium metallina ja sulamitena, mis sisaldavad όle 50 massi% berόlliumi, berόlliumiόhendid, tooted nendest ning nende heitmed vυi jδδtmed.

Mδrkus: Punkt 1C230 ei hυlma jδrgmist:

a. metallaknad rφntgeniseadmetele vυi puuraukude sondidele;

b. oksiidina kas valmistoodete vυi pooltoodete kujul, mis on spetsiaalselt ette nδhtud elektroonika komponentide osadeks vυi elektronlόlituste pυhimikeks;

c. berόll (berόllium- ja alumiiniumsilikaat) smaragdide vυi akvamariinide kujul.

1C231 Hafnium metallina ja sulamitena, mis sisaldavad όle 60 massi% hafniumi, hafniumiόhendid, mis sisaldavad όle 60 massi% hafniumi, tooted nendest ning nende heitmed vυi jδδtmed.

1C232 Heelium-3 (He), vυi seda sisaldavad segud ning tooted ja seadmed, mis neid sisaldavad.

Mδrkus: Punkt 1C232 ei hυlma tooteid ega seadmeid, mis sisaldavad vδhem kui 1 g heelium-3.

1C233 Liitium, mida on liitium-6 isotoobi (6Li) suhtes rikastatud όle selle isotoobi looduslikult esineva sisalduse ning tooted ja seadmed, mis sisaldavad rikastatud liitiumi jδrgmiselt: elementkujul, sulamitena, όhenditena, liitiumi sisaldavate segudena, nendest valmistatud toodetena, kυigi eelkirjeldatute heitmete vυi jδδtmetena.

Mδrkus: Punkt 1C233 ei hυlma termoluminestsentsdosimeetreid.

Tehniline mδrkus:

Liitium-6 looduslik sisaldus on ligikaudu 6,5 massi% (7,5 aatomprotsenti).

1C234 Tsirkoonium, milles hafniumi on kaaluliselt vδhem kui 1 osa hafniumi 500 osa tsirkooniumi kohta jδrgmiselt: tsirkoonium metallina, sulamitena, mis sisaldavad όle 50 massi% tsirkooniumi, όhendid, tooted nendest ning nende heitmed vυi jδδtmed.

Mδrkus: Punkt 1C234 ei hυlma tsirkooniumi fooliumi kujul, mille paksus on 0,10 mm vυi vδhem.

1C235 Triitium, triitiumiόhendid, triitiumi sisaldavad segud, milles triitiumiaatomite suhe vesinikuaatomite suhtes on suurem kui 1:1000, ning neid sisaldavad tooted ja seadmed.

Mδrkus: Punkt 1C235 ei hυlma kaupu ega seadmeid, milles triitiumisisaldus on kuni 1,48 Χ 103 GBq (40 Ci).

1C236 Alfa-aktiivsed radionukliidid, poolestusajaga 10 pδeva vυi rohkem, kuid vδhem kui 200 aastat, jδrgmisel kujul:

a. elementkujul;

b. όhenditena, mille summaarne alfa-aktiivsus on 37 GBq/kg (1 Ci/kg) vυi rohkem;

c. segudena, mille summaarne alfa-aktiivsus on 37 GBq/kg (1 Ci/kg) vυi rohkem;

d. eelnimetatuid sisaldavate toodete vυi seadmetena.

Mδrkus: Punkt 1C236 ei hυlma kaupu ja seadmeid, milles sisalduv alfa-aktiivsus on kuni 3,7 GBq (100 millikόriid).

1C237 Raadium-226 (226Ra), raadium-226 sulamid, raadium-226 όhendid ja segud, mis sisaldavad raadium-226, nendest valmistatud tooted ning neid sisaldavad tooted ja seadmed.

Mδrkus: Punkt 1C237 ei hυlma jδrgmist:

a. Meditsiinilised seadmed;

b. Toode vυi seade, mis sisaldab vδhem kui 0,37 GBq (10 millikόriid) raadium-226.

1C238 Kloortrifluoriid (ClF3 ).

1C239 Brisantlυhkeained, muud kui sυjalise otstarbega kaupade nimekirjas nimetatud, vυi ained vυi segud, mis sisaldavad neid όle 2 massi% ja mille kristalne tihedus on όle 1,8 g/cm3 ja detonatsiooni kiirus όle 8000 m/s.

1C240 Niklipulber vυi poorne (kδsn) nikkel, muu kui punktis 0C005 nimetatud:

a. niklipulber, millel on mυlemad jδrgmised omadused:

1. puhtusaste 99,0 massi% vυi rohkem; ja

2. keskmine osakese suurus alla 10 >ISO_7>μ>ISO_4>m mυυdetuna vastavalt ASTM standardile B330;

b. poorne (kδsn) nikkel, mis on toodetud punktis 1C240.a nimetatud materjalist.

Mδrkus: Punkt 1C240 ei hυlma jδrgmist:

a. kiuline niklipulber;

b. όksikud poorsest niklist lehed pindalaga 1000 cm2 vυi vδhem lehe kohta.

Tehniline mδrkus:

Punktis 1C240.b peetakse silmas poorset metalli, mis saadakse punktis 1C240.a nimetatud materjalide kokkusurumisel ja paagutamisel metalseks materjaliks, mis sisaldab omavahel όhendatud peeneid poore lδbi kogu selle struktuuri.

1C350 Kemikaalid, mida vυidakse kasutada lδhteainena mόrkkemikaalide valmistamisel, ja όht vυi mitut nimetatud kemikaali sisaldavad keemilised segud :

NB! VT KA SΥJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJA JA PUNKTI 1C450.

1. Tiodiglόkool (111-48-8);

2. Fosforoksόkloriid (10025-87-3);

3. Dimetόόlmetόόlfosfonaat (756-79-6);

4. VT SΥJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJAS Metόόlfosfonόόldifluoriid (676-99-3);

5. Metόόlfosfonόόldikloriid (676-97-1);

6. Dimetόόlfosfit (868-85-9);

7. Fosfortrikloriid (7719-12-2);

8. Trimetόόlfosfit (121-45-9);

9. Tionόόlkloriid (7719-09-7);

10. 3-hόdroksό-1-metόόlpiperidiin (3554-74-3);

11. N,N-diisopropόόl-ί-aminoetόόlkloriid (96-79-7);

12. N,N-diisopropόόl-ί-aminoetaantiool (5842-07-9);

13. 3-kinoklidinool (1619-34-7);

14. Kaaliumfluoriid (7789-23-3);

15. 2-kloroetanool (107-07-3);

16. Dimetόόlamiin (124-40-3);

17. Dietόόletόόlfosfonaat (78-38-6);

18. Dietόόl-N,N-dimetόόlfosforamidaat (2404-03-7);

19. Dietόόlfosfit (762-04-9);

20. Dimetόόlamiinhόdrokloriid (506-59-2);

21. Etόόlfosfinόόldikloriid (1498-40-4);

22. Etόόlfosfonόόldikloriid (1066-50-8);

23. VT SΥJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJAS etόόlfosfonόόldifluoriid (753-98-0);

24. Vesinikfluoriid (7664-39-3);

25. Metόόlbensilaat (76-89-1);

26. Metόόlfosfinόόldikloriid (676-83-5);

27. N,N-diisopropόόl-ί-aminoetanool (96-80-0);

28. Pinakolόόlalkohol ( 464-07-3);

29. VT SΥJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJAS O-etόόl-2-diisopropόόlaminoetόόlmetόόlfosfoniit (57856-11-8);

30. Trietόόlfosfit (122-52-1);

31. Arseentrikloriid (7784-34-1);

32. Bensόόlhape ( 76-93-7);

33. Dietόόlmetόόlfosfoniit (15715-41-0);

34. Dimetόόletόόlfosfonaat (6163-75-3);

35. Etόόlfosfinόόldifluoriid (430-78-4);

36. Metόόlfosfinόόldifluoriid (753-59-3);

37. 3-kinoklidoon (3731-38-2);

38. Fosforpentakloriid (10026-13-8);

39. Pinakoloon (75-97-89);

40. Kaaliumtsόaniid (151-50-8);

41. Kaaliumbifluoriid (7789-29-99);

42. Ammooniumvesinikfluoriid (1341-49-7);

43. Naatriumfluoriid (7681-49-4);

44. Naatriumbifluoriid (1333-83-1);

45. Naatriumtsόaniid (143-33-99);

46. Trietanoolamiin (102-71-6);

47. Fosforpentasulfiid (1314-80-3);

48. Diisopropόόlamiin (108-18-9);

49. Dietόόlaminoetanool (100-37-8);

50. Naatriumsulfiid (1313-82-2);

51. Vδδvelmonokloriid (10025-67-9);

52. Vδδveldikloriid (10545-99-0);

53. Trietanoolamiinhόdrokloriid (637-39-8);

54. N,N-diisopropόόl-2-aminoetόόlkloriidhόdrokloriid (4261-68-1);

Mδrkus 1: Keemiarelvade konventsiooniga mitteόhinenud riikidesse eksportimisel ei hυlma punkt 1C350 keemilisi segusid, mis sisaldavad όht vυi mitut punkti 1C350 alapunktides 1, 3, 5, 11, 12, 13, 17, 18, 21, 22, 26, 27, 28, 31, 32, 33, 34, 35, 36 ja 54 nimetatud kemikaali ning milles όkski όksik kemikaal ei moodusta kυnealusest segust όle 10 massi%.

Mδrkus 2: Keemiarelvade konventsiooniga όhinenud riikidesse eksportimisel ei hυlma punkt 1C350 keemilisi segusid, mis sisaldavad όht vυi mitut punkti 1C350 alapunktides 1, 3, 5, 11, 12, 13, 17, 18, 21, 22, 26, 27, 28, 31, 32, 33, 34, 35, 36 ja 54 nimetatud kemikaali ning milles όkski όksik kemikaal ei moodusta kυnealusest segust όle 30 massi%.

Mδrkus 3: Punkt 1C350 ei hυlma keemilisi segusid, mis sisaldavad όht vυi mitut punkti 1C350 alapunktides 2, 6, 7, 8, 9, 10, 14, 15, 16, 19, 20, 24, 25, 30, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52 ja 53 nimetatud kemikaali ning milles όkski όksik kemikaal ei moodusta kυnealusest segust όle 30 massi%.

Mδrkus 4: Punkt 1C350 ei hυlma tarbekaupadena mδδratletavaid tooteid, mis on pakendatud jaemόόgiks isiklikuks kasutamiseks vυi pakendatud όksikisikule kasutamiseks.

1C351 Inimpatogeenid, zoonoosid ja toksiinid :

a. viirused, kas loomulikud, aktiveeritud vυi modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride vυi materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) vυi saastatud jδrgmiste kultuuridega:

1. Chikungunya viirus;

2. Krimmi-Kongo hemorraagilise palaviku viirus;

3. Dengue'i palaviku viirus;

4. Hobuste ida entsefalomόeliidi viirus;

5. Ebola viirus;

6. Hantaani viirus;

7. Junini viirus;

8. Lassa palaviku viirus;

9. Lόmfotsόtaarse koriomeningiidi viirus;

10. Machupo viirus;

11. Marburgi viirus;

12. Ahvide rυugeviirus;

13. Rifti oru palaviku viirus;

14. Puukentsefaliidi viirus / vene kevad-suve entsefaliidi viirus;

15. Variola viirus (ehk tavaline rυugeviirus);

16. Hobuste venetsueela entsefalomόeliidi viirus;

17. Hobuste lδδne entsefalomόeliidi viirus;

18. White-pox 'i viirus;

19. Kollapalaviku viirus;

20. Jaapani entsefaliidi viirus;

21. Kyasanur Foresti haiguse viirus

22. Lammaste (Ήoti) entsefalomόeliidi viirus

23. Murray Valley entsefaliidi viirus;

24. Omski hemorraagilise palaviku viirus;

25. Oropouche'i viirus;

26. Powassani viirus;

27. Rocio viirus;

28. St. Louis'i entsefaliidi viirus;

29. Hendra viirus (hobuste leetriviirus)

30. Lυuna-Ameerika hemorraagilise palaviku viirus (Sabia, Flexal, Guanarito);

31. Kopsu-neerusόndroomiga hemorraagilise palaviku viirused (Sυul, Dobrava, Puumala, Sin Nombre);

32. Nipah viirus.

b. riketsiad, kas loomulikud, aktiveeritud vυi modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride vυi materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) vυi saastatud jδrgmiste kultuuridega:

1. Coxiella burnetii;

2. Bartonella quintana (Rochalimea quintana, Rickettsia quintana);

3. Rickettsia provazekii;

4. Rickettsia rickettsii;

c. Bakterid, kas loomulikud, aktiveeritud vυi modifitseeritud, «isoleeritud eluskultuuride» vυi materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) vυi saastatud jδrgmiste kultuuridega:

1. Bacillus anthracis ;

2. Brucella abortus ;

3. Brucella melitensis;

4. Brucella suis ;

5. Chlamydia psittaci ;

6. Clostridium botulinum ;

7. Francisella tularensis ;

8. Burkholderia mallei (Pseudomonas mallei) ;

9. Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei) ;

10. Salmonella typhi ;

11. Shigella dysenteriae ;

12. Vibrio cholerae ;

13. Yersinia pestis ;

14. Clostridium perfringens , epsilontoksiini produtseerivad tόόbid;

15. Enterohemorraagiline Escherichia coli , serotόόp O157 ja muud verotoksiini produtseerivad serotόόbid.

d. Toksiinid ja nende alarόhmad:

1. Botulismitoksiin;

2. Clostridium perfingens 'i toksiin;

3. Konotoksiin;

4. Ritsiin;

5. Saksitoksiin;

6. Shigatoksiin;

7. Staphylococcus aureus 'e toksiin;

8. Tetrodotoksiin;

9. Verotoksiin;

10. Mikrotsόstiin ( Cyanginosin );

11. Aflatoksiinid;

12. Abrin;

13. Kooleratoksiin;

14. Diatsetoksisksirpenooltoksiin;

15. T-2 toksiin;

16. HT-2 toksiin;

17. Modeksiin;

18. Volkensiin;

19. Viscum album Lectin 1 (viskumiin).

Mδrkus: Punkt 1C351.d. ei hυlma botulismitoksiini vυi konotoksiini toote vormis, mis vastab kυikidele jδrgmistele kriteeriumidele:

1. On farmatseutilised formulatsioonid, mis on mυeldud inimeste meditsiiniliseks raviks;

2. On eelnevalt pakendatud meditsiinitoodetena turustamiseks;

3. On riigi ametiasutuse poolt lubatud turustamiseks meditsiinitoodetena.

Mδrkus: Punkt 1C351 ei hυlma vaktsiine ja immunotoksiine.

1C352 Loompatogeenid:

a. viirused, kas loomulikud, aktiveeritud vυi modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride vυi materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) vυi saastatud jδrgmiste kultuuridega:

1. Sigade aafrika katku viirus;

2. Lindude gripiviirus, mis on:

a. mittekirjeldatud; vυi

b. mδδratletud Eά direktiivis 92/40/Eά (EάT L 16 23.1.1992, lk 19) kui suure patogeensusega viirused:

1. A- tόόpi viirused, mille intravenoosse patogeensuse indeks (IVPI) kuuenδdalalastel tibudel on suurem kui 1,2; vυi

2. A-tόόpi viiruste alatόόbid H5 vυi H7, mille korral nukleotiidide jδrjestusmδδramine nδitab mitmealuseliste aminohapete olemasolu hemaglutiniini lυhestamispiirkonnas;

3. Lammaste katarraalse palaviku viirus;

4. Suu- ja sυrataudi viirus;

5. Kitsede rυugeviirus;

6. Sigade herpesviirus/ Aujeszky haigus;

7. Sigade katku viirus;

8. Lyssa-viirus;

9. Newcastle'i haiguse viirus;

10. Vδikemδletsejate katku viirus;

11. Sigade enteroviirus tόόp 9 (sigade vesikulaarhaiguste viirus);

12. Veisekatku viirus;

13. Lammaste rυugeviirus;

14. Tescheni haiguse viirus;

15. Vesikulaarse stomatiidi viirus;

16. Veiste nodulaarse dermatiidi viirus;

17. Hobuste aafrika katku viirus.

b. mόkoplasma mόkoidid, kas loomulikud, aktiveeritud vυi modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride vυi materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult idustatud vυi saastatud nimetatud mόkoplasma mόkoididega.

Mδrkus: Punkt 1C352 ei hυlma vaktsiine.

1C353 Geneetilised elemendid ja geneetiliselt muundatud organismid:

a. Geneetiliselt muundatud organismid vυi geneetilised elemendid, mis sisaldavad punktis 1C351.a-c, 1C352 vυi 1C354 mδδratletud organismide patogeensusega seotud nukleiinhappejδrjestusi;

b. Geneetiliselt muundatud organismid vυi geneetilised elemendid, mis sisaldavad patogeensusega seotud nukleiinhappejδrjestusi, mis kodeerivad punktis 1C351.d nimetatud mis tahes toksiine vυi nende toksiinide alarόhmasid.

Tehniline mδrkus:

Geneetilised elemendid hυlmavad muu hulgas geneetiliselt muundatud vυi muundamata kromosoome, genoome, plasmiide, transponsoone ja vektoreid.

Mδrkus: Punkt 1C353 ei kehti nukleiinhappejδrjestuste kohta, mis on seotud enterohemorraagilise Escherichia coli (serotόόp O157) ja muude verotoksiini produtseerivate tόvede patogeensusega, vδlja arvatud jδrjestused, mis kodeerivad verotoksiini vυi selle allόhikuid.

1C354 Taimpatogeenid:

a. Viirused, kas loomulikud, aktiveeritud vυi modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride vυi materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) vυi saastatud jδrgmiste kultuuridega:

1. Potato Andean latent tymovirus;

2. Potato spindle tuber viroid;

b. Bakterid, kas loomulikud, aktiveeritud vυi modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride vυi materjalide kujul, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) vυi saastatud jδrgmiste kultuuridega:

1. Xanthomonas albilineans ;

2. Xanthomonas campestris pv. Citri , kaasa arvatud Xanthomonas campestris pv. citri tόόpidele A, B, C, D, E omistatavad tόved vυi teisiti klassifitseerituna Xanthomonas citri, Xanthomonas campestris pv. aurantifolia vυi Xanthomonas campestris pv. citrumelo ;

3. Xanthomonas oryzae pv. Oryzae (Pseudomonas campestris pv. Oryzae) ;

4. Clavibacter michiganensis subsp. Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum vυi Corynebacterium Sepedonicum );

5. Ralstonia solanacearum rassid 2 ja 3 ( Pseudomonas solanacearum rassid 2 ja 3 vυi Burkholderia solanacearum rassid 2 ja 3);

c. Seened, kas loomulikud, aktiveeritud vυi modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride vυi materjalide kujul, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) vυi saastatud jδrgmiste kultuuridega:

1. Colletotrichum coffeanum var. virulans (Colletotrichum kahawae) ;

2. Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae) ;

3. Microcycolus ulei (sόnonόόm Dothidella ulei );

4. Puccinia graminis (sόnonόόm Puccinia graminis f. sp. tritici );

5. Puccinia striiformis (sόnonόόm Puccinia glumarum );

6. Magnaporthe grisea (pyricularia grisea/pyricularia oryzae) .

1C450 Mόrkkemikaalid ja nende lδhteained ning όht vυi mitut nimetatud kemikaali sisaldavad keemilised segud :

NB! VT KA PUNKTE 1C350 JA 1C351.d NING SΥJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJA.

a. mόrkkemikaalid:

1. Amiton: O,O-dietόόl-S-[2-(dietόόlamino) etόόl]fosforotiolaat (78-53-5) ja vastavad alkόόlitud vυi protoneeritud soolad;

2. PFIB: 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-(trifluorometόόl)-1-propeen (382-21-8);

3. VT SΥJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJAS BZ: 3-kinoklidinόόlbensόlaat (6581-06-2);

4. Fosgeen: karbonόόldikloriid (75-44-5);

5. Tsόaankloriid (506-77-4);

6. Vesiniktsόaniid (74-90-8);

7. Kloropikriin: trikloronitrometaan (76-06-2);

Mδrkus 1: Keemiarelvade konventsiooniga mitteόhinenud riikidesse eksportimisel ei hυlma punkt 1C450 keemilisi segusid, mis sisaldavad όht vυi mitut punktides 1C450.a.1 ja 1C450.a.2 nimetatud kemikaali ning milles όkski όksik kemikaal ei moodusta kυnealusest segust όle 1 massi%.

Mδrkus 2: Keemiarelvade konventsiooniga όhinenud riikidesse eksportimisel ei hυlma punkt 1C450 keemilisi segusid, mis sisaldavad όht vυi mitut punktides 1C450.a.1 ja 1C450.a.2 nimetatud kemikaali ning milles όkski όksik kemikaal ei moodusta kυnealusest segust όle 30 massi%.

Mδrkus 3: Punkt 1C450 ei hυlma keemilisi segusid, mis sisaldavad όht vυi mitut punktides 1C450.a.4, 1C450.a.5, 1C450.a.6 ja 1C450.a.7 nimetatud kemikaali ning milles όkski όksik kemikaal ei moodusta kυnealusest segust όle 30 massi%.

b. mόrkkemikaalide lδhteained:

1. kemikaalid, vδlja arvatud sυjalise otstarbega kaupade nimekirjas vυi punktis 1C350 nimetatud, mis sisaldavad fosforiaatomit, millega on seotud όks (normaal- vυi iso-) metόόl-, etόόl- vυi propόόlrόhm, kuid mitte enam sόsinikuaatomeid;

Mδrkus: Punkt 1C450.b.1 ei hυlma jδrgmist: Fonofos: O-etόόl-S-fenόόletόόlfosfonotiolotionaat (944-22-9);

2. N,N-dialkόόl[metόόl, etόόl, n-propόόl- vυi isopropόόl-]-fosforamiidi dihalogeniidid;

3. dialkόόl[metόόl, etόόl, n-propόόl vυi isopropόόl]-N,N-dialkόόl[metόόl, etόόl, n-propόόl vυi isopropόόl]-fosforamidaadid, muud kui punktis 1C350 nimetatud dietόόl-N,N-dimetόόlfosforamidaat;

4. N,N-dialkόόl[metόόl, etόόl, n-propόόl vυi isopropόόl]aminoetόόl-2-kloriidid ja vastavad protoneeritud soolad, muud kui punktis 1C350 nimetatud N,N-diisopropόόl-(beta)-aminoetόόlkloriidhόdrokloriid;

5. N,N-dialkόόl-[metόόl, etόόl, n-propόόl vυi isopropόόl]aminoetaan-2-oolid ja vastavad protoneeritud soolad, muud kui punktis 1C350 nimetatud N,N-diisopropόόl-(beta)-aminoetanool (96-80-0) ja N,N-dietόόlaminoetanool (100-37-8);

Mδrkus: Punkt 1C450.b.5 ei hυlma jδrgmist:

a. N,N-dimetόόlaminoetanool (108-01-0) ja vastavad protoneeritud soolad;

b. N,N-dietόόlaminoetanool ja vastavad protoneeritud soolad (100-37-8);

6. N,N-dialkόόl-[metόόl, etόόl, n-propόόl vυi isopropόόl]aminoetaan-2-tioolid ja vastavad protoneeritud soolad, muud kui punktis 1C350 nimetatud N,N-diisopropόόl-(beta)-aminoetaantiool;

7. etόόldietanoolamiin (139-87-7);

8. metόόldietanoolamiin (105-59-9).

Mδrkus 1: Keemiarelvade konventsiooniga mitteόhinenud riikidesse eksportimisel ei hυlma punkt 1C450 keemilisi segusid, mis sisaldavad όht vυi mitut punktides 1C450.b.1, 1C450.b.2, 1C450.b.3, 1C450.b.4, 1C450.b.5 ja 1C450.b.6 nimetatud kemikaali ning milles όkski όksik kemikaal ei moodusta kυnealusest segust όle 10 massi%.

Mδrkus 2: Keemiarelvade konventsiooniga όhinenud riikidesse eksportimisel ei hυlma punkt 1C450 keemilisi segusid, mis sisaldavad όht vυi mitut punktides 1C450.b.1, 1C450.b.2, 1C450.b.3, 1C450.b.4, 1C450.b.5 ja 1C450.b.6 nimetatud kemikaali ning milles όkski όksik kemikaal ei moodusta kυnealusest segust όle 30 massi%.

Mδrkus 3: Punkt 1C450 ei hυlma keemilisi segusid, mis sisaldavad όht vυi mitut punktides 1C450.b.7 ja 1C450.b.8 nimetatud kemikaali ning milles όkski όksik kemikaal ei moodusta kυnealusest segust όle 30 massi%.

Mδrkus: Punkt 1C450 ei hυlma tarbekaupadena mδδratletavaid tooteid, mis on pakendatud jaemόόgiks isiklikuks kasutamiseks vυi pakendatud όksikisikule kasutamiseks.

1D Tarkvara

1D001 Tarkvara , mis on spetsiaalselt loodud vυi kohandatud punktides 1B001-1B003 nimetatud seadmete arendamiseks, tootmiseks vυi kasutamiseks .

1D002 Tarkvara , mis on ette nδhtud orgaaniliste ja metalliliste pυhimasside , sόsinik pυhimassi laminaatide vυi - komposiitide arendamiseks .

1D101 Tarkvara , mis on spetsiaalselt loodud vυi kohandatud punktis 1B101,1B102, 1B115, 1B117, 1B118 vυi 1B119 nimetatud kaupade kasutamiseks .

1D103 Tarkvara , mis on spetsiaalselt ette nδhtud selliste vδhendatud mδrgatavusega signaalide analόόsiks nagu radarikiirte tagasipeegeldumine, ultraviolett-/infrapuna- vυi akustilised signaalid.

1D201 Tarkvara , mis on spetsiaalselt ette nδhtud punktis 1B201 nimetatud kaupade kasutamiseks.

1E Tehnoloogia

1E001 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia punktides 1A001.b, 1A001.c, 1A002-1A005, 1B vυi 1C nimetatud seadmete vυi materjalide arendamiseks ja tootmiseks .

1E002 Muu tehnoloogia :

a. tehnoloogia polόbensotiasoolide vυi polόbensoksasoolide arendamiseks ja tootmiseks ;

b. tehnoloogia selliste fluoroelastomeerόhendite arendamisek s ja tootmiseks , mis sisaldavad vδhemalt όhte vinόόleetermonomeeri;

c. Tehnoloogia jδrgmiste lδhtematerjalide vυi mitte komposiitsete keraamiliste materjalide tootmiseks :

1. Lδhtematerjalid, millel on kυik jδrgmised omadused:

a. όks jδrgmisest loetelust:

1. tsirkooniumi liht- vυi kompleksoksiidid ja rδni vυi alumiiniumi kompleksoksiidid;

2. boori lihtnitriidid (kuubilise vυrega kristallide kujul);

3. rδni vυi boori liht- vυi komplekskarbiidid; vυi

4. rδni liht- vυi kompleksnitriidid;

b. summaarne metalliliste lisandite hulk, vδlja arvatud spetsiaalselt lisatavad, on vδiksem kui:

1. 1000 miljondikosa lihtoksiidide vυi karbiidide korral; vυi

2. 5000 miljondikosa kompleksόhendite vυi lihtnitriidide korral; ja

c. mis tahes jδrgmiste omadustega:

1. tsirkooniumid, mille keskmine osakeste suurus ei όleta 1 >ISO_7>μ>ISO_4>m ja kuni 10 % osakeste suurus ei όleta 5 >ISO_7>μ>ISO_4>m;

2. muud lδhtematerjalid, mille keskmine osakeste suurus ei όleta 5 >ISO_7>μ>ISO_4>m ja kuni 10 % osakeste suurus ei όleta 10 >ISO_7>μ>ISO_4>m; vυi

3. millel on kυik jδrgmised omadused:

a. liistakud, mille pikkuse ja paksuse suhe όletab 5;

b. niitkristallid, mille pikkuse ja lδbimυυdu suhe όletab 10 lδbimυυtude korral, mis on vδiksemad kui 2 >ISO_7>μ>ISO_4>m; ja

c. pidev vυi tόkeldatud kiud, mille lδbimυυt on vδiksem kui 10 >ISO_7>μ>ISO_4>m;

2. mitte komposiitsed keraamilised materjalid, mis on valmistatud punktis 1E002.c.1 nimetatud materjalidest;

Mδrkus: Punkt 1E002.c.2 ei hυlma tehnoloogiat abrasiivide kavandamiseks vυi tootmiseks.

d. tehnoloogia aromaatsete polόamiidkiudude tootmiseks ;

e. tehnoloogia punktis 1C001 nimetatud materjalide installeerimiseks, hooldamiseks vυi parandamiseks;

f. tehnoloogia punktis 1A002, 1C007.c vυi 1C007.d nimetatud komposiit struktuuride, -laminaatide vυi -materjalide parandamiseks.

Mδrkus: Punkt 1E002.f ei hυlma tehnoloogiat, mis on vajalik tsiviilυhusυidukite tarindite remondiks, kasutades sόsinikkiude ja -niitmaterjale ning epoksόvaike, mis sisalduvad υhusυidukivalmistaja kδsiraamatus.

1E101 Tehnoloogia όldmδrkustele vastav tehnoloogia punktis 1A102, 1B001, 1B101, 1B102, 1B115-1B119, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111-1C117, 1D101 vυi 1D103 nimetatud kaupade kasutamiseks .

1E102 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia punktis 1D001, 1D101 vυi 1D103 nimetatud tarkvara arendamiseks .

1E103 Tehnoloogia temperatuuri, rυhu vυi atmosfδδri reguleerimiseks autoklaavides vυi hόdroklaavides komposiitide vυi osaliselt tφφdeldud komposiitide tootmisel .

1E104 Tehnoloogia pόrolόόtiliselt saadud materjalide tootmiseks , mis on moodustunud valuvormil, spindlil vυi muul alusel lδhtegaasidest, mis lagunevad temperatuurivahemikus 1573 K (1300 °C) kuni 3173 K (2900 C), rυhkudel 130 Pa kuni 20 kPa.

Mδrkus: Punkt 1E104 hυlmab tehnoloogiat lδhtegaaside koostise jaoks, voolukiirusi ja protsessi juhtimise programmi ning parameetreid.

1E201 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia punktis 1A002, 1A202, 1A225-1A227, 1B201, 1B225-1B233, 1C002.a.2.c vυi 1C002.a.2.d, 1C010.b, 1C202, 1C210, 1C216, 1C225-1C240 vυi 1D201 nimetatud kaupade kasutamiseks .

1E202 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia punktis 1A202 vυi 1A225-1A227 nimetatud kaupade arendamiseks vυi tootmiseks .

1E203 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia punktis 1D201 nimetatud tarkvara arendamiseks .

2. KATEGOORIA

MATERJALIDE TΦΦTLEMINE

2A Sόsteemid, seadmed ja komponendid

NB! Mόravabade laagrite kohta vaata sυjalise otstarbega kaupade nimekirja.

2A001 Veerelaagrid ja laagrisόsteemid ning nende komponendid:

Mδrkus: Punkt 2A001 ei hυlma kuule, mille tootja poolt mδδratud tolerantsid ISO 3290 standardi kohaselt vastavad tδpsusklassile 5 vυi on halvemad.

a. kuullaagrid vυi tervikrull-laagrid, mille tootja mδδratletud tolerantsid vastavad ISO 492 tδpsusklassile 4 (vυi ANSI/ABMA Std 20 tδpsusklassile ABEC-7 vυi RBEC-7 vυi vastavatele siseriiklikele normidele) vυi on paremad ja mille veerevυrud ja -kehad on valmistatud monelmetallist vυi berόlliumist;

Mδrkus: Punkt 2A001 ei hυlma koonusrull-laagreid.

b. muud kuullaagrid vυi tervikrull-laagrid, mille tootja mδδratletud tolerantsid vastavad ISO 492 tδpsusklassile 2 (vυi ANSI/ABMA Std 20 tδpsusklassile ABEC-9 vυi RBEC-9 vυi vastavatele siseriiklikele normidele) vυi on paremad;

Mδrkus: Punkt 2A001.b ei hυlma koonusrull-laagreid.

c. aktiivsed magnetlaagrisόsteemid, mis kasutavad mυnda jδrgmistest:

1. materjalid, mille magnetvootihedus on 2,0 T vυi suurem ja voolavuspiir on όle 414 MPa;

2. tδiselektromagnetilised 3D homopolaarsed eelmagneetimiskonstruktsioonid ajamitele; vυi

3. kυrgetemperatuurilised (450 K (117 °C ja kυrgem) asendiandurid.

2A225 Tiiglid, mis on valmistatud vedelatele aktiniidmetallidele vastupidavatest materjalidest:

a. tiiglid, millel on mυlemad jδrgmised omadused:

1. mahutavus 150-8000 cm3; ja

2. valmistatud jδrgmistest materjalidest vυi kaetud mis tahes jδrgmiste materjalidega, mille puhtusaste on 98 massi% vυi rohkem:

a. kaltsiumfluoriid (CaF2 );

b. kaltsiumtsirkonaat (metatsirkonaat) (CaZrO3 );

c. tseeriumsulfiid (Ce2 S3 );

d. erbiumoksiid (Er2 O3 );

e. hafniumoksiid (HfO2 );

f. magneesiumoksiid (MgO);

g. nitriiditud nioobiumi-titaani-volframisulam, mis sisaldab ligikaudu 50 % Nb, 30 % Ti ja 20 % W;

h. όtriumoksiid (Y2 O3 ); vυi

i. tsirkooniumoksiid (ZrO2 );

b. tiiglid, millel on mυlemad jδrgmised omadused:

1. mahutavus 50-2000 cm3; ja

2. valmistatud tantaalist vυi kaetud tantaaliga, mille puhtusaste on 99,9 massi% vυi rohkem;

c. tiiglid, millel on kυik jδrgmised omadused:

1. mahutavus 50-2000 cm3;

2. valmistatud tantaalist vυi kaetud tantaaliga, mille puhtusaste on 98 massi% vυi rohkem; ja

3. kaetud tantaalkarbiidi, -nitriidi vυi -boriidiga vυi nende kombinatsiooniga.

2A226 Klapid, millel on kυik jδrgmised omadused:

a. nimisuurus 5 mm vυi rohkem;

b. omab lυυtstihendit; ja

c. valmistatud vυi kaetud alumiiniumiga, alumiiniumisulamiga, nikliga vυi niklisulamiga, mis sisaldab 60 massi% vυi rohkem niklit.

Tehniline mδrkus:

Erinevate sisendava ja vδljundava lδbimυυtudega klappide korral tδhistab punktis 2A226 nimimυυt vδikseimat lδbimυυtu.

2B Testimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed

Tehnilised mδrkused:

1. Tδiendavaid paralleelseid kontuurtelgesid (nt horisontaalsete karussellsisetreipinkide w-telg vυi teisene pφφrdtelg, mille pφφrlemistelg on paralleelne pυhitelje pφφrlemisteljega) ei loeta kontuurtelgede koguhulka. Pφφrdteljed ei pea pφφrlema όle 360°. Pφφrdtelge vυib pφφrlema panna lineaarseade (nt tigu- vυi hammaslattajam).

2. Nende telgede arv, mida vυib samaaegselt koordineerida kontuurjuhtimiseks punkti 2B tδhenduses, on telgede arv, mis mυjutavad mis tahes tφφdeldava detaili vυi tφφriista, lυikepea vυi lihvimisketta, millega lυigatakse vυi eemaldatakse ainet tφφdeldavalt detaililt, omavahelist suhtelist liikumist. Sinna hulka ei loeta lisatelgi, mis mυjutavad muid suhtelisi liikumisi seadmes.

Niisugused teljed hυlmavad:

a. lihvimisketaste rihtimissόsteemi lihvmasinaid;

b. paralleelseid pφφrdtelgesid, mis on kavandatud eraldi asuvate tφφdeldavate detailide paigaldamiseks;

c. kolineaarseid pφφrlevaid abitelgesid, mis on kavandatud sama tφφdeldava detaili kδsitsemiseks, hoides seda kinni erinevatest punktidest.

3. Telgede nimestik peab olema vastavuses rahvusvahelise standardiga ISO 841 Numerical Control Machines - Axis and Motion Nomenclature (numbrilised juhtimismasinad - telje ja liikumise nimestik).

4. Punktide 2B001-2B009 tδhenduses loetakse kaldvυll pφφrdteljeks.

5. ISO 230/2 (1988)(1) vυi vastava siseriikliku standardi kohaselt sooritatud mυυtmiste pυhjal kindlaksmδδratud positsioneerimise tδpsusastmeid vυib kasutada iga konkreetse tφφpingimudeli puhul eraldi iga tφφpingi katsetamise asemel. Kindlaksmδδratud positsioneerimistδpsus tδhendab tδpsuse vδδrtust, mis on ette nδhtud selle asukohaliikmesriigi pδdevate asutuste jaoks, kus eksportija tφφpingi mudeli tδpsuse esindajana asub.

Kindlaksmδδratud vδδrtuste mδδramine.

a. valida viis tφφpinki hinnatavast mudelist;

b. mυυta lineaartelje tδpsused vastavalt ISO 230/2 (1988)-le; (2)

c. mδδrata iga tφφpingi iga telje A-vδδrtused. A-vδδrtuse arvutamine on kirjeldatud ISO standardis;

d. mδδrata iga telje A-vδδrtuste keskvδδrtus. Sellest keskvδδrtusest Β saab uuritava mudeli iga telje kindlaksmδδratud vδδrtus (Βx Βy...);

e. kuna 2. kategooria nimekiri viitab igale lineaarsele teljele eraldi, siis on kindlaksmδδratud vδδrtusi sama palju kui lineaarseid telgi;

f. kui mυni sellise tφφpingi mudeli telg, mis ei ole kontrollitud punktide 2B001.a-2B001.c vυi 2B201-ga, omab kindlaksmδδratud tδpsust Β 6 mikronit lihvimispinkidel ja 8 mikronit frees- ja treipinkidel vυi paremat, peab valmistaja kinnitama tδpsusastet kord kaheksateistkόmne kuu jooksul.

2B001 Tφφpingid ja nende kombinatsioonid metallide, keraamika ja komposiitide tφφtlemiseks (vυi lυikamiseks), mis vastavalt tootja tehnilisele spetsifikatsioonile vυivad olla varustatud elektroonsete arvjuhtimisseadmetega, ja spetsiaalselt nende jaoks ettenδhtud komponendid:

NB! VT KA PUNKTI 2B201.

Mδrkus 1: Punkt 2B001 ei hυlma eriotstarbelisi tφφpinke, mida kasutatakse όksnes hammasrataste valmistamiseks. Selliste tφφpinkide kohta vt punkti 2B003.

Mδrkus 2: 2B001 ei hυlma eriotstarbelisi tφφpinke, mida kasutatakse όksnes jδrgmiste detailide tootmiseks:

a. vδntvυllid vυi nukkvυllid;

b. tφφriistad vυi lυiketerad;

c. pressi tiguvυll;

d. graveeritud vυi lihvitud juveeltooted.

Mδrkus 3: Tφφpinke, millel on vδhemalt kaks kolmest vυimalusest - treimise, freesimise vυi lihvimise vυimalus (nt. treipink, millel on ka freesimise vυimalus) tuleb hinnata kυigi kohaldatavate punktide 2B001.a., 2B001.b. vυi 2B001.c. jδrgi.

a. Treipingid, millel on kυik jδrgmised omadused:

1. positsioneerimistδpsus koos kυigi olemasolevate kompensatsioonidega on vυrdne vυi vδiksem (parem) kui 6 >ISO_7>μ>ISO_4>m (mυυdetuna piki mis tahes lineaartelge) vastavalt ISO standardile 230/2 (1988)(3) vυi vastavatele siseriiklikule standarditele; ja

2. kaks vυi enam telge, mida vυib όheaegselt koordineerida kontuurjuhtimiseks ;

Mδrkus: Punkt 2B001.a ei hυlma treipinke, mis on spetsiaalselt ette nδhtud kontaktlδδtsede valmistamiseks.

b. freespingid, millel on όks jδrgmistest omadustest:

1. mille on kυik jδrgmised omadused:

a. positsioneerimistδpsus koos kυigi olemasolevate kompensatsioonidega on vυrdne vυi vδiksem (parem) kui 6 >ISO_7>μ>ISO_4>m (mυυdetuna piki mis tahes lineaartelge) vastavalt ISO standardile 230/2 (1988)(4) vυi vastavatele siseriiklikele standarditele; ja

b. kolm lineaarset telge ja όks pφφrlemistelg, mida saab όheaegselt koordineerida kontuurjuhtimiseks.

2. viis vυi enam telge, mida saab όheaegselt koordineerida kontuurjuhtimiseks ; vυi

3. koordinaatpuurpinkide positsioneerimistδpsus, mis koos kυigi olemasolevate kompensatsioonidega on vυrdne vυi vδiksem (parem) kui 4 >ISO_7>μ>ISO_4>m (mυυdetuna piki mis tahes lineaartelge) vastavalt ISO standardile 230/2 (1988)(5) vυi vastavatele siseriiklikule standarditele;

4. lendteraga lυikeseadmed, millel on kυik jδrgmised omadused:

a. peavυlli aksiaallυtku ja viskumise koguvδδrtus on vδiksem (parem) kui 0,0004 mm (TIR); ja

b. liugliikumise nurkhδlvete (vυnkumine risti- ja pikisuunas ning pφφrdliikumine) koguvδδrtus 300 mm teekonnal on vδiksem (parem) kui 2 kaaresekundit (TIR).

c. lihvimispingid, millel on jδrgmised omadused:

1. millel on kυik jδrgmised omadused:

a. positsioneerimistδpsus koos kυigi olemasolevate kompensatsioonidega on vυrdne vυi vδiksem (parem) kui 4 >ISO_7>μ>ISO_4>m (mυυdetuna piki mis tahes lineaartelge) vastavalt ISO standardile 230/2 (1988)(6) vυi vastavatele siseriiklikule standarditele; ja

b. kolm vυi enam telge, mida saab όheaegselt koordineerida kontuurjuhtimiseks ; vυi

2. viis vυi enam telge, mida saab όheaegselt koordineerida kontuurjuhtimiseks;

Mδrkus: Punkt 2B001.c ei hυlma jδrgmisi lihvimispinke:

1. silindriliste vδlis-, sise- ja vδlis-sisepindade lihvimispingid jδrgmiste omadustega:

a. ainult silindriliste pindade lihvimiseks; ja

b. tφφdeldava detaili maksimaalne vδlislδbimυυt vυi pikkus vυib olla 150 mm.

2. tφφpingid, mis on spetsiaalselt kavandatud koordinaatlihvimispinkideks ja millel on jδrgmised omadused:

a. C-telge kasutatakse lihvimisketta hoidmiseks risti tφφpinnaga; vυi

b. A-telg on konfigureeritud lihvima silindernukke.

3. pinnalihvimispingid.

d. juhtmeteta elektroerosioonpingid (EDM), millel on kaks vυi enam pφφrdtelge, mida saab όheaegselt koordineerida kontuurjuhtimiseks;

e. tφφpingid metallide, keraamika ja komposiitide eemaldamiseks, mille on kυik jδrgmised omadused:

1. kasutavad materjalide eemaldamiseks όht jδrgmistest moodustest:

a. vee- vυi muude vedelike joad, kaasa arvatud need, mis sisaldavad abrasiivlisandeid;

b. elektronkiir; vυi

c. laserkiir; ja

2. millel on kaks vυi enam pφφrdtelge:

a. mida saab όheaegselt kontuurjuhtimiseks koordineerida; ja

b. mille positsioneerimistδpsus on vδiksem (parem) kui 0,003°;

f. puurpingid sόgavate aukude puurimiseks ning sόgavate aukude puurimiseks kohandatud treipingid, mis vυimaldavad puuritava augu maksimaalseks sόgavuseks 5000 mm ja enam, ning spetsiaalselt nende jaoks ettenδhtud komponendid.

2B002 Arvjuhtimisega tφφpingid, mis kasutavad magneto-reoloogilist [W] viimistlusprotsessi ( magnetorheological finishing process ) (MRF).

Tehniline mδrkus:

Punkti 2B002 tδhenduses on MRF materjali eemaldamise protsess, milles kasutatakse abrasiivset magnetilist vedelikku, mille viskoossust reguleerib magnetvδli.

2B003 Arv- ja kδsi juhtimisega tφφpingid ning spetsiaalselt nende jaoks ettenδhtud komponendid, juhtimis- ja lisaseadmed, mis on ette nδhtud karastatud (Rc  = 40 vυi enam), sirghammastega silinderrataste, kaldhammasrataste ja noolhammasrataste, mille jaotusringjoone lδbimυυt on suurem kui 1250 mm ning mille hamba tφφpinna laius on 15 % jaotusringjoone lδbimυυdust vυi enam ning mis on viimistletud AGMA 14 vυi parema kvaliteediga (vυrdne ISO 1328 klass 3-ga), lυikamiseks, viimistlemiseks, lihvimiseks vυi hoonimiseks.

2B004 Kuumis ostaatpressid ning spetsiaalselt nende jaoks ettenδhtud komponendid ja lisaseadmed, millel on kυik jδrgmised omadused:

NB! VT KA PUNKTE 2B104 JA 2B204.

a. termiliselt kontrollitav keskkond suletud tφφkambris ning kambri siselδbimυυt on 406 mm vυi rohkem; ja

b. mis tahes jδrgmistest:

1. maksimaalne tφφrυhk όle 207 MPa;

2. kontrollitava termilise keskkonna temperatuur όle 1773 K (1500 °C); vυi

3. vυimalus sόsivesinikega impregneerimiseks ja tekkivate gaasiliste lagunemisproduktide eemaldamiseks.

Tehniline mδrkus:

Kambri sisemυυde tδhendab kambri selle osa mυυte, milles saavutatakse samaaegselt nii tφφtemperatuur kui ka tφφrυhk, ning siia ei arvestata kinnitusrakiseid. See mυυde on vδiksem kas rυhukambri sisediameetrist vυi isoleeritud ahju sisediameetrist, sυltuvalt sellest, kumb kahest eespool nimetatud kambrist asub teise sees.

NB! Spetsiaalselt konstrueeritud stantside, valuvormide ning tφφriistade kohta vaata punkte 1B003, 9B009 ja sυjalise otstarbega kaupade nimekirja.

2B005 Seadmed, mis on spetsiaalselt ette nδhtud anorgaaniliste kihtide, pinnakatete ja pinna modifikatsioonide sadestamiseks ja tφφtlemiseks mitteelektroonsetele pυhimikele ning protsessi kδigu kontrollimiseks selliste menetluste abil, mis on esitatud punkti 2E003.f tabelis ja mδrkustes ning spetsiaalselt nende seadmete automaatseks kasutamiseks, positsioneerimiseks, kδsitsemiseks ja kontrolliks kavandatud komponendid:

a. programmeeritavad keemilise aurustamise-sadestamise (CVD) seadmed, millel on kυik jδrgmised omadused:

NB! VT KA PUNKTI 2B105.

1. όhe jδrgneva modifitseeritud protsessi kasutamine:

a. CVD-katmine pulseeriva rυhu juures;

b. kontrollitud idustamisega termiline sadestamine (CNTD); vυi

c. plasmaaktiveeritud vυi plasma osalusel CVD; ja

2. mis tahes jδrgmistest:

a. kasutatakse pφφrlevaid kυrgvaakumtihendeid (rυhk 0,01 Pa vυi vδhem); vυi

b. protsessi kδigus kontrollitakse pidevalt katte paksust reaalajas ( in situ );

b. programmeeritavad ioonlegeerimisseadmed, milles ioonivoo vool on 5 mA vυi rohkem;

c. programmeeritavad elektronkiire abil toimuva aurustamise-sadestamise (EB-PVD) seadmed nimivυimsusega kokku όle 80 kW, millel on όks jδrgmistest omadustest:

1. vannis vedelikutaseme laser kontrollisόsteem, mis reguleerib tδpselt kangide sφφtmiskiirust; vυi

2. arvuti abil juhitav kiirusemonitor, mis kontrollib kaht vυi enamat elementi sisaldava katte sadestamise kiirust ning toimib auruvoos ioniseeritud aatomite fotoluminestsentsi mυυtmise pυhimυttel.

d. programmeeritavad plasmapihustusseadmed, millel on jδrgmised omadused:

1. protsess viiakse lδbi madalal rυhul kontrollitavas atmosfδδris (10 kPa vυi vδhem, mυυdetuna kahuri vδljunddόόsi kohal 300 mm piirides) vaakumkambris, milles on vυimalik vδhendada rυhku kuni 0,01 Pa enne pihustamisprotsessi algust; vυi

2. protsessi kδigus kontrollitakse pidevalt katte paksust reaalajas ( in situ );

e. programmeeritavad atomisatsioonsadestusseadmed, mis vυimaldavad voolutihedust 0,1 mA/mm2 vυi rohkem sadestuskiirusel 15 >ISO_7>μ>ISO_4>m/h vυi rohkem;

f. programmeeritavad katoodsadestusseadmed, mis sisaldavad elektromagnetitest vυret kaare otspunkti juhtimiseks katoodil;

g. programmeeritavad ioonpindamisseadmed, mis vυimaldavad protsessi kδigus pidevalt reaalajas ( in situ ) mυυta όkskυik kumba jδrgmistest:

1. kattekihi paksus pυhimikul ja sadestuskiirus; vυi

2. optilised omadused.

Mδrkus: Punkt 2B005 ei hυlma keemilise aurustamise-sadestamise, katoodsadestuse, atomisatsioonsadestuse, ioonpindamise vυi ioonlegeerimise seadmeid, mis on spetsiaalselt kavandatud lυikamis- vυi tφφriistade jaoks.

2B006 Mυυtmelised kontrolli- vυi mυυtesόsteemid ja -seadmed:

a. arvutiga juhitavad, arvjuhitavad vυi programmeeritavad koordinaatmυυtemasinad (CMM), millel kolmemυυtmeline (ruumiline) lubatud piirviga (MPEE ) on masina tφφpiirkonna igas punktis (st telgede pikkuse ulatuses) vυrdne vυi vδiksem (parem) kui (1,7 + L/1000) >ISO_7>μ>ISO_4>m (L on mυυdetud pikkus millimeetrites), mυυtes vastavalt ISO standardile 10360-2 (2001);

NB! VT KA PUNKTI 2B206.

b. lineaarse ja nurknihke mυυtevahendid:

1. lineaarnihke mυυtevahendid, millel on mis tahes jδrgmised omadused:

Tehniline mδrkus:

Punktis 2B006.b.1 tδhendab lineaarnihe mυυtepea ja mυυdetava objekti vahelise kauguse muutust.

a. mittekontakt-tόόpi mυυtesόsteemid, mille eraldusvυime on kuni 0,2 mm mυυtepiirkonnas 0,2 >ISO_7>μ>ISO_4>m vυi vδhem (parem);

b. lineaarpinge diferentsiaaltransformaatorsόsteemid, millel on kυik jδrgmised omadused:

1. lineaarsus on 0,1 % vυi vδhem (parem) kuni 5mm mυυtepiirkonnas; ja

2. triiv on vδiksem (parem) kui 0,1 % pδevas vυi sellega vυrdne kontrollruumi standardtemperatuuri kυikumisel ± 1K; vυi

c. mυυtesόsteemid, millel on kυik jδrgmised omadused:

1. sisaldavad laserit ; ja

2. sδilitavad vδhemalt 12 tunni jooksul standardtemperatuuri kυikumisel ± 1 K ja standardrυhul kυik jδrgmised omadused:

a. eraldusvυime mυυteskaala tδisulatuses 0,1 >ISO_7>μ>ISO_4>m vυi vδhem (parem); ja

b. mυυtehδlve on (0,2+L/2 000) >ISO_7>μ>ISO_4>m (L on mυυdetud pikkus millimeetrites) vυi sellest vδiksem (parem);

Mδrkus: Punkt 2B006.b.1 ei hυlma interferomeetrilisi mυυtesόsteeme, millel puudub avatud vυi suletud tagasisideahel, ja mis sisaldavad laserit tφφpingi, mυυtekontrollimehhanismide vυi sarnaste seadmete nihkuri liikumise vigade mυυtmiseks.

2. nurknihke mυυtevahendid, mille mυυtehδlve on 0,00025° vυi vδhem (parem);

Mδrkus: Punkt 2B006.b.2 ei hυlma optilisi seadmeid, nagu autokollimaatorid, mis kasutavad kollimeeritud valgust (nt laservalgust) peegli nurknihke mδδramiseks.

c. seadmed pinna ebakorrapδrasuste mυυtmiseks, mis mυυdavad optilist hajumist nurga funktsioonina, tundlikkusega 0,5 nm vυi vδhem (parem).

Mδrkus: Tφφpingid, mida vυib kasutada mυυtemehhanismidena, kuuluvad kontrolli alla, kui nad vastavad vυi όletavad tφφpinkide vυi mυυtemehhanismide funktsioonidele kindlaksmδδratud kriteeriume.

2B007 Robotid , millel on jδrgmised tehnilised omadused, ning spetsiaalselt nende jaoks ettenδhtud juhtimisseadmed ja tφφorganid:

NB! VT KA PUNKTI 2B207.

a. on vυimelised kolmemυυtmelise kujutise tδielikuks tφφtluseks vυi vaadeldava ruumilise tφφala koos objektidega (stseeni ) tδielikuks kolmemυυtmeliseks analόόsiks reaalajas, et genereerida vυi teisendada programme vυi et genereerida vυi teisendada programmi arvandmeid.

Tehniline mδrkus:

Stseenianalόόsi piirang ei haara kolmanda mυυtme lδhendusi, kui vaadatakse antud nurga all, vυi piiratud hallskaala tυlgendusi sόgavuse vυi tekstuuri tajumiseks heakskiidetud όlesannete jaoks (21/2 D).

b. on spetsiaalselt projekteeritud rahuldama siseriiklikke ohutusnorme, mida kohaldatakse plahvatusohtliku sυjamoona όmbruses;

c. on spetsiaalselt projekteeritud vυi liigitatud kiirgustkestvana, vυimelisena taluma summaarset kiirgusdoosi 5 Χ 103 Gy (rδni) vυi suuremat, ilma toimimisvυime languseta; vυi

Tehniline mδrkus:

Termin « Gy (rδni)» tδhistab όhes kilogrammis ekraneerimata rδniproovis seda ioniseeriva kiirgusega kiiritamisel neeldunud energiahulka dΎaulides.

d. spetsiaalselt ette nδhtud tφφtama kυrgemal kui 30000 m.

2B008 Agregaadid vυi moodulid, mis on spetsiaalselt ette nδhtud tφφpinkide jaoks, vυi mυυtmelised kontrolli- vυi mυυtesόsteemid ja -seadmed:

a. lineaarasendi tagasiside moodulid, (nt induktiivanduriga seadmed, kalibreerimisskaalad, infrapuna- ja lasersόsteemid ), mille όldine tδpsus on vδiksem (parem) kui (800 + (600 Χ L Χ 10 -3)) nm (L on vυrdne efektiivpikkusega mm-s);

NB! Lasersόsteemide kohta vaata ka mδrkust punktis 2B006.b.1.

b. pφφrdasendi tagasiside moodulid (nt induktiivanduriga seadmed, kalibreerimisskaalad, infrapuna- ja lasersόsteemid), mille tδpsus on vδiksem (parem) kui 0,00025°;

NB! Lasersόsteemide kohta vaata ka mδrkust punktis 2B006.b.1.

c. liitpφφrdlauad ja kaldvυllid , mis vυimaldavad metallilυikepinke vastavalt tootja spetsifikatsioonidele tδiustada, saavutades vυi όletades punktis 2B kirjeldatud taseme.

2B009 Trugimis- ja tυukamispingid, mis vastavalt tootja tehnilisele kirjeldusele vυivad olla varustatud arvjuhtimis mooduliga vυi arvutijuhtimisega ja millel on kυik jδrgmised omadused:

NB! VT KA PUNKTE 2B109 JA 2B209.

a. kahe vυi enama juhitava teljega, millest vδhemalt kaht on vυimalik όheaegselt kontuurjuhtimiseks koordineerida; ja

b. valtsimisjυud όle 60 kN.

Tehniline mδrkus:

Tφφpinke, milles on όhendatud nii trugimise kui ka tυukamise pυhimυtted, kδsitletakse punkti 2B009 tδhenduses tυukamispinkidena.

2B104 Isostaatpressid , muud kui punktis 2B004 nimetatud, millel on kυik jδrgmised omadused:

NB! VT KA PUNKTI 2B204.

a. maksimaalne tφφrυhk 69 MPa vυi suurem;

b. konstrueeritud reguleeritava soojusliku 873 K (600 °C) vυi kυrgema temperatuurilise keskkonna saavutamiseks ning sδilitamiseks; ja

c. kambriυυnsuse siselδbimυυt on 254 mm vυi rohkem.

2B105 Keemilise aurustamise-sadestamise (CVD) ahjud, muud kui punktis 2B005.a nimetatud, mis on kavandatud vυi kohandatud sόsinik-sόsinik-komposiitide tihendamiseks.

2B109 Tυukamispingid, muud kui punktis 2B009 nimetatud, ja spetsiaalselt nende jaoks ettenδhtud komponendid:

NB! VT KA PUNKTI 2B209.

a. tυukamispingid, millel on kυik jδrgmised omadused:

1. vastavalt tootja tehnilisele kirjeldusele vυivad olla varustatud arvjuhtimismooduli vυi arvutijuhtimisega ka siis, kui nad seda algselt ei ole; ja

2. kahe vυi enama juhitava teljega, millest vδhemalt kaht on vυimalik όheaegselt kontuurjuhtimiseks koordineerida.

b. spetsiaalselt punktis 2B009 vυi 2B109.a nimetatud tυukamispinkide jaoks konstrueeritud komponendid.

Mδrkus: Punkt 2B109 ei hυlma masinaid, mis ei ole kasutatavad tυukemootori komponentide ja seadmete (nt mootorikestad) tootmiseks punktis 9A005, 9A007.a vυi 9A105.a nimetatud sόsteemidele.

Tehniline mδrkus:

Tφφpinke, milles on όhendatud nii trugimise kui ka tυukamise pυhimυtted, kδsitletakse punkti 2B009 tδhenduses tυukamispinkidena.

2B116 Vibratsiooni katsetamise sόsteemid, seadmed ja komponendid:

a. vibratsiooni katsetamise sόsteemid, milles kasutatakse tagasisidet vυi suletud ahela tehnikat ja mis sisaldab numbrilist kontrollerit ning on vυimeline vδristama sόsteemi kiirendusega 10 g (ruutkeskmine vδδrtus) vυi rohkem sagedusvahemikus 20-2000Hz ja tekitada jυudu 50 kN vυi rohkem, mυυdetuna tόhjal aluslaual;

b. digitaalkontrollerid, mis on varustatud spetsiaalse vibratsioonikatsetuste tarkvaraga, mille reaalajaline ribalaius on όle 5 kHz ja mis on ette nδhtud punktis 2B116.a nimetatud vibratsiooni katsetamise sόsteemidele;

c. vδristajad (raputusmoodulid), vυimenditega vυi ilma, mis vυimaldavad tekitada jυudu 50 kN vυi rohkem, mυυdetuna tόhjal aluslaual , ning on kasutatavad punktis 2B116.a nimetatud vibratsiooni katsetamise sόsteemides;

d. katsekehade toetustarindid ja elektroonikamoodulid, mis on ette nδhtud paljude raputusmoodulite kombineerimiseks sόsteemi, mis vυimaldab saavutada efektiivset kombineeritud jυudu 50 kN vυi rohkem, mυυdetuna tόhjal aluslaual , ning on kasutatavad punktis 2B116.a nimetatud vibratsioonisόsteemides.

Tehniline mδrkus:

Punktis 2B116 tδhendab tόhi laud tasast lauda vυi pinda, millel puuduvad kinnitusrakised ja abidetailid.

2B117 Seadmete ja protsesside juhtimissόsteemid, muud kui punktis 2B004, 2B005.a, 2B104 vυi 2B105 nimetatud, mis on kavandatud vυi kohandatud raketidόόside ja atmosfδδri taassisenevate lennuaparaatide ninamike otste struktuurkomposiitide tihendamiseks ja pόrolόόsiks.

2B119 Jδrgmised balansseerpingid ja nendega seotud seadmed:

NB! VT KA PUNKTI 2B219.

a. balansseerpingid, millel on kυik jδrgmised omadused:

1. ei suuda tasakaalustada rootoreid/sυlmi, mille mass on suurem kui 3 kg;

2. on vυimelised tasakaalustama rootoreid/sυlmi suurematel kiirustel kui 12500 p/min;

3. on vυimelised korrigeerima tasakaalustamatust kahel vυi rohkemal tasandil; ja

4. on vυimelised tasakaalustama spetsiifilise jδδktasakaalustamatuseni 0,2 g mm kilogrammi rootori massi kohta;

Mδrkus: Punkt 2B119 ei hυlma balansseerpinke, mis on kavandatud vυi kohandatud hambaravi- vυi muudeks meditsiiniseadmeteks.

b. indikaatorite pead, mis on kavandatud vυi kohandatud kasutamiseks punktis 2B119.a nimetatud masinatel.

Tehniline mδrkus:

Indikaatorite pead on mυnel juhul tuntud tasakaalustusseadmestikuna.

2B120 Liikumissimulaatorid vυi pφφrlemislauad, millel on kυik jδrgmised omadused:

a. kaks vυi rohkem telge;

b. kontaktrυngad, mis on vυimelised edasi kandma elektrienergiat ja/vυi informatsiooni signaale; ja

c. mis tahes jδrgmise omadusega:

1. mis tahes όksikul teljel on kυik jδrgmised omadused:

a. vυimaldavad kiirust 400 kraadi sekundis vυi rohkem vυi 30 kraadi sekundis vυi vδhem; ja

b. nurkkiiruse eristamisvυime on 6 kraadi sekundis vυi vδhem ja tδpsus 0,6 kraadi sekundis vυi vδhem;

2. halvimal juhul on kiiruse stabiilsus vυrdne vυi parem (vδhem) kui pluss vυi miinus 0,05 % keskmistatuna όle 10 kraadi vυi enama; vυi

3. positsioneerimistδpsus on 5 kaaresekundit vυi rohkem.

Mδrkus: Punkt 2B120 ei hυlma pφφrlemislaudu, mis on konstrueeritud vυi kohandatud tφφpinkide vυi meditsiiniseadmete jaoks. Tφφpinkide pφφrlemislaudade kontrolli kohta vaata punkti 2B008.

2B121 Positsioneerimislauad (seadmed, mis vυimaldavad tδpset positsioneerimist mis tahes pφφrdteljel), muud kui punktis 2B120 nimetatud, millel on kυik jδrgmised omadused:

a. kaks vυi rohkem telge; ja

b. positsioneerimistδpsus on 5 kaaresekundit vυi rohkem.

Mδrkus: Punkt 2B121 ei hυlma pφφrlemislaudu, mis on konstrueeritud vυi kohandatud tφφpinkide vυi meditsiiniseadmete jaoks. Tφφpinkide pφφrlemislaudade kontrolli kohta vaata punkti 2B008.

2B122 Tsentrifuugid, mis on vυimelised tekitama kiirendusi όle 100 g ja millel on kontaktrυngad, mis vυimaldavad elektrienergiat ja informatsiooni signaale edasi kanda.

2B201 Tφφpingid, muud kui punktis 2B001 nimetatud, metallide, keraamika ja komposiitide tφφtlemiseks vυi lυikamiseks, mis vastavalt tootja tehnilisele kirjeldusele vυivad olla varustatud elektronseadmetega kahel vυi enamal teljel όheaegseks kontuurjuhtimiseks

a. freespingid, millel on όks jδrgmistest omadustest:

1. positsioneerimistδpsus koos kυigi olemasolevate kompensatsioonidega on vυrdne vυi vδiksem (parem) kui 6 >ISO_7>μ>ISO_4>m (mυυdetuna piki mis tahes lineaartelge) vastavalt ISO standardile 230/2 (1988)(7) vυi vastavatele siseriiklikule standarditele; vυi

2. kaks vυi enam kontuurjuhitavat pφφrlevat telge

Mδrkus: Punkt 2B201 ei hυlma jδrgmiste omadustega freespinke:

a. X-telje kδigupikkus on suurem kui 2 m; ja

b. X-telje όldine positsioneerimistδpsus on suurem (halvem) kui 30 >ISO_7>μ>ISO_4>m.

b. lihvimispingid, millel on jδrgmised omadused:

1. positsioneerimistδpsus koos kυigi olemasolevate kompensatsioonidega on vυrdne vυi vδiksem (parem) kui 4 >ISO_7>μ>ISO_4>m (mυυdetuna piki mis tahes lineaartelge) vastavalt ISO standardile 230/2 (1988)(8) vυi vastavatele siseriiklikele standarditele; vυi

2. kaks vυi enam kontuurjuhitavat pφφrlevat telge

Mδrkus: Punkt 2B201.b ei hυlma jδrgmisi lihvimispinke:

a. silindriliste vδlis-, sise- ja vδlis-sisepindade lihvimispingid jδrgmiste omadustega:

1. ainult silindriliste pindade lihvimiseks;

2. tφφdeldava detaili maksimaalne vδlislδbimυυt vυi pikkus vυib olla 150 mm;

3. mitte όle kahe telje, mida vυib όheaegselt koordineerida kontuurjuhtimiseks; ja

4. C-teljeliselt ei ole kontuurjuhitav;

b. koordinaatlihvimispingid, millel on vaid x-, y-, c- ja a- telg ning kus c-telge kasutatakse lihvimisketta hoidmiseks risti tφφpinnaga ja a-telg on konfigureeritud silindernukkide lihvimiseks;

c. tφφriistade vυi lυiketerade lihvimispingid tarkvaraga, mis on spetsiaalselt loodud tφφriistade vυi lυiketerade tootmiseks; vυi

d. vδntvυlli ja nukkvυlli lihvimispingid.

2B204 Isostaatpressid , muud kui punktis 2B004 vυi 2B104 nimetatud, ning nende juurde kuuluvad seadmed:

a. isostaatpressid , millel on mυlemad jδrgmised omadused:

1. vυimelised saavutama 69 MPa vυi suuremat maksimaalset tφφrυhku; ja

2. rυhukambri siselδbimυυt on όle 152 mm;

b. stantsid, valuvormid ning juhtimisseadmed, mis on spetsiaalselt ette nδhtud punktis 2B204.a nimetatud isostaatpresside jaoks.

Tehniline mδrkus:

Kambri sisemυυde tδhendab kambri selle osa mυυte, milles saavutatakse samaaegselt nii tφφtemperatuur kui ka tφφrυhk, ning siia ei arvestata kinnitusrakiseid. See mυυde on vδiksem kas rυhukambri sisediameetrist vυi isoleeritud ahju sisediameetrist, sυltuvalt sellest, kumb kahest eespool nimetatud kambrist asub teise sees.

2B206 Mυυtmelised kontrolliseadmed, -riistad vυi -sόsteemid, muud kui punktis 2B006 nimetatud:

a. arvutiga juhitavad vυi arvjuhitavad koordinaatide kontrolliseadmed, millel on mυlemad jδrgmised omadused:

1. kaks vυi rohkem telge; ja

2. όhemυυtmelise pikkuse mυυtemδδramatus on vυrdne vυi vδiksem (parem) kui (1,25 + L/1000) >ISO_7>μ>ISO_4>m katsetades anduriga, mille tδpsus vδiksem (parem) kui 0,2 >ISO_7>μ>ISO_4>m (L on mυυdetud pikkus millimeetrites) (vt VDI/VDE 2617 osad 1 ja 2);

b. sόsteemid poolkoorikute lineaar- ja nurksiirde όheaegseks kontrolliks, millel on mυlemad jδrgmised omadused:

1. mυυtemδδramatus (mυυdetuna piki mis tahes lineaartelge) on 5 mm kohta 3,5 >ISO_7>μ>ISO_4>m vυi vδhem (parem); ja

2. pφφrdenurga hδlve on 0,02° vυi vδhem.

Mδrkus 1: Tφφpingid, mida vυib kasutada mυυtemehhanismidena, kuuluvad kontrolli alla, kui nad vastavad vυi όletavad tφφpinkide vυi mυυtemehhanismide funktsioonidele kindlaksmδδratud kriteeriume.

Mδrkus 2: Punktis 2B206 nimetatud seadmed kuuluvad kontrolli alla, kui nad όletavad kontroll-lδve kus tahes oma toimimispiirkonnas.

Tehnilised mδrkused:

1. Tehnilised mδrkused: Andur, mida kasutatakse koordinaatide kontrollsόsteemi mυυtemδδramatuse mδδramiseks, peab olema kirjeldatud VDI/VDE 2617 osades 2, 3 ja 4.

2. Kυik punktis 2B206 esitatud mυυtevδδrtuste parameetrid on antud pluss/miinus kυikumistena, st nad ei esinda kogu ribalaiust.

2B207 Robotid , nende tφφorganid ja juhtimismoodulid, muud kui punktis 2B007 nimetatud:

a. robotid vυi nende tφφorganid , mis on spetsiaalselt projekteeritud rahuldama siseriiklikke ohutusnorme, mida kohaldatakse brisantlυhkeainete kδsitlemisel (nt vastavad brisantlυhkeaineid kδsitlevatele elektriohu eeskirjadele);

b. juhtimismoodulid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud punktis 2B207.a nimetatud mis tahes robotile vυi roboti tφφorganile.

2B209 Tυukamispingid, trugimispingid, mis vυimaldavad muude kui punktis 2B009 vυi 2B109 kirjeldatud tυukamisόlesannete tδitmist, ning sόdamikud:

a. tφφpingid, millel on mυlemad jδrgmised omadused:

1. varustatud kolme vυi enama rullikuga (aktiiv- vυi juhikrullikud); ja

2. vastavalt tootja tehnilisele kirjeldusele vυivad olla varustatud arvjuhtimismooduli vυi arvutijuhtimisega;

b. rootori koolutussόdamikud, mis on ette nδhtud sisediameetriga 75-400 mm silindriliste rootorite valmistamiseks.

Mδrkus: Punkt 2B209.a hυlmab ka tφφpinke, millel on ainult όks rull metalli deformeerimiseks ning kaks abirulli, mis toetavad sόdamikku, kuid ei osale otseselt deformeerimise protsessis.

2B219 Tsentrifugaalsed mitmetasandilised balansseerpingid, jδigalt kinnitatud vυi teisaldatavad, horisontaalsed vυi vertikaalsed:

a. tsentrifugaalsed balansseerpingid, mis on ette nδhtud painduvate, vδhemalt 600 mm pikkuste rootorite tasakaalustamiseks ja millel on kυik jδrgmised omadused:

1. pingi tsentri kυrgus vυi vυllitapi lδbimυυt on suurem kui 75 mm;

2. kandevυime 0,9-23 kg; ja

3. vυimalik pφφrlemiskiirus tasakaalustamisel on όle 5000 p/min;

b. tsentrifugaalsed balansseerpingid, mis on ette nδhtud υυnsate silindriliste rootorikomponentide tasakaalustamiseks ning millel on kυik jδrgnevad omadused:

1. vυllitapi lδbimυυt on όle 75 mm;

2. kandevυime 0,9-23 kg;

3. vυimaldab tasakaalustada tasapinna kohta 0,01 kg Χ mm/kg jδδktasakaalustamatusega vυi vδiksemaga; ja

4. rihmόlekandega kδitatavad.

2B225 Kaugjuhtimisega manipulaatorid, mis on kasutatavad kaugjuhitavaks tegutsemiseks radiokeemilistes eraldusprotsessides vυi kuumades kambrites ja millel on όks jδrgmistest omadustest:

a. vυime lδbida 0,6 m vυi paksemat kuuma kambri seina (lδbi seina tegutsemine); vυi

b. vυime ulatuda tegutsema όle kuuma kambri 0,6 m vυi paksema seina όlemise δδre (όle seina tegutsemine).

Tehniline mδrkus:

Kaugjuhitavad manipulaatorid vυimaldavad όle kanda seda teenindava isiku liigutused kaugel asuvale tegutsevale kδele ning lυppklambrile. Manipulaatorid vυivad olla όlem-alluv-tόόpi vυi juhitavad juhtkangi vυi klaviatuuri abil.

2B226 Kontrollitava keskkonnaga (vaakum vυi vδδrisgaas) induktsioonahjud ning nimetatud ahjude juurde kuuluvad toiteallikad:

NB! VT KA PUNKTI 3B.

a. ahjud, millel on kυik jδrgmised omadused:

1. vυimelised tφφtama temperatuuril όle 1123 K (+ 850 °C);

2. induktsioonimδhiste lδbimυυt on 600 mm vυi vδhem; ja

3. kavandatud sisendvυimsus on 5 kW vυi rohkem;

b. toiteallikad vδljundvυimsusega 5 kW vυi rohkem, mis on spetsiaalselt ette nδhtud punktis 2B226.a nimetatud ahjude jaoks.

Mδrkus: Punkt 2B226.a ei hυlma pooljuhtkristallide tootmiseks kavandatud ahjusid.

2B227 Vaakum- vυi muu kontrollitava atmosfδδriga metallurgilise sulatamise ja valuahjud ning nende juurde kuuluvad seadmed:

a. kaarleekόmbersulatus- ja valuahjud, millel on mυlemad jδrgmised omadused:

1. kasutatavate elektroodide ruumala on 1000-20000 cm3, ja

2. vυimelised tφφtama sulamistemperatuuridega όle 1973 K (+ 1700 °C);

b. elektronkiirsulatusahjud ja plasmapihustus- ning sulatusahjud, millel on mυlemad jδrgmised omadused:

1. vυimsus 50 kW vυi rohkem; ja

2. vυimelised tφφtama sulamistemperatuuridega όle 1473 K (+ 1200 °C);

c. arvutijuhtimis- ja valvesόsteemid, mis on konfigureeritud spetsiaalselt punktis 2B227.a vυi 2B227.b nimetatud ahjude jaoks.

2B228 Rootorite tootmis- ja koostamisseadmed, rootorite joondamisseadmed ning lυυtsade vormimiseks mυeldud tornid ja stantsid:

a. rootori koostamisseadmed gaastsentrifuugi rootortoru sektsioonide, tυkestite ja otsakorkide monteerimiseks;

Mδrkus: Punkt 2B228.a hυlmab tδpsustorne, fiksaatoreid ja kahandamissobituspinke.

b. rootori joondamisseadmed gaasitsentrifuugi rootori torusektsioonide reastamiseks όhisele teljele;

Tehniline mδrkus:

Punktis 2B228.b nimetatud seadmed koosnevad όldjuhul arvutiga όhendatud tδpsetest mυυteanduritest, mis jδrgnevalt kontrollib nδiteks selliste pneumaatiliste rammide tegevust, mida kasutatakse rootori torusektsioonide reastamisel.

c. lυυtsa stantsimise tornid ja matriitsid, mis on ette nδhtud όhe keeruga lυυtsade tootmiseks.

Tehniline mδrkus:

Punktis 2B228.c on lυυtsadel kυik jδrgmised omadused:

1. siselδbimυυt 75-400 mm;

2. pikkus 12,7 mm vυi rohkem;

3. όhe keeru sόgavus όle 2 mm; ja

4. valmistatud όlitugevast alumiiniumisulamist, vanandatud martensiitterasest vυi όlitugevast kiud vυi niitmaterjalist.

2B230 Rυhuandurid , mis vυimaldavad mυυta absoluutrυhku vahemikus 0-13 kPa ja millel on mυlemad jδrgmised omadused:

a. rυhutundlikud elemendid on valmistatud vυi kaetud alumiiniumi, alumiiniumisulami, nikli vυi niklisulamiga, milles on 60 massi% vυi rohkem niklit; ja

b. millel όks jδrgmistest omadustest:

1. tδisskaala ulatus on vδiksem kui 13 kPa ning tδpsus on ± 1 % tδisskaala ulatusest; vυi

2. tδisskaala ulatus on 13 kPa vυi rohkem ning tδpsus on parem kui ±130 Pa.

Tehniline mδrkus:

Punkti 2B230 tδhenduses sisaldab tδpsus mittelineaarsust, hόstereesi ning όmbritseva keskkonna temperatuuril korratavust.

2B231 Vaakumpumbad, millel on kυik jδrgmised omadused:

a. sisendtoru lδbimυυt on 380 mm vυi rohkem;

b. pumpamise kiirus 15 m3/s vυi rohkem; ja

c. vυimeline saavutama madalamat piirvaakumit kui 13 MPa.

Tehnilised mδrkused:

1. Pumpamise kiirus on mδδratud mυυtepunktis kas gaasilise lδmmastiku vυi υhu abil.

2. Piirvaakum on mδδratud pumba sisendis suletud pumba sisendi korral.

2B232 Mitmeastmelised kerged gaasikahurid vυi teised suure lυppkiirusega relvasόsteemid (mδhis, elektromagnetilist ja elektrotermilist tόόpi ning teised edasiarendatud sόsteemid), mis on vυimelised kiirendama mόrsku kiiruseni 2 km/s vυi rohkem.

2B350 Keemiatφφstuse tootmisrajatised, -seadmed ja -komponendid:

a. reaktsioonianumad vυi reaktorid, segistitega vυi ilma, mille kogu (geomeetriline) maht on όle 0,1 m3 (100 l), kuid ei όleta 20 m3 (20000 l), kui nimetatud seadmete ja komponentide tφφpinnad, mis puutuvad otseselt kokku tφφdeldava(te) vυi sδilitatava(te) kemikaali(de)ga, on valmistatud mis tahes jδrgmistest materjalidest:

1. sulamid, milles on όle 25 massi% niklit ja όle 20 massi% kroomi;

2. fluorpolόmeerid;

3. klaas (sh klaasistatud vυi emaileeritud katted vυi klaasvooderdus);

4. nikkel vυi sulamid, milles on όle 40 massi% niklit;

5. tantaal vυi tantaalisulamid;

6. titaan vυi titaanisulamid; vυi

7. tsirkoonium vυi tsirkooniumisulamid;

b. punktis 2B350.a nimetatud reaktsioonianumates vυi reaktorites kasutatavad segistid ja selliste segistite jaoks ettenδhtud rootorid, labad vυi vυllid, mille tφφdeldava(te) vυi sδilitatava(te) kemikaali(de)ga otseselt kokkupuutuvad tφφpinnad on valmistatud mis tahes jδrgmistest materjalidest:

1. sulamid, milles on όle 25 massi% niklit ja όle 20 massi% kroomi;

2. fluorpolόmeerid;

3. klaas (sh klaasistatud vυi emaileeritud katted vυi klaasvooderdus);

4. nikkel vυi sulamid, milles on όle 40 massi% niklit;

5. tantaal vυi tantaalisulamid;

6. titaan vυi titaanisulamid; vυi

7. tsirkoonium vυi tsirkooniumisulamid;

c. kogumismahutid, konteinerid ja vastuvυtuanumad, mille kogu (geomeetriline) maht on suurem kui 0,1 m3 (100 l) ning kui nimetatud seadmete tφφpinnad, mis puutuvad otseselt kokku tφφdeldava(te) vυi sδilitatava(te) kemikaali(de)ga, on valmistatud mis tahes jδrgmistest materjalidest:

1. sulamid, milles on όle 25 massi% niklit ja όle 20 massi% kroomi;

2. fluorpolόmeerid;

3. klaas (sh klaasistatud vυi emaileeritud katted vυi klaasvooderdus);

4. nikkel vυi sulamid, milles on όle 40 massi% niklit;

5. tantaal vυi tantaalisulamid;

6. titaan vυi titaanisulamid; vυi

7. tsirkoonium vυi tsirkooniumisulamid;

d. soojusvahetid vυi kondensaatorid, mille soojust όlekandev pind on suurem kui 0,15 m2 ja vδiksem kui 20 m2, ja selliste soojusvahetite vυi kondensaatorite jaoks ettenδhtud torud, plaadid, spiraaltorud vυi plokid (sόdamikud), mille tφφdeldava(te) kemikaali(de)ga otseselt kokkupuutuvad tφφpinnad on valmistatud mis tahes jδrgmistest materjalidest:

1. sulamid, milles on όle 25 massi% niklit ja όle 20 massi% kroomi;

2. fluorpolόmeerid;

3. klaas (sh klaasistatud vυi emaileeritud katted vυi klaasvooderdus);

4. grafiit vυi «sόsinikgrafiit» ;

5. nikkel vυi sulamid, milles on όle 40 massi% niklit;

6. tantaal vυi tantaalisulamid;

7. titaan vυi titaanisulamid;

8. tsirkoonium vυi tsirkooniumisulamid;

9. rδnikarbiid; vυi

10. titaankarbiid;

e. destillatsiooni- vυi absorptsioonikolonnid, mille siselδbimυυt on όle 0,1 m, ja selliste destillatsiooni- vυi absorptsioonikolonnide jaoks ettenδhtud vedeliku- ja aurujaoturid vυi vedelikukogujad, mille kυik tφφdeldava(te) kemikaali(de)ga otseselt kokkupuutuvad tφφpinnad on valmistatud mis tahes jδrgmistest materjalidest:

1. sulamid, milles on όle 25 massi% niklit ja όle 20 massi% kroomi;

2. fluorpolόmeerid;

3. klaas (sh klaasistatud vυi emaileeritud katted vυi klaasvooderdus);

4. grafiit vυi «sόsinikgrafiit» ;

5. nikkel vυi sulamid, milles on όle 40 massi% niklit;

6. tantaal vυi tantaalisulamid;

7. titaan vυi titaanisulamid; vυi

8. tsirkoonium vυi tsirkooniumisulamid;

f. kaugjuhitav tankimisaparatuur, mille tφφdeldava(te) kemikaali(de)ga otseselt kokkupuutuvad tφφpinnad on valmistatud mis tahes jδrgmistest materjalidest:

1. sulamid, milles on όle 25 massi% niklit ja όle 20 massi% kroomi; vυi

2. nikkel vυi sulamid, milles on όle 40 massi% niklit;

g. ventiilid nimimυυtmetega όle 10 mm ja korpused (ventiilikorpused) vυi selliste ventiilide jaoks valmistatud korpuse eelvormitud voodrid, mille tφφdeldava(te) vυi seda lδbiva(te) kemikaali(de)ga otseselt kokkupuutuvad tφφpinnad on valmistatud mis tahes jδrgmistest materjalidest:

1. sulamid, milles on όle 25 massi% niklit ja όle 20 massi% kroomi;

2. fluorpolόmeerid;

3. klaas (sh klaasistatud vυi emaileeritud katted vυi klaasvooderdus);

4. nikkel vυi sulamid, milles on όle 40 massi% niklit;

5. tantaal vυi tantaalisulamid;

6. titaan vυi titaanisulamid; vυi

7. tsirkoonium vυi tsirkooniumisulamid;

h. Mitmeseinalised torud lekkeavastamise avaga, mille tφφdeldava(te) vυi sδilitatava(te) kemikaali(de)ga otseselt kokkupuutuvad tφφpinnad on valmistatud mis tahes jδrgmistest materjalidest:

1. sulamid, milles on όle 25 massi% niklit ja όle 20 massi% kroomi;

2. fluorpolόmeerid;

3. klaas (sh klaasistatud vυi emaileeritud katted vυi klaasvooderdus);

4. grafiit vυi sόsinikgrafiit;

5. nikkel vυi sulamid, milles on όle 40 massi% niklit;

6. tantaal vυi tantaalisulamid;

7. titaan vυi titaanisulamid; vυi

8. tsirkoonium vυi tsirkooniumisulamid;

i. mitmetihendilised, isoleeritud ajamiga, magnetajamiga lυυts- vυi membraanpumbad tootja poolt spetsifitseeritud maksimaalse voolukiirusega όle 0,6 m3/h vυi vaakumpumbad tootja poolt spetsifitseeritud maksimaalse voolukiirusega όle 5 m3/h (standardtingimustel: temperatuuril 273 K (0°C) ja rυhul 101,3 kPa); ja selliste pumpade korpused (pumbakered), eelvormitud kerevooderdused, tiivikud, rootorid vυi jugapumbapihustid, mille otseselt tφφdeldava(te) kemikaali(de)ga kokkupuutuvad tφφpinnad on valmistatud mis tahes jδrgmistest materjalidest:

1. sulamid, milles on όle 25 massi% niklit ja όle 20 massi% kroomi;

2. keraamika;

3. ferrosiliitsium;

4. fluorpolόmeerid;

5. klaas (sh klaasistatud vυi emaileeritud katted vυi klaasvooderdus);

6. grafiit vυi sόsinikgrafiit ;

7. nikkel vυi sulamid, milles on όle 40 massi% niklit;

8. tantaal vυi tantaalisulamid;

9. titaan vυi titaanisulamid; vυi

10. tsirkoonium vυi tsirkooniumisulamid;

j. punktis 1C350 nimetatud kemikaalide hδvitamiseks ettenδhtud pυletusseadmed, mis on varustatud spetsiaalselt kavandatud jδδtmete etteandesόsteemiga, spetsiaalsete kδsitsemisseadmetega ning pυletuskambri keskmise temperatuuriga όle 1273 K (+ 1000 °C), mille jδδtmete etteandesόsteemi kemikaalidega otseselt kokkupuutuvad tφφpinnad on valmistatud mis tahes jδrgmistest materjalidest:

1. sulamid, milles on όle 25 massi% niklit ja όle 20 massi% kroomi;

2. keraamika; vυi

3. nikkel vυi sulamid, milles on όle 40 massi% niklit.

Tehniline mδrkus:

Sόsinikgrafiit on amorfse sόsiniku ja grafiidi segu, milles kaaluline grafiidisisaldus on 8 % vυi rohkem.

2B351 Mόrgiste gaaside seiresόsteemid ja nende eriotstarbelised detektorid:

a. kavandatud pidevaks toimimiseks ja kasutatav keemiliste rόndeainete ja punktis 1C350 nimetatud kemikaalide avastamiseks kontsentratsioonidel alla 0,3 mg/m3; vυi

b. ainete avastamiseks, millel on koliinesteraasi inhibeeriv mυju.

2B352 Seadmed bioloogiliste materjalide kδitlemiseks:

a. komplektsed isolaatorid, mis vastavad ohutustasemetele P3 vυi P4;

Tehniline mδrkus:

P3 vυi P4 (BL3, BL4, L3, L4) ohtutustasemed on mδδratletud Maailma Tervishoiuorganisatsiooni «Laboratooriumide bioohutuse kδsiraamatus» (WHO Laboratory Biosafety Manual, teine vδljaanne, Genf 1993).

b. fermentaatorid, mida on ilma aerosoolide keskkonda sattumise riskita vυimalik kasutada patogeensete mikroorganismide ja viiruste kultiveerimiseks vυi toksiinide valmistamiseks, όldmahuga 20 liitrit vυi enam;

Tehniline mδrkus:

Fermentaatorid sisaldavad bioreaktoreid, kemostaate ja pidevvoolusόsteeme.

c. tsentrifugaalseparaatorid, mis ilma aerosoolide keskkonda sattumise riskita vυimaldavad pidevat separeerimist ning millel on kυik jδrgmised omadused:

1. lδbivoolukiirus όle 100 liitri tunnis;

2. komponendid on valmistatud poleeritud roostevabast terasest vυi titaanist;

3. όhe- vυi mitmekordse tihendusega όhendused auru sisaldavas keskkonnas; ja

4. auruga kohapeal steriliseeritav, ilma seadme eelneva demontaaΎita;

Tehniline mδrkus:

Tsentrifugaalseparaatorid sisaldavad ka dekanteerimisseadmeid.

d. ristvoolu filtratsiooniaparatuur ja jδrgmised komponendid:

1. ristvoolu filtratsiooniaparatuur, mis ilma aerosoolide keskkonda sattumise riskita vυimaldavad patogeensete mikroorganismide, viiruste, toksiinide vυi rakukultuuride separeerimist ning millel on mυlemad jδrgmised omadused:

a. filtri kogupindala 1 m2 vυi rohkem; ja

b. kohapeal steriliseeritav vυi desinfitseeritav;

Tehniline mδrkus:

Punktis 2B352.d.1.b tδhendab «steriliseeritud» kυigi eluvυimeliste mikroobide elimineerimist aparatuurilt fόόsikaliste mυjurite (nt aur) vυi keemiliste toimeainete kasutamise teel. «Desinfitseeritud» tδhendab potentsiaalse mikroobidega nakkavuse kυrvaldamist aparatuurilt bakteritsiidsete keemiliste toimeainete kasutamise teel. Desinfektsioon ja steriliseerimine erinevad hόgieeniliseks tegemisest (sanitization), mis tδhendab puhastamist, mille eesmδrk on aparatuuril mikroobe vδhendada ilma, et saavutataks tingimata tδielik mikroobidega nakkavuse vυi kυigi elujυuliste mikroobide kυrvaldamine.

2. ristvoolu filtratsiooniaparatuuri osad (nt moodulid, elemendid, kassetid, padrunid, plokid vυi plaadid), mille filtripindala on iga osa puhul vδhemalt 0,2 m2 ja mis on kavandatud kasutamiseks punktis 2B352.d. mδδratletud ristvoolu filtratsiooniaparatuuris.:

Mδrkus: Punkt 2B352.d.ei hυlma pφφrdosmoosseadmeid, nagu on kindlaks mδδratud tootja poolt.

e. auruga steriliseeritav vaakumsublimatsioonkuivatamise seade kondensaatori suutlikkusega 50-1000 kg jδδd 24 tunni jooksul;

f. jδrgmised kaitsevahendid:

1. pool- vυi tδiskaitseόlikonnad vυi mόtsid, mis sυltuvad nende kόlge kinnitatud vδlisest υhuvarustussόsteemist ja tφφtavad όlerυhul;

Mδrkus: Punkt 2B352.f.1 ei hυlma όlikondi, mis on ette nδhtud kasutamiseks koos kompaktse hingamisseadmega.

2. III klassi bioloogiliselt ohutud ruumid vυi isolaatorid, mis vastavad samadele toimimisstandarditele;

Mδrkus: Punktis 2B352.f.2 hυlmavad isolaatorid painduvaid isolaatoreid, eksikaatoreid, anaeroobseid kambreid, kinnasbokse ja laminaarse voolu kardinaid (suletud vertikaalse vooluga).

g. aerosoolide inhalatsioonikambrid, mis on konstrueeritud katseteks mikroorganismide , viiruste vυi toksiinide aerosoolidega, mahuga 1 m3 vυi rohkem.

2C Materjalid

Puuduvad.

2D Tarkvara

2D001 Tarkvara , muu kui punktis 2D002 nimetatud, mis on spetsiaalselt loodud vυi kohandatud punktides 2A001 vυi 2B001-2B009 nimetatud seadmete arendamiseks, tootmiseks vυi kasutamiseks.

2D002 Tarkvara elektroonsetele seadmetele, ka siis, kui see asub pidevalt salvestatuna elektroonses seadmes vυi sόsteemis, mis vυimaldab selliseid seadmeid vυi sόsteeme toimida arvjuhitavate moodulitena ja mis suudab koordineerida όheaegselt enam kui nelja telje liikumist kontuurjuhtimiseks.

Mδrkus 1: Punkt 2D002 ei hυlma tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud vυi kohandatud 2. kategoorias nimetamata tφφpinkide kasutamiseks.

Mδrkus 2: Punkt 2D002 ei hυlma tarkvara punktis 2B002 mδδratletud kaupadele. Punktis 2B002 mδδratletud kaupade tarkvara kontrolli vaata punktist 2D001.

2D101 Tarkvara , mis on spetsiaalselt loodud vυi kohandatud punktis 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 vυi 2B119-2B122 nimetatud seadmete kasutamiseks.

NB! VT KA PUNKTI 9D004.

2D201 Tarkvara , mis on spetsiaalselt loodud vυi kohandatud punktis 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 vυi 2B227 nimetatud seadmete kasutamiseks.

2D202 Tarkvara , mis on spetsiaalselt loodud vυi kohandatud punktis 2B201 nimetatud seadmete arendamiseks , tootmiseks vυi kasutamiseks.

2E Tehnoloogia

2E001 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia punktides 2A, 2B vυi 2D nimetatud seadmete vυi tarkvara arendamiseks.

2E002 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia punktis 2A vυi 2B nimetatud seadmete tootmiseks.

2E003 Muu tehnoloogia:

a. tehnoloogia arvjuhtimismoodulite integreeritud osana oleva tφφtlemisprogrammide ettevalmistamiseks vυi muutmiseks vajaliku interaktiivgraafika arendamiseks;

b. metallitφφtlemise tootmisprotsesside tehnoloogia:

1. spetsiaalselt jδrgnevalt loetletud protsesside jaoks loodud tφφriistade, matriitside ja rakiste konstrueerimise tehnoloogia:

a. όliplastne vormimine;

b. difusioonkeevitus; vυi

c. otsetoimehόdropressimine;

2. tehnilised andmed protsessi meetodite vυi parameetrite kohta, millega juhitakse jδrgmist:

a. alumiiniumi-, titaani- vυi supersulamite όliplastne vormimine:

1. pinna ettevalmistus;

2. deformatsiooni kiirus;

3. temperatuur;

4. rυhk;

b. titaani- vυi supersulamite difusioonkeevitus:

1. pinna ettevalmistus;

2. temperatuur;

3. rυhk;

c. alumiiniumi- vυi titaanisulamite otsetoimehόdropressimine:

1. rυhk;

2. protsessi kestus;

d. titaani-, alumiiniumi- vυi supersulamite kuumisostaattihendamine:

1. temperatuur;

2. rυhk;

3. protsessi kestus;

c. υhusυidukite tarindite tootmiseks hόdraulilise venitamisega vormimismasinate ja nende juurde kuuluvate matriitside arendamise vυi tootmise tehnoloogia ;

d. tφφpingi arvjuhtimismoodulis olevatest projekteerimisandmetest juhtimiskδskude moodustamise generaatori (nt osad programmid) arendamise tehnoloogia;

e. tehnoloogia integratsioonitarkvara arendamiseks ekspertsόsteemide sisseviimiseks arvjuhitavatesse moodulitesse, tootmispindadel toiminguotsuste edendatud toetamiseks;

f. tehnoloogia mitteelektroonsete pυhimike anorgaaniliste pinnakatetega katmiseks vυi anorgaanilise muundatud pinnakatte (mδδratletud alljδrgneva tabeli 3. veerus) rakendamiseks (mδδratletud alljδrgneva tabeli 2. veerus), protsessides, mis on mδδratletud alljδrgneva tabeli 1. veerus ning on defineeritud tehnilises mδrkuses.

Mδrkus: Tabel ning tehniline mδrkus on esitatud punkti 2E301 jδrel.

2E101 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nδhtud punktis 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119-2B122 vυi 2D101 nimetatud seadmete vυi tarkvara kasutamiseks.

2E201 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nδhtud punktis 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b, 2B007.c, 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225-2B232, 2D201 vυi 2D202 nimetatud seadmete vυi tarkvara kasutamiseks.

2E301 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nδhtud punktides 2B350-2B352 nimetatud kaupade kasutamiseks.

>TABELPOSITION>

Tabel - Pinnakatmise tehnikad-mδrkused

1. Mυiste pindamismenetlus hυlmab nii pinnakatte parandamist ja uuendamist kui ka originaalpinnakatmist.

2. Mυiste legeeritud aluminiidkate sisaldab όhe- vυi mitmeastmelise katmise, mille kestel element vυi elemendid on sadestatud enne vυi ka samaaegselt aluminiidiga, ka siis, kui need elemendid sadestatakse erineva pindamismenetluse abil. See ei sisalda aga mitmekordset όheastmelist tahke tsementiitimise menetluse kasutamist legeeritud aluminiidikihi saamiseks.

3. Mυiste vδδrismetallidega muundatud aluminiidkate koosneb mitmeastmelistest kihtidest, milles vδδrismetall vυi vδδrismetallid on kantud pυhimikule enne aluminiidiga katmist mυne muu pindamismenetluse abil.

4. Mυiste nende segud sisaldab infiltreeritud aineid, nende astmelisi segusid, samaaegseid kaassadestamisi ja mitmekihilisi sadestamisi ning on saadud όhe vυi enama tabelis nimetatud pindamismenetluse teel.

5. McrAlX tδhistab pindamissulamit, kus «M» tδhistab koobaltit, rauda, niklit vυi nende kombinatsioone ning «X» tδhistab hafniumit, όtriumit, rδni, tantaali mis tahes koguses vυi teisi tahtlikke lisandeid όle 0,01 massi% mitmesugustes kombinatsioonides ning suhetes, vδlja arvatud:

a. CoCrAlY-katted, mis sisaldavad vδhem kui 22 massi% kroomi, vδhem kui 7 massi% alumiiniumi ja vδhem kui 2 massi% όtriumi;

b. CoCrAlY-katted, mis sisaldavad 22-24 massi% kroomi, 10-12 massi% alumiiniumi ja 0,5-0,7 massi% όtriumi; vυi

c. NiCrAlY-katted, mis sisaldavad 21-23 massi% kroomi, 10-12 massi% alumiiniumi ja 0,9-1,1 massi% όtriumi.

6. Mυiste alumiiniumisulam tδhendab sulameid, mille tυmbetugevus on 190 MPa vυi rohkem, mυυdetuna temperatuuril 293 K (20 °C).

7. Mυiste korrosioonikindel teras tδhendab AISI 300 seeria vυi vastavale siseriiklikule standardile vastavaid terasesorte.

8. Rasksulavad metallid ja sulamid hυlmavad jδrgmisi metalle ja nende sulameid: nioobium (kolumbium), molόbdeen, volfram ja tantaal.

9. Andur-aknamaterjalid on jδrgmised: alumiiniumoksiid, rδni, germaanium, tsinksulfiid, tsinkseleniid, galliumarseniid, teemant, galliumfosfiid, safiir ning jδrgmiste metallide halogeniidid: tsirkooniumfluoriididst ja hafniumfluoriidist koosnevad andur-aknamaterjalid, mille lδbimυυt on όle 40 mm.

10. Kategooria ei hυlma όheastmelist massiivsete turbiinilabade tahke tsementiitimise tehnoloogiat .

11. Polymers , as follows: polόimiid, polόester, polόsulfiid, polόkarbonaadid ja polόuretaanid.

12. Muundatud tsirkooniumoksiid tδhendab, et tsirkooniumis on lisandina muude metallide oksiide (nt kaltsiumoksiid, magneesiumoksiid, όtriumoksiid, hafniumoksiid, haruldaste muldmetallide oksiidid), et stabiliseerida kindlaid kristallograafilisi faase ja faaside όhendeid. Termobarjδδrpinne tsirkooniumoksiidist, mis on kaltsiumoksiidiga vυi magneesiumoksiidiga muundatud segamise vυi kokkusulatamise teel, ei kuulu kontrolli alla.

13. Titaanisulamid tδhendavad ainult kosmoselendude jaoks kasutatavaid sulameid, mille temperatuuril 293 K (20 °C) mυυdetud tυmbetugevus on 900 MPa vυi rohkem.

14. Vδhepaisuvad klaasid tδhendavad klaase, mille temperatuuril 293 K (20°C) mυυdetud soojusliku paisumise tegur on 1 Χ 10-7 K-1 vυi vδhem.

15. Dielektrilised kihid on pinnakatted, mis koosnevad paljudest dielektrilise materjali kihtidest, mille erinevate murdumisnδitajatega ainete kombinatsioonide planeeritud interferentsiomadused on kasutatud erinevate lainepikkusvahemike peegeldamiseks, όlekandmiseks vυi neelamiseks. Dielektrilised kihid tδhendavad rohkem kui nelja dielektrilist kihti vυi dielektrik/metall komposiitkihti.

16. Kυvasulam volframkarbiid ei hυlma lυike- ja vormimisinstrumentide materjale, mis koosnevad volframkarbiidist/(koobalt, nikkel), titaankarbiidist/(koobalt, nikkel), kroomkarbiidist/nikkel-kroom ja kroomkarbiid/nikkel.

17. Spetsiaalselt teemandilaadse sόsiniku sadestamise tehnoloogia jδrgmistele materjalidele ei kuulu kontrolli alla:

magnetketta ajurid ja magnetpead, όhekordse kasutusega kaupade tootmisseadmed, kraanide klapid, valjuhδδldite akustilised membraanid, autode mootoriosad, lυiketerad, stantsimise-pressimise matriitsid, kontorite automatiseerimisseadmed, mikrofonid ning meditsiinitehnika vυi vormid vδhem kui 5 %-lise berόlliumi sisaldusega sulamitest toodetud plastide valamiseks vυi vormimiseks.

18. Rδnikarbiid ei hυlma lυike- ning vormimisinstrumentide materjale.

19. Keraamilised pυhimikud ei hυlma kδesolevas tδhenduses keraamilisi materjale, mis sisaldavad 5 massi% vυi rohkem savi vυi tsementi kas eraldi komponentidena vυi kombinatsioonis.

Tabeli 1. veerus mδδratud menetlused on jδrgmised:

a. keemiline aurustamine-sadestamine (CVD) on pinnakatmise vυi pinna muundamise protsess, mille kestel metall, sulam, dielektriline vυi keraamiline komposiit , sadestatakse kuumutatud pυhimikule. Gaasilised reageerivad ained lagunevad vυi όhinevad pυhimiku lδheduses, pυhjustades soovitud elemendi, sulami vυi όhendi sadestumise pυhimikule. Energiat sellise lagunemise vυi keemilise reaktsiooni lδbiviimiseks saab juurde anda pυhimiku kuumutamisega, huumlahendusplasma vυi laser kiirguse abil.

NB 1! CVD sisaldab jδrgmisi menetlusi: sadestamine suunatud gaasivoo abil, ilma otsese pυhimiku pulberkontaktita (out-of-pack), CVD-katmine pulseeriva rυhu juures, kontrollitud idustamisega termiline sadestamine (CNTD), plasmaaktiveeritud vυi plasma osalusel CVD menetlused.

NB 2! Pulberkontakt tδhendab, et pυhimik on pulbrisegusse uputatud.

NB 3! Gaasilisi reageerivaid aineid, mida kasutatakse pulberkontaktita menetlustes, toodetakse samu pυhireaktsioone ja parameetreid kasutades nagu tahke tsementiitimise protsessiski, vδlja arvatud see, et kaetav pυhimik pole otseses kokkupuutes pulbriseguga.

b. termoaurustamine - fόόsikaline aurustamine-sadestamine (TE-PVD) on pinnakatmise menetlus, mis viiakse lδbi vaakumis rυhul vδhem kui 0,1 Pa ja milles kasutatakse kattematerjali aurustamiseks soojusallikat. Selle menetluse kδigus kondenseerub vυi sadestub aurustunud aine sobivalt asetatud pυhimiku pinnale.

Lisagaaside juhtimine vaakumkambrisse pinnakatmise protsessi ajal sόnteesimaks όhendkatteid on tavaline menetluse modifikatsioon.

Ioon- vυi elektronkiirte vυi plasma kasutamine pinnakatte sadestumise aktiveerimiseks vυi aitamiseks on samuti selle tehnika tavaline modifikatsioon. Menetluse όheks iseloomulikuks jooneks vυib olla protsessi kδigus monitoride kasutamine katete paksuse ja optiliste parameetrite mυυtmiseks.

Jδrgmised protsessid on iseloomulikud TE-PVD protsessid:

1. elektronkiire abil toimuval aurustamisel-sadestamisel (PVD) kasutatakse elektronkiirt katet moodustava aine soojendamiseks ning aurustamiseks;

2. ioonide abil toimuva takistusliku kuumutamisega tekitatud aurustamisel-sadestamisel kasutatakse takistuslikke elektrilisi soojusallikaid kombinatsioonis pυrkuvate ioonkiirtega, et saavutada reguleeritud όhtlast aurustatud katteaine voogu;

3. laser aurustamisel kasutatakse kas impulss- vυi pidevlaine laser kiiri katet moodustava aine aurustamiseks;

4. katoodsadestamisel kasutatakse pinnakatet moodustavast ainest kuluvat katoodi ja kaarlahendust, mis sόόdatakse hetkelisel katoodi ja pinna kokkupuutel. Kaare kontrollitav liikumine kulutab katoodi pinda, moodustades όliioniseeritud plasma. Anoodiks vυib kasutada kas katoodi lδhedusse isolaatori kaudu kinnitatud koonust vυi kambrit. Mittesirgjoonelise sadestamise korral kasutatakse pυhimiku eelpingestamist.

NB! See definitsioon ei hυlma juhuslikku katoodsadestamist eelpingestamata pυhimikele.

5. ioonpindamine on όks erijuht όldisest termoaurustamise - fόόsikalise aurustamise-sadestamise (TE-PVD) menetlusest, mille kδigus kasutatakse plasmat vυi iooniallikat sadestatava aine ioniseerimiseks ning sadestatava aine eraldamiseks plasmast rakendatakse pυhimikule negatiivset eelpinget. Reageerivate ainete protsessi kaasamine, tahkiste aurustamine protsessikambris ning protsessi kδigus monitoride kasutamine katete paksuse ja optiliste parameetrite mυυtmiseks on selle menetluse tavalised modifikatsioonid.

c. tahke tsementiitimine on pinna muundamis- vυi katmismenetlus, milles pυhimik on asetatud pulbrisegusse (pakend), mis koosneb jδrgmisest:

1. sadestatavad metallipulbrid (tavaliselt alumiinium, kroom, rδni vυi nende segud);

2. aktivaator (tavaliselt halogeniidisool); ja

3. inertne pulber, tavaliselt alumiiniumoksiid.

Pυhimik ja pulbrisegu asetatakse retorti, mida kuumutatakse katte sadestamiseks piisava aja jooksul temperatuurivahemikus 1030 K (757 °C) kuni 1375 K (1102 °C).

d. plasmapihustus on όks pinnakatmismenetlus, milles plasmat tekitav ja juhtiv plasmakahur vυtab vastu kattematerjali pulbrit vυi traati, sulatab selle ning paiskab pυhimikule, millel moodustubki homogeenne seotud kiht. Plasmapihustus on kas madalrυhu plasma pihustus vυi όlikiire plasma pihustus.

NB 1! Madal rυhk tδhendab siin όmbritsevast rυhust madalamat rυhku.

NB 2! άlikiire tδhendab dόόsist vδljuva gaasi kiirust, mis on suurem kui 750 m/s, arvutatuna 293 K (20 °C) juures rυhul 0,1 MPa.

e. mudasadestus on όks pinna muundamis- vυi katmismenetlus, milles orgaanilise sideainega vedelikus suspenseeritud metalli- vυi keraamikapulber kantakse pυhimikule kas pihustamise, sukeldamise vυi pintsli abil, millele jδrgneb υhus vυi ahjus kuivatamine ning termotφφtlemine, saavutamaks soovitud pinnakatet.

f. atomisatsioonsadestus on pinnakatmismenetlus, mis pυhineb impulsi όlekande nδhtusel, milles positiivsed ioonid kiirendatakse elektrivδljas mδrklaua (kattev aine) pinna suunas. Pυrkuvate ioonide kineetiline energia on piisav, et aatomeid mδrklauast vδlja lόόa ning sadestada sobivalt asetatud pυhimikule.

NB 1! Tabelis on viidatud vaid triood-, magnetron- vυi reaktiiv- atomisatsioonsadestamisele, mida kasutatakse katte nakkuvuse ja sadestuskiiruse suurendamiseks ning raadiosageduslikult suurendatud atomisatsioonsadestamisel, mis vυimaldab aurustada ka mittemetallilisi kattematerjale.

NB 2! Sadestumise aktiveerimiseks kasutatakse madalaenergeetilisi (alla 5 keV) ioonkiiri.

g. ioonlegeerimine on όks pinna muundamis- vυi katmismenetlus, milles sulandatav element ioniseeritakse, kiirendatakse potentsiaali gradiendi abil ning implanteeritakse pυhimiku pinna piirkonnas. See hυlmab ka menetlusi, milles ioonlegeerimine teostatakse samaaegselt elektronkiire abil toimuva aurustamise-sadestamise vυi atomisatsioonsadestamisega.

3. KATEGOORIA

ELEKTROONIKA

3A Sόsteemid, seadmed ja komponendid

Mδrkus 1: Punktis 3A001 vυi 3A002 nimetatud selliste seadmete ja komponentide kontrolli alla kuulumine (v.a punktides 3A001.a.3-3A001.a.10 vυi punktis 3A001.a.12 nimetatud), mis on spetsiaalselt ette nδhtud kasutamiseks muudes seadmetes vυi millel on muudele seadmetele iseloomulikud tunnused, mδδratakse nende muude seadmete kontrolli alla kuulumisega.

Mδrkus 2: Punktides 3A001.a.3-3A001.a.9 vυi punktis 3A001.a.12 nimetatud selliste integraallόlituste kontrolli alla kuulumine, mis on pόsiprogrammeeritud vυi kavandatud muude seadmete spetsiifiliste funktsioonide tδitmiseks, mδδratakse nende seadmete kontrolli alla kuulumise alusel, milles neid kasutatakse.

NB! Kui tootja vυi loataotleja ei suuda kindlaks mδδrata nende muude seadmete kontrolli alla kuulumist, mδδratakse nende integraallόlituste kontrolli alla kuulumine punktides 3A001.a.3-3A001.a.9 ja 3A001.a.12. Kui integraallόlitus on punktis 3A001.a.3 nimetatud, rδnist valmistatud mikroarvuti mikroskeem vυi mikrokontrolleri mikroskeem, mille operandi (andmed) sυna pikkuseks on 8 bitti vυi vδhem, on selle integraallόlituse kontrolli alla kuulumine mδδratud punktis 3A001.a.3.

3A001 Elektroonilised komponendid:

a. όldise kasutusega integraallόlitused:

Mδrkus 1: Selliste (valmis vυi poolvalmis) pooljuhtplaatide kontrolli alla kuulumist, mille otstarve on kindlaks mδδratud, hinnatakse punkti 3A001.a parameetrite pυhjal.

Mδrkus 2: Integraallόlituste tόόbid:

Monoliit-integraallόlitused;

Hόbriidintegraallόlitused;

Mitmekiibilised integraallόlitused;

Kile-tόόpi integraallόlitused, kaasa arvatud rδni-safiir-tόόpi integraallόlitused;

Optilised integraallόlitused.

1. Integraallόlitused, mis on planeeritud vυi arvestatud taluma kiirgust jδrgmiselt:

a. kogudoos, mille vδδrtus on 5Χ103 Gy (rδni) vυi rohkem;

b. doosikiirus, mille vδδrtus on 5Χ106 (rδni)/s vυi rohkem; vυi

c. neutronite (1 MeV ekvivalent) integreeritud vootihedus 5 Χ 1013 n/cm2 vυi suurem rδni korral vυi selle ekvivalent muude ainete korral;

Mδrkus: Punkti 3A001.a.1.c ei kohaldata metall-isolaator-pooljuht- (MIS) struktuuride suhtes.

2. Mikroprotsessor-mikroskeemid, mikroarvuti-mikroskeemid , mikrokontroller-mikroskeemid, liitpooljuhtidest valmistatud mδluintegraallόlitused, analoog-digitaal muundajad, digitaal-analoog muundajad, signaalitφφtluseks ettenδhtud elektrooptilised vυi optilised integraallόlitused , kasutaja-programmeeritavad loogilised seadmed, neurovυrgu integraallόlitused, tundmatu otstarbega tavaintegraallόlitused vυi integraallόlitused, mis on ette nδhtud kasutamiseks teadmata kontrollitavusega seadmes, Fourier' kiirteisenduse (FFT) protsessorid, programmeeritavad elekterkustutusega pόsimδlud (EEPROM), vδlkmδlud vυi staatilised muutmδlud, millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. mδδratud toimima keskkonnatemperatuuril όle 398 K (+125 °C);

b. mδδratud toimima keskkonnatemperatuuril alla 218 K (-55 °C); vυi

c. mδδratud toimima keskkonnatemperatuuril 218 K (-55 °C) kuni 398 K (+125 °C);

Mδrkus: Punkti 3A001.a.2 ei kohaldata integraallόlituste suhtes, mida kasutatakse tsiviilotstarbelistes autodes vυi rongides.

3. Mikroprotsessorite mikroskeemid, mikroarvutite mikroskeemid ja mikrokontrollerite mikroskeemid, millel on mis tahes jδrgmine omadus:

Mδrkus: Punkt 3A001.a.3 hυlmab digitaalseid signaalprotsessoreid, digitaalmaatriksprotsessoreid ja digitaalseid kaasprotsessoreid.

a. ei kasutata;

b. valmistatud liitpooljuhist ja toimib taktsagedusel όle 40 MHz; vυi

c. rohkem kui όks andme- vυi kδsusiin vυi jδrjestikuline jδrjestikport vδliseks όhenduseks paralleelprotsessoris, edastuskiirusega όle 150 megabaidi sekundis;

4. Liitpooljuhist valmistatud mδlu integraallόlitused;

5. Analoog-digitaalmuundur ja digitaal-analoogmuundur integraallόlitused:

a. Analoog-digitaalmuundurid, millel on mis tahes jδrgmine omadus:

NB! VT KA PUNKTI 3A101

1. eraldusvυime όle 8 biti, kuid vδhem kui 12 bitti, tδieliku muundamise ajaga vδhem kui 5 ns;

2. eraldusvυime 12 bitti, tδieliku muundamise ajaga vδhem kui 20 ns;

3. eraldusvυime όle 12 biti, kuid vυrdne vυi vδhem kui 14 bitti, tδieliku muundamise ajaga vδhem kui 200 ns; vυi

4. eraldusvυime όle 14 biti, tδieliku muundamise ajaga vδhem kui 1 >ISO_7>μ>ISO_4>s;

b. digitaal-analoogmuundurid, mille eraldusvυime on 12 bitti vυi rohkem ning seadumisaeg on vδhem kui 10 ns;

Tehnilised mδrkused:

1. Eraldusvυime n bitti vastab signaali amplituudi «kvantimisele» 2n tasemeks.

2. Tδieliku muundamise aeg on pφφrdvυrdeline valimi vδljavυtukiirusega.

6. Signaalide tφφtlemiseks arendatud elektro-optilised ja optilised integraallόlitused , milles on:

a. όks vυi enam kui όks sisemine laser diood;

b. όks vυi enam kui όks sisemine valgust detekteeriv element; ja

c. optilised lainejuhid;

7. Vδljaga programmeeritav loogikaseade, milles:

a. ekvivalentselt kasutatavate ventiilide arv on όle 30000 (kahe sisendiga ventiilid);

b. tόόpiline hilistus pυhiventiilis levimisel on alla 0,1 ns; vυi

c. όmberlόlitamissagedus on όle 133 MHz;

Mδrkus: Punkti 3A001.a.7 alla kuuluvad:

Lihtsad programmeeritavad loogikaseadmed (SPLD)

Keerulised programmeeritavad loogikaseadmed (CPLD)

Vδljaga programmeeritavad ventiilmaatriksid (FPGA)

Vδljaga programmeeritavad loogikamaatriksid (FPLA)

Vδljaga programmeeritavad όhendused (FPIC)

NB! Vδljaga programmeeritavad loogikaseadmed on tuntud ka kui vδljaga programmeeritav ventiil vυi vδljaga programmeeritavad loogikamaatriksid.

8. Ei kasutata;

9. Neurovυrkude integraallόlitused;

10. Tundmatu otstarbega tavaintegraallόlitused vυi integraallόlitused, mis on ette nδhtud kasutamiseks seadmes, mille kontrolli alla kuulumine ei ole tootjale teada ja millel on jδrgmised omadused:

a. rohkem kui 1000 klemmi;

b. tόόpiline hilistus pυhiventiilis levimisel on alla 0,1 ns; vυi

c. tφφsagedus on όle 3 GHz;

11. Digitaalintegraallόlitused, muud kui punktides 3A001.a.3-3A001.a.10 vυi punktis 3A001.a.12 nimetatud, mis on valmistatud liitpooljuhtide baasil ning millel on jδrgmised omadused:

a. ekvivalentsete ventiilide arv on όle 3000 (kahe sisendiga ventiilid);vυi

b. όmberlόlitussagedus on όle 1,2 GHz;

12. Fourier' kiirteisenduse (FFT) protsessorid, mille arvestuslik N-punktilise kompleksse Fourier' kiirteisenduse tegemise aeg on lόhem kui (N log2  N)/20480 ms, kus N on punktide arv;

Tehniline mδrkus:

Kui N vυrdub 1024 punktiga, siis on punktis 3A001.a.12 valemi jδrgi teisenduse tegemise aeg 500 >ISO_7>μ>ISO_4>s.

b. mikro- ja millimeeterlaine seadmete komponendid:

1. Elektroonilised vaakumlambid ja katoodid:

Mδrkus 1: Punkt 3A001.b.1 ei hυlma ei hυlma lampe, mis on kavandatud vυi arvestatud tφφks sagedusribades, mis vastavad jδrgmistele omadustele:

a. ei ole όle 31,8 GHz; ja

b. ITU poolt raadioside jaoks mδδratletud ja mitte asukoha mδδramiseks ette nδhtud.

Mδrkus 2: Punkt 3A001.b.1 ei hυlma mittekosmosekindlaid lampe, millel on kυik jδrgmised omadused:

a. keskmine vδljundvυimsus 50 W vυi vδhem;ja

b. mis on kavandatud vυi arvestatud tφφks sagedusribades, mis vastavad jδrgmistele omadustele:

1. on όle 31,8 GHz, kuid mitte όle 43,5 GHz; ja

2. ITU poolt raadioside jaoks mδδratletud ja mitte asukoha mδδramiseks ette nδhtud.

a. jδrgmised jooksva laine lambid, impulss- vυi pidevlainele:

1. mille tφφsagedus on όle 31,8 GHz;

2. mis on varustatud katoodi kόtteelemendiga, mille kδivitumisaeg raadiosagedusliku (RF) nimivυimsuse saavutamiseks on lόhem kui 3 sekundit;

3. sidestatud υυnestorud vυi nende modifikatsioonid, fraktsionaalse ribalaiusega όle 7 % vυi tippvυimsusega όle 2,5 kW;

4. spiraallaine torud vυi nende modifikatsioonid, millel on jδrgmised omadused:

a. hetkeline ribalaius on όle όhe oktaavi ja keskmine vυimsus (vδljendatud kW-des) korrutatud sagedusega (vδljendatud GHz-des) on όle 0,5;

b. hetkeline ribalaius on όks oktaav vυi vδhem ja keskmine vυimsus (vδljendatud kW-des) korrutatud sagedusega (vδljendatud GHz-des) on suurem kui 1; vυi

c. on kosmosekindel

b. ristvδli vυimenduslambid vυimendusega όle 17 dB;

c. elektronlampidele mδδratud impregneeritud katoodid, mis tagavad pideva emissioonivoolu tiheduse, mis on arvestuslikes nimitingimustes όle 5 A/cm2;

2. Microwave monolithic integrated circuits (MMIC) power amplifiers having any of the following:

a. mδδratud toimima sagedustel, mis όletavad 3,2 GHz ja ulatuvad kuni 6 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise vδljundvυimsusega όle 4 W (36 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega όle 15 %;

b. mδδratud toimima sagedustel, mis όletavad 6 GHz ja ulatuvad kuni 16 GHz, (kaasa arvatud) ja keskmise vδljundvυimsusega όle 1 W (30 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega όle 10 %;

c. mδδratud toimima sagedustel, mis όletavad 16 GHz ja ulatuvad kuni 31,8 GHz, (kaasa arvatud) ja keskmise vδljundvυimsusega όle 0,8 W (29 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega όle 10 %;

d. mδδratud toimima sagedustel, mis όletavad 31,8 GHz ja ulatuvad kuni 37,5 GHz (kaasa arvatud);

e. mδδratud toimima sagedustel, mis όletavad 37,5 GHz ja ulatuvad kuni 43,5 GHz, (kaasa arvatud) ja keskmise vδljundvυimsusega όle 0,25 W (24 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega όle 10 %; vυi

f. mδδratud toimima sagedustel, mis όletavad 43,5 GHz.

Mδrkus 1: Punkt 3A001.b.2 ei hυlma raadioόlekanneteks ettenδhtud satelliitseadmeid, mis kavandatud vυi arvestatud tφφks sagedusalas 40,5 GHz kuni 42,5 GHz.

Mδrkus 2: MMIC kontrolli alla kuulumine, mille tφφsagedus hυlmab rohkem kui όht punktis 3A001.b.2 mδδratletud sagedusvahemikku, mδδratakse vδikseima keskmise vδljundvυimsuse kontroll-lδve jδrgi.

Mδrkus 3: Mδrkused 1 ja 2 3. kategooria sissejuhatavas lυigus tδhendavad, et punkt 3A001.b.2 ei hυlma MMIC-e, kui nad on ette nδhtud spetsiaalselt muudeks kasutuseesmδrkideks, nδiteks telekommunikatsioonis, radarites, autodes.

3. Mikrolainetransistorid, millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. mδδratud toimima sagedustel, mis όletavad 3,2 GHz ja ulatuvad kuni 6 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise vδljundvυimsusega όle 60 W (47,8 dBm);

b. mδδratud toimima sagedustel, mis όletavad 6 GHz ja ulatuvad kuni 31,8 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise vδljundvυimsusega όle 20 W (43 dBm);

c. mδδratud toimima sagedustel, mis όletavad 31,8 GHz ja ulatuvad kuni 37,5 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise vδljundvυimsusega όle 0,5 W (27 dBm);

d. mδδratud toimima sagedustel, mis όletavad 37,5 GHz ja ulatuvad kuni 43,5 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise vδljundvυimsusega όle 1 W (30 dBm); vυi

e. mδδratud toimima sagedustel, mis όletavad 43,5 GHz.

Mδrkus: Punktis 3A001.b.3 mδδratletud rohkem kui όht sagedusvahemikku hυlmava tφφsagedusega osa kontrolli alla kuulumine mδδratakse vδikseima keskmise vδljundvυimsuse kontroll-lδve jδrgi.

4. Mikrolaine pooljuhtvυimendid ja mikrolainevυimendeid sisaldavad mikrolainesυlmed/moodulid, millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. mδδratud toimima sagedustel, mis όletavad 3,2 GHz ja ulatuvad kuni 6 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise vδljundvυimsusega όle 60 W (47,8 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega όle 15 %;

b. mδδratud toimima sagedustel, mis όletavad 6 GHz ja ulatuvad kuni 31,8 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise vδljundvυimsusega όle 15 W (42 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega όle 10 %;

c. mδδratud toimima sagedustel, mis όletavad 31,8 GHz ja ulatuvad kuni 37,5 GHz (kaasa arvatud);

d. mδδratud toimima sagedustel, mis όletavad 37,5 GHz ja ulatuvad kuni 43,5 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise vδljundvυimsusega όle 1 W (30 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega όle 10 %;

e. mδδratud toimima sagedustel, mis όletavad 43,5 GHz; vυi

f. mδδratud toimima sagedustel όle 3 GHz ja millel on kυik jδrgnevad omadused:

1. keskmine vδljundvυimsus (P, vattides), mis on suurem kui 150 jagatud maksimaalse tφφsageduse (gigahertsides) ruuduga [P>150 W*GHz2/fGHz 2];

2. fraktsionaalne ribalaius 5 % vυi rohkem; ja

3. mis tahes kaks teineteisega risti asetsevat kόlge, mille pikkus (d, sentimeetrites) on vυrdne vυi vδiksem kui 15 jagatud vδikseima tφφsagedusega gigahertsides [d=15cm*GHz/ fGHz ].

NB! MMIC vυimsusvυimendeid tuleks hinnata punktis 3A001.b.2 mδδratletud kriteeriumide jδrgi.

Mδrkus 1: Punkt 3A001.b.4 ei hυlma raadioόlekanneteks ettenδhtud satelliitseadmeid, mis kavandatud vυi arvestatud tφφks sagedusalas 40,5 kuni 42,5 GHz.

Mδrkus 2: Osa kontrolli alla kuulumine, mille tφφsagedus hυlmab rohkem kui όht punktis 3A001.b.4 mδδratletud sagedusvahemikku, mδδratakse vδikseima keskmise vδljundvυimsuse kontroll-lδve jδrgi.

5. Elektrooniliselt vυi magnetiliselt hδδlestatavad ribapδδsfiltrid ( band-pass ) vυi ribatυkkefiltrid ( band-stop ), mis sisaldavad enam kui 5 timmitavat resonaatorit, mida on vυimalik vδhem kui 10 mikrosekundi jooksul hδδlestada sagedusribale, mille fmax /fmin on 1,5:1 ja millel on jδrgmised omadused:

a. ribapδδs ( band-pass ) ribalaiusega, mis on laiem kui 0,5 % kesksagedusest; vυi

b. ribatυke ( band-stop ) ribalaiusega, mis on kitsam kui 0,5 % kesksagedusest;

6. Ei kasutata;

7. Segustid ja muundajad, mis on konstrueeritud punktis 3A002.c, 3A002.e vυi 3A002.f nimetatud seadmete sagedusriba laiendamiseks όle eespool nimetatud punktides kehtestatud piiride.

8. Mikrolaine vυimsusvυimendid, mis sisaldavad punktis 3A001.b nimetatud lampe ja millel on kυik jδrgmised omadused:

a. tφφsagedus όle 3 GHz;

b. keskmine vδljundvυimsuse tihedus όle 80 W/kg; ja

c. maht on vδiksem kui 400 cm3;

Mδrkus: Punkt 3A001.b.8 ei hυlma seadmeid, mis on kavandatud vυi kohandatud tφφtamiseks igas ITU poolt raadioside jaoks mδδratletud ja mitte asukoha mδδramiseks ettenδhtud sagedusribas.

c. jδrgmised akustilise laine seadmed ja spetsiaalselt nende jaoks ettenδhtud komponendid:

1. akustilise pinnalaine- ja akustilise pinnalδhedase ruumlaine seadmed (st signaalitφφtlusseadmed , mis akustilis-mehhaanilisi vυnkumisi aines kasutavad), millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. kandesagedus όle 2,5 GHz;

b. kandesagedus όle 1 GHz, kuid vδhem kui 2,5 GHz, ja millel on mis tahes jδrgmised omadused:

1. kόlghυlma allasurumine όle 55 dB;

2. maksimaalse viivise ja ribalaiuse korrutis (aeg mikrosekundites ja ribalaius MHz-des) όle 100;

3. ribalaius όle 250 MHz; vυi

4. dispersiivne viivis on suurem kui 10 >ISO_7>μ>ISO_4>s; vυi

c. kandesagedus on 1 GHz vυi vδhem, ja millel on mis tahes jδrgmised omadused:

1. maksimaalse viivise ja ribalaiuse korrutis (aeg mikrosekundites ja ribalaius MHz-des) όle 100;

2. dispersiivne viivis on suurem kui 10 >ISO_7>μ>ISO_4>s; vυi

3. kόlghυlma allasurumine όle 55 dB ja ribalaius on suurem kui 50 MHz;

2. akustilise ruumlaine seadmed (st signaali tφφtlemise seadmed, mis kasutavad aines akustilis-mehhaanilisi vυnkumisi), mis vυimaldavad vahetult tφφdelda signaale sagedustel, mis όletavad 1 GHz;

3. akustilis-optilised signaali tφφtlemise seadmed, mis kasutavad akustiliste lainete (ruumlaine vυi pinnalaine) ja valguslainete vahelist vastasmυju, mis vυimaldab vahetult tφφdelda signaale vυi kujutisi, kaasa arvatud spektraalanalόόs, korrelatsioon vυi konvolutsioon;

d. elektroonilised seadmed vυi skeemid, mis sisaldavad όlijuhtivatest materjalidest valmistatud komponente ja on spetsiaalselt ette nδhtud kasutamiseks temperatuuril, mis on madalam kui vδhemalt όhe όlijuhtivast materjalist komponendi kriitiline temperatuur , ja millel on jδrgmised omadused:

1. voolulόlitid digitaalskeemidele, milles kasutatakse όlijuhtivaid ventiile, mille ventiili kohta viivise (sekundites) ja ventiilis hajunud vυimsuse korrutis ventiili kohta (vattides) on vδiksem kui 10- 14 J; vυi

2. sageduse selekteerimine kυikidel sagedustel, kasutades resonantsahelaid, mille hόveteguri Q vδδrtus on όle 10000;

e. suurenergiaseadmed:

1. patareid ja fotoelektrilised paneelid:

Mδrkus: Punkt 3A001.e.1 ei hυlma patareisid ruumalaga 27 cm3 ja alla selle (nt standardsed C- elemendid vυi R14 patareid).

a. primaarelemendid ja patareid, mille energiatihedus on όle 480 Wh/kg, mis on ette nδhtud kasutamiseks temperatuurivahemikus 243 K (-30 °C) kuni 343 K (+70 °C);

b. korduvlaetavad elemendid ja patareid, mille energiatihedus on όle 150 Wh/kg pδrast 75 laadimis-/tόhjendamistsόklit, tόhjendamisel vooluga, mis on vυrdne suurusega C/5 tundi (C - nimimahtuvuse vδδrtus ampertundides), nende kasutamisel temperatuurivahemikus 253 K (-20 °C) kuni 333 K (+60 °C)

Tehniline mδrkus:

Energiatihedus saadakse, kui korrutatakse omavahel keskmise vυimsuse vattides (keskmine pinge voltides korrutatud keskmise voolutugevusega amprites) tόhjenemise kestusega tundides 75 % vδδrtuseni avatud vooluringi pingest jagatuna elemendi (vυi patarei) kogumassiga kg-des.

c. kosmosekindlad ja kiirguskindlad fotoelektrilised paneelid, mille erivυimsus tφφtemperatuuril 301 K (28 °C) on όle 160 W/m2, valgustades neid temperatuuril 2800 K (+2527 °C) hυυguva volframi kiirgusega 1 kW/m2;

2. jδrgmised suure energiaga kogumiskondensaatorid:

NB! VT KA PUNKTI 3A201.a.

a. kondensaatorid, mille kordussagedus on vδiksem kui 10 Hz (όksiklahendusega kondensaator) ning millel on kυik jδrgmised omadused:

1. nimipinge 5 kV vυi rohkem;

2. energiatihedus 250 J/kg vυi rohkem; ja

3. koguenergia 25 kJ vυi rohkem;

b. kondensaatorid, mille kordussagedus on 10 Hz vυi rohkem (korduvlahendusega kondensaatorid) ja millel on kυik jδrgmised omadused:

1. nimipinge 5 kV vυi rohkem;

2. energiatihedus 50 J/kg vυi rohkem;

3. koguenergia 100 J vυi rohkem; ja

4. laadimis-/tόhjenemistsόkleid 10000 vυi rohkem;

3. όlijuhtivad elektromagnetid vυi solenoidid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud tδieliku laadimis- vυi tόhjenemisajaga alla όhe sekundi ja millel on kυik jδrgmised omadused:

NB! VT KA PUNKTI 3A201.b.

Mδrkus: Punkt 3A001.e.3 ei hυlma όlijuhtivaid elektromagneteid vυi solenoide, mis on spetsiaalselt ette nδhtud magnetresonantskuva meditsiiniseadmetele.

a. tόhjenemise esimesel sekundil vabanev energia on όle 10 kJ;

b. voolu kandva mδhise sisediameeter on όle 250 mm; ja

c. magnetilise induktsiooni nimivδδrtus on όle 8 T vυi όldine voolutihedus mδhises όle 300 A/mm2;

f. absoluutse pφφrdenurga andurid, millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. lahutusvυime parem kui 1 osa 265000-st (18 bitine lahutus) tδisskaala ulatuses; vυi

2. tδpsus parem kui ±2,5 kaaresekundit.

3A002 Jδrgmised όldotstarbelised elektroonilised seadmed:

a. jδrgmised lindistusseadmed ja spetsiaalselt nende jaoks ettenδhtud testlindid:

1. analoogmagnetofonid, kaasa arvatud seadmed, mis vυimaldavad salvestada digitaalsignaale (st kasutatakse kυrgtihedusliku digitaalsalvestuse moodulit (HDDR)) ja millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. ribalaius όle 4 MHz όhe elektrontrakti vυi salvestusraja kohta;

b. ribalaius όle 2 MHz όhe elektrontrakti vυi salvestusraja kohta, omades enam kui 42 salvestusrada; vυi

c. ajaline nihe (viga) ajabaasi suhtes ( base error ), mis on mυυdetud vastavalt salvestusmeetodite normeerimise komisjoni (IRIG) vυi Elektroonikatφφstuste άhenduse (EIA) nυuetele, ei όleta ± 0,1 >ISO_7>μ>ISO_4>s;

Mδrkus: Analoogmagnetofone, mis on spetsiaalselt kavandatud tsiviilotstarbelise videoseadmena, ei kδsitleta aparatuuri lindistusseadmena.

2. digitaalsed videomagnetofonid, mille digitaalliidese maksimaalne edastuskiirus on όle 360 Mbit/s;

Mδrkus: Punkt 3A002.a.2 ei hυlma digitaalset videomagnetofoni, mis on spetsiaalselt ette nδhtud televisiooni tarbeks ja milles kasutatava signaali formaat (vυib sisaldada ka kokkusurutud signaali formaati) on standardiseeritud vυi soovitatud Rahvusvahelise Telekommunikatsiooni Liidu (ITU), Rahvusvahelise Elektrotehnikakomisjoni (IEC), Filmi ja Televisiooniinseneride άhingu (SMPTE), Euroopa Ringhδδlinguliidu (EBU), Euroopa Telekommunikatsiooni Standardiinstituudi (ETSI) vυi Elektri- ja Elektroonikainseneride Instituudi (IEEE) poolt tsiviiltelevisiooni tarbeks.

3. kruvilaotustehnikat vυi liikumatu magnetpeatehnikat rakendavad digitaalsed magnetofonid, millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. digitaalliidese maksimaalne edastuskiirus on όle 175 Mbit/s; vυi

b. on kosmosekindel ;

Mδrkus: Punkt 3A002.a.3 ei hυlma analoogmagnetofone, mis on varustatud HDDR-i muundamise elektroonikaga ja ette nδhtud ainult digitaalsete andmete salvestamiseks.

4. seadmed, mille digitaalliidese maksimaalne edastuskiirus on όle 17 Mbit/s ja mis on kavandatud digitaalse videomagnetofoni muutmiseks aparatuuri andmete digitaalseks salvestusseadmeks;

5. lainekuju digitaatorid ja ajutised salvestusseadmed, millel on kυik jδrgmised omadused:

a. digiteerimikiirus on 200 miljonit vυi rohkem valimit sekundis ja lahutusvυime 10 bitti vυi enam; ja

b. pidev jυudlus 2 Gbit/s vυi rohkem;

Tehniline mδrkus:

Seadmete korral on pidev jυudlus suurim sυnakiirus, mis on korrutatud bittide arvuga sυnas.

Pidevaks jυudluseks nimetatakse andmete suurimat vδljastuskiirust massmδlusse, mida seade vυib arendada ilma mingisuguse informatsiooni kaota, sδilitades valimi vυtmise kiiruse ja selle analoog-digitaalse muundamise.

6. andmete digitaalsed salvestusseadmed, milles kasutatakse magnetkettale salvestamise tehnikat ja millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. digiteerimikiirus on 100 miljonit vυi rohkem valimit sekundis ja lahutusvυime 8 bitti vυi enam; ja

b. pidev jυudlus 1 Gbit/s vυi rohkem;

b. sagedussόntesaatori elektroonikasυlmed , mille sageduse όmberlόlitusaeg όhelt valitud sageduselt teisele on alla 1 ms;

c. jδrgmised raadiosageduse signaalianalόsaatorid :

1. signaalianalόsaatorid , mis on vυimelised analόόsima όle 31,8 GHz, kuid alla 37,5 GHz vυi όle 43,5 GHz sagedusi;

2. dόnaamilised signaalianalόsaatorid, mille reaalajaline ribalaius on όle 500 kHz;

Mδrkus: Punkt 3A002.c.2 ei hυlma neid dόnaamilisi signaalianalόsaatoreid, milles kasutatakse konstantseid protsentuaalse ribalaiusega filtreid (samuti tuntud kui oktaav- vυi murdosa-oktaavfiltrid).

d. sagedussόntesaator-signaalgeneraatorid, mis toodavad vδljundsagedusi, mille tδpsus ning lόhi- ja pikaajaline stabiilsus on juhitud, tuletatud ja kontrollitud sisemise etalonsageduse poolt ja millel on mis tahes jδrgmised omadused:

1. maksimaalne sόnteesitav sagedus όletab 31,8 GHz, kuid mitte 43,5 GHz ja genereeritava impulsi pikkus on alla 100 ns;

2. maksimaalne sόnteesitav sagedus on όle 43,5 GHz;

3. sageduste όmberlόlitusaeg όhelt valitud sageduselt teisele on lόhem kui 1 ms; vυi

4. όhe kόlgriba (SSB) faasimόra on parem kui -(126 + 20 log10 F - 20 log10 f), dBc/Hz, kus F on kόlgriba sageduse erinevus pυhisagedusest hertsides ja f on pυhisagedus megahertsides;

Tehniline mδrkus:

Punkti 3A002.d.1 tδhenduses mδδratletakse impulsi kestust ajavahemikuna, mis jδδb impulsi esifrondi, mis saavutab 90 % maksimumist, ja impulsi tagafrondi vahele, mis saavutab 10 % maksimumist.

Mδrkus: Punkt 3A002.d ei hυlma seadmeid, milles vδljundsagedus saadakse kahe vυi enama kvartsostsillaatori sageduste lisamisel vυi mahaarvamisel vυi tulemuse korrutise lisamisel vυi mahaarvamisel.

e. vυrguanalόsaatorid, mille maksimaalne tφφsagedus on όle 43,5 GHz;

f. mikrolaine testvastuvυtjad, millel on kυik jδrgmised omadused:

1. maksimaalne tφφsagedus on όle 43,5 GHz; ja

2. vυimaldavad amplituudi ja faasi όheaegset mυυtmist;

g. aatomi vυnkesageduse standardid, millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. pikaajalise stabiilsusega (vananemine), mis on vδhem (parem) kui 1 Χ 10- 11/kuu; vυi

2. on kosmosekindel .

Mδrkus: Punkt 3A002.g.1 ei hυlma mittekosmosekindlaid rubiidiumistandardeid.

3A003 Pihustusjahutusega temperatuurikontrollisόsteemid, mis kasutavad hermeetilises korpuses suletud ahelaga vedeliku kδitlemise ja uuestikasutuse seadmeid, kus dielektrilist vedelikku pihustatakse elektroonikakomponentidele, kasutades spetsiaalseid elektroonikakomponentide nυutud tφφtemperatuurivahemiku hoidmiseks mυeldud pihustusdόόse ning nende jaoks spetsiaalselt mυeldud komponente.

3A101 Elektroonilised seadmed ja komponendid, muud kui punktis 3A001 nimetatud:

a. analoog-digitaalmuundurid, mis on kasutatavad rakettmόrskudes ja mis on kavandatud vastama robustsetele seadmetele kehtestatud sυjalistele nυuetele;

b. kiirendid, mis on vυimelised lδhetama elektromagnetilist kiirgust, mis tekitatakse kuni 2 MeV vυi suurema energiani kiirendatud elektronide pidurdamisel ( bremsstrahlung ), ning neid kiirendeid sisaldavad sόsteemid.

Mδrkus: Punkt 3A101.b ei hυlma seadmeid, mis on spetsiaalselt ette nδhtud kasutamiseks meditsiinis.

3A201 Elektroonilised komponendid, muud kui punktis 3A001 nimetatud;

a. kondensaatorid, millel on jδrgmised omaduste kombinatsioonid:

1. a. tφφpinge suurem kui 1,4 kV;

b. energiamahutavus suurem kui 10 J;

c. elektrimahtuvus suurem kui 0,5 >ISO_7>μ>ISO_4>F; ja

d. jadainduktiivsus vδiksem kui 50 nH; vυi

2. a. tφφpinge suurem kui 750 V;

b. elektrimahtuvus suurem kui 0,25 >ISO_7>μ>ISO_4>F; ja

c. jadainduktiivsus vδiksem kui 10 nH;

b. όlijuhtivad solenoid-elektromagnetid, millel on kυik jδrgmised omadused:

1. vυimaldavad tekitada magnetvδlja tugevusega 2 teslat vυi rohkem;

2. pikkuse ja sisediameetri suhe 2 vυi rohkem;

3. sisediameeter όle 300 mm; ja

4. 50 % solenoidi sόdamiku keskses ruumalas on magnetvδlja όhetasasus parem kui 1 %;

Mδrkus: Punkt 3A201.b. ei hυlma magneteid, mis on spetsiaalselt kavandatud tuumamagnetresonantskuvamise sόsteemi jaoks ja eksporditud tuumamagnetresonantskuvamise sόsteemi osadena . Sυna osadena ei tδhenda tingimata sama saadetise fόόsilist osa; on lubatud erinevad saadetised ka erinevatest allikatest, kusjuures nende saadetiste ekspordidokumentides peab olema selgelt mδrgitud, et saadetis on saadetud kui kuvamissόsteemi osa .

c. impulss rφntgenikiirguse generaatorid vυi impulsselektronkiirendid, millel on mis tahes jδrgmine omaduste kombinatsioon:

1. a. kiirendatud elektronide tippenergia 500 keV vυi rohkem, kuid vδhem kui 25 MeV; ja

b. hόvetegur (K) 0,25 vυi rohkem; vυi

2. a. kiirendatud elektronide tippenergia 25 MeV vυi rohkem; ja

b. tippvυimsus on suurem kui 50 MW.

Mδrkus: Punkt 3A201.c ei hυlma kiirendeid, mida kasutatakse muude seadmete komponentidena, mille eesmδrgiks ei ole elektronkiire- vυi rφntgenikiirguse tekitamine (nt elektronmikroskoopia) vυi mis on spetsiaalselt ette nδhtud kasutamiseks meditsiinis:

Tehnilised mδrkused:

1. Hόvetegur on defineeritud jδrgmiselt:

K = 1,7 Χ 10 3 V 2,65 Q

kus V on elektronide tippenergia megaelektronvoltides.

Kui kiirendi impulsi kestus on 1 ì>ISO_4>s või vähem, siis Q tähistab kogu kiirendatud laengut kulonites. Kui aga kiirendi impulsi kestvus on pikem kui 1 μ>ISO_4>s, siis tδhistab Q 1 >ISO_7>μ>ISO_4>s jooksul kiirendatud maksimaalset laengut.

Q on vυrdne elektronkiire voolu i amprites integraaliga aja t suhtes sekundites, όle impulsi kestvuse (Q = >ISO_8>8747>ISO_4> idt). Tippvυimsus = (tipp-pinge voltides) x (elektronkiire tippvool amprites).

2. Tippvυimsus = (tipp-pinge voltides) x (elektronkiire tippvool amprites).

3. Kiirendites, mis pυhinevad mikrolaine υυnesresonaatoritel, loetakse impulsi kestvuseks jδrgmistest vδikseim: kas 1 >ISO_7>μ>ISO_4>s vυi όhe mikrolaine modulaatoriimpulsi tekitatud kokkusurutud kiirepaketi kestvus.

4. Kiirendites, mis pυhinevad mikrolaine υυnesresonaatoritel, loetakse kiire tippvoolu vδδrtuseks kokkusurutud kiirepaketi keskmistatud voolu vδδrtust selle kiirepaketi kestel.

3A225 Sagedusmuundurid vυi generaatorid, muud kui punktis 0B001.b.13 nimetatud, millel on kυik jδrgmised omadused:

a. mitmefaasiline vδljund, vυimaliku vδljundvυimsusega 40 W vυi rohkem;

b. sagedusvahemik 600-2000 Hz;

c. tδielik harmooniline moonutus alla 10 %; ja

d. sageduse stabiilsus parem kui 0,1 %.

Tehniline mδrkus:

Sagedusmuundureid 3A225 tδhenduses tuntakse ka konverterite vυi inverteritena.

3A226 Suure vυimsusega alalisvooluallikad, muud kui punktis 0B001.j.6 nimetatud, millel on mυlemad jδrgmised omadused:

a. vυimaldavad 8 tunni jooksul saada pidevalt vδljundpinget 100 V vυi rohkem voolutugevusel 500 A vυi rohkem; ja

b. voolu ja pinge stabiilsus 8 tunni vδltel on parem kui 0,1 %.

3A227 Kυrgepingelised alalisvooluallikad, muud kui punktis 0B001.j.5 nimetatud, millel on mυlemad jδrgmised omadused:

a. vυimaldavad 8 tunni jooksul saada pidevalt vδljundpinget 20 kV vυi rohkem voolutugevusel 1 A vυi rohkem; ja

b. voolu ja pinge stabiilsus 8 tunni vδltel on parem kui 0,1 %.

3A228 Lόlitusseadmed:

a. kόlmkatoodiga lambid, gaasiga tδidetult vυi mitte, mis tφφtavad analoogiliselt kaitsesδdemikuga ja millel on kυik jδrgmised omadused:

1. sisaldavad kolme vυi enamat elektroodi;

2. anoodpinge tippnimivδδrtusega 2,5 kV vυi rohkem;

3. anoodvoolu tippnimivδδrtus 100 A vυi rohkem; ja

4. anoodi viiteaeg 10 >ISO_7>μ>ISO_4>s vυi vδhem;

Mδrkus: Punkt 3A228 hυlmab gaastδitega krόtrone ja vakuumsprόtrone.

b. όmberlόlitatavad sδdevahemikud, millel on mυlemad jδrgmised omadused:

1. anoodi viiteaeg 15 >ISO_7>μ>ISO_4>s vυi vδhem; ja

2. tippnimivoolatugerus 500 A vυi rohkem;

c. kiirlόlitustoimega moodulid vυi sυlmed, millel on kυik jδrgmised tehnilised omadused:

1. anoodpinge tippnimivδδrtus όle 2000 V;

2. anoodvoolu tippnimivδδrtus 500 A vυi rohkem; ja

3. sisselόlitusaeg 1 >ISO_7>μ>ISO_4>s vυi vδhem

3A229 Sόόtesόsteemid ja vastavad suure voolu impulssgeneraatorid:

NB! VT KA SΥJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJA.

a. lυhkeaine detonaatorite sόόtamise sόsteemid, mis on ette nδhtud punktis 3A232 nimetatud multidetonaatorite kδivitamiseks;

b. moodul-elektriimpulsi generaatorid (pulsarid), millel on kυik jδrgmised tehnilised omadused:

1. ette nδhtud portatiivseks, mobiilseks vυi karmides tingimustes kasutamiseks;

2. suletud tolmukindlasse pakendisse;

3. vυimelised andma energiat vδhem kui 15 >ISO_7>μ>ISO_4>s jooksul;

4. vδljundvool 100 A vυi rohkem;

5. tυusuaeg vδhem kui 10 >ISO_7>μ>ISO_4>s, koormusel vδhem kui 40 oomi;

6. όkski mυυde ei όleta 254 mm;

7. raskus on vδhem kui 25 kg; ja

8. ette nδhtud kasutamiseks laiendatud temperatuurivahemikus 223 K (-50 °C) kuni 373 K (+100 °C) vυi mδδratletud kohaseks kasutamiseks kosmoses.

Mδrkus: Punkt 3A229.b hυlmab ka ksenoonvδlklampide juhtimisseadmeid.

Tehniline mδrkus:

Punktis 3A229.b.5 on tυusuaeg defineeritud kui ajavahemik, mis on vajalik voolu amplituudi kasvamiseks aktiivkoormusel 10 %-st kuni 90 %-ni.

3A230 Kiired impulssgeneraatorid, millel on mυlemad jδrgmised omadused:

a. vδljundpinge όle 6 V, aktiivkoormusel vδhem kui 55 oomi; ja

b. impulsi siirdeaeg 500 ps vυi vδhem.

Tehniline mδrkus:

Punktis 3A230 on impulsi siirdeaeg defineeritud kui ajavahemik pinge amplituudi vδδrtuste 10 % ja 90 % vahel.

3A231 Neutronite genereerimise sόsteemid, kaasa arvatud lambid, millel on mυlemad jδrgmised omadused:

a. nad on ette nδhtud tφφoperatsioonide tδitmiseks ilma vδlise vaakumsόsteemita; ja

b. triitium-deuteerium tuumareaktsiooni esilekutsumiseks kasutatakse elektrostaatilist kiirendamist.

3A232 Detonaatorid ja mitmepunktilised sόόtesόsteemid:

NB! VT KA SΥJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJA.

a. elektriliselt kδivitatavad lυhkeaine detonaatorid:

1. olahvatav sild (EB);

2. olahvatav sildtraat (EBW);

3. lφφksόtik;

4. plahvatava fooliumi initsiaatorid (EFI);

b. sόsteemid, mis kasutatavad όksik- vυi mitmikdetonaatoreid, mis on ette nδhtud όle 5000 mm2 lυhkeaine pinna peaaegu samaaegseks initsieerimiseks όhe sόόtesignaaliga nii, et initsieerimise ajaline ulatus όle kogu pinna oleks vδhem kui 2,5 >ISO_7>μ>ISO_4>s.

Mδrkus: Punkt 3A232 ei hυlma detonaatoreid, mis kasutavad ainult initsieerivaid lυhkeaineid, nagu nδiteks pliiasiid.

Tehniline mδrkus:

Kυigi punktis 3A232 nimetatud detonaatorite puhul kasutatakse vδikest elektrijuhti (silda, sildtraati vυi fooliumi), mis aurustub plahvatuslikult, kui kiire suurevooluline elektriline impulss seda lδbib. Mittelφφk-tόόpi detonaatorites vallandab plahvatav voolujuht keemilise detonatsiooni nendega kontaktis olevas kergelt plahvatavas aines, nagu PETN (pentaerόtritooltetranitraat). Lφφkdetonaatorites paiskab elektrijuhtide plahvatuslik aurustumine lφφknυela όle vahemiku ning lφφknυela pυrge lυhkeaine pihta vallandab keemilise detonatsiooni. Mυnedes konstruktsioonides paisatakse lφφknυela magnetjυudude abil. Mυiste "plahvatav fooliumdetonaator" vυib osutada nii plahvatavale sillale kui ka lφφk-tόόpi detonaatorile. Samuti kasutatakse mυnikord sυna "initsiaator" sυna "detonaator" asemel.

3A233 Massispektromeetrid, muud kui punktis 0B002.g nimetatud, mis vυimaldavad mυυta ioone massiga 230 aatommassiόhikut vυi rohkem ning mille lahutusvυime on parem kui 2 osa 230-st, ning nende iooniallikad:

a. induktiivselt sidestatud plasma massispektromeetrid (ICP/MS);

b. huumlahendus-massispektromeetrid (GDMS);

c. termilise ionisatsiooni massispektromeetrid (TIMS);

d. elektronpommitusega massispektromeetrid, mille allikakonteiner on valmistatud, vooderdatud vυi kaetud UF6 kindlate materjalidega;

e. molekulaarkimbu massispektromeetrid, millel on όks jδrgmistest omadustest:

1. kiirgusallika konteiner on valmistatud, vooderdatud vυi kaetud roostevaba terasega vυi molόbdeeniga ja varustatud kόlmalυksuga, mida on vυimalik jahutada temperatuurile 193 K (-80 °C) vυi madalamale; vυi

2. kiirgusallika konteiner on valmistatud, vooderdatud vυi kaetud UF6 kindlate materjalidega;

f. massispektromeetrid, mis on varustatud mikrofluorimisioonallikaga ja on ette nδhtud aktiniididele vυi aktiniidfluoriididele.

3B Testimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed

3B001 Seadmed pooljuhtseadmete ja -materjalide tootmiseks ning nende komponendid ja abiseadmed:

a. epitakskasvatamise seadmed:

1. seadmed, mis on vυimelised tootma όht jδrgmistest:

a. όhtlast rδnikihti 200 mm vυi pikemal vahemikul, mille ebaόhtlus on vδiksem kui ± 2,5 %; vυi

b. όhtlast muu materjali kihti, kui rδni, 75 mm vυi pikemal vahemikul, mille ebaόhtlus on vδiksem kui ± 2,5 %;

2. metallorgaanilised keemilise aurustamise-sadestamise reaktorid (MOCVD), mis on spetsiaalselt kavandatud όhendpooljuhtkristallide kasvatamiseks punktis 3C003 vυi 3C004 nimetatud materjalide vahelise keemilise reaktsiooni abil;

3. molekulaarkimp-epitakskasvatamise seadmed milles kasutatakse gaasilisi vυi tahkeid allikaid;

b. ioonlegeerimisseadmed, millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. kimbu energia (kiirenduspinge) on όle 1 MeV;

2. spetsiaalselt ette nδhtud ja optimeeritud tφφtamaks kimbu energial (kiirenduspingel), mis on vδiksem kui 2 keV;

3. otsekirje vυimega; vυi

4. kimbu energiaga 65 keV vυi rohkem ja kimbu vooluga 45 mA vυi rohkem kυrgenergeetiliseks hapniku istutamiseks kuumutatud pooljuhtmaterjali pυhimikku ;

c. anisotroopsed plasmakuivsφφvitusseadmed:

1. seadmed kassetist-kassetti tόόpi toimimisviisi ning tδitelόόsidega, millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. kavandatud vυi optimeeritud saavutama kriitilist mυυtu 0,3 >ISO_7>μ>ISO_4>m vυi vδhem ± 5 % 3sigmalise tδpsusega; vυi

b. kavandatud tekitama vδhem kui 0,04 osakest/cm2, mille mυυdetav osakese diameeter on suurem kui 0,1 >ISO_7>μ>ISO_4>m;

2. seadmed, mis on spetsiaalselt ette nδhtud punktis 3B001.e nimetatud seadmetele ja millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. kavandatud vυi optimeeritud saavutama kriitilist mυυtu 0,3 >ISO_7>μ>ISO_4>m vυi vδhem ± 5 % 3sigmalise tδpsusega; vυi

b. kavandatud tekitama vδhem kui 0,04 osakest/cm2, mille mυυdetav osakese diameeter on suurem kui 0,1 >ISO_7>μ>ISO_4>m;

d. plasmaaktiveeritud keemilise aurustamise-sadestamise (CVD) seadmed:

1. seadmed kassetist-kassetti tόόpi toimimisviisi ning tδitelόόsidega, mis on tootja spetsifikatsioonide jδrgi ette nδhtud vυi optimeeritud pooljuhtseadmete tootmises kasutamiseks kriitiliste mυυtmetega 180 nm vυi vδhem;

2. seadmed, mis on spetsiaalselt ette nδhtud punktiga 3B001.e hυlmatud seadmete jaoks ja mis on tootja spetsifikatsioonide jδrgi ette nδhtud vυi optimeeritud pooljuhtseadmete tootmises kasutamiseks kriitiliste mυυtmetega 180 nm vυi vδhem;

e. automaatse laadimisega mitmekambrilised kesksed toorikkiipide kδsitsemise sόsteemid, millel on jδrgmised omadused:

1. liides toorikkiipide sisestamiseks ja vδljavυtmiseks, millega vυib liita enam kui kaks pooljuhte tφφtlevat seadet; ja

2. on arendatud moodustama integreeritud sόsteemi kiipide jδrjestiktφφtlemiseks vaakumkeskkonnas;

Mδrkus: Punkt 3B001.e ei hυlma automaatseid kiipide kδsitlemise robotsόsteeme, mis pole ette nδhtud toimima vaakumkeskkonnas.

f. jδrgmised litograafiaseadmed:

1. «paiguta ja sδrita ning korda sammhaaval» (otsene samm kiibil) vυi «samm ja skaneeri» (skanner) tόόpi seadmed kiipide tφφtlemiseks, mis kasutavad valgusoptilist vυi rφntgenikiirte meetodeid ja millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. valgusallika lainepikkus on lόhem kui 350 nm; vυi

b. on vυimelised tekitama mustrit, milles vδhima lahutatava elemendi mυυt on 0,35 >ISO_7>μ>ISO_4>m vυi vδhem;

Tehniline mδrkus:

Vδhima lahutatava elemendi mυυt arvutatakse jδrgmise valemi pυhjal:

MRF = (Valgusallika lainepikkus, >ISO_7>μ>ISO_4>m) Χ (K tegur ) numbriline apertuur

kus K tegur = 0,7

MRF = vδhima lahutatava elemendi mυυt

2. seadmed pooljuhtide maskide valmistamiseks vυi pooljuhtseadiste tφφtlemiseks, rakendades hδlvitatud-fokuseeritud elektronkimpu, ioonkimpu vυi laser kiirt, millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. laotuspunkti suurus vδiksem kui 0,2 >ISO_7>μ>ISO_4>m;

b. on vυimelised tekitama mustreid, milles vδhima lahutatava elemendi mυυt on vδiksem kui 1 >ISO_7>μ>ISO_4>m; vυi

c. paigutustδpsus parem kui ± 0,20 >ISO_7>μ>ISO_4>m (3 sigmat);

g. maskid ja niitvφrgustikud, mis on ette nδhtud punktis 3A001 nimetatud integraallόlitustele;

h. mitmekihilised maskid faasinihke kihiga.

Mδrkus: Punkt 3B001.h ei hυlma mitmekihilisi maske faasinihke kihiga, mis on ette nδhtud punktis 3A001 mitte hυlmatud mδluseadmete tootmiseks.

3B002 Programmeeritavad testimisseadmed ning spetsiaalselt nende jaoks ettenδhtud komponendid ja lisavarustus jδrgmiste lυpetatud vυi lυpetamata pooljuhtseadmete testimiseks:

a. transistoride S parameetrite testimiseks sagedustel όle 31,8 GHz;

b. integraallόlituste testimiseks, mis on vυimelised sooritama funktsionaalset testimist tυevδδrtustabelitega, nδidiste esitamise kiirusega όle 667 MHz;

Mδrkus: Punkt 3B002.b. ei hυlma testimisseadmeid, mis on spetsiaalselt ette nδhtud jδrgmiseks testimiseks:

1. Elektroonikasυlmed vυi elektroonikasυlmede klass;

2. Kontrollimatud elektroonilised komponendid, elektroonikasυlmed vυi integraallόlitused;

3. Mδlud.

Tehniline mδrkus:

Kδesolevas punktis tδhendab nδidiste esitamise kiirus testimisseadme digitaaloperatsioonide maksimaalset sagedust. See vastab kυrgeimale edastuskiirusele, mida testimisseade tagab mittemultiplekssel reΎiimil. Seda kutsutakse ka testkiiruseks, maksimaalseks digitaalseks sageduseks vυi maksimaalseks digitaalseks kiiruseks.

c. punktis 3A001.b.2 nimetatud mikrolaine integraallόlituste testimiseks.

3C Materjalid

3C001 Hetero-epitaksiaalsed materjalid, mis koosnevad jδrgmiste materjalide epitakskasvatamisel saadud pυhimikest :

a. rδni;

b. germaanium

c. rδnikarbiid; vυi

d. galliumi vυi indiumi III/V όhendid.

Tehniline mδrkus:

III/V όhendid on polόkristallilised, binaarsed vυi kompleksmonokristallilised tooted, mis koosnevad Mendelejevi perioodilisussόsteemi tabeli IIIA ja VA grupi elementidest (nt gallium-alumiiniumarseniid, indiumfosfiid).

3C002 Resistmaterjalid ja pυhimikud , mis on kaetud kontrolli alla kuuluvate resistmaterjalidega:

a. positiivsed resistid, mis on ette nδhtud pooljuhtide litograafiaks ning spetsiaalselt kohandatud (optimeeritud) kasutamiseks lainepikkustel alla 350 nm;

b. kυik resistid, mis on ette nδhtud kasutamiseks elektron- vυi ioonkimpudega, tundlikkusega 0,01 >ISO_7>μ>ISO_4>C/mm2 vυi parem;

c. kυik resistid, mis on ette nδhtud kasutamiseks rφntgenikiirtega, tundlikkusega 2,5 mJ/mm2 vυi parem;

d. kυik resistid, mis on optimeeritud pinnakujundamise tehnoloogiate jaoks, sealhulgas ka silόleeritud resistid.

Tehniline mδrkus:

Silόleerimistehnika tδhendab protsesse, mis sisaldavad resisti pinna oksόdeerimist, et parandada selle omadusi nii mδrg- kui ka kuivilmutamisel.

3C003 Orgaanilis-anorgaanilised όhendid:

a. alumiiniumi, galliumi vυi indiumi metallorgaanilised όhendid puhtusega (metalli baasil) όle 99,999 %;

b. arseeni, antimoni vυi fosfori orgaanilised όhendid puhtusega όle 99,999 % (anorgaaniliste elementide baasil).

Mδrkus: Punkt 3C003 hυlmab όksnes neid όhendeid, milles metalliline, poolmetalliline vυi mittemetalliline element on molekuli orgaanilises osas oleva sόsinikuga otseses sidemes.

3C004 Fosfori, arseeni vυi antimoni hόdriidid puhtusega όle 99,999 %, ka inertgaasides vυi vesinikus lahjendatuna.

Mδrkus: Punkt 3C004 ei hυlma hόdriide, mis sisaldavad 20 moolprotsenti vυi enam inertgaase vυi vesinikku.

3D Tarkvara

3D001 Tarkvara , mis on spetsiaalselt ette nδhtud punktides 3A001.b-3A002.g vυi 3B nimetatud seadmete arendamiseks vυi tootmiseks .

3D002 Tarkvara , mis on spetsiaalselt ette nδhtud mis tahes jδrgmiste seadmete kasutamiseks :

a. punktides 3B001.a kuni 3B001.f nimetatud seadmed; vυi

b. punktis 3B002 nimetatud seadmed.

3D003 Fόόsikalistel alustel pυhinev simulatsiooni tarkvara , mis on ette nδhtud litograafia-, sφφvitus- vυi pinnakatmisprotsesside arendamiseks maskide struktuuri όleviimisel spetsiifiliseks juhtide, dielektrikute vυi pooljuhtide topograafiliseks struktuuriks.

Tehniline mδrkus:

Fόόsikalistel alustel pυhinev tδhendab punktis 3.D.3 arvutuste kasutamist fόόsikalistel omadustel (nt temperatuur, rυhk, difusioonikonstandid ja pooljuhtmaterjalide omadused) pυhinevate fόόsikaliste pυhjus-tagajδrg sόndmuste jδrjestuse kindlakstegemiseks.

Mδrkus: Pooljuhtseadmete vυi integraallόlituste projekteerimise raamatukogud, olulised tunnused ja projekteerimisega seotud andmed loetakse tehnoloogiaks.

3D004 Tarkvara , mis on spetsiaalselt ette nδhtud punktis 3A003 nimetatud seadmete arendamiseks .

3D101 Tarkvara , mis on spetsiaalselt loodud vυi kohandatud punktis 3A101.b nimetatud seadmete kasutamiseks .

3E Tehnoloogia

3E001 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nδhtud punktides 3A, 3B vυi 3C nimetatud seadmete vυi materjalide arendamiseks vυi tootmiseks ;

Mδrkus 1: Punkt 3E001 ei hυlma tehnoloogiat seadmete vυi komponentide tootmiseks, mis on hυlmatud punktiga 3A003.

Mδrkus 2: Punkt 3E001 ei hυlma tehnoloogiat punktides 3A001.a.3-3A001.a.12 nimetatud integraallόlituste arendamiseks vυi tootmiseks, millel on kυik jδrgmised omadused:

1. on kasutatud 0,5 >ISO_7>μ>ISO_4>m vυi suurema struktuurielemendi tehnoloogiat; ja

2. ei sisalda mitmekihilisi struktuure .

Tehniline mδrkus:

Vδljend mitmekihilised struktuurid ei hυlma seadmeid, mis sisaldavad maksimaalselt kaht metallikihti ja kolme polόkristalset rδnikihti.

3E002 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia, muu kui punktis 3E001 nimetatud, mikroprotsessor-mikroskeemide , mikroarvuti-mikroskeemide ja mikrokontroller-mikroskeemide arendamiseks vυi tootmiseks , mille όhendatud teoreetiline suutlikkus (CTP) on 530 miljonit teoreetilist operatsiooni sekundis (Mtops) vυi rohkem ja aritmeetika-loogikaseade juurdepδδsu laius 32 bitti vυi rohkem;

Mδrkus: Punktile 3E001 lisatud kontrolli alla mittekuulumise mδrkus 2 kehtib ka punkti 3E002 kohta.

3E003 Muu tehnoloogia , mida kasutatakse jδrgmiste seadmete ja komponentide arendamiseks vυi tootmiseks :

a. vaakummikroelektroonilised seadmed;

b. heterostruktuuriga pooljuhtseadmed (nt elektronide kυrgliikuvusega transistorid (HEMT), heterobipolaartransistorid (HBT) kvantkaev- ja supervυreseadmed;

Mδrkus: Punkt 3E003.b ei hυlma suure liikuvusega elektronidega transistoride tehnoloogiat, mis tφφtavad sagedustel alla 31,8 GHz ja heterosiirdega bipolaarsete transistoride tehnoloogiat, mis tφφtavad sagedustel alla 31,8 GHz.

c. όlijuhtivad elektroonilised seadmed;

d. teemantpυhimikud vυi -kiled elektroonilistele komponentidele.

e. rδni-isolaator-pυhimikud integraallόlitustele, milles isolaatoriks on rδnidioksiid;

f. rδnikarbiidpυhimikud elektroonilistele komponentidele;

g. elektroonilised vaakumlambid, mille tφφsagedus on όle 31,8 GHz.

3E101 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nδhtud punktis 3A001.a.1 vυi 3A001.a.2, 3A101.a vυi 3D101 nimetatud seadmete vυi tarkvara kasutamiseks .

3E102 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia punktis 3D101 nimetatud tarkvara arendamiseks .

3E201 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia, mis on vajalik punktides 3A00l.e.2, 3A001.e.3, 3A201, 3A225-3A233 nimetatud seadmete kasutamiseks .

4. KATEGOORIA

ARVUTID

Mδrkus 1: Arvuteid, vastavaid seadmeid ja tarkvara, mis tδidavad telekommunikatsiooni- vυi kohtvυrgu όlesandeid, tuleb hinnata samuti 5. kategooria 1. osa jυudlusparameetrite jδrgi (Telekommunikatsioon).

Mδrkus 2: Juhtimismoodulid, mis όhendavad otseselt keskseadet, pυhimδlu vυi ketta juhtseadet siinide vυi kanalitega, ei loeta 5. kategooria 1. osas (Telekommunikatsioon) nimetatud telekommunikatsiooniseadmeteks.

NB! Pakettkommuteerimise jaoks spetsiaalselt loodud tarkvara kontrolli alla kuulumise kohta vaata punkti 5D001.

Mδrkus 3: Arvuteid, vastavaid seadmeid ja tarkvara, mis tδidavad krόptograafilisi, krόptoanalόόsi, tunnistavaid mitmeastmelisi turva- vυi tunnistavaid kasutajate eraldamisόlesandeid vυi mis piiravad elektromagnetilist όhilduvust, tuleb hinnata samuti 5. kategooria 2. osa jυudlusparameetrite jδrgi (Infoturve).

4A Sόsteemid, seadmed ja komponendid

4A001 Elektronarvutid ja nendega seotud seadmed, elektroonikasυlmed ja spetsiaalselt neile ette nδhtud komponendid:

NB! VT KA PUNKTI 4A101.

a. mis on konstrueeritud nii, et neil oleks mis tahes jδrgmine omadus:

1. ette nδhtud tφφόlesannete tδitmiseks keskkonnas, mille temperatuur on madalam kui 228 K (- 45 °C) vυi όle 358 K (+85 °C);

Mδrkus: Punkti 4A001.a.1 ei kohaldata tsiviilotstarbeliste mootorsυidukites ja raudteerongides kasutamiseks ettenδhtud arvutite suhtes.

2. kiirguskindlad, mis taluvad mis tahes jδrgmise piirvδδrtuse όletamist:

a. kogudoos 5 Χ 103 Gy (rδni); b. doosikiirus 5 Χ 106 Gy (rδni)/s; vυi c. όhele tuumasόndmusele vastab 5 Χ 10-7 viga/bit/pδev;

b. mille tehnilised omadused ja jυudlus όletavad 5. kategooria 2. osas (Infoturve) kirjeldatud piire.

Mδrkus: Punkt 4A001.b ei hυlma elektronarvuteid ja vastavaid seadmeid, kui need on kasutajal kaasas isiklikuks kasutamiseks.

4A003 Digitaalarvutid, elektroonikasυlmed ja nendega seotud seadmed nende jaoks ettenδhtud komponentidega:

Mδrkus 1: Punkt 4A003 hυlmab jδrgmist:

a. vektorprotsessorid;

b. massiiviprotsessorid;

c. digitaalsed signaaliprotsessorid;

d. loogikaprotsessorid;

e. pildivδδrinduseks kavandatud seadmed;

f. signaalitφφtluseks kavandatud seadmed.

Mδrkus 2: Punktis 4A003 nimetatud digitaalarvutite ja nendega seotud seadmete kontrolli alla kuulumine mδδratakse vastavalt nende seadmete vυi sόsteemi kontrolli alla kuulumisele, mille jaoks nad on ette nδhtud:

a. digitaalarvutid vυi seotud seadmed on olulised teise sόsteemi vυi seadme toimimiseks;

b. digitaalarvutid vυi seotud seadmed ei ole muu sόsteemi vυi seadme oluliseks osaks; ja

NB 1! Muudele seadmetele spetsiaalselt ettenδhtud signaalitφφtlus- vυi pildivδδrindusseadmete kontrolli alla kuulumine mδδratakse vastavalt muude seadmete kontrolli alla kuulumisele isegi siis, kui nad ei tδida olulise osa kriteeriumit.

NB 2! Digitaalarvutite vυi telekommunikatsiooniseadmete kontrolli alla kuulumise kohta vaata 5. kategooria 1. osa (Telekommunikatsioon).

c. Tehnoloogia digitaalarvutite vυi seotud seadmete jaoks mδδratakse kindlaks punktis 4E.

a. kavandatud vυi kohandatud tυrketaluvusega sόsteemi jaoks;

Mδrkus: Punkt 4A003.a tδhenduses ei kδsitleta digitaalarvuteid ja nendega seotud seadmeid kavandatuna vυi kohandatuna tυrketaluvusega sόsteemide jaoks, kui nendes on kasutatud jδrgmist:

1. arvuti pυhimδlu sisaldab vigade avastamise ja korrigeerimise algoritme;

2. Kaks digitaalarvutit on omavahel όhendatud selliselt, et aktiivse keskseadme tυrke korral jδtkab sόsteemi toimimist seni tόhikδigul jooksnud ja aktiivset keskseadet peegeldav keskseade;

3. kahe keskseadme omavaheline side andmekanalite vυi όhismδlu kaudu, mis vυimaldab όhel keskseadmel sooritada muid όlesandeid kuni teise keskseadme tυrkeni, millisest hetkest alates esimene keskseade vυtab όle sόsteemi toimimise tagamise; vυi

4. kahe keskseadme sόnkroniseerimine tarkvara abil nii, et όks keskseade on vυimeline avastama teises keskseadmes tekkinud tυrke ning taastama ja vυtma όle selle seadme tφφ.

b. Digitaalarvutid όhendatud teoreetilise jυudlusega (CTP) όle 190000 miljoni teoreetilise operatsiooni sekundis (Mtops);

c. elektroonikasυlmed , mis on spetsiaalselt konstrueeritud vυi kohandatud, et suurendada jυudlust arvutuselementide liitmise teel nii, et sellise όhenduse όhendatud teoreetiline jυudlus (CTP) όletab punktis 4A003.b sδtestatud piiri;

Mδrkus 1: Punkti 4A003.c kohaldatakse όksnes elektroonikasυlmedele ja programmeeritavatele omavahelistele όhendustele, mis ei όleta punktis 4A003.b esitatud piire, kui neid toimetatakse kohale mitteόhendatud elektroonikasυlmedena. Seda ei kohaldata elektroonikasυlmedele, mille rakendamine loomupδraselt oma konstruktsiooni tυttu punktides 4A003.d vυi 4A003.e nimetatud seadmete vastava osana on piiratud.

Mδrkus 2: Punkt 4A003.c ei hυlma elektroonikasυlmi, mis on spetsiaalselt konstrueeritud toodetele vυi tooteperekondadele, mille maksimaalne konfiguratsioon ei όleta punktis 4A003.b sδtestatud piiri.

d. ei kasutata;

e. seadmed, mis teostavad analoog-digitaalmuundamist, mille parameetrid όletavad punktis 3A001.a.5 sδtestatud piirid;

f. ei kasutata;

g. seadmed, mis on spetsiaalselt ette nδhtud vυimaldama digitaalarvutite vυi nende juurde kuuluvate seadmete omavahelist vδlist όhendust ja vυimaldavad andmevahetust kiirusega όle 1,25 gigabaidi sekundis.

Mδrkus: Punkt 4A003.g ei hυlma sisemise όhenduse seadmeid (nt pυhiplaate, siine), passiivseid όhendusseadmeid, vυrgu ligipδδsu kontrollereid vυi sidekanali kontrollereid.

4A004 Arvutid ja nende jaoks ettenδhtud vastavad seadmed, elektroonikasυlmed ja komponendid:

a. sόstoolsed massiiviarvutid;

b. neuronarvutid;

c. optilised arvutid.

4A101 Analoogarvutid, digitaalarvutid vυi digitaalsed diferentsiaalanalόsaatorid, muud kui punktis 4A001.a.1 nimetatud, mis on karmide tingimuste jaoks ning spetsiaalselt ette nδhtud vυi kohandatud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettides vυi punktis 9A104 nimetatud sondrakettides

4A102 Hόbriidarvutid , mis on spetsiaalselt ette nδhtud punktis 9A004 nimetatud kanderakettide vυi punktis 9A104 nimetatud sondrakettide modelleerimiseks, simulatsiooniks vυi projektide integreerimiseks.

Mδrkus: Nimetatud kontrolli kohaldatakse vaid juhul, kui nimetatud seadmed on varustatud punktis 7D103 vυi 9D103 nimetatud tarkvaraga.

4B Testimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed

Puuduvad.

4C Materjalid

Puuduvad.

4D Tarkvara

Mδrkus: Teistes kategooriates nimetatud seadmete arendamis-, tootmis- vυi kasutustarkvara kontrolli alla kuulumine mδδratakse vastavates kategooriates. Kδesolevas kategoorias nimetatud seadmete jaoks ettenδhtud tarkvara kontrolli alla kuulumine mδδratakse siin.

4D001

a. Tarkvara , mis on spetsiaalselt loodud vυi kohandatud punktides 4A001-4A004 vυi 4D nimetatud seadmete ja tarkvara arendamiseks, tootmiseks vυi kasutamiseks .

b. Tarkvara , muu kui punktis 4D001.a nimetatud, mis on spetsiaalselt loodud vυi kohandatud jδrgmiste arendamiseks vυi tootmiseks :

1. digitaalarvutid όhendatud teoreetilise jυudlusega (CTP) όle 28000 miljoni teoreetilise operatsiooni sekundis (Mtops); vυi

2. elektroonikasυlmed , mis on spetsiaalselt konstrueeritud vυi kohandatud, et suurendada jυudlust arvutuselementide liitmise teel nii, et sellise όhenduse όhendatud teoreetiline jυudlus (CTP) όletab punktis 4D001.b.1 sδtestatud piiri;

4D002 Tarkvara , mis on spetsiaalselt loodud vυi kohandatud punktis 4E nimetatud tehnoloogia toetamiseks.

4D003 Jδrgmine spetsiifiline tarkvara :

a. programmikeelne operatsioonisόsteemide tarkvara ja spetsiaalselt paljude andmete voogtφφtlemiseks ettenδhtud seadmetele tarkvara arendamise vahendid ja kompilaatorid;

b. ei kasutata;

c. tarkvara , mille omadused vυi funktsioonid όletavad 5. kategooria 2. osas (Infoturve) sδtestatud piire;

Mδrkus: Punkt 4D003.c ei hυlma tarkvara, kui see on kasutajal kaasas isiklikuks kasutamiseks.

4E Tehnoloogia

4E001

a. Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nδhtud punktis 4A vυi 4D nimetatud seadmete vυi tarkvara arendamiseks, tootmiseks vυi kasutamiseks .

b. Tarkvara, muu kui punktis 4E001.a nimetatud, mis on spetsiaalselt loodud vυi kohandatud jδrgmiste arendamiseks vυi tootmiseks :

1. digitaalarvutid όhendatud teoreetilise jυudlusega (CTP) όle 28 000 miljoni teoreetilise operatsiooni sekundis (Mtops); vυi

2. elektroonikasυlmed , mis on spetsiaalselt konstrueeritud vυi kohandatud, et suurendada jυudlust arvutuselementide liitmise teel nii, et sellise όhenduse όhendatud teoreetiline jυudlus (CTP) όletab punktis 4E001.b.1 sδtestatud piiri;

Tehniline mδrkus όhendatud teoreetilise jυudluse (CTP) kohta

Tehnilises mδrkuses kasutatud lόhendid

CE arvutuselement (tόόpiline aritmeetika-loogikaseade) FP ujukoma XP pόsikoma t tδitmisaeg XOR vδlistav VΥI CPU keskseade TP teoreetiline jυudlus (όksiku arvutuselemendi) CTP όhendatud teoreetiline jυudlus (mitme arvutuselemendi) R efektiivne arvutuskiirus WL sυnapikkus L sυnapikkuse normeerimine x korrutusmδrk Tδitmisaeg t vδljendatakse mikrosekundites, teoreetilist jυudlust TP ja όhendatud teoreetilist jυudlust CTP vδljendatakse miljonites teoreetilistes operatsioonides sekundis (Mtops) ning sυnapikkust WL vδljendatakse bittides.

CTP - όhendatud teoreetilise jυudluse arvutamismeetodi kirjeldus

CTP on arvutusjυudluse mυυt, mida vδljendatakse Mtops όhikutes. άhendatud CE-de CTP arvutamine toimub kolmes etapis jδrgmiselt:

1. arvutada eraldi igale CE-le efektiivne arvutuskiirus R;

2. rakendada sυnapikkuse normeerimist (L) efektiivsele arvutuskiirusele (R), saades teoreetilise jυudluse (TP) iga arvutuselemendi CE jaoks;

3. kui CE-sid on rohkem kui όks, liita teoreetilised jυudlused TP kogu όhendatud teoreetilise jυudluse CTP saamiseks.

Nende sammude όksikasjad on esitatud jδrgmistes lυikudes.

1. mδrkus Kui mitmel CE-l on nii omi kui ka όhiseid mδlu alamsόsteeme, siis CTP arvutamine teostatakse hierarhiliselt kahes jaos: esiteks liidetakse όhismδluga CE-de grupid, teiseks arvutatakse gruppide CTP, kasutades paljude όhismδluta CE-de korral kasutatavat arvutusmetoodikat.

2. mδrkus CE-d, mis piirduvad sisend-/vδljund- ja vδlisfunktsioonidega (nt kettaseade, andmeside ja kuvari kontrollerid), ei liideta CTP arvutamisel.

TEHNILINE MΔRKUS CTP KOHTA

Jδrgmises tabelis on esitatud igale CE-le efektiivse arvutuskiiruse R arvutamise meetod:

1. etapp: Efektiivne arvutuskiirus R

>TABELPOSITION>

Mδrkus W KonveierreΎiimil tφφtava CE korral, mis on vυimeline iga kellatsόkli jooksul sooritama όhe aritmeetika- vυi loogikaoperatsiooni, vυib mδδrata konveierkiiruse, kui «konveier on tδis» . Sellise arvutuselemendi efektiivseks arvutuskiiruseks (R) on kiireim kahest, kas konveierkiirus vυi mittekonveierreΎiimil tδitmiskiirus.

Mδrkus X CE jaoks, mis tδidab όhe tsόkli kestel mitu spetsiifilist operatsiooni (nt kaks liitmist vυi kaks identset loogikaoperatsiooni όhe tsόkli kestel), on tδitmisaeg t esitatud jδrgmiselt:

t = protsessi kestusidentsete operatsioonide arv tsόkli jooksul

CE-sid, mis όhe masinatsόkli jooksul sooritavad mitmeid eri tόόpi matemaatilisi vυi loogikaoperatsioone, tuleb kδsitleda kui mitut erinevat όheaegselt tφφtavat CE-d (nt CE-d, mis όhe tsόkli jooksul teostab liitmist ja korrutamist, tuleb kδsitleda kui kaht arvutuselementi, millest όks sooritab όhe tsόkli liitmist jooksul ja teine korrutamist). Kui CE sooritab nii skalaarseid kui ka vektorarvutusi, kasutatakse lόhima tδitmisaja vδδrtust.

Mδrkus Y Kui CE ei soorita ujukomaarvude liitmis- ega korrutamistehet, kuid sooritab ujukomaarvude jagamistehet, siis:

Rfp = ltfp divide

Kui CE arvutab ujukomaarvude pφφrdvδδrtusi, kuid ei teosta ujukomaarvude liitmis-, korrutamis- vυi jagamistehet, siis:

Rfp = ltfp reciprocal

Kui όlalmainitud kδskudest όhtegi ei tδideta, on efektiivne ujukomaarvutuskiirus null.

Mδrkus Z Lihtsa loogikaoperatsiooni korral sooritab όksik kδsk όhe loogilise operatsiooni mitte enam kui kahe antud pikkusega operandi vahel. Keerulise loogikaoperatsiooni korral sooritab όksik kδsk mitmeid loogilisi operatsioone kahe vυi enama operandi vahel, et saada όht vυi enamat tulemust.

Kiirused tuleb arvutada kυigi toetatavate operandi pikkuste jaoks, vυttes arvesse nii konveierreΎiimis operatsioone (kui neid toetatakse) kui ka mitte konveierreΎiimis operatsioone, kasutades kiireimat tδidetavat kδsku iga operandi pikkuse jaoks, millel see pυhineb:

1. konveierreΎiim vυi registrist-registrisse operatsioonid. Ebatavaliselt lόhikesed tδitmisajad, mis tekivad ettemδδratud operandi vυi operandide korral (nt korrutamine nulli vυi όhega), jδetakse kυrvale. Kui ei kδsitleta registrist-registrisse operatsioone, jδtkata punktiga 2.

2. kiireim registrist-mδlusse vυi mδlust-registrisse operatsioon; nende puudumisel jδtkata punktiga 3.

3. mδlust-mδlusse operatsioonid.

Iga eespool nimetatud juhu jaoks kasutada tootja poolt deklareeritud lόhimat tδitmisaega.

2. etapp: TP arvutamine igale toetatava operandi pikkusele WL

Normaliseerida efektiivne kiirus R (vυi R') sυna pikkuse L abil jδrgmiselt:

TP = R Χ L,

kus L = (1/3 ± WL/96)

Mδrkus Sυna pikkus WL, mida kasutatakse nendes arvutustes, on operandi pikkus bittides. (Kui operatsiooni sooritamisel kasutatakse erineva pikkusega operande, tuleb valida pikim).

Ujukomaprotsessori vυi ujukomaploki mantissi aritmeetika-loogikaseadme ALU ja eksponendi aritmeetika-loogikaseadme ALU kombinatsiooni loetakse όheks CE-ks sυnapikkusega WL, mis on vυrdne vυetud bittide arvuga andmete esitamisel (tavaliselt 32 vυi 64), pidades silmas CTP arvutamist.

Sellist normaliseerimist ei rakendata spetsiaalsete loogikaprotsessorite korral, mis ei kasuta vδlistav-VΥI-kδskusid. Sel juhul TP = R.

Valida vδlja saadud TP vδδrtustest maksimaalsed:

Igale ainult XP arvutuselemendile - Rxp ;

Igale ainult FP arvutuselemendile - Rfp ;

Igale kombineeritud FP ja XP arvutuselemendile - R;

Igale lihtsale loogikaprotsessorile, mis ei teosta aritmeetilisi operatsioone; ja

Igale spetsiaalsele loogikaprotsessorile, mis ei kasuta όhtegi nimetatud aritmeetilist vυi loogilist operatsiooni.

3. etapp: CTP leidmine CE-de jaoks, mille hulka on arvatud ka CPU-d

CPU jaoks, millel on όks CE,

«CTP»  = TP

(CE-de jaoks, mis teostavad nii pόsikoma kui ka ujukoma operatsioone

TP = max (TPfp , TPxp ))

Paljude liidetud samaaegselt tφφtavate CE-de jaoks arvutatakse CTP jδrgmiselt:

1. mδrkus Liidetud CE-de korral, mis ei vυimalda kυigi CE-de samaaegset tφφtamist, kasutatakse vυimalike CE-de kombinatsiooni, mis annab suurima CTP. Iga osaleva CE jaoks tuleb leida selle teoreetiliselt maksimaalne TP, enne kui tuletatakse selle kogu CTP.

NB! Et mδδrata samaaegselt tφφtavate CE-de vυimalikud kombinatsioonid, tuleb tekitada kδskude jada, mis algataks paljudes CE-des tφφ, alustades kυige aeglasemast CE-st (selline eksemplar, mis vajab kυige enam tsόkleid oma operatsiooni sooritamiseks) ning lυpetades kiireima CE-ga. Iga jadatsόkli korral CE-de kombinatsioon, mis tφφtavad selle tsόkli kestel, ongi vυimalik kombinatsioon. Kδskude jada peab arvesse vυtma kυik riistvara- ja/vυi arhitektuuripiirangud vaheliti osaliselt kattuvatele operatsioonidele.

2. mδrkus άks integraallόlitus vυi koostplaat vυib sisaldada mitut CE-d.

3. mδrkus Samaaegsed operatsioonid loetakse vυimalikuks, kui arvutivalmistaja teatab arvuti juhendis vυi tutvustuses konkurentsetest, paralleelsetest vυi samaaegsetest operatsioonidest vυi tδitmistest.

4. mδrkus CTP vδδrtusi ei tohi liita CE-de kombinatsioonide jaoks, mis on omavahel όhendatud kohtvυrgu , laivυrgu kaudu, όhise sisend-/vδljund- όhenduste/seadmetega, sisend-/vδljundkontrolleritega vυi muu tarkvara pakutava andmesidega.

5. mδrkus CTP vδδrtused tuleb liita mitme CE korral, mille jυudlust on tυstetud όhendamise teel ja mis toimivad όheaegselt ning kasutavad samu όheaegselt toimivaid όhismδlu- vυi όhismδlu/CE kombinatsioone, kasutades spetsiaalselt kavandatud riistvara. Seda liitmist ei rakendata punktis 4A003.c nimetatud elektroonikasυlmede korral.

«CTP»  = TP1  + C2  Χ TP2  + ... + Cn  Χ TPn ,

kus TP-d on jδrjestatud vδδrtuste jδrgi nii, et TP1 on suurim, TP2 on suuruselt jδrgmine, ... ning TPn on vδikseim. Ci tδhistab koefitsenti, mis mδδratakse CE-de vahelise όhenduse tugevusega jδrgmiselt:

Mitme όheaegselt tφφtava ja sama mδlu kasutava CE korral:

C2  = C3  = C4  = ... = Cn  = 0,75

1. mδrkus Kui esitatud meetodil arvutatud CTP vδδrtus ei ole όle 194 Mtops'i, vυib kasutada Ci arvutamiseks jδrgmist valemit:

Ci = 0,75m

(i = 2, ..., n)

kus m = on όhist mδlu jagavate CE-de vυi nende rόhmade arv.

1. tingimusel, et: όhegi CE vυi CE-rόhma TPi ei ole όle 30 Mtops'i;

2. CE-d vυi CE-rόhmad jagavad juurdepδδsu pυhimδlule (arvestamata vahemδlu) όht kanalit pidi; ja

3. ainult όks CE vυi CE-rόhm vυib kasutada kanalit korraga etteantud ajal.

NB! See ei kehti 3. kategooriaga kontrollitavate kaubaartiklite puhul.

2. mδrkus CE-del on όhine mδlu, kui neil on ligipδδs pooljuhtmδlu όhisele segmendile. See mδlu vυib sisaldada vahemδlu, pυhimδlu vυi muud sisemδlu. Arvesse ei vυeta vδlismδluseadmeid, nagu kettaseadmed, lindiseadmed vυi pseudoketas.

Mitme CE vυi CE-rόhmade jaoks, millel pole όhismδlu ning mis on omavahel όhendatud όhe vυi enama kanali abil:

Ci  = 0,75 Χ ki (i = 2, ..., 32) (vt allolevat mδrkust)

= 0,60 Χ ki (i = 33, ..., 64)

= 0,45 Χ ki (i = 65, ..., 256)

= 0,30 Χ ki (i > 256)

Ci vδδrtus pυhineb CE-de arvul, mitte sυlmede arvul,

kus:

ki = min (Si /Kr , 1), ja Kr = on 20 MB/s normaliseerimistegur; Si = on kυigi andmekanalite, mis όhendavad όhismδluga i-ndat CE-d vυi CE-rόhma, maksimaalsete andmeedastuskiiruste summa (MB/s όhikutes). Arvutades CE-rόhmale Ci mδδrab esimese CE jδrjekorranumber rόhmas υige Ci piirkonna. Nδiteks liites kolme CE-d sisaldavaid rόhmi, sisaldab 22. rόhm liikmeid CE64 , CE65 ja CE66 . Sellise arvutusrόhma Ci υige vδδrtus on jδrelikult 0,60.

(CE-de vυi CE-rόhmade) liitmine tuleb teostada kiiremast aeglasema suunas, st:

TP1 > = TP2 > = ... > = TPn , ja

kui TPi  = TPi + 1 suuremast vδiksema suunas, st:

Ci > = Ci + 1

Mδrkus Tegurit ki ei rakendata CE-dele 2-12, kui CE vυi CE-rόhma TPi on suurem kui 50 Mtops'i; st et Ci on CE-de 2-12 jaoks 0,75.

5. KATEGOORIA

TELEKOMMUNIKATSIOON JA INFOTURVE

1. OSA

TELEKOMMUNIKATSIOON

Mδrkus 1: Spetsiaalselt telekommunikatsiooniseadmete vυi -sόsteemide jaoks kavandatud komponentide, laserite, katse- ja tootmisseadmete ning nendele loodud tarkvara kontrolli alla kuulumine mδδratakse 5. kategooria 1. osas.

Mδrkus 2: Digitaalarvuteid, vastavaid seadmeid vυi tarkvara, mis on selles kategoorias nimetatud telekommunikatsiooniseadmete tφφks vυi tφφ toetamiseks olulise tδhtsusega, kδsitletakse selleks όlesandeks spetsiaalselt kavandatud komponentidena tingimusel, et nad kujutavad endast tootja poolt tarnitavaid harilikke standardseid mudeleid. See hυlmab arvutisόsteemide tφφ, haldamise, hoolduse, ekspluatatsiooni vυi maksustamise.

5A1 Sόsteemid, seadmed ja komponendid

5A001

a. Telekommunikatsiooniseadmed, millel on mis tahes jδrgmine omadus, funktsioon vυi iseδrasus:

1. on spetsiaalselt ette nδhtud taluma ajutisi elektroonilisi ilminguid vυi elektromagnetilist impulssi, mille tekitab tuumaplahvatus;

2. kυrgendatud vastupanuvυime gamma-, neutroni- vυi ioonkiirgusele; vυi

3. on spetsiaalselt ette nδhtud tφφόlesannete tδitmiseks keskkonnas, mille temperatuur on madalam kui 218 K (- 55 °C) ja kυrgem kui 397 K (+ 124 °C).

Mδrkus: Punkt 5A001.a.3 kehtib όksnes elektrooniliste seadmete kohta.

Mδrkus: Punktid 5A00l.a.2. ja 5A001.a.3 ei hυlma seadmeid, mis on kavandatud vυi kohandatud kasutamiseks satelliitide pardal.

b. Telekommunikatsiooni όlekandeseadmed ja -sόsteemid ning spetsiaalselt nende jaoks ettenδhtud komponendid, millel on mis tahes jδrgmine omadus, funktsioon vυi eripδra:

1. veealused sidesόsteemid, millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. akustiline kandesagedus vδljaspool sagedusvahemikku 20-60 kHz;

b. elektromagnetiliste lainete kandesagedus sagedustel 30 kHz; vυi

c. kasutavad elektroonilist kiirejuhtimistehnikat;

2. raadioseadmestik, mis tφφtab sagedusribas 1,5-87,5 MHz millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. sisaldab adaptiivtehnikat, mis vυimaldab hδiresignaalide enam kui 15 dB allasurumist; vυi

b. millel on kυik jδrgmised omadused:

1. prognoosib automaatselt ja valib sagedusi ning tδielikke digitaalseid edastuskiirusi kanali kohta όlekande optimeerimise eesmδrgil; ja

2. sisaldab lineaarset vυimsusvυimendit, mis suudab toetada samaaegselt mitut signaali vδljundvυimsusega 1 kW vυi rohkem sagedusvahemikus 1,5-30 MHz vυi vδljundvυimsusega 250 W vυi rohkem sagedusvahemikus 30-87,5 MHz, όheoktavilise vυi laiema hetkelise ribalaiusega ning ebalineaarmoonutuste sisaldusega vδljundsignaalis vδhem kui -80 dB;

3. raadioseadmestik, mis rakendab hajaspektri tehnikat , sealhulgas ka sagedushόplemise tehnikat, millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. kasutaja programmeeritavad hajutamiskoodid; vυi

b. όlekantav riba kogulaius on 100 vυi enam korda laiem όkskυik millisest informatsioonikanali ribalaiusest ning laiem kui 50 kHz;

Mδrkus: Punkt 5A001.b.3.b ei hυlma raadioseadmeid, mis on ette nδhtud kasutamiseks tsiviilotstarbelistes kδrgside (mobiiltelefoni) sόsteemides.

Mδrkus: Punkt 5A001.b.3 ei hυlma seadmeid, mis on ette nδhtud tφφtama vδljundvυimsusel 1,0 W vυi vδhem.

4. raadioseadmed, mis kasutavad aegmoduleeritud ultralairiba tehnikaid kasutaja programmeeritava kanalistamise ja skrambleerimise koodidega;

5. digitaalselt tόόritavad raadiovastuvυtjad, millel on kυik jδrgmised omadused:

a. όle 1000 kanali;

b. sageduse όmberlόlitusaeg lόhem kui 1 ms;

c. elektromagnetilises vυnkespektris automaatne otsimis- vυi skaneerimisvυime; ja

d. vastuvυetud signaalide vυi saatjatόόpide identifitseerimisvυime; vυi

Mδrkus: Punkt 5A001.b.4 ei hυlma raadioseadmeid, mis on ette nδhtud kasutamiseks tsiviilotstarbelistes kδrgside (mobiiltelefoni) sόsteemides.

6. kasutavad digitaalset signaalitφφtlust kυne kodeerimiseks kiirusega vδhem kui 2400 bit/s.

Tehniline mδrkus:

Hδδle kodeerimisel muutuvate kodeerimiskiirustega (variable rate voice coding) kohaldatakse punkti 5A001.b.6 pideva kυne hδδlkodeerimise vδljundi suhtes.

c. Jδrgmised kiudoptilised sidekaablid, optilised kiud ja tarvikud:

1. optilised kiud, mis on όle 500 m pikad ja mis kannatavad tootja mδδratluse kohaselt tυestuskatsel tυmbepinget vδhemalt 2 Χ 109 N/m2 vυi rohkem;

Tehniline mδrkus:

Tυestuskatse: tootmisprotsessisisene vυi tootmisprotsessist sυltumatu toodangu katsetamine, mille kδigus rakendatakse 0,5-3 meetri pikkusele kiule, mis liigub kiirusega 2-5 m/s umbes 150 mm lδbimυυduga surverullide vahelt lδbi, etteantud dόnaamilist tυmbepinget. Keskkonna nominaalne temperatuur on seejuures 293 K (20 °C) ning suhteline υhuniiskus 40 %. Tυestuskatse sooritamisel vυib kasutada vastavaid siseriiklike standardeid.

2. kiudoptilised kaablid ja tarvikud, mis on ette nδhtud veealuseks kasutamiseks.

Mδrkus: Punkt 5A001.c.2 ei hυlma standardseid tsiviilkasutuses olevaid telekommunikatsioonikaableid ja -tarvikuid.

NB 1! Veealuste teeninduskaablite ja nende pistikόhenduste kohta vaata punkti 8A002.a.3.

NB 2! Kiudoptiliste laevakere lδbiviikude vυi pistikόhenduste kohta vaata punkti 8A002.c.

d. Elektrooniliselt formeeritava suunadiagrammiga antennid tφφsagedusega όle 31 GHz.

Mδrkus: Punkt 5A001.d ei hυlma elektrooniliselt formeeritava suunadiagrammiga antenne maandumissόsteemide jaoks, milles on mikrolainemaandumissόsteemide (MLS) ICAO standardite kohased mυυteriistad.

5A101 Kaugmυυte- ja kaugjuhtimisseadmed, kaasa arvatud maapealsed seadmed, mis on kavandatud vυi kohandatud rakettmόrskudel kasutamiseks.

Tehniline mδrkus:

Punktis 5A101 tδhendab rakettmόrsk terviklikke raketisόsteeme ja mehitamata υhusυidukisόsteeme, mille lennuulatus όletab 300 km.

Mδrkus: Punkt 5A101 ei hυlma jδrgmist:

a. seadmed, mis on kavandatud vυi kohandatud mehitatud υhusυidukites vυi satelliitides kasutamiseks;

b. maapealsed seadmed, mis on kavandatud vυi kohandatud maismaa- vυi merekasutuseks;

c. seadmed, mis on ette nδhtud kaubanduslike, tsiviilotstarbeliste vυi inimelude ohutusega (nt andmete terviklikkus, lennuohutus) seotud GNSS teenuste jaoks;

5B1 Testimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed

5B001

a. Seadmed ja nende jaoks ettenδhtud komponendid vυi tarvikud, mis on spetsiaalselt kavandatud punktis 5A001, 5B001, 5D001 vυi 5E001 nimetatud funktsioonide vυi eripδraga seadmete arendamiseks , tootmiseks vυi kasutamiseks .

Mδrkus: Punkt 5B001.a ei hυlma optilise kiu omaduste uurimise seadmeid.

b. Seadmed ning nende jaoks ettenδhtud komponendid ja tarvikud, mis on spetsiaalselt kavandatud mis tahes jδrgmise telekommunikatsiooni όlekandeseadmete vυi kommutatsiooniseadmete arendamiseks :

1. seadmed, mis kasutavad digitaaltehnikat, mis on kavandatud toimima όle 15 Gbit/s tδieliku digitaalse edastuskiirusega ;

Tehniline mδrkus:

Kommutatsiooniseadmete puhul on tδielik digitaalne edastuskiirus kiireimas pordis vυi kiireimal liinil mυυdetav kiirus.

2. seadmed, mis kasutavad laserit ning millel on jδrgmised omadused:

a. όlekandel kasutatav lainepikkus on όle 1750 nm;

b. teostatakse optilist vυimendamist ;

c. kasutatakse koherentset optilist όlekannet vυi koherentse optilise detekteerimise tehnikat (tuntud ka optilise heterodόόn- vυi homodόόntehnikana); vυi

d. kasutatakse analoogtehnikat ribalaiusel όle 2,5 GHz;

Mδrkus: Punkt 5B001.b.2.d ei hυlma kommertstelevisioonisόsteemide arendamiseks spetsiaalselt kavandatud seadmeid.

3. seadmed, mis kasutavad optilist kommuteerimist ;

4. raadioseadmed, mis kasutavad kvadratuur-amplituudmodulatsiooni (QAM) tehnikat kυrgemal kui 256. nivool; vυi

5. seadmed, mis kasutavad όhiskanaliga signaalimist ning tφφtavad mitteliitunud tφφreΎiimil.

5C1 Materjalid

Ei ole.

5D1 Tarkvara

5D001

a. Tarkvara , mis on spetsiaalselt loodud vυi kohandatud punktis 5A001 vυi 5B001 nimetatud seadmete, funktsioonide vυi tunnuste arendamiseks, tootmiseks vυi kasutamiseks .

b. Tarkvara , mis on spetsiaalselt loodud vυi kohandatud punktis 5E001 nimetatud tehnoloogia toetamiseks.

c. Jδrgmine spetsiifiline tarkvara :

1. tarkvara , mis on spetsiaalselt loodud vυi kohandatud punktis 5A001 vυi 5B001 nimetatud seadmete tehniliste nδitajate, funktsioonide ja tunnuste tagamiseks;

2. ei kasutata;

3. muu kui masina tδidetaval kujul olev tarkvara , mis on spetsiaalselt ette nδhtud dόnaamiliseks adaptiivseks marsruutimiseks,

d. Tarkvara , mis on spetsiaalselt loodud vυi kohandatud mis tahes jδrgmise telekommunikatsiooni όlekandeseadmete vυi kommutatsiooniseadmete arendamiseks :

1. seadmed, mis kasutavad digitaaltehnikat, mis on kavandatud toimima όle 15 Gbit/s tδieliku digitaalse edastuskiirusega ;

Tehniline mδrkus:

Kommutatsiooniseadmete puhul on tδielik digitaalne edastuskiirus kiireimas pordis vυi kiireimal liinil mυυdetav kiirus.

2. seadmed, mis kasutavad laserit ning millel on jδrgmised omadused:

a. όlekandel kasutatav lainepikkus on όle 1750 nm; vυi

b. kasutatakse analoogtehnikat ribalaiusel όle 2,5 GHz;

Mδrkus: Punkt 5D001.d.2.b. ei hυlma kommertstelevisioonisόsteemide arendamiseks spetsiaalselt loodud vυi kohandatud tarkvara.

3. seadmed, mis kasutavad optilist kommuteerimist ; vυi

4. raadioseadmed, mis kasutavad kvadratuur-amplituudmodulatsiooni (QAM) tehnikat kυrgemal kui 256. nivool.

5D101 Tarkvara , mis on spetsiaalselt loodud vυi kohandatud punktis 5A101 nimetatud seadmete kasutamiseks .

5E1 Tehnoloogia

5E001

a. Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nδhtud punktis 5A001, 5B001 vυi 5D001 nimetatud seadmete, funktsioonide vυi tunnuste vυi tarkvara arendamiseks, tootmiseks vυi kasutamiseks (v.a tφφtamine).

b. Spetsiifiline tehnoloogia :

1. satelliitidel kasutamiseks ettenδhtud telekommunikatsiooniseadmete arendamiseks vυi tootmiseks vajalik tehnoloogia ;

2. tehnoloogia laser andmesidetehnika arendamiseks vυi kasutamiseks , mis on vυimeline automaatselt signaale tabama ja neid jδlgima ning andmesidet όleval hoidma nii lδbi atmosfδδrivδlise kui ka veealuse keskkonna;

3. tehnoloogia selliste digitaalsete kδrg-raadioside tugijaamade vastuvυtuseadmete arendamiseks , mille vastuvυtuvυimeid, mis vυimaldavad paljuribalisust, paljukanalisust, paljumoodilisust, paljukoodilist algoritmi vυi paljuprotokollilist tφφd, vυib muuta muudatustega tarkvaras ;

4. tehnoloogia hajaspektri tehnika, sh sagedushόplemise tehnika, arendamiseks .

c. Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nδhtud mis tahes jδrgmise telekommunikatsiooni όlekande- vυi kommutatsiooniseadmete, funktsioonide vυi iseδrasuste arendamiseks vυi tootmiseks :

1. seadmed, mis kasutavad digitaaltehnikat, mis on kavandatud toimima όle 15 Gbit/s tδieliku digitaalse edastuskiirusega ;

Tehniline mδrkus:

Kommutatsiooniseadmete puhul on tδielik digitaalne edastuskiirus kiireimas pordis vυi kiireimal liinil mυυdetav kiirus.

2. seadmed, mis kasutavad laserit ning millel on jδrgmised omadused:

a. όlekandel kasutatav lainepikkus on όle 1750 nm;

b. teostatakse optilist vυimendamist , kasutades praseodόόmlisandiga fluoriidkiudvυimendeid (PDFFA);

c. kasutatakse koherentset optilist όlekannet vυi koherentse optilise detekteerimise tehnikat (tuntud ka optilise heterodόόn- vυi homodόόntehnikana);

d. kasutatakse lainepikkuste jaotamise-multipleksimise tehnikat selliselt, et όhte optilisse aknasse mahub όle 8 kandelaine; vυi

e. kasutatakse analoogtehnikat ribalaiusel όle 2,5 GHz;

Mδrkus: Punkt 5E001.c.2.e ei hυlma kommertstelevisioonisόsteemide arendamiseks vυi tootmiseks ettenδhtud tehnoloogiat.

3. seadmed, mis kasutavad optilist kommuteerimist ;

4. raadioseadmed, millel on jδrgmised omadused:

a. kasutavad kvadratuur-amplituudmodulatsiooni (QAM) tehnikat kυrgemal kui 256. nivool; vυi

b. tφφtavad sisend- ja vδljundsagedustel όle 31,8 GHz; vυi

Mδrkus: Punkt 5E001.c.4.b ei hυlma selliste seadmete arendamiseks vυi tootmiseks ettenδhtud tehnoloogiat, mis on kavandatud vυi kohandatud tφφtamiseks igas ITU poolt raadioside jaoks mδδratletud ja mitte asukoha mδδramiseks ettenδhtud sagedusribas.

5. seadmed, mis kasutavad όhiskanaliga signaalimist ning tφφtavad mitteliitunud tφφreΎiimil.

5E101 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia punktis 5A101 nimetatud seadmete arendamiseks, tootmiseks vυi kasutamiseks .

2. OSA

«INFOTURVE»

Mδrkus 1: Infoturbe seadmete, tarkvara, sόsteemide, spetsiaalsete elektroonikasυlmede kasutamine, moodulite, integraallόlituste, komponentide vυi funktsioonide kontrolli alla kuulumine on mδδratud 5. kategooria 2. osas isegi juhul, kui nad on teiste seadmete komponendid vυi elektroonikasυlmed.

Mδrkus 2: 5. kategooria 2. osa ei hυlma tooteid, mis on kasutajal kaasas isiklikuks kasutamiseks.

Mδrkus 3:

Mδrkus krόptograafia kohta:

Punktid 5A002 ja 5D002 ei hυlma kaupu, mis vastavad kυigile jδrgmistele tingimustele:

a. nad on avalikult ja kitsendusteta saadaval jaemόόgikohtades mis tahes jδrgmisel viisil:

1. kδsimόόgi teel;

2. postimόόgi teel;

3. elektronkaubandus; vυi

4. telefonimόόk;

b. nende krόptograafilist funktsionaalsust ei saa kasutaja kergesti muuta;

c. nad on ette nδhtud paigaldamiseks kasutaja oma jυududega, ilma tarnija olulise abita; ja

d. nende tehnilised όksikasjad on kδttesaadavad ja need tehakse nυudmise korral teatavaks eksportija liikmesriigi pδdevale asutusele nende vastavuse mδδramiseks kδesoleva mδrkuse lυikudes a-d kirjeldatud nυuetele.

Tehniline mδrkus:

kategooria 2. osas ei arvestata paarsusbitte vυtmepikkuse mδδramisel.

5A2 Sόsteemid, seadmed ja komponendid

5A002

a. Sόsteemid, seadmed, rakendusspetsiifilised elektroonikasυlmed , moodulid ja integraallόlitused infoturbeks vastavalt alljδrgnevale ning muud spetsiaalselt selleks otstarbeks kavandatud komponendid:

NB! Globaalsete navigatsioonisatelliitide sόsteemide vastuvυtuseadmete, mis sisaldavad vυi kasutavad dekrόpteerimist (st GPS vυi GLONASS), kontrolli alla kuulumise kohta vt punkti 7A005.

1. kavandatud vυi kohandatud kasutama krόptograafiat , rakendades digitaalmeetodeid, mis tδidavad mingeid krόptograafilisi funktsioone peale autentimise vυi digitaalsignatuuri ning millel on mis tahes jδrgmised omadused:

Tehnilised mδrkused:

1. Autentimis- ja digitaalsignatuurifunktsioonid sisaldavad nendega seotud vυtmehaldusfunktsioone.

2. Autentimine hυlmab kυiki pδδsu (access) reguleerimise aspekte, mille puhul ei ole tegemist failide vυi teksti krόpteerimisega, vδlja arvatud volitamatu pδδsu vδltimiseks otseselt paroolide, isiklike tunnusnumbrite (PIN-kood) vυi muude samalaadsete andmete kaitsega seotud otstarbel.

3. Krόptograafia ei hυlma fikseeritud andmetihenduse ega kodeerimise meetodeid.

Mδrkus: Punkt 5A002.a.1 hυlmab ka seadmeid, mis on kavandatud vυi kohandatud kasutama analoogpυhimυttel pυhinevat krόptograafiat, mis on teostatud digitaalsete meetoditega.

a. sόmmeetriline algoritm vυtmepikkusega όle 56 biti; vυi

b. asόmmeetriline algoritm , kus algoritmi turvalisus pυhineb mis tahes jδrgmisel omadusel:

1. 512 bitti όletavate tδisarvude faktoriseerimine (nt RSA);

2. diskreetsete logaritmide arvutamine (nt Diffie-Hellmani meetodil όle Z/pZ); vυi

3. diskreetsed logaritmid teistes rόhmades kui punktis 5A002.a.1.b.2 nimetatud, suuremates kui 112 bitti (nt Diffie-Hellmani meetod όle ellipsi);

2. kavandatud vυi kohandatud krόptoanalόόtiliste funktsioonide tδitmiseks;

3. ei kasutata;

4. spetsiaalselt kavandatud vυi kohandatud vδhendama informatsiooni kandvaid signaale paljastavat kiirgust rohkem, kui seda nυuavad tervishoiu-, ohutus- vυi elektromagnetilise hδire standardid;

5. kavandatud vυi kohandatud kasutama krόptograafiatehnikat hajutamiskoodi genereerimiseks hajaspektri sόsteemidele, kaasa arvatud sagedushόplemise koodi genereerimiseks sagedushόplemise sόsteemidele;

6. kavandatud vυi kohandatud kasutama krόptograafiatehnikat kanalistamise vυi skrambleerimise koodide genereerimiseks aegmoduleeritud ultralairiba sόsteemide jaoks;

7. ei kasutata;

8. andmesidekaablisόsteemid, mis on kavandatud vυi kohandatud avastama mehaaniliste, elektriliste vυi elektrooniliste vahenditega kυrvalist (illegaalset) sisenemist sόsteemi.

Mδrkus: Punkt 5A002 ei hυlma jδrgmist:

a. personaalsed kiipkaardid:

1. mille krόptograafilised vυimalused on piiratud kasutamisega seadmetes vυi sόsteemides, mis ei kuulu kontrolli alla kδesoleva mδrkuse punktide b-f alusel; vυi

2. όldkasutatavate rakenduste jaoks, mille krόpteerimisvυimet pole kasutajal vυimalik mυjutada ja mis on spetsiaalselt kavandatud ja piiratud kaitsma nendele salvestatud isikuandmeid.

NB! Kui personaalsel kiipkaardil on mitmeid funktsioone, tuleb iga funktsiooni kontrolli alla kuulumist hinnata eraldi;

b. vastuvυtuseadmed raadioringhδδlingule, tasulisele televisioonile vυi sarnasele piiratud auditooriumiga tarbija tόόpi ringhδδlingule, milles ei kasutata digitaalset krόpteerimist, v.a όksnes juhul, kui seda kasutatakse arvete vυi programmi kδsitleva teabe saatmiseks ringhδδlinguteenuse pakkujale;

c. seadmed, mille krόpteerimisvυimet pole kasutajal vυimalik mυjutada ja mis on spetsiaalselt kavandatud ja piiratud lubama jδrgmist:

1. kopeerimiskaitsega tarkvara kδivitamine;

2. juurdepδδs jδrgmisele:

a. kopeerimiskaitsega, kirjutuskaitstud andmekandjatele salvestatud sisu; vυi

b. andmed, mis on salvestatud krόpteeritud kujul andmekandjale (nt seoses intellektuaalomandi υiguste kaitsega), kui andmekandjaid pakutakse identsel kujul avalikult mόόgiks; vυi

3. autoriυigusega kaitstud audio-/videoandmete kopeerimise kontrollimine.

d. krόpteerimisseadmed, mis on spetsiaalselt konstrueeritud ning ette nδhtud όksnes kasutamiseks panganduses vυi rahalisteks tehinguteks ;

Tehniline mδrkus:

Punkti 5A002 mδrkuses d kasutatud mυiste rahalised tehingud hυlmab nii maksude kδsitlemist ja kogumist kui ka krediidifunktsioone.

e. portatiivsed vυi mobiilsed tsiviilkasutusega raadiotelefonid (nt kasutamiseks kommertsliku tsiviilkasutusega kδrgsidesόsteemides), mis ei ole vυimelised otspunktkrόpteerimiseks;

f. juhtmeta telefoniseadmed, mis pole vυimelised otspunktkrόpteerimiseks, kui vυimendamata, juhtmeta maksimaalselt efektiivne tφφulatus (st όhekordne releetu hόpe terminali ja tugijaama vahel) on vastavalt valmistaja kirjeldusele vδhem kui 400 meetrit.

5B2 Testimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed

5B002

a. Seadmed, mis on spetsiaalselt ette nδhtud jδrgmiseks:

1. punktides 5A002, 5B002, 5D002 vυi 5E002 nimetatud seadmete vυi funktsioonide arendamiseks , kaasa arvatud mυυte- vυi katseseadmed;

2. punktis 5A002, 5B002, 5D002 vυi 5E002 nimetatud seadmete vυi funktsioonide tootmine , kaasa arvatud mυυte-, katse-, parandus- ja tootmisseadmed;

b. Mυυteseadmed, mis on spetsiaalselt ette nδhtud punktis 5A002 vυi 5D002 nimetatud infoturbefunktsioonide hindamiseks vυi kinnitamiseks.

5C2 Materjalid

Puuduvad.

5D2 Tarkvara

5D002

a. Tarkvara , mis on spetsiaalselt loodud vυi kohandatud punktis 5A002, 5B002 vυi 5D002 nimetatud seadmete vυi tarkvara arendamiseks, tootmiseks vυi kasutamiseks ;

b. Tarkvara , mis on spetsiaalselt loodud vυi kohandatud punktis 5E002 nimetatud tehnoloogia toetamiseks;

c. Jδrgmine spetsiifiline tarkvara:

1. tarkvara , millel on punktis 5A002 vυi 5B002 nimetatud seadmete tunnuseid vυi mis tδidavad vυi simuleerib nende funktsioone;

2. tarkvara , mis sertifitseerib punktis 5D002.c.1 nimetatud tarkvara .

Mδrkus: Punkt 5D002 ei hυlma jδrgmist:

a. tarkvara, mida on vaja punkti 5A002 mδrkuse alusel kontrolli alt vδlja arvatud seadmete kasutamiseks;

b. tarkvara, mis vυimaldab punkti 5A002 mδrkuse alusel kontrolli alt vδlja arvatud seadmete funktsioneerimise.

5E2 Tehnoloogia

5E002 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia punktis 5A002, 5B002 vυi 5D002 nimetatud seadmete vυi tarkvara arendamiseks, tootmiseks vυi kasutamiseks ;

6. KATEGOORIA

SENSORID JA LASERID

6A Sόsteemid, seadmed ja komponendid

6A001 Akustika:

a. mereakustikasόsteemid, -seadmed ja nende jaoks ettenδhtud komponendid

1. aktiivsόsteemid (saate- vυi saate- ja vastuvυtusόsteemid), seadmed ja nende jaoks ettenδhtud komponendid:

Mδrkus: Punkt 6A001.a.1 ei hυlma jδrgmist:

a. akustilised sόgavusloodid, mis tφφtavad vertikaalselt aparatuuri all ja mis ei skaneeri όle ± 20° ning mille όlesanded piirduvad vee sόgavuse mυυtmisega, kauguse mυυtmisega uppunud vυi maetud objektideni vυi kalaparvede leidmisega;

b. akustilised paakpoid:

1. akustilised avariipoid;

2. erilised veealuste lόhikeste akustiliste signaalide saatja (pinger), mis on spetsiaalselt kavandatud veealuse asukoha taasleidmiseks vυi sinna tagasipφφrdumiseks.

a. laialehvikulised veesόgavuse mυυtesόsteemid, mis on kavandatud merepυhja topograafiliseks kaardistamiseks ning millel on kυik jδrgmised omadused:

1. kavandatud mυυtmiseks vertikaali suhtes όle 20° nurga all;

2. kavandatud enam kui 600 m allpool veepinda olevate sόgavuste mυυtmiseks; ja

3. kavandatud vυimaldama mis tahes jδrgnevat:

a. paljude kimpude samaaegne kasutamine, millest igaόks on kitsam kui 1,9°; vυi

b. andmete tδpsus on parem kui 0,3 % vee sόgavuse vδδrtusest kogu mυυtelehviku ulatuses, mis on saadud lehvikut moodustavate όksikute mυυtetulemuste keskmistamisel;

b. 6A001.a.1.b Objektide avastamise ja asukoha kindlaksmδδramise sόsteemid, millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. saatesagedus alla 10 kHz;

2. sagedusribas 10 kHz kuni 24 kHz (kaasa arvatud) tφφtavate seadmete helirυhk on όle 224 dB (arvestatud 1 >ISO_7>μ>ISO_4>Pa kohta 1 m kaugusel);

3. sagedusribas 24-30 kHz tφφtavate seadmete helirυhk όletab 235 dB (arvestatud 1 >ISO_7>μ>ISO_4>Pa kohta 1 m kaugusel);

4. moodustab mis tahes telje suunas kitsamaid kui 1° kimpe ning mille tφφsagedus on vδiksem kui 100 kHz;

5. kavandatud tφφtama όheselt mυistetava nδidikuga, mille nδitepiirkond όletab 5120 m; vυi

6. kavandatud normaalse tφφ kδigus taluma sόgavamal kui 1000 m valitsevat rυhku ning millel on muundurid όhega jδrgmistest:

a. rυhu dόnaamilise kompenseerimine; vυi

b. muundurelemendina kasutatakse muud kui pliitsirkonaattitanaati;

c. akustilised projektorid, kaasa arvatud muundurid, mis sisaldavad piesoelektrilisi, magnetostriktsioon-, elektrostriktsioon-, elektrodόnaamilisi vυi hόdraulilisi elemente, mis toimivad individuaalselt vυi kavandatud kombinatsioonis ja millel on mis tahes jδrgmine omadus:

Mδrkus 1: Akustiliste projektorite, kaasa arvatud muundurite, mis on spetsiaalselt kavandatud muude seadmete jaoks, kontrolli alla kuulumine mδδratakse vastavalt muude seadmete kontrolli alla kuulumisega.

Mδrkus 2: Punkt 6A001.a.1.c ei hυlma elektroonilisi heliallikaid, mis suunab heli ainult vertikaalses suunas vυi mehaanilisi heliallikaid (nt υhkkahur vυi aurulφφkkahur) vυi keemilisi heliallikaid (nt lυhkeained).

1. sagedustel alla 10 kHz tφφtavate seadmete kiiratud hetkeline helivυimsuse tihedus όletab 0,01 mW/mm2/Hz;

2. sagedustel alla 10 kHz tφφtavate seadmete pidevalt kiiratav helivυimsuse tihedus όletab 0,001 mW/mm2/Hz; vυi

Tehniline mδrkus:

Akustilise vυimsuse tihedus saadakse akustilise vδljundvυimsuse vδδrtuse jagamisel kiirgava pinna pindala ja tφφsageduse vδδrtuse korrutisega.

3. karakteristiku kόlghυlma allasurumine on parem kui 22 dB;

d. akustilised sόsteemid, seadmed ja nende jaoks ettenδhtud komponendid peal- vυi allveesυidukite asukoha kindlaksmδδramiseks ning mille kavandatud tegevusraadius όletab 1000 m, asukoha kindlaksmδδramise ruutkeskmine tδpsus on vδiksem kui 10 m mυυdetuna 1000 m piirkonnas;

Mδrkus: Punkt 6A00.a.1.d hυlmab jδrgmist:

a. Seadmed, mis kasutavad koherentset signaalitφφtlust kahe vυi enama akustilise majaka vahel ja hόdrofonmoodulit, mis asub kas peal- vυi allveesυidukis;

b. Seadmed, mis vυimaldavad automaatselt korrigeerida heli levimise kiiruse vigu mingi punkti asukoha arvutamisel.

2. passiivsed sόsteemid (vastuvυtusόsteemid, olenemata sellest, kas kuuluvad tavalises kasutuses aktiivsόsteemide juurde vυi mitte), seadmed ja nende jaoks ettenδhtud komponendid:

a. hόdrofonid, millel on mis tahes jδrgmine omadus:

Mδrkus: Muu seadmestiku jaoks spetsiaalselt kavandatud hόdrofonide kontrolli alla kuulumine mδδratakse muu seadmestiku kontrolli alla kuulumisega.

1. sisaldavad όhtselt pidevaid painduvaid andureid vυi όksikute andurelementide sυlmi, mille diameeter vυi pikkus ei όleta 20 mm ning elementidevaheline eraldatus ei όleta 20 mm;

2. omavad mis tahes jδrgmisi tundlikke elemente:

a. optilised kiud; vυi

b. painduvad piesoelektrilised keraamilised ained;

3. hόdrofoni tundlikkus on parem kui - 180 dB igal sόgavusel ilma kiirenduse kompensatsioonita;

4. kavandatud tφφks sόgavamal kui 35 m kiirenduse kompenseerimisega; vυi

5. kavandatud tφφks sόgavamal kui 1000 m;

Tehniline mδrkus:

Hόdrofoni tundlikkus on kahekόmnekordne kόmnendlogaritm vδljundpinge ruutkeskmise vδδrtuse suhtest 1 V vυrdluspingesse, kusjuures ilma eelvυimendajata hόdrofoni andur on asetatud akustilise tasalainete vδlja, milles ruutkeskmine helirυhu vδδrtus on 1 >ISO_7>μ>ISO_4>Pa. Nδiteks - 160 dB (vυrdlusvδδrtus 1 V 1 >ISO_7>μ>ISO_4>Pa kohta) tundlikkusega hόdrofon tekitab sellises vδljas vδljundpinge 10-8 V, kuna - 180 dB tundlikkuse juures tekiks sellises vδljas ainult 10- 9 V vδljundpinge. Niisiis - 160 dB on parem kui - 180 dB.

b. jδrelveetavad akustiliste hόdrofonide vυresόsteemid, millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. όksikute hόdrofonigruppide vaheline kaugus on vδhem kui 12,5 m vυi kohandatav , et hόdrofonigruppide vaheline kaugus oleks vδiksem, kui 12,5 m;

2. kavandatud vυi kohandatav tφφks sόgavamal kui 35 m;

Tehniline mδrkus:

Kohandatavus punktides 6A001.a.2.b.1 ja 2 tδhendab seda, et on olemas tingimused, mis vυimaldavad muuta juhtmestkku vυi όhendusi, et muuta hόdrofonigrupi vahekaugusi vυi tφφsόgavuse piire. Need tingimused on: varujuhtmestik όletab 10 % juhtmete koguarvust, hόdrofonigrupi vahekauguste reguleerimise blokid vυi sisemised sόgavust piiravad seadmed, mis on reguleeritavad vυi mis juhivad enam kui όht hόdrofonigruppi.

3. punktis 6A001.a.2.d nimetatud suunaandurid;

4. pikisuunas tugevdatud vυresόsteemi sukad;

5. valmismonteeritud vυresόsteemi elementide diameeter on vδiksem kui 40 mm;

6. selliste hόdrofonigruppide tihendatud ( multiplexed ) signaalid, mis on kavandatud tφφks sόgavamal kui 35 m vυi millel on reguleeritav vυi eemaldatav sόgavusandurseade, mis vυimaldab tφφtada sόgavamal kui 35 m; vυi

7. punktis 6A001.a.2.a nimetatud hόdrofonide omadused;

c. andmetφφtlusseadmed, mis on spetsiaalselt kavandatud jδrelveetava akustiliste hόdrofonide vυresόsteemidele, mis on kasutaja programmeeritavad ning milles on aja ja sageduspiirkondade tφφtlemis- ja korreleerimisvυimalused, kaasa arvatud spektraalanalόόs, numbriline filtratsioon ning kiiremoodustamine, kasutades kiiret Fourier' pφφret vυi teisi muundamivυtteid ja -meetodeid;

d. suunaandurid, millel on kυik jδrgmised omadused:

1. tδpsus parem kui ±0,5°; ja

2. kavandatud tφφtama sόgavamal kui 35 m vυi millel on reguleeritav vυi eemaldatav sόgavusandurseade, et tφφtada sόgavamal kui 35 meetrit;

e. merepυhja vυi lahe kaablisόsteemid, mis:

1. sisaldavad punktis 6A001.a.2.a nimetatud hόdrofone; vυi

2. sisaldavad hόdrofonigrupi tihendatud signaali mooduleid, millel on kυik jδrgmised omadused:

a. kavandatud tφφtama sόgavamal kui 35 m vυi millel on reguleeritav vυi eemaldatav sόgavusandurseade, et tφφtada sόgavamal kui 35 meetrit; ja

b. omavahel vahetatavad jδrelveetavate akustiliste hόdrofonide vυresόsteemi moodulitega;

f. andmetφφtlusseadmed, mis on spetsiaalselt kavandatud merepυhja vυi lahe kaablisόsteemidele, mis on kasutaja programmeeritavad ning milles on aja ja sageduspiirkondade tφφtlemis- ja korreleerimisvυimalused, kaasa arvatud spektraalanalόόs, numbriline filtratsioon ning kiiremoodustamine, kasutades kiiret Fourier' pφφret vυi teisi spektrimuundamisvυtteid ja -meetodeid;

b. korrelatsioon-kiiruse hόdrolokatsioonil pυhinevad logiseadmed, mis on kavandatud seadmete kandja horisontaalkiiruse mυυtmiseks merepυhja suhtes, kui vahemik merepυhja ja kandja vahel on όle 500 m.

6A002 Optilised andurid

NB! VT KA PUNKTI 6A102.

a. Optilised detektorid:

Mδrkus: Punkt 6A002.a ei hυlma germaaniumist ja rδnist fotoseadmeid.

1. Kosmosekindlad tahkisdetektorid

a. kosmosekindlad tahkisdetektorid, millel on kυik jδrgmised omadused:

1. tippkoste lainepikkuse vδδrtus jδδb lainepikkuste vahemikku 10 nm kuni 300 nm; ja

2. koste vδδrtus on lainepikkuste piirkonnas όle 400 nm vδhem kui 0,1 % tippkoste vδδrtusest;

b. kosmosekindlad tahkisdetektorid, millel on kυik jδrgmised omadused:

1. Tippkoste lainepikkuse vδδrtus jδδb lainepikkuste vahemikku 900 nm kuni 1200 nm; ja

2. koste ajakonstant on lόhem kui 95 ns;

c. kosmosekindlad tahkisdetektorid, mille tippkoste lainepikkuse vδδrtus jδδb lainepikkuste vahemikku 1200 nm kuni 30000 nm;

2. kujutisevυimendustorud ja spetsiaalselt nende jaoks kavandatud komponendid:

a. kujutisevυimendustorud, millel on kυik jδrgmised omadused:

1. tippkoste lainepikkuse vδδrtus jδδb lainepikkuste vahemikku 400 nm kuni 1050 nm;

2. mikrokanalplaat elektroonseks kujutise vυimendamiseks, mille maskis augu samm (tsentritevaheline kaugus) on 12 >ISO_7>μ>ISO_4>m vυi vδhem; ja

3. mis tahes jδrgmistest fotokatoodidest:

a. S-20, S-25 vυi multileelisfotokatoodid, mille valgustundlikkus on όle 350 >ISO_7>μ>ISO_4>A/lm;

b. GaAs- vυi GaInAs-fotokatoodid; vυi

c. muud III-V όhenditest pooljuhtfotokatoodid;

Mδrkus: Punkt 6A002.a.2.a.3.c ei kehti όhendpooljuhtidel pυhinevate fotokatoodide suhtes, mille maksimaalne kiirgustundlikkus on 10 mA/W vυi vδhem.

b. spetsiaalselt kavandatud komponendid:

1. mikrokanaliplaadid, mille maskis augu samm (tsentritevaheline kaugus) on 12 >ISO_7>μ>ISO_4>m vυi vδhem;

2. GaAs- vυi GaInAs-fotokatoodid;

3. muud III-V όhenditest pooljuhtfotokatoodid;

Mδrkus: Punkt 6A002.a.2.b.3 ei hυlma όhendpooljuhtidel pυhinevaid fotokatoode, mille maksimaalne kiirgustundlikkus on 10 mA/W vυi vδhem.

3. Mitte kosmosekindlad fokaaltasandilised massiivid :

Tehnilised mδrkused:

1. Lineaarseid vυi kahemυυtmelisi mitmeelemendilisi detektormassiive kδsitatakse fokaaltasandiliste massiividena.

2. Punkti 6A002.a.3 tδhenduses on ristiskaneerimise suund mδδratletud detektorielementide lineaarse reaga paralleelse teljena ja skaneerimise suund on mδδratletud detektorielementide lineaarse reaga risti asetseva teljega.

Mδrkus 1: Punkt 6A002.a.3 hυlmab fotojuhtivaid ja fotogalvaanilisi massiive.

Mδrkus 2: Punkt 6A002.a.3 ei hυlma jδrgmist:

a. rδnist fokaaltasandilised massiivid,

b. mitmeelemendilised (mitte όle 16 elemendi) kaitseόmbrisesse kapseldatud fototakistid, milles kasutatakse kas pliisulfiidi vυi pliiseleniidi;

c. pόroelektrilised detektorid, milles kasutatakse mis tahes jδrgmisi materjale:

1. triglόtsiinsulfaat ja derivaadid;

2. pliilantaantsirkooniumtitanaat ja derivaadid;

3. liitiumtantalaat;

4. polόvinόlideenfluoriid ja derivaadid; vυi

5. strontsiumbaariumniobaat ja derivaadid.

a. mitte kosmosekindlad fokaaltasandilised massiivid , millel on jδrgmised omadused:

1. όksikelemendid, mille tippkoste lainepikkuse vδδrtus jδδb lainepikkuste vahemikku 900 nm kuni 1050 nm; ja

2. koste ajakonstant on lόhem kui 0,5 ns;

b. mitte kosmosekindlad fokaaltasandilised massiivid , millel on jδrgmised omadused:

1. όksikelemendid, mille tippkoste lainepikkuse vδδrtus jδδb lainepikkuste vahemikku 1050 nm kuni 1200 nm; ja

2. koste ajakonstant on lόhem kui 95 ns;

c. mitte kosmosekindlad mittelineaarsed (kahemυυtmelised) fokaaltasandilised massiivid , millel on όksikelemendid, mille tippkoste lainepikkuse vδδrtus jδδb lainepikkuste vahemikku 1200 nm kuni 30000 nm;

d. mitte kosmosekindlad lineaarsed (όhemυυtmelised) fokaaltasandilised massiivid , millel on jδrgmised omadused:

1. όksikelemendid, mille tippkoste lainepikkuse vδδrtus jδδb lainepikkuste vahemikku 1200 nm kuni 2500 nm; ja

2. mis tahes jδrgmistest:

a. detektorielementide skaneerimissuuna mυυdu suhe detektorielementide ristiskaneerimise suuna mυυtu on vδiksem kui 3,8; vυi

b. signaalitφφtlus elemendis (SPRITE);

e. mitte kosmosekindlad lineaarsed (όhemυυtmelised) fokaaltasandilised massiivid , millel on όksikelemendid, mille tippkoste lainepikkuse vδδrtus jδδb lainepikkuste vahemikku 2500 nm kuni 30000 nm;

b. Kaugjδlgimisseadmetele kavandatud monospektraalsed ja multispektraalsed pildiandurid , millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. hetkeline vaatevδli (IFOV) on vδiksem kui 200 >ISO_7>μ>ISO_4>rad (mikroradiaani); vυi

2. spetsifitseeritud tφφks lainepikkuste vahemikus 400 nm kuni 30000 nm ja millel on kυik jδrgmised omadused;

a. esitab kujutise vδljundandmed numbrilisel kujul; ja

b. mis tahes jδrgmiste omadustega:

1. kosmosekindel ; vυi

2. kavandatud υhus toimuvaks tφφks, kasutades muid kui rδnidetektoreid, ning mille hetkeline vaatevδli (IFOV) on vδiksem kui 2,5 mrad (milliradiaani).

c. Vahetu vaatega kuvaseadmed, mis tφφtavad nδhtavas vυi infrapunases spektriosas ja mis sisaldavad mis tahes jδrgmist:

1. punktis 6A002.a.2.a nimetatud kujutisevυimendustorud; vυi

2. punktis 6A002.a.3 nimetatud fokaaltasandilised massiivid .

Tehniline mδrkus:

Mυiste vahetu vaatega viitab kuvaseadmetele, mis tφφtavad nδhtavas vυi infrapunases spektriosas ja esitavad vaatlejale nδhtava kujundi, muutmata seda elektrooniliseks signaaliks televiisoriekraani jaoks, vυimaldamata esitatavaid kujutusi elektrooniliselt, fotograafiliselt vυi mυnel muul viisil sδilitada vυi salvestada.

Mδrkus: Punkt 6A002.c ei hυlma jδrgmisi seadmeid, mis sisaldavad muid kui GaAs- vυi GaInAs-fotokatoode:

a. tφφstus- vυi tsiviilkasutuses olevad sissemurdmise alarmsόsteemid, liikluses vυi tφφstuses kasutatavad liikumise kontrolli- vυi loendussόsteemid;

b. meditsiiniseadmed;

c. tφφstusseadmed, mida kasutatakse materjalide omaduste kontrollimiseks, sorteerimiseks vυi analόόsiks;

d. leegidetektorid tφφstuslikes ahjudes;

e. laboratoorseks kasutamiseks kavandatud seadmed.

d. Spetsiaalsed optiliste andurite abikomponendid:

1. kosmosekindlad krόojahutid;

2. mitte kosmosekindlad krόojahutid, mille jahutustemperatuur on madalam kui 218 K (-55°C):

a. suletud tsόkliga jahuti, mis on spetsifitseeritud tφφtama keskmise kasutusajaga tυrkeni (MTTF) vυi keskmise tυrketusvδltusega (MTBF) όle 2500 tunni;

b. Joule-Thomsoni isereguleeruvad minijahutid, mille vδlisdiameeter on vδhem kui 8 mm;

3. optiliselt tundlikud kiud, mis on spetsiaalselt valmistatud kas koostiseliselt vυi struktuurselt vυi kohandatud katmise teel olema akustiliselt, termiliselt, inertsiaalselt, elektromagnetiliselt vυi tuumakiirguse suhtes tundlikud.

e. Kosmosekindlad fokaaltasandilised massiivid , milles on rohkem kui 2048 elementi massiivi kohta ja mille tippkoste lainepikkuse vδδrtus jδδb vahemikku 300 nm kuni 900 nm.

6A003 Kaamerad

NB! VT KA PUNKTI 6A203.

NB! Kaamerate kohta, mis on spetsiaalselt kavandatud vυi kohandatud veealuseks kasutamiseks, vt ka punkte 8A002.d ja 8A002.e.  

a. Seadistuskaamerad ja spetsiaalselt nende jaoks kavandatud komponendid:

Mδrkus: Punktides 6A003.a.3-6A003.a.5 nimetatud modulaarse ehitusega seadistuskaameraid tuleks hinnata nende maksimaalse suutlikkuse alusel, kasutades olemasolevaid lisandprogramme vastavalt kaameratootja spetsifikatsioonile.

1. suurekiiruselised kinokaamerad, mis kasutavad mis tahes laiusega filmi vahemikus 8-16 mm ja milles film filmimise ajal pidevalt liigub ning mis on vυimelised filmima kaadrikiirusega όle 13150 kaadri sekundis;

Mδrkus: Punkt 6A003.a.1 ei hυlma tsiviilotstarbeliseks kasutamiseks kavandatud kinokaameraid.

2. mehaanilised kiirkaamerad, milles film ei liigu ja mis on vυimelised filmima kiirusega όle 1000000 kaadri sekundis 35 mm filmi kaadri tδiskυrguse korral vυi proportsionaalselt suurema kiirusega vδiksema kaadrikυrguse korral vυi proportsionaalselt aeglasemalt suuremate kaadrikυrguste korral.

3. mehaanilised vυi elektroonsed (elektronoptilised) vφφtkaamerad, mille kirjutuskiirus on όle 10mm/>ISO_7>μ>ISO_4>s;

4. elektroonilised kaaderkaamerad, mille kiirus on όle 1000000 kaadri sekundis;

5. elektroonilised kaamerad, millel on kυik jδrgmised omadused:

a. elektroonilise katiku kiirus (strobeerimisvυime) on lόhem kui 1 >ISO_7>μ>ISO_4>s όhe tδiskaadri kohta; ja

b. lugemisaeg vυimaldab kaadrijoondamiskiirust όle 125 tδiskaadri sekundis.

6. lisandprogrammid, millel on kυik jδrgmised omadused:

a. mis on spetsiaalselt kavandatud punktis 6A003.a nimetatud modulaarse ehitusega seadistuskaamerate jaoks; ja

b. mis vυimaldavad nendel kaameratel tδita valmistaja kirjeldusele vastavad ja punktis 6A003.a.3, 6A003.a.4 vυi 6A003.a.5 nimetatud omadused.

b. Jδrgmised pildistuskaamerad:

Mδrkus: Punkt 6A003.b ei hυlma spetsiaalselt televisioonisaadete jaoks konstrueeritud televisiooni- ja videokaameraid.

1. videokaamerad, mis sisaldavad pooljuhtandureid, mille tippkoste lainepikkuse vδδrtus jδδb lainepikkuste vahemikku 10 nm kuni 30000 nm, ja millel on kυik jδrgmised omadused:

a. mis tahes jδrgmise omadusega:

1. monokroomkaamerad (must-valge) rohkem kui 4Χ106 aktiivpiksliga tahkismassiivi kohta;

2. kolme tahkismassiiviga vδrvikaamerad rohkem kui 4Χ106 aktiivpiksliga tahkismassiivi kohta; vυi

3. όhe tahkismassiiviga vδrvikaamerad rohkem kui 12Χ106 aktiivpiksliga tahkismassiivi kohta; ja

b. Mis tahes jδrgmise omadusega:

1. punktiga 6A004.a hυlmatud optilised peeglid;

2. punktiga 6A004.d hυlmatud optilised juhtseadmed; vυi

3. vυime salvestada sisemiselt genereeritud andmeid kaamera positsiooni kohta.

Tehniline mδrkus:

1. Kδesoleva punkti tδhenduses tuleks digitaalkaameraid hinnata liikuvate kujutiste salvestamiseks kasutatud aktiivpikslite maksimaalse arvu alusel.

2. Kδesoleva punkti tδhenduses on andmed kaamera positsiooni kohta info, mis on vajalik kaamera vaatenurga asetuse mδδratlemiseks maa suhtes. Sealhulgas: 1) horisontaalne nurk, mis jδδb kaamera vaatenurga ja maa magnetvδlja suuna vahele ja 2) vertikaalne nurk, mis jδδb kaamera vaatenurga ja maa horisondi vahele.

2. skaneerkaamerad ja skaneerkaamerasόsteemid, millel on kυik jδrgmised omadused:

a. tippkoste lainepikkuse vδδrtus jδδb lainepikkuste vahemikku 10 nm kuni 30000 nm;

b. lineaarsed detektormassiivid όle 8192 elemendiga massiivis; ja

c. mehaanilise όhesuunalise laotusega;

3. pildistuskaamerad, mis sisaldavad punktis 6A002.a.2.a nimetatud kujutisevυimendustorusid;

4. pildistuskaamerad, mis sisaldavad punktis 6A002.a.3 nimetatud fokaaltasandilisi massiive .

Mδrkus Punkt 6A003.b.4 ei hυlma pildistuskaameraid, mis sisaldavad lineaarset kaheteistkόmne vυi vδhema elemendiga fokaaltasandilisi massiivi ja mis ei kasuta elemendisisest ajalist viivitust ja integreerimist ning mis on kavandatud jδrgmiseks:

a. tφφstus- vυi tsiviilkasutuses olevad sissemurdmise alarmsόsteemid, liikluses vυi tφφstuses kasutatavad liikumise kontrolli- vυi loendussόsteemid;

b. tφφstusseadmed, mida kasutatakse soojuse voolamise kontrollimiseks vυi seireks hoonetes, seadmetes vυi tootmisprotsessides;

c. tφφstusseadmed, mida kasutatakse materjalide omaduste kontrollimiseks, sorteerimiseks vυi analόόsiks;

d. laboratoorseks kasutamiseks kavandatud seadmed; vυi

e. meditsiiniseadmed.

6A004 Optika

a. Jδrgmised optilised peeglid (reflektorid):

1. deformeeritavad peeglid pideva vυi mitmeelemendilise pinnakihiga ja nende jaoks ettenδhtud komponendid, mis vυimaldavad peegli pinnakihi osade dόnaamilist όmberpositsioneerimist kiirusega όle 100 Hz;

2. kergekaalulised monoliitsed peeglid keskmise ekvivalenttihedusega alla 30 kg/m2 ja tδismassiga όle 10 kg;

3. komposiit - vυi vahtstruktuurid kergpeeglid, mille keskmine ekvivalenttihedus on vδiksem kui 30 kg/m2 ja tδismass όle 2 kg;

4. kiirejuhtimispeeglid όle 100 mm diameetriga vυi pυhitelje pikkusega, pinnatasasusega l/2 vυi parem (kusjuures l = 633 nm), mille reguleerimisriba laius όletab 100 Hz.

b. Tsinkseleniidist (ZnSe) vυi tsinksulfiidist (ZnS) valmistatud optilised komponendid lδbilaskvusega lainepikkuste piirkonnas 3000 nm kuni 25000 nm, millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. maht όle 100 cm3; vυi

2. diameeter vυi peatelje pikkus όle 80 mm ja paksus (sόgavus) όle 20 mm.

c. Jδrgmised kosmosekindlad optiliste sόsteemide komponendid:

1. mida on kergendatud vδhem kui 20 %-ni ekvivalenttiheduse vδδrtusest, vυrreldes sama paksuse ja apertuuriga tahkistoorikuga;

2. tφφtlemata pυhimikud, tφφdeldud pυhimikud, millel on pinnakate (όhe- ja mitmekihiliste metalsete, dielektriliste, juhtivate, pooljuhtivate vυi isoleerivate katetega) vυi kaitsekiled;

3. peeglite segmendid vυi koostad, mis on kavandatud optilise sόsteemi montaaΎiks kosmoses, mille koguv apertuur on vυrdvδδrne vυi suurem kui 1-meetrilise lδbimυυduga όksikul optilisel sόsteemil;

4. valmistatud komposiit materjalidest, mille lineaarne soojuspaisumistegur mis tahes telje suunas ei ole όle 5Χ10-6;

d. Jδrgmised optilised juhtseadmed:

1. spetsiaalselt kavandatud punktis 6A004.c.1 vυi 6A004.c.3 nimetatud kosmosekindlate komponentide pinnakuju vυi orientatsiooni sδilitamiseks;

2. juhtimise, jδlgimise, stabiliseerimise vυi resonaatori hδδlestamise ribalaiused on 100 Hz vυi rohkem ja tδpsus 10 >ISO_7>μ>ISO_4>rad (mikroradiaani) vυi vδhem;

3. kardaanriputid, millel on kυik jδrgmised omadused:

a. maksimaalne pφφrdenurk όle 5°;

b. ribalaius 100 Hz vυi rohkem;

c. nurga fikseerimise viga 200 >ISO_7>μ>ISO_4>rad (mikroradiaani) vυi vδhem; ja

d. mis tahes jδrgmise omadusega:

1. diameetri vυi peatelje pikkus on όle 0,15 m, kuid vδhem kui 1 m, ja vυimaldab nurkkiirendust 2 rad/s2; vυi

2. diameetri vυi peatelje pikkus on όle 1 m ja vυimaldab nurkkiirendust 0,5 rad/s2;

4. seadmed, mis on spetsiaalselt ette nδhtud hδδlestuse hoidmiseks faseeritud maatriksile vυi segmentpeeglite sόsteemidele, mis koosnevad peeglitest, mille segmendi diameeter vυi peatelje pikkus on 1 m vυi rohkem.

e. Mittesfδδrilised optilised elemendid , millel on kυik jδrgmised omadused:

1. optilise ava suurim mυυde on όle 400 mm;

2. pinna ebatasasus on vδiksem kui 1 nm (ruutkeskmine) valimi pikkusel, mis on vυrdne vυi suurem kui 1 mm; ja

3. lineaarse soojuspaisumise absoluutsuuruse tegur on vδiksem kui 3Χ10-6/K, 25 °C juures.

Tehnilised mδrkused

1. Mittesfδδriline optiline element on mis tahes optilises sόsteemis kasutatav element, mille kujutispind vυi pinnad on projekteeritud erinema ideaalse sfδδri kujust.

2. Valmistajatelt ei nυuta punktis 6A004.e.2 nimetatud pinna ebatasasuse mυυtmist, kui optiline element ei ole kavandatud vυi valmistatud kavatsusega kontrollparameetrile vastata vυi seda όletada.

Mδrkus Punkt 600A4.e ei hυlma mittesfδδrilisi optilisi elemente, millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. suurim optilise ava mυυde on vδiksem kui 1 m ja fookuskauguse suhe ava suurusesse on vυrdne vυi suurem kui 4,5:1;

b. suurim optilise ava mυυde on vυrdne vυi suurem kui 1 m ja fookuskauguse suhe ava suurusesse on vυrdne vυi suurem kui 7:1;

c. kavandatud Fresnel-, flyeye-, vφφt-, prisma- vυi difrakteeriv-tόόpi optilise elemendina;

d. valmistatud boorsilikaatklaasist, mille lineaarse soojuspaisumise tegur on suurem kui 2,5Χ10-6/K 25 °C; vυi

e. on rφntgenoptiline element, millel on sisepeegli omadused (nt toru-tόόpi peeglid).

NB! Mittesfδδriliste optiliste elementide kohta, mis on spetsiaalselt kavandatud litograafiaseadmetele, vaata punkti 3B001.

6A005 Laserid , muud kui punktis 0B001.g.5 vυi 0B001.h.6 nimetatud, komponendid ning optilised seadmed:

NB! VT KA PUNKTI 6A205.

Mδrkus 1: Impulsslaserite hulka kuuluvad ka need laserid, mis tφφtavad impulsistatuna pidevlaine (CW) moodis.

Mδrkus 2: Impulssergastusega laserite hulka kuuluvad ka need laserid, mis tφφtavad pidevergastusmoodis, kui neile on rakendatud impulssergastus.

Mδrkus 3: Raman-laserite kontrolli alla kuulumine mδδratakse pumpava laseri parameetrite alusel. Pumpavaks laseriks vυib olla mis tahes allpool kirjeldatud laser.

a. Gaas laserid :

1. eksimeer laserid , millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. laserkiirguse lainepikkus ei ole όle 150 nm ja millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. vδljundenergia όle 50 mJ impulsi kohta; vυi

2. keskmise vδljundvυimsusega όle 1 W;

b. vδljundkiirguse lainepikkus όle 150 nm, kuid mitte όle 190 nm, ja millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. vδljundenergia όle 1,5 J impulsi kohta; vυi

2. keskmise vδljundvυimsusega όle 120 W;

c. vδljundkiirguse lainepikkus όle 190 nm, kuid mitte όle 360 nm, ja millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. vδljundenergia όle 10 J impulsi kohta; vυi

2. keskmise vδljundvυimsusega όle 500 W; vυi

d. laseri vδljundkiirguse lainepikkus on όle 360 nm ja millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. vδljundenergia όle 1,5 J impulsi kohta; vυi

2. keskmise vδljundvυimsusega όle 30 W;

NB! Eksimeerlaserite kohta, mis on spetsiaalselt kavandatud litograafiaseadmete jaoks, vt punkti 3B001.

2. Metalliaurudel tφφtavad laserid :

a. vask(Cu) laserid , mille keskmine vυi pidevlaine (CW) vδljundvυimsus on όle 20 W;

b. kuld(Au) laserid , mille keskmine vυi pidevlaine (CW) vδljundvυimsus on όle 5 W;

c. naatrium(Na) laserid , mille vδljundvυimsus on όle 5 W;

d. baarium(Ba) laserid , mille keskmine vυi pidevlaine (CW) vδljundvυimsus on όle 2 W;

3. sόsinikoksiid(CO) laserid , millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. vδljundenergia όle 2 J impulsi kohta ja impulsi tippvυimsus όle 5 kW; vυi

b. keskmise vυimsuse vυi pidevlaine (CW) vδljundvυimsusega όle 5 kW;

4. sόsinikdioksiid(CO2 ) laserid , millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. pidevlaine (CW) vδljundvυimsus όle 15 kW;

b. laserkiirguse impulsi kestusega όle 10 >ISO_7>μ>ISO_4>s ja millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. keskmise vδljundvυimsusega όle 10 kW; vυi

2. impulsi tippvυimsus όle 100 kW; vυi

c. laserkiirguse impulsi kestusega 10 >ISO_7>μ>ISO_4>s vυi rohkem; ja millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. Vδljundenergia όle 5 J impulsi kohta; vυi

2. Keskmise vδljundvυimsusega όle 2,5 kW;

5. kemolaserid :

a. vesinikfluoriid(HF) laserid ;

b. deuteeriumfluoriid(DF) laserid ;

c. siirdelaserid :

1. hapnikjood(O2 I) laserid ;

2. deuteeriumfluoriidsόsinikdioksiid(DF-CO2 ) laserid;

6. krόptoonioon- vυi argoonioon laserid , millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. vδljundenergia όle 1,5 J impulsi kohta ja impulsi tippvυimsus όle 50 W; vυi

b. keskmine vυi pidevlaine (CW) vδljundvυimsus όle 50 W;

7. Muud gaaslaserid , millel on mis tahes jδrgmine omadus:

Mδrkus: Punkt 6A001 ei hυlma lδmmastiklasereid.

a. laserkiirguse lainepikkus ei ole όle 150 nm ja millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. vδljundenergia όle 50 mJ impulsi kohta ja impulsi tippvυimsus όle 1 W; vυi

2. keskmine vυi pidevlaine (CW) vδljundvυimsus όle 1 W;

b. vδljundkiirguse lainepikkus όle 150 nm, kuid mitte όle 800 nm, ja millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. vδljundenergia όle 1,5 J impulsi kohta ja impulsi tippvυimsus όle 30 W; vυi

2. keskmine vυi pidevlaine (CW) vδljundvυimsus όle 30 W;

c. vδljundkiirguse lainepikkus όle 800 nm, kuid mitte όle 1400 nm, ja millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. vδljundenergia όle 0,25 J impulsi kohta ja impulsi tippvυimsus όle 10 W; vυi

2. keskmine vυi pidevlaine (CW) vδljundvυimsus όle 10 W; vυi

d. laseri vδljundkiirguse lainepikkus όle 1400 nm ja keskmine vυi pidevlaine (CW) όle 1 W.

b. Kemo laserid :

1. όksikud ristimoodiga, όhemoodilised pooljuht laserid , millel on mis tahes jδrgmised omadused:

a. laseri vδljundkiirguse lainepikkus όle 1510 nm ja keskmine vυi pidevlaine (CW) όle 1,5 W; vυi

b. laseri vδljundkiirguse lainepikkus όle 1510 nm ja keskmine vυi pidevlaine (CW) όle 500 mW;

2. όksikud ristimoodiga, mitmikmoodilised pooljuht laserid , millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. laseri vδljundkiirguse lainepikkus όle 1400 nm ja keskmine vυi pidevlaine (CW) όle 10 W;

b. laseri vδljundkiirguse lainepikkus 1400 nm vυi suurem ja vδiksem kui 1900 nm ja keskmine vυi pidevlaine (CW) όle 2,5 W; vυi

c. laseri vδljundkiirguse lainepikkus όle 1900 nm ja keskmine vυi pidevlaine (CW) όle 1 W;

3. όksikute pooljuht laserite massiivid, millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. laseri vδljundkiirguse lainepikkus όle 1400 nm ja keskmine vυi pidevlaine (CW) όle 80 W;

b. laseri vδljundkiirguse lainepikkus 1400 nm vυi suurem ja vδiksem kui 1900 nm ja keskmine vυi pidevlaine (CW) όle 25 W; vυi

c. laseri vδljundkiirguse lainepikkus όle 1900 nm ja keskmine vυi pidevlaine (CW) όle 10 W;

4. pooljuht laserite liitmassiivid, mis sisaldavad vδhemalt όht punktiga 6A005.b.3 hυlmatud massiivi.

Tehnilised mδrkused:

1. Pooljuhtlasereid nimetatakse sageli laserdioodideks.

2. Massiiv koosneb mitmest pooljuhtlaserist, mis on toodetud όhe kiibina, nii et nende kiiratavate valguskiirte keskpunktid on paralleelsed.

3. Liitmassiiv valmistatakse massiivide liitmise vυi muudmoodi όhendamise teel, nii et nende kiiratavate valguskiirte keskpunktid on paralleelsed.

Mδrkus 1: Punkt 6A005.b hυlmab ka pooljuhtlasereid, millel on optilised vδljundliitmikud (nt kiudoptilised «patsid» ).

Mδrkus 2: Nende pooljuhtlaserite kontrolli alla kuulumine, mis on spetsiaalselt kavandatud muude seadmete jaoks, mδδratakse muude seadmete kontrolli alla kuulumisega.

c. Tahkis laserid :

1. timmitavad laserid , millel on mis tahes jδrgmine omadus:

Mδrkus: Punkt 6A005.c.1 hυlmab titaan-safiir (Ti: Al2 O3 )-, tuulium-YAG (Tm: YAG)-, tuulium-YSGG (Tm: YSGG), aleksandriit (Cr: BeAl2 O4 )- ja vδrvustsenterlasereid.

a. laseri vδljundkiirguse lainepikkus on lόhem kui 600 nm ja millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. vδljundenergia όle 50 mJ impulsi kohta ja impulsi tippvυimsus όle 1 W; vυi

2. keskmine vυi pidevlaine (CW) vδljundvυimsus όle 1 W;

b. laseri vδljundkiirguse lainepikkus on όle 600 nm, kuid mitte όle 1400 nm, ja millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. vδljundenergia όle 1 J impulsi kohta ja impulsi tippvυimsus όle 20 W; vυi

2. keskmine vυi pidevlaine (CW) vδljundvυimsus όle 20 W; vυi

c. laseri vδljundkiirguse lainepikkus on όle 1400 nm ja millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. vδljundenergia όle 50 mJ impulsi kohta ja impulsi tippvυimsus όle 1 W; vυi

2. keskmine vυi pidevlaine (CW) vδljundvυimsus όle 1 W;

2. mittetimmitavad laserid :

Mδrkus: Punkt 6A005.c.2 hυlmab ka aatomsiirdetahkislasereid

a. neodόόmklaas laserid :

1. hiidvδlkelaserid , millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. vδljundenergia όle 20 J, kuid mitte όle 50 J impulsi kohta, ja keskmine vδljundvυimsus όle 10 W; vυi

b. vδljundenergia όle 50 J impulsi kohta;

2. mitte hiidvδlkelaserid , millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. vδljundenergia όle 50 J, kuid mitte όle 100 J impulsi kohta, ja keskmine vδljundvυimsus όle 20 W; vυi

b. vδljundenergia όle 100 J impulsi kohta;

b. neodόόmlisandiga laserid (v.a neodόόmklaaslaserid), mille vδljundkiirguse lainepikkus on όle 1000 nm, kuid mitte όle 1100 nm:

NB! Neodόόmlisandiga laserite (v.a neodόόmklaaslaserid) kohta, mille vδljundkiirguse lainepikkus ei ole όle 1000 nm vυi on όle 1100 nm, vaata punkti 6A005.c.2.c.

1. impulssergastusega sόnkroniseeritud moodiga hiidvδlkelaserid , mille laserkiirguse impulsi kestus on vδhem kui 1 ns ja millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. tippvυimsus όle 5 GW;

b. keskmise vδljundvυimsusega όle 10 W; vυi

c. impulsienergiaga όle 0,1 J;

2. impulssergastusega hiidvδlkelaserid laserkiirguse impulsi kestusega 1 ns vυi rohkem, millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. ristimoodiga, όhemoodiline vδljundkiirgus:

1. tippvυimsusega όle 100 MW;

2. keskmise vδljundvυimsusega όle 20 W; vυi

3. impulsienergiaga όle 2 J; vυi

b. ristimoodiga, mitmikmoodiline vδljundkiirgus:

1. tippvυimsusega όle 400 MW;

2. keskmise vδljundvυimsusega όle 2 kW; vυi

3. impulsienergiaga όle 2 J;

3. impulssergastusega mitte hiidvδlkelaserid , millel on:

a. ristimoodiga, όhemoodiline vδljundkiirgus:

1. tippvυimsusega όle 500 kW; vυi

2. keskmise vδljundvυimsusega όle 150 W; vυi

b. ristimoodiga, mitmikmoodiline vδljundkiirgus:

1. tippvυimsusega όle 1 MW; vυi

2. keskmise vυimsusega όle 2 kW;

4. pidevergastamisega laserid , millel on:

a. ristimoodiga, όhemoodiline vδljundkiirgus:

1. tippvυimsusega όle 500 kW; vυi

2. keskmine vυi pidevlaine (CW) vδljundvυimsus όle 150 W; vυi

b. ristimoodiga, mitmikmoodiline vδljundkiirgus:

1. tippvυimsusega όle 1 MW; vυi

2. keskmise vυimsuse vυi pidevlaine (CW) vδljundvυimsusega όle 2 kW;

c. muud mitte timmitavad laserid , millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. laseri vδljundkiirguse lainepikkus on vδhem kui 150 nm ja millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. vδljundenergia όle 50 mJ impulsi kohta ja impulsi tippvυimsus όle 1 W; vυi

b. keskmine vυi pidevlaine (CW) vδljundvυimsus όle 1 W;

2. laseri vδljundkiirguse lainepikkus όle 150 nm, kuid mitte όle 800 nm, ja millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. vδljundenergia όle 1,5 J impulsi kohta ja impulsi tippvυimsus όle 30 W; vυi

b. keskmine vυi pidevlaine (CW) vδljundvυimsus όle 30 W;

3. laseri vδljundkiirguse lainepikkus όle 800 nm, kuid mitte όle 1400 nm:

a. hiidvδlkelaserid :

1. vδljundenergia όle 0,5 J impulsi kohta ja impulsi tippvυimsus όle 50 W; vυi

2. keskmine vδljundvυimsus όle:

a. 10 W ristimoodiga, όhemoodilistel laseritel ;

b. 30 W ristimoodiga, mitmikmoodilistel laseritel ;

b. mitte hiidvδlkelaserid :

1. vδljundenergia όle 2 J impulsi kohta ja impulsi tippvυimsus όle 50 W; vυi

2. keskmine vυi pidevlaine (CW) vδljundvυimsus όle 50 W; vυi

4. laseri vδljundkiirguse lainepikkus όle 1400 nm ja millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. vδljundenergia όle 100 mJ impulsi kohta ja impulsi tippvυimsus όle 1 W; vυi

b. keskmine vυi pidevlaine (CW) vδljundvυimsus όle 1 W;

d. Vδrvlaserid ja muud vedelik laserid , millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. laseri vδljundkiirguse lainepikkus on vδhem kui 150 nm:

a. vδljundenergia όle 50 mJ impulsi kohta ja impulsi tippvυimsus όle 1 W; vυi

b. keskmine vυi pidevlaine (CW) vδljundvυimsus όle 1 W;

2. laseri vδljundkiirguse lainepikkus όle 150 nm, kuid mitte όle 800 nm, ja millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. vδljundenergia όle 1,5 J impulsi kohta ja impulsi tippvυimsus όle 20 W;

b. keskmine vυi pidevlaine (CW) vδljundvυimsus όle 20 W; vυi

c. pulseeriv όhe pikimoodiline ostsillaator keskmise vδljundvυimsusega όle 1 W ja impulsside kordussagedusega όle 1 kHz, kui impulsi kestus on lόhem kui 100 ns;

3. laseri vδljundkiirguse lainepikkus όle 800 nm, kuid mitte όle 1400 nm, ja millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. vδljundenergia όle 0,5 J impulsi kohta ja impulsi tippvυimsus όle 10 W; vυi

b. keskmine vυi pidevlaine (CW) vδljundvυimsus όle 10 W; vυi

4. laseri vδljundkiirguse lainepikkus όle 1400 nm ja millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. vδljundenergia όle 100 mJ impulsi kohta ja impulsi tippvυimsus όle 1 W; vυi

b. keskmine vυi pidevlaine (CW) vδljundvυimsus όle 1 W;

e. Jδrgmised komponendid:

1. aktiivjahutusega vυi soojusjuhtiva toru abil jahutatavad peeglid;

Tehniline mδrkus:

Aktiivjahutus on jahutustehnika optiliste detailide jahutamiseks, milleks kasutatakse detaili optilise pinna all voolavat vedelikku (tavaliselt vδhem kui 1 mm kaugusel optilisest pinnast), et kυrvaldada optilise detaili pinnal tekkiv soojus.

2. optilised peeglid vυi tδielikult vυi osaliselt valgust lδbilaskvad optilised vυi elektro-optilised komponendid, mis on spetsiaalselt kavandatud kasutamiseks kontrolli alla kuuluvates laserites ;

f. Jδrgmised optilised seadmed:

NB! άhise avaga optiliste elementide kohta, mida on vυimalik kasutada hiidvδlkelaseris (SHPL), vaata sυjalise otstarbega kaupade nimekirja.

1. dόnaamilist lainefronti (faasi) mυυtvad seadmed, mis vυimaldavad kiire lainefrondil eristada vδhemalt 50 positsiooni ja millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. kaadri sagedus on 100 Hz vυi rohkem ja faasi vδljaeraldamise vυime vδhemalt 5 % kiire lainepikkusest; vυi

b. kaadri sagedus on 1000 Hz vυi rohkem ja faasi vδljaeraldamise vυime vδhemalt 20 % kiire lainepikkusest;

2. laser diagnostika seadmed, mis vυimaldavad mυυta hiidvδlkelaseri (SHPL) sόsteemi kiire nurgajuhtimise vigu, mis on 10 >ISO_7>μ>ISO_4>rad vυi vδhem;

3. optilised seadmed ning komponendid, mis on spetsiaalselt kavandatud faseeritud hiidvδlkelasersόsteemide rόhmale selle kiirte kombinatsiooni koherentsuse saavutamiseks tδpsusega 1/10 kavandatud lainepikkusest vυi 0,1 >ISO_7>μ>ISO_4>m, olenevalt sellest, kumb on vδiksem;

4. projektsiooniteleskoobid, mis on spetsiaalselt projekteeritud kasutamiseks koos hiidvδlkelaserite (SHPL) sόsteemidega.

6A006 Magnetomeetrid, magnetvδlja gradiomeetrid, sisemised magnetvδlja gradiomeetrid ja kompensatsioonisόsteemid ning nende jaoks ettenδhtud komponendid:

Mδrkus: Punkt 6A006 ei hυlma vahendeid, mis on ette nδhtud meditsiinidiagnostikas biomagnetiliste mυυtmiste tegemiseks.

a. magnetomeetrid , mis kasutavad όlijuhtivat , optilise pumpamise, tuumapretsessiooni (prooton/Overhauser) vυi kolmeteljelise υhupiluga tehnoloogiat , mille mόratase (tundlikkus) on madalam (parem) ruutkeskmiselt kui 0,05 nT Hz ruutjuure kohta;

b. induktiivsuspool magnetomeetrid , mille mόratase (tundlikkus) on madalam (parem) ruutkeskmiselt kui:

1. 0,05 nT Hz ruutjuure kohta sagedustel alla 1 Hz;

2. 1 Χ 10-3 nT Hz ruutjuure kohta sagedustel 1-10 Hz; vυi

3. 1 Χ 10-4 nT Hz ruutjuure kohta sagedustel όle 10 Hz;

c. kiudoptilised magnetomeetrid , mille mόratase (tundlikkus) on madalam (parem) ruutkeskmiselt kui 1 nT Hz ruutjuure kohta;

d. magnetvδlja gradiomeetrid , mis sisaldavad punktis 6A006.a, 6A006.b vυi 6A006.c nimetatud kombineeritud magnetomeetreid ;

e. kiudoptilised sisemised magnetvδlja gradiomeetrid , mille magnetilise gradientvδlja mόratase (tundlikkus) on madalam (parem) ruutkeskmiselt kui 0,3 nT/m Hz ruutjuure kohta;

f. sisemised magnetvδlja gradiomeetrid , mis kasutavad muud tehnoloogiat kui kiudoptilist, mille magnetilise gradientvδlja mόratase (tundlikkus) on madalam (parem) ruutkeskmiselt kui 0,015 nT/m Hz ruutjuure kohta;

g. magnetvδlja kompensatsioonisόsteemid magnetilistele anduritele, mis on kavandatud toimima liikuvatel alustel;

h. όlijuhtivad elektromagnetilised andurid, mis sisaldavad όlijuhtivatest materjalidest valmistatud komponente ning millel on kυik jδrgmised omadused:

1. kavandatud toimima allpool vδhemalt όhe oma όlijuhtivast materjalist koostisosa kriitilist temperatuuri (kaasa arvatud Josephsoni efektil pυhinevad seadmed vυi όlijuht -kvantinterferentsseadmed (SQUID));

2. kavandatud tajuma elektromagnetilise vδlja muutusi sagedusel 1 kHz vυi vδhem; ja:

3. mis tahes jδrgmise omadusega:

a. sisaldavad υhukesekilelisi SQUID-e, mille vδhim mυυde on vδiksem kui 2 >ISO_7>μ>ISO_4>m, koos kaasneva sisend- ja vδljundsidestusahelaga;

b. konstrueeritud kasutamiseks magnetvδlja muutumiskiirusel, mis on όle 1 Χ 106 magnetvoo kvandi sekundis;

c. kavandatud kasutamiseks Maa magnetvδljas ilma magnetilise varjeta; vυi

d. temperatuuritegur on vδiksem kui 0,1 magnetvoo kvanti Kelvini kohta.

6A007 Gravimeetrid ja gravitatsiooni gradiomeetrid:

NB! VT KA PUNKTI 6A107.

a. Maapinnal kasutamiseks kavandatud vυi kohandatud gravimeetrid (raskusjυu mυυtjad), mille staatiline tδpsus on vδhem (parem) kui 10 >ISO_7>μ>ISO_4>gal;

Mδrkus: Punkt 6A007.a ei hυlma kvartselemendiga (Worden-tόόpi) maapinnagravimeetreid.

b. Gravimeetrid, mis on kavandatud liikuvatel alustel kasutamiseks ja millel on kυik jδrgmised omadused:

1. staatiline tδpsus on vδhem (parem) kui 0,7 mgal; ja

2. kasutamistδpsus on vδhem (parem) kui 0,7 mgal ja mυυtenδidu stabiliseerumisaeg on lόhem kui 2 minutit kυigi kaasnevate korrigeerivate kompensatsioonide ja liikumismυjude kombinatsioonidena;

c. Gravitatsiooni gradiomeetrid.

6A008 Radarisόsteemid, -seadmed ja -sυlmed ning nende jaoks ettenδhtud komponendid, millel on jδrgmine omadus:

NB! VT KA PUNKTI 6A108.

Mδrkus: Punkt 6A008 ei hυlma jδrgmist:

a. sekundaarseireradarid (SSR);

b. autoradarid, mis on ette nδhtud kokkupυrgete δrahoidmiseks;

c. kuvarid vυi monitorid, mida kasutatakse lennujuhtimises ja millel on kuni 12 lahutatavat elementi 1 mm kohta;

d. meteoroloogilised (ilmastiku) radarsόsteemid.

a. mis tφφtavad sagedusvahemikus 40-230 GHz ning mille keskmise vδljundvυimsus on όle 100 mW;

b. reguleeritava sagedusribaga, mille reguleerimisulatus on όle ± 6,25 % tφφsageduse keskmisest vδδrtusest ;

Tehniline mδrkus:

Tφφsageduse keskmine vδδrtus on vυrdne kirjeldatud kυrgema ja madalama tφφsageduse poolsummaga.

c. vυimelised tφφtama όheaegselt rohkem kui kahel kandesagedusel;

d. vυimelised tφφtama sόnteesapertuuriga radari (SAR), inverteeritud sόnteesapertuuriga radari (ISAR) vυi υhusυiduki pardal oleva kόlgvaateradari (SLAR) reΎiimil;

e. sisaldavad elektrooniliselt formeeritava suunadiagrammiga antenne ;

f. vυimaldavad mδδrata ennast mitteidentifitseerivate ( non-cooperative ) sihtmδrkide kυrguse;

Mδrkus: Punkt 6A008.f ei hυlma tδppislδhenemiseradari (PAR) seadmestikku, mis vastab Rahvusvahelise Tsiviillennundusorganisatsiooni (ICAO) standarditele.

g. spetsiaalselt kavandatud υhusυidukitel (υhupallidele vυi plaaneritele kinnitatuna) kasutamiseks ning omab Doppleri signaalitφφtlusvυimalust liikuvate sihtmδrkide avastamiseks;

h. mis tφφtlevad radarisignaale, kasutades jδrgmist:

1. radari hajaspektri tehnika; vυi

2. radari sagedusliikuvuse tehnika;

i. mis tagavad maapinnal tφφtades όle 185 km maksimaalse nδgemisulatuse ;

Mδrkus: Punkt 6A008.i ei hυlma jδrgmist:

a. kalastuspiirkondade seireradarid;

b. maapealsed radariseadmed, mis on spetsiaalselt kavandatud lennuliikluse trajektooride juhtimiseks, tingimusel et oleksid tδidetud jδrgmised tingimused:

1. selle maksimaalne nδgemisulatus on 500 km vυi vδhem;

2. see on konfigureeritud nii, et radari sihtmδrgi andmed liiguksid vaid όhes suunas: radari asukohast όhele vυi enamale tsiviillennujuhtimiskeskusele;

3. selles ei ole tingimusi radarilaotuse kiiruse kaugjuhtimiseks trajektoori lennujuhtimiskeskusest; ja

4. see on statsionaarselt paigaldatud;

c. meteoroloogiliste υhupallide jδlgimisradarid.

j. laser radarid vυi laserlokaatorseadmed (LIDAR), millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. kosmosekindel ; vυi

2. rakendavad koherentse heterodόόn- vυi homodόόndetekteerimise tehnikat ja mille nurklahutus on vδiksem (parem) kui 20 >ISO_7>μ>ISO_4>rad (mikroradiaani);

Mδrkus: Punkt 6A008.j ei hυlma LIDAR-seadmeid, mis on spetsiaalselt kavandatud kaardistamiseks vυi meteoroloogiliste vaatluste jaoks.

k. varustatud signaalide tφφtlemise alamsόsteemidega, milles kasutatakse impulsi kokkusurumise tehnikat ja millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. impulsi kokkusurumise suhe on όle 150; vυi

2. impulsi vδltus on lόhem kui 200 ns; vυi

l. varustatud andmetφφtlemise alamsόsteemidega, millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. automaatne sihtmδrgi jδrgimine , mille vδljund nδitab iga antennipφφrde jooksul sihtmδrgi enam tυenδolist asukohta antennikiire jδrgmise pφφrde ajal;

Mδrkus: Punkt 6A008.l.1 ei hυlma kokkupυrkeohu hoiatusvυimalust lennujuhtimissόsteemides vυi mere vυi sadama radaril.

2. arvutavad sihtmδrgi hetkelise kiiruse primaarradari poolt, mille laotuskiirus on mitteperioodiline (muutuv);

3. tφφtlevad andmeid automaatseks kujutuvastuseks (piirjoonte eraldamine) ja vυrdlevad neid andmebaasi kantud sihtmδrgi omadustega (lainekujud vυi kujundlikkus), et identifitseerida vυi klassifitseerida sihtmδrke; vυi

4. kahe vυi enama geograafiliselt hajutatud ja omavahel όhendatud radaranduri poolt saadud sihtmδrgi andmete superpositsioon ja korrelatsioon sihtmδrkide selgitamiseks ja eristamiseks.

Mδrkus: Punkt 6A008.l.4 ei hυlma sόsteeme, seadmeid ega elektroonikasυlmi, mida kasutatakse mereliikluse kontrolli eesmδrkidel.

6A102 Kiirguskindlad detektorid , muud kui punktis 6A002 nimetatud, mis on spetsiaalselt kavandatud vυi kohandatud kaitseks tuumaplahvatusega kaasnevate nδhtuste eest (nt elektromagnetiline impulss (EMP), rφntgenikiirgus, kombineeritud lφφklaine ja soojuslikud efektid) ning on kasutatavad rakettmόrskudel , kavandatud vυi arvestatud taluma kiirgustaseme vδδrtusi, mis tekitavad suurusele 5 Χ 105 rad (rδni) vastava vυi seda όletava maksimaalse kiirgusdoosi.

Tehniline mδrkus:

Punktis 6A102 nimetatud detektor on mδδratletud kui mehaaniline, elektri-, optika- vυi keemiaseade, mis automaatselt identifitseerib ja salvestab vυi registreerib selliseid mυjureid nagu keskkonna temperatuuri vυi rυhu muutus, elektrilised vυi elektromagnetilised signaalid vυi radioaktiivsete ainete kiirgus. See hυlmab seadeldisi, mis tajuvad όhekordse toimingu vυi tυrke alusel.

6A107 Gravitatsiooni mυυtjad (gravimeetrid) ning komponendid gravitatsiooni mυυtjatele ja gravitatsiooni gradiomeetritele:

a. Gravimeetrid, muud kui punktis 6A007.b nimetatud, mis on kavandatud vυi kohandatud kasutamiseks υhusυidukites vυi merel ning millel on staatiline vυi toiminguline tδpsus 7 Χ 10-6 m/s2 (0,7 milligal) vυi vδhem (parem) ning mυυtenδidu stabiliseerumisaeg on 2 minutit vυi vδhem;

b. Punktides 6A007.b vυi 6A107.a nimetatud gravimeetrite ja punktis 6A007.c nimetatud gravitatsiooni gradiomeetrite jaoks ettenδhtud komponendid.

6A108 Radarisόsteemid ja jδlgimissόsteemid, muud kui punktis 6A008 nimetatud:

a. Radari- ja laserradarisόsteemid, mis on kavandatud vυi kohandatud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettides vυi punktis 9A104 nimetatud sondrakettides;

Mδrkus: Punkt 6A108.a hυlmab jδrgmist:

a. Maapinna kuju kaardistamise seadmed;

b. Kujutavad andurseadmed;

c. Sόndmuspaiga kaardistamise ja korrelatsiooni (nii digitaalsed kui ka analoog-) seadmed;

d. Navigatsiooni Doppler-radarseadmed.

b. Tδppisjδlgimissόsteemid, mis on kasutatavad rakettmόrskudel :

1. jδlgimissόsteemid, mis kasutavad kooditranslaatorit koos maapinnal vυi υhusυidukil olevate vυrdlusandmetega vυi navigatsioonisatelliitide sόsteemidega reaalajalise asukoha ja lennukiiruse mδδramiseks;

2. kaugusmυυteradarid, sealhulgas nendega seotud optilised/infrapuna jδlgimisseadmed koos kυigi jδrgmiste vυimalustega:

a. nurklahutus on parem kui 3 milliradiaani (0,5 milli);

b. tφφpiirkond on 30 km vυi suurem ning kauguse lahutusvυime on ruutkeskmiselt parem kui 10 m;

c. kiiruse lahutusvυime on parem kui 3 m/s.

Tehniline mδrkus:

Punktis 6A108.b tδhendab rakettmόrsk terviklikke raketisόsteeme ja mehitamata υhusυidukisόsteeme, mille lennuulatus όletab 300 km.

6A202 Fotokordistitorud, millel on mυlemad jδrgmised omadused:

a. Fotokatoodi pindala on suurem kui 20 cm2; ja

b. Anoodimpulsi tυusuaeg on lόhem kui 1 ns.

6A203 Kaamerad ja komponendid, muud kui punktis 6A003 nimetatud:

a. Mehaanilised pφφrdpeegelkaamerad ja nende jaoks ettenδhtud komponendid:

1. kaaderkaamerad, mille salvestuskiirus on όle 225000 kaadrit sekundis;

2. vφφtkaamerad, mille kirjutuskiirus on όle 0,5 mm mikrosekundis;

Mδrkus: Punktis 6A203.a kuuluvad selliste kaamerate komponentide hulka sόnkroniseeriva elektroonika moodulid ning rootorikoostud, mis koosnevad turbiinidest, peeglitest ja laagritest.

b. Elektroonilised vφφt- ja kaaderkaamerad, lambid ja seadmed:

1. elektroonilised vφφtkaamerad, mille vυimalik ajaline lahutus on parem kui 50 ns;

2. punktis 6A203.b.1 nimetatud kaamerate vφφtlambid;

3. elektroonilised (vυi elektroonilise katikuga) kaaderkaamerad, mille vυimalik kaadri sδriaeg on 50 ns vυi vδhem;

4. jδrgmised kaaderpildistuslambid ja tahkis-pildistusseadmed, mis on ette nδhtud kasutamiseks koos punktis 6A203.b nimetatud kaameratega:

a. lόhifookuselised kujutisevυimendustorud, mille fotokatood on sadestatud lδbipaistvale juhtivale kattele, et vδhendada fotokatoodi pindtakistust;

b. juhitava suunajaga rδnivυimendiga (SIT) vidikonlambid, milles kiire sόsteem vυimaldab fotokatoodilt lδhtunud elektrone strobeerida, enne kui nad pυrkavad rδnist vυimendusplaadile;

c. Kerri vυi Pockelsi rakuga elektro-optiline katik;

d. teised kaaderpildistuslambid ja tahkis-pildistusseadmed, millel on kujutise kiire strobeerimise aeg vδhem kui 50 ns ja mis on spetsiaalselt kavandatud punktis 6A203.b.3 nimetatud kaamerate jaoks;

c. Kiirguskindlad televisioonikaamerad vυi nende jaoks ettenδhtud lδδtsed, mis on spetsiaalselt kavandatud vυi arvestatud taluma kiirguse kogudoosi όle 50 Χ 103 Gy (rδni) (5 Χ 106 rad (rδni)) ilma nende tφφvυimet halvendamata.

Tehniline mδrkus:

Termin «Gy (rδni)» tδhistab όhes kilogrammis ekraneerimata rδniproovis seda ioniseeriva kiirgusega kiiritamisel neeldunud energiahulka dΎaulides.

6A205 Laserid, laser vυimendid ja ostsillaatorid, muud kui punktides 0B001.g.5, 0B001.h.6 ja 6A005 nimetatud:

a. Argoonioon laserid , millel on mυlemad jδrgmised omadused:

1. tφφtavad lainepikkustel 400-515 nm; ja

2. keskmine vδljundvυimsus όle 40 W;

b. Timmitavad impulss-όhemoodilised vδrvilaser-ostsillaatorid, millel on kυik jδrgmised omadused:

1. tφφtavad lainepikkustel 300-800 nm;

2. keskmine vδljundvυimsus όle 1 W;

3. kordumissagedus on suurem kui 1 kHz; ja

4. impulsi kestus on lόhem kui 100 ns;

c. Timmitavad impulss-vδrvilaser-vυimendid ja -ostsillaatorid, millel on kυik jδrgmised omadused:

1. tφφtavad lainepikkustel 300-800 nm;

2. keskmine vδljundvυimsus όle 30 W;

3. kordumissagedus on suurem kui 1 kHz; ja

4. impulsi kestus on lόhem kui 100 ns;

Mδrkus: Punkt 6A205.c ei hυlma όhemoodilisi ostsillaatoreid;

d. Sόsinikdioksiidimpulss laserid , millel on kυik jδrgmised omadused:

1. tφφtavad lainepikkustel 9000-11000 nm;

2. kordumissagedus on suurem kui 250 Hz;

3. keskmine vδljundvυimsus όle 500 W; ja

4. impulsi kestus on lόhem kui 200 ns;

e. Paravesinikul Ramani muundajad, mis on kavandatud tφφks vδljundi lainepikkusel 16 >ISO_7>μ>ISO_4>m ja mille kordumissagedus on kυrgem kui 250 Hz;

f. Impulssergastusega neodόόmlisandiga hiidvδlke laserid (v.a neodόόmklaas laserid ), millel on kυik jδrgmised omadused:

1. laserkiirguse lainepikkus on όle 1000 nm, kuid mitte όle 1100 nm;

2. laserkiirguse impulsi kestus on όle 1 ns; ja

3. ristimoodiga, mitmikmoodilise vδljundkiirgusega, mille keskmine vυimsus on όle 50 W.

6A225 Kiiruse mυυtmise interferomeetrid, mis on ette nδhtud όle 1 km/s kiiruste mυυtmiseks ajavahemike vδltel, mis on lόhemad kui 10 >ISO_7>μ>ISO_4>s.

Mδrkus: Punkt 6A225 hυlmab kiiruse mυυtmise interferomeetreid, nagu kiiruse interferomeeter-sόsteem mis tahes reflektori jaoks (VISAR) ja Doppleri laserinterferomeetrid (DLI).

6A226 Rυhuandurid:

a. Manganiinkalibraatorid, suurematele rυhkudele kui 10 GPa;

b. Kvartsist rυhuandurid, suurematele rυhkudele kui 10 GPa.

6B Testimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed

6B004 Optilised seadmed:

a. Seadmed absoluutse peegeldusvυime mυυtmiseks tδpsusega ± 0,1 % peegeldusvυime vδδrtusest;

b. Seadmed, muud kui optilise pinna hajupeegelduse mυυtmise seadmed, millel on suurem kui 10 cm mittematistatud ava ja mis on spetsiaalselt kavandatud mittetasaste optiliste pindade kuju (profiili) 2 nm vυi vδhema (parema) tδpsusega mυυtmiseks soovitud profiili suhtes.

Mδrkus: Punkt 6B004 ei hυlma mikroskoope.

6B007 Seadmed maapealse kasutusega gravimeetrite tootmiseks, reguleerimiseks ja kalibreerimiseks staatilise tδpsusega, mis on parem kui 0,1 mgal.

6B008 Impulssradari mυυtesόsteemid, mis on ette nδhtud tagasikiirgumise ristlυike mδδramiseks, kui kiiratava impulsi pikkus on 100 ns vυi lόhem, ning nende jaoks spetsiaalselt kavandatud komponendid.

NB! VT KA PUNKTI 6B108.

6B108 Mυυtesόsteemid, muud kui punktis 6B008 nimetatud, mis on spetsiaalselt kavandatud radari tagasikiirgumise ristlυike mυυtmiseks ja on kasutatavad rakettmόrskudel ja nende alamsόsteemides.

6C Materjalid

6C002 Optiliste andurite materjalid:

a. Telluur, puhtusega 99,9995 % vυi rohkem;

b. Jδrgmiste monokristallid, kaasa arvatud epitaksiaalsed kiibitoorikud:

1. kaadmiumtsinktelluriid (CdZnTe), mille tsingisisaldus on vδhem kui 6 moolosa ;

2. kaadmiumtelluriid (CdTe), mis tahes puhtusastmega; vυi

3. elavhυbekaadmiumtelluriid (HgCdTe), mis tahes puhtusastmega;

Tehniline mδrkus:

Moolosa mδδratletakse ZnTe moolide ning kristallis oleva CdTe ja ZnTe moolide summa suhtena.

6C004 Jδrgmised optilised materjalid:

a. Tsinkseleniidist (ZnSe) vυi tsinksulfiidist (ZnS) pυhimikutoorikud , mis on valmistatud keemilise aurustamise-sadestamise protsessi abil ning millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. maht όle 100 cm3; vυi

2. diameeter όle 80 mm ja paksus 20 mm vυi rohkem;

b. Jδrgmiste elektro-optiliste materjalide pirnikujulised toorikkristallid:

1. kaaliumtitanόόlarsenaat (KTA);

2. hυbegalliumseleniid (AgGaSe2 );

3. talliumarseenseleniid (Tl3 AsSe3 , tuntakse ka TASi nime all);

c. Mittelineaarsed optilised materjalid, millel on kυik jδrgmised omadused:

1. kolmanda jδrgu vastuvυtlikkusega (chi 3), mis on 10-6m2/V2; vυi rohkem; ja

2. kosteaeg lόhem kui 1 ms;

d. Rδnikarbiidi vυi berόllium-berόlliumi (Be/Be) sadestamisel saadud pυhimikutoorikud , mille diameeter vυi peatelje pikkus on όle 300 mm;

e. Klaas, kaasa arvatud sulakvarts (SiO2 ), fosfaatklaas, fluorofosfaatklaas, tsirkooniumfluoriid (ZrF4 ) ja hafniumfluoriid (HfF4 ), millel on kυik jδrgmised omadused:

1. hόdroksόόlioonide (OH-) kontsentratsioon on vδiksem kui 5 ppm;

2. metalliliste lisandite hulk on vδiksem kui 1 ppm; ja

3. kυrge homogeensusega (murdumisnδitaja vδδrtuse variatsioonid on alla 5 Χ 10-6);

f. Sόnteetilised teemandid, milles optiline neeldumine on vδiksem kui 10-5 cm-1 lainepikkustel 200-14000 nm.

6C005 Sόnteetilised kristalse struktuuriga laseri pυhimaterjalid tφφtlemata kujul:

a. Titaanlisandiga safiir;

b. Aleksandriit.

6D Tarkvara

6D001 Tarkvara , mis on ette nδhtud punktis 6A004, 6A005, 6A008 vυi 6B008 nimetatud seadmete arendamiseks vυi tootmiseks .

6D002 Tarkvara , mis on ette nδhtud punktis 6A002.b, 6A008 vυi 6B008 nimetatud seadmete kasutamiseks .

6D003 Muu tarkvara :

a. 1. Tarkvara , mis on ette nδhtud akustiliste kimpude moodustamiseks akustiliste andmete reaalajaliseks tφφtlemiseks passiivse vastuvυtu korral, kui kasutatakse jδrelveetavaid hόdrofonide vυresόsteeme.

2. Lδhtekood akustiliste andmete reaalajaliseks tφφtlemiseks passiivse vastuvυtu korral, kui kasutatakse jδrelveetavaid hόdrofonide vυresόsteeme;

3. Tarkvara , mis on ette nδhtud akustiliste kimpude moodustamiseks akustiliste andmete reaalajaliseks tφφtlemiseks passiivse vastuvυtu korral, kui kasutatakse merepυhja vυi lahe kaablisόsteeme;

4. Lδhtekood akustiliste andmete reaalajaliseks tφφtlemiseks passiivse vastuvυtu korral, kui kasutatakse merepυhja vυi lahe kaablisόsteeme;

b. 1. Tarkvara , mis on ette nδhtud liikuvatel alustel kasutamiseks kavandatud magnetiliste andurite magnetilise kompensatsiooni sόsteemidele;

2. Tarkvara , mis on ette nδhtud magnetiliste anomaaliate avastamiseks liikuvatel alustel;

c. Tarkvara , mis on ette nδhtud selleks, et parandada gravimeetrite ja gravitatsiooni gradiomeetrite liikumisest tingitud hδlbed;

d. 1. Lennujuhtimise tarkvaraprogrammid , mis on kasutatavad όldkasutatavates arvutites lennujuhtimiskeskustes ning mis suudavad jδrgmist:

a. vυimaldavad όheaegselt tφφdelda ja kuvada 150 erineva lendava objekti lennuandmeid ja asukohta; vυi

b. radari sihtmδrgi andmed vυetakse vastu rohkem kui neljalt primaarradarilt;

2. Tarkvara radoomide projekteerimiseks vυi tootmiseks, mis:

a. on ette nδhtud punktis 6A008.e nimetatud elektrooniliselt formeeritava suunadiagrammiga antennide kaitseks; ja

b. pυhjustavad antenni kiirgusdiagrammis keskmise karakteristliku kόlghυlma vδhenemist rohkem kui 40 dB peakiire nivoost.

Tehniline mδrkus:

Keskmine karakteristlik kόlghυlm punktis 6D003.d.2.b mυυdetakse όle kogu antennide massiivi, vδlja arvatud peakiire ulatusnurk ning kaks kόlghυlma, kummalgi pool peakiirt.

6D102 Tarkvara , mis on spetsiaalselt ette nδhtud vυi kohandatud punktis 6A108 nimetatud kaupade kasutamiseks .

6D103 Tarkvara , mis on ette nδhtud lennul salvestatud andmete lennujδrgseks tφφtlemiseks, vυimaldades kindlaks mδδrata lendava objekti asukoha kogu tema liikumistee jooksul ja on spetsiaalselt ette nδhtud vυi kohandatud rakettmόrskude jaoks.

Tehniline mδrkus:

Punktis 6D103 tδhendab rakettmόrsk terviklikke raketisόsteeme ja mehitamata υhusυidukisόsteeme, mille lennuulatus όletab 300 km.

6E Tehnoloogia

6E001 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nδhtud punktides 6A, 6B, 6C vυi 6D nimetatud seadmete, materjalide vυi tarkvara arendamiseks .

6E002 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nδhtud punktides 6A, 6B vυi 6C nimetatud seadmete vυi materjalide tootmiseks .

6E003 Muu tehnoloogia :

a. 1. Optilise pinna katmise ja tφφtlemise tehnoloogia , mis on vajalik 99,5 %-lise vυi parema tasasusega pinnakatte saamiseks pindadel, mille diameeter vυi peatelje pikkus on όle 500 mm ja millest neeldumise vυi hajumise tυttu pυhjustatud totaalne kadu on vδiksem kui 5 Χ 10-3;

NB! Vt ka punkti 2E003.f.

2. Tehnoloogia optiliste pindade valmistamiseks, mis on kasutatav όhe lυiketeraga teemanttreimise seadmete juures, mille abil saavutatakse όle 0,5 m2 pindalaga mittetasapinnaliste pindade korral lυplik ruutkeskmine tδpsus 10 nm vυi parem;

b. Tehnoloogia , mis on vajalik spetsiaalselt kavandatud diagnostikaseadmete vυi mδrklaudade arendamiseks, tootmiseks vυi kasutamiseks katserajatistes, mis on ette nδhtud hiidvδlkelaserite katsetamiseks vυi hiidvδlkelaseri kiirtega kiiritatud materjalide katsetamiseks ja hindamiseks;

c. Tehnoloogia , mis on vajalik mis tahes jδrgmiste omadustega mittekolmeteljeliste υhupiluga- magnetomeetrite vυi mittekolmeteljeliste υhupiluga- magnetomeeter sόsteemide arendamiseks vυi tootmiseks :

1. mόratase on ruutkeskmiselt vδiksem kui 0,05 nT sageduse ruutjuure kohta sagedustel alla 1 Hz; vυi

2. mόratase on ruutkeskmiselt vδiksem kui 1 Χ 10-3 nT sageduse ruutjuure kohta sagedustel 1 Hz vυi enam.

6E101 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nδhtud punktis 6A002, 6A007.b, 6A007.c, 6A008, 6A102, 6A107, 6A108, 6B108, 6D102 vυi 6D103 nimetatud seadmete vυi tarkvara kasutamiseks .

Mδrkus: Punktis 6E101 mδδratletakse tehnoloogia όksnes punktis 6A008 nimetatud seadmetele, kui nad on ette nδhtud υhusυidukitel kasutamiseks ning on kasutatavad rakettmόrskudel.

6E201 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nδhtud punktis 6A003, 6A005.a.1.c, 6A005.a.2.a, 6A005.c.1.b, 6A005.c.2.c.2, 6A005.c.2.d.2.b, 6A202, 6A203, 6A205, 6A225 vυi 6A226 nimetatud seadmete kasutamiseks .

7. KATEGOORIA

NAVIGATSIOONI- JA LENNUELEKTROONIKA

7A Sόsteemid, seadmed ja komponendid

NB! Allveesυidukite automaatjuhtimisseadmete kohta vt 8. kategooriat.

Radarite kohta vt 6. kategooriat.

7A001 Kiirendusmυυturid, mis on kavandatud kasutamiseks inertsiaalsetes navigatsiooni- vυi juhtimissόsteemides ning spetsiaalselt nende jaoks projekteeritud komponendid, millel on mis tahes jδrgmine omadus:

NB! VT KA PUNKTI 7A101. Nurk- vυi pφφrdkiirendusmυυturite kohta vt punkti 7A002.

a. kυrvalekalde stabiilsus on vδiksem (parem) kui 130 >ISO_7>μ>ISO_4>g fikseeritud kalibreerimisvδδrtuse suhtes όheaastase perioodi vδltel;

b. mυυteskaala koefitsiendi stabiilsus on vδiksem (parem) kui 130 ppm fikseeritud kalibreerimisvδδrtuse suhtes όheaastase perioodi vδltel; vυi

c. ette nδhtud kasutamiseks όle 100 g lineaarkiirenduse korral.

7A002 Gόroskoobid vυi nurk- vυi pφφrdkiirendusmυυturid, millel on mis tahes jδrgmine omadus, ja spetsiaalselt nende jaoks ettenδhtud komponendid:

NB! VT KA PUNKTI 7A102.

a. Triivi kiiruse stabiilsus on 1 g kiirendusega keskkonnas kolmekuise perioodi vδltel fikseeritud kalibreerimisvδδrtuse suhtes jδrgmine:

1. vδiksem (parem) kui 0,1° tunnis, kui need on ette nδhtud kasutamiseks lineaarkiirenduse korral kuni 10 g; vυi

2. vδiksem (parem) kui 0,5° tunnis, kui need on ette nδhtud kasutamiseks lineaarkiirenduse korral 10-100 g (kaasa arvatud); vυi

b. ette nδhtud kasutamiseks όle 100 g lineaarkiirenduse korral.

7A003 Inertsiaalsed sόsteemid ja spetsiaalselt nende jaoks ettenδhtud komponendid:

NB! VT KA PUNKTI 7A103.

a. Inertsiaalsed navigatsioonisόsteemid (INS) (kardaanriputiga vυi tervikkinnitusega) ja inertsiaalseadmed, mis on kavandatud υhusυidukite , maismaasυidukite, veesυidukite (veepealsete vυi veealuste) vυi kosmosesυidukite asendi reguleerimiseks, juhtimiseks ja kontrolliks ning millel on jδrgmised omadused, ning nende jaoks spetsiaalselt ettenδhtud komponendid:

1. navigatsiooniviga (inertsiaalselt vaba), mis allub normaali orientatsioonile 0,8 meremiili tunnis (tυenδolise vea ring (CEP)) vυi vδhem (parem); vυi

2. ette nδhtud kasutamiseks όle 10 g lineaarkiirenduse korral;

b. Hόbriidsed inertsiaalsed navigatsioonisόsteemid, mis on integreeritud globaalse navigatsiooni satelliitsόsteemi(de)ga (GNSS) vυi andmebaasidega toetatava(te) navigatsioonisόsteemi(de)ga (DBRN) ruumasendi, suunamise vυi juhtimise jaoks, vastavalt normaali suunale, millel on INS navigatsiooni positsioonitδpsus pδrast GNSS vυi DBRN kaotamist kuni neljaminutilise perioodi jooksul vδiksem (parem) kui 10 meetrit tυenδolise vea ringis (CEP).

c. Inertsiaalsed seadmed asimuudi, suuna vυi pυhjasuuna mδδramiseks, millel on mis tahes jδrgmine omadus, ja spetsiaalselt nende jaoks ettenδhtud komponendid:

1. ette nδhtud asimuudi, suuna vυi pυhjasuuna mδδramise ruutkeskmine (rms) tδpsus 6 kaareminutit vυi vδhem (parem) 45 laiuskraadi juures; vυi

2. mittetφφtavana ette nδhtud taluma 900 g vυi rohkem lφφgikoormust 1 msec vυi rohkem jooksul.

Mδrkus 1: Punktides 7A003.a ja 7A003.b esitatud parameetrid on rakendatavad koos mυnega jδrgmiselt esitatud keskkonnatingimustest:

1. sisendi juhuslik vibratsioon, mille ruutkeskmine όldamplituud on 7,7 g testi esimese poole tunni vδltel ning testi kogukestus on poolteist tundi telje kohta igal kolmest ristiasetsevast teljest, kui juhuslik vibratsioon vastab jδrgmistele tingimustele:

a. konstantse vυimsuse spektraaltiheduse vδδrtus (PSD) on 0,04 g2/Hz sagedusvahemikus 15-1000 Hz; ja

b. konstantse vυimsuse spektraaltiheduse vδδrtus (PSD) langeb sagedusega 0,04 g2/Hz kuni 0,01 g2/Hz sagedusvahemikus 1000-2000 Hz;

2. keerlemis- ja lengerduskiirus on +2,62 rad/s (150°/s) vυi rohkem; vυi

3. vastavalt siseriiklikele standarditele, mis on samavδδrsed όlalolevate punktidega 1 vυi 2.

Mδrkus 2: Punkt 7A003 ei hυlma inertsiaalseid navigatsioonisόsteeme, mis on osalisriikide tsiviilvυimude poolt sertifitseeritud kasutamiseks tsiviillennukitel.

Mδrkus 3: Punkt 7A003.c.1 ei hυlma spetsiaalselt tsiviilseireotstarbeliseks kasutamiseks kavandatud inertsiaalseadmeid sisaldavaid teodoliitsόsteeme.

Tehnilised mδrkused:

1. Punkt 7A003.b viitab sόsteemidele, milles INS ja teised sυltumatud navigatsiooni abiseadmed on koondatud όheks όhikuks (όhendatud), et saavutada parimat tulemust.

2. Tυenδolise vea ring (CEP) - ringikujulise normaaljaotuse korral sellise ringi raadius, mille sisse jδδb 50 % όksikult tehtud mυυtmiste tulemustest, vυi ringi raadius, mille sees asetseb midagi 50 % tυenδosusega.

7A004 Gόro- ja astrokompassid ning muud seadmed, mis tuletavad asukoha vυi suuna automaatselt taevakehade vυi satelliitide jδlgimise abil asimuuttδpsusega 5 kaaresekundit vυi vδhem (parem).

NB! VT KA PUNKTI 7A104.

7A005 Globaalne navigatsioonisatelliitide sόsteemide (GPS vυi GLONASS) vastuvυtuseadmed, millel on jδrgmised omadused, ja spetsiaalselt nende jaoks ettenδhtud komponendid:

NB! VT KA PUNKTI 7A105.

a. kasutatakse dekrόpteerimist; vυi

b. null-juhitavusega antenni.

7A006 Υhusυidukite altimeetrid (kυrgusmυυturid), mis toimivad muudel sagedustel kui 4,2 GHz kuni 4,4 GHz (kaasa arvatud) ning millel on jδrgmised omadused:

NB! VT KA PUNKTI 7A106.

a. vυimsuse juhtimine ; vυi

b. kasutatakse faasmodulatsiooni.

7A007 Raadiopeilimisseadmed, mis toimivad όle 30 MHz sagedustel ja millel on kυik jδrgmised omadused, ning nende jaoks spetsiaalselt ettenδhtud komponendid:

a. hetkeline ribalaius on 1 MHz vυi rohkem;

b. rohkem kui 100 sageduskanali paralleelne tφφtlemine; ja

c. tφφtlemiskiirus όle 1000 peilingu sekundis όhe sageduskanali kohta.

7A101 Kiirendusmυυturid, muud kui punktis 7A001 nimetatud, ja spetsiaalselt nende jaoks ettenδhtud komponendid:

a. Kiirendusmυυturid mυυtelδvega 0,05 g vυi vδhem vυi lineaarsusveaga, mis on 0,25 % vδljundi tδisskaalast, vυi mυlema tingimuse tδitmisega ning mis on kavandatud kasutamiseks mis tahes tόόpi inertsiaalsetes navigatsiooni- vυi juhtimissόsteemides;

Mδrkus: Punkt 7A101.a ei hυlma kiirendusmυυtureid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud ja arendatud puuraukude teenindamiseks MWD (Measurement While Drilling - mυυtmine puurimise kδigus) anduritena.

b. Pideva vδljundiga kiirendusmυυturid, mis on ette nδhtud kasutamiseks όle 100 g kiirenduse korral.

7A102 Mis tahes tόόpi gόroskoobid, muud kui punktis 7A002 nimetatud, mis on kasutatavad rakettmόrskudes ja mille hinnatud triivi kiiruse stabiilsus on 1 g kiirendusega keskkonnas vδiksem kui 0,5° (???vυi ruutkeskmiselt)?tunnis ja spetsiaalselt nende jaoks ettenδhtud komponendid.

7A103 Seadmestik, navigatsiooniseadmed ja -sόsteemid, muud kui punktis 7A003 nimetatud, ning spetsiaalselt nende jaoks ettenδhtud komponendid:

a. Inertsiaalsed vυi muud seadmed, milles kasutatakse punktis 7A001 vυi 7A002 nimetatud kiirendusmυυtureid vυi punktis 7A002 vυi 7A102 nimetatud gόroskoope, ja selliseid seadmeid sisaldavad sόsteemid;

Mδrkus: Punkt 7A103.a ei hυlma seadmeid, mis sisaldavad punktis 7A001 nimetatud kiirendusmυυtureid ja mille jaoks sellised kiirendusmυυturid on spetsiaalselt projekteeritud ja kavandatud kui MWD-andurid ning mida kasutatakse puuraukude teenindamisel.

b. Integreeritud lennuseadmesόsteemid, mis sisaldavad gόroskoopstabilisaatoreid vυi automaatjuhtimissόsteeme, mis on kavandatud vυi kohandatud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettidel, punktis 9A012 nimetatud mehitamata υhusυidukitel vυi punktis 9A104 nimetatud sondrakettides.

c. Integreeritud navigatsioonisόsteemid , mis on kavandatud vυi kohandatud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettidel, punktis 9A012 nimetatud mehitamata υhusυidukitel vυi punktis 9A104 nimetatud sondrakettidel ning millega on vυimalik saavutada navigatsioonitδpsus, mille puhul samavυrdne tυenδosusring (CEP) on 200 m vυi vδhem.

Tehniline mδrkus:

Integreeritud navigatsioonisόsteem koosneb tavaliselt jδrgmistest komponentidest:

1. inertsiaalne mυυteseade (nt suuna ja positsiooni mδδramise sόsteem, inertsiaalne viiteόksus vυi inertsiaalne navigatsioonisόsteem);

2. όks vυi mitu vδlisandurit, mida kasutatakse asukoha ja/vυi kiiruse ajakohastamiseks kas perioodiliselt vυi pidevalt kogu lennu jooksul (nt satelliitnavigatsiooni vastuvυtuseade, radari kυrgusmυυtur ja/vυi Doppler-radar); ja;

3. integratsiooni riist- ja tarkvara

7A104 Gόro- ja astrokompassid ning muud seadmed, muud kui punktis 7A004 nimetatud, mis tuletavad asukoha vυi suuna automaatselt taevakehade vυi satelliitide jδlgimise abil, ning spetsiaalselt nende jaoks ettenδhtud komponendid.

7A105 Vastuvυtuseadmed globaalsete navigatsioonisatelliitide sόsteemide jaoks (GNSS; nt GPS, GLONASS vυi Galileo), millel on mis tahes jδrgmine omadus, ja spetsiaalselt nende jaoks ettenδhtud komponendid:

a. mis on kavandatud vυi kohandatud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettidel, punktis 9A012 nimetatud mehitamata υhusυidukitel vυi punktis 9A104 nimetatud sondrakettidel; vυi

b. mis on kavandatud vυi kohandatud kasutamiseks υhusυidukites ja millel on jδrgmised omadused:

1. mis on vυimelised saama navigatsiooniteavet kiirustel όle 600 m/s (1165 meremiili/tunnis);

2. mis kasutavad sυjaliste vυi valitsusteenistuste jaoks kavandatud vυi kohandatud dekrόpteerimist, et saada juurdepδδs GNSSi turvatud signaalile/andmetele; vυi

3. mis on spetsiaalselt kavandatud raadiohδireid vδlistavatena (nt nulljuhtimisega antenn vυi elektrooniliselt juhitav antenn), et need toimiksid aktiivsete vυi passiivsete vastumυjude keskkonnas.

Mδrkus: Punktid 7A105.b.2 ja 7A105.b.3 ei hυlma seadmeid, mis on ette nδhtud kaubanduslike, tsiviilotstarbeliste vυi inimelude ohutusega (nt andmete terviklikkus, lennuohutus) seotud GNSS teenuste jaoks.

7A106 Kυrgusmυυturid, muud kui punktis 7A006 nimetatud, kas radar- vυi laserradartόόpi, mis on kavandatud vυi kohandatud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettidel vυi punktis 9A104 nimetatud sondrakettidel.

7A115 Passiivsed andurid, mis vυimaldavad kindlaks mδδrata suuna spetsiifilistele elektromagnetlainete allikatele (peilimisseadmed) vυi maastiku iseδrasustele ning on kavandatud vυi kohandatud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettidel vυi punktis 9A104 nimetatud sondrakettidel.

Mδrkus: Punkt 7A115 hυlmab jδrgmiste seadmete andureid:

a. maapinna kuju kaardistamise seadmed;

b. kujutavad andurseadmed (aktiivsed ja passiivsed);

c. passiivsed interferomeetrilised seadmed.

7A116 Lennujuhtimissόsteemid ja servoventiilid, mis on kavandatud vυi kohandatud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettides vυi punktis 9A104 nimetatud sondrakettides.

a. Hόdraulilised, mehaanilised, elektro-optilised vυi elektromehaanilised lennujuhtimissόsteemid (kaasa arvatud elektrooniline juhtimine - fly-by-wire );

b. Asendi kontrolliseadmed;

c. Lennujuhtimise servoventiilid, mis on loodud vυi kohandatud punktis 7A116.a vυi 7A116.b nimetatud sόsteemide jaoks ning tφφtama vibratsioonilises keskkonnas ja mille vδδrtus ruutkeskmiselt on όle 10 g ja sagedusvahemik 20-2000 Hz.

7A117 Rakettmόrskudel kasutatavad juhtimisseadmed , mis on vυimelised saavutama sόsteemset tδpsust 3,33 % vυi vδhem lennuulatusest (nt samavυrdne tυenδosusring (CEP) 10 km vυi vδiksem kaugusel 300 km).

7B Testimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed

7B001 Testimis-, kalibreerimis- ja reguleerimisseadmed, mis on spetsiaalselt ette nδhtud punktis 7A nimetatud seadmete jaoks.

Mδrkus: Punkt 7B001 ei hυlma I vυi II hooldustasemele vajalikke testimis-, kalibreerimis- ja reguleerimisseadmeid.

Tehnilised mδrkused:

1. I hooldustase

Υhusυiduki inertsiaalse navigatsioonisυlme tυrge avastatakse teenindus- ja kuvarmooduli nδitude vυi vastava allsόsteemi seisukorra teate abil. Tootja juhendi abil on vυimalik tυrke pυhjus lokaliseerida korrast δra oleva asendatava mooduli (LRU) tasemel. Vδljavahetatav moodul asendatakse seejδrel teenindava personali poolt varumooduliga.

2. II hooldustase

Defektne moodul saadetakse parandustφφkotta (tootja omasse vυi sellisesse, mille personal on vastutav II hooldustaseme eest). Parandustφφkojas testitakse defektset moodulit erinevate asjakohaste vahenditega, et kindlaks teha ning lokaliseerida defektne, tφφkojas asendatav sυlm, mis pυhjustas vδljavahetatud mooduli tυrke. Nimetatud asendatav sυlm eemaldatakse ning asendatakse toimiva varusυlmega. Defektne sυlm (vυi vυimaluse korral kogu vδljavahetatud moodul) saadetakse tootjale.

NB! II hooldustase ei hυlma kontrolli alla kuuluvate kiirendusmυυturite vυi gόroskoopiliste andurite eemaldamist asendatavatest sυlmedest.

7B002 Jδrgmised seadmed, mis on spetsiaalselt ette nδhtud ring laser gόroskoopide peeglite iseloomustamiseks:

NB! VT KA PUNKTI 7B102.

a. Hajuvusmυυturid, mille mυυtetδpsus on vδiksem (parem) kui 10 ppm;

b. Profilomeetrid, mille mυυtetδpsus on vδiksem (parem) kui 0,5 nm (5 εngstrφmi).

7B003 Seadmed, mis on spetsiaalselt ette nδhtud punktis 7A nimetatud seadmete tootmiseks .

Mδrkus: Punkt 7B003 hυlmab jδrgmist:

a. gόroskoopide reguleerimise testimisseadmed;

b. gόroskoopide dόnaamilise tasakaalustamise seadmed;

c. gόroskoopide sissetφφtamise/mootorite testimisseadmed;

d. gόroskoopide tόhjendamise ja tδitmise seadmed;

e. tsentrifuugirakised gόroskoopide laagritele;

f. kiirendusmυυturite telgede reastamise seadmed.

7B102 Peegeldusmυυturid (reflektomeetrid), mis on spetsiaalselt ette nδhtud laser gόroskoopide peeglite iseloomustamiseks ja mille mυυtetδpsus on 50 ppm vυi vδiksem (parem).

7B103 Tootmisvarustus - ja vahendid :

a. Tootmisvarustus , mis on spetsiaalselt ette nδhtud punktis 7A117 nimetatud seadmete jaoks;

b. Tootmisvahendid ning testimis-, kalibreerimis- ja reguleerimisseadmed, muud kui punktides 7B001-7B003 nimetatud, mis on kavandatud vυi seadistatud kasutamiseks koos punktis 7A nimetatud seadmetega.

7C Materjalid

Puuduvad.

7D Tarkvara

7D001 Tarkvara , mis on spetsiaalselt loodud vυi kohandatud punktis 7A vυi 7B nimetatud seadmete arendamiseks vυi tootmiseks .

7D002 Lδhtekoodid , mis on vajalikud mis tahes inertsiaalsete navigatsiooniseadmete, kaasa arvatud punktidega 7A003 vυi 7A004 hυlmamata, inertsiaalsete seadmete vυi suuna ja positsiooni mδδramise sόsteemi (AHRS) kasutamiseks.

Mδrkus: Punkt 7D002 ei hυlma lδhtekoodi kardaanriputiga AHRS-i kasutamiseks.

Tehniline mδrkus:

AHRS erineb όldiselt inertsiaalsest navigatsioonisόsteemist (INS) selle poolest, et AHRS annab suuna ja positsiooni informatsiooni ning tavaliselt ei anna teavet kiirenduse, kiiruse ja asukoha kohta, mida seostatakse INS-iga.

7D003 Muu tarkvara:

a. Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud vυi kohandatud sόsteemide toimimise tυhustamiseks vυi nende navigatsioonivigade vδhendamiseks punktides 7A003 vυi 7A004 kirjeldatud tasemeni;

b. Programmi lδhtekoodid hόbriidintegraalsόsteemidele, mis tυhustavad sόsteemide toimimist vυi vδhendavad nende navigatsioonivigu punktis 7A003 kirjeldatud tasemeni inertsiaalandmete pideva sidumisega mis tahes jδrgmisega:

1. Doppler-radari antud kiirusandmed;

2. globaalsete navigatsioonisatelliitide sόsteemide (GPS vυi GLONASS) tugiandmed; vυi

3. andmebaasidega toetatavatest navigatsioonisόsteemidest (DBRN) saadud andmed;

c. Programmi lδhtekoodid integreeritud avioonika- vυi lennuόlesandesόsteemidele, mis seovad andurite andmeid ja kasutavad ekspertsόsteeme;

d. Lδhtekoodid mis tahes jδrgmiste sόsteemide arendamiseks :

1. digitaalsed lennujuhtimissόsteemid, mis on ette nδhtud lendude tδielikult automatiseeritud juhtimiseks ;

2. integreeritud tυukejυu- ja lennujuhtimissόsteemid;

3. elektroonilised vυi valgusoptilised lennujuhtimissόsteemid;

4. tυrketaluvusega vυi iserekonfigureeruvad lennujuhtimise aktiivsόsteemid ;

5. υhusυidukite automaatsed peilimisseadmed;

6. υhuvδδrtuste andmesόsteemid, mis pυhinevad staatilistel andmetel maapinnalt; vυi

7. Raster-tόόpi esiklaasiindikaatorid vυi kolmemυυtmelised kuvarid.

e. Raalprojekteerimise (CAD) tarkvara , mis on spetsiaalselt kavandatud lennujuhtimise aktiivsόsteemide , helikopterite mitmeteljelise elektroonilise vυi valgusoptilise juhtimise kontrollerite vυi helikopterite υhuvoolu abil juhitud pφφrlemisvastaste vυi υhuvoolu abil juhitud suunajuhtimise sόsteemide arendamiseks , mille tehnoloogia on mδδratletud punktis 7E004.b, 7E004.c.1 vυi 7E004.c.2.

7D101 Tarkvara , mis on spetsiaalselt loodud vυi kohandatud punktides 7A001-7A006, 7A101-7A106, 7A115, 7A116.a, 7A116.b, 7B001, 7B002, 7B003, 7B102 vυi 7B103 nimetatud seadmete kasutamiseks .

7D102 Jδrgmine integratsiooni tarkvara :

a. Integratsiooni tarkvara punktis 7A103.b nimetatud seadmete jaoks;

b. Integratsiooni tarkvara punktis 7A003 vυi 7A103.a nimetatud seadmete jaoks.

c. Integratsiooni tarkvara punktis 7A103.c nimetatud seadmete jaoks.

Mδrkus: Integratsioonitarkvara tavavormide puhul kasutatakse Kalmani filtrit.

7D103 Tarkvara , mis on spetsiaalselt ette nδhtud punktis 7A117 nimetatud juhtimisseadmete modelleerimiseks vυi simuleerimiseks vυi nende planeerimise integreerimiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettidega vυi punktis 9A104 nimetatud sondrakettidega.

Mδrkus: Punktis 7D103 nimetatud tarkvara jδδb kontrolli alla kuuluvaks, kui ta on όhendatud punktis 4A102 nimetatud spetsiaalselt loodud riistvaraga.

7E Tehnoloogia

7E001 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nδhtud punktis 7A, 7B vυi 7D nimetatud seadmete vυi tarkvara arendamiseks.

7E002 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nδhtud punktis 7A vυi 7B nimetatud seadmete tootmiseks.

7E003 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nδhtud punktides 7A001-7A004 nimetatud seadmete parandamiseks, remontimiseks vυi uuendamiseks.

Mδrkus: Punkt 7E003 ei hυlma hooldustehnoloogiat, mis on otseselt seotud tsiviilotstarbeliste υhusυidukite I hooldustasemes vυi II hooldustasemes mδδratletud vigastatud vυi kasutamiskυlbmatute asendatavate moodulite (LRU) ja asendatavate sυlmede (SRA) kalibreerimise, eemaldamise vυi asendamisega.

NB! Vaata punkti 7B001 tehnilisi mδrkusi.

7E004 Muu tehnoloogia :

a. Tehnoloogia , mis on ette nδhtud jδrgmiste seadmete arendamiseks ja tootmiseks :

1. υhusυidukite automaatsed peilimisseadmed, mille tφφsagedus on όle 5 MHz;

2. υhuvδδrtuste andmesόsteemid, mis pυhinevad ainult staatilistel andmetel maapinnalt, st mis korvavad tavapδraseid υhusonde;

3. Raster-tόόpi esiklaasiindikaatorid vυi kolmemυυtmelised kuvarid;

4. inertsiaalsed navigatsioonisόsteemid vυi gόro- ja astrokompassid, mis sisaldavad punktis 7A001 vυi 7A002 nimetatud kiirendusmυυtureid vυi gόroskoope;

5. elektrilised ajamid (st elektromehaanilised, elektrohόdrostaatilised ja ajamsόsteemidesse integreeritud ajamid), mis on spetsiaalselt ette nδhtud lennu pυhijuhtimise jaoks;

6. lennujuhtimise optiliste andurite massiivid , mis on spetsiaalselt ette nδhtud lennujuhtimise aktiivsόsteemide seadmestamiseks;

b. Arendustehnoloogia , mis on ette nδhtud jδrgmiste lennujuhtimise aktiivsόsteemide (kaasa arvatud elektrooniline vυi valgusoptiline juhtimine) arendamiseks:

1. konfigureerimiskeem mitme mikroelektroonilise arvutuselemendi (pardaarvutid) όhendamiseks reaalajalise tφφtluse tarvis, mis vυimaldaks jδlgida kontrollreeglistiku tδitmist;

2. andurite asukoha vυi lennuplaaneri dόnaamilise koormuse kontrollreeglistikupδrane kompenseerimine, st andurite vibratsioonilise όmbruse vυi andurite asukohtade erinevuse raskuskeskme suhtes kompenseerimine;

3. andmete vυi sόsteemide liiasuse elektrooniline haldamine tυrgete avastamiseks, tυrketaluvuseks, tυrke lokaliseerimiseks vυi uuesti konfigureerimiseks;

Mδrkus: Punkt 7E004.b.3 ei hυlma fόόsilise liiasuse planeerimise tehnoloogiat.

4. lennujuhtimissόsteemid, mis vυimaldavad lennu kestel jυu- ja momentjuhtimise όmberkonfigureerimist reaalajaliseks autonoomseks υhusυiduki juhtimiseks;

5. digitaalsete lennujuhtimis-, navigatsiooni- ja mootorite juhtimise andmete όhendamine όhtsesse digitaalsesse lennujuhtimissόsteemi tδielikult automatiseeritud lennujuhtimise saavutamiseks;

Mδrkus: Punkt 7E004.b.5 ei hυlma:

a. Arendustehnoloogiat, et digitaalsete lennujuhtimis-, navigatsioon- ja mootorite juhtimise andmete όhendamisega όhtsesse digitaalsesse lennujuhtimissόsteemi optimeerida lennutrajektoori;

b. Selliste υhusυiduki lennumυυteriistasόsteemide arendamistehnoloogiat, mis on integreeritud ainult VOR-, DME-, ILS- vυi MLS-navigatsiooni vυi -lδhenemise jaoks.

6. tδisautomaatsed digitaalsed lennujuhtimissόsteemid vυi paljuandurilised lennuόlesande haldamissόsteemid, mis kasutavad ekspertsόsteeme ;

NB! Tδisautomaatse digitaalse mootori juhtimise (FADEC) tehnoloogia kohta vaata punkti 9E003.a.9.

c. Tehnoloogia , mis on ette nδhtud jδrgmiste helikopterisόsteemide arendamiseks :

1. mitmeteljelise elektroonilise vυi valgusoptilise juhtimise kontrollerid, mis όhendavad vδhemalt kaks jδrgmist funktsiooni όhte kontrollielementi:

a. kollektiivjuhtimine;

b. tsόkliline juhtimine;

c. lengerdusjuhtimine;

2. υhuvoolu abil juhitud pφφrlemisvastased vυi υhuvoolu abil juhitud suunajuhtimise sόsteemid;

3. rootori labad, mis sisaldavad muudetava tiivageomeetriaga aerodόnaamilisi pindu, mida kasutatakse individuaalse labajuhtimisega sόsteemides.

7E101 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nδhtud punktides 7A001-7A006, 7A101-7A106, 7A115-7A117, 7B001, 7B002, 7B003, 7B102, 7B103, 7D101-7D103 nimetatud seadmete kasutamiseks.

7E102 Tehnoloogia , mis on ette nδhtud avioonika ja elektriliste alamsόsteemide kaitseks vδlistest allikatest pδrineva elektromagnetilise impulsi (EMP) ja elektromagnetiliste hδirete (EMI) ohu eest:

a. Ekraneerimissόsteemide projekteerimise tehnoloogia ;

b. Projekteerimis tehnoloogia kυrgendatud taluvusega elektriliste lόlitusskeemide ja alamsόsteemide konfigureerimiseks;

c. Projekteerimis tehnoloogia punktides 7E102.a ja 7E102.b nimetatud kυrgendatud taluvuse kriteeriumide kindlaksmδδramiseks;

7E104 Tehnoloogia , mis on ette nδhtud lennujuhtimise ja tυukejυu andmete integreerimiseks lennujuhtimissόsteemi, et optimeerida raketisόsteemide trajektoori.

8. KATEGOORIA

MERENDUS

8A Sόsteemid, seadmed ja komponendid

8A001 Sukelaparaadid ja pealveesυidukid:

Mδrkus: Sukelaparaatide seadmete kontrolli alla kuulumise kohta vaata:

kategooria, 2. osa: infoturve krόpteeritud andmeside seadmete jaoks;

kategooria: sensorid;

ja 8. kategooria: navigatsiooniseadmed;

Punkt 8A: veealused seadmed.

a. Mehitatud, lυastatud sukelaparaadid, mis on kavandatud toimima sόgavamal kui 1000 m;

b. Mehitatud, lυastamata sukelaparaadid, millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. kavandatud toimima iseseisvalt ja neil on jδrgmine tυstevυime:

a. 10 % vυi rohkem nende raskusest υhus; ja

b. 15 kN vυi rohkem;

2. kavandatud toimima sόgavamal kui 1000 m; vυi

3. millel on kυik jδrgmised omadused:

a. kavandatud nelja- vυi enamaliikmelisele meeskonnale;

b. kavandatud toimima iseseisvalt kόmne tunni jooksul vυi kauem;

c. tegevusulatus 25 meremiili vυi rohkem; ja

d. pikkus kuni 21 m;

Tehnilised mδrkused:

1. Punkti 8A001.b tδhenduses on iseseisvalt toimimine tδielik sukeldumine ilma υhutoruta (snorkel), kυigi sόsteemide tφφtamine ning liikumine minimaalse kiirusega, millega allveesυiduk suudab ohutult juhtida dόnaamiliselt oma sόgavust, kasutades ainult oma sόgavustόόre ja vajamata tugialust vυi veepinnal, merepυhjas vυi kaldal asuvat tugibaasi ning sisaldades tυukejυusόsteemi kasutamiseks nii veepinnal kui ka vee all.

2. Punkti 8A001.b tδhenduses on tegevusulatus pool vahemaast, mille sukelaparaat suudab lδbida.

c. Mehitamata, lυastatud sukelaparaadid, mis on kavandatud toimima sόgavamal kui 1000 m ning millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. kavandatud iseseisvaks manφφverdamiseks, kasutades punktis 8A002.a.2 nimetatud tυukemootoreid vυi lisamootoreid; vυi

2. varustatud kiudoptilise andmesidelόliga;

d. Mehitamata, lυastamata sukelaparaadid, millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. kavandatud mδδrama kurssi mis tahes geograafilise reeperi suhtes ilma reaalajalise inimsekkumiseta;

2. varustatud akustilise andmeside- vυi kδsulόliga; vυi

3. varustatud pikema kui 1000 m kiudoptilise andmeside- vυi kδsulόliga;

e. Ookeani pδδstesόsteemid, mille tυstevυime on όle 5 MN objektide pδδstmiseks sόgavamalt kui 250 m ja millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. dόnaamilised positsiooneerimissόsteemid, mis vυimaldavad sδilitada navigatsioonisόsteemiga mδδratud asukohta 20 m tδpsusega; vυi

2. merepυhjas navigeerimise ja navigatsiooniandmete integreerimise sόsteemid sόgavustes όle 1000 m positsioneerimistδpsusega 10 m etteantud punkti suhtes;

f. Υhkpadjal sυidukid (tδispυllega), millel on kυik jδrgmised omadused:

1. maksimaalne kavandatud kiirus tδislastis, olulise lainekυrgusega 1,25 m (mere olukord 3) vυi rohkem, on όle 30 sυlme;

2. υhkpadja rυhk on όle 3830 Pa; ja

3. tόhja- ja tδislastis laeva veevδljasurvete suhe on vδiksem kui 0,70;

g. Υhkpadjal sυidukid (jδiga kόlgseinaga), mille maksimaalne projekteeritud kiirus tδislastis, olulise lainekυrgusega 3,25 m (mere olukord 5) vυi rohkem, on όle 40 sυlme;

h. Tiiburlaevad, mis on varustatud aktiivse tiibade asendi automaatse juhtimissόsteemiga ja mille maksimaalne projekteeritud kiirus tδislastis, olulise lainekυrgusega 3,25 m (mere olukord 5) vυi rohkem, on όle 40 sυlme;

i. Vδikese veeliinitasandi pindalaga sυidukid , millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. veevδljasurve tδislastis on όle 500 tonni ja maksimaalne projekteeritud kiirus tδislastis, olulise lainekυrgusega 3,25 m (mere olukord 5) vυi rohkem, on όle 35 sυlme; vυi

2. veevδljasurve tδislastis on όle 1500 tonni ja maksimaalne projekteeritud kiirus tδislastis, olulise lainekυrgusega 4 m (mere olukord 6) vυi rohkem, on όle 25 sυlme.

Tehniline mδrkus:

Vδikese veeliinitasandi pindalaga sυidukid on defineeritud jδrgmise valemiga: veeliinitasandi pindala on projekteeritud tφφsόvise korral vδiksem kui 2 Χ (vδljasurutud ruumala projekteeritud tφφsόvise korral)2/3.

8A002 Jδrgmised sόsteemid ja seadmed:

Mδrkus: Veealuste andmesidesόsteemide kohta vaata 5. kategooria 1. osa: Telekommunikatsioon.

a. Sόsteemid ja seadmed, mis on spetsiaalselt kavandatud vυi kohandatud jδrgmistele sukelaparaatidele, mis on projekteeritud tφφks sόgavamal kui 1000 m:

1. survekambrid ja survekered, mille kambri maksimaalne sisediameeter on όle 1,5 m;

2. otsevoolu tυukemootorid vυi lisamootorid;

3. teeninduskaablid ja nende όhendused, milles kasutatakse optilist kiudu ja mis on tugevdatud sόnteetilisest materjalist elementidega;

b. Sόsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud vυi kohandatud punktis 8A001 nimetatud sukelaparaatide kδigu automaatseks juhtimiseks, kasutades navigatsiooniandmeid ja tagasisideahelaga servojuhtimist, mis:

1. vυimaldavad sυidukil liikuda 10 m ulatusse etteantud punktist veesambas;

2. sδilitavad sυiduki asukoha 10 meetri piirides etteantud punkti suhtes veesambas; vυi

3. sδilitavad sυiduki asukoha 10 meetri piirides, jδlgides merepυhjal vυi merepυhja all asuvat kaablit;

c. Kiudoptilised kerelδbiviigud ja όhendused;

d. Jδrgmised veealuse vaatluse sόsteemid:

1. jδrgmised televisioonisόsteemid ja -kaamerad:

a. televisioonisόsteemid (mis sisaldavad kaamerat, jδlgimis- ja signaaliόlekandeseadmeid), mille piireraldusvυime υhus mυυdetuna on όle 800 laotusrea ning on spetsiaalselt kavandatud vυi kohandatud sukelaparaatide kaugjuhtimiseks;

b. veealused televisioonikaamerad, mille piireraldusvυime υhus mυυdetuna on όle 1100 laotusrea;

c. madalal valgustustasemel tφφtavad televisioonikaamerad, mis on spetsiaalselt kavandatud vυi kohandatud veealuseks kasutamiseks ja sisaldavad kυike jδrgmist:

1. punktis 6A002.a.2.a nimetatud kujutisevυimendustorud; ja

2. όle 150000  aktiivpiksli tahkismaatriksi pinna kohta;

Tehniline mδrkus:

Piireraldusvυime televisioonis on horisontaalse lahutusvυime mυυt, mida tavaliselt vδljendatakse maksimaalse ridadearvuna pildi kυrguse kohta, mida IEEE Standardi 208/1960 vυi muu vastava standardi alusel vυib proovitabelil eristada.

2. sόsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud vυi kohandatud allveesυidukite kaugjuhtimiseks ja kasutatavad valguse tagasihajumise mυju minimeerimise tehnikaid, kaasa arvatud valguse suunamine kaugkatiku abil vυi laser sόsteemid;

e. Fotokaamerad, mis on spetsiaalselt kavandatud vυi kohandatud veealuseks kasutamiseks sόgavamal kui 150 m ja milles kasutatava filmi formaat on 35 mm vυi rohkem ning millel on jδrgmine omadus:

1. filmi varustamine kaameravδlisest allikast pδrinevate andmetega;

2. automaatne tagumise fookuskauguse korrigeerimine; vυi

3. automaatne kompensatsiooni juhtimine, mis on spetsiaalselt nii kavandatud, et veealuse kaamera kest oleks kasutatav sόgavamal kui 1000 m;

f. Elektroonilised kujutussόsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud vυi kohandatud veealuseks kasutamiseks ning vυimaldavad rohkem kui 50 sδritatud kujutise digitaalset salvestust;

g. Jδrgmised valgussόsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud vυi kohandatud veealuseks kasutamiseks:

1. stroboskoopvalgussόsteemid, mille valguse vδljundenergia on όle 300 J vδlke kohta ja vδlgete kiirus on όle 5 vδlgu sekundis;

2. argoonlahendusega valgussόsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud kasutamiseks sόgavamal kui 1000 m;

h. Spetsiaalselt veealuseks kasutamiseks kavandatud robotid , mida juhitakse eriotstarbelise programmeeritava arvuti abil ning millel on mis tahes jδrgmised omadused:

1. sόsteemid robotite juhtimiseks, mis kasutavad anduritelt saadud informatsiooni, mis mυυdavad vδlisele objektile rakendatavat jυudu vυi pφφrdemomenti, vahemaad vδlisobjektini vυi kompimismeelt roboti ja vδlisobjekti vahel; vυi

2. vυimaldavad rakendada jυudu 250 N vυi rohkem vυi pφφrdemomenti 250 Nm vυi rohkem ja mille koosteelemendid on valmistatud titaanisulamitest vυi kiud- vυi niitkomposiit materjalidest;

i. Kaugjuhitavad liigendmanipulaatorid, mis on spetsiaalselt kavandatud vυi kohandatud kasutamiseks sukelaparaatidel ja millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. sόsteemid manipulaatorite juhtimiseks, mis kasutavad anduritelt saadud informatsiooni, mis mυυdavad vδlisele objektile rakendatavat jυudu vυi pφφrdemomenti vυi kompimismeelt roboti ja vδlisobjekti vahel; vυi

2. juhitakse όlem-alluv-tόόpi proportsionaalse tehnika abil vυi kasutades eriotstarbelist programmeeritavat arvutit ning mille liikumise vabadusaste on 5 vυi rohkem;

Mδrkus: Liikumise vabadusastmete arvu mδδramisel vυetakse arvesse όksnes need toimingud, mille korral kasutatakse proportsionaalse tagasisidega asendi kontrolli vυi eriotstarbelist programmeeritavat arvutit.

j. Jδrgmised υhust sυltumatud jυusόsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud veealuseks kasutamiseks:

1. Braytoni vυi Rankine'i ringprotsess-mootoritega vδlisυhu juurdelisamisest sυltumatud jυusόsteemid, millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. keemilised gaasipesu- vυi absorptsioonisόsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud sόsinikdioksiidi, sόsinikmonooksiidi ja aineosakeste kυrvaldamiseks mootorisse tagasijuhitavatest heitgaasidest;

b. sόsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud monoatomaarse gaasi kasutamiseks;

c. seadmed vυi kaitsed, mis on spetsiaalselt kavandatud veealuse mόra summutamiseks sagedustel alla 10 kHz vυi spetsiaalsed lφφke pehmendavad kinnitusseadmed; vυi

d. sόsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud:

1. reaktsioonijδδkide survestamiseks vυi kόtuse reformeerimiseks;

2. reaktsioonijδδkide talletamiseks; ja

3. reaktsioonisaaduste tόhjendamiseks 100 kPa vυi kυrgema rυhu vastu;

2. υhust sυltumatud diiselmootorsόsteemid, millel on:

a. keemilised gaasipesu- vυi absorptsioonisόsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud sόsinikdioksiidi, sόsinikmonooksiidi ja aineosakeste kυrvaldamiseks mootorisse tagasijuhitavatest heitgaasidest;

b. sόsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud monoatomaarse gaasi kasutamiseks;

c. seadmed vυi kaitsed, mis on spetsiaalselt kavandatud veealuse mόra summutamiseks sagedustel alla 10 kHz vυi spetsiaalsed lφφke pehmendavad kinnitusseadmed; ja

d. spetsiaalselt kavandatud heitgaasisόsteemid, mis ei eemalda pυlemisjδδke pidevalt;

3. kόtuselementidel pυhinevad, lisaυhu juurdeandmisest sυltumatud jυusόsteemid, mille vδljundvυimsus on όle 2 kW ja millel on:

a. seadmed vυi kaitsed, mis on spetsiaalselt kavandatud veealuse mόra summutamiseks sagedustel alla 10 kHz vυi spetsiaalsed lφφke pehmendavad kinnitusseadmed; vυi

b. sόsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud:

1. reaktsioonijδδkide survestamiseks vυi kόtuse reformeerimiseks;

2. reaktsioonijδδkide talletamiseks; ja

3. reaktsioonisaaduste tόhjendamiseks 100 kPa vυi kυrgema rυhu vastu;

4. jδrgmised lisaυhu juurdeandmisest sυltumatud stirlingmootoriga jυusόsteemid, millel on:

a. seadmed vυi kaitsed, mis on spetsiaalselt kavandatud veealuse mόra summutamiseks sagedustel alla 10 kHz vυi spetsiaalsed lφφke pehmendavad kinnitusseadmed; ja

b. spetsiaalselt kavandatud heitgaasisόsteemid, mis eemaldavad reaktsioonisaadused 100 kPa vυi kυrgema rυhu vastu;

k. Elastsed pυlled, tihendid ja tapid, millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. kavandatud υhkpadja rυhkudele 3830 Pa vυi rohkem, tφφtamiseks olulise lainekυrgusega 1,25 m (mere olukord 3) vυi rohkem, ning mis on spetsiaalselt kavandatud punktis 8A001.f nimetatud υhkpadjal liikuvale (tδispυllega) sυidukile; vυi

2. kavandatud υhkpadja rυhkudele 6224 Pa vυi rohkem, tφφtamiseks olulise lainekυrgusega 3,25 m (mere olukord 5) vυi rohkem, ning mis on spetsiaalselt kavandatud punktis 8A001.g nimetatud υhkpadjal liikuvale (jδiga kόlgseinaga) sυidukile;

l. Tυsteventilaatorid vυimsusega όle 400 kW, mis on spetsiaalselt kavandatud kasutamiseks punktis 8A001.f vυi 8A001.g nimetatud υhkpadjal liikuvatele sυidukitele;

m. Tδielikult vee all tφφtavad alakaviteerivad vυi όlikaviteerivad veealused tiivad, mis on spetsiaalselt kavandatud punktis 8A001.h nimetatud sυidukitele;

n. Aktiivsόsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud vυi kohandatud punktis 8A001.f, 8A001.g, 8A001.h vυi 8A001.i nimetatud laevade vυi veesυidukite mere poolt pυhjustatud liikumise automaatseks kontrolliks;

o. Jδrgmised propellerid, jυuόlekandesόsteemid, energiatootmissόsteemid ja mόra vδhendamise sόsteemid:

1. jδrgmised spiraalsete labadega sυukruvid vυi jυusόlekandesόsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud kasutamiseks punktis 8A001.f, 8A001.g vυi 8A001.h nimetatud υhkpadjal liikuvatele (tδispυllega vυi jδiga kόlgseinaga) sυidukitele, tiiburlaevadele vυi vδikese veeliinitasandi pindalaga sυidukitele:

a. όlikaviteerivad, όliventileeritud, osaliselt uputatud vυi pinda lυikavad sυukruvid, mis on arvestatud suuremale vυimsusele kui 7,5 MW;

b. vastupφφrlevad propellersόsteemid, mis on arvestatud suuremale vυimsusele kui 15 MW;

c. sόsteemid, mis rakendavad keerise-eelset vυi keerisejδrgset tehnikat propellerisse voolava υhuvoo όhtlustamiseks;

d. kergekaalulised, suure mahajagamisvυimega (tegur K on suurem kui 300) reduktorid;

e. jυuόlekande vυllsόsteemid, mis sisaldavad komposiit materjalidest komponente ja on vυimelised όle kandma rohkem kui 1 MW;

2. jδrgmised spiraalsete labadega sυukruvid, energiatootmissόsteemid vυi jυusόlekandesόsteemid, mis on kavandatud kasutamiseks laevadel:

a. reguleeritavate labadega propellerid ja rummusυlm, mis on arvestatud suuremale vυimsusele kui 30 MW;

b. sisemise vedelikjahutusega elektrilised tυukemootorid, mille vδljundvυimsus on όle 2,5 MW;

c. όlijuhtivatest materjalidest tυukemootorid vυi pόsimagnetelektrilised tυukemootorid, mille vδljundvυimsus on όle 0,1 MW;

d. jυuόlekande vυllsόsteemid, mis sisaldavad komposiit materjalidest komponente ja on vυimelised όle kandma rohkem kui 2 MW;

e. ventileeritud vυi ventileeritud alusega propellersόsteemid, mis on arvestatud suuremale vυimsusele kui 2,5 MW;

3. jδrgmised mόravδhendamissόsteemid, mis on kavandatud kasutamiseks 1000 tonnise ja suurema veevδljasurvega laevadel:

a. sόsteemid, mis summutavad alla 500 Hz sagedusega veealust mόra ja koosnevad kokkupandud akustilistest alustest diiselmootorite, diiselgeneraatorite, gaasiturbiinide, gaasiturbiingeneraatorite, tυukemootorite vυi tυukemootorite reduktorite akustiliseks isoleerimiseks ja mis on spetsiaalselt kavandatud heli vυi vibratsiooni summutamiseks ning mille mass on όle 30 % neile monteeritavate seadmete massist;

b. aktiivsed mόravδhendamis- ja mόrakυrvaldamissόsteemid vυi spetsiaalselt jυuόlekandesόsteemi jaoks projekteeritud magnetlaagrid ning selles sisalduvad elektroonilised juhtimissόsteemid, mis vυimaldavad aktiivselt vδhendada seadmete vibratsiooni, tekitades antimόra vυi antivibratsiooni signaale otse mόraallikasse;

p. Veejugatυukesόsteemid, mille vδljundvυimsus on όle 2,5 MW ning milles rakendatakse laienevaid dόόse ja voolust tingitud suunavat labatehnikat, et parandada tυuke efektiivsust vυi vδhendada tυukemootori tekitatud vee alla kiiratavat mόra;

q. Iseseisvad, suletud vυi poolsuletud hingamisυhu uuendamistsόkliga sukeldumise ja allveeujumise aparaadid.

Mδrkus: Punkt 8A002.q ei hυlma isiklikuks kasutamiseks mυeldud individuaalseid aparaate, kui need on kasutajal kaasas.

8B Testimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed

8B001 Hόdrodόnaamilised torud, mille taustmόra on vδiksem kui 100 dB (1 >ISO_7>μ>ISO_4>Pa ja 1 Hz suhtes) sagedusvahemikus 0-500 Hz ja mis on projekteeritud veevoolu tekitatud akustiliste vδljade mυυtmiseks όmber tυukejυusόsteemide mudelite.

8C Materjalid

8C001 Υυnestδidisvaht , mis on valmistatud veealuseks kasutamiseks ja millel on kυik jδrgmised omadused:

a. ette nδhtud kasutamiseks vees sόgavamal kui 1000 m; ja

b. tihedus on vδiksem kui 561 kg/m3.

Tehniline mδrkus:

Υυnestδidisvaht koosneb υυnsatest klaas- vυi plastmasskuulikestest, mis on viidud vaigust pυhiainesse.

8D Tarkvara

8D001 Tarkvara , mis on spetsiaalselt loodud vυi kohandatud punktis 8A, 8B vυi 8C nimetatud seadmete vυi materjalide arendamiseks, tootmiseks vυi kasutamiseks.

8D002 Spetsiifiline tarkvara , mis on spetsiaalselt loodud vυi kohandatud veealuse mόra vδhendamiseks kavandatud sυukruvide arendamiseks, tootmiseks , parandamiseks, remontimiseks vυi uuendamiseks (uuesti tφφtlemine).

8E Tehnoloogia

8E001 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nδhtud punktis 8A, 8B vυi 8C nimetatud seadmete vυi materjalide arendamiseks vυi tootmiseks ;

8E002 Muu tehnoloogia :

a. Tehnoloogia veealuse mόra vδhendamiseks spetsiaalselt kavandatud sυukruvide arendamiseks, tootmiseks , parandamiseks, remontimiseks vυi uuendamiseks (uuesti tφφtlemine);

b. Tehnoloogia punktis 8A001, 8A002.b, 8A002.j, 8A002.o vυi 8A002.p nimetatud seadmete remontimiseks vυi uuendamiseks (uuesti tφφtlemine).

9. KATEGOORIA

TΥUKEJΥUSάSTEEMID, KOSMOSESΥIDUKID JA NENDEGA SEOTUD SEADMED

9A Sόsteemid, seadmed ja komponendid

NB! Tυukejυusόsteemide kohta, mis on kavandatud vυi arvestatud neutron- vυi ioniseeriva kiirguse siirdepulsi vastu, vaata sυjalise otstarbega kaupade nimekirja.

9A001 Jδrgmised υhusυidukite gaasiturbiinmootorid, mis sisaldavad punktis 9E003.a nimetatud mis tahes tehnoloogiat :

NB! VT KA PUNKTI 9A101.

a. Ei ole sertifitseeritud kasutamiseks spetsiifilistel tsiviillennukitel , mille jaoks nad on ette nδhtud;

b. Ei ole sertifitseeritud tsiviilkasutuseks osalisriigi lennundusasutuste poolt;

c. On kavandatud lendama όle 1,2-kordse helikiiruse (1,2 Machi) kauem kui 30 minutit.

9A002 Laevade gaasiturbiinmootorid , mille arvestuslik ISO standardile vastav alaline vυimsus on 24245 kW vυi rohkem ja mille kόtuse erikulu ei όleta 0,219 kg/kWh vυimsuste vahemikus 35-100 % ning nende jaoks spetsiaalselt kavandatud sυlmed ja komponendid.

Mδrkus: Termin laevade gaasiturbiinmootorid hυlmab ka selliseid tφφstuslikke vυi lennukite gaasiturbiinmootoreid, mis on kohandatud laevadel elektrilise vυimsuse tootmiseks vυi tυukejυu tekitamiseks.

9A003 Jδrgmised gaasiturbiinmootoriga tυukejυusόsteemidele spetsiaalselt kavandatud sυlmed ja komponendid, mis sisaldavad punktis 9E003.a nimetatud mis tahes tehnoloogiat :

a. Punktis 9A001 nimetatud;

b. Mille projekteerimine vυi valmistamine pδrineb kas mitteosalisriigist vυi on tootjale tundmatu.

9A004 Kanderaketid ja kosmosesυidukid .

NB! VT KA PUNKTI 9A104.

Mδrkus: Punkt 9A004 ei hυlma kasulikku lasti.

NB! Kosmosesυidukite kasulikus lastis sisalduva toodangu kontrolli alla kuulumise kohta vaata vastavat kategooriat.

9A005 Vedelkόtusega rakettide tυukejυusόsteemid, mis sisaldavad punktis 9A006 nimetatud sόsteeme vυi komponente.

NB! VT KA PUNKTE 9A105 ja 9A119.

9A006 Jδrgmised sόsteemid ja komponendid, mis on spetsiaalselt kavandatud vedelkόtusega rakettide tυukejυusόsteemide jaoks:

NB! VT KA PUNKTE 9A106 ja 9A108.

a. Krόogeensed jahutid, lennukerged Dewari anumad, krόogeensed soojatorud vυi krόogeensed sόsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud kasutamiseks kosmosesυidukitel ning mis on vυimelised piirama krόovedelike kadusid alla 30 % aastas;

b. Krόogeensed konteinerid vυi suletud tsόkliga jahutussόsteemid, mis vυimaldavad kindlustada temperatuuri 100 K (- 173 °C) vυi madalamat υhusυidukitel , mis on vυimelised taluma lendamist όle kolmekordse helikiirusega (3 Machi), kanderakettidel vυi kosmosesυidukitel;

c. Vesiniksuspensiooni sδilitus- ja edastussόsteemid;

d. Kυrgsurvelised (όle 17,5 MPa) turbopumbad, pumpade komponendid vυi nendega seotud gaasigeneraator vυi paisumistsόkli turbiini ajamsόsteemid;

e. Kυrgsurvelised (όle 10,6 MPa) tυukekambrid ning nende dόόsid;

f. Raketikόtuse sδilitussόsteemid, mis rakendavad kapillaarset mahutust vυi positiivset vδljatυukamist (nt painduvatest mahutitest);

g. Vedela raketikόtuse sissepritsedόόsid ava lδbimυυduga 0,381 mm vυi vδhem (mittesυυrjatel dόόsidel ava pindala 1,14 Χ 10-3 cm2 vυi vδhem), mis on spetsiaalselt kavandatud vedelkόtuse rakettmootoritele;

h. άhes tόkis olevad sόsinik-sόsinik tυukekambrid vυi vδljundkoonused, mille tihedus on όle 1,4 g/cm3 ja tυmbetugevus όle 48 MPa.

9A007 Tahkekόtuse tυukejυusόsteemid, millel on mis tahes jδrgmine omadus:

NB! VT KA PUNKTI 9A119.

a. Koguimpulss on όle 1,1 MNs;

b. Eriimpulss on 2,4 kNs/kg vυi rohkem, kui dόόsist voolav juga paisub merepinna tasemele vastavate atmosfδδritingimusteni ja pυlemiskambris on reguleeritud tφφrυhk 7 MPa;

c. Astme massiosa on όle 88 % ja tahke raketikόtuse osa on όle 86 %;

d. Mis tahes punktis 9A008 nimetatud komponent; vυi

e. Raketikόtuse isoleerimis- ja kinnitamissόsteemid, mis kasutavad otse mootoriga seotud konstruktsioone, et tagada tugev mehaaniline side vυi tυke keemilisele migratsioonile tahke raketikόtuse ja kesta isolatsiooni materjali vahel.

Tehniline mδrkus:

Punkti 9A007.e tδhenduses on tugev mehaaniline side vδhemalt tahke raketikόtuse tugevusega vυrdne side.

9A008 Jδrgmised komponendid, mis on spetsiaalselt kavandatud tahkekόtuse raketi tυukejυusόsteemidele:

NB! VT KA PUNKTI 9A108.

a. Raketikόtuse isoleerimis- ja kinnitamissόsteemid, mis kasutavad vooderdusi, et tagada tugev mehaaniline side vυi tυke keemilisele migratsioonile tahke raketikόtuse ja kesta isolatsiooni materjali vahel;

Tehniline mδrkus:

Punkti 9A007.e tδhenduses on tugev mehaaniline side vδhemalt tahke raketikόtuse tugevusega vυrdne side.

b. Kiust keritud mootori komposiit kestad, mille lδbimυυt on όle 0,61 m vυi mille strukturaalne efektiivsuse suhe (PV/W)' on όle 25 km;

Tehniline mδrkus:

Strukturaalne efektiivsuse suhe (PV/W)' on plahvatuse surve (P) korrutatuna anuma ruumalaga (V) ja jagatud rυhuanuma kogukaaluga (W).

c. Dόόsid, mille tυukejυu tase on όle 45 kN vυi mille kυri kulumiskiirus on vδiksem kui 0,075 mm/s;

d. Liigutatavad dόόsid vυi sekundaarse vedeliku sissepritsega tυuke vektorjuhtimise sόsteemid, mis vυimaldavad jδrgmist:

1. telje suhtes igasuunalist liikumist όle ± 5°;

2. nurkvektori pφφrlemist 20 °/s vυi rohkem; vυi

3. nurkvektori kiirendust 40 °/s2 vυi rohkem.

9A009 Hόbriidsed raketi tυukejυusόsteemid, mille:

NB! VT KA PUNKTE 9A109 ja 9A119.

a. Koguimpulss on όle 1,1 MNs; vυi

b. Tυukejυud vaakumi tingimustes on όle 220 kN.

9A010 Jδrgmised spetsiaalselt kanderakettide, kanderakettide tυukejυusόsteemide vυi kosmosesυidukite jaoks kavandatud komponendid, sόsteemid ja tarindid:

NB! VT KA PUNKTE 9A002 ja 9A110.

a. Komponendid ja struktuurid, millest igaόhe mass on όle 10 kg ja mis on spetsiaalselt kavandatud kanderakettide jaoks ja mille valmistamisel on kasutatud punktis 1C007 vυi 1C010 nimetatud metall pυhiainet , komposiiti , orgaanilist komposiiti , keraamilist pυhiainet vυi intermetalliliselt tugevdatud materjale;

Mδrkus: Kaalupiir ei puuduta ninakoonuseid.

b. Komponendid ja tarindid, mis on spetsiaalselt kavandatud punktides 9A005-9A009 nimetatud kanderakettide tυukejυusόsteemide jaoks ja mille valmistamisel on kasutatud punktis 1C007 vυi 1C010 nimetatud metallpυhiainet, komposiiti, orgaanilist komposiiti, keraamilist pυhiainet vυi intermetalliliselt tugevdatud materjale;

c. Tarindikomponendid ja isolatsioonisόsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud aktiivselt kontrollima kosmosesυiduki tarindite dόnaamilist kostet vυi deformatsioone;

d. Vedelkόtusega impulssrakettmootorid, mille tυukejυu ja massi suhe on 1 kN/kg vυi suurem ja reaktsiooniaeg (aeg, mis on vajalik 90 % tυukejυu saavutamiseks stardihetkest) on lόhem kui 30 ms.

9A011 Otsevoolu-reaktiivmootor, όlehelikiirusel toimuva pυlemisega otsevoolu-reaktiivmootor vυi kombineeritud tsόkkelmootorid ja spetsiaalselt nende jaoks ettenδhtud komponendid.

NB! VT KA PUNKTE 9A111 ja 9A118.

9A012 Mehitamata υhusυidukid, millel on mis tahes jδrgmine omadus:

a. autonoomne lennujuhtimise ja navigatsioonivυime (nt inertsiaalse navigatsioonisόsteemiga varustatud autopiloot ); vυi

b. vυime sooritada juhitav lend vδljaspool otsest nδgemisulatust operaatori abiga (nt televisuaalne kaugjuhtimine).

9A101 Muud kui punktis 9A001 nimetatud kergekaalulised turboreaktiivmootorid ja turboventilaatormootorid (sh liitturbiinmootorid), mis on kasutatavad rakettmόrskudes :

a. Mootorid, millel on mυlemad jδrgmised omadused:

1. maksimaalne tυukejυud on όle 400 N (paigaldamata mootoril mυυdetud vδδrtus), vδlja arvatud tsiviilotstarbelisteks tunnistatud mootorid, mille maksimaalne tυukejυud on όle 8890 N (paigaldamata mootoril mυυdetud vδδrtus); ja

2. kόtuse erikulu on vδiksem kui 0,15 kg/N/h (merepinna tasemel muutumatutes ning standardtingimustes);

b. Mootorid, mis on kavandatud vυi kohandatud kasutamiseks rakettmόrskudel .

9A104 Sondraketid, mille tegevusulatus on vδhemalt 300 km.

NB! VT KA PUNKTI 9A004.

9A105 Jδrgmised vedelkόtuse rakettmootorid:

NB! VT KA PUNKTI 9A119.

a. Muud kui punktis 9A005 nimetatud vedelkόtuse rakettmootorid, mis on kasutatavad rakettmόrskudes ja millega saavutatav koguimpulss on όle 1,1 MNs;

b. Muud kui punktis 9A005 vυi 9A105.a nimetatud vedelkόtuse rakettmootorid, mis on kasutatavad terviklikes raketisόsteemides vυi mehitamatutel υhusυidukitel lennuulatusega vδhemalt 300 km ja millega saavutatav koguimpulss on 0,841 MNs vυi suurem.

9A106 Muud kui punktis 9A006 nimetatud spetsiaalselt vedelkόtusega raketi tυukejυusόsteemide jaoks kavandatud sόsteemid vυi komponendid, mis on kasutatavad rakettmόrskudes :

a. Kuluv vooderdus tυuke- vυi pυlemiskambritele;

b. Raketi dόόsid;

c. Tυukejυuvektori juhtimise alamsόsteemid;

Tehniline mδrkus:

Nδiteid punktis 9A106.c kirjeldatud tυukejυu vektori juhtimise meetoditest:

1. painduvad dόόsid;

2. vedeliku vυi sekundaargaasi sissepritse;

3. liikuv mootor vυi dόόs;

4. vδljuva gaasijoa kυrvalekallutamine (joa labad vυi sondid); vυi

5. tυukejυu klapid.

d. Vedela ja suspensioonilaadse raketikόtuse (sh oksόdeerijad) reguleerimissόsteemid ja spetsiaalselt nende jaoks ettenδhtud komponendid, mis on loodud vυi kohandatud tφφtama vibratsioonilises keskkonnas ja mille vδδrtus ruutkeskmiselt on όle 10 g ja sagedusvahemik 20-2000 Hz.

Mδrkus: Ainukesed servoventiilid ja pumbad, mis on mδδratletud punktis 9A106.d., on jδrgmised:

a. servoventiilid, mis on kavandatud voolukiirustele 24 liitrit minutis vυi rohkem absoluutse rυhu korral 7 MPa vυi rohkem ja mille kδivitumise reaktsiooniaeg on lόhem kui 100 ms;

b. vedela raketikόtuse pumbad, mille vυllikiirus on 8000 pφφret minutis vυi rohkem vυi mille tόhjendusrυhk on 7 MPa vυi rohkem.

9A107 Muud kui punktis 9A007 nimetatud tahkekόtuse rakettmootorid, mis on kasutatavad terviklikes raketisόsteemides vυi mehitamatutel υhusυidukitel lennuulatusega vδhemalt 300 km ja millega saavutatav koguimpulss on 0,841 MNs.

NB! VT KA PUNKTI 9A119.

9A108 Muud kui punktis 9A008 nimetatud spetsiaalselt tahkekόtuse tυukejυusόsteemide jaoks kavandatud komponendid, mis on kasutatavad rakettmόrskudel:

a. Rakettmootorite korpused, sisevooderdus ja nende isolatsioon ;

b. Raketi dόόsid;

c. Tυukejυuvektori juhtimise alamsόsteemid.

Tehniline mδrkus:

Nδiteid punktis 9A108.c kirjeldatud tυukejυu vektori juhtimise meetoditest:

1. painduvad dόόsid;

2. vedeliku vυi sekundaargaasi sissepritse;

3. liikuv mootor vυi dόόs;

4. vδljuva gaasijoa kυrvalekallutamine (joa labad vυi sondid); vυi

5. tυukejυu klapid.

9A109 Muud kui punktis 9A009 nimetatud hόbriidrakettmootorid, mis on kasutatavad rakettmόrskudel ja spetsiaalselt nende jaoks ettenδhtud komponendid.

NB! VT KA PUNKTI 9A119.

9A110 Muud kui punktis 9A010 nimetatud komposiitstruktuurid, -laminaadid ja nendest valmistatud tooted, mis on spetsiaalselt kavandatud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettides vυi 9A104 nimetatud sondrakettides vυi punktides 9A005, 9A007, 9A105.a, 9A106-9A108, 9A116 vυi 9A119 nimetatud alamsόsteemides.

NB! VT KA PUNKTI 1A002.

9A111 Pulseerivad reaktiivmootorid, mis on kasutatavad rakettmόrskudel ja spetsiaalselt nende jaoks ettenδhtud komponendid.

NB! VT KA PUNKTE 9A011 ja 9A118.

9A115 Jδrgmised stardi abiseadmed:

a. Vahendid ja seadmed kδsitsemise, kontrolli, aktiveerimise ja stardi jaoks, mis on kavandatud vυi kohandatud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettidel, punktis 9A012 nimetatud mehitamata υhusυidukitel vυi punktis 9A104 nimetatud sondrakettides.

b. Sυidukid transpordi, kδsitsemise, kontrolli, aktiveerimise ja stardi jaoks, mis on kavandatud vυi kohandatud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettidel vυi punktis 9A104 nimetatud sondrakettides.

9A116 Jδrgmised rakettmόrskudes kasutatavad atmosfδδri taassisenevad sυidukid ja spetsiaalselt nende jaoks ettenδhtud vυi kohandatud komponendid:

a. Atmosfδδri taassisenevad sυidukid;

b. Kuumakaitsekilbid ja nende komponendid, mis on valmistatud keraamilistest vυi kuluvmaterjalidest;

c. Kergetest, suure soojamahtuvusega materjalidest valmistatud jahutusradiaatorid ja nende komponendid;

d. Elektroonilised seadmed, mis on spetsiaalselt ette nδhtud atmosfδδri taassisenevatele sυidukitele.

9A117 Rakettmόrskudes kasutatavad astmestusmehhanismid, eraldamismehhanismid ja astmete vaheseadmed.

9A118 Punktis 9A011 vυi 9A111 nimetatud mootorites kasutatavad pυlemisprotsessi reguleerimise seadmed, mis on kasutatavad rakettmόrskudes .

9A119 Muud kui punktis 9A005, 9A007, 9A009, 9A105, 9A107 vυi 9A109 nimetatud όksikud raketiastmed, mis on kasutatavad terviklikes raketisόsteemides vυi mehitamatutel υhusυidukitel lennuulatusega vδhemalt 300 km.

9B Testimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed

9B001 Jδrgmised spetsiaalselt kavandatud seadmed, instrumentaarium ja kinnitusvahendid gaasiturbiinide valatud labade, tiivikute vυi labaotsbandaaΎide tootmiseks:

a. Suunatud tahkumise vυi monokristall-valamise seadmed;

b. Keraamilised sόdamikud vυi kestad;

9B002 On-line (reaalajas) juhtimissόsteemid, mυυteseadmed (kaasa arvatud sensorid) vυi automaatsed andmekogumis- ja andmetφφtlusseadmed, mis on spetsiaalselt kavandatud punktis 9E003.a nimetatud tehnoloogiat sisaldavate gaasiturbiinmootorite, nende sυlmede vυi komponentide arendamiseks .

9B003 Seadmed selliste gaasiturbiini harjatihendite tootmiseks vυi katsetamiseks, mis on kavandatud tφφks otste kiirusel όle 335 m/s ning temperatuuridel όle 773 K (500 °C), ja spetsiaalselt nende jaoks ettenδhtud komponendid ja abiseadmed.

9B004 Tφφriistad, matriitsid vυi kinnitusseadmed supersulamist , titaanist vυi punktis 9E003.a.3 vυi 9E003.a.6 nimetatud intermetallilistest όhenditest «labad-kettale» tahkisliitmise jaoks.

9B005 On-line (reaalajas) juhtimissόsteemid, mυυteseadmed (kaasa arvatud sensorid) vυi automaatsed andmekogumis- ja andmetφφtlusseadmed, mis on spetsiaalselt kavandatud kasutamiseks mis tahes jδrgmiste aerodόnaamiliste torude vυi seadmete juures:

NB! VT KA PUNKTI 9B105.

a. Aerodόnaamilised torud, mis on ette nδhtud 1,2-kordse helikiiruse (1,2 Machi) vυi suuremate kiiruste jaoks, vδlja arvatud need, mis on spetsiaalselt kavandatud υppeotstarbel ja mille katsekambri ristlυike suurus (kόlgmiselt mυυdetuna) on vδhem kui 250 mm.

Tehniline mδrkus:

Punktis 9B005.a tδhendab katsekambri suurus ringi lδbimυυtu, ruudu kόlge vυi tδisnurga pikimat kόlge, mis on mυυdetud katsekambri ristlυike laiemast kohast.

b. Seadmed voolukeskkondade simuleerimiseks 5-kordsel (5 Machi) vυi suuremal helikiirusel, kaasa arvatud kaarlahendusega kδivitatavad ( hotshot ) aerodόnaamilised torud, plasmakaarega kδivitatavad aerodόnaamilised torud, lφφklainetorud, lφφklainega kδivitatavad aerodόnaamilised torud, gaasi aerodόnaamilised torud ning kerged gaasikahurid; vυi

c. Aerodόnaamilised torud vυi seadmed, muud kui kahemυυtmelised lυiked, mis vυimaldavad simuleerida voolamisi, mille korral Reynoldsi arv on όle 25 Χ 106.

9B006 Akustilise vibratsiooni katseseadmed, mis vυimaldavad tekitada helirυhku 160 dB vυi rohkem (20 >ISO_7>μ>ISO_4>Pa suhtes), arvestusliku vδljundvυimsusega 4 kW vυi rohkem katsekambri temperatuuril όle 1273 K (+ 1000 °C), ja spetsiaalselt nende jaoks ettenδhtud kvartskόttekehad.

NB! VT KA PUNKTI 9B106.

9B007 Seadmed, mis on kavandatud rakettmootorite terviklikkuse kontrolliks, kasutades muid mittepurustavaid katsevυtteid (NDT) kui planaarne rφntgenikiirgus vυi keemilised vυi fόόsikalised alusanalόόsid).

9B008 Muundurid, mis on spetsiaalselt projekteeritud katsevoolus seinakatte hυυrdetakistuse vahetuks mυυtmiseks όle 833 K (+ 560 °C) stagnatsioonitemperatuuril.

9B009 Instrumentaarium, mis on spetsiaalselt projekteeritud selliste turbiinmootorite pulbermetallurgiliste rootorikomponentide tootmiseks, mis kannatavad vδlja 60 % tυmbetugevusest vυi rohkem ja metallitemperatuuri 873 K (600 °C) vυi rohkem.

9B105 Aerodόnaamilised torud, mis on ette nδhtud 0,9-kordse helikiiruse (0,9 Machi) vυi suuremate kiiruste jaoks ja on kasutatavad rakettmόrskude ja nende alamsόsteemide jaoks.

NB! VT KA PUNKTI 9B005.

9B106 Jδrgmised katsekeskkonnakambrid ja kajavabad ruumid:

a. Katsekeskkonnakambrid, mis vυimaldavad simuleerida jδrgmisi lennutingimusi:

1. vibratsiooniline keskkond, mille vδδrtus ruutkeskmiselt on όle 10 g sagedusvahemikus 20-2000 Hz ja edastatav jυud on 5 kN vυi rohkem; ja

2. lennukυrgus 15000 m vυi rohkem; vυi

3. temperatuurivahemik vδhemalt 223 K (- 50 °C) kuni 398 K (+ 125 °C);

b. Kajavabad ruumid, mis vυimaldavad simuleerida jδrgmisi lennutingimusi:

1. ruumi όldine helirυhu tase on 140 dB vυi rohkem (20 >ISO_7>μ>ISO_4>Pa suhtes) vυi arvestuslik vδljundvυimsus on 4 kW vυi rohkem; ja

2. lennukυrgus 15000 m vυi rohkem; vυi

3. temperatuurivahemik vδhemalt 223 K (- 50 °C) kuni 398 K (+ 125 °C).

9B115 Tootmisseadmed , mis on spetsiaalselt kavandatud punktides 9A005-9A009, 9A011, 9A101, 9A105-9A109, 9A111, 9A116-9A119 nimetatud sόsteemide, alamsόsteemide ja komponentide tootmiseks.

9B116 Tootmisseadmed , mis on spetsiaalselt kavandatud punktis 9A004 nimetatud kanderakettide vυi punktides 9A005-9A009, 9A011, 9A101, 9A104-9A109, 9A111 vυi 9A116-9A119 nimetatud sόsteemide, alamsόsteemide ja komponentide tootmiseks.

9B117 Katsepingid ja katsestendid tahke- vυi vedelkόtuse rakettide vυi rakettmootorite katsetamiseks, millel on όks jδrgmistest omadustest:

a. vυimaldavad kδsitleda tυukejυudu όle 90 kN; vυi

b. vυimaldavad samaaegselt mυυta kolme telje tυukejυu komponente.

9C Materjalid

9C110 Vaiguga immutatud kiudkarkassid ja metalliga kaetud kiust eelvormid nendele, komposiitstruktuuridele, -laminaatidele ja punktis 9A110 nimetatud toodetele, mis on valmistatud kas orgaanilisest pυhiainest vυi metallpυhiainest, kasutades kiud- vυi niitarmeerimist, ja mille eritυmbetugevus on suurem kui 7,62 Χ 104 m ja erimoodul on suurem kui 3,18 Χ 106 m.

NB! VT KA PUNKTE 1C010 ja 1C210.

Mδrkus: Ainsad punktis 9C110 nimetatud vaiguga immutatud kiudprepregmaterjalid on need, milles kasutatakse vaiku, mille klaasistumistemperatuur (Tg ) on pδrast vulkaniseerimist όle 418 K (145 °C) vastavalt ASTM D4065 vυi samavδδrse standardiga.

9D Tarkvara

9D001 Tarkvara , mis on spetsiaalselt loodud vυi kohandatud punktis 9A, 9B vυi 9E003 nimetatud seadmete vυi tehnoloogia arendamiseks .

9D002 Tarkvara , mis on spetsiaalselt loodud vυi kohandatud punktis 9A vυi 9B nimetatud seadmete tootmiseks .

9D003 Tarkvara , mis on spetsiaalselt loodud vυi kohandatud punktis 9A nimetatud tδisautomaatse digitaalse mootori juhtimise (FADEC) kasutamiseks tυukejυusόsteemide jaoks vυi punktis 9B nimetatud seadmete jaoks:

a. tarkvara tυukejυusόsteemide, kosmosekatseseadmete vυi atmosfδδriυhku kasutavate lennumootorite katseseadmete digitaalelektroonilistes juhtimissόsteemides;

b. tυrketaluvusega tarkvara , mida kasutatakse tδisautomaatse digitaalse mootori juhtimise (FADEC) sόsteemides tυukejυusόsteemide ja nendega seotud katseseadmete jaoks.

9D004 Muu tarkvara:

a. 2D vυi 3D viskoosse voolamise tarkvara , mida on kontrollitud aerodόnaamilise toru vυi proovilennu andmetega ja mida vajatakse detailse mootorivoolu modelleerimiseks;

b. Tarkvara lennu gaasiturbiinmootorite, nende sυlmede vυi komponentide katsetamiseks, mis on spetsiaalselt loodud andmete reaalajas kogumiseks, tφφtlemiseks ja analόόsiks ning vυimaldab tagasisidega reguleerimist, kaasa arvatud katse kestel katseartikli vυi katsetingimuste dόnaamiline muutmine;

c. Tarkvara , mis on spetsiaalselt kavandatud suunatud tahkumise vυi monokristallide valamise juhtimiseks;

d. Tarkvara lδhtekoodidena, objektkoodidena vυi masinkoodidena, mida on vaja rootori labaotste vaba liikumisruumi kontrolli aktiivkompensatsiooni sόsteemide rakendamiseks.

Mδrkus: Punkt 9D004.d ei hυlma tarkvara, mis on installeeritud kontrolli alla mittekuuluvatesse seadmetesse vυi mida vajatakse vaba liikumisruumi kontrolli aktiivkompensatsiooni sόsteemide hooldustφφdel, mis on seotud kalibreerimise vυi remondi vυi ajakohastamisega.

9D101 Tarkvara , mis on spetsiaalselt loodud vυi kohandatud punktis 9B105, 9B106, 9B116 vυi 9B117 nimetatud kaupade kasutamiseks .

9D103 Tarkvara , mis on spetsiaalselt loodud punktis 9A004 nimetatud kanderakettide vυi punktis 9A104 nimetatud sondrakettide vυi punktis 9A005, 9A007, 9A105.a, 9A106, 9A108, 9A116 vυi 9A119 nimetatud alamsόsteemide modelleerimiseks, simuleerimiseks vυi projektide integreerimiseks.

Mδrkus: Punktis 9D103 nimetatud tarkvara kuulub kontrolli alla, kui ta on kombineeritud punktis 4A102 nimetatud spetsiaalselt kavandatud riistvaraga.

9D104 Tarkvara , mis on spetsiaalselt loodud vυi kohandatud punktis 9A001, 9A005, 9A006.d, 9A006.g, 9A007.a, 9A008.d, 9A009.a, 9A010.d, 9A011, 9A101, 9A105, 9A106.c, 9A106.d, 9A107, 9A108.c, 9A109, 9A111, 9A115.a, 9A116.d, 9A117 vυi 9A118 nimetatud kaupade kasutamiseks .

9D105 Tarkvara , mis koordineerib rohkem kui όhe alamsόsteemi funktsioneerimist ja on spetsiaalselt loodud vυi kohandatud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettides vυi 9A104 punktis nimetatud sondrakettides.

9E Tehnoloogia

Mδrkus: Punktides 9E001-9E003 nimetatud gaasiturbiinmootorite arendus- vυi tootmistehnoloogia kuulub kontrolli alla ka siis, kui seda kasutatakse rakendustehnoloogiana parandamiseks, όmberehitamiseks ja kapitaalremondiks. Kontrolli alla ei kuulu: tehnilised andmed, joonised vυi dokumentatsioon, mida vajatakse hooldetφφdel ja mis on otseses seoses vigastatud vυi kasutamiskυlbmatute vahetatavate osade kalibreerimise, eemaldamise vυi asendamisega, kaasa arvatud terve mootori vυi mootori moodulite asendamine.

9E001 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia, mis on vajalik punktides 9A001.c, 9A004-9A011, 9B vυi 9D nimetatud seadmete vυi tarkvara arendamiseks .

9E002 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia, mis on vajalik punktides 9A001.c, 9A004-9A011 vυi 9B nimetatud seadmete tootmiseks .

NB! Tehnoloogia kohta, mis on mυeldud kontrolli alla kuuluvate struktuuride, laminaatide vυi materjalide parandamiseks, vaata punkti 1E002.f.

9E003 Muu tehnoloogia :

a. Tehnoloogia , mis on vajalik mis tahes jδrgmiste gaasiturbiinmootorite komponentide vυi sόsteemide arendamiseks vυi tootmiseks :

1. gaasiturbiinide labad, tiivikud vυi labaotsabandaaΎid, mis on valmistatud suunatud tahkumisega (DS) sulamitest vυi monokristallilistest (SC) sulamitest (Milleri indeksi suund 001), mille pingetaluvusaeg purunemiseni on temperatuuril 1273 K (1000 °C) ja pingel 200 MPa όle 400 tunni ja mis pυhineb mυυdetud keskmistel vδδrtustel;

2. mitmekuplilise pυlemiskambriga pυletid, mille keskmine vδljundi temperatuur on όle 1813 K (1540 °C), vυi pυletid, mis sisaldavad termiliselt eristatud silindrihόlsse, mittemetallilisi silindrihόlsse vυi mittemetallilisi kesti;

3. komponendid, mis on valmistatud mis tahes jδrgmisest materjalist:

a. orgaanilistest komposiit materjalidest, mis on kavandatud tφφks όle 588 K (+ 315 °C) temperatuuril;

b. metall pυhiainega komposiit, keraamilise pυhiaine , intermetalliline όhend vυi punktis 1C007 nimetatud armeeritud intermetalliline materjal; vυi

c. komposiit materjalid, mis on nimetatud punktis 1C010 ja toodetud punktis 1C008 nimetatud vaikudega.

4. jahutuseta turbiinide labad, tiivikud, labaotsabandaaΎid vυi muud komponendid, mis on kavandatud tφφks gaasijoa temperatuuril 1323 K (1050 °C) vυi rohkem;

5. jahutusega turbiinide labad, tiivikud, labaotsabandaaΎid, muud kui punktis 9E003.a.1 nimetatud, mis on kavandatud tφφks gaasijoa temperatuuril 1 643 K (1370 °C) vυi rohkem;

6. labad-kettale labade kombinatsioonid, kus kasutatakse tahkisliitmist;

7. gaasiturbiinmootorite komponendid, milles kasutatakse punktis 2E003.b nimetatud difusioonkeevitustehnoloogiat ;

8. vigastustaluvusega gaasiturbiinmootorite pφφrlevad komponendid, mille puhul on kasutatud punktis 1C002.b nimetatud pulbermetallurgia materjale;

9. gaasiturbiinidele ja kombineeritud tsόkkelmootoritele ettenδhtud tδisautomaatse digitaalse mootori juhtimise (FADEC) sόsteemid ning nendega seotud diagnostikakomponendid, andurid ja spetsiaalselt projekteeritud komponendid;

10. reguleeritava gaasivoo geomeetriaga sόsteemid ja vastavad reguleerimissόsteemid jδrgmistele:

a. gaasigeneraatori turbiinidele;

b. ventilaator- vυi elektriturbiinidele;

c. tυukedόόsidele;

Mδrkus 1: Reguleeritava gaasivoo geomeetriaga sόsteemid ja vastavad reguleerimissόsteemid punktis 9E003.a.10 ei hυlma sisendvoo juhtlabasid, reguleeritava sammuga ventilaatoreid, reguleeritavaid staatoreid vυi kompressorite vedelikueemaldamise ventiile.

Mδrkus 2: Punkt 9E003.a.10 ei hυlma reguleeritava gaasivoo geomeetriaga sόsteemide arendus- vυi tootmistehnoloogiat pφφratava tυuke jaoks.

11. suure profiilisόgavusega υυnsad tiiviku labad, ilma labade vastastikuse toetuseta;

b. Tehnoloogia , mis on vajalik mis tahes jδrgmise arendamiseks vυi tootmiseks :

1. aerodόnaamilistes torudes kasutatavad lennumudelid, mis on varustatud pindanduritega, mis on vυimelised edastama andmed andmekogumissόsteemi; vυi

2. komposiit materjalidest propellerite labad vυi propellerventilaatorid, mis on vυimelised 0,55-kordse helikiirusega (0,55 Machi) ja kiiremini lennates vastu vυtma όle 2000 kW;

c. Tehnoloogia , mis on vajalik gaasiturbiinmootorite komponentide arendamiseks vυi tootmiseks , kasutades laser-, veejoa-, elektrokeemilist- (ECM) vυi elektrilahenduslikku (EDM) sόvistusmeetodit, et puurida jδrgmiste tunnuskombinatsioonidega auke:

1. kυik jδrgmine:

a. sόgavus όletab neljakordselt nende lδbimυυdu;

b. lδbimυυdud on vδiksemad kui 0,76 mm; ja

c. kohtumisnurgad on 25 ° vυi vδhem; vυi

2. kυik jδrgmine:

a. sόgavus όletab viiekordselt nende lδbimυυdu;

b. lδbimυυdud on vδiksemad kui 0,4 mm; ja

c. kohtumisnurgad on όle 25 °;

Tehniline mδrkus:

Punkti 9E003.c tδhenduses on kohtumisnurk mυυdetud kandepinna puutujatasandi suhtes kandepinna punktis, kus augu telg siseneb kandepinda.

d. Tehnoloogia helikopterite jυuόlekandesόsteemide vυi kaldrootori vυi kaldtiivaga υhusυidukite jυuόlekandesόsteemide arendamiseks vυi tootmiseks ;

e. Tehnoloogia jδrgmiste omadustega diiselkolbmootoritega maismaasυidukite jυusόsteemide arendamiseks vυi tootmiseks :

1. «Kasti » ruumala on 1,2 m3 vυi vδhem;

2. άldine vδljundvυimsus, mis on όle 750 kW vastavalt 80/1269/EMά, ISO 2534 vυi samavδδrsetele siseriiklikele standarditele; ja

3. «Kasti » ruumala vυimsustihedus on όle 700 kW/m3;

Tehniline mδrkus:

Punktis 9E003.e on «kasti » ruumala mδδratud kolme alljδrgneval viisil mυυdetud risti asetseva mυυte korrutisena:

Pikkus: : Vδntvυlli pikkus esiδδrikust kuni hooratta pinnani; Laius: : Kυige laiem jδrgmistest:

a. vδlismυυt klapikambri kaanest teise klapikambri kaaneni;

b. silindripeade vδlisservade vaheline kaugus; vυi

c. hooratta korpuse vδlislδbimυυt;

Kυrgus: : Suurim jδrgmistest:

a. mυυt vδntvυlli teljest klapikambri kaane (vυi silindripea) όlemise tasapinnani pluss kahekordne kolvikδik; vυi

b. hooratta korpuse vδlislδbimυυt.

f. Tehnoloogia , mis on vajalik jδrgmiste suure vυimsusega diiselmootoritele spetsiaalselt projekteeritud komponentide tootmiseks :

1. tehnoloogia , mis on vajalik mootorisόsteemide tootmiseks , mille kυik jδrgmised komponendid on valmistatud punktis 1C007 nimetatud keraamilistest materjalidest:

a. silindrihόlsid;

b. kolvid;

c. silindripead; ja

d. όks vυi mitu muud komponenti (nt vδljalaskeavad, turbolaadurid, klapi juhtpuksid, klapisυlmed vυi isoleeritud kόtuse sissepritsedόόsid);

2. tehnoloogia , mis on vajalik όheastmelise kompressoriga turbolaadurite sόsteemide tootmiseks , millel on kυik jδrgmised omadused:

a. tφφtavad rυhkude suhtel 4:1 vυi kυrgemal;

b. lδbivoolav mass on 30-130 kg minutis; ja

c. kompressorit vυi turbiini lδbiva voo ristlυikepindala muutmise vυimalus;

3. tehnoloogia , mis on vajalik kόtuse sissepritsesόsteemide tootmiseks , millel on spetsiaalselt kavandatud mitut sorti kόtuse (nt diisel- vυi reaktiivkόtus) kasutamise vυimalus, mis katab viskoossusvahemiku alates diiselkόtusest (2,5 cSt 310,8 K (37,8 °C)) kuni bensiinini (0,5 cSt 310,8 K (37,8 °C)) ja millel on mυlemad jδrgmised omadused:

a. sissepritsitava kόtuse hulk on όle 230 mm3 όhe sissepritse kohta όhte silindrisse; ja

b. spetsiaalne projekteeritud elektrooniline juhtimisfunktsioon, mis vυimaldab sobivate andurite abil olenevalt kόtuse omadustest automaatselt seadistada turbolaaduri kiirusregulaatorit nii, et sδiliksid samad pφφrdemomendi karakteristikud;

g. Tehnoloogia, mis on vajalik tahke, gaasfaasilise vυi vedelikkelmelise (vυi nende kombinatsioonid) mδδrdega mδδritavate silindriseintega suure vυimsusega diiselmootorite arendamiseks vυi tootmiseks , mis vυimaldavad όle 723 K (450 °C) tφφtemperatuuri mυυdetuna kolvi όlemises surnud seisus silindriseinal όlemise kolvirυnga kohal.

Tehniline mδrkus:

Suure vυimsusega diiselmootorid on diiselmootorid, mille keskmine spetsiifiline efektiivrυhk kolvi pυhjale tφφtakti kestel, tuletatuna pidurdatava vδljundvυimsuse mυυtmistest, on 1,8 MPa vυi rohkem mυυdetuna pφφrlemissagedusel 2300 pφφret minutis, tingimusel et nende nimipφφrlemissagedus oleks 2300 pφφret minutis vυi rohkem.

9E101 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia, mis on vajalik punktides 9A101, 9A104-9A111, 9A115-9A119 nimetatud kaupade arendamiseks ja tootmiseks .

9E102 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia, mis on vajalik punktis 9A004 nimetatud kanderakettide vυi punktides 9A005-9A011, 9A101, 9A104-9A111, 9A115-9A119, 9B105, 9B106, 9B115, 9B116, 9B117, 9D101 vυi 9D103 nimetatud kaupade kasutamiseks .

(1) Tootjad, kes arvutavad positsioneerimistδpsust vastavalt ISO standardile 230/2 (1997), peaksid konsulteerima oma asukohaliikmesriigi pδdevate asutustega.

(2) Tootjad, kes arvutavad positsioneerimistδpsust vastavalt ISO standardile 230/2 (1997), peaksid konsulteerima oma asukohaliikmesriigi pδdevate asutustega.

(3) Tootjad, kes arvutavad positsioneerimistδpsust vastavalt ISO standardile 230/2 (1997), peaksid konsulteerima oma asukohaliikmesriigi pδdevate asutustega.

(4) Tootjad, kes arvutavad positsioneerimistδpsust vastavalt ISO standardile 230/2 (1997), peaksid konsulteerima oma asukohaliikmesriigi pδdevate asutustega.

(5) Tootjad, kes arvutavad positsioneerimistδpsust vastavalt ISO standardile 230/2 (1997), peaksid konsulteerima oma asukohaliikmesriigi pδdevate asutustega.

(6) Tootjad, kes arvutavad positsioneerimistδpsust vastavalt ISO standardile 230/2 (1997), peaksid konsulteerima oma asukohaliikmesriigi pδdevate asutustega.

(7) Tootjad, kes arvutavad positsioneerimistδpsust vastavalt ISO standardile 230/2 (1997), peaksid konsulteerima oma asukohaliikmesriigi pδdevate asutustega.

(8) Tootjad, kes arvutavad positsioneerimistδpsust vastavalt ISO standardile 230/2 (1997), peaksid konsulteerima oma asukohaliikmesriigi pδdevate asutustega.

II LISA

άHENDUSE άLDINE EKSPORDILUBA Nr EU001

(vastavalt mδδruse (Eά) nr 1334/2000 artiklile 6)

Vδljaandnud asutus: Euroopa άhendus:

1. osa

Kδesolev ekspordiluba hυlmab jδrgmist:

Kυik kδesoleva mδδruse I lisas esitatud kahesuguse kasutusega kaubad, vδlja arvatud 2. osas esitatud kaubad.

2. osa

Kυik IV lisas mδδratletud kaubad.

- 0C001 Looduslik uraan, vaesestatud uraan vυi toorium metalli, sulami, keemilise όhendi vυi kontsentraadi kujul ja materjalid, mis sisaldavad mis tahes eelnevalt nimetatud όhendit vυi όhendeid. - 0C002 Lυhustuvad erimaterjalid , muud kui IV lisas nimetatud. - 0D001 Tarkvara , mis on spetsiaalselt loodud vυi kohandatud 0. kategoorias nimetatud kaupade arendamiseks, tootmiseks vυi kasutamiseks , kuivυrd see on seotud punktiga 0C001 vυi punkti 0C002 IV lisast vδlja arvatud kaubanimetustega. - 0E001 Tuumatehnoloogia mδrkusele vastav tehnoloogia , mis on ette nδhtud 0. kategoorias nimetatud kaupade arendamiseks, tootmiseks vυi kasutamiseks , kuivυrd see on seotud punktiga 0C001 vυi punkti 0C002 IV lisast vδlja arvatud kaubanimetustega. - 1A102 Korduvkόllastatud pόrolόόsitud sόsinik-sόsinik-komponendid, mis on ette nδhtud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettides vυi punktis 9A104 nimetatud sondrakettides. - 1C351 Inimpatogeenid, zoonoosid ja toksiinid . - 1C352 Loompatogeenid. - 1C353 Geneetilised elemendid ja geneetiliselt muundatud organismid. - 1C354 Taimpatogeenid. - 7E104 Tehnoloogia , mis on ette nδhtud lennujuhtimise ja tυukejυu andmete integreerimiseks lennujuhtimissόsteemi, et optimeerida raketisόsteemide trajektoori. - 9A009.a Hόbriidsed raketi tυukejυusόsteemid, mille koguimpulss on όle 1,1 MNs. - 9A117 Rakettmόrskudes kasutatavad astmestusmehhanismid, eraldamismehhanismid ja astmete vaheseadmed. 3. osa

Kδesolev ekspordiluba kehtib kogu όhenduses jδrgmistesse sihtkohtadesse suunduva ekspordi osas:

Austraalia

Kanada

Jaapan

Uus-Meremaa

Norra

©veits

Ameerika άhendriigid

Mδrkus: 2. ja 3. osa vυib muuta όksnes kooskυlas nende asjaomaste όlesannete ja kohustustega, mida iga liikmesriik on vυtnud tuumarelva leviku tυkestamise rahvusvahelise korra ja ekspordi kontrollimise korra raames ning kooskυlas iga liikmesriigi avaliku julgeoleku huvidega, mis kajastuvad tema kohustuses otsustada kahesuguse kasutusega kaupade ekspordilubade taotluste όle vastavalt kδesoleva mδδruse artikli 6 lυikele 2.

Kυnealuse loa kasutustingimused ja -nυuded

(1) άldluba ei tohi kasutada, kui eksportija asukohaliikmesriigi pδdev asutus on eksportijat teavitanud, et kυnealused kaubad on ette nδhtud kasutamiseks vυi neid saab kasutada tervikuna vυi osaliselt keemia-, tuuma- vυi bioloogiliste relvade vυi teiste tuumalυhkeseadmete arendamiseks, tootmiseks, kδsitlemiseks, kasutamiseks, hooldamiseks, ladustamiseks, avastamiseks, identifitseerimiseks vυi levitamiseks vυi selliste relvade kanderakettide arendamiseks, tootmiseks, hooldamiseks vυi ladustamiseks, vυi kui eksportija teab, et kυnealuseid kaubad on ette nδhtud selliseks kasutuseks.

(2) άldluba ei tohi kasutada, kui eksportija asukohaliikmesriigi pδdev asutus on eksportijat teavitanud sellest, et kυnealused kaubad on ette nδhtud vυi neid saab kasutada kδesoleva mδδruse artikli 4 lυikes 2 nimetatud sυjaliseks lυppkasutuseks riigis, mille suhtes kehtib EL, OSCE vυi άRO relvaembargo, vυi kui eksportija teab, et kυnealused kaubad on ette nδhtud selliseks kasutuseks.

(3) άldluba ei tohi kasutada, kui asjaomased kaubad eksporditakse tollivabasse tsooni vυi vabalattu, mis asub selle loaga hυlmatud sihtkohas.

(4) Liikmesriigid mδδravad kindlaks όldloa kasutamise kohta lisatud registreerimis- ja aruandenυuded ning lisateabe, mida liikmesriik, kust eksportimine toimub, vυib nυuda kυnealuse loa alusel eksporditavate kaupade kohta. Nende nυuete aluseks peavad olema nυuded, mille kυnealuseid lube andvad liikmesriigid on kehtestanud όldiste ekspordilubade kasutamise kohta.

III a LISA

>REFERENCE TO A GRAPHIC>

>REFERENCE TO A GRAPHIC>

>REFERENCE TO A GRAPHIC>

III b LISA

EKSPORDI άLDLUBADE AVALDAMISE άHISNΥUDED

(vastavalt artikli 10 lυikele 3)

1. Ekspordi όldloa nimetus

2. Luba vδljaandev asutus

3. Kehtivus Eά territooriumil. Kasutatakse jδrgmist teksti:

«Kδesolev ekspordi όldluba vastab mδδruse (Eά) nr 1334/2000 artikli 6 lυike 2 nυuetele. Vastavalt nimetatud mδδruse artikli 6 lυikele 2 kehtib kδesolev luba kυikides Euroopa άhenduse liikmesriikides» .

4. Asjaomased kaubad: kasutatakse jδrgmist sissejuhatavat teksti:

«Kδesolev ekspordiluba hυlmab jδrgmist»

5. Asjaomased sihtkohad. Kasutatakse jδrgmist sissejuhatavat teksti:

«Kδesolev ekspordiluba kehtib jδrgmistesse sihtkohtadesse suunduva ekspordi osas»

6. Tingimused ja nυuded

IV LISA

(mδδruse (Eά) nr 1334/2000 artikli 21 lυikes 1 osutatud nimekiri)

Kanded ei sisalda alati I lisas esitatud tδielikku kauba kirjeldust ja sellega seotud mδrkusi.(1) Tδielik kaupade kirjeldus esitatakse όksnes I lisas.

Kauba nimetamine kδesolevas lisas ei mυjuta I lisas esitatud masstooteid kδsitlevate tingimuste kohaldamist.

I Jagu

(siseriikliku όldloa kasutamine όhendusesiseses kaubanduses)

Varjamistehnoloogia alla kuuluvad kaubad

1C001 Materjalid, mis on spetsiaalselt ette nδhtud kasutamiseks elektromagnetlainete neelajatena, vυi omajuhtivuslikud polόmeerid.

NB: VT KA PUNKTI 1C101.

1C101 Muud kui punktis 1C001 nimetatud, rakettmόrskudes ja nende alamsόsteemides kasutatavad materjalid ja seadmed, mis vδhendavad nende mδrgatavust, nagu radarikiirte tagasipeegeldumine, ultraviolett-/infrapuna-ja akustilised signaalid. 1D103 Tarkvara , mis on spetsiaalselt ette nδhtud selliste vδhendatud mδrgatavusega signaalide analόόsiks nagu radarikiirte tagasipeegeldumine, ultraviolett-/infrapuna- vυi akustiliste signaalid. 1E101 Tehnoloogia όldmδrkustele vastav tehnoloogia punktis 1C101 vυi 1D103 nimetatud kaupade kasutamiseks. 1E102 Tehnoloogia όldmδrkustele vastav tehnoloogia punktis 1D103 nimetatud tarkvara arendamiseks . 6B008 Impulssradari mυυtesόsteemid, mis on ette nδhtud tagasikiirgumise ristlυike mδδramiseks, kui kiiratava impulsi pikkus on 100 ns vυi lόhem, ning nende jaoks spetsiaalselt kavandatud komponendid.

NB: VT KA PUNKTI 6B108.

6B108 Mυυtesόsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud radari tagasikiirgumise ristlυike mυυtmiseks ja on kasutatavad rakettmόrskudel ja nende alamsόsteemides. άhenduse strateegilise kontrolli alla kuuluvad kaubad

1C239 Brisantlυhkeained, muud kui sυjalise otstarbega kaupade nimekirjas nimetatud, vυi ained vυi segud, mis sisaldavad neid όle 2 massi% ja mille kristalne tihedus on όle 1,8 g/cm3 ja detonatsiooni kiirus όle 8000 m/s. 1E201 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nδhtud punktis 1C239 nimetatud kaupade kasutamiseks. 3A229 Sόόtesόsteemid ja vastavad suure voolu impulssgeneraatorid ...

NB: VT KA SΥJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJA.

3A232 Detonaatorid ja mitmepunktilised sόόtesόsteemid ...

NB: VT KA SΥJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJA.

3E201 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia punktis 3A229 vυi 3A232 nimetatud seadmete kasutamiseks . 6A001 Akustika: 6A001.a.1.b. Objektide avastamise ja asukoha kindlaksmδδramise sόsteemid, millel on mis tahes jδrgmine omadus:

1. Saatesagedus alla 5 kHz ;

6. Ette nδhtud taluma ...;

6A001.a.2.a.1. Hόdrofonid ... Sisaldavad ... 6A001.a.2.a.2. Hόdrofonid ... Omavad mis tahes ... 6A001.a.2.a.5. Hόdrofonid ... Kavandatud ... 6A001.a.2.b. Jδrelveetavad akustiliste hόdrofonide vυresόsteemid ... 6A001.a.2.c. Andmetφφtlusseadmed, mis on spetsiaalselt kavandatud reaalajas kasutamiseks jδrelveetava akustiliste hόdrofonide vυresόsteemidele, mis on kasutaja programmeeritavad ning milles on aja ja sageduspiirkondade tφφtlemis- ja korreleerimisvυimalused, kaasa arvatud spektraalanalόόs, numbriline filtratsioon ning kiiremoodustamine, kasutades kiiret Fourier' pφφret vυi teisi muundamisvυtteid ja -meetodeid. 6A001.a.2.e. Merepυhja vυi lahe kaablisόsteemid, mis:

1. Sisaldavad ... hόdrofone ..., vυi

2. Sisaldavad hόdrofonigrupi tihendatud signaali mooduleid ...,

6A001.a.2.f. Andmetφφtlusseadmed, mis on spetsiaalselt kavandatud reaalajas kasutamiseks merepυhja- vυi lahe kaablisόsteemides, mis on kasutaja programmeeritavad ning milles on aja ja sageduspiirkondade tφφtlemis- ja korreleerimisvυimalused, kaasa arvatud spektraalanalόόs, numbriline filtratsioon ning kiiremoodustamine, kasutades kiiret Fourier' pφφret vυi teisi spektrimuundamisvυtteid ja -meetodeid. 6D003.a. Tarkvara akustiliste andmete tφφtlemiseks reaalajas. 8A002.o.3. Jδrgmised mόravδhendamissόsteemid, mis on kavandatud kasutamiseks 1000 tonnise ja suurema veevδljasurvega laevadel:

b) Aktiivsed mόravδhendamis- ja mόrakυrvaldamissόsteemid vυi spetsiaalselt jυuόlekandesόsteemi jaoks projekteeritud magnetlaagrid ning selles sisalduvad elektroonilised juhtimissόsteemid, mis vυimaldavad aktiivselt vδhendada seadmete vibratsiooni, tekitades antimόra vυi antivibratsiooni signaale otse mόraallikasse.

8E002.a. Tehnoloogia veealuse mόra vδhendamiseks spetsiaalselt kavandatud sυukruvide arendamiseks, tootmiseks , parandamiseks, remontimiseks vυi uuendamiseks (uuesti tφφtlemine). άhenduse strateegilise kontrolli alla kuuluvad kaubad - Krόptograafia - 5. kategooria, 2. osa

5A002.a.2. Seadmed, mis on kavandatud vυi kohandatud krόptoanalόόtiliste funktsioonide tδitmiseks. 5D002.c.1 άksnes tarkvara, millel on punktis 5A002.a.2 nimetatud seadmete tunnuseid vυi mis simuleerib nende funktsioone. 5E002 άksnes tehnoloogia punktis 5A002.a.2 vυi 5D002.c.1 nimetatud kaupade arendamiseks, tootmiseks vυi kasutami seks. MTCR-tehnoloogia

7A117 Rakettmόrskudel kasutatavad juhtimisseadmed , mis on vυimelised saavutama sόsteemset tδpsust 3,33% vυi vδhem lennuulatusest (nt samavυrdne tυenδosusring (CEP) 10 km vυi vδiksem kaugusel 300 km), vδlja arvatud juhtimisseadmed, mis on kavandatud rakettmόrskude jaoks, mille lennuulatus on alla 300 km vυi mehitatud υhusυidukite jaoks. 7B001 Testimis-, kalibreerimis- ja reguleerimisseadmed eespool punktis 7A117 nimetatud seadmetele.

Mδrkus: Punkt 7B001 ei hυlma I vυi II hooldustasemele vajalikke testimis-, kalibreerimis- ja reguleerimisseadmeid.

7B003 Seadmed, mis on spetsiaalselt ette nδhtud eespool punktis 7A117 nimetatud seadmete tootmiseks . 7B103 Tootmisvarustus , mis on spetsiaalselt ette nδhtud eespool punktis 7A117 nimetatud seadmete tootmiseks. 7D101 Tarkvara , mis on spetsiaalselt loodud eespool punktis 7B003 vυi 7B103 nimetatud seadmete kasutamiseks . 7E001 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nδhtud eespool punktis 7A117, 7B003, 7B103 vυi 7D101 nimetatud seadmete vυi tarkvara arendamiseks . 7E002 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nδhtud eespool punktides 7A117, 7B003 ja 7B103 nimetatud seadmete tootmiseks . 7E101 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nδhtud eespool punktides 7A117, 7B003, 7B103 ja 7D101 nimetatud seadmete kasutamiseks . 9A004 Kanderaketid, millega on vυimalik toimetada vδhemalt 500 kg kasulikku lasti vδhemalt 300 km kaugusele .

NB! VT KA PUNKTI 9A104.

Mδrkus 1 : Punkt 9A004 ei hυlma kasulikku lasti.

9A005 Vedelkόtusega rakettide tυukejυusόsteemid, mis sisaldavad punktis 9A006 nimetatud sόsteeme vυi komponente, mis on kasutatavad punktis 9A004 nimetatud kanderakettides vυi punktis 9A104 nimetatud sondrakettides.

NB! VT KA PUNKTE 9A105 ja 9A119.

9A007.a. Tahkekόtuse tυukejυusόsteemid, mis on kasutatavad punktis 9A004 nimetatud kanderakettides vυi punktis 9A104 nimetatud sondrakettides ja millel on mis tahes jδrgmine omadus:

NB! VT KA PUNKTI 9A119.

a) koguimpulss on όle 1,1 MNs.

9A008.d. Jδrgmised komponendid, mis on spetsiaalselt kavandatud tahkekόtuse raketi tυukejυusόsteemidele:

NB! VT KA PUNKTI 9A108.c.

d) Liigutatavad dόόsid vυi sekundaarse vedeliku sissepritsega tυuke vektorjuhtimise sόsteemid, mis on kasutatavad punktis 9A004 nimetatud kanderakettides vυi punktis 9A104 nimetatud sondrakettides ja mis vυimaldavad jδrgmist:

1. telje suhtes igasuunalist liikumist όle ± 5°;

2. nurkvektori pφφrlemist 20°/s vυi rohkem; vυi

3. nurkvektori kiirendust 40°/s2 vυi rohkem.

9A104 Sondraketid, mis on vυimelised toimetama vδhemalt 500 kg kasulikku lasti vδhemalt 300 km kaugusele.

NB! VT KA PUNKTI 9A004.

9A105.a. Jδrgmised vedelkόtuse rakettmootorid:

NB! VT KA PUNKTI 9A119.

a) Muud kui punktis 9A005 nimetatud vedelkόtuse rakettmootorid, mis on kasutatavad rakettmόrskudes ja millega saavutatav koguimpulss on όle 1,1 MNs; vδlja arvatud vedelkόtuse apogeemootorid, mis on konstrueeritud vυi kohandatud satelliitide jaoks kasutatavaks ning millel on kυik jδrgmised omadused:

1. Dόόsi kυri lδbimυυt on 20 mm vυi vδhem; ja

2. Pυlemiskambri rυhk on 15 baari vυi madalam.

9A106.c. Muud kui punktis 9A006 nimetatud spetsiaalselt vedelkόtusega raketi tυukejυusόsteemide jaoks kavandatud sόsteemid vυi komponendid, mis on kasutatavad rakettmόrskudes :

c) Tυukejυuvektori juhtimise alamsόsteemid, vδlja arvatud need, mis on kavandatud raketisόsteemidele, mis ei vυimalda vδhemalt 500 kg kasuliku lasti toimetamist vδhemalt 300 km kaugusele.

Tehniline mδrkus:

Nδiteid punktis 9A106.c kirjeldatud tυukejυu vektori juhtimise meetoditest:

1. painduvad dόόsid;

2. vedeliku vυi sekundaargaasi sissepritse;

3. liikuv mootor vυi dόόs;

4. vδljuva gaasijoa kυrvalekallutamine (joa labad vυi sondid); vυi

5. tυukejυu klapid.

9A108.c. Muud kui punktis 9A008 nimetatud spetsiaalselt tahkekόtuse tυukejυusόsteemide jaoks kavandatud komponendid, mis on kasutatavad rakettmόrskudel :

c) Tυukejυuvektori juhtimise alamsόsteemid, vδlja arvatud need, mis on kavandatud raketisόsteemidele, mis ei vυimalda vδhemalt 500 kg kasuliku lasti toimetamist vδhemalt 300 km kaugusele.

Tehniline mδrkus:

Nδiteid punktis 9A108.c kirjeldatud tυukejυu vektori juhtimise meetoditest:

1. painduvad dόόsid;

2. vedeliku vυi sekundaargaasi sissepritse;

3. liikuv mootor vυi dόόs;

4. vδljuva gaasijoa kυrvalekallutamine (joa labad vυi sondid); vυi

5. tυukejυu klapid.

9A116 Jδrgmised rakettmόrskudes kasutatavad atmosfδδri taassisenevad sυidukid ja spetsiaalselt nende jaoks ettenδhtud vυi kohandatud komponendid, vδlja arvatud need atmosfδδri taassisenevad sυidukid, mis on kavandatud kandma mitterelvastuslikku lasti;

a) Atmosfδδri taassisenevad sυidukid;

b) Kuumakaitsekilbid ja nende komponendid, mis on valmistatud keraamilistest vυi kuluvmaterjalidest;

c) Kergetest, suure soojamahtuvusega materjalidest valmistatud jahutusradiaatorid ja nende komponendid;

d) Elektroonilised seadmed, mis on spetsiaalselt ette nδhtud atmosfδδri taassisenevatele sυidukitele.

9A119 Muud kui eespool punktis 9A005 vυi 9A007.a nimetatud όksikud raketiastmed, mis on kasutatavad terviklikes raketisόsteemides vυi mehitamatutel υhusυidukitel ja mis on vυimelised toimetama vδhemalt 500 kg kasulikku lasti vδhemalt 300 km kaugusele. 9B115 Tootmisseadmed , mis on spetsiaalselt kavandatud eespool punktides 9A005, 9A007.a, 9A008.d, 9A105.a, 9A106.c, 9A108.c, 9A116 vυi 9A119 nimetatud sόsteemide, alamsόsteemide ja komponentide tootmiseks. 9B116 Tootmisseadmed , mis on spetsiaalselt kavandatud eespool punktis 9A004 nimetatud kanderakettide vυi punktides 9A005, 9A007.a, 9A008.d, 9A104, 9A105.a, 9A106.c, 9A108.c, 9A116 vυi 9A119 nimetatud sόsteemide, alamsόsteemide ja komponentide tootmiseks. 9D101 Tarkvara , mis on spetsiaalselt loodud eespool punktis 9B116 nimetatud kaupade kasutamiseks. 9E001 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia, mis on vajalik eespool punktides 9A004, 9A005, 9A007.a., 9A008.d., 9B115, 9B116 vυi 9D101 nimetatud seadmete vυi tarkvara arendamiseks. 9E002 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia, mis on vajalik eespool punktides 9A004, 9A005, 9A007.a, 9A008.d, 9B115 vυi 9B116 nimetatud seadmete tootmiseks .

Mδrkus: Tehnoloogia kohta, mis on mυeldud kontrolli alla kuuluvate struktuuride, laminaatide vυi materjalide parandamiseks, vaata punkti 1E002.f.

9E101 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia, mis on vajalik eespool punktides 9A104, 9A105.a, 9A106.c, 9A108.c, 9A116 vυi 9A119 nimetatud kaupade arendamiseks ja tootmiseks . 9E102 Tehnoloogia όldmδrkuselevastav tehnoloogia, mis on vajalik eespool punktides 9A004, 9A005, 9A007.a, 9A008.d, 9A104, 9A105.a, 9A106.c., 9A108.c, 9A116, 9A119, 9B115, 9B116 vυi 9D101 nimetatud kanderakettides. - Erandid:

IV lisa ei hυlma jδrgmisi MTCR-tehnoloogia alla kuuluvaid kaupu, mis:

1) antakse όle tellimuste alusel, mille on esitanud Euroopa Kosmoseagentuur (ESA) vastavalt lepingulisele suhtele vυi mille annab όle ESA oma ametlike kohustuste tδitmiseks;

2) antakse όle tellimuste alusel, mille on esitanud liikmesriigi kosmoseagentuur vastavalt lepingulistele suhetele vυi mille annab όle siseriiklik kosmoseagentuur oma ametlike kohustuste tδitmiseks;

3) antakse όle tellimuste alusel, mis on esitatud seoses kahe vυi enama Euroopa riigi valitsuse poolt allkirjastatud όhenduse kosmoselendude arendus- ja tootmisprogrammidega vastavalt lepingulistele suhetele;

4) antakse όle liikmesriigi riiklikult kontrollitava kosmodroomi territooriumil, vδlja arvatud juhul, kui kυnealune liikmesriik kontrollib selliseid όleandmisi vastavalt kδesoleva mδδruse tingimustele.

II jagu

(siseriiklikku όldluba ei kasutata όhendusesiseses kaubanduses)

Keemiarelvade konventsiooni (CWC) alla kuuluvad kaubad

1C351.d.4. ritsiin 1C351.d.5. saksitoksiin Tuumatarneriikide grupi tehnoloogia alla kuuluvad kaubad

I lisa kogu 0. kategooria sisaldub IV lisas, vδlja arvatud jδrgmised:

0C001: antud kaubanimetus ei sisaldu IV lisas

0C002: antud kaubanimetus ei sisaldu IV lisas, vδlja arvatud jδrgmised lυhustuvad erimaterjalid:

a) eraldatud plutoonium;

b) uraaniisotoobi U235 vυi U233 suhtes όle 20 % rikastatud uraan.

0D001 (tarkvara) sisaldub IV lisas, vδlja arvatud sedavυrd, kui see on seotud punktiga 0C001 vυi punkti 0C002 kaubanimetustega, mis on IV lisast vδlja arvatud.

0E001 (tehnoloogia) sisaldub IV lisas, vδlja arvatud sedavυrd, kui need on seotud punktiga 0C001 vυi punkti 0C002 kaubanimetustega, mis on IV lisast vδlja arvatud.

NB! Punktide 0C003 ja 0C004 osas όksnes kasutamisel tuumareaktorites (punktis 0A001.a).

1B226 Elektromagnetilised isotoopseparaatorid, mis on kavandatud vυi varustatud όhe vυi mitme iooniallikaga, vυimaldades maksimaalset ioonkiirte voolu 50 mA vυi rohkem.

Mδrkus: Punkt 1B226 hυlmab separaatoreid:

a) mis vυimaldavad rikastada stabiilseid isotoope;

b) millel mυlemad, nii iooniallikad kui ka kollektorid vυivad asuda kas magnetvδljas vυi vδljaspool magnetvδlja.

1C012 Jδrgmised materjalid:

Tehniline mδrkus:

Neid materjale kasutatakse enamasti tuumasoojusallikate puhul.

b) Eelnevalt eraldatud neptuunium-237 mis tahes kujul.

Mδrkus: Punkt 1C012 ei hυlma saadetisi, milles neptuunium-237 sisaldus on 1 gramm vυi vδhem.

1B231 Triitiumi tootmisrajatised vυi -tehased ning seadmed nende jaoks:

a) Tootmisrajatised vυi -tehased triitiumi tootmiseks, taastamiseks, ekstraheerimiseks, kontsentreerimiseks vυi kδitlemiseks;

b) Seadmed triitiumi tootmisrajatiste vυi -tehaste jaoks jδrgmiselt:

1. vesinik- vυi heeliumijahutusmoodulid jahutusvυimega 23K (- 250 °C) vυi sellest madalamale ning soojusδrastamisvυimega 150W vυi rohkem;

2. vesiniku isotoopide kogumis- ja puhastussόsteemid, mis koguvad ja puhastavad metallhόdriidide keskkonnas.

1B233 Liitiumi isotoopide eraldusrajatised vυi -tehased ning seadmed nende jaoks:

a) Rajatised vυi tehased liitiumi isotoopide eraldamiseks;

b) Seadmed liitiumi isotoopide eraldamiseks jδrgmiselt:

1. tδidetud vedelik-vedelik-vahetuskolonnid, mis on spetsiaalselt kavandatud liitiumamalgaamidele;

2. elavhυbeda vυi liitiumamalgaami pumbad;

3. liitiumamalgaami elektrolόόsikambrid;

4. aurustid kontsentreeritud liitiumhόdroksiidilahuste jaoks.

1C233 Liitium, mida on liitium-6 isotoobi (6Li) suhtes rikastatud όle selle isotoobi looduslikult esineva sisalduse ning tooted ja seadmed, mis sisaldavad rikastatud liitiumi jδrgmiselt: elementkujul, sulamitena, όhenditena, liitiumi sisaldavate segudena, nendest valmistatud toodetena, kυigi eelkirjeldatute heitmete vυi jδδtmetena.

Mδrkus: Punkt 1C233 ei hυlma termoluminestsentsdosimeetreid.

Tehniline mδrkus:

Liitium-6 looduslik sisaldus on ligikaudu 6,5 massi% (7,5 aatomprotsenti).

1C235 Triitium, triitiumiόhendid, triitiumi sisaldavad segud, milles triitiumiaatomite suhe vesinikuaatomite suhtes on suurem kui 1:1000, ning neid sisaldavad tooted ja seadmed.

Mδrkus: Punkt 1C235 ei hυlma kaupu ega seadmeid, milles triitiumisisaldus on kuni 1,48 x 103 GBq (40 Ci)

1E001 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia punktis 1C012.b nimetatud seadmete vυi materjalide arendamiseks vυi tootmiseks . 1E201 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia punktides 1B226, 1B231, 1B233, 1C233 ja 1C235 nimetatud kaupade kasutamiseks . 3A228 Lόlitusseadmed:

a) Kόlmkatoodiga lambid, gaasiga tδidetult vυi mitte, mis tφφtavad analoogiliselt kaitsesδdemikuga ja millel on kυik jδrgmised omadused:

1. sisaldavad kolme vυi enamat elektroodi;

2. anoodpinge tippnimivδδrtusega 2,5 kV vυi rohkem;

3. anoodvoolu tippnimivδδrtus 100 A vυi rohkem; ja

4. anoodi viiteaeg 10 >ISO_7>μ>ISO_4>s vυi vδhem;

Mδrkus: Punkt 3A228 hυlmab gaastδitega krόtrone ja vakuumsprόtrone

b) άmberlόlitatavad sδdevahemikud, millel on mυlemad jδrgmised omadused:

1. anoodi viiteaeg 15 >ISO_7>μ>ISO_4>s vυi vδhem; ja

2. tippnimivoolutugevus 500 A vυi rohkem;

3A231 Neutronite genereerimise sόsteemid, kaasa arvatud lambid, millel on mυlemad jδrgmised omadused:

a) nad on ette nδhtud tφφoperatsioonide tδitmiseks ilma vδlise vaakumsόsteemita; ja

b) triitium-deuteerium tuumareaktsiooni esilekutsumiseks kasutatakse elektrostaatilist kiirendamist

3E201 Tehnoloogia όldmδrkusele vastav tehnoloogia, mis on vajalik punktides 3A228.a, 3A228.b vυi 3A231 nimetatud seadmete kasutamiseks . 6A203 Kaamerad ja komponendid, muud kui punktis 6A003 nimetatud:

a) Mehaanilised pφφrdpeegelkaamerad ja nende jaoks ettenδhtud komponendid:

1. kaaderkaamerad, mille salvestuskiirus on όle 225000 kaadrit sekundis;

2. vφφtkaamerad, mille kirjutuskiirus on όle 0,5 mm mikrosekundis;

Mδrkus: Punktis 6A203.a kuuluvad selliste kaamerate komponentide hulka sόnkroniseeriva elektroonika moodulid ning rootorikoostud, mis koosnevad turbiinidest, peeglitest ja laagritest.

6A225 Kiiruse mυυtmise interferomeetrid, mis on ette nδhtud όle 1 km/s kiiruste mυυtmiseks ajavahemike vδltel, mis on lόhemad kui 10 >ISO_7>μ>ISO_4>s.

Mδrkus: Punkt 6A225 hυlmab kiiruse mυυtmise interferomeetreid, nagu kiiruse interferomeeter-sόsteem mis tahes reflektori jaoks (VISAR) ja Doppleri laserinterferomeetrid (DLI).

6A226 Rυhuandurid:

a) Manganiinkalibraatorid, suurematele rυhkudele kui 10 GPa;

b) Kvartsist rυhuandurid, suurematele rυhkudele kui 10 GPa.

(1) Erinevused I ja IV lisa sυnastuses/reguleerimisalas on mδrgitud poolpaksus kursiivkirjas.